WO2009060511A1 - フォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法 - Google Patents

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Hiroyuki Sugawara
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Abstract

【課題】湿式エッチングにより微細なパターンを高精度に形成可能なフォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法を提供する。 【解決手段】透明基板１０と、半透過性を有する半透過層２０と、半透過層２０上に形成され照射光を実質的に遮光する遮光層３３と、を備えたフォトマスク用基板２であって、半透過層２０は、遮光層３３よりもエッチング液Ａに対して不溶性又は難溶性であり、エッチング液Ｂに対して易溶性である窒化チタン（ＴｉＮｘ：ここで０＜ｘ＜１．３３）で形成される。一方、遮光層３３は、半透過層２０よりもエッチング液Ａに対して易溶性であり、エッチング液Ｂに対して不溶性又は難溶性の金属クロム（Ｃｒ）で形成される。エッチング液に対する各層のエッチング耐性が異なるため、他の層に損傷を与えることなく半透過層２０と遮光層３３を選択的にエッチングすることが可能となる。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011028174A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスクおよび階調マスクの製造方法
JP2015045834A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司ＶｉｓＥｒａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ マイクロレンズの製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6232709B2 (ja) * 2012-02-15 2017-11-22 大日本印刷株式会社 位相シフトマスク及び当該位相シフトマスクを用いたレジストパターン形成方法
CN104810428A (zh) * 2014-01-25 2015-07-29 泉州市博泰半导体科技有限公司 一种用于制作硅基异质结电池片时结合层的处理方法
CN104375394A (zh) * 2014-11-14 2015-02-25 深圳市路维光电股份有限公司 蚀刻液和掩膜版形成方法
CN104391426A (zh) * 2014-11-21 2015-03-04 胜科纳米（苏州）有限公司 一种掩膜版
TWI567482B (zh) * 2015-05-05 2017-01-21 華邦電子股份有限公司 相位移光罩及其製造方法
CN106200255B (zh) * 2015-05-05 2020-05-26 华邦电子股份有限公司 相位移光罩及其制造方法
KR102230816B1 (ko) * 2017-08-18 2021-03-23 주식회사 엘지화학 기판
JP6756796B2 (ja) * 2018-10-09 2020-09-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス、ハーフトーンマスク、製造方法
CN116162935B (zh) * 2023-01-09 2024-08-20 昆山晶科微电子材料有限公司 铬蚀刻液、铬蚀刻液的制备方法及铬蚀刻液的回收方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6256388A (ja) * 1985-09-02 1987-03-12 松下電器産業株式会社 サ−マルヘツドの製造方法
JPH03242648A (ja) * 1990-02-21 1991-10-29 Matsushita Electron Corp ホトマスクの製造方法
JPH06123961A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Hoya Corp 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクの製造方法
JP2001027801A (ja) * 1990-12-26 2001-01-30 Nikon Corp フォトマスク及び製造方法
JP2005084366A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク及びその製造法並びに露光マスク
JP2006018001A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Dainippon Printing Co Ltd 階調フォトマスクおよびその製造方法
JP2006085096A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fujitsu Ltd 露光用マスクとその製造方法
JP2007271661A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Hoya Corp マスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP4005622B1 (ja) * 2006-09-04 2007-11-07 ジオマテック株式会社 フォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6256388A (ja) * 1985-09-02 1987-03-12 松下電器産業株式会社 サ−マルヘツドの製造方法
JPH03242648A (ja) * 1990-02-21 1991-10-29 Matsushita Electron Corp ホトマスクの製造方法
JP2001027801A (ja) * 1990-12-26 2001-01-30 Nikon Corp フォトマスク及び製造方法
JPH06123961A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Hoya Corp 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクの製造方法
JP2005084366A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク及びその製造法並びに露光マスク
JP2006018001A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Dainippon Printing Co Ltd 階調フォトマスクおよびその製造方法
JP2006085096A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fujitsu Ltd 露光用マスクとその製造方法
JP2007271661A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Hoya Corp マスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP4005622B1 (ja) * 2006-09-04 2007-11-07 ジオマテック株式会社 フォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011028174A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスクおよび階調マスクの製造方法
JP2015045834A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司ＶｉｓＥｒａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ マイクロレンズの製造方法

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