WO2011058106A3 - Verfahren zum bilden von dünnen halbleiterschichtsubstraten zum herstellen von solarzellen - Google Patents
Verfahren zum bilden von dünnen halbleiterschichtsubstraten zum herstellen von solarzellen Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011058106A3 WO2011058106A3 PCT/EP2010/067299 EP2010067299W WO2011058106A3 WO 2011058106 A3 WO2011058106 A3 WO 2011058106A3 EP 2010067299 W EP2010067299 W EP 2010067299W WO 2011058106 A3 WO2011058106 A3 WO 2011058106A3
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- layers
- macroporous
- edge region
- semiconductor substrate
- layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L31/0284—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System comprising porous silicon as part of the active layer(s)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
- H01L31/1896—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates for thin-film semiconductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Es wird ein Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten zum Herstellen von Solarzellen beschrieben, bei dem in einem bereitgestellten Halbleitersubstrat (1) abwechselnd niedrig-makroporöse Schichten (33, 37) und freigeätzte Schichten (35, 39) durch elektrochemisches Ätzen ausgebildet werden können. Die freigeätzten Schichten (35, 39) trennen benachbarte makroporöse Schichten (33, 37), sodass diese vorzugsweise freitragend ausgebildet sind. Dabei wird ein Randbereich (3) des Halbleitersubstrates (1), der die makroporösen Schichten (33, 37) zumindest teilweise umgibt, ungeätzt belassen und dient somit zur mechanischen Stabilisierung der mit ihm verbundenen, eingeschlossenen, niedrig-makroporösen Schichten (33, 37). Der derart entstandene Mehrfachschichtenstapel kann anschließend in einem gemeinsamen Fluidverfahrensschritt als Gesamtheit weiteren Prozessierungsschritten unterzogen werden, beispielsweise mit einem passivierenden Oxid beschichtet werden. Anschließend können die makroporösen Schichten nacheinander von dem stabilisierenden Randbereich (3) des Halbleitersubstrats getrennt werden, wobei eine mechanische Verbindung zwischen der makroporösen Schicht (33) und dem nicht-porösen Randbereich (3) unterbrochen wird. Vor dem Abreißen der jeweils obersten Schicht können einseitig wirkende Prozesse angewendet werden. Mit wenigen Prozessschritten lassen sich so eine Vielzahl von dünnen Halbleiterschichtsubstraten in Form von makroporösen Schichten (33, 37) einschließlich einer guten Oberflächenpassivierung sowie einer reflexionsmindernden Oberflächentextur bilden.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010800511153A CN102640305A (zh) | 2009-11-13 | 2010-11-11 | 用于形成用于制造太阳能电池的薄半导体层衬底的方法 |
EP10775834A EP2499678A2 (de) | 2009-11-13 | 2010-11-11 | Verfahren zum bilden von dünnen halbleiterschichtsubstraten zum herstellen von solarzellen |
US13/509,567 US20120282726A1 (en) | 2009-11-13 | 2010-11-11 | Method for forming thin semiconductor layer substrates for manufacturing solar cells |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009053262A DE102009053262A1 (de) | 2009-11-13 | 2009-11-13 | Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, insbesondere einer Solarzelle, mit einem solchen Halbleiterschichtsubstrat |
DE102009053262.5 | 2009-11-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2011058106A2 WO2011058106A2 (de) | 2011-05-19 |
WO2011058106A3 true WO2011058106A3 (de) | 2012-06-07 |
Family
ID=43877618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/EP2010/067299 WO2011058106A2 (de) | 2009-11-13 | 2010-11-11 | Verfahren zum bilden von dünnen halbleiterschichtsubstraten zum herstellen von solarzellen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120282726A1 (de) |
EP (1) | EP2499678A2 (de) |
CN (1) | CN102640305A (de) |
DE (1) | DE102009053262A1 (de) |
WO (1) | WO2011058106A2 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014217165A1 (de) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbleiterstruktur, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4202455C1 (de) * | 1992-01-29 | 1993-08-19 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
DE19936941A1 (de) * | 1998-11-11 | 2000-05-18 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten, insbesondere Dünnschichtsolarzellen, auf einem Trägersubstrat |
DE10055872A1 (de) * | 2000-11-10 | 2002-06-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter |
WO2006131177A2 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Universität Stuttgart | Verfahren zur herstellung von saatschichten zur abscheidung von halbleitermaterial |
DE102006028916A1 (de) * | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung poröser Partikel, nach diesem Verfahren hergestellte poröse Partikel sowie deren Verwendung |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6326280B1 (en) * | 1995-02-02 | 2001-12-04 | Sony Corporation | Thin film semiconductor and method for making thin film semiconductor |
US6107213A (en) * | 1996-02-01 | 2000-08-22 | Sony Corporation | Method for making thin film semiconductor |
ATE261612T1 (de) * | 1996-12-18 | 2004-03-15 | Canon Kk | Vefahren zum herstellen eines halbleiterartikels unter verwendung eines substrates mit einer porösen halbleiterschicht |
CA2233096C (en) * | 1997-03-26 | 2003-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate and production method thereof |
SG71094A1 (en) * | 1997-03-26 | 2000-03-21 | Canon Kk | Thin film formation using laser beam heating to separate layers |
WO1999001893A2 (de) | 1997-06-30 | 1999-01-14 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren zur herstellung von schichtartigen gebilden auf einem substrat, substrat sowie mittels des verfahrens hergestellte halbleiterbauelemente |
DE19730975A1 (de) | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren zur Herstellung von schichtartigen Gebilden auf einem Substrat, Substrat sowie mittels des Verfahrens hergestellte Halbleiterbauelemente |
DE19754513A1 (de) * | 1997-12-09 | 1999-06-10 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur und entsprechende Mikrostruktur |
US6331208B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor |
US6964732B2 (en) * | 2000-03-09 | 2005-11-15 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for continuous formation and lift-off of porous silicon layers |
AU781761B2 (en) * | 2000-03-09 | 2005-06-09 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (Imec) | Method for the formation and lift-off of porous silicon layers |
EP1385199A1 (de) * | 2002-07-24 | 2004-01-28 | IMEC vzw, Interuniversitair Microelectronica Centrum vzw | Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmelementen für Solarzellen oder SOI Anwendungen |
US20090107545A1 (en) * | 2006-10-09 | 2009-04-30 | Soltaix, Inc. | Template for pyramidal three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use |
FR2889887B1 (fr) * | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
EP2002484A4 (de) * | 2006-04-05 | 2016-06-08 | Silicon Genesis Corp | Verfahren und struktur für die herstellung von solarzellen mittels schichtübertragungsverfahren |
DE102007029721A1 (de) * | 2007-06-27 | 2009-01-08 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung einer porösen Schicht mit einer definierten Tiefe in einem Halbleitersubstrat |
TWI427811B (zh) * | 2008-05-14 | 2014-02-21 | Sino American Silicon Prod Inc | 供薄膜型太陽能電池用之半導體結構組合及其製造方法 |
MY162405A (en) * | 2009-02-06 | 2017-06-15 | Solexel Inc | Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template |
US9537032B2 (en) * | 2009-06-02 | 2017-01-03 | Solarcity Corporation | Low-cost high-efficiency solar module using epitaxial Si thin-film absorber and double-sided heterojunction solar cell with integrated module fabrication |
US20100300507A1 (en) * | 2009-06-02 | 2010-12-02 | Sierra Solar Power, Inc. | High efficiency low cost crystalline-si thin film solar module |
EP2529394A4 (de) * | 2010-01-27 | 2017-11-15 | Yale University | Auf leitfähigkeit beruhende selektive ätzung für gan-vorrichtungen und anwendungen davon |
-
2009
- 2009-11-13 DE DE102009053262A patent/DE102009053262A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-11-11 CN CN2010800511153A patent/CN102640305A/zh active Pending
- 2010-11-11 EP EP10775834A patent/EP2499678A2/de not_active Withdrawn
- 2010-11-11 US US13/509,567 patent/US20120282726A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-11 WO PCT/EP2010/067299 patent/WO2011058106A2/de active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4202455C1 (de) * | 1992-01-29 | 1993-08-19 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
DE19936941A1 (de) * | 1998-11-11 | 2000-05-18 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten, insbesondere Dünnschichtsolarzellen, auf einem Trägersubstrat |
DE10055872A1 (de) * | 2000-11-10 | 2002-06-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter |
WO2006131177A2 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Universität Stuttgart | Verfahren zur herstellung von saatschichten zur abscheidung von halbleitermaterial |
DE102006028916A1 (de) * | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung poröser Partikel, nach diesem Verfahren hergestellte poröse Partikel sowie deren Verwendung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
VALÉRIE DEPAUW ET AL: "Innovative lift-off solar cell made of monocrystalline-silicon thin film by annealing of ordered macropores", PHYSICA STATUS SOLIDI (C), vol. 6, no. 7, 1 July 2009 (2009-07-01), pages 1750 - 1753, XP055023896, ISSN: 1862-6351, DOI: 10.1002/pssc.200881032 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2499678A2 (de) | 2012-09-19 |
WO2011058106A2 (de) | 2011-05-19 |
US20120282726A1 (en) | 2012-11-08 |
DE102009053262A1 (de) | 2011-05-19 |
CN102640305A (zh) | 2012-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105293419B (zh) | 一种防止悬浮层刻蚀损伤的mems器件 | |
WO2011087874A3 (en) | Method of controlling trench microloading using plasma pulsing | |
EP1975998A3 (de) | Herstellungsverfahren einer Mehrzahl von SOI-Inselstrukturen | |
WO2011076369A3 (de) | Verfahren zur herstellung von konusförmigen nanostrukturen auf substratoberflächen | |
JP2008523631A5 (de) | ||
WO2008099246A3 (en) | Multilayer structure and its fabrication process | |
SG154396A1 (en) | Strain-direct-on-insulator (sdoi) substrate and method of forming | |
CN111517272B (zh) | 电极的制备方法 | |
EP2031653A3 (de) | Halbleiterbbauelement mit mehreren Elementbildungsbereichen und Herstellungsverfahren dafür | |
JP2008300678A (ja) | 半導体素子の製造方法、及び半導体素子 | |
CN107968050B (zh) | 沟道孔的底部刻蚀方法 | |
WO2011116762A3 (de) | Herstellungsverfahren einer halbleitersolarzelle | |
WO2011058106A3 (de) | Verfahren zum bilden von dünnen halbleiterschichtsubstraten zum herstellen von solarzellen | |
CN110127592A (zh) | Mems感知器结构及其制造方法 | |
WO2009030299A3 (de) | Verfahren zum fertigen einer solarzelle mit einer doppellagigen dielektrikumschicht | |
CN107799386B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
CN108417531A (zh) | 一种接触孔的刻蚀方法 | |
CN205917019U (zh) | Mems器件 | |
WO2010142683A3 (de) | Verfahren zum bilden von dünnen halbleiterschichtsubstraten sowie verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements, insbesondere einer solarzelle, mit einem solchen halbleiterschichtsubstrat | |
EP3370249B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines soi-wafers | |
JP6306684B2 (ja) | 複合構造の製造方法 | |
CN103346076B (zh) | 改善栅氧有源区缺陷的方法 | |
CN103367228A (zh) | 一种沟槽隔离方法 | |
WO2011082857A3 (de) | Herstellung eines bauelements | |
CN108231543B (zh) | 改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201080051115.3 Country of ref document: CN |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10775834 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2010775834 Country of ref document: EP |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13509567 Country of ref document: US |