WO2011024876A1 - 弾性表面波装置 - Google Patents

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    • H03H9/0061—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on opposite sides of the tracks

Definitions

  • the first IDT electrode included in the plurality of IDT electrodes has the first wide pitch portion including the first and second electrode fingers adjacent to each other in the electrode finger group, and the first Since the interval between the electrode finger and the second electrode finger is larger than the average value of the intervals between the remaining electrode fingers in the electrode finger group, it is possible to increase the out-of-band attenuation with a small configuration. it can.
  • FIG. 3 is a partially enlarged view of the graph of FIG. 2.
  • 4 (a) and 4 (b) are diagrams for explaining the effect of the SAW device of FIG. It is a graph which shows the electrode finger pitch of the simulation conditions which concern on 1st Example of this invention. It is a graph which shows the simulation result of 1st Example.
  • FIGS. 7A to 7C are diagrams for explaining simulation conditions according to the second embodiment of the present invention. It is a figure explaining the frequency which concerns on the simulation conditions of 2nd Example.
  • FIG. 9A and FIG. 9B are graphs showing simulation results of the second embodiment.
  • the SAW device 1 generates a SAW on the substrate 3 based on the substrate 3 on which the SAW propagates and the input electric signal, and also serves as a plurality of surface acoustic wave elements (SAW elements) that detect the SAW. It has a resonator 7I, a filter 9, and an output-side resonator 70.
  • SAW elements surface acoustic wave elements
  • the SAW device 1 has an input terminal 5I to which a signal to be filtered is input and an output terminal 5O for outputting the filtered signal.
  • the SAW device 1 includes a cover that covers the SAW element while forming a space on the SAW element, but the illustration is omitted.
  • the input-side resonator 7I and the output-side resonator 7O are referred to as “resonator 7” at the ends, and the two may not be distinguished. Further, the input terminal 5I and the output terminal 5O are simply referred to as “terminal 5”, and they may not be distinguished from each other.
  • the substrate 3 is a so-called piezoelectric substrate made of a piezoelectric body that exhibits a piezoelectric effect.
  • the piezoelectric body is, for example, LiNbO 3 or LiTaO 3 .
  • the substrate 3 has a first main surface 3a facing the front side of FIG. 1 and a second main surface (not shown) facing the back surface.
  • the planar shape of the substrate 3 may be set as appropriate.
  • the filter 9 is constituted by, for example, a longitudinally coupled double mode type resonator surface acoustic wave filter.
  • the filter 9 includes the first IDT electrode 15A to the fifth IDT electrode 15E (hereinafter simply referred to as “IDT electrode 15”, which may not be distinguished from each other) arranged in the SAW propagation direction, and these.
  • the reflector 17 is disposed on both sides of the IDT electrode 15 in the SAW propagation direction.
  • the filter 9 filters the unbalanced signal input from the input-side resonator 7I, converts it to a balanced signal, and outputs it to the output-side resonator 70.
  • the narrow pitch portion 23 is provided for the purpose of widening the bandwidth and reducing the insertion loss.
  • the electrode finger pitch of the narrow pitch portion 23 is narrower than all or the average of the electrode finger pitches of the main pitch portion 21 and is, for example, about 4/5 the average of the electrode finger pitch of the main pitch portion 21.
  • the insertion of the wide pitch portion 25 increases the deviation between the half wavelength of the SAW corresponding to the signal to be removed and the electrode finger pitch, and the propagation of the SAW. Is blocked. This is expected to reduce the amount of attenuation outside the band.
  • the number of the electrode fingers which comprise the wide pitch part 25 is two, degradation of insertion loss is suppressed.
  • FIG. 6 is a graph showing a simulation result.
  • the horizontal axis indicates the frequency.
  • the vertical axis indicates the amount of signal attenuation.
  • a solid line L0 indicates a simulation result of a case where the wide pitch portion 25 is not provided (comparative example), and a dotted line L1 indicates a simulation result of the case where the wide pitch portion 25 is provided (first example).
  • a frequency band in which attenuation is desired to be ensured is the difference between the attenuation when the wide pitch portion 25 is not provided and the attenuation when the wide pitch portion 25 is provided.
  • the average (average value of improvement Ia) was calculated.
  • FIG. 13 is a graph showing the maximum value Lmax of deterioration.
  • FIGS. 13A to 13I correspond to “BAND1” to “BAND9” as shown in the upper part of each figure.
  • FIG. 14B is a diagram showing a plurality of simulation results obtained by changing the position of the wide pitch portion 25 in the central IDT electrode (15G).
  • the horizontal axis, the vertical axis, the mark M1, and the like are the same as in FIG.
  • FIG. 15 is a graph showing the degree of improvement obtained by analyzing the simulation results when the number of IDT electrodes 15 is five (third embodiment).
  • FIG. 16 is a graph showing the degree of improvement obtained by analyzing the simulation result when the number of IDT electrodes 15 is seven (fourth embodiment).
  • FIGS. 15 (a) to 15 (i) and FIGS. 16 (a) to 16 (i) correspond to “BAND1” to “BAND9” as shown above each figure.
  • the horizontal axis indicates the width of the electrode finger pitch of the wide pitch portion 25 as in FIG.
  • the vertical axis represents the maximum value in the frequency band where attenuation is desired to be ensured, which is the difference between the attenuation when the wide pitch portion 25 is not provided and the attenuation when the wide pitch portion 25 is provided.
  • the maximum improvement value Imax is shown.
  • the plurality of plotted lines are obtained when the wide pitch portion 25 is provided on the central IDT electrode 15, provided on the IDT electrodes 15 on both sides thereof, and further provided on the IDT electrodes 15 on both sides thereof. It corresponds.
  • the wide pitch portion 25 is provided at the center of the IDT electrode 15 where the wide pitch portion 25 is provided.
  • FIG. 17 is a view similar to FIGS. 7B and 7C in the second embodiment, showing a reference electrode finger pitch.
  • the electrode finger pitch of the four patterns in the fifth embodiment is obtained by changing the wide pitch portion 25 with respect to the reference electrode finger pitch.
  • the filter 209 having the reference electrode finger pitch may be referred to as a comparative example.
  • the filter 209 of the comparative example has three IDT electrodes 15 as in the second embodiment, and the IDT electrode 15 has a main pitch portion 21 and a narrow pitch portion 23. Further, like the second embodiment, the electrode finger pitch of the main pitch portion 21 of the comparative example is fixed (simplified than the actual electrode finger pitch). However, the specific size of the electrode pitch in the narrow pitch portion 23 etc. is slightly different from the second embodiment. In the comparative example, the wide pitch portion 25 is not provided.
  • the attenuation and insertion loss are analyzed for the normalized frequency of UMTS (“Nrml” in FIG. 8).
  • Tx 824 to 849 MHz
  • BAND5 has a typical tendency to improve the attenuation.
  • the frequency band for analyzing the insertion loss is “Rx” (869 to 894 MHz) of “BAND1” in FIG.
  • the normalized “Rx” generally overlaps between a plurality of BANDs, and it is considered that any BAND may be selected.
  • the first pattern is a comparative example in which wide pitch portions 25 are provided on the IDT electrodes 15 on both sides.
  • two wide pitch portions 25 are provided in each IDT electrode 15 on both sides.
  • the two wide pitch portions 25 are provided at the center of each IDT electrode 15 and at the end that is the outside of the three IDT electrodes 15.
  • the size of the electrode finger pitch of the two wide pitch portions 25 is the same as each other, and is set to be 15% larger than the electrode finger pitch of the main pitch portion 21 other than the wide pitch portion 25.
  • the number of electrode finger pitches is one.
  • the two wide pitch portions 25 provided in the IDT electrode 15 one is an aspect of the first wide pitch portion of the present invention, and the other is an aspect of the second wide pitch portion.
  • FIG. 19 is a view similar to FIG. 9A showing the simulation results of the first pattern and the comparative example.
  • FIG. 20A is an enlarged view of a region XXa in FIG.
  • FIG. 20B is an enlarged view of a region XXb in FIG. 19 and 20
  • a solid line L81 indicates the simulation result of the comparative example
  • a chain line L83 indicates the simulation result of the first pattern.
  • a mark M1 indicates a frequency band to be analyzed for insertion loss
  • a mark M2 indicates a frequency band to be analyzed for attenuation.
  • FIG. 21 is a graph similar to FIG. 17 showing the electrode finger pitch of the second pattern of the fifth embodiment.
  • a solid line L71 indicates the electrode finger pitch of the comparative example shown in FIG. 17, and a chain line L75 indicates the electrode finger pitch of the second pattern.
  • the second pattern is different from the first pattern only in the size of the electrode finger pitch of the wide pitch portion 25 in the center of the IDT electrode 15.
  • the electrode finger pitch of the outer wide pitch portion 25 is set to 15% larger than the other electrode finger pitches as in the first pattern, and the electrode finger pitch of the central wide pitch portion 25 is , 10% larger than other electrode finger pitches. That is, in the second pattern, the IDT electrode 15 has two wide pitch portions 25 having different sizes.
  • FIG. 22 is a view similar to FIG. 19 showing the simulation results of the second pattern and the comparative example.
  • FIG. 23A is an enlarged view of a region XXIIIa in FIG.
  • FIG. 22B is an enlarged view of a region XXIIIb in FIG. 22 and FIG. 23, the solid line L81 indicates the simulation result of the comparative example, and the chain line L85 indicates the simulation result of the second pattern.
  • the second pattern has improved attenuation characteristics as compared with the comparative example, while the insertion loss has not changed much.
  • the maximum attenuation value (Imax) and maximum insertion loss (Lmax) in the frequency band to be analyzed are as follows. [Comparative Example] Imax: -19.12 dB, Lmax: 3.1 dB [Second pattern] Imax: -21.78 dB, Lmax: 2.8 dB [Improvement] Imax: 2.66 dB, Lmax: 0.3 dB
  • FIG. 25 is a view similar to FIG. 19 showing the simulation results of the third pattern and the comparative example.
  • FIG. 25A is an enlarged view of a region XXVIa in FIG.
  • FIG. 26B is an enlarged view of a region XXVIb in FIG. 25 and 26, a solid line L81 indicates the simulation result of the comparative example, and a chain line L87 indicates the simulation result of the third pattern.
  • FIG. 27 is a graph similar to FIG. 17 showing the electrode finger pitch of the fourth pattern of the fifth embodiment.
  • a solid line L71 indicates the electrode finger pitch of the comparative example shown in FIG. 17, and a chain line L79 indicates the electrode finger pitch of the fourth pattern.
  • FIG. 28 is a view similar to FIG. 19 showing the simulation results of the fourth pattern and the comparative example.
  • FIG. 29A is an enlarged view of a region XXIXa in FIG.
  • FIG. 29B is an enlarged view of a region XXIXb in FIG. 28 and 29, a solid line L81 indicates the simulation result of the comparative example, and a chain line L89 indicates the simulation result of the fourth pattern.
  • the fourth pattern has a frequency band (820 to 830 MHz) has occurred. Also, the insertion loss is getting worse.
  • the maximum attenuation value (Imax) and maximum insertion loss (Lmax) in the frequency band to be analyzed are as follows. [Comparative Example] Imax: -19.12 dB, Lmax: 3.1 dB [Fourth Pattern] Imax: -15.52 dB, Lmax: 7.2 dB [Improvement] Imax: -3.60 dB, Lmax: -4.1 dB
  • the two electrode finger pitches of the wide pitch portion 25 may be separated from each other (first and second patterns) or may be adjacent to each other (third pattern). . In other words, it is confirmed that two wide pitch portions 25 with one electrode finger pitch may be provided, or one wide pitch portion 25 with two electrode finger pitches may be provided. It was.
  • the number of electrode finger pitches of the wide pitch portion 25 is preferably one or two.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various modes.
  • the surface acoustic wave device may include a plurality of longitudinally connected elastic wave filters.
  • the input signal or output signal of the surface acoustic wave filter may be either a balanced signal or an unbalanced signal.
  • the number of IDT electrodes is not limited to an odd number and may be an even number.
  • the number of electrode finger pitches in the wide pitch part is not limited to 1 or 2. It is sufficient that the number of electrode finger pitches is smaller than that of each of the first pitch portion and the second pitch portion adjacent to both sides of the wide pitch portion and having a constant electrode finger pitch. In other words, the number of electrode fingers constituting the wide pitch portion should be smaller than the number of electrode fingers constituting each of the first pitch portion and the second pitch portion. In this case, the wide pitch part is clearly distinguished from the design viewpoint from the first pitch part and the second pitch part which are dominant with respect to the filter characteristics. For example, the number of electrode finger pitches in the wide pitch portion may be three. Further, when two or more electrode finger pitches are provided in the wide pitch portion, the sizes of these electrode finger pitches are not limited to the same one, but may be different from each other.
  • the position of the wide pitch portion and the width of the electrode finger pitch may be set as appropriate. These specific values may be appropriately designed according to the passband frequency, the frequency at which attenuation is expected, the expected attenuation, the number of IDTs, the characteristics of the resonator, and the like.

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Abstract

ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に設けられたフィルタ９とを有する。フィルタ９は、ＳＡＷの伝搬方向に沿って配列された複数のＩＤＴ電極１５を有する。複数のＩＤＴ電極１５それぞれは、伝搬方向に直交する方向に延び、伝搬方向に沿って配列された複数の電極指１９ｆを含む電極指群を有する。複数のＩＤＴ電極１５の少なくともいずれか一つは複数の電極指１９ｆのうち隣接する第１、第２電極指を含む広ピッチ部２５を有し、第１電極指と第２電極指との間隔は、複数の電極指１９ｆのうち残りの電極指の各間隔の平均値よりも大きい。

Description

弾性表面波装置
　本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用する弾性表面波装置（ＳＡＷ装置）に関する。
　ＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極をＳＡＷの伝搬方向に配列して構成された弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）を有するＳＡＷ装置が知られている（例えば特許文献１）。ＩＤＴ電極は、ＳＡＷの伝搬方向に直交するように延び、ＳＡＷの伝搬方向に配列された複数の電極指を有している。複数の電極指のピッチ（電極指ピッチ）は、通過帯域の周波数等に応じて適宜に設定される。
　特許文献１においても開示されているように、このようなＳＡＷ装置においては、低周波側の帯域外減衰量を大きくする手段として、一般に、２つのＳＡＷフィルタを縦接続（カスケード接続）する方法が採用されている。
　多段接続された複数のＳＡＷフィルタを有するＳＡＷ装置は、ＳＡＷフィルタの数の増加に伴って大型化する。また、特許文献１は、帯域外の減衰量を大きくすることに寄与するピッチについては言及していない。
　そこで、小型な構成で帯域外の減衰量を大きくすることができる弾性表面波装置が提供されることが好ましい。
特開２００６－３３３１７１号公報
　本発明の一態様に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板に設けられ、弾性表面波の伝搬方向に沿って配列されている複数のＩＤＴ電極を有する弾性表面波フィルタと、を備え、前記複数のＩＤＴ電極のそれぞれは、それぞれが前記伝搬方向に直交する方向に延び且つ互いに前記伝搬方向に沿って所定の間隔を隔てて配列されている電極指群を有し、前記複数のＩＤＴ電極に含まれる第１ＩＤＴ電極は、前記電極指群のうち隣接する第１、第２電極指を含む第１広ピッチ部を有し、前記第１電極指と前記第２電極指との間隔は、前記電極指群のうち残りの電極指の各間隔の平均値よりも大きい。
　上述した弾性表面波装置によれば、複数のＩＤＴ電極に含まれる第１ＩＤＴ電極が、電極指群のうち隣接する第１、第２電極指を含む第１広ピッチ部を有し、前記第１電極指と前記第２電極指との間隔を、前記電極指群のうち残りの電極指の各間隔の平均値よりも大きくしたことから、小型な構成で帯域外の減衰量を大きくすることができる。
本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す平面図である。 図１のＳＡＷ装置の電極指ピッチを示すグラフである。 図２のグラフの一部拡大図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）は図１のＳＡＷ装置の効果を説明する図である。 本発明の第１実施例に係るシミュレーション条件の電極指ピッチを示すグラフである。 第１実施例のシミュレーション結果を示すグラフである。 図７（ａ）～図７（ｃ）は本発明の第２実施例に係るシミュレーション条件を説明する図である。 第２実施例のシミュレーション条件に係る周波数を説明する図である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は第２実施例のシミュレーション結果を示すグラフである。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は第２実施例の他のシミュレーション結果を示すグラフである。 図１１（ａ）～図１１（ｉ）は図９および図１０のシミュレーション結果を解析して得られる減衰量の改善度を示すグラフである。 図１１の解析結果を更に解析して得られる広ピッチ部の電極指ピッチが減衰量の改善度に及ぼす影響を示すグラフである。 図１３（ａ）～図１３（ｉ）は図９および図１０のシミュレーション結果を解析して得られる挿入損失の劣化度を示すグラフである。 図１４（ａ）および～図１４（ｂ）は第２実施例の更に他のシミュレーション結果を示すグラフである。 図１５（ａ）～図１５（ｉ）は第３実施例のシミュレーション結果を解析して得られる減衰量の改善度を示すグラフである。 図１６（ａ）～図１６（ｉ）は第４実施例のシミュレーション結果を解析して得られる減衰量の改善度を示すグラフである。 本発明の第５実施例の基準となる電極指ピッチを示す図である。 第５実施例の第１パターンの電極指ピッチを示す図である。 第１パターンおよび比較例のシミュレーション結果を示す図である。 図２０（ａ）は図１９の領域ＸＸａの拡大図であり、図２０（ｂ）は図１９の領域ＸＸｂの拡大図である。 第５実施例の第２パターンの電極指ピッチを示す図である。 第２パターンおよび比較例のシミュレーション結果を示す図である。 図２３（ａ）は図２２の領域ＸＸＩＩＩａの拡大図であり、図２３（ｂ）は図２２の領域ＸＸＩＩＩｂの拡大図である。 第５実施例の第３パターンの電極指ピッチを示す図である。 第３パターンおよび比較例のシミュレーション結果を示す図である。 図２６（ａ）は図２５の領域ＸＸＶＩａの拡大図であり、図２６（ｂ）は図２５の領域ＸＸＶＩｂの拡大図である。 第５実施例の第４パターンの電極指ピッチを示す図である。 第４パターンおよび比較例のシミュレーション結果を示す図である。 図２９（ａ）は図２８の領域ＸＸＩＸａの拡大図であり、図２９（ｂ）は図２８の領域ＸＸＩＸｂの拡大図である。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下において参照される図面は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、以下の図面において、同一または類似する構成については、同一符号を付して説明を省略することがある。
　図１は、本発明の実施形態にかかるＳＡＷ装置１を示す平面図である。
　ＳＡＷ装置１は、入力された電気信号のＳＡＷへの変換、そのＳＡＷの電気信号への変換の過程において、入力された電気信号をフィルタリングする装置として構成されている。
　ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷが伝搬する基板３と、入力された電気信号に基づいて基板３にＳＡＷを発生させるとともに、そのＳＡＷを検出する複数の弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）としての、入力側共振子７Ｉ、フィルタ９および出力側共振子７Ｏを有している。
　また、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングされるべき信号が入力される入力端子５Ｉと、フィルタリングされた信号を出力する出力端子５Ｏとを有している。この他にも、ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷ素子上に空間を形成しつつＳＡＷ素子を覆うカバー等を有するが、図示は省略する。
　なお、以下では、入力側共振子７Ｉおよび出力側共振子７Ｏについて、端に「共振子７」といい、両者を区別しないことがある。また、入力端子５Ｉおよび出力端子５Ｏについて、単に「端子５」といい、両者を区別しないことがある。
　基板３は、圧電効果を示す圧電体により構成された、いわゆる圧電基板である。圧電体は、例えばＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３である。基板３は、図１の紙面手前に面する第１主面３ａと、その背面に面する不図示の第２主面とを有している。なお、基板３の平面形状は適宜に設定されてよい。
　ＳＡＷは、ＳＡＷ素子（７、９）に励起されて第１主面３ａを図１の紙面上下方向に伝搬する。以下では、図１の紙面上下方向をＳＡＷの伝搬方向といい、図１の紙面左右方向をＳＡＷの伝搬方向に直交する方向ということがある。
　入力側共振子７Ｉは、例えば、１ポート型の共振子により構成されている。具体的には、入力側共振子７Ｉは、ＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１の、ＳＡＷの伝搬方向の両側に配置された反射器１３とを有している。ＩＤＴ電極１１や反射器１３の構成は、後述するフィルタ９のＩＤＴ電極や反射器の構成と同様であり、説明は省略する。入力側共振子７Ｉは、入力端子５Ｉから入力された不平衡信号に共振する不平衡信号を出力する。
　フィルタ９は、例えば、縦結合ダブルモード型の共振子弾性表面波フィルタにより構成されている。具体的には、フィルタ９は、ＳＡＷの伝搬方向に配列された第１ＩＤＴ電極１５Ａ～第５ＩＤＴ電極１５Ｅ（以下、単に「ＩＤＴ電極１５」といい、これらを区別しないことがある。）と、これらＩＤＴ電極１５の、ＳＡＷの伝搬方向の両側に配置された反射器１７とを有している。
　ＩＤＴ電極１５は、第１櫛歯状電極１９Ａおよび第２櫛歯状電極１９Ｂ（以下、単に「櫛歯状電極１９」といい、これらを区別しないことがある。）を有している。櫛歯状電極１９は、ＳＡＷの伝搬方向に延びるバスバー１９ｂと、バスバー１９ｂからＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に延びる複数の電極指１９ｆからなる電極指群とを有している。２つの櫛歯状電極１９は、互いに複数の電極指１９ｆが噛み合うように配置されている。
　第１ＩＤＴ電極１５Ａ、第３ＩＤＴ電極１５Ｃおよび第５ＩＤＴ電極１５Ｅにおいて、第１櫛歯状電極１９Ａは入力側共振子７Ｉに接続され、第２櫛歯状電極１９Ｂはグランドに接続されている。また、第２ＩＤＴ電極１５Ｂおよび第４ＩＤＴ電極１５Ｄにおいて、第１櫛歯状電極１９Ａはグランドに接続され、第２櫛歯状電極１９Ｂは出力側共振子７Ｏに接続されている。すなわち、フィルタ９においては、入力側に接続されたＩＤＴ電極（１５Ａ、１５Ｃ、１５Ｅ）と、出力側に接続されたＩＤＴ電極（１５Ｂ、１５Ｄ）とが交互に配列されている。
　反射器１７は、ＳＡＷの伝搬方向に延びる２本のバスバー１７ｂと、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に延び、２本のバスバー１７ｂに掛架される複数の電極指１７ｆとを有している。
　フィルタ９は、入力側共振子７Ｉから入力された不平衡信号をフィルタリングするとともに平衡信号に変換し、出力側共振子７Ｏに出力する。
　出力側共振子７Ｏは、入力側共振子７Ｉと同様に、１ポート型の共振子により構成されており、ＩＤＴ電極１１および反射器１３を有している。出力側共振子７Ｏは、フィルタ９が平衡信号を出力することに対応して２つ設けられている。２つの出力側共振子７Ｏは、フィルタ９から入力された平衡信号に共振する平衡信号を２つの出力端子５Ｏに出力する。
　図２は、フィルタ９の第１ＩＤＴ電極１５Ａ～第５ＩＤＴ電極１５Ｅの電極指の間隔、すなわち電極指ピッチＰを示すグラフである。
　電極指ピッチは、図１において符号Ｐで示すように、互いに隣接する電極指１９ｆの中心線間の距離である。図２において、横軸は、フィルタ９の、ＳＡＷの伝搬方向における位置（電極指ピッチの数）を示している。なお、第１ＩＤＴ電極１５Ａ～第５ＩＤＴ電極１５Ｅそれぞれに対応する範囲には、これらの符号（１５Ａ～１５Ｅ）が付されている。縦軸は、電極指ピッチを示している。
　各ＩＤＴ電極１５は、ＩＤＴ電極１５の大部分を占める主ピッチ部２１と、隣接するＩＤＴ電極１５との境界部に位置する狭ピッチ部２３とを有している。
　主ピッチ部２１の電極指ピッチは、概ね、通過させるべき信号の周波数に対応する波長の半分程度に設定されている。ただし、所望のフィルタ特性が得られるように、主ピッチ部２１の電極指ピッチは、比較的微小な範囲で変動している。
　狭ピッチ部２３は、広帯域化や挿入損失の低下等を目的として設けられる。狭ピッチ部２３の電極指ピッチは、主ピッチ部２１の電極指ピッチの全てもしくは平均よりも狭く、例えば、主ピッチ部２１の電極指ピッチの平均の４／５程度の大きさである。
　本実施形態においては、さらに、通過帯域外における減衰量を増加させるために、両端のＩＤＴ電極（１５Ａおよび１５Ｅ）は、主ピッチ部２１中に、広ピッチ部２５を有している。
　広ピッチ部２５は、例えば、両端のＩＤＴ電極１５の中央に設けられている。広ピッチ部２５の電極指ピッチは、広ピッチ部２５以外の部分の電極指ピッチの平均値よりも大きく、例えば、広ピッチ部２５以外の部分の電極指ピッチの平均値に対して、当該平均値の４％～３０％の割合で大きくされている。
　図３は、図２の一部、具体的には、第５ＩＤＴ電極１５Ｅの範囲における拡大図である。図２においては、ＳＡＷの伝搬方向の位置と電極指ピッチの大きさとが線でのみ示されたが、図３においては、各電極指ピッチに対応するドット（マーク）も図示されている。
　主ピッチ部２１は、電極指ピッチが基本的に（広ピッチ部２５を除いて）一定の複数の定ピッチ部（図３の例では第１定ピッチ部２７Ａ、第２定ピッチ部２７Ｂおよび第３定ピッチ部２７Ｃ。以下、単に「定ピッチ部２７」ということがある。）を有している。
　各定ピッチ部２７を構成する電極指の本数は、例えば、１０～２０本である。なお、定ピッチ部２７内において、複数の電極指ピッチの広さは互いに同一であるが、公差の範囲では変動する。
　隣接する定ピッチ部２７同士は、電極指ピッチの広さが互いに異なっている。すなわち、上述のように、主ピッチ部２１においては、所望のフィルタ特性が得られるように、比較的微小な範囲で電極指ピッチが変動するが、当該変動は、定ピッチ部２７を最小単位として実現されている。
　広ピッチ部２５は、第５ＩＤＴ電極１５Ｅの中央に位置する定ピッチ部２７（図３では第２定ピッチ部２７Ｂ）に設けられている。また、広ピッチ部２５は、第２定ピッチ部２７Ｂの中央に設けられている。広ピッチ部２５においては、１つの電極指ピッチのみが存在している。換言すれば、広ピッチ部２５を構成する電極指は２本である。広ピッチ部２５を構成する２本の電極指が本発明の第１電極指および第２電極指の一態様である。
　図３に示すように広ピッチ部２５は、電極指ピッチが一定の第１ピッチ部２９Ａと、電極指ピッチが一定且つ第１ピッチ部２９Ａの電極指ピッチと同一の第２ピッチ部２９Ｂとの間において、第１ピッチ部２９Ａおよび第２ピッチ部２９Ｂに隣接している。また、広ピッチ部２５は、第１ピッチ部２９Ａおよび第２ピッチ部２９Ｂよりも、電極指ピッチが広く且つ電極指ピッチの数が少ない。
　図４は、広ピッチ部２５の作用を模式的に説明する図である。図４（ａ）は、広ピッチ部２５を有さない定ピッチ部２７の断面図を示している。図４（ｂ）は、広ピッチ部２５を有する定ピッチ部２７の断面図を示している。
　図４（ａ）および図４（ｂ）において実線Ｓ１で示す曲線は、除去されるべき信号に対応するＳＡＷを示している。図４（ａ）に示すように、広ピッチ部２５を有さない定ピッチ部２７においては、電極指１９ｆが幅を有すること等から、通過帯域の信号に対応するＳＡＷだけでなく、除去されるべき信号に対応するＳＡＷも伝搬され得る。
　しかし、図４（ｂ）に示すように、広ピッチ部２５が挿入されることにより、除去されるべき信号に対応するＳＡＷの半波長と電極指ピッチとのずれが大きくなり、そのＳＡＷの伝搬が阻止される。これにより、帯域外の減衰量の低減が期待される。なお、広ピッチ部２５を構成する電極指の本数は２本であることから、挿入損失の劣化が抑制される。
＜第１実施例＞
　実施形態のＳＡＷ装置１を具体的に設計した後にモデル化し、シミュレーションを行った。以下に、シミュレーションの条件および結果を示す。
　図５は、シミュレーション条件の電極指ピッチを示すグラフである。横軸は、フィルタ９の、ＳＡＷの伝搬方向における位置を電極指ピッチの数により示している。縦軸は、電極指ピッチの広さである。
　シミュレーション条件の電極指ピッチは、実際の電極指ピッチよりも、主ピッチ部２１の変動が単純化されている。また、広ピッチ部２５は、両端のＩＤＴ電極（１５Ａ、１５Ｅ）内において、中心よりも外側にずれた位置に配置されている。
　図６は、シミュレーション結果を示すグラフである。横軸は、周波数を示している。縦軸は、信号の減衰量を示している。実線Ｌ０は、広ピッチ部２５が設けられないケース（比較例）のシミュレーション結果を示し、点線Ｌ１は、広ピッチ部２５が設けられたケース（第１実施例）のシミュレーション結果を示している。
　領域ＡＲ１（約８７０～９００ＭＨｚ）において示されるように、実施例において、通過帯域における挿入損失の劣化は、比較例と同様に、ほとんど生じていない。一方、領域ＡＲ２（約８３０～８５０ＭＨｚ）において示されるように、実施例における通過帯域外の減衰量は、比較例における通過帯域外の減衰量よりも大きくなっている。
＜第２実施例＞
　条件を種々変更してシミュレーションを行い、広ピッチ部２５の電極指ピッチの広さや広ピッチ部２５の挿入位置等の好ましい態様に関する知見を得た。具体的には、以下のとおりである。
（シミュレーション条件）
　図７（ａ）は、第２実施例のＳＡＷ装置２０１の模式図である。
　ＳＡＷ装置２０１は、デュプレクサとして構成されており、受信用フィルタ部２５１と、送信用フィルタ部２５３と、これらのフィルタ部に共用されるアンテナ用端子２０５とを有している。
　受信用フィルタ部２５１は、例えば、実施形態のＳＡＷ装置１と同様に、縦結合ダブルモード型の共振子ＳＡＷフィルタを含んで構成されている。送信用フィルタ部２５３は、例えば、ラダー型のＳＡＷフィルタを含んで構成されている。第２実施例では、受信用フィルタ部２５１についてシミュレーションを行う。
　図７（ｂ）は、受信用フィルタ部２５１のフィルタ２０９を示す模式図である。
　実施形態のフィルタ９は、５つのＩＤＴ電極１５を有していたのに対し、第２実施例のフィルタ２０９は、３つのＩＤＴ電極１５Ｆ、１５Ｇおよび１５Ｈを有している。また第２実施例のフィルタ２０９は、共振子７を設けていない。それ以外のフィルタ２０９の構成は、フィルタ９の構成と概ね同様である。また、アンテナ用端子２０５は、実施形態における入力端子５Ｉとして機能する。
　図７（ｃ）は、シミュレーション条件の電極指ピッチを示すグラフであり、図５と同様のグラフである。
　フィルタ２０９のＩＤＴ電極１５は、実施形態と同様に、主ピッチ部２１および狭ピッチ部２３を有している。また、フィルタ２０９の主ピッチ部２１は、広ピッチ部２５を有している。
　なお、図７（ｃ）では、中央のＩＤＴ電極１５Ｇの中央に広ピッチ部２５が設けられた場合を例示している。しかし、第２実施例のシミュレーションにおいて、広ピッチ部２５の挿入位置は、種々のシミュレーションケースの実現のために適宜に変更される。
　また、図７（ｃ）では、広ピッチ部２５を構成する２本の電極指の間隔（電極指ピッチの大きさ）が、広ピッチ部２５を除いた部分（狭ピッチ部２３を含む）の電極指ピッチの大きさの平均値に対し、３０％の割合で大きくした場合を例示している。具体的には、図７（ｃ）において、中央のＩＤＴ電極の広ピッチ部２５を除いた残りの電極指の各間隔の平均値２．１８μｍに対し、広ピッチ部２５を構成する２本の電極指の間隔は、２．８３μｍである。
しかし、広ピッチ部２５の広さも、種々のシミュレーションケースの実現のために適宜に変更される。
　図８は、シミュレーション条件に係る周波数を示す図である。
　第２実施例のシミュレーションでは、ＳＡＷ装置２０１がＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunication System）において使用されることを想定する。
　図８の上段の「ＵＭＴＳ」の行は、ＵＭＴＳにおいて使用される周波数をバンド毎（「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」）に示している。
　「Ｔｘ」の欄は、送信に使用される周波数を示し、「Ｒｘ」の欄は、受信に使用される周波数を示している。「Ｔｘ」および「Ｒｘ」の欄内において、「Ｌ」の欄は、通過帯域の下限値を示し、「Ｕ」の欄は、通過帯域の上限値を示し、「Ｗ」の欄は、通過帯域の幅を示し、「Ｗ／Ｃ」の欄は、通過帯域の中央値に対する通過帯域の幅の比を示している。
　なお、「Ｔｘ」および「Ｒｘ」の欄に示される周波数から理解されるように、各バンドにおいて、受信の通過帯域（「Ｒｘ」）は、送信の通過帯域（「Ｔｘ」）よりも、周波数が高い。
　「Ｔｘ－Ｒｘ　Ｇａｐ」の欄は、送信の通過帯域と受信の通過帯域との関係を示している。具体的には、「Ｌｒ－Ｕｔ」の欄は、送信の通過帯域の上限値と、受信の通過帯域の下限値との差を示している。換言すれば、送信の通過帯域と受信の通過帯域との間の周波数帯域の幅を示している。また、「Ｇａｐ／Ｃ_ＴｘＲｘ」の欄は、送信の通過帯域と受信の通過帯域との間の周波数帯域の中央値に対する当該間の周波数帯域の幅の比を示している。
　「ＵＭＴＳ」の行に示されるように、ＵＭＴＳでは、複数のバンドが使用されている。各バンドに対応する電極指ピッチを設定し、各バンド毎にシミュレーションを行うことは膨大な作業を必要とする。
　そこで、第２実施例では、ＵＭＴＳの各バンドの周波数を正規化し、正規化された周波数に基づいてシミュレーションモデルの構築およびシミュレーション結果の評価を行う。これにより、各バンドに対して共通にシミュレーションを行うことができる。
　図８の下段の「Ｎｒｍｌ」の行は、正規化された周波数を、「ＵＭＴＳ」の行と同様に示している。
　正規化は、正規化前（「ＵＭＴＳ」）と正規化後（「Ｎｒｍｌ」）とで、「Ｒｘ」の「Ｗ／Ｃ」の欄の値、および、「Ｔｘ－Ｒｘ　Ｇａｐ」の「Ｇａｐ／Ｃ_ＴｘＲｘ」の欄の値が一致するように行われる。
　正規化の結果、「Ｎｒｍｌ」の「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」は、「Ｒｘ」の周波数帯域が互いに重複している。また、「Ｎｒｍｌ」の「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」は、「Ｔｘ」の周波数帯域も、重複または近接している。
　シミュレーションにおいて、「Ｎｒｍｌ」の「Ｒｘ」は通過帯域である。また、「Ｎｒｍｌ」の「Ｔｘ」はデュプレクサとしての機能向上の観点から、減衰量の増加が望まれる周波数帯域である。
　まず、以下のように条件を変化させて、複数のシミュレーションを行った。
　（条件１：広ピッチ部２５の位置）
　　　両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）、または、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）の２種類
　（条件２：広ピッチ部２５を構成する２本の電極指の間隔）
　　　広ピッチ部２５の電極指ピッチの広さを、広ピッチ部２５以外の部分（狭ピッチ部２３も含む）の電極指ピッチの広さの平均に対して、１％、３％、５％、７％、１０％、１５％、２０％、２５％および３０％の割合で、それぞれ大きくした場合の９種類
　（シミュレーションケース数）
　　　条件１×条件２＝１８ケース
　なお、広ピッチ部２５は、当該広ピッチ部２５が設けられるＩＤＴ電極１５の中央に設けられているものとした。
　また、広ピッチ部２５が設けられていない場合についてもシミュレーションを行った。
（シミュレーション結果）
　図９（ａ）は、両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）に広ピッチ部２５が設けられた場合のシミュレーション結果を示している。また、図９（ｂ）は、図９（ａ）の通過帯域周辺における拡大図である。
　図１０（ａ）は、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）に広ピッチ部２５が設けられた場合のシミュレーション結果を示している。また、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の通過帯域周辺における拡大図である。
　「ｂａｓｅ」と示された曲線は、広ピッチ部２５が設けられていないシミュレーションケースに対応している。それ以外の「（数値）％」と示された複数の曲線は、条件２を変化させた各シミュレーションケースに対応している。
　図９および図１０において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示している。また、マークＭ１は、通過帯域の目安位置を示し、マークＭ２（図９（ａ）および図１０（ａ））は、減衰量の増加が望まれる周波数帯域の目安位置を示している。
　図９および図１０から、ほとんどのシミュレーションケースにおいて、広ピッチ部２５が設けられると、帯域外の減衰量は増加し、その一方で、挿入損失はあまり大きくならないことが見て取れる。
　ただし、条件１や条件２を変化させることにより、減衰が得られる周波数や減衰量等に差異があることも窺える。すなわち、広ピッチ部２５が設けられるＩＤＴ電極１５の選択や広ピッチ部２５の電極指ピッチの広さの設定について検討の余地があることも窺える。
（減衰量の改善に関する解析）
　上記のシミュレーション結果を解析して、１８個のシミュレーションケース毎に、広ピッチ部２５が設けられなかった場合に比較した改善度を算出した。
　改善度を示す指標値として、広ピッチ部２５が設けられなかった場合の減衰量と広ピッチ部２５が設けられた場合の減衰量との差の、減衰が確保されることが望まれる周波数帯域における平均（改善の平均値Ｉａ）を算出した。
　上記の減衰が確保されることが望まれる周波数帯域は、図８の「Ｎｒｍｌ」行の「Ｔｘ」欄に示される周波数帯域である。当該周波数帯域は、「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」毎に異なるので、改善の平均値Ｉａの算出は、「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」毎に行った。
　図１１は、改善の平均値Ｉａを示すグラフである。図１１（ａ）～図１１（ｉ）は、各図の上に示すように、「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」に対応している。
　図１１において、横軸は、広ピッチ部２５の電極指ピッチの広さ（条件２）を示している。縦軸は、改善の平均値Ｉａを示している。また、実線Ｌ２１は、広ピッチ部２５を両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）に設けたケースを示し、実線Ｌ２２は、広ピッチ部２５を中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）に設けたケースを示している。
　これらの図に示されるように、概ね、広ピッチ部２５の電極指ピッチを広くしていくと、減衰量は増加し、更に広ピッチ部２５の電極指ピッチを広くしていくと、減衰量は下がることが見て取れる。
　なお、図１１（ｄ）等の一部においては、上記のような減衰量の変化が生じていない。これは、評価対象の周波数帯域（「Ｎｒｍｌ」行の「Ｔｘ」欄に示される周波数帯域）が他の図に比較して極端に小さいことなどによるものと考えられる。
　図１２は、図１１に示した解析結果を更に解析して得られる広ピッチ部２５の電極指ピッチの広さが減衰量の改善度に及ぼす影響を示すグラフである。
　具体的には、図１１に示した改善の平均値Ｉａの、全バンド（「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」）における最大値（改善の平均値の最大値Ｉａ_ｍａｘ）を、１８個のシミュレーションケース毎に求めた。
　なお、上述のように、「ＢＡＮＤ４」（図１１（ｄ））に関する改善の平均値Ｉａについては、他のバンドの改善の平均値Ｉａの変化とは異なる変化が生じている。そこで、全バンドから「ＢＡＮＤ４」を除外した残りのバンドについても、改善の平均値の最大値Ｉａ_ｍａｘを求めた。
　図１２の横軸は、広ピッチ部２５の電極指ピッチの広さ（条件２）を示している。縦軸は、改善の平均値の最大値Ｉａ_ｍａｘを示している。また、実線Ｌ３１は、広ピッチ部２５を両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）に設けたケースにおける全バンドの最大値を示している。実線Ｌ３２は、広ピッチ部２５を中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）に設けたケースにおける全バンドの最大値を示している。実線Ｌ３３は、広ピッチ部２５を両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）に設けたケースにおける「ＢＡＮＤ４」を除外した残りのバンドの最大値を示している。実線Ｌ３２は、広ピッチ部２５を中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）に設けたケースにおける「ＢＡＮＤ４」を除外した残りのバンドの最大値を示している。
　実線Ｌ３１およびＬ３２により示される解析結果により、広ピッチ部２５の電極指ピッチの拡大量の割合が１％～３０％であれば、少なくともいずれかのバンドにおいて、減衰が確保されることが望まれる周波数帯域における減衰量の改善が得られることが確認される。
　「ＢＡＮＤ４」を除いた場合においても、広ピッチ部２５の電極指ピッチの拡大量の割合が２５％以下であれば、減衰量の改善がなされ得ることが分かる。
　実線Ｌ３１およびＬ３２において、減衰量が低下する２０％付近においても、５ｄＢの改善量は確保されている。５ｄＢの改善量が確保できれば、弾性表面波装置の製造ばらつきによる特性の劣化分をたいていの場合吸収することができる。従って、実施例の効果を考察する上で、５ｄＢは一つの目安となる。そして、電極指ピッチが狭い側に着目すると、広ピッチ部２５の電極指ピッチの拡大量の割合が４％以上であれば、５ｄＢの減衰量の改善がなされ得ることが分かる。
（挿入損失に関する解析）
　上記のシミュレーション結果を解析して、１８個のシミュレーションケース毎に、広ピッチ部２５が設けられなかった場合に比較した挿入損失の悪化度を算出した。
　挿入損失の悪化度を示す指標値として、広ピッチ部２５が設けられなかった場合の減衰量と広ピッチ部２５が設けられた場合の減衰量との差の、通過帯域における最大値（悪化の最大値Ｌｍａｘ）を算出した。
　通過帯域は、図８の「Ｎｒｍｌ」行の「Ｒｘ」欄に示される周波数帯域である。当該周波数帯域は、「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」毎に異なるので、悪化の最大値Ｌｍａｘの算出は、「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」毎に行った。
　図１３は、悪化の最大値Ｌｍａｘを示すグラフである。図１３（ａ）～図１３（ｉ）は、各図の上に示すように、「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」に対応している。
　図１３において、横軸は、広ピッチ部２５の電極指ピッチの広さ（条件２）を示している。縦軸は、悪化の最大値Ｌｍａｘを示している。また、実線Ｌ４１は、広ピッチ部２５を両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）に設けたケースを示し、実線Ｌ４２は、広ピッチ部２５を中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）に設けたケースを示している。
　これらの図に示されるように、広ピッチ部２５が中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）に設けられる場合よりも、広ピッチ部が両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）に設けられる場合の方が、挿入損失の悪化は抑えられる。
　広ピッチ部２５の、ＩＤＴ電極１５内の位置が挿入損失に及ぼす影響を見るために、更にシミュレーションを行った。具体的には、広ピッチ部２５の拡大量の割合が３０％の場合について、広ピッチ部２５の位置を当該広ピッチ部２５が設けられるＩＤＴ電極１５内で変化させて複数のシミュレーションを行った。
　図１４（ａ）は、両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）内において広ピッチ部２５の位置を変化させて行った複数のシミュレーション結果を示す図である。
　横軸は周波数、縦軸は減衰量である。横軸の範囲は、通過帯域周辺である。マークＭ１は、通過帯域の目安位置を示している。
　実線Ｌ５０は、広ピッチ部２５が設けられていない場合のシミュレーション結果を示している。実線Ｌ５１は、広ピッチ部２５が、両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）の、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）とは反対側の端部付近に設けられた場合のシミュレーション結果を示している。実線Ｌ５２は、広ピッチ部２５が、両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）の、中央付近に設けられた場合のシミュレーション結果を示している。実線Ｌ５３は、広ピッチ部２５が、両端のＩＤＴ電極（１５Ｆおよび１５Ｈ）の、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）側の端部付近に設けられた場合のシミュレーション結果を示している。
　この図では、広ピッチ部２５が、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）側に設けられているとき（実線Ｌ５３）には挿入損失が比較的大きく、それ以外の位置に設けられているとき（実線Ｌ５２、Ｌ５３）には挿入損失が比較的少ないことが見て取れる。
　図１４（ｂ）は、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）において広ピッチ部２５の位置を変化させて行った複数のシミュレーション結果を示す図である。横軸、縦軸、マークＭ１等については図１４（ａ）と同様である。
　実線Ｌ６０は、広ピッチ部２５が設けられていない場合のシミュレーション結果を示している。実線Ｌ６１は、広ピッチ部２５が、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）の、端部付近に設けられた場合のシミュレーション結果を示している。実線Ｌ６２は、広ピッチ部２５が、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）の、中央と端部との中間付近に設けられた場合のシミュレーション結果を示している。実線Ｌ６３は、広ピッチ部２５が、中央のＩＤＴ電極（１５Ｇ）の、中央付近に設けられた場合のシミュレーション結果を示している。
　この図では、広ピッチ部２５の位置が中央側（実線Ｌ６３）になるほど挿入損失が小さくなることが見て取れる。
　以上のとおり、広ピッチ部２５の位置によりフィルタ特性は異なる。広ピッチ部２５の最適位置については、減衰量の改善度なども総合的に考慮する必要がある。ただし、挿入損失の低減の観点においては、今回のシミュレーション結果から、広ピッチ部２５は、ＩＤＴ電極１５の中央などが好ましいことが窺える。なお、ＩＤＴ電極１５の電極指の本数が奇数のときは電極指ピッチが偶数個あるが、この場合はＩＤＴ電極１５の中心に位置する電極指の両隣の電極指ピッチのうち少なくとも一方に広ピッチ部２５があればよい。
　なお、広ピッチ部２５は、ＩＤＴ電極１５の中央に設けられると、ＩＤＴ電極１５内の対称性が高くなり、総合的にフィルタ特性が向上することが期待される。
＜第３および第４実施例＞
　第２実施例では、ＩＤＴ電極１５が３個の場合について、種々の条件でシミュレーションを行い、広ピッチ部２５による減衰の改善の効果等を確認した。しかし、ＩＤＴ電極１５が３個以外の場合においても、広ピッチ部２５による減衰の改善の効果は、種々の条件下で奏される。具体的には、以下のとおりである。
　図１５は、ＩＤＴ電極１５が５個の場合（第３実施例）のシミュレーション結果を解析して得られる改善度を示すグラフである。また、図１６は、ＩＤＴ電極１５が７個の場合（第４実施例）のシミュレーション結果を解析して得られる改善度を示すグラフである。図１５（ａ）～図１５（ｉ）、および、図１６（ａ）～図１６（ｉ）は、各図の上に示すように、「ＢＡＮＤ１」～「ＢＡＮＤ９」に対応している。
　各図において、横軸は、図１１等と同様に広ピッチ部２５の電極指ピッチの広さを示している。縦軸は、広ピッチ部２５が設けられなかった場合の減衰量と広ピッチ部２５が設けられた場合の減衰量との差の、減衰が確保されることが望まれる周波数帯域における最大値（改善の最大値Ｉｍａｘ）を示している。プロットされた複数の線は、広ピッチ部２５が中央のＩＤＴ電極１５に設けられた場合、その両側のＩＤＴ電極１５に設けられた場合、更にその両側のＩＤＴ電極１５に設けられた場合等に対応している。なお、広ピッチ部２５は、広ピッチ部２５が設けられるＩＤＴ電極１５の中央に設けられている。
　これらの図から、概ね、広ピッチ部２５がいずれのＩＤＴ電極１５に設けられても、また、種々の広さの電極指ピッチで設けられても、減衰量の改善の効果が奏されることが確認される。
＜第５実施例＞
　図７（ａ）および図７（ｂ）に示した第２実施例と同様の構成のフィルタ２０９について、広ピッチ部２５の設定を変えた４パターンの条件についてシミュレーション結果を行った。その結果、広ピッチ部は複数設けられてもよいことが確認されるなど、種々の知見が得られた。具体的には、以下のとおりである。
（基準となるシミュレーション条件）
　図１７は、基準となる電極指ピッチを示す、第２実施例における図７（ｂ）および図７（ｃ）と同様の図である。第５実施例の４パターンの電極指ピッチは、後述するように、基準となる電極指ピッチに対して広ピッチ部２５に関する変更を行ったものとなる。なお、以下では、基準となる電極指ピッチを有するフィルタ２０９を比較例ということがある。
　比較例のフィルタ２０９は、第２実施例と同様に、３つのＩＤＴ電極１５を有し、ＩＤＴ電極１５は、主ピッチ部２１および狭ピッチ部２３を有している。また、第２実施例と同様に、比較例の主ピッチ部２１の電極指ピッチは一定とされている（実際の電極指ピッチよりも単純化されている。）。ただし、狭ピッチ部２３等における電極ピッチの具体的な大きさ等は、若干、第２実施例と相違する。また、比較例では、広ピッチ部２５は設けられていない。
（評価方法）
　第２実施例と同様に、ＵＭＴＳの正規化された周波数（図８の「Ｎｒｍｌ」）について、減衰量および挿入損失を解析する。ただし、減衰量を解析する周波数帯域については、図８の「ＢＡＮＤ５」の「Ｔｘ」（８２４～８４９ＭＨｚ）を対象とする。図１１において示されるように、ＢＡＮＤ５は、減衰量の改善の傾向が典型的なものとなっていることからである。また、挿入損失を解析する周波数帯域は、図８の「ＢＡＮＤ１」の「Ｒｘ」（８６９～８９４ＭＨｚ）を対象とする。正規化された「Ｒｘ」は、複数のＢＡＮＤ間において互いに概ね重複しており、いずれのＢＡＮＤを選択してもよいと考えられる。
　減衰量および挿入損失とも、上記の周波数帯における最大値を抽出し、比較例と４パターンの実施例とで比較するものとする。
（第１パターン）
　図１８は、第５実施例の第１パターンの電極指ピッチを示す、図１７と同様のグラフである。実線Ｌ７１は、図１７において示した比較例の電極指ピッチを示しており、鎖線Ｌ７３は、第１パターンの電極指ピッチを示している。
　第１のパターンは、比較例において、両側のＩＤＴ電極１５に広ピッチ部２５を設けたものとなっている。両側の各ＩＤＴ電極１５において、広ピッチ部２５は、２つ設けられている。具体的には、２つの広ピッチ部２５は、各ＩＤＴ電極１５の中央と、３つのＩＤＴ電極１５の外側となる端部に設けられている。２つの広ピッチ部２５の電極指ピッチの大きさは互いに同一であり、また、主ピッチ部２１の広ピッチ部２５以外における電極指ピッチに対して１５％大きく設定されている。各広ピッチ部２５において、電極指ピッチの数は１つである。なお、ＩＤＴ電極１５において２つ設けられている広ピッチ部２５のうち、一方が本発明の第１広ピッチ部の一態様であり、他方が第２広ピッチ部の一態様である。またＩＤＴ電極１５において２つ設けられている広ピッチ部２５のうち、一方の広ピッチ部２５を構成する２本の電極指が本発明の第１電極指および第２電極指の一態様であり、他方の広ピッチ部２５を構成する２本の電極指が本発明の第３電極指および第４電極指の一態様である。
　図１９は、第１パターンおよび比較例のシミュレーション結果を示す図９（ａ）と同様の図である。図２０（ａ）は、図１９の領域ＸＸａの拡大図である。図２０（ｂ）は、図１９の領域ＸＸｂの拡大図である。図１９および図２０において、実線Ｌ８１は比較例のシミュレーション結果を示し、鎖線Ｌ８３は第１パターンのシミュレーション結果を示している。また、マークＭ１は、挿入損失の解析対象の周波数帯域を示し、マークＭ２は、減衰量の解析対象の周波数帯域を示している。
　これらの図に示されるように、第１パターンは、比較例に比較して、減衰特性が改善している一方で、挿入損失はあまり変化していない。解析対象の周波数帯域における減衰量の最大値（Ｉｍａｘ）および挿入損失の最大値（Ｌｍａｘ）は、以下のようになる。
　［比較例］　　　　Ｉｍａｘ：－１９．１２ｄＢ、Ｌｍａｘ：３．１ｄＢ
　［第１パターン］　Ｉｍａｘ：－２３．８５ｄＢ、Ｌｍａｘ：２．８ｄＢ
　［改善量］　　　　Ｉｍａｘ：　　４．４６ｄＢ、Ｌｍａｘ：０．３ｄＢ
（第２パターン）
　図２１は、第５実施例の第２パターンの電極指ピッチを示す、図１７と同様のグラフである。実線Ｌ７１は、図１７において示した比較例の電極指ピッチを示しており、鎖線Ｌ７５は、第２パターンの電極指ピッチを示している。
　第２のパターンは、図１８との比較から理解されるように、第１のパターンと、ＩＤＴ電極１５の中央の広ピッチ部２５の電極指ピッチの大きさのみが異なっている。具体的には、外側の広ピッチ部２５の電極指ピッチは、第１のパターンと同様に、他の電極指ピッチに対して１５％大きく設定され、中央の広ピッチ部２５の電極指ピッチは、他の電極指ピッチに対して１０％大きく設定されている。すなわち、第２のパターンでは、ＩＤＴ電極１５は、大きさの異なる２つの広ピッチ部２５を有している。
　図２２は、第２パターンおよび比較例のシミュレーション結果を示す図１９と同様の図である。図２３（ａ）は、図２２の領域ＸＸＩＩＩａの拡大図である。図２２（ｂ）は、図２２の領域ＸＸＩＩＩｂの拡大図である。図２２および図２３において、実線Ｌ８１は比較例のシミュレーション結果を示し、鎖線Ｌ８５は第２パターンのシミュレーション結果を示している。
　これらの図に示されるように、第２パターンは、比較例に比較して、減衰特性が改善している一方で、挿入損失はあまり変化していない。解析対象の周波数帯域における減衰量の最大値（Ｉｍａｘ）および挿入損失の最大値（Ｌｍａｘ）は、以下のようになる。
　［比較例］　　　　Ｉｍａｘ：－１９．１２ｄＢ、Ｌｍａｘ：３．１ｄＢ
　［第２パターン］　Ｉｍａｘ：－２１．７８ｄＢ、Ｌｍａｘ：２．８ｄＢ
　［改善量］　　　　Ｉｍａｘ：　　２．６６ｄＢ、Ｌｍａｘ：０．３ｄＢ
（第３パターン）
　図２４は、第５実施例の第３パターンの電極指ピッチを示す、図１７と同様のグラフである。実線Ｌ７１は、図１７において示した比較例の電極指ピッチを示しており、鎖線Ｌ７７は、第３パターンの電極指ピッチを示している。
　第３のパターンは、第１および第２のパターンと同様に、両側の各ＩＤＴ電極１５に広ピッチ部２５を設けたものとなっている。ただし、各ＩＤＴ電極１５において、広ピッチ部２５は一つ設けられ、また、各広ピッチ部２５の電極指ピッチの数は２つとされている。換言すれば、広ピッチ部２５は、連続して並んだ３本の電極指からなる。これら３本の電極指のうち中央に位置する電極指が本発明の第５電極指の一態様であり、他の２本がそれぞれ本発明の第６電極指および第７電極指の一態様である。なお、各広ピッチ部２５は、各ＩＤＴ電極１５の中央に配置されている。また、各広ピッチ部２５の２つの電極指ピッチの大きさは互いに同一であり、他の電極指ピッチに対して１０％の割合で大きく設定されている。
　図２５は、第３パターンおよび比較例のシミュレーション結果を示す図１９と同様の図である。図２５（ａ）は、図２６の領域ＸＸＶＩａの拡大図である。図２６（ｂ）は、図２５の領域ＸＸＶＩｂの拡大図である。図２５および図２６において、実線Ｌ８１は比較例のシミュレーション結果を示し、鎖線Ｌ８７は第３パターンのシミュレーション結果を示している。
　これらの図に示されるように、第３パターンは、比較例に比較して、減衰特性が改善している一方で、挿入損失はあまり変化していない。解析対象の周波数帯域における減衰量の最大値（Ｉｍａｘ）および挿入損失の最大値（Ｌｍａｘ）は、以下のようになる。
　［比較例］　　　　Ｉｍａｘ：－１９．１２ｄＢ、Ｌｍａｘ：３．１ｄＢ
　［第３パターン］　Ｉｍａｘ：－２２．６６ｄＢ、Ｌｍａｘ：３．１ｄＢ
　［改善量］　　　　Ｉｍａｘ：　　３．５４ｄＢ、Ｌｍａｘ：０．０ｄＢ
（第４パターン）
　図２７は、第５実施例の第４パターンの電極指ピッチを示す、図１７と同様のグラフである。実線Ｌ７１は、図１７において示した比較例の電極指ピッチを示しており、鎖線Ｌ７９は、第４パターンの電極指ピッチを示している。
　第４のパターンは、第１～第３のパターンと同様に、両側の各ＩＤＴ電極１５に広ピッチ部２５を設けたものとなっている。ただし、各ＩＤＴ電極１５において、広ピッチ部２５は３つ設けられており、また、各広ピッチ部２５の電極指ピッチの数は１つである。なお、３つの広ピッチ部２５は、各ＩＤＴ電極１５の中央および両側に配置されている。また、３つの広ピッチ部２５の電極指ピッチの大きさは互いに同一であり、他の電極指ピッチに対して１０％の割合で大きく設定されている。
　図２８は、第４パターンおよび比較例のシミュレーション結果を示す図１９と同様の図である。図２９（ａ）は、図２８の領域ＸＸＩＸａの拡大図である。図２９（ｂ）は、図２５の領域ＸＸＩＸｂの拡大図である。図２８および図２９において、実線Ｌ８１は比較例のシミュレーション結果を示し、鎖線Ｌ８９は第４パターンのシミュレーション結果を示している。
　これらの図に示されるように、第４パターンは、比較例に比較して、マークＭ２で示される周波数帯域全体としては、減衰量が大きくなっているものの、減衰量が小さい周波数帯域（８２０～８３０ＭＨｚ）が生じている。また、挿入損失は悪化している。解析対象の周波数帯域における減衰量の最大値（Ｉｍａｘ）および挿入損失の最大値（Ｌｍａｘ）は、以下のようになる。
　［比較例］　　　　Ｉｍａｘ：－１９．１２ｄＢ、Ｌｍａｘ：３．１ｄＢ
　［第４パターン］　Ｉｍａｘ：－１５．５２ｄＢ、Ｌｍａｘ：７．２ｄＢ
　［改善量］　　　　Ｉｍａｘ：　－３．６０ｄＢ、Ｌｍａｘ：－４．１ｄＢ
　以上のように、１つのＩＤＴ電極１５に広ピッチ部２５の電極指ピッチが２つ設けられている場合（第１～第３のパターン）においても、減衰特性の改善が見られた。すなわち、広ピッチ部２５の電極指ピッチは、ＩＤＴ電極１５に２つ設けられてもよいことが確認された。
　また、広ピッチ部２５の２つの電極指ピッチは、その大きさが互いに同じであってもよいし（第１および第３のパターン）、互いに異なっていてもよい（第２のパターン）ことが確認された。
　また、広ピッチ部２５の２つの電極指ピッチは、互いに離間していてもよいし（第１および第２のパターン）、互いに隣接していてもよいこと（第３のパターン）が確認された。換言すれば、電極指ピッチの数が１つの広ピッチ部２５が２つ設けられてもよいし、電極指ピッチの数が２つの広ピッチ部２５が１つ設けられてもよいことが確認された。
　広ピッチ部２５の電極指ピッチは、３つ設けられていても、減衰量を大きくする効果は期待される（第４のパターン）。ただし、挿入損失の低減を考慮すると、広ピッチ部２５の電極指ピッチの数は、１つまたは２つが好ましい。
　本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　弾性表面波装置は、縦接続された複数の弾性波フィルタを有するものであってもよい。弾性表面波フィルタの入力信号または出力信号は、平衡信号および不平衡信号のいずれであってもよい。ＩＤＴ電極の数は、奇数に限定されず、偶数であってもよい。
　広ピッチ部における電極指ピッチの数は、１または２に限定されない。広ピッチ部の両側に隣接し、電極指ピッチが一定の第１ピッチ部および第２ピッチ部それぞれよりも、電極指ピッチの数が少なければよい。換言すれば、第１ピッチ部および第２ピッチ部のそれぞれを構成する電極指の本数よりも、広ピッチ部を構成する電極指の本数が少なければよい。この場合、広ピッチ部は、フィルタ特性に対して支配的な第１ピッチ部および第２ピッチ部とは設計的観点から明確に区別される。例えば、広ピッチ部における電極指ピッチの数は、３であってもよい。また、広ピッチ部に２以上の電極指ピッチが設けられる場合において、これらの電極指ピッチの大きさは互いに同一のものに限定されず、互いに異なっていてもよい。
　１つのＩＤＴ電極に設けられる広ピッチ部の数は、１～３に限定されず、４以上であってもよい。ただし、第５実施例において示したように、広ピッチ部の電極指ピッチの数が多くなると挿入損失が大きくなるので、１つのＩＤＴ電極内における広ピッチ部の電極指ピッチの総和が２以下となるように、広ピッチ部の数および各広ピッチ部における電極指ピッチの数が設定されることが好ましい。
　広ピッチ部の位置および電極指ピッチの広さは、適宜に設定されてよい。これらの具体的な値については、通過帯域の周波数、減衰が期待される周波数、期待される減衰量、ＩＤＴの数、共振子の特性などに応じて、適宜に設計されてよい。
１…弾性表面波装置、３…基板、９…弾性表面波フィルタ、１５…ＩＤＴ電極、１９ｆ…電極指、２５…広ピッチ部、２９Ａ…第１ピッチ部、２９Ｂ…第２ピッチ部。

Claims (8)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板に設けられ、弾性表面波の伝搬方向に沿って配列されている複数のＩＤＴ電極を有する弾性表面波フィルタと、を備え、
    　前記複数のＩＤＴ電極のそれぞれは、それぞれが前記伝搬方向に直交する方向に延び且つ互いに前記伝搬方向に沿って所定の間隔を隔てて配列されている電極指群を有し、
    　前記複数のＩＤＴ電極に含まれる第１ＩＤＴ電極は、前記電極指群のうち隣接する第１、第２電極指を含む第１広ピッチ部を有し、前記第１電極指と前記第２電極指との間隔は、前記電極指群のうち残りの電極指の各間隔の平均値よりも大きい
    　弾性表面波装置。
  2. 　前記第１ＩＤＴ電極は、
    　　前記電極指群のうち間隔が一定の複数の電極指を有し、該複数の電極指の一つが前記第１広ピッチ部の前記第１電極指と隣接している第１ピッチ部と、
    　　前記電極指群のうち間隔が一定の複数の電極指を有し、該複数の電極指の一つが前記第１広ピッチ部の前記第２電極指と隣接している第２ピッチ部と、をさらに有し、
    　　　前記第１ピッチ部の前記間隔と前記第２ピッチ部の前記間隔とが同一である
    　請求項１に記載の弾性表面波装置。
  3. 　前記第１ＩＤＴ電極は、その中央に前記第１広ピッチ部を有している
    　請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
  4. 　前記第１ＩＤＴ電極は、前記複数のＩＤＴ電極のうち、一方端に位置するＩＤＴ電極である
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
  5. 　前記第１電極指と前記第２電極指との間隔は、前記電極指群のうち残りの電極指の各間隔の平均値よりも４％～３０％大きい
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
  6. 　前記第１ＩＤＴ電極は、前記電極指群のうち隣接する第３、第４電極指を含む第２広ピッチ部をさらに有し、
    　前記第３電極指と前記第４電極指との間隔は、前記電極指群のうち前記第１～第４電極指を除いた残りの電極指の各間隔の平均値よりも大きい
    　請求項１～５に記載の弾性表面波装置。
  7. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板に設けられ、弾性表面波の伝搬方向に沿って配列されている複数のＩＤＴ電極を有する弾性表面波フィルタと、を備え、
    　前記複数のＩＤＴ電極のそれぞれは、それぞれが前記伝搬方向に直交する方向に延び且つ互いに前記伝搬方向に沿って所定の間隔を隔てて配列されている電極指群を有し、
    　前記複数のＩＤＴ電極の少なくとも１つは、前記電極指群のうちの１つである第５電極指と該第５電極指の両側に隣接する第６、第７の電極指とを含む広ピッチ部を有し、前記第５電極指と前記第６電極指との間隔および前記第５電極指と前記第７電極指との間隔は、前記電極指群のうち残りの電極指の各間隔の平均値よりも大きい
    　弾性表面波装置。
  8. 　前記複数のＩＤＴ電極は、３以上の奇数個のＩＤＴ電極を有し、
    　前記弾性表面波フィルタは、縦結合ダブルモード型の弾性表面波フィルタである
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
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