WO2010058481A1 - ウェハ接合装置 - Google Patents

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WO2010058481A1
WO2010058481A1 PCT/JP2008/071232 JP2008071232W WO2010058481A1 WO 2010058481 A1 WO2010058481 A1 WO 2010058481A1 JP 2008071232 W JP2008071232 W JP 2008071232W WO 2010058481 A1 WO2010058481 A1 WO 2010058481A1
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substrate
sample stage
wafer
load
stage
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PCT/JP2008/071232
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Inventor
諭 田原
Original Assignee
三菱重工業株式会社
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Priority to CA2735202A priority patent/CA2735202C/en
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30PRESSES
    • B30BPRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/06Platens or press rams
    • B30B15/068Drive connections, e.g. pivotal
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means

Definitions

  • the present invention relates to a wafer bonding apparatus, and more particularly, to a wafer bonding apparatus that presses and bonds two substrates.
  • MEMS that integrates fine electrical parts and mechanical parts.
  • the MEMS include a micro relay, a pressure sensor, and an acceleration sensor.
  • the MEMS is desired to be manufactured using room temperature bonding that has high bonding strength and does not require pressing or heat treatment with a load.
  • a wafer bonding method is known in which a plurality of devices are formed on a bonded substrate by bonding two substrates on which a plurality of patterns are formed to the bonded substrate. In such a wafer bonding method, it is desired to improve the yield of the plurality of devices, and it is desired to load the bonding surfaces more uniformly.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-321097 discloses a pressing device for a bumped workpiece that can press all the bumps against the electrode of the workpiece with a uniform force even when the bump contact surface of the bumped workpiece is inclined.
  • the bumped workpiece pressing device is a bumped workpiece pressing device that presses the bump of the bumped workpiece mounted on the workpiece against the electrode of the workpiece, and a pressing element that is driven by the drive unit to move up and down,
  • An elastic body that is mounted on the lower surface of the pressing element and pressed against the upper surface of the bumped workpiece, and a concave portion that allows the elastic body to bulge upward and elastically deform is formed on the lower surface of the pressing element. It is characterized by that.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-301593 discloses a pressurizing apparatus that can apply a uniform pressurizing force to a pressurizing surface of a pressurizing object.
  • the pressurizing apparatus is a pressurizing apparatus that pressurizes a pressurizing object by pressurizing a pressurizing head holding a pressurizing object with a pressurizing unit, and the pressurizing head includes a pressurizing shaft of the pressurizing unit. It has the 1st space part on it, It is characterized by the above-mentioned.
  • An object of the present invention is to provide a wafer bonding apparatus that applies a load uniformly to a bonding surface of substrates to be bonded.
  • a wafer bonding apparatus is bonded to a first sample table for holding a first substrate, a second sample table for holding a second substrate opposite to the first substrate, and a peripheral portion of the first sample table.
  • a load transmitting unit that supports one sample stage on the first stage, and a driving device that presses the first substrate and the second substrate by driving the second sample stage with respect to the first stage are provided.
  • the wafer bonding apparatus prevents a load larger than the load applied to the peripheral portion of the first substrate from being applied to the center of the first substrate when the first substrate and the second substrate are pressed against each other. The load can be uniformly applied to the first substrate and the second substrate.
  • the wafer bonding apparatus further includes an angle adjusting mechanism for supporting the first sample stage on the first stage via the load transmitting unit so that the orientation of the first sample stage can be changed. That is, the load transmission unit is suitable for a wafer bonding apparatus provided with such an angle adjustment mechanism.
  • the angle adjustment mechanism includes a spherical flange fixed to the first sample stage, a spherical seat fixed to the first stage, and a fixed flange that fixes the spherical flange to the spherical seat by caulking the spherical flange. . That is, the load transmission unit is suitable for a wafer bonding apparatus including such a spherical flange, a spherical seat, and a fixed flange.
  • the load transmitting unit is supported by the angle adjusting mechanism when the angle adjusting mechanism and the load transmitting unit are in line contact. At this time, the load transmitting unit is preferable because the position where the load is applied from the angle adjusting mechanism is small.
  • the load transmission part is formed from a plurality of pillars.
  • Each of the plurality of columns has one end joined to the peripheral edge of the first sample stage and the other end joined to the angle adjusting mechanism.
  • the load transmission part is formed from a plurality of pillars.
  • the plurality of columns are elastically deformed so that the first substrate and the second substrate are in close contact with each other.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a wafer bonding apparatus.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the wafer bonding apparatus.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the angle adjustment mechanism, the load transmission unit, and the lower sample stage.
  • FIG. 4 is a perspective view showing the load transmitting portion.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing another load transmitting portion.
  • FIG. 6 is a perspective view showing still another load transmission unit.
  • FIG. 7 is a perspective view showing still another load transmission portion.
  • FIG. 8 is a perspective view showing another angle adjustment mechanism.
  • the wafer bonding apparatus 1 includes a bonding chamber 2 and a load lock chamber 3 as shown in FIG.
  • the joining chamber 2 and the load lock chamber 3 are formed in a container that seals the inside from the environment.
  • the wafer bonding apparatus 1 further includes a gate valve 5.
  • the gate valve 5 is interposed between the bonding chamber 2 and the load lock chamber 3, and closes or opens a gate connecting the inside of the bonding chamber 2 and the load lock chamber 3.
  • the load lock chamber 3 includes an upper cartridge base 6, a lower cartridge base 7, and a transfer device 8.
  • the upper cartridge 11 is arranged on the upper cartridge base 6.
  • the lower cartridge base 7 is provided with the lower cartridge 12.
  • the load lock chamber 3 further includes a vacuum pump and a lid (not shown).
  • the vacuum pump exhausts gas from the inside of the load lock chamber 3.
  • An example of the vacuum pump is a turbo molecular pump that exhausts gas blades by blowing a plurality of metal blades inside.
  • the lid can be opened by closing the gate that connects the outside and the inside of the load lock chamber 3 to create an atmospheric atmosphere.
  • the size of the gate is larger than that of the upper cartridge 11 and the lower cartridge 12.
  • the transfer device 8 transfers the upper cartridge 11 or the lower cartridge 12 from the load lock chamber 3 to the bonding chamber 2 via the gate valve 5 or from the bonding chamber 2 to the load lock chamber 3 via the gate valve 5. It is used for transporting the upper cartridge 11 or the lower cartridge 12.
  • the bonding chamber 2 includes a vacuum pump 31, an ion gun 32, and an electron gun 33.
  • the joining chamber 2 has an exhaust port 35 formed in a part of a wall 34 forming a container.
  • the vacuum pump 31 is disposed outside the bonding chamber 2 and exhausts gas from the inside of the bonding chamber 2 through the exhaust port 35. Examples of the vacuum pump 31 include a turbo molecular pump that exhausts gas blades by blowing a plurality of metal blades inside.
  • the ion gun 32 is arranged facing one irradiation direction 36 and emits charged particles accelerated toward the irradiation direction 36. Argon ions are exemplified as the charged particles.
  • the ion gun 32 can be replaced with another surface cleaning device that cleans the surface of the wafer. Examples of the surface cleaning apparatus include a plasma gun and a fast atom beam source.
  • the electron gun 33 is arranged so as to be directed to a target irradiated with charged particles by the ion gun 32, and emits electron
  • the wall 34 is partially formed with a door 37.
  • the door 37 includes a hinge 38.
  • the hinge 38 supports the door 37 so as to be rotatable with respect to the wall 34.
  • the wall 34 further has a window 39 formed in a part thereof.
  • the window 39 is formed of a material that transmits visible light without transmitting gas.
  • the window 39 may be anywhere on the wall 34 as long as the user can be irradiated with the charged particles by the ion gun 32 or the bonding state can be seen from the outside of the bonding chamber 2.
  • the bonding chamber 2 further includes an upper substrate support portion 41 and a lower substrate support portion 42 therein.
  • the lower substrate support portion 42 is disposed below the bonding chamber 2.
  • the upper substrate support unit 41 includes an upper stage 14, an angle adjustment mechanism 15, a load transmission unit 16, an upper sample stage 17, and a pressure contact mechanism 18.
  • the upper stage 14 is supported so as to be movable in the vertical direction with respect to the bonding chamber 2.
  • the angle adjustment mechanism 15 supports the load transmission unit 16 on the upper stage 14.
  • the load transmission unit 16 supports the upper sample stage 17 on the angle adjustment mechanism 15.
  • the upper sample stage 17 includes a dielectric layer at the lower end, applies a voltage between the dielectric layer and the substrate, and adsorbs the substrate to the dielectric layer by electrostatic force.
  • the pressure contact mechanism 18 translates the upper stage 14 in the vertical direction with respect to the bonding chamber 2 by a user operation.
  • the ion gun 32 is configured such that when the substrate supported by the upper substrate support portion 41 and the substrate supported by the lower substrate support portion 42 are separated from each other, the substrate supported by the upper substrate support portion 41 and the lower substrate support It is directed to the space between the substrate supported by the portion 42 and directed to the inner surface of a part of the wall 34 of the bonding chamber 2. That is, the irradiation direction 36 of the ion gun 32 passes between the substrate supported by the upper substrate support portion 41 and the substrate supported by the lower substrate support portion 42, and part of the inner surface of the wall 34 of the bonding chamber 2. Intersect.
  • the lower substrate support section 42 includes a lower sample stage 46 as shown in FIG.
  • the lower sample stage 46 is generally formed in a disc shape.
  • the lower sample stage 46 has a flat support surface on the upper surface of the cylinder.
  • the lower sample stage 46 is used to hold the lower wafer 62 via the lower cartridge 12.
  • the lower substrate support portion 42 further includes two alignment devices and a positioning mechanism that are not shown.
  • the alignment apparatus captures an image of an alignment mark formed on the substrate held on the lower sample stage 46 by a user operation.
  • the alignment apparatus further captures an image of an alignment mark formed on the substrate held on the upper sample stage 17 by a user operation when the upper sample stage 17 is close to the lower sample stage 46.
  • the positioning mechanism moves the lower sample stage 46 in parallel to the horizontal direction with respect to the bonding chamber 2 by the user's operation, and the lower sample stage 46 is centered on the rotation axis parallel to the vertical direction. Rotate.
  • the angle adjusting mechanism 15 includes a ball seat 51, a ball flange 52, and a fixed flange 53, as shown in FIG.
  • the ball seat 51 is fixed to the upper stage 14 to form a ball seat surface.
  • the spherical flange 52 is formed of a flange portion 54 and a support portion 55.
  • the flange portion 54 is formed in a spherical shape that is in close contact with the ball seat surface of the ball seat 51.
  • the support portion 55 is formed in a disc shape.
  • the support portion 55 has a disk whose center is joined to the flange portion 54, and a support surface 56 is formed on the back surface of the surface joined to the flange portion 54.
  • the fixing flange 53 is joined to the flange portion 54 of the spherical flange 52 by caulking. That is, the fixed flange 53 is formed from a split ring. The split ring is disposed so as to sandwich the flange portion 54 of the ball flange 52, and is joined to the flange portion 54 of the ball flange 52 by fastening with a bolt (not shown). The fixing flange 53 is further joined to the ball seat 51 by a fastener exemplified by a bolt so that the ball seat surface of the ball seat 51 is in close contact with the flange portion 54 of the ball flange 52.
  • the load transmitting portion 16 is generally formed in a disc shape as shown in FIG.
  • the load transmitting unit 16 has a recess formed in the center of the upper surface, and a support surface 58 formed on the upper surface.
  • the support surface 58 is flat and is formed in a figure surrounded by two concentric circles.
  • the load transmitting portion 16 has a bolt hole 59 formed at the center of the disk.
  • the load transmitting portion 16 is configured such that a bolt (not shown) is inserted into the bolt hole 59 and that the bolt is fastened to the support portion 55 of the ball flange 52 as shown in FIG.
  • the upper sample stage 17 is joined to the back surface of the surface on which the support surface 58 is formed.
  • the upper sample stage 17 is formed in a disc shape, and the upper sample stage 17 includes a dielectric layer on the back surface of the surface to be joined to the load transmitting unit 16.
  • the upper sample stage 17 attracts the upper wafer 61 to the dielectric layer by electrostatic force when a voltage is applied to the dielectric layer.
  • the operator In the operation for bonding wafers using the wafer bonding apparatus 1, the operator first measures the orientation of the upper sample stage 17.
  • the operator uses the angle adjustment mechanism 15 to move the upper side when the holding surface for holding the upper wafer 61 of the upper sample stage 17 is not parallel to the holding surface for holding the lower wafer 62 of the lower sample stage 46. Adjustment is made so that the holding surface of the sample stage 17 and the holding surface of the lower sample stage 46 are parallel to each other. That is, the operator caulks and fixes the spherical flange 52 with the fixing flange 53 so that the holding surface of the upper sample stage 17 and the holding surface of the lower sample stage 46 are parallel, and the fixing flange 53 is fixed to the ball seat 51. Fix it.
  • the operator closes the gate valve 5, generates a vacuum atmosphere inside the bonding chamber 2 using the vacuum pump 31, and generates an atmospheric pressure atmosphere inside the load lock chamber 3.
  • the operator opens the lid of the load lock chamber 3, places the upper cartridge 11 on the upper cartridge base 6, and places the lower cartridge 12 on the lower cartridge base 7.
  • the operator places the upper wafer 61 on the upper cartridge 11.
  • the operator places the lower wafer 62 on the lower cartridge 12.
  • the operator closes the lid of the load lock chamber 3 to generate a vacuum atmosphere inside the load lock chamber 3.
  • the operator opens the gate valve 5 after a vacuum atmosphere is generated inside the load lock chamber 3.
  • the operator first holds the upper wafer 61 on the upper sample stage 17.
  • the operator first transports the upper cartridge 11 using the transport device 8 so that the lower sample stage 46 holds the upper cartridge 11 on which the upper wafer 61 is placed.
  • the operator retracts the transfer device 8 into the load lock chamber 3.
  • the operator lowers the upper sample stage 17 vertically downward to bring the dielectric layer of the upper sample stage 17 into contact with the upper wafer 61 and hold the upper wafer 61 on the upper sample stage 17.
  • the operator raises the upper sample stage 17 in the vertical upward direction and separates the upper wafer 61 from the upper cartridge 11.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the upper cartridge 11 on which the upper wafer 61 is not placed from the lower sample table 46 to the upper cartridge table 6.
  • the operator holds the upper wafer 61 on the upper sample stage 17 and then uses the transfer device 8 so that the lower sample stage 46 holds the lower cartridge 12 on which the lower wafer 62 is placed.
  • the cartridge 12 is conveyed.
  • the operator closes the gate valve 5 and presses and joins the upper wafer 61 held on the upper sample stage 17 and the lower wafer 62 held on the lower sample stage 46. In other words, the operator places a gap between the upper wafer 61 and the lower wafer 62 in a state where the upper wafer 61 held on the upper sample stage 17 and the lower wafer 62 held on the lower sample stage 46 are separated.
  • the ion gun 32 is directed to emit particles. The particles are irradiated on the upper wafer 61 and the lower wafer 62 to remove oxides and the like formed on the surfaces thereof, and to remove impurities adhering to the surfaces.
  • the operator operates the pressure contact mechanism 18 to lower the upper sample stage 17 in the vertically downward direction so that the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are brought closer to each other.
  • the operator operates the positioning mechanism of the lower sample stage 46 so that the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are bonded as designed so that the lower wafer 62 held on the lower sample stage 46 is bonded.
  • Move position The operator operates the pressure contact mechanism 18 of the upper sample stage 17 to lower the upper sample stage 17 in the vertically downward direction so as to press the upper wafer 61 against the lower wafer 62.
  • the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are bonded by the pressure contact, and one bonded substrate is generated.
  • the operator dechucks the bonded substrate from the upper sample stage 17, and then raises the upper sample stage 17 in the vertical upward direction.
  • the operator opens the gate valve 5 and uses the transfer device 8 to transfer the lower cartridge 12 on which the bonded substrate is placed from the lower sample table 46 to the lower cartridge table 7.
  • the operator closes the gate valve 5 to generate an atmospheric pressure atmosphere inside the load lock chamber 3.
  • the operator opens the lid of the load lock chamber 3 and takes out the bonded substrate from the lower cartridge 12 arranged on the lower cartridge base 7.
  • the upper sample stage 17 is projected so that the center of the upper sample stage 17 protrudes toward the lower sample stage 46 during such pressure contact.
  • the base 17 is elastically deformed.
  • the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are applied with a load larger than the load applied to the peripheral portion in the center, and a uniform load is applied to the bonding surface between the upper wafer 61 and the lower wafer 62.
  • the wafer bonding apparatus 1 can apply a uniform load to the bonding surface between the upper wafer 61 and the lower wafer 62 when the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are pressed against each other.
  • the wafer bonding apparatus 1 can improve the yield of devices produced by the bonding, improve the reliability of room temperature bonding by the wafer bonding apparatus 1, and make the wafer bonding apparatus 1 more practical.
  • the load transmission unit 16 can be replaced with another load transmission unit that applies the load applied from the upper stage 14 to the peripheral portion of the upper sample stage 17.
  • FIG. 5 shows an example of the load transmitting portion to be replaced.
  • the load transmitting portion 65 is formed in a substantially disk shape in the same manner as the load transmitting portion 16.
  • the load transmitting portion 65 has a recess formed in the center of the upper surface, and a support surface 66 formed on the upper surface.
  • the support surface 66 is a curved surface and is formed along a part of a so-called donut-shaped surface formed by rotating an ellipse around a rotation axis.
  • the rotation axis passes through the center of the disk forming the load transmitting portion 65 and is perpendicular to the disk.
  • the load transmitting portion 65 has a bolt hole 67 formed at the center of the disk.
  • the load transmitting portion 65 is configured so that a bolt (not shown) is inserted into the bolt hole 67 and the bolt is fastened to the support portion 55 of the ball flange 52 so that the support surface 66 comes into line contact with the support surface 56. And it is supported by the spherical flange 52 so that the cavity 57 is formed in the center of the surface attached to the support portion 55 of the spherical flange 52 of the load transmitting portion 65.
  • the load transmission unit 16 When the load applied from the upper stage 14 is small, the load transmission unit 16 receives the load on the entire support surface 66.
  • the support portion 55 of the spherical flange 52 When the load applied from the upper stage 14 is large, the support portion 55 of the spherical flange 52 is elastically deformed, and the load transmitting portion 16 receives the load at the center side edge of the support surface 58. For this reason, the position where the load transmitting unit 16 receives the load applied from the upper stage 14 may move greatly depending on the magnitude of the load applied from the upper stage 14. For this reason, the wafer bonding apparatus 1 may not be able to apply a uniform load to the bonding surface between the upper wafer 61 and the lower wafer 62 when the load is large.
  • the load transmission unit 65 reduces the movement of the position that receives the load applied from the upper stage 14. As a result, other wafer bonding apparatuses to which the load transmitting unit 65 is applied have a uniform bonding surface between the upper wafer 61 and the lower wafer 62 even when the magnitude of the load applied from the upper stage 14 changes. Load can be applied.
  • FIG. 6 shows still another example of the load transmitting portion to be replaced.
  • the plurality of columns 72-1 to 72-n are respectively arranged at a plurality of positions obtained by dividing the periphery of the upper sample stage 17 into n equal parts.
  • the wafer bonding apparatus to which such a load transmitting unit 71 is applied is similar to the wafer bonding apparatus 1 in the above-described embodiment, and when the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are pressed together, the upper wafer 61 A uniform load can be applied to the bonding surface between the lower wafer 62 and the lower wafer 62, and the bonding reliability can be improved.
  • FIG. 7 shows still another example of the load transmitting portion to be replaced.
  • the load transmitting portion 92 is formed of a plurality of springs 93-1 to 93-n.
  • the plurality of springs 93-1 to 93-n are respectively arranged at a plurality of positions obtained by dividing the periphery of the upper sample stage 17 into n equal parts.
  • One end of each of the plurality of springs 93-1 to 93-n is fixed to a support member 91 fixed to the support portion 55 of the spherical flange 52, and the other end is fixed to the peripheral portion of the upper sample stage 17.
  • a support member 91 fixed to the support portion 55 of the spherical flange 52
  • the wafer bonding apparatus to which such a load transmission unit 92 is applied is similar to the wafer bonding apparatus 1 in the above-described embodiment, when the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are pressed against each other. A uniform load can be applied to the bonding surface between the lower wafer 62 and the lower wafer 62, and the bonding reliability can be improved.
  • the wafer bonding apparatus to which such a load transmission unit 92 is applied further includes an upper side when the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are pressed against each other when the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are not parallel.
  • the plurality of springs 93-1 to 93-n are elastically deformed so that the wafer 61 and the lower wafer 62 are parallel to each other.
  • such a wafer bonding apparatus applies a uniform load to the bonding surface between the upper wafer 61 and the lower wafer 62 even when the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are not parallel to each other. 61 and the lower wafer 62 can be pressed against each other. As a result, such a wafer bonding apparatus needs to be adjusted using the angle adjustment mechanism 15 so that the holding surface of the upper sample stage 17 and the holding surface of the lower sample stage 46 are parallel to each other before press contact. Therefore, the upper wafer 61 and the lower wafer 62 can be more easily brought into pressure contact with each other. Such a wafer bonding apparatus can further omit the angle adjusting mechanism 15 and can be manufactured at a lower cost.
  • the angle adjustment mechanism 15 can be replaced with another angle adjustment mechanism that fixes the direction of the upper sample stage 17 in a predetermined direction.
  • FIG. 8 shows an example of the angle adjustment mechanism to be replaced.
  • the angle adjustment mechanism 81 includes a first frame 82, an intermediate body 83, a second frame 84, and a support portion 85.
  • the first frame 82 is fixed to the upper stage 14.
  • the intermediate body 83 is supported by the first frame 82 by a bolt 86 so as to be rotatable around a rotation shaft 88.
  • the rotation shaft 88 is parallel to the horizontal direction and is fixed to the first frame 82.
  • the bolt 86 is fastened to the intermediate body 83 to fix the intermediate body 83 to the first frame 82.
  • the second frame 84 is supported by the intermediate body 83 by a bolt 87 so as to be rotatable about a rotation shaft 89.
  • the rotation shaft 89 is substantially parallel to the horizontal direction, is perpendicular to the rotation shaft 89, and is fixed to the intermediate body 83.
  • the bolt 86 is fastened to the intermediate body 83 to fix the second frame 84 to the intermediate body 83.
  • the support portion 85 is generally formed in a disc shape, and the center of the disc is fixed to the second frame 84.
  • the support portion 85 further has a flat support surface formed on the back surface of the surface joined to the second frame 84.
  • the angle adjustment mechanism 81 is arranged so that the support surface of the support portion 85 is in close contact with the support surface 58 of the load transmission portion 16 and is attached to the load transmission portion 16.
  • the load transmission unit 16 is supported so that the cavity 57 is formed.
  • the wafer bonding apparatus to which such an angle adjusting mechanism 81 is applied is similar to the wafer bonding apparatus 1 in the above-described embodiment, when the upper wafer 61 and the lower wafer 62 are pressed against each other. A uniform load can be applied to the bonding surface between the lower wafer 62 and the lower wafer 62, and the bonding reliability can be improved.
  • a load larger than the load applied to the peripheral portion of the first substrate is applied to the center of the first substrate. And a load can be uniformly applied to the first substrate and the second substrate.

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Abstract

 本発明によるウェハ接合装置は、第1基板を保持する第1試料台と、その第1基板に対向する第2基板を保持する第2試料台と、その第1試料台の周縁部に接合され、その第1試料台を第1ステージに支持する荷重伝達部と、その第1ステージに対してその第2試料台を駆動することにより、その第1基板とその第2基板とを圧接する駆動装置とを備えている。このとき、そのウェハ接合装置は、その第1基板と第2基板とを圧接するときに、その第1基板の周縁部に印加される荷重より大きい荷重がその第1基板の中央に印加されることを防止し、その第1基板とその第2基板とに荷重を均一に印加することができる。

Description

ウェハ接合装置
 本発明は、ウェハ接合装置に関し、特に、2枚の基板を圧接して接合するウェハ接合装置に関する。
 微細な電気部品や機械部品を集積化したMEMSが知られている。そのMEMSとしては、マイクロリレー、圧力センサ、加速度センサなどが例示される。そのMEMSは、大きな接合強度を持ち、かつ、荷重による押し付けや加熱処理を必要としない常温接合が用いられて製造されることが望まれている。複数のパターンが形成された2つの基板を接合基板に接合することにより、その接合基板に複数のデバイスを形成するウェハ接合方法が知られている。このようなウェハ接合方法では、その複数のデバイスの歩留まりを向上させることが望まれ、その接合面に荷重をより均一に負荷することが望まれている。
 特開平09-321097号公報には、バンプ付きワークのバンプの接地面が傾斜している場合でも、すべてのバンプを均一な力でワークの電極に押し付けることができるバンプ付きワークの押圧装置が開示されている。そのバンプ付きワークの押圧装置は、ワークに搭載されたバンプ付きワークのバンプをこのワークの電極に押圧するバンプ付きワークの押圧装置であって、駆動部に駆動されて上下動する押圧子と、この押圧子の下面に装着されて前記バンプ付きワークの上面に押し付けられる弾性体とを備え、この押圧子の下面にこの弾性体が上方へ膨出して弾性変形するのを許容する凹入部を形成したことを特徴としている。
 特開2007-301593号公報には、加圧対象物の加圧面に均一な加圧力を加えることができる加圧装置が開示されている。その加圧装置は、加圧対象物を保持した加圧ヘッドを加圧手段により加圧して加圧対象物を加圧する加圧装置において、前記加圧ヘッドは、前記加圧手段の加圧軸上に第1空間部を有することを特徴としている。
 本発明の課題は、接合される基板の接合面に荷重を均一に印加するウェハ接合装置を提供することにある。
 本発明によるウェハ接合装置は、第1基板を保持する第1試料台と、第1基板に対向する第2基板を保持する第2試料台と、第1試料台の周縁部に接合され、第1試料台を第1ステージに支持する荷重伝達部と、第1ステージに対して第2試料台を駆動することにより、第1基板と第2基板とを圧接する駆動装置とを備えている。このとき、ウェハ接合装置は、第1基板と第2基板とを圧接するときに、第1基板の周縁部に印加される荷重より大きい荷重が第1基板の中央に印加されることを防止し、第1基板と第2基板とに荷重を均一に印加することができる。
 本発明によるウェハ接合装置は、第1試料台の向きを変更可能に、荷重伝達部を介して第1試料台を第1ステージに支持する角度調整機構をさらに備えている。すなわち、荷重伝達部は、このような角度調整機構を備えているウェハ接合装置に好適である。
 角度調整機構は、第1試料台に固定される球フランジと、第1ステージに固定される球座と、球フランジをかしめることにより球フランジを球座に固定する固定フランジとを備えている。すなわち、荷重伝達部は、このような球フランジと球座と固定フランジとを備えているウェハ接合装置に好適である。
 荷重伝達部は、角度調整機構と荷重伝達部とが線接触して、角度調整機構に支持される。このとき、荷重伝達部は、角度調整機構から加重が印加される位置の移動が少なく、好ましい。
 荷重伝達部は、複数の柱から形成されている。複数の柱は、それぞれ、一端が第1試料台の周縁部に接合され、他端が角度調整機構に接合される。
 荷重伝達部は、複数の柱から形成されている。第1基板と第2基板とは、圧接されるときに、第1基板と第2基板とが密着するように、複数の柱がそれぞれ弾性変形する。
図1は、ウェハ接合装置を示す断面図である。 図2は、ウェハ接合装置を示す断面図である。 図3は、角度調整機構と荷重伝達部と下側試料台とを示す断面図である。 図4は、荷重伝達部を示す斜視図である。 図5は、他の荷重伝達部を示す断面図である。 図6は、さらに他の荷重伝達部を示す斜視図である。 図7は、さらに他の荷重伝達部を示す斜視図である。 図8は、他の角度調整機構を示す斜視図である。
 図面を参照して、本発明によるウェハ接合装置の実施の形態を記載する。そのウェハ接合装置1は、図1に示されているように、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3とを備えている。接合チャンバー2とロードロックチャンバー3は、内部を環境から密閉する容器に形成されている。ウェハ接合装置1は、さらに、ゲートバルブ5を備えている。ゲートバルブ5は、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3との間に介設され、接合チャンバー2の内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。
 ロードロックチャンバー3は、上側カートリッジ台6と下側カートリッジ台7と搬送装置8とを内部に備えている。上側カートリッジ台6は、上側カートリッジ11が配置される。下側カートリッジ台7は、下側カートリッジ12が配置される。ロードロックチャンバー3は、さらに、図示されていない真空ポンプと蓋とを備えている。その真空ポンプは、ロードロックチャンバー3の内部から気体を排気する。その真空ポンプとしては、内部の金属製の複数の羽根が気体分子を弾き飛ばすことにより排気するターボ分子ポンプが例示される。その蓋は、ロードロックチャンバー3の外部と内部とを接続するゲートを閉鎖し、大気雰囲気にすることで開放することができる。そのゲートの大きさは、上側カートリッジ11と下側カートリッジ12とより大きい。
 搬送装置8は、ゲートバルブ5を介してロードロックチャンバー3から接合チャンバー2に上側カートリッジ11または下側カートリッジ12を搬送すること、または、ゲートバルブ5を介して接合チャンバー2からロードロックチャンバー3に上側カートリッジ11または下側カートリッジ12を搬送することに利用される。
 接合チャンバー2は、真空ポンプ31とイオンガン32と電子銃33とを備えている。接合チャンバー2は、容器を形成する壁34の一部分に排気口35が形成されている。真空ポンプ31は、接合チャンバー2の外部に配置され、排気口35を介して接合チャンバー2の内部から気体を排気する。真空ポンプ31としては、内部の金属製の複数の羽根が気体分子を弾き飛ばすことにより排気するターボ分子ポンプが例示される。イオンガン32は、1つの照射方向36に向けられて配置され、照射方向36に向けて加速された荷電粒子を放出する。その荷電粒子としては、アルゴンイオンが例示される。イオンガン32は、ウェハの表面を清浄化する他の表面清浄化装置に置換することができる。その表面清浄化装置としては、プラズマガン、高速原子ビーム源などが例示される。電子銃33は、イオンガン32により荷電粒子が照射される対象に向けられて配置され、その対象に向けて加速された電子を放出する。
 壁34は、一部分に扉37が形成されている。扉37は、ヒンジ38を備えている。ヒンジ38は、壁34に対して回転可能に扉37を支持している。壁34は、さらに、一部分に窓39が形成されている。窓39は、気体を透過しないで可視光を透過する材料から形成されている。窓39は、ユーザがイオンガン32により荷電粒子が照射される対象または、接合状態を接合チャンバー2の外部から見えるように配置されていれば壁34のどこでもかまわない。
 接合チャンバー2は、図2に示されているように、さらに、上側基板支持部41と下側基板支持部42とを内部に備えている。下側基板支持部42は、接合チャンバー2の下部に配置されている。上側基板支持部41は、上側ステージ14と角度調整機構15と荷重伝達部16と上側試料台17と圧接機構18とを備えている。上側ステージ14は、接合チャンバー2に対して鉛直方向に平行移動可能に支持されている。角度調整機構15は、荷重伝達部16を上側ステージ14に支持している。荷重伝達部16は、上側試料台17を角度調整機構15に支持している。上側試料台17は、その下端に誘電層を備え、その誘電層と基板の間に電圧を印加し、静電力によってその基板をその誘電層に吸着する。圧接機構18は、ユーザの操作により、接合チャンバー2に対して上側ステージ14を鉛直方向に平行移動させる。
 イオンガン32は、上側基板支持部41に支持される基板と下側基板支持部42に支持されるその基板とが離れているときに、上側基板支持部41に支持される基板と下側基板支持部42に支持される基板との間の空間に向けられ、接合チャンバー2の壁34の一部の内側表面に向けられている。すなわち、イオンガン32の照射方向36は、上側基板支持部41に支持される基板と下側基板支持部42に支持される基板との間を通り、接合チャンバー2の壁34の一部の内側表面に交差する。
 下側基板支持部42は、図3に示されているように、下側試料台46を備えている。下側試料台46は、概ね円盤状に形成されている。下側試料台46は、その円柱の上側の面に平坦な支持面が形成されている。下側試料台46は、下側カートリッジ12を介して下側ウェハ62を保持することに利用される。下側基板支持部42は、さらに、図示されていない2つのアライメント装置と位置決め機構とを備えている。そのアライメント装置は、ユーザの操作により、下側試料台46に保持される基板に形成されるアライメントマークの画像を撮影する。そのアライメント装置は、さらに、上側試料台17が下側試料台46に近接しているときに、ユーザの操作により、上側試料台17に保持される基板に形成されるアライメントマークの画像を撮影する。その位置決め機構は、ユーザの操作により、接合チャンバー2に対して、下側試料台46を水平方向に平行な方向に平行移動させ、下側試料台46を鉛直方向に平行な回転軸を中心に回転移動させる。
 角度調整機構15は、図3に示されているように、球座51と球フランジ52と固定フランジ53とを備えている。球座51は、上側ステージ14に固定され、球座面が形成されている。球フランジ52は、フランジ部分54と支持部分55とから形成されている。フランジ部分54は、球座51の球座面に密着する球状に形成されている。支持部分55は、円盤状に形成されている。支持部分55は、その円盤の中央がフランジ部分54に接合され、フランジ部分54に接合される面の裏面に支持面56が形成されている。固定フランジ53は、かしめ固定により、球フランジ52のフランジ部分54に接合されている。すなわち、固定フランジ53は、分割リングから形成されている。その分割リングは、球フランジ52のフランジ部分54をはさむように配置され、図示されていないボルトにより締結されることにより、球フランジ52のフランジ部分54に接合される。固定フランジ53は、さらに、球座51の球座面が球フランジ52のフランジ部分54に密着するように、ボルトに例示される締結具により球座51に接合されている。
 荷重伝達部16は、図4に示されているように、概ね円盤状に形成されている。荷重伝達部16は、上側の面の中央にくぼみが形成され、上側の面に支持面58が形成されている。支持面58は、平坦であり、2つの同心円に囲まれた図形に形成されている。荷重伝達部16は、その円盤の中央にボルト孔59が形成されている。荷重伝達部16は、図示されていないボルトがボルト孔59に挿入され、図3に示されているように、そのボルトが球フランジ52の支持部分55に締結されることにより、支持面58が支持面56に密着するように、かつ、荷重伝達部16の球フランジ52の支持部分55に取り付けられる面の中央に空洞57が形成されるように、球フランジ52に支持されている。
 荷重伝達部16は、さらに、支持面58が形成されている面の裏面に、上側試料台17が接合されている。上側試料台17は、円盤状に形成され、上側試料台17は、荷重伝達部16に接合される面の裏面に誘電層を備えている。上側試料台17は、その誘電層に電圧が印加されることにより、静電力によって上側ウェハ61をその誘電層に吸着する。
 ウェハ接合装置1を用いてウェハを接合するときの動作では、作業者は、まず、上側試料台17の向きを測定する。作業者は、上側試料台17の上側ウェハ61が保持される保持面が下側試料台46の下側ウェハ62が保持される保持面に平行でないときに、角度調整機構15を用いて、上側試料台17の保持面と下側試料台46の保持面とが平行になるように調整する。すなわち、作業者は、上側試料台17の保持面と下側試料台46の保持面とが平行になるように、球フランジ52を固定フランジ53によりかしめ固定し、固定フランジ53を球座51に固定する。
 作業者は、次いで、ゲートバルブ5を閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、ロードロックチャンバー3の蓋を開けて、上側カートリッジ11を上側カートリッジ台6に配置し、下側カートリッジ12を下側カートリッジ台7に配置する。作業者は、上側カートリッジ11に上側ウェハ61を載せる。作業者は、下側カートリッジ12に下側ウェハ62を載せる。作業者は、次いで、ロードロックチャンバー3の蓋を閉めて、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成する。
 作業者は、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気が生成された後に、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、まず、上側ウェハ61を上側試料台17に保持させる。作業者は、まず、上側ウェハ61が載せられた上側カートリッジ11を下側試料台46が保持するように、搬送装置8を用いて上側カートリッジ11を搬送する。作業者は、搬送装置8をロードロックチャンバー3の内部に退避させる。作業者は、次いで、上側試料台17を鉛直下方向に下降させて、上側試料台17の誘電層を上側ウェハ61に接触させ、上側試料台17に上側ウェハ61を保持させる。作業者は、上側試料台17を鉛直上方向に上昇させて、上側ウェハ61を上側カートリッジ11から離す。作業者は、上側ウェハ61が上側カートリッジ11から離れた後で、搬送装置8を用いて、上側ウェハ61が載せられていない上側カートリッジ11を下側試料台46から上側カートリッジ台6に搬送する。作業者は、上側ウェハ61を上側試料台17に保持させた後に、下側ウェハ62が載せられた下側カートリッジ12を下側試料台46が保持するように、搬送装置8を用いて下側カートリッジ12を搬送する。
 作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側試料台17に保持された上側ウェハ61と下側試料台46に保持された下側ウェハ62とを圧接して接合する。すなわち、作業者は、上側試料台17に保持された上側ウェハ61と下側試料台46に保持された下側ウェハ62とが離れた状態で、上側ウェハ61と下側ウェハ62との間にイオンガン32を向けて粒子を放出する。その粒子は、上側ウェハ61と下側ウェハ62とに照射され、その表面に形成される酸化物等を除去し、その表面に付着している不純物を除去する。作業者は、圧接機構18を操作して、上側試料台17を鉛直下方向に下降させて、上側ウェハ61と下側ウェハ62とを近づける。作業者は、下側試料台46の位置決め機構を操作して、上側ウェハ61と下側ウェハ62とが設計通りに接合されるように、下側試料台46に保持された下側ウェハ62の位置を移動する。作業者は、上側試料台17の圧接機構18を操作して、上側試料台17を鉛直下方向に下降させて、上側ウェハ61を下側ウェハ62に圧接する。上側ウェハ61と下側ウェハ62とは、その圧接により接合され、1枚の接合基板が生成される。
 作業者は、その接合基板を上側試料台17からデチャックさせた後に、上側試料台17を鉛直上方向に上昇させる。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放し、搬送装置8を用いて、その接合基板が載せられている下側カートリッジ12を下側試料台46から下側カートリッジ台7に搬送する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、ロードロックチャンバー3の蓋を開けて、下側カートリッジ台7に配置された下側カートリッジ12からその接合基板を取り出す。
 上側試料台17が角度調整機構15に直接に固定される他のウェハ接合装置では、このような圧接時に、上側試料台17の中央が下側試料台46の側に突出するように、上側試料台17が弾性変形する。このとき、上側ウェハ61と下側ウェハ62とは、周縁部に印加される荷重より大きい荷重が中央に印加され、上側ウェハ61と下側ウェハ62との接合面に一様な荷重を印加することができないことがある。ウェハ接合装置1は、上側ウェハ61と下側ウェハ62とを圧接するときに、上側ウェハ61と下側ウェハ62との接合面に一様な荷重を印加することができる。この結果、ウェハ接合装置1は、その接合により生産されるデバイスの歩留まりを向上させ、ウェハ接合装置1による常温接合の信頼性を向上させ、ウェハ接合装置1をより実用的にすることができる。
 荷重伝達部16は、上側ステージ14から印加される荷重を上側試料台17の周縁部に印加する他の荷重伝達部に置換されることができる。
 図5は、その置換される荷重伝達部の例を示している。その荷重伝達部65は、荷重伝達部65は、荷重伝達部16と同様にして、概ね円盤状に形成されている。荷重伝達部65は、上側の面の中央にくぼみが形成され、上側の面に支持面66が形成されている。支持面66は、曲面であり、回転軸を中心に楕円が回転して形成される、いわゆるドーナツ型の表面の一部に沿うように形成されている。その回転軸は、荷重伝達部65を形成する円盤の中心を通り、その円盤に垂直である。荷重伝達部65は、その円盤の中央にボルト孔67が形成されている。荷重伝達部65は、図示されていないボルトがボルト孔67に挿入され、そのボルトが球フランジ52の支持部分55に締結されることにより、支持面66が支持面56に線接触するように、かつ、荷重伝達部65の球フランジ52の支持部分55に取り付けられる面の中央に空洞57が形成されるように、球フランジ52に支持されている。
 荷重伝達部16は、上側ステージ14から印加される荷重が小さいときに、その荷重を支持面66の全体で受ける。上側ステージ14から印加される荷重が大きいときには、球フランジ52の支持部分55が弾性変形し、荷重伝達部16は、支持面58の中央側の縁でその荷重を受ける。このため、荷重伝達部16は、上側ステージ14から印加される荷重の大きさにより、上側ステージ14から印加される荷重を受ける位置が大きく移動することがある。このため、ウェハ接合装置1は、その荷重が大きいときに、上側ウェハ61と下側ウェハ62との接合面に一様な荷重を印加することができなくなる可能性がある。
 荷重伝達部65は、上側ステージ14から印加される荷重を受ける位置の移動を低減する。この結果、荷重伝達部65が適用された他のウェハ接合装置は、上側ステージ14から印加される荷重の大きさが変化したときでも、上側ウェハ61と下側ウェハ62との接合面に一様な荷重を印加することができる。
 図6は、その置換される荷重伝達部のさらに他の例を示している。その荷重伝達部71は、複数の柱72-1~72-n(n=3,4,…)から形成されている。複数の柱72-1~72-nは、上側試料台17の周縁部をn等分した複数の位置にそれぞれ配置されている。複数の柱72-1~72-nの各柱72-i(i=1,2,3,…,n)は、一端が球フランジ52の支持部分55に固定され、他端が上側試料台17の周縁部に固定されている。
 このような荷重伝達部71が適用されたウェハ接合装置は、既述の実施の形態におけるウェハ接合装置1と同様にして、上側ウェハ61と下側ウェハ62とを圧接するときに、上側ウェハ61と下側ウェハ62との接合面に一様な荷重を印加することができ、接合の信頼性を向上させることができる。
 図7は、その置換される荷重伝達部のさらに他の例を示している。その荷重伝達部92は、複数のバネ93-1~93-nから形成されている。複数のバネ93-1~93-nは、上側試料台17の周縁部をn等分した複数の位置にそれぞれ配置されている。複数のバネ93-1~93-nの各バネ93-iは、一端が球フランジ52の支持部分55に固定される支持部材91に固定され、他端が上側試料台17の周縁部に固定されている。
 このような荷重伝達部92が適用されたウェハ接合装置は、既述の実施の形態におけるウェハ接合装置1と同様にして、上側ウェハ61と下側ウェハ62とを圧接するときに、上側ウェハ61と下側ウェハ62との接合面に一様な荷重を印加することができ、接合の信頼性を向上させることができる。このような荷重伝達部92が適用されたウェハ接合装置は、さらに、上側ウェハ61と下側ウェハ62とが平行でない場合に、上側ウェハ61と下側ウェハ62とが圧接されたときに、上側ウェハ61と下側ウェハ62とが平行になるように、複数のバネ93-1~93-nが弾性変形する。このため、このようなウェハ接合装置は、上側ウェハ61と下側ウェハ62とが平行でない場合でも、上側ウェハ61と下側ウェハ62との接合面に一様な荷重を印加して、上側ウェハ61と下側ウェハ62とを圧接することができる。この結果、このようなウェハ接合装置は、圧接前に、角度調整機構15を用いて、上側試料台17の保持面と下側試料台46の保持面とが平行になるように調整する必要がなく、上側ウェハ61と下側ウェハ62とより容易に圧接することができる。このようなウェハ接合装置は、さらに、角度調整機構15を省略することができ、より安価に製造されることができる。
 角度調整機構15は、上側試料台17の向きを所定の方向に固定する他の角度調整機構に置換されることができる。
 図8は、その置換される角度調整機構の例を示している。その角度調整機構81は、第1フレーム82と中間体83と第2フレーム84と支持部分85とを備えている。第1フレーム82は、上側ステージ14に固定されている。中間体83は、ボルト86により、回転軸88を中心に回転可能に、第1フレーム82に支持されている。回転軸88は、水平方向に平行であり、第1フレーム82に対して固定されている。ボルト86は、中間体83に締結されることにより、中間体83を第1フレーム82に固定する。第2フレーム84は、ボルト87により、回転軸89を中心に回転可能に、中間体83に支持されている。回転軸89は、水平方向に概ね平行であり、回転軸89に垂直であり、かつ、中間体83に対して固定されている。ボルト86は、中間体83に締結されることにより、第2フレーム84を中間体83に固定する。支持部分85は、概ね円盤状に形成され、その円盤の中央が第2フレーム84に固定されている。支持部分85は、さらに、第2フレーム84に接合される面の裏面に平坦な支持面が形成されている。角度調整機構81は、既述の実施の形態における角度調整機構15と同様にして、支持部分85の支持面が荷重伝達部16の支持面58に密着するように、かつ、荷重伝達部16に空洞57が形成されるように、荷重伝達部16を支持している。
 このような角度調整機構81が適用されたウェハ接合装置は、既述の実施の形態におけるウェハ接合装置1と同様にして、上側ウェハ61と下側ウェハ62とを圧接するときに、上側ウェハ61と下側ウェハ62との接合面に一様な荷重を印加することができ、接合の信頼性を向上させることができる。
 本発明によるウェハ接合装置は、第1基板と第2基板とを圧接するときに、その第1基板の周縁部に印加される荷重より大きい荷重がその第1基板の中央に印加されることを防止し、その第1基板と第2基板とに荷重を均一に印加することができる。

Claims (6)

  1.  第1基板を保持する第1試料台と、
     前記第1基板に対向する第2基板を保持する第2試料台と、
     前記第1試料台の周縁部に接合され、前記第1試料台を第1ステージに支持する荷重伝達部と、
     前記第1ステージに対して前記第2試料台を駆動することにより、前記第1基板と前記第2基板とを圧接する駆動装置
     とを具備するウェハ接合装置。
  2.  請求の範囲1において、
     前記第1試料台の向きを変更可能に、前記荷重伝達部を介して前記第1試料台を第1ステージに支持する角度調整機構
     をさらに具備するウェハ接合装置。
  3.  請求の範囲2において、
     前記角度調整機構は、
     前記第1試料台に固定される球フランジと、
     前記第1ステージに固定される球座と、
     前記球フランジをかしめることにより前記球フランジを前記球座に固定する固定フランジとを備える
     ウェハ接合装置。
  4.  請求の範囲3において、
     前記荷重伝達部は、前記角度調整機構と前記荷重伝達部とが線接触して、前記角度調整機構に支持される
     ウェハ接合装置。
  5.  請求の範囲3において、
     前記荷重伝達部は、複数の柱から形成され、
     前記複数の柱は、それぞれ、一端が前記第1試料台の周縁部に接合され、他端が前記角度調整機構に接合される
     ウェハ接合装置。
  6.  請求の範囲1において、
     前記荷重伝達部は、複数の柱から形成され、
     前記第1基板と前記第2基板とは、圧接されるときに、前記第1基板と前記第2基板とが密着するように、前記複数の柱がそれぞれ弾性変形する
     ウェハ接合装置。
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