WO2007135753A1 - ウエハのシリコン層の探傷装置及び探傷方法 - Google Patents

ウエハのシリコン層の探傷装置及び探傷方法 Download PDF

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Tetsuo Sakaki
Tomohisa Shirasaka
Tsuneo Kobayashi
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Tetsuo Sakaki
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Tsuneo Kobayashi
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Definitions

  • Wafer silicon layer flaw detection apparatus and flaw detection method Wafer silicon layer flaw detection apparatus and flaw detection method
  • the present invention relates to an apparatus and a method for detecting a crack and a flaw existing in a silicon layer of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer” as appropriate) in a non-contact manner. More specifically, the present invention relates to an apparatus for detecting cracks and flaws existing in a silicon layer of a wafer by using eddy current and a detection method thereof.
  • Wafers that are substrates for ICs are crystalline cylinders of raw materials (generally silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), etc. are used as the raw material for wafers)) It is a disk having a thickness of about 0.5 to 1.5 mm produced by slicing an ingot.
  • the wafer may refer to a multilayer structure in which an oxide film layer, a metal layer, or the like is further formed on the disk thus manufactured.
  • any physical defect is not allowed in a wafer manufactured with such a high purity. Therefore, it is important to conduct flaw detection to confirm that there are no cracks or scratches.
  • the most basic flaw detection method is by visual inspection, but the surface of the wafer is mirror-finished, so it is difficult to detect cracks and scratches.
  • cracks or scratches are present inside the wafer rather than on the wafer surface, there is a problem that it cannot be detected by visual inspection.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 11-166902 (FIG. 1)
  • the merits of the eddy current flaw detector that is, the principle is simple, the device
  • a flaw detector for detecting cracks or flaws existing in an intrinsic silicon layer of a wafer using eddy current
  • a high-frequency applying unit that applies a high frequency of 5 MHz to 200 MHz to the coil sensor
  • a crack detection unit for detecting a change in a signal output from the coil sensor or a change in a high frequency applied from the high frequency application unit to detect a crack or a flaw existing in the silicon layer;
  • Another aspect of the flaw detection apparatus for a silicon layer of a wafer according to the present invention is a flaw detection apparatus for detecting cracks or flaws existing in low-resistance silicon,
  • a high-frequency applying unit that applies a high frequency of 0.5 MHz to 200 MHz to the coil sensor
  • a crack detection unit for detecting a change in a signal output from the coil sensor or a change in a high frequency applied from the high frequency application unit to detect a crack or a flaw existing in the silicon layer;
  • the silicon constituting the wafer It is possible to detect the presence of cracks and scratches in the layer without scanning a fine region over a long period of time. Moreover, since the configuration is relatively simple, it is very advantageous in terms of cost.
  • the silicon layer can be flaw detected very simply as with the flaw detection apparatus.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a flaw detection apparatus according to the present invention.
  • FIG. 3 Another configuration example of the crack detection unit.
  • FIG. 4 Still another configuration example of the crack detection unit.
  • FIG.5 Relationship between crack output and measurement position when a high frequency of 5MHz is applied to the coil sensor, targeting the Ueno, which has normal silicon force (non-defective sample: (a), sample with crack: (b))
  • FIG. 6 A graph showing the relationship between crack output and measurement position when a wafer made of normal silicon is used as a target and a high frequency of 200 MHz is applied to the coil sensor.
  • FIG. 7 A graph showing the relationship between crack output and measurement position when a high frequency of 0.5 MHz is applied to the coil sensor, targeting a wafer with low resistance silicon force.
  • FIG. 8 A graph showing the relationship between crack output and measurement position when a wafer with low resistance silicon force is used as a target and a high frequency of 200 MHz is applied to the coil sensor.
  • Figure 9 When a normal silicon wafer is used as a target and a high frequency of 200 MHz is applied to the coil sensor (a) Scan method configuration diagram (b) Scan method configuration plan view (c) Crack-free sample Graph showing the relationship between the frequency of the output signal and the flaw detection position (d) A graph showing the relationship between the frequency of the output signal of the sample with cracks and the flaw detection position.
  • FIG. 10 is a cross-sectional configuration diagram of an example of a silicon solar cell that can be flaw-detected by a flaw detection apparatus according to the present invention.
  • FIG. 11 A graph showing the relationship between crack output and measurement position when a high frequency of 8MHz is applied to a coil sensor with a solar cell wafer as a target. Explanation of symbols
  • the flaw detection apparatus of the present invention detects defects of cracks and flaws existing in the silicon layer of the wafer.
  • the silicon layer of any wafer can be a target for flaw detection.
  • a wafer having a wiring pattern or the like formed on the surface of a silicon layer or another layer can be a target for detecting cracks or scratches in the silicon layer.
  • a crack refers to a crack
  • a scratch refers to all defects including a non-smooth portion existing on the surface and a mixed foreign matter.
  • crack or scratch will be simply abbreviated as “crack”.
  • the silicon constituting the silicon layer may be amorphous (amorphous) silicon in addition to single crystal silicon and polycrystalline silicon.
  • Single crystal silicon is divided into so-called normal silicon (hereinafter referred to as “normal silicon” where appropriate) having a resistivity of about 10 ⁇ ′m and low-resistance silicon having a resistivity of 0.1 ⁇ ′m or less. Yes, they are used as needed.
  • FIG. 1 is a schematic diagram.
  • the basic configuration of the flaw detection apparatus according to the present invention includes a coil sensor 1, a high-frequency application unit 2, a scanning mechanism unit 3, and a crack detection unit 4.
  • the coil sensor 1 is an induction coil for an eddy current sensor, one of which is connected to a high-frequency applying unit 2 described later and the other connected to a crack detecting unit 4 described later. It is arranged at a certain distance from the surface of the silicon layer of the wafer 5 (that is, the surface of the wafer 5). The distance between the coil sensor 1 and the surface of the wafer 5 is preferably a force that is preferably about 1 mm to 5 mm.
  • the high frequency application unit 2 is a mechanism that applies a high frequency to the coil sensor 1.
  • the high frequency applied by the high frequency applying unit 2 to the coil sensor 1 is set to a frequency (about 500 KHz to 1 ⁇ ) in a normal eddy current flaw detection apparatus for metal. Higher than 5MHz to 200MHz.
  • a high frequency with such a frequency eddy currents are generated inside the silicon layer of the wafer.
  • the high frequency applied to the coil sensor 1 from the high frequency applying section 2 is preferably 0.5 MHz to 200 MHz.
  • the crack detection unit 4 is a mechanism that detects the presence of cracks or scratches in the silicon layer of the wafer based on a signal output from the coil sensor 1. If there are cracks or scratches in the silicon layer, the state of the eddy current changes, so the coil inductance changes. As a result, the voltage value and frequency of the high frequency applied from the high frequency application unit change, and the voltage value and frequency of the output signal output by the coil sensor force change.By detecting these changes, The flaw detection can be performed very easily.
  • the configuration of the crack detection unit 4 is not particularly limited, but for example, it can be performed by the following method.
  • the crack detection unit 4 may have a circuit configuration as shown in FIG. 2, for example, and a high frequency may be applied to the self-excited oscillation circuit force coil sensor 1 that also serves as a high frequency application unit. If cracks or scratches are present in the silicon layer of the wafer, the inductance of the coil of the coil sensor 1 changes and the oscillation frequency of the self-excited oscillation circuit changes. After shaping into a wave, a frequency counter (not shown) equal force will also be generated in the output frequency. Based on this disturbance, flaw detection can be performed.
  • the crack detection unit 4 may have a circuit configuration as shown in FIG. 3, for example.
  • high frequency A voltage value is output by passing an output signal output from the coil sensor 1 to which a predetermined high frequency is applied by the applying unit 2 through a self-excited oscillation circuit and a frequency voltage conversion circuit.
  • the circuit configuration of this configuration may be a crystal oscillation type circuit.
  • the configuration may be such that the high-frequency voltage in the high-frequency applying unit 2 is compared with the voltage of the output signal.
  • the high-frequency voltage applied from the high-frequency applying unit 2 drops, so that the flaw detection is performed by detecting this voltage drop. Also good.
  • the crack detection unit 4 may include a synchronous detection circuit as shown in FIG.
  • a crystal oscillation circuit is provided to output the synchronization signal for excitation and synchronous detection of the coil sensor 1, and the synchronization signal output from the crystal oscillator circuit and the output signal output from the coil sensor 1 are provided.
  • This frequency is processed by the synchronous detection circuit, and output is divided into base output (output of the silicon layer itself) and crack output (output based on the presence of cracks and scratches).
  • flaw detection can be performed based on the crack output.
  • the crack detection unit 4 includes a crack when the value of various post-processing Z pre-processing signals such as the above-described crack output exceeds a predetermined threshold. It may be configured to include a crack determination unit that automatically determines whether or not only a change in frequency or voltage value is output to a monitor or the like. In the latter case, the operator determines the presence of cracks or scratches by looking at the waveform displayed on the monitor.
  • the scanning mechanism unit 3 relatively moves both the surface of the silicon layer of the wafer and the coil sensor 1 while keeping the distance between them constant.
  • the scanning mechanism unit 3 can place a disk-shaped wafer 5, and the rotating unit that rotates about the rotation axis and the coil sensor 1 are connected to the surface of the silicon layer (that is, the wafer 5's surface).
  • a translation unit that moves the wafer 5 in the radial direction while maintaining a constant distance from the surface.
  • the entire surface of the wafer 5 can be scanned by moving the translation unit at a constant speed while the rotation unit rotates.
  • the configuration of the scan mechanism unit 3 is not limited to the above configuration as long as it can scan the entire surface of the silicon layer of the wafer 5.
  • the crack detection unit 4 is configured as shown in FIG. 2, and the crack output (voltage) is measured.
  • Figure 5 shows a sample of a wafer with normal silicon (resistivity: 10 ⁇ .m, single silicon layer, thickness: 0.2 mm, distance between wafer surface and coil sensor: 1 mm) as a sample.
  • 1 is a graph showing the relationship between crack output (voltage) and measurement position when a high frequency of 5 MHz is applied to 1. Comparing the results of both the wafers that have no cracks and scratches (Fig. 5 (a)) and the wafers with cracks (Fig. 5 (b)), no peaks or dips are observed for non-defective wafers. On the other hand, a wafer with cracks shows a dip indicating that there are cracks and scratches in the silicon layer (circled in Fig. 5 (b)). When the frequency was 5 MHz or less, dips and peaks became unclear.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the crack output (voltage) and the measurement position when the same wafer as described above is used and the coil sensor 1 is subjected to a high frequency of 200 MHz. As can be seen, in the sample with cracks, a clear dip appears in the voltage value of the crack output.
  • FIG. 7 shows the relationship between the crack output and the measurement position in this case.
  • the crack output voltage value is almost constant.
  • the crack output is greatly disturbed in the wafer with cracks.
  • Fig. 8 is a graph showing the relationship between crack output and measurement position when the frequency of the high frequency is 200 MHz. As is clear from the graph in Fig. 8, the waveform is greatly disturbed in the case of a wafer with cracks.
  • the flaw detection apparatus for a silicon layer of a wafer according to the present invention can surely perform flaw detection even when silicon has a low resistance silicon force.
  • the high frequency is in the range of 0.5 MHz to 200 MHz.
  • the inventors conducted flaw detection by measuring the frequency of the output signal.
  • the wafer 5 is left on the stage without rotating, and the scanning mechanism 3 is linearly scanned in the X direction at a constant speed (see FIGS. 9A and 9B).
  • the output frequency at each location was recorded.
  • a high frequency of 200 MHz was applied to the coil sensor 1.
  • FIG. 9 (c) A graph of the output frequency of a wafer known to have no cracks or scratches is shown in Fig. 9 (c), and a graph of the output frequency of a wafer with cracks is shown in Fig. 9 (d).
  • the frequency of the output signal is constant to some extent, but when there are cracks, large disturbances in the frequency of the output signal are observed, and the crack can be detected sufficiently. confirmed.
  • the object of flaw detection by the flaw detection apparatus and flaw detection method according to the present invention is not limited to a silicon wafer used for an IC substrate. It is possible to detect a flaw. For example, as shown in Figure 10 This is because flaw detection is performed on a wafer used for a silicon solar cell having a simple cross-sectional configuration.
  • FIG. 10 shows an electrode and a light-absorbing dye in the surface layer, and the surface force is also the lowest layer. + An anti-reflection film and an N-type (type silicon (polycrystalline silicon) layer between the electrode layers A flaw detection test was conducted targeting a 1 mm thick solar cell. Such a solar cell is placed on a turntable formed by placing a glass plate on an insulator (ceramic), and a high frequency of 8 MHz is applied to the coil sensor 1 while rotating the turntable at 4 rpm. Caro.
  • Figure 11 shows a graph showing the relationship between the output voltage (vertical axis) and the measurement position (horizontal axis). As shown in the graph of Fig.
  • the direction of output is opposite (a peak or a dip) at a location where no scratch exists on the wafer, and at a non-turn (silver paste) formation portion and a crack location. . From this, it was proved that the silicon layer can be flawed by the flaw detection apparatus and flaw detection method according to the present invention even when the target is a solar cell having a pattern on the wafer surface. .

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Abstract

　本発明は、ウエハのシリコン層に存在するクラックや傷を簡便に、短時間で検出することを目的としてなされた。シリコン層の表面から所定の距離に配置されるコイルセンサと、コイルセンサに高周波を印加する高周波印加部と、前記シリコン層の表面とコイルセンサとの距離を一定に保ちつつ両者を相対的に移動させるスキャン機構部と、コイルセンサから出力される信号の変化又は前記高周波印加部から印加する高周波の変化を検出してシリコン層に存在するクラック又は傷を検知するクラック検知部と、を含んで成る探傷装置とし、高周波印加部によって印加する高周波の周波数を5MHz～200MHzとする。これにより、従来は不可能とされてきたシリコン層の探傷を行うことが可能となる。探傷対象のシリコンが低抵抗シリコンの場合には、印加する周波数を0.5MHz～200MHzとする。

Description

明 細 書
ウェハのシリコン層の探傷装置及び探傷方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体ウェハ（以下、適宜「ウェハ」と略称する）のシリコン層に存在する クラックや傷を非接触で探知する装置及びその方法に関する。より詳細には、渦電流 を利用することによってウェハのシリコン層に存在するクラックや傷を探知する装置及 びその検知方法に関する。
背景技術
[0002] IC (集積回路）の基板となるウェハは、原料 (ウェハの原料には一般的にシリコン (Si) のほか、ゲルマニウム (Ge)、ガリウムヒ素 (GaAs)などが用いられる）の結晶円柱である インゴットをスライスすることによって作製される 0.5〜1.5mm程度の厚みを有する円盤 である。また、ウェハは、このようにして作製された円盤に対して、さらに酸化膜層や 金属層などを形成した多層構造のものを指すこともある。
[0003] ここ数十年、 IC内に作り込む素子は止むことなく小型化 ·高集積ィ匕している。そのた め半導体ウェハの純度も高集積 ICに対応できる程度に高いものが求められているお り、ウェハの原料がシリコンの場合、その純度は 99.999999999% (イレブンナインと呼 ばれる）にまで高められている。
[0004] このように極めて高い純度で製造されるウェハには、当然、いかなる物理的欠点の 存在も許されない。そのために、クラックや傷が存在していないことを確認するための 探傷を行うことが重要となる。最も基本的な探傷方法は目視によるものであるが、ゥェ ハの表面は鏡面仕上されているため、クラックや傷を発見することが困難である。また 、クラックや傷がウェハ表面にではなくウェハ内部に存在している場合には、目視に よって発見することはできな ヽと 、う問題もある。
[0005] そこで、精密な探傷を行うために、半導体ウェハの探傷はレーザ等を用いて光学的 に実施されてきた。このような探傷装置の一例が、特許文献 1にて開示されている。こ れによれば、レーザの p偏光成分及び s偏光成分を用いて半導体ウェハの表面に存 在する欠陥と、内部に存在する欠陥との両者を探知する探傷装置において、偏光板 を利用することによって表面欠陥と内部欠陥を明確に区別することができるとしている
[0006] 特許文献 1 :特開平 11-166902号公報（図 1)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 上述したような半導体ウェハの光学的欠陥探知方法により、ウェハの欠点を高い精 度で以て発見することができる。しかし、この、従来一般に使用されてきたレーザを利 用した探傷方法には、ウェハの表面の微細領域を全スキャンしなければならな 、と 、 う欠点がある。すなわち、非常に時間がかかってしまうのである。例えば、現在巿販さ れて 、る一般的な半導体ウェハの欠陥探知装置では、 8インチのウェハを一枚検査 するのに 20分程度、 12インチのウェハでは 40分程度もの検査時間が必要である。こ のため、工業的には半導体ウェハの探傷検査は抜き取り検査でしか行うことができず 、ICチップを形成してその動作テストを行った段階でようやくウェハに不良が存在して いたことが明ら力となるのが通常であった。
[0008] そこで、半導体ウェハのシリコン層に存在するクラックや傷の探傷を短時間で、且つ 高精度で行うことができる方法が所望されてきた。このような特徴を有する探傷方法と しては、渦流による探傷が好適であると考えられる。ところが、渦流によって探傷を行 う場合には、探傷対象物が何であれシリコン層が含まれているとシリコンカゝらノイズが 発生してしまうため、正確な探傷を行うことができない。そのため、当業者間では、シリ コンは渦流探傷に障害を与えるものとみなされてきた。
こういった背景のため、シリコン層を有する半導体ウェハは、渦流探傷を行うことが できな 、ものであると暗黙的に判断されて 、たのである。
[0009] し力しながら、本願発明者らは、ノイズが発生するということはシリコンが何らかの反 応を示していることの証拠にほかならないとの着想に基づき、シリコンが共鳴する条 件を探るべく鋭意研究を行った。その結果、センサコイルに入力する電流の周波数を 通常よりも格段に高くすることでシリコン中に渦電流が生じるようになり、渦電流型探 傷を行うことができることを見 、だした。
[0010] これによつて、渦電流探傷装置が有する多くの利点、すなわち、原理が簡単、装置 が簡明、確実な傷検出、高速探傷、非接触探傷等を活力したウェハのシリコン層探 傷装置を実現することが可能となった。
課題を解決するための手段
[0011] 以上のようにして成された本発明に係るウェハのシリコン層の探傷装置は、
渦電流を利用してウェハの真性シリコン層に存在するクラック又は傷を検知するた めの探傷装置であって、
前記シリコン層の表面力 所定の距離に配置されるコイルセンサと、
前記コイルセンサに周波数が 5MHz〜200MHzの高周波を印加する高周波印加部 と、
前記シリコン層の表面と前記コイルセンサとの距離を一定に保ちつつ両者を相対 的に移動させるスキャン機構部と、
前記コイルセンサから出力される信号の変化又は前記高周波印加部から印加する 高周波の変化を検出して前記シリコン層に存在するクラック又は傷を検知するクラッ ク検知部と、
を含むことを特徴とする。
[0012] また、本発明に係るウェハのシリコン層の探傷装置の他の形態は、低抵抗シリコン に存在するクラック又は傷を検知するための探傷装置であって、
前記シリコン層の表面力 所定の距離に配置されるコイルセンサと、
前記コイルセンサに周波数が 0.5MHz〜200MHzの高周波を印加する高周波印加 部と、
前記シリコン層の表面と前記コイルセンサとの距離を一定に保ちつつ両者を相対 的に移動させるスキャン機構部と、
前記コイルセンサから出力される信号の変化又は前記高周波印加部から印加する 高周波の変化を検出して前記シリコン層に存在するクラック又は傷を検知するクラッ ク検知部と、
を含むことを特徴とする。
発明の効果
[0013] 本発明に係るウェハのシリコン層の探傷装置によれば、ウェハを構成するシリコン 層に存在して 、るクラックや傷の存在を、長時間をかけて微細領域をスキャンすること なく検知することが可能となる。また、構成も比較的単純であるため、コスト的にも非 常に有利である。
[0014] さらに、本発明の探傷装置の他の形態では、低抵抗シリコンに存在するクラックや 傷であっても、上記探傷装置と同様に極めて簡便にシリコン層の探傷を行うことがで きる。
図面の簡単な説明
[0015] [図 1]本発明に係る探傷装置の概略構成を表す模式図。
[図 2]クラック探知部の一構成例。
[図 3]クラック探知部の他の構成例。
[図 4]クラック探知部の更に他の構成例。
[図 5]通常のシリコン力も成るウエノ、（良品サンプル: (a)、クラックありサンプル: (b))を ターゲットとし、コイルセンサに 5MHzの高周波を印加した場合のクラック出力と測定 位置との関係を表すグラフ。
[図 6]通常のシリコンから成るウェハをターゲットとし、コイルセンサに 200MHzの高周 波を印カロした場合のクラック出力と測定位置との関係を表すグラフ。
[図 7]低抵抗シリコン力も成るウェハをターゲットとし、コイルセンサに 0.5MHzの高周 波を印カロした場合のクラック出力と測定位置との関係を表すグラフ。
[図 8]低抵抗シリコン力も成るウェハをターゲットとし、コイルセンサに 200MHzの高周 波を印カロした場合のクラック出力と測定位置との関係を表すグラフ。
[図 9]通常のシリコンから成るウェハをターゲットとし、コイルセンサに 200MHzの高周 波を印加した場合の (a)スキャン方法構成図 (b)スキャン方法構成の平面図 (c)クラック 無しサンプルの出力信号の周波数と探傷位置との関係を示すグラフ (d)クラックありサ ンプルの出力信号の周波数と探傷位置との関係を示すグラフ。
[図 10]本発明に係る探傷装置で探傷可能なシリコン型太陽電池の一例の断面構成 図。
[図 11]太陽電池のウェハをターゲットとし、コイルセンサに 8MHzの高周波を印加した 場合のクラック出力と測定位置との関係を表すグラフ。 符号の説明
[0016] 1…コイルセンサ
2…高周波印加部
3· ··スキャン機構部
4· ··クラック検知部
5· ··ウエノ、
発明を実施するための最良の形態
[0017] 本発明の探傷装置はウェハのシリコン層に存在するクラックや傷の欠点を検出する 。先に述べたように、ウェハには、シリコン層のみ力も成る単層構造のもののほ力、シ リコン層に力卩えて金属層や酸ィ匕膜層などが設けられた多層構造のものが存在してい る力 本発明の探傷装置では、いずれのウェハのシリコン層も探傷の対象とすること ができる。また、シリコン層や他の層の表面に配線パターン等が形成されているゥェ ハでも、シリコン層のクラックや傷を探知する対象とすることができる。なお、本明細書 においてクラックとは割れ目のことを指し、傷とは表面に存在する非平滑箇所のほか 、混入している異物等を含む欠点全てを指すものとする。以下、適宜「クラック又は傷 」のことを単に「クラック」と略記する。
[0018] シリコン層を構成するシリコンは、単結晶シリコン、多結晶シリコンのほか、非結晶（ アモルファス)シリコンでも構わない。なお、単結晶シリコンには抵抗率が 10 Ω 'm程度 であるいわゆる通常のシリコン (以下、適宜「通常のシリコン」と記載する）と、抵抗率が 0.1 Ω 'm以下の低抵抗シリコンとがあり、必要に応じて使い分けられている。
[0019] 本発明の探傷装置の構成について、模式図である図 1を参照しつつ説明する。本 発明の探傷装置の基本構成は、コイルセンサ 1と、高周波印加部 2と、スキャン機構 部 3と、クラック検知部 4とから成る。
[0020] コイルセンサ 1は渦電流センサ用の誘導コイルであり、一方が後述の高周波印加部 2に接続され、他方が後述のクラック検知部 4に接続されている。ウェハ 5のシリコン層 の表面（即ち、ウェハ 5の表面）から一定の距離に配置される。コイルセンサ 1とウェハ 5の表面との距離は lmm〜5mm程度とするのが好適である力 特に限定されるもので はない。 [0021] 高周波印加部 2は、コイルセンサ 1に高周波を印加する機構である。本発明では、 探傷の対象がシリコンであるため、高周波印加部 2がコイルセンサ 1に印加する高周 波の周波数を、金属を対象とする通常の渦電流探傷装置における周波数 (500KHz 〜1ΜΗζ程度）よりも高くし、 5MHz〜200MHz程度の周波数を用いる。この程度の周 波数の高周波を用いることにより、ウェハのシリコン層の内部に渦電流が発生するよう になる。ウェハのシリコン層に低抵抗シリコンが用いられている場合には、高周波印 加部 2からコイルセンサ 1に印加する高周波を 0.5MHz〜200MHzとするとよい。
[0022] クラック検知部 4は、コイルセンサ 1から出力される信号に基づき、ウェハのシリコン 層にクラック又は傷が存在して 、ることを検出する機構である。シリコン層にお 、てク ラックや傷が存在して 、ると渦電流の状態が変化するため、コイルのインダクタンスが 変化する。これによつて高周波印加部から印加する高周波の電圧値や周波数が変 化したり、コイルセンサ力 出力される出力信号の電圧値や周波数が変化したりする から、これらの変化を検出することによって、探傷を非常に簡単に行うことが可能であ る。本発明においてクラック検知部 4の構成は特に限定されるものではないが、例え ば以下に挙げるような方法で行うことが可能である。
[0023] ·コイルセンサから出力される信号の周波数の変化を検出
この場合には、クラック検知部 4を例えば図 2に示すような回路構成とし、高周波印 加部を兼ねる自励発振回路力 コイルセンサ 1に対して高周波を印加するとよい。ゥ ェハのシリコン層にクラックや傷が存在していると、コイルセンサ 1のコイルのインダク タンスが変化し、自励発振回路の発振周波数が変化するから、波形整形回路におい て出力信号を矩形波に整形した後、周波数カウンタ（図示せず)等力も出力された周 波数に変化ほ Lれ)が生じる。この乱れに基づき、探傷を行うことができる。
[0024] 'コイルセンサから出力される信号の電圧値の変化を検出
ウェハのシリコン層にクラックや傷が存在して 、ると、シリコン層にお 、て発生する渦 電流に基づいて生じる磁界の強さが変化するため、それに応じてコイルセンサから出 力される信号の電圧値も変化する。この電圧値の変化を検出することによって、クラッ ク又は傷の存在を探知することが可能である。この探知を行うためには、クラック検知 部 4を例えば図 3に示すような回路構成とすればよい。図 3に示す構成では、高周波 印加部 2によって所定の高周波が印加されたコイルセンサ 1から出力される出力信号 を自励発振回路及び周波数電圧変換回路を通すことによって電圧値が出力される。 また、本構成の回路構成を水晶発振式回路としてもよい。
[0025] なお、電圧値を基にしてクラックや傷の検出を行う場合には、高周波印加部 2にお ける高周波の電圧と、出力信号の電圧とを比較する構成としてもょ 、。
[0026] また、ウェハのシリコン層にクラックや傷が存在して 、ることで、高周波印加部 2から 印加する高周波の電圧が降下するから、この電圧降下を検知することによって探傷 を行う構成としてもよい。
[0027] さらに他の構成としてクラック検知部 4は、図 4に示すように、同期検波回路を含む 構成とすることができる。図 4の例では、コイルセンサ 1の励磁及び同期検波用の同 期信号を出力するための水晶発振回路を設け、水晶発信回路力 出力される同期 信号と、コイルセンサ 1から出力される出力信号の周波数を同期検波回路において 処理し、ベース出力（シリコン層自体力もの出力）とクラック出力（クラックや傷の存在 に基づく出力）とに分けて出力する。このうち、クラック出力に基づき、探傷探知を行う ことができる。
[0028] なお、本発明においてクラック検知部 4は、上述したクラック出力のような、各種の処 理後 Z処理前信号の値が所定の閾値を越えたような場合にクラックが存在していると 自動的に判定するクラック判定部を含む構成としても良いし、単に周波数や電圧値 の変化のみをモニタ等に出力する構成としても良い。後者の場合には、オペレータが モニタに表示される波形等を見ることによってクラック又は傷の存在を判定する。
[0029] スキャン機構部 3は、ウェハのシリコン層の表面と、コイルセンサ 1との距離を一定に 保ちつつ、両者を相対的に移動させる。図 1の例では、スキャン機構部 3は、円盤状 のウェハ 5を載置することができ、回転軸を中心として回転する回転部と、コイルセン サ 1をシリコン層の表面（つまり、ウェハ 5の表面）との距離を一定に保ちつつ、ウェハ 5の半径方向に移動させる平行移動部とから成る。回転部が回転しつつ平行移動部 が一定の速度で移動することによって、ウェハ 5の全面をスキャンすることができる。 なお、スキャン機構部 3の構成はウェハ 5のシリコン層の全面をスキャンすることが出 来さえすればどのようなものでもよぐ上記構成に限定されることはない。 実施例
[0030] 以下、通常のシリコン及び低抵抗シリコンに関して本願発明者が行った試験結果に ついて説明する。この実験はクラック検知部 4を図 2に示す構成とし、クラック出力（電 圧）を測定したものである。
[0031] 図 5は、通常のシリコン（抵抗率 10 Ω .m、シリコン層単層、厚み： 0.2mm、ウェハの表 面とコイルセンサとの距離： 1mm)力も成るウェハをサンプルとし、コイルセンサ 1に周 波数 5MHzの高周波を印加した場合のクラック出力（電圧）と、測定位置との関係を示 すグラフである。クラックや傷がないことが分力つているウェハ（図 5(a))及びクラックが 存在するウェハ（図 5(b))の両サンプルの結果を比べると、良品ウェハではピークや ディップが観察されない一方、クラックが存在するウェハでは、シリコン層にクラックや 傷が存在していることを示すディップが表れている（図 5(b)の丸印箇所)。なお、周波 数を 5MHz以下とした場合には、ディップやピークが不明瞭となった。
[0032] 図 6は、上記と同一のウェハを対象とし、コイルセンサ 1に周波数 200MHzの高周波 を印カロした場合のクラック出力（電圧)と、測定位置との関係を示すグラフである。図 6 力 明らかなように、クラックが存在しているサンプルでは、クラック出力の電圧値に明 確なディップが表れる。
なお、周波数が 200MHz以上の場合でもクラックの検出は可能である力 コイルセン サ 1にお ヽて高感度の探傷を非接触で行うことが可能なコイル径( φ =20mm)を確保 することができなくなるため（すなわち、コイル卷数が 1回以下になってしまう）ため、通 常のシリコン力 成るシリコン層のクラック検出には、高周波印加部 2が出力する高周 波の周波数を 5MHz〜200MHzの範囲とするのが好適である。
[0033] 次いで、発明者らは低抵抗シリコン (抵抗率 0.1 Ω ·πι、シリコン層単層、厚み: 0.2mm 、ウェハの表面とコイルセンサとの距離： 5mm)から成るウェハをサンプルとし、コイル センサ 1に周波数 0.5MHzの高周波（交流電流）を印加した。この場合のクラック出力 と測定位置との関係を図 7に示す。クラックや傷が存在しないことがわ力つている良品 サンプルの場合はクラック出力の電圧値がほぼ一定であるのに対し、クラックが存在 するウェハでは、クラック出力に大きな乱れが生じている。また、図 8には、高周波の 周波数を 200MHzとした場合のクラック出力と測定位置との関係を表すグラフを示す。 図 8のグラフからも明確なように、クラックが存在するウェハの場合は波形が大きく乱 れる。このように、本発明に係るウェハのシリコン層の探傷装置は、シリコンが低抵抗 シリコン力 成る場合にも、確実に探傷を行うことが可能である。
周波数が 0.5MHz以下の場合や周波数力 ^OOMHz以上の場合でもクラックの検出は 可能であるが、コイルセンサ 1におけるコイルの卷数が少なくなりすぎる（卷数が 1回 以下になる等)ため、低抵抗シリコン力 成るシリコン層のクラック検出には、高周波 の周波数を 0.5MHz〜200MHzの範囲とするのが好適である。
[0034] 上記実験例では、スキャン機構部によるサンプル回転数を 4rpmとした力 実際には 120rpm程度の回転数で動作可能である。一般的なコイルセンサ 1によって探傷可能 な径は 10mm程度であるため、直径が 300mmのウェハの探傷を行うのに要する時間 は、ウェハ半径を 150mm、一回転の時間を 0.5秒とすると 150/10 X 0.5=7.5秒となる。 これは、本発明の探傷装置によれば、従来のウェハ用探傷装置に比べて桁違いに 高速な探傷が可能となることを示して 、る。
[0035] さらに、発明者らは出力信号の周波数を測定することによって探傷を行った。本実 験では、ウェハ 5は回転させることなくステージ上に静置し、スキャン機構部 3を X方向 に一定速度で直線スキャンさせつつ（図 9(a)及び (b)参照）、ウェハ 5の各箇所におけ る出力周波数を記録した。コイルセンサ 1には 200MHzの高周波を印加した。
[0036] クラックや傷が存在しないことがわかっているウェハの出力周波数のグラフを図 9(c) 、クラックありのウェハの出力周波数のグラフを図 9(d)に示す。クラックがない場合に は出力信号の周波数はある程度一定であるのに対し、クラックが存在している場合に は出力信号の周波数の大きな乱れが観察され、クラックの検出が十分に可能である ことが確認された。
[0037] 以上、本発明に係るウェハのシリコン層の探傷装置について説明を行った力 上記 は例に過ぎず、本発明の精神内で適宜に変更や改良を行っても良いことは明らかで ある。
[0038] なお、本発明に係る探傷装置及び探傷方法による探傷の対象は、 IC基板に用いら れるシリコンウェハに限られることはなぐ種々のウェハをターゲットとして、そのシリコ ン層に存在するクラック又は傷を検知することが可能である。例えば図 10に示すよう な断面構成を有するシリコン型太陽電池に用いられるウェハを対象とした探傷を行う ことちでさる。
図 10に示したような、 電極および光吸収色素を表層に有し、表層力も最下層で ある +電極層の間に、反射防止膜、 N型 ·Ρ型シリコン (多結晶シリコン)層を有する厚 み lmmの太陽電池をターゲットとした探傷試験を行った。絶縁体 (セラミック）の上に ガラス板を置いて成るターンテーブル上にこのような太陽電池を載置し、 4rpmの回転 数でターンテーブルを回転させながら、コイルセンサ 1に周波数 8MHzの高周波を印 カロした。図 11にこの時の出力電圧 (縦軸)と測定位置 (横軸)との関係を表すグラフを 示す。図 11のグラフに示されているように、ウェハにおいて傷が存在しない箇所及び ノターン (銀ペースト)形成部とクラック存在箇所とでは、出力の向きが反対になる（ピ ーク又はディップとなる）。このことから、ウェハの表面にパターンが存在するような太 陽電池を対象とする場合であっても、本発明に係る探傷装置及び探傷方法によって シリコン層の探傷が可能であることがわ力つた。

Claims

請求の範囲
[1] 渦電流を利用してウェハの真性シリコン層に存在するクラック又は傷を検知するた めの探傷装置であって、
前記シリコン層の表面力 所定の距離に配置されるコイルセンサと、
前記コイルセンサに周波数が 5MHz〜200MHzの高周波を印加する高周波印加部 と、
前記シリコン層の表面と前記コイルセンサとの距離を一定に保ちつつ両者を相対 的に移動させるスキャン機構部と、
前記コイルセンサから出力される信号の変化又は前記高周波印加部から印加する 高周波の変化を検出して前記シリコン層に存在するクラック又は傷を検知するクラッ ク検知部と、
を含むことを特徴とするウェハのシリコン層の探傷装置。
[2] 渦電流を利用してウェハの低抵抗シリコン層に存在するクラック又は傷を検知する ための探傷装置であって、
前記シリコン層の表面力 所定の距離に配置されるコイルセンサと、
前記コイルセンサに周波数が 0.5MHz〜200MHzの高周波を印加する高周波印加 部と、
前記シリコン層の表面と前記コイルセンサとの距離を一定に保ちつつ両者を相対 的に移動させるスキャン機構部と、
前記コイルセンサから出力される信号の変化又は前記高周波印加部から印加する 高周波の変化を検出して前記シリコン層に存在するクラック又は傷を検知するクラッ ク検知部と、
を含むことを特徴とするウェハのシリコン層の探傷装置。
[3] 前記クラック検知部が、コイルセンサから出力される信号周波数の変化又は前記高 周波印加部から印加する高周波の周波数の変化に基づき前記シリコン層に存在す るクラック又は傷を検知することを特徴とする請求項 1又は 2に記載のウェハのシリコ ン層の探傷装置。
[4] 前記クラック検知部が、前記コイルセンサから出力される信号の電圧値の変化又は 前記高周波印加部から印加する高周波の電圧値の変化に基づき前記シリコン層に 存在するクラック又は傷を検知することを特徴とする請求項 1又は 2に記載のウェハ のシリコン層の探傷装置。
[5] 前記シリコン層が、単結晶シリコン又は多結晶シリコン力 成ることを特徴とする請 求項 1〜4のいずれかに記載のウェハのシリコン層の探傷装置。
[6] 前記ウェハがシリコン型太陽電池のウェハであることを特徴とする請求項 1〜5のい ずれかに記載のウェハのシリコン層の探傷装置。
[7] ウェハの真性シリコン層に存在するクラック又は傷の探傷方法であって、
前記シリコン層の表面力も所定の距離に配置されたコイルセンサに周波数が 5MHz
〜200MHzの高周波を印加して該シリコン層に渦電流を生じさせ、
前記シリコン層の表面と前記コイルセンサとの距離を一定に保ちつつ両者を相対 的に移動させ、
前記コイルセンサから出力される信号の変化又は前記高周波印加部から印加する 高周波の変化を検出することにより前記シリコン層に存在するクラック又は傷を検知 する
ことを特徴とするウェハのシリコン層の探傷方法。
[8] ウェハの低抵抗シリコン層に存在するクラック又は傷の探傷方法であって、
前記シリコン層の表面力 所定の距離に配置されたコイルセンサに周波数が 0.5M Hz〜200MHzの高周波を印加して該シリコン層に渦電流を生じさせ、
前記シリコン層の表面と前記コイルセンサとの距離を一定に保ちつつ両者を相対 的に移動させ、
前記コイルセンサから出力される信号の変化又は前記高周波印加部から印加する 高周波の変化を検出することにより前記シリコン層に存在するクラック又は傷を検知 する
ことを特徴とするウェハのシリコン層の探傷方法。
[9] 前記シリコン層が、単結晶シリコン又は多結晶シリコン力 成ることを特徴とする請 求項 7又は 8に記載のウェハのシリコン層の探傷方法。
[10] 前記ウェハがシリコン型太陽電池のウェハであることを特徴とする請求項 7〜9の ヽ ずれかに記載のウェハのシリコン層の探傷方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113035750A (zh) * 2021-03-02 2021-06-25 深圳鹏瑞智能科技有限公司 一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法
US20220120712A1 (en) * 2020-10-19 2022-04-21 SK Hynix Inc. Defect inspection apparatus using an eddy current and semiconductor die bonding equipment using the same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201236095A (en) * 2011-02-22 2012-09-01 N Tec Corp Zig-zag searching method for wafer breaking edge
US9257352B2 (en) 2013-03-15 2016-02-09 GlobalFoundries, Inc. Semiconductor test wafer and methods for use thereof
CN103257181B (zh) * 2013-05-24 2015-08-26 中国矿业大学 一种高速运动状态下金属板材缺陷检测装置与方法
DE102014212499A1 (de) * 2014-06-27 2015-12-31 Institut Dr. Foerster Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zur Streuflussprüfung
CN106950279A (zh) * 2017-04-05 2017-07-14 北京工业大学 一种硅太阳能电池缺陷的涡流扫查系统
CN114002226B (zh) * 2021-10-29 2024-01-26 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种硅片检测方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05149927A (ja) * 1991-07-19 1993-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 導電膜検査方法およびその装置
JPH11166902A (ja) 1998-04-09 1999-06-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 半導体ウエハ等の欠陥観察装置
JP2003240759A (ja) * 2002-02-19 2003-08-27 Jfe Steel Kk 鋼材のＳｉ濃度測定方法、及びおよび電磁鋼板の製造方法
JP2006500590A (ja) * 2002-09-25 2006-01-05 ラム リサーチ コーポレイション 渦電流ベースの測定性能

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3890564A (en) * 1972-07-04 1975-06-17 Okura Denki Co Ltd Apparatus for inducing eddy current in a semiconductor wafer for measuring the electric conductivity or resistivity thereof
US5028100A (en) * 1989-06-15 1991-07-02 Trustees Of The Thomas A. D. Gross 1988 Revocable Trust Methods for nondestructive eddy-current testing of structural members with automatic characterization of faults
US5508610A (en) * 1992-12-03 1996-04-16 Georgia Tech Research Corporation Electrical conductivity tester and methods thereof for accurately measuring time-varying and steady state conductivity using phase shift detection
US5559428A (en) * 1995-04-10 1996-09-24 International Business Machines Corporation In-situ monitoring of the change in thickness of films
US7030018B2 (en) * 2002-02-04 2006-04-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for monitoring a parameter of a measurement device during polishing, damage to a specimen during polishing, or a characteristic of a polishing pad or tool
JP2005142495A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Sharp Corp 基板クラック検査方法、基板クラック検査装置、太陽電池モジュールの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05149927A (ja) * 1991-07-19 1993-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 導電膜検査方法およびその装置
JPH11166902A (ja) 1998-04-09 1999-06-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 半導体ウエハ等の欠陥観察装置
JP2003240759A (ja) * 2002-02-19 2003-08-27 Jfe Steel Kk 鋼材のＳｉ濃度測定方法、及びおよび電磁鋼板の製造方法
JP2006500590A (ja) * 2002-09-25 2006-01-05 ラム リサーチ コーポレイション 渦電流ベースの測定性能

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MAEKAWA T. ET AL.: "Measurable Range of Bulk Carrier Lifetime for a Thick Silicon Wafer by Induced Eddy Current Method", JPN. J. APPL. PHYS., vol. 34, 1995, pages 3955 - 3964, XP003019255 *
See also references of EP2019314A4 *
YAMADA S. ET AL.: "Investigation of Printed Wiring Board Testing By Using Planar Coil Type ECT Probe", IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, vol. 33, no. 5, 1997, pages 3376 - 3378, XP011086159 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220120712A1 (en) * 2020-10-19 2022-04-21 SK Hynix Inc. Defect inspection apparatus using an eddy current and semiconductor die bonding equipment using the same
CN113035750A (zh) * 2021-03-02 2021-06-25 深圳鹏瑞智能科技有限公司 一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法
CN113035750B (zh) * 2021-03-02 2024-03-22 深圳鹏瑞智能科技股份有限公司 一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法

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