WO2011058106A3 - Verfahren zum bilden von dünnen halbleiterschichtsubstraten zum herstellen von solarzellen - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten zum Herstellen von Solarzellen beschrieben, bei dem in einem bereitgestellten Halbleitersubstrat (1) abwechselnd niedrig-makroporöse Schichten (33, 37) und freigeätzte Schichten (35, 39) durch elektrochemisches Ätzen ausgebildet werden können. Die freigeätzten Schichten (35, 39) trennen benachbarte makroporöse Schichten (33, 37), sodass diese vorzugsweise freitragend ausgebildet sind. Dabei wird ein Randbereich (3) des Halbleitersubstrates (1), der die makroporösen Schichten (33, 37) zumindest teilweise umgibt, ungeätzt belassen und dient somit zur mechanischen Stabilisierung der mit ihm verbundenen, eingeschlossenen, niedrig-makroporösen Schichten (33, 37). Der derart entstandene Mehrfachschichtenstapel kann anschließend in einem gemeinsamen Fluidverfahrensschritt als Gesamtheit weiteren Prozessierungsschritten unterzogen werden, beispielsweise mit einem passivierenden Oxid beschichtet werden. Anschließend können die makroporösen Schichten nacheinander von dem stabilisierenden Randbereich (3) des Halbleitersubstrats getrennt werden, wobei eine mechanische Verbindung zwischen der makroporösen Schicht (33) und dem nicht-porösen Randbereich (3) unterbrochen wird. Vor dem Abreißen der jeweils obersten Schicht können einseitig wirkende Prozesse angewendet werden. Mit wenigen Prozessschritten lassen sich so eine Vielzahl von dünnen Halbleiterschichtsubstraten in Form von makroporösen Schichten (33, 37) einschließlich einer guten Oberflächenpassivierung sowie einer reflexionsmindernden Oberflächentextur bilden.
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