WO2008025725A1 - Hermetisch dichtes verschliessen und elektrisches kontaktieren einer mikroelektro-mechanischen struktur und damit hergestelltes mikrosystem (mems) - Google Patents

Hermetisch dichtes verschliessen und elektrisches kontaktieren einer mikroelektro-mechanischen struktur und damit hergestelltes mikrosystem (mems) Download PDF

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hole
holes
microelectromechanical
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Roy Knechtel
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    • H01L2924/1461—MEMS

Definitions

  • MEMS microelectromechanical structure and microsystem
  • the invention relates to the production of microsystems with microelectromechanical structures, wherein a vertical electrical via of cover plates for microelectromechanical structure is used.
  • MEMS microelectromechanical systems
  • wafer bonding wafer bonding
  • the lid When the lid is applied, it encloses a defined atmosphere with a certain pressure, which is important for the function of the component.
  • a certain pressure which is important for the function of the component.
  • connection plane cover and system chip or disk
  • pads bond pads
  • the cover plates must have large openings through which the connection surfaces (usually very many) are accessible. These breakthroughs can be effectively only in the wafer or disc bond, before or after bonding manufacture, which is always associated with high costs (eg, deep silicon etching, glass structuring). Due to the breakthroughs, however, the mechanical strength of the shields is greatly reduced, so that they are prone to breakage. Therefore, the openings for the pads can not be designed and arranged arbitrarily large.
  • the pads must be located adjacent to the active microelectromechanical structures, i. additional space is required on the lo chip, which limits integration density and increases costs. In extreme cases, the pads and the active microelectromechanical structures may have the same footprint.
  • the pads are not as usual of integrated i5 standard circuits on the chip surface, but are the thickness of the
  • vertical vias can be used to make electrical contact from the front to the back through a hole in the cover disk, so that covered structures can be electrically connected.
  • Various methods are known for producing such plated-through holes.
  • the through holes complete with
  • the invention has for its object to provide a method and a microelectromechanical structure, wherein the process of the via simplified to reduce the error rate and cost and to increase the reliability of the components.
  • the object is achieved in one aspect by a method for hermetically sealing a microelectromechanical structure.
  • the method includes providing a system disk on which the microelectromechanical structure having a patterned metallization layer with a pad is provided.
  • the method further comprises producing a metallic interconnect structure on an upper side of a cover plate, wherein a contact hole region of the metallic interconnect structure is aligned with a contact point of the structured metallization layer when the cover plate is connected to a lower side with the system disk.
  • a contact hole is also formed through the cover plate at the via region and a hermetically sealed closure for the microelectromechanical structure and electrical contact between the metal interconnect structure and the patterned metallization layer is formed by sealing the contact hole with an electrically conductive glass solder paste.
  • the method according to the invention thus makes it possible to contact the internal metallization layer of the MEM (microelectromechanical) structure by means of a vertical plated-through hole, which, in addition to the electrical connection, also ensures the gas-tight closure of the MEM structure.
  • the method is easy to use and universally applicable at a significant cost savings in
  • the metal particles Expelling the binder and fusing the glass portion, the metal particles form electrically conductive paths that conduct the electrical current very well and have a low ohmic resistance.
  • the metallic interconnect structure may be structured in any suitable manner, so as to allow the connection to the periphery, such as housings or printed circuit boards.
  • the manufacturing comprises a hermetically sealed
  • Closure and an electrical contact comprises: connecting the underside of the cover plate with a connection point on the system disk, wherein the connection point surrounds the structured metallization layer.
  • the connection point is preferably designed such that all the electrical connections required for contacting the MEM structure lie within the connection point.
  • the contact hole is made before connecting the
  • the contact hole is made after connecting the underside of the cover plate with the connection point.
  • producing a hermetically sealed closure and an electrical connection comprises: filling the electrically conductive glass solder paste and carrying out a heat treatment of a first type for
  • the heat treatment of the first type is carried out prior to joining the underside of the cover disk with the connection point, so that already a tight closure of the contact hole is produced by steps that are performed independently of the system disk.
  • the contacting then takes place in the connection of the system disk and the cover disk, wherein here also the already dense through hole provides both the electrical contact as well as for the tightness (together with the connection point) of the MEM structure.
  • the method further comprises: performing a heat treatment of a second kind for drying the glass solder paste before
  • Performing the heat treatment of the first type wherein in a variant, the heat treatment of the second type before connecting the underside of the cover plate with the joint and the heat treatment of the first kind are carried out after the connection.
  • the heat treatment of the second type ie the drying, which is carried out at lower temperatures compared to the treatment of the first type, a better flexibility can be achieved in the process, since the glass solder paste can be used after drying in other processes without negative Impacts through the solder paste occur.
  • the method further comprises: carrying out a further heat treatment of the first type. That is, the solder paste is once more melted, whereby an efficient contacting of the metallization is achieved, if the paste already for example already for a higher thermal and mechanical stability once it was melted.
  • the further heat treatment of the first kind prior to bonding and the heat treatment of the first type after bonding the underside of the cover plate and the joint can be carried out, even before bonding a very stable filling in the contact hole is present.
  • the further heat treatment results that a very reliable connection to the underlying material and there may be a reconfiguration after the joining process in the material of the contact hole.
  • the heat treatment of the first type is carried out in a joining process for connecting the underside of the cover disk to the joint. That is, the process temperature and the process duration in the joining process are chosen so that the melting temperature of the paste for the desired Time is reached or exceeded, so that after the joining process both the electrical connection and the complete tightness are reached.
  • the cover plate consists of an insulating material, such as glass, so that the interconnect structure can be made without further action on the cover plate.
  • the cover disk comprises a conductive material and an insulating layer is formed at least on the upper side and the lower side prior to the production of the metallic interconnect structure.
  • an insulating layer is formed at least on the upper side and the lower side prior to the production of the metallic interconnect structure.
  • a part of the insulating layer is formed on the lower side and the upper side prior to forming the through-hole, and the rest of the insulating layer is formed on the side walls of the contact hole after its manufacture.
  • the interconnect structure can be formed on the cover plate before the production of the contact hole, so as to a greater extent
  • the insulating layer may be formed by depositing an insulating material and / or by a surface treatment of the conductive material of the cover plate.
  • the electrically conductive glass solder paste is introduced by printing process in screen or stencil printing in the contact hole, while in other variants, the electrically conductive glass solder paste by dosing is introduced into the contact hole. In this way, established methods and systems are available for carrying out these methods, so that hardly incur additional investment costs.
  • two or more vias are made and provided for electrical contacting and hermetic sealing for the microelectromechanical structure.
  • the interconnect structure Vias within the area of the chip area, which is occupied by the actual MEM structure, are arranged, the interconnect structure then provides the necessary connection configuration to the periphery.
  • the method further comprises: providing a
  • connection to a housing or a printed circuit board by bonding a connecting wire to the terminal contact or by directly connecting the terminal with a connection surface of the housing or the circuit board can be done.
  • the microsystem comprises a microelectromechanical structure MEMS) with a structured metallization layer which is laterally enclosed by a connection point and a bonded cover disk, which is connected to the connection point and has a metallic interconnect structure on an upper side.
  • the microsystem further includes a via extending from a via region of the metal interconnect structure to a contact pad of the patterned metallization layer through the bonded cover sheet and a fused electrically conductive solder glass for establishing electrical contact between the metal interconnect structure and the patterned metallization layer and for hermetic sealing of the O
  • microelectromechanical structure is filled.
  • the microsystem according to the invention thus has electrical feedthroughs which are simultaneously hermetically sealed and made of a readily available and efficiently processable material.
  • the cover plate consists of an insulating material
  • the cover plate has a conductive material and an insulating layer at least on an upper side and the lower side and on side walls of the through-hole, wherein the metallic interconnect structure on the
  • Insulating layer of the top is formed.
  • hole size and shape of the through-hole in the context of existing technological manufacturing processes for the through hole, in particular for drilling glass sheets or KOH etching of silicon wafers, designed arbitrarily, that is, adapted within the technical possibilities of the component requirements.
  • any desired shape and size for the contact hole that are considered advantageous for the component in question may be selected.
  • Microsystem multiple through holes to provide multiple vias per chip available, so that all or at least a majority of the electrical connections are efficiently led out of the MEM structure.
  • the complete microsystem in the form of a chip is covered by the sawn cover disk and all connections are on the top side of the sawn cover disk, preferably directly above the microelectromechanical structure, and the plated-through holes can be fixed by means of the metallic interconnect structure on the Reverse the top of the sawed cover plate so that a connection in enclosures or on printed circuit boards with standard processes of assembly and connection technology is possible.
  • FIG. 1 shows the longitudinal section of an example of the invention M EMS chip in schematic
  • FIG. 2 shows the longitudinal section of an example of the M EMS chip according to the invention in a schematic representation with a conductive cover disk.
  • FIG. 1 shows a microsystem 100, which is also provided in the form of a chip in the illustrated embodiment when the microsystem 100 is in a production phase after singulation, while several systems
  • the microsystem 100 comprises a system disk 1 on which a microelectromechanical structure 2 with freely movable structural components 2 a to be protected is formed, which in FIG.
  • Cover disc 5 is covered, wherein after the separation of the disk stack to chips, the isolated system disk 1 and the scattered cover disk will have the same outer dimensions.
  • the cover plate 5 has an upper side 5o and a lower side 5u, which is connected to the system disk 1.
  • the system disk 1 and the cover disk 5, i.e., the underside 5u thereof, are mechanically fixed and hermetically sealed to each other via a joint 4 laterally surrounding the structure 2.
  • the joint 4 may have a compensating interlayer, e.g. Glass solder, organic adhesive, or a direct connection, such as a molecular or anodic bond.
  • a compensating interlayer e.g. Glass solder, organic adhesive, or a direct connection, such as a molecular or anodic bond.
  • a region 5b of the top side 5a of the cover plate 5 is a through-connection point for the through-hole 6 and establishes a contact in the interconnect structure 5 to form one or more interconnects, which in turn are connected to correspondingly formed connection elements 9a, which are contacted by peripheral components, such as housings , Circuit boards and the like allow.
  • connection element 9a may be designed for contacting with a connecting wire 9, which can be pulled to form a surrounding housing.
  • a direct soldering or connection of the connection element 9a of the capped chip on printed circuit boards is possible (flip chip
  • the hole 6 is to be filled with an electrically conductive glass solder paste 8 which, after being fused, forms a conductive low-resistance path between forms two metal structures 3, 7 and simultaneously closes the hole hermetically sealed. For this it is not absolutely necessary that the hole 6 is completely filled with conductive glass solder. It must be ensured only the contact over a part of the shell side surface and the sealing at the bottom of the hole. Thus, to the hole shape and
  • holes with vertical and inclined side walls, side walls with greater or less 90 °, fill, with a conical hole with a smaller opening at the junction 4 technologically represents a cheap solution, since it can be filled very well and the side wall angle in the openings favorable for the wetting with the glass solder and thus for the contact.
  • the hole 6 or the plurality of holes can be both round and rectangular or have a different shape, which are compatible with the technological possibilities of the respective methods for producing the hole.
  • FIG. 2 shows an analogous arrangement of the microsystem 100 in which a cover or cover disk 5a is conductive, for example made of a semiconductor material, for example silicon. It is necessary that all electrically conductive structures of the interconnect structure 7 different potential on the cover plate 5a are insulated from each other.
  • the conductive cover 5a is to be covered on both sides with an insulating layer 10, which also lines the hole 6, the insulating layer 10 is also formed on side walls 6a of the hole 6.
  • this insulating layer 10 may be treated with standard semiconductor processes, such as thermal oxidation, silicon oxide or nitride CVD (Chemical Vapor deposition), surface treatments such as nitriding. After the application of this insulating layer, the electrically conductive cover plates 5a behave with respect to the via exactly like the insulating cover plates 5 described above.
  • the fabrication of the microsystem 100 includes the following steps. After the production of the M EM structure 2 with the components 2a, the metallization layer 3 and the connection point 4 on the basis of established processes, the cover plate 5, 5a is prepared. In one embodiment, this is provided as an insulating material, which can then be further processed, ie, the interconnect structure 7 is made and the cover plate 5 is connected to the system disk 1 by a joining process, if the through holes in the form of through holes 6 on the basis a disc association to be produced. In other cases, the cover plate 5 is processed separately from the disc 1, to first make the through hole 6 in the region 5b of the upper side 5o by drilling, etching, etc, wherein previously the interconnect structure 7 is formed. Thereafter, the filling of the conductive glass solder paste 8, which can be done by printing process in screen or stencil printing or by dosing. In other embodiments, the filling of the hole 6 is performed after connecting the bottom 5u to the joint 4 when the process conditions during the
  • Joining process are not compatible with the material properties of the paste 8.
  • the paste 8 is filled before the joining process, in a variant it is subjected to a heat treatment for melting the paste, this type of heat treatment being also referred to below as a first type of heat treatment.
  • a heat treatment for drying the paste 8 is first carried out, which is also referred to as a second type of heat treatment, wherein lower temperatures than in the heat treatment of the first type are used to drive out volatile components and a higher thermal and To achieve mechanical stability of the paste for further processing, but without causing a melting process.
  • the melting can be carried out after the joining process, if the process temperatures involved are below the melting temperature.
  • a first melting process is already carried out before the joining process and after the Joining a further melting process is performed, so that after the first melting process, a high thermal and mechanical strength of the paste 8 results, but after the connection, the electrical contact is reliably carried out with a further heat treatment of the first kind, with an improvement of the tightness can be achieved can.
  • the heat treatment of the first type is performed during the joining process, resulting in a very efficient process flow.
  • the process parameters are adjusted in the joining process so that the paste 8 is brought to or above the melting temperature for the required period of time.
  • the interconnect structure 7 can be connected via the connecting elements 9a by bonding, flip-chip contacting, and the like to the periphery, that is to say with a housing, a printed circuit board or another carrier.
  • Insulating layer 10 is applied to the side walls 6a.
  • the insulating layer on the upper side 5o, the lower side 5u and the side walls can be applied in a common process, followed by the production of the interconnect structure 7.
  • the insulating layer 10 can first be produced on the upper side 5o and the lower side 5u, followed by the production of the interconnect structure 7. After structuring the holes 6, their side walls 6a may then be provided with the insulating layer 10, e.g. Passivation of the interconnect structure 7 is desired. After the production of the insulating layer can then further
  • the fabrication process corresponds to a method of hermetically sealing the microelectromechanical structure 2 located on the system disk 1 with cover sheet 5 made of insulating material for the purpose of fabricating a microelectromechanical system 100, with vertically extending through holes 6 in the cover disk 5 are introduced to the hermetically sealed microelectromechanical structure 2 by the Through holes 6 to connect by means of a conductive connection to the metallic interconnect structure 7 on the upper side 5o of the cover plate 5, wherein first the metallic interconnect structure 7 is formed on the upper side 5o of the cover plate 5, wherein in the metallic interconnect structure 7 areas 5b is kept free of metal, the to the contact points 3a on the structured
  • Metallization layer 3 of the system disk 1, where later the electrical contact is made, are assigned, and then the through holes 6 are introduced at these areas and then the system disk 1 and the cover plate 5 are joined and then introduced into the through holes 6 electrically conductive glass solder paste 8 and at the conclusion of the microelectromechanical structure 2, the glass paste is melted, wherein the sealing takes place and the electrical contact between the structured metallization layer 3 and the metallic interconnect structure 7 is produced.
  • the fabrication process corresponds to a method of hermetically sealing the microelectromechanical structure 2 located on the system disk 1 with cover sheet 5 made of insulating material for the purpose of fabricating a microelectromechanical system 100, with vertically extending through holes 6 in the cover disk 5 are introduced to the hermetically sealed microelectromechanical structure 2 by the
  • Metallization layer 3 of the system disk 1, where the electrical contact is made later, are assigned, and then the through holes 6 are introduced at these areas and then introduced into the through holes 6 electrically conductive glass solder paste 8 and melted, whereby the holes 6 are sealed Subsequently, the system disk 1 and the cover plate 5 are joined together, wherein the completion of the microelectromechanical structure 2 takes place and the electrical contact between the patterned metallization layer 3 and the metallic interconnect structure 7 is produced.
  • the manufacturing process corresponds to a method for hermetically sealing the microelectromechanical structure 2, which is located on the system disk 1, with covering disk 5 made of insulating material for the purpose of producing a microelectromechanical system 100, are introduced in the vertically extending through holes 6 in the cover plate 5 to connect the hermetically sealed microelectromechanical structure 2 through the through holes 6 by means of a conductive connection to the metallic interconnect structure 7 on the upper side 5o of the cover plate 5, wherein first the metallic interconnect structure 7 on the upper side 5o of the cover plate 5 is formed, wherein in the metallic interconnect structure 7 areas 5b is kept free of metal, which are assigned to the contact points 3a on the patterned metallization layer 3 of the system disk 1, at which later the electrical contact is made and then the through holes 6 are introduced at these areas and then introduced into the through holes 6 electrically conductive glass solder paste 8 and dried, then the system disk 1 and the cover plate 5 are joined together and the pre-dried glass solder alsm with the completion
  • the fabrication process corresponds to a method of hermetically sealing the microelectromechanical structure 2 located on the system disk 1 with cover sheet 5 made of insulating material for the purpose of fabricating a microelectromechanical system 100 having vertically extending through holes 6 in FIG the cover plate 5 are introduced to connect the hermetically sealed microelectromechanical structure 2 through the through holes 6 by means of a conductive connection to the metallic interconnect structure 7 on the upper side 5o of the cover plate 5, wherein first the metallic
  • Conductor structure 7 is formed on the upper side 5o of the cover plate 5, wherein in the metallic interconnect structure 7 areas 5b is kept free of metal, which are assigned to the contact points 3a on the patterned metallization layer 3 of the system disk 1, where later the electrical contact is made and thereafter, the through-holes 6 are inserted at these portions, and then electrically soldered glass paste 8 is introduced into the through-holes 6, dried and pre-melted, then the system disk 1 and the cover disk 5 are joined together and the pre-molten solder glass is melted a second time, the Completion of the microelectromechanical structure 2 takes place and the electrical contact between the structured
  • the manufacturing process corresponds to a method of hermetically sealing the microelectromechanical structure 2 located on the system disk 1 with cover sheet 5a made of electrically conductive material for the purpose of fabricating a microelectromechanical system 100 in which vertically extending through holes 6 are inserted into the Cover plate 5a are introduced to connect the hermetically sealed microelectromechanical structure 2 through the through holes 6 by means of a conductive connection to the metallic interconnect structure 7 on the upper side 5o of the cover plate 5a, wherein first the through holes 6 are introduced into the cover plate at areas 5b, the to the contact points 3a on the patterned metallization layer
  • the manufacturing process corresponds to a method of hermetically sealing the microelectromechanical structure 2 located on the system disk 1 with cover sheet 5a made of electrically conductive material for the purpose of fabricating a microelectromechanical system
  • the manufacturing process corresponds to one
  • the manufacturing process corresponds to a method of hermetically sealing the microelectromechanical structure 2 located on the system disk 1 with cover sheet 5a made of electrically conductive material for the purpose of fabricating a microelectromechanical system 100 with vertically extending through holes 6 be introduced into the cover plate 5a to connect the hermetically sealed microelectromechanical structure 2 through the through holes 6 by means of a conductive connection to the metallic interconnect structure 7 on the upper side 5o of the cover plate 5a, wherein first the through holes 6 are introduced into the cover plate at areas 5b which are associated with the contact points 3a on the patterned metallization layer 3 of the system disk 1, at which the electrical contact is made later, then the cover disk 5a is oxidized and then a metallic interconnect structure 7 is formed on the upper side 5o of the cover plate 5a, wherein in the metallic interconnect structure 7, the holes 6 are kept free of metal and then introduced into the through holes 6 electrically conductive glass solder paste 8, dried and pre-melted, then the System disk 1 and
  • a further embodiment relates to an arrangement of a microelectromechanical structure (MEMS) in which a microelectromechanical structure 2 is covered by a bonded cover disk 5 consisting of an insulating material which has through holes 6 which extend into the space in which the micromechanical structure 2 are filled with a fused, electrically conductive glass solder 8, whereby on the one hand electrical contacts between the structured metallization 3 of the microelectromechanical structure 2 on the system disk 1 and a metallic interconnect structure 7 for bonding contacts on the surface 5o of the cover plate 5 are made and on the other hand microelectromechanical structure 2 is hermetically sealed.
  • MEMS microelectromechanical structure
  • a further embodiment relates to an arrangement of a microelectromechanical structure (MEMS) in which a microelectromechanical structure 2 is covered by a bonded cover plate 5a made of conductive material coated with an insulation layer 10 and insulated by the insulation layer 10
  • MEMS microelectromechanical structure
  • System disk 2 to be covered microelectromechanical structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Es werden Verfahren und Mikrosysteme für eine vertikale Durchkontaktierung (6) von Deckscheiben (5) für mikrosystemtechnische Komponenten (2, 2a) mittels eines leitfähigen Glaslotes (8) beschrieben, mit denen Vereinfachungen bei der Durchkontaktierung (6) erreicht werden. Die Fehlerquote sinkt. Die Zuverlässigkeit steigt.

Description

Hermetisch dichtes Verschliessen und elektrisches Kontaktieren einer mikroelektro-mechanischen Struktur und damit hergestelltes Mikrosystem (MEMS)
Die Erfindung betrifft die Herstellung von Mikrosystemen mit mikroelektromechanischen Strukturen, wobei eine vertikale elektrische Durchkontaktierung von Deckscheiben für mikroelektromechanische Struktur angewendet wird.
10
In der siliziumbasierten Mikrosystemtechnik ist es bei der Herstellung mikroelektro- mechanischer Systeme (MEMS) notwendig, die miniaturisierten und somit gegen mechanische Beschädigung, Feuchte und Korrosion sehr empfindlichen frei beweglichen mechanischen Strukturen, die mit elektrischen Komponenten in Kontakt i5 sind, mittels eines Deckels (typisch Silizium oder Glas) zu schützen. Meist erfolgt dessen Aufbringen bereits im Scheibenverband als effektiver paralleler Fügeprozess (Scheibenbonden: Waferbonden), der zudem nicht nur einen Schutz in der Anwendung über die Lebensdauer sondern auch für die weitere Verarbeitung (Vereinzeln, Aufbau- und Verbindungstechnik) bietet. In der Regel wird bei einem hermetisch dichten
20 Aufbringen des Deckels eine definierte Atmosphäre mit einem bestimmten Druck eingeschlossen, die für die Funktion des Bauteiles wichtig ist. Bei der Abdeckung der mikroelektromechanischen Struktur muss allerdings gewährleistet sein, dass elektrische Kontaktleitungen für die Energieversorgung des mikroelektromechanischen Systems und die Auslesung von Signalen (z.B. Sensorausgangssignale) in den hermetisch
25 abgeschlossenen Bereich hinein, bzw. aus ihm herausgeführt werden. Dies erfolgt in der Regel durch horizontale Leitbahndurchführung im Bereich der Verbindungsstelle von Systemscheibe und Deck-Chip (bzw. -Scheibe). Dabei müssen die Leitbahndurchführungen beim direkten und anodischen Bonden aufwendig vergraben werden, um eine ebene, dichtende Verbindungsfläche zu erhalten. Beim Bonden mit
30 weichen Zwischenschichten (Glaslotbonden, adhäsives Bonden) können metallische
Standardleitbahnen in das Verbindungsmaterial hermetisch dicht eingebettet werden. In beiden Fällen müssen außerhalb des Deckels in der Verbindungsebene Deckel- und System-Chip (bzw. -Scheibe) Anschlussflächen (Bondpads) für das spätere Drahtbonden liegen.
35
Diese Anordnung bringt die folgenden Nachteile mit sich:
1. Die Deckscheiben müssen große Durchbrüche aufweisen, durch die die Anschlussflächen (meist sehr viele) zugänglich sind. Diese Durchbrüche lassen sich effektiv nur im Wafer- bzw. Scheibenverband, vor oder nach dem Bonden herstellen, was jedoch stets mit hohem Aufwand (z.B. tiefes Siliziumätzen, Glasstrukturierung) verbunden ist. Aufgrund der Durchbrüche wird die mechanische Festigkeit der Deckscheiben jedoch stark vermindert, so dass sie bruchanfällig werden. Daher können 5 die Öffnungen für die Anschlussflächen nicht beliebig groß ausgelegt und angeordnet werden.
2. Die Anschlussflächen müssen sich zwingend neben den aktiven mikroelektromechanischen Strukturen befinden, d.h. es wird zusätzlicher Platz auf dem lo Chip benötigt, wodurch die Integrationsdichte begrenzt wird und höherer Kosten entstehen. Im Extremfall können die Anschlussflächen und die aktiven mikroelektromechanischen Strukturen den gleichen Platzbedarf aufweisen.
3. Die Anschlussflächen befinden sich nicht wie von integrierten i5 Standardschaltungen gewohnt auf der Chipoberfläche, sondern sind um die Dicke des
Deckels abgesenkt. Dies erschwert die Anwendung von Standardmethoden der Aufbau- und Verbindungstechnik (Drahtbonden) bzw. macht den Einsatz spezieller Technologien, wie das Flip-Chip-Bonden, sehr aufwendig oder sogar unmöglich.
20 Zur Überwindung der Nachteile können vertikale Durchkontaktierungen eingesetzt werden, um durch ein Loch in der Deckscheibe einen elektrischen Kontakt von der Vorder- auf ihre Rückseite zu führen, so dass abgedeckte Strukturen elektrisch angeschlossen werden können. Zur Herstellung derartiger Durchkontaktierungen sind verschiedene Verfahren bekannt. So können z.B. die Durchgangslöcher komplett mit
25 Metallen in chemischen bzw. elektrochemischen Prozessen verfüllt werden. Dabei besteht die besondere Schwierigkeit darin, eine gasdichte Verfüllung zu gewährleisten. Aus der Literatur, vgl. Wiemer, Technologieentwicklung für Beschleunigungssensoren und Drehratensensoren unter Nutzung von Wafer-Bondverfahren, Dissertation April 1999 Chemnitz, ist eine Methode bekannt, bei der die Löcher lediglich an den
30 Seitenwänden metallisiert werden und ihr hermetisch dichter Verschluss durch gebondete Mikrodeckel realisiert wird.
Alle bisher bekannten Verfahren sind sehr aufwendig und aufgrund langwieriger Einzelprozesse (Metallverfüllung der Löcher) sehr teuer und fehleranfällig.
35 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine mikroelektromechanische Struktur anzugeben, wobei sich der Prozess der Durchkontaktierung vereinfacht, um die Fehlerquote und Kosten zu senken und die Zuverlässigkeit der Bauelemente zu erhöhen.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe in einem Aspekt gelöst durch ein Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen einer mikroelektromechanischen Struktur. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen einer Systemscheibe, auf der die mikroelektromechanische Struktur mit einer strukturierten Metallisierungsschicht mit einer Kontaktstelle vorgesehen ist. Das Verfahren umfasst ferner das Erzeugen einer metallischen Leitbahnstruktur auf einer Oberseite einer Deckscheibe, wobei ein Kontaktlochbereich der metallischen Leitbahnstruktur zu einer Kontaktstelle der strukturierten Metallisierungsschicht ausgerichtet ist, wenn die Deckscheibe mit einer Unterseite mit der Systemscheibe verbunden ist. In dem Verfahren wird ferner ein Kontaktloch durch die Deckscheibe an dem Kontaktlochbereich hergestellt und es werden ein hermetisch dichter Verschluss für die mikroelektromechanische Struktur und ein elektrischer Kontakt zwischen der metallischen Leitbahnstruktur und der strukturierten Metallisierungsschicht durch Versiegeln des Kontaktlochs mit einer elektrisch leitfähigen Glaslotpaste hergestellt.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht somit die Kontaktierung der internen Metallisierungsschicht der MEM- (mikroelektromechanischen) Struktur mittels einer vertikalen Durchkontaktierung, die neben der elektrischen Verbindung auch für den gasdichten Verschluss der MEM-Struktur sorgt. Damit ist das Verfahren einfach anzuwenden und universell einsetzbar bei einer deutlichen Kostenersparnis im
Vergleich zu konventionellen Techniken für die Herstellung vertikaler Durchkontaktierungen. Das Verfahren der Durchkontaktierung kann im Fertigungsprozess von Mikrosystemtechnikkomponenten gut integriert werden. Elektrisch leitfähige Glaslote sind in organischen Bindern gebundene Glas- und Metallpulvergemische in Pastenform, die kommerziell verfügbar sind. Nach dem
Austreiben des Binders und Verschmelzen des Glasanteils bilden die Metallpartikel elektrisch leitfähige Pfade, die sehr gut den elektrischen Strom leiten und einen geringen ohmschen Widerstand aufweisen. Dadurch wird zu der metallischen Leitbahn eine elektrische Verbindung zu den Komponenten der MEM-Struktur hergestellt, wobei die metallische Leitbahnstruktur in einer beliebigen geeigneten Weise strukturiert sein kann, um damit den Anschluss zur Peripherie, etwa zu Gehäusen oder Leiterplatten zu ermöglichen. Es wird also eine sehr effiziente und platzsparende Verdrahtung möglich, da die Fläche über der MEM-Struktur genutzt werden kann, um die gewünschte Anschlusskonfiguration zur Kontaktierung der Peripherie vorzusehen, wobei die Durchkontaktierung auch die hermetische Abdichtung des Raumbereichs gewährleistet, ohne dass weitere Maßnahmen erforderlich sind.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Herstellen eines hermetisch dichten
Verschlusses und eines elektrischen Kontakts umfasst: Verbinden der Unterseite der Deckscheibe mit einer Verbindungsstelle auf der Systemscheibe, wobei die Verbindungsstelle die strukturierte Metallisierungsschicht umgibt. Dabei ist die Verbindungsstelle vorzugsweise so gestaltet, dass alle zur Kontaktierungen der MEM- Struktur erforderlichen elektrischen Anschlüsse innerhalb der Verbindungsstelle liegen.
Damit gelingt eine hermetisch dichte Abdeckung der Verbindungsstelle, so dass beim hermetisch dichten Kontaktieren der Metallisierungsschicht mittels des obigen Verfahrens eine schließlich vollständige dichte Abdeckung erhalten wird.
In einer weiteren Ausführungsform wird das Kontaktloch vor dem Verbinden der
Unterseite der Deckscheibe mit der Verbindungsstelle hergestellt. Die Arbeitsgänge für das Erzeugen der Kontaktlöcher können somit gesondert erfolgen, wodurch eine gewisse Unabhängigkeit zwischen der Herstellung der MEM-Strukturen und der Herstellung der Anschlussverbindungen erreicht wird.
In einer weiteren Ausführungsform wird das Kontaktloch nach dem Verbinden der Unterseite der Deckscheibe mit der Verbindungsstelle hergestellt. Damit kann der Prozess für das Verbinden der beiden Scheiben auf der Grundlage einer unstrukturierten Deckscheibe erfolgen, die damit eine erhöhte Stabilität und auch eine geringere Anfälligkeit zur Erzeugung von Kontaminationen auf der Systemscheibe beim
Verbinden besitzt.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Herstellen eines hermetisch dichten Verschlusses und einer elektrischen Verbindung: Einfüllen der elektrisch leitfähigen Glaslotpaste und Ausführen einer Wärmebehandlung einer ersten Art zum
Aufschmelzen der Glaslotpaste. Auf diese Weise können Standardprozesse und gut verfügbare Materialien verwendet werden, wobei das Aufschmelzen der Glaslotpaste für die erforderliche Leitfähigkeit und die Dichtigkeit sorgt. Dabei muss das Kontaktloch nicht vollständig mit der Glaslotpaste ausgefüllt werden, sondern es genügt, das Kontaktloch dicht zu verschließen, so dass dann gegebenenfalls andere leitende
Materialien zur Vervollständigung des Kontakts eingesetzt werden können. In einer weiteren Ausführungsform wird die Wärmebehandlung der ersten Art vor dem Verbinden der Unterseite der Deckscheibe mit der Verbindungsstelle ausgeführt, so dass bereits ein dichter Verschluss des Kontaktlochs durch Arbeitsschritte hergestellt ist, die von der Systemscheibe unabhängig ausgeführt werden. Die Kontaktierung erfolgt dann bei der Verbindung der Systemscheibe und der Deckscheibe, wobei auch hier das bereits dichte Durchgangsloch sowohl für den elektrischen Kontakt als auch für die Dichtigkeit (zusammen mit der Verbindungsstelle) der MEM-Struktur sorgt.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Verfahren ferner: Ausführen einer Wärmebehandlung einer zweiten Art zum Trocknen der Glaslotpaste vor dem
Ausführen der Wärmebehandlung der ersten Art, wobei in einer Variante die Wärmebehandlung der zweiten Art vor dem Verbinden der Unterseite der Deckscheibe mit der Verbindungsstelle und die Wärmebehandlung der ersten Art nach dem Verbinden ausgeführt werden. Durch die Wärmebehandlung der zweiten Art, also die Trocknung, die bei tieferen Temperaturen im Vergleich zur Behandlung der ersten Art durchgeführt wird, kann eine bessere Flexibilität im Ablauf erreicht werden, da die Glaslotpaste nach dem Trocknen bei weiteren Prozessen eingesetzt werden kann, ohne dass negative Auswirkungen durch die Lotpaste eintreten.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Verfahren ferner: Ausführen einer weiteren Wärmebehandlung der ersten Art. D.h., die Lotpaste wird ein weiteres Mal aufgeschmolzen, wodurch eine effiziente Kontaktierung der Metallisierungsschicht erzielt wird, wenn die Paste beispielsweise für eine höhere thermische und mechanische Stabilität bereits zuvor schon einmal aufgeschmolzen wurde.
So können die weitere Wärmebehandlung der ersten Art vor dem Verbinden und die Wärmebehandlung der ersten Art nach dem Verbinden der Unterseite der Deckscheibe und der Verbindungsstelle ausgeführt werden, wobei bereits vor dem Verbinden eine sehr stabile Füllung in dem Kontaktloch vorhanden ist. Mit der weiteren Wärmebehandlung ergibt sich dass eine sehr zuverlässige Anbindung an das darunter liegende Material und es kann eine Neukonfigurierung nach dem Fügeprozess im Material des Kontaktlochs stattfinden.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Wärmebehandlung der ersten Art bei einem Fügeprozess zum Verbinden der Unterseite der Deckscheibe mit der Verbindungsstelle ausgeführt. D.h., die Prozesstemperatur und die Prozessdauer beim Fügeprozess werden so gewählt, dass die Schmelztemperatur der Paste für die gewünschte Zeitdauer erreicht oder überschritten wird, so dass nach Ende des Fügeprozesses sowohl die elektrische Verbindung als auch die vollständige Dichtigkeit erreicht sind.
In einer weiteren Ausführungsform besteht die Deckscheibe aus einem isolierenden Material besteht, etwa aus Glas, so dass die Leitbahnstruktur ohne weitere Maßnahmen auf der Deckscheibe hergestellt werden kann.
In einer weiteren Ausführungsform weist die Deckscheibe ein leitendes Material auf und es wird zumindest auf der Oberseite und der Unterseite eine Isolierschicht vor dem Herstellen der metallischen Leitbahnstruktur gebildet. Somit ergibt sich ein hohes Maß an Flexibilität bei der Auswahl des Materials der Deckscheibe, so dass Prozess bedingte oder Bauteilspezifische Gegebenheiten berücksichtigt werden können. Z.B. kann Silizium als Basismaterial für die Deckscheibe verwendet werden, da sehr viele Prozesse zur Strukturierung von Si bekannt sind, die für die Herstellung der Kontaktlöcher angewendet werden können. Dabei kann die Isolierschicht durch geeignete Verfahren aller Art, etwa chemische Dampfabscheidung, etc, Oberflächenmodifizierung, wie Oxidation, Nitrierung, etc, oder Kombinationen aufgebracht werden.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Isolierschicht nach dem Herstellen des
Durchgangslochs gebildet, so dass die Isolierschicht auch innerhalb des Durchgangslochs in einem einzelnen Prozess gebildet wird und keine weiteren Prozessschritte nach der Herstellung des Kontaktloches zu dessen Isolierung erforderlich sind.
In einer weiteren Ausführungsform wird ein Teil der Isolierschicht auf der Unterseite und der Oberseite vor dem Bilden des Durchgangslochs gebildet und der Rest der Isolierschicht wird an den Seitenwänden des Kontaktlochs nach dessen Herstellung gebildet. Auf diese Weise kann die Leitbahnstruktur auf der Deckscheibe vor der Herstellung des Kontaktlochs gebildet werden, um damit eine größeres Maß an
Prozessflexibilität zu erhalten.
Die Isolierschicht kann durch Abscheiden eines isolierenden Materials und/oder durch eine Oberflächenbehandlung des leitenden Materials der Deckscheibe gebildet werden.
In einer weiteren Ausführungsform wird die elektrisch leitende Glaslotpaste per Druckverfahren im Sieb- oder Schablonendruck in das Kontaktloch eingebracht, während in anderen Varianten die elektrisch leitende Glaslotpaste per Dosierverfahren in das Kontaktloch eingebracht wird. Auf diese Weise stehen etablierte Verfahren und Anlagen zum Ausführen dieser Verfahren bereit, so dass kaum zusätzliche Investitionskosten anfallen.
In einer weiteren Ausführungsform werden zwei oder mehr Durchgangslöcher hergestellt und zum elektrischen Kontaktieren und hermetischen Verschließen für die mikroelektromechanische Struktur vorgesehen. Damit können die benötigten Anschlüsse für die MEM-Struktur geschaffen werden, wobei die bereits genannten Vorteile im Hinblick auf den Verfahrensablauf und die Kompaktheit der entstehenden Kontaktstruktur erreicht werden. Beispielsweise können alle erforderlichen
Durchkontaktierungen innerhalb des Bereichs der Chipfläche, die von der eigentlichen MEM-Struktur eingenommen wird, angeordnet werden, wobei die Leitbahnstruktur dann für die notwendige Anschlusskonfiguration zur Peripherie sorgt.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Verfahren ferner: Vorsehen eines
Anschlusskontakts in der metallischen Leitbahnstruktur und Verbinden der mikroelektromechanischen Struktur mit einem Gehäuse oder einer Leiterplatte mittels des Anschlusskontakts, wodurch die "Umverdrahtung" (Anpassung der Anschlüsse der MEM-Struktur innerhalb des durch die Deckscheibe und die Verbindungsstelle definierten Raumbereichs an eine Kontaktstruktur, die eine Kontaktierung der
Peripherie zulässt) erreicht wird.
Dabei kann das Verbinden mit einem Gehäuse oder einer Leiterplatte durch Bonden eines Anschlussdrahtes an den Anschlusskontakt oder durch direktes Verbinden des Anschlusskontakts mit einer Verbindungsfläche des Gehäuses oder der Leiterplatte erfolgen.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird die zuvor genannte Aufgabe gelöst durch ein Mikrosystem gelöst. Das Mikrosystem umfasst eine mikroelektromechanische Struktur MEMS) mit einer strukturierten Metallisierungsschicht, die von einer Verbindungsstelle lateral umschlossen ist und eine gebondete Deckscheibe, die mit der Verbindungsstelle verbunden ist und auf einer Oberseite eine metallische Leitbahnstruktur aufweist. Das Mikrosystem umfasst ferner ein Durchgangsloch, das sich von einem Kontaktlochbereich der metallischen Leitbahnstruktur zu einer Kontaktstelle der strukturierten Metallisierungsschicht durch die gebondete Deckscheibe erstreckt und mit einem eingeschmolzenen elektrisch leitfähigen Glaslot zur Herstellung eines elektrischen Kontakts zwischen der metallischen Leitbahnstruktur und der strukturierten Metallisierungsschicht und zur hermetischen Verschließung der o
mikroelektromechanischen Struktur gefüllt ist. Das erfindungsgemäße Mikrosystem besitzt somit elektrische Durchkontaktierungen, die gleichzeitig hermetisch dicht sind und aus einem gut verfügbaren und effizient verarbeitbaren Material hergestellt sind.
In einer vorteilhaften Ausführungsform besteht die Deckscheibe aus einem isolierenden
Material.
In einer vorteilhaften Ausführungsform weist die Deckscheibe ein leitendes Material und eine Isolierschicht zumindest auf einer Oberseite und der Unterseite und an Seitenwänden des Durchgangslochs auf, wobei die metallische Leitbahnstruktur auf der
Isolierschicht der Oberseite ausgebildet ist.
In einer vorteilhaften Ausführungsform sind Lochgröße und -form des Durchgangslochs im Rahmen bestehender technologischer Fertigungsprozesse für das Durchgangsloch, insbesondere für Bohren von Glasscheiben oder KOH-Ätzen von Siliziumscheiben, beliebig ausgelegt, d.h., im Rahmen der technischen Möglichkeiten an die Bauteilerfordernisse angepasst. Somit kann eine beliebige als für das betreffende Bauteil vorteilhaft erachtete Form und Größe für das Kontaktloch ausgewählt werden.
In einer vorteilhaften Ausführungsform sind in Abhängigkeit von einer Chipgröße des
Mikrosystems mehrere Durchgangslöcher zur Bereitstellung mehrerer Durchkontaktierungen je Chip vorhanden, so dass alle oder zumindest ein Großteil der elektrischen Verbindungen effizient aus der MEM-Struktur herausgeführt sind.
In einer vorteilhaften Ausführungsform ist nach dem Sägen das komplette Mikrosystem in Form eines Chips von der gesägten Deckscheibe abgedeckt und es befinden sich alle Anschlüsse auf der Oberseite der gesägten Deckscheibe, bevorzugt direkt über der mikroelektromechanischen Struktur, und die Durchkontaktierungen können mittels der metallischen Leitbahnstruktur auf der Oberseite der gesägten Deckscheibe so umverdrahtet werden sein, dass ein Anschluss in Umgehäusen oder auf Leiterplatten mit Standardprozessen der Aufbau- und Verbindungstechnik möglich ist.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind den Ansprüchen und der folgenden detaillierten Beschreibung zu entnehmen. Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen mit zwei Halbleiterscheiben unter Zuhilfenahme der Zeichnung erläutert und ergänzt. In den Zeichnungen zeigen:
Figur 1 den Längsschnitt eines Beispiels des erfindungsgemäßen M EMS-Ch ips in schematischer
Darstellung mit einer isolierenden Deckscheibe,
Figur 2 den Längsschnitt eines Beispiels des erfindungsgemäßen M EMS-Ch ips in schematischer Darstellung mit einer leitfähigen Deckscheibe.
Dargestellt ist jeweils die „vertikale" elektrische Durchkontaktierung von Deckscheiben für mikrosystemtechnische Komponenten, d.h., Durchkontaktierungen zu einer Leiterstruktur innerhalb des Raumbereichs einer mikroelektromechanischen Struktur, der von der Deckscheibe mittels Verbindungsstellen umschlossen ist, mittels eines elektrisch leitfähigem Glaslotes, das sich in den Durchgangslöchern der Deckscheibe befindet.
In Figur 1 ist ein Mikrosystem 100 gezeigt, das auch in der dargestellten Ausführungsform in Form eines Chips vorgesehen ist, wenn sich das Mikrosystem 100 in einer Herstellungsphase nach dem Vereinzeln befindet, während mehrere Systeme
100 auf einer einzelnen Scheibe vor dem Vereinzeln vorgesehen sind. Im Weiteren werden das System und bei Bedarf der Chip mit dem Bezugszeichen 100 bezeichnet. Das Mikrosystem 100 umfasst eine Systemscheibe 1 , auf der eine mikroelektromechanische Struktur 2 mit frei beweglichen, zu schützenden Strukturkomponenten 2a ausgebildet ist, die in Fig. 1 durch eine isolierende
Deckscheibe 5 abgedeckt wird, wobei nach dem Vereinzeln des Scheibenstapels zu Chips, die vereinzelte Systemscheibe 1 und die vereinzelte Deckscheibe die gleichen äußeren Abmessungen haben werden. Die Deckscheibe 5 besitzt eine Oberseite 5o und eine Unterseite 5u, die mit der Systemscheibe 1 verbunden ist. Die Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5, d.h., deren Unterseite 5u, sind über eine Verbindungsstelle 4, die die Struktur 2 lateral umgibt, mechanisch fest und hermetisch dicht miteinander verbunden. Dabei kann die Verbindungsstelle 4 eine ausgleichende Zwischenschicht, z.B. Glaslot, organisches Adhäsiv, oder eine direkte Verbindung, etwa eine molekulare oder anodische Bondverbindung, sein. Über einer strukturierten Metallisierungsschicht oder Metall struktur 3, die mit Komponenten 2a der mikroelektromechanischen Struktur
2 elektrisch verbunden ist und die auf der Systemscheibe 1 ausgebildet ist, befindet sich ein Durchgangsloch 6 oder auch mehrere Durchgangslöcher (nicht gezeigt) in der Deckscheibe 5, auf deren Oberseite 5o sich eine zweite Metallstruktur 7 befindet, die zum einen das Durchgangsloch 6 umschließt und zum anderen eine laterale Umverdrahtung auf der Deckscheibe 5 erlaubt. Ein Bereich 5b der Oberseite 5a der Deckscheibe 5 ist eine Durchkontaktierungsstelle für das Durchgangsloch 6 und stellt einen Kontakt in der Leitbahnstruktur 5 zu einer oder mehreren Leiterbahnen her, die wiederum mit entsprechend ausgebildeten Anschlusselementen 9a verbunden sind, die eine Kontaktierung durch periphere Bauelemente, etwa Gehäuse, Leiterplatten und dergleichen ermöglichen. Z.B. kann das Anschlusselement 9a zur Kontaktierung mit einem Anschlussdraht 9 ausgebildet sein, der zu einem Umgehäuse gezogen werden kann. Alternativ dazu ist aber ein direktes Verlöten oder Verbinden des Anschlusselements 9a des gedeckelten Chips auf Leiterplatten möglich (Flip-Chip-
Technologie, Ball-Grid-Arrays), da sich die endgültige Anschlussmetallisierungsstruktur, die Leitbahnstruktur 5 und die Anschlusselemente 9a, auf der Deckeloberseite 5o befindet. Um die Kontaktierung des Metalls der Systemscheibe 1 , d.h., der Metallisierungsschicht 3, zum Metall der Deckscheibe 5, der Leitbahnstruktur 7, zu realisieren, ist das Loch 6 mit einer elektrisch leitfähigen Glaslotpaste 8 zu füllen, die nach ihrem Verschmelzen einen leitfähigen niederohmigen Pfad zwischen beiden Metallstrukturen 3, 7 bildet und gleichzeitig das Loch hermetisch dicht verschließt. Dazu ist es nicht zwingend notwendig, dass das Loch 6 vollständig mit leitfähigem Glaslot verfüllt wird. Es muss lediglich der Kontakt über einen Teil der Mantelseitenfläche und das Abdichten am Lochgrund gewährleistet sein. Somit werden an die Lochform und
-große keine besonderen Anforderungen gestellt. Prinzipiell lassen sich Löcher mit senkrechten und geneigten Seitenwänden, Seitenwände mit größer oder kleiner 90°, verfüllen, wobei ein konisches Loch mit kleinerer Öffnung an der Verbindungsstelle 4 technologisch eine günstigste Lösung darstellt, da es sich sehr gut verfüllen lässt und die Seitenwandwinkel in den Öffnungen günstig für die Benetzung mit dem Glaslot und somit für den Kontakt sind. Das Loch 6 bzw. die mehreren Löcher können sowohl rund als auch rechteckig sein oder eine andere Form aufweisen, die mit den technologischen Möglichkeiten der jeweiligen Verfahren zur Herstellung des Lochs verträglich sind.
In Figur 2 ist eine analoge Anordnung des Mikrosystems 100 gezeigt, in der ein Deckel bzw. eine Deckscheibe 5a leitfähig ist, etwa aus einem Halbleitermaterial, z.B. Silizium aufgebaut ist. Dabei ist es notwendig, dass alle elektrisch leitenden Strukturen der Leitbahnstruktur 7 unterschiedlichen Potentials auf der Deckscheibe 5a zueinander isoliert sind. Dazu ist der leitfähige Deckel 5a beidseitig mit einer Isolationsschicht 10 zu bedecken, die auch das Loch 6 mit auskleidet, die Isolierschicht 10 ist auch an Seitenwänden 6a des Lochs 6 ausgebildet. Im Fall von Halbleiterdeckscheiben, vorzugsweise Silizium, kann diese Isolationsschicht 10 mit Standardhalbleiter- Prozessen, etwa thermische Oxidation, Siliziumoxyd oder -nitrid-CVD (chemische Dampfabscheidung), Oberflächenbehandlungen, wie Nitrierung, hergestellt werden. Nach dem Aufbringen dieser Isolationsschicht verhalten sich die elektrisch leitenden Deckscheiben 5a hinsichtlich der Durchkontaktierung genau wie die oben beschriebenen isolierenden Deckscheiben 5.
Die Herstellung des Mikrosystems 100 weist die folgenden Schritte auf. Nach der Herstellung der M EM-Struktur 2 mit den Komponenten 2a, der Metallisierungsschicht 3 und der Verbindungsstelle 4 auf Basis etablierter Prozesse, wird die Deckscheibe 5, 5a vorbereitet. In einer Ausführungsform wird diese als ein isolierendes Material bereitgestellt, das dann weiter verarbeitet werden kann, d.h., die Leitbahnstruktur 7 wird hergestellt und die Deckscheibe 5 wird mit der Systemscheibe 1 durch einen Fügeprozess verbunden, wenn die Durchkontaktierungen in Form der Durchgangslöcher 6 auf der Grundlage eines Scheibenverbands hergestellt werden sollen. In anderen Fällen wird die Deckscheibe 5 separat zu der Scheibe 1 bearbeitet, um zunächst das Durchgangsloch 6 in dem Bereich 5b der Oberseite 5o herzustellen durch Bohren, Ätzen, etc, wobei zuvor die Leitbahnstruktur 7 gebildet wird. Danach erfolgt das Einfüllen der leitenden Glaslotpaste 8, was durch Druckverfahren im Sieboder Schablonendruck oder durch Dosierverfahren erfolgen kann. In anderen Ausführungsformen wird das Füllen des Lochs 6 nach dem Verbinden der Unterseite 5u mit der Verbindungsstelle 4 ausgeführt, wenn die Prozessbedingungen während des
Fügeprozesses nicht mit den Materialeigenschaften der Paste 8 verträglich sind. Wenn die Paste 8 vor dem Fügeprozess eingefüllt wird, wird diese in einer Variante einer Wärmebehandlung zum Schmelzen der Paste unterzogen, wobei diese Art der Wärmebehandlung im weiteren auch als eine erste Art der Wärmebehandlung bezeichnet wird. Dazu wird eine Temperatur im Bereich von 200 bis 500 0C für eine
Dauer von etwa 10 bis 300 Sekunden angewendet. Durch das Aufschmelzen der Paste 8 werden Binderkomponenten und andere flüchtige Bestandteile ausgetrieben und die elektrischen Eigenschaften und die Dichteigenschaften erhalten. In anderen Ausführungsformen wird zunächst eine Wärmebehandlung zur Trocknung der Paste 8 ausgeführt, was im weiteren auch als eine Wärmebehandlung einer zweiten Art bezeichnet wird, wobei geringere Temperaturen als bei der Wärmebehandlung der ersten Art angewendet werden, um zwar flüchtige Komponenten auszutreiben und eine höhere thermische und mechanische Stabilität der Paste für die weitere Bearbeitung zu erreichen, ohne allerdings einen Schmelzvorgang hervorzurufen.
Das Schmelzen kann nach dem Fügeprozess ausgeführt werden, wenn die darin beteiligten Prozesstemperaturen unter der Schmelztemperatur liegen. In anderen Fällen wird vor dem Fügeprozess bereits ein erster Schmelzprozess ausgeführt und nach dem Verbinden wird ein weiterer Schmelzprozess ausgeführt, so dass sich nach dem ersten Schmelzprozess eine hohe thermische und mechanische Belastbarkeit der Paste 8 ergibt, aber nach den Verbinden die elektrische Kontaktierung zuverlässig mit einer weiteren Wärmebehandlung der ersten Art erfolgt, wobei auch eine Verbesserung der Dichtigkeit erreicht werden kann.
In anderen Ausführungsformen wird die Wärmebehandlung der ersten Art während des Fügeprozesses ausgeführt, so dass sich ein sehr effizienter Prozessablauf ergibt. Zu diesem Zweck werden die Prozessparameter im Fügeprozess so eingestellt, dass die Paste 8 für die erforderliche Zeitdauer auf oder über die Schmelztemperatur gebracht wird. Anschließend kann die Leitbahnstruktur 7 über die Anschlusselemente 9a durch Bonden, Flip-Chip-Kontaktierung, und dergleichen mit der Peripherie, also mit einem Gehäuse, einer Leiterplatte oder einem anderen Träger verbunden werden.
Wie zuvor angedeutet wurde, können alle Bearbeitungsschritte zur Herstellung der
Leitbahnstruktur, der Durchgangslöcher 6 und des Auffüllens der Löcher 6 auch im Scheibenverband erfolgen, d.h., wenn die Scheiben 1 und 5 bereits verbunden sind.
Für die Ausführungsformen der Figur 2 gelten ähnliche Kriterien wie für die Ausführungsformen der Figur 1 , wobei allerdings vor dem Auffüllen der Löcher die
Isolierschicht 10 an den Seitenwänden 6a aufzubringen ist. Dazu kann nach der Herstellung der Löcher 6 die Isolierschicht auf der Oberseite 5o, der Unterseite 5u und den Seitenwänden in einem gemeinsamen Prozess aufgebracht werden, woran sich das Erzeugen der Leitbahnstruktur 7 anschließt. Für die Erzeugung der Isolierschicht 10 können die zuvor genannten Verfahren angewendet werden. In anderen Varianten kann die Isolierschicht 10 zunächst auf der Oberseite 5o und der Unterseite 5u hergestellt werden, woran sich die Herstellung der Leitbahnstruktur 7 anschließt. Nach der Strukturierung der Löcher 6 können dann deren Seitenwände 6a mit der Isolierschicht 10 versehen werden, wenn z.B. auch eine Passivierung der Leitbahnstruktur 7 gewünscht ist. Nach der Herstellung der Isolierschicht kann dann die weitere
Verarbeitung in der zuvor mit Bezug zu Figur 1 beschriebenen Weise erfolgen.
In einer Ausführungsform entspricht der Herstellungsprozess einem Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen der mikroelektromechanischen Struktur 2, die sich auf der Systemscheibe 1 befindet, mit aus isolierendem Material bestehenden Deckscheibe 5 zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems 100, bei dem vertikal verlaufende Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe 5 eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikroelektromechanische Struktur 2 durch die Durchgangslöcher 6 mittels einer leitfähigen Verbindung an die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5 anzuschließen, wobei zunächst die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5 ausgebildet wird, wobei in der metallischen Leitbahnstruktur 7 Bereiche 5b von Metall freigehalten wird, die zu den Kontaktstellen 3a auf der strukturierten
Metallisierungsschicht 3 der Systemscheibe 1 , an denen später der elektrische Kontakt hergestellt wird, zugeordnet sind, und danach die Durchgangslöcher 6 an diesen Bereichen eingebracht werden und anschließend die Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5 zusammengefügt werden und danach in die Durchgangslöcher 6 elektrisch leitfähige Glaslotpaste 8 eingebracht wird und zum Abschluss der mikroelektromechanischen Struktur 2 die Glaspaste aufgeschmolzen wird, wobei die Versiegelung stattfindet und der elektrische Kontakt zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 und der metallischen Leitbahnstruktur 7 hergestellt wird.
In einer Ausführungsform entspricht der Herstellungsprozess einem Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen der mikroelektromechanischen Struktur 2, die sich auf der Systemscheibe 1 befindet, mit aus isolierendem Material bestehenden Deckscheibe 5 zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems 100, bei dem vertikal verlaufende Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe 5 eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikroelektromechanische Struktur 2 durch die
Durchgangslöcher 6 mittels einer leitfähigen Verbindung an die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5 anzuschließen, wobei zunächst die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5 ausgebildet wird, wobei in der metallischen Leitbahnstruktur 7 Bereiche 5b von Metall freigehalten wird, die zu den Kontaktstellen 3a auf der strukturierten
Metallisierungsschicht 3 der Systemscheibe 1 , an denen später der elektrische Kontakt hergestellt wird, zugeordnet sind, und danach die Durchgangslöcher 6 an diesen Bereichen eingebracht werden und anschließend in die Durchgangslöcher 6 elektrisch leitfähige Glaslotpaste 8 eingebracht und geschmolzen wird, wodurch die Löcher 6 versiegelt werden, anschließend die Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5 zusammengefügt werden, wobei der Abschluss der mikroelektromechanischen Struktur 2 stattfindet und der elektrische Kontakt zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 und der metallischen Leitbahnstruktur 7 hergestellt wird.
In einer weiteren Ausführungsform entspricht der Herstellungsprozess einem Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen der mikroelektromechanischen Struktur 2, die sich auf der Systemscheibe 1 befindet, mit aus isolierendem Material bestehenden Deckscheibe 5 zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems 100, bei dem vertikal verlaufende Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe 5 eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikroelektromechanische Struktur 2 durch die Durchgangslöcher 6 mittels einer leitfähigen Verbindung an die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5 anzuschließen, wobei zunächst die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5 ausgebildet wird, wobei in der metallischen Leitbahnstruktur 7 Bereiche 5b von Metall freigehalten wird, die zu den Kontaktstellen 3a auf der strukturierten Metallisierungsschicht 3 der Systemscheibe 1 , an denen später der elektrische Kontakt hergestellt wird, zugeordnet sind, und danach die Durchgangslöcher 6 an diesen Bereichen eingebracht werden und anschließend in die Durchgangslöcher 6 elektrisch leitfähige Glaslotpaste 8 eingebracht und getrocknet wird, danach die Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5 zusammengefügt werden und das vorgetrocknete Glaslot aufgeschmolzen wird, wobei der Abschluss der mikroelektromechanischen Struktur 2 stattfindet und der elektrische Kontakt zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 und der metallischen Leitbahnstruktur 7 hergestellt wird.
In einer noch weiteren Ausführungsform entspricht der Herstellungsprozess einem Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen der mikroelektromechanischen Struktur 2, die sich auf der Systemscheibe 1 befindet, mit aus isolierendem Material bestehenden Deckscheibe 5 zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems 100, bei dem vertikal verlaufende Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe 5 eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikroelektromechanische Struktur 2 durch die Durchgangslöcher 6 mittels einer leitfähigen Verbindung an die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5 anzuschließen, wobei zunächst die metallische
Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5 ausgebildet wird, wobei in der metallischen Leitbahnstruktur 7 Bereiche 5b von Metall freigehalten wird, die zu den Kontaktstellen 3a auf der strukturierten Metallisierungsschicht 3 der Systemscheibe 1 , an denen später der elektrische Kontakt hergestellt wird, zugeordnet sind, und danach die Durchgangslöcher 6 an diesen Bereichen eingebracht werden und anschließend in die Durchgangslöcher 6 elektrisch leitfähige Glaslotpaste 8 eingebracht, getrocknet und vorgeschmolzen wird, danach die Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5 zusammengefügt werden und das vorgeschmolzene Glaslot ein zweites Mal aufgeschmolzen wird, wobei der Abschluss der mikroelektromechanischen Struktur 2 stattfindet und der elektrische Kontakt zwischen der strukturierten
Metallisierungsschicht 3 und der metallischen Leitbahnstruktur 7 hergestellt wird. In einer Ausführungsform entspricht der Herstellungsprozess einem Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen der mikroelektromechanischen Struktur 2, die sich auf der Systemscheibe 1 befindet, mit aus elektrisch leitfähigem Material bestehenden Deckscheibe 5a zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems 100, bei dem vertikal verlaufende Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe 5a eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikroelektromechanische Struktur 2 durch die Durchgangslöcher 6 mittels einer leitfähigen Verbindung an die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5a anzuschließen, wobei zuerst die Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe eingebracht werden an Bereichen 5b, die zu den Kontaktstellen 3a auf der strukturierten Metallisierungsschicht
3 der Systemscheibe 1 , an denen später der elektrische Kontakt hergestellt wird, zugeordnet sind, danach die Deckscheibe 5a oxidiert wird und danach eine metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5a ausgebildet wird, wobei in der metallischen Leitbahnstruktur 7 die Löcher 6 von Metall freigehalten werden und anschließend die Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5a zusammengefügt werden und danach in die Durchgangslöcher 6 elektrisch leitfähige Glaslotpaste 8 eingebracht wird und zum Abschluss der mikroelektromechanischen Struktur 2 die Glaspaste aufgeschmolzen wird, wobei die Versiegelung stattfindet und der elektrische Kontakt zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 und der metallischen Leitbahnstruktur 7 hergestellt wird.
In einer Ausführungsform entspricht der Herstellungsprozess einem Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen der mikroelektromechanischen Struktur 2, die sich auf der Systemscheibe 1 befindet, mit aus elektrisch leitfähigem Material bestehenden Deckscheibe 5a zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems
100, bei dem vertikal verlaufende Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe 5a eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikroelektromechanische Struktur 2 durch die Durchgangslöcher 6 mittels einer leitfähigen Verbindung an die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5a anzuschließen, wobei zuerst die Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe eingebracht werden an
Bereichen 5b, die zu den Kontaktstellen 3a auf der strukturierten Metallisierungsschicht 3 der Systemscheibe 1 , an denen später der elektrische Kontakt hergestellt wird, zugeordnet sind, danach die Deckscheibe 5a oxidiert wird und danach eine metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5a ausgebildet wird, wobei in der metallischen Leitbahnstruktur 7 die Löcher 6 von Metall freigehalten werden und anschließend in die Durchgangslöcher 6 elektrisch leitfähige Glaslotpaste 8 eingebracht und geschmolzen wird, wodurch die Durchgangslöcher 6 versiegelt werden, anschließend die Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5a zusammengefügt werden, wobei der Abschluss der mikroelektromechanischen Struktur 2 stattfindet und der elektrische Kontakt zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 und der metallischen Leitbahnstruktur 7 hergestellt wird.
In noch einer weiteren Ausführungsform entspricht der Herstellungsprozess einem
Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen der mikroelektromechanischen Struktur 2, die sich auf der Systemscheibe 1 befindet, mit aus elektrisch leitfähigem Material bestehenden Deckscheibe 5a zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems 100, bei dem vertikal verlaufende Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe 5a eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikroelektromechanische Struktur 2 durch die Durchgangslöcher 6 mittels einer leitfähigen Verbindung an die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5a anzuschließen, wobei zuerst die Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe eingebracht werden an Bereichen 5b, die zu den Kontaktstellen 3a auf der strukturierten Metallisierungsschicht 3 der Systemscheibe 1 , an denen später der elektrische Kontakt hergestellt wird, zugeordnet sind, danach die Deckscheibe 5a oxidiert wird und danach eine metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5a ausgebildet wird, wobei in der metallischen Leitbahnstruktur 7 die Löcher 6 von Metall freigehalten werden und anschließend in die Durchgangslöcher 6 elektrisch leitfähige Glaslotpaste 8 eingebracht und getrocknet wird, anschließend die
Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5a zusammengefügt werden und das vorgetrocknete Glaslot aufgeschmolzen wird, wobei der Abschluss der mikroelektromechanischen Struktur 2 stattfindet und der elektrische Kontakt zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 und der metallischen Leitbahnstruktur 7 hergestellt wird.
In noch einer weiteren Ausführungsform entspricht der Herstellungsprozess einem Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen der mikroelektromechanischen Struktur 2, die sich auf der Systemscheibe 1 befindet, mit aus elektrisch leitfähigem Material bestehenden Deckscheibe 5a zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems 100, bei dem vertikal verlaufende Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe 5a eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikroelektromechanische Struktur 2 durch die Durchgangslöcher 6 mittels einer leitfähigen Verbindung an die metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5a anzuschließen, wobei zuerst die Durchgangslöcher 6 in die Deckscheibe eingebracht werden an Bereichen 5b, die zu den Kontaktstellen 3a auf der strukturierten Metallisierungsschicht 3 der Systemscheibe 1 , an denen später der elektrische Kontakt hergestellt wird, zugeordnet sind, danach die Deckscheibe 5a oxidiert wird und danach eine metallische Leitbahnstruktur 7 auf der Oberseite 5o der Deckscheibe 5a ausgebildet wird, wobei in der metallischen Leitbahnstruktur 7 die Löcher 6 von Metall freigehalten werden und anschließend in die Durchgangslöcher 6 elektrisch leitfähige Glaslotpaste 8 eingebracht, getrocknet und vorgeschmolzen wird, anschließend die Systemscheibe 1 und die Deckscheibe 5a zusammengefügt werden und das vorgeschmolzene Glaslot ein zweites Mal aufgeschmolzen wird, wobei der Abschluss der mikroelektromechanischen Struktur 2 stattfindet und der elektrische Kontakt zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 und der metallischen Leitbahnstruktur 7 hergestellt wird.
Eine weitere Ausführungsform betrifft eine Anordnung einer mikroelektromechanischen Struktur (MEMS), bei der eine mikroelektromechanische Struktur 2 von einer gebondeten Deckscheibe 5 bestehend aus einem isolierendem Material gedeckelt ist, welche Durchgangslöcher 6 aufweist, die in den Raum reichen, in dem sich die mikromechanische Struktur 2 befindet, und die mit einem eingeschmolzenen elektrisch leitfähigen Glaslot 8 gefüllt sind, wodurch einerseits elektrische Kontakte zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 der mikroelektromechanischen Struktur 2 auf der Systemscheibe 1 und einer metallischen Leitbahnstruktur 7 für Bondkontakte auf der Oberfläche 5o der Deckscheibe 5 hergestellt sind und andererseits die mikroelektromechanische Struktur 2 hermetisch abgeschlossen ist.
Eine weitere Ausführungsform betrifft eine Anordnung einer mikroelektromechanischen Struktur (MEMS), bei der eine mikroelektromechanische Struktur 2 von einer gebondeten Deckscheibe 5a aus leitfähigem, mit einer Isolationsschicht 10 überzogenen Material gedeckelt ist, welche durch die Isolationsschicht 10 isolierte
Durchgangslöcher 6 aufweist, die in den Raum reichen, in dem sich die mikromechanische Struktur 2 befindet, und die mit einem eingeschmolzenen elektrisch leitfähigen Glaslot 8 gefüllt sind, wodurch einerseits elektrische Kontakte zwischen der strukturierten Metallisierungsschicht 3 der mikroelektromechanischen Struktur 2 auf der Systemscheibe 1 und einer metallischen Leitbahnstruktur 7 für Bondkontakte auf der
Oberfläche 5o der Deckscheibe 5a hergestellt sind und andererseits die mikroelektromechanische Struktur 2 hermetisch abgeschlossen ist. o
Bezugszeichen
(gleiche Bezeichnungen für gleiche Elemente in unterschiedlichen Figuren)
1 : Systemscheibe 2 abzudeckende mikroelektromechanische Struktur
2a Komponenten der mikroelektromechanischen Struktur
3 strukturierte Metallisierungsschicht auf der Systemscheibe 3a Kontaktstellen in der Metallisierungsschicht 3
4 Verbindungsstelle der hermetischen Verbindung Systemscheibe/Deckscheibe
5 Deckscheibe - Isolator
5a Deckscheibe - Halbleiter oder Leiter
5b Bereich zum Einbringen eines Durchgangslochs
5o Oberseite der Deckscheibe 5, 5a 5u Unterseite der Deckscheibe 5, 5a
6 Durchgangsloch in der Deckscheibe 6a Seitenwand des Durchgangslochs
7 Metallisierung Deckscheibe - Umverdrahtung 8 elektrisch leitfähiges Glaslot
9 Anschlussdraht 9a Anschlusselement
10 Isolationsschicht der Deckscheibe 5a
100
100' Mikrosystem mit der mikroelektromechanischen Struktur mit den mehreren Komponenten 2a

Claims

Ansprüche
1. Verfahren zum hermetisch dichten Verschließen einer 5 mikroelektro-mechanischen Struktur (2) mit den Schritten
- Bereitstellen einer Systemscheibe (1 ), auf der die mikroelektro-mechanische Struktur (2) mit einer strukturierten Metallisierungsschicht (3) mit einer Kontaktstelle vorgesehen ist;
- Erzeugen einer metallischen Leitbahnstruktur (7) auf einer lo Oberseite einer Deckscheibe (5;5a), wobei ein
Kontaktlochbereich der metallischen Leitbahnstruktur (7) zu einer Kontaktstelle der strukturierten Metallisierungsschicht (3) ausgerichtet ist, wenn die Deckscheibe (5;5a) mit einer Unterseite mit der Systemscheibe (1 ) verbunden ist; i5 - Herstellen eines Kontaktlochs (6) durch die Deckscheibe (5;5a) im oder an dem Kontaktlochbereich;
- Herstellen eines hermetisch dichten Verschlusses für die mikroelektromechanische Struktur (2) und eines elektrischen Kontakts zwischen der metallischen Leitbahnstruktur (7) und der
20 strukturierten Metallisierungsschicht (3) durch Versiegeln des
Kontaktlochs (6) mit einer elektrisch leitfähigen Glaslotpaste (8).
2. Verfahren nach Anspruch 1 , wobei Herstellen eines hermetisch dichten Verschlusses und eines elektrischen Kontakts umfasst: Verbinden der Unterseite
25 der Deckscheibe (5,5a) mit einer Verbindungsstelle (4) auf der Systemscheibe (1 ), welche die strukturierte Metallisierungsschicht (3) umgibt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Kontaktloch (6) vor dem Verbinden der Unterseite der Deckscheibe (5;5a) mit der Verbindungsstelle (4) hergestellt wird.
30
4. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Kontaktloch (6) nach dem Verbinden der Unterseite der Deckscheibe (5,5a) mit der Verbindungsstelle (4) hergestellt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei Herstellen eines hermetisch 35 dichten Verschlusses und einer elektrischen Verbindung umfasst: Einfüllen der elektrisch leitfähigen Glaslotpaste (8) und Ausführen einer Wärmebehandlung einer ersten Art zum Aufschmelzen der Glaslotpaste.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 3 und 5, wobei die Wärmebehandlung der ersten Art vor dem Verbinden der Unterseite der Deckscheibe (5,5a) mit der Verbindungsstelle (4) ausgeführt wird.
5
7. Verfahren nach Anspruch 5, das ferner umfasst: Ausführen einer Wärmebehandlung einer zweiten Art zum Trocknen der Glaslotpaste (8) vor dem Ausführen der Wärmebehandlung der ersten Art.
lo
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Wärmebehandlung der zweiten Art vor dem Verbinden der Unterseite der Deckscheibe (5;5a) mit der Verbindungsstelle (4) und die Wärmebehandlung der ersten Art nach dem Verbinden ausgeführt werden.
i5
9. Verfahren nach Anspruch 7, das ferner umfasst: Ausführen einer weiteren
Wärmebehandlung der ersten Art.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die weitere Wärmebehandlung der ersten Art vor dem Verbinden und die Wärmebehandlung der ersten Art nach dem
20 Verbinden der Unterseite der Deckscheibe (5, 5a) und der Verbindungsstelle (4) ausgeführt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Wärmebehandlung der ersten Art bei einem Fügeprozess zum Verbinden der Unterseite der Deckscheibe (5, 5a) mit
25 der Verbindungsstelle (4) ausgeführt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11 , wobei die Deckscheibe (5, 5a) aus einem isolierenden Material besteht.
30 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11 , wobei die Deckscheibe (5, 5a) ein leitendes Material aufweist und zumindest auf der Oberseite und der Unterseite eine Isolierschicht (10) vor dem Herstellen der metallischen Leitbahnstruktur (7) gebildet wird.
35 14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Isolierschicht (10) nach dem Herstellen des Durchgangslochs (6) gebildet wird, so dass die Isolierschicht auch innerhalb des Durchgangslochs an dessen Seitenwänden gebildet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13, wobei ein Teil der Isolierschicht (10) auf der Unterseite und der Oberseite vor dem Bilden des Durchgangslochs gebildet wird und der Rest der Isolierschicht an den Seitenwänden des Kontaktlochs nach dessen Herstellung gebildet wird.
5
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die Isolierschicht (10) durch Abscheiden eines isolierenden Materials gebildet wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die Isolierschicht (10) lo durch eine Oberflächenbehandlung des leitenden Materials der Deckscheibe
(5;5a) gebildet wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei die elektrisch leitende Glaslotpaste (8) per Druckverfahren im Sieb- oder Schablonendruck in das i5 Kontaktloch (6) eingebracht wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei die elektrisch leitende Glaslotpaste (8) per Dosierverfahren in das Kontaktloch eingebracht wird.
20 20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, wobei zwei oder mehr
Durchgangslöcher (6) hergestellt und zum elektrischen Kontaktieren und hermetischen Verschließen für die mikroelektromechanische Struktur (2) vorgesehen werden.
25 21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, das ferner umfasst: Vorsehen eines Anschlusskontakts (9) in der metallischen Leitbahnstruktur (7) und Verbinden der mikroelektromechanischen Struktur (2) mit einem Gehäuse oder einer Leiterplatte mittels des Anschlusskontakts.
30 22. Verfahren nach Anspruch 21 , wobei das Verbinden mit einem Gehäuse oder einer
Leiterplatte durch Bonden eines Anschlussdrahtes an den Anschlusskontakt erfolgt.
23. Verfahren nach Anspruch 22, wobei das Verbinden mit einem Gehäuse oder einer 35 Leiterplatte durch direktes Verbinden des Anschlusskontakts mit einer
Verbindungsfläche des Gehäuses oder der Leiterplatte erfolgt.
24. Mikrosystem mit einer mikroelektromechanischen Struktur (2) mit einer strukturierten Metallisierungsschicht (3), die von einer Verbindungsstelle (4) lateral umschlossen ist, und mit
(i) einer gebondeten Deckscheibe (5;5a), die mit der 5 Verbindungsstelle (4) verbunden ist und auf einer Oberseite eine metallische Leitbahnstruktur (7) aufweist;
(ii) einem Durchgangsloch (6), das sich von einem
Kontaktlochbereich der metallischen Leitbahnstruktur (7) zu einer Kontaktstelle der strukturierten Metallisierungsschicht (3) lo durch die gebondete Deckscheibe (5;5a) erstreckt und mit einem eingeschmolzenen elektrisch leitfähigen Glaslot (8), einen elektrischen Kontakt zwischen der metallischen Leitbahnstruktur (7) und der strukturierten Metallisierungsschicht herstellend, unter hermetischem i5 Verschliessen der mikroelektromechanischen Struktur (2).
25. Mikrosystem nach Anspruch 24, wobei die Deckscheibe (5) aus einem isolierenden Material besteht.
20 26. Mikrosystem nach Anspruch 24, wobei die Deckscheibe (5, 5a) ein leitendes
Material aufweist und eine Isolierschicht (10) zumindest auf einer Oberseite und der Unterseite und an Seitenwänden des Durchgangslochs (9) vorgesehen ist und wobei die metallische Leitbahnstruktur auf der Isolierschicht (10) der Oberseite ausgebildet ist.
25
27. Mikrosystem nach Anspruch 26, wobei die Isolierschicht ein Oxid des leitenden Materials der Deckscheibe aufweist.
28. Mikrosystem nach einem der Ansprüche 24 bis 27, wobei Lochgröße und
30 Lochform des Durchgangslochs (6) im Rahmen bestehender technologischer
Fertigungsprozesse für das Durchgangsloch, insbesondere für Bohren von Glasscheiben oder KOH-Ätzen von Siliziumscheiben, beliebig ausgelegt sind.
29. Mikrosystem nach einem der Ansprüche 24 bis 28, wobei in Abhängigkeit von
35 einer Chipgröße des Mikrosystems mehrere Durchgangslöcher zur Bereitstellung mehrerer Durchkontaktierungen je Chip vorhanden sind.
30. Mikrosystem nach Anspruch 29, wobei nach einem Sägen das komplette Mikrosystem in Form eines Chips von der gesägten Deckscheibe (5, 5a) abgedeckt ist und sich alle Anschlüsse auf der Oberseite der gesägten Deckscheibe (5, 5a), bevorzugt direkt über der mikroelektromechanischen
5 Struktur (2) befinden und die Durchkontaktierungen (8) mittels der metallischen
Leitbahnstruktur (7) auf der Oberseite der gesägten Deckscheibe (5, 5a) so umverdrahtet werden können, dass ein Anschluss in Umgehäusen oder auf Leiterplatten mit Standardprozessen der Aufbau und Verbindungstechnik möglich ist.
10
31. Verfahren zur hermetisch dichten vertikalen elektrischen Durchkontaktierung von aus isolierendem Material bestehenden Deckscheiben zum Zweck der Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems, mit einer eine mikromechanische Struktur (2) tragenden Systemscheibe (1 ) und einer Deckscheibe (5;5a), bei dem i5 vertikal verlaufende Durchgangslöcher (6) in die Deckscheibe (5) eingebracht werden, um die hermetisch zu verschließende mikromechanische Struktur (2) durch die Durchgangslöcher (6) mittels einer leitfähigen Verbindung an Metallisierungsstrukturen auf einer Oberseite der Deckscheibe (5) anzuschließen, und die Systemscheibe (1 ) mit einer strukturierten Metallisierungsschicht (3)
20 versehen wird, auf die Deckscheibe (5) in beliebiger Reihenfolge die
Metallisierung (7) aufgebracht und strukturiert wird und die Durchgangslöcher (6) zugeordnet zu der Metallisierungsschicht (3) eingebracht werden, anschließend die Systemscheibe (1 ) und die Deckscheibe (5) zusammengefügt werden und danach in die Durchgangslöcher (6) elektrisch leitfähige Glaslotpaste (8)
25 eingebracht wird und die Glaspaste aufgeschmolzen wird, um das Loch zu versiegeln und den elektrischen Kontakt herzustellen.
32. Verfahren nach Anspruch 1 , wobei die Systemscheibe (1 ) mit einer strukturierten Metallisierungsschicht (3) versehen wird, auf die Deckscheibe (5) in beliebiger
30 Reihenfolge die Metallisierung (7) aufgebracht und strukturiert wird und die
Durchgangslöcher (6) zugeordnet zu der Metallisierungsschicht (3) eingebracht werden, und anschließend in die Durchgangslöcher (6) elektrisch leitfähige Glaslotpaste (8) eingebracht und geschmolzen wird, um das jeweilige Loch zu versiegeln und danach die Systemscheibe (1 ) und die Deckscheibe (5)
35 zusammengefügt werden, wobei der Kontakt hergestellt wird.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5249080B2 (ja) * 2009-02-19 2013-07-31 セイコーインスツル株式会社 半導体装置
TWI395312B (zh) * 2010-01-20 2013-05-01 矽品精密工業股份有限公司 具微機電元件之封裝結構及其製法
CN102884459A (zh) * 2010-02-12 2013-01-16 艾洁莱特公司 用于同轴式光纤装置的具有带引脚的馈通线的气密性封装及其制造方法
EP2402284A1 (de) * 2010-06-29 2012-01-04 Nxp B.V. MEMS-Herstellungsverfahren
CH704884B1 (fr) 2011-04-29 2015-04-30 Suisse Electronique Microtech Substrat destiné à recevoir des contacts électriques.
JP6331551B2 (ja) * 2014-03-25 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 Ｍｅｍｓデバイス
EP3018092A1 (de) * 2014-11-10 2016-05-11 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Mems-paket
FR3042642B1 (fr) * 2015-10-15 2022-11-25 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif comprenant une micro-batterie
US11152294B2 (en) * 2018-04-09 2021-10-19 Corning Incorporated Hermetic metallized via with improved reliability
DE102019201351B4 (de) 2019-02-01 2023-02-23 Lpkf Laser & Electronics Ag Ortsspezifisches Verbinden von Glasträgern und Anordnung von Glasträgern
CN113474311B (zh) 2019-02-21 2023-12-29 康宁股份有限公司 具有铜金属化贯穿孔的玻璃或玻璃陶瓷制品及其制造过程

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5007872A (en) * 1989-06-12 1991-04-16 Babcock Display Products, Inc. Screened interconnect system
US6225145B1 (en) * 1998-09-07 2001-05-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Method of fabricating vacuum micro-structure
WO2005042401A1 (de) * 2003-10-29 2005-05-12 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Festes isolierendes und elektrisch leitendes verbinden prozessierter halbleiterscheiben
EP1640333A1 (de) * 2004-09-23 2006-03-29 Motorola, Inc. Hermetisch abgedichtetes Mikrobauelement mit Getter-Abschirmung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4925024A (en) * 1986-02-24 1990-05-15 Hewlett-Packard Company Hermetic high frequency surface mount microelectronic package
DE3837300A1 (de) 1988-11-03 1990-05-23 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung von mikroelektronischen schaltungen und hybriden
US7004015B2 (en) * 2001-10-25 2006-02-28 The Regents Of The University Of Michigan Method and system for locally sealing a vacuum microcavity, methods and systems for monitoring and controlling pressure and method and system for trimming resonant frequency of a microstructure therein
US7224056B2 (en) * 2003-09-26 2007-05-29 Tessera, Inc. Back-face and edge interconnects for lidded package
US6891711B1 (en) * 2004-04-08 2005-05-10 Kulite Semiconductor Products, Inc. Ultra-miniature, high temperature, capacitive inductive pressure transducer
US7538401B2 (en) * 2005-05-03 2009-05-26 Rosemount Aerospace Inc. Transducer for use in harsh environments

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5007872A (en) * 1989-06-12 1991-04-16 Babcock Display Products, Inc. Screened interconnect system
US6225145B1 (en) * 1998-09-07 2001-05-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Method of fabricating vacuum micro-structure
WO2005042401A1 (de) * 2003-10-29 2005-05-12 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Festes isolierendes und elektrisch leitendes verbinden prozessierter halbleiterscheiben
EP1640333A1 (de) * 2004-09-23 2006-03-29 Motorola, Inc. Hermetisch abgedichtetes Mikrobauelement mit Getter-Abschirmung

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