CN117737840A - 用于承载外延片的复合式载盘及C/C-SiC复合材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本披露公开了一种用于承载外延片的复合式载盘及C/C‑SiC复合材料的制备方法。所述用于承载外延片的复合式载盘包括石墨底座、外遮挡环和内遮挡环。所述石墨底座包括设置于石墨底座顶部的第一环形凸起；所述外遮挡环环形套设于所述石墨底座上的所述第一环形凸起的外侧；所述内遮挡环设置于所述石墨底座上的所述第一环形凸起处；其中，所述外遮挡环和所述内遮挡环配合以包覆所述第一环形凸起，所述外延片设置于所述石墨底座上的所述内遮挡环之间。如此解决了化学气相沉积形成的碳化硅遮挡环开裂的问题以及薄片石墨变形的问题。
Description
技术领域
本披露一般地涉及半导体制备技术领域。更具体地，涉及一种用于承载外延片的复合式载盘及C/C-SiC复合材料的制备方法。
背景技术
碳化硅材料作为第三代半导体代表材料之一，与以硅为代表的第一代半导体以及以砷化镓为代表的第二代化合物半导体材料相比，拥有着优异的物理化学性能，被广泛的应用于高压等电子器件上。采用垂直机台制备的外延片，使气流垂直于外延片正面方向进入腔体中，可以获得浓度均匀性优良且高质量的外延片。石墨底座作为衬底在化学气相沉积(CVD)腔体中的承载件，将显著影响到外延片的质量。
目前，石墨chuck的材料组成分为石墨+化学气相沉积的碳化硅(SIC)两部分。高温下石墨材料稳定性好，但是针对薄片的石墨件容易发生形变。采用化学气相沉积的SIC遮挡环是脆性材料容易导致化学气相沉积的碳化硅开裂。
有鉴于此，亟需提供一种用于承载外延片的复合式载盘及C/C-SiC复合材料的制备方法的方案，以便至少解决化学气相沉积的碳化硅遮挡环开裂以及薄片石墨变形的问题。
发明内容
为了至少解决如上所提到的一个或多个技术问题，本披露提出了一种用于承载外延片的复合式载盘及C/C-SiC复合材料的制备方法。
本披露提供了一种用于承载外延片的复合式载盘。所述用于承载外延片的复合式载盘包括石墨底座、外遮挡环和内遮挡环。所述石墨底座包括设置于石墨底座顶部的第一环形凸起；所述外遮挡环环形套设于所述石墨底座上的所述第一环形凸起的外侧；所述内遮挡环设置于所述石墨底座上的所述第一环形凸起处；其中，所述外遮挡环和所述内遮挡环配合以包覆所述第一环形凸起，所述外延片设置于所述石墨底座上的所述内遮挡环之间。
本披露还提供了一种C/C-SiC复合材料的制备方法。所述C/C-SiC复合材料的制备方法包括：对选取的炭毡进行去胶；将去胶后的炭毡通过CVI沉积PyC涂层获取C/C预制体；将C/C预制体通过CVI沉积SiC涂层以获取C/C-SiC复合材料。
本披露实施例提供的用于承载外延片的复合式载盘及C/C-SiC复合材料的制备方法，可以实现以下技术效果：
本实施例提供的用于承载外延片的复合式载盘，将最底层设置为石墨底座。在石墨底座的基础上分别设置外遮挡环和内遮挡环。外遮挡环为C/C-SiC复合材料，内遮挡环为石墨经化学气相沉积碳化硅的涂层件。解决了化学气相沉积形成的碳化硅遮挡环开裂的问题以及薄片石墨变形的问题。
进一步地，将外遮挡环的边缘和石墨底座的边缘之间的距离控制在2-4mm的范围捏，防止涂层长在石墨底座的边缘。内遮挡环的上部的下侧面与外遮挡环的上侧面之间的尺寸高度控制在2mm-5mm的范围可以防止外遮挡环在发生应力变形时顶起内遮挡环。第一端面和第二端面之间的尺寸优选控制在10mm的范围内防止内遮挡环变形。
进一步，C/C-SiC复合材料的制备方法采用两步化学气相渗透沉积热解碳涂层并沉积碳化硅涂层最终获取高强度和高韧性的C/C-SiC复合材料。
进一步，将C/C预制体的密度控制在0.7g/cm3，使炭纤维有热解炭涂层包裹，保护炭纤维，提高氧化以及力学性能；在小于1000pa的压力下沉积保证热解炭涂层质量，减少炭黑生成。
更进一步地，将C/C-SiC复合材料的密度控制在1.6g/cm3，使基材表面和内部均沉积有碳化硅涂层。该密度下使炭纤维表面得到充分覆盖。在1400℃的温度下沉积的碳化硅相比于低温沉积更有利于生长后的涂层更耐氢气刻蚀。小于500pa的低压沉积有利于涂层生长到基材内部。
附图说明
通过参考附图阅读下文的详细描述，本披露示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本披露的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：
图1示出了本披露实施例的一种用于承载外延片的复合式载盘的示意图；
图2示出了本披露实施例的一种用于承载外延片的复合式载盘的另一示意图；
图3示出了本披露实施例的一种平纹结构的示意图；
图4示出了本披露实施例的一种平纹布+2.5D的针刺结构的示意图；
图5示出了本披露实施例的一种C/C-SiC复合材料的制备方法的流程图。
附图标记：
1、石墨底座；11、第一环形凸起；111、第一端面；112、第二端面；12、第二环形凸起；
2、外遮挡环；
3、内遮挡环；
4、外延片；
5、平纹布；
6、针刺结构。
具体实施方式
下面将结合本披露实施例中的附图，对本披露实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本披露一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本披露中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本披露保护的范围。
应当理解，本披露的说明书和权利要求书中使用的术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本披露说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的，而并不意在限定本披露。如在本披露说明书和权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本披露说明书和权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
如在本说明书和权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
本披露实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本公开实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本公开实施例中的具体含义。
另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开实施例中的具体含义。
除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。
下面结合附图来详细描述本披露的具体实施方式。
如图1至图2所示，本披露的实施例提供一种用于承载外延片的复合式载盘。该用于承载外延片的复合式载盘包括：石墨底座1、外遮挡环2和内遮挡环3。石墨底座1包括设置于石墨底座1顶部的第一环形凸起11；外遮挡环2环形套设于石墨底座1上的第一环形凸起11的外侧；内遮挡环3设置于石墨底座1上的第一环形凸起11处；其中，外遮挡环2和内遮挡环3配合以包覆第一环形凸起11，外延片4设置于石墨底座1上的内遮挡环3之间。石墨底座1的中间还设置有小托盘，且石墨底座1上还设置有其它的凸起。
具体地，石墨底座1可以是圆盘形结构，起到底部支撑的作用。石墨底座1上部围绕圆盘的中心成型一沿圆周设置的第一环形凸起11。外遮挡环(cover out)2为圆环形结构，其设置在石墨底座1上的第一环形凸起11的外侧，且其边缘超出石墨底座1的边缘。内遮挡环(cover in)3也是圆环形结构，但是其沿石墨底座1的轴线方向的截面是折尺形状的。该折尺截面形状的内遮挡环3刚好卡设于第一环形凸起11。石墨底座1上侧的内遮挡环3的内侧设置有外延片4。外遮挡环2、内遮挡环3和外延片4可以将石墨底座1遮挡住。通过上述的结构设计，可以减小自身的变形能够为外延片4提供牢固的支持。
在一优选实施例中，外遮挡环2为C/C-SiC复合材料，内遮挡环3为石墨经化学气相沉积SiC的涂层件。
具体地，外遮挡环2和内遮挡环3的材料选择具备高强度和高韧性。能够应对高温热振和打磨，应对薄片石墨变形，且石墨热稳定好。
如图1至图2所示，在一优选实施例中，外遮挡环2和石墨底座1均为圆环形结构，外遮挡环2和石墨底座1沿轴线方向的截面的端面之间的距离为L1，且L1的取值范围为[2mm，4mm]。
具体地，如图1中所示的石墨底座1的轴线方向截取外遮挡环2和石墨底座1。截取后外遮挡环2的边缘和石墨底座1的边缘，也就是二者的端面之间的距离为如图1中所标注的L1。L1的尺寸优选控制在2mm-4mm的范围内。由此，外遮挡环2的直径覆盖石墨底座1边沿位置，防止coating(涂层)长在石墨载盘边缘。
如图1至图2所示，在一优选实施例中，内遮挡环3为Z字形圆环结构，其中，内遮挡环3的上部从第一环形凸起11的顶部延伸到外遮挡环2的上侧，内遮挡环3的下部朝向第一环形凸起11的内侧延伸。
具体地，内遮挡环3优选为Z字形圆环结构。该内遮挡环3包围第一环形凸起11的顶面和远离外遮挡环2的侧面，并向外遮挡环2延伸，覆盖部分外遮挡环2。为了防止变形，伸出部分不能太长。
如图1至图2所示，在一优选实施例中，内遮挡环3的上部的下侧面与外遮挡环2的上侧面之间的距离为L2，且L2的取值范围为[2mm，5mm]。
具体地，对于内遮挡环3朝向外遮挡环2的伸出部分，该伸出部分的下侧面与被遮挡的外遮挡环2的上侧面之间具有一定的距离，该距离即为L2。L2的尺寸优选控制在2mm-5mm的范围内。尺寸高度控制在2mm-5mm的范围可以防止外遮挡环2在发生应力变形时顶起内遮挡环3。
如图1至图2所示，在一优选实施例中，内遮挡环3的上部包括位于第一环形凸起11两侧的第一端面111和第二端面112，其中，该第一端面111和第二端面112之间的距离为L3，且L3<10mm。
具体地，第一环形凸起11靠近外遮挡环2的一侧是内遮挡环3的第一端面111，远离外遮挡环2的一侧是内遮挡环3的第二端面112。第一端面111和第二端面112之间具有一定的距离，该距离即为L3。L3的尺寸优选控制在10mm的范围内。尺寸宽度控制在10mm的范围内可以防止内遮挡环3变形。
优选地，石墨底座1沿轴线方向的尺寸厚度优选为小于5mm，可以使得石墨底座1保持温度场稳定性。
如图1所示，在一优选实施例中，石墨底座1还包括设置于石墨底座1顶部的第二环形凸起12，其中，内遮挡环3的下部设置于第一环形凸起11和第二环形凸起12之间。
具体地，在第一环形凸起11的内侧还沿圆周设置有第二环形凸起12。Z字形圆环结构的内遮挡环3的下部位于第一环形凸起11和第二环形凸起12之间，优选卡设于第一环形凸起11和第二环形凸起12之间。
本实施例提供的用于承载外延片的复合式载盘，将最底层设置为石墨底座1。在石墨底座1的基础上分别设置外遮挡环2和内遮挡环3。外遮挡环2为石墨经化学气相沉积碳化硅的涂层件，内遮挡环为C/C-SiC复合材料。解决了化学气相沉积形成的碳化硅遮挡环开裂的问题以及薄片石墨变形的问题。
进一步地，将外遮挡环2的边缘和石墨底座1的边缘之间的距离控制在2-4mm的范围捏，防止涂层长在石墨底座1的边缘。内遮挡环3的上部的下侧面与外遮挡环2的上侧面之间的尺寸高度控制在2mm-5mm的范围可以防止外遮挡环2在发生应力变形时顶起内遮挡环3。第一端面111和第二端面112之间的尺寸优选控制在10mm的范围内防止内遮挡环3变形。
如图3至图5所示，本披露的实施例还提供一种C/C-SiC复合材料的制备方法。该C/C-SiC复合材料的制备方法包括以下步骤：
S1：对选取的炭毡进行去胶；
S2：将去胶后的炭毡通过CVI沉积PyC涂层获取C/C预制体；
S3：将C/C预制体通过CVI沉积SiC涂层以获取C/C-SiC复合材料。
具体地，C/C-SiC复合材料因具有密度低、比强度高、耐磨损、抗冲击等优良特性。制备C/C-SiC复合材料的过程中，对于选取的炭毡进行炭纤维去胶化，随后采用两步化学气相渗透(CVI)沉积热解碳(PyC)涂层并沉积碳化硅(SiC)涂层最终获取C/C-SiC复合材料。
如图4至图5所示，在一优选实施例中，对选取的炭毡进行去胶，包括：将密度0.3-0.5g/cm3的炭毡在600-800℃的温度下去胶，其中，炭毡采用平纹布5+针刺结构6。
具体地，对于炭毡的选取来说，炭毡优选平纹布5+针刺结构6。该针刺结构6可以是2.5D的针刺结构6。平纹布5的平纹结构纵横交错且相互压叠于一起。2.5D的针刺结构6交叉均布于平纹结构的表面。平纹布5的结构中心采用平纹布5为基底，保证碳毡在后续沉积过程的抗弯曲程度并确保结构平整。2.5D的针刺结构6保证纤维表面的多孔结构，给CVI增密提供扩散通道(热解炭涂层+碳化硅涂层)。并提高整体毡的力学强度。炭毡中碳纤维的密度是0.3-0.5g/cm3，保持600-800℃的温度进行去胶。去胶后才能采取两步化学气相渗透(CVI)法。
在一优选实施例中，通过CVI沉积热解炭涂层获取C/C预制体，包括：在化学气相沉积炉中通过采用900-1100℃的沉积温度、500-3000pa的沉积压力，以及反应气源为气流比1:1-3:1的C3H6/N2来沉积热解炭涂层获取密度为0.7-0.8g/cm3的C/C预制体。
具体地，对于第一步采用化学气相渗透法获取C/C预制体，在化学气相沉积炉中对去胶后的炭毡设定反应条件沉积热解炭涂层并最终制取C/C预制体。其中，化学气相沉积炉中按照一定的气流比通入丙烯(C3H6)和氮气(N2)反应气体，气流比优选为1:1-3:1之间。设定反应时的沉积温度在900-1100℃的范围内，沉积压力也就是炉内气压控制在500-3000pa的范围内。在该条件下沉积热解炭涂层获取密度为0.7-0.8g/cm3的C/C预制体。
在一优选实施例中，将C/C预制体通过CVI沉积碳化硅涂层以获取C/C-SiC复合材料，包括：在化学气相沉积炉中通过采用1050-1500℃的沉积温度、200-5000pa的沉积压力，且反应气源为MTS/H2/Ar来沉积碳化硅涂层获取密度为1.5-1.7g/cm3的C/C-SiC复合材料，其中，反应气源中的稀释H2/载气H2的气流比为0.5:1-3:1。
具体地，对于第二步采用化学气相渗透法获取C/C-SiC复合材料，在化学气相沉积炉中对C/C预制体设定反应条件沉积碳化硅涂层并最终制取C/C-SiC复合材料。其中，化学气相沉积炉中按照一定的气流比通入MTS(三氯甲基硅烷)、氢气(H2)和氩气(Ar)反应气体，气流比优选为0.5:1-3:1之间。设定反应时的沉积温度在1050-1500℃的范围内，沉积压力也就是炉内气压控制在200-5000pa的范围内。在该条件下沉积碳化硅涂层获取密度为1.5-1.7g/cm3的C/C-SiC复合材料。
在一优选实施例中，通过CVI沉积PyC涂层获取C/C预制体，包括：在化学气相沉积炉中通过采用950℃的沉积温度、小于1000pa的沉积压力，且反应气源为气流比1:1的C3H6/N2来沉积热解炭涂层获取密度为0.7g/cm3的C/C预制体。
具体地，对于第一步采用化学气相渗透法获取C/C预制体中，在化学气相沉积炉中对去胶后的炭毡设定反应条件沉积热解炭涂层并最终制取C/C预制体。其中，化学气相沉积炉中按照一定的气流比通入丙烯(C3H6)和氮气(N2)反应气体，气流比优选为1:1。设定反应时的沉积温度在950℃的范围内，沉积压力也就是炉内气压控制在小于1000pa的范围内。在该条件下沉积热解炭涂层获取密度为0.7g/cm3的C/C预制体。将C/C预制体密度控制在0.7g/cm3，使炭纤维有热解炭涂层包裹从而保护炭纤维，提高氧化以及力学性能，沉积压力小于1000pa保证热解炭涂层质量，减少炭黑生成。
在一优选实施例中，将C/C预制体通过CVI沉积碳化硅涂层以获取C/C-SiC复合材料，包括：在化学气相沉积炉中通过采用1400℃的沉积温度、小于500pa的沉积压力，且反应气源为MTS/H2/Ar来沉积SiC涂层获取密度为1.6g/cm3的C/C-SiC复合材料，其中，反应气源中的稀释H2/载气H2的气流比为0.5:1。
具体地，对于第二步采用化学气相渗透法获取C/C-SiC复合材料，在化学气相沉积炉中对C/C预制体设定反应条件沉积碳化硅涂层并最终制取C/C-SiC复合材料。其中，化学气相沉积炉中按照一定的气流比通入MTS、氢气(H2)和氩气(Ar)反应气体，气流比优选为0.5:1。设定反应时的沉积温度在1400℃的范围内，沉积压力也就是炉内气压控制在小于500pa的范围内。在该条件下沉积碳化硅涂层获取密度为1.6g/cm3的C/C-SiC复合材料。将C/SiC密度控制在1.6g/cm3，使基材表面和内部均沉积有碳化硅涂层。该密度下使炭纤维表面得到充分覆盖。1400℃沉积的碳化硅相比于低温沉积更有利于生长后的涂层更耐氢气刻蚀。小于500pa低压沉积有利于涂层生长到基材内部。
本实施例提供的C/C-SiC复合材料的制备方法采用两步化学气相渗透沉积热解碳涂层并沉积碳化硅涂层最终获取高强度和高韧性的C/C-SiC复合材料。
进一步，将C/C预制体的密度控制在0.7g/cm3，使炭纤维有热解炭涂层包裹，保护炭纤维，提高氧化以及力学性能；在小于1000pa的压力下沉积保证热解炭涂层质量，减少炭黑生成。
更进一步地，将C/C-SiC复合材料的密度控制在1.6g/cm3，使基材表面和内部均沉积有碳化硅涂层。该密度下使炭纤维表面得到充分覆盖。在1400℃的温度下沉积的碳化硅相比于低温沉积更有利于生长后的涂层更耐氢气刻蚀。小于500pa的低压沉积有利于涂层生长到基材内部。
虽然本文已经示出和描述了本披露的多个实施例，但对于本领域技术人员显而易见的是，这样的实施例只是以示例的方式来提供。本领域技术人员可以在不偏离本披露思想和精神的情况下想到许多更改、改变和替代的方式。应当理解的是在实践本披露的过程中，可以采用对本文所描述的本披露实施例的各种替代方案。所附权利要求书旨在限定本披露的保护范围，并因此覆盖这些权利要求范围内的等同或替代方案。
Claims (13)
1.一种用于承载外延片的复合式载盘，其特征在于，包括：
石墨底座，所述石墨底座包括设置于石墨底座顶部的第一环形凸起；
外遮挡环，所述外遮挡环环形套设于所述石墨底座上的所述第一环形凸起的外侧；
内遮挡环，所述内遮挡环设置于所述石墨底座上的所述第一环形凸起处；
其中，所述外遮挡环和所述内遮挡环配合以包覆所述第一环形凸起，所述外延片设置于所述石墨底座上的所述内遮挡环之间。
2.根据权利要求1所述的用于承载外延片的复合式载盘，其特征在于，所述外遮挡环为C/C-SiC复合材料，所述内遮挡环为石墨经化学气相沉积SiC的涂层件。
3.根据权利要求2所述的用于承载外延片的复合式载盘，其特征在于，所述外遮挡环和所述石墨底座均为圆环形结构，所述外遮挡环和所述石墨底座沿轴线方向的截面的端面之间的距离为L1，且L1的取值范围为[2mm，4mm]。
4.根据权利要求3所述的用于承载外延片的复合式载盘，其特征在于，所述内遮挡环为Z字形圆环结构，其中，所述内遮挡环的上部从所述第一环形凸起的顶部延伸到所述外遮挡环的上侧，所述内遮挡环的下部朝向所述第一环形凸起的内侧延伸。
5.根据权利要求4所述的用于承载外延片的复合式载盘，其特征在于，所述内遮挡环的上部的下侧面与所述外遮挡环的上侧面之间的距离为L2，且L2的取值范围为[2mm，5mm]。
6.根据权利要求4所述的用于承载外延片的复合式载盘，其特征在于，所述内遮挡环的上部包括位于所述第一环形凸起两侧的第一端面和第二端面，其中，所述第一端面和所述第二端面之间的距离为L3，且L3<10mm。
7.根据权利要求6所述的用于承载外延片的复合式载盘，其特征在于，所述石墨底座还包括设置于石墨底座顶部的第二环形凸起，其中，所述内遮挡环的下部设置于所述第一环形凸起和所述第二环形凸起之间。
8.一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括:
对选取的炭毡进行去胶；
将去胶后的炭毡通过CVI沉积PyC涂层获取C/C预制体；
将C/C预制体通过CVI沉积SiC涂层以获取C/C-SiC复合材料。
9.根据权利要求8所述的C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，所述对选取的炭毡进行去胶，包括：
将密度0.3-0.5g/cm3的炭毡在600-800℃的温度下去胶，其中，炭毡采用平纹布加针刺结构。
10.根据权利要求9所述的C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，所述通过CVI沉积PyC涂层获取C/C预制体，包括：
在化学气相沉积炉中通过采用900-1100℃的沉积温度、500-3000pa的沉积压力，以及反应气源为气流比1:1-3:1的C3H6/N2来沉积PyC涂层获取密度为0.7-0.8g/cm3的C/C预制体。
11.根据权利要求10所述的C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，所述将C/C预制体通过CVI沉积SiC涂层以获取C/C-SiC复合材料，包括：
在化学气相沉积炉中通过采用1050-1500℃的沉积温度、200-5000pa的沉积压力，且反应气源为MTS/H2/Ar来沉积SiC涂层获取密度为1.5-1.7g/cm3的C/C-SiC复合材料，其中，反应气源中的稀释H2/载气H2的气流比为0.5:1-3:1。
12.根据权利要求9所述的C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，所述通过CVI沉积PyC涂层获取C/C预制体，包括：
在化学气相沉积炉中通过采用950℃的沉积温度、小于1000pa的沉积压力，且反应气源为气流比1:1的C3H6/N2来沉积PyC涂层获取密度为0.7g/cm3的C/C预制体。
13.根据权利要求12所述的C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，所述将C/C预制体通过CVI沉积SiC涂层以获取C/C-SiC复合材料，包括：
在化学气相沉积炉中通过采用1400℃的沉积温度、小于500pa的沉积压力，且反应气源为MTS/H2/Ar来沉积SiC涂层获取密度为1.6g/cm3的C/C-SiC复合材料，其中，反应气源中的稀释H2/载气H2的气流比为0.5:1。
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