WO2008018251A1 - Élément de nettoyage, élément de distribution avec fonction de nettoyage, et procédé de nettoyage d'un appareil de traitement de substrat - Google Patents

Élément de nettoyage, élément de distribution avec fonction de nettoyage, et procédé de nettoyage d'un appareil de traitement de substrat Download PDF

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WO2008018251A1
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cleaning
columnar structure
cleaning layer
processing apparatus
substrate processing
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PCT/JP2007/062975
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English (en)
French (fr)
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Yuki Sugo
Yoshio Terada
Daisuke Uenda
Makoto Namikawa
Yoshinori Yoshida
Youhei Maeno
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Nitto Denko Corporation
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Definitions

  • the present invention relates to a cleaning member for removing fine foreign matters, a transport member with a cleaning function, and a tiling method for a substrate processing apparatus using the transport member with a cleaning function. More specifically, for example, a cleaning member for removing foreign matter from a substrate or apparatus that dislikes fine foreign matter, such as a semiconductor, a flat panel display, a printed substrate, and a substrate processing apparatus, and a cleaning function having the cleaning member.
  • the present invention relates to a transport member and a cleaning method for a substrate processing apparatus using the transport member with a cleaning function.
  • each transport system and the substrate are transported without force. At that time, if foreign matter adheres to the substrate or the transport system, the subsequent substrate will be contaminated one after another. Therefore, it is necessary to periodically stop the apparatus and perform a cleaning process. As a result, there is a problem that the operation rate of the substrate processing apparatus is lowered and a great amount of labor is required for the cleaning process of the substrate processing apparatus.
  • Patent Document 2 there has been proposed a method (see Patent Document 2) for cleaning and removing foreign substances adhering to the processing apparatus by transporting the substrate to which the adhesive substance is fixed as a cleaning member into the substrate processing apparatus. ing.
  • this method is also excellent in the removal of foreign matters, so that the operation rate of the substrate processing apparatus is reduced. All of the problems that a great deal of labor is required for cleaning the substrate processing apparatus can be solved.
  • the method of cleaning and removing foreign substances with a cleaning member having an adhesive substance is an excellent method for effectively removing foreign substances, but the adhesive substance strongly adheres to the tailing site. There is a possibility that a problem that it is not peeled off too much may occur, or a problem that the adhesive remains in the cleaning portion and is contaminated. In addition, when the adhesive strength is reduced in order to prevent adhesive residue, there is a problem in that it is inferior in dust removal of important foreign matter.
  • the method of wiping alcohol with a cloth soaked in alcohol has a problem that it is inferior in dust removal, such as leaving foreign matter and unevenness in removing foreign matter. It was.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 11 87458
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 10-154686
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2004-63669
  • the present inventors have provided a plurality of columnar structure protrusions having a specific aspect ratio on the surface of the cleaning layer provided in the cleaning member. As a result, the present inventors have found that the above problems can be solved, and have completed the present invention.
  • the cleaning member of the present invention is a cleaning member having a cleaning layer having a plurality of projections having a columnar structure on the surface, and the aspect ratio of the projections of the columnar structure is 5 or more.
  • the length of the protruding portion of the convex portion of the columnar structure is equal to or greater than lOOnm.
  • the density of the convex portions of the columnar structure on the surface of the cleaning layer is 1.0 ⁇ 10 8 pieces / cm 2 or more.
  • the cleaning layer has a specific surface area of 2.0 or more.
  • the cleaning member is used for removing foreign matter on the substrate.
  • the cleaning member is used for removing foreign substances in the substrate processing apparatus.
  • a conveying member with a cleaning function includes a conveying member and the cleaning member provided on at least one surface of the conveying member.
  • a method for cleaning a substrate processing apparatus includes transporting the transport member with a cleaning function into the substrate processing apparatus.
  • a cleaning member capable of easily, reliably and sufficiently removing fine foreign matters, preferably sub-micron level foreign matters, which do not cause contamination at a cleaning site.
  • the ability to do S is possible.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a cleaning member obtained by a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a conveying member with a cleaning function obtained by a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view of a cleaning member according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the cleaning member 100 includes a support 10 and a cleaning layer 20.
  • the support 10 may be omitted depending on the purpose. That is, the cleaning member may be composed of a single cleaning layer.
  • the cleaning layer 20 has a plurality of columnar convex portions 30 on its surface.
  • the surface on which the cleaning layer 20 is provided should be provided on at least one side of the support 10. In other words, it may be provided only on one side or on both sides. Ma Alternatively, it may be provided on the entire surface, or may be provided only on a part of the end face (edge portion).
  • the convex portion 30 has a columnar structure.
  • the columnar structure referred to in the present invention includes not only a strictly columnar structure but also a substantially columnar structure.
  • a cylindrical structure, a polygonal columnar structure, a cone-shaped structure, a fibrous structure, and the like are preferable.
  • the cross-sectional shape of the columnar structure may be uniform or non-uniform over the entire convex portion.
  • the protrusion of the convex portion may be along a substantially straight line or may be along a curved line.
  • the angle formed between the protruding direction of the protrusions of the columnar structure and the surface of the cleaning layer may be any appropriate angle as long as the object of the present invention can be achieved.
  • the protrusions of the columnar structure may protrude substantially vertically from the surface of the tiling layer, or the protrusions of the columnar structure may protrude from the surface of the tarnishing layer. .
  • the aspect ratio of the convex portion of the columnar structure is 5 or more.
  • the “aspect ratio” is the ratio of the length (A) of the diameter of the convex portion of the columnar structure to the length (B) of the protruding portion of the convex portion (where (A ) And (B) are the same unit).
  • the aspect ratio of the projections of the columnar structure is preferably 6 or more, more preferably 8 or more, and still more preferably 10 or more.
  • the upper limit of the aspect ratio of the convex portion of the columnar structure is preferably 1000 or less, more preferably 100 or less, and even more preferably 50 or less.
  • the length of the protruding portion of the convex portion of the columnar structure is preferably lOOnm or more, more preferably 200nm or more, and further preferably 300nm or more.
  • the upper limit of the length of the protruding portion of the convex portion of the columnar structure is preferably lOOOOOnm or less, more preferably lOOOOnm or less, and even more preferably 5000 nm or less.
  • the length of the protruding part of the convex part of the columnar structure is By being in the above range, fine foreign matters, preferably, submicron level foreign matters can be removed easily, reliably and sufficiently.
  • the length of the protruding portion of the convex portion of the columnar structure may be measured by any appropriate measurement method. From the viewpoint of ease of measurement and the like, measurement using a scanning electron microscope (SEM) is preferable. The measurement using a scanning electron microscope (SEM) is performed, for example, by attaching a cleaning layer having a plurality of columnar protrusions on the surface of a SEM observation sample stage and observing the force in the lateral direction, thereby measuring the protrusions of the columnar structure. It is possible to determine the length of the protruding portion.
  • SEM scanning electron microscope
  • the density of the convex portions of the columnar structure on the surface of the cleaning layer is preferably 1.0 ⁇ 10 8 pieces / cm 2 or more, more preferably 2.0 ⁇ 10 8 pieces / cm 2. 2 or more, more preferably 3.0 ⁇ 10 8 pieces Zcm 2 or more.
  • the upper limit of the density of convex portions of the columnar structure on the surface of the cleaning layer is preferably 1.0 X 10 12 pieces / cm 2 or less, more preferably 1. OX 10 11 pieces / cm 2 or less, and further preferably 3. OX 10 1Q / cm 2 or less.
  • the specific surface area of the cleaning layer is preferably 2.0 or more, more preferably 2.2 or more, and further preferably 2.5 or more.
  • the upper limit of the specific surface area of the cleaning layer is preferably 50 or less, more preferably 30 or less, and even more preferably 10 or less.
  • the “specific surface area of the cleaning layer” is a value obtained by dividing the actual surface area of the cleaning layer by the apparent surface area.
  • the actual surface area means the actual surface area based on the increase in the surface area caused by the microstructure formed on the surface of the cleaning layer.
  • the apparent surface area means a surface area obtained from a normal area calculation formula assuming that the surface of the cleaning layer is smooth.
  • the actual surface area cannot be obtained by a calculation formula for obtaining a normal area. Therefore, the “BET method” was used to measure the actual surface area based on the amount of inert gas adsorbed on the surface.
  • a sample is first placed in a sample tube (adsorption cell) and evacuated while being heated, and the weight of the sample after degassing is measured. After that, attach the adsorption cell to the device again and send the gas into the cell. As nitrogen gas is adsorbed on the sample surface and the amount of gas blown is increased, the sample surface is covered with gas molecules. Then, the state of multiple adsorption of gas molecules is plotted as a change in adsorption amount with respect to a change in pressure. From this graph, the amount of gas molecules adsorbed only on the sample surface is obtained from the BET adsorption isotherm expressed by equation (1).
  • a flow type specific surface area automatic measuring device manufactured by Shimadzu Corporation, Flow Soap ⁇ 2300 is used for measuring the actual surface area, and the tiling layer having a fine structure on the surface.
  • the actual surface area of the sample having ⁇ was measured by the BET method using krypton gas.
  • a method for producing a convex portion having a columnar structure on the surface of the cleaning layer Any appropriate method can be adopted as long as the object of the present invention can be achieved.
  • a plasma etching process, a sputtering process, a laser process, a photolithography process, a nanoimprint (stamping) process, and the like can be given. From the point of ease of production, etc.
  • any appropriate gas may be employed as a gas species to be used as long as the object of the present invention can be achieved.
  • gases include oxygen gas, hydrogen gas, water vapor gas, nitrogen gas, argon gas, and a mixed gas of oxygen and water vapor.
  • oxygen gas it is preferable to use oxygen gas.
  • any appropriate gas flow rate can be adopted as long as the object of the present invention can be achieved.
  • it is preferably 0.1 lsccm or more, more preferably lsccm or more.
  • the vacuum degree gas pressure in the plasma etching process any appropriate degree of vacuum gas pressure can be adopted as long as the object of the present invention can be achieved.
  • it is preferably 100 Pa or less, more preferably 50 Pa or less.
  • the discharge power energy represented by the product of the discharge power density and the treatment time is preferably 100 W ′ sec / cm 2 or more, more preferably 250 W ′ sec / cm 2 or more.
  • the distance between the electrodes is preferably 0.1 mm or more and 1 m or less.
  • the power source is preferably RF.
  • the discharge power density is preferably 0.01 W / cm 2 or more, more preferably 0.1 W / cm 2 or more.
  • the treatment time is preferably 60 seconds or more, more preferably 300 seconds or more.
  • the tensile elastic modulus of the cleaning layer is preferably 0.5 MPa or more, more preferably:! ⁇ LOOOOMPa, and further preferably 10 ⁇ :! OOOOMPa in the operating temperature range of the cleaning member.
  • the tensile modulus is measured according to JI S K7127.
  • the cleaning layer has, for example, a 180-degree peeling adhesive force S with respect to the mirror surface of the silicon wafer, preferably 0.2N / 10mm width or less, more preferably 0.01 to 0.10N / 1 Omm width. . Within such a range, the cleaning layer has good foreign matter removal performance and transport performance. 180 degree peel adhesion is measured according to JIS Z0237.
  • any appropriate condition can be adopted as long as the object of the present invention can be achieved. It is preferably 1 to 200 zm, more preferably 5 to: 100 x m, still more preferably 5 to 50 ⁇ , and particularly preferably 5 to 20 x m. Within such a range, fine foreign matters, preferably, submicron level foreign matters can be removed easily, reliably and sufficiently.
  • the cleaning layer preferably has substantially no adhesive force.
  • having substantially no tackiness means that there is no pressure-sensitive tack that represents the function of tackiness when the essence of tackiness is friction, which is resistance to slipping.
  • This pressure-sensitive tack develops, for example, in the range where the elastic modulus of the adhesive material is up to IMPa, according to the Dahlquist standard.
  • any appropriate material can be adopted as long as the object of the present invention can be achieved.
  • the material constituting the cleaning layer include, for example, polyimide resins, polyester resins, fluorine resins, acrylic resins, epoxy resins, polyolefin resins, polyvinyl chloride, EVA, PEEK, and PMM.
  • A polymer resins such as POM, etc.
  • polyimide-based resin and polyester-based resin have heat resistance and are preferably used.
  • the material constituting the cleaning layer may further contain any appropriate additive as long as the object of the present invention can be achieved.
  • the additive include a surfactant, a plasticizer, an antioxidant, a conductivity imparting material, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer.
  • the cleaning layer may be formed by any appropriate method as long as the object of the present invention can be achieved.
  • a method of forming the cleaning layer as a single layer film examples thereof include a method of coating a resin on the support, and a method of forming a resin layer separately and then sticking it on the support.
  • a method using a single layer film a method in which a cleaning layer is directly applied onto a support (eg, a transport member) such as a silicon wafer using a spin coat method, a spray method, or the like, a PET film
  • a method of forming a tiling layer on a polyimide film by coating using a comma coating method, a fountain method, a gravure method, or the like.
  • any appropriate support can be adopted as the support as long as it can support the cleaning layer.
  • the thickness of the support any appropriate thickness can be adopted as long as the object of the present invention can be achieved. It is preferably 500 zm or less, more preferably 3 to 300 zm, and most preferably 5 to 250 ⁇ m.
  • the surface of the above-mentioned support is subjected to conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage impact exposure, ionizing radiation in order to improve adhesion and retention with adjacent layers.
  • Chemical or physical treatment such as treatment, or coating treatment with a primer (for example, the above-mentioned adhesive substance) may be applied.
  • the support may be a single layer or a multilayer.
  • any appropriate material may be adopted depending on the purpose within a range where the object of the present invention can be achieved.
  • Examples include engineering plastics and super engineering plastic films.
  • Specific examples of engineering plastics and super engineering plastics include polyimide, polyethylene, polyethylene terephthalate, acetyl cellulose, polycarbonate, polypropylene, and polyamide.
  • As the physical properties such as molecular weight, any appropriate physical properties can be adopted as long as the object of the present invention can be achieved. Any appropriate method can be adopted as the method for forming the support as long as the object of the present invention can be achieved.
  • a protective film is bonded to the cleaning layer in advance, and can be peeled off at an appropriate stage such as in use.
  • the protective film is typically used for the purpose of protecting the cleaning layer when the cleaning layer is formed or when the cleaning layer and the support are bonded (press-bonded).
  • the protective film may be any suitable film as long as the object of the present invention can be achieved. Is adopted.
  • polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, ethylene acetate vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene '
  • examples include (meth) acrylic acid copolymers, ethylene '(meth) acrylic acid ester copolymers, plastic films made of polystyrene, polycarbonate, polyimide, and fluororesin films.
  • the protective film is preferably subjected to a release treatment with a release treatment agent or the like according to the purpose.
  • a release treatment agent examples include silicone compounds, long-chain alkyl compounds, fluorine compounds, fatty acid amide compounds, and silica compounds. Silicone compounds are particularly preferred.
  • Polyolefin resin-based films such as polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene and the like have releasability without using a release treatment agent, so that they can be used alone as a protective film. it can.
  • the thickness of the protective film is preferably:! To 100 / im, more preferably 10 to 100 ⁇ m.
  • a method for forming the protective film any appropriate method can be adopted as long as the object of the present invention can be achieved.
  • it can be formed by injection molding, extrusion molding, or blow molding.
  • the cleaning member of the present invention any appropriate use can be adopted within the scope of the object of the present invention.
  • it is used for removing foreign substances on the substrate and removing foreign substances in the substrate processing apparatus.
  • it is suitably used for cleaning a substrate processing apparatus that does not like fine foreign matters, such as a manufacturing apparatus or inspection apparatus such as a semiconductor, a flat panel display, or a printed board.
  • a transport member used for cleaning by transporting the substrate processing apparatus any suitable transport member may be employed within the scope of the object of the present invention. Specific examples include semiconductor wafers, substrates for flat panel displays such as LCDs and PDPs, other compact disks, and substrates such as MR heads.
  • the substrate processing apparatus for removing dust is not particularly limited.
  • an exposure apparatus for example, an exposure apparatus, a resist coating apparatus, a developing apparatus, an ashing apparatus, and a dry etching apparatus.
  • Ion implantation equipment PVD equipment, CVD equipment, visual inspection equipment, wafer prober, etc.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the conveying member with a cleaning function in the present invention.
  • the carrying member 200 with a cleaning function includes a carrying member 50 and a cleaning layer 20 on at least one side (one side in the illustrated example) of the carrying member 50. That is, in this embodiment, the cleaning layer 20 is directly formed on the transport member 50.
  • any appropriate substrate is used depending on the type of substrate processing apparatus that is a target for removing foreign matter.
  • Specific examples include semiconductor wafers (for example, silicon wafers), flat panel display substrates such as LCDs and PDPs, compact discs, and MR head substrates.
  • the description of the cleaning layer in the above section A can be used.
  • the transport member with a cleaning function may be manufactured by attaching a cleaning sheet on the transport member, or may be manufactured by directly providing a cleaning layer on at least one surface of the transport member.
  • the curable resin composition described in the above section A as the material for the cleaning layer or the heat-resistant polymer resin is applied and cured by an active energy source, or heat-treated at a high temperature after drying.
  • the cleaning layer may be formed by this method.
  • the protective film described in the above section A is preferably bonded onto the cleaning layer.
  • the cleaning method of the present invention includes transporting the transport member with a cleaning function of the present invention into a substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus cleaned by the cleaning method is not particularly limited.
  • Specific examples of the substrate processing apparatus include various apparatuses such as an exposure irradiation apparatus for circuit formation, a resist coating apparatus, a sputtering apparatus, an ion implantation apparatus, a dry etching apparatus, and a wafer prober in addition to the apparatuses already described in this specification.
  • a substrate processing apparatus used at high temperatures such as an ozone asher, a resist coater, an oxidative diffusion furnace, an atmospheric pressure CVD apparatus, a reduced pressure CVD apparatus, and a plasma CVD apparatus.
  • the actual surface area was measured using a flow-type specific surface area automatic measuring apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation, Flowo III 2300) and krypton gas as the adsorbed gas.
  • the specific surface area of the cleaning layer having a columnar structure convex portion on the surface was determined by the formula (2).
  • the specific surface area of the cleaning layer having no columnar structure convex portion on the surface was determined by the formula (3).
  • the length of the protruding portion of the convex portion of the columnar structure on the surface of the cleaning layer was measured by observing the cleaning layer with a side force SEM.
  • the dust removal property was evaluated by the following method. That is, silicon powder having an average particle diameter of 0.5 ⁇ m was uniformly applied on an 8-inch silicon wafer so that the number of particles was about 10,000. Next, a polymer resin film having a cleaning layer with columnar projections on the surface is cut out to 10 cm ⁇ 10 cm, and the cleaning layer is contacted for 1 minute on an 8-inch silicon wafer to which silicon powder is adhered. I let you. After 2 minutes, the activated film was removed, and the number of silicon powder particles of 0.5 / m was measured with a particle counter (manufactured by KLA tencor, SurfScan-6200) to calculate the dust removal rate. The measurement was performed three times and the average was obtained.
  • a particle counter manufactured by KLA tencor, SurfScan-6200
  • a polyimide film (Akane NPI25—NPS, manufactured by Kanechi Co., Ltd.) is cut to an apparent surface area of 100 cm 2 , and oxygen plasma etching (A) is applied to one side of the film, and the surface is provided with a plurality of projections with columnar structures on the surface.
  • A oxygen plasma etching
  • the oxygen plasma etching process (A) is a plasma etching process using oxygen gas.
  • the distance between the electrodes of the plasma generator is 10 cm
  • the RF power source is 300 sccm
  • the discharge power density is 0.78 W / cm 2
  • the processing time is The discharge power energy was 468 W 'sec / cm 2 for 600 seconds.
  • Powerful polyimide film (Akane NPI25—NPS, manufactured by Kanechi) with a surface area of 100cm 2 Then, an oxygen plasma etching process (B) was performed on one surface of the film to prepare a cleaning layer having a plurality of columnar convex portions on the surface.
  • the oxygen plasma etching process (B) is a plasma etching process using oxygen gas.
  • the distance between the electrodes of the plasma generator is 10 cm
  • the RF power source the oxygen gas flow rate is 300 sccm
  • the discharge power density is 0.78 W / cm 2
  • the processing time was 0.78 W / cm 2 .
  • the discharge power energy was SSAW 'sec / cm for 300 seconds.
  • the polyimide film (Akane NPI25-NPS, manufactured by Kanechi) has a powerful appearance, cut to a surface area of 100 cm 2 , oxygen plasma etching (C) is applied to one side of the film, and the surface has a plurality of columnar projections. A cleaning layer was prepared.
  • the oxygen plasma etching process (C) is a plasma etching process using oxygen gas.
  • the distance between the electrodes of the plasma generator is 10 cm
  • the RF power source the oxygen gas flow rate is 20 sccm
  • the discharge power density is 0.07 W / cm 2
  • the time was 6600 seconds
  • the discharge power energy was 462 W 'sec / cm 2 .
  • the polyimide film (Akane NPI25—NPS, manufactured by Kanechi) has a powerful appearance, cut to a surface area of 100cm 2 , oxygen plasma etching (D) is applied to one side of the film, and the surface has a plurality of columnar projections. A cleaning layer was prepared.
  • the oxygen plasma etching process (D) is a plasma etching process using an oxygen gas.
  • the distance between the electrodes of the plasma generator is 10 cm
  • the RF power source the oxygen gas flow rate is 300 sccm
  • the discharge power density is 0.78 W / cm 2
  • the processing time is The discharge power energy was 47 W 'sec / cm 2 for 60 seconds.
  • the specific surface area of the cleaning layer, the density of the convex portions of the columnar structure on the surface of the cleaning layer, the aspect ratio of the convex portions of the columnar structure, the length of the protruding portion of the convex portions of the columnar structure, And dust removal was measured. The results are shown in Table 1.
  • a cleaning layer was prepared by cutting off the polyimide film (Akane NPI25-NPS, manufactured by Kanechi Co., Ltd.) so that the surface area was 100 cm 2 .
  • the cleaning member and the carrying member with a cleaning function of the present invention are suitably used for cleaning a substrate processing apparatus such as various manufacturing apparatuses and inspection apparatuses.

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Description

明 細 書
クリーニング部材 クリーニング機能付搬送部材、および基板処理装置の クリーニング方法
技術分野
[0001] 本発明は、微細な異物を除去するためのクリーニング部材、クリーニング機能付搬 送部材、および該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のタリーニン グ方法に関する。より詳細には、例えば、半導体、フラットパネルディスプレイ、プリン ト基板、基板処理装置など、微細な異物を嫌う基板や装置から該異物を除去するた めのクリーニング部材、該クリーニング部材を有するクリーニング機能付搬送部材、お よび該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法に関 する。
背景技術
[0002] 半導体、フラットパネルディスプレイ、プリント基板などの製造装置や検査装置など、 異物を嫌う各種の基板処理装置などでは、各搬送系と基板とを物理的に接触させな 力 ¾搬送する。その際、基板や搬送系に異物が付着していると、後続の基板をつぎ つぎと汚染するため、定期的に装置を停止し、洗浄処理する必要がある。その結果、 基板処理装置の稼動率が低下するという問題や基板処理装置の洗浄処理のために 多大な労力が必要となるという問題がある。
[0003] このような問題を克服するため、板状部材を搬送することにより基板裏面に付着す る異物を除去する方法 (特許文献 1参照）が提案されている。このような方法によれば
、基板処理装置を停止させて洗浄処理を行う必要がないので、基板処理装置の稼動 率が低下するという問題は解消される。しかし、この方法では、微細な異物を十分に 除去することはできない。
[0004] 一方、粘着性物質を固着した基板をクリーニング部材として基板処理装置内に搬 送することにより、当該処理装置内に付着した異物をクリーニング除去する方法 (特 許文献 2参照）が提案されている。この方法は、特許文献 1に記載の方法の利点に加 えて異物の除去性にも優れるので、基板処理装置の稼動率が低下するという問題や 基板処理装置の洗浄処理のために多大な労力が必要となるという問題はいずれも解 消される。
[0005] 上記のように、粘着性物質を有するクリーニング部材にて異物をクリーニング除去 する方法は、異物を有効に除去する方法としては優れているが、粘着性物質がタリー ユング部位と強く接着しすぎて剥れないという問題が生じるおそれや、クリーニング部 位に粘着剤残りを起こして逆に汚染させてしまうという問題が生じるおそれがある。ま た、糊残りを防止するために粘着力を低下させた場合、肝心の異物の除塵性に劣る という問題がある。
[0006] また、異物の除去方法として、ウェスにアルコールをしみこませて拭く方法（アルコ ール拭き）では、異物の取り残しや異物除去にムラが生じてしまうなど、除塵性に劣る という問題があった。
[0007] 最近は、微細な異物を嫌う基板や装置で問題となる該異物のサイズがサブミクロン ( 1 /i m以下）レベルとなってきている。上記の方法では、確実にこれらサブミクロンサイ ズの異物を除去することが難しレ、。
[0008] 数十ミクロン程度の粒径を有する異物を除去するために、フォトレジストや切削研磨 によって数十ミクロン角前後のドットパターンを表面に形成したクリーニングウェハが 提案されている（特許文献 3参照）。しかし、このクリーニングウェハにおいては、ドット パターンのスペース部分に異物が保持されることによって異物が除去されるため、数 十ミクロン程度の粒径を有する異物は除去可能であるが、サブミクロンサイズの微細 な異物を十分に除去することは困難である。
特許文献 1：特開平 11 87458号公報
特許文献 2：特開平 10— 154686号公報
特許文献 3：特開 2004— 63669号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0009] 本発明の課題は、クリーニング部位に汚染を生じることなぐ微細な異物、好ましく はサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去できるクリーニング部材を提 供することにある。さらに、該クリーニング部材を有するクリーニング機能付搬送部材 、および該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法 を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0010] 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、クリーニング部材に 備えられたクリーニング層の表面に、特定の大きさのアスペクト比を有する柱状構造 の凸部を複数設けることによって、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完 成するに至った。
[0011] 本発明のクリーニング部材は、表面に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層 を有するクリーニング部材であって、該柱状構造の凸部のアスペクト比が 5以上であ る。
[0012] 好ましい実施形態においては、上記柱状構造の凸部の突出部分の長さが lOOnm 以上である。
[0013] 好ましい実施形態においては、上記クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度 が 1. 0 X 108個/ cm2以上である。
好ましい実施形態においては、上記クリーニング層の比表面積が 2. 0以上である。
[0014] 好ましい実施形態においては、上記クリーニング部材は、基板上の異物の除去に 用いられる。
好ましい実施形態においては、上記クリーニング部材は、基板処理装置内の異物 の除去に用いられる。
[0015] 本発明の別の局面によれば、クリーニング機能付搬送部材が提供される。このタリ 一二ング機能付搬送部材は、搬送部材と、該搬送部材の少なくとも片面に設けられ た上記クリーニング部材とを有する。
[0016] 本発明の別の局面によれば、基板処理装置のクリーニング方法が提供される。この 基板処理装置のクリーニング方法は、上記クリーニング機能付搬送部材を基板処理 装置内に搬送することを含む。
発明の効果
[0017] 本発明によれば、クリーニング部位に汚染を生じることなぐ微細な異物、好ましくは サブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去できるクリーニング部材を提供 すること力 S可能となる。さらに、該クリーニング部材を有するクリーニング機能付搬送 部材、および該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング 方法を提供することが可能となる。
[0018] 上記のような効果は、クリーニング部材に備えられたクリーニング層の表面に、特定 の大きさのアスペクト比を有する柱状構造の凸部を複数設けることによって発現する ことが可能となる。このような効果は、クリーニング部材に備えられたクリーニング層が 、クリーニング部位との間にファンデルワールス力を働かせることにより発現するものと 考えられる。
図面の簡単な説明
[0019] [図 1]本発明の好ましい実施形態により得られるクリーニング部材の概略断面図であ る。
[図 2]本発明の好ましい実施形態により得られるクリーニング機能付搬送部材の概略 断面図である。
符号の説明
[0020] 10 支持体
20 クリーニング層
50 搬送部材
100 クリーニング部材
200 クリーニング機能付搬送部材
発明を実施するための最良の形態
[0021] A.クリーニング部材
図 1は、本発明の好ましい実施形態であるクリーニング部材の概略断面図である。 このクリーニング部材 100は、支持体 10と、クリーニング層 20とを有する。支持体 10 は、 目的に応じて省略してもよレ、。すなわち、クリーニング部材は、クリーニング層単 独で構成されてもよい。クリーニング層 20は、その表面に、柱状構造の凸部 30を複 数備えている。本発明のクリーニング部材において、クリーニング層 20が支持体 10 上に設けられている場合は、クリーニング層 20を設ける面は支持体 10の少なくとも片 面に設ければ良レ、。すなわち、片面のみに設けても良いし、両面に設けても良レ、。ま た、全面に設けても良いし、端面（エッジ部）などの一部のみに設けても良い。
[0022] 上記凸部 30は柱状構造を有している。本発明にいう柱状構造としては、厳密に柱 状の構造のみならず略柱状の構造をも含む。例えば、円柱状構造、多角形柱状構 造、コーン状構造、繊維状構造などが好ましく挙げられる。また、上記柱状構造の断 面形状は、凸部全体にわたって均一であってもよいし不均一であっても良レ、。さらに 、凸部の突出は、略直線に沿って向かっていても良いし、曲線に沿って向かっていて も良い。
[0023] 上記柱状構造の凸部の突出方向とクリーニング層の表面との成す角度は、本発明 の目的が達成できる範囲で、任意の適切な角度が採用され得る。例えば、タリーニン グ層の表面から上記柱状構造の凸部が略垂直に突出している形態でも良いし、タリ 一二ング層の表面から上記柱状構造の凸部が傾斜して突出している形態でも良い。
[0024] 本発明においては、上記柱状構造の凸部のアスペクト比が 5以上である。本発明に おいて「アスペクト比」とは、柱状構造の凸部の径が最も太い部分の径の長さ (A)と凸 部の突出部分の長さ（B)の比（ただし、 (A)と（B)の単位は同じものとする）を表す。 柱状構造の凸部が歪曲して形成している場合は、凸部の突出部分においてタリー二 ング層の表面から垂直方向に最も離れている部分までの長さを凸部の突出部分の 長さとする。上記柱状構造の凸部のアスペクト比は、好ましくは 6以上、より好ましくは 8以上、さらに好ましくは 10以上である。上記柱状構造の凸部のアスペクト比の上限 は、好ましくは 1000以下であり、より好ましくは 100以下であり、さらに好ましくは 50 以下である。上記柱状構造の凸部のアスペクト比が上記の範囲にあることにより、微 細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去し得る。こ のような効果は、上記柱状構造の凸部のアスペクト比が上記の範囲にあることにより、 クリーニング部材に備えられたクリーニング層とクリーニング部位との間にファンデル ワールス力が働くためと考えられる。
[0025] 柱状構造の凸部の突出部分の長さは、好ましくは lOOnm以上であり、より好ましく は 200nm以上、さらに好ましくは 300nm以上である。柱状構造の凸部の突出部分 の長さの上限は、好ましくは lOOOOOnm以下であり、より好ましくは lOOOOnm以下 であり、さらに好ましくは 5000nm以下である。柱状構造の凸部の突出部分の長さが 上記の範囲にあることにより、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡 便、確実、十分に除去し得る。このような効果は、柱状構造の凸部の突出部分の長さ が上記の範囲にあることにより、クリーニング部材に備えられたクリーニング層とタリー ユング部位との間にファンデルワールス力が働くためと考えられる。
[0026] 柱状構造の凸部の突出部分の長さは、任意の適切な測定方法によって測定すれ ば良い。測定の容易さ等の点から、好ましくは、走查型電子顕微鏡（SEM)を用いた 測定が挙げられる。走査型電子顕微鏡 (SEM)を用いた測定は、例えば、 SEM観察 試料台に表面に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を貼り付け、側面方向 力 観察することで、柱状構造の凸部の突出部分の長さを求めることが可能である。
[0027] 本発明においては、上記クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度が、好ましく は 1. 0 X 108個/ cm2以上であり、より好ましくは 2. 0 X 108個/ cm2以上であり、さら に好ましくは 3. 0 X 108個 Zcm2以上である。上記クリーニング層表面の柱状構造の 凸部の密度の上限は、好ましくは 1. 0 X 1012個/ cm2以下であり、より好ましくは 1. O X 1011個/ cm2以下であり、さらに好ましくは 3. O X 101Q個/ cm2以下である。上 記クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度が上記の範囲にあることにより、微細 な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去し得る。この ような効果は、上記クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度が上記の範囲にあ ることにより、クリーニング部材に備えられたクリーニング層とクリーニング部位との間 にファンデルワールス力が働くためと考えられる。
[0028] 本発明においては、上記クリーニング層の比表面積が、好ましくは 2. 0以上であり、 より好ましくは 2. 2以上であり、さらに好ましくは 2. 5以上である。上記クリーニング層 の比表面積の上限は、好ましくは 50以下であり、より好ましくは 30以下であり、さらに 好ましくは 10以下である。上記クリーニング層の比表面積が上記の範囲にあることに より、クリーニング層が被クリーニング部位に存在する微細な異物や被クリーニング部 位の凹凸に効果的に追従し、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡 便、確実、十分に除去し得る。このような効果は、上記クリーニング層の比表面積が 上記の範囲にあることにより、クリーニング部材に備えられたクリーニング層とタリー二 ング部位との間にファンデルワールス力が働くためと考えられる。 [0029] 本発明において、「クリーニング層の比表面積」とは、クリーニング層の実表面積を 見かけ表面積で割った値である。実表面積とはクリーニング層表面に形成した微細 構造に起因する表面積の増大に基づく実際の表面積を意味する。見かけ表面積と は、クリーニング層表面が平滑であると仮定した場合の通常の面積算出式から求めら れる表面積を意味する。
[0030] 実表面積は通常の面積を求める算出式では求めることができなレ、。そこで、実際の 表面積の測定に対して、不活性ガスの表面への吸着量によって求める「BET法」を 用いた。
[0031] BET法は、まず試料を試料管（吸着セル）に入れ加熱しながら真空排気し、脱ガス 後の試料重量を測定する。その後、再び装置に吸着セルを取りつけ、セル内にガス を送り込む。試料表面に窒素ガスが吸着し、吹きこむガスの量を増やしていくと、試 料表面はガス分子で覆われていく。そして、ガス分子が多重に吸着していく様子を圧 力の変化に対する吸着量の変化としてプロットする。このグラフから試料表面にだけ 吸着したガス分子吸着量を、式（1)で表される BET吸着等温式より求める。
[0032] P/V (P -P) = 1/V C + { (C- D /V C} X (P/P ) · · · (1)
0 m m 0 ただし、式（1)中の各記号は、それぞれ以下の通りである。
P：吸着平衡にある吸着質の気体の圧力
P ：吸着温度における吸着質の飽和蒸気圧
0
V：吸着平衡圧 Pにおける吸着量
V ：単分子層吸着量
m
C :固体表面と吸着質との相互作用の大きさに関する定数、 BET定数 (C = exp{ (E
1
-E ) /RT}
2
E ：第一層の吸着熱 (kj/mol)
E ：吸着質の測定温度における液化熱 (kjZmol)
2
[0033] 本発明におレ、ては、実表面積の測定に流動式比表面積自動測定装置 (株式会社 島津製作所製、フローソープ ΠΙ2300)を用レ、、表面に微細構造を備えたタリーニン グ層を有する試料の実表面積を、クリプトンガスを用いた BET法により測定した。
[0034] 本発明において、クリーニング層表面に柱状構造の凸部を作製する方法としては、 本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の適切な方法を採用し得る。例えば 、プラズマエッチング処理、スパッタリング処理、レーザー処理、フォトリソグラフィー処 理、ナノインプリント (スタンビング)処理などが挙げられる。作製の容易さ等の点から、
Figure imgf000009_0001
[0035] プラズマエッチング処理でクリーニング層表面に柱状構造の凸部を形成させる場合 、用いられるガス種としては、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の適切 なガスを採用し得る。例えば、酸素ガス、水素ガス、水蒸気ガス、窒素ガス、アルゴン ガス、酸素と水蒸気の混合ガスなどが挙げられる。特に、酸素ガスを用いた場合が好 適である。
[0036] プラズマエッチング処理でのガス流量としては、本発明の目的を達成し得る範囲に おいて、任意の適切なガス流量を採用し得る。例えば、好ましくは 0. lsccm以上で あり、より好ましくは lsccm以上である。
[0037] プラズマエッチング処理での真空度ガス気圧としては、本発明の目的を達成し得る 範囲において、任意の適切な真空度ガス気圧を採用し得る。例えば、好ましくは 100 Pa以下であり、より好ましくは 50Pa以下である。
[0038] プラズマエッチング処理での表面処理条件としては、本発明の目的を達成し得る範 囲において、任意の適切な条件を採用し得る。例えば、放電電力密度と処理時間の 積で表される放電電力エネルギーは、好ましくは 100W' sec/cm2以上であり、より 好ましくは 250W' sec/cm2以上である。電極間距離は、好ましくは 0. 1mm以上 1 m以下である。電源は、好ましくは RFである。放電電力密度は、好ましくは 0. 01W /cm2以上であり、より好ましくは 0. 1W/ cm2以上である。処理時間は、好ましくは 6 0秒以上であり、より好ましくは 300秒以上である。
[0039] 上記クリーニング層の引張弾性率は、クリーニング部材の使用温度領域において 好ましくは 0. 5MPa以上であり、より好ましくは:!〜 lOOOOMPaであり、さらに好ましく は 10〜： !OOOOMPaである。引張弾性率がこのような範囲であれば、異物除去性能と 搬送性能のバランスに優れたクリーニング部材が得られる。なお、引張弾性率は、 JI S K7127に準じて測定される。クリーニング層の弾性率を上記範囲とすることで、微 細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去し得る。 [0040] 上記クリーニング層は、例えばシリコンウェハのミラー面に対する 180度引き剥がし 粘着力力 S、好ましくは 0. 2N/10mm幅以下、さらに好ましくは 0. 01〜0. 10N/1 Omm幅である。このような範囲であれば、クリーニング層は、良好な異物除去性能お よび搬送性能を有する。 180度引き剥がし粘着力は、 JIS Z0237に準じて測定され る。
[0041] 上記クリーニング層の厚みは、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の 適切な条件を採用し得る。好ましくは l〜200 z mであり、より好ましくは 5〜： 100 x m 、さらに好ましくは 5〜50 μ πιであり、特に好ましくは 5〜20 x mである。このような範 囲であれば、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分 に除去し得る。
[0042] 上記クリーニング層は、好ましくは、実質的に粘着力を有しない。ここで、実質的に 粘着性を有しないとは、粘着の本質を滑りに対する抵抗である摩擦としたとき、粘着 性の機能を代表する感圧性タックがないことを意味する。この感圧性タックは、たとえ ば Dahlquistの基準にしたがうと、粘着性物質の弾性率が IMPaまでの範囲で発現 するものである。
[0043] 上記クリーニング層を構成する材料としては、本発明の目的を達成し得る範囲にお いて、任意の適切な材料が採用され得る。クリーニング層を構成する材料の具体例と しては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、フッ素系樹脂、アクリル系榭 脂、エポキシ系樹脂、ポリオレフイン系樹脂、ポリ塩化ビニル、 EVA、 PEEK, PMM A、 POM等の高分子樹脂などが挙げられる。特に、ポリイミド系榭脂、ポリエステル系 樹脂は耐熱性があり、好適に用いられる。
[0044] 上記クリーニング層を構成する材料は、本発明の目的を達成し得る範囲において、 任意の適切な添加剤をさらに含有し得る。添加剤の具体例としては、界面活性剤、 可塑剤、酸化防止剤、導電性付与材、紫外線吸収剤、光安定化剤が挙げられる。用 いる添加剤の種類および/または量を調整することにより、 目的に応じた所望の特性 を有するクリーニング層が得られる。
[0045] クリーニング層は、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の適切な方法に よって形成すれば良い。例えば、クリーニング層を単層フィルムとして形成する方法、 支持体上に樹脂をコーティングする方法、樹脂層を別途形成してから支持体上に貼 着する方法などが挙げられる。より具体的には、例えば、単層フィルムで用いる方法、 クリーニング層をスピンコート法、スプレー法などを用いて、シリコンウェハなどの支持 体 (例えば、搬送部材）上に直接塗布する方法、 PETフィルムや、ポリイミドフィルム 上にコンマコート法や、フアウンテン法、グラビア法などを用いて塗工形成してタリー ニング層を形成する方法などが挙げられる。
[0046] 上記支持体は、クリーニング層を支持できるものであれば、任意の適切な支持体を 採用し得る。支持体の厚さは、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の適 切な厚さを採用し得る。好ましくは 500 z m以下、さらに好ましくは 3〜300 z m、最も 好ましくは 5〜250 μ mである。
[0047] 上記支持体の表面は、隣接する層との密着性，保持性などを高めるために、慣用 の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン 化放射線処理などの化学的または物理的処理，下塗剤（例えば、上記粘着性物質） によるコーティング処理が施されていてもよい。なお、支持体は単層であっても多層 体であってもよい。
[0048] 上記支持体の材料としては、本発明の目的を達成し得る範囲において、 目的に応 じて任意の適切な材料が採用される。例えば、エンジニアリングプラスチックやスーパ 一エンジニアリングプラスチックのフィルムが挙げられる。エンジニアリングプラスチッ クおよびスーパーエンジニアリングプラスチックの具体例としては、ポリイミド、ポリェチ レン、ポリエチレンテレフタレート、ァセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリプロピ レン、ポリアミドが挙げられる。分子量などの諸物性は、本発明の目的を達成し得る範 囲において、任意の適切な物性を採用し得る。支持体の成形方法は、本発明の目的 を達成し得る範囲において、任意の適切な方法を採用し得る。
[0049] 上記クリーニング層には、代表的には、予め保護フィルムが貼り合わせられ、使用 時など適切な段階で剥離され得る。保護フィルムは、代表的には、クリーニング層の 形成時や、クリーニング層と支持体を貼り合わせる（圧着）する際、クリーニング層の 保護を目的として使用され得る。
[0050] 保護フィルムは、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の適切なフィルム が採用される。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポ リメチルペンテンなどのポリオレフイン、ポリ塩化ビエル、塩化ビエル共重合体、ポリエ チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビエル 共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン'（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン'（メタ） アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネートなどからなるプラスチッ クフィルムやポリイミド、フッ素樹脂フィルムが挙げられる。
[0051] 保護フィルムは、 目的に応じて離型処理剤などで離型処理が施されていることが好 ましレ、。離型処理剤は、例えば、シリコーン系化合物、長鎖アルキル系化合物、フッ 素系化合物、脂肪酸アミド系化合物、シリカ系化合物を挙げることができる。シリコー ン系化合物が特に好ましい。
[0052] ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテンなどの ポリオレフイン樹脂系のフィルムについては、離型処理剤を用いなくとも離型性を有 するので、それ単体を保護フィルムとして使用することもできる。
[0053] 保護フィルムの厚さは、好ましくは：!〜 100 /i mであり、より好ましくは 10〜： 100 μ m である。保護フィルムの形成方法は、本発明の目的を達成し得る範囲において、任 意の適切な方法が採用され得る。例えば、射出成形法、押出成形法、ブロー成形法 により形成すること力 Sできる。
[0054] 本発明のクリーニング部材の用途としては、本発明の目的の範囲内において、任意 の適切な用途を採用し得る。好ましくは、基板上の異物の除去や、基板処理装置内 の異物の除去に用いられる。より具体的には、例えば、半導体、フラットパネルデイス プレイ、プリント基板などの製造装置や検査装置など、微細な異物を嫌う基板処理装 置のクリーニング用途に好適に用いられる。基板処理装置内を搬送させることによつ てクリーニングする場合に用いられる搬送部材としては、本発明の目的の範囲内に おいて、任意の適切な搬送部材を採用し得る。具体的には、例えば、半導体ウェハ、 LCD, PDPなどのフラットパネルディスプレイ用基板、その他のコンパクトディスク、 MRヘッドなどの基板が挙げられる。
[0055] 本発明において、除塵が行われる基板処理装置としては特に限定されず、たとえ ば、露光装置、レジスト塗布装置、現像装置、アツシング装置、ドライエッチング装置 、イオン注入装置、 PVD装置、 CVD装置、外観検査装置、ウェハプロ一バーなどが あげられる。
[0056] B.クリーニング機能付搬送部材
図 2は、本発明におけるクリーニング機能付搬送部材の概略断面図である。図 2に 示すように、クリーニング機能付搬送部材 200は、搬送部材 50と、搬送部材 50の少 なくとも片面（図示例では片面）にクリーニング層 20とを有する。すなわち、この実施 形態においては、クリーニング層 20が搬送部材 50上に直接形成されている。このよ うなクリーニング機能付搬送部材を装置内で搬送し、被洗浄部位に接触 *移動させる ことにより、上記装置内に付着する異物による搬送トラブルを生じることなく簡便かつ 確実にクリーニング除去することができる。
[0057] 上記搬送部材 50としては、異物除去の対象となる基板処理装置の種類に応じて任 意の適切な基板が用いられる。具体例としては、半導体ウェハ（例えば、シリコンゥェ ハ）、 LCD、 PDPなどのフラットパネルディスプレイ用基板、コンパクトディスク、 MR ヘッドなどの基板が挙げられる。
[0058] 上記クリーニング機能付搬送部材におけるクリーニング層 20については、上記 A項 におけるクリーニング層の説明が援用できる。
[0059] 上記クリーニング機能付き搬送部材は、搬送部材上にクリーニングシートを貼り合 わせて製造しても良いし、搬送部材の少なくとも片面にクリーニング層を直接設けて 製造しても良い。すなわち、クリーニング層の材料としての上記 A項で説明した硬化 型の樹脂組成物や、耐熱性を有する高分子樹脂を塗布し、活性エネルギー源により 硬化させたり、乾燥後に高温で熱処理させたりするなどの方法にて、クリーニング層 を形成してもよい。このクリーニング層の形成後または形成過程で、好ましくは、この クリーニング層上に上記 A項で説明した保護フィルムを貼り合わせる。
[0060] C.クリーニング方法
本発明におけるクリーニング方法は、本発明のクリーニング機能付搬送部材を基板 処理装置内に搬送することを含む。本発明のクリーニング機能付搬送部材を所望の 基板処理装置内に搬送し、その被洗浄部位に接触させることにより、当該被洗浄部 位に付着した異物を簡便かつ確実にクリーニング除去することができる。 [0061] 上記クリーニング方法により洗浄される基板処理装置は、特に限定されない。基板 処理装置の具体例としては、本明細書ですでに記載した装置に加えて、回路形成用 の露光照射装置、レジスト塗布装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、ドライエツ チング装置、ウェハプローバなどの各種の製造装置ゃ検查装置、さらに、オゾンアツ シヤー、レジストコ一ター、酸化拡散炉、常圧 CVD装置、減圧 CVD装置、プラズマ C VD装置などの高温下で使用される基板処理装置などが挙げられる。
実施例
[0062] 以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施 例によって限定されるものではない。また、実施例における「部」は重量基準である。
[0063] 〔クリーニング層の比表面積〕
実表面積を、流動式比表面積自動測定装置 (株式会社島津製作所製、フローソ III 2300)を用レ、、吸着ガスとしてクリプトンガスを用いて測定した。
表面に柱状構造の凸部を備えたクリーニング層について、式（2)によって、比表面 積を求めた。
S =S /S · · · (2)
X A B
s ：比表面積
X
s ：試料片面の実表面積（{試料両面の実表面積一（未処理試料の両面の実表面積
A
/2) } )
S ：試料片面の見かけ表面積
B
一方、表面に柱状構造の凸部を備えないクリーニング層について、式（3)によって 、比表面積を求めた。
S =S /S · · · (3)
X A B
s ：比表面積
X
S ：試料片面の実表面積 (試料両面の実表面積 Z2)
A
S ：試料片面の見かけ表面積
B
[0064] 〔クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度〕
クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度は、クリーニング層表面 lcm2上の柱 状構造の凸部の数を数えることにより測定した。 [0065] 〔柱状構造の凸部のアスペクト比〕
クリーニング層表面の柱状構造の凸部のアスペクト比は、クリーニング層を側面から
SEM観察することにより測定した。
[0066] 〔柱状構造の凸部の突出部分の長さ〕
クリーニング層表面の柱状構造の凸部の突出部分の長さは、クリーニング層を側面 力 SEM観察することにより測定した。
[0067] 〔除塵性〕
除塵性については以下の方法で評価した。すなわち、 8インチシリコンウェハ上に 平均粒子径 0. 5 μ mのシリコン粉末を粒子数およそ 10000個となるように均一に付 着させた。次に、表面に柱状構造の凸部を備えたクリーニング層を有する高分子樹 脂フィルムを 10cm X 10cmに切り出し、シリコン粉末が付着した 8インチシリコンゥェ ハ上に 1分間、当該クリーニング層を接触させた。 2分後、活性化処理されたフィルム を取り除き、パーティクルカウンター（KLA tencor製、 SurfScan— 6200)にて、 0 . 5 / mのシリコン粉末粒子の個数を測定し、除塵率を算出した。測定は 3回行い、そ の平均を求めた。
[0068] 〔実施例 1〕
ポリイミドフィルム（カネ力製、アビカル NPI25— NPS)を見かけ表面積 100cm2に なるように切り取り、酸素プラズマエッチング処理 (A)をフィルム片面に施して、表面 に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を作製した。
[0069] 酸素プラズマエッチング処理 (A)は、酸素ガスによるプラズマエッチング処理であり 、プラズマ発生装置の電極間距離 10cm、 RF電源、酸素ガス流量 300sccm、放電 電力密度 0. 78W/cm2、処理時間 600秒、放電電力エネルギー 468W' sec/cm2 で行った。
[0070] 得られたクリーニング層について、クリーニング層の比表面積、クリーニング層表面 の柱状構造の凸部の密度、柱状構造の凸部のァスぺ外比、柱状構造の凸部の突 出部分の長さ、および除塵性を測定した。結果を表 1に示す。
[0071] 〔実施例 2〕
ポリイミドフィルム（カネ力製、アビカル NPI25— NPS)を見力、け表面積 100cm2に なるように切り取り、酸素プラズマエッチング処理（B)をフィルム片面に施して、表面 に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を作製した。
[0072] 酸素プラズマエッチング処理（B)は、酸素ガスによるプラズマエッチング処理であり 、プラズマ発生装置の電極間距離 10cm、 RF電源、酸素ガス流量 300sccm、放電 電力密度 0. 78W/cm2、処理時間 300秒、放電電力エネルギー SSAW' sec/cm で行った。
[0073] 得られたクリーニング層について、クリーニング層の比表面積、クリーニング層表面 の柱状構造の凸部の密度、柱状構造の凸部のァスぺ外比、柱状構造の凸部の突 出部分の長さ、および除塵性を測定した。結果を表 1に示す。
[0074] 〔実施例 3〕
ポリイミドフィルム（カネ力製、アビカル NPI25— NPS)を見力、け表面積 100cm2に なるように切り取り、酸素プラズマエッチング処理（C)をフィルム片面に施して、表面 に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を作製した。
[0075] 酸素プラズマエッチング処理（C)は、酸素ガスによるプラズマエッチング処理であり 、プラズマ発生装置の電極間距離 10cm、 RF電源、酸素ガス流量 20sccm、放電電 力密度 0. 07W/cm2、処理時間 6600秒、放電電力エネルギー 462W' sec/cm2 で行った。
[0076] 得られたクリーニング層について、クリーニング層の比表面積、クリーニング層表面 の柱状構造の凸部の密度、柱状構造の凸部のアスペクト比、柱状構造の凸部の突 出部分の長さ、および除塵性を測定した。結果を表 1に示す。
[0077] 〔比較例 1〕
ポリイミドフィルム（カネ力製、アビカル NPI25— NPS)を見力、け表面積 100cm2に なるように切り取り、酸素プラズマエッチング処理（D)をフィルム片面に施して、表面 に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を作製した。
[0078] 酸素プラズマエッチング処理（D)は、酸素ガスによるプラズマエッチング処理であり 、プラズマ発生装置の電極間距離 10cm、 RF電源、酸素ガス流量 300sccm、放電 電力密度 0. 78W/cm2、処理時間 60秒、放電電力エネルギー 47W' sec/cm2で 行った。 [0079] 得られたクリーニング層について、クリーニング層の比表面積、クリーニング層表面 の柱状構造の凸部の密度、柱状構造の凸部のアスペクト比、柱状構造の凸部の突 出部分の長さ、および除塵性を測定した。結果を表 1に示す。
[0080] 〔比較例 2〕
ポリイミドフィルム（カネ力製、アビカル NPI25— NPS)を見力、け表面積 100cm2に なるように切り取り、クリーニング層を作製した。
[0081] 得られたクリーニング層について、クリーニング層の比表面積、クリーニング層表面 の柱状構造の凸部の密度、柱状構造の凸部のァスぺ外比、柱状構造の凸部の突 出部分の長さ、および除塵性を測定した。結果を表 1に示す。
[0082] [表 1]
Figure imgf000017_0001
[0083] 表 1から判るように、実施例 1〜3では優れた除塵性を示すのに対し、比較例:!〜 2 では十分な除塵性が得られなかった。
産業上の利用可能性
[0084] 本発明のクリーニング部材およびクリーニング機能付搬送部材は、各種の製造装 置や検査装置のような基板処理装置のクリーニングに好適に用いられる。

Claims

請求の範囲
[1] 表面に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を有するクリーニング部材であ つて、該柱状構造の凸部のアスペクト比が 5以上である、クリーニング部材。
[2] 前記柱状構造の凸部の突出部分の長さが lOOnm以上である、請求項 1に記載の クリーニング部材。
[3] 前記クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度が 1. 0 X 108個/ cm2以上であ る、請求項 1または 2に記載のクリーニング部材。
[4] 前記クリーニング層の比表面積が 2. 0以上である、請求項 1から 3までのいずれか に記載のクリーニング部材。
[5] 基板上の異物の除去に用いられる、請求項 1から 4までのいずれかに記載のタリー ニング部材。
[6] 基板処理装置内の異物の除去に用いられる、請求項 1から 4までのいずれかに記 載のクリーニング部材。
[7] 搬送部材と、該搬送部材の少なくとも片面に設けられた請求項 6に記載のタリー二 ング部材とを有する、クリーニング機能付搬送部材。
[8] 請求項 7に記載のクリーニング機能付搬送部材を基板処理装置内に搬送すること を含む、基板処理装置のクリーニング方法。
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