WO2010134613A1

WO2010134613A1 - 有機エレクトロルミネセンス素子

Info

Publication number: WO2010134613A1
Application number: PCT/JP2010/058675
Authority: WO
Inventors: 祐一郎河村; 和樹西村; 行俊甚出; 均熊; 俊成荻原
Original assignee: 出光興産株式会社
Priority date: 2009-05-22
Filing date: 2010-05-21
Publication date: 2010-11-25
Also published as: US20100295027A1

Abstract

　陽極と陰極との間に、少なくとも３つの発光層を有する有機薄膜層を備えた有機エレクトロルミネセンス素子であって、前記有機薄膜層は、前記陽極側の第１発光層と、前記陰極側の第２発光層と、前記第１発光層及び前記第２発光層間に介在された第３発光層と、を含んで構成され、前記第１発光層、前記第２発光層、及び前記第３発光層は、それぞれ燐光ドーパントを含有し、前記第１発光層、及び前記第２発光層は、縮合多環芳香族誘導体をホスト材料とする。

Description

有機エレクトロルミネセンス素子

　本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子に関する。

　陽極と陰極との間に発光層を含む有機薄膜層を備え、発光層に注入された正孔と電子との再結合によって生じる励起子（エキシトン）エネルギーから発光を得る有機エレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）が知られている。
　このような有機ＥＬ素子は、自発光型素子としての利点を活かし、発光効率、画質、消費電力さらには薄型のデザイン性に優れた発光素子として期待されている。
　しかし、実用化には種々の問題が指摘されており、例えば、有機ＥＬ素子を照明に利用する際、消費電力の低減が必須である。
　消費電力を下げる方法としては、従来の蛍光素子に比べ理論効率が高い燐光素子を適用する方法がある。しかし、実用的な寿命・効率を達成した例は少ない。
　これは、駆動に伴い材料の劣化が進行すると、輝度が低下し、劣化が不揃いとなるため、色ずれなどが大きな問題になるからである。
　また、有機ＥＬ素子を照明装置や表示素子への応用の際に、白色素子が必要となる。実用的な白色素子を実現するためには、発光ピークの異なる多成分を含有する発光層を用いる必要がある。このような異なる発光色を呈する層を積層した場合、電流密度の変化に伴う色ずれが生じる。即ち低輝度時と高輝度時で色度が変わってしまう。これは各電流密度で発光層内でのキャリアバランスが変化した結果、発光層内の再結合位置が変化することに由来する。
　近年、有機ＥＬ素子の色ずれを抑制可能な技術が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。

　特許文献１には、含ヘテロ環化合物、特にカルバゾールやアザカルバゾールをホストとする多層発光層を備えた有機ＥＬ素子が開示されている。このような有機ＥＬ素子の多層発光層は、複数のリン光層が周期的、あるいはランダムに積層されているため、電流密度を変化させた際の色ずれを抑制する。
　特許文献２には、正孔輸送材を含有する第一発光層と、電子輸送材を含有する第三発光層を備えた発光素子が開示されている。

国際公開公報２００６／００８９７７特開２００１－３１９７７９号公報

　しかしながら、特許文献２に記載の技術では、正孔輸送材を含む発光層と、電子輸送材を含む発光層を採用することにより、色ずれを解消していると考えられる。しかし、特許文献１、２には、実際には白色素子のもう一つの大きな問題である、連続駆動に伴う色ずれについて開示されていない。
　また、燐光素子の発光層には、励起三重項エネルギー（Ｅｇ（Ｔ））が高いことが高効率発光を達成するために必須である。このような高いＥｇ（Ｔ）を実現できる材料として、カルバゾール誘導体、フラン誘導体などの含ヘテロ環骨格を有する材料が有効である。
　しかしながら含ヘテロ環骨格は高いＥｇ（Ｔ）を持つものの、酸化・還元に対する安定性が低く、蓄積キャリアによる劣化を受けやすい。
　つまり、発光層と、この発光層に隣接する層の周辺材料との界面でのキャリアの蓄積による材料の劣化が起こると、駆動に伴いキャリアバランスが変化し、発光色のバランスが悪化し、色ずれが起こる場合がある。

　本発明の目的は、電流密度の変化時と連続駆動時にも色安定性に優れた有機ＥＬ素子を提供することである。

　本発明の有機エレクトロルミネセンス素子は、
　陽極と陰極との間に、少なくとも３つの発光層を有する有機薄膜層を備えた有機エレクトロルミネセンス素子であって、
　前記有機薄膜層は、前記陽極側の第１発光層と、前記陰極側の第２発光層と、前記第１発光層及び前記第２発光層間に介在された第３発光層と、を含んで構成され、
　前記第１発光層、前記第２発光層、及び前記第３発光層は、それぞれ燐光ドーパントを含有し、
　前記第１発光層、及び前記第２発光層は、縮合多環芳香族誘導体をホスト材料とすることを特徴とする。

　このような発明によれば、第１発光層と第２発光層のそれぞれの縮合多環芳香族誘導体が、陽極側又は陰極側からのキャリアに対して耐性が高いため、その間に介在する第３発光層がキャリアによって劣化することがない。
　従って、第３発光層に含まれる化合物の劣化が抑制され、燐光発光の高効率化に必要な高いＥｇ（Ｔ）が安定して得られ、電流密度が変化した時のみならず連続駆動時においても、色安定性に優れた、発光効率の高い有機エレクトロルミネセンス素子を得ることができる。
　なお、第１発光層の縮合多環芳香族誘導体と、第２発光層の縮合多環芳香族誘導体は、同じものでも、異なっていてもよい。

　本発明によれば、電流密度の変化時と連続駆動時にも色安定性に優れた有機ＥＬ素子を提供することができる。

本発明の実施形態における有機エレクトロルミネセンス素子の一例の概略構成を示す図である。本実施形態の有機エレクトロルミネセンス素子における一例のホスト材料の３重項エネルギー関係を示す図である。本実施形態の有機エレクトロルミネセンス素子における一例の各構成のエネルギー関係を示す図である。他の有機エレクトロルミネセンス素子の一例の概略構成を示す図である。さらに他の有機エレクトロルミネセンス素子の一例の概略構成を示す図である。

　以下、本発明の実施形態について説明する。
（有機ＥＬ素子の構成）
　以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
　有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入・輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（１４）陽極／発光層／中間層／発光層／陰極
などの構造を挙げることができる。
　上記の中で（８）の素子構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。

　図１に、本発明の実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
　有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機薄膜層１０とを有する。
　有機薄膜層１０は、燐光ホストおよび燐光ドーパントを含む燐光発光層５と、この燐光発光層５と陽極３との間に配置される正孔注入・輸送層６と、燐光発光層５と陰極４との間に配置される電子注入・輸送層７とを備えていている。
　燐光発光層５は、赤色発光を示す第１発光層５１と、緑色発光を示す第２発光層５２と、赤色発光を示す第３発光層５３とを備える。
　また、燐光発光層５の陽極３側に電子障壁層を、燐光発光層５の陰極４側に正孔障壁層を、それぞれ設けてもよい。
　これにより、電子や正孔を燐光発光層５に閉じ込めて、燐光発光層５における励起子の生成確率を高めることができる。

　本明細書において、蛍光ホストおよび燐光ホストの用語は、蛍光ドーパントと組み合わされたときには蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたときには燐光ホストと称するものであり、分子構造のみから一義的に蛍光ホストや燐光ホストに限定的に区分されるものではない。
　言い換えると、本明細書において、蛍光ホストとは、蛍光ドーパントを含有する蛍光発光層を構成する材料を意味し、蛍光材料のホストにしか利用できないものを意味しているわけではない。
　同様に燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を構成する材料を意味し、燐光発光材料のホストにしか利用できないものを意味しているわけではない。

　また、本明細書中で「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層および正孔輸送層の少なくともいずれか１つ」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層および電子輸送層の少なくともいずれか１つ」を意味する。

　（透光性基板２）
　有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子１を支持する基板であり、４００～７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
　具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。
　ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。
　またポリマー板としては、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルサルファイド系樹脂、ポリサルフォン系樹脂等を原料として用いてなるものを挙げることができる。

　（陽極３及び陰極４）
　有機ＥＬ素子１の陽極３は、正孔を、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。
　陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
　陽極３はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
　本実施形態のように、燐光発光層５からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極３の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ～１μｍ、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲で選択される。

　陰極４としては、電子注入層、電子輸送層又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
　陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、アルミニウム－リチウム合金、アルミニウム－スカンジウム－リチウム合金、マグネシウム－銀合金等が使用できる。
　陰極４も、陽極３と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、陰極４側から、発光を取り出す態様を採用することもできる。

（燐光発光層５）
　有機ＥＬ素子１の燐光発光層５は以下の機能を併せ持つものである。
　すなわち、
（１）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能、
（２）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、
（３）発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能、
がある。

　ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよい。

　この燐光発光層５を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。
　燐光発光層５は、分子堆積膜であることが好ましい。
　ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。

　また、特開昭５７－５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
　さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５～５０ｎｍ、より好ましくは７～５０ｎｍ、最も好ましくは１０～５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。

（有機ＥＬ素子用材料）
　前述した有機ＥＬ素子１における燐光発光層５は、少なくとも３つの発光層を有して構成され、第１発光層５１、第２発光層５２、及び第３発光層５３を含んで構成されている。
　第１発光層５１は陽極３側に配置され、第２発光層５２は陰極４側に配置され、第３発光層５３は、第１発光層５１及び第２発光層５２間に、互いに接して介在している。
　第１発光層５１及び第２発光層５２のホスト材料は、縮合多環芳香族誘導体である。
　ここで、本実施形態では、第３発光層５３は、含ヘテロ環化合物をホスト材料とすることが好ましい。含ヘテロ環化合物は、３重項エネルギー（Ｅｇ（Ｔ））が高いため、高効率発光を達成するための材料として、第３発光層５３に好適に利用することができる。
　また、第１発光層５１及び第２発光層５２の縮合多環芳香族誘導体は、３重項エネルギーが２．０ｅＶ以上であることが好ましい。
　このように、３重項エネルギーが２．０ｅＶ以上であるため、５２０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下で発光する燐光ドーパントへのエネルギー移動が可能となる。
　ここで、３重項エネルギーは、好ましくは、２．０ｅＶ以上２．６ｅＶ以下であり、さらに好ましくは、２．０ｅＶ以上２．５ｅＶ以下、最も好ましくは２．０ｅＶ以上２．４ｅＶ以下である。

　ここで、有機ＥＬ素子を構成する材料の３重項エネルギー：Ｅｇ（Ｔ）は、燐光発光スペクトルに基づいて規定することが例として挙げられ、例えば、本発明にあっては以下のように規定することが例として挙げられる。
　すなわち、各材料をＥＰＡ溶媒（容積比でジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２）に１０μモル／リットルで溶解し、燐光測定用試料とする。
　そして、燐光測定用試料を石英セルに入れ、７７Ｋに冷却し、励起光を照射し、放射される燐光の波長を測定する。
　得られた燐光スペクトルの短波長側の立ちあがりに対して接線を引き、この接線とベースラインとの交点の波長値をエネルギーに換算した値を３重項エネルギーＥｇ（Ｔ）とする。
　なお、測定には、例えば、市販のＳＰＥＸ社ＦＬＵＯＲＯＬＯＧＩＩを用いることができる。
　ただし、このような規定によらず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で３重項エネルギーとして定義できる値であればよい。

　本実施形態では、第１発光層及び第２発光層に含まれる燐光ドーパントの発光波長は、いずれも第３発光層に含まれる燐光ドーパントの発光波長より長いことが好ましい。
　このような構成の第１発光層５１と第２発光層５２と第３発光層５３の発光色の組み合わせとして、例えば、以下のものがあげられる。
　赤色の第１発光層５１／緑色の第３発光層５３／赤色の第２発光層５２
　赤色の第１発光層５１／青色の第３発光層５３／緑色の第２発光層５２
　緑色の第１発光層５１／青色の第３発光層５３／赤色の第２発光層５２
　赤色の第１発光層５１／青色の第３発光層５３／赤色の第２発光層５２
　緑色の第１発光層５１／青色の第３発光層５３／緑色の第２発光層５２
　この中でも、本実施形態では、第１発光層５１及び第２発光層５２に含まれる燐光ドーパントは、それぞれ赤色発光を示し、第３発光層５３に含まれる燐光ドーパントは、緑色発光を示すことが好ましい。

　第１発光層５１及び第２発光層５２のホスト材料が、へテロ環骨格を有しない縮合多環芳香族誘導体であることが好ましい。窒素原子などのヘテロ原子を含まないので、分子の安定性をさらに向上させることができるからである。なお、ヘテロ環骨格とは、縮合環の環上にヘテロ原子を有する骨格や、縮合環にヘテロ原子が結合した骨格である。
　また、本実施形態では、縮合多環芳香族誘導体は、縮合多環芳香族炭化水素であることが好ましい。
　そして、本実施形態では、縮合多環芳香族炭化水素としては、ナフタレン誘導体が好ましい。ナフタレン誘導体は、共役の長さが適度であり、比較的大きな３重項エネルギーを得ることができる。
　ナフタレン誘導体としては、以下のものが挙げられる。

（上記式中、Ｒ₁からＲ_８は、置換または無置換のベンゼン環、または、置換または無置換の、ナフタレン環、フルオレン環、クリセン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、ベンゾクリセン環、ピセン環およびベンゾ［ｂ］フルオランテン環から選択される縮合芳香族炭化水素基を表す。

　また、ホスト材料としては下記の一般式で表されるものでもよい。

　Ｒａ－Ａｒ^１－Ａｒ^２－Ｒｂ　　…（１）

（式中、Ａｒ^１，Ａｒ^２，Ｒａ，Ｒｂは、置換または無置換のベンゼン環、または、置換または無置換の、ナフタレン環、フルオレン環、クリセン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、ベンゾクリセン環、ピセン環およびベンゾ［ｂ］フルオランテン環から選択される縮合芳香族炭化水素基を表す。
　Ａｒ^１が置換または無置換のベンゼン環の場合、ＲａとＡｒ^２は置換または無置換の互いに異なる縮合芳香族炭化水素基である。
　Ａｒ^２が置換または無置換のベンゼン環の場合、ＲｂとＡｒ^１は置換または無置換の互いに異なる縮合芳香族炭化水素基である。
　また、Ｒａ，Ｒｂの置換基はアリール基でない。）

　前記式（１）中、Ｒａ、Ｒｂ、Ａｒ^１またはＡｒ^２が１つまたは複数の置換基を有する場合、
　前記置換基は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数１～２０のハロアルキル基、炭素数５～１８のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、シアノ基またはハロゲン原子であり、Ａｒ^１またはＡｒ^２の置換基はさらに炭素数６～２２のアリール基でもよい。

　前記式（１）中、Ｒａ、Ａｒ^１は、ナフタレン環であり、Ｒｂは、フルオレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、フルオランテン環、ベンゾクリセン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環およびピセン環から選択される基であることが好ましい。

　また、前記式（１）のホスト材料は、下記式（２）で表されるものでもよい。　

　前記式（２）中、Ｒａ、Ｒｂ、ナフタレン環が１つまたは複数の置換基を有する場合、
　前記置換基は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数１～２０のハロアルキル基、炭素数５～１８のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、シアノ基またはハロゲン原子であり、Ｒａ，Ｒｂ以外のナフタレン環の置換基はさらに炭素数６～２２のアリール基でもよい。

　前記式（２）中、Ｒａ、Ｒｂは、フルオレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、フルオランテン環、ベンゾクリセン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環およびピセン環から選択される基であることが好ましい。

　ナフタレン誘導体の具体例としては以下のものが挙げられる。

　また、本実施形態では、前記縮合多環芳香族炭化水素は、下記式（５）で表されるフェナントレンの単体または誘導体でもよい。

　フェナントレン誘導体の置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基が挙げられる。
　このようなフェナントレン誘導体としては、例えば、下記式（５Ａ）のものが挙げられる。

　式（５Ａ）中、Ｒ_１～Ｒ_１０は、それぞれ独立に、水素原子または、環形成炭素数（置換基の炭素数を含まない）５～３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１から３０の分岐または直鎖のアルキル基、炭素数３から２０の置換または無置換のシクロアルキル基が単独または複数の組み合わせで構成される置換基を表す。
　式（５Ａ）で表されるフェナントレン誘導体の具体例としては、下記のものが挙げられる。

　さらに、本実施形態では、前記縮合多環芳香族炭化水素は、下記式（６）で表されるクリセンの単体または誘導体であることが好ましい。

　このようなクリセン誘導体としては、例えば、下記式（６Ａ）のものが挙げられる。

　式（６Ａ）中、Ｒ_１～Ｒ_１２は、それぞれ独立に、水素原子または、環形成炭素数（置換基の炭素数を含まない）５～３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１から３０の分岐または直鎖のアルキル基、炭素数３から２０の置換または無置換のシクロアルキル基が単独または複数の組み合わせで構成される置換基を表す。

　また、本実施形態では、前記縮合多環芳香族炭化水素は、下記式（７）で表される化合物（ベンゾ［ｃ］フェナントレン）の単体または誘導体であることが好ましい。

　このようなベンゾ［ｃ］フェナントレン誘導体としては、例えば、下記式（７Ａ）のものが挙げられる。

　式（７Ａ）中、Ｒ_１～Ｒ_９は、それぞれ独立に、水素原子または、環形成炭素数（置換基の炭素数を含まない）５～３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１から３０の分岐または直鎖のアルキル基、炭素数３から２０の置換または無置換のシクロアルキル基が単独または複数の組み合わせで構成される置換基を表す。
　式（７Ａ）で表されるベンゾ［ｃ］フェナントレン誘導体の具体例としては、下記のものが挙げられる。

　また、本実施形態では、前記縮合多環芳香族炭化水素は、下記式（１０）で表されるフルオランテンの単体または誘導体であることが好ましい。

　このようなフルオランテン誘導体としては、例えば、下記式（１０Ａ）のものが挙げられる。

　式（１０Ａ）中、Ｘ_１２～Ｘ_２１は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。
　なお、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環式芳香族基を表す。

　Ｘ_１２～Ｘ_２１は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子）、炭素数１～１６の直鎖、分岐または環状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、sec－ブチル基、tert－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert－ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ－ヘキシル基、３，３－ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ－オクチル基、tert－オクチル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ヘキサデシル基など）、炭素数１～１６の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、sec－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、３，３－ジメチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、ｎ－ドデシルオキシ基、ｎ－テトラデシルオキシ基、ｎ－ヘキサデシルオキシ基など）、あるいは炭素数４～１６の置換または未置換のアリール基（例えば、フェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、４－エチルフェニル基、４－ｎ－プロピルフェニル基、４－イソプロピルフェニル基、４－ｎ－ブチルフェニル基、４－tert－ブチルフェニル基、４－イソペンチルフェニル基、４－tert－ペンチルフェニル基、４－ｎ－ヘキシルフェニル基、４－シクロヘキシルフェニル基、４－ｎ－オクチルフェニル基、４－ｎ－デシルフェニル基、２，３－ジメチルフェニル基、２，４－ジメチルフェニル基、２，５－ジメチルフェニル基、３，４－ジメチルフェニル基、５－インダニル基、１，２，３，４－テトラヒドロ－５－ナフチル基、１，２，３，４－テトラヒドロ－６－ナフチル基、２－メトキシフェニル基、３－メトキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、３－エトキシフェニル基、４－エトキシフェニル基、４－ｎ－プロポキシフェニル基、４－イソプロポキシフェニル基、４－ｎ－ブトキシフェニル基、４－ｎ－ペンチルオキシフェニル基、４－ｎ－ヘキシルオキシフェニル基、４－シクロヘキシルオキシフェニル基、４－ｎ－ヘプチルオキシフェニル基、４－ｎ－オクチルオキシフェニル基、４－ｎ－デシルオキシフェニル基、２，３－ジメトキシフェニル基、２，５－ジメトキシフェニル基、３，４－ジメトキシフェニル基、２－メトキシ－５－メチルフェニル基、３－メチル－４－メトキシフェニル基、２－フルオロフェニル基、３－フルオロフェニル基、４－フルオロフェニル基、２－クロロフェニル基、３－クロロフェニル基、４－クロロフェニル基、４－ブロモフェニル基、４－トリフルオロメチルフェニル基、３，４－ジクロロフェニル基、２－メチル－４－クロロフェニル基、２－クロロ－４－メチルフェニル基、３－クロロ－４－メチルフェニル基、２－クロロ－４－メトキシフェニル基、４－フェニルフェニル基、３－フェニルフェニル基、４－（４’－メチルフェニル）フェニル基、４－（４’－メトキシフェニル）フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、４－エトキシ－１－ナフチル基、６－メトキシ－２－ナフチル基、７－エトキシ－２－ナフチル基）であり、より好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基または炭素数６～１２のアリール基であり、さらに好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基または炭素数６～１０の炭素環式芳香族基である。

　式（１０Ａ）で表されるフルオランテン誘導体の具体例としては、下記のものが挙げられる。

また、本実施形態では、前記縮合多環芳香族炭化水素は、例えば、下記式（１０Ｂ）で表されるベンゾ[b]フルオランテンの単体または誘導体や、式（１０Ｃ）で表されるベンゾ[k]フルオランテンの単体または誘導体が挙げられる。

　式（１０Ｂ）および式（１０Ｃ）中、Ｘ^１～Ｘ^２４は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。
　なお、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環式芳香族基を表す。
　Ｘ^１～Ｘ^２４は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子）、炭素数１～１６の直鎖、分岐または環状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、sec－ブチル基、tert－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert－ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ－ヘキシル基、３，３－ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ－オクチル基、tert－オクチル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ヘキサデシル基など）、炭素数１～１６の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、sec－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、３，３－ジメチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、ｎ－ドデシルオキシ基、ｎ－テトラデシルオキシ基、ｎ－ヘキサデシルオキシ基など）、あるいは炭素数４～１６の置換または未置換のアリール基（例えば、フェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、４－エチルフェニル基、４－ｎ－プロピルフェニル基、４－イソプロピルフェニル基、４－ｎ－ブチルフェニル基、４－tert－ブチルフェニル基、４－イソペンチルフェニル基、４－tert－ペンチルフェニル基、４－ｎ－ヘキシルフェニル基、４－シクロヘキシルフェニル基、４－ｎ－オクチルフェニル基、４－ｎ－デシルフェニル基、２，３－ジメチルフェニル基、２，４－ジメチルフェニル基、２，５－ジメチルフェニル基、３，４－ジメチルフェニル基、５－インダニル基、１，２，３，４－テトラヒドロ－５－ナフチル基、１，２，３，４－テトラヒドロ－６－ナフチル基、２－メトキシフェニル基、３－メトキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、３－エトキシフェニル基、４－エトキシフェニル基、４－ｎ－プロポキシフェニル基、４－イソプロポキシフェニル基、４－ｎ－ブトキシフェニル基、４－ｎ－ペンチルオキシフェニル基、４－ｎ－ヘキシルオキシフェニル基、４－シクロヘキシルオキシフェニル基、４－ｎ－ヘプチルオキシフェニル基、４－ｎ－オクチルオキシフェニル基、４－ｎ－デシルオキシフェニル基、２，３－ジメトキシフェニル基、２，５－ジメトキシフェニル基、３，４－ジメトキシフェニル基、２－メトキシ－５－メチルフェニル基、３－メチル－４－メトキシフェニル基、２－フルオロフェニル基、３－フルオロフェニル基、４－フルオロフェニル基、２－クロロフェニル基、３－クロロフェニル基、４－クロロフェニル基、４－ブロモフェニル基、４－トリフルオロメチルフェニル基、３，４－ジクロロフェニル基、２－メチル－４－クロロフェニル基、２－クロロ－４－メチルフェニル基、３－クロロ－４－メチルフェニル基、２－クロロ－４－メトキシフェニル基、４－フェニルフェニル基、３－フェニルフェニル基、４－（４’－メチルフェニル）フェニル基、４－（４’－メトキシフェニル）フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、４－エトキシ－１－ナフチル基、６－メトキシ－２－ナフチル基、７－エトキシ－２－ナフチル基）であり、より好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基または炭素数６～１２のアリール基であり、さらに好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基または炭素数６～１０の炭素環式芳香族基である。

　式（１０Ｂ）で表されるベンゾ[b]フルオランテン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

　さらに、本実施形態では、前記縮合多環芳香族炭化水素は、下記式（１１）で表されるトリフェニレンの単体または誘導体であることが好ましい。

　このようなトリフェニレン誘導体としては、例えば、下記式（１１Ａ）のものが挙げられる。

　式（１１Ａ）中、Ｒ_１～Ｒ_６は、それぞれ独立に、水素原子または、環形成炭素数（置換基の炭素数を含まない）５～３０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１から３０の分岐または直鎖のアルキル基、炭素数３から２０の置換または無置換のシクロアルキル基が単独または複数の組み合わせで構成される置換基を表す。

　上述した縮合芳香族炭化水素としては、他に以下のような化合物がある。

（含ヘテロ環化合物）
　第３発光層５３に含まれるホスト材料は、含ヘテロ環化合物である。
　この含ヘテロ環化合物は、３重項エネルギーが、第１発光層５１及び第２発光層５２のホスト材料の３重項エネルギーよりも大きいことが好ましい。このような構成とすることにより、第３発光層５３の含ヘテロ環化合物の３重項エネルギーを、第１発光層５１及び第２発光層５２の縮合多環芳香族誘導体に拡散させることができるため、３重項エネルギーの有効利用が図れ、発光効率を向上させることができる。
　また、含ヘテロ環化合物が正孔輸送性である場合、第２発光層５２に電子輸送性のホストを導入することで有機ＥＬ素子１の寿命の改善が図れる。電子輸送性のホストとしては、フェナントロリン誘導体などの縮合多環芳香族炭化水素誘導体や金属錯体が挙げられる。
　図２は、有機ＥＬ素子１における第１発光層５１、第２発光層５２及び第３発光層５３に含まれるホスト材料の３重項エネルギー関係を示す図である。図２において、第１発光層５１、第２発光層５２及び第３発光層５３に含まれるホスト材料の３重項状態をそれぞれＴ_１、Ｔ_２、及びＴ_３とし、基底状態をＳ_０とし、３重項エネルギーをそれぞれ、Ｅｇ（Ｔ_１）、Ｅｇ（Ｔ_２）及びＥｇ（Ｔ_３）と示す。第３発光層５３に含まれるホスト材料としての含ヘテロ環化合物の３重項エネルギーＥｇ（Ｔ_３）が、第１発光層５１のホスト材料の３重項エネルギーＥｇ（Ｔ_１）、及び第２発光層５２のホスト材料の３重項エネルギーＥｇ（Ｔ_２）よりも大きい場合、Ｅｇ（Ｔ_３）＞Ｅｇ（Ｔ_１）、及びＥｇ（Ｔ_３）＞Ｅｇ（Ｔ_２）の関係を満たす。

　第３発光層５３に含まれる含ヘテロ環化合物として、例えば、以下のようなカルバゾール誘導体やアザカルバゾール誘導体が挙げられる。
式：

　上記式において、nは、２又は３であり、Ｘ₁Ｒ_１～Ｘ_８Ｒ_８は、Ｎ、又はＣＲであり、Ｒ（Ｒ_１～Ｒ_８）は置換基を表し、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を示す。
　また、Ａｒは置換又は無置換の芳香族基であり、Ｘは連結基を表し、Ｎ、置換若しくは無置換の芳香族基、又はＣＲであり、Ｒは置換基であり、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していても良い芳香族複素環基を示す。なお、上記式において、ＡｒとＡｒとが直接結合していても良い。

　このような化合物の具体例を以下に示す。

　さらに、含ヘテロ環化合物として、例えば、以下のようなカルバゾール誘導体が挙げられる。
式：

（式（１２）、（１３）中、ＸはＮ又はＯであり、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ_1’、Ｒ_2’、Ｒ_3’、Ｒ_4’、Ｒ_5’、Ｒ_6’、及びＲ_7’は、互いに独立して、Ｈ、－ＯＲ₂₀₁、－ＳＲ₂₀₂及び／又は－ＮＲ₂₀₃Ｒ₂₀₄、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルキル；Ｅで置換された及び／又はＤで中断されたＣ₁～Ｃ₂₄アルキル；Ｃ₂～Ｃ₁₈アルケニル、Ｅで置換されたＣ₂～Ｃ₁₈アルケニル、Ｃ₃～Ｃ₈シクロアルキル、Ｇで置換されたＣ₃～Ｃ₈シクロアルキル、アリール、Ｇで置換されたアリール、ヘテロアリール、又はＧで置換されたヘテロアリール、シリル、

－ＣＮ、環状エーテル、－Ｂ（ＯＲ⁶⁵）₂及び／又はハロゲン、特にフッ素であるか、あるいはＲ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^１’とＲ^２’、Ｒ^２’とＲ^３’、Ｒ^３’とＲ^４’、Ｒ^５’とＲ^６’、Ｒ^６’とＲ^７’、Ｒ^７’及び／又はＲ^８’の互いに隣接する２個は一緒になって基：

（１３a）又は（１３ｂ）（式（１３a）及び（１３ｂ）中、Ａ⁴¹、Ａ⁴²、Ａ⁴³、Ａ⁴⁴、Ａ⁴⁵、及びＡ⁴⁶は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルキル、Ｅで置換された及び／又はＤで中断されたＣ₁～Ｃ₂₄アルキル、Ｃ₁～Ｃ₂₄ペルフルオロアルキル、Ｃ₅～Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｇで置換された及び／又はＳ－、－Ｏ－、もしくは－ＮＲ⁵－で中断されたＣ₅～Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₅～Ｃ₁₂シクロアルコキシ、Ｅで置換されたＣ₅～Ｃ₁₂シクロアルコキシ、Ｃ₆～Ｃ₂₄アリール、Ｇで置換されたＣ₆～Ｃ₂₄アリール、Ｃ₂～Ｃ₂₀ヘテロアリール、Ｇで置換されたＣ₂～Ｃ₂₀ヘテロアリール、Ｃ₂～Ｃ₂₄アルケニル、Ｃ₂～Ｃ₂₄アルキニル、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルコキシ、Ｅで置換された及び／又はＤで中断されたＣ₁～Ｃ₂₄アルコキシ、Ｃ₇～Ｃ₂₅アラルキル、Ｇで置換されたＣ₇～Ｃ₂₅アラルキル、Ｃ₇～Ｃ₂₅アルアルコキシ、Ｅで置換されたＣ₇～Ｃ₂₅アルアルコキシ、又は-ＣＯ-Ｒ⁸である）を形成し、

Ｍは、結合基、たとえば単結合（直接結合）、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－；－Ｓ－；－ＳＯ－；－ＳＯ₂－；－Ｏ－；場合により－Ｏ－、又は－Ｓ－１個以上で中断されたＣ₁～Ｃ₁₂アルキレン、Ｃ₂～Ｃ₁₂アルケニレン、又はＣ₂～Ｃ₁₂アルキニレン；又は基［Ｍ¹］_nであり、ここで、ｎは、整数１～２０であり、Ｍ¹は、場合によりＧで置換されているアリーレン又はヘテロアリーレン、特に、場合によりＣ₁～Ｃ₁₂アルキル、ハロゲン、－ＯＲ²⁰¹、－ＳＲ²⁰²及び／又は－ＮＲ²⁰³Ｒ²⁰⁴（式中、Ｒ²⁰¹は、水素、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルキル、Ｅで置換された及び／又はＤで中断されたＣ₁～Ｃ₂₄アルキルである）で置換されているナフチレン、ビフェニレン、スチリレン、アントリレン、又はピレニレンであり；それぞれ場合により基Ｃ₁～Ｃ₆アルキル、ハロゲン、－ＯＨ及び／又はＣ₁～Ｃ₄アルコキシ１個以上で置換されていてもよいＣ₂～Ｃ₁₂アルケニル、Ｃ₃～Ｃ₆アルケノイル、Ｃ₃～Ｃ₈シクロアルキル、又はベンゾイル；それぞれ、場合によりハロゲン、－ＯＨ、Ｃ₁～Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₁～Ｃ₁₂アルコキシ、フェノキシ、Ｃ₁～Ｃ₁₂アルキルスルファニル、フェニルスルファニル、－Ｎ（Ｃ₁～Ｃ₁₂アルキル）₂及び／又はジフェニルアミノで置換されていてもよいＣ₆～Ｃ₁₄アリール、特にフェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラニル、又はピレニルであり；

Ｒ²⁰²は、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルキル、Ｅで置換された及び／又はＤで中断されたＣ₁～Ｃ₂₄アルキル；Ｃ₂～Ｃ₁₂アルケニル、Ｃ₁～Ｃ₈アルカノイル、Ｃ₂～Ｃ₁₂アルケニル、Ｃ₃～Ｃ₆アルケノイル；それぞれ、場合により基Ｃ₁～Ｃ₆アルキル、ハロゲン、－ＯＨ、Ｃ₁～Ｃ₄アルコキシ又はＣ₁～Ｃ₄アルキルスルファニル１個以上で置換されていてもよい、Ｃ₃～Ｃ₈シクロアルキル、又はベンゾイル；それぞれ場合によりハロゲン、Ｃ₁～Ｃ₁₂アルキル、Ｃ₁～Ｃ₁₂アルコキシ、フェニル－Ｃ₁～Ｃ₃アルキルオキシ、フェノキシ、Ｃ₁～Ｃ₁₂アルキルスルファニル、フェニルスルファニル、－Ｎ（Ｃ₁～Ｃ₁₂アルキル）₂、ジフェニルアミノ、－（ＣＯ）Ｏ（Ｃ₁～Ｃ₈アルキル）、－（ＣＯ）－Ｃ₁～Ｃ₈アルキル、又は（ＣＯ）Ｎ（Ｃ₁～Ｃ₈アルキル）₂で置換されていてもよい、Ｃ₆～Ｃ₁₄アリール、特にフェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラニル、又はピレニルであり；Ｒ²⁰³及びＲ²⁰⁴は、互いに独立して、水素、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルキル、Ｅで置換された及び／又はＤで中断されたＣ₁～Ｃ₂₄アルキル；それぞれ、場合により基Ｃ₁～Ｃ₆アルキル、ハロゲン、－ＯＨ、又はＣ₁～Ｃ₄アルコキシ１個以上で置換されていてもよいＣ₂～Ｃ₅アルケニル、Ｃ₃～Ｃ₈シクロアルキル、又はベンゾイル；それぞれ、場合によりＣ₁～Ｃ₁₂アルキル、ベンゾイル又はＣ₁～Ｃ₁₂アルコキシで置換されている、フェニル－Ｃ₁～Ｃ₃アルキル、Ｃ₁～Ｃ₈アルカノイル、Ｃ₃～Ｃ₁₂アルケノイル、Ｃ₆～Ｃ₁₄アリール、特にフェニルナフチル、フェナントリル、アントラニル、又はピレニルであるか；あるいはＲ²⁰³とＲ²⁰⁴は一緒になって、場合により－Ｏ－、－Ｓ－、又は－ＮＲ²⁰⁵－で中断された及び／又はヒドロキシル、Ｃ₁～Ｃ₄アルコキシ、Ｃ₂～Ｃ₄アルカノイルオキシ又はベンゾイルオキシで置換されているＣ₂～Ｃ₈アルキレン又は分岐状Ｃ₂～Ｃ₈アルキレンであり、ここでＲ²⁰³及びＲ²⁰⁴により形成された環は、場合によりＣ₁～Ｃ₈－アルキル、Ｃ₁～Ｃ₈－アルコキシ、ハロゲン、又はシアノで１～３回置換されていることができるフェニルにより１又は２回縮合されていることができる；

Ｒ²⁰⁵は、水素、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルキル、Ｅで置換された及び／又はＤで中断されたＣ₁～Ｃ₂₄アルキル；Ｃ₂～Ｃ₅アルケニル、Ｃ₃～Ｃ₈シクロアルキル、フェニル－Ｃ₁～Ｃ₃アルキル、Ｃ₁～Ｃ₈アルカノイル、Ｃ₃～Ｃ₁₂アルケノイル、Ｃ₆～Ｃ₁₄アリール、特にベンゾイル；それぞれ、場合によりＣ₁～Ｃ₁₂アルキル、ベンゾイル、又はＣ₁～Ｃ₁₂アルコキシで置換されている、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラニル、又はピレニルであり；
Ｄは、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ₂－、－Ｏ－、－ＮＲ⁵－、－ＳｉＲ⁶¹Ｒ⁶²－、－ＰＯＲ⁵－、－ＣＲ⁶³＝ＣＲ⁶⁴－、又は－Ｃ≡Ｃ－であり；Ｅは、ハロゲン、－ＯＲ⁵、－ＳＲ⁵、－ＮＲ⁵Ｒ⁶、

で置換されていてもよいＣ₆～Ｃ₁₄アリール、特にフェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラニル、又はピレニル［式中、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³及びＲ⁶⁴は、互いに独立してＣ₁～Ｃ₈アルキル基、Ｃ₆～Ｃ₂₄アリール基又はＣ₇～Ｃ₁₂アラルキル基、－ＣＮ、環状エーテル及び／又は－Ｂ（ＯＲ⁶⁵）₂（式中、Ｒ⁶⁵は、水素、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルキル、Ｃ₃～Ｃ₈シクロアルキル、Ｃ₇～Ｃ₂₄アラルキル、Ｃ₂～Ｃ₁₈アルケニル、Ｃ₂～Ｃ₂₄アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルコキシ、Ｃ₁～Ｃ₂₄アルキルチオ、Ｃ₆～Ｃ₃₀アリール、Ｃ₂～Ｃ₃₀ヘテロアリール、ハロゲン、特にフッ素、ハロアルカン、シリル、シロキサニル、及び隣接する置換基Ｒ⁶⁵と一緒に形成された脂環式の環である）である］；－ＯＲ⁵、－ＳＲ⁵、－ＮＲ⁵Ｒ⁶、－ＣＯＲ⁸、－ＣＯＯＲ⁷、－ＣＯＮＲ⁵Ｒ⁶、－ＣＮ、ハロゲン、シリル、Ｃ₁～Ｃ₁₈アルキル、又はヘテロアリールであり、
Ｇは、Ｅ、又はＣ₁～Ｃ₁₈アルキル（式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は、互いに独立してＨ、Ｃ₆～Ｃ₁₈アリールである）；Ｃ₁～Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁～Ｃ₁₈アルコキシ、又はシリルで置換されたＣ₆～Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁～Ｃ₁₈アルキル、又は－Ｏ－で中断されたＣ₁～Ｃ₁₈アルキルであるか；あるいはＲ⁵とＲ⁶は一緒になって５又は６員環、特に

式（１３ｃ）又は式（１３ｄ）を形成し、Ｒ⁷は、Ｈ、Ｃ₆～Ｃ₁₈アリール、Ｃ₇～Ｃ₁₂アルキルアリール（場合によりＣ₁～Ｃ₁₈アルキル、もしくはＣ₁～Ｃ₁₈アルコキシで置換されている）；Ｃ₁～Ｃ₁₈アルキル；又は－Ｏ－で中断されたＣ₁～Ｃ₁₈アルキルであり；

Ｒ⁸は、Ｃ₆～Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁～Ｃ₁₈アルキルもしくはＣ₁～Ｃ₁₈アルコキシで置換されたＣ₆～Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁～Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₇～Ｃ₁₂アルキルアリール、又は－Ｏ－で中断されたＣ₁～Ｃ₁₈アルキルであり；
Ｒ⁶¹及びＲ⁶²は、互いに独立して、Ｃ₆～Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁～Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁～Ｃ₁₈アルコキシで置換されたＣ₆～Ｃ₁₈アリール；又は－Ｏ－で中断されたＣ₁～Ｃ₁₈アルキルであり、そして
Ｒ⁶³及びＲ⁶⁴は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ₆～Ｃ₁₈アリール；Ｃ₁～Ｃ₁₈アルキル、Ｃ₁～Ｃ₁₈アルコキシで置換されたＣ₆～Ｃ₁₈アリール；又は－Ｏ－で中断されたＣ₁～Ｃ₁₈アルキルであり；ただし、式１２におけるＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７及びＲ_８の少なくとも１個は、Ｈ、－ＯＲ²⁰¹、－ＳＲ²⁰²及びＣ₁～Ｃ₂₄アルキルとは異なる。

　また、含へテロ環化合物は、下記一般式(I)で表される化合物でもよい。

ここで、環aは、2つの隣接環と縮合する式(a1)又は(a2)で表される芳香環又は複素環を示し、環a'は、3つの隣接環と縮合する式(a1)で表される芳香環又は複素環を示し、Xは、CH又はNを示す。環bは、2つの隣接環と縮合する式(b1)で表される複素環を示す。
Ar₁は、芳香族複素環基からなるm+n価の基を示す。
　Lは独立に、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示し、少なくとも一つは縮環構造を有する。
　Rは独立に、水素、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ジアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシル基、アルキルスルホニル基、ハロアルキル基、水酸基、アミド基、又は置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基を示す。
mは1を示し、nは1又は2を示す。

一般式(I)で表される含ヘテロ環化合物には、一般式(II)～(IV)で表される化合物がある。

ここで、環a、環b、L及びRは、一般式(I)の環a、環b、L及びRと同じ意味を有する。
Ar₂は式(c1)で表される3価の基であり、Yは独立にCH又はNを示し、少なくとも一つはNである。

　一般式(III)及び(IV)において、L、R及びAr₂は、一般式(II)のL、R及びAr₂と同じ意味を有する。

　一般式(I)において、m=2の化合物としては、下記一般式(V)で表される化合物がある。また、一般式(V)で表される化合物には、一般式(VI)～(VII)で表される化合物がある。

ここで、環a、環b、L及びRは、一般式(Ｉ)の環a、環b、L及びRと同じ意味を有する。
Ar₃は芳香族複素環基からなる3価の基を示す。

　一般式(VI)及び(VII)において、L、R及びAr₃は、一般式(V)のL、R及びAr₃と同じ意味を有する。
　環b'は独立に、2つの隣接環と縮合する式(b1)で表される複素環を示す。
一般式(II)は、一般式(I)において、mが1、nが2の場合に該当する。

一般式(I)、(II)において、環aは、2つの隣接環と縮合する式(a1)又は(a2)で表される芳香環又は複素環を示し、環a’は、3つの隣接環と縮合する式(a1)で表される芳香環又は複素環を示し、Xは、CH又はNを示す。環bは、2つの隣接環と縮合する式(b1)で表される複素環を示す。

　Arは、芳香族複素環基からなるm+n価の基を示す。Arは、2～4価の基であることができる。

　Lは独立に、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示し、少なくとも一つは縮環構造を有する。縮環構造としては、芳香族環が2～3縮合した芳香族炭化水素環又は芳香族複素環がある。芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、下記Rで説明するような基が挙げられる。

　Rは独立に、水素、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ジアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシル基、アルキルスルホニル基、ハロアルキル基、水酸基、アミド基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示す。好ましいRは水素である。なお、Rがアルキル基、アルコキシル基、アルキルスルホニル基、ハロアルキル基、アルコキシカルボニル基である場合、炭素数は1～6であることが好ましく、アルケニル基、アルキニル基である場合、炭素数は2～6であることが好ましい。アシル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ジアラルキルアミノ基である場合、炭素数は2～16であることが好ましい。

　さらに、含ヘテロ環化合物として、例えば、以下のようなジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体が挙げられる。

［一般式（１４）において、Ｒ_１～Ｒ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素数１～４０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３～１５のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３～２０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１～４０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数６～４０の非縮合アリール基、置換基を有してもよい炭素数１０～１８の縮合アリール基、置換基を有してもよい炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数７～２０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数６～４０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数１～４０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数７～６０のアラルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数７～４０のアリールカルボニル基、置換基を有してもよい炭素数１～４０のハロゲン化アルキル基、シアノ基であり、Ｒ_８とＲ_９は互いに結合して環構造を形成してもよく、Ｒ_１～Ｒ_１０の各置換基は末端に重合性官能基を有することはない。Ｒ₁～Ｒ_３の少なくとも１つはカルバゾリル基またはアザカルバゾリル基である。Ｘは、硫黄原子または酸素原子である]。

　前記一般式（１４）が下記一般式（１５）で表されるものでもよい。

［一般式（１５）において、Ｒ_１１～Ｒ_２４およびＸの定義は、前記一般式（１４）のＲ_１～Ｒ_１０およびＸの定義と同様である。Ｒ₁₁～Ｒ₁₃の少なくとも１つはカルバゾリル基またはアザカルバゾリル基である。］。

　前記一般式（１４）が下記一般式（１６）で表されるものでもよい。

［一般式（１６）において、Ｒ_１１～Ｒ_２４およびＸの定義は、前記一般式（１４）のＲ_４～Ｒ_１０およびＸの定義と同様である。Ｒ₁₁～Ｒ₁₃の少なくとも１つはカルバゾリル基またはアザカルバゾリル基である。］

　前記一般式（１４）が下記一般式（１７）で表されるものでもよい。

［一般式（１７）において、Ｒ_１１～Ｒ_２２およびＸの定義は、前記一般式（１４）のＲ_１～Ｒ_１０およびＸの定義と同様である。Ｒ₁₁～Ｒ₁₃の少なくとも１つはカルバゾリル基またはアザカルバゾリル基である。］

　前記一般式（１４）が下記一般式（１８）で表されるものでもよい。

［一般式（１８）において、Ｒ_１１～Ｒ_２８およびＸの定義は、前記一般式（１４）のＲ_１～Ｒ_１０およびＸの定義と同様である。Ｒ₁₁～Ｒ₁₃の少なくとも１つはカルバゾリル基またはアザカルバゾリル基である。］

　前記一般式（１５）、（１６）における置換基Ｒ_１６～Ｒ_２４、または、前記一般式（１７）における置換基Ｒ_１６～Ｒ_１７，Ｒ_２０～Ｒ_２２の少なくとも１つが、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、置換又は無置換のアザカルバゾリル基および置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基から選ばれた置換基でもよい。

　前記一般式（１８）における置換基Ｒ_１６～Ｒ_２８の少なくとも１つが、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、置換又は無置換のアザカルバゾリル基および置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基から選ばれた置換基でもよい。

　このような化合物として以下に記載のものが挙げられる。

　また、含ヘテロ環化合物は、以下の一般式（２１）または（２２）で表されるラダー型含へテロ環化合物でもよい。本実施形態では、ラダー型含へテロ環化合物のうちラダー型フラン化合物が好ましい。ラダー型フラン化合物は、例えばカルバゾール、ジベンゾフラン誘導体と同様に、比較的大きな３重項エネルギーを得ることができる。

［式（２１）および（２２）において、Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数３～２４のヘテロアリール基を表す。但し、Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３は置換基Ｙを一個または複数個有していてもよく、複数個の場合はそれぞれ異なっていてもよく、Ｙは炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数７～２４のアラルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＡｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３と炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表す。

　式（２１）および（２２）において、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_３およびＸ_４は、それぞれ独立に、Ｏ、ＳまたはＮ－Ｒ_１またはＣＲ_２Ｒ_３を表す。
　式（２１）および（２２）において、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は、それぞれ独立に、炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数７～２４のアラルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数３～２４のヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_１とＸ_２が共にＮ－Ｒ_１でｏ、ｐが０、ｑが１の場合、または、Ｘ_１とＸ_３が共にＮ－Ｒ_１でｐ、ｑが０、ｏが１の場合は、Ｒ_１の少なくとも１つは置換もしくは無置換の環形成原子数８～２４である１価の縮合ヘテロアリール基を表す。
　式（２１）および（２２）において、ｏ、ｐおよびｑは０または１、ｓは１、２または３を表す。ｎは２、３または４を表し、それぞれＬ_３を連結基とした２量体、３量体、４量体である。

　式（２１）および（２２）において、Ｌ_１は単結合、炭素数１～２０のアルキル基あるいはアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基あるいはシクロアルキレン基、炭素数２～２０の１価あるいは２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基、または環形成原子数３～２４でＡｒ_１と炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の１価あるいは２価のヘテロアリール基を表す。

　式（２１）において、Ｌ_２は単結合、炭素数１～２０のアルキル基あるいはアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基あるいはシクロアルキレン基、炭素数２～２０の１価あるいは２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基、または環形成原子数３～２４でＡｒ_３と炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の１価あるいは２価のヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_１とＸ_２が共にＣＲ_２Ｒ_３でｏ、ｐが０、ｑが１であり、かつＬ_１、Ｌ_２が共に置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基である場合、または、Ｘ_１とＸ_３が共にＣＲ_２Ｒ_３でｐ、ｑが０、ｏが１であり、かつＬ_１、Ｌ_２が共に置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基である場合、Ｌ_１、Ｌ_２は同時にＡｒ_２に対してパラ位置に連結する場合は無い。

　式（２２）において、Ｌ_３は、ｎが２の場合、単結合、炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキレン基、炭素数２～２０の２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の２価のアリール基、または環形成原子数３～２４でＡｒ_３と炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の２価のヘテロアリール基を表し、ｎが３の場合、炭素数１～２０の３価のアルカン、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０の３価のシクロアルカン、炭素数１～２０の３価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の３価のアリール基、または環形成原子数３～２４でＡｒ_３と炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の３価のヘテロアリール基を表し、ｎが４の場合、炭素数１～２０の４価のアルカン、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０の４価のシクロアルカン、ケイ素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の４価のアリール基、または環形成原子数３～２４でＡｒ_３と炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の４価のヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_１とＸ_２が共にＣＲ_２Ｒ_３でｏ、ｐが０、ｑが１であり、かつＬ_１、Ｌ_３が共に置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価、２価、３価あるいは４価のアリール基である場合、または、Ｘ_１とＸ_３が共にＣＲ_２Ｒ_３でｐ、ｑが０、ｏが１であり、かつＬ_１、Ｌ_３が共に置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価、２価、３価あるいは４価のアリール基である場合、Ｌ_１、Ｌ_３は同時にＡｒ_２に対してパラ位置に連結する場合は無い。

　式（２１）および（２２）において、Ａ_１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＬ_１と炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表す。
　式（２１）において、Ａ_２は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＬ_２と炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_１とＸ_２がＯ、Ｓ、もしくはＣＲ_２Ｒ_３でｏ、ｐが０、ｑが１であり、かつＬ_１、Ｌ_２が共に単結合である場合、または、Ｘ_１とＸ_３がＯ、Ｓ、もしくはＣＲ_２Ｒ_３でｐ、ｑが０、ｏが１であり、かつＬ_１、Ｌ_２が共に単結合である場合、Ａ_１とＡ_２は同時に水素原子である場合はない。
　式（２１）および（２２）において、Ａ_１、Ａ_２、Ｌ_１、Ｌ_２およびＬ_３は、カルボニル基を含まない。］

　また、ラダー型含へテロ環化合物は、下記一般式（２３）～（２６）のいずれかで表されるものでもよい。

［式（２３）～（２６）において、Ｘ_５、Ｘ_６、Ｘ_７およびＸ_８は、それぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、またはＮ－Ｒ_１を表す。

　式（２３）～（２６）において、Ｒ_１は炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数７～２４のアラルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数３～２４のヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_５とＸ_６、またはＸ_７とＸ_８が共にＮ－Ｒ_１の場合は、Ｒ_１の少なくとも１つは置換もしくは無置換の環形成原子数８～２４である１価の縮合ヘテロアリール基を表す。
　式（２５）および（２６）において、ｎは２、３または４を表し、それぞれＬ_３を連結基とした２量体、３量体、４量体である。

　式（２３）～（２６）において、Ｌ_１は単結合、炭素数１～２０のアルキル基あるいはアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基あるいはシクロアルキレン基、炭素数２～２０の１価あるいは２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基、または環形成原子数３～２４のベンゼン環ａと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の１価あるいは２価のヘテロアリール基を表す。
式（２３）および（２４）において、Ｌ_２は単結合、炭素数１～２０のアルキル基あるいはアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基あるいはシクロアルキレン基、炭素数２～２０の１価あるいは２価のシリル基、置換もしくは無置換である環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基、または環形成原子数３～２４のベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の１価あるいは２価のヘテロアリール基を表す。
　式（２５）および（２６）において、Ｌ_３は、ｎが２の場合、単結合、炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキレン基、炭素数２～２０の２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の２価のアリール基、または環形成原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の２価のヘテロアリール基を表し、ｎが３の場合、炭素数１～２０の３価のアルカン、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０の３価のシクロアルカン、炭素数１～２０の３価のシリル基、置換もしくは無置換で環形成炭素数６～２４の３価のアリール基、または原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の３価のヘテロアリール基を表し、ｎが４の場合、炭素数１～２０の４価のアルカン、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０の４価のシクロアルカン、ケイ素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の４価のアリール基、または環形成原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の４価のヘテロアリール基を表す。

　式（２３）～（２６）において、Ａ_１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＬ_１と炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。
　式（２３）、式（２４）において、Ａ_２は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＬ_２と炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_５とＸ_６、またはＸ_７とＸ_８が、ＯもしくはＳであり、かつＬ_１、Ｌ_２が共に単結合である場合、Ａ_１とＡ_２は同時に水素原子である場合はない。
　式（２３）～（２６）において、Ｙ_１、Ｙ_２およびＹ_３は、炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数７～２４のアラルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数３～２４でベンゼン環ａ、ｂ、ｃと炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。Ｙ_１、Ｙ_３の数は０、１、２または３、Ｙ_２の数は０、１または２である。
　式（２３）～（２６）において、Ａ_１、Ａ_２、Ｌ_１、Ｌ_２およびＬ_３は、カルボニル基を含まない。］

　また、ラダー型含へテロ環化合物は、下記一般式（２７）～（３２）のいずれかで表されるものでもよい。

［式（２７）～（３２）において、Ｘ_９、Ｘ_１０、Ｘ_１１、Ｘ_１２、Ｘ_１３およびＸ_１４は、それぞれ独立に、Ｏ、ＳまたはＮ－Ｒ_１を表す。
　式（２７）～（３２）において、Ｒ_１は炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数７～２４のアラルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数３～２４のヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_９とＸ_１０、Ｘ_１１とＸ_１２、またはＸ_１３とＸ_１４が共にＮ－Ｒ_１の場合は、Ｒ_１の少なくとも１つは置換もしくは無置換の環形成原子数８～２４である１価の縮合ヘテロアリール基を表す。
　式（３０）～（３２）において、ｎは２、３または４を表し、それぞれＬ_３を連結基とした２量体、３量体、４量体である。

　式（２７）～（３２）において、Ｌ_１は単結合、炭素数１～２０のアルキル基あるいはアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基あるいはシクロアルキレン基、炭素数２～２０の１価あるいは２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基、または環形成原子数３～２４のベンゼン環ａと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の１価あるいは２価のヘテロアリール基を表す。
　式（２７）～（２９）において、Ｌ_２は単結合、炭素数１～２０のアルキル基あるいはアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基あるいはシクロアルキレン基、炭素数２～２０の１価あるいは２価のシリル基、置換もしくは無置換である環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基、または環形成原子数３～２４のベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の１価あるいは２価のヘテロアリール基を表す。

　式（３０）～（３２）において、Ｌ_３は、ｎが２の場合、単結合、炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキレン基、炭素数２～２０の２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の２価のアリール基、または環形成原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の２価のヘテロアリール基を表し、ｎが３の場合、炭素数１～２０の３価のアルカン、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０の３価のシクロアルカン、炭素数１～２０の３価のシリル基、置換もしくは無置換で環形成炭素数６～２４の３価のアリール基、または原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の３価のヘテロアリール基を表し、ｎが４の場合、炭素数１～２０の４価のアルカン、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０の４価のシクロアルカン、ケイ素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の４価のアリール基、または環形成原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の４価のヘテロアリール基を表す。

　式（２７）～（３２）において、Ａ_１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＬ_１と炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。
　式（２７）～（２９）において、Ａ_２は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＬ_２と炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_９とＸ_１０、Ｘ_１１とＸ_１２、またはＸ_１３とＸ_１４が、ＯもしくはＳであり、かつＬ_１、Ｌ_２が共に単結合である場合、Ａ_１とＡ_２は同時に水素原子である場合はない。

　式（２７）～（３２）において、Ｙ_１、Ｙ_２およびＹ_３は、炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数７～２４のアラルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数３～２４でベンゼン環ａ、ｂ、ｃと炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。Ｙ_１、Ｙ_３の数は０、１、２または３、Ｙ_２の数は０、１または２である。
　式（２７）～（３２）において、Ａ_１、Ａ_２、Ｌ_１、Ｌ_２およびＬ_３は、カルボニル基を含まない。］

　さらに、ラダー型含へテロ環化合物は、下記一般式（３３）または（３４）で表されるものでもよい。

［式（３３）および（３４）において、Ｘ_１５、Ｘ_１６は、それぞれ独立に、Ｏ、ＳまたはＮ－Ｒ_１を表す。

　式（３３）および（３４）において、Ｒ_１は炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数７～２４のアラルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数３～２４のヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_１５とＸ_１６が共にＮ－Ｒ_１の場合は、Ｒ_１の少なくとも１つは置換もしくは無置換の環形成原子数８～２４である１価の縮合ヘテロアリール基を表す。
　式（３４）において、ｎは２、３または４を表し、それぞれＬ_３を連結基とした２量体、３量体、４量体である。
　式（３３）および（３４）において、Ｌ_１は単結合、炭素数１～２０のアルキル基あるいはアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基あるいはシクロアルキレン基、炭素数２～２０の１価あるいは２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基、または環形成原子数３～２４のベンゼン環ａと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の１価あるいは２価のヘテロアリール基を表す。

　式（３３）において、Ｌ_２は単結合、炭素数１～２０のアルキル基あるいはアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基あるいはシクロアルキレン基、炭素数２～２０の１価あるいは２価のシリル基、置換もしくは無置換である環形成炭素数６～２４の１価あるいは２価のアリール基、または環形成原子数３～２４のベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の１価あるいは２価のヘテロアリール基を表す。

　式（３４）において、Ｌ_３は、ｎが２の場合、単結合、炭素数１～２０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキレン基、炭素数２～２０の２価のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の２価のアリール基、または環形成原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の２価のヘテロアリール基を表し、ｎが３の場合、炭素数１～２０の３価のアルカン、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０の３価のシクロアルカン、炭素数１～２０の３価のシリル基、置換もしくは無置換で環形成炭素数６～２４の３価のアリール基、または原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の３価のヘテロアリール基を表し、ｎが４の場合、炭素数１～２０の４価のアルカン、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０の４価のシクロアルカン、ケイ素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４の４価のアリール基、または環形成原子数３～２４でベンゼン環ｃと炭素－炭素結合で連結する置換もしくは無置換の４価のヘテロアリール基を表す。

　式（３３）および（３４）において、Ａ_１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＬ_１と炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。
　式（３３）において、Ａ_２は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または環形成原子数３～２４でＬ_２と炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。但し、Ｘ_１５とＸ_１６が、ＯもしくはＳであり、かつＬ_１、Ｌ_２が共に単結合である場合、Ａ_１とＡ_２は同時に水素原子である場合はない。

　式（３３）および（３４）において、Ｙ_１、Ｙ_２およびＹ_３は、炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数７～２４のアラルキル基、炭素数３～２０のシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２４のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数３～２４でベンゼン環ａ、ｂ、ｃと炭素－炭素結合で連結するヘテロアリール基を表す。Ｙ_１、Ｙ_３の数は０、１、２または３、Ｙ_２の数は０、１または２である。
　式（３３）および（３４）において、Ａ_１、Ａ_２、Ｌ_１、Ｌ_２およびＬ_３は、カルボニル基を含まない。］

　ここで、一般式（２２）において、ｎが２であるものが好ましい。一般式（２５）または（２６）において、ｎが２であるものが好ましい。一般式（３０）、（３１）または（３２）において、ｎが２であるものが好ましい。一般式（３４）において、ｎが２であるものが好ましい。一般式（２３）または（２４）において、Ｙ_１、Ｙ_２およびＹ_３で表される置換基の合計数が３以下、一般式（２５）または（２６）における［］_ｎ内構造１つに対するＹ_１、Ｙ_２およびＹ_３で表される置換基の合計数が３以下であるものが好ましい。一般式（２７）、（２８）または（２９）において、Ｙ_１、Ｙ_２およびＹ_３で表される置換基の合計数が３以下、一般式（３０）、（３１）または（３２）における［］_ｎ内構造１つに対するＹ_１、Ｙ_２およびＹ_３で表される置換基の合計数が３以下であるものが好ましい。

　また、一般式（３３）において、Ｙ_１、Ｙ_２およびＹ_３で表される置換基の合計数が３以下、一般式（３４）における［］_ｎ内構造１つに対するＹ_１、Ｙ_２およびＹ_３で表される置換基の合計数が３以下であるものが好ましい。一般式（２１）または（２２）において、Ｘ_１とＸ_２またはＸ_３とＸ_４が、それぞれＮ－Ｒ_１で表され、Ｘ_１のＮ－Ｒ_１とＸ_２のＮ－Ｒ_１、またはＸ_３のＮ－Ｒ_１とＸ_４のＮ－Ｒ_１が異なっているものが好ましい。一般式（２３）～（２６）において、Ｘ_５とＸ_６またはＸ_７とＸ_８が、それぞれＮ－Ｒ_１で表され、Ｘ_５のＮ－Ｒ_１とＸ_６のＮ－Ｒ_１、またはＸ_７のＮ－Ｒ_１とＸ_８のＮ－Ｒ_１が異なっているものが好ましい。一般式（２７）～（３２）において、Ｘ_９とＸ_１０、Ｘ_１１とＸ_１２またはＸ_１３とＸ_１４が、それぞれＮ－Ｒ_１で表され、Ｘ_９のＮ－Ｒ_１とＸ_１０のＮ－Ｒ_１、Ｘ_１１のＮ－Ｒ_１とＸ_１２のＮ－Ｒ_１、またはＸ_１３のＮ－Ｒ_１とＸ_１４のＮ－Ｒ_１が異なっているものが好ましい。一般式（３３）または（３４）において、Ｘ_１５とＸ_１６が、それぞれＮ－Ｒ_１で表され、Ｘ_１５のＮ－Ｒ_１とＸ_１６のＮ－Ｒ_１が異なっているものが好ましい。一般式（２１）または（２２）において、Ｘ_１とＸ_２またはＸ_３とＸ_４が共に酸素原子であるものが好ましい。一般式（２３）～（２６）において、Ｘ_５とＸ_６またはＸ_７とＸ_８が共に酸素原子であるものが好ましい。

　さらに、一般式（２７）～（３２）において、Ｘ_９とＸ_１０、Ｘ_１１とＸ_１２またはＸ_１３とＸ_１４が、共に酸素原子であるものが好ましい。一般式（３３）または（３４）において、Ｘ_１５とＸ_１６が共に酸素原子であるものが好ましい。

　上記一般式（２１）～式（３４）のラダー型含ヘテロ環化合物としては、以下のようなものが挙げられる。

　そして、含へテロ環化合物としては、以下のアゾール化合物でもよい。

（一般式（Ａ）中、Ｒ^A1、Ｒ^A2およびＲ^A3は、それぞれ水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ^A4、Ｒ^A5およびＲ^A6は、それぞれ置換基を表す。ｎ^A1、ｎ^A2およびｎ^A3は、それぞれ０～３の整数を表す。Ｘ^A1、Ｘ^A2およびＸ^A3は、それぞれ窒素原子またはＣ－Ｒ^X（Ｒ^Xは水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｙ^A1、Ｙ^A2およびＹ^A3は、それぞれ窒素原子またはＣ－Ｒ^YX（Ｒ^YXは水素原子または置換基を表す。）を表す。）

　また、縮合多環芳香族誘導体又は含へテロ環化合物としては、以下のようなフェナントロリン誘導体でもよい。

　ここで、上記式において、Ｘ₁～Ｘ₁₀はNまたはC-Rであり、Rは置換基を表し、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。

　上記式において、X₁,X₂,X₃,X₄は独立でNまたはC-A1を示し、A1は置換基を表し、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基をあらわす。
nは２以上の自然数、Zは連結基を表す。Rは水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。

　また、含へテロ環化合物としては、以下のような金属錯体でもよい。

（上記式において、n=2のとき、Mは2価の金属イオン（マグネシウム、亜鉛、銅、パラジウム、プラチナ、金）、n=3のとき、Mは3価の金属イオン（アルミ、イットリウム、スカンジウム、希土類）、Ｒ_１～Ｒ_６は各々独立に、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。）

　ｍは、0または1であり、mが1の時Lは、

であり、Ａｒ_１～Ａｒ_５は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示し、Ｚはシリコンまたはゲルマニウムを示し、Ｒ_１～Ｒ_６は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。

（式中、n=2のとき、Mは2価の金属イオン（マグネシウム、亜鉛、銅、パラジウム、プラチナ、金）、n=3のとき、Mは3価の金属イオン（アルミ、イットリウム、スカンジウム、希土類）。XはOまたはS、N－Y （YはH原子、メチル、エチル、アリール基）、Ｒ１～Ｒ８は各々独立に、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。）

　ｍは、0または1であり、mが1の時Lは、

であり、Ａｒ_１～Ａｒ_５は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示し、Ｚはシリコンまたはゲルマニウムを示し、Ｒ_１～Ｒ_８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。）

　第１発光層及び前記第２発光層の縮合多環芳香族誘導体は、ナフタレン誘導体であり、第３発光層の含ヘテロ環化合物は、ラダー型含へテロ環化合物からなる組み合わせであることが好ましい。
　前記ナフタレン誘導体は、フェナントレン環、フルオレン環、フルオランテン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環、ベンゾクリセン環、ベンゾフェナントレン環から選択される骨格を１つ以上含むことが好ましい。
　また前記ラダー型含ヘテロ環化合物はラダー型フラン化合物であることが好ましい。
　また、第１発光層及び第２発光層の縮合多環芳香族誘導体は、式（１）または式（２）で表される化合物であって、第３発光層の含ヘテロ環化合物は、式（２３）～（３２）で表される式から選択される化合物である組み合わせであることが好ましい。

（燐光発光ドーパント）
　本実施形態において用いられる燐光発光ドーパントは、燐光発光を示すものであり、金属錯体を含有するものが好ましい。該金属錯体としては、第６周期のＩｒ，Ｐｔ，Ｏｓ，Ａｕ，及びＲｅから選択される金属原子と配位子とを有するものが好ましい。特に、前記配位子は、オルトメタル結合を有することが好ましい。
　燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、イリジウム（Ｉｒ），オスミウム（Ｏｓ）および白金（Ｐｔ）から選ばれる金属を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。
　金属錯体の具体例を、以下に示すが、この中で緑～赤に発光する金属錯体が特に好ましい。

　本実施形態の有機ＥＬ素子は、陰極と有機薄膜層との界面領域に還元性ドーパントを有することも好ましい。
　このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
　還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。

　アルカリ金属としては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）、Ｃｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。
　アルカリ土類金属としては、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０～２．５ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
　希土類金属としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
　以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。

　アルカリ金属化合物としては、Ｌｉ_２Ｏ、Ｃｓ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ等のアルカリ酸化物、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、ＬｉＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＮａＦが好ましい。
　アルカリ土類金属化合物としては、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びこれらを混合したＢａ_ｘＳｒ_１－ｘＯ（０＜ｘ＜１）、Ｂａ_ｘＣａ_１－ｘＯ（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。
　希土類金属化合物としては、ＹｂＦ_３、ＳｃＦ_３、ＳｃＯ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｃｅ_２Ｏ_３、ＧｄＦ_３、ＴｂＦ_３等が挙げられ、ＹｂＦ_３、ＳｃＦ_３、ＴｂＦ_３が好ましい。

　アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β－ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体などが好ましいが、これらに限定されるものではない。

　還元性ドーパントの添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成すると好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により還元性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に還元ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度はモル比で有機物：還元性ドーパント＝１００：１～１：１００、好ましくは５：１～１：５である。
　還元性ドーパントを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１～１５ｎｍで形成する。
　還元性ドーパントを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５～１ｎｍで形成する。
　また、本実施形態の有機ＥＬ素子における、主成分と還元性ドーパントの割合としては、モル比で主成分：還元性ドーパント＝５：１～１：５であると好ましく、２：１～１：２であるとさらに好ましい。

　本実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層と陰極との間に電子輸送層又は電子注入層を有し、該電子輸送層又は電子注入層は、上記有機ＥＬ素子用材料を含むことが好ましく、主成分として含むことがより好ましい。ここで、電子注入層は電子輸送層として機能する層であってもよい。
　なお、「主成分として」とは、電子注入層が５０質量％以上の有機ＥＬ素子用材料を含有していることを意味する。
　電子注入層又は電子輸送層は、発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きい。電子注入層はエネルギーレベルの急な変化を緩和する等、エネルギーレベルを調整するために設ける。
　電子輸送層又は電子注入層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましい。

　また、含窒素環誘導体としては、以下のような金属錯体でもよい。

　ｍは、0または1であり、mが1の時Lは、

　さらに、この含窒素環誘導体としては、例えば、下記式（Ａ１）で表される含窒素環金属キレート錯体が好ましい。

　Ｒ^２～Ｒ^７は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、オキシ基、アミノ基、炭素数１～４０の炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、又は、複素環基であり、これらは置換されていてもよい。
　ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。また、置換されていてもよいアミノ基の例としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基が挙げられる。
　炭素数１～４０の炭化水素基としては、置換もしくは無置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
　式（Ａ１）のＭとしては、前記した含窒素環誘導体としての金属錯体におけるＭと同様のものが挙げられる。また、式（Ａ１）のＯ－Ｌとしては、前記した含窒素環誘導体としての金属錯体における式（４１）～式（４４）のＬと同様のものが挙げられる。

　本実施形態では、電子注入層や電子輸送層は、含窒素複素環誘導体を含むことが好ましい。

　電子注入層又は電子輸送層は、発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きい。電子注入層はエネルギーレベルの急な変化を緩和する等、エネルギーレベルを調整するために設ける。電子注入層又は電子輸送層に用いられる材料としては、８－ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記８－ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８－キノリノール又は８－ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８－キノリノール）アルミニウムを用いることができる。そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記のものを挙げることができる。

　前記式中、Ａｒ^１７、Ａｒ^１８、Ａｒ^１９、Ａｒ^２１、Ａｒ^２２及びＡｒ^２５は、それぞれ置換基を有する若しくは有しないアリール基を示し、Ａｒ^１７とＡｒ^１８、Ａｒ^１９とＡｒ^２１、Ａｒ^２２とＡｒ^２５は、たがいに同一でも異なっていてもよい。Ａｒ^２０、Ａｒ^２３及びＡｒ^２４は、それぞれ置換基を有する若しくは有しないアリーレン基を示し、Ａｒ^２３とＡｒ^２４は、たがいに同一でも異なっていてもよい。
　また、アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。そして、これらへの置換基としては炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。

　含窒素複素環誘導体としては、以下の構造を有する有機化合物からなる含窒素複素環誘導体であって、金属錯体でない含窒素化合物が挙げられる。例えば、（Ａ）に示す骨格を含有する５員環もしくは６員環や、（Ｂ）に示す構造のものが挙げられる。

　前記（Ｂ）中、Ｘは炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ_１ならびにＺ_２は、それぞれ独立に含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。

　好ましくは、５員環もしくは６員環からなる含窒素芳香多環族を有する有機化合物。さらには、このような複数窒素原子を有する含窒素芳香多環族の場合は、上記式（Ａ）と（Ｂ）もしくは式（Ａ）と式（Ｃ）を組み合わせた骨格を有する含窒素芳香多環有機化合物。

　含窒素有機化合物の含窒素基は、例えば、以下で表される含窒素複素環基から選択される。

　前記各式中、Ｒは、炭素数６～４０のアリール基、炭素数３～４０のヘテロアリール基、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数１～２０のアルコキシ基であり、ｎは０～５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲは互いに同一又は異なっていてもよい。

　さらに、好ましい具体的な化合物として、下記式で表される含窒素複素環誘導体が挙げられる。

　前記式中、ＨＡｒは、置換基を有していても良い炭素数３～４０の含窒素複素環であり、Ｌ^１は単結合、置換基を有していてもよい炭素数６～４０のアリーレン基又は置換基を有していてもよい炭素数３～４０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ^１は置換基を有していても良い炭素数６～４０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ^２は置換基を有していても良い炭素数６～４０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３～４０のヘテロアリール基である。

　前記式中、Ｒ_１～Ｒ_４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族基、置換もしくは未置換の脂肪族式環基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基、置換もしくは未置換の複素環基を表し、Ｘ_１、Ｘ_２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子もしくはジシアノメチレン基を表す。

　また、下記の化合物（特開２０００－１７３７７４号公報参照）も好適に用いられる。

　前記式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は互いに同一の又は異なる基であって、下記式で表わされるアリール基である。

　前記式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、或いはそれらの少なくとも１つが飽和又は不飽和アルコキシル基、アルキル基、アミノ基又はアルキルアミノ基である。

　さらに、該含窒素複素環基もしくは含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。

　また、電子輸送層は、下記式（２０１）～（２０３）で表される含窒素複素環誘導体の少なくともいずれか１つを含有することが好ましい。

　前記式（２０１）～（２０３）中、Ｒは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数６～６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルコキシ基で、ｎは０～４の整数であり、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素数６～６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数１～２０のアルコキシ基であり、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数６～６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルコキシ基であり、Ｌは、置換基を有していてもよい炭素数６～６０のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素数６～６０のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基又は置換基を有していてもよいキノリニレン基であり、Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい炭素数６～６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルコキシ基である。
　Ａｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数６～６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルコキシ基、又は－Ａｒ^１－Ａｒ^２で表される基（Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ前記と同じ）である。

　なお、前記式（２０１）～（２０３）において、Ｒは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数６～６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルコキシ基である。

　なお、電子注入層又は電子輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは、１～１００ｎｍである。

　また、電子注入層の構成成分として、含窒素環誘導体の他に無機化合物として、絶縁体又は半導体を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
　このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ及びＮａ_２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２及びＢｅＦ₂等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
　また、半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
　このような絶縁体又は半導体を使用する場合、その層の好ましい厚みは、０．１ｎｍ～１５ｎｍ程度である。また、本実施形態における電子注入層は、前述の還元性ドーパントを含有していても好ましい。

　正孔注入層又は正孔輸送層（正孔注入輸送層も含む）には芳香族アミン化合物、例えば、下記（ＩＡ）で表わされる芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。

　前記（ＩＡ）において、Ａｒ^１～Ａｒ^４は置換もしくは無置換の核炭素数６～５０のアリール基又は置換もしくは無置換の核原子数５～５０のヘテロアリール基を表す。

　また、下記（ＩＩＡ）の芳香族アミンも正孔注入層又は正孔輸送層の形成に好適に用いられる。なお、下記（ＩＩＡ）においてＡｒ^１～Ａｒ^３は、前記（ＩＡ）におけるＡｒ^１～Ａｒ^４と同様のものを表す。

　なお、本発明は、上記の説明に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲での変更は本発明に含まれる。
　例えば次のような変更も本発明の好適な変形例である。
　本発明では、前記発光層が電荷注入補助材を含有していることも好ましい。
　エネルギーギャップが広いホスト材料を用いて発光層を形成した場合、ホスト材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と正孔注入・輸送層等のＩｐとの差が大きくなり、発光層への正孔の注入が困難となり、十分な輝度を得るための駆動電圧が上昇するおそれがある。

　このような場合、発光層に、正孔注入・輸送性の電荷注入補助剤を含有させることで、発光層への正孔注入を容易にし、駆動電圧を低下させることができる。
　電荷注入補助剤としては、例えば、一般的な正孔注入・輸送材料等が利用できる。
　具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー等を挙げることができる。

　正孔注入性の材料としては上記のものを挙げることができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物が好ましい。

　また、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’－ビス（Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”－トリス（Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
　また、特許第３６１４４０５号公報、特許第３５７１９７７号公報又は米国特許第４，７８０，５３６号明細書に記載されているヘキサアザトリフェニレン誘導体等も正孔注入性の材料として好適に用いることができる。

　また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料として使用することができる。

　本実施形態の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本実施形態の有機ＥＬ素子に用いる、前記有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
　本実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

　ここで、本実施形態の有機ＥＬ素子の動作について、図３に示す有機ＥＬ素子のバンドダイアグラムの一例を用いて説明する。
　図３に示した６つの長方形は、それぞれ正孔注入層６１、正孔輸送層６２、第１発光層５１、第３発光層５３、第２発光層５２、及び電子輸送層７１を示す。各長方形の上辺は、各層のアフィニティ準位を示し、下辺は、各層のイオン化ポテンシャル（概ねＨＯＭＯのエネルギーの大きさに等しい）を示す。ただし、第１発光層５１、第２発光層５２、及び第３発光層５３については、層全体の準位ではなくそれぞれのホストの準位を示している。

　有機ＥＬ素子１に電圧を印加すると、陽極３から正孔注入層６１及び正孔輸送層６２を介して第１発光層５１のホストに正孔が注入され、さらに、第１発光層５１を介して第３発光層５３、第２発光層５２にも正孔が注入される。
　一方、陰極４から電子輸送層７１を介して第２発光層５２のホストに電子が注入され、さらに、第２発光層５２を介して第３発光層５３、第１発光層５１にも電子が注入される。
　ここで、５１A、５２A、５３Aはドーパントである。注入された電荷は各発光層内で再結合し、各ドーパントからの発光が得られる。３発光層５３は、第１発光層５１及び第２発光層５２間に介在しているため、第１発光層５１及び第２発光層５２に溜まるキャリアの影響を受けにくい。
　したがって、第３発光層５３に含まれる含ヘテロ環化合物の劣化を抑制することができる。

＜変形例＞
　本発明の有機ＥＬ素子の構成は、図４に示すような本実施形態の燐光発光層５に他の発光層を追加した構成でもよい。
　すなわち、赤色の第１発光層５１、緑色の第３発光層５３、赤色の第２発光層５２、青色の第４発光層５４を有し、有機薄膜層１０として白色発光を呈する構成でもよい。赤色の第１発光層５１、緑色の第３発光層５３、及び赤色の第２発光層５２は、連続して設けられていることが好ましいため、赤色の第２発光層５２の陰極４側に青色の第４発光層５４を配置することが好ましい。ここで、図示を省略するが、青色の第４発光層５４は、赤色の第１発光層５１の陽極３側に配置されていてもよい。
　このような有機ＥＬ素子１は、白色を呈するため、照明装置などに採用することができる。第４発光層は蛍光ドーパント又は燐光ドーパントを有する。好ましくは燐光ドーパントを有することが好ましい。

　さらに、本発明の有機ＥＬ素子の構成は、図５に示すような構成でもよい。
　すなわち、複数の発光ユニットが中間層を介在して構成されている。具体的には、陽極３、有機薄膜層としての第1の発光ユニット１０、中間層８、第２有機薄膜層としての第2の発光ユニット１０Ａ、陰極４の順で構成されている。第１の発光ユニット１０は正孔注入・輸送層６、本実施形態の燐光発光層５（第1発光層５１、第3発光層５３、第2発光層５２）、電子注入・輸送層７の順で構成される。
　第2の発光ユニット１０Ａは、正孔注入・輸送層６、第5発光層５５、電子注入・輸送層７の順で構成される。
　中間層８は、電荷発生層、透明導電層等から構成される。例えば、陽極側からアルカリ金属やアルカリ金属酸化物などのアルカリ金属化合物とＨＡＴ等の電子受容性材料を積層したものや、酸化物半導体、もしくは陽極側からアルカリ金属やアルカリ金属酸化物などのアルカリ金属化合物と酸化物半導体を積層したものにより構成される。
　なお、第2の発光ユニット１０Ａは、第1の発光ユニット１０と同様の構成を有していても良い。
　このような構成の有機ＥＬ素子は、いわゆるタンデム型素子であるため、例えば、駆動電圧の低減を図ることができ、素子の長寿命化を図ることができる。
また、このような構成の有機ＥＬ素子は、白色を呈することもできる。

　以下、実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。

（実施例１）
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、正孔注入層として、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＴ１を１Å／ｓにて成膜した。
　この膜上に正孔輸送層として、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＴ２を１Å／ｓにて成膜した。
　さらに、この化合物ＨＴ２膜上に膜厚3ｎｍで化合物Ｌ１と化合物D１を2．8５：０．1５の膜厚比で成膜し第１発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．０５２Å／ｓとした。
　この膜上に膜厚35ｎｍで化合物Ｌ２と化合物D２を３1.5：3.5の膜厚比で成膜し第３発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．１１Å／ｓとした。
　さらに、この膜上に膜厚10ｎｍで化合物Ｌ１と化合物D１を9．５：０．5の膜厚比で成膜し第２発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．11Å／ｓとした。
　この膜上に電子輸送層として膜厚３０ｎｍで化合物ＥT１を製膜レート１Å／ｓで成膜した。
　この後、ＬｉＦを膜厚０．５ｎｍ、製膜レート０．１Å／ｓで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを製膜レート１Å／ｓにて１００ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

　実施例及び比較例で使用した化合物は以下の通りである。

化合物（L３）

化合物（L４）

化合物（L５）

化合物（L６）

化合物（Ｄ３）

（実施例２）
　第２発光層として、化合物L1にかえ、化合物L３を用いた以外は実施例１と同様にして素子を作成した。

（実施例３）
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、正孔注入層として、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＴ１を１Å／ｓにて成膜した。
　この膜上に正孔輸送層として、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＴ２を１Å／ｓにて成膜した。
　さらに、この化合物ＨＴ２膜上に膜厚3ｎｍで化合物Ｌ１と化合物D１を2．8５：０．1５の膜厚比で成膜し第１発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．０５２Å／ｓとした。
　この膜上に膜厚35ｎｍで化合物Ｌ２と化合物D２を３1.5：3.5の膜厚比で成膜し第３発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．１１Å／ｓとした。
　さらに、この膜上に膜厚10ｎｍで化合物Ｌ１と化合物D１を9．５：０．5の膜厚比で成膜し第２発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．11Å／ｓとした。
　この膜上に電子輸送層として膜厚３０ｎｍで化合物ＥT１を製膜レート１Å／ｓで成膜した。
　この後、アルカリ金属酸化物であるＬｉ_２Ｏを膜厚０．１ｎｍで製膜レート０．１Å／ｓで成膜した。この膜上に、電子供与性材料であるHAT（ヘキサシアノアザトリフェニレン）を膜厚２０ｎｍで製膜レート１Å／ｓで成膜した。
　この後、正孔注入層として、膜厚２０ｎｍの化合物ＨＴ１を１Å／ｓにて成膜した。この膜上に、正孔輸送層として、膜厚２０ｎｍの化合物ＨＴ２を１Å／ｓにて成膜した。
　さらに、この化合物ＨＴ２膜上に、膜厚４0ｎｍで化合物L６と化合物D３を３８：２の膜厚比で成膜し第５発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．０５２Å／ｓとした。
　この膜上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍで化合物ＥT１を製膜レート１Å／ｓで成膜した。
　この後、Ｌｉ_２Ｏを膜厚０．１ｎｍ、製膜レート０．１Å／ｓで成膜した。このＬｉ_２Ｏ膜上に金属Ａｌを製膜レート１Å／ｓにて１００ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

（比較例１）
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、正孔注入層として、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＴ１を１Å／ｓにて成膜した。
　この膜上に正孔輸送層として、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＴ２を１Å／ｓにて成膜した。
　さらに、この化合物ＨＴ２膜上に膜厚3ｎｍで化合物Ｌ１と化合物D１を2．8５：０．1５の膜厚比で成膜し第１発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．052Å／ｓとした。
　この膜上に膜厚３５ｎｍで化合物Ｌ２と化合物D２を３１．５：３．５の膜厚比で成膜し第３発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．１１Å／ｓとした。
　さらに、この膜上に電子輸送層として膜厚４０ｎｍで化合物ＥT１を製膜レート１Å／ｓで成膜した。
　この後、ＬｉＦを膜厚０．５ｎｍ、製膜レート０．１Å／ｓで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを製膜レート１Å／ｓにて１００ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

（比較例２）
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、正孔注入層として、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＴ１を１Å／ｓにて成膜した。
　この膜上に正孔輸送層として、膜厚１０ｎｍの化合物ＨＴ２を１Å／ｓにて成膜した。
　さらに、この化合物ＨＴ２膜上に膜厚３５ｎｍで化合物Ｌ２と化合物D２を３１．５：３．５の膜厚比で成膜し第３発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．１１Å／ｓとした。
　さらに、この膜上に膜厚10ｎｍで化合物Ｌ１と化合物D１を9．５：０．５の膜厚比で成膜し第２発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．０５２Å／ｓとした。
　この膜上に電子輸送層として膜厚3０ｎｍで化合物ＥT１を製膜レート１Å／ｓで成膜した。
　この後、ＬｉＦを膜厚０．５ｎｍ、製膜レート０．１Å／ｓで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを製膜レート１Å／ｓにて１００ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

（比較例３）
　第1発光層および第２発光層として、化合物L1にかえ化合物L４を用い、第３発光層として化合物L２にかえ化合物L５を用いた以外は実施例１と同様にして素子を作成した。

（評価）
　実施例１～３、比較例１～３の有機ＥＬ素子の評価は下記の通りである。
（１）初期性能：素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流電流により発光させ、発光効率（Ｌ／Ｊ）を測定した。
（２）寿命：初期輝度１００００ｎｉｔにて定電流駆動し、輝度の５０％減衰までの時間（ＬＴ５０）で評価した。
（３）色度変化：初期状態での色度と、初期輝度１００００ｎｉｔにて定電流駆動し輝度の５０％減衰を迎えた時の色度との差で評価した。
　これらの結果を表１に示す。

　実施例１、２では、陽極側の第１発光層及び陰極側の第２発光層に、ヘテロ環骨格を有しない化合物であるＬ１又はＬ３を用いたため、比較例１～３と比較して、輝度半減寿命を向上させることができ、しかも、色度変化も大きく抑制することができた。また、実施例３では、実施例１、２と同様に、色度変化も大きく抑制でき、しかも、素子の長寿命を図ることもできた。
　したがって、電流密度の変化時と連続駆動時にも色安定性に優れた有機ＥＬ素子が得られることが分かった。

　本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置や表示装置などに利用することができる。

　　１　　有機エレクトロルミネセンス素子
　　２　　基板
　　３　　陽極
　　４　　陰極
　　５　　燐光発光層
　　６　　正孔注入・輸送層
　　７　　電子注入・輸送層
　　８　　中間層
　１０　　有機薄膜層
　１０Ａ　第２有機薄膜層（第２の発光ユニット）
　５１　　第１発光層
　５２　　第２発光層
　５３　　第３発光層

Claims

　陽極と陰極との間に、少なくとも３つの発光層を有する有機薄膜層を備えた有機エレクトロルミネセンス素子であって、
　前記有機薄膜層は、前記陽極側の第１発光層と、前記陰極側の第２発光層と、前記第１発光層及び前記第２発光層間に介在された第３発光層と、を含んで構成され、
　前記第１発光層、前記第２発光層、及び前記第３発光層は、それぞれ燐光ドーパントを含有し、
　前記第１発光層、及び前記第２発光層は、縮合多環芳香族誘導体をホスト材料とする
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記第３発光層は、含ヘテロ環化合物をホスト材料とする
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項２に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記第３発光層の含ヘテロ環化合物の３重項エネルギーは、前記第１発光層及び前記第２発光層の縮合多環芳香族誘導体の３重項エネルギーよりも大きい
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記縮合多環芳香族誘導体は、３重項エネルギーが２．０ｅＶ以上である
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記縮合多環芳香族誘導体は、縮合多環芳香族炭化水素である
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記第１発光層及び前記第２発光層に含まれる燐光ドーパントの発光波長は、いずれも前記第３発光層に含まれる燐光ドーパントの発光波長より長い
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項６に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記第１発光層及び前記第２発光層に含まれる燐光ドーパントは、それぞれ赤色発光を示し、
　前記第３発光層に含まれる燐光ドーパントは、緑色発光を示す
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項２から請求項７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記第１発光層及び前記第２発光層の縮合多環芳香族誘導体は、ナフタレン誘導体であり、
　前記第３発光層の含ヘテロ環化合物は、ラダー型含へテロ環化合物である
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項８に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記ナフタレン誘導体は、フェナントレン環、フルオレン環、フルオランテン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環、ベンゾクリセン環、ベンゾフェナントレン環から選択される骨格を１つ以上含む
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項８に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記ラダー型含ヘテロ環化合物はラダー型フラン化合物である
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記燐光ドーパントは、金属錯体を含有し、
　この金属錯体は、第６周期の金属原子と、配位子を有する
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１１に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記金属原子は、イリジウムである
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記第１発光層の発光色、前記第２発光層の発光色、及び前記第３発光層の発光色を含んで白色発光を呈する
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１３に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　さらに第２有機薄膜層を備え、
　前記有機薄膜層及び第２有機薄膜層間には、中間層が介在している
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
　請求項１４に記載の有機エレクトロルミネセンス素子において、
　前記有機薄膜層及び前記第２有機薄膜層は、発光色がそれぞれ異なり、これらの発光色を含んで白色を呈する
　ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。