WO2009062753A1 - Verfahren zum verbinden einer edelmetalloberfläche mit einem polymer - Google Patents

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Hermann Oppermann
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Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
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Definitions

  • the invention relates to a method for bonding a noble metal surface to a polymer and to a layer composite produced therefrom consisting of a porous noble metal layer and a polymer layer at least partly penetrated therein, in particular for applications on microelectronic and micromechanical semiconductor wafers and in microoptical applications as well as for circuit carriers with organic layers.
  • Umverdrah- lungslagen for changing the connection arrangement on an electronic semiconductor consisting of at least one organic dielectric layer and at least a metallic wiring layer.
  • high-frequency suitable circuit carriers which are constructed from a layer composite of, for example, gold and an organic dielectric, such as, for example, polyimide, PBO, BCB or an epoxide.
  • solder resists which are applied to gold-coated conductor tracks in order to limit the wetting of the conductor track by a molten solder.
  • metal-polymer layers are used to make stacks of semiconductor devices and their electrical contacting.
  • adhesion of polymer layers to precious metals such as gold
  • the adhesion of polymer layers to precious metals is critical.
  • the separation between the polymer and the noble metal layer occurs because of the low adhesion.
  • adhesion promoters for example titanium
  • the invention has for its object to provide a method and a surface structure with which the adhesion of polymer layers on gold surfaces for semiconductor materials and circuit carriers in microelectronic micromechanical or micro-optical applications is improved.
  • a sponge-like nanoporous gold layer obtained by depositing a layer of 20% to 40% gold and 80% to 60% silver on a support and then selectively removing the silver to produce the nanoporous gold layer, the liquid polymer is applied to this sponge structure and cured As a result, the applied liquid polymer penetrates into the sponge-like structures and forms a three-dimensional mechanical interlocking interface between the materials.
  • a carrier used in electronics, microelectronics, micromechanics and / or micro-optics substrate is selected as the carrier, which may be provided with electrically conductive, in particular structured metallizations. It may be a semiconductor wafer or a semiconductor chip resulting therefrom or a single-layer or multi-layer circuit carrier.
  • the nanoporous gold layer can be applied to an already existing metallic layer, the metallization of the substrate, in particular a layer formed from gold.
  • the nanoporous gold layer can be deposited on wafers with microelectronic circuits or micromechanical elements or on a circuit carrier material, in particular on organic laminates, thin-film ceramics or thin-film glass.
  • the nanoporous gold layer or the combination of nanoporous gold layer and metallization can be deposited on semiconductor materials for producing a rewiring structure or on a circuit carrier for producing a multilayer circuit.
  • the nanoporous gold layer or the combination of nanoporous gold layer and metallization can be used to produce a stacked arrangement of a plurality of microelectronic circuits or micromechanical or micro-optical elements based on semiconductors.
  • the Ag / Au layer used in the intermediate step can be produced in a simple manner in a known deposition method, wherein the electrochemical deposition, a deposition by electron beam evaporation or sputtering can be selected. Particularly advantageous may be the electrochemical or galvanic process, since the material consumption can be lower and thus costs can be saved.
  • the silver can also be removed in conventional processes, for example by electrolytic reversal of the electrodeposition process or by free etching.
  • the nanoporous spongy gold layer with a high contiguous pore content and a high, freely accessible surface can be produced on any substrate.
  • the density of the nanoporous gold layer is variable.
  • the spongy gold layer in its surface for example, by reactive ion etching or hydrophilization pretreated.
  • the nanoporous gold layer can be structured.
  • the size of its pores can be adjusted.
  • the deposition process of the Ag / Au layer can be improved by previously applying a plating base or a primer layer.
  • vacuum is applied before, during or after the application of the polymer in order to bring the air out of the pores and to achieve a deep penetration of the polymer into the sponge-like structure.
  • the polymer layer can be structured. So it may be useful if the polymer stops only where a porous surface is present.
  • the method according to the invention can be used, for example, in microsystem technology for the production of dielectric layers or as a solder resist on gold-coated conductor tracks or the like.
  • the polymer can also be formed as a passivation layer on a wafer and after being singulated on a chip.
  • the method according to the invention makes it possible to produce a microelectronic, micromechanical or microoptical component having at least one noble metal surface connected to a polymer, wherein the noble metal surface as a gold layer is nanoporous and spongy and the polymer layer has penetrated at least partially into the sponge structure.
  • circuit carrier made of organic material, ceramic or glass with at least one noble metal surface connected to a polymer, wherein the noble metal surface as a gold layer is nanoporous and sponge-like and the polymer layer has penetrated at least partially into the sponge structure.
  • the single figure shows schematically the layer structure at different steps of the inventive method for producing the nanoporous GoId- layer and subsequent application of the polymer.
  • a plating base 2 in the form of a layer for adhesion reinforcement for example of titanium, titanium / tungsten or chromium, is applied to the substrate and thereupon a starting layer of gold, nickel, copper or platinum, whereby this can be done by sputtering.
  • a gold / silver alloy is electrodeposited with the alloying metallic elements initially present in an electrolyte, and the application of voltage results in electrochemical deposition from the electrolyte.
  • the composition of the gold / silver deposition is in a range of 20% to 40% gold and 80% to 60% silver.
  • the triggering of the silver from the layer 3 takes place, wherein this selective triggering or de-alloying is carried out in different ways can.
  • One possibility in particular if electrochemical deposition is used, is the electrolytic reversal of the principle of electrodeposition in a suitable electrolyte, in which a voltage is applied to the electrodes, through which the silver is dissolved out but the gold is not affected.
  • Another possibility is the selective removal by electroless etching of the silver, e.g. in nitric acid solutions.
  • the situation is slowly growing a 3D sponge layer with nanoscale pores.
  • the sponge-like nanoporous layer is designated 4 in FIG. 1c.
  • the deposition of the Ag / Au layer 3 has been described above as an electrochemical process, but it can also be done by vapor deposition, e.g. Electron beam evaporation or sputtering.
  • vapor deposition e.g. Electron beam evaporation or sputtering.
  • an adhesion promoter layer having materials generally used in thin-film technology is applied beforehand.
  • the silver and the gold can be sputtered alternately or in parallel, with the multilayers diffusing in one another by tempering.
  • a second resist mask is patterned to protect the nanoporous layer 4, and then the plating base is etched. After removal of this second resist mask, further structuring of the nanoporous or spongy gold layer 4 can optionally be undertaken.
  • the surface of the sponge-like gold layer 4 is pretreated for better wetting, for example by reactive ion etching or by hydrophilization, and a liquid polymer is applied, which is eg a benzocyclobutene prepolymer or a polyimide.
  • a liquid polymer which is eg a benzocyclobutene prepolymer or a polyimide.
  • the assembly is placed under vacuum, thereby assisting the penetration of the liquid polymer into the pores.
  • a photosensitive polymer layer 5 When a photosensitive polymer layer 5 is to be patterned, it is exposed with a mask and developed. Finally, the polymer layer is polymerized, crosslinked and cured.

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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Verbinden einer Edelmetalloberfläche mit einem Polymer vorgeschlagen, bei dem eine Schicht aus 20% bis 40% Gold und 80% bis 60% Silber auf einen Träger abgeschieden wird und anschließend das Silbers zur Erzielung einer nanoporösen Goldschicht selektiv entfernt wird. Auf die Goldschicht wird ein flüssigen Polymer aufgetragen und ausgehärtet.

Description

Verfahren zum Verbinden einer Edelmetalloberfläche mit einem Polymer
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden einer Edelmetalloberfläche mit einem Polymer sowie ein damit hergestellter Schichtverbund bestehend aus einer porösen Edelmetallschicht und einer zumindest teilweise darin eingedrungenen Polymerschicht, insbesondere für Anwendungen auf mikroelektronischen und mikromechanischen Halbleiterwafern und in mikrooptischen Applikationen sowie für Schaltungsträger mit organischen Schichten.
In der Halbleitertechnologie ergibt sich eine Viel- zahl von Fällen, bei denen ein Polymer auf eine Edelmetallschicht, beispielsweise eine Goldschicht, aufgebracht werden soll. Ein Beispiel sind Umverdrah- tungslagen zur Änderung der Anschlussanordnung auf einem Elektronikhalbleiter bestehend aus mindestens einer organischen Dielektrikumsschicht und mindestens einer metallischen Verdrahtungslage . Ein weiteres Beispiel sind hochfrequenzgeeignete Schaltungsträger, die aus einem Schichtverbund aus z.B. Gold und einem organischen Dielektrikum, wie beispielsweise Polyi- mid, PBO, BCB oder einem Epoxid aufgebaut sind. In einem anderen Fall verwendet man beispielsweise Lötstopplacke, die auf goldbeschichtete Leiterbahnen aufgebracht werden, um die Benetzung der Leiterbahn durch ein aufgeschmolzenes Lot zu begrenzen. In einem weiteren Fall werden Metall-Polymer-Schichten zur Herstellung von Stapeln aus Halbleiterbauelementen und deren elektrischen Kontaktierung verwendet. Die Haftung von Polymerschichten auf Edelmetallen, wie Gold, ist aber kritisch. Bei mechanischer oder ther- momechanischer Beanspruchung des Schichtverbunds kommt es wegen der geringen Haftung zur Trennung zwischen dem Polymer und der Edelmetallschicht. Im Stand der Technik wurde versucht, durch Aufrauen der Oberfläche diese zu vergrößern und damit die Haftung zu verbessern oder es wurden Haftvermittler, z.B. Titan, eingesetzt, um die spezifische Haftung zu verbessern. Die Ergebnisse sind jedoch entweder nicht zufrieden stellend oder sehr aufwendig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Oberflächenstruktur zu schaffen, mit denen die Haftfestigkeit von Polymerschichten auf Goldoberflächen für Halbleitermaterialien und Schaltungsträger in mikroelektronischen mikromechanischen oder mikrooptischen Anwendungen verbessert wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Hauptanspruchs gelöst .
Dadurch, dass die mit Polymer zu versehende Fläche durch eine schwammartige nanoporöse Goldschicht ge- bildet wird, die durch Abscheiden einer Schicht aus 20% bis 40% Gold und 80% bis 60% Silber auf einen Träger und anschließendes selektives Entfernen des Silbers zur Herstellung der nanoporösen Goldschicht erzielt wird, dass auf diese Schwammstruktur das flüssige Polymer aufgetragen wird und ausgehärtet wird, wird eine sehr hohe Haftfestigkeit der Polymerschicht auf der Goldschicht erzielt, da das applizierte Flüssigpolymer in die schwammartigen Struktu- ren eindringt und eine dreidimensionale Grenzfläche mit mechanischer Verzahnung zwischen den Materialien bildet.
Durch die in den Unteransprüchen angegebenen Maßnah- tuen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen möglich.
Vorteilhafterweise wird als Träger ein in der Elektronik, Mikroelektronik, Mikromechanik und/oder Mikro- optik verwendetes Substrat gewählt, das mit elektrisch leitenden, insbesondere strukturierten Metallisierungen versehen sein kann. Es kann ein Halbleiter- wafer oder ein daraus entstandener Halbleiterchip o- der ein ein- oder mehrlagiger Schaltungsträger sein.
Die nanoporöse Goldschicht kann auf eine bereits vorhandene metallische Schicht, die Metallisierung des Substrats sein kann, insbesondere einer aus Gold gebildeten Schicht aufgebracht werden.
Die nanoporöse Goldschicht kann auf Wafern mit mikroelektronischen Schaltungen oder mikromechanischen E- lementen oder auf einem Schaltungsträgermaterial, insbesondere auf organischen Laminaten, Dünnfilm- Keramiken oder Dünnfilm-Glas abgeschieden werden. Die nanoporöse Goldschicht bzw. die Kombination aus nanoporöser Goldschicht und Metallisierung kann auf Halbleitermaterialien zur Herstellung einer Umver- drahtungsstruktur oder auf einen Schaltungsträger zur Herstellung einer Mehrlagenschaltung abgeschieden werden.
Die nanoporöse Goldschicht bzw. die Kombination aus nanoporöser Goldschicht und Metallisierung kann zur Herstellung einer Stapelanordnung aus mehreren mikroelektronischen Schaltungen oder mikromechanischen o- der mikrooptischen Elementen auf Halbleiterbasis dienen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die im Zwi- schenschritt verwendete Ag/Au-Schicht in einem bekannten Abscheideverfahren in einfacher Weise hergestellt werden, wobei die elektrochemische Abscheidung, eine Abscheidung mittels Elektronenstrahlver- dampfung oder Sputtern gewählt werden können. Vorteilhaft kann besonders das elektrochemische oder galvanische Verfahren sein, da der Materialverbrauch geringer sein kann und damit Kosten gespart werden können. Auch das Silber kann in üblichen Verfahren entfernt werden, beispielsweise durch elektrolytische Umkehrung des galvanischen Abscheideprozesses oder durch freies Ätzen.
Die nanoporöse schwammartige Goldschicht mit hohem zusammenhängenden Porenanteil und hoher frei zugänglicher Oberfläche ist auf beliebigen Substraten herstellbar. Durch Variieren der Zusammensetzung des Goldes und des Silbers ist die Dichte der nanoporösen Goldschicht variierbar.
In vorteilhafter Weise kann zur Verbesserung der Be- netzung die schwammartige Goldschicht in ihrer Oberfläche beispielsweise durch reaktives Ionenätzen oder Hydrophilierung vorbehandelt werden.
Entsprechend den Verwendungszwecken kann die nanopo- röse Goldschicht strukturiert werden.
Durch Vorsehen eines Tempervorgangs nach der Herstellung der nanoporösen Goldschicht kann die Größe ihrer Poren eingestellt werden.
Vorteilhafterweise kann der Abscheideprozess der Ag/Au-Schicht durch vorheriges Aufbringen einer Plattierbasis oder einer Haftvermittlerschicht verbessert werden.
Besonders vorteilhaft ist, dass vor, während oder nach dem Auftragen des Polymers Vakuum aufgebracht wird, um die Luft aus den Poren herauszubringen und ein tiefes Eindringen des Polymers in die schwammartige Struktur zu erreichen.
Je nach Konfiguration kann die Polymerschicht strukturiert werden. So kann es zweckmäßig sein, wenn das Polymer nur dort stehen bleibt, wo eine poröse Oberfläche vorhanden ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann beispielsweise in der Mikrosystemtechnologie für die Herstellung von dielektrischen Schichten oder als Lötstopplack auf goldbeschichteten Leiterbahnen oder dergleichen verwendet werden. Das Polymer kann auch als Passivie- rungsschicht auf einem Wafer und nach dem Vereinzeln auf einem Chip ausgebildet sein. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann ein mikroelektronisches, mikromechanisches oder mikrooptisches Bauelement mit mindestens einer mit einem Polymer verbundenen Edelmetallfläche hergestellt werden, wo- bei die Edelmetalloberfläche als Goldschicht nanopo- rös und schwammartig ist und die Polymerschicht zumindest teilweise in die Schwammstruktur eingedrungen ist.
Es kann auch ein Schaltungsträger aus organischem Material, Keramik oder Glas mit mindestens einer mit einem Polymer verbundenen Edelmetallfläche hergestellt werden, wobei die Edelmetalloberfläche als Goldschicht nanoporös und schwammartig ist und die Polymerschicht zumindest teilweise in die Schwammstruktur eingedrungen ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Heranziehung der beigefüg- ten Zeichnung näher erläutert.
Die einzige Figur zeigt schematisch den Schichtaufbau bei unterschiedlichen Schritten des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung der nanoporösen GoId- schicht und anschließendem Aufbringen des Polymers.
Zur Herstellung einer nanoporösen Goldschicht anhand der Figur beschrieben werden. Es wird als Erstes entsprechend Fig. Ia auf dem Substrat eine Plattierbasis 2 in Form einer Schicht zur Haftungsverstärkung beispielsweise aus Titan, Titan/Wolfram oder Chrom aufgebracht und darauf eine Startschicht aus Gold, Nickel, Kupfer oder Platin, wobei dies durch Sputtern geschehen kann.
Als weiterer wesentlicher Schritt entsprechend Fig. Ib wird eine galvanische Abscheidung einer Gold/Silber-Legierung vorgenommen, wobei die legierungsbildenden metallischen Elemente zunächst in einem Elektrolyten vorhanden sind, und durch Anlegen einer Spannung findet die elektrochemische Abscheidung aus dem Elektrolyten statt. Dabei liegt die Zusammensetzung der Gold/Silber-Deposition in einem Bereich von 20% bis 40% Gold und 80% bis 60% Silber. Als Zwischenschritt entsprechend Fig. Ib befindet sich somit eine Gold/Silberschicht 3 auf der Startschicht 2.
Zwischen der Fig. Ib und der Darstellung nach Fig. Ic, in der eine in die Startgoldschicht 2 übergehende nanoporige Goldschicht 4 dargestellt ist, findet das Auslösen des Silbers aus der Schicht 3, statt, wobei dieses selektive Auslösen oder Ablegieren auf unterschiedlichem Wege durchgeführt werden kann. Eine Möglichkeit, insbesondere wenn die elektrochemische Abscheidung verwendet wird, ist die elektrolytische Um- kehrung des Prinzips der galvanischen Abscheidung in einem geeigneten Elektrolyten, bei der eine Spannung an die Elektroden angelegt wird, durch die das Silber herausgelöst, das Gold aber nicht beeinflusst wird. Eine andere Möglichkeit ist das selektive Ablegieren durch außenstromloses Ätzen des Silbers, z.B. in salpetersäurehaltigen Lösungen.
Bei dem Vorgang des Auslösens des Silbers findet in der Ag/Au-Schicht 3 eine Oberflächenreaktion statt, bei der Silber als Ion aus der obersten Metalllage in Lösung geht. Die verbleibenden Au-Atome lagern sich auf der Oberfläche zu Inseln an und schützen dort die Oberfläche selektiv vor weiterer Auflösung. Anschließend wird Silber aus der nächsten Metalllage heraus - gelöst, die nicht von einer Goldinsel bedeckt ist.
Durch erneute Anlagerung der beweglichen Au-Atome aus der Lage wächst langsam eine 3D- Schwammschicht mit nanoskaligen Poren. Die schwammartige nanoporöse Schicht ist in Fig. Ic mit 4 bezeichnet.
Die Abscheidung der Ag/Au- Schicht 3 wurde weiter oben als elektrochemischer Vorgang beschrieben, sie kann jedoch auch durch Aufdampfen, z.B. Elektronenstrahl- verdampfung oder Sputtern hergestellt werden. In ähnlicher Weise wie nach Fig. Ia wird vorher eine Haft- Vermittlerschicht mit in der Dünnschichttechnik allgemein verwendeten Materialien aufgebracht. Bei dem Sputtern bzw. der Kathodenzerstäubung können das Silber und das Gold im Wechsel oder parallel gesputtert werden, wobei durch Tempern die Multischichten inein- ander diffundieren.
In der Beschreibung der Fig. 1 wurden nur die Hauptschritte zur Herstellung der nanoporösen Goldschicht 4 erläutert. Selbstverständlich können weitere Ver- fahrensschritte zwischengeschaltet werden. So wird zwischen den Darstellungen der Fig. Ia und Ib ein fotoempfindlicher Lack aufgebracht und entsprechend den Vorgaben der Schichtkonfiguration lithografisch strukturiert. Die so hergestellte Lackmaske kann je nach Verfahrensvorgang vor und nach dem selektiven
Ablegieren des Silbers wieder entfernt werden. Falls die Plattierbasis 2 weggeätzt werden soll, wird eine zweite Lackmaske zum Schutz der nanoporösen Schicht 4 strukturiert und anschließend die Plattierbasis ge- ätzt. Nach Entfernen dieser zweiten Lackmaske können gegebenenfalls weitere Strukturierungen der nanoporösen bzw. schwammartigen Goldschicht 4 vorgenommen werden.
Zwischen dem Schichtaufbau nach Fig. Ic und nach der Fig. Id, die eine Polymerschicht 5 auf und in der schwammartigen nanoporigen Goldschicht 4 zeigt, wird zur besseren Benetzung die Oberfläche der schwammartigen Goldschicht 4, z.B. durch reaktives Ionenätzen oder durch Hydrophilierung, vorbehandelt und es wird ein flüssiges Polymer aufgetragen, das z.B. ein Ben- zocyclobuten-Prepolymer oder ein Polyimid ist. Damit das Flüssigpolymer besser in die schwammartige Struktur eindringt, wird die Anordnung unter Vakuum gesetzt, wodurch das Eindringen des Flüssigpolymers in die Poren unterstützt wird.
Wenn eine photoempfindliche Polymerschicht 5 strukturiert werden soll, wird sie mit einer Maske belichtet und entwickelt. Schließlich wird die Polymerschicht polymerisiert , vernetzt und ausgehärtet.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Verbinden einer Edelmetalloberfläche mit einem Polymer mit den Schritten: Abscheiden einer Schicht aus 20% bis 40% Gold und 80% bis 60% Silber auf einen Träger, selektives Entfernen des Silbers zur Erzielung einer nanoporösen Goldschicht, Auftragen eines flüssigen Polymers, Aushärten des Polymers .
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich- net, dass als Träger ein in der Elektronik, Mikroelektronik, Mikromechanik und/oder Mikrooptik verwendetes Substrat gewählt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat mit elektrisch leitenden, insbesondere strukturierten Metallisierungen versehen ist, ein Halbleiterwafer oder ein daraus entstandener Halbleiterchip oder ein ein- oder mehrlagiger Schaltungsträger ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da- durch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht auf eine bereits vorhandene metallische Schicht, insbesondere einer aus Gold gebildeten Schicht aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da- durch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht auf Wafern mit mikroelektronischen Schaltungen oder mikromechanischen Elementen o- der auf einem Schaltungsträgermaterial, insbe- sondere auf organischen Laminaten, Keramiken - oder Glas abgeschieden wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoporöse GoId- Schicht auf Halbleitermaterialien zur Herstellung einer Umverdrahtungsstruktur oder auf einen Schaltungsträger zur Herstellung einer Mehrlagenschaltung abgeschieden wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da- durch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht zur Herstellung einer Stapelanordnung aus mehreren mikroelektronischen Schaltungen o- der mikromechanischen oder mikrooptischen Elementen auf Halbleiterbasis dient.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer aus BCB, Polyimid, PBO oder einem Epoxid gebildet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden der Schicht aus Gold und Silber auf galvanischem bzw. elektrochemischem Wege durchgeführt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden der Schicht aus Gold und Silber durch Aufdampfen - oder Sputtern durchgeführt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Abscheiden der Schicht aus Gold und Silber auf den Träger eine Plattierbasis mit Haftverstärkung aufge- bracht wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine Haftvermittlerschicht aufgebracht wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch ge- kennzeichnet, dass die Plattierbasis oder Haftvermittlerschicht lithografisch strukturiert wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Entfer- nen des Silbers durch elektrolytische Umkehrung der galvanischen Abscheidung durchgeführt wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Entfernen des Silbers durch Ätzen des Silbers durchge- führt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass vor oder nach dem Entfernen des Silbers die zum Strukturieren der abzuscheidenden Schicht aus Gold und Silber ver- wendete Lackmaske entfernt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass nach Aufbringen der Goldsilberschicht und Entfernen der Lackmaske zunächst die Galvanikstartschicht entfernt wird, das Silber ablegiert wird und die Haftschicht ohne Maskierung des nanoporösen Goldes mittels einer zweiten Lackmaske in einer geeigneten wässrigen Lösung entfernt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, da- durch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht zum Einstellen der Porengröße getempert wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoporösen Goldschicht strukturiert wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, da- durch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht zur besseren Benetzung, beispielsweise durch reaktives Ionenätzen, Hydrophilieren oder dergleichen, vorbehandelt wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, da- durch gekennzeichnet, dass das Polymer flüssig aufgebracht wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer aufgedampft wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer im flüssigen Zustand zum besseren Eindringen in die nanoporöse Goldschicht unter Vakuum gesetzt wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23, da- durch gekennzeichnet, dass die Polymerschicht strukturiert wird.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Polymerschicht nach dem Aufbringen und Eindringen in die schwammartige Goldschicht polymerisiert und vernetzt wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer als organisches Dielektrikum ausgebildet ist.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer als Lötstoplack ausgebildet ist.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 25, da- durch gekennzeichnet, dass das Polymer als Pas- sivierungsschicht auf einem Wafer und nach dem Vereinzeln auf einem Chip ausgebildet ist.
29. Mikroelektronisches, mikromechanisches oder mikrooptisches Bauelement mit mindestens einer mit einem Polymer verbundenen Edelmetallfläche, wobei die Edelmetalloberfläche nanoporös und schwammartig ist und die Polymerschicht zumindest teilweise in die Schwammstruktur eingedrungen ist.
30. Schaltungsträger aus organischem Material, Keramik oder Glas mit mindestens einer mit einem Polymer verbundenen Edelmetallfläche, wobei die Edelmetalloberfläche nanoporös und schwammartig ist und die Polymerschicht zumindest teilweise in die Schwammstruktur eingedrungen ist.
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