JP2007520721A - 非振動式接触電位プローブを使用した表面検査 - Google Patents
非振動式接触電位プローブを使用した表面検査 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007520721A JP2007520721A JP2006552094A JP2006552094A JP2007520721A JP 2007520721 A JP2007520721 A JP 2007520721A JP 2006552094 A JP2006552094 A JP 2006552094A JP 2006552094 A JP2006552094 A JP 2006552094A JP 2007520721 A JP2007520721 A JP 2007520721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact potential
- probe
- sensor
- sample surface
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 142
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 38
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 195
- 230000006870 function Effects 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 3
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000011438 discrete method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/002—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the work function voltage
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0095—Semiconductive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
Description
本願は、2004年2月3日に出願された同時係属中の米国特許出願第10/771,628号の一部継続出願であり、同出願の優先権を主張し、同出願は、2003年7月29日に出願された米国特許出願第10/631,469号の継続出願であり、同出願は、2003年2月3日に出願された米国仮特許出願第60/444,504号の優先権を主張する。
・ユーザ規定値(しきい値)を超える電圧または電圧の変化(または電圧パターンまたは電圧の変化)を探すためにデータを処理する。
・相関関係またはテンプレートマッチングの何らかの形態を介して、欠陥を表す既知のパターンとデータとを比較する。
・空間データを周波数ドメインに変換して、固有空間特性を有する欠陥を表す周波数ドメインのピークを特定する。
・信号が差動であるため、ウェハ15の表面にわたって相対CPDを表す電圧を生成するために、ある一定の距離にわたって信号を統合できる。
・ウェハ15が「パターン化」されていれば、この既知のパターンを処理前にデータから除去できる。これは、空間または周波数ドメインのいずれかにおける画像の変化または信号減算の何らかの従来の方法によって達成され得る。
・予想した欠陥のサイズ、形状、および他の特性に応じて、高周波数または低周波数を除去するために、何らかの形態の周波数フィルタリングを用いて信号を処理し得る。
・他の応用において単独で周知の、いわゆる、「形態学的処理(morphological processing)」を実行することによって、あるサイズの特徴を除去するように信号を処理できる。
・2つの異なるエリア間の境界でCPDセンサピーク信号を発生するステップ(ピーク信号は、画像処理用語である「エッジ」に酷似して挙動する。そのため、汚染されたエリアは、エッジ検出によって位置の特定が可能である)。
・エッジ検出アルゴリズムを適用するステップ(二次元Cannyアルゴリズムなど)。
・異なるしきい値を有する多重解像度ステップ(これにより、様々なサイズの汚染を検出可能であり、すなわち、より高い解像度(より低いしきい値)がより小さな汚染を見出す)。
・最も単純な方法により全ウェハエリアにわたったエッジエリアによって汚染レベル(contamination level:CL)を定量化するステップ。
Zsurfaceは、nvCPDセンサのチップが触れる表面の高さである。
Zcurrentは、センサの現行高さである。
Hcurrentは、現行の高さセンサの測定値である。
前述したように、基本的なCPDの等式は以下の通りである。
Claims (24)
- 表面を有するサンプルを提供するステップと、
非振動式接触電位プローブを提供するステップと、
前記非振動式接触電位プローブと前記サンプル表面との間に相対運動を生じさせることによって、前記非振動式接触電位プローブを用いて前記サンプル表面を走査するステップと、
前記サンプル表面と前記非接触電位プローブとの間の接触電位差を測定するステップと、
前記サンプル表面のトポグラフィックな特徴の特性を示す第1の信号部分を発生し、前記サンプル表面の化学的特徴を表す第2の信号部分をさらに有するステップと
を含んでなる、検査システムを用いたサンプル表面の検査方法。 - 前記化学的信号に対して前記トポグラフィックな信号を増幅するステップをさらに含む請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- 前記検査システムの一部分にバイアス付与するステップをさらに含む請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- 前記非振動式接触電位差プローブと前記サンプルとそれらの組み合わせとからなるグループから選択された検査システムの一部分に負のバイアス電圧を与えるステップと、
前記第1のバイアス電圧が適用された前記検査システムの前記部分と実質的に等しいが、前記負のバイアス電圧とは反対の電荷の正のバイアス電圧を与えるステップと、
前記負のバイアス信号を前記正のバイアス信号から差し引くステップと
をさらに含む請求項3に記載のサンプル表面の検査方法。 - データトラックを前記プローブに可変半径でトレースさせながら、中心軸の周りで前記サンプルを回転させることによって前記相対運動が達成されるものである請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- 実質的に均等なデータ密度をプローブに与えるために、前記プローブの運動に比例して回転速度を低減させるステップをさらに含む請求項5に記載のサンプル表面の検査方法。
- 複数の非振動式接触電位差プローブを提供するステップをさらに含む請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- 前記複数のプローブが、線形アレイに配設されている請求項8に記載のサンプル表面の検査方法。
- 前記複数のプローブが、二次元アレイに配設されている請求項8に記載のサンプル表面の検査方法。
- 前記複数のプローブを複数の高さで提供するステップをさらに含む請求項8に記載のサンプル表面の検査方法。
- 電圧バイアスを前記複数のプローブにかけるステップをさらに含む請求項8に記載のサンプル表面の検査方法。
- 実質的に静止した状態に維持されたサンプルに対して、前記非接触電位差プローブを移動させることによって前記相対運動が与えられるものである請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- 実質的に静止状態にある前記非振動式接触電位プローブに対して、前記サンプルを移動させることによって前記相対運動が与えられるものである請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- 高さセンサを提供するステップをさらに含む請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- 前記高さセンサによって得られた測定値に前記非振動式接触電位差プローブの高さを較正するステップをさらに含む請求項14に記載のサンプル表面の検査方法。
- 前記高さセンサによって得られた測定値に前記非振動式接触電位差プローブの高さを較正するステップが、
基準面と前記高さセンサとの間の距離が、前記高さセンサの検出範囲内にあるように、前記基準面の上方に前記高さセンサを位置決めするステップと、
前記センサの高さをz1として記録するステップと、
基準点の上方の前記高さセンサ読取値の高さをh1として記録するステップと、
前記基準面上の前記基準点の上方の位置に前記非振動式接触電位センサを移動するステップと、
前記非接触電位差プローブ信号のレベルをモニタリングしながら、前記基準面に向かって前記非振動式接触電位センサを下方にゆっくりと移動するステップと、
前記非振動式接触電位差プローブが、前記非振動式接触電位差プローブの出力の顕著な変化によって示されるものである前記基準面と接触する場合には、前記高さをz2として記録するステップと
を含む請求項15に記載のサンプル表面の検査方法。 - 前記表面が前記高さセンサの測定範囲内にあるように、前記表面の上方に前記高さセンサを位置決めするステップと、
この高さをz3として記録し、前記高さセンサ読取値をh3として記録するステップと、
点z3の上方に前記非振動式接触電位プローブを位置決めするステップと、
前記高さをz*=z3−(h3−h1)−(z1−z2)+h*に調節するステップであって、前記非振動式接触電位差プローブの前記高さを、点z3の表面の上方に高さh*で位置決めするものであるステップと
をさらに含む請求項16に記載のサンプル表面の検査方法。 - 前記サンプルが、液晶パネルを含むものである請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- 前記サンプルが、半導体ウェハを含むものである請求項1に記載のサンプル表面の検査方法。
- サンプル表面上の特徴を特定するシステムであって、
非振動式接触電位差センサと、
前記サンプルと前記非振動式接触電位差センサとの間に相対運動を生じさせるための機構と、
前記サンプルと前記非振動式接触電位プローブとの間の接触電位差を測定するための機構と、
前記接触電位差を表す発生信号と、
前記サンプルと前記非振動式接触電位プローブとそれらの組み合わせとからなるグループから選択されたシステムの一部分に適用された発生バイアス電圧と
を含んでなるシステム。 - 複数の非振動式接触電位プローブをさらに含む請求項20に記載のサンプル表面上の特徴を特定するシステム。
- 高さセンサをさらに含む請求項20に記載のサンプル表面上の特徴を特定するシステム。
- 前記システムの一部分に適用された電圧バイアスをさらに含む請求項20に記載のサンプル表面上の特徴を特定するシステム。
- 非振動式接触電位差センサと、
中心軸の周りでサンプルを回転させるチャックであって、実質的に均等のデータ密度をプローブに与えるために、該プローブの運動に比例して回転速度を変化する可変速制御機構を有するものであるチャックと、
前記非振動式接触電位差センサと前記サンプル表面との間の接触電位差を表すデータソースと
を含んでなる、サンプル表面の検査システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/771,628 US7308367B2 (en) | 2003-02-03 | 2004-02-03 | Wafer inspection system |
PCT/US2004/025249 WO2005083407A1 (en) | 2004-02-03 | 2004-08-05 | Surface inspection using a non-vibrating contact potential probe |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007520721A true JP2007520721A (ja) | 2007-07-26 |
Family
ID=34911306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006552094A Pending JP2007520721A (ja) | 2004-02-03 | 2004-08-05 | 非振動式接触電位プローブを使用した表面検査 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7308367B2 (ja) |
EP (1) | EP1711801B1 (ja) |
JP (1) | JP2007520721A (ja) |
AT (1) | ATE434178T1 (ja) |
DE (1) | DE602004021637D1 (ja) |
TW (1) | TWI350914B (ja) |
WO (1) | WO2005083407A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7107158B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-09-12 | Qcept Technologies, Inc. | Inspection system and apparatus |
JP4147262B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2008-09-10 | 株式会社アドバンテスト | 管理方法、及び管理装置 |
TWI289091B (en) * | 2005-10-06 | 2007-11-01 | Ind Tech Res Inst | Apparatus for endpoint detection during polishing |
US7659734B2 (en) * | 2007-03-07 | 2010-02-09 | Qcept Technologies, Inc. | Semiconductor inspection system and apparatus utilizing a non-vibrating contact potential difference sensor and controlled illumination |
US7900526B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-03-08 | Qcept Technologies, Inc. | Defect classification utilizing data from a non-vibrating contact potential difference sensor |
US7752000B2 (en) * | 2008-05-02 | 2010-07-06 | Qcept Technologies, Inc. | Calibration of non-vibrating contact potential difference measurements to detect surface variations that are perpendicular to the direction of sensor motion |
FR2944873B1 (fr) * | 2009-04-22 | 2011-05-13 | Centre Nat Rech Scient | Systeme pour la detection de complexes d'hybridation de sondes avec des ligands specifiques, et utilisations |
US9097645B2 (en) | 2013-08-23 | 2015-08-04 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for high speed height control of a substrate surface within a wafer inspection system |
TWI525317B (zh) * | 2013-10-08 | 2016-03-11 | 國立清華大學 | 整合影像分析與資料挖礦之自動光學檢測缺陷影像分類方法 |
US9625557B2 (en) | 2014-05-22 | 2017-04-18 | Qcept Investments, Llc | Work function calibration of a non-contact voltage sensor |
US10969370B2 (en) * | 2015-06-05 | 2021-04-06 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Measuring semiconductor doping using constant surface potential corona charging |
CN107073614B (zh) * | 2015-10-30 | 2019-01-04 | 三菱电机株式会社 | 线放电加工机、线放电加工机的控制装置的控制方法及定位方法 |
JP2020500415A (ja) * | 2016-10-22 | 2020-01-09 | ラピドット, マタンLAPIDOT, Matan | 欠陥の発生及び位置の検出のための移動式検査システム |
WO2018093895A1 (en) | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Suppressing thermally induced voltages for verifying structural integrity of materials |
EP3542154A4 (en) | 2016-11-16 | 2020-06-10 | 3M Innovative Properties Company | VERIFICATION OF THE STRUCTURAL INTEGRITY OF MATERIALS |
US11181498B2 (en) | 2016-11-16 | 2021-11-23 | 3M Innovative Propperties Company | Temperature-independent verifying of structural integrity of materials using electrical properties |
EP3542155A4 (en) | 2016-11-16 | 2020-08-26 | 3M Innovative Properties Company | PLACEMENT OF ELECTRODES TO CHECK THE STRUCTURAL INTEGRITY OF MATERIALS |
WO2018093906A1 (en) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Verifying structural integrity of materials using multiple current injection points and one or more current extraction points |
WO2018112311A1 (en) | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Verifying structural integrity of materials using reference impedance |
WO2018140147A2 (en) | 2016-12-16 | 2018-08-02 | 3M Innovative Properties Company | Verifying structural integrity of materials |
EP3555607A2 (en) | 2016-12-16 | 2019-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Verifying structural integrity of materials |
CN109405734B (zh) * | 2018-12-14 | 2023-11-21 | 中核新科(天津)精密机械制造有限公司 | 快速高精度平面平行度测量装置及测量方法 |
JP7453853B2 (ja) * | 2020-05-27 | 2024-03-21 | 株式会社日立製作所 | 処理条件決定システムおよび処理条件探索方法 |
CZ2020320A3 (cs) * | 2020-06-05 | 2021-12-08 | Tescan Brno, S.R.O. | Způsob automatické detekce požadovaného píku při opracování vzorku fokusovaným iontovým svazkem |
CN113643296B (zh) * | 2021-10-18 | 2022-02-08 | 季华实验室 | 电感元件装配质量检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
Family Cites Families (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4166974A (en) * | 1978-01-23 | 1979-09-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for measuring capacitive energy |
GB2015165B (en) * | 1978-02-09 | 1983-01-12 | Koa Oil Co Ltd | Detecting capacitively corrosion of pipes |
US4481616A (en) * | 1981-09-30 | 1984-11-06 | Rca Corporation | Scanning capacitance microscope |
US4973910A (en) * | 1988-01-14 | 1990-11-27 | Wilson Mahlon S | Surface potential analyzer |
US5087533A (en) * | 1989-10-12 | 1992-02-11 | Brown Paul M | Contact potential difference cell |
DD297509A5 (de) | 1990-03-13 | 1992-01-09 | Kloeden,Rolf,De | Kapazitiver sensor zur beruehrungslosen rauheitsmessung |
DE4018993A1 (de) * | 1990-06-13 | 1991-12-19 | Max Planck Inst Eisenforschung | Verfahren und einrichtung zur untersuchung beschichteter metalloberflaechen |
GB9021448D0 (en) * | 1990-10-03 | 1990-11-14 | Renishaw Plc | Capacitance sensing probe |
GB9021447D0 (en) * | 1990-10-03 | 1990-11-14 | Renishaw Plc | Capacitance probes |
US5136247A (en) * | 1991-01-18 | 1992-08-04 | Hansen Wilford N | Apparatus and methods for calibrated work function measurements |
JP2774878B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1998-07-09 | 株式会社日立製作所 | 多層膜絶縁物試料の二次イオン質量分析方法 |
US5214389A (en) * | 1992-01-06 | 1993-05-25 | Motorola, Inc. | Multi-dimensional high-resolution probe for semiconductor measurements including piezoelectric transducer arrangement for controlling probe position |
US5217907A (en) * | 1992-01-28 | 1993-06-08 | National Semiconductor Corporation | Array spreading resistance probe (ASRP) method for profile extraction from semiconductor chips of cellular construction |
US5272443A (en) * | 1992-04-22 | 1993-12-21 | Aluminum Company Of America | Chatter and profile measuring using capacitor sensors |
US5315259A (en) * | 1992-05-26 | 1994-05-24 | Universities Research Association, Inc. | Omnidirectional capacitive probe for gauge of having a sensing tip formed as a substantially complete sphere |
US5218362A (en) * | 1992-07-02 | 1993-06-08 | National Semiconductor Corporation | Multistep analog-to-digital converter with embedded correction data memory for trimming resistor ladders |
US5293131A (en) * | 1992-09-04 | 1994-03-08 | Measurement Systems, Inc. | Capacitive probe for bore measurement |
US5381101A (en) * | 1992-12-02 | 1995-01-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | System and method of measuring high-speed electrical waveforms using force microscopy and offset sampling frequencies |
US5460684A (en) * | 1992-12-04 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Limited | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same |
US5546477A (en) * | 1993-03-30 | 1996-08-13 | Klics, Inc. | Data compression and decompression |
US5517123A (en) * | 1994-08-26 | 1996-05-14 | Analog Devices, Inc. | High sensitivity integrated micromechanical electrostatic potential sensor |
US5723981A (en) * | 1994-08-29 | 1998-03-03 | Imec Vzw | Method for measuring the electrical potential in a semiconductor element |
US6201401B1 (en) * | 1994-08-29 | 2001-03-13 | Imec | Method for measuring the electrical potential in a semiconductor element |
US6091248A (en) * | 1994-08-29 | 2000-07-18 | Imec Vzw | Method for measuring the electrical potential in a semiconductor element |
US5723980A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-03 | Aerogage Corporation | Clearance measurement system |
US5773989A (en) * | 1995-07-14 | 1998-06-30 | University Of South Florida | Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer |
US5974869A (en) * | 1996-11-14 | 1999-11-02 | Georgia Tech Research Corp. | Non-vibrating capacitance probe for wear monitoring |
US6097196A (en) * | 1997-04-23 | 2000-08-01 | Verkuil; Roger L. | Non-contact tunnelling field measurement for a semiconductor oxide layer |
US6011404A (en) * | 1997-07-03 | 2000-01-04 | Lucent Technologies Inc. | System and method for determining near--surface lifetimes and the tunneling field of a dielectric in a semiconductor |
US6139759A (en) * | 1997-07-08 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing silicided silicon microtips for scanning probe microscopy |
US6551972B1 (en) * | 1997-07-10 | 2003-04-22 | Merck Patent Gesellschaft | Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides |
US5977788A (en) * | 1997-07-11 | 1999-11-02 | Lagowski; Jacek | Elevated temperature measurement of the minority carrier lifetime in the depletion layer of a semiconductor wafer |
US6037797A (en) * | 1997-07-11 | 2000-03-14 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Measurement of the interface trap charge in an oxide semiconductor layer interface |
US6127289A (en) * | 1997-09-05 | 2000-10-03 | Lucent Technologies, Inc. | Method for treating semiconductor wafers with corona charge and devices using corona charging |
US6213853B1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-04-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces |
US6094971A (en) * | 1997-09-24 | 2000-08-01 | Texas Instruments Incorporated | Scanning-probe microscope including non-optical means for detecting normal tip-sample interactions |
US6255128B1 (en) * | 1998-08-06 | 2001-07-03 | Lucent Technologies Inc. | Non-contact method for determining the presence of a contaminant in a semiconductor device |
US6517669B2 (en) * | 1999-02-26 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method of detecting endpoint of a dielectric etch |
US6546814B1 (en) * | 1999-03-13 | 2003-04-15 | Textron Systems Corporation | Method and apparatus for estimating torque in rotating machinery |
US6791310B2 (en) * | 1999-03-15 | 2004-09-14 | Therma-Wave, Inc. | Systems and methods for improved metrology using combined optical and electrical measurements |
AT407785B (de) | 1999-03-23 | 2001-06-25 | Vaillant Gmbh | Verfahren zur erkennung und beurteilung von zündproblemen |
US6114865A (en) * | 1999-04-21 | 2000-09-05 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Device for electrically contacting a floating semiconductor wafer having an insulating film |
US6265890B1 (en) * | 1999-08-26 | 2001-07-24 | Lucent Technologies Inc. | In-line non-contact depletion capacitance measurement method and apparatus |
US6858089B2 (en) * | 1999-10-29 | 2005-02-22 | Paul P. Castrucci | Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning |
US6538462B1 (en) * | 1999-11-30 | 2003-03-25 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Method for measuring stress induced leakage current and gate dielectric integrity using corona discharge |
JP2001168160A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Sony Corp | 半導体ウェハの検査システム |
US6232134B1 (en) * | 2000-01-24 | 2001-05-15 | Motorola Inc. | Method and apparatus for monitoring wafer characteristics and/or semiconductor processing consistency using wafer charge distribution measurements |
US6664546B1 (en) * | 2000-02-10 | 2003-12-16 | Kla-Tencor | In-situ probe for optimizing electron beam inspection and metrology based on surface potential |
US6717413B1 (en) * | 2000-04-21 | 2004-04-06 | Georgia Tech Research Corporation | Contact potential difference ionization detector |
US7084661B2 (en) * | 2000-05-24 | 2006-08-01 | Sensorchem International Corporation | Scanning kelvin microprobe system and process for analyzing a surface |
CA2309412A1 (en) * | 2000-05-24 | 2001-11-24 | Michael Thompson | Scanning of biochemical microassays by kelvin microprobe |
US6664800B2 (en) * | 2001-01-08 | 2003-12-16 | Agere Systems Inc. | Non-contact method for determining quality of semiconductor dielectrics |
US6680621B2 (en) * | 2001-01-26 | 2004-01-20 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current |
US6597193B2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-07-22 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current |
US7019654B2 (en) * | 2001-03-29 | 2006-03-28 | Georgia Tech Research Corporation | Contact potential difference sensor to monitor oil properties |
KR100415538B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2004-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 유전막을 구비한 캐패시터 및 그 제조 방법 |
US6711952B2 (en) | 2001-10-05 | 2004-03-30 | General Electric Company | Method and system for monitoring bearings |
KR100546303B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 코로나 전하를 이용한 집적 회로 소자의 콘택홀 모니터링방법 |
US7236847B2 (en) * | 2002-01-16 | 2007-06-26 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for closed loop defect reduction |
US6929531B2 (en) * | 2002-09-19 | 2005-08-16 | Lam Research Corporation | System and method for metal residue detection and mapping within a multi-step sequence |
US6771091B2 (en) * | 2002-09-24 | 2004-08-03 | Semiconductor Diagnostics, Inc. | Method and system for elevated temperature measurement with probes designed for room temperature measurement |
JP2004177377A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 検査方法および検査装置 |
US6957154B2 (en) * | 2003-02-03 | 2005-10-18 | Qcept Technologies, Inc. | Semiconductor wafer inspection system |
-
2004
- 2004-02-03 US US10/771,628 patent/US7308367B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-05 EP EP04780139A patent/EP1711801B1/en not_active Not-in-force
- 2004-08-05 AT AT04780139T patent/ATE434178T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-08-05 DE DE602004021637T patent/DE602004021637D1/de active Active
- 2004-08-05 TW TW093123449A patent/TWI350914B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-08-05 JP JP2006552094A patent/JP2007520721A/ja active Pending
- 2004-08-05 WO PCT/US2004/025249 patent/WO2005083407A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI350914B (en) | 2011-10-21 |
EP1711801A1 (en) | 2006-10-18 |
WO2005083407A1 (en) | 2005-09-09 |
TW200526949A (en) | 2005-08-16 |
US7308367B2 (en) | 2007-12-11 |
EP1711801B1 (en) | 2009-06-17 |
US20040241890A1 (en) | 2004-12-02 |
DE602004021637D1 (de) | 2009-07-30 |
ATE434178T1 (de) | 2009-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7107158B2 (en) | Inspection system and apparatus | |
US7308367B2 (en) | Wafer inspection system | |
US7092826B2 (en) | Semiconductor wafer inspection system | |
JP4783801B2 (ja) | 非振動式接触電位差センサおよび制御された照射を利用した半導体検査システムおよび装置 | |
EP2394294B1 (en) | Patterned wafer inspection system using a non-vibrating contact potential difference sensor | |
TWI430379B (zh) | 使用從無振動接觸電位差感測器所得的資料之缺陷分類技術 | |
US7103482B2 (en) | Inspection system and apparatus | |
US5535005A (en) | Method and system for inspecting polished surface texture |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090702 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090709 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091030 |