WO2007066725A1 - Ｐｔｃデバイスの製造方法 - Google Patents
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Definitions
- a body containing a conductive filler therein for example, a shaped PC PC and a PC PC element having a metal pole arranged on its side are used in electrical or electronic equipment. Widely used.
- PCs and electronic devices are used as circuit protection devices, for example, they have no substantial effect when the device is in normal use, but when the device becomes abnormal, the When the surrounding area becomes abnormal, the temperature of the PC itself becomes high and the resistance suddenly increases, causing a sudden increase in resistance and shutting off the current flowing to the equipment. Therefore, it functions to prevent damage to the equipment. In such a state, when the device is operating normally, it is preferable that it is as small as possible because it is not present.
- At least one power source connected to
- a method of manufacturing a P C chair comprising:
- Po PC consisting of Po and the dispersed fillers therein
- the lid that connects to the P C element is made of Acke.
- the points that make up the PC are determined by the SC based on JS 72 (Plastic measurement method), which is applied to the determination of plasticity. Means (of the point of a pic). The major measurements are as follows.
- EKO N TRUMENT NC EX TAR6000 6200 001 The method of Ming is characterized by the fact that it is carried out at a very low temperature, which is extremely low. This can be carried out by, for example, conduction, soldering, or soldering material (if necessary, a Lux or the like, loose solder), etc. Unless the boron is exposed to temperatures above the point of which it is composed.
- solder When exposed to temperatures above the 001 point, the solder must be applied at the time of application, or in the case of soldering, to the degree necessary to harden the grease contained in these. In case of soldering, use the amount (of the material) necessary for soldering as a guide. However, when connecting, it is necessary to heat it more than that required, so that the required temperature is lower than that of P, preferably at least C, more preferably at least 2 C, and particularly preferable. It should be at least 3 C, Or soldering material.
- the P C child (at all times, without tops) provides a smaller P C chair. Therefore, the PC chair manufactured by such a method is more versatile than the conventional PC chair.
- the resistance of the PC child is increased, so that the connection, for example, between C and 6 C It was necessary to carry out resistance by attaching it to a cycle that heats and rejects the chair, and lower the resistance of the PC child of the PC chair to stabilize it.
- Stable usually heated to a temperature not exceeding the points that make up the PC element, cooled to near or lower than that, and then re-injected into the PC chair.
- This stability theory may also include the ins which will be described later (the top of the P C element is set according to the pressure of time).
- 016 is a side elevational view of a clear poly-PC chair, as it comprehends what it constitutes.
- 4 4 is a graph showing the results of the Top Cycle test of the PC chairs of Runs 2 and 2.
- 5 5 is a graph showing the change of the PC chair when the manufacturing method of the PC chairs of the execution 3 and 4 and the comparison 3 and 4 was carried out.
- 018 is a side elevational view of the structure of the clear P C chair so that it can be understood.
- the P C chair comprises P C 2 and a do 6 connected to it.
- a power source 6 is connected to the power source 4 via the connection 8. It seems that there is a connection 8 between the metal 4 and 6 that connects them to electricity.
- This sequel 8 was composed of a lower degree of porosity (generally, a mixture of fat, especially thermosetting and metallic filler). Instead, solder paste (generally, grease, especially thermoset, solder compound) can be used.
- P C 2 comprises a po P C, as well as a metal 4 arranged on one of its faces, for example 2 on the side of the P P C in the form of a pouch. It is composed of Po P C, Po, and illers dispersed in it.
- connection of port 6 of port PC 2 is made at a lower level. More specifically, when the connection is made by using a conductive or solder strike, a solder having a lower chemical conductivity or a solder strike is selected. Therefore, thermosetting, grease, moisture, grease, and radiation (for example, outside radiation, can be used as examples).
- thermosetting if selected or solder
- the strike is supplied to the very top of the PC and the dod is placed on it and heated as it is. This heat can be turned on.
- a solder strike or by placing a mass of conductive or solder strike with a dispenser.
- the resistance process is performed as described above. it can. Then, it is not necessary to provide a new manufacturing method for PC chairs, connect PCs to PC terminals according to the above-mentioned method to manufacture PC chairs, and then carry out the resistance process. Therefore, after connecting the cables by the above-mentioned PC chair manufacturing method, the PC chair as a product can be made.
- a P C chair was manufactured by using the P C unit below and connecting the electricity to the P C unit.
- This chip has the features and
- a P C chair was manufactured by using the P C unit below and connecting the electricity to the P C unit.
- This chip has the features and
- a P C chair was manufactured by using the P C unit below and connecting the electricity to the P C unit.
- Dispenser is placed at the very top of the insulator, indip oil, hard 5 C, 30032 PC, and the dod is placed on it. It was taken out from the constant temperature bath and cooled, and a PC chair 3 was manufactured in which the PC was electrically connected to the battery. Therefore, solder paste was used instead of, and P C chair 3 in which the solder was bonded to the P C element by soldering at (25 to 26 C) was manufactured as 3. In the comparative PC chair, after bonding the adhesive, attach it to the ins (6 for the flow of C 6), and then add the temperature between the resistance (8 C (holding) and 4 C (holding)). It was attached to the cycle and the temperature was changed.
- Comparative chair 4 was manufactured as Comparative 4.
- the resistance of PC chairs increases the first time. After 2 times, the resistance of the chair of implementation 2 was about ⁇ 9 (96 8 5) while the resistance of the chair of comparison 2 was about ⁇ 32. Is preferred.
- the number of installed PCs does not increase. , Preferably both can be done.
- the resistance P C chair can be manufactured, and the conventional standardization can be applied in the manufacturing. , If you attach a lid to the P C child, you can use it as a P C chair without any special treatment.
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Abstract
より低い抵抗値を有するポリマーＰＴＣ素子を有するポリマーＰＴＣデバイスを提供する。
ポリマーＰＴＣ要素（１１０）およびその両側に配置された金属電極（１０４）を有して成るＰＴＣ素子（１０２）、ならびに少なくとも一方の金属電極に電気的に接続されたリード（１０６）
を有して成るＰＴＣデバイスの製造方法は、
ポリマーＰＴＣ要素は、ポリマー材料およびその中で分散している導電性フィラーを含んで成る導電性ポリマー組成物によって形成され、
リードの金属電極への接続は、ポリマー材料の融点より低い温度で実施することを特徴とする。
Description
細 書
P C イスの製 、法
術分野
０００1 、ポ P C イスの製 法、およびそのよ な製 法によ て 製造されるポ P C イスに関する。
０００2 ポ およびその中に導電 ィラ を含んで成る ボ 料が、 例えば 状に、成形されたポ P C 、ならびにその 側に配置された金属 極を有して成るポ P C 子が電気または電子 置にお て広 使用されて る。
０００3 このよ なポ P C 、電子機器にお て例えば回路保護装置として られ、機器の 常な使用時にお ては実質的な を有さな ものの、機器が異 常 態にな た時に、ある は機器の 囲の 境が異常 態にな た時に、ポ P C 子自体の 度が高温とな て抵抗 が急、激に増加して、 わゆるト ップし て、機器に流れる電流を遮断することによ て、機器の 壊を未然に防ぐよ に機能 する。このよ なポ P C 、機器が正常に作動して る状態では、それが あた も 在しな のよ に、その 可及的に小さ のが好まし 。
０００4 子機器にお てポ P C 子を用 るには、ポ P C 素に金属 接続されて るポ P C 子を得、そのよ なP C 子の な とも一方の ドを電気 に接続したP C イスを得、このよ なP C イスを所 定の または電気 素に接続し、 ドを介して電子機器の 定の 路にポ
P C 子を 入する。
０００5 ドを有して成るポ P C イスは、例えば ト状に押出 した
， ポ 料の 裏に金属 としての 、例えば 着によ て 合 わ た後、所定の 法に裁断または打ち抜きし、その 、電子機器の 路に 入す 、 の 属の ドを金属 接続することによ て製造される。 えば、下 記 では、 ドの 続に際しては、半田 続、抵抗 が用 られて
。
1 2 2 39 報
発明の
明が解決しよ とする課題
０００6 ポ P C 、機器が正常に作動して る状態では、それがあた も 在しな の に、その 可及的に小さ のが好ま 。ポ P C 子が配置されて る周囲の 度が高 なると、その 、ト ップする 度の 前まで に上昇し、その 、急激に増加する。 然ながら、ト ップするまでは、 ポ P C 子の 本来的に低 のが望ま 。 て、 低
を有するポ P C 子を有するポ P C イスを提供することが望 まれて る。
題を解決するための
０００7 の 、
ポ P C びその 側に配置された金属 極を有して成るP C 子、 ならびに
少な とも一方の 電気 に接続された ド
を有して成るP C イスの製 法であ て、
ポ P C 、ポ びその中で分散して る ィラ を 含んで成る ボ 成され、
ドの 極 の 、ポ 料の 低 度で実施することを 特徴とする、P C イスの製 法
に 解決されることが見 だされた。
０００8 、 明のP C イスの製 法にお て、P C 子を構成するP C 素 の 金属 、ならびに ドは常套のP C イスにお て使用され て るものと同じものであ て 、これらに ては であるので、これらの 細 な説明は省略する。
０００9 ポ P C 素を構成するポ 、好まし は ボ である 、 ある は ボ を含むポ である。その ボ
ては、例えばポ チ ン(P )、ポ ビ デン オライド(P )、 チ ン・アク ポ ( )、 チ ン・ ビ ポ ( )等のポ 料を例示することができる。 、このよ ポ に分散して る イラ としては、例えばカ ボン ラック、 ッケ イラ 、 ッケ ( えば ケ ト ) イラ 等を使用できる。
００1０ また、P C 子の 、金属 、特に二 ケ 箔である。更に別の好
態様では、P C 子に接続するリ ドは、 ッケ 製である。
００11 、本明細書にお て、ポ P C 子を構成するポ の 点とは、プラス チックの 度の 定に準用するJ S 7 2 (プラスチックの 度測 定方法)に基 て SCによ て 定される (ピ クの 点の )を意味する 。 、主要な測定 以下の りである。
2 ～ 8 。C
C
囲気
セイ ・インスツ メンツ( EKO N TRUMENT NC)EX TAR6０００ 62００ ００12 明の 法では、 ドの 極 の 、ポ 料の より低 度で実施することを特徴とする。この 、具体的には導電 による 続、半田 ストによる 続、半田 料による ( 要に応じて ラックス等を用 る、 わゆる半田 )等で実施することができ、この 続に際して、P C 子、特に その ボ 素が、それを構成するポ の 点以上の温度にさらされる ことがなければよ 。
００13 ポ の 点以上の温度にさらされる 否 に ては、接続するに際して適用 する 度、 または半田 ストの 合には、これらに含まれて る ， 脂を硬 さ るために必要な 度を、半田 けの 合には、半田 料を するために必要な ( 料の )を目安にする。 、接続に際しては、そ のよ 要な 度以上に加熱する必要があるので、必要な 度がポ の より低 なるよ に、好まし は少な とも C、より好まし は少な とも2 C、特に好 まし は少な とも3 C なるよ に、ポ および 、半田 スト
たは半田 料を選択する。
明の
００14 明の 、P C 子の ( 、ト ップして な 常時)がより小 さ P C イスを提供する。 て、そのよ 方法によ て製造されるP C イスは、従来のP C イス 比較して、より 用である。また、従来のP C イス の製 法では、ポ 料の より高 度にて ドをP C 子に接続す るため、P C 子の 抗が高 なるので、接続 、例えば Cと 6 Cとの間でP C イスを加熱・ 却する サイク に付して抵抗 理を実施して、P C イスのP C 子の 抗を下げて安定 さ る必要があ た。し しながら、 明 の 法では、 ドの 続に際して抵抗 が実質的に増えな ので、そのよ 理を できる。
００15 、安定 、通常P C 子を構成するポ の 点を越えな 度まで 加熱し、その 、通常 近またはそれよりも低 度に冷却し、再び ・ 却 すると 、 わゆる サイク に付して、P C イス( 密には、P C )の を安定 さ る 理である。このよ 安定 理には、後述するイン ス ( 時間の 圧の によ てP C 子をト ップさ る )を含めてもよ 。
００16 は、 明のポリ P C イスを、それを構成する が理解できるよ に、側方 面図にて 式的に示す。
2 2は、実施 2および 2のP C イスの 性の 果を示すグラ である。
3 3は、実施 3および4ならびに比較 3および4のP C イスの 性の 果を示すグラ である。
4 4は、実施 2および 2のP C イスのト ップサイク 験結果を 示すグラ である。
5 5は、実施 3および4ならびに比較 3および4のP C イスの製 法 を ョンした場合のP C イスの の 化を示すグラ である。 号の
００17 P C イス
2 P C
4
6 ド
8 続部
ポ P C
2 ポ P C 素の
明を実施するための
００18 に 明のポ P C イスを、それを構成する が理解できるよ に、 側方 面図にて 式的に示す。 したP C イス は、P C 2、およ びその 4に接続された ド 6を有して成る。 4には、接続 部 8を介して、 ド 6が電気 に接続されて る。 した 様では、金属 4 ド 6との間にこれらを電気 に接続する 続部 8が存在する。この 続部 8は、ポ 料の より低 度にて した ( 般 的には、 ， 脂、特に熱硬 ， 金属 ィラ との 合物)によ て構成さ れて る。 の わりに、半田 スト( 般的には、 ， 脂、特に 熱硬 ， 半田 子との 合物)を使用することができる。
００19 、P C 2は、ポ P C 、ならびにその な とも の 面、 例えば するよ に 状のポ P C の 側の 2に配置され た金属 4を有して成る。ポ P C 、ポ およびその中に 分散して る ィラ ら 成されて る。
００2０ 明のP C イスの製 法では、ポ P C 2 の ド 6の 接続をポ 料の より低 度で実施する。より具体的には、接続を 導電 または半田 ストを用 て実施する場合、その中に含まれる 化性 の 度がポ 料の より低 または半田 ストを 選択する。そのよ ， としては、熱硬 ， 脂、湿気 ， 脂、放射 線( えば 外線 ， 例示できる。
００21 ， 熱硬 ， である場合、選択した または半田
ストをP C 子の 極上に供給し、その上に、 ドを載 て、そのまま加熱する。こ の 熱には、オ ンの を使用できる。このよ 、例えば、 または半田 ストを塗布することによ て、ある は導電 または 半田 ストの塊をディスペンサ で配置することによ て実施できる。
００22 ドのみを加熱する態様も可能であるが、P C およびその上に載 た ドを全体として するのが好ま 。 、 ， 外の 用によ て 化する場合、通常、常温または の 熱の 件で 化するので、ポリ 料の より低 度で電気 接続を実施できる。
００23 のよ に、 明の 法によ て得られるP C イスのP C 子の 、従来の 法によ て製造されるP C イスのP C 子の より 、さ 、その 果、上述のよ に抵抗 理工程を できる。 て、 、新たなP C イスの製 法を提供し、上述の 明の 法によ て ドをP C 子の 接続してP C イスを製造した後に、抵抗 理工程 を実施することを必要としな 。よ て、上述のP C イスの製 法によ て ドを接続した後に、製品としてのP C イスができて ることになる。
1
００24 P C イス の
下のP C 子、 ド、 を用 、 によ てP C 子 に ドを電気 に接続することによ てP C イスを製造した。
００25
4 26 用P Cチッ (タイ クト クス イ 、サイズ 5 2 ポ 密度ポ チ ン( C) ィラ カ ボン ラ、 ッケ 、露出面を金メッキ
、このチップは、後述するイン ス および 理を施して な ・ ド
した ド
・ ( 式会社製 品名 タイト(DOTTE 9 )
イラ インダ キ C、6 ００26 P C 子の 方の 極上に、 スペンサ で 給し、その 上に ドを配置し、これらを Cに温度設定した 6 間保持し、その 、恒温槽 ら取り出して冷却して、P C 子に ドを電気 に接続したP C イス を製造した。 のため、 の わりに半田 ストを用 、 (25 ～26 C による半田 けによ てリ ドをP C 子に接着した P C イス を として製造した。
2
００27 P C イス2の
下のP C 子、 ド、 を用 、 によ てP C 子 に ドを電気 に接続することによ てP C イスを製造した。
００28
2 4 P Cチッ (タイ クト クス イ 、サイズ X2 ポ 密度ポ チ ン( 37C) イラ カ ボン ラック ッケ 、露出面を
、このチップは、後述するイン ス および 理を施して な ・ ド
ド
・ ( 式会社製、商品名 タイト(DOTTE 9 ) イラ 子、 インダ キ 脂、硬 C、6 ００29 P C 子の 方の 極上に、 スペンサ で 給し、その 上に ドを配置し、これらを Cに温度設定した 6 間保持し、その 、恒温槽 ら取り出して冷却して、P C 子に ドを電気 に接続したP C イス2を製造した。 のため、 の わりに半田 ストを用 、 (25 ～26 C)による半田 けによ て ドをP C 子に接着した P
C イス2を 2として製造した。
3
００3０ P C イス3の
下のP C 子、 ド、 を用 、 によ てP C 子 に ドを電気 に接続することによ てP C イスを製造した。
００31 P C
5 34 OP Cチッ (タイ クト クス イ 、サイズ 5 ポ ビ デン オライド( 77C) ィラ カ ボン ラック、金属 ッケ 、露出面を メッキ 、このチップは、後述するイン ス および 理を施して な ・ ド
ド
・ ( 式会社製、商品名 A 874)
ィラ 子、 インダ キ 脂、硬 5 C、3 ００32 P C 子の 方の 極上に、 ディスペンサ で 給し、その 上に ドを配置し、これらを 5 Cに温度設定した 3 間保持し、その 、恒温槽 ら取り出して冷却して、P C 子に ドを電気 に接続したP C イス3を製造した。 のため、 の わりに半田 ストを用 、 (25 ～26 C)による半田 けによ て ドをP C 子に接着した P C イス3を 3として製造した。 、比較 P C イスに ては、 ドを接着した後、イン ス ( C 6 の 流を6 する)に付し、 更に、抵抗 (8 C( 間保持) 4 C( 間保持)との間の温 サイ ク に付す、温度変 2 付した。
4
００33 P C イス4の
5 34 OP Cチッ (タイ クト クス イ 、サイズ
X O )を用 た以外は、実施 3を繰り返した。 様にして、比較 4とし て比較P イス4を製造した。
5
4 P C イス ～4および C イス ～4を評価した。 られた C イスの 接続されて な 金属 ドとの間の抵 ガ ドおよび金属 極の P C 子の よりはる に小さ ので、P C イスの 、実質的にはP C 子の し 。 測定した。その 果を表 に示す。
51 1 f
1 2 3 4 1 2 3 4 均値 22 82 ０4 2 24 3 ０ 33 92 5 82 32 86 8 96
2 9 7 6 2 0 3０ 4 32 6 1 0 32 4
23 6 5 2 3 5 3 6 6 6 3 ・2 5 ・2
０ 5０ ０ 17 ０ 25０ ０ 4 5 52 ０ 399 ０ 7 2 ０ 728 この 果 ら明ら なよ に、 明のP C イスではP C 子の が減 少して る。更に、抵抗 のばら きも な て る。
6
００36 ( 性の )
2～4のP C イス 比較 2～4のP C イスの 度 性を 測定した。 2 C～ 5 Cまでとし、P C イスの 、6０ 下であ た。P C イスの 度を Cず 上昇さ 、その 囲気で 間保持した後、P C イスの を測定した。 P C イスに ても同様に 定した。その 果を図2および 3に示す。 ずれのP C イス に ても本質的に必要とされるP C 能、即 、 度における の 激な 増加を示すことが分 る。
００37 2および 3 ら明ら なよ に、 明の 法によ て製造したP C イスの 方が、周囲 度が上昇した場合の の ち上がり方が急峻である。このことは、 明のP C イスにお てP C 子が、ト ップする以前の抵 が相対的に
持され、ト ップに際して、抵抗 が急激に増加する性質を有することを意味し 、このよ ，
な 、P C イスには望ま である。 、 しな が、実施 のP C イスおよび のP C イスに ても同様の 果を得た。
7
００38 (ト ップサイク )
2のP C イス 比較 2のP C イスに てト ップサイク 験 を実施した。 、室温にてP C イスに C 6 5 を して(6 リ 、プさ 、その 、54 流を遮断して復帰さ 、再び、同じ 件で6 流を O としてト ップ( 、 イスを動作さ )、その 、54 流をO として復 帰さ た。こ 流 O O サイク 数によ てP C イスの が変 する様子を観察した。その 果を表2に示す。
００39 2 2 (
ザイク 数 0 ・ 0 500 0
2 8 9 6 5 9 8 5 9 7 9 6 9 S 5 2 2 2 ・ 3 2 ０ 3 8・ 7 7・ 8 7 9 ト ップ 前のP C の ００4０ また、 サイク 時の抵 に対する割合、即 、基準 とした場合の サ イク 数 後の の 合、即 、抵抗 率をサイク 数( て、動作 )に対して 4に示す。この 果 ら、 明の 法によ て製造したP C イス の方が、ト を繰り返しても の の 合が小さ 、安定した を有す ることがわ る。
００41 また、P C イスに関して、一般的には最初の によ て抵抗 が最も大き 増加することが知られて る。 回の 後に、実施 2の イスでは、抵抗 が約 ・ 9 (9 65 8 )とな たのに対して、比較 2の イスでは、抵抗 が約 ・ 32 となり、この点でも、実施 2のP C イスが好まし 。
8
００42 (P C イスの製造の ョン)
般的には、P C イスの製造過程では、 ドを取り付けた後に後述のイン
ス および ( 2種の熱サイク )を実施して るので 、この製造過程を ョンして、P C 子に順に所定の 置を施してP C イスを製造し、また、その 、P C イスをト ップさ た。この 、次の抵 値を 順に 定した
００43 ・ 3および4にお て るP C 子の ( chp グラ にて表示)、 ・このP C 子に ドを取り付けて製造される実施 3および実施 4で 造され るP C イスの ( Ass グラ にて表示)、
・このP C イスを C25 4 で6 した後の抵 ( 、イン ス の )(イン ス グラ にて表示)、
6 C( 間保持)と C( 間保持)との間の熱サイク ( 度変 2 で )後の抵 ( 6 C グラ にて表示)、
8 C( 間保持) 4 C( 間保持)との間の熱サイク ( 度変 2C )後の抵 ( 8 4 C グラ にて表示)
P C イスをト ップさ た後の抵 ( T p グラ にて表示)
００44 また、比較のために比較 3および 4 同様に半田 けによ て(
25 ～26 C) ドを接続する場合( 、従来のP C イスの製 ) に ても上記 を測定した。これらの 果を図5のグラ に示す。
００45 4 ら明ら なよ に、 明に基 て ドを導電 によ て取り付け る場合、P C 子 らP C イスを製造する過程にお て、P C イスの
、元のP C 子の 値 らそれほど大き しな 。これに対して、半田 けによ て ドを取り付ける場合には、 ドを取り付けると大き が増加し、 その後のイン ス および 定化 理によ て、P C イスの が 低下して安定することが分 る。
００46 て、 明の 法によ てP C イスを製造する場合、 ドを取り付けても が増加しな ので、従来のP C イスの製 法にお て必要であ た、 イン ス および 理の な とも一方、好まし は双方を する ことができる。
００47 、実施 、2および4のP C イスに て、念のために ド 金属
の間の接着性を、 度を測定することによ て確認した。 、P C イスを固定し、そして、P C イスの ドの 分をクランプで んで引き上げ て ドを 離する際に要した 張力を測定することによ て実施した。その 果を 表3に示す。
００48 3 3
P C イス 2 4
k ) 3・ 5 8 3 3 ００49 これらの 、 ずれのP C イスに ても、 ドの 着性は、P C イスの 上 ことを意味する。
００5０ 更に、J S C 44 C68 22)に基 き自然 験を実施して ドの 離 の 無を確認した。 P C イスは、 ずれも ドが 離することは無 た。また、J S C 5 の 験に基 き、 ドの 分に引張力4 を えた時の ドのずれに て外観の 常の 無を観察 した。 ずれの P C イスに ても外観の 無 、 ( J S 格に基 た端子 験に) 格した。
上の ， ００51 、抵抗 の さ P C イスを製造でき、また、その製造に際して、従 来 要とされて た 定化 理を することができる。 、P C 子にリ ドを取り付ければ、その後に特別な処理を施すことな 、P C イスとして使用する ことができる。
Claims
求の
ポ c およびその 側に配置された金属 極を有して成る c 子、 ならびに
少な とも一方の 電気 に接続された ド
を有して成る c イスの製 法であ て、
ポ c 、ポ およびその中で分散して る ィラ を 含んで成る ボ によ て 成され、
ドの 極 の 、ポ 料の より低 度で実施することを 特徴とする、 c イスの製 。
2 ドの 極 の 、 ド 金属 との間に配置した に よ て実施する、請求 に記載の 。
3 外線 化性 脂を含んで成り、 ド 金属 との間に配置 された 外線を照射して紫外線 化性 脂を硬 さ ることによ て、 ドを金属 接続する、請求 2に記載の 。
4 、湿気 化性 脂を含んで成り、 ド 金属 との間に配置さ れた の 囲の 気によ て湿気 化性 脂を硬 さ ることにより、 ドを金属 接続する、請求 2に記載の 。
5 、 度がポ 料の より低 硬化性 脂を含んで 成り、 ド 金属 との間に配置された を加熱して 硬化性 脂を 硬 さ ることによ て ドを金属 接続する、請求 2に記載の 。6 硬化性 の 、ポ 料の より少な とも2 C 5 に記載の 。
7 硬化性 の 、ポ 料の より少な とも3 C 5 に記載の 。
8 ポ 、高密度ポ チ ンであり、 、 キ 脂を含 んで成る 5～7の ずれ に記載の 。
9 ポ 、ポ ビ デン オライドであり、 、 キ 脂 を含んで成る 5～7の ずれ に記載の 。
０ ドの 極 の 、 ド 金属 との間に配置した、ポ 料よ り低 点を有する半田 料を加熱して半田 料を さ ることによ て実施する 、請求 に記載の 。
ドの 極 の 続を完了することによ て、製品としてのP C イスを 得ることができる ～ の ずれ に記載の 。
2 ～皿の ずれ の製 法によ て製造されるポ P C イス。
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