KR20190022892A - 탄성파 장치 - Google Patents

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KR20190022892A
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

임피던스 정합을 충분히 취할 수 있으면서, 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있는, 탄성파 장치를 제공한다. 탄성파 장치(1)는 출력 단자(4)와 안테나 단자(3)의 사이에 서로 병렬로 접속되어 있는 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)와, 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)와 안테나 단자(3)의 사이에 각각 개별로 접속되어 있는 제1, 제2 탄성파 공진자(S1a, S1b)를 가지면서, 언밸런스형인 제1 대역통과형 필터(2A)와, 안테나 단자(3)에 접속되어 있으면서, 제1 대역 통과형 필터(2A)와 통과 대역이 다른 제2 대역통과형 필터(2B)를 포함한다. 제1 탄성파 공진자(S1a)의 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장과, 제2 탄성파 공진자(S1b)의 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장이 다르다.

Description

탄성파 장치
본 발명은, 복수개의 대역통과형 필터를 가지는, 탄성파 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파 장치는 휴대전화기의 필터 등에 널리 이용되고 있다. 하기 특허문헌 1에는, 종결합 공진자형 탄성파 필터를 포함하는 수신 필터를 가지는, 듀플렉서의 일례가 개시되어 있다. 수신 필터에서는, 안테나 단자와 종결합 공진자형 탄성파 필터의 사이에 탄성파 공진자가 접속되어 있다. 이로써, 송신 필터와 수신 필터의 임피던스 정합을 취하는 것이 도모되고 있다.
국제공개공보 WO2015/040921
그러나, 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는 임피던스 정합을 충분히 취하는 것과, 대역 외 감쇠량을 크게 하는 것의 양립은 곤란했다.
본 발명의 목적은, 임피던스 정합을 충분히 취할 수 있으면서, 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있는, 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 안테나에 접속되는 안테나 단자와, 상기 안테나 단자에 접속되어 있고, 출력 단자와, 상기 출력 단자와 상기 안테나 단자의 사이에 서로 병렬로 접속되어 있는 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터와, 상기 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에 접속되어 있으면서, 상기 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에는 접속되어 있지 않은 제1 탄성파 공진자와, 상기 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에 접속되어 있으면서, 상기 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에는 접속되어 있지 않은 제2 탄성파 공진자를 가지고, 또한 언밸런스형인 제1 대역통과형 필터와, 상기 안테나 단자에 접속되어 있으면서, 상기 제1 대역통과형 필터와 통과 대역이 다른 제2 대역통과형 필터를 포함하고, 상기 제1, 제2 탄성파 공진자가 각각 IDT 전극을 가지고, 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지(電極指) 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장과, 상기 제2 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장이 다르다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장과, 상기 제2 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장의 차이가, 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장의 3% 이하이다. 이 경우에는, 제1, 제2 대역통과형 필터의 임피던스 정합을 한층 더 양호하게 할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 탄성파 공진자가, 상기 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에서, 가장 상기 안테나 단자 측에 배치된 탄성파 공진자이고, 상기 제2 탄성파 공진자가, 상기 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에서, 가장 상기 안테나 단자 측에 배치된 탄성파 공진자이다. 이 경우에는, 제1, 제2 대역통과형 필터의 임피던스 정합을 한층 더 양호하게 할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 대역통과형 필터의 통과 대역이, 상기 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터에 의해 구성되어 있으면서, 상기 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터가 각각 1단 구성의 종결합 공진자형 탄성파 필터이다. 이 경우에는, 본 발명을 특별히 알맞게 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 대역통과형 필터가 수신 필터이고, 상기 제2 대역통과형 필터가 송신 필터이다. 따라서, 본 발명에 따른 탄성파 장치에서는 듀플렉서가 구성되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 안테나 단자에 접속되어 있는, 적어도 하나의 대역통과형 필터가 추가로 포함되어 있다.
본 발명에 의하면, 임피던스 정합을 충분히 취할 수 있으면서, 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있는, 탄성파 장치를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시형태에서의 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터의 평면도이다.
도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에서의 제1 탄성파 공진자의 평면도이다.
도 4는, 비교예의 탄성파 장치의 회로도이다.
도 5는, 제1 실시형태 및 비교예에서의 제1 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은, 도 5의 확대도이다.
도 7은, 본 발명의 제1 실시형태 및 비교예에서의 제1, 제2 대역통과형 필터의 임피던스 스미스 차트(Smith charts)이다.
도 8은, 본 발명의 제1 실시형태 및 그 제1, 제2 변형예 그리고 비교예에서의 제1 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는, 본 발명의 제1 실시형태 및 그 제2 변형예에서의 제1, 제2 대역통과형 필터의 임피던스 스미스 차트이다.
도 10은, 본 발명의 제1 실시형태 및 그 제1 변형예에서의 제1, 제2 대역통과형 필터의 임피던스 스미스 차트이다.
도 11은, 본 발명의 제1 실시형태의 제3 변형예에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
도 12는, 본 발명의 제1 실시형태의 제4 변형예에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
도 13은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써, 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이고, 다른 실시형태 간에서 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
탄성파 장치(1)는, 제1 대역통과형 필터(2A) 및 제1 대역통과형 필터(2A)와는 통과 대역이 다른 제2 대역통과형 필터(2B)를 가진다. 탄성파 장치(1)는, 안테나에 접속되는 안테나 단자(3)를 가진다. 제1, 제2 대역통과형 필터(2A, 2B)는, 안테나 단자(3)에 공통 접속되어 있다.
본 실시형태에서는 제1 대역통과형 필터(2A)는 수신 필터이고, 제2 대역통과형 필터(2B)는 송신 필터이다. 탄성파 장치(1)는 듀플렉서이다.
제1 대역통과형 필터(2A)는 출력 단자(4)를 가진다. 제1 대역통과형 필터(2A)는, 안테나 단자(3)와 출력 단자(4)의 사이에 서로 병렬로 접속되어 있는 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)를 가진다. 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)에 의해, 제1 대역통과형 필터(2A)의 통과 대역이 구성되어 있다. 제1 대역통과형 필터(2A)는 언밸런스형의 대역통과형 필터이다.
도 2는, 제1 실시형태에서의 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터의 평면도이다.
제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)는 IDT 전극(6a~6e)을 가진다. IDT 전극(6a~6e)에 교류 전압을 인가함으로써 탄성파가 여진된다. IDT 전극(6a~6e)은 탄성파 전파 방향을 따라 배치되어 있다. IDT 전극(6a~6e)의 탄성파 전파 방향 양측에는 반사기(8a, 8b)가 배치되어 있다. 이와 같이, 본 실시형태에서는 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)는 5IDT형의 1단 구성의 종결합 공진자형 탄성파 필터이다. 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5b)도 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)와 동일한 구성을 가진다. 도 1에서는 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)는 약도적으로 나타나 있다.
한편, 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)는 5IDT형 이외이어도 되고, 예를 들면, 3IDT형이나 7IDT형 등이어도 된다. 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b) 중 적어도 한쪽이, 2단 이상으로 구성된 종결합 공진자형 탄성파 필터이어도 된다.
제1 대역통과형 필터(2A)는 안테나 단자(3)와 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)의 사이에 각각 개별로 접속되어 있는, 제1, 제2 탄성파 공진자(S1a, S1b)를 가진다.
보다 구체적으로는, 제1 탄성파 공진자(S1a)는 안테나 단자(3)와 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)의 사이에 접속되어 있으면서, 안테나 단자(3)와 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5b)의 사이에는 접속되어 있지 않다.
한편, 제2 탄성파 공진자(S1b)는 안테나 단자(3)와 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5b)의 사이에 접속되어 있으면서, 안테나 단자(3)와 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)의 사이에는 접속되어 있지 않다.
도 3은, 제1 실시형태에서의 제1 탄성파 공진자의 평면도이다.
제1 탄성파 공진자(S1a)는 IDT 전극(7)을 가진다. IDT 전극(7)의 탄성파 전파 방향 양측에는, 반사기(9a, 9b)가 배치되어 있다. IDT 전극(7)은 서로 대향(對向)하는 제1, 제2 버스바(busbar)(7a1, 7b1)를 가진다. IDT 전극(7)은, 제1 버스바(7a1)에 일단이 접속되어 있는, 복수개의 제1 전극지(7a2)를 가진다. 또한, IDT 전극(7)은 제2 버스바(7b1)에 일단이 접속되어 있는, 복수개의 제2 전극지(7b2)를 가진다. 복수개의 제1, 제2 전극지(7a2, 7b2)는 서로 교대 배치되어 있다. 여기서, IDT 전극(7)의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장을 λ1로 한다. 한편, 전극지 피치란, 서로 이웃하는 제1 전극지(7a2)의 중심간 거리 또는 서로 이웃하는 제2 전극지(7b2)의 중심간 거리이다.
제2 탄성파 공진자도, 제1 탄성파 공진자(S1a)와 동일하게 IDT 전극 및 반사기를 가진다. 제2 탄성파 공진자의 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장을 λ2로 한다. 이 때, 파장 λ1과 파장 λ2는 서로 다르다. 보다 구체적으로는, 본 실시형태에서는 λ1=3.6612㎛이고, λ2=3.6112㎛이다. 이와 같이, 파장 λ1과 파장 λ2의 차이는 파장 λ1의 1.36%이다. 한편, 파장 λ1 및 파장 λ2의 값은 상기에 한정되지 않는다.
한편, 도 1에서 모식적으로 나타나 있는 제2 대역통과형 필터(2B)의 구성은, 특별히 한정되지 않는다.
본 실시형태의 특징은 안테나 단자(3)와 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)의 사이에, 제1, 제2 탄성파 공진자(S1a, S1b)가 각각 개별로 접속되 어 있으면서, 파장 λ1과 파장 λ2가 서로 다른 것에 있다. 그로 인해, 제1, 제2 대역통과형 필터(2A, 2B)의 임피던스 정합을 충분히 취할 수 있으면서, 제1 대역통과형 필터(2A)의 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다. 이를 하기에서 본 실시형태와 비교예를 비교함으로써 설명한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 비교예의 탄성파 장치는 본 발명에서의 제1, 제2 탄성파 공진자를 가지지 않는다. 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)가 안테나 단자(3) 측에서 탄성파 공진자(S101)에 공통 접속되어 있는 점에서, 제1 실시형태와 다르다. 탄성파 공진자(S101)는 임피던스 정합용의 탄성파 공진자이다.
도 5는, 제1 실시형태 및 비교예에서의 제1 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 6은, 도 5의 확대도이다. 도 7은, 제1 실시형태 및 비교예에서의 제1, 제2 대역통과형 필터의 임피던스 스미스 차트이다. 도 5~도 7에서 실선은 제1 실시형태의 결과를 나타내고, 파선은 비교예의 결과를 나타낸다.
도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 통과 대역의 고영역측인 980㎒~1000㎒ 부근에서, 비교예보다도 제1 실시형태에서의 대역 외 감쇠량이 큰 것을 알 수 있다. 더하여, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에서는 비교예와 동일하게 임피던스 정합을 충분히 취할 수 있다.
도 1에 나타내는 제1 실시형태에서는, 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)와 안테나 단자(3)의 사이에, 각각 개별로 제1, 제2 탄성파 공진자(S1a, S1b)가 접속되어 있다. 그로 인해, 임피던스 정합을 충분히 취할 수 있다.
또한, 제1 탄성파 공진자(S1a)의 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장 λ1과, 제2 탄성파 공진자(S1b)의 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장 λ2가, 서로 다르게 되어 있다. 그로 인해, 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)에 의해 구성된 통과 대역에 대한 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
파장 λ1과 파장 λ2의 차이는 파장 λ1의 3% 이하인 것이 바람직하다. 그로 인해, 제1, 제2 대역통과형 필터(2A, 2B)의 임피던스 정합을 한층 더 양호하게 할 수 있다. 이를 하기의 도 8~도 10을 이용하여 설명한다.
여기서, 파장 λ1과 파장 λ2의 차이가 파장 λ1의 3% 및 5%인, 제1 실시형태의 제1 및 제2 변형예에 따른 탄성파 장치를 제작하고, 감쇠량 주파수 특성 및 임피던스 정합에 대해 평가했다.
도 8은, 제1 실시형태 및 그 제1, 제2 변형예 그리고 비교예에서의 제1 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 8에서, 실선은 제1 실시형태의 결과를 나타내고, 파선은 비교예의 결과를 나타내며, 일점쇄선은 제1 변형예의 결과를 나타내고, 이점쇄선은 제2 변형예의 결과를 나타낸다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 변형예에서는 제1 실시형태와 동일하게, 비교예보다도 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
도 9는, 제1 실시형태 및 그 제2 변형예에서의 제1, 제2 대역통과형 필터의 임피던스 스미스 차트이다. 도 10은, 제1 실시형태 및 그 제1 변형예에서의 제1, 제2 대역통과형 필터의 임피던스 스미스 차트이다. 도 9에서는, 실선은 제1 실시형태의 결과를 나타내고, 파선은 제2 변형예의 결과를 나타낸다. 도 10에서는, 실선은 제1 실시형태의 결과를 나타내고, 파선은 제1 변형예의 결과를 나타낸다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 파장 λ1과 파장 λ2의 차이가 파장 λ1의 5%인 제2 변형예에서는, 그 결과를 나타내는 파선의 퍼짐은 제1 실시형태와 동일하게 작다. 또한, 파선의 궤도는 원형에 가깝고, 특성 임피던스에도 가깝기 때문에, 임피던스 정합을 취할 수 있다. 한편, 제2 변형예에서는 제1 실시형태보다도 특성 임피던스로부터 약간 떨어져 있다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 파장 λ1과 파장 λ2의 차이가 파장 λ1의 3%인 제1 변형예에서는, 제1 실시형태와 동일하게, 임피던스 정합을 충분히 취할 수 있다. 이와 같이, 상기 파장의 차이를 3% 이하로 함으로써, 임피던스 정합을 한층 더 양호하게 할 수 있다.
도 1에 나타내는 본 실시형태에서는, 안테나 단자(3)와 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)의 사이에는 제1 탄성파 공진자(S1a) 이외의 소자는 접속되어 있지 않다. 안테나 단자(3)와 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5b)의 사이에는 제2 탄성파 공진자(S1b) 이외의 소자는 접속되어 있지 않다. 한편, 도 11에 나타내는 제1 실시형태의 제3 변형예와 같이, 안테나 단자(3)와 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)의 사이에는, 다른 탄성파 공진자(S22a, S22b)가 각각 접속되어 있어도 된다. 제1 대역통과형 필터(22A)는 안테나 단자(3)와 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)를 접속하는 직렬암과, 그라운드 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자(P21a)를 가지고 있어도 된다. 동일하게, 제1 대역통과형 필터(22A)는, 안테나 단자(3)와 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5b)를 접속하는 직렬암과, 그라운드 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자(P21b)를 가지고 있어도 된다.
제1, 제2 탄성파 공진자(S1a, S1b) 이외의 탄성파 공진자를 가지는 경우, 제1 탄성파 공진자(S1a)는 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)와 안테나 단자(3)의 사이에서, 가장 안테나 단자(3) 측에 배치된 탄성파 공진자인 것이 바람직하다. 제2 탄성파 공진자(S1b)는 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5b)와 안테나 단자(3)의 사이에서, 가장 안테나 단자(3) 측에 배치된 탄성파 공진자인 것이 바람직하다. 그로 인해, 임피던스 정합을 한층 더 효과적으로 양호하게 할 수 있다.
도 12에 나타내는 제1 실시형태의 제4 변형예와 같이, 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(35a, 35b)는 2단 이상의 종결합 공진자형 탄성파 필터이어도 된다.
혹은 도 1로 되돌아가, 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)와 출력 단자(4)의 사이에, 다른 종결합 공진자형 탄성파 필터가 접속되어 있어도 된다. 상기 종결합 공진자형 탄성파 필터와 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a)의 사이에, 탄성파 공진자가 접속되어 있어도 된다. 이와 같이, 제1 대역통과형 필터(2A)는, 제1, 제2 탄성파 공진자(S1a, S1b) 및 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)를 가지고 있으면 되고, 다른 회로 구성은 특별히 한정되지 않는다.
단, 일반적으로, 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터가 다단 구성인 경우보다도 1단 구성인 경우에서, 임피던스 정합을 취하는 것은 곤란하다. 따라서, 도 1에 나타내는 제1 실시형태와 같이, 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(5a, 5b)가 1단 구성인 경우에는, 본 발명을 특별히 알맞게 적용할 수 있다.
제1 실시형태 및 그 제1~제4 변형예에서는, 탄성파 장치는 듀플렉서이다. 한편, 본 발명은 제1, 제2 대역통과형 필터가 모두 수신 필터인 것과 같은, 번들형(bundle-type)의 탄성파 필터에도 알맞게 적용할 수 있다.
도 13은, 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
탄성파 장치(11)는, 안테나 단자(3)에 접속되어 있는 제3 대역통과형 필터(12C)를 가지는 점에서, 제1 실시형태와 다르다. 상기의 점 이외에서는, 탄성파 장치(11)는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
본 실시형태에서도, 제1 실시형태와 동일하게, 제1, 제2 대역통과형 필터(2A, 2B)의 임피던스 정합을 충분히 취할 수 있으면서, 제1 대역통과형 필터(2A)의 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
한편, 안테나 단자(3)에는 제1, 제2 대역통과형 필터(2A, 2B) 및 제3 대역통과형 필터(12C) 이외의 대역통과형 필터가, 추가로 접속되어 있어도 된다.
1: 탄성파 장치
2A, 2B: 제1, 제2 대역통과형 필터
3: 안테나 단자
4: 출력 단자
5a, 5b: 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터
6a~6e, 7: IDT 전극
7a1, 7b1: 제1, 제2 버스바
7a2, 7b2: 제1, 제2 전극지
8a, 8b, 9a, 9b: 반사기
11: 탄성파 장치
12C: 제3 대역통과형 필터
22A: 제1 대역통과형 필터
35a, 35b: 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터
P21a, P21b: 탄성파 공진자
S1a, S1b: 제1, 제2 탄성파 공진자
S22a, S22b, S101: 탄성파 공진자

Claims (6)

  1. 안테나에 접속되는 안테나 단자와,
    상기 안테나 단자에 접속되어 있고, 출력 단자와, 상기 출력 단자와 상기 안테나 단자의 사이에 서로 병렬로 접속되어 있는 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터와, 상기 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에 접속되어 있으면서, 상기 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에는 접속되어 있지 않은 제1 탄성파 공진자와, 상기 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에 접속되어 있으면서, 상기 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에는 접속되어 있지 않은 제2 탄성파 공진자를 가지고, 또한 언밸런스형인 제1 대역통과형 필터와,
    상기 안테나 단자에 접속되어 있으면서, 상기 제1 대역통과형 필터와 통과 대역이 다른 제2 대역통과형 필터를 포함하고,
    상기 제1, 제2 탄성파 공진자가 각각 IDT 전극을 가지고, 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지(電極指) 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장과, 상기 제2 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장이 다른 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장과, 상기 제2 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장의 차이가, 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 탄성파 파장의 3% 이하인 탄성파 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 탄성파 공진자가, 상기 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에서, 가장 상기 안테나 단자 측에 배치된 탄성파 공진자이고, 상기 제2 탄성파 공진자가, 상기 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터와 상기 안테나 단자의 사이에서, 가장 상기 안테나 단자 측에 배치된 탄성파 공진자인 탄성파 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 대역통과형 필터의 통과 대역이, 상기 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터에 의해 구성되어 있으면서, 상기 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터가 각각 1단 구성의 종결합 공진자형 탄성파 필터인 탄성파 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 대역통과형 필터가 수신 필터이고, 상기 제2 대역통과형 필터가 송신 필터이며, 또한 듀플렉서인 탄성파 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안테나 단자에 접속되어 있는, 적어도 하나의 대역통과형 필터를 추가로 포함하는 탄성파 장치.
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