WO2010089971A1 - 電力増幅器及び電力増幅方法 - Google Patents

電力増幅器及び電力増幅方法 Download PDF

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山之内慎吾
國弘和明
椎熊一実
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日本電気株式会社
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    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21142Output signals of a plurality of power amplifiers are parallel combined to a common output

Definitions

  • the present invention relates to a power amplifier and a power amplification method, and more particularly to a power amplifier and a power amplification method for amplifying a modulation signal including an amplitude modulation component and a phase modulation component.
  • the power amplifier (Power ⁇ Amplifier: PA) used for wireless communication devices consumes power especially among communication devices. For this reason, improving the power efficiency of the power amplifier is regarded as an important issue for communication device development. In recent communication standards, amplitude modulation has become the mainstream for improving spectral efficiency. This amplitude modulation has severe requirements for signal distortion. Therefore, the power amplifier used in the communication device is operated in a high back-off (low input power) state in order to improve linearity. However, when performing a high back-off operation, there is a problem that the power efficiency of power amplification decreases.
  • polar modulation technology has been actively proposed in recent years in order to solve the problem of coexistence of power efficiency and linearity of such a power amplifier.
  • a polar modulator In the polar modulation technique, a polar modulator, an RF (Radio-Frequency) amplifier, and a power supply modulator are used.
  • the polar modulator extracts an amplitude modulation component and a phase modulation component of a modulation signal (for example, transmission signal data).
  • ET envelope Tracking
  • EER envelope Elimination and Restoration
  • the polar modulator outputs an RF (Radio Frequency) modulation signal in which an amplitude modulation component and a phase modulation component are superimposed on a carrier wave.
  • the polar modulator outputs an RF modulation signal in which the phase modulation component of the extracted modulation components is superimposed on the carrier wave.
  • the polar modulator outputs an amplitude modulation component among the extracted modulation components to the power supply modulator.
  • the power supply modulator modulates the power supplied to the RF amplifier in accordance with the amplitude modulation component input from the polar modulator.
  • the RF amplifier amplifies the RF modulation signal input from the polar modulator, and modulates and outputs the amplified RF modulation signal based on the power source modulated by the power source modulator.
  • the power supplied to the RF amplifier is modulated according to the amplitude of the RF modulation signal input to the RF amplifier.
  • the power supply modulator when performing power amplification of a modulated signal using polar modulation technology, high performance is required for the power supply modulator in order to increase the accuracy of the signal that is finally output.
  • the power supply modulator has characteristics such as accurate broadband operation (high speed), output of large voltage and low noise signals over a wide operating range (wide dynamic range), and high power efficiency. It is required to satisfy. Thus, techniques for satisfying these characteristics are described in Patent Documents 1 to 5.
  • the power amplifier 100 includes an error correction unit 113 that corrects a signal error of the pulse modulation unit 112.
  • the pulse modulator 112 is implemented by a high power efficiency switching amplifier.
  • the pulse modulation unit 112 supplies power to the RF amplifier 111.
  • the error correction unit 113 corrects switching noise generated in the pulse modulation unit 112.
  • the power amplifier 100 implements high power efficiency and wide dynamic range (low noise) characteristics by mounting the pulse modulation unit 112 and the error correction unit 113 with high power efficiency.
  • FIG. 21 shows a block diagram of the pulse modulation unit 112, the error correction unit 113, and the low-pass filter 114 of the power amplifier 100.
  • the pulse modulation unit 112 includes a pulse modulator 150, a switching amplifier 124, an attenuator 125, and an integrator 126
  • the error correction unit 113 includes an error amplifier 131, an attenuator 133, and an addition.
  • the device 132 is configured.
  • the portion combining the pulse modulation unit 112 and the low-pass filter (LPF) 114 and the error amplifier 131 can be regarded as voltage sources that output a desired voltage by voltage feedback, respectively.
  • the adder 132 is mounted as a capacitor and has a high-pass filter (HPF) characteristic. Therefore, it can be considered that the part combining the pulse modulation unit 112 and the LPF 114 operates as a low-frequency component voltage source, the error amplifier 131 operates as a high-frequency component voltage source, and the adder 132 operates as a high-pass filter. it can. That is, the circuit shown in FIG. 21 supplies a voltage obtained by synthesizing the voltage generated by the low-frequency component voltage source and the voltage generated by the high-frequency voltage source to the RF amplifier as a modulation power source.
  • a voltage source having a low output impedance that is, a combination of the pulse modulation unit 112 and the low-pass filter 114 and the error amplifier 131 are connected in parallel, so that a short circuit occurs between these voltage sources.
  • an adder (high-pass filter) 132 is inserted between the voltage sources, and a current flows between the voltage sources within a desired signal band (low frequency) with high power density. To prevent that.
  • an adder (high-pass filter) 132 allows a current to flow outside the noisy desired signal band (high frequency).
  • Patent Document 2 proposes a technique for avoiding the problems in Patent Document 1.
  • a block diagram of the power amplifier 200 disclosed in Patent Document 2 is shown in FIG.
  • a desired voltage is applied to the load 211 by the linear amplifier 202.
  • the linear amplifier 202 is configured as a voltage follower type, and is operated as a voltage source having a low output impedance.
  • a desired current is supplied from the switching amplifier 242 to the load 211.
  • the switching amplifier 242 operates as a current source that outputs a desired current by performing pulse modulation control based on the detection current in the sense resistor 208 by the pulse modulator 236.
  • the power amplifier 200 can be regarded as using the linear amplifier 202 as a voltage source and the switching amplifier 242 as a current source.
  • the power amplifier 200 is connected in parallel and supplies power to a load (RF amplifier) by a voltage source and a current source. Further, the current Ilin from the voltage source is detected, and the output current Isw from the current source is controlled. Further, by using the linear amplifier 202 having a small error with respect to the load 211 as a voltage source, an error in the output voltage Vout can be suppressed. In addition, since most of the power is supplied from the high-efficiency switching amplifier 242, high power efficiency can be obtained. Furthermore, since the output of the current source has high impedance, no unnecessary power flows due to a short circuit between the voltage source and the current source.
  • a method equivalent to Patent Document 2 is also disclosed in Patent Documents 3 and 4.
  • a power amplifier 300 described in Patent Document 3 is shown in FIG.
  • a circuit composed of the buffer amplifier circuit 310 and the class AB amplifier 322 is used as a voltage source, and a circuit composed of the current sensor 338, the pulse width modulator 340, and the DC / DC converter 324 is converted into a current. Used as a source.
  • a block diagram of the power amplifier 400 described in Patent Document 4 is shown in FIG.
  • the analog linear amplifier 405 is used as a voltage source
  • the nonlinear amplifier 403 is used as a current source.
  • the power amplifiers 300 and 400 like the power amplifier 200, supply most of the power from a high-efficiency current source, suppress errors in the output voltage Vout with a high-accuracy voltage source, and reduce the amount of error and power efficiency. To achieve both.
  • Patent Document 5 discloses a power amplifier using a linear regulator that amplifies a low-frequency component amplitude modulation signal, a high-pass filter that amplifies a high-frequency component amplitude modulation signal, and a high-frequency signal amplifier.
  • the signal accuracy is improved by synthesizing signals generated by the linear regulator and the high-frequency signal amplifier.
  • the current source in the power supply modulator is mounted by a high power efficiency switching amplifier, and generates a large current to be supplied from this current source to the RF amplifier.
  • a high-speed switching operation is difficult for a switching amplifier that supports a large current, and it is impossible to output a current that follows the high-frequency component of the output signal of the power supply modulator. Therefore, the current corresponding to the high frequency component must be output from a voltage source implemented by a low power efficiency linear amplifier. Therefore, in the power amplifiers described in Patent Documents 2 to 4, there is a problem that the power consumption of the voltage source in the power supply modulator becomes high.
  • an object of the present invention is to reduce power consumption of a power amplifier.
  • One aspect of the power amplifier according to the present invention is a power amplifier that amplifies a modulation signal including an amplitude modulation component and a phase modulation component, and amplifies a low-frequency component of the amplitude modulation component of the modulation signal, thereby A first voltage source that outputs a voltage; a second voltage source that amplifies a high-frequency component of the amplitude modulation component of the modulation signal and outputs a second voltage; and amplifies the amplitude component of the modulation signal A current source that outputs current; a combining circuit that combines the first voltage, the second voltage, and the current to generate a modulated power supply signal; and amplifies a signal in which the modulation signal is superimposed on a carrier wave; And an RF amplifier that amplitude-modulates and outputs the amplified signal by the modulation power source.
  • One aspect of the power amplification method according to the present invention is a power amplification method for amplifying a modulation signal including an amplitude modulation component and a phase modulation component, wherein a first low frequency component is amplified by amplifying a low frequency component of the amplitude component of the modulation signal.
  • a modulated power supply signal is generated by combining the second voltage and the current, a signal obtained by superimposing the modulated signal on a carrier wave is amplified, and the amplified signal is amplitude-modulated by the modulated power supply and output.
  • the power amplifier and the power amplification method according to the present invention it is possible to reduce power consumption in the power amplifier while improving signal accuracy.
  • 1 is a block diagram of a power amplifier according to a first exemplary embodiment.
  • 1 is a block diagram of a power amplifier according to a first exemplary embodiment.
  • 1 is a block diagram of a power supply modulator according to a first exemplary embodiment;
  • 1 is a circuit diagram of a power supply modulator according to a first exemplary embodiment;
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a low frequency voltage source of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment;
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a high-frequency voltage source of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment.
  • 3 is a comparative example of a power supply modulator for explaining the effect of the power supply modulator according to the first embodiment; 3 is a graph showing an output voltage waveform of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment; 3 is a graph showing an output voltage waveform of a comparative example of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment; 3 is a graph showing an output voltage waveform of a comparative example of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment; 3 is a graph showing an output voltage waveform and an output current waveform of a high frequency voltage source of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment; 3 is a graph showing an output voltage waveform and an output current waveform of a low frequency voltage source of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment; 3 is a graph showing an output voltage waveform and an output current waveform of a comparative example of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment; FIG.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a modification of the power supply modulator according to the first exemplary embodiment
  • FIG. 3 is a circuit diagram of a power supply modulator according to a second exemplary embodiment.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a modification of the power supply modulator according to the second exemplary embodiment
  • FIG. 6 is a circuit diagram of a power supply modulator according to a third exemplary embodiment.
  • 10 is a graph showing a pulse modulation signal of a current source according to the third embodiment.
  • 10 is a graph showing a modulated power supply signal output by the power supply modulator according to the third exemplary embodiment
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a modification of the power supply modulator according to the third exemplary embodiment
  • 2 is a block diagram of a power amplifier described in Patent Document 1.
  • FIG. FIG. 6 is a circuit diagram of a pulse modulation unit, a filter, and an error correction unit described in Patent Document 1.
  • 6 is a circuit diagram of a power amplifier described in Patent Document 2.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of a power amplifier described in Patent Document 3.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of a power amplifier described in Patent Literature 4.
  • FIG. 1 shows a block diagram of a power amplifier 1 according to the present embodiment.
  • the power amplifier shown in FIG. 1 performs power amplification by an ET (Envelope Tracking) method.
  • the power amplifier 1 includes a polar modulator 10, a power supply modulator 20, and an RF (Radio Frequency) amplifier 30.
  • the power amplifier 1 also has an input terminal 2, an output terminal 6, and terminals 3-5.
  • the power amplifier 1 receives a modulated signal (data signal) to be transmitted through the input terminal 2 and outputs the amplified modulated signal from the output terminal 6.
  • Polar modulator 10 and power supply modulator 20 are connected by terminal 3
  • polar modulator 10 and RF amplifier 30 are connected by terminal 4
  • power supply modulator 20 and RF amplifier 30 are connected by terminal 5.
  • Polar modulator 10 extracts the amplitude modulation component and phase modulation component of the data signal. Then, the polar modulator 10a used in the ET system outputs the amplitude modulation component as an amplitude modulation signal to the power supply modulator 20 (or terminal 3), and superimposes the amplitude modulation component and the phase modulation component on the carrier wave. A modulation signal is generated, and the RF modulation signal is output to the RF amplifier 30 (or terminal 4). The polar modulator 10 outputs the RF modulation signal output to the RF amplifier 30 and the amplitude modulation component signal output to the power supply modulator 20 at separate timings.
  • the power supply modulator 20 generates a modulated power supply signal obtained by modulating the power supply based on the amplitude modulation signal output from the polar modulator 10, and supplies the modulated power supply signal to the RF amplifier 30. Details of the power supply modulator 20 will be described later.
  • the RF amplifier 30 operates based on the modulated power supply signal generated by the power supply modulator 20, amplifies the RF modulation signal output from the polar modulator 10, and outputs it from the output terminal 6. At this time, the RF amplifier 30 modulates the RF modulation signal with the modulation power supply signal.
  • FIG. 2 a block diagram of the power amplifier 1a adopting the EER method is shown in FIG.
  • a polar modulator 10 a is used instead of the polar modulator 10.
  • the polar modulator 10a used in the EER system outputs the amplitude modulation component as an amplitude modulation signal to the power supply modulator 20 (or terminal 3), and generates the RF modulation signal by superimposing the phase modulation component on the carrier wave.
  • the RF modulation signal is output to the RF amplifier 30 (or terminal 4). That is, in the ET method and the EER method, the polar modulator is different only in output signal from the RF amplifier, and both the power supply modulator and the RF amplifier can be the same.
  • the power supply modulator 20 includes a first voltage source 21, a second voltage source 22, a synthesis circuit 23, and a current source 24.
  • the first voltage source 21 amplifies the low frequency component of the amplitude modulation component of the amplitude modulation signal received from the polar modulator 10 and outputs the first voltage (for example, the low frequency amplitude modulation signal VC_L). Further, the first voltage source 21 outputs a low frequency error current IC_L corresponding to a low frequency component of the error current IC between the current supplied to the RF amplifier 30 and the current output from the current source 24. Therefore, in the following description, the first voltage source 21 is referred to as a low frequency voltage source.
  • the second voltage source 22 amplifies the high frequency component of the amplitude modulation component of the amplitude modulation signal received from the polar modulator 10 and outputs a second voltage (for example, the high frequency amplitude modulation signal VC_H).
  • the second voltage source 22 outputs a high-frequency error current IC_H corresponding to a high-frequency component among the error current IC between the current supplied to the RF amplifier 30 and the current output from the current source 24. Therefore, in the following description, the second voltage source 22 is referred to as a high frequency voltage source.
  • the synthesizing circuit 23 synthesizes the low frequency amplitude modulation signal VC_L, the high frequency amplitude modulation signal VC_H, and the current IM output from the current source 24 to generate a modulation power supply signal VOUT, and the modulation power supply signal VOUT is output to the RF amplifier 30 (or terminal). Output to 5).
  • the synthesis circuit 23 includes a low frequency pass filter (low pass filter: LPF) 25 and a high pass filter (high pass filter: HPF) 26.
  • the low-pass filter 25 and the high-pass filter 26 are each set with a cutoff frequency that determines the pass bandwidth. In this embodiment, the low-pass filter 25 and the high-pass filter 26 These cutoff frequencies are set so that the passbands do not overlap.
  • the current source 24 amplifies the amplitude modulation signal to generate the current IM and outputs it to the synthesis circuit 23.
  • the current source 24 detects the amplitude level of the amplitude modulation signal VC obtained by synthesizing the low frequency amplitude modulation signal VC_L and the high frequency amplitude modulation signal VC_H in the synthesis circuit 23, and detects the detected voltage. A current IM corresponding to the level is generated.
  • the amplitude modulation signal VC synthesized by the synthesis circuit 23 is equivalent to the amplitude modulation signal output from the polar modulator 10.
  • the current source 24 according to the present embodiment uses a switching regulator.
  • the current source 24 by providing the current source 24, the current output from the low frequency voltage source 21 and the high frequency voltage source 22 and the current consumed by the RF amplifier 30 are the same. Only the error current IC with the current IM output from the source 24 can be used. Thereby, the power consumption of the low frequency voltage source 21 and the high frequency voltage source 22 is reduced. Further, in the power supply modulator 20 according to the present embodiment, the voltage source includes a low frequency voltage source 21 that is required to output a high voltage and a high frequency voltage source 22 that is required to output a low voltage and operate at high speed. Configure.
  • the current output from the current source 24 accurately follows the low frequency component and has a characteristic that the tracking accuracy is not high for the high frequency component. This is because the switching regulator (current source 24) outputs a large current, and is configured using a large-sized transistor that is difficult to perform a high-speed switching operation. For this reason, the low frequency error current IC_L out of the error current IC is much smaller than the high frequency error current IC_H. Therefore, in the power supply modulator 20 according to the present embodiment, the low frequency voltage source 21 has a high output voltage and a low output current, and the high frequency voltage source 22 has a low output voltage and a high output current. That is, in the power supply modulator 20 according to the present embodiment, the power source is not required to have a high output voltage and a high output current, and thus power consumption is reduced.
  • the cutoff frequency of the low-pass filter 25 is set below the cutoff frequency of the high-pass filter 26, and the cutoff frequency of the low-pass filter 25 is In the preferred embodiment, the cutoff frequency of the high-pass filter 26 is preferably close. As a result, it is possible to reduce distortion of the combined amplitude modulation signal VC while preventing a short-circuit current from flowing between the low frequency voltage source 21 and the high frequency voltage source 22.
  • FIG. 4 shows a circuit diagram of the power supply modulator 20.
  • parts corresponding to those in the block diagram of FIG. 3 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 3, and description of the function of the blocks is omitted.
  • the delay circuit 7 is inserted in front of the RF amplifier 30. This delay circuit 7 eliminates an error between the operation of the power supply modulator 20 and the RF modulation signal. The delay generated by the delay circuit 7 may be generated inside the polar modulator 10.
  • the low frequency voltage source 21 has a low frequency signal source 31.
  • the low frequency signal source 31 extracts a low frequency component from the amplitude modulation signal output from the polar modulator 10 and outputs a low frequency amplitude modulation signal VC_L.
  • the low frequency signal source 31 outputs a low frequency error current IC_L corresponding to a low frequency component of the error current IC.
  • the high frequency voltage source 22 includes a high frequency signal source 32 and a buffer circuit 33.
  • the high frequency signal source 32 extracts a high frequency component from the amplitude modulation signal output from the polar modulator 10, and outputs a high frequency amplitude modulation signal VC_H.
  • the buffer circuit 33 outputs the high frequency amplitude modulation signal VC_H output from the high frequency signal source 32 and also outputs the high frequency error current IC_H corresponding to the high frequency component of the error current IC.
  • a buffer circuit 33 constituted by a voltage follower circuit is provided on the high frequency voltage source 22 side.
  • the synthesizing circuit 23 includes a low-pass filter 25, a high-pass filter 26, and a resistor Rs.
  • the low-pass filter 25 is connected between the output of the low-frequency voltage source 21 and the voltage synthesis node ND1.
  • the low-pass filter 25 includes inductors L1 and L2 and a capacitor CL.
  • the inductors L1 and L2 are connected in series between the output of the low frequency voltage source 21 and the voltage synthesis node ND1.
  • Capacitor CL is connected between a node to which inductors L1 and L2 are connected to each other and a ground power supply terminal.
  • the low-pass filter 25 passes only a signal in a band lower than the cutoff frequency determined by the inductors L1 and L2 and the capacitor CL.
  • the high-pass filter 26 has a capacitor CH.
  • the capacitor CH is provided between the output of the buffer circuit 33 of the high frequency voltage source 22 and the voltage synthesis node ND1.
  • the cutoff frequency of the high pass filter 26 is determined by the capacitance value of the capacitor CH and the output impedance of the buffer circuit 33.
  • the high-pass filter 26 passes a signal having a frequency higher than the cut-off frequency.
  • the output terminal of the low-pass filter 25 and the output terminal of the high-pass filter 26 are connected to the voltage synthesis node ND1.
  • the signal pass bands of the low pass filter 25 and the high pass filter 26 are set so as not to overlap.
  • the low frequency amplitude modulation signal VC_L output from the low frequency voltage source 21 and the high frequency amplitude modulation signal VC_H output from the high frequency voltage source 22 are combined to generate an amplitude modulation signal VC.
  • the error current IC is generated by synthesizing the low frequency error current IC_L output from the low frequency voltage source 21 and the high frequency error current IC_H output from the high frequency voltage source 22.
  • the resistor Rs is provided between the voltage synthesis node ND1 and the voltage / current synthesis node ND2.
  • the resistor Rs passes the error current IC input from one terminal (voltage synthesis node ND1 side), and the current IM and error current IC output from the current source 24 at the other terminal (voltage current synthesis node ND2 side). Is synthesized.
  • the synthesized current IRL is supplied to the RF amplifier 30 via the terminal 5.
  • the amplitude modulation signal VC synthesized at the voltage synthesis node ND1 is output to the terminal 5 via the resistor Rs.
  • the voltage output to the terminal 5 corresponds to the modulation power supply signal VOUT in FIG.
  • the current source 24 is composed of a switching regulator. This switching regulator detects the magnitude of the error current IC generated by the amplitude of the amplitude modulation signal VC by the resistor Rs, and generates a current IM corresponding to the amplitude modulation signal VC. More specifically, the current source 24 includes a resistor Rs, a pulse modulator 34, a low-side gate driver 35, a high-side gate driver 36, a first switching element (for example, PMOS transistor P1), and a second switching element (for example, , NMOS transistor N1) and an inductor element (for example, inductor L3).
  • a switching regulator detects the magnitude of the error current IC generated by the amplitude of the amplitude modulation signal VC by the resistor Rs, and generates a current IM corresponding to the amplitude modulation signal VC. More specifically, the current source 24 includes a resistor Rs, a pulse modulator 34, a low-side gate driver 35, a high-side gate driver 36,
  • the resistor Rs is used in common with the synthesis circuit 23 and detects the magnitude of the error current IC.
  • the pulse modulator 34 generates a pulse modulation signal based on the voltage difference generated across the resistor Rs based on the error current IC.
  • the low side gate driver 35 drives the NMOS transistor N1 based on the pulse modulation signal.
  • the high side gate driver 36 drives the PMOS transistor P1 based on the pulse modulation signal.
  • the PMOS transistor P1 and the NMOS transistor N1 are connected in series between the DC power supply terminal VDD and the ground power supply terminal.
  • One end of an inductor L3 is connected to an output terminal (or connection node) at which the PMOS transistor P1 and the NMOS transistor N1 are connected to each other.
  • the other terminal of the inductor L3 is connected to the terminal 5.
  • a DC power supply is connected to the ground power supply terminal.
  • the NMOS transistor N1 and the PMOS transistor P1 are controlled to be exclusively conducted by the low side gate driver 35 and the high side gate driver 36.
  • the switching regulator outputs a signal obtained by amplifying the pulse modulation signal to one terminal of the inductor L3.
  • the switching regulator also controls the current that is discharged from the DC power supply terminal to the inductor L3 and the current that is drawn from the inductor L3 to the ground terminal.
  • the inductor L3 functions as a smoothing element.
  • the inductor L3 outputs a current IM to the terminal 5. At this time, in the switching regulator, the current IM is generated by the feedback path through the resistor Rs so that the voltage difference between both ends of the resistor Rs becomes small.
  • the current source 24 varies the magnitude of the current IM in accordance with the voltage of the amplitude modulation signal VC, and reduces the error current IC between the current IM and the current IRL supplied to the RF amplifier 30. Further, due to the characteristics of the switching regulator, the current IM has a high followability to the low frequency component of the amplitude modulation signal VC.
  • FIG. 5 an equivalent circuit diagram of a circuit connected to the low frequency voltage source 21 is shown in FIG. 5, and an equivalent circuit diagram of a circuit connected to the high frequency voltage source 22 is shown in FIG.
  • an RF amplifier 30 is connected to the low frequency voltage source 21 as a load.
  • a two-stage low-pass filter is configured by the inductors L1 and L2 of the low-pass filter 25, the capacitor CL, and the capacitor CH of the high-pass filter 26. That is, the low-frequency amplitude modulation signal VC_L output from the low-frequency voltage source 21 is applied to the load via the two-stage low-pass filter. Further, as shown in FIG.
  • an RF amplifier 30 is connected to the high frequency voltage source 22 as a load.
  • a two-stage high-pass filter is configured by the capacitor CH of the high-pass filter 26, the inductors L1 and L2 of the low-pass filter 25, and the capacitor CL. That is, the high frequency amplitude modulation signal VC_H output from the high frequency voltage source 22 is applied to the load via the two-stage high-pass filter. That is, the low-pass filter 25 and the high-pass filter 26 according to the present embodiment constitute a high-order filter with a small number of elements depending on the connection form of the elements constituting these filters.
  • the low-frequency signal source 31 and the high-frequency signal source 32 are synchronized with each other, and the output timing of the low-frequency amplitude modulation signal VC_L, the high-frequency amplitude modulation signal VC_H, and the pulse signal output from the pulse modulator 34 can be set to a desired value.
  • By setting the output timing of the low-frequency amplitude modulation signal VC_L, the high-frequency amplitude modulation signal VC_H, and the pulse signal output from the pulse modulator 34 so as to correct the delay difference between the low-pass filter 25 and the high-pass filter 26.
  • a voltage source 210 is provided instead of the low frequency voltage source 21 and the high frequency voltage source 22.
  • the voltage source 210 includes a signal source 311 and a buffer circuit 312.
  • the signal source 311 outputs the amplitude modulation signal VC received from the polar modulator 10.
  • the buffer circuit 312 outputs the amplitude modulation signal VC output from the signal source 311 and outputs an error current IC.
  • the buffer circuit 312 functions as an impedance converter for the signal source 311.
  • the output voltage waveform of the power supply modulator 20 according to the present embodiment is compared with the output voltage waveform of the power supply modulator 20a according to the comparative example.
  • 8 shows a graph of the output voltage waveform of the power supply modulator 20 according to the present embodiment
  • FIG. 9 shows a graph of the output voltage waveform of the power supply modulator 20a according to the comparative example.
  • the output voltage waveforms shown in FIGS. 8 and 9 are simulation results when the power supply modulator 20 and the power supply modulator 20a are operated under the same conditions. As shown in FIGS. 8 and 9, it can be seen that the output voltage waveforms of the power supply modulator 20 and the power supply modulator 20a accurately follow the ideal voltage waveform.
  • the modulated power supply signal is generated with the same accuracy as when no filter or the like is inserted. It can be seen that it can be obtained. This is because the distortion of the combined amplitude modulation signal VC can be reduced by taking the cutoff frequency of the low-pass filter 25 and the cutoff frequency of the high-pass filter 26 close to each other.
  • the power consumption of the power supply modulator 20 according to the present embodiment is compared with the power consumption of the power supply modulator 20a according to the comparative example.
  • 10 shows a graph of the high-frequency amplitude modulation signal VC_H and the high-frequency error current IC_H output from the high-frequency voltage source 22 of the power supply modulator 20 according to the present embodiment
  • FIG. 11 shows the power supply modulator according to the present embodiment.
  • FIG. 12 shows a graph of the low frequency amplitude modulation signal VC_L and the low frequency error current IC_L output from the 20 low frequency voltage sources 21, and
  • FIG. 12 shows a graph of the amplitude modulation signal VC and the error current IC output from the voltage source 210 according to the comparative example. Indicates.
  • the maximum voltage of the high-frequency amplitude modulation signal VC_H is about 5 V, and the average current of the high-frequency error current IC_H is about 200 mA. Therefore, the power consumption of the high-frequency voltage source 22 is about 353 mW.
  • the maximum voltage of the low frequency amplitude modulation signal VC_L is about 20 V, and the average current of the high frequency error current IC_H is several mA. For this reason, the power consumption of the low-frequency voltage source 21 is about 55 mW. That is, in the power supply modulator 20 according to the present embodiment, the sum of the power consumption of the low frequency voltage source 21 and the power consumption of the high frequency voltage source 22 is about 408 mW.
  • the maximum voltage of the amplitude modulation signal VC is about 20 V
  • the average current of the error current IC is about 200 mA. Therefore, the power consumption of the voltage source 210 is about 3.63 W. That is, in the comparative example, it is necessary to consume and output nine times as much power as the power supply modulator 20 according to the present embodiment.
  • the power consumption of the voltage source can be greatly reduced by reducing the output power of the voltage source.
  • the power supply modulator 20 separates the low-frequency voltage source 21 and the high-frequency voltage source 22 from the low-frequency voltage source 21 that outputs a high voltage from the high-frequency error current IC_H that occupies a large proportion of the error current IC. This is because the output is avoided.
  • the magnitude of the low frequency error current IC_L output from the low frequency voltage source 21 is infinitely zero. Can be close to. That is, the current consumption of the low-frequency voltage source 21 that conventionally required large power consumption can be greatly reduced by separately providing the current source 24 and the high-frequency voltage source 22.
  • the power supply modulator 20b is used instead of the power supply modulator 20.
  • the power supply modulator 20 b includes a current source 24 a that is used in place of the current source 24 of the power supply modulator 20.
  • the current source 24 a includes a pulse signal source 38 instead of the pulse modulator 34.
  • the pulse modulator 38 has a function of calculating in advance and outputting the same pulse signal VG as the pulse signal output by the pulse modulator 34 of the power supply modulator 20.
  • the pulse signal source 38 is synchronized with the low-frequency signal source 31 and the high-frequency signal source 32, and can output the low-frequency amplitude modulation signal VC_L, the high-frequency amplitude modulation signal VC_H, and the pulse signal VG to desired values.
  • the resistor Rs may be removed and short-circuited, or may be installed.
  • the pulse signal source 38 synchronized with the low frequency signal source 31 and the high frequency signal source 32, the output timing of the low frequency amplitude modulation signal VC_L, the high frequency amplitude modulation signal VC_H, and the pulse signal VG is adjusted.
  • the error caused by the delay between the current IM output from the current source 24a and the amplitude modulation signal VC output from the synthesis circuit 23 can be corrected.
  • the error current IC can be suppressed and the power consumption of the low frequency voltage source 21 and the high frequency voltage source 22 can be suppressed.
  • Embodiment 2 A power supply modulator 40 according to the second embodiment shown in FIG. 14 will be described.
  • the power supply modulator 40 is used in place of the power supply modulator 20.
  • the power supply modulator 40 includes a current source 27 instead of the current source 24 of the power supply modulator 20.
  • the current source 27 is a switching regulator using a transformer, and its function corresponds to the current source 24.
  • the current source 27 includes a resistor Rs, a pulse modulator 34, a low-side gate driver 35, an NMOS transistor N1, a transformer 37, diodes D1 and D2, an inductor L3, and a DC power supply PWR1.
  • the resistor Rs is used in common with the synthesis circuit 23 and detects the magnitude of the error current IC.
  • the pulse modulator 34 generates a pulse modulation signal based on the voltage difference generated across the resistor Rs based on the error current IC.
  • the low side gate driver 35 drives the NMOS transistor N1 based on the pulse modulation signal.
  • One terminal of the primary side coil of the transformer 37 is connected to the drain of the NMOS transistor N1, and the other terminal of the primary side coil is connected to the DC power supply PWR1.
  • One terminal of the secondary coil of the transformer 37 is connected to the ground terminal, and the other terminal of the secondary coil is connected to the anode of the diode D1.
  • the cathode of the diode D1 is connected to one terminal of the inductor L3.
  • the other terminal of the inductor L3 is connected to the terminal 5.
  • the anode of the diode D2 is connected to the ground terminal, and the cathode is connected to a connection point between one terminal of the inductor L3 and the cathode of the diode D1.
  • the DC power supply PWR1 outputs a DC voltage V1.
  • the transformer 37 in the power amplifying unit of the switching regulator, the high-side gate driver 36 and the PMOS transistor P1 used in the current source 24 of the first embodiment are not necessary.
  • the switching regulator in order to output a high voltage, a high voltage is applied from the DC power source to the PMOS transistor P1.
  • the use of the transformer 37 as in the current source 24 of the second embodiment eliminates the need for a transistor to which a high voltage is applied, thereby suppressing the possibility of breakdown due to the high voltage operation of the transistor. Can do. That is, the current source 27 can ensure higher reliability than the current source 24 of the first embodiment.
  • the power modulator 40a is used in place of the power modulator 40.
  • the power supply modulator 40 a includes a current source 27 a that is used in place of the current source 27 of the power supply modulator 40.
  • the current source 27 a has a pulse signal source 38 instead of the pulse modulator 34.
  • the resistor Rs may be removed and short-circuited, or may be installed.
  • the current IM and the amplitude modulation are adjusted by adjusting the output timing of the low frequency amplitude modulated signal VC_L, the high frequency amplitude modulated signal VC_H, and the pulse signal VG, as in the modified example of the first embodiment. It is possible to correct the error due to the delay with the signal VC and suppress the power consumption of the low frequency voltage source 21 and the high frequency voltage source 22.
  • Embodiment 3 A power supply modulator 50 according to the third embodiment shown in FIG. 16 will be described.
  • the power supply modulator 50 is used in place of the power supply modulator 20.
  • the power supply modulator 50 includes a current source 28 instead of the current source 24 of the power supply modulator 20.
  • the current source 28 is a switching regulator using a transformer like the current source 27 of the second embodiment, and its function corresponds to the current source 24.
  • the current source 27 includes a resistor Rs, a pulse modulator 34, a low-side gate driver 35, an NMOS transistor N1, a transformer 37, diodes D1 and D2, an inductor L3, a first DC power supply PWR1, and a second DC power supply PWR2.
  • the resistor Rs is used in common with the synthesis circuit 23 and detects the magnitude of the error current IC.
  • the pulse modulator 34 generates a pulse modulation signal based on the voltage difference generated across the resistor Rs based on the error current IC.
  • the low side gate driver 35 drives the NMOS transistor N1 based on the pulse modulation signal.
  • One terminal of the primary side coil of the transformer 37 is connected to the drain of the NMOS transistor N1, and the other terminal of the primary side coil is connected to the first DC power supply PWR1.
  • One terminal of the secondary side coil of the transformer 37 is connected to the second DC power supply PWR2, and the other terminal of the secondary side coil is connected to the anode of the diode D1.
  • the cathode of the diode D1 is connected to one terminal of the inductor L3.
  • the other terminal of the inductor L3 is connected to the terminal 5.
  • the anode of the diode D2 is connected to the second DC power supply PWR2, and the cathode is connected to a connection point between one terminal of the inductor L3 and the cathode of the diode D1.
  • the first DC power supply PWR1 outputs a DC voltage V1
  • the second DC power supply PWR2 outputs a DC voltage V2.
  • the diodes D1 and D2 add the DC voltage V2 output from the second DC power supply PWR2 to the signal S1 output from the secondary side coil of the transformer 37 and output it to the inductor L3. That is, the diodes D1 and D2 operate as a synthesis circuit that adds the DC voltage V2 output from the second DC power supply PWR2 to the signal S2 and outputs the result.
  • the signal S2 input to the inductor L3 has a waveform shown in FIG.
  • the inductor L3 smoothes the pulse signal given as the signal S2, removes spurious components, and supplies the current IM to the RF amplifier 30.
  • the amplitude modulation signal VC is amplified with a gain proportional to the DC voltage V1 output from the first DC power supply PWR1, and further converted into an amplified signal.
  • the modulation power supply signal VOUT is generated by adding the DC voltage V2 output from the second DC power supply PWR2.
  • This modulated power supply signal VOUT is supplied to the power supply terminal 5 of the RF amplifier 30. Therefore, the output signal of the RF amplifier 30 is amplitude-modulated by the modulation power supply signal VOUT.
  • the modulation power supply signal VOUT supplied as the power supply voltage to the RF amplifier 30 is a signal that is restricted so as not to be lower than the DC voltage V2 output from the second DC power supply PWR2, and therefore, the modulation power supply signal VOUT Distortion that occurs in the output signal of the RF amplifier 30 when the voltage drops is suppressed.
  • the power loss of the power supply modulator 50 is mainly caused by the switching loss of the NMOS transistor N1 and the diodes D1 and D2.
  • the switching loss LSW of the NMOS transistor N1 is expressed by equation (1).
  • R is the impedance of the load of the RF amplifier 30
  • fsw is the average switching frequency of the pulse modulation signal output from the pulse modulator 34
  • ⁇ t is the total switching time at the on time and off time.
  • the switching loss Ld1 of the diode D1 is expressed by the equation (2).
  • the total power loss Ltotal of the power supply modulator 410 is expressed by the following equation (4).
  • the electric power Pout output from the power supply modulator 410 is shown by Formula (5). Where d is the average duty of the pulse modulation signal.
  • Pout / Ltotal is a function that increases monotonically in proportion to the value of r.
  • the power efficiency ⁇ is a function that increases monotonically in proportion to the value of out / Ltotal. Therefore, the power efficiency ⁇ is a function that increases monotonically in proportion to the value of r.
  • the power amplifier according to the third embodiment has a configuration in which the value of r is increased by supplying the DC voltage V2 from the second DC power supply PWR2 to the diodes D1 and D2. Therefore, in the power amplifier of the third embodiment, the power efficiency ⁇ can be improved.
  • the power efficiency of the entire power amplifier according to the third embodiment mainly depends on the power efficiency of the power supply modulator 50 and the power efficiency of the RF amplifier 30, and (power efficiency of the power supply modulator 50) ⁇ (of the RF amplifier 30). Power efficiency).
  • the power efficiency of the power supply modulator 50 is 50 to 70% when the output voltage V2 of the second DC power supply PWR2 is 0 V, and is improved to 85 to 95% when V2 is set to 5 to 10 V.
  • the power efficiency of the RF amplifier 30 generally decreases as the value of the output voltage V2 of the second DC power supply PWR2 increases.
  • the DC voltage V2 output from the second DC power supply PWR2 is increased so that the power efficiency improved by the power supply modulator 50 is larger than the power efficiency decreased by the RF amplifier 30. If the value is set, the power efficiency of the entire power amplifier can be improved.
  • the power supply modulator 50 a is used in place of the power supply modulator 50.
  • the power supply modulator 50 a includes a current source 28 a instead of the current source 28 of the power supply modulator 50.
  • the current source 28 a includes a pulse signal source 38 instead of the pulse modulator 34.
  • the resistor Rs may be removed and short-circuited, or may be installed.
  • the current IM and the amplitude modulation are adjusted by adjusting the output timings of the low-frequency amplitude modulation signal VC_L, the high-frequency amplitude modulation signal VC_H, and the pulse signal VG as in the modification of the first embodiment. It is possible to correct the error due to the delay with the signal VC and suppress the power consumption of the low frequency voltage source 21 and the high frequency voltage source 22.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.
  • the power efficiency can be improved by using a switching regulator as the current source of the power supply modulator.
  • the voltage source low frequency voltage source 21 and high frequency The effect of improving the power efficiency of the voltage source 22 is not impaired.
  • the present invention can be used for a transmission power amplifier used in a wireless communication device.

Abstract

 本発明にかかる電力増幅器の一態様は、振幅変調成分及び位相変調成分を含む変調信号を増幅する電力増幅器であって、変調信号の振幅変調成分のうち低周波成分を増幅して第1の電圧VC_Lを出力する第1の電圧源21と、変調信号の振幅変調成分のうち高周波成分を増幅して第2の電圧VC_Hを出力する第2の電圧源22と、変調信号の振幅成分を増幅して電流を出力する電流源24と、第1の電圧VC_L、第2の電圧VC_H及び電流IMを合成して変調電源信号VOUTを生成する合成回路23と、変調信号を搬送波に重畳した信号を増幅すると共に、該増幅後の信号を変調電源信号VOUTにより振幅変調して出力するRFアンプ30と、を有する。これにより、変調電源を生成する回路の電力効率を高めることができる。

Description

電力増幅器及び電力増幅方法
 本発明は電力増幅器及び電力増幅方法に関し、特に振幅変調成分と位相変調成分とを含む変調信号を増幅する電力増幅器及び電力増幅方法に関する。
 無線通信機に用いられる送信用電力増幅器(Power Amplifier:PA)は、通信機の中でも特に電力を消費する。そのため、電力増幅器の電力効率改善が通信機開発の重要課題とされている。近年の通信規格は、スペクトル効率改善のため振幅変調が主流になっている。この振幅変調は信号歪に対する要求が厳しい。そのため、通信機に用いる電力増幅器は、線形性を向上させるために高バックオフ(低入力電力)状態で動作させる。しかし、高バックオフ動作を行う場合、電力増幅の電力効率が低下するという問題がある。
 そこで、このような電力増幅器の電力効率と線形性の両立の問題を解決するため、ポーラ変調技術が近年盛んに提案されている。ポーラ変調技術では、ポーラ変調器、RF(Radio Frequency)アンプ、電源変調器を用いる。ポーラ変調器は、変調信号(例えば、送信信号データ)の振幅変調成分及び位相変調成分を抽出する。ここで、ポーラ変調技術では、ET(Envelope Tracking)方式とEER(Envelope Elimination and Restoration)方式がある。ET方式では、ポーラ変調器は、振幅変調成分及び位相変調成分を搬送波に重畳したRF(Radio Frequency)変調信号を出力する。EER方式では、ポーラ変調器は、抽出された変調成分のうち位相変調成分を搬送波に重畳したRF変調信号を出力する。また、ポーラ変調器は、抽出した変調成分のうち振幅変調成分を電源変調器に出力する。電源変調器は、ポーラ変調器から入力された振幅変調成分に応じてRFアンプに供給する電源を変調する。RFアンプは、ポーラ変調器から入力されたRF変調信号を増幅し、かつ、電源変調器において変調された電源に基づき増幅されたRF変調信号を変調して出力する。
 ポーラ変調技術では、RFアンプに入力されるRF変調信号の振幅に合わせてRFアンプに供給される電源を変調する。これにより、ポーラ変調技術では、RFアンプが出力する電圧が低レベルである場合の消費電力を削減する。
 しかしながら、ポーラ変調技術を用いて変調信号の電力増幅を行う場合、最終的に出力される信号の精度を高めるために電源変調器に高い性能が要求される。例えば、電源変調器には、広帯域(高速)動作を精度よく行うこと、広い動作範囲(広ダイナミックレンジ)により大電圧かつ低ノイズの信号を出力できること、電力効率が高いこと、などの特性を同時に満たすことが求められる。そこで、これらの特性を満たすための技術が特許文献1~5に記載されている。
 まず、特許文献1に開示されている電力増幅器100のブロック図を図20に示す。図20に示すように、電力増幅器100は、パルス変調部112の信号誤差を補正する誤差補正部113を有する。パルス変調部112は高電力効率のスイッチングアンプで実装される。そして、パルス変調部112は、電力をRFアンプ111に供給する。このとき、電力増幅器100では、パルス変調部112において発生するスイッチングノイズを誤差補正部113において補正する。これにより、電力増幅器100では、RFアンプ111へのスイッチングノイズの影響を抑制する。つまり、電力増幅器100は、高電力効率のパルス変調部112と誤差補正部113を実装することにより、電力効率の向上と広ダイナミックレンジ(低ノイズ)特性とを実現している。
 ここで、電力増幅器100のパルス変調部112、誤差補正部113及び低域通過フィルタ114についてより詳細に説明する。電力増幅器100のパルス変調部112、誤差補正部113及び低域通過フィルタ114のブロック図を図21に示す。図21に示すブロック図では、パルス変調部112は、パルス変調器150、スイッチングアンプ124、減衰器125及び積分器126により構成され、誤差補正部113は、誤差アンプ131と、減衰器133及び加算器132により構成される。
 パルス変調部112と低域通過フィルタ(LPF)114を組み合わせた部分と、誤差アンプ131は、それぞれ電圧フィードバックで所望電圧を出力する電圧源と見なすことができる。また、加算器132は容量で実装され、高域通過フィルタ(HPF)特性を有する。従って、パルス変調部112とLPF114を組み合わせた部分は低周波成分用電圧源として動作し、誤差アンプ131は高周波成分用電圧源として動作し、加算器132を高域通過フィルタとして動作すると考えることができる。つまり、図21に示す回路は、低周波成分用電圧源により生成される電圧と高周波用電圧源により生成される電圧を合成した電圧を変調電源としてRFアンプに供給する。
 電力増幅器100では、出力インピーダンスが低い電圧源、すなわちパルス変調部112と低域通過フィルタ114を組み合わせた部分及び誤差アンプ131を並列に接続しているため、これらの電圧源の間で短絡が生じ大きな不要電流が流れるという問題がある。電力増幅器100では、この問題を回避するため、電圧源の間に加算器(高域通過フィルタ)132を挿入し、電力密度の高い所望信号帯域内(低周波)で電圧源間に電流が流れることを防止している。また、電力増幅器100では、加算器(高域通過フィルタ)132によりノイズの多い所望信号帯域外(高周波)で電流が流れるようにしている。これにより、所望信号帯域外(高周波)でノイズを低減しつつ、電圧源間の不要電流をある程度抑制できる。しかしながら、この方式では所望信号帯域内(低周波)の信号歪を補正できない問題が生じる。また、所望信号帯域内(低周波)の信号歪を補正できるように高域通過フィルタ132のカットオフ周波数を所望帯域内にまで下げると、電圧源間で不要電流が流れ、電力効率が低下する。このように、この方式では誤差低減量と電力効率の間にトレードオフがあり、信号精度と電力効率の両立が困難という問題点があった。
 そこで、特許文献1における問題点を回避する手法が特許文献2で提案されている。特許文献2に開示されている電力増幅器200のブロック図を図22に示す。図22に示すように、電力増幅器200では、リニアアンプ202により負荷211に所望電圧を印加する。リニアアンプ202はボルテージフォロワ型に構成することで、低出力インピーダンスの電圧源として動作させている。また、スイッチングアンプ242から負荷211に所望電流を供給する。スイッチングアンプ242は、センス抵抗208における検知電流に基づいたパルス変調制御をパルス変調器236で行うことで、所望電流を出力する電流源として動作する。従って、電力増幅器200では、リニアアンプ202を電圧源として用い、スイッチングアンプ242を電流源として用いたものと見なすことができる。そして、電力増幅器200は、並列に接続されて電圧源及び電流源により負荷(RFアンプ)に電力を供給する。また、電圧源からの電流Ilinを検出して、電流源からの出力電流Iswの制御を行っている。また、負荷211に対して誤差の小さなリニアアンプ202を電圧源として用いることで、出力電圧Voutの誤差を抑制できる。また、電力の大部分は高効率のスイッチングアンプ242から供給されるため、高い電力効率が得られる。さらに、電流源の出力は高インピーダンスなため電圧源と電流源との間の短絡による不要電力が流れることがない。
 特許文献2と同等の手法は特許文献3、4にも開示されている。特許文献3に記載の電力増幅器300を図23に示す。電力増幅器300では、バッファ増幅器回路310とAB級増幅322とで構成される回路を電圧源として用い、電流センサ338とパルス幅変調器340とDC/DC変換器324とで構成される回路を電流源として用いている。また、特許文献4に記載の電力増幅器400のブロック図を図24に示す。電力増幅器400では、アナログ線形増幅器405を電圧源として用い、非線形増幅器403を電流源として用いる。電力増幅器300、400は、いずれも電力増幅器200と同じく、電力の大部分は高効率の電流源から供給し、高精度の電圧源によって出力電圧Voutの誤差を抑制し、誤差低減量と電力効率の両立を図っている。
 また、特許文献5には、低周波成分の振幅変調信号を増幅するリニアレギュレータと高周波成分の振幅変調信号を増幅する高域通過フィルタ及び高周波信号増幅器を用いた電力増幅器が開示されている。特許文献5に記載の電力増幅器では、リニアレギュレータと高周波信号増幅器とにより生成された信号を合成することで、信号精度を向上させる。
特開2007-215158号公報 米国特許第5905407号公報 特開2003-533166号公報 特開2002-252524号公報 特開2007-318359号公報
 特許文献2~4において、電源変調器内の電流源は、高電力効率のスイッチングアンプで実装され、この電流源からRFアンプに供給する大電流を生成する。しかしながら、大電流に対応したスイッチングアンプでは高速スイッチング動作が困難であり、電源変調器の出力信号の高周波成分に追従した電流の出力を行なう事ができない。そのため、高周波成分に対応した電流は、低電力効率のリニアアンプで実装された電圧源から出力されなければならない。そのため、特許文献2~4に記載の電力増幅器において、電源変調器内の電圧源における消費電力が高くなる問題がある。また特許文献5において、電源変調器の出力信号のうち低周波成分はリニアレギュレータで出力し、高周波成分は高周波信号増幅器で出力する。しかしながら、リニアレギュレータと高周波信号増幅器のいずれも電力効率が低く、電源変調器の消費電力が高くなる問題がある。このような課題に鑑み、本発明では電力増幅器の消費電力を削減することを目的とする。
 本発明にかかる電力増幅器の一態様は、振幅変調成分及び位相変調成分を含む変調信号を増幅する電力増幅器であって、前記変調信号の振幅変調成分のうち低周波成分を増幅して第1の電圧を出力する第1の電圧源と、前記変調信号の振幅変調成分のうち高周波成分を増幅して第2の電圧を出力する第2の電圧源と、前記変調信号の振幅成分を増幅して電流を出力する電流源と、前記第1の電圧、前記第2の電圧及び前記電流を合成して変調電源信号を生成する合成回路と、前記変調信号を搬送波に重畳した信号を増幅すると共に、該増幅後の信号を前記変調電源により振幅変調して出力するRFアンプと、を有する。
 本発明にかかる電力増幅方法の一態様は、振幅変調成分及び位相変調成分を含む変調信号を増幅する電力増幅方法であって、前記変調信号の振幅成分のうち低周波成分を増幅して第1の電圧を出力し、前記変調信号の振幅成分のうち高周波成分を増幅して第2の電圧を出力し、前記変調信号の振幅成分を増幅して電流を出力し、前記第1の電圧、前記第2の電圧及び前記電流を合成して変調電源信号を生成し、前記変調信号を搬送波に重畳した信号を増幅すると共に、該増幅後の信号を前記変調電源により振幅変調して出力する。
 本発明にかかる電力増幅器及び電力増幅方法によれば、信号精度を向上させながら電力増幅器における消費電力を削減することができる。
実施の形態1にかかる電力増幅器のブロック図である。 実施の形態1にかかる電力増幅器のブロック図である。 実施の形態1にかかる電源変調器のブロック図である。 実施の形態1にかかる電源変調器の回路図である。 実施の形態1にかかる電源変調器の低周波電圧源の等価回路図である。 実施の形態1にかかる電源変調器の高周波電圧源の等価回路図である。 実施の形態1にかかる電源変調器の効果を説明するための電源変調器の比較例である。 実施の形態1にかかる電源変調器の出力電圧波形を示すグラフである。 実施の形態1にかかる電源変調器の比較例の出力電圧波形を示すグラフである。 実施の形態1にかかる電源変調器の高周波電圧源の出力電圧波形及び出力電流波形を示すグラフである。 実施の形態1にかかる電源変調器の低周波電圧源の出力電圧波形及び出力電流波形を示すグラフである。 実施の形態1にかかる電源変調器の比較例の出力電圧波形及び出力電流波形を示すグラフである。 実施の形態1にかかる電源変調器の変形例を示す回路図である。 実施の形態2にかかる電源変調器の回路図である。 実施の形態2にかかる電源変調器の変形例を示す回路図である。 実施の形態3にかかる電源変調器の回路図である。 実施の形態3にかかる電流源のパルス変調信号を示すグラフである。 実施の形態3にかかる電源変調器が出力する変調電源信号を示すグラフである。 実施の形態3にかかる電源変調器の変形例を示す回路図である。 特許文献1に記載の電力増幅器のブロック図である。 特許文献1に記載のパルス変調部、フィルタ、及び誤差補正部の回路図である。 特許文献2に記載の電力増幅器の回路図である。 特許文献3に記載の電力増幅器の回路図である。 特許文献4に記載の電力増幅器の回路図である。
 実施の形態1
 以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1に本実施の形態にかかる電力増幅器1のブロック図を示す。図1に示す電力増幅器は、ET(Envelope Tracking)方式により電力増幅を行う。図1に示すように、電力増幅器1は、ポーラ変調器10、電源変調器20、RF(Radio Frequency)アンプ30を有する。また、電力増幅器1は、入力端子2、出力端子6、端子3~5を有する。そして、電力増幅器1は、入力端子2により送信すべき変調信号(データ信号)を受信し、増幅後の変調信号を出力端子6から出力する。また、ポーラ変調器10と電源変調器20は端子3により接続され、ポーラ変調器10とRFアンプ30は端子4により接続され、電源変調器20とRFアンプ30は、端子5により接続される。
 ポーラ変調器10は、データ信号の振幅変調成分と位相変調成分を抽出する。そして、ET方式で用いられるポーラ変調器10aは、振幅変調成分を振幅変調信号として電源変調器20(又は端子3)に出力し、かつ、振幅変調成分及び位相変調成分を搬送波に重畳してRF変調信号を生成し、RF変調信号をRFアンプ30(又は端子4)に出力する。また、ポーラ変調器10は、RFアンプ30に出力するRF変調信号と電源変調器20に出力する振幅変調成分信号とを個別のタイミングで出力する。
 電源変調器20は、ポーラ変調器10から出力される振幅変調信号に基づき電源を変調した変調電源信号を生成し、変調電源信号をRFアンプ30に供給する。この電源変調器20の詳細については後述する。
 RFアンプ30は、電源変調器20により生成された変調電源信号に基づき動作し、ポーラ変調器10が出力したRF変調信号を増幅して出力端子6から出力する。このとき、RFアンプ30はRF変調信号を変調電源信号により変調する。
 なお、本発明は、EER(Envelope Elimination and Restoration)方式により電力増幅を行う電力増幅器についても適用することができる。そこで、EER方式を採用した電力増幅器1aのブロック図を図2に示す。図2に示すように、EER方式を採用した場合、ポーラ変調器10に代えてポーラ変調器10aを用いる。EER方式で用いられるポーラ変調器10aは、振幅変調成分を振幅変調信号として電源変調器20(又は端子3)に出力し、かつ、位相変調成分を搬送波に重畳してRF変調信号を生成し、RF変調信号をRFアンプ30(又は端子4)に出力する。つまり、ET方式とEER方式では、ポーラ変調器がRFアンプに出力信号が異なるのみであり、電源変調器及びRFアンプは両方式で共通のものを用いることができる。
 次に、本実施の形態にかかる電源変調器20の詳細について説明する。電源変調器20のブロック図を図3に示す。図3に示すように、電源変調器20は、第1の電圧源21、第2の電圧源22、合成回路23、電流源24を有する。
 第1の電圧源21は、ポーラ変調器10から受信した振幅変調信号の振幅変調成分のうち低周波成分を増幅して第1の電圧(例えば、低周波振幅変調信号VC_L)を出力する。また、第1の電圧源21は、RFアンプ30に供給される電流と電流源24が出力する電流との誤差電流ICのうち低周波成分に対応した低周波誤差電流IC_Lを出力する。そこで、以下の説明では、第1の電圧源21を低周波電圧源と称す。第2の電圧源22は、ポーラ変調器10から受信した振幅変調信号の振幅変調成分のうち高周波成分を増幅して第2の電圧(例えば、高周波振幅変調信号VC_H)を出力する。また、第2の電圧源22は、RFアンプ30に供給される電流と電流源24が出力する電流との誤差電流ICのうち高周波成分に対応した高周波誤差電流IC_Hを出力する。そこで、以下の説明では、第2の電圧源22を高周波電圧源と称す。
 合成回路23は、低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hと電流源24が出力する電流IMとを合成して変調電源信号VOUTを生成し、変調電源信号VOUTをRFアンプ30(又は端子5)に出力する。合成回路23は、低周波通過フィルタ(ローパスフィルタ:LPF)25、高域通過フィルタ(ハイパスフィルタ:HPF)26を有する。低域通過フィルタ25と高域通過フィルタ26は、通過帯域幅を決定するカットオフ周波数がそれぞれ設定されるが、本実施の形態では、低域通過フィルタ25の通過帯域と高域通過フィルタ26の通過帯域がオーバーラップしないように、これらのカットオフ周波数が設定されている。
 電流源24は、振幅変調信号を増幅して電流IMを生成して合成回路23に出力する。本実施の形態では、電流源24は、低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hとを合成回路23において合成することで得られる振幅変調信号VCの振幅レベルを検知して、検知した電圧レベルに応じた電流IMを生成する。このとき、合成回路23において合成される振幅変調信号VCは、ポーラ変調器10が出力する振幅変調信号と同等のものである。また、本実施の形態にかかる電流源24は、スイッチングレギュレータが用いられる。
 上記説明より、本実施の形態にかかる電源変調器20では、電流源24を設けることで、低周波電圧源21及び高周波電圧源22から出力される電流をRFアンプ30において消費される電流と電流源24が出力する電流IMとの誤差電流ICのみとすることができる。これにより、低周波電圧源21及び高周波電圧源22の消費電力が削減される。さらに、本実施の形態にかかる電源変調器20では、高電圧を出力することが要求される低周波電圧源21と、低電圧出力かつ高速動作が要求される高周波電圧源22と、により電圧源を構成する。ここで、電流源24が出力する電流は、低周波成分に精度よく追従し、高周波成分に対しては追従精度が高くない特性を有する。これは、スイッチングレギュレータ(電流源24)が大電流を出力するために、高速切り換え動作を行うことが困難なサイズの大きなトランジスタを用いて構成するためである。このようなことから、誤差電流ICのうち低周波誤差電流IC_Lは高周波誤差電流IC_Hに比べ非常に小さくなる。従って、本実施の形態にかかる電源変調器20では、低周波電圧源21は、高出力電圧かつ低出力電流となり、高周波電圧源22は、低出力電圧かつ高出力電流となる。つまり、本実施の形態にかかる電源変調器20では、電圧源に高出力電圧かつ高出力電流である特性が必要とされないため、消費電力が低減される。
 また、本実施の形態にかかる電源変調器20では、低域通過フィルタ25のカットオフ周波数を高域通過フィルタ26のカットオフ周波数の下に設定し、かつ低域通過フィルタ25のカットオフ周波数と高域通過フィルタ26のカットオフ周波数を近くに取る事が望ましい実施の形態である。これにより、低周波電圧源21と高周波電圧源22との間に短絡電流が流れる事を防ぎつつ、合成後の振幅変調信号VCの歪みを低減できる。
 上記電源変調器20についてさらに詳細に説明する。図4に電源変調器20の回路図を示す。なお、図4では、図3のブロック図に対応する部分には図3と同じ符号を付し、ブロックの機能の説明については省略する。また、図4では、RFアンプ30の前段に遅延回路7が挿入されるが、この遅延回路7は電源変調器20の動作とRF変調信号との誤差を解消するものである。この遅延回路7により生じる遅延はポーラ変調器10の内部において生成されるものであっても構わない。
 低周波電圧源21は、低周波信号源31を有する。低周波信号源31は、ポーラ変調器10が出力する振幅変調信号から低周波成分を抽出し、低周波振幅変調信号VC_Lを出力する。また、低周波信号源31は、誤差電流ICのうち低周波成分に対応する低周波誤差電流IC_Lを出力する。
 高周波電圧源22は、高周波信号源32、バッファ回路33を有する。高周波信号源32は、ポーラ変調器10が出力する振幅変調信号から高周波成分を抽出し、高周波振幅変調信号VC_Hを出力する。バッファ回路33は、高周波信号源32が出力した高周波振幅変調信号VC_Hを出力すると共に、誤差電流ICのうち高周波成分に対応した高周波誤差電流IC_Hを出力する。
 本実施の形態では、高周波帯における出力インピーダンスを低減するために、高周波電圧源22側に電圧フォロワ回路で構成したバッファ回路33を設けている。
 合成回路23は、低域通過フィルタ25、高域通過フィルタ26、抵抗Rsを有する。低域通過フィルタ25は、低周波電圧源21の出力と電圧合成ノードND1との間に接続される。低域通過フィルタ25は、インダクタL1、L2、コンデンサCLを有する。インダクタL1、L2は低周波電圧源21の出力と電圧合成ノードND1との間に直列に接続される。コンデンサCLはインダクタL1、L2が互いに接続されるノードと接地電源端子との間に接続される。そして、低域通過フィルタ25はインダクタL1、L2及びコンデンサCLにより決定されるカットオフ周波数よりも低い帯域の信号のみを通過させる。
 高域通過フィルタ26は、コンデンサCHを有する。コンデンサCHは、高周波電圧源22のバッファ回路33の出力と電圧合成ノードND1との間に設けられる。高域通過フィルタ26は、コンデンサCHの容量値とバッファ回路33の出力インピーダンスとによりカットオフ周波数が決定される。そして、高域通過フィルタ26は、このカットオフ周波数よりも高い周波数の信号を通過させる。
 ここで、本実施の形態では、電圧合成ノードND1に低域通過フィルタ25の出力側端子と高域通過フィルタ26の出力端子が接続される。そして、低域通過フィルタ25と高域通過フィルタ26の信号通過帯域がオーバーラップしないように設定される。これにより、電圧合成ノードND1では、低周波電圧源21から出力される低周波振幅変調信号VC_Lと高周波電圧源22から出力される高周波振幅変調信号VC_Hとが合成されて振幅変調信号VCが生成される。また、電圧合成ノードND1では、低周波電圧源21から出力された低周波誤差電流IC_Lと高周波電圧源22から出力された高周波誤差電流IC_Hが合成されることで誤差電流ICが生成される。
 抵抗Rsは、電圧合成ノードND1と電圧電流合成ノードND2との間に設けられる。抵抗Rsは、一方の端子(電圧合成ノードND1側)から入力される誤差電流ICを通過させ、他方の端子(電圧電流合成ノードND2側)において電流源24から出力される電流IMと誤差電流ICを合成する。そして、合成された電流IRLは、端子5を介してRFアンプ30に供給される。また、電圧合成ノードND1において合成された振幅変調信号VCは、抵抗Rsを介して端子5に出力される。端子5に出力される電圧は、図3の変調電源信号VOUTに対応するものである。
 電流源24は、スイッチングレギュレータにより構成される。このスイッチングレギュレータは、抵抗Rsにより振幅変調信号VCの振幅により生じた誤差電流ICの大きさを検知し、振幅変調信号VCに応じた電流IMを生成する。より具体的には、電流源24は、抵抗Rs、パルス変調器34、ローサイドゲートドライバ35、ハイサイドゲートドライバ36、第1のスイッチング素子(例えば、PMOSトランジスタP1)、第2のスイッチング素子(例えば、NMOSトランジスタN1)、インダクタ素子(例えば、インダクタL3)を有する。
 抵抗Rsは、合成回路23と共通に用いられるものであり、誤差電流ICの大きさを検出する。パルス変調器34は、誤差電流ICに基づき抵抗Rsの両端に発生する電圧差に基づきパルス変調信号を生成する。ローサイドゲートドライバ35は、パルス変調信号に基づきNMOSトランジスタN1を駆動する。ハイサイドゲートドライバ36は、パルス変調信号に基づきPMOSトランジスタP1を駆動する。PMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN1は、直流電源端子VDDと接地電源端子との間に直列に接続される。PMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN1とが互いに接続される出力端子(又は接続ノード)にはインダクタL3の一端が接続される。インダクタL3の他方の端子は、端子5に接続される。なお、接地電源端子には直流電源が接続される。
 NMOSトランジスタN1及びPMOSトランジスタP1は、ローサイドゲートドライバ35及びハイサイドゲートドライバ36により排他的に導通するように制御される。これにより、スイッチングレギュレータは、パルス変調信号を増幅した信号をインダクタL3の一方の端子に出力する。また、スイッチングレギュレータは、直流電源端子からインダクタL3に対して吐き出される電流の制御、及び、インダクタL3から接地端子に引き込まれる電流の制御を行う。インダクタL3は、平滑素子として機能する。そして、インダクタL3は、端子5に対して電流IMを出力する。このとき、スイッチングレギュレータでは、抵抗Rsを介した帰還経路により、抵抗Rsの両端の電圧差が小さくなるように電流IMを生成する。つまり、電流源24は、振幅変調信号VCの電圧に応じて電流IMの大きさを変動させて、電流IMとRFアンプ30に供給される電流IRLとの誤差電流ICを小さくする。また、スイッチングレギュレータの特性により、電流IMは振幅変調信号VCの低周波成分には高い追従性を有する。
 ここで、低周波電圧源21に接続される回路の等価回路図を図5に示し、高周波電圧源22に接続される回路の等価回路図を図6に示す。図5に示すように、低周波電圧源21には、負荷としてRFアンプ30が接続される。そして、低周波電圧源21から負荷に至る経路には、低域通過フィルタ25のインダクタL1、L2、コンデンサCL及び高域通過フィルタ26のコンデンサCHにより2段の低域通過フィルタが構成される。つまり、低周波電圧源21から出力される低周波振幅変調信号VC_Lは、この2段の低域通過フィルタを介して負荷に印加される。また、図6に示すように、高周波電圧源22には負荷としてRFアンプ30が接続される。そして、高周波電圧源22から負荷に至る経路には、高域通過フィルタ26のコンデンサCH及び低域通過フィルタ25のインダクタL1、L2、コンデンサCLにより2段の高域通過フィルタが構成される。つまり、高周波電圧源22から出力される高周波振幅変調信号VC_Hは、この2段の高域通過フィルタを介して負荷に印加される。つまり、本実施の形態にかかる低域通過フィルタ25及び高域通過フィルタ26は、これらのフィルタを構成する素子の接続形態によって少ない素子で高次のフィルタを構成する。
 低周波信号源31および高周波信号源32は互いに同期を取り、低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hとパルス変調器34が出力するパルス信号の出力タイミングを所望の値に設定する事が望ましい実施の形態である。低域通過フィルタ25と高域通過フィルタ26の遅延差を補正するように、低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hとパルス変調器34が出力するパルス信号の出力タイミングを設定する事で、ノードND1で低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hを合成した際の波形誤差を抑制する事ができる。
 続いて、本実施の形態にかかる電源変調器20の消費電力削減効果について説明する。この説明を行うに当たり、まず、電源変調器20を1つの電圧源により構成した比較例を示す。この比較例となる電源変調器20aのブロック図を図7に示す。
 図7に示す比較例では、低周波電圧源21及び高周波電圧源22に代えて電圧源210が設けられる。また、比較例では、電圧源が1つであるため、低域通過フィルタ25及び高域通過フィルタ26は設けられない。電圧源210は、信号源311とバッファ回路312を有する。信号源311は、ポーラ変調器10から受信した振幅変調信号VCを出力する。バッファ回路312は、信号源311が出力した振幅変調信号VCを出力すると共に誤差電流ICを出力する。バッファ回路312は、信号源311のインピーダンス変換器として機能する。
 まず、本実施の形態にかかる電源変調器20の出力電圧波形と比較例にかかる電源変調器20aの出力電圧波形とを比較する。そこで、図8に本実施の形態にかかる電源変調器20の出力電圧波形のグラフを示し、図9に比較例にかかる電源変調器20aの出力電圧波形のグラフを示す。図8、図9に示す出力電圧波形は、電源変調器20と電源変調器20aとを同一条件で動作させた場合のシミュレーション結果である。図8、図9に示すように、電源変調器20及び電源変調器20aのいずれの出力電圧波形も理想の電圧波形に精度よく追従していることがわかる。このことより、本実施の形態にかかる電源変調器20では、低域通過フィルタ25及び高域通過フィルタ26を信号経路に挿入してもフィルタ等を挿入しない場合と同等の精度で変調電源信号を得ることができることがわかる。これは、低域通過フィルタ25のカットオフ周波数と高域通過フィルタ26のカットオフ周波数を近くに取る事で、合成後の振幅変調信号VCの歪みを低減できることに起因する。
 続いて、本実施の形態にかかる電源変調器20の消費電力と比較例にかかる電源変調器20aの消費電力とを比較する。そこで、図10に本実施の形態にかかる電源変調器20の高周波電圧源22が出力する高周波振幅変調信号VC_H及び高周波誤差電流IC_Hのグラフを示し、図11に本実施の形態にかかる電源変調器20の低周波電圧源21が出力する低周波振幅変調信号VC_L及び低周波誤差電流IC_Lのグラフを示し、図12に比較例にかかる電圧源210が出力する振幅変調信号VC及び誤差電流ICのグラフを示す。
 図10に示すように、高周波振幅変調信号VC_Hの最大電圧は約5Vであって、高周波誤差電流IC_Hの平均電流は約200mAである。このことから、高周波電圧源22の消費電力は353mW程度となる。また、図11に示すように、低周波振幅変調信号VC_Lの最大電圧は約20Vであって、高周波誤差電流IC_Hの平均電流は数mAである。このことから、低周波電圧源21の消費電力は55mW程度となる。つまり、本実施の形態にかかる電源変調器20では、低周波電圧源21の消費電力と高周波電圧源22の消費電力の和は408mW程度となる。
 一方、比較例では図12に示すように、振幅変調信号VCの最大電圧は約20Vであって、誤差電流ICの平均電流は約200mAである。このことから、電圧源210の消費電力は3.63W程度となる。つまり、比較例では、本実施の形態にかかる電源変調器20の9倍もの電力を消費出力する必要がある。
 このように、本実施の形態にかかる電源変調器20では、電圧源の出力電力を低減することで、電圧源の消費電力を大きく削減することができる。これは、電源変調器20では、低周波電圧源21と高周波電圧源22を分離することで、誤差電流ICのうち大きな比率を占める高周波誤差電流IC_Hが高い電圧を出力する低周波電圧源21から出力されること回避したためである。また、低周波電圧源21から出力されるべき低周波電流のほとんどは電流源24が電流IMとして供給するため、低周波電圧源21から出力される低周波誤差電流IC_Lの大きさは限りなくゼロに近くすることができる。つまり、従来では大きな消費電力を必要とした低周波電圧源21の消費電流は、電流源24及び高周波電圧源22を別途設けることで大幅に削減される。
 実施の形態1の変形例
 図13に示す実施の形態1の変形例にかかる電源変調器20bについて説明する。電源変調器20bは、電源変調器20に代えて用いられるものである。電源変調器20bは、電源変調器20の電流源24に代えて用いられる電流源24aを有する。電流源24aは、パルス変調器34に代えてパルス信号源38を有する。パルス変調器38は、電源変調器20のパルス変調器34が出力するパルス信号と同じパルス信号VGを事前に計算し出力する機能を有する。また、パルス信号源38は、低周波信号源31および高周波信号源32と同期を取り、低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hとパルス信号VGの出力タイミングを所望の値に設定できる機能を有する。電源変調器20bにおいて抵抗Rsは除去して短絡しても良く、もしくは設置しても良い。
 このように、低周波信号源31および高周波信号源32と同期を取ったパルス信号源38を用い、低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hとパルス信号VGの出力タイミングを調整する事で、電流源24aから出力される電流IMと合成回路23から出力される振幅変調信号VCとの遅延に起因する誤差を補正する事ができる。電流IMと振幅変調信号VCの誤差を抑制する事により、誤差電流ICを抑制し、低周波電圧源21と高周波電圧源22の消費電力を抑制する事ができる。
 実施の形態2
 図14に示す実施の形態2にかかる電源変調器40について説明する。電源変調器40は、電源変調器20に代えて用いられるものである。また、電源変調器40は、電源変調器20の電流源24に代えて電流源27を有する。電流源27は、トランスを用いたスイッチングレギュレータであり、その機能は電流源24に相当する。
 電流源27は、抵抗Rs、パルス変調器34、ローサイドゲートドライバ35、NMOSトランジスタN1、トランス37、ダイオードD1、D2、インダクタL3、直流電源PWR1を有する。抵抗Rsは、合成回路23と共通に用いられるものであり、誤差電流ICの大きさを検出する。パルス変調器34は、誤差電流ICに基づき抵抗Rsの両端に発生する電圧差に基づきパルス変調信号を生成する。ローサイドゲートドライバ35は、パルス変調信号に基づきNMOSトランジスタN1を駆動する。トランス37の一次側コイルの一方の端子はNMOSトランジスタN1のドレインに接続され、一次側コイルの他方の端子は直流電源PWR1に接続される。トランス37の二次側コイルの一方の端子は接地端子に接続され、二次側コイルの他方の端子は、ダイオードD1のアノードに接続される。ダイオードD1のカソードはインダクタL3の一方の端子に接続される。インダクタL3の他方の端子は、端子5に接続される。ダイオードD2のアノードは接地端子に接続され、カソードはインダクタL3の一方の端子とダイオードD1のカソードとの接続点に接続される。なお、直流電源PWR1は直流電圧V1を出力する。
 このように、スイッチングレギュレータの電力増幅部にトランス37を用いることで、実施の形態1の電流源24で用いられていたハイサイドゲートドライバ36及びPMOSトランジスタP1が不要になる。スイッチングレギュレータでは、高電圧を出力するために、高い電圧が直流電源からPMOSトランジスタP1に印加される。しかし、実施の形態2の電流源24のように、トランス37を用いることで、高電圧が印加されるトランジスタが不要になるため、トランジスタの高電圧動作に起因する破壊の可能性を抑制することができる。つまり、電流源27は、実施の形態1の電流源24よりも高い信頼性を確保することができる。
 実施の形態2の変形例
 図15に示す実施の形態2の変形例にかかる電源変調器40aについて説明する。電源変調器40aは、電源変調器40に代えて用いられるものである。電源変調器40aは、電源変調器40の電流源27に代えて用いられる電流源27aを有する。電流源27aはパルス変調器34に代えてパルス信号源38を有する。電源変調器40aにおいて抵抗Rsは除去して短絡しても良く、もしくは設置しても良い。
 実施の形態2の変形例においても、実施の形態1の変形例と同じく、低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hとパルス信号VGの出力タイミングを調整する事で、電流IMと振幅変調信号VCとの遅延に起因する誤差を補正し、低周波電圧源21と高周波電圧源22の消費電力を抑制する事ができる。
 実施の形態3
 図16に示す実施の形態3にかかる電源変調器50について説明する。電源変調器50は、電源変調器20に代えて用いられるものである。また、電源変調器50は、電源変調器20の電流源24に代えて電流源28を有する。電流源28は、実施の形態2の電流源27と同様にトランスを用いたスイッチングレギュレータであり、その機能は電流源24に相当する。
 電流源27は、抵抗Rs、パルス変調器34、ローサイドゲートドライバ35、NMOSトランジスタN1、トランス37、ダイオードD1、D2、インダクタL3、第1の直流電源PWR1、第2の直流電源PWR2を有する。抵抗Rsは、合成回路23と共通に用いられるものであり、誤差電流ICの大きさを検出する。パルス変調器34は、誤差電流ICに基づき抵抗Rsの両端に発生する電圧差に基づきパルス変調信号を生成する。ローサイドゲートドライバ35は、パルス変調信号に基づきNMOSトランジスタN1を駆動する。トランス37の一次側コイルの一方の端子はNMOSトランジスタN1のドレインに接続され、一次側コイルの他方の端子は第1の直流電源PWR1に接続される。トランス37の二次側コイルの一方の端子は第2の直流電源PWR2に接続され、二次側コイルの他方の端子は、ダイオードD1のアノードに接続される。ダイオードD1のカソードはインダクタL3の一方の端子に接続される。インダクタL3の他方の端子は、端子5に接続される。ダイオードD2のアノードは第2の直流電源PWR2に接続され、カソードはインダクタL3の一方の端子とダイオードD1のカソードとの接続点に接続される。なお、第1の直流電源PWR1は直流電圧V1を出力し、第2の直流電源PWR2は直流電圧V2を出力する。
 電流源28では、ダイオードD1、D2は、トランス37の二次側コイルから出力された信号S1に第2の直流電源PWR2から出力された直流電圧V2を加算してインダクタL3に出力する。つまり、ダイオードD1、D2は、信号S2に第2の直流電源PWR2から出力された直流電圧V2を加算して出力する合成回路として動作する。ここで、インダクタL3に入力される信号S2は、図17で示す波形のようになる。
 インダクタL3は、信号S2として与えられたパルス信号を平滑化し、スプリアス成分を除去してRFアンプ30に電流IMを供給する。
 第3の実施の形態の電力増幅器では、図18で示すように、振幅変調信号VCを第1の直流電源PWR1から出力される直流電圧V1に比例する利得で増幅し、さらに増幅後の信号に第2の直流電源PWR2から出力される直流電圧V2を加算して変調電源信号VOUTを生成する。この変調電源信号VOUTは、RFアンプ30の電源端子5に供給される。そのため、RFアンプ30の出力信号は、変調電源信号VOUTによって振幅変調される。
 ここで、RFアンプ30に電源電圧として供給される変調電源信号VOUTは、第2の直流電源PWR2が出力する直流電圧V2よりも低くならないように制限された信号であるため、変調電源信号VOUTの電圧が低下したときにRFアンプ30の出力信号で発生する歪が抑制される。
 ところで、電源変調器50の電力損失は、NMOSトランジスタN1並びにダイオードD1、D2のスイッチング損失が主な要因となる。NMOSトランジスタN1のスイッチング損失LSWは、式(1)で示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 但し、RはRFアンプ30の負荷のインピーダンス、fswはパルス変調器34が出力するパルス変調信号の平均スイッチング周波数、Δtはオン時及びオフ時のスイッチング時間の合計である。
 また、ダイオードD1のスイッチング損失Ld1は、式(2)で示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 一方、ダイオードD2のスイッチング損失Ld2は、式(3)で示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 従って、電源変調器410の電力損失の合計Ltotalは、下記式(4)で示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
 一方、電源変調器410から出力される電力Poutは、式(5)で示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
 但し、dはパルス変調信号の平均デューティである。
 従って、式(5)で示す電源変調器50の出力電力Poutと、式(4)で示す電力損失Ltotalの比Pout/Ltotalは、式(6)で示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
 但し、r=V2/V1(>0)である。
 式(6)からわかるように、Pout/Ltotalはrの値に比例して単調に増加する関数である。また、式(7)で示すように、電力効率ηはout/Ltotalの値に比例して単調に増加する関数である。そのため、電力効率ηはrの値に比例して単調に増加する関数となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
 すなわち、実施の形態3にかかる電力増幅器は、第2の直流電源PWR2からダイオードD1、D2に直流電圧V2を供給することで、rの値を大きくした構成である。従って、実施の形態3の電力増幅器では、電力効率ηを向上させることができる。
 例えば、第2の直流電源PWR2がないとき(V2=0V)の電源変調器40(実施の形態2)の電力効率が50~70%であり、第2の直流電源PWR2を用いたとき(V2=5V~10V)の電源変調器50の電力効率が85~95%に改善されることが実験で確認されている。
 なお、実施の形態3の電力増幅器全体の電力効率は、主として電源変調器50の電力効率とRFアンプ30の電力効率とに依存し、(電源変調器50の電力効率)×(RFアンプ30の電力効率)で示される。電源変調器50の電力効率は、上述したように第2の直流電源PWR2の出力電圧V2=0Vのとき、50~70%であり、V2=5~10Vに設定すると85~95%に改善する。一方、RFアンプ30の電力効率は、一般に、第2の直流電源PWR2の出力電圧V2の値を高くするほど低下する。従って、実施の形態3の電力増幅器では、RFアンプ30で低下する電力効率よりも電源変調器50で向上する電力効率のほうが大きくなるように、第2の直流電源PWR2が出力する直流電圧V2の値を設定すれば、電力増幅器全体の電力効率を改善できる。
 実施の形態3の変形例
 図19に示す実施の形態3の変形例にかかる電源変調器50aについて説明する。電源変調器50aは、電源変調器50に代えて用いられるものである。電源変調器50aは、電源変調器50の電流源28に代えて電流源28aを有する。電流源28aは、パルス変調器34に代えてパルス信号源38を有する。電源変調器50aにおいて抵抗Rsは除去して短絡しても良く、もしくは設置しても良い。
 実施の形態3の変形例においても、実施の形態1の変形例と同じく、低周波振幅変調信号VC_Lと高周波振幅変調信号VC_Hとパルス信号VGの出力タイミングを調整する事で、電流IMと振幅変調信号VCとの遅延に起因する誤差を補正し、低周波電圧源21と高周波電圧源22の消費電力を抑制する事ができる。
 なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上記実施の形態では電源変調器の電流源としてスイッチングレギュレータを用いることで電力効率を改善することができるが、電流源としてリニアレギュレータを用いたとしても電圧源(低周波電圧源21及び高周波電圧源22を含む)の電力効率の改善の効果は損なわれない。
 この出願は、2009年2月5日に出願された日本出願特願2009-024691を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
 本発明は、無線通信機に用いられる送信用電力増幅器に利用することができる。
1、1a 電力増幅器
2 入力端子
3-5 端子
6 出力端子
7 遅延回路
10、10a ポーラ変調器
20、20a、20b、40、40a、50、50a 電源変調器
21 低周波電圧源
22 高周波電圧源
23 合成回路
24、24a、27、27a、28、28a 電流源
25 低域通過フィルタ
26 高域通過フィルタ
30 RFアンプ
31 低周波信号源
32 高周波信号源
33 バッファ回路
34 パルス変調器
35 ローサイドゲートドライバ
36 ハイサイドゲートドライバ
37 トランス
38 パルス信号源
210 電圧源
311 信号源
312 バッファ回路
CH、CL コンデンサ
D1、D2 ダイオード
L1~L3 インダクタ
N1 NMOSトランジスタ
ND1 電圧合成ノード
ND2 電圧電流合成ノード
P1 PMOSトランジスタ
PWR1、PWR2 直流電源
Rs 抵抗
VDD 直流電源端子
V1、V2 直流電圧
IC 誤差電流
IC_H 高周波誤差電流
IC_L 低周波誤差電流
IM 電流
IRL 電流
VC 振幅変調信号
VC_H 高周波振幅変調信号
VC_L 低周波振幅変調信号
VOUT 変調電源信号

Claims (16)

  1.  振幅変調成分及び位相変調成分を含む変調信号を増幅する電力増幅器であって、
     前記変調信号の振幅変調成分のうち低周波成分を増幅して第1の電圧を出力する第1の電圧源と、
     前記変調信号の振幅変調成分のうち高周波成分を増幅して第2の電圧を出力する第2の電圧源と、
     前記変調信号の振幅成分を増幅して電流を出力する電流源と、
     前記第1の電圧、前記第2の電圧及び前記電流を合成して変調電源信号を生成する合成回路と、
     前記変調信号を搬送波に重畳した信号を増幅すると共に、該増幅後の信号を前記変調電源により振幅変調して出力するRFアンプと、
     を有する電力増幅器。
  2.  送信信号として振幅変調成分及び位相変調成分を含む変調信号を増幅する電力増幅器であって、
     前記変調信号の振幅成分のうち低周波成分を増幅して第1の電圧を出力する第1の電圧源と、
     前記変調信号の振幅成分のうち高周波成分を増幅して第2の電圧を出力する第2の電圧源と、
     前記変調信号の振幅成分を増幅して電流を出力する電流源と、
     前記第1の電圧、前記第2の電圧及び前記電流を合成して変調電源信号を生成する合成回路と、
     前記位相変調成分を搬送波に重畳した信号を増幅すると共に、該増幅後の信号を前記変調電源信号により振幅変調して出力するRFアンプと、
    を有する電力増幅器。
  3.  合成回路は、
     前記第1の電圧源の出力端子に接続され、前記第1の電圧源の高周波ノイズを除去する低域通過フィルタと、
     前記第2の電圧源の出力端子に接続され、前記第2の電圧源の低周波ノイズを除去する広域通過フィルタと、を有し、
     前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記広域通過フィルタのカットオフ周波数よりも小さく設定される請求項1又は2に記載の電力増幅器。
  4.  前記第1の電圧源と前記第2の電圧源は、前記第1の電圧と前記第2の電圧との出力タイミングを同期させる請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  5.  前記電流源は、帰還増幅器であり、前記電流源の出力と前記低域通過フィルタ及び前記広域通過フィルタとの間に備えた抵抗の電圧差を検知し、前記電圧差が小さくなるように前記電流を出力する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  6.  前記電流源は、
     前記合成回路の出力電流の検出値をパルス変調信号に変換するパルス変調器と、
     前記パルス変調信号を増幅するスイッチングアンプと、
     前記スイッチングアンプの出力信号を平滑化して電流を出力する平滑フィルタと、
    を有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  7.  前記電流源は、
     パルス変調信号を出力するパルス信号源と、
     前記パルス変調信号を増幅するスイッチングアンプと、
     前記スイッチングアンプの出力信号を平滑化して電流を出力する平滑フィルタと、
    を有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  8.  前記パルス信号源は、前記第1の電圧又は前記第2の電圧の少なくとも一方と同期した前記パルス信号を出力する請求項7に記載の電力増幅器。
  9.  前記スイッチングアンプは、
     直流電源と接地電源との間に直列に接続される第1、第2のスイッチング素子と、
     前記第1、第2のスイッチング素子の一端が互いに接続される接続点に設けられる出力端子と、を有し、
     前記第1、第2のスイッチング素子により、前記直流電源から前記出力端子に出力される電流の制御及び前記出力端子から前記接地電源に引き込まれる電流の制御を行い、前記パルス変調信号を増幅する請求項6乃至8のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  10.  前記スイッチングアンプは、
     トランスと、
     前記トランスの一次側コイルの一端に接続された直流電源端子と、
     前記トランスの一次側コイルの他端に接続されたスイッチング素子と、
     前記トランスの二次側コイルの一端に接続された接地電源端子と、
     前記トランスの二次側コイルの他端に接続された第1の整流素子と、
     前記第2の直流電源と前記第1の整流素子の出力側端子との間に接続された第2の整流素子と、を有し、
     前記パルス変調信号により前記スイッチング素子を制御することで前記直流電源端子から前記トランスの一次側コイルに流れる電流を制御して前記パルス変調信号を増幅し、
     前記トランスと前記第1、第2の整流素子を介して前記第2の整流素子の出力端子に増幅した前記パルス変調信号を出力する請求項6乃至8のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  11.  前記スイッチングアンプは、
     トランスと、
     前記トランスの一次側コイルの一端に接続された第1の直流電源端子と、
     前記トランスの一次側コイルの他端に接続されたスイッチング素子と、
     前記トランスの二次側コイルの一端に接続された第2の電源端子と、
     前記トランスの二次側コイルの他端に接続された第1の整流素子と、
     前記第2の直流電源と前記第1の整流素子の出力側端子との間に接続された第2の整流素子と、を有し、
     前記パルス変調信号により前記スイッチング素子を制御することで前記第2の直流電源端子から前記トランスの二次側コイルに流れる電流を制御して前記パルス変調信号を増幅し、
     前記トランスと前記第1、第2の整流素子を介して前記第2の整流素子の出力端子に増幅した前記パルス変調信号を出力する請求項6乃至8のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  12.  前記平滑フィルタは、インダクタ素子であって、低域通過フィルタとして機能する請求項6乃至11のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  13.  前記変調信号の前記振幅変調成分は、ポーラ変調器が前記変調信号から抽出したものである請求項1乃至12のいずれか1項に記載の電力増幅器。
  14.  振幅変調成分及び位相変調成分を含む変調信号を増幅する電力増幅方法であって、
     前記変調信号の振幅成分のうち低周波成分を増幅して第1の電圧を出力し、
     前記変調信号の振幅成分のうち高周波成分を増幅して第2の電圧を出力し、
     前記変調信号の振幅成分を増幅して電流を出力し、
     前記第1の電圧、前記第2の電圧及び前記電流を合成して変調電源信号を生成し、
     前記変調信号を搬送波に重畳した信号を増幅すると共に、該増幅後の信号を前記変調電源により振幅変調して出力する電力増幅方法。
  15.  振幅変調成分及び位相変調成分を含む変調信号を増幅する電力増幅方法であって、
     前記変調信号の振幅成分のうち低周波成分を増幅して第1の電圧を出力し、
     前記変調信号の振幅成分のうち高周波成分を増幅して第2の電圧を出力し、
     前記変調信号の振幅成分を増幅して電流を出力し、
     前記第1の電圧、前記第2の電圧及び前記電流を合成して変調電源信号を生成し、
     前記位相変調信号を搬送波に重畳した信号を増幅すると共に、該増幅後の信号を前記変調電源により振幅変調して出力する電力増幅方法。
  16.  前記変調信号の前記振幅変調成分は、ポーラ変調器が前記変調信号から抽出したものである請求項14又は15に記載の電力増幅方法。
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