WO2010087428A1 - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

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WO2010087428A1
WO2010087428A1 PCT/JP2010/051200 JP2010051200W WO2010087428A1 WO 2010087428 A1 WO2010087428 A1 WO 2010087428A1 JP 2010051200 W JP2010051200 W JP 2010051200W WO 2010087428 A1 WO2010087428 A1 WO 2010087428A1
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carbonaceous substrate
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cvd apparatus
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義明 吉本
剛史 久保田
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東洋炭素株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a CVD apparatus for forming a SiC film on the surface of a carbonaceous substrate.
  • a susceptor used for semiconductor epitaxial growth is made of a material in which a SiC coating layer is formed on the surface of a carbonaceous substrate.
  • the formation of the SiC film on the surface of the carbonaceous substrate is usually carried out by directly subjecting a halogenated organosilicon compound containing a carbon source such as a hydrocarbon to a pyrolysis reaction in a reducing airflow, directly on the surface of the carbonaceous substrate.
  • a CVD method chemical vapor deposition method
  • the film was formed with the carbonaceous substrate sideways (in a laid state) while supporting the carbonaceous substrate at a plurality of points.
  • this method has the following problems.
  • the SiC film Since the SiC film is formed at a high temperature, warpage occurs in the susceptor, and the warpage becomes remarkable particularly when the thickness of the susceptor is small. Further, when the film is formed with the carbonaceous substrate facing sideways, the SiC film is formed in a state where particles are present on the surface of the carbonaceous substrate. For these reasons, there is a problem that the quality of the susceptor decreases.
  • the carbonaceous base material is suspended on a rotating support rod having a cross-sectional area smaller than the diameter of the through hole of the carbonaceous base material, thereby continuously supporting the carbonaceous base material support contacts.
  • the proposal of making it move is made (refer the following patent document 2). With such a proposal, the above problems (1) and (2) can be solved.
  • the proposal shown in Patent Document 2 can be applied only to a susceptor having a hole, and additionally requires a driving means for operating the rotary support rod, which increases the production cost of the CVD apparatus, A new problem such as an increase in the size of the apparatus arises. Therefore, as shown in FIG. 20, a susceptor self-supporting CVD apparatus has been proposed.
  • the carbonaceous base material 51 is placed on the knife edge portion 50a of the tip tapered support base 50, and both surfaces of the carbonaceous base material 51 are supported by the pins 52. It has become. With such a structure, it can be applied to a susceptor having no holes, and driving means for operating the rotary support rod is not necessary, so that the production cost of the CVD apparatus increases, An increase in size can be prevented.
  • the CVD apparatus has a structure in which a SiC film is formed on the carbonaceous substrate 51 while rotating the support base 50.
  • a source gas supply section is provided at the central portion and the peripheral portion. The flow rate and flow velocity of the reacting raw material gas are different because the distance from is different. For this reason, when the carbonaceous substrate 51 is arranged in a straight line as in a conventional CVD apparatus, the coating thickness varies depending on the arrangement position of the carbonaceous substrate 51, and the amount of warpage of the counterbore surface or the counterbore 51a is extremely large. There was a problem that it might become large.
  • an object of the present invention is to provide a CVD apparatus capable of dramatically improving the quality and productivity of a susceptor without causing an increase in production cost and an increase in the size of the apparatus.
  • the present invention provides a CVD apparatus for forming a SiC coating on the surface of a carbonaceous substrate by introducing a gas into the interior while the carbonaceous substrate is supported by a support member.
  • the support member has a lower support member on which the carbonaceous substrate is placed and supports the lower portion of the carbonaceous substrate, and an upper support member that supports the upper portion of the carbonaceous substrate, and the upper support member Is provided on the outer peripheral edge of the carbonaceous base material and includes two support plates, and the carbonaceous base material has sufficient play in the carbonaceous base material arrangement space formed between the support plates.
  • a material is arranged.
  • the support (holding) at the upper end of the carbonaceous substrate is performed by two support plates, an external force is applied to the carbonaceous substrate and the carbonaceous substrate is rotated or displaced. Even if this occurs, the carbonaceous substrate can be prevented from falling during the formation of the SiC film. Moreover, the fall of the adjacent carbonaceous base material resulting from the fall of one carbonaceous base material can also be prevented.
  • the carbonaceous substrate is disposed between the support plates in a state having sufficient play, when the gas is introduced into the apparatus, the carbonaceous substrate is supported by the wind force generated by the gas flow. Or the other support plate. That is, since the carbonaceous substrate is intermittently in contact with the main body of the upper support member, it is possible to avoid the disadvantage that a part of the carbonaceous substrate is not coated (that is, the SiC coating is uniform on the surface of the carbonaceous substrate). Coated). Further, since the upper support member is provided on the outer peripheral edge of the carbonaceous substrate, unevenness in the film thickness of the SiC film (color unevenness due to this) due to the upper support member entering the counterbore of the carbonaceous substrate. Can be prevented from occurring. In addition, since the carbonaceous substrate is self-supporting and is not completely fixed by the upper support member, a large external force is not applied to the carbonaceous substrate, so that the susceptor can be prevented from warping.
  • the amount of warpage is small, the color unevenness generation rate is suppressed, and the appearance is kept good, so that the quality of the susceptor can be improved. Furthermore, since a driving means such as a rotary support scale is not required separately, it is possible to prevent a rise in the production cost of the CVD apparatus and an increase in the size of the CVD apparatus.
  • the upper support member is preferably disposed at the upper end position of the carbonaceous substrate. If the arrangement position of the upper support member is provided at a position other than the upper end position of the carbonaceous substrate, the tilt angle of the carbonaceous substrate increases. For this reason, it is considered that the inconvenience that the carbonaceous base material cannot be sufficiently swung by the wind power generated by the gas flow, and a part of the carbonaceous base material is not coated. In addition, it is advantageous in that the flow of the raw material gas to the susceptor is not hindered.
  • the play is preferably 1 mm or more and 2 mm or less. If the play exceeds 2 mm, the tilt angle of the carbonaceous substrate becomes large, and as in the above case, a part of the carbonaceous substrate is not coated. On the other hand, if the play is less than 1 mm, it is always in contact. Even if not, it is difficult to flow because the flow path of the source gas is narrow, and it is not preferable because a part of the base material is not coated. Moreover, it is because the processing precision of an upper support member must be improved and a cost rise is caused.
  • the carbonaceous substrate arrangement space formed by the two integrated support plates is substantially V-shaped. If the carbonaceous substrate arrangement space formed by the two support plates is substantially V-shaped, the play amount can be adjusted by simply moving the upper support member up and down.
  • a pyrolytic carbonaceous layer exists on the surface of the lower support member. If it is the said structure, it can suppress that a SiC film peels from a susceptor, when a susceptor is removed from a lower support member resulting from the strength of a pyrolytic carbonaceous film being weaker than a SiC film.
  • a thermal expansion sheet on which a pyrolytic carbonaceous layer is formed is present on the surface of the lower support member. Even if it is the said structure, when a susceptor is removed from the lower support member for the same reason as above, it can suppress that a SiC film peels from a susceptor. Further, in this case, it is not necessary to replace the lower support member every time the SiC film is formed, and only the thermal expansion sheet on which the pyrolytic carbonaceous layer is formed needs to be replaced, so that productivity is improved. Furthermore, since the thermal expansion sheet is rich in flexibility, it has excellent cushioning properties when a carbonaceous substrate is placed on the lower support member. Therefore, it is possible to prevent the carbonaceous base material from being chipped during mounting. In particular, when the carbonaceous substrate is large and has a large weight, the effect is sufficiently exhibited.
  • each carbonaceous substrate When forming a SiC film on the surface of a plurality of the above-mentioned carbonaceous substrates, it is desirable to arrange each carbonaceous substrate so that it may become equidistant from the center of an apparatus.
  • the distance from the source gas supply unit differs between the central part and the peripheral part, but if each carbonaceous substrate is arranged so as to be equidistant from the center of the apparatus, the carbonaceous substrate Since the difference in the distance from the source gas supply unit due to the arrangement position of the material is eliminated, the amount of warpage can be reduced in any susceptor.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows the internal structure of the CVD apparatus of this invention. It is a perspective view which shows a lower support member. It is a figure which shows a lower support member, Comprising: The figure (a) is a side view, The figure (b) is a front view, The figure (c) is a sectional view taken on the line BB of the figure (b). . It is a perspective view which shows the main-body part of a lower support member. It is a figure which shows the main-body part of a lower supporting member, Comprising: The figure (a) is a side view, The figure (b) is a front view, The figure (c) is the sectional view on the AA line of the figure (b). FIG.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows the contact part of a lower support member. It is a figure which shows the contact part of a lower support member, Comprising: The figure (a) is a front view, The figure (b) is a bottom view, The figure (c) is a side view. It is a figure which shows an upper support member, Comprising: The figure (a) is a front view, The figure (b) is a perspective view. It is explanatory drawing which shows the relationship between an upper supporting member and a carbonaceous base material.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the support procedure of a carbonaceous base material, Comprising: The same figure (a) (b) is the front view and side view which show the state which has arrange
  • the drawings (c) and (d) are a front view and a side view showing a state in which the fitting tube is fitted into the fitting rod, and FIGS. (E) and (f) show the support end state of the carbonaceous substrate. It is the front view and side view which show. It is explanatory drawing which shows the relationship between an upper support member and a lower support member. It is a perspective view which shows the modification of the internal structure in the CVD apparatus of this invention.
  • the CVD apparatus of the present invention includes a pedestal 1, a support shaft 2 fixed to the center of the pedestal 1, a support rod 4 extending radially from the support shaft 2, A support ring 3 fixed to the outer end of the support bar 4 and integrated with the support bar 4 is provided, and these rotate together as the apparatus is operated.
  • the main body portion 7 and the contact portion 8 placed on the upper portion of the main body portion 7 are constituted.
  • the main body portion 7 is fixed to the pedestal 1 by fitting into a protrusion (not shown) protruding from the extending portion 1a of the pedestal 1 inside.
  • the upper surface 7e of the convex portion 7b serves as a mounting surface on which the contact portion 8 is mounted, and the height L1 of the projection 7d formed at both ends of the upper surface 7e [see FIG. 5B] Is larger than the thickness L2 of the contact portion 8 (see FIG. 7B).
  • the contact portion 8 includes a main body portion 8a made of graphite and a pyrolytic carbon layer 8b formed on the outer surface of the main body portion 8a.
  • the outer shape of the contact portion 8 is substantially semicircular, and its length L3 (see FIG. 7C) is the length L4 of the upper surface 7e of the convex portion 7b [FIG. 5B]. It is configured to be slightly smaller than the reference.
  • a U-shaped groove 8c is formed on the lower surface of the main body portion 8a, and its width L5 is slightly smaller than the width L6 of the upper surface 7e of the convex portion 7b [see FIG. 5 (a)].
  • the contact portion 8 can be smoothly arranged on the upper surface 7 e of the main body portion 7. Further, since the pyrolytic carbon layer 8b has a lower strength than the SiC coating formed by the CVD apparatus, the carbonaceous substrate 5 is removed from the CVD apparatus after the SiC coating is formed on the carbonaceous substrate 5. At this time, it is possible to prevent the SiC coating from being peeled off from the carbonaceous substrate 5.
  • the pyrolytic carbon layer 8b is not limited to the configuration formed only on the semicircular surface as described above, and may be formed on the entire outer surface of the main body 8a.
  • the pyrolytic carbon layer 8b can be formed by a generally known method, and an example thereof is shown below. First, after the main body 8a is placed in the processing furnace, the pressure in the furnace is maintained at 0.1 to 10 Torr, the temperature in the furnace is maintained at 1600 to 2000 ° C., and hydrocarbon gas such as methane gas or propane gas, hydrogen Introduce gas. Then, since the gas is thermally decomposed in the furnace, the pyrolyzed carbon is deposited on the surface of the main body portion 8a, and the pyrolytic carbon layer 8b is formed on the surface of the main body portion 8a. In order to improve the purity of the pyrolytic carbon layer 8b, it is desirable to perform heat treatment at about 2000 ° C.
  • the deposited carbon tends to become sparse, and further, by changing the processing temperature and other conditions, it becomes a highly oriented structure or a structure of a turbulent structure. Need to be implemented.
  • a cylindrical fitting rod 4a is erected on the upper surface of the support rod 4, and the fitting rod 4a has an inner diameter slightly larger than the diameter of the fitting rod 4a.
  • the fitting cylinder 11 is fitted. Adjacent fitting cylinders 11 are fixed to each other by a connecting rod 12, and an upper support member 13 is fixed to the outer peripheral edge of the carbonaceous substrate 5 at a substantially central portion of the connecting rod 12. .
  • the upper support member 13 is formed with an attachment portion 13b for attachment to the connecting rod 12 on the upper surface of the base 13a, and on the lower surface of the base 13a.
  • a main body 13c is formed.
  • a V-shaped groove 13d that supports the upper end of the carbonaceous substrate 5 is formed in the lower part of the main body 13c, and the space formed by the groove 13d constitutes the carbonaceous substrate arrangement space 17. To do. Further, the inner surface of the V-shaped groove 13d is a knife edge 13e having a tapered tip, whereby the contact area with the carbonaceous substrate 5 can be reduced, and the thickness of the SiC coating is made more uniform. .
  • the support (holding) at the upper end of the carbonaceous base material 5 is two support plates (two walls forming the V-shaped groove 13d, and is supported by a pin. Therefore, even if a force is applied to the carbonaceous substrate 5 and the carbonaceous substrate 5 is misaligned, the carbonaceous substrate 5 may fall down during the formation of the SiC film. Can be suppressed.
  • the distance L7 between the carbonaceous substrate 5 and the groove 13d is preferably about 1 to 2 mm. This is due to the following reason. That is, as shown in FIG. 9, since the carbonaceous substrate 5 is rotated by the gas flow in the CVD apparatus and the rotational force of the apparatus, the carbonaceous substrate 5 is brought into contact with one knife edge 13e 1 or the other knife edge 13e 2 . Or abut. Thereby, the inconvenience that a SiC film is not formed in a part of carbonaceous base material 5 is avoided.
  • the distance L7 between the carbonaceous base material 5 and the groove 13d is too large, the tilt angle ⁇ of the carbonaceous base material 5 becomes large, and the carbonaceous base material 5 has the other knife edge due to the gas flow in the CVD apparatus.
  • the SiC film is not formed on a part of the carbonaceous substrate 5.
  • the distance L7 between the carbonaceous substrate 5 and the groove 13d is restricted so as to be too small, the flow path of the source gas is narrow even if it is not always in contact, so that it is not coated or the groove 13d is processed. This is because the accuracy must be improved and the cost increases.
  • the distance L7 between the carbonaceous substrate 5 and the groove 13d may be further increased if the length of the carbonaceous substrate 5 (height when standing up) is large.
  • the distance L7 is preferably 2 mm.
  • FIGS. 10A and 10B the carbonaceous substrate 5 is disposed on the lower support member 6, and the upper support member 13 is disposed on the carbonaceous substrate 5.
  • FIGS. 10C and 10D the fitting cylinder 11 having an inner diameter slightly larger than the diameter of the fitting bar 4a is fitted into the fitting bar 4a. Then, when the fitting is finished, the preparation is completed as shown in FIGS.
  • a ring-shaped adjustment member 21 is attached to the fitting rod 4a.
  • the distance L7 can be adjusted by fitting.
  • the jigs 24 are arranged radially, and as shown in FIG. 13, the carbonaceous substrate 5 is arranged in a direction parallel to the radial direction and in a direction perpendicular to the radial direction.
  • a forming process can also be performed.
  • the groove 13d formed in the upper support member 13 is not limited to a V shape, and may be a U shape or a U shape as shown in FIG. However, in such a configuration, since the distance L7 between the carbonaceous substrate 5 and the groove 13d cannot be changed, it can be applied only to the carbonaceous substrate 5 having the same thickness.
  • the arrangement position of the upper support member 13 is not limited to the upper end of the carbonaceous substrate 5, and may be arranged at an intermediate position of the carbonaceous substrate 5 as shown in FIG. 16. However, in this case, even when the distance L7 between the carbonaceous substrate 5 and the groove 13d is set to 1 to 2 mm as described above, ⁇ shown in FIG. 9 becomes large. Therefore, it is most desirable that the upper support member 13 is disposed at the upper end of the carbonaceous substrate 5.
  • the pyrolytic carbon layer 8b is formed directly on the outer surface of the main body portion 8a.
  • the present invention is not limited to such a configuration, and as shown in FIG. After the pyrolytic carbon layer 8b is formed on the outer surface of the expanded graphite sheet 26 having the same shape as the portion 8a, the outer surface of the main body portion 8a may be covered with this.
  • the expanded graphite sheet 26 is a sheet-like graphite product produced by compressing and pressing acid-treated scaly natural graphite that has been subjected to high-temperature expansion treatment, and has flexibility.
  • the sheet is preferably a high-purity product with few impurities, specifically, 20 ppm or less, particularly 10 ppm or less, and preferably 5 ppm or less.
  • the pyrolytic carbon layer 8b can be formed by a method similar to the method of directly forming the pyrolytic carbon layer 8b directly on the outer surface of the main body portion 8a.
  • two support plates two walls forming the V-shaped groove 13d are integrally formed.
  • the present invention is not limited to such a structure. Alternatively, it may be formed separately.
  • Example 1 A susceptor was manufactured using the CVD apparatus shown in the text of the mode for carrying out the invention. A carbonaceous substrate (susceptor) having a diameter of 8 inches and a thickness of 6 mm was used. The same applies to Example 2 and Comparative Examples 1 to 3 below. The susceptor thus produced is hereinafter referred to as the present invention susceptor A1.
  • Example 2 A susceptor was produced using the CVD apparatus shown in (5) of (Other matters) in the embodiment for carrying out the invention.
  • the susceptor thus produced is hereinafter referred to as the present invention susceptor A2.
  • a susceptor was produced using a CVD apparatus in which the carbonaceous substrate was placed sideways (in a laid state) while the carbonaceous substrate was supported at a plurality of points by support pins.
  • the susceptor thus produced is hereinafter referred to as a comparative susceptor Z1.
  • Comparative Example 2 A susceptor was fabricated using the CVD apparatus described with reference to FIG. The susceptor thus produced is hereinafter referred to as comparative susceptor Z2.
  • Comparative Example 3 As shown in FIG. 18, a CVD apparatus in which the main body portion 13 c of the upper support member 13 and the carbonaceous substrate 5 are always in contact with each other and the pyrolytic carbon layer 8 b is not formed on the outer surface of the main body portion 8 a in the lower support member 6. A susceptor was prepared using The susceptor thus produced is hereinafter referred to as comparative susceptor Z3.
  • Table 1 shows the results of examining the warpage amount, color unevenness occurrence rate, appearance, and presence / absence of SiC coating peeling of the susceptors A1 and A2 of the present invention and the comparative susceptors Z1 to Z3.
  • the experimental conditions are as follows. Experimental conditions Pressure in the apparatus: 0.1 to 760 Torr Furnace temperature: 1150-1500 ° C Introducing gas: CH 3 SiCl 3 (methyltrichlorosilane), Hydrogen gas as carrier gas SiC film thickness: 40-60 ⁇ m
  • the carbonaceous substrate is intermittently in contact with the main body of the upper support member. Can be avoided (i.e., the surface of the carbonaceous substrate is uniformly coated with the SiC film). Therefore, in the susceptors A1 and A2 of the present invention, the amount of warpage is small and the color unevenness occurrence rate can be suppressed, so that the appearance is kept good. Moreover, since the upper end of the carbonaceous substrate is supported by the two plate-like members, even if the carbonaceous substrate is slightly displaced, the displacement is regulated at the initial stage. Therefore, it can suppress that a carbonaceous base material falls.
  • a pyrolytic carbon layer having a lower peel strength than the SiC coating is formed directly or via expanded graphite on the main body of the lower support member.
  • the SiC film can be prevented from peeling from the susceptor.
  • pyrolytic carbon may adhere to the susceptor side.
  • the thermal expansion coefficients of the SiC coating and pyrolytic carbon are greatly different, the pyrolytic carbon can be easily removed from the susceptor. .
  • the carbonaceous substrate may be displaced from the knife edge, and the carbonaceous substrate may fall, or even fall to an adjacent carbonaceous substrate.
  • the comparative susceptor Z2 it was recognized that a portion where the SiC film was not formed occurred and the color unevenness generation rate was increased.
  • the uniform SiC film is not formed in this way, it is recognized that the amount of warpage is increased in the comparative susceptor Z2.
  • the SiC film was directly formed on the carbonaceous substrate and the knife edge, peeling of the SiC film was observed when the comparative susceptor Z2 was removed from the apparatus.
  • the carbonaceous substrate is always supported by the upper support member (that is, the carbonaceous substrate and the upper support member are always in contact). Therefore, it was recognized that a large stress was easily applied to the carbonaceous substrate during the heat treatment, and the amount of warpage of the comparative susceptor Z3 was increased.
  • the pyrolytic carbon film is not formed on the surface of the lower support member, the color unevenness generation rate of the comparative susceptor Z3 increases, and when the comparative susceptor Z3 is removed from the apparatus, the SiC film is peeled off. It was.
  • the CVD apparatus of the present invention can be used for manufacturing a susceptor for semiconductor epitaxial growth.
  • Carbonaceous substrate 6 Lower support member 7: Main body part 8: Contact part 8a: Main body part 8b: Pyrolytic carbon layer 13: Upper support member 13d: Groove 13e: Knife edge

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Abstract

生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。　炭素質基材５を支持部材により支持した状態で、内部にガスを導入することにより、炭素質基材５の表面にＳｉＣ被膜を形成するＣＶＤ装置において、上記支持部材は、上記炭素質基材５が載置されて炭素質基材の下部を支持する下部支持部材６と、上記炭素質基材５の上部を支持する上部支持部材１３とを有し、この上部支持部材１３は上記炭素質基材５の外周縁に設けられると共に、この上部支持部材１３にはＶ字状の溝１３ｄが形成され、このＶ字状の溝１３ｄにより構成される炭素質基材配置空間１７内には、十分な遊びを有する状態で上記炭素質基材５が配置されることを特徴とする。

Description

ＣＶＤ装置
　本発明は、炭素質基材の表面にＳｉＣ被膜を形成するＣＶＤ装置に関するものである。
　例えば、半導体エピタキシャルグロースに使用されるサセプターなどは、炭素質基材の表面にＳｉＣ被覆層を形成した材質で構成されている。炭素質基材面へのＳｉＣ被膜の形成は、通常、炭化水素のようなカーボン源を含むハロゲン化有機珪素化合物を還元性気流中で熱分解反応させて炭素質基材の表面に直接的にＳｉＣを蒸着させるＣＶＤ法（化学的気相析出法）によって行われるが、形成されるＳｉＣ被膜は炭素質基材の全面にピンホールのない極めて緻密かつ均質な層として被覆させる必要がある。
　ここで、上記ＳｉＣ被膜の形成時には、炭素質基材を複数点で支持しつつ、炭素質基材を横向き（寝かせた状態）で被膜形成が行われていた。しかし、当該方法では、以下に示す課題を有していた。
（１）支持点はＳｉＣ被膜が形成されないために、全面にＳｉＣ被膜を形成しようとすると、ＳｉＣ被膜を形成した後、ＣＶＤ装置を開放して炭素質基材の支持点を変更し、再度ＳｉＣ被膜を形成しなければならないため、サセプターの製造コストが高騰する。
（２）ＳｉＣ被膜の形成は高温で行われるため、サセプターにそりが発生し、特にサセプターの厚みが小さいときにはそりが顕著となる。また、炭素質基材を横向きで被膜形成を行うと、炭素質基材の表面にパーティクルが存在するという状態でＳｉＣ被膜が形成されることになる。これらのことから、サセプターの品質が低下するという課題を有していた。
　尚、上記課題を考慮して、被処理基材（炭素質基材）を支持羽根から一端持ち上げ、支持羽根と被処理基材との接触位置を変更するという動作を、ＣＶＤ反応の途中で実施することにより、ＣＶＤ装置を開放することなくＳｉＣ被膜を形成するという提案がなされている（下記特許文献１参照）。しかし、このような提案であっても上記（２）に示すような課題を解決することはできない。
　このようなことを考慮して、炭素質基材を、炭素質基材の貫通孔の直径より小さな断面積を有する回転支持杵に懸架することにより、炭素質基材の支持接点を連続的に移動させるという提案がなされている（下記特許文献２参照）。このような提案であれば、上記（１）（２）の課題は解決することができる。しかしながら、上記特許文献２に示す提案では、孔を有するサセプターにしか適用できず、しかも回転支持杵を作動させるための駆動手段等が別途必要となって、ＣＶＤ装置の生産コストの高騰や、ＣＶＤ装置の大型化を招来するといった新たな課題が生じる。
　そこで、図２０に示すように、サセプター自立式のＣＶＤ装置が提案されている。具体的には、当該ＣＶＤ装置においては、先端先細り状の支持台５０のナイフエッジ部５０ａに炭素質基材５１を載置すると共に、炭素質基材５１の両面をピン５２で支持するという構造となっている。このような構造であれば、孔を有しないサセプターにも適用でき、しかも、回転支持杵を作動させるための駆動手段等が不要となるので、ＣＶＤ装置の生産コストが高騰したり、ＣＶＤ装置が大型化したりするのを防止することができる。
特開２００３－２１３４２９号公報 特開昭６３－１３４６６３号公報
　しかしながら、上記従来の構造では、炭素質基材５１の両面を単にピン５２で支持する構造であるので、炭素質基材５１がＣ方向或いはＤ方向に回転して斜め方向にずれたり、更には倒れたりすることがある。後者の如く炭素質基材５１が倒れた場合、１の炭素質基材５１のみが倒れるだけであれば問題もさほど大きくないが、１の炭素質基材５１が倒れることにより、これに隣接する炭素質基材５１も倒れてしまうことがある。この結果、多数の炭素質基材５１が倒れて、所望のＳｉＣ被膜を形成することができなくなるという課題がある。また、前者の如く炭素質基材５１が回転した場合には、ピン５２がザグリ５１ａ内に入り込むことがあるため、ザグリ５１ａ内におけるＳｉＣ被膜の膜厚むらが生じ、色ムラが発生するという課題もある。
　更に、ＣＶＤ装置においては、支持台５０を回転させつつ炭素質基材５１にＳｉＣ被膜を形成する構造となっているが、ＣＶＤ装置の内部においては、中央部と周辺部とでは原料ガス供給部からの距離が異なるために反応する原料ガスの流量、流速が異なる。このため、従来のＣＶＤ装置の如く、炭素質基材５１が一直線状に配列されていると、炭素質基材５１の配置位置によっては被膜厚みが異なり、ザグリ面やザグリ５１ａのそり量が極めて大きくなることがあるという課題を有していた。
　そこで、本発明は、生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために本発明は、炭素質基材を支持部材により支持した状態で、内部にガスを導入することにより、炭素質基材の表面にＳｉＣ被膜を形成するＣＶＤ装置において、上記支持部材は、上記炭素質基材が載置されて炭素質基材の下部を支持する下部支持部材と、上記炭素質基材の上部を支持する上部支持部材とを有し、この上部支持部材は上記炭素質基材の外周縁に設けられると共に、２枚の支持板を備え、上記支持板間に形成された炭素質基材配置空間内に、十分な遊びを有する状態で上記炭素質基材が配置されることを特徴とする。
　上記構成の上部支持部材では、炭素質基材の上端における支持（保持）が２つの支持板により行われることになるので、炭素質基材に外力が加わって炭素質基材に回転や位置ずれが生じても、ＳｉＣ被膜形成中に炭素質基材が倒れるのを抑制できる。また、１の炭素質基材の倒れに起因する隣接する炭素質基材の倒れも防止できる。
　また、十分な遊びを有する状態で上記支持板間に上記炭素質基材が配置されるので、装置内にガスが導入されると、そのガス流による風力により、炭素質基材は上部支持部材の一方の支持板と接触したり他方の支持板と接触したりする。即ち、炭素質基材は上部支持部材の本体部と断続的に接触するので、炭素質基材の一部がコーティングされないという不都合を回避できる（即ち、炭素質基材の表面にＳｉＣ被膜が均一にコーティングされる）。更に、上部支持部材は炭素質基材の外周縁に設けられているので、上部支持部材が炭素質基材のザグリ内に入り込むことによるＳｉＣ被膜の膜厚むら（これに起因する色むら）が生じるのを抑止できる。加えて、炭素質基材は自立式であり、しかも、上部支持部材で完全に固定されないため、炭素質基材に大きな外力が加わることがないので、サセプターに反りが発生するのを抑制できる。
　以上のことから、本発明のＣＶＤ装置によって作製されたサセプターでは、反り量が少なく、色ムラ発生率を抑えて外観が良好に保たれるので、サセプターの品質を向上させることができる。
　更に、回転支持秤などの駆動手段等を別途必要としないので、ＣＶＤ装置の生産コストの高騰や、ＣＶＤ装置の大型化を招来するのを防止できる。
　上記上部支持部材は上記炭素質基材の上端位置に配置されていることが望ましい。
　上部支持部材の配置位置を炭素質基材の上端位置以外の位置に設けると、炭素質基材の倒れ角が大きくなる。このため、ガス流による風力では炭素質基材が十分に揺動できなくなって、炭素質基材の一部がコーティングされないという不都合が生じうることを考慮したものである。また、サセプターへの原料ガスの流れを妨げない上でも好都合となる。
　上記遊びが１ｍｍ以上２ｍｍ以下であることが望ましい。
　遊びが２ｍｍを超えると、炭素質基材の倒れ角が大きくなって、上記と同様、炭素質基材の一部がコーティングされないという不都合が生じる一方、遊びが１ｍｍ未満になると、常に接触していなくても原料ガスの流路が狭いために流れ難くなり、基材の一部がコーティングされない不都合のため好ましくない。また、上部支持部材の加工精度を向上させなければならず、コストの高騰を招くからである。
　また、上部支持部材において、一体型の上記２枚の支持板により形成される炭素質基材配置空間が略Ｖ字状であることが望ましい。
　２枚の支持板により形成される炭素質基材配置空間が略Ｖ字状であれば、上部支持部材を上下させるだけで、遊び量を調整することができる。
　上記下部支持部材の表面には熱分解炭素質層が存在することが望ましい。
　上記構成であれば、熱分解炭素質膜はＳｉＣ被膜よりも強度が弱いことに起因して、下部支持部材からサセプターを取り外した場合に、サセプターからＳｉＣ被膜が剥離するのを抑制できる。
　上記下部支持部材の表面には、熱分解炭素質層が形成された熱膨張シートが存在することが望ましい。
　上記構成であっても、上記と同様の理由により、下部支持部材からサセプターを取り外した場合に、サセプターからＳｉＣ被膜が剥離するのを抑制できる。また、この場合には、ＳｉＣ被膜形成毎に下部支持部材を交換する必要がなく、熱分解炭素質層が形成された熱膨張シートのみを交換すれば良いので、生産性が向上する。更に、熱膨張シートは可撓性に富んでいるので、下部支持部材に炭素質基材を載置したときのクッション性に優れる。したがって、載置時において、炭素質基材に欠け等が生じるのを抑制できる。特に、炭素質基材が大きくて重量が大きい場合には、当該作用効果が十分に発揮される。
　複数の上記炭素質基材の表面にＳｉＣ被膜を形成する場合に、各炭素質基材は装置の中心から等距離となるように配置されることが望ましい。
　ＣＶＤ装置の内部においては、中央部と周辺部とでは原料ガス供給部からの距離が異なるが、各炭素質基材は装置の中心から等距離となるように配置されていれば、炭素質基材の配置位置による原料ガス供給部からの距離の差異は解消されるので、何れのサセプターにおいても、そのそり量を低減できる。
　本発明によれば、生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるという優れた効果を奏する。
本発明のＣＶＤ装置の内部構造を示す斜視図である。 下部支持部材を示す斜視図である。 下部支持部材を示す図であって、同図（ａ）は側面図、同図（ｂ）は正面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＢ－Ｂ線矢視断面図である。 下部支持部材の本体部を示す斜視図である。 下部支持部材の本体部を示す図であって、同図（ａ）は側面図、同図（ｂ）は正面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ－Ａ線矢視断面図である。 下部支持部材の接点部を示す斜視図である。 下部支持部材の接点部を示す図であって、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は下面図、同図（ｃ）は側面図である。 上部支持部材を示す図であって、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は斜視図である。 上部支持部材と炭素質基材との関係を示す説明図である。 炭素質基材の支持手順を示す図であって、同図（ａ）（ｂ）は下部支持部材上に炭素質基材と上部支持部材とを順次配置した状態を示す正面図と側面図であり、同図（ｃ）（ｄ）は嵌め合せ棒に嵌め合せ筒を嵌め込む状態を示す正面図と側面図であり、同図（ｅ）（ｆ）は炭素質基材の支持終了状態を示す正面図と側面図である。 上部支持部材と下部支持部材との関係を示す説明図である。 本発明のＣＶＤ装置における内部構造の変形例を示す斜視図である。 本発明のＣＶＤ装置における内部構造の他の変形例を示す斜視図である。 各冶具の配置状態を示す説明図である。 上部支持部材の変形例を示す正面図である。 上部支持部材の配置位置の変形例を示す正面図である。 膨張黒鉛シートの外表面に熱分解炭素層を形成した状態を示す説明図である。 比較サセプターＺ３を作製する際の炭素質基材と上部支持部材との関係を示す説明図である。 サセプターの反り状態を示す説明図である。 従来のＣＶＤ装置の内部構造を示す斜視図である。
　図１に示すように、本発明のＣＶＤ装置は、台座１と、この台座１の中央部に固定された支持軸２と、この支持軸２から放射状に延設された支持棒４と、この支持棒４の外方端に固定されて支持棒４と一体型となる支持リング３とを有しており、装置の作動時にはこれらが一体となって回転する。
　上記台座１の延出部１ａの表面には、ザグリ５ａが各３つ形成された炭素質基材５の下部を支持するための下部支持部材６を有しており、この下部支持部材６は、図２及び図３（ａ）～（ｃ）に示すように、本体部７とこの本体部７の上部に載置された接点部８とから構成されている。上記本体部７は、図４及び図５（ａ）～（ｃ）に示すように、内部に上記台座１の延出部１ａから突出した突起（図示せず）に嵌って台座１と固定される孔７ｃが形成された基部７ａと、この基部７ａの上面に基部７ａと一体形成された凸部７ｂとを有している。この凸部７ｂの上面７ｅが上記接点部８を載置するための載置面となっており、また、上面７ｅの両端に形成された突起７ｄの高さＬ１〔図５（ｂ）参照〕は、上記接点部８の厚みＬ２〔図７（ｂ）参照〕よりも大きくなっている。このような構造とすることにより、炭素質基材５が接点部８の表面に載置された際或いはその後に、炭素質基材５が若干傾いたり移動したりしても突起７ｄと当接することになるので、炭素質基材５にそれ以上の傾き等が生じるのを阻止できる。
　また、上記接点部８は、図６及び図７（ａ）～（ｃ）に示すように、黒鉛から成る本体部８ａと本体部８ａの外表面に形成された熱分解炭素層８ｂとから構成されている。更に、接点部８の外形は、略半円状を成しており、その長さＬ３〔図７（ｃ）参照〕は、上記凸部７ｂの上面７ｅの長さＬ４〔図５（ｂ）参照〕よりも若干小さくなるように構成されている。また、上記本体部８ａの下面には、コ字状の溝８ｃが形成されており、その幅Ｌ５は、上記凸部７ｂの上面７ｅの幅Ｌ６〔図５（ａ）参照〕よりも若干小さくなるように構成されている。これら２つの構成により、本体部７の上面７ｅに接点部８を円滑に配置することができる。更に、上記熱分解炭素層８ｂはＣＶＤ装置により形成されるＳｉＣ被膜よりも強度が小さくなっているので、炭素質基材５にＳｉＣ被膜を形成した後、炭素質基材５をＣＶＤ装置から取り外す際に、炭素質基材５からＳｉＣ被膜が剥がれるのを阻止することができる。尚、熱分解炭素層８ｂは、上述の如く半円状の面にのみ形成される構成に限定するものではなく、本体部８ａの全外表面に形成されていても良い。
　ここで、熱分解炭素層８ｂは、一般的に知られた方法により形成することができ、その一例を以下に示す。先ず、本体部８ａを処理炉内に配置した後、炉内の圧力を０．１～１０Ｔｏｒｒ、炉内の温度を１６００～２０００℃に維持しつつ、メタンガスやプロパンガス等の炭化水素ガスや水素ガスを導入する。そうすると、炉内で上記ガスが熱分解するので、熱分解した炭素が本体部８ａの表面に沈着し、本体部８ａの表面に熱分解炭素層８ｂが形成されることになる。尚、熱分解炭素層８ｂの純度向上を図るため、熱分解炭素層８ｂの形成後に、四塩化炭素等のハロゲンガス雰囲気下で約２０００℃で熱処理することが望ましい。また、堆積速度を遅くしないと沈着する炭素が疎になり易く、更に、処理温度等の条件を変えることで、高配向の組織となったり、乱層構造の組織となったりする点に注意して実施する必要がある。
　一方、図１に示すように、上記支持棒４の上面には円柱状の嵌め合せ棒４ａが立設されており、この嵌め合せ棒４ａには、嵌め合せ棒４ａの直径より若干大きな内径を有する嵌め合せ筒１１が嵌められている。そして、隣接する嵌め合せ筒１１同士は連結棒１２により固定されており、この連結棒１２の略中央部であって上記炭素質基材５の外周縁には上部支持部材１３が固定されている。この上部支持部材１３は、図８（ａ）（ｂ）に示すように、基台１３ａの上面には上記連結棒１２に取り付けるための取り付け部１３ｂが形成される一方、基台１３ａの下面には本体部１３ｃが形成されている。この本体部１３ｃの下部には、上記炭素質基材５の上端を支持するＶ字状の溝１３ｄが形成されており、この溝１３ｄにより形成される空間が炭素質基材配置空間１７を構成する。また、上記Ｖ字状の溝１３ｄの内面は先端先細り状のナイフエッジ１３ｅとなっており、これによって、炭素質基材５との接触面積を低減でき、ＳｉＣ被膜の厚みがより均一化される。また、上記構成の上部支持部材１３では、炭素質基材５の上端における支持（保持）が２つの支持板（Ｖ字状の溝１３ｄを形成する２つの壁であって、ピンで支持するのではないということ）により行われることになるので、炭素質基材５に力が加わって炭素質基材５に位置ずれが生じても、ＳｉＣ被膜形成中に炭素質基材５が倒れるのを抑制できる。
　また、炭素質基材５と溝１３ｄとの距離Ｌ７〔図８（ａ）参照〕は、１～２ｍｍ程度であることが望ましい。これは、以下に示す理由による。即ち、図９に示すように、炭素質基材５はＣＶＤ装置内のガス流及び装置の回転力により回動するため、一方のナイフエッジ１３ｅ１と当接したり、他方のナイフエッジ１３ｅ２と当接したりする。これにより、炭素質基材５の一部にＳｉＣ被膜が形成されないような不都合を回避している。しかしながら、炭素質基材５と溝１３ｄとの距離Ｌ７が大き過ぎると、炭素質基材５の倒れ角θが大きくなって、炭素質基材５はＣＶＤ装置内のガス流により他方のナイフエッジへ戻ることができなくなり、この結果、炭素質基材５の一部にＳｉＣ被膜が形成されなくなるという不都合が生じる。一方、炭素質基材５と溝１３ｄとの距離Ｌ７を余りにも小さくなるように規制すると、常に接触していなくても原料ガスの流路が狭いために、コーティングされないことや、溝１３ｄの加工精度を向上させなければならず、コストの高騰を招くという不都合を生じるからである。
　尚、上述のような理由であれば、炭素質基材５の長さ（自立するときの高さ）が大きければ、炭素質基材５と溝１３ｄとの距離Ｌ７を更に大きくしても良いのではとも考えられるが、現状で用いられる炭素質基材５の最大長さを考慮すれば、距離Ｌ７は２ｍｍを限度とするのが望ましい。
　次に、炭素質基材５の配置方法について、図１０（ａ）～（ｃ）について説明する。尚、説明の簡素化を図るため、ザグリ５ａが１つの場合について説明する。
　先ず、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、下部支持部材６上に炭素質基材５を配置し、更に、炭素質基材５上に上部支持部材１３を配置する。次に、図１０（ｃ）（ｄ）に示すように、嵌め合せ棒４ａに、嵌め合せ棒４ａの直径より若干大きな内径を有する嵌め合せ筒１１を嵌め込む。そして嵌め込みが終了すると、図１０（ｅ）（ｆ）に示すように、準備終了状態となる。尚、炭素質基材５と上部支持部材１３の溝１３ｄとの距離Ｌ７が小さくなり過ぎるような場合には、例えば、図１１に示すように、嵌め合せ棒４ａにリング状の調節部材２１を嵌め込むことにより、距離Ｌ７を調整することが可能である。
（その他の事項）
（１）図１２に示すように、台座１の延出部１ａ上に直接下部支持部材６を配置するのではなく、伸縮可能な支持棒２２を介して下部支持部材６を配置すれば、短尺の炭素質基材５にも対応することができる。したがって、小ロットのものが存在する場合でも大ロットのものと同時に処理できるので、生産性を一層向上させることができる。
（２）図１４に示すように、各冶具２４を放射状に配置し、図１３に示すように、炭素質基材５を半径方向と平行な方向と垂直な方向とに配置して、ＳｉＣ皮膜形成処理を行うこともできる。
（３）上部支持部材１３に形成される溝１３ｄとしてはＶ字状のものに限定するものではなく、図１５に示すように、コ字状或いはＵ字状であっても良い。但しこのような構成とした場合には、炭素質基材５と溝１３ｄとの距離Ｌ７を変化させることはできないので、炭素質基材５の厚みが同一のものにしか適用することができない。
（４）上部支持部材１３の配置位置は炭素質基材５の上端に限定するものではなく、図１６に示すように、炭素質基材５の中間位置に配置しても良い。但し、この場合には、炭素質基材５と溝１３ｄとの距離Ｌ７を上記と同様１～２ｍｍとした場合であっても、図９に示したθが大きくなる。したがって、上部支持部材１３の配置位置は炭素質基材５の上端であることが最も望ましい。
（５）上記接点部８において、熱分解炭素層８ｂは、本体部８ａの外表面に直接形成したが、このような構成に限定するものではなく、図１７に示すように、内側形状が本体部８ａと同形状の膨張黒鉛シート２６の外表面に熱分解炭素層８ｂを形成した後、これを本体部８ａの外表面に被せるような構成であっても良い。尚、膨張黒鉛シート２６とは、酸処理した鱗状天然黒鉛を、高温膨張処理させたものを圧縮加圧することにより作製したシート状の黒鉛製品であり、可撓性を有している。また、当該シートは、不純物の少ない高純度品であることが好ましく、具体的には、２０ｐｐｍ以下、特に１０ｐｐｍ以下、その中でも５ｐｐｍ以下であることが望ましい。更に、熱分解炭素層８ｂの形成は、本体部８ａの外表面に直接熱分解炭素層８ｂを直接形成する方法と同様の方法で形成することができる。
（６）上記構成の上部支持部材１３では、２つの支持板（Ｖ字状の溝１３ｄを形成する２つの壁）が一体的に形成されているが、このような構造に限定するものではなく、別体に形成しても良い。
　以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明するが、ＣＶＤ装置は下記実施例の内容によって制限されるものではない。
〔実施例１〕
　上記発明を実施するための形態の本文で示したＣＶＤ装置を用いてサセプターを作製した。尚、炭素質基材（サセプター）としては、直径８インチ、厚さ６ｍｍのものを用いた。このことは、下記実施例２及び下記比較例１～３においても同様である。
　このようにして作製したサセプターを、以下、本発明サセプターＡ１と称する。
〔実施例２〕
　上記発明を実施するための形態における（その他の事項）の（５）で示したＣＶＤ装置を用いてサセプターを作製した。
　このようにして作製したサセプターを、以下、本発明サセプターＡ２と称する。
〔比較例１〕
　炭素質基材を支持ピンにより複数点で支持しつつ、炭素質基材を横向き（寝かせた状態）に配置したＣＶＤ装置を用いてサセプターを作製した。
　このようにして作製したサセプターを、以下、比較サセプターＺ１と称する。
〔比較例２〕
　従来の技術の図２０で説明したＣＶＤ装置を用いてサセプターを作製した。
　このようにして作製したサセプターを、以下、比較サセプターＺ２と称する。
〔比較例３〕
　図１８に示すように、上部支持部材１３の本体部１３ｃと炭素質基材５とを常時接触させると共に、下部支持部材６における本体部８ａの外表面に熱分解炭素層８ｂを形成しないＣＶＤ装置を用いてサセプターを作製した。
　このようにして作製したサセプターを、以下、比較サセプターＺ３と称する。
〔実験１〕
　上記本発明サセプターＡ１、Ａ２及び比較サセプターＺ１～Ｚ３の反り量、色ムラ発生率、外観、及び、ＳｉＣ被膜剥離の有無について調べたので、その結果を表１に示す。尚、実験条件（被膜形成条件）は、以下の通りである。
・実験条件
　装置内の圧力：０．１～７６０Ｔｏｒｒ
　炉内の温度：１１５０～１５００℃
　導入ガス：ＣＨ３ＳｉＣｌ３ （メチルトリクロロシラン）と、
　　　　　　キャリアガスとして水素ガス
　ＳｉＣ被膜の膜厚：４０～６０μｍ
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から明らかなように、実施例１及び実施例２に示したＣＶＤ装置を用いた場合には、炭素質基材は上部支持部材の本体部と断続的に接触するので、炭素質基材の一部がコーティングされないという不都合を回避できる（即ち、炭素質基材の表面にＳｉＣ被膜が均一にコーティングされる）。したがって、本発明サセプターＡ１、Ａ２では、反り量が少なく、色ムラ発生率を抑えることができるので外観が良好に保たれる。また、２つの板状の部材により炭素質基材の上端が支持されるので、炭素質基材が若干位置ずれ等しても初期の段階で位置ずれ等が規制されることになる。したがって、炭素質基材が転倒するのを抑止できる。加えて、下部支持部材の本体部に直接或いは膨張黒鉛を介して、ＳｉＣ被膜より剥がれ強度が小さな熱分解炭素層が形成されているので、下部支持部材から本発明サセプターＡ１、Ａ２を取り外した場合に、サセプターからＳｉＣ被膜が剥離するのを抑制できる。尚、このような場合、サセプター側に熱分解炭素が付着することがあるが、ＳｉＣ被膜と熱分解炭素との熱膨張係数は大きく異なるので、サセプターから熱分解炭素を容易に除去することができる。
　これに対して、比較例１に示したＣＶＤ装置では、厚みが極めて小さな炭素質基材を横向きにして被膜形成するので、比較サセプターＺ１では反りやうねりが生じて、反り量が著しく多くなっていることが認められる。また、炭素質基材の横載置によって、ザグリ面側にパーティクルが載った状態で被膜形成が行われ、更に、支持ピンが炭素質基材と常時接していることから支持痕が残る等の理由により、比較サセプターＺ１では色ムラが多数認められた。更に、炭素質基材と支持ピンとに直接ＳｉＣ被膜が形成されることから、比較サセプターＺ１を装置から取り外す際に、ＳｉＣ被膜の剥離が認められた。
　また、比較例２に示したＣＶＤ装置を用いた場合には、ナイフエッジから炭素質基材がずれて当該炭素質基材が転倒したり、更には隣接する炭素質基材まで転倒することがあるため、比較サセプターＺ２ではＳｉＣ被膜ができていない箇所が生じ、色ムラ発生率が高くなることが認められた。加えて、このように均一なＳｉＣ被膜が形成されないため、比較サセプターＺ２では反り量が多くなっていることが認められる。更に、炭素質基材とナイフエッジとに直接ＳｉＣ被膜が形成されることから、比較サセプターＺ２を装置から取り外す際に、ＳｉＣ被膜の剥離が認められた。
　更に、比較例３に示したＣＶＤ装置を用いた場合には、炭素質基材は上部支持部材によって常に支持されている（即ち、炭素質基材と上部支持部材とが常時接触している）ので、熱処理時に炭素質基材に大きな応力がかかり易くなって、比較サセプターＺ３の反り量が多くなっていることが認められた。また、下部支持部材の表面に熱分解炭素被膜が形成されていないことから、比較サセプターＺ３の色ムラ発生率が高くなり、しかも、比較サセプターＺ３を装置から取り外す際に、ＳｉＣ被膜の剥離が認められた。
　本発明のＣＶＤ装置は、半導体エピタキシャルグロース用サセプターの製造等に用いることができる。
　　５：炭素質基材
　　６：下部支持部材
　　７：本体部
　　８：接点部
　８ａ：本体部
　８ｂ：熱分解炭素層
　１３：上部支持部材
１３ｄ：溝
１３ｅ：ナイフエッジ

Claims (7)

  1. 　炭素質基材を支持部材により支持した状態で、内部にガスを導入することにより、炭素質基材の表面にＳｉＣ被膜を形成するＣＶＤ装置において、
    　上記支持部材は、上記炭素質基材が載置されて炭素質基材の下部を支持する下部支持部材と、上記炭素質基材の上部を支持する上部支持部材とを有し、この上部支持部材は上記炭素質基材の外周縁に設けられると共に、２枚の支持板を備え、上記支持板間に形成された炭素質基材配置空間内に、十分な遊びを有する状態で上記炭素質基材が配置されることを特徴とするＣＶＤ装置。
  2. 　上記上部支持部材は上記炭素質基材の上端位置に配置されている、請求項１に記載のＣＶＤ装置。
  3. 　上記遊びが１ｍｍ以上２ｍｍ以下である、請求項１又は２に記載のＣＶＤ装置。
  4. 　上部支持部材において、一体型の上記２枚の支持板により形成される炭素質基材配置空間が略Ｖ字状である、請求項１～３の何れか１項に記載のＣＶＤ装置。
  5. 　上記下部支持部材の表面には熱分解炭素質層が存在する、請求項１～４の何れか１項に記載のＣＶＤ装置。
  6. 　上記下部支持部材と上記熱分解炭素質層との間には、熱膨張シートが存在する、請求項５に記載のＣＶＤ装置。
  7. 　複数の上記炭素質基材の表面にＳｉＣ被膜を形成する場合に、各炭素質基材は装置の中心から等距離となるように配置される、請求項１～６の何れか１項に記載のＣＶＤ装置。
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