WO2010145585A1 - 差分四相相移键控发射机的驱动幅度控制装置及方法 - Google Patents

差分四相相移键控发射机的驱动幅度控制装置及方法 Download PDF

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WO2010145585A1
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崔平
朱晓宇
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Definitions

  • This relates to communication, and particularly relates to amplitude control devices and methods for differential phase-phase keying. Background
  • QPS In the communication, a lot of new wood, such as PS (Fe ea hase Sh ey g, differential phase keying) QPS (eea Q ada e hase Sh ey g), and QPS can be reduced to the device.
  • the rate, and P are important in the 4G communication system.
  • QPS utilizes the Z (achZe de od ao) household Rz QPS ( o Re oZe o QPS, QPS), which is much larger than the Rz PS.
  • a S R (Op ca Sg a oseRa o, ratio) is shown, in A, represents the OS R of 37.5G z ( (BER) e 4 ). .
  • the OS R representing 75G z (BER e4) represents the OS R of the filtered 75G Z (BER e 2).
  • the amplitude is greater than the Vp filter (7.5G z and 75G z).
  • the increase of the amplitude OS R and 2dB OS R will be steady and increase rapidly, but the increased speed ratio will decrease and the amplitude will increase to 1.5Vp. It is closer to 2dB than the OS R of Vp, which is greater than the case of R PS .
  • Amplification R DQPS performance is relatively large, amplitude 1.
  • p is the smallest, but the OS R performance is best at the R QPS system at 4 Gb/s, and the more OS R performance, therefore, the best amplitude. p. Therefore, the stability of the amplitude is very large in the OS R performance of R QPS and requires amplitude control.
  • QPS anti-control device indicates, medium, W indicates the source of the light, 1 and Q indicate the upper and lower of the QPS controller, and Ba Bas2 Bas3 is 1, 2, 3. As shown, the light out of the QPS controller produces light, which is part of the control of the controls, 1 and Q.
  • Control control has been compared, the method of the system and the method of amplitude control, the control path is very large, and the reference OS R. content
  • the wood solution of this solution is to provide the amplitude control device and method of the Shen differential phase-keying to control the degree of the control path of the PS.
  • the present invention provides a amplitude control device for the PS, and the device includes the QPS controllers of the first, second, third, 1, Q, and W light, including
  • the control unit is anti-control sheep, the first, second, and third are connected, and the light of the root QPS controller is the first, second, and third controls.
  • the Q anti-control sheep, Q connected, and the temperature Q of the root Q are controlled.
  • the temperature sensor, 1 connected, the temperature of 1 and the direct temperature of the root 1
  • the third metal oxide (OSFE) offset of 1 is obtained by the inverse of the connected oscillator to control the third OSFET of 1.
  • the second temperature sensor, Q is connected, and the temperature of Q is
  • a Q-connected chemist is used to control the third OSFET of Q.
  • the third OSFET of 1 is connected, and the third OSFET of 1 is
  • the first connection, the third OSFET of the root 1 controls the gate of the third OSFET, controls the gate of the third OSFET, and controls the third OSFET.
  • the third OSFET of Q is connected, and the third OSFET of Q is
  • This section provides the QPS amplitude control method, including the light from the QPS controller W.
  • the anti-control sheep is connected to the first, second, and third, and the light of the QPS controller is the second, third, and third controls.
  • the temperature of Q is the temperature of the third OSFET of Q.
  • the chemist is used to control the third OSFET of Q.
  • the temperature of 1 is controlled by amplitude, including
  • the third OSFET of 1 controls the gate of the third OSFET, controls the gate of the third OSFET, and controls the third OSFET.
  • the third OSFET of Q controls the gate of the third OSFET, and controls the gate of the third OSFET.
  • the control of the third OSFET Under the beneficial effect
  • the device anti-controls the first, second, and third connected sheep, the light portion of the PS device
  • third control no longer control the part of the light in the same control of 1 and Q, 1, the temperature of Q is controlled by the amplitude of 1 and Q, respectively, instead of being controlled by the counter-control sheep.
  • the degree of control of the QPS can be improved. It does not need to be in the range, not the extra S. Description
  • the amplitude control device of the QPS in the force diagram indicates the anti-control indication in the direct mode of the force book.
  • the device includes the Ba, the second Bas2, the third Bas3,
  • the controller is anti-control sheep, the first, second, and third are connected, and the part of the second, third, and third controls of the light of the root QPS controller is about 10%
  • the Q anti-control sheep, Q connected, and the temperature Q of the root Q are controlled.
  • controller anti-control sheep no longer divides the light of the system into the control of 1 and Q, and the amplitude control of the QPS controller is controlled by other anti-control amplitudes, that is, the temperature.
  • OSFET eaOxde Se cod co FedE ec T s soT metal oxide
  • C C is a chemical
  • V is a C C source specialization
  • the TE PSE SOR is a temperature sensor.
  • VG is the doorplate of the OSFET.
  • AC is a model changer ( g a oA aogCo veTteT)
  • this amplitude is 3 phases, 5 so the temperature of the temperature sensor can be utilized, but the temperature algorithm is not changed.
  • the value of 3. 1 and Q can use this temperature control path amplitude control.
  • the anti-control sheep can be any control method, and it does not control the road.
  • medium EYE AP is the amplitude
  • C is the temperature
  • V is the OSFET.
  • the temperature can be used to change the inverse of CC, that is, the amplitude of 5 can be OSFET , use it for temperature.
  • 1 anti-control sheep can include
  • the offset of 3 is obtained, and the offset of 3 is reversed to the converter C C to control the third OSFET.
  • Q anti-control sheep can include
  • V 3 is the third OSFET
  • V 2 is the second OSFET
  • V is the first OSFET.
  • C C is a chemical
  • V is a C C source specialization
  • C e o o is the detector.
  • VG is the doorplate of the OSFET.
  • AC is a model changer ( g a oA aogCo veTteT)
  • V 3 can be determined whether or not the magnitude of the ground is equal to or not. 5 to the VG3's unrepaired V 3, the flow does not, And amplitude control. 1 and Q can use this temperature control path amplitude control.
  • the anti-control sheep can be any control method, and it does not control the road.
  • 1 anti-control sheep can include
  • the V 3 of the root controls the third gate of the OSFET VG3, controls the VG3, and controls the V of the OSFET of the third.
  • Q anti-control sheep can include
  • the direct mode of control of the sheep as long as the full temperature of the park can be anti-control.
  • the control mode of the same connection mode is 0, and the anti-control is required by means of communication.
  • the control accuracy is higher than that of the direct mode, and the miniaturization amplitude is controlled. Different treatments can be used in different ways of control.
  • this method provides the amplitude control method of QPS. Because the principle of the method is solved, the amplitude control device of QPS is similar, so the method can refer to the device, no longer.
  • Step 701 QPS controller W out of light
  • Step 702 The device controls the light, the second, the third control of the first, second, and third connected QPS controllers
  • step 702 703 704 is the same as the inevitable requirement.
  • the temperature control of 1 can be included, which can include
  • the controller C C is used to control the V 3 of the third OSF T.
  • Q temperature control Q amplitude control can include
  • the DC C is used to control the V 3 of the third OSFET.
  • the temperature can be the magnitude of the OSFET.
  • the temperature control of 1 can be included, which can include
  • Q temperature control Q amplitude control can include
  • the control of VG3 is controlled by Q, and the control of VG3 controls the V 3 of the third OSFET.
  • the wood provided in this section is controlled by the anti-control sheep in the control of the PS controller.
  • the degree of control of the PS can be improved.
  • this does not need to be in the range, without the redundant OS.

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Description

差分 相相 鍵控 的 幅度控制裝置及方法 木領域
本 涉及通信 各， 特別涉及 神差分 相相 鍵控 的 幅度控制裝置及方法。 背景 木
在 通信中 了很多新的 木， 例 PS ( Fe e a hase Sh ey g, 差分相 鍵控) QPS ( e e a Q ada e hase Sh ey g， 差分 相相 鍵控)等， 而 QPS 更 可以降低 于 器 件速率、 和P ( oaTza o ode spe so ， 偏振 ) 的 ， 在 4 G 通信 統中 重要地位。 QPS 利用 Z ( achZe de od ao 制器) 戶生 Rz QPS ( o Re oZe o QPS ， 不仁 QPS ) ， 受 幅度 化 的影 比 Rz PS 大很多。
1 幅度的影 示意囤，其中， A S R(Op ca Sg a oseRa o， 比) 示意囤， 在 A中， 代表 濾波 37.5G z ( (BER) e 4) 的 OS R ． ．代 表 濾波 75G z (BER e4) 的 OS R 代表 濾波 75G Z (BER e 2) 的 OS R 。 B
利用 示意囤， 在 B 中， 代表 濾波 37.5G z (BER e4 ) 的 ． ．代表 濾波 75G z (BER e4 ) 的 代表 濾波 75G Z (BER e 2) 的 。在不同 濾波 ( 7.5G z和75G ) OS R 和 靠背2dB OS R 幅度 化的 1所示。
1中可以看出， 幅度小于Vp 濾波 ( 7.5G z 和75G z) 看 幅度的減小 S 和2dBOS R
都迅速增大， 幅度減小到 0．5Vp 相比Vp 未的 OS R
4dB， 大于 R PS 的情況。 幅度大于Vp 濾波 ( 7.5G z和75G z) 看 幅度的增大OS R 和2dB OS R 先 持平穩、 然 迅速增大， 但增大的速度比 幅度減小 ， 幅度增大到 1．5Vp 相比Vp 未的 OS R 接近2dB, 大于 R PS 的情況。
幅度 化 R DQPS 性能的影 比較大， 幅度 1． p 然 最小， 但 OS R 性能最好 于 4 Gb/s 速率的 R QPS 統， 更 越的 OS R性能， 因此， 最佳 幅度 1． p。 所以， 幅度的穩定性 于 R QPS 的 OS R性能 看很大的影 ， 需要 幅度的 控制。
2 QPS 反 控制裝置 示意 ， 中， W表示未 的 光源， 1和 Q表示 QPS 制器的上下 制器的 ， Ba Bas2 Bas3是 1、 2、 3。 所示， W 出的光 QPS 制器 戶生 制的光 ， 其中將 制的光 的 部分 于 制器、 1和 Q的 控制。
現有 木的不足在于 由于 QPS 需要 制器的
控制， 控制 已 比較 ， 果 統的 的方法 且 用的方式 幅度控制， 控制 路就 非常 大， 且 引 定的 OS R 。 內容
本 解決的 木 在于提供了 神差分 相相 鍵控 的 幅度控制裝置及方法， 化 PS 的控制 路的 程 度。
本 提供了 PS 的 幅度控制裝置， 裝置包括 第 、 第二 、 第三 、 1、 Q、 W 出 的光 制的 QPS 制器， 近包括
碉制器反 控制羊 ， 第 、 第二 、 第三 相連， 于根 QPS 制器 的光 的 部分 第 、第二 、 第三 控制
1反 控制羊 ， 1相連， 于根 1的溫度 化 1的 幅度 控制
Q反 控制羊 ， Q相連， 于根 Q的溫度 化 Q的 幅度 控制。
， 1反 控制羊 包括
第 溫度 感器， 1相連， 于 1的溫度 化 及 第 直接 ， 于根 1的溫度 化 溫度
得出 1的第三 的金屬氧化物 休 ( OSFE )的 的偏移 反 至 1相連的 化器，用以控制 1的第三 的 OSFET的 的 化。
， Q反 控制羊 包括
第二溫度 感器， Q相連， 于 Q的溫度 化 及
第二直接 ， 于根 Q的溫度 化 溫度
得出 Q的第三 的 OSFET的 的偏移 反 至 Q相連的 化器，用以控制 Q的第三 的 OSFET 的 的 化。
， 溫度 的 幅度
OSFET的 。
5 ， 1反 控制羊 包括
第 ， 1的第三 的 OSFET的 相連， 于 1的第三 的 OSFET的 的 化 及
第 同接 ， 于根 1的第三 的 OSFET的 的 化控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制0 第三 的 OSFET的門板 的 化，控制第三 的 OSFET的
的 化。
， Q反 控制羊 包括
第二 ， Q的第三 的 OSFET的 相連， 于 Q的第三 的 OSFET的 的 化 及
5 第二同接 ， 于根 Q的第三 的 OSFET的
化控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第 三 的 OSFET的門板 的 化，控制第三 的 OSFET的
的 化。
本 提供了 QPS 的 幅度控制方法， 方法包括 QPS 制器 W 出的光
制器反 控制羊 第 、 第二 、 第三 相連， QPS 制器 的光 的 部分 第 、 第二 、 第三 控制
1的溫度 化 1的 幅度 控制
5 Q的溫度 化 Q的 幅度 控制。 ， 1的溫度 化 1的 幅度 控制， 檢測 1的溫度 化 的 OSFET的 的偏移 反 至 1相連的
化器， 用以控制 1的第三 的 OSFET的 的 化
和/或，
Q的溫度 化 Q的 幅度 控制，包括 栓測 Q的溫度 化
Q的溫度 化 溫度 得出 Q的第 三 的 OSFET的 的偏移 反 至 Q相連的
化器， 用以控制 Q的第三 的 OSFET的 的 化。
， 溫度 的 幅度 OSFET的 。
， 1的溫度 化 1的 幅度 控制， 包括
栓測 1的第三 的 OSFET的 的 化
1的第三 的 OSFET的 化控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第三 的 OSFET的 的 化
和/或，
Q的溫度 化 Q的 幅度 控制，包括 栓測 Q的第三 的 OSFET的 的 化
Q的第三 的 OSFET的 化控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第三 的 OSFET的 的 化。 本 有益效果 下
本 施中， 由于 制器反 控制羊 第 、 第二 、 第三 相連， PS 制器 的光 的 部分 第
、 第二 、 第三 控制 但是， 不再將 制的光 的 部分 于 1和 Q的 控制 同 ， 1、 Q的溫度 化分別 1和Q的 幅度 控制， 而不是由 制器反 控制羊 控制， 而使 幅度控制 路 PS 制器 的反 控制 ， 的溫度 化 的 幅度
。 因此， 現有 木相比， 可以 化 QPS 的控制 路的 程 度。 且不需要在 的 幅度上 ， 而不 戶生多余的 S 。 說明
1 背景 木中 幅度的影 示意 ， 其中 囚 A OS R 示意 ， B 利用 示意
2 背景 木中 QPS 反 控制裝置 示意
3 力本 中 QPS 的 幅度控制裝置 示意 4力本 中直接 方式下的 反 控制示意
5力本 中直接 方式下的溫度 示意
6力本 中同接 方式下的 反 控制示意 休 方式
由于 PS 需要 制器的 控制，控制 已 比較 ， 果 統的 的方法 且 用的方式 幅度控制， 控制 路就 非常 大， 同 引 定的OS 。 因此， 本 中提供了 新的 幅度監測和控制 木， 于 化 QPS 的多 相互 合的控制 路， 原有的 幅度控制需要利用 制器 反 的方式， 而只需要將 自身的某 些 作力反 幅度控制。 下面結合 本 的 休 方式 說明。
3 QPS 的 幅度控制裝置 示意囤， 所示，裝 置中包括 第 Ba 、 第二 Bas2、 第三 Bas3、
1、 Q、 W 出的光 制的 QPS 制器， 裝置中 近包括
碉制器反 控制羊 ， 第 、 第二 、 第三 相連， 于根 QPS 制器 的光 的 部分 第 、第二 、 第三 控制 其中， 的 部分大約 10%
1反 控制羊 ， 1相連， 于根 1的溫度 化 1的 幅度 控制
Q反 控制羊 ， Q相連， 于根 Q的溫度 化 Q的 幅度 控制。
由上 可見， 制器反 控制羊 不再將 制的光 分 部 分 于 1 和 Q 的 控制， 幅度控制 路 QPS 制器的反 控制 ， 且由其他的反 控制 幅度， 即 的溫度 化 的 幅度 控制。
施中，考慮到現有的信 高 3 4 G z的高速 乎都是 利用多 FET (Hede Fec s so 休 ， 你 ) 大 器 的 ， 大器的增益 溫度的 化而 化， 幅 度的 化。 因此下面將 出不同的利用溫度 幅度控制的 。 5 囚 4 力直接 方式下的 反 控制示意 ， 中
( ve ) 有 ， 每 可以 是 介 OSFET ( eaOxde Se cod co FedE ec T s soT 金屬氧化物 休 )， V 3是 第三 的 OSFET的 ， 2是第二 的 OSFET的 、 V 是第 的 OSFET的 。
C C是 化器， V 是 C C 源特化的 。 TE PSE SOR是溫度 感器。
VG是 OSFET的門板 。
AC是 模特換器 ( g a oA aogCo veTteT)
所示， 在直接 方式下， 此 的 幅度 3相 ，5 因此可以利用溫度 感器 的溫度， 然 利用溫度 算法未改
C C的反 ， 而 V 3的值， 以 的 幅度不 ， 休 說， 是 溫度 感器先 的溫度， 然 利用溫 度 算法 3的偏移 ， 再由 AC將 偏移 反 至 C C， 由 C C控制 ，以 3的值。 1和 Q可以 立地0 利用此溫度控制 路 幅度控制。 制器反 控制羊 可以是任何 控制方式， 不 器控制 路戶生 。
5 直接 方式下的溫度 示意 ， 中 EYE A P是 的 幅度， C是 溫度， V 是 OSFET的 。 所示，可以利用 溫度 未改 C C的反 ， 即，5 可以 的 幅度 OSFET的 ， 將其用于溫度的 。
由上 例可見， 在 休 施中， 于 1和/或 Q的控 制而言， 可以 下
1反 控制羊 可以包括
5 第 溫度 感器， 1相連， 于 1的溫度 化
第 直接 ， 于根 1的溫度 化 溫度
得出 3 的偏移 ， 將 3 的偏移 反 至 化器 C C， 用以控制第三 的 OSFET的 3的 化。
Q反 控制羊 可以包括
0 第二溫度 感器， Q相連， 于 Q的溫度 化 第二直接 ， 于根 Q的溫度 化 溫度
反 至 化器 C C，用以控制第三 的 OSFET的 V 3的 化。 5 6 同接 方式下的 反 控制示意 ， 中的 有 ， V 3是第三 的 OSFET的 ， V 2是第二 的 OSFET 的 、 V 是第 的 OSFET的 。
C C是 化器， V 是 C C 源特化的 。 C e o o 是 測器。
VG是 OSFET的門板 。
AC是 模特換器 ( g a oA aogCo veTteT)
所示， 在同接 方式下， 果 的 幅度 溫度的影 而 ，則 V 3的 化， 可以 3的 是否 化同接地 的 幅度是否 化。 到 的5 化則可以 VG3的 未修 V 3的 ， 的 流不 ， 而 幅度控制。 1和 Q可以 立地利用此 溫度控制 路 幅度控制。 制器反 控制羊 可以是任何控制方 式， 不 器控制 路戶生 。
由上 例可見， 在 休 施中， 于 1和/或 Q的控 5 而言， 可以 下
1反 控制羊 可以包括
第 ， 的 3相連， 于 的V 3 的 化
第 同接 ， 于根 的V 3 化控制第三 的 OSFET的門板 VG3的 化， 控制 VG3的 化， 控 制 三 的 OSFET的 V 的 化。
Q反 控制羊 可以包括
第二 ， Q的 3相連， 于 Q的 V 3的 化
5 第二同接 ， 于根 Q的 3 化控制VG3的 化， 控制VG3的 化，控制 三 的 OSFET的
V 3的 化。
上述 中， 直接 方式的控制方式 羊， 只要 道 全 溫度 園內的 就可以 反 控制。 同接 方式的控制方式相0 ， 需要通 測的方式 反 控制。 但是控制精度 比直接 方式高， 的微小 化 幅度 控制。 休 施中可以 不同的 用物合 不同的控制方式。
在 施中分別以直接 和同接 說明， 但是， 上 未說， 其它的方式也是可以的， 只要是 的溫度 化5 的 幅度 控制即可， 直接 和同接 于 本領域 木 休 何宴 本 ， 但不意味 能使用 方式， 中 可以結合 需要未 相 的方式。
于同 ，本 中近提供了 QPS 的 幅度控制方法，由于 方法解決 的原理 QPS 的 幅度 控制裝置相似， 因此 方法的 可以參見裝置的 ， 不再 。
7 QPS 的 幅度控制方法 流程示意 所示， 在 幅度控制 可以包括 下步驟
步驟701 QPS 制器 W 出的光
步驟702、 制器反 控制羊 第 、 第二 、 第三 相連 QPS 制器 的光 的 部分 、 二 、 第三 控制
步驟703、 1的溫度 化 1的 幅度 控制 步驟704、 Q的溫度 化 Q的 幅度 控制。 施中， 步驟702 703 704 同 必然的 要求。
施中， 1的溫度 化 1的 幅度 控制， 可 以包括
栓測 1的溫度 化
1 的溫度 化 溫度 反 至
化器 C C， 用以控制第三 的 OSF T的 V 3的 化。
施中， Q的溫度 化 Q的 幅度 控制， 可以包括
栓測 Q的溫度 化
Q的溫度 化 溫度 反 至
化器DC C， 用以控制第三 的 OSFET的 V 3的 化。 施中， 溫度 可以 的 幅度 OSFET的 。
施中， 1的溫度 化 1的 幅度 控制， 可 以包括
栓 的V 3的 化
的 3 化控制第三 的 OSFET的門板 VG3 的 化， 控制VG3的 化控制第三 的 OSFET的
3的 化。
施中， Q的溫度 化 Q的 幅度 控制， 可以包括
栓測 Q的 3的 化
Q的 3 化控制VG3的 化， 控制VG3 的 化控制第三 的 OSFET的 V 3的 化。
由上 例可見， 本 中所提供的 木 中， 由于 反 控制羊 于控制 PS 制器的 反 控 制羊 于 控制 的 幅度。 現有 木相比， 可以 化 PS 的控制 路的 程度。 此外， 本 不需要在 的 幅度上 ， 而不 戶生多余的OS 。
已 了本 的 ， 但本領域內的 木 得 了基本 造性概念， 則可 作出另外的 更和修改。 所以， 要求意 包括 以及 本 的所有 更和 修改。
然， 本領域的 木 可以 本 行各 和 而不 本 的精神和 。 ， 倘若本 的 修改和 于本
要求及其等同 木的 內， 則本 也 包含 和 在 內。

Claims

要求
1、 神差分 相相 鍵控 PS 的 幅度控制裝置， 其特 在于， 裝置包括 第 、 第二 、 第三 、 1、 Q、 未 的 光源 W 出的光 制的 QPS 制器， 其特 在于， 裝置近包括 碉制器反 控制羊 、 1反 控制羊元和 Q反 控制羊 其中，
制器反 控制羊 ， 第 、 第二 、 第三 相連， 于根 QPS 制器 的光 的 部分 第 、第二 、 第三 控制
1反 控制羊 ， 1相連， 于根 1的溫度 化 1的 幅度 控制
Q反 控制羊 ， Q相連， 于根 Q的溫度 化 Q的 幅度 控制。
2、 要求 1 的裝置， 其特 在于， 1反 控制羊 包括 第 溫度 感器和第 直接 其中，
第 溫度 感器， 1相連， 于 1的溫度 化 第 直接 ， 于根 1的溫度 化 溫度
， 得出 1的第三 的金屬氧化物 休 OSFET的 的偏移 反 至 1相連的 化器，用以控制 1的第三 的 OSFET的 的 化。
3、 要求 1 的裝置， 其特 在于， Q反 控制羊 包括 第二溫度 感器和第二直接 其中，
第二溫度 感器， Q相連， 于 Q的溫度 化 第二直接 ， 于根 Q的溫度 化 溫度
，得出 Q的第三 的 OSFET的 的偏移 反 至 Q 相連的 化器， 用以控制 Q 的第三 的 OSFET的 的 化。
4、 要求2或3 的裝置， 其特 在于， 溫度
的 幅度 OSFET的 。
5、 要求 1 的裝置， 其特 在于， 1反 控制羊 包括 第 和第 同接 其中，
第 ， 1的第三 的 OSFET的 相連， 于 1的第三 的 OSFET的 的 化
第 同接 ， 于根 1的第三 的 OSFET的 的 化控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制 第三 的 OSFET的門板 的 化，控制第三 的 OSFET的
的 化。
6、 要求 1 的裝置， 其特 在于， Q反 控制羊 包括 第二 和第二同接 其中，
第二 ， Q的第三 的 OSFET的 相連， 于 Q的第三 的 OSFET的 的 化
第二同接 ， 于根 Q的第三 的 OSFET的
化控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第 三 的 OSFET的門板 的 化，控制第三 的 OSFET的
的 化。
7、 QPS 的 幅度控制方法， 其特 在于， 方法包 括
PS 制器 W 出的光
制器反 控制羊 第 、 第二 、 第三 相連， QPS 制器 的光 的 部分 第 、 第二 、 第三 控制
1的溫度 化 1的 幅度 控制
Q的溫度 化 Q的 幅度 控制。
8、 要求7 的方法， 其特 在于， 1的溫度 化 1的 幅度 控制， 包括
栓測 1的溫度 化
1的溫度 化 溫度 ，得出 1的第 三 的 OSFET的 的偏移 反 至 1相連的
化器， 用以控制 1的第三 的 OSFET的 的 化
和/或，
Q的溫度 化 Q的 幅度 控制，包括 栓測 Q的溫度 化
Q的溫度 化 溫度 ， 得出 Q的 第三 的 OSFET的 的偏移 反 至 Q相連的
化器， 用以控制 Q的第三 的 OSFET的 的 化。
9、 要求8 的方法， 其特 在于， 所述溫度
的 幅度 OSFET的 。
10、 要求7 的方法， 其特 在于， 所述 1的溫度 化 1的 幅度 控制， 包括
1的第三 的 OSFET的 的 化
1的第三 的 OSFET的 化控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第三 的 OSFET的 的 化
和/或，
Q的溫度 化 Q的 幅度 控制，包括 Q的第三 的 OSFET的 的 化
Q的第三 的 OSFET的 化控制第三 的OSFET的門板 的 化， 控制第三 的 OSFET的門板 的 化， 控制第三 的 OSFET的 的 化。
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