WO2011136074A1 - ポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - Google Patents

ポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a positive radiation sensitive composition, an interlayer insulating film for a display element, and a method for forming the same.
  • the display element is generally provided with an interlayer insulating film for the purpose of insulating between wirings arranged in layers.
  • an interlayer insulating film for the purpose of insulating between wirings arranged in layers.
  • positive radiation-sensitive compositions are widely used because the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and a material having sufficient flatness is preferable.
  • the positive radiation sensitive composition used in forming such an interlayer insulating film is required to have good radiation sensitivity and storage stability, and the obtained interlayer insulating film is required to have excellent heat resistance and transparency. .
  • acrylic resins are widely used.
  • a resin having a structural unit containing an acid-dissociable group, which becomes alkali-soluble when this acid-dissociable group is dissociated carboxyl
  • a positive-type radiation-sensitive composition containing a resin having a structural unit containing a functional group (such as an epoxy group) that can react with a group to form a covalent bond and an acid generator has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-2009). No. 98673).
  • the two kinds of specific resins are mixed, and in the coating film formed using the composition, a carboxyl group generated by the action of an acid from a resin having a structural unit containing an acid dissociable group And a curing reaction by a crosslinking reaction between the resin having a structural unit containing an epoxy group and the like.
  • a carboxyl group generated by the action of an acid from a resin having a structural unit containing an acid dissociable group And a curing reaction by a crosslinking reaction between the resin having a structural unit containing an epoxy group and the like.
  • the surface hardness and heat resistance of the resulting cured film are not satisfactory levels due to insufficient progress of the crosslinking reaction.
  • the amine compound can be subjected to a crosslinking reaction with an epoxy group.
  • the reaction in which the alkali-insoluble resin becomes alkali-soluble by the dissociation of the acid-dissociable group and the crosslinking reaction of the epoxy group with the amine compound proceed simultaneously, and the composition exhibits positive radiation sensitive characteristics. May not be possible.
  • the present invention has been made on the basis of the above circumstances, and the object thereof is an interlayer insulation for display elements which is excellent in surface hardness and heat resistance, and also satisfies transmittance and voltage holding ratio, which are general required characteristics.
  • an interlayer insulating film for a display element formed from the composition and a method for forming the same It is.
  • a polymer comprising a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit (II) in the same or different polymer molecules (hereinafter referred to as “[A] Also referred to as "polymer”), [B] an acid generator, and [C] a nitrogen-containing compound (I) represented by the following formula (2) and at least selected from the group consisting of a nitrogen-containing compound (II) represented by the following formula (3)
  • One nitrogen-containing compound hereinafter also referred to as “[C] nitrogen-containing compound”
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, provided that the hydrogen atom of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group is A part or all of them may be substituted, and R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms,
  • R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, provided that the alkyl group and
  • the aryl group may include a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, an ester group, a sulfone group, an amide group, an ether group, a thiol group, a thioether group, an amino group, or an amidino group, and R 6 has 1 carbon atom.
  • R 4 and R 5 are connected to each other to form a ring structure together with a nitrogen atom bonded to each other. It may be formed.
  • R 7 and R 8 are .
  • R 9 and R 10 are each independently same as defined for the R 4 and are each independently as defined in the above R 6 .A, the number of carbon A 1-12 alkanediyl group or an arylene group having 6-20 carbon atoms.
  • a specific [C] nitrogen-containing compound having a carbamate structure by introducing a protecting group into the nitrogen atom portion is used as the amine compound.
  • the reactivity of the compound can be suppressed, and the storage stability of the composition can be improved.
  • by adopting a specific carbamate structure as a protected form of the [C] nitrogen-containing compound it is removed from the activation energy for dissociation by the acid of the group represented by the above formula (1) as the acid dissociable group. The activation energy for protection is increased.
  • the [C] nitrogen-containing compound is not deprotected by the acid generated from the [B] acid generator at the time of exposure, and is generated from the [B] acid generator by the heat during post-baking after development and its heat. It is deprotected by the cooperative action with acid. Therefore, the positive radiation-sensitive composition can exhibit positive radiation-sensitive characteristics in a series of steps from exposure to development, and can be epoxyized by the [C] nitrogen-containing compound deprotected during post-baking.
  • the cross-linking reaction of the group can be sufficiently advanced, and a cured film as an interlayer insulating film having excellent surface hardness and heat resistance can be formed.
  • At least one group selected from the group consisting of R 6 in the above formula (2) and R 9 and R 10 in the above formula (3) is a tert-butyl group, a tert-amyl group, or a 1-methylcyclohexyl group. Or it is preferably a 1-ethylcyclohexyl group.
  • the content of the nitrogen-containing compound is preferably 2 parts by mass or more and 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. [C] By setting the content of the nitrogen-containing compound within the above specified range, the crosslinking reaction of the epoxy group can be sufficiently advanced, and an unexpected side reaction with the epoxy group due to an excessive amount can be prevented, and the positive The radiation sensitivity and storage stability of the type radiation sensitive composition can be prevented, and the transmittance and voltage holding ratio of the resulting cured film can be prevented from decreasing.
  • the positive radiation-sensitive composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for display elements. Further, the present invention suitably includes an interlayer insulating film for a display element formed from the positive radiation sensitive composition.
  • the method for forming an interlayer insulating film for a display element includes: (1) The process of forming the coating film of the said positive type radiation sensitive composition on a board
  • an interlayer insulating film for a display element that is excellent in surface hardness and heat resistance and sufficiently satisfies transmittance and voltage holding ratio.
  • the positive radiation-sensitive composition of the present invention contains a [A] polymer, a [B] acid generator, and a [C] nitrogen-containing compound, whereby transmittance and voltage holding ratio are obtained. It is possible to form an interlayer insulating film for a display element that satisfies the general required characteristics in a well-balanced manner and has excellent surface hardness and heat resistance. Moreover, the positive radiation sensitive composition has excellent storage stability and exhibits sufficient radiation sensitivity.
  • the positive radiation-sensitive composition of the present invention contains a [A] polymer, a [B] acid generator, and a [C] nitrogen-containing compound. Moreover, the said positive type radiation sensitive composition may contain [D] surfactant and [E] adhesion
  • the polymer contains the structural unit (I) and the epoxy group-containing structural unit (II) in the same or different polymer molecules. Moreover, the other structural unit may be included as needed.
  • the embodiment of the [A] polymer containing the structural unit (I) and the epoxy group-containing structural unit (II) is not particularly limited. For example, (i) containing the structural unit (I) and the epoxy group in the same polymer molecule When both of the structural units (II) are contained and [A] one polymer molecule is present in the polymer; (Ii) The structural unit (I) is contained in one polymer molecule, and the epoxy group-containing structural unit (II) is contained in a polymer molecule different from the structural unit (I).
  • the polymer unit includes both the structural unit (I) and the epoxy group-containing structural unit (II) in one polymer molecule, and includes the structural unit (I) in a different polymer molecule.
  • the epoxy group-containing structural unit (II) is contained in different polymer molecules, and [A] three kinds of polymer molecules are present in the polymer;
  • [A] the polymer may contain 2 or more types of each structural unit.
  • each structural unit will be described in detail.
  • the group represented by the above formula (1) is present as a group (acid dissociable group) that is dissociated in the presence of an acid to generate a polar group.
  • the acid-dissociable group is dissociated by the acid generated from the generator, and as a result, the [A] polymer that was insoluble in alkali becomes alkali-soluble.
  • the acid dissociable group has an acetal structure or a ketal structure that is relatively stable with respect to an alkali, and these are dissociated by the action of an acid.
  • R ⁇ 1 > and R ⁇ 2 > are respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. However, one part or all part of the hydrogen atom which the said alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group have may be substituted. Further, there is no case where R 1 and R 2 are both hydrogen atoms.
  • R 3 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or a group represented by —M (R 3m ) 3 . This M is Si, Ge, or Sn.
  • R 3m is each independently an alkyl group.
  • R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether structure. However, one part or all part of the hydrogen atom which these groups represented by R ⁇ 3 > have may be substituted.
  • Examples of the alkyl group represented by R 1 and R 2 include linear and branched alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms.
  • the alkyl chain may have an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom.
  • Examples of the linear and branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, and an n-octyl group.
  • N-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group, etc. linear alkyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group And a branched alkyl group such as.
  • Examples of the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 include a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms may be polycyclic and may have an oxygen atom in the ring.
  • Examples of the cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.
  • Examples of the aryl group represented by R 1 and R 2 include an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.
  • the aryl group having 6 to 14 carbon atoms may be a single ring, a structure in which single rings are linked, or a condensed ring.
  • Examples of the aryl group having 6 to 14 carbon atoms include a phenyl group and a naphthyl group.
  • Examples of the optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 1 and R 2 include a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cyclo group.
  • alkyl group eg, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group, etc.
  • aryl group eg, phenyl group, naphthyl group, etc.
  • alkoxy group eg, methoxy group
  • an acyl group for example, an acetyl group, a propionyl group
  • acyloxy group for example,
  • the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group represented by R 3 for example, the groups exemplified for R 1 and R 2 can be applied.
  • the substituent for these groups for example, the groups exemplified as the substituents for the optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 1 and R 2 can be applied.
  • the aralkyl group represented by R 3 include an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.
  • the aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms include benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group and the like.
  • Examples of the group represented by -M (R 3m ) 3 include a trimethylsilanyl group and a trimethylgermyl group.
  • the substituent which may substitute part or all of the hydrogen atoms of the aralkyl group represented by R 3 or the group represented by —M (R 3m ) 3 the above substituents are preferably employed. be able to.
  • the substituent of this group for example, the groups exemplified as the substituents of the optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 1 and R 2 can be applied.
  • Examples of the group having a cyclic ether structure that may be formed by linking R 1 and R 3 include 2,2-oxetanediyl group, 2,2-tetrahydrofurandiyl group, 2-tetrahydropyrandiyl group, 2 -Dioxanediyl group and the like.
  • the structural unit (I) can have an acetal structure or a ketal structure by having a functional group that should have an acetal structure or a ketal structure by bonding to another carbon atom.
  • Examples of the functional group that should have an acetal structure by bonding to the other carbon atom include 1-methoxyethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, and 1-i-propoxyethoxy.
  • 1-ethoxyethoxy group 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1-n-propoxyethoxy group, and 2-tetrahydropyranyloxy group are preferable.
  • Examples of the functional group that should have a ketal structure by bonding to the other carbon atom include 1-methyl-1-methoxyethoxy group, 1-methyl-1-ethoxyethoxy group, 1-methyl-1 -N-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-sec -Butoxyethoxy group, 1-methyl-1-t-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-methyl-1-norbornyloxyethoxy group 1-methyl-1-bornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-methyl-1- (1-na (Tiloxy) ethoxy group, 1-methyl-1-benzyloxyoxy group, 1-methyl-1-phenethyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-me
  • 1-methyl-1-methoxyethoxy group and 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group are preferable.
  • Examples of the structural unit (I) having the acetal structure or ketal structure include structural units represented by the following formulas (1-1) to (1-3).
  • R ′ is a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 1 , R 2 and R 3 have the same meaning as in the above formula (1).
  • Examples of the monomer that gives the structural unit (I) represented by the above formulas (1-1) to (1-3) include 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, 1- (cycloalkyloxy) alkyl (meta ) Acrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate and other (meth) acrylate acetal structure-containing monomers; 2,3-di (1- (trialkylsilanyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trialkylgermyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2, 3-di (1-alkoxyalkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cycloalkyloxy) alkoxycarbonyl) -5-
  • 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate, 1-alkoxyalkoxystyrene and tetrahydropyranyloxystyrene are preferable, and 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate is more preferable.
  • Specific monomers that give the structural unit (I) represented by the above formulas (1-1) to (1-3) include, for example, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-n- Butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t-butoxyethyl methacrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1
  • a methacrylate-based acetal structure-containing monomer such as cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate; 1-ethoxyethyl acrylate, 1-
  • Acetal structure-containing monomer 2,3-di (1- (trimethylsilanyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trimethylgermyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3- Di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (benzyloxy) ethoxycarbonyl) -5
  • a monomer containing a norbornene-based acetal structure such as norbornene; p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n-butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxyethoxys
  • the monomer giving the structural unit (I) is preferably 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate or 1-benzyloxyethyl methacrylate.
  • the monomer that gives the structural unit (I) commercially available monomers may be used, or those synthesized by a known method may be used.
  • the monomer that gives the structural unit (I) represented by the above formula (1-1) is synthesized by reacting (meth) acrylic acid with vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown in the following formula. can do.
  • R ′, R 1 and R 3 have the same meaning as in the above formula (1-1).
  • R 21 and R 22 are the same as R 2 in the above formula (1-1) as —CH (R 21 ) (R 22 ).
  • the content of the structural unit (I) in the polymer is not particularly limited as long as the polymer [A] is alkali-soluble by an acid and exhibits the desired heat resistance of the cured film.
  • the polymer molecule contains both the structural unit (I) and the epoxy group-containing structural unit (II)
  • the monomer charge ratio with respect to all structural units contained in the [A] polymer is 5% by mass or more and 70% by mass. % By mass or less is preferable, 10% by mass to 60% by mass is more preferable, and 20% by mass to 50% by mass is particularly preferable.
  • the one polymer molecule having the structural unit (I) contains the structural unit (I) and the other polymer molecule contains the epoxy group-containing structural unit (II), the one polymer molecule having the structural unit (I)
  • the content of the structural unit (I) in is preferably 40% by mass or more and 99% by mass or less, more preferably 50% by mass or more and 98% by mass with respect to the total structural units contained in the polymer molecule. % Or less is more preferable, and 55 mass% or more and 95 mass% or less are especially preferable.
  • Epoxy group-containing structural unit (II) The epoxy group-containing structural unit (II) is not particularly limited as long as it is a structural unit derived from an epoxy group-containing monomer. [A] When the polymer contains the epoxy group-containing structural unit (II) in the molecule, the surface hardness and heat resistance of the cured film obtained from the positive radiation-sensitive composition can be further increased.
  • the epoxy group in this specification is a concept including an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure).
  • Monomers that give the epoxy group-containing structural unit (II) include, for example, glycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 3-methyl-3,4-epoxybutyl acrylate, methacryl 3-ethyl-3,4-epoxybutyl acid, 5,6-epoxyhexyl (meth) acrylate, 5-methyl-5,6-epoxyhexyl methacrylate, 5-ethyl-5,6-epoxyhexyl methacrylate, (Meth) acrylic acid 6,7-epoxyheptyl, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl (meth) acrylate, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylpropyl, 3,4-epoxycyclohexylbuty
  • glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3- (methacryloyloxymethyl) -3 -Methyloxetane and 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane are preferred from the viewpoints of copolymerization reactivity with other monomers and developability of the positive radiation-sensitive composition.
  • the content of the epoxy group-containing structural unit (II) in the polymer is not particularly limited as long as the desired heat resistance of the interlayer insulating film for display elements is exhibited, and the structural unit ( When I) and the epoxy group-containing structural unit (II) are included, the monomer charge ratio is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less with respect to all the structural units contained in the [A] polymer. More preferably, the content is greater than or equal to 55% and less than or equal to 55% by weight, particularly preferably greater than or equal to 20% and less than or equal to 50%.
  • the content of the epoxy group-containing structural unit (II) with respect to all the structural units contained in the molecule is preferably 20% by mass to 80% by mass, more preferably 30% by mass to 70% by mass, as a monomer charge ratio. Preferably, 35 mass% or more and 65 mass% or less are especially preferable.
  • the polymer may contain other structural units other than the structural unit (I) and the structural unit (II) as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • monomers that give structural units include carboxyl groups or derivatives thereof, and monomers having hydroxyl groups.
  • Examples of the monomer having a carboxyl group or a derivative thereof include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, Examples thereof include monocarboxylic acids such as 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid; and acid anhydrides of the above dicarboxylic acids.
  • Examples of the monomer having a hydroxyl group include acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, and acrylic acid-4-hydroxymethylcyclohexylmethyl ester.
  • methacrylic acid hydroxyalkyl esters such as methacrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester.
  • acrylic acid-2-hydroxyethyl ester acrylic acid--from the viewpoint of copolymerization reactivity with other monomers and the heat resistance of the obtained interlayer insulating film for display elements.
  • 3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester, methacrylic acid-4- Hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester is preferred.
  • Examples of other monomers include acrylic acid alkyl esters such as methyl acrylate and i-propyl acrylate; Alkyl methacrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate; Cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, acrylic acid-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] Acrylic alicyclic alkyl ester such as decan-8-yloxy) ethyl, isobornyl acrylate; Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, methacrylic acid-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] decane-8-
  • styrene, 4-isopropenylphenol, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 1,3-butadiene 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, and benzyl methacrylate are copolymerized with monomers having the above-mentioned reactive functional groups This is preferable in terms of reactivity and developability of the positive radiation-sensitive composition.
  • the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer is preferably 2.0 ⁇ 10 3 to 1.0 ⁇ 10 5 , more preferably 5.0 ⁇ 10. 3 to 5.0 ⁇ 10 4 .
  • Mw weight average molecular weight
  • GPC gel permeation chromatography
  • the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the polymer is preferably 2.0 ⁇ 10 3 to 1.0 ⁇ 10 5 , more preferably 5.0 ⁇ 10 3 to 5.0 ⁇ 10. 4 .
  • Mn of a polymer By making Mn of a polymer into the said specific range, the cure reactivity at the time of hardening of the coating film of the said positive type radiation sensitive composition can be improved.
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less.
  • Mw / Mn of the polymer By setting Mw / Mn of the polymer to 3.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film for display elements can be enhanced.
  • the positive-type radiation-sensitive composition containing a polymer can easily form a desired pattern shape without causing a development residue during development.
  • the polymer can be synthesized by radical copolymerization of monomers giving the above structural units. For example, when synthesizing a polymer [A] containing both the structural unit (I) and the epoxy group-containing structural unit (II) in the same polymer molecule, a monomer and an epoxy group that give the structural unit (I) What is necessary is just to copolymerize using the mixture containing the monomer which gives containing structural unit (II).
  • the structural unit (I) when the [A] polymer having the structural unit (I) in one polymer molecule and the epoxy group-containing structural unit (II) in a different polymer molecule is synthesized, the structural unit (I).
  • the polymer solution containing the monomer that gives the epoxy group-containing structural unit (II) is obtained by radically polymerizing a polymerizable solution containing the monomer that gives the structural unit (I) to obtain a polymer molecule having the structural unit (I). May be radically polymerized to obtain a polymer molecule having an epoxy group-containing structural unit (II), and finally, both may be mixed to obtain a polymer [A].
  • Examples of the solvent used in the polymerization reaction of the polymer include the solvents exemplified in the section of preparation of the composition described later.
  • radical polymerization initiators those generally known as radical polymerization initiators can be used.
  • a molecular weight modifier may be used to adjust the molecular weight.
  • the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, thioglycolic acid; Xanthogens such as xanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; terpinolene, ⁇ -methylstyrene dimer and the like.
  • the acid generator is a compound that generates an acid both by irradiation with radiation and by application of heat.
  • the radiation for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like can be used.
  • the positive radiation sensitive composition contains an [A] polymer having an acid dissociable group and a [B] acid generator, so that the positive radiation sensitive composition exhibits positive radiation sensitive characteristics. It can be demonstrated.
  • the inclusion form of the acid generator in the positive radiation-sensitive composition may be a compound form as described later (hereinafter also referred to as “[B] acid generator” as appropriate) or the [A] polymer.
  • the positive-type radiation-sensitive composition can exhibit positive-type radiation-sensitive properties and deprotect [C] nitrogen-containing compounds during post-baking.
  • the crosslinking reaction of the epoxy group can be sufficiently advanced.
  • Examples of the acid generator include oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and quinone diazide compounds.
  • each of these [B] acid generators can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • oxime sulfonate compound examples include a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following formula (4).
  • R B1 is a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group. However, in these groups, some or all of the hydrogen atoms may be substituted.
  • the linear or branched alkyl group represented by R B1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be substituted.
  • Examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms and 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl.
  • a preferred alicyclic group is a bicycloalkyl group.
  • the aryl group represented by R B1 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, more preferably a phenyl group or a naphthyl group.
  • the aryl group may be substituted, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.
  • Examples of the compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (4) include an oxime sulfonate compound represented by the following formula (5).
  • R B1 has the same meaning as in the above formula (4).
  • X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
  • m is an integer of 0 to 3. However, when there are a plurality of Xs, the plurality of Xs may be the same or different.
  • the alkyl group that can be represented by X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.
  • m 0 or 1 is preferable.
  • a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.
  • Examples of the oxime sulfonate compound represented by the above formula (5) include compounds represented by the following formulas (5-1) to (5-5).
  • onium salt examples include diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, and tetrahydrothiophenium salt.
  • diphenyliodonium salt examples include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate, diphenyliodonium Butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoro Tansul
  • triphenylsulfonium salt examples include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium. And butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.
  • sulfonium salt examples include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts, and the like.
  • alkylsulfonium salt examples include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, and the like.
  • benzylsulfonium salt examples include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenyl Methylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenyl Examples include methylsulfonium hexafluorophosphate.
  • dibenzylsulfonium salt examples include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium.
  • Hexafluoroantimonate dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl- 4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate and the like.
  • substituted benzylsulfonium salts include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethyl.
  • benzothiazonium salt examples include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p-methoxybenzyl) ) Benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like.
  • tetrahydrothiophenium salt examples include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethane.
  • sulfonimide compound examples include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy).
  • a quinonediazide compound is a compound that generates a carboxylic acid upon irradiation with radiation.
  • a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound hereinafter also referred to as “mother nucleus”
  • 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.
  • mother nucleus examples include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei.
  • trihydroxybenzophenone examples include 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,4,6-trihydroxybenzophenone.
  • examples of tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3 , 4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone, and the like.
  • pentahydroxybenzophenone examples include 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone.
  • Examples of hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, and the like.
  • Examples of (polyhydroxyphenyl) alkanes include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (p-hydroxy).
  • Phenyl) ethane bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-) 4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl) -4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobi Den -5,6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl -7,2 ', 4'-trihydroxy flavan like.
  • mother nuclei examples include 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- ⁇ 1- (4- Hydroxyphenyl) -1-methylethyl ⁇ -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- ⁇ 1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl ⁇ -4, 6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene and 4,6-bis ⁇ 1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl ⁇ -1,3-dihydroxybenzene.
  • 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride is preferable.
  • 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride examples include 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, and the like. Of these, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferred.
  • 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide preferably 30 mol% to 85 mol based on the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound.
  • 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide corresponding to mol%, more preferably 50 mol% to 70 mol% can be used.
  • the condensation reaction can be carried out by a known method.
  • Examples of the quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus exemplified above is changed to an amide bond, such as 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide- 4-sulfonic acid amide and the like are also preferably used.
  • the acid generator is preferably an oxime sulfonate compound or an onium salt from the viewpoints of sensitivity and solubility.
  • a compound represented by the above formula (4) is preferable, a compound represented by the above formula (5) is more preferable, and the compounds represented by the above formulas (5-1) to (5) are commercially available.
  • the compound represented by -5) is particularly preferable.
  • onium salt tetrahydrothiophenium salt and benzylsulfonium salt are preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate are preferable. More preferred.
  • the content of the [B] acid generator in the composition is preferably 1 mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer, when the [B] acid generator is a [B] acid generator. Part to 20 parts by weight, more preferably 1 part to 10 parts by weight. [B] By setting the content of the acid generator within the above specific range, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion with respect to the alkaline aqueous solution serving as the developer is large, and the patterning performance is improved and obtained. The heat resistance of the interlayer insulating film for display elements is also improved.
  • the nitrogen-containing compound is at least one selected from the group consisting of the nitrogen-containing compound (I) represented by the formula (2) and the nitrogen-containing compound (II) represented by the formula (3). It is a nitrogen-containing compound.
  • each compound will be described in detail.
  • R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
  • the alkyl group and aryl group may include a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, an ester group, a sulfone group, an amide group, an ether group, a thiol group, a thioether group, an amino group, or an amidino group.
  • R 6 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
  • R 4 and R 5 may be linked to form a ring structure together with the nitrogen atoms bonded to each other.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 4 , R 5 and R 6 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group and an n-hexyl group.
  • N-octyl group N-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group and the like linear alkyl group, i-propyl group, i-butyl group, tert-butyl group, tert-amyl group, neopentyl group And branched alkyl groups such as 2-hexyl group and 3-hexyl group.
  • Examples of the cycloalkyl group having 4 to 20 carbon atoms represented by R 6 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a 1-methylcyclopentyl group, and 1-ethyl.
  • Examples include cyclopentyl group, 1-methylcyclohexyl group, 1-ethylcyclohexyl group, 2-methyl-2-norbornyl group, 2-ethyl-2-norbornyl group and the like.
  • the aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 4 , R 5 and R 6 may be, for example, a single ring, a structure in which single rings are connected, or a condensed ring, For example, a phenyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned.
  • R 6 includes a tert-butyl group, a tert-amyl group, a 1-methylcyclohexyl group, and a 1-ethylcyclohexyl group from the viewpoints of the reactivity control ability of the [C] nitrogen-containing compound, the protection function against acid, and the deprotection ability. Is preferred.
  • nitrogen-containing compound (I) examples include N- (tert-butoxycarbonyl) -L-alanine, N- (tert-butoxycarbonyl) -L-alanine-methyl ester, (S)-( ⁇ )-2- ( tert-butoxycarbonylamino) -3-cyclohexyl-1-propanol, (R)-(+)-2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-methyl-1-butanol, (R)-(+)-2 -(Tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl-1-propanol, (S)-(-)-2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl-1-propanol, (R)-(+) -2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl-1-propanol, (R)-(+) -2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phen
  • N- (tert-butoxycarbonyl) -L-alanine methyl ester N- (tert-butoxycarbonyl) -L-alanine methyl ester, (S)-( ⁇ )-2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-cyclohexyl-1-propanol, (R)-( +)-2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-methyl-1-butanol, (R)-(+)-2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenylpropanol, (S)-( ⁇ ) -2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenylpropanol, (R)-(+)-2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl-1-propanol, (S)-( ⁇ ) -2- (tert-butoxycarbonylamino) -3-phenyl-1-propanol, (S)
  • Nitrogen-containing compounds represented by (2-1) to (2-7) are more preferable.
  • Nitrogen-containing compound (I) can be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may use in combination with the basic compound mentioned later, and it is also possible to control the degree of bridge
  • the content of the nitrogen-containing compound (I) is preferably 2 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A], and 3 to 20 parts by mass. Is more preferable.
  • the nitrogen-containing compound (II) has two carbamate structures in the molecule as represented by the above formula (3).
  • R 7 and R 8 are as defined above with respect to R 4 independently of each other.
  • R 9 and R 10 are each independently synonymous with R 6 above.
  • A is an alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms.
  • Examples of the alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by A include a methanediyl group, an ethanediyl group, a propanediyl group, a butanediyl group, a pentanediyl group, and a hexanediyl group.
  • the arylene group having 6 to 20 carbon atoms represented by A two hydrogen atoms are removed from the aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 4 , R 5 and R 6 in the above formula (2).
  • Divalent groups can be preferably applied, and examples thereof include a phenylene group and a naphthylene group.
  • R 9 and R 10 are each a tert-butyl group, a tert-amyl group, a 1-methylcyclohexyl group, a 1-methylcyclohexyl group, from the viewpoint of the reactivity control ability of the [C] nitrogen-containing compound, the protecting function against acid, and the deprotecting ability.
  • An ethylcyclohexyl group is preferred.
  • Examples of the nitrogen-containing compound (II) include compounds represented by the following formulas (3-1-1) to (3-1-9) and (3-2-1) to (3-2-4). Can be mentioned.
  • the reactivity is controlled at the time of storage of the positive radiation-sensitive composition, and it is easily deprotected at the time of post-baking and from the viewpoint of sufficiently proceeding with the epoxy group crosslinking reaction.
  • the compounds represented by the above formulas (3-1-3), (3-1-4), (3-1-5), (3-1-6), and (3-2-1) are preferable.
  • the content of the nitrogen-containing compound (II) is preferably 2 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer, and 3 to 20 parts by mass. Is more preferable.
  • the total of both is preferably 2 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer.
  • the surfactant can further improve the film-forming property of the positive radiation-sensitive composition.
  • the surfactant include a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and a nonionic surfactant.
  • the positive radiation-sensitive composition contains [D] surfactant, the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the thickness uniformity of the interlayer insulating film for display element formed can be further improved. It can be improved.
  • These surfactants can be used alone or in combination of two or more.
  • a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least one of the terminal, main chain and side chain is preferable.
  • fluorosurfactants include, for example, BM-1000, BM-1100 (above, manufactured by BM CHEMIE), MegaFuck F142D, F172, F173, F183, F178, F191, F191, and F471.
  • F476 (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Fluorard FC-170C, FC-171, FC-430, FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M), Surflon S-112, S-113, S-131, S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (and above) Asahi Glass), F-top EF301, EF303, EF352 (above, manufactured by Shin-Akita Kasei), Footent FT-100, FT-110 FT-140A, FT-150, FT-250, FT-251, FT-300, FT-310, FT-400S, FTX-218, FT-251 (above, Neos) Etc.
  • silicone surfactants include, for example, Torresilicone DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190, DC-190, SH 8400 FLUID (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4442 (Above, GE Toshiba Silicone), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.
  • Nonionic surfactants include, for example, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, and the like.
  • Polyflow No. 57, 95 manufactured by Kyoeisha Chemical
  • the content of the [D] surfactant in the positive radiation-sensitive composition is preferably 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 100 parts by mass of the polymer [A]. Is 0.1 part by mass or more and 2 parts by mass or less. [D] By setting the content of the surfactant within the above specific range, film roughness when forming a coating film on the substrate can be suppressed.
  • Adhesion aid In the positive-type radiation-sensitive composition, in order to improve the adhesion between an inorganic material serving as a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide and silicon nitride, a metal such as gold, copper and aluminum, and an insulating film [ E] Adhesion aids can be used.
  • a functional silane coupling agent is preferably used. Examples of functional silane coupling agents include silane coupling agents having reactive substituents such as carboxyl groups, methacryloyl groups, isocyanate groups, epoxy groups (preferably oxiranyl groups), thiol groups, and the like.
  • Examples of functional silane coupling agents include trimethoxysilylbenzoic acid, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, ⁇ -isocyanatopropyltriethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltri Examples include methoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, ⁇ -chloropropyltrialkoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrialkoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like.
  • ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane ⁇ -glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane are preferred. .
  • the content of the [E] adhesion aid in the positive radiation sensitive composition is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. It is used in an amount of not less than 10 parts by mass and not more than 10 parts by mass. [E] By making the amount of the adhesion assistant in the above specific range, the adhesion between the formed interlayer insulation film for display elements and the substrate is improved. ⁇ Other optional components>
  • the positive radiation-sensitive composition may contain other optional components such as a basic compound as necessary within the range of not impairing the effects of the present invention, in addition to the components [A] to [E]. .
  • the positive radiation sensitive composition contains a basic compound
  • the diffusion length of the acid generated from the [B] acid generator by exposure can be appropriately controlled, and the pattern developability can be improved.
  • the basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists, and examples thereof include aliphatic amines, hybrid amines, aromatic amines, heterocyclic amines, and carboxylic acid quaternary ammonium salts. .
  • aliphatic amine examples include ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, pentylamine, tert-amylamine, cyclopentylamine, hexylamine, Cyclohexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dodecylamine, cetylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetraethylenepentamine, dimethylamine, diethylamine, di-n-propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutyl Amine, di-sec-butylamine, dipentylamine, dicyclopentylamine, dihexylamine, dicyclohexyl Min, dihept
  • hybrid amines examples include dimethylethylamine, methylethylpropylamine, benzylamine, phenethylamine, benzyldimethylamine, dicyclohexylmethylamine and the like.
  • aromatic amines and heterocyclic amines include aniline, N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methyl.
  • carboxylic acid quaternary ammonium salts include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.
  • R 41 , R 42 , R 43 , R 47 and R 48 are each independently a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms. is there.
  • R 44 , R 45 , R 46 , R 49 and R 50 are a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. However, part or all of the hydrogen atoms of this alkyl group may be substituted with an amino group.
  • R 44 and R 45 , R 45 and R 46 , R 44 and R 46 , R 44 and R 45 and R 46 , and R 49 and R 50 may be bonded to each other to form a ring structure.
  • S, T, and U are each independently an integer of 0 to 20. However, when S, T, and U are all 0, R 44 , R 45 , R 46 , R 49 , and R 50 are not all hydrogen atoms.
  • the number of carbon atoms of the alkylene group represented by R 41 , R 42 , R 43 , R 47 and R 48 is 1-20, preferably 1-10, more preferably 1-8.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 44 , R 45 , R 46 , R 49 and R 50 is 1-20, preferably 1-8, more preferably 1-6. These may be linear, branched or cyclic. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, hexyl group, nonyl group, decyl group, dodecyl Group, tridecyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.
  • R 44 and R 45 , R 45 and R 46 , R 44 and R 46 , R 44 and R 45 and R 46 , and R 49 and R 50 form a ring structure
  • the carbon number is typically 1 to 20 And preferably 1 to 8, more preferably 1 to 6.
  • these ring structures may be branched by an alkyl group having 1 to 6, preferably 1 to 4 carbon atoms.
  • S, T and U are preferably integers of 1 to 10, more preferably 1 to 8.
  • Examples of the basic compounds represented by the above formulas (6) and (7) include tris ⁇ 2- (methoxymethoxy) ethyl ⁇ amine, tris ⁇ 2- (methoxyethoxy) ethyl ⁇ amine, tris [2- ⁇ ( 2-methoxyethoxy) methoxy ⁇ ethyl] amine, tris ⁇ 2- (2-methoxyethoxy) ethyl ⁇ amine, tris ⁇ 2- (1-methoxyethoxy) ethyl ⁇ amine, tris ⁇ 2- (1-ethoxyethoxy) ethyl ⁇ Amine, Tris ⁇ 2- (1-ethoxypropoxy) ethyl ⁇ amine, Tris [2- ⁇ (2-hydroxyethoxy) ethoxy ⁇ ethyl] amine, 4,7,13,16,21,24-hexaoxa-1, 10-diazabicyclo [8.8.8] hexacosane, 4,7,13,18
  • Basic compounds include tertiary amines, aniline derivatives, pyrrolidine derivatives, pyridine derivatives, quinoline derivatives, amino acid derivatives, tris ⁇ 2- (methoxymethoxy) ethyl ⁇ amine, tris ⁇ (2- (2-methoxyethoxy) ethyl ⁇ Amine, tris [2- ⁇ (2-methoxyethoxy) methyl ⁇ ethyl] amine, 1-aza-15-crown-5 are preferred.
  • the content of the basic compound in the positive radiation-sensitive composition is preferably 0.001 to 1 part by mass, and 0.005 to 0.2 part by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. Part by mass is more preferable. Pattern developability improves more by making content of a basic compound into the said specific range.
  • the positive-type radiation-sensitive composition is obtained by mixing [A] polymer, [B] acid generator, [C] nitrogen-containing compound, which is a suitable component, if necessary, and other optional components in a solvent. Prepared in a dissolved or dispersed state.
  • the positive radiation-sensitive composition can be prepared by mixing each component at a predetermined ratio in a solvent.
  • a solvent in which each component is uniformly dissolved or dispersed and does not react with each component is preferably used.
  • the solvent include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionate, aromatic Examples include hydrocarbons, ketones, and other esters. In addition, these solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • alcohols examples include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like.
  • ethers examples include tetrahydrofuran.
  • glycol ethers examples include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether.
  • ethylene glycol alkyl ether acetates examples include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.
  • diethylene glycol alkyl ether examples include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether.
  • propylene glycol monoalkyl ether examples include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like.
  • propylene glycol monoalkyl ether acetates examples include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.
  • propylene glycol monoalkyl ether propionate examples include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like. .
  • aromatic hydrocarbons examples include toluene and xylene.
  • ketones include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and the like.
  • esters examples include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, hydroxy Methyl acetate, ethyl hydroxyacetate, hydroxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate 2-methyl-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate Methyl propoxya
  • ethers such as dialkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers, Ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ketones and esters are preferred, especially diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene Glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol mono Tyl ether acetate, cyclohexanone, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl
  • Ethers such as dialkyl ether are more preferable, and diisopentyl ether is particularly preferable.
  • the drying process time is shortened, and at the same time, the coating property is further improved (coating unevenness is suppressed). Is possible.
  • the proportion of components other than the solvent in the liquid can be arbitrarily set according to the purpose of use, desired film thickness, etc.
  • the content is preferably 5% by mass to 50% by mass, more preferably 10% by mass to 40% by mass, and particularly preferably 15% by mass to 35% by mass.
  • the positive radiation-sensitive composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for display elements. Further, the present invention suitably includes an interlayer insulating film for a display element formed from the positive radiation sensitive composition.
  • the method for forming an interlayer insulating film for a display element includes: (1) The process of forming the coating film of the said positive type radiation sensitive composition on a board
  • the coating surface is preferably removed by pre-baking the coating surface to form a coating film.
  • the coating method include spraying, roll coating, spin coating (spin coating), slit die coating, and bar coating. Of these, the spin coating method and the slit die coating method are preferable, and the slit die coating method is more preferable.
  • Examples of the substrate include glass, quartz, silicone, and resin.
  • Examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, cyclic olefin ring-opening polymer, and hydrogenated products thereof.
  • Prebaking conditions vary depending on the type of each component, the blending ratio, etc., but can be about 70 ° C. to 120 ° C. and about 1 to 10 minutes.
  • Step (2) In this step, at least a part of the formed coating film is exposed to radiation and exposed. When exposing, it exposes normally through the photomask which has a predetermined pattern.
  • the radiation used for exposure is preferably radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm, and more preferably radiation containing ultraviolet light of 365 nm. Energy of exposure intensity at the wavelength 365nm radiation, by the value measured by luminometer (OAI model356, OAI Optical Ltd. Associates), preferably 300J / m 2 ⁇ 5,000J / m 2, 400J / m 2 ⁇ 1 500 J / m 2 is more preferable.
  • Step (3) the coating film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern.
  • an alkaline aqueous solution is preferable.
  • the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. .
  • An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant can be added to the alkaline aqueous solution.
  • concentration of alkali in the aqueous alkali solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability.
  • Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, and a shower method.
  • the development time varies depending on the composition of the positive radiation sensitive composition, but is about 10 seconds to 180 seconds. Following such development processing, for example, washing with running water is performed for 30 seconds to 90 seconds, and then a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.
  • the developed coating film is heated.
  • a heating device such as a hot plate or oven
  • the patterned thin film is heated to accelerate the curing reaction of the [A] polymer and [C] nitrogen-containing compound to obtain a cured product.
  • the heating temperature is, for example, about 120 ° C. to 250 ° C.
  • the heating time varies depending on the type of heating device, for example, it is about 5 to 30 minutes for a hot plate and about 30 to 90 minutes for an oven.
  • the step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target display element interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate.
  • the use of the cured film is not limited to the interlayer insulating film for display elements, and can also be used as a spacer or a protective film.
  • the film thickness of the formed interlayer insulating film for display elements is preferably 0.1 ⁇ m to 8 ⁇ m, more preferably 0.1 ⁇ m to 6 ⁇ m, and particularly preferably 0.1 ⁇ m to 4 ⁇ m.
  • the temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1).
  • the Mw of the polymer (A-1) was 9,000.
  • the solid content concentration of the polymer solution was 32.1% by mass.
  • the temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2).
  • Mw of the polymer (A-2) was 9,000.
  • the solid content concentration of the polymer solution was 31.3% by mass.
  • Acid generator B-1 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate
  • B-2 benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate
  • B-3 ( 5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (Ciba Specialty Chemicals, IRGACURE PAG 103)
  • B-4 (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (Ciba Specialty Chemicals, IRGACURE PAG 108)
  • B-5 (5-p-Toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile
  • Nitrogen-containing compound C-1 nitrogen-containing compound represented by the above formula (2-1)
  • C-2 nitrogen-containing compound represented by the above formula (2-2)
  • C-3 the above formula (2) -4)
  • nitrogen-containing compound C-4 nitrogen-containing compound C-5 represented by the above formula (3-1-3): nitrogen-containing compound represented by the above formula (3-2-1)
  • D-1 Silicone surfactant (manufactured by Toray Dow Corning Silicone, SH 8400 FLUID)
  • D-2 Fluorosurfactant (Neos, Aftergent FTX-218)
  • Adhesion aid E-1 ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane
  • E-2 ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane
  • E-3 ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane
  • Example 1 [A] In a solution containing (A-1) as a polymer (an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of (A-1)), [B] (B-4) as an acid generator. 0 parts by weight, [C] 5 parts by weight of (C-1) as a nitrogen-containing compound, [D] 0.20 parts by weight of (D-1) as a surfactant, and [E] E-1) A positive radiation sensitive composition was prepared by mixing 3.0 parts by mass and filtering through a membrane filter having a pore size of 0.2 ⁇ m.
  • Example 2 to 12 and Comparative Examples 1 and 2 Each positive-type radiation-sensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and blending amounts of each component were as described in Table 1. In Table 1, “-” indicates that the corresponding component was not used.
  • Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied on a 550 ⁇ 650 mm chromium-deposited glass and heated at 60 ° C. for 1 minute.
  • Each positive radiation sensitive composition is applied onto the chromium-deposited glass after HMDS treatment using a slit die coater (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., TR6322105-CL), and the ultimate pressure is set to 100 Pa under vacuum. After removing the solvent at, the film was further pre-baked at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 ⁇ m.
  • the coating film was irradiated with radiation through the mask having a 60 ⁇ m line and space (10 to 1) pattern with the exposure amount being changed. . Then, it developed for 80 second at 25 degreeC with 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, washing with running ultrapure water for 1 minute was performed, followed by drying to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the exposure amount necessary for completely dissolving the 6 ⁇ m space pattern was defined as radiation sensitivity (J / m 2 ). When this value was 600 (J / m 2 ) or less, it was judged that the sensitivity was good.
  • Transmissivity (%) A coating film was formed on the silicon substrate in the same manner as in the evaluation of the radiation sensitivity. Without being exposed, this silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. The transmittance (%) at a wavelength of 400 nm was measured and evaluated using a spectrophotometer (150-20 type double beam, manufactured by Hitachi, Ltd.). When the transmittance was less than 90%, the transparency was judged to be poor.
  • a coating film was formed on the silicon substrate in the same manner as in the evaluation of the radiation sensitivity. Then, after irradiating the coating film with a variable exposure amount through a mask having a 100 ⁇ m line-and-space (one-to-one) pattern, 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution And developed at 25 ° C. by a liquid piling method. The development time was 80 seconds. Subsequently, running water was washed with ultrapure water for 1 minute, and then dried to form a pattern. The post-development pattern height (T1) was measured by a stylus type film thickness measuring device ⁇ -step (manufactured by KLA Tencor).
  • the patterned silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain a thermally cured pattern.
  • the pattern height (t1) after thermosetting was measured, the heat shrinkage rate (%) before and after thermosetting was calculated from the following formula, and this was defined as heat resistance (%).
  • Heat resistance (%) ⁇ (T1-t1) / T1 ⁇ ⁇ 100 It can be said that the greater the heat resistance value, the more the crosslinking reaction proceeds. Note that the heat shrinkage thus generated is at a level that is not particularly affected in actual use.
  • Each radiation sensitive resin composition was spin-coated on a soda glass substrate on which a SiO 2 film for preventing elution of sodium ions was formed on the surface, and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode was deposited in a predetermined shape. Thereafter, prebaking was performed for 10 minutes in a clean oven at 90 ° C. to form a coating film having a thickness of 2.0 ⁇ m. Next, the coating film was exposed at an exposure amount of 500 J / m 2 without using a photomask. Thereafter, the coating film was cured by post-baking at 230 ° C. for 30 minutes.
  • the substrate on which the pixels are formed and the substrate on which the ITO electrode is simply deposited in a predetermined shape are bonded together with a sealing agent mixed with 0.8 mm glass beads, and then Merck liquid crystal MLC6608 is injected into the liquid crystal.
  • a cell was produced. Further, the liquid crystal cell was placed in a constant temperature layer at 60 ° C., and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage holding ratio measuring system (VHR-1A type, manufactured by Toyo Technica).
  • the applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz.
  • the voltage holding ratio (%) is a value obtained from the following formula.
  • Voltage holding ratio (%) (potential difference of liquid crystal cell after 16.7 milliseconds / voltage applied at 0 milliseconds) ⁇ 100 If the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell cannot hold the applied voltage at a predetermined level for a time of 16.7 milliseconds, and the liquid crystal cannot be sufficiently aligned. There is a high risk of causing "burn-in".
  • the positive-type radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 10 were compared with the radiation-sensitive compositions of Comparative Examples 1 and 2 that did not contain [C] nitrogen-containing compounds. It was found that the surface hardness was excellent. Moreover, it turned out that the crosslinking
  • Example 11 Compared with Examples 1 to 10, the surface hardness was slightly decreased in Example 11, and although the surface hardness was excellent in Example 12, the cross-linking reactivity was too high. The transmittance and the voltage holding ratio were slightly decreased. From the above, although good results were obtained for all of the positive radiation sensitive compositions of Examples 1 to 12, the content of [C] nitrogen-containing compound was 100 parts by mass of [A] polymer. On the other hand, it can be said that 2 to 30 mass parts is preferable.
  • the positive radiation-sensitive composition of the present invention has excellent storage stability and sufficient radiation sensitivity, has general required characteristics of transmittance and voltage holding ratio, and has an excellent surface. A cured film having hardness and heat resistance can be formed. Therefore, the positive radiation sensitive composition is suitably used for forming a display element interlayer insulating film for a display element.

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Abstract

　本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体分子中に、下記式（１）で表される基を有する構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含む重合体、［Ｂ］酸発生体、並びに［Ｃ］下記式（２）で表される窒素含有化合物及び下記式（３）で表される窒素含有化合物からなる群より選択される少なくとも１種の窒素含有化合物を含有するポジ型感放射線性組成物である。上記式（２）におけるＲ６、並びに上記式（３）におけるＲ９及びＲ１０からなる群より選択される少なくとも１種の基は、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－アミル基、１－メチルシクロヘキシル基又は１－エチルシクロヘキシル基であることが好ましい。

Description

ポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法
　本発明はポジ型感放射線性組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法に関する。
　表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜の形成材料としては、必要なパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性を有するものが好ましいことから、ポジ型感放射線性組成物が幅広く使用されている。このような層間絶縁膜を形成する際に用いられるポジ型感放射線性組成物には良好な放射線感度及び保存安定性が、得られる層間絶縁膜には優れた耐熱性や透明性等が求められる。
　ポジ型感放射線性組成物としては、アクリル系樹脂が広く採用されており、例えば酸解離性基を含む構造単位を有し、この酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性になる樹脂、カルボキシル基と反応して共有結合を生成し得る官能基（エポキシ基等）を含む構造単位を有する樹脂、及び酸発生剤を含有するポジ型感放射線性組成物が提案されている（特開２００９－９８６７３号公報参照）。この組成物では、上記２種類の特定の樹脂を混合しており、上記組成物を用いて形成した塗膜において、酸解離性基を含む構造単位を有する樹脂から酸の作用により生成したカルボキシル基と、エポキシ基等を含む構造単位を有する樹脂との架橋反応により硬化反応を行っている。しかしながら、架橋反応の進行が不充分であることに起因してか、得られる硬化膜の表面硬度及び耐熱性は満足のいくレベルではない。
　このような現状に対し、エポキシ系材料の硬化剤として用いられているアミン化合物の添加により架橋反応を進行させる方策も考えられるが、一般的なアミン化合物の添加では、組成物中に存在するエポキシ基との経時的な反応につながり保存安定性が低下することがある。
　そこで、アミン化合物を酸で脱離する保護基により保護して反応性を低下させて、上記組成物の保存安定性を確保するという方策も考えられる。その上で、硬化膜の形成過程で発生した酸により保護基を脱離すれば、アミン化合物をエポキシ基との架橋反応に供することができる。しかしながら、酸解離性基の解離によってアルカリ不溶性樹脂がアルカリ可溶性となる反応と、エポキシ基のアミン化合物による架橋反応とが同時に進行してしまい、上記組成物がポジ型の感放射線特性を発揮することができない場合がある。
特開２００９－９８６７３号公報
　本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は表面硬度及び耐熱性に優れ、一般的な要求特性である透過率及び電圧保持率も満足する表示素子用層間絶縁膜を形成可能であり、かつ保存安定性に優れ、充分な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜、並びにその形成方法を提供することである。
　上記課題を解決するためになされた発明は、
　［Ａ］同一又は異なる重合体分子中に、下記式（１）で表される基を有する構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含む重合体（以下、「［Ａ］重合体」とも称する）、
　［Ｂ］酸発生体、並びに
　［Ｃ］下記式（２）で表される窒素含有化合物（Ｉ）及び下記式（３）で表される窒素含有化合物（ＩＩ）からなる群より選択される少なくとも１種の窒素含有化合物（以下、「［Ｃ］窒素含有化合物」とも称する）
を含有するポジ型感放射線性組成物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、Ｒ１及びＲ２が共に水素原子である場合はない。Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は－Ｍ（Ｒ３ｍ）３で表される基である。このＭは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ３ｍは、それぞれ独立してアルキル基である。また、Ｒ１とＲ３とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Ｒ３で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式（２）中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して水素原子、アミノ基、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～２０のアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル基、スルホン基、アミド基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、アミノ基又はアミジノ基を含んでいてもよい。Ｒ６は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数４～２０のシクロアルキル基又は炭素数６～２０のアリール基である。但し、Ｒ４とＲ５とが連結して互いに結合している窒素原子と共に環構造を形成してもよい。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式（３）中、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して上記Ｒ４と同義である。Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立して上記Ｒ６と同義である。Ａは、炭素数１～１２のアルカンジイル基又は炭素数６～２０のアリーレン基である。）
　当該ポジ型感放射線性組成物では、アミン化合物として、窒素原子部分に保護基を導入してカルバメート構造とした特定の［Ｃ］窒素含有化合物を用いているので、保存時では［Ｃ］窒素含有化合物の反応性を抑制可能であり、当該組成物の保存安定性を向上させることができる。また、［Ｃ］窒素含有化合物の保護形態として特定のカルバメート構造を採用することで、酸解離性基としての上記式（１）で表される基の酸による解離のための活性化エネルギーより脱保護のための活性化エネルギーを高くしている。その結果、［Ｃ］窒素含有化合物は、露光時に［Ｂ］酸発生体から生じた酸によっては脱保護されず、現像後のポストベーク時の熱とその熱により［Ｂ］酸発生体から生じた酸との協働作用により脱保護されることになる。従って、当該ポジ型感放射線性組成物では、露光から現像までの一連の工程でポジ型の感放射線特性を発揮することができると共に、ポストベーク時に脱保護された［Ｃ］窒素含有化合物によってエポキシ基の架橋反応を充分進行させることができ、優れた表面硬度及び耐熱性を有する層間絶縁膜としての硬化膜を形成することができる。
　上記式（２）におけるＲ６、並びに上記式（３）におけるＲ９及びＲ１０からなる群より選択される少なくとも１種の基は、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－アミル基、１－メチルシクロヘキシル基又は１－エチルシクロヘキシル基であることが好ましい。これにより、［Ｃ］窒素含有化合物の反応性制御が容易となると共に、［Ｃ］窒素含有化合物の脱保護のための活性化エネルギーが適度になって、露光時の酸発生体からの酸に対する保護機能と、ポストベーク時の熱及び酸による脱保護能とをバランスよく発揮することができる。
　［Ｃ］窒素含有化合物の含有量は、［Ａ］重合体１００質量部に対して２質量部以上３０質量部以下であることが好ましい。［Ｃ］窒素含有化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、エポキシ基の架橋反応を充分進行させることができ、かつ過剰量による予期しないエポキシ基との副反応を防止して、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び保存安定性の低下、並びに得られる硬化膜の透過率及び電圧保持率の低下を防止することができる。
　当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。
　本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
　（１）当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
　（２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
　（３）上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
　（４）上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
　当該ポジ型感放射線性組成物を用いる本発明の形成方法により、表面硬度及び耐熱性に優れ、透過率及び電圧保持率を充分に満足する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。
　以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体、［Ｂ］酸発生体及び［Ｃ］窒素含有化合物を含んでいることによって、透過率及び電圧保持率という一般的な要求特性をバランス良く満たすと共に、優れた表面硬度及び耐熱性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、優れた保存安定性を有し、かつ充分な放射線感度を発現する。
＜ポジ型感放射線性組成物＞
　本発明のポジ型感放射線性組成物は、［Ａ］重合体、［Ｂ］酸発生体及び［Ｃ］窒素含有化合物を含有する。また、当該ポジ型感放射線性組成物は好適成分として、［Ｄ］界面活性剤及び［Ｅ］密着助剤を含有してもよい。さらに、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。
＜［Ａ］重合体＞
　［Ａ］重合体は、同一又は異なる重合体分子中に、構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含んでいる。また、必要に応じてその他の構造単位を含んでいてもよい。構造単位（Ｉ）及びエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含む［Ａ］重合体の態様としては特に限定されず、例えば
　（ｉ）同一の重合体分子中に構造単位（Ｉ）及びエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の両方を含んでおり、［Ａ］重合体中に１種の重合体分子が存在する場合；
　（ｉｉ）一の重合体分子中に構造単位（Ｉ）を含み、それとは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含んでおり、［Ａ］重合体中に２種の重合体分子が存在する場合；
　（ｉｉｉ）一の重合体分子中に構造単位（Ｉ）及びエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の両方を含むと共に、それとは異なる重合体分子中に構造単位（Ｉ）を含み、これらとはさらに異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含んでおり、［Ａ］重合体中に３種の重合体分子が存在する場合；
　（ｉｖ）（ｉ）～（ｉｉｉ）に規定の重合体分子に加え、［Ａ］重合体中にさらに別の１種又は２種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。上記いずれの場合であっても本発明の効果を享受することができる。なお、［Ａ］重合体は、各構造単位を２種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。
［構造単位（Ｉ）］
　構造単位（Ｉ）では、上記式（１）で表される基が、酸の存在下で解離して極性基を生じる基（酸解離性基）として存在しているので、放射線の照射により酸発生体から生じた酸により酸解離性基が解離し、その結果、アルカリ不溶性であった［Ａ］重合体はアルカリ可溶性となる。上記酸解離性基は、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。
　上記式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、Ｒ１及びＲ２が共に水素原子である場合はない。Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は－Ｍ（Ｒ３ｍ）３で表される基である。このＭは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ３ｍは、それぞれ独立してアルキル基である。また、Ｒ１とＲ３とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Ｒ３で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。
　上記Ｒ１及びＲ２で表されるアルキル基としては、例えば炭素数１～３０の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。このアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。上記炭素数１～３０の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ネオペンチル基、２－ヘキシル基、３－ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。
　上記Ｒ１及びＲ２で表されるシクロアルキル基としては、例えば炭素数３～２０のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数３～２０のシクロアルキル基は、多環でもよく、環内に酸素原子を有していてもよい。上記炭素数３～２０のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
　上記Ｒ１及びＲ２で表されるアリール基としては、例えば炭素数６～１４のアリール基等が挙げられる。上記炭素数６～１４のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数６～１４のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
　上記Ｒ１及びＲ２で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基（例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０のアルコキシ基等）、アシル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ｉ－ブチリル基等の炭素数２～２０のアシル基等）、アシロキシ基（例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、ｔ－ブチリルオキシ基、ｔ－アミリルオキシ基等の炭素数２～１０のアシロキシ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基）、ハロアルキル基（例えばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ネオペンチル基、２－ヘキシル基、３－ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等）等が挙げられる。
　上記Ｒ３で表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基としては、例えば上記Ｒ１及びＲ２で例示した基が適用できる。これらの基の置換基としては、例えば上記Ｒ１及びＲ２で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。上記Ｒ３で表されるアラルキル基としては、例えば炭素数７～２０のアラルキル基等が挙げられる。上記炭素数７～２０のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
　上記－Ｍ（Ｒ３ｍ）３で表される基としては、例えばトリメチルシラニル基、トリメチルゲルミル基等が挙げられる。このＲ３で表されるアラルキル基又は－Ｍ（Ｒ３ｍ）３で表される基の水素原子の一部又は全部を置換していてもよい置換基としては、上記置換基を好適に採用することができる。この基の置換基としては、例えば上記Ｒ１及びＲ２で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。
　上記Ｒ１とＲ３とが連結して形成してもよい環状エーテル構造を有する基としては、例えば２，２－オキセタンジイル基、２，２－テトラヒドロフランジイル基、２－テトラヒドロピランジイル基、２－ジオキサンジイル基等が挙げられる。
　構造単位（Ｉ）は、他の炭素原子に結合することによりアセタール構造又はケタール構造を有することとなるべき官能基を有することにより、そのアセタール構造又はケタール構造を持つことができる。
　上記他の炭素原子に結合することによりアセタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば１－メトキシエトキシ基、１－エトキシエトキシ基、１－ｎ－プロポキシエトキシ基、１－ｉ－プロポキシエトキシ基、１－ｎ－ブトキシエトキシ基、１－ｉ－ブトキシエトキシ基、１－ｓｅｃ－ブトキシエトキシ基、１－ｔ－ブトキシエトキシ基、１－シクロペンチルオキシエトキシ基、１－シクロヘキシルオキシエトキシ基、１－ノルボルニルオキシエトキシ基、１－ボルニルオキシエトキシ基、１－フェニルオキシエトキシ基、１－（１－ナフチルオキシ）エトキシ基、１－ベンジルオキシエトキシ基、１－フェネチルオキシエトキシ基、（シクロヘキシル）（メトキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（エトキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（ｎ－プロポキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（ｉ－プロポキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（フェノキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（ベンジルオキシ）メトキシ基、（フェニル）（メトキシ）メトキシ基、（フェニル）（エトキシ）メトキシ基、（フェニル）（ｎ－プロポキシ）メトキシ基、（フェニル）（ｉ－プロポキシ）メトキシ基、（フェニル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシ基、（フェニル）（フェノキシ）メトキシ基、（フェニル）（ベンジルオキシ）メトキシ基、（ベンジル）（メトキシ）メトキシ基、（ベンジル）（エトキシ）メトキシ基、（ベンジル）（ｎ－プロポキシ）メトキシ基、（ベンジル）（ｉ－プロポキシ）メトキシ基、（ベンジル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシ基、（ベンジル）（フェノキシ）メトキシ基、（ベンジル）（ベンジルオキシ）メトキシ基、２－テトラヒドロフラニルオキシ基、２－テトラヒドロピラニルオキシ基、１－トリメチルシラニルオキシエトキシ基、１－トリメチルゲルミルオキシエトキシ基等が挙げられる。
　これらのうち、１－エトキシエトキシ基、１－シクロヘキシルオキシエトキシ基、２－テトラヒドロピラニルオキシ基、１－ｎ－プロポキシエトキシ基、２－テトラヒドロピラニルオキシ基が好ましい。
　上記他の炭素原子に結合することにより、ケタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば１－メチル－１－メトキシエトキシ基、１－メチル－１－エトキシエトキシ基、１－メチル－１－ｎ－プロポキシエトキシ基、１－メチル－１－ｉ－プロポキシエトキシ基、１－メチル－１－ｎ－ブトキシエトキシ基、１－メチル－１－ｉ－ブトキシエトキシ基、１－メチル－１－ｓｅｃ－ブトキシエトキシ基、１－メチル－１－ｔ－ブトキシエトキシ基、１－メチル－１－シクロペンチルオキシエトキシ基、１－メチル－１－シクロヘキシルオキシエトキシ基、１－メチル－１－ノルボルニルオキシエトキシ基、１－メチル－１－ボルニルオキシエトキシ基、１－メチル－１－フェニルオキシエトキシ基、１－メチル－１－（１－ナフチルオキシ）エトキシ基、１－メチル－１－ベンジルオオキシエトキシ基、１－メチル－１－フェネチルオキシエトキシ基、１－シクロヘキシル－１－メトキシエトキシ基、１－シクロヘキシル－１－エトキシエトキシ基、１－シクロヘキシル－１－ｎ－プロポキシエトキシ基、１－シクロヘキシル－１－ｉ－プロポキシエトキシ基、１－シクロヘキシル－１－シクロヘキシルオキシエトキシ基、１－シクロヘキシル－１－フェノキシエトキシ基、１－シクロヘキシル－１－ベンジルオキシエトキシ基、１－フェニル－１－メトキシエトキシ基、１－フェニル－１－エトキシエトキシ基、１－フェニル－１－ｎ－プロポキシエトキシ基、１－フェニル－１－ｉ－プロポキシエトキシ基、１－フェニル－１－シクロヘキシルオキシエトキシ基、１－フェニル－１－フェニルオキシエトキシ基、１－フェニル－１－ベンジルオキシエトキシ基、１－ベンジル－１－メトキシエトキシ基、１－ベンジル－１－エトキシエトキシ基、１－ベンジル－１－ｎ－プロポキシエトキシ基、１－ベンジル－１－ｉ－プロポキシエトキシ基、１－ベンジル－１－シクロヘキシルオキシエトキシ基、１－ベンジル－１－フェニルオキシエトキシ基、１－ベンジル－１－ベンジルオキシエトキシ基、２－（２－メチル－テトラヒドロフラニル）オキシ基、２－（２－メチル－テトラヒドロピラニル）オキシ基、１－メトキシ－シクロペンチルオキシ基、１－メトキシ－シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
　これらのうち、１－メチル－１－メトキシエトキシ基、１－メチル－１－シクロヘキシルオキシエトキシ基が好ましい。
　上記アセタール構造又はケタール構造を有する構造単位（Ｉ）としては、例えば下記式（１－１）～（１－３）で表される構造単位等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記式（１－１）～（１－３）中、Ｒ’は、水素原子又はメチル基である。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、上記式（１）と同義である。
　上記式（１－１）～（１－３）で表される構造単位（Ｉ）を与える単量体としては、例えば
　１－アルコキシアルキル（メタ）アクリレート、１－（シクロアルキルオキシ）アルキル（メタ）アクリレート、１－（ハロアルコキシ）アルキル（メタ）アクリレート、１－（アラルキルオキシ）アルキル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート系アセタール構造含有単量体；
　２，３－ジ（１－（トリアルキルシラニルオキシ）アルコキシ）カルボニル）－５－ノルボルネン、２，３－ジ（１－（トリアルキルゲルミルオキシ）アルコキシ）カルボニル）－５－ノルボルネン、２，３－ジ（１－アルコキシアルコキシカルボニル）－５－ノルボルネン、２，３－ジ（１－（シクロアルキルオキシ）アルコキシカルボニル）－５－ノルボルネン、２，３－ジ（１－（アラルキルオキシ）アルコキシカルボニル）－５－ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体；
　１－アルコキシアルコキシスチレン、１－（ハロアルコキシ）アルコキシスチレン、１－（アラルキルオキシ）アルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体が挙げられる。
　これらのうち、１－アルコキシアルキル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート、１－アルコキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンが好ましく、１－アルコキシアルキル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　上記式（１－１）～（１－３）で表される構造単位（Ｉ）を与える具体的な単量体としては、例えば
　１－エトキシエチルメタクリレート、１－メトキシエチルメタクリレート、１－ｎ－ブトキシエチルメタクリレート、１－イソブトキシエチルメタクリレート、１－ｔ－ブトキシエチルメタクリレート、１－（２－クロルエトキシ）エチルメタクリレート、１－（２－エチルヘキシルオキシ）エチルメタクリレート、１－ｎ－プロポキシエチルメタクリレート、１－シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート、１－（２－シクロヘキシルエトキシ）エチルメタクリレート、１－ベンジルオキシエチルメタクリレート、２－テトラヒドロピラニルメタクリレート等のメタクリレート系アセタール構造含有単量体；
　１－エトキシエチルアクリレート、１－メトキシエチルアクリレート、１－ｎ－ブトキシエチルアクリレート、１－イソブトキシエチルアクリレート、１－ｔ－ブトキシエチルアクリレート、１－（２－クロルエトキシ）エチルアクリレート、１－（２－エチルヘキシルオキシ）エチルアクリレート、１－ｎ－プロポキシエチルアクリレート、１－シクロヘキシルオキシエチルアクリレート、１－（２－シクロヘキシルエトキシ）エチルアクリレート、１－ベンジルオキシエチルアクリレート、２－テトラヒドロピラニルアクリレート等のアクリレート系アセタール構造含有単量体；
　２，３－ジ（１－（トリメチルシラニルオキシ）エトキシ）カルボニル）－５－ノルボルネン、２，３－ジ（１－（トリメチルゲルミルオキシ）エトキシ）カルボニル）－５－ノルボルネン、２，３－ジ（１－メトキシエトキシカルボニル）－５－ノルボルネン、２，３－ジ（１－（シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－５－ノルボルネン、２，３－ジ（１－（ベンジルオキシ）エトキシカルボニル）－５－ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体；
　ｐ又はｍ－１－エトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－メトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－ｎ－ブトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－イソブトキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－（１，１－ジメチルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－（２－クロルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－（２－エチルヘキシルオキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－ｎ－プロポキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－（２－シクロヘキシルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ又はｍ－１－ベンジルオキシエトキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は２種以上を使用することができる。
　これらのうち構造単位（Ｉ）を与える単量体としては、１－エトキシエチルメタクリレート、１－ｎ－ブトキシエチルメタクリレート、２－テトラヒドロピラニルメタクリレート、１－ベンジルオキシエチルメタクリレートが好ましい。
　構造単位（Ｉ）を与える単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、上記式（１－１）で表される構造単位（Ｉ）を与える単量体は、下記式に示すように（メタ）アクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　上記式中、Ｒ’、Ｒ１及びＲ３は、上記式（１－１）と同義である。Ｒ２１及びＲ２２は、－ＣＨ（Ｒ２１）（Ｒ２２）として、上記式（１－１）におけるＲ２と同義である。
　［Ａ］重合体における構造単位（Ｉ）の含有量としては、［Ａ］重合体が酸によりアルカリ可溶性を示し、硬化膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを両方含む場合、［Ａ］重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、５質量％以上７０質量％以下が好ましく、１０質量％以上６０質量％以下がより好ましく、２０質量％以上５０質量％以下が特に好ましい。
　一方、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）を含み、かつこれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含む場合、構造単位（Ｉ）を有するその一の重合体分子における構造単位（Ｉ）の含有量としては、その重合体分子に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、４０質量％以上９９質量％以下が好ましく、５０質量％以上９８質量％以下がより好ましく、５５質量％以上９５質量％以下が特に好ましい。
［エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）］
　エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）としては、エポキシ基含有単量体に由来する構造単位であれば特に限定されない。［Ａ］重合体が分子中にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含むことで、当該ポジ型感放射線性組成物から得られる硬化膜の表面硬度及び耐熱性をさらに高めることができる。なお、本明細書のエポキシ基とは、オキシラニル基（１，２－エポキシ構造）及びオキセタニル基（１，３－エポキシ構造）を含む概念である。
　エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を与える単量体としては、例えば
　（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシブチル、アクリル酸３－メチル－３，４－エポキシブチル、メタクリル酸３－エチル－３，４－エポキシブチル、（メタ）アクリル酸５，６－エポキシヘキシル、メタクリル酸５－メチル－５，６－エポキシヘキシル、メタクリル酸５－エチル－５，６－エポキシヘキシル、（メタ）アクリル酸６，７－エポキシヘプチル、メタクリル酸３，４－エポキシシクロへキシル、メタクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルメチル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルエチル、メタクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルプロピル、メタクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルブチル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルヘキシル、アクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルメチル、アクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルエチル、アクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルプロピル、アクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルブチル、アクリル酸３，４－エポキシシクロへキシルヘキシル等のオキシラニル基含有（メタ）アクリル系化合物；
　ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類；
　ｏ－ビニルフェニルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルフェニルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類；
　３－アクリロイルオキシメチルオキセタン、３－アクリロイルオキシメチル－３－メチルオキセタン、３－アクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン、３－アクリロイルオキシメチル－３－フェニルオキセタン、３－（２－アクリロイルオキシエチル）オキセタン、３－（２－アクリロイルオキシエチル）－３－エチルオキセタン、３－（２－アクリロイルオキシエチル）－３－エチルオキセタン、３－（２－アクリロイルオキシエチル）－３－フェニルオキセタン、３－メタクリロイルオキシメチルオキセタン、３－メタクリロイルオキシメチル－３－メチルオキセタン、３－メタクリロイルオキシメチル－３－エチルオキセタン、３－メタクリロイルオキシメチル－３－フェニルオキセタン、３－（２－メタクリロイルオキシエチル）オキセタン、３－（２－メタクリロイルオキシエチル）－３－エチルオキセタン、３－（２－メタクリロイルオキシエチル）－３－エチルオキセタン、３－（２－メタクリロイルオキシエチル）－３－フェニルオキセタン、２－アクリロイルオキシメチルオキセタン、２－アクリロイルオキシメチル－２－メチルオキセタン、２－アクリロイルオキシメチル－２－エチルオキセタン、２－アクリロイルオキシメチル－２－フェニルオキセタン、２－（２－アクリロイルオキシエチル）オキセタン、２－（２－アクリロイルオキシエチル）－２－エチルオキセタン、２－（２－アクリロイルオキシエチル）－２－エチルオキセタン、２－（２－アクリロイルオキシエチル）－２－フェニルオキセタン、２－メタクリロイルオキシメチルオキセタン、２－メタクリロイルオキシメチル－２－メチルオキセタン、２－メタクリロイルオキシメチル－２－エチルオキセタン、２－メタクリロイルオキシメチル－２－フェニルオキセタン、２－（２－メタクリロイルオキシエチル）オキセタン、２－（２－メタクリロイルオキシエチル）－２－エチルオキセタン、２－（２－メタクリロイルオキシエチル）－２－エチルオキセタン、２－（２－メタクリロイルオキシエチル）－２－フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有（メタ）アクリル系化合物等が挙げられる。
　これらの単量体のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸－２－メチルグリシジル、メタクリル酸－３，４－エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸－３，４－エポキシシクロヘキシルメチル、３－（メタクリロイルオキシメチル）－３－メチルオキセタン、３－（メタクリロイルオキシメチル）－３－エチルオキセタンが他の単量体との共重合反応性、及びポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。
　［Ａ］重合体におけるエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の含有量としては、表示素子用層間絶縁膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含む場合、［Ａ］重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、１０質量％以上６０質量％以下が好ましく、１５質量％以上５５質量％以下がより好ましく、２０質量％以上５０質量％以下が特に好ましい。
　一方、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）を有し、かつ他の重合体分子にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含む場合、エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を含む他の重合体分子に含まれる全構造単位に対するエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の含有量としては、単量体仕込み比で、２０質量％以上８０質量％以下が好ましく、３０質量％以上７０質量％以下がより好ましく、３５質量％以上６５質量％以下が特に好ましい。
［その他の構造単位］
　［Ａ］重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。
　その他の構造単位を与える単量体としては、カルボキシル基又はその誘導体、水酸基を有する単量体等が挙げられる。
　上記カルボキシル基又はその誘導体を有する単量体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、２－アクリロイルオキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸；上記ジカルボン酸の酸無水物等が挙げられる。
　上記水酸基を有する単量体としては、例えばアクリル酸－２－ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸－３－ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸－４－ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸－４－ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル等のアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル；メタクリル酸－２－ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸－３－ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸－４－ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸－５－ヒドロキシペンチルエステル、メタクリル酸－６－ヒドロキシヘキシルエステル、メタクリル酸－４－ヒドロキシメチル－シクロヘキシルメチルエステル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキルエステル等が挙げられる。
　これらの水酸基を有する単量体のうち、その他の単量体との共重合反応性及び得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸－２－ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸－３－ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸－４－ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸－２－ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸－４－ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸－４－ヒドロキシメチル－シクロヘキシルメチルエステル、メタクリル酸－４－ヒドロキシメチル－シクロヘキシルメチルエステルが好ましい。
　その他の単量体としては、例えば
　アクリル酸メチル、アクリル酸ｉ－プロピル等のアクリル酸アルキルエステル；
　メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ－ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ－ブチル、メタクリル酸ｔ－ブチル等のメタクリル酸アルキルエステル；
　アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸－２－メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン－８－イル、アクリル酸－２－（トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン－８－イルオキシ）エチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキルエステル；
　メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸－２－メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン－８－イル、メタクリル酸－２－（トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン－８－イルオキシ）エチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキルエステル；
　アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル及びアクリル酸のアラルキルエステル；
　メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル及びメタクリル酸のアラルキルエステル；
　マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキルエステル；
　メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン－２－メチル等の酸素１原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル及び不飽和複素六員環メタクリル酸エステル；
　４－メタクリロイルオキシメチル－２－メチル－２－エチル－１，３－ジオキソラン、４－メタクリロイルオキシメチル－２－メチル－２－イソブチル－１，３－ジオキソラン、４－メタクリロイルオキシメチル－２－シクロヘキシル－１，３－ジオキソラン、４－メタクリロイルオキシメチル－２－メチル－２－エチル－１，３－ジオキソラン、４－メタクリロイルオキシメチル－２－メチル－２－イソブチル－１，３－ジオキソラン等の酸素２原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル；
　４－アクリロイルオキシメチル－２，２－ジメチル－１，３－ジオキソラン、４－アクリロイルオキシメチル－２－メチル－２－エチル－１，３－ジオキソラン、４－アクリロイルオキシメチル－２、２－ジエチル－１，３－ジオキソラン、４－アクリロイルオキシメチル－２－メチル－２－イソブチル－１，３－ジオキソラン、４－アクリロイルオキシメチル－２－シクロペンチル－１，３－ジオキソラン、４－アクリロイルオキシメチル－２－シクロヘキシル－１，３－ジオキソラン、４－アクリロイルオキシエチル－２－メチル－２－エチル－１，３－ジオキソラン、４－アクリロイルオキシプロピル－２－メチル－２－エチル－１，３－ジオキソラン、４－アクリロイルオキシブチル－２－メチル－２－エチル－１，３－ジオキソラン等の酸素２原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸エステル；
　スチレン、α－メチルスチレン、ｍ－メチルスチレン、ｐ－メチルスチレン、ｐ－メトキシスチレン、４－イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物；
　Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－ベンジルマレイミド、Ｎ－スクシンイミジル－３－マレイミドベンゾエート、Ｎ－スクシンイミジル－４－マレイミドブチレート、Ｎ－スクシンイミジル－６－マレイミドカプロエート、Ｎ－スクシンイミジル－３－マレイミドプロピオネート、Ｎ－（９－アクリジニル）マレイミド等のＮ位置換マレイミド；
　１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン等の共役ジエン系化合物；
　アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等のその他の不飽和化合物が挙げられる。
　これらのその他の単量体のうち、スチレン、４－イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン－８－イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、１，３－ブタジエン、４－アクリロイルオキシメチル－２－メチル－２－エチル－１，３－ジオキソラン、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジルが、上記の反応官能基を有する単量体との共重合反応性、及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の点で好ましい。
　［Ａ］重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）としては、好ましくは２．０×１０３～１．０×１０５、より好ましくは５．０×１０３～５．０×１０４である。［Ａ］重合体のＭｗを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の感度及びアルカリ現像性を高めることができる。
　［Ａ］重合体のＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）としては、好ましくは２．０×１０３～１．０×１０５、より好ましくは５．０×１０３～５．０×１０４である。［Ａ］重合体のＭｎを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。
　［Ａ］重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）としては、好ましくは３．０以下、より好ましくは２．６以下である。［Ａ］重合体のＭｗ／Ｍｎを３．０以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の現像性を高めることができる。［Ａ］重合体を含む当該ポジ型感放射線性組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく容易に所望のパターン形状を形成することができる。
　なお、本明細書のＭｗ及びＭｎは、下記の条件によるＧＰＣにより測定した。
　装置：ＧＰＣ－１０１（昭和電工製）
　カラム：ＧＰＣ－ＫＦ－８０１、ＧＰＣ－ＫＦ－８０２、ＧＰＣ－ＫＦ－８０３及びＧＰＣ－ＫＦ－８０４を結合
　移動相：テトラヒドロフラン
　カラム温度：４０℃
　流速：１．０ｍＬ／分
　試料濃度：１．０質量％
　試料注入量：１００μＬ
　検出器：示差屈折計
　標準物質：単分散ポリスチレン
＜［Ａ］重合体の合成方法＞
　［Ａ］重合体は、上記各構造単位を与える単量体のラジカル共重合により合成できる。例えば、同一の重合体分子に構造単位（Ｉ）及びエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）の両方を含む［Ａ］重合体を合成する場合は、構造単位（Ｉ）を与える単量体とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を与える単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体分子に構造単位（Ｉ）を有し、かつそれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を有する［Ａ］重合体を合成する場合は、構造単位（Ｉ）を与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位（Ｉ）を有する重合体分子を得ておき、別途エポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させてエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）を有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して［Ａ］重合体とすればよい。
　［Ａ］重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該組成物の調製の項において例示した溶媒が挙げられる。
　重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス－（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス－（４－メトキシ－２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオン酸メチル）等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔ－ブチルペルオキシピバレート、１，１’－ビス－（ｔ－ブチルペルオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物；過酸化水素等が挙げられる。
　［Ａ］重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ｎ－ヘキシルメルカプタン、ｎ－オクチルメルカプタン、ｎ－ドデシルメルカプタン、ｔ－ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類；ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類；ターピノーレン、α－メチルスチレンダイマー等が挙げられる。
＜［Ｂ］酸発生体＞
　［Ｂ］酸発生体は、放射線の照射によっても熱の付与によっても酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を使用できる。当該ポジ型感放射線性組成物が、酸解離性基を有する［Ａ］重合体と［Ｂ］酸発生体を含有することで、当該ポジ型感放射線性組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができる。［Ｂ］酸発生体の当該ポジ型感放射線性組成物における含有形態としては、後述するような化合物の形態（以下、適宜「［Ｂ］酸発生剤」とも称する）でも、［Ａ］重合体又は他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。なお、放射線の照射又は熱の付与のいずれによって酸発生体から酸を発生させるかは、露光前のプレベーク時の温度、照射線の照射量、ポストベーク時の温度等を調整することにより決めることができるが、［Ｂ］酸発生体としては、露光時の放射線の照射により酸を発生し、かつポストベーク時の熱によって酸を発生するものが好ましい。このような［Ｂ］酸発生体を用いることで、当該ポジ型感放射線性組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができると共に、ポストベーク時に［Ｃ］窒素含有化合物を脱保護してエポキシ基の架橋反応を充分に進行させることができる。
　［Ｂ］酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物等が挙げられる。なお、これらの［Ｂ］酸発生剤はそれぞれを単独又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
［オキシムスルホネート化合物］
　オキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式（４）で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　上記式（４）中、ＲＢ１は、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。
　上記ＲＢ１で表される直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数１～１０のアルコキシ基、７，７－ジメチル－２－オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記ＲＢ１で表されるアリール基としては、炭素数６～１１のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数１～５のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
　上記式（４）で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式（５）で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　上記式（５）中、ＲＢ１は、上記式（４）と同義である。Ｘは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。ｍは、０～３の整数である。但し、Ｘが複数の場合、複数のＸは同一であっても異なっていてもよい。
　上記Ｘで表され得るアルキル基としては、炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Ｘで表されるアルコキシ基としては、炭素数１～４の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Ｘで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。ｍとしては、０又は１が好ましい。上記式（５）においては、ｍが１であり、Ｘがメチル基であり、Ｘの置換位置がオルトである化合物が好ましい。
　上記式（５）で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式（５－１）～（５－５）でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　上記化合物（５－１）（５－プロピルスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（５－２）（５－オクチルスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（５－３）（カンファースルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、化合物（５－４）（５－ｐ－トルエンスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル及び化合物（５－５）（５－オクチルスルフォニルオキシイミノ）－（４－メトキシフェニル）アセトニトリルは、市販品として入手できる。
［オニウム塩］
　オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。
　ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム－ｐ－トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６－ジフルオロフェニル）ボレート、４－メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウム－ｐ－トルエンスルホナート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。
　トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム－ｐ－トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２、６－ジフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
　スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。
　アルキルスルホニウム塩としては、例えば４－アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４－アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル－４－（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル－４－（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル－４－（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル－３－クロロ－４－アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
　ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４－アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル－４－メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル－２－メチル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル－３－クロロ－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４－メトキシベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。
　ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル－４－ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル－４－ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４－アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル－４－メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル－３－クロロ－４－ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル－３－メチル－４－ヒドロキシ－５－ｔ－ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル－４－メトキシベンジル－４－ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。
　置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばｐ－クロロベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ－ニトロベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ－クロロベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ－ニトロベンジル－３－メチル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，５－ジクロロベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｏ－クロロベンジル－３－クロロ－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
　ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば３－ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３－ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、３－ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、３－（ｐ－メトキシベンジル）ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３－ベンジル－２－メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３－ベンジル－５－クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
　テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば４，７－ジ－ｎ－ブトキシ－１－ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウム－１，１，２，２－テトラフルオロ－２－（ノルボルナン－２－イル）エタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウム－２－（５－ｔ－ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウム－２－（６－ｔ－ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル）－１，１，２，２－テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。
［スルホンイミド化合物］
　スルホンイミド化合物としては、例えばＮ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（２－フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４－メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（フェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（ノナフルオロブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）－７－オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）－７－オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）－７－オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）－７－オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）－７－オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－５，６－オキシ－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－５，６－オキシ－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－５，６－オキシ－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－５，６－オキシ－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン－５，６－オキシ－２，３－ジカルボキシルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（フェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（エチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（プロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（ブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（ペンチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（ヘキシルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（ヘプチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（オクチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ－（ノニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる。
［キノンジアジド化合物］
　キノンジアジド化合物は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物である。キノンジアジド化合物としては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物（以下、「母核」とも称する）と１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
　上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、（ポリヒドロキシフェニル）アルカン、その他の母核等が挙げられる。
　トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６－トリヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば２，２’，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２’－テトラヒドロキシ－４’－メチルベンゾフェノン、２，３，４，４’－テトラヒドロキシ－３’－メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば２，３，４，２’，６’－ペンタヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば２，４，６，３’，４’，５’－ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、３，４，５，３’，４’，５’－ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。（ポリヒドロキシフェニル）アルカンとしては、例えばビス（２，４－ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（ｐ－ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（ｐ－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１－トリス（ｐ－ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）メタン、２，２－ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３－トリス（２，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）－３－フェニルプロパン、４，４’－〔１－〔４－〔１－〔４－ヒドロキシフェニル〕－１－メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス（２，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、３，３，３’，３’－テトラメチル－１，１’－スピロビインデン－５，６，７，５’，６’，７’－ヘキサノール、２，２，４－トリメチル－７，２’，４’－トリヒドロキシフラバン等が挙げられる。その他の母核として、例えば２－メチル－２－（２，４－ジヒドロキシフェニル）－４－（４－ヒドロキシフェニル）－７－ヒドロキシクロマン、１－［１－（３－｛１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル｝－４，６－ジヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］－３－（１－（３－｛１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル｝－４，６－ジヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル）ベンゼン、４，６－ビス｛１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル｝－１，３－ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。
　これらの母核のうち、２，３，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、１，１，１－トリ（ｐ－ヒドロキシフェニル）エタン、４，４’－〔１－〔４－〔１－〔４－ヒドロキシフェニル〕－１－メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。
　１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホン酸クロリド、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸クロリド等が挙げられる。これらのうち、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸クロリドが好ましい。
　フェノール性化合物又はアルコール性化合物と１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物としては、１，１，１－トリ（ｐ－ヒドロキシフェニル）エタンと１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸クロリドとの縮合物、４，４’－〔１－〔４－〔１－〔４－ヒドロキシフェニル〕－１－メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールと１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸クロリドとの縮合物が好ましい。
　フェノール性化合物又はアルコール性化合物（母核）と、１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応では、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のＯＨ基数に対して、好ましくは３０モル％～８５モル％、より好ましくは５０モル％～７０モル％に相当する１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。
　また、キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば２，３，４－トリアミノベンゾフェノン－１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホン酸アミド等も好適に使用される。
　［Ｂ］酸発生剤としては、感度及び溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩が好ましい。オキシムスルホネート化合物としては、上記式（４）で表される化合物が好ましく、上記式（５）で表される化合物がより好ましく、市販品として入手可能な、上記式（５－１）～（５－５）で表される化合物が特に好ましい。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、４，７－ジ－ｎ－ブトキシ－１－ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましい。
　当該組成物における［Ｂ］酸発生体の含有量としては、［Ｂ］酸発生体が［Ｂ］酸発生剤である場合として、［Ａ］重合体１００質量部に対して、好ましくは１質量部～２０質量部、より好ましくは１質量部～１０質量部である。［Ｂ］酸発生体の含有量を上記特定範囲とすることで、現像液となるアルカリ水溶液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差が大きく、パターニング性能が良好となり、また得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性も良好となる。
＜［Ｃ］窒素含有化合物＞
　［Ｃ］窒素含有化合物は、露光時に［Ｂ］酸発生体から生じた酸では脱保護されず、ポストベーク時の熱及びこの熱により酸発生体から生じた酸の協働作用により脱保護されるアミン化合物である。この［Ｃ］窒素含有化合物のポストベーク時の脱保護により、アミン化合物としての反応性を発揮して、エポキシ基の架橋反応を充分に進行させ、その結果、表面硬度及び耐熱性に優れる表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。
　［Ｃ］窒素含有化合物は、上記式（２）で表される窒素含有化合物（Ｉ）及び上記式（３）で表される窒素含有化合物（ＩＩ）からなる群より選択される少なくとも１種の窒素含有化合物である。以下、各化合物を詳述する。
［窒素含有化合物（Ｉ）］
　上記式（２）中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して水素原子、アミノ基、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～２０のアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル基、スルホン基、アミド基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、アミノ基又はアミジノ基を含んでいてもよい。Ｒ６は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数４～２０のシクロアルキル基又は炭素数６～２０のアリール基である。但し、Ｒ４とＲ５とが連結して互いに結合している窒素原子と共に環構造を形成してもよい。
　上記Ｒ４、Ｒ５及びＲ６で表される炭素数１～２０のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－アミル基、ネオペンチル基、２－ヘキシル基、３－ヘキシル基等の分岐状アルキル基等が挙げられる。上記Ｒ６で表される炭素数４～２０のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、１－メチルシクロペンチル基、１－エチルシクロペンチル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基、２－メチル－２－ノルボルニル基、２－エチル－２－ノルボルニル基等が挙げられる。上記Ｒ４、Ｒ５及びＲ６で表される炭素数６～２０のアリール基としては、例えば単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよく、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。Ｒ６としては、［Ｃ］窒素含有化合物の反応性制御能、酸に対する保護機能及び脱保護能の点から、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－アミル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基が好ましい。
　窒素含有化合物（Ｉ）としては、例えばＮ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－アラニン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－アラニン－メチルエステル、（Ｓ）－（－）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－シクロヘキシル－１－プロパノール、（Ｒ）－（＋）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－メチル－１－ブタノール、（Ｒ）－（＋）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－フェニル－１－プロパノール、（Ｓ）－（－）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－フェニル－１－プロパノール、（Ｒ）－（＋）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－フェニル－２－プロパノール、（Ｓ）－（－）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－フェニル－２－プロパノール、（Ｒ）－（＋）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－１－プロパノール、（Ｓ）－（－）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－１－プロパノール、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－アスパラギン酸４－ベンジルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｏ－ベンジル－Ｌ－スレオニン、（Ｒ）－（＋）－１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ｔｅｒｔ－ブチル－３－メチル－４－イミダゾリジノン、（Ｓ）－（－）－１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ｔｅｒｔ－ブチル－３－メチル－４－イミダゾリジノン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－３－シクロヘキシル－Ｌ－アラニン－メチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－システイン－メチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）エタノールアミン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－アミロキシカルボニル）エタノールアミン、Ｎ－（１－メチルシクロヘキシルカルボニル）エタノールアミン、Ｎ－（１－エチルシクロヘキシルカルボニル）エタノールアミン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルエチレンジアミン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｄ－グルコースアミン、Ｎ－α－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－グルタミン、１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）イミダゾール、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－イソロイシン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－イソロイシン－メチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－ロイシノール、Ｎ－α－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－リシン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－メチオニン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－３－（２－ナフチル）－Ｌ－アラニン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－フェニルアラニン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－フェニルアラニン－メチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｄ－プロリン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－プロリン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－プロリン－Ｎ’－メトキシ－Ｎ’－メチルアミド、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－１Ｈ－ピラゾール－１－カルボキシアミジン、（Ｓ）－（－）－１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ピロリジンメタノール、（Ｓ）－（－）－１－（ｔｅｒｔ－アミロキシカルボニル）－２－ピロリジンメタノール、（Ｓ）－（－）－１－（１－メチルシクロヘキシルカルボニル）－２－ピロリジンメタノール、（Ｓ）－（－）－１－（１－エチルシクロヘキシルカルボニル）－２－ピロリジンメタノール、（Ｒ）－（＋）－１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ピロリジンメタノール、１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）３－［４－（１－ピロリル）フェニル］－Ｌ－アラニン、Ｎ－（ｔｅｒｔブトキシカルボニル）－Ｌ－セリン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－セリン－メチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－スレオニン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－ｐ－トルエンスルホンアミド、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｓ－トリチル－Ｌ－システイン、Ｎ－α－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－トリプトファン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－チロシン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－チロシン－メチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－バリン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－バリン－メチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－バリノール、ｔｅｒｔ－ブチルカルバメート、ｔｅｒｔ－ブチルカルバゼート、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（３－ヒドロキシプロピル）カルバメート、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（６－アミノヘキシル）カルバメート、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（ベンジロキシ）カルバメート、ｔ－ブチル２－オキソ－２，３－ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、ｔ－アミル２－オキソ－２，３－ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、１－メチルシクロヘキシル２－オキソ－２，３－ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、１－エチルシクロヘキシル２－オキソ－２，３－ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル（１Ｓ，４Ｓ）－（－）－２，５－ジアザビシクロ［２．２．１］ヘプタンー２－カルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル４－ベンジル－１－ピペラジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（２，３－ジヒドロキシプロピル）カルバメート、ｔｅｒｔ－ブチル（Ｓ）－（－）－４－ホルミル－２，２－ジメチル－３－オキサゾリジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル［Ｒ－（Ｒ＊，Ｓ＊）］－Ｎ－［２－ヒドロキシ－２－（３－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］カルバメート、ｔｅｒｔ－ブチル４－オキソ－１－ピペリジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル１－ピロールカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル１－ピロリジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（テトラヒドロ－２－オキソ－３－フラニル）カルバメート等が挙げられる。
　これらのうち、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－アラニンメチルエステル、（Ｓ）－（－）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－シクロヘキシル－１－プロパノール、（Ｒ）－（＋）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－メチル－１－ブタノール、（Ｒ）－（＋）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－フェニルプロパノール、（Ｓ）－（－）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－フェニルプロパノール、（Ｒ）－（＋）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－フェニル－１－プロパノール、（Ｓ）－（－）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－３－フェニル－１－プロパノール、（Ｒ）－（＋）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－１－プロパノール、（Ｓ）－（－）－２－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルアミノ）－１－プロパノール、（Ｒ）－（＋）－１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ｔｅｒｔ－ブチル－３－メチル－４－イミダゾリジノン、（Ｓ）－（－）－１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ｔｅｒｔ－ブチル－３－メチル－４－イミダゾリジノン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－３－シクロヘキシル－Ｌ－アラニンメチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－システインメチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）エタノールアミン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－アミロキシカルボニル）エタノールアミン、Ｎ－（１－メチルシクロヘキシルカルボニル）エタノールアミン、Ｎ－（１－エチルシクロヘキシルカルボニル）エタノールアミン、１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）イミダゾール、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－イソロイシン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－イソロイシンメチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－ロイシノール、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｄ－プロリナル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－プロリン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－プロリンＮ’－メトキシ－Ｎ’－メチルアミド、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－１Ｈ－ピラゾール－１－カルボキシアミヂン、（Ｓ）－（－）－１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ピロリジンメタノール、（Ｓ）－（－）－１－（ｔｅｒｔ－アミルカルボニル）－２－ピロリジンメタノール、（Ｒ）－（＋）－１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ピロリジンメタノール、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｓ－トリチル－Ｌ－システイン、Ｎ－α－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－トリプトファン、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－バリンメチルエステル、Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－Ｌ－バリノール、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（３－ヒドロキシプロピル）カルバメート、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（６－アミノヘキシル）カルバメート、ｔｅｒｔ－ブチルカルバメート、ｔｅｒｔ－ブチルカルバゼート、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（ベンジロキシ）カルバメート、ｔｅｒｔ－ブチル（１Ｓ，４Ｓ）－（－）－２，５－ジアザビシクロ［２．２．１］ヘプタンー２－カルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチルＮ－（２，３－ジヒドロキシプロピル）カルバメート、ｔ－ブチル２－オキソ－２，３－ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、ｔ－アミル２－オキソ－２，３－ジヒドロオキサゾリンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル（Ｓ）－（－）－４－ホルミル－２，２－ジメチル－３－オキサゾリジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル［Ｒ－（Ｒ＊，Ｓ＊）］－Ｎ－［２－ヒドロキシ－２－（３－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］カルバメート、ｔｅｒｔ－ブチル４－オキソ－１－ピペリジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル１－ピロールカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル１－ピロリジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ－ブチル（テトラヒドロ－２－オキソ－３－フラニル）カルバメートが好ましく、当該ポジ型感放射線性組成物の保存時には反応性が制御され、ポストベーク時に容易に脱保護されてエポキシ基の架橋反応を充分に進行させる観点から、下記式（２－１）～（２－７）で表される窒素含有化合物がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　窒素含有化合物（Ｉ）は単独又は２種以上を使用することができる。また、後述する塩基性化合物と組み合わせて用いても良く、組み合わせの添加比率を変えることによって架橋の度合いをコントロールすることも可能である。
　当該ポジ型感放射線性組成物において、窒素含有化合物（Ｉ）の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して２質量部～３０質量部が好ましく、３質量部～２０質量部がより好ましい。窒素含有化合物（Ｉ）の含有量を上記特定範囲とすることで、エポキシ基の架橋反応を充分に進行させつつ、かつ過剰量による所望でないエポキシ基との副反応を防止して、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び保存安定性の低下、並びに得られる硬化膜の透過率及び電圧保持率の低下を防止することができる。
［窒素含有化合物（ＩＩ）］
　窒素含有化合物（ＩＩ）は上記式（３）で表されるように、カルバメート構造を分子内に２つ有する。上記式（３）中、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して上記Ｒ４と同義である。Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立して上記Ｒ６と同義である。Ａは、炭素数１～１２のアルカンジイル基又は炭素数６～２０のアリーレン基である。
　上記Ａで表される炭素数１～１２のアルカンジイル基としては、例えばメタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基、ヘキサンジイル基等が挙げられる。上記Ａで表される炭素数６～２０のアリーレン基としては、上記式（２）におけるＲ４、Ｒ５及びＲ６で表される炭素数６～２０のアリール基から水素原子を２個取り除いた２価の基を好適に適用でき、例えばフェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。Ｒ９及びＲ１０としては、［Ｃ］窒素含有化合物の反応性制御能、酸に対する保護機能及び脱保護能の点から、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－アミル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－エチルシクロヘキシル基が好ましい。
　窒素含有化合物（ＩＩ）としては、例えば下記式（３－１－１）～（３－１－９）及び（３－２－１）～（３－２－４）で表される化合物等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　上記窒素含有化合物（ＩＩ）のうち、当該ポジ型感放射線性組成物の保存時には反応性が制御されており、ポストベーク時に容易に脱保護されてエポキシ基の架橋反応を充分に進行させる観点から、上記式（３－１－３）、（３－１－４）、（３－１－５）、（３－１－６）、（３－２－１）で表される化合物が好ましい。
　当該ポジ型感放射線性組成物において、窒素含有化合物（ＩＩ）の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して２質量部～３０質量部が好ましく、３質量部～２０質量部がより好ましい。窒素含有化合物（ＩＩ）の含有量を上記特定範囲とすることで、エポキシ基の架橋反応を充分に進行させつつ、かつ過剰量による所望でないエポキシ基との副反応を防止して、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び保存安定性の低下、並びに得られる硬化膜の透過率及び電圧保持率の低下を防止することができる。
　なお、窒素含有化合物（Ｉ）及び（ＩＩ）を併用する場合、両者の合計が［Ａ］重合体１００質量部に対して２質量部～３０質量部であることが好ましい。
＜［Ｄ］界面活性剤＞
　［Ｄ］界面活性剤は、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜形成性をより向上させることができる。［Ｄ］界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物が、［Ｄ］界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果形成される表示素子用層間絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。これらの界面活性剤は、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び／又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば１，１，２，２－テトラフルオロｎ－オクチル（１，１，２，２－テトラフルオロｎ－プロピル）エーテル、１，１，２，２－テトラフルオロｎ－オクチル（ｎ－ヘキシル）エーテル、ヘキサエチレングリコールジ（１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロｎ－ペンチル）エーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２－テトラフルオロｎ－ブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロｎ－ペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２－テトラフルオロｎ－ブチル）エーテル、パーフルオロｎ－ドデカンスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロｎ－デカン、１，１，２，２，３，３，９，９，１０，１０－デカフルオロｎ－ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス（フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル）、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。
　フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばＢＭ－１０００、ＢＭ－１１００（以上、ＢＭ　ＣＨＥＭＩＥ製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３、同Ｆ１７８、同Ｆ１９１、同Ｆ４７１、同Ｆ４７６（以上、大日本インキ化学工業製）、フロラードＦＣ－１７０Ｃ、同ＦＣ－１７１、同ＦＣ－４３０、同ＦＣ－４３１（以上、住友スリーエム製）、サーフロンＳ－１１２、同Ｓ－１１３、同Ｓ－１３１、同Ｓ－１４１、同Ｓ－１４５、同Ｓ－３８２、同ＳＣ－１０１、同ＳＣ－１０２、同ＳＣ－１０３、同ＳＣ－１０４、同ＳＣ－１０５、同ＳＣ－１０６（以上、旭硝子製）、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（以上、新秋田化成製）、フタージェントＦＴ－１００、同ＦＴ－１１０、同ＦＴ－１４０Ａ、同ＦＴ－１５０、同ＦＴ－２５０、同ＦＴ－２５１、同ＦＴ－３００、同ＦＴ－３１０、同ＦＴ－４００Ｓ、同ＦＴＸ－２１８、同ＦＴ－２５１（以上、ネオス製）等が挙げられる。
　シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えばトーレシリコーンＤＣ３ＰＡ、同ＤＣ７ＰＡ、同ＳＨ１１ＰＡ、同ＳＨ２１ＰＡ、同ＳＨ２８ＰＡ、同ＳＨ２９ＰＡ、同ＳＨ３０ＰＡ、同ＳＨ－１９０、同ＳＨ－１９３、同ＳＺ－６０３２、同ＳＦ－８４２８、同ＤＣ－５７、同ＤＣ－１９０、ＳＨ　８４００　ＦＬＵＩＤ（以上、東レダウコーニングシリコーン製）、ＴＳＦ－４４４０、ＴＳＦ－４３００、ＴＳＦ－４４４５、ＴＳＦ－４４４６、ＴＳＦ－４４６０、ＴＳＦ－４４５２（以上、ＧＥ東芝シリコーン製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業製）等が挙げられる。
　ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類；ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類；（メタ）アクリル酸系共重合体類等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤の販品としてはポリフローＮｏ．５７、９５（共栄社化学製）等が挙げられる。
　当該ポジ型感放射線性組成物における［Ｄ］界面活性剤の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して、好ましくは０．０５質量部以上５質量部以下であり、より好ましくは０．１質量部以上２質量部以下である。［Ｄ］界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで基板上に塗膜を形成する際の膜荒れを抑制することができる。
＜［Ｅ］密着助剤＞
　当該ポジ型感放射線性組成物においては、基板となる無機物、例えばシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために［Ｅ］密着助剤を使用することができる。このような密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用される。官能性シランカップリング剤の例としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基（好ましくはオキシラニル基）、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
　官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ－クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。
　当該ポジ型感放射線性組成物における［Ｅ］密着助剤の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して、好ましくは０．５質量部以上２０質量部以下、より好ましくは１質量部以上１０質量部以下の量で用いられる。［Ｅ］密着助剤の量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜と基板との密着性が改善される。
＜その他の任意成分＞
　当該ポジ型感放射線性組成物は、上記［Ａ］～［Ｅ］成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて塩基性化合物等のその他の任意成分を含有してもよい。
［塩基性化合物］
　当該ポジ型感放射線性組成物が、塩基性化合物を含有することで、露光により［Ｂ］酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、混成アミン類、芳香族アミン、複素環式アミン、カルボン酸４級アンモニウム塩等が挙げられる。
　脂肪族アミンとしては、例えばアンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ－ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ－アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ－ｓｅｃ－ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルテトラエチレンペンタミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ－ｎ－プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ－ｎ－ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ－ｓｅｃ－ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が挙げられる。
　混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。
　芳香族アミン類及び複素環アミン類としては、例えばアニリン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ－エチルアニリン、Ｎ－プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、２－メチルアニリン、３－メチルアニリン、４－メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２－ニトロアニリン、３－ニトロアニリン、４－ニトロアニリン、２，４－ジニトロアニリン、２，６－ジニトロアニリン、３，５－ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルトルイジン等のアニリン誘導体；ジフェニルアミン、ジフェニル（ｐ－トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン；ピロール、２Ｈ－ピロール、１－メチルピロール、２，４－ジメチルピロール、２，５－ジメチルピロール、Ｎ－メチルピロール等のピロール誘導体；オキサゾール、イソオキサゾール等のオキサゾール誘導体；チアゾール、イソチアゾール等のチアゾール誘導体；イミダゾール、４－メチルイミダゾール、４－メチル－２－フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２－フェニルベンズイミダゾール、トリフェニルイミダゾール等のイミダゾール誘導体；ピラゾール誘導体、フラザン誘導体；ピロリン、２－メチル－１－ピロリン等のピロリン誘導体；ピロリジン、Ｎ－メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等のピロリジン誘導体；イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４－（１－ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３－メチル－２－フェニルピリジン、３－メチル－４－フェニルピリジン、４－ｔｅｒｔ－ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１－メチル－２－ピリドン、４－ピロリジノピリジン、１－メチル－４－フェニルピリジン、２－（１－エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン、ニコチン等のピリジン誘導体；ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体；モルホリン、４－メチルモルホリン等のモルホリン誘導体；インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ－インダゾール誘導体、インドリン誘導体；キノリン、３－キノリンカルボニトリル、８－オキシキノリン等のキノリン誘導体；イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０－フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］－５－ノネン、１，８－ジアザビシクロ［５．３．０］－７－ウンデセン等の多環式アミン等が挙げられる。
　カルボン酸４級アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ－ｎ－ブチルアンモニウムアセテート、テトラ－ｎ－ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。
　また、下記式（６）及び（７）で表される塩基性化合物等が挙げられる。
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　上記式（６）及び（７）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４７及びＲ４８は、それぞれ独立して直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１～２０のアルキレン基である。Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４９及びＲ５０は、水素原子又は炭素数１～２０のアルキル基である。但し、このアルキル基の水素原子の一部又は全部はアミノ基で置換されていてもよい。Ｒ４４とＲ４５、Ｒ４５とＲ４６、Ｒ４４とＲ４６、Ｒ４４とＲ４５とＲ４６、Ｒ４９とＲ５０は、それぞれ結合して環構造を形成してもよい。Ｓ、Ｔ、Ｕは、それぞれ独立して０～２０の整数である。但し、Ｓ、Ｔ、Ｕが共に０のとき、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４９、Ｒ５０が全て水素原子である場合はない。
　上記Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４７及びＲ４８で表されるアルキレン基の炭素数としては１～２０であり、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８である。具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ－ブチレン基、イソブチレン基、ｎ－ペンチレン基、イソペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基等が挙げられる。
　上記Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４９及びＲ５０で表されるアルキル基の炭素数としては１～２０であり、好ましくは１～８、より好ましくは１～６である。これらは直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
　Ｒ４４とＲ４５、Ｒ４５とＲ４６、Ｒ４４とＲ４６、Ｒ４４とＲ４５とＲ４６、Ｒ４９とＲ５０が環構造を形成する場合、炭素数は代表的には１～２０であり、好ましくは１～８、より好ましくは１～６である。また、これらの環構造は炭素数１～６、好ましくは１～４のアルキル基が分岐していてもよい。Ｓ、Ｔ、Ｕとしては、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８の整数である。
　上記式（６）及び（７）で表される塩基性化合物としては、例えばトリス｛２－（メトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス［２－｛（２－メトキシエトキシ）メトキシ｝エチル］アミン、トリス｛２－（２－メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２－｛（２－ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、４，７，１３，１６，２１，２４－ヘキサオキサ－１，１０－ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサン、４，７，１３，１８－テトラオキサ－１，１０－ジアザビシクロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１０，１３－テトラオキサ－７，１６－ジアザビシクロオクタデカン、１－アザ－１２－クラウン－４、１－アザ－１５－クラウン－５、１－アザ－１８－クラウン－６等が挙げられる。
　塩基性化合物としては、第三級アミン、アニリン誘導体、ピロリジン誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、アミノ酸誘導体、トリス｛２－（メトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛（２－（２－メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス［２－｛（２－メトキシエトキシ）メチル｝エチル］アミン、１－アザ－１５－クラウン－５が好ましい。
　当該ポジ型感放射線性組成物における塩基性化合物の含有量としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して０．００１質量部～１質量部が好ましく、０．００５質量部～０．２質量部がより好ましい。塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。
＜ポジ型感放射線性組成物の調製方法＞
　当該ポジ型感放射線性組成物は、溶媒に［Ａ］重合体、［Ｂ］酸発生体、必要に応じて好適成分である［Ｃ］窒素含有化合物、及びその他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該ポジ型感放射線性組成物を調製できる。
　溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。なお、これらの溶媒は、単独又は２種以上を使用することができる。
　アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、２－フェニルエチルアルコール、３－フェニル－１－プロパノール等が挙げられる。
　エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。
　グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。
　エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類としては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。
　ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。
　プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。
　プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。
　プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。
　芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。
　ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等が挙げられる。
　他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３－ヒドロキシプロピオン酸メチル、３－ヒドロキシプロピオン酸エチル、３－ヒドロキシプロピオン酸プロピル、３－ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２－ヒドロキシ－３－メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－メトキシプロピオン酸ブチル、２－エトキシプロピオン酸メチル、２－エトキシプロピオン酸エチル、２－エトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸ブチル、２－ブトキシプロピオン酸メチル、２－ブトキシプロピオン酸エチル、２－ブトキシプロピオン酸プロピル、２－ブトキシプロピオン酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－メトキシプロピオン酸プロピル、３－メトキシプロピオン酸ブチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸プロピル、３－エトキシプロピオン酸ブチル、３－プロポキシプロピオン酸メチル、３－プロポキシプロピオン酸エチル、３－プロポキシプロピオン酸プロピル、３－プロポキシプロピオン酸ブチル、３－ブトキシプロピオン酸メチル、３－ブトキシプロピオン酸エチル、３－ブトキシプロピオン酸プロピル、３－ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。
　これらの溶媒のうち、溶解性又は分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類及びエステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸ｉ－プロピル、酢酸ブチル、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチルが好ましく、ジイソプロピルエーテル、ジｎ－ブチルエーテル、ジｎ－ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジｎ－ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等のエーテル類がより好ましく、ジイソペンチルエーテルが特に好ましい。このような溶媒を用いることによって、感放射線性組成物をスリット塗布法で大型ガラス基板に塗布する際に、乾燥工程時間を短縮すると同時に、塗布性をより一層向上（塗布ムラを抑制）することが可能となる。
　また、上記溶媒に加え、必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１－オクタノール、１－ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ－ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用することもできる。
　ポジ型感放射線性組成物を溶液又は分散液状態として調製する場合、液中に占める溶媒以外の成分の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは５質量％～５０質量％、より好ましくは１０質量％～４０質量％、特に好ましくは１５質量％～３５質量％である。
＜表示素子用層間絶縁膜の形成方法＞
　当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。
　本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
　（１）当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
　（２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
　（３）上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
　（４）上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
　当該ポジ型感放射線性組成物を用いる本発明の形成方法により、表面硬度及び耐熱性に優れ、透過率及び電圧保持率を充分に満足する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。以下、各工程を詳述する。
［工程（１）］
　本工程では、基板上に当該ポジ型感放射線性組成物の溶液又は分散液を塗布した後、好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去して塗膜を形成する。塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法（スピンコート法）、スリットダイ塗布法、バー塗布法等が挙げられる。これらのうち、スピンコート法、スリットダイ塗布法が好ましく、スリットダイ塗布法がより好ましい。
　基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、７０℃～１２０℃、１分～１０分間程度とすることができる。
［工程（２）］
　本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が１９０ｎｍ～４５０ｎｍの範囲にある放射線が好ましく、３６５ｎｍの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を、照度計（ＯＡＩ　ｍｏｄｅｌ３５６、ＯＡＩ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ製）により測定した値で、３００Ｊ／ｍ２～５，０００Ｊ／ｍ２が好ましく、４００Ｊ／ｍ２～１，５００Ｊ／ｍ２がより好ましい。
［工程（３）］
　本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分（放射線の照射部分）を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウム塩等が挙げられる。
　アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、０．１質量％以上５質量％以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該ポジ型感放射線性組成物の組成によって異なるが、１０秒～１８０秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０秒～９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。
［工程（４）］
　本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、［Ａ］重合体及び［Ｃ］窒素含有化合物の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば１２０℃～２５０℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは５分～３０分間程度、オーブンでは３０分～９０分間程度である。また、２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。
　形成された表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは０．１μｍ～８μｍ、より好ましくは０．１μｍ～６μｍ、特に好ましくは０．１μｍ～４μｍである。
　以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。
＜［Ａ］成分の合成＞
［合成例１］
　冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸５質量部、１－エトキシエチルメタクリレート４０質量部、スチレン５質量部、メタクリル酸グリシジル４０質量部、２－ヒドロキシエチルメタクリレート１０質量部、及びα－メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し重合体（Ａ－１）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ－１）のＭｗは９，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３２．１質量％であった。
［合成例２］
　冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸５質量部、２－テトラヒドロピラニルメタクリレート４０質量部、スチレン５質量部、メタクリル酸グリシジル４０質量部、２－ヒドロキシエチルメタクリレート１０質量部及びα－メチルスチレンダイマー３質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持し重合体（Ａ－２）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ－２）のＭｗは９，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３１．３質量％であった。
［合成例３］
　冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオン酸メチル）７質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２００質量部を仕込んだ。引き続き１－ｎ－ブトキシエチルメタクリレート６７質量部、メタクリル酸ベンジル２３質量部、メタクリル酸１０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａ－１）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａ－１）のＭｗは９，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３０．３質量％であった。
［合成例４］
　冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオン酸メチル）７質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２００質量部を仕込んだ。引き続き１－ベンジルオキシエチルメタクリレート９０質量部、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル６質量部、メタクリル酸４質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａ－２）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａ－２）のＭｗは９，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３１．２質量％であった。
［合成例５］
　冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオン酸メチル）７質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２００質量部を仕込んだ。引き続き２－テトラヒドロピラニルメタクリレート８５質量部、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル７質量部、メタクリル酸８質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａ－３）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａ－３）のＭｗは１０，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、２９．２質量％であった。
［合成例６］
　冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸グリシジル５２質量部、メタクリル酸ベンジル４８質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａａ－１）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａａ－１）のＭｗは１０，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３２．３質量％であった。
［合成例７］
　冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）７質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸３，４－エポキシシクロヘキシルメチル４５質量部、メタクリル酸ベンジル４５質量部、メタクリル酸１０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａａ－２）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａａ－２）のＭｗは１０，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３３．２質量％であった。
［合成例８］
　冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）７質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き１－ｎ－ブトキシエチルメタクリレート３５質量部、メタクリル酸ベンジル３５質量部、メタクリル酸グリシジル３０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を６時間保持し重合体（ａａ－３）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａａ－３）のＭｗは１０，０００であった。重合体溶液の固形分濃度は、３２．３質量％であった。
＜ポジ型感放射線性組成物の調製＞
　以下、実施例及び比較例のポジ型感放射線性組成物の調製に用いた成分を詳述する。
［Ｂ］酸発生剤
Ｂ－１：４，７－ジ－ｎ－ブトキシ－１－ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
Ｂ－２：ベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
Ｂ－３：（５－プロピルスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＰＡＧ　１０３）
Ｂ－４：（５－オクチルスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＰＡＧ　１０８）
Ｂ－５：（５－ｐ－トルエンスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＰＡＧ　１２１）
Ｂ－６：（カンファースルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＣＧＩ１３８０）
Ｂ－７：（５－オクチルスルフォニルオキシイミノ）－（４－メトキシフェニル）アセトニトリル（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製、ＣＧＩ７２５）
［Ｃ］窒素含有化合物
Ｃ－１：上記式（２－１）で表される窒素含有化合物
Ｃ－２：上記式（２－２）で表される窒素含有化合物
Ｃ－３：上記式（２－４）で表される窒素含有化合物
Ｃ－４：上記式（３－１－３）で表される窒素含有化合物
Ｃ－５：上記式（３－２－１）で表される窒素含有化合物
［Ｄ］界面活性剤
Ｄ－１：シリコーン系界面活性剤（東レダウコーニングシリコーン製、ＳＨ　８４００　ＦＬＵＩＤ）
Ｄ－２：フッ素系界面活性剤（ネオス製、フタージェントＦＴＸ－２１８）
［Ｅ］密着助剤
Ｅ－１：γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
Ｅ－２：β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン
Ｅ－３：γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
［実施例１］
　［Ａ］重合体としての（Ａ－１）を含む溶液（（Ａ－１）１００質量部（固形分）に相当する量）に、［Ｂ］酸発生剤としての（Ｂ－４）３．０質量部、［Ｃ］窒素含有化合物としての（Ｃ－１）５質量部、［Ｄ］界面活性剤としての（Ｄ－１）０．２０質量部、及び［Ｅ］密着助剤としての（Ｅ－１）３．０質量部を混合し、孔径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過することによりポジ型感放射線性組成物を調製した。
［実施例２～１２並びに比較例１及び２］
　各成分の種類及び配合量を表１に記載の通りとした以外は、実施例１と同様に操作して各ポジ型感放射線性組成物を調製した。なお、表１中の「－」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
＜評価＞
　調製した各ポジ型感放射線性組成物を用いて、下記の評価を実施した。結果を表１にあわせて示す。
［放射線感度（Ｊ／ｍ２）］
　５５０×６５０ｍｍのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を塗布し、６０℃にて１分間加熱した。このＨＭＤＳ処理後のクロム成膜ガラス上に、各ポジ型感放射線性組成物をスリットダイコーター（東京応化工業製、ＴＲ６３２１０５－ＣＬ）を用いて塗布し、到達圧力を１００Ｐａに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに９０℃において２分間プレベークすることによって、膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。続いて、露光機（キヤノン製、ＭＰＡ－６００ＦＡ）を用い、６０μｍのライン・アンド・スペース（１０対１）のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、０．４質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃において８０秒間現像した。次いで、超純水で１分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、ＨＭＤＳ処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、６μｍのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を放射線感度（Ｊ／ｍ２）とした。この値が６００（Ｊ／ｍ２）以下の場合に感度が良好と判断した。
［透過率（％）］
　上記の放射線感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱して硬化膜を得た。波長４００ｎｍにおける透過率（％）を、分光光度計（１５０－２０型ダブルビーム、日立製作所製）を用いて測定して評価した。透過率が９０％未満の場合に透明性が不良と判断した。
［表面硬度］
　上記透過率の評価で形成された硬化膜を有する基板について、ＪＩＳ　Ｋ－５４００－１９９０の８．４．１鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度（表面硬度）を測定した。この値が３Ｈ以上である場合、表示素子用層間絶縁膜としての表面硬度が良好と判断し、十分な硬化性を有するといえる。
［耐熱性（％）］
　上記放射線感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。次いで、１００μｍのライン・アンド・スペース（１対１）のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した後、０．４質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃において液盛り法で現像した。現像時間は８０秒間とした。次いで、超純水で１分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、パターンを形成した。現像後パターン高さ（Ｔ１）を触針式膜厚測定装置α―ステップ（ＫＬＡテンコール製）により測定した。その後、パターン形成されたシリコン基板をクリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱して熱硬化後のパターンを得た。同様にして、熱硬化後のパターン高さ（ｔ１）を測定し、下記式から熱硬化前後の熱収縮率（％）を算出し、これを耐熱性（％）とした。
　耐熱性（％）＝｛（Ｔ１－ｔ１）／Ｔ１｝×１００
　耐熱性の値が大きいほど架橋反応が進行しているといえる。なお、このように生じた熱収縮は実際の使用上では特に影響のないレベルである。
［電圧保持率（％）］
　表面にナトリウムイオンの溶出を防止するＳｉＯ２膜が形成され、さらにＩＴＯ（インジウム－酸化錫合金）電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、各感放射線性樹脂組成物を、スピンコートした後、９０℃のクリーンオーブン内で１０分間プレベークを行って、膜厚２．０μｍの塗膜を形成した。次いで、フォトマスクを介さずに、塗膜に５００Ｊ／ｍ２の露光量で露光した。その後、２３０℃で３０分間ポストベークを行い塗膜を硬化させた。次いで、この画素を形成した基板とＩＴＯ電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、０．８ｍｍのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせたのち、メルク製液晶ＭＬＣ６６０８を注入して、液晶セルを作製した。さらに、液晶セルを６０℃の恒温層に入れて、液晶セルの電圧保持率を、液晶電圧保持率測定システム（ＶＨＲ－１Ａ型、東陽テクニカ製）により測定した。このときの印加電圧は５．５Ｖの方形波、測定周波数は６０Ｈｚである。電圧保持率（％）とは、下記式から求められる値である。
　電圧保持率（％）＝（１６．７ミリ秒後の液晶セル電位差／０ミリ秒で印加した電圧）×１００
　液晶セルの電圧保持率が９０％以下であると、液晶セルは１６．７ミリ秒の時間、印加電圧を所定レベルに保持できず、十分に液晶を配向させることができないことを意味し、残像などの「焼き付き」を起こすおそれが高い。
［保存安定性（％）］
　各感放射線性樹脂組成物溶液を４０℃のオーブン中で１週間放置し、オーブンに入れる前後での粘度を測定し、粘度変化率（％）を求め、保存安定性（％）とした。粘度変化率が５％以下である場合、保存安定性が良好と判断し、５％を超える場合に保存安定性が不良と判断した。粘度は、Ｅ型粘度計（ＶＩＳＣＯＮＩＣ　ＥＬＤ．Ｒ、東機産業製）を用いて２５℃で測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
　表１の結果から明らかなように、実施例１～１０のポジ型感放射線性組成物は、［Ｃ］窒素含有化合物を含まない比較例１～２の感放射線性組成物と比較して、表面硬度について優れていることが分かった。また、耐熱性の値からもエポキシ基の架橋が充分に進行していることが分かった。さらに、これらの実施例のポジ型感放射線性組成物は、優れた保存安定性及び充分な放射線感度を有すると共に、透過率及び電圧保持率という一般的な要求特性を充分に満足する表示素子用層間絶縁膜を形成可能であることが分かった。なお、実施例１～１０と比較すると、実施例１１では若干ながら表面硬度が低下しており、また実施例１２では表面硬度は優れているものの、架橋反応性が高すぎたためか、保存安定性、透過率、電圧保持率が若干低下していた。以上のことから、実施例１～１２のポジ型感放射線性組成物の全てについて良好な結果が得られているものの、［Ｃ］窒素含有化合物の含有量は［Ａ］重合体１００質量部に対して２質量部以上３０質量部以下が好ましいといえる。
　本発明のポジ型感放射線性組成物は、上述のように、優れた保存安定性及び充分な放射線感度を有しており、透過率及び電圧保持率という一般的要求特性を備え、優れた表面硬度及び耐熱性を有する硬化膜を形成可能である。従って、当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用の表示素子用層間絶縁膜を形成するために好適に用いられる。

Claims (6)

  1. 　［Ａ］同一又は異なる重合体分子中に、下記式（１）で表される基を有する構造単位（Ｉ）とエポキシ基含有構造単位（ＩＩ）とを含む重合体、
    　［Ｂ］酸発生体、並びに
    　［Ｃ］下記式（２）で表される窒素含有化合物（Ｉ）及び下記式（３）で表される窒素含有化合物（ＩＩ）からなる群より選択される少なくとも１種の窒素含有化合物
    を含有するポジ型感放射線性組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、Ｒ１及びＲ２が共に水素原子である場合はない。Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は－Ｍ（Ｒ３ｍ）３で表される基である。このＭは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。Ｒ３ｍは、それぞれ独立してアルキル基である。また、Ｒ１とＲ３とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、Ｒ３で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（２）中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して水素原子、アミノ基、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～２０のアリール基である。但し、上記アルキル基及びアリール基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル基、スルホン基、アミド基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、アミノ基又はアミジノ基を含んでいてもよい。Ｒ６は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数４～２０のシクロアルキル基又は炭素数６～２０のアリール基である。但し、Ｒ４とＲ５とが連結して互いに結合している窒素原子と共に環構造を形成してもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（３）中、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して上記Ｒ４と同義である。Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立して上記Ｒ６と同義である。Ａは、炭素数１～１２のアルカンジイル基又は炭素数６～２０のアリーレン基である。）
  2. 　上記式（２）におけるＲ６、並びに上記式（３）におけるＲ９及びＲ１０からなる群より選択される少なくとも１種の基が、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－アミル基、１－メチルシクロヘキシル基又は１－エチルシクロヘキシル基である請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
  3. 　［Ｃ］窒素含有化合物の含有量が、［Ａ］重合体１００質量部に対して２質量部以上３０質量部以下である請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
  4. 　表示素子用層間絶縁膜の形成に用いられる請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。
  5. 　（１）請求項４に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
    　（２）上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
    　（３）上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
    　（４）上記現像された塗膜を加熱する工程
    を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。
  6. 　請求項４に記載のポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜。
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