WO2008059780A1

WO2008059780A1 - Filtre d'onde acoustique de surface, duplexeur d'antenne et leur procédé de fabrication

Info

Publication number: WO2008059780A1
Application number: PCT/JP2007/071890
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Nakamura; Ken Matsunami; Tetsuya Tsurunari; Hidekazu Nakanishi
Original assignee: Panasonic Corporation
Priority date: 2006-11-17
Filing date: 2007-11-12
Publication date: 2008-05-22
Also published as: EP2058946A1; US20100097161A1; JP2008131128A; US8072293B2; EP2058946A4

Description

明細書

弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、およびそれらの製造方法技術分野

[0001] 本発明は、弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、およびそれらの製造方法に関するものである。

背景技術

[0002] 従来、広帯域な特性を有する弾性表面波フィルタを実現するためには、例えば、二ォブ酸リチウム（LiNbO )基板などの電気機械結合係数の大きな圧電基板が用いら

3

れて!/ヽた。

[0003] しかし、この種の基板を用いた弾性表面波フィルタは、一般に、温度特性が悪いという欠点を有していた。

[0004] そこで、温度特性を改善した構成が、例えば、特許文献 1で提案されて!/、る。

[0005] 特許文献 1では、 LiNbO基板上に SiOの薄膜層を形成するとともに、前記 LiNb

3 2

O基板の回転 Y板のカット角度を— 10度〜 + 30度とし、前記薄膜層の膜厚寸法を

3

H、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長を λとしたときに、 Η/ λの値を 0. 11

5から 0. 31とする構成が提案されている。

[0006] このような基板上に形成される弾性表面波共振器をラダー型に接続することにより、広帯域な特性を有する弾性表面波フィルタを構成することができる。

[0007] 図 15Aは、従来の弾性表面波共振器の構成図であり、図 15Bはその Α—Αの断面図である。

[0008] 図 15Α、 Βに示すように、従来の弾性表面波共振器は、圧電基板 1501上に櫛型電極 1502と反射器電極 1503が形成され、その上に、 SiO薄膜 1504が形成された

2

構成である。

[0009] このような弾性表面波共振器の特性を図 16A、 Bに示す。図 16Aは通過特性、図 1 6Bはアドミッタンス（Y11)である。ここで、圧電基板としては、 LiNbO基板の回転 Y

3

板のカット角が 5度の基板であり、電極と SiO薄膜の膜厚は、波長で規格化した値で

2

、それぞれ 8%、 20%である。また、電極としては、 A1を主成分とした構成である。図に示すように、弾性表面波共振器には、複数のスプリアスが存在する。

[0010] この種の基板を用いた場合には、横モードによるスプリアスが存在する場合がある。

このスプリアスの抑圧には、一般には、櫛型電極に重み付けする方法がある。

[0011] 図 17に、スプリアスの抑圧のためにアポタイズ重み付けされた弾性表面波共振器の構成図を示す。

[0012] 図 17に示すように、アポタイズ重み付けは、櫛型電極 1701において、交差幅が中央部から端に向かって小さくなる構成を有している。

[0013] このときの弾性表面波共振器の特性を図 18A、 Bに示す。図 18Aは通過特性、図 1

8Bはアドミッタンスである。

[0014] 図 18A、 Bに示すように、図 16A、 Bと比較すると、弾性表面波共振器の特性において、横モードによるスプリアスが抑圧されているのが分かる。

[0015] しかしながら、このような弾性表面波共振器にお!/、ては、横モードによるスプリアスは抑圧されている力共振周波数より低い側に、抑圧できないレイリーモードに起因すると考えられるスプリアスが存在する。

[0016] 図 18A、 Bに示すように、通過特性におけるスプリアス 1801のレベルは 0· 2dB、ァドミッタンスにおけるスプリアス 1802のレベルは 1 · OdBと大きい値である。したがって

、このような従来の弾性表面波共振器を用いてラダー型フィルタやアンテナ共用器を構成した場合には、帯域内のリップルとして特性を劣化させるという課題を有していた特許文献 1 :特開 2003— 209458号公報

発明の開示

[0017] 本発明は、上記従来の課題を解決するもので、弾性表面波共振器のスプリアスを抑えて、かつリップルの小さ!/、優れた特性を有する弾性表面波フィルタおよびアンテナ共用器を提供するものである。また、本発明は、そのような弾性表面波フィルタ、およびアンテナ共用器の製造方法を提供するものである。

[0018] 本発明の弾性表面波フィルタは、ニオブ酸リチウムからなる基板と、この基板の上面に設けられた櫛型電極と、櫛型電極を覆う誘電体薄膜とを備えた、異なる共振周波数を有する複数の弾性表面波共振器により構成される弾性表面波フィルタであつて、共振周波数の低い弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、共振周波数の高レ、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きレ、構成としたものである。

[0019] この構成によれば、スプリアスを抑えて、リップルが小さぐ優れたフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタが得られる。

[0020] また、本発明のアンテナ共振器は、受信フィルタと送信フィルタとを含むアンテナ共用器であって、受信フィルタおよび送信フィルタは、ニオブ酸リチウムからなる基板と、この基板の上面に設けられた櫛型電極と、櫛型電極を覆う誘電体薄膜とを備えた、異なる共振周波数を有する複数の弾性表面波共振器よりなる弾性表面波フィルタで構成され、共振周波数の低い弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、共振周波数の高レ、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きレ、構成としたものである。

[0021] この構成によれば、スプリアスを抑えて、リップルが小さぐ優れたフィルタ特性を有するアンテナ共用器が得られる。

図面の簡単な説明

[0022] [図 1A]図 1Aは、 SiO薄膜の構成図である。

[図 1B]図 1Bは、 SiO薄膜の構成図である。

[図 2A]図 2Aは、弾性表面波共振器における特性図である。

[図 2B]図 2Bは、弾性表面波共振器における特性図である。

[図 3]図 3は、櫛型電極におけるメタライゼーシヨンレシオの説明図である。

[図 4]図 4は、 Q値とメタライゼーシヨンレシオの関係図である。

[図 5A]図 5Aは、 η =0. 45の弾性表面波共振器における特性図である。

[図 5Β]図 5Βは、 7] =0. 45の弾性表面波共振器における特性図である。

[図 6Α]図 6Αは、 η =0. 50の弾性表面波共振器における特性図である。

[図 6Β]図 6Βは、 7] =0. 50の弾性表面波共振器における特性図である。

[図 7Α]図 7Αは、 η =0. 55の弾性表面波共振器における特性図である。

[図 7Β]図 7Βは、 7] =0. 55の弾性表面波共振器における特性図である。

[図 8Α]図 8Αは、スプリアスとメタライゼーシヨンレシオの関係図である。 [図 8B]図 8Bは、スプリアスとメタライゼーシヨンレシオの関係図である。

[図 9A]図 9Aは、 P = 0. 95の弾性表面波共振器における特性図である。

[図 9B]図 9Bは、 P = 0. 95の弾性表面波共振器における特性図である。

園 10A]図 10Aは、 P = l . 05の弾性表面波共振器における特性図である。

園 10B]図 10Bは、 P = l . 05の弾性表面波共振器における特性図である。

[図 11A]図 11 Aは、スプリアスとピッチの関係図である。

[図 11B]図 11Bは、スプリアスとピッチの関係図である。

園 12]図 12は、本実施の形態における弾性表面波フィルタの構成図である。

[図 13]図 13は、本実施の形態における弾性表面波フィルタの他の構成図である。園 14]図 14は、本実施の形態におけるアンテナ共用器の構成図である。

園 15A]図 15Aは、従来の弾性表面波共振器の構成図である。

園 15B]図 15Bは、従来の弾性表面波共振器の構成図である。

園 16A]図 16Aは、従来の弾性表面波共振器における特性図である。

園 16B]図 16Bは、従来の弾性表面波共振器における特性図である。

園 17]図 17は、従来のアポタイズ重み付け弾性表面波共振器の構成図である。園 18A]図 18Aは、従来のアポタイズ重み付け弾性表面波共振器における特性図である。

園 18B]図 18Bは、従来のアポタイズ重み付け弾性表面波共振器における特性図である。

符号の説明

101 , 1501

102 電極

103, 1504 SiO薄膜

2

201 , 501 , 601 , 701 , 901 , 1001 , 1801 通過特性のスプリアス

202, 502, 602, 702, 1002, 1802 ァ

301 , 1502, 1701 櫛型電極

1201 並列腕の弾性表面波共振器

1202 直列腕の弾性表面波共振器 1301 , 1302, 1303, 1304, 1305, 1306 弾性表面波共振器

1401 送信フィルタ

1402 受信フィルタ

1503 反射器電極

発明を実施するための最良の形態

[0024] 以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態における弾性表面波フィルタおよびアンテナ共用器につ!/、て説明する。

[0025] (実施の形態）

まず、誘電体薄膜として SiO薄膜の形状について検討を行い、弾性表面波共振器

2

の特性を評価した。

[0026] 図 1A、 Bは、基板としての圧電基板 101上の電極 102の上に形成された SiO薄膜

2

103の構成図である。図 1Aは、電極上の SiO薄膜の凸部の上部の長さ Laが長ぐ

2

図 1Bは、電極上の Si〇薄膜の凸部の上部の長さ Lbが短ぐ La〉Lbとなっている。

2

このような形状は、例えば、 SiO成膜時に基板にバイアス電圧を印加することで実現

2

すること力 Sできる。バイアス電圧を大きくすることで、 SiO薄膜の形状を図 1Aから図 1

2

Bへと制卸すること力 Sでさる。

[0027] 図 2Α、 Βは、図 17に示す従来の構成の弾性表面波共振器を製造するに際して、バイアス電圧を大きくして SiO薄膜を成膜した場合の弾性表面波共振器の特性を示

2

す図である。

[0028] このようにして製造した場合の弾性表面波共振器の SiO薄膜の形状は、図 17に示

2

す形状に比べて、電極上の SiO薄膜の凸部の上部の長さが短くなつている。

2

[0029] 図 2Aは通過特性、図 2Bはアドミッタンスである。図 2A、 Bに示すように、通過特性のスフ。リアス 201は 0. 05dB、アド、ミッタンスのスフ。リアス 202は 0. ldBと卬圧されている。

[0030] このように、 SiO薄膜の成膜条件を制御することで、スプリアスを抑圧することがで

2

きる。し力もながら、この方法によると、共振器特性が若干劣化してしまう。特に、反共振点での特性として、 Q値力 80力、ら 120へと低下し、減衰極のレベルも 24. 5dB力、ら 22. OdBへと劣化する。このことは、ラダー型フィルタの並列腕共振器として使用した場合に、通過特性のロスの劣化に繋がる。

[0031] 次に、櫛型電極のメタライゼーシヨンレシオによる共振器特性の評価を行った。ここで、図 3は、櫛型電極 3を示す構成図であって、メタライゼーシヨンレシオ（ 7] )は、図 3 に示すように、櫛型電極 301のピッチを P、電極幅を Wとすると 7] =W/Pで表される。また、 SiOの成膜条件は同一である。

2

[0032] 図 4に、反共振点の Q値とメタライゼーシヨンレシオ（ 7] )の関係と示す。縦軸は、 η =0. 50の Q値で規格化している。図 4より、メタライゼーシヨンレシオ )が大きくなるにつれて Q値が向上する。

[0033] 図 5Α、 Βから図 7Α、 Βに、弾性表面波共振器の特性を示す。これらの図において、図 5Α、 Βは 7] =0· 45の場合、図 6Α、 Βは η = 0 · 50の場合、図 7Α、 Βは、 η = 0 . 55の場合であり、各図 Α、 Βはそれぞれ、通過特性、アドミッタンスを示している。

[0034] ここで、ピッチは Ρ = 1 · 00 μ mであり、圧電基板としては、 LiNbO基板の回転 Y板

3

のカット角が 5度の基板であり、電極と SiO薄膜の膜厚は、波長で規格化した値で、

2

それぞれ 8%、 20%である。また、電極は、 A1を主成分とした構成である。

[0035] 各図において、共振周波数よりも高い側のスプリアスは、横モードによるもので、前述のアポタイズ重み付けにより抑圧することは可能である力共振周波数より低レ、側のスフ。リアス 501、 502、 601、 602、 701、 702 (ま、メタライゼーシヨンレシオ（ )を大きくするにつれて大きくなつているのが分かる。

[0036] 図 8Αは通過特性のスプリアスとメタライゼーシヨンレシオとの関係を、図 8Βはアドミッタンスのスプリアスとメタライゼーシヨンレシオとの関係を示している。

[0037] 図に示すように、メタライゼーシヨンレシオ（ 7] )を大きくするにつれてスプリアスは大きくなる。このように、メタライゼーシヨンレシオを大きくすると、 Q値や減衰極のレベルは向上するものの、スプリアスが大きくなるということが明らかになった。すなわち、メタライゼーシヨンレシオ（7] )が小さい場合には、 SiO薄膜の成膜条件としては、例えば

2

、ノィァス電圧を低くすることができ、特性を向上することができる。

[0038] さらに、櫛型電極のピッチによる共振器特性の評価を行った。ここで、ピッチは櫛型電極の間隔を意味し、図 3に示す Pである。図 9A、 Bから図 10A、 Bに、弾性表面波共振器の特性を示す。これらの図において、図 9A、 Bは P = 0. 95の場合であり、図 10A、 Bは P = l . 05の場合である。各図 A、 Bはそれぞれ、通過特性、アドミッタンスである。ここで、メタライゼーシヨンレシオ )が 0· 50であり、ピッチ Pが 1 · 00の弾性表面波共振器の特性は、図 6に示したものである。

[0039] これらの図から、共振周波数よりも高い側のスプリアスに関しては、横モードによるもので、前述のアポタイズ重み付けにより抑圧することは可能である力共振周波数より低い佃 Jのスフ。リアス 901、 902、 1001、 1002に関しては、 Pを/ J、さくするにつれて大きくなつているのが分かる。

[0040] 図 11Aは通過特性のスプリアスとピッチとの関係を、図 11Bはアドミツタンスのスプリァスとピッチとの関係を示している。図に示すように、ピッチ Pを小さくして、メタライゼーシヨンレシオ )を大きくするにつれてスプリアスは大きくなる。すわなち、弾性表面波共振器の共振周波数が高レ、ほど、スプリアスが大きくなる。

[0041] 以上説明したように、共振周波数より低い側のスプリアスに関して、弾性表面波共振器の構成との 3つの関係が明らかになった。第 1の関係は、共振周波数より低い側のスプリアスに関して、 SiO薄膜の成膜条件、例えばバイアス電圧を大きくして、 SiO

2

薄膜の形状を制御することにより、スプリアスを抑圧することができる。その反面、弹

2

性表面波共振器の特性、特に、反共振点の特性が劣化する可能性があるということである。第 2の関係は、櫛型電極のメタライゼーシヨンレシオ（ 7] )を大きくすると、弾性表面波共振器の反共振点 Q値は向上する力、スプリアスが大きくなるということである。第 3の関係は、櫛型電極のピッチ Pが小さいほど、すわなち、櫛型電極の共振周波数が大きレ、ほどスプリアスが大き!/、と!/、うことである。

[0042] 一般に、弾性表面波共振器を用いてラダー型フィルタを構成する場合、直列腕と並列腕に使用する弾性表面波共振器はその共振周波数が異なる。バンドパスフィルタ特性を実現するには、直列腕の共振周波数は並列腕の共振周波数より高く設定される。このとき、 SiO薄膜の成膜条件、例えば、バイアス電圧を直列腕の弾性表面波共

2

振器の共振周波数より低い側のスプリアスを抑圧するように設定すると、並列腕の弾性表面波共振器に関しては、バイアス電圧が大きぐ弾性表面波共振器の特性を劣化させてしまう。し力もながら、前述の弾性表面波共振器とスプリアスの評価から導き出された 3つの関係を用いると、並列腕の弾性表面波共振器の特性劣化を改善することができ、良好な弾性表面波フィルタを実現することができることが明らかになった。

[0043] 図 12は、本実施の形態における弾性表面波フィルタを示す構成図である。

[0044] 本実施の形態における弾性表面波フィルタは、図 12に示すように、圧電基板上（図示せず）に形成された並列腕の弾性表面波共振器 1201と直列腕の弾性表面波共振器 1202とにより構成され、弾性表面波共振器の上部は SiO薄膜（図示せず)で

2

覆われている。

[0045] 図 12において、弾性表面波共振器 1201のピッチを Pp、櫛型電極の電極幅を Wp とすると、メタライゼーシヨンレシオは 7] p=Wp/Ppで表される。弾性表面波共振器 1 202のピッチを Ps、櫛型電極の電極幅を Wsとすると、メタライゼーシヨンレシオは 7] s =Ws/Psで表される。

[0046] ここで、バンドパスフィルタを構成するために、並列腕の弾性表面波共振器 1201の共振周波数は、直列腕の弾性表面波共振器 1202の共振周波数より低く設定されており、ピッチの関係は Psく Ppである。また、メタライゼーシヨンレシオに関しては、 η ρ > V sの関係としている。

[0047] 図 12に示すように、それぞれの弾性表面波共振器は、基板として同一の圧電基板上に形成されている。すなわち、ピッチの小さい直列腕の弾性表面波共振器に関しては、十分にスプリアスが抑圧されている。さらに、並列腕の弾性表面波共振器に関しては、例えば、前述の SiO成膜時のバイアス電圧が力、かりすぎているため、メタライゼーシヨンレシオを大きくしてもスプリアスは抑圧され、さらに Q値も向上させることができている。すなわち、本実施の形態によれば、直列腕の弾性表面波共振器のスプリアスを抑圧した構成にお!/、て、並列腕の弾性表面波共振器の特性を改善することができる。

[0048] 以上の構成とすることにより、本実施の形態によれば、ピッチの小さい直列腕の弹性表面波共振器に関してはスプリアスを抑圧し、かつ、ピッチの大きい並列腕の弾性表面波共振器に関しては、メタライゼーシヨンレシオを大きくすることにより、共振器特性として Q値を向上させることができ、ラダー型フィルタとして良好なフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができる。

[0049] なお、本実施の形態においては、バンドパスフィルタに関して説明した力例えば、ノッチフィルタを構成する場合には、直列腕と並列腕の共振周波数の関係が逆になること力 Sある。この場合には、直列腕の弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオを並列腕のそれよりも大きくして、スプリアスの抑圧する条件を並列腕に設定すればよぐ共振周波数の低!、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが共振周波数の高レ、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きレ、構成であればょレヽ

〇

[0050] また、本実施の形態においては、並列腕と直列腕の 2つの弾性表面波共振器を用 V、た弾性表面波フィルタの構成につ!/、て説明したが、弾性表面波共振器の数や配置についてはこれに限るものではなぐ複数の弾性表面波共振器を用いた構成で、櫛型電極のメタライゼーシヨンレシオとピッチとの関係が本実施の形態の関係を満足していればよい。

[0051] 例えば、図 13に示すような構成であってもかまわない。図 13は、本実施の形態における弾性表面波フィルタの他の構成を示す図である。

[0052] 図 13において、 1301、 1302、 1303、 1304は直歹 IJ腕の弓単十生表面波共振器であり、 1305、 1306は並列腕の弾性表面波共振器である。弾性表面波共振器は圧電基板上に形成された櫛型電極、 SiO薄膜を含む構成である。ここで、弾性表面波共振

2

器 1301、 1302、 1303、 1304、 1305、 1306のピッチをそれぞれ Pl、 P2、 P3、 P4 、 P5、 P6とし、メタライゼーシヨンレシ才はそれぞれ 7] 1、 7] 2、 7] 3、 7] 4、 7] 5、 7] 6とする。

[0053] 本発明においては、直列腕の弾性表面波共振器においても、例えば PI〉P2の関係であれば、 7] 1〉 7] 2とすれば直列腕の弾性表面波共振器の特性を改善すること力 Sできる。また、直列腕の弾性表面波共振器においても、例えば P5〉P6の関係であれば、 7] 5〉 7] 6とすれば直列腕の弾性表面波共振器の特性を改善することができる。すなわち、本発明におけるメタライゼーシヨンレシオとピッチの関係は並列腕と直列腕に限るものではなぐ弾性表面波フィルタを構成する他の弾性表面波共振器に適用しても ¾]果を得ること力できる。

[0054] また、本発明におけるメタライゼーシヨンレシオとピッチの関係は、アンテナ共用器に適用することも可能である。 [0055] 図 14に示すのは、本発明の実施の形態におけるアンテナ共用器の構成図である。

[0056] 図 14において、アンテナ共用器は送信フィルタ 1401と受信フィルタ 1402とを含む構成である。ここで、送信フィルタ 1401、及び受信フィルタ 1402は圧電基板上に形成された弾性表面波フィルタであり、 SiO薄膜が形成されている。このとき、受信フィ

2

ルタ 1402の通過帯域周波数が送信フィルタ 1401の通過帯域周波数よりも高い場合には、送信フィルタ 1401を構成する少なくとも 1つの弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが受信フィルタ 1402を構成する少なくとも 1つの弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きければ、上記した効果を、本実施の形態のアンテナ共用器にぉレ、ても得ることができる。

[0057] なお、送信フィルタ 1401と受信フィルタ 1402の周波数関係が前述とは逆の場合には、メタライゼーシヨンレシオの関係も前述の逆とすればよい。

[0058] また、本実施の形態においては、圧電基板として、 LiNbO基板の回転 Y板のカット

3

角が 5度の基板を用い、電極と SiO薄膜の膜厚は、波長で規格化した値で、それぞ

2

れ 8%、 20%であるとして説明した。し力、し、本発明はこれらに限るものではなぐ LiN bO基板の回転 Y板のカット角については、—10力も + 30度程度の範囲であれば、

3

本発明の構成を適用することにより、広帯域でかつ温度特性に優れ、通過特性の良

V、弾性表面波フィルタ、およびアンテナ共用器を実現することができる。

[0059] また、電極の材料に関しては、本実施の形態では、 A1を主成分とする材料を用いているが、本発明はこれに限るものではなぐ Cuやその他の材料を用いてもかまわない

〇

[0060] また、本実施の形態では、誘電体薄膜として SiO薄膜を用いた構成を説明したが

2

、本発明は他の材料であってもかまわない。

[0061] また、櫛型電極の構成に関しても、本発明はこれに限るものではなぐダミー電極を設けてもよく、また、アポタイズ重み付けに関しても本実施の形態のような形状に限るものではない。

[0062] また、本発明は、同一基板上に形成される弾性表面波共振器を有する弾性表面波フィルタおよびアンテナ共用器の製造方法に適用することもできる。

[0063] すなわち、本発明の弾性表面波フィルタおよびアンテナ共用器の製造方法は、基板上に、複数の弾性表面波共振器の櫛型電極を形成するステップと、櫛型電極を覆うように SiO薄膜を形成するステップとを備え、ピッチの大きい弾性表面波共振器の

2

メタライゼーシヨンレシオがピッチの小さい弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシォよりも大きい構成となるように製造するものである。

産業上の利用可能性

本発明は、スプリアスを抑えて、かつ、優れた特性を有するので、各種の弾性表面波フィルタおよびアンテナ共用器に有用である。

Claims

請求の範囲

[1] ニオブ酸リチウムからなる基板と、前記基板の上面に設けられた櫛型電極と、前記櫛型電極を覆う誘電体薄膜とを備えた、異なる共振周波数を有する複数の弾性表面波共振器により構成される弾性表面波フィルタであって、前記共振周波数の低レ、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、前記共振周波数の高!、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きいことを特徴とする弾性表面波フィルタ。

[2] 前記基板の回転 Y板のカット角を一 10〜+ 30度としたことを特徴とする請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ。

[3] 前記誘電体薄膜が SiO薄膜であることを特徴とする請求項 1に記載の弾性表面波フイノレタ。

[4] 前記誘電体薄膜が凹凸形状を有することを特徴とする請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ。

[5] 前記複数の弾性表面波共振器が同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ。

[6] 前記複数の弾性表面波共振器が、直列腕の弾性表面波共振器と並列腕の弾性表面波共振器とで構成され、前記直列腕の弾性表面波共振器の共振周波数が、前記並列腕の弾性表面波共振器の共振周波数よりも高く設定されており、前記並列腕の弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、前記直列腕の弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きレ、ことを特徴とする請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ。

[7] 前記複数の弾性表面波共振器が、直列腕の弾性表面波共振器と並列腕の弾性表面波共振器とで構成され、前記並列腕の弾性表面波共振器の共振周波数が、前記直列腕の弾性表面波共振器の共振周波数よりも高く設定されており、前記直列腕の弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、前記並列腕の弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きレ、ことを特徴とする請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ。

[8] 前記複数の弾性表面波共振器が、少なくとも 2つの直列腕の弾性表面波共振器で構成され、前記直列腕の弾性表面波共振器のうち前記共振周波数の低!、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、前記共振周波数の高!、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きレ、ことを特徴とする請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ。

[9] 前記複数の弾性表面波共振器が、少なくとも 2つの並列腕の弾性表面波共振器で構成され、前記並列腕の弾性表面波共振器のうち前記共振周波数の低!、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、前記共振周波数の高!、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きレ、ことを特徴とする請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ。

[10] 受信フィルタと送信フィルタとを含むアンテナ共用器であって、前記受信フィルタおよび前記送信フィルタは、ニオブ酸リチウムからなる基板と、前記基板の上面に設けられた櫛型電極と、前記櫛型電極を覆う誘電体薄膜とを備えた、異なる共振周波数を有する複数の弾性表面波共振器よりなる弾性表面波フィルタで構成され、前記共振周波数の低!/、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、前記共振周波数の高レ、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きレ、ことを特徴とするアンテナ共用器。

[11] 前記基板の回転 Y板のカット角を一 10〜+ 30度としたことを特徴とする請求項 10に記載のアンテナ共用器。

[12] 前記誘電体薄膜が SiO薄膜であることを特徴とする請求項 10に記載のアンテナ共用。

[13] 前記誘電体薄膜が凹凸形状を有することを特徴とする請求項 10に記載のアンテナ共用器。

[14] 前記複数の弾性表面波共振器が同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項 10に記載のアンテナ共用器。

[15] 前記受信フィルタの通過帯域が前記送信フィルタの通過帯域よりも高く設定されており、前記送信フィルタを構成する少なくとも一つの前記弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、前記受信フィルタを構成する少なくとも一つの前記弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きいことを特徴とする請求項 10に記載のァンテナ共用器。

[16] 前記送信フィルタの通過帯域が前記受信フィルタの通過帯域よりも高く設定されており、前記受信フィルタを構成する少なくとも一つの前記弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオが、前記送信フィルタを構成する少なくとも一つの前記弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きいことを特徴とする請求項 10に記載のァンテナ共用器。

[17] ニオブ酸リチウムからなる基板上に、共振周波数の異なる複数の弾性表面波共振器の櫛型電極を形成するステップと、前記櫛型電極を覆うように誘電体薄膜を形成するステップとを備えた弾性表面波フィルタの製造方法であって、前記櫛型電極を形成するステップは、前記共振周波数の低!/、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシォカ前記共振周波数の高レ、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きくなるように前記櫛型電極を形成することを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方法。

[18] ニオブ酸リチウムからなる基板上に、共振周波数の異なる複数の弾性表面波共振器の櫛型電極を形成するステップと、前記櫛型電極を覆うように誘電体薄膜を形成するステップとにより、受信フィルタおよび送信フィルタを前記基板上に形成するアンテナ共用器の製造方法であって、前記櫛型電極を形成するステップは、前記共振周波数の低!/、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオ力 S、前記共振周波数の高!/、弾性表面波共振器のメタライゼーシヨンレシオよりも大きくなるように前記櫛型電極を形成することを特徴とするアンテナ共用器の製造方法。