WO2007046143A1

WO2007046143A1 - パターン加工方法及びパターン加工装置

Info

Publication number: WO2007046143A1
Application number: PCT/JP2005/019221
Authority: WO
Inventors: Wataru Okase; Eiichiro Takanabe; Shinichi Kawaguchi
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2005-10-19
Filing date: 2005-10-19
Publication date: 2007-04-26

Abstract

　異方性の加工によりオーバエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき，微細加工が可能なパターン加工方法及びパターン加工装置を提供する。　基板の表面にマスクを設け，該基板の表面に微粒の研磨材を含む液体をノズルから噴射してパターンを加工する。パターン加工装置は，表面にマスクが設けられた基板を載置する載置台と，該載置台の上方から前記基板の表面に微粒の研磨材を含む液体を噴射してパターンを加工するノズルと，該ノズルに前記液体を供給する液体供給手段と，前記載置台及びノズルの少なくとも一方を所定の方向に移動可能な移動機構とを備える。

Description

明細書

パターン加工方法及びパターン加工装置

技術分野

[0001] 本発明は，液体ホーユング工法を利用して基板にパターンを加工する（すなわち，パターンを形成する）パターンカ卩ェ方法及びパターンカ卩ェ装置に関するものである。背景技術

[0002] 被カ卩ェ物である基板にパターンをカ卩ェする技術としては，ドライエッチングゃゥエツトエッチングが一般的に知られている。また，それぞれの欠点を補うためにドライエツチング後にウエットエッチングを行う銅配線の製法及び製造装置が提案されて、る ( 日本国特開平 2— 83930号公報参照)。

[0003] 一方，低コストで且つ高いアスペクト比でパターン等をカ卩ェするために，被加工物の加工面に保護膜を設け，ノズル力ゝら砥粒をこの保護膜の上に噴射するドライブラスト加工を行い，保護膜を貫通して被加工物にパターン等を加工するブラスト加工方法が提案されて、る (日本国特開 2002— 28867号公報参照)。

特許文献 1 :特開平 2— 83930号公報

特許文献 2：特開 2002— 28867号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0004] ところで，インターポーザプロセスにおいては，デバイスの応答性の向上を図るべく ,配線抵抗を小さくし且つ配線長を短くするために，複数の基板 (パターン層）を積層して多層基板構造とすることが行われる。この場合，基板にパターンを形成ないしカロェする方法としては，前記ドライエッチングやウエットエッチング，或いはブラスト加工方法がある。

[0005] し力しながら，ドライエッチングではパターン側壁への再付着という問題があり，ゥェットエッチングでは等方性エッチングであるため，マスク下部のパターン側壁が大きく削れるオーバーエッチングを生じ易く，オーバーエッチングにより配線幅が狭くなつて配線抵抗が大きくなる問題がある。また，マスク幅内の加工底面を平坦にカ卩ェすることが難しく，微細加工が困難であり，例えば極薄膜銅基板へのノターン形成が困難であった。一方，前記ブラスト加工方法では，加工時に摩擦による熱や静電気が発生し，銅配線の酸化や帯電による不具合を招く問題がある。

[0006] 本発明は，上記事情を考慮してなされたものであり，異方性の加工によりオーバーエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき，微細加工が可能なパターン加工方法及びパターン加工装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0007] かかる目的を達成するため，本発明は，基板の表面にパターンをカ卩ェするパターンカロェ方法であって，基板の表面にマスクを設け，該基板の表面に微粒の研磨材を含む液体をノズルから噴射してパターンをカ卩ェすることを特徴とする。

[0008] 本発明においては，前記ノズルの略中心が前記マスクのマスク幅の側面に交互に位置するようにノズル又は基板を左右に移動させてパターンを加工してもよい。

[0009] 本発明においては，前記ノズルが前記マスクのマスク幅の側面に対して傾斜して向くようにノズルを左右に揺動させるか，又はノズルを傾斜させた状態でパターンをカロェしてちよい。

[0010] 本発明においては，前記ノズルを基板の表面に接近させた状態で粗加工を行った後，ノズルを基板の表面カゝら遠ざけた状態で仕上げ加工を行ってもょヽ。

[0011] 本発明においては，前記ノズルを口径の大，中，小の順に用いて卩ェ，粗仕上げ加工，精密仕上げ加工を行ってもよい。

[0012] 本発明においては，前記マスクが，被加工部に対応して形成される硬質榭脂製の第 1マスク部と，非加工部に対応して形成される軟質榭脂製の第 2マスク部とからなり ,第 1マスク部が前記液体の噴射により削除され，第 2マスク部がその弾性により研磨材の衝突を吸収するようになって、てもよ、。

[0013] 本発明においては，前記液体が，純水に研磨材としてのアルミナ粉末及び微量の硝酸をカ卩えてなるものであってもよ、。

[0014] 本発明においては，研磨剤を含む液体をノズルから噴射すると同時に，噴射された後の当該液体を吸引するようにしてもよい。

[0015] 別な観点によれば，本発明は基板の表面にパターンを加工するためのパターンカロェ装置であって，表面にマスクが設けられた基板を載置する載置台と，該載置台の上方力前記基板の表面に微粒の研磨材を含む液体を噴射してパターンを形成するノズルと，該ノズルに前記液体を供給する液体供給手段と，前記載置台及びノズルの少なくとも一方を所定の方向に移動可能な移動機構とを備えている。

[0016] この場合，前記基板表面の銅又はシリコンにパターンを加工することが好ましい。前記ノズルと基板間の距離は， 0. 1〜： LOOmmであることが好ましい。前記載置台又はノズルの移動速度は， 0. 01〜100mmZ秒であることが好ましい。前記ノズルの口径は， 0. 01〜： LOmmであることが好ましい。前記液体が純水に研磨材としてアルミナ粉末を加えてなる場合，該アルミナ粉末の混合比は， 5〜30質量％であることが好ましい。また，前記液体が純水に研磨材としてアルミナ粉末を加えてなる場合，該ァルミナ粉末の粒子径は， 0. 5〜10 mであることが好ましい。これらにより，パターンの加工性能が向上する。さらにまた本発明においては，前記ノズルは，噴射された液体を吸引する吸引部を有していてもよい。この場合，当該吸引部は，ノズルの中心部に配置されていてもよい。

発明の効果

[0017] 本発明によれば，次のような効果を奏することができる。

[0018] 基板の表面にマスクを設け，該基板の表面に微粒の研磨材を含む液体をノズルから噴射してパターンをカ卩ェするため，異方性の加工によりオーバーエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき，微細加工が可能できる。したがつて例えば極薄膜銅基板へのパターン形成が可能となる。

[0019] 前記ノズルの略中心が前記マスクのマスク幅の側面に交互に位置するようにノズル又は基板を左右に移動させてパターンをカ卩ェすれば，マスク幅内の加工底面を平坦に効率良く加工できる。

[0020] 前記ノズルが前記マスクのマスク幅の側面に対して傾斜して向くようにノズルを左右に揺動させるか，又はノズルを傾斜させた状態でパターンをカ卩ェすれば，マスク幅内の加工底面を平坦に効率良く加工できる。

[0021] 前記ノズルを基板の表面に接近させた状態で粗加工を行った後，ノズルを基板の表面力遠ざけた状態で仕上げ力卩ェを行なうと，マスク幅内の加工底面を平坦に効率良く加工できる。

[0022] 前記ノズルを口径の大，中，小の順に用いて卩ェ，粗仕上げ力卩ェ，精密仕上げ加工を行うと，マスク幅内の加工底面を平坦に効率良く加工できる。

[0023] 前記マスクが，被加工部に対応して形成される硬質榭脂製の第 1マスク部と，非力口ェ部に対応して形成される軟質榭脂製の第 2マスク部とからなり，第 1マスク部が前記液体の噴射により削除され，第 2マスク部がその弾性により研磨材の衝突を吸収するようにした場合には，第 2マスク部が前記液体の噴射によって破壊されることが無く，いわゆる液体ホーユング工法によるパターンの加工を確実に行うことが可能となる。

[0024] 前記液体が，純水に研磨材としてのアルミナ粉末及び微量の硝酸を加えてなるものである場合，いわゆる液体ホーユング工法による基板のパターン形成'加工が可能となり，また，微量の硝酸の添カ卩により，アルミナ粉末が沈殿時に固まるのを防止することができる。研磨剤を含む液体をノズルから噴射すると同時に，噴射された後の当該液体を吸引するようにすれば，噴射した液体が基板上に溜まらないので，精度，効率の良い加工が実施できる。

[0025] 本発明のパターンカ卩ェ装置によれば，異方性の加工によりオーバーエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき，微細加工が可能で，例えば極薄膜銅基板へのパターン形成が可能となる。

図面の簡単な説明

[0026] [図 1]本発明の実施の形態であるパターン加工装置を概略的に示す図である。

[図 2]液体供給手段の一例を示す図である。

[図 3]マスクの形成及びパターンの加工を説明する図であり， (a)は基板表面に第 1マスク部を形成した状態，（b)は基板表面に第 2マスク部を形成した状態，（c)は第 1マスク部が削除された状態， (d)は第 2マスク部によってパターンを加工した状態を各々示している。

[図 4]パターンをカ卩ェする一例を示す説明図であり， (a)はノズルをマスク間の中心に位置させて加工している状態，（b)はノズルを一のマスク側に移動させて加工している状態，（c)はノズルを他のマスク側に移動させてカ卩ェしている状態を示している。

[図 5]加工底面の断面形状を説明する図であり， (a)は図 4に示した加工を合成した状態，（b)は加工底面が平坦になって、る状態を示して！/、る。

[図 6]パターンをカ卩ェする例の説明図であり， (a)は通常の口径のノズルを使用した場合， (b) , (c)は，（a)よりも口径の小さいノズルを使用した場合を示している。

[図 7]パターンをカ卩ェする例の説明図であり， (a)は通常の口径のノズルを使用した場合，（b)は，（a)よりも口径の小さいノズルを使用して揺動させた場合を示している。

[図 8]パターンを加工する他の例の説明図であり， (a) , (b)は，各々一方向，他方向へとノズルを傾斜させた場合を示して、る。

[図 9]パターンをカ卩ェする他の例の説明図であり， (a)はノズルを基板に接近させた様子を示し， (b)はノズルを基板カゝら遠ざけた様子を示している。

[図 10]口径の異なったノズルを示しており，（a)は底面図，（b)は側面図である。

[図 11]口径の異なったノズルを用いたパターンをカ卩ェする他の例の説明図であり， (a

)は卩ェ，（b)は粗仕上げ力卩ェ，（c)は精密仕上げ力卩ェを示している。

[図 12]吸引部を有するノズルの断面図である。

[図 13]パターン上に液溜まりが発生した様子を示す説明図である。

圆 14]液溜まりによる加工底面の角隅部の加工状態を示す説明図である。

[図 15]吸引部を有するノズルを使用して加工した際の加工底面の角隅部の加工状態を示す説明図である。

符号の説明

1 パターン加工装置

2 マスク

2a 第 1マスク部

2b 第 2マスク部

3 基板

4 載置台

5 ノズル

5a, 5b, 5c, 5d ノズル

6 液体供給手段

w 揿体発明を実施するための最良の形態

[0028] 以下に，本発明を実施するための最良の形態について，添付図面を基に詳述する。図 1は本発明の実施の形態であるパターン加工装置を概略的に示す図，図 2は液体供給手段の一例を示す図，図 3はマスクの形成及びパターンの加工を説明する図 ,図 4はパターンを加工する一例を示す図，図 5は加工底面の断面形状を説明する図である。

[0029] 図 1ないし図 2において， 1はパターン加工装置で，このパターン加工装置 1は，表面にマスク 2が設けられた被加工物である基板 3を載置する載置台 4と，該載置台 4 の上方から前記基板 3の表面に微粒の研磨材 (砥粒)を含む液体 (スラリー) wを噴射してパターンを加工するノズル 5と，該ノズル 5に前記液体を供給する液体供給手段 6 と，前記載置台 4及びノズル 5の少なくとも一方，図示例では載置台 4を所定の方向例えば X軸方向， y軸方向， z軸方向に移動可能な移動機構 7とを備えている。移動機構 7としては，精密な移動制御が可能なプローバ (検査装置)の駆動機構を適用することができ，この駆動機構によれば，数/ z m単位の位置制御が可能となる。

[0030] また，パターン加工装置 1は，複数枚の基板 3を所定の間隔で多段に収納した収納容器 8を載置する載置部 9と，その載置部 9の収納容器 8から基板 3を一枚ずつ取出し，ァライメント機構 10を経由して前記載置台 4上に搬送し，加工処理後の基板 3を載置台 4上力も前記収納容器 8に戻す搬送機構（図示省略)とを備えている。前記液体を噴射して加工を行う部分は液体の飛散を防止するために加工槽 11内に設けられてヽる。加工槽 11内には基板 3の表面に洗浄液例えば純水を噴射して洗浄するための洗浄用ノズル 12が設けられている。また，加工により生じた廃液は回収されるようになっている。

[0031] 前記液体供給手段 (液体供給系） 6は，図 2に示すように，液体 wを収容した基タンク 13と，該基タンク 13から液体が供給されて交互に使用される 2つの供給タンク 14, 14と，各供給タンク 14から供給ライン 15を介して液体をノズル 5に圧送すべく各供給タンク 14に加圧用のガス例えば窒素ガスを供給するガスボンベ 16とを備えている。基タンク 13には攪拌機構 17が設けられている。加工槽 11には廃液を回収して基タンク 13に戻したり，或ヽは廃液回収タンク 18に送るためのポンプ 19を有する廃液回収ライン 20が接続されている。廃液を回収して再利用する場合，廃液の PH値やカロェレートなど力液体の交換時期を判断し，交換時期になったと判断したとき，廃液回収タンクに接続して新しい液体と交換する。また，基タンク 13には配管内に液体中の研磨材が沈殿しな、ように循環させるためのポンプ 21を有する循環ライン 22が接続されて!、る。基タンク 13及び供給タンク 14には洗浄液供給タンク 23から洗浄液を圧送供給することが可能になっている。また，洗浄液供給タンク 23から前記洗浄用ノズル 12に洗浄液が供給されるようになって、る。

[0032] 前記液体 wとしては，例えば純水に微粒の研磨材 (砥粒）を加えたものであっても良い。研磨材としては，例えばアルミナ粉末を用いることができる。研磨材 (例えばアルミナ粉末)の粒子径は，例えば， 0. 5〜： LO /z m,より好ましくは 1〜： LO /z m程度が良い。粒子径が 1 mを下回るとエッチングレートが低下し， 10 mを超えると力卩ェ精度が低下するからである。この場合，混合比（以下，質量比）は，例えば純水 95%とアルミナ粉末 5%,純水 80%とアルミナ粉末 20%,或いは純水 70%とアルミナ粉末 30%とされる。すなわち，アルミナ粉末の混合比は 5〜30%が好ましい。混合比が 5 %を下回るとエツチンレートが低下し， 30%を超えると流速低下によりエッチングレートが低下するからである。前記液体は，アルミナ粉末が沈殿して固まり易いので，アルミナ粉末が固まるのを防止するために液体に微量の酸例えば硝酸を加えることが好ましい。この場合，混合比は，例えば純水 70%,アルミナ粉末 28%,硝酸 2%とされる。

[0033] 基板 3としては，図 3に示すように，例えばエポキシ榭脂からなるキャリアまたはシリコン基板 24の上面に銅箔又は銅膜 25を貼り付け又は成膜した銅基板が用いられる。この基板 3の表面にはマスク 2が設けられる。実施例のマスク 2は，被加工部に対応して形成される硬質榭脂製の第 1マスク部 2aと，非加工部に対応して形成される軟質榭脂製の第 2マスク部 2bとからなり，第 1マスク部 2aが前記液体の噴射により削除され〔図 3 (c)参照〕，第 2マスク部 2bがその弾性により研磨材の衝突を吸収するため，第 2マスク部 2bが前記液体の噴射によって破壊されることが無く，いわゆる液体ホーユング工法により基板 3の銅箔 (又は銅膜，以下同様) 25にパターンを加工することが可能になっている。第 1マスク部 2aは例えばアクリル系榭脂の UV硬化榭脂（この例では日本合成化学製 ©KOGNMHS1/14を使用している）力もなり，第 2マスク部 2b は例えばウレタン系榭脂からなる。先ず，基板 3の表面に通常のマスク形成方法により第 1マスク部 2aを形成した後〔図 3 (a)〕 ,該第 1マスク部 2aのパターン溝内に軟質榭脂例えばウレタン系榭脂を充填して第 2マスク部 2bを形成すれば良い〔図 3 (b)〕。

[0034] 次にパターンの加工方法にっ、て説明する。パターンの加工を行う場合，図 4の（a )に示すようにノズル 5の中心をマスク 2のマスク幅の略中心に位置させた状態でカロェを行うと，液体が中心力周縁に向う流れによって加工底面 26が凹面状に加工されてしまい，マスク幅内の加工底面 26を平坦にカ卩ェすることは難しい。そこで，マスク幅内の加工底面 26を平坦に効率良く加工するために，図 4の（b)及び (c)に示すように前記ノズル 5の略中心が前記マスク 2のマスク幅の対向する側面 27に交互に位置するようにノズル 5又は基板 3を左右に移動させてパターンを加工する。図 4の（a) , ( b) , (c)の加工を合成すると図 5の（a)に示すようなカ卩ェ形状となり，これにより同図の (b)に示すようにカ卩ェ底面 26を平坦に加工することが可能となる。特に，微粒の研磨材を含む液体をノズル 5から基板 3の表面に噴射していわゆる液体ホーユング工法によりパターンの加工を行うため，異方性の加工が可能となる。したがって，オーバーェツチングを生じることなくマスク幅 (力卩ェ溝 28)内の加工底面 26を隅部 Eまで平坦に加工することが可能となり，微細加工が可能であり，例えば極薄膜銅基板へのパターン形成が可能となる。

[0035] 前記ノズル 5としては，口径が 0. 01〜10mm程度のもの，例えば 0. 3mm程度のものが好ましい。口径が 0. Olmmを下回ると処理面積が小さくなり， 10mmを超えると加工精度が低下するからである。また，加工条件としては，液体 (スラリー）の供給圧力が 3〜7kgZcm²程度，基板の表面とノズル間の隙間が 0. 1〜： LOOmm程度，ノズル 5又は基板 3の移動速度が 0. 01〜： LOOmmZ秒程度が好ましい。ノズルと基板間の距離が 0. 1mmを下回ると処理面積が小さくなり， 100mmを超えるとエッチングレート及び加工精度が低下するからである。また，移動速度が 0. OlmmZ秒を下回ると処理面積が小さくなり， lOOmmZ秒を超えるとエッチングレートが低下するからである。銅箔の厚さは数 μ m〜100 μ m程度である。カロ工溝 28の幅は 10〜 150 μ m 程度である。ノズル 5の口径は，加工溝 28の幅よりも狭いものが好ましい。

[0036] 図 6〜図 11はパターンをカ卩ェする他の例を示す図である。前記実施例と同一部分は同一参照符号を付して説明を省略する。先ず，図 6の実施例についていうと，図 6 ( a)だけでは加工底面 26が凹面状に加工されるため，図 6 (b)及び図 6 (c)に示すようにマスク幅の側面 27近傍をカ卩ェするときに口径の小さい（例えば 0. 1mm程度）ノズル 5dを用いてカ卩ェする。これによりマスク幅側面近傍の加工面^^中的に研磨カロェすることができ，マスク幅内の加工底面 26を平坦に効率良く加工できる。

[0037] 図 7の実施例では，図 7 (a)の加工にカ卩えて，図 7 (b)に示すように前記ノズル 5dが前記マスク 2のマスク幅の側面 27に対して傾斜して向くようにノズル 5dを左右に揺動させてパターンの加工 (力卩ェ溝 28の研肖 IJ)を行う。これによりマスク幅側面近傍の加工面を積極的に研磨カ卩ェすることができ，マスク幅内の加工底面 26を平坦に効率良く加工できる。図 8の実施例では，ノズル 5dを左右に揺動させずに，例えば図 8 (a) , あるいは図 8 (b)に示したように，ノズル 5dを一方に傾斜させた状態でパターンの加ェを行う。この場合も，マスク幅内の加工底面を平坦に効率良く加工できる。

[0038] ノズルを平面状に配置し，下方の基板の表面に研磨材を含む液体を噴射させるだけでは，十分な加工効果は期待できない。そこで，加工深さに合わせて基板 3とノズル 5間の距離 hを例えば 2〜： LOOmmの範囲内で可変にする。図 9の実施例では，図 9 (a)に示すように前記ノズル 5を基板 3の表面に接近させた状態で粗加工を行った後，図 9 (b)に示すようにノズル 5を基板 3の表面力も遠ざけた状態で仕上げ加工を行う。図 9 (a)では加工レートを大として ft¾卩ェを行うことができ，図 9 (b)では液体 (スラリー）が基板の表面に衝突する面積が大きくなり，研磨材 (砲粒)の単位面積当たりの密度が小さくなるため，その分，微細なラインに研磨材が入り込み，異方性の加工でマスク幅内の加工底面を平坦に効率良く加工することが可能となる。

[0039] 図 10ないし図 11の実施例では，口径の異なったノズルを用意してカ卩ェする例を示している。図 10 (a)は，口径の異なったノズル 5a, 5b, 5cの底面の様子を示し，図 10 (b)は，同じくこれらノズル 5a, 5b, 5cの側面の様子を示している。すなわちこの例では，口径が大（例えば 2mm程度）のノズル 5aと，口径が中（例えば 0. 5mm程度）のノズル 5bと，口径が小（例えば 0. 3mm程度）のノズル 5cとを基板 3の搬送移動方向に順に配置される。そして図 11 (a)に示したようにまずノズル 5aを用いて ft¾卩ェを実施し，次いで図 11 (b)に示したようにノズル 5bを用いて粗仕上げ力卩ェを実施し，さらに図 11 (c)に示したようにノズル 5cを用いて精密仕上げ力卩ェを行う。なお，各ノズル 5a, 5b, 5cは，図 10 (a)に示したように搬送移動方向に直交する方向に配置された各配管 29a, 29b, 29cの下面に所定間隔で複数ずつ設けられている。特に，小口径のノズル 5cを用いることによりマスクの際の部分 (加工底面の隅部） Eまで十分にカロェを施すことができる。このように本実施例によっても，前記実施例と同様の効果を奏することができる。

[0040] さらに他の例について説明する。図 12は，吸引部を備えたノズル 31を示しており，このノズル 31は，前出ノズル 5, 5a, 5b, 5cに代えて使用できるものである。

[0041] このノズル 31は，吸引部を構成する吸引口 32をノズル 31の中心に有し，その吸引口 32の外周に液体 (スラリー）を噴射する噴射口 33を有して、る， V、わゆる同軸タイプのノズルである。吸引口 32は，吸引チューブ 34を介して吸引ポンプ 35に通じている。そして吸引ポンプ 35によって吸引された液体は，例えば基タンク 13に回収するようになつている。なお噴射口 33は，供給ライン 15に通じている。

[0042] このような吸引部を有するノズル 32を使用すれば，図 12に示したように，噴射口 33 から噴射された液体を，直ちにノズル中心に配置されている吸引口 32から吸引して，これを基板 3上力排出することができる。

[0043] 前記した噴射のみを行うノズル 5を使用した場合，図 13に示したように，パターンの如何によつては，噴射された液体 wが基板 3の特にマスク 2の周縁部に溜まってしまう場合がある。このように液体 wが溜まってしまうと，続いて噴射された新しい液体の中には，単に溜まった液体 wの上を通過するだけのものが出てしまい，その分加工効率が低下する。またマスクの角隅部に液体が溜まっていると，当該角隅部を削りに《なり，その結果，図 14に示したように，加工底面の隅部 Eの湾曲が大きくなつてしまうおそれがある。

[0044] この点前記した吸引部を有するノズル 31を使用すれば，噴射された液体は直ちに吸引口 33によってノズルの中心側から吸引されて，基板 3上力も排出されるので，図 13に示したように，液体 wが基板上に溜まることはない。したがって，加工効率が向上し，しかも図 15に示したように，加工底面の隅部 Eを直角に近い形状に加工する（肖 IJる）ことが可能である。

[0045] しかも図 12の例では，吸引ポンプ 35によって吸引した液体は，基タンク 13に回収するようになっているので，回収した液体を再度ノズル 31に供給して，これを再利用することができる。

[0046] なお前記したノズル 31の口径の大きさ dは，加工する（切削する）ラインの幅 Dよりも小さいこと力く，好ましくは，ノズル 31の口径の大きさ dは，ラインの幅 Dの 1Z3程度がよい。

[0047] 以上，本発明の実施の形態ないし実施例を図面により詳述してきたが，本発明は前記実施の形態ないし実施例に限定されるものではなく，本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。前記実施例では，基板 3の表面にマスク 2を形成する場合，第 1マスク部 2aを形成した後，該第 1マスク部 2aのパターン溝内に軟質榭脂例えばウレタン系榭脂を充填して第 2マスク部 2bを形成しているが，基板 3の表面に，第 1マスク部 2aを形成することなく，直接，第 2マスク (軟質榭脂製のマスク） 2bを形成しても良い。マスク 2としては，感光剤を含むレジストマスクであっても良く，或いは，感光剤を含まないものであっても良い。本発明では，パターンをカロェする基板の表面は銅に限定されず，例えばシリコン (Si)であっても良い。

産業上の利用可能性

[0048] 本発明は，基板上にパターンを形成する半導体装置，各種 FPD基板の製造に有用である。

Claims

請求の範囲

[1] 基板の表面にパターンを加工するパターン加工方法であって，

基板の表面にマスクを設け，該基板の表面に微粒の研磨材を含む液体をノズルから噴射してパターンを加工する工程を有する。

[2] 請求項 1のパターンカ卩ェ方法において，

前記ノズルの略中心が前記マスクのマスク幅の側面に交互に位置するようにノズル又は基板を左右に移動させてパターンを加工する。

[3] 請求項 1のパターンカ卩ェ方法において，

前記ノズルが前記マスクのマスク幅の側面に対して傾斜して向くようにノズルを左右に揺動させるか，又はノズルを傾斜させた状態でパターンを加工する。

[4] 請求項 1のパターンカ卩ェ方法において，

前記ノズルを基板の表面に接近させた状態で粗加工を行った後，ノズルを基板の表面カゝら遠ざけた状態で仕上げ加工を行う。

[5] 請求項 1のパターンカ卩ェ方法において，

前記ノズルを口径の大，中，小の順に用いて卩ェ，粗仕上げ力卩ェ，精密仕上げ加ェを行う。

[6] 請求項 1のパターンカ卩ェ方法において，

前記マスクが，被加工部に対応して形成される硬質榭脂製の第 1マスク部と，非加工部に対応して形成される軟質榭脂製の第 2マスク部とからなり，第 1マスク部が前記液体の噴射により削除され，第 2マスク部がその弾性により研磨材の衝突を吸収する。

[7] 請求項 1のパターンカ卩ェ方法において，

前記液体は，純水に研磨材としてのアルミナ粉末及び微量の硝酸を加えてなるものである。

[8] 請求項 1のパターンカ卩ェ方法において，

前記基板表面の銅又はシリコンにパターンを加工する。

[9] 請求項 1のパターンカ卩ェ方法において，

研磨剤を含む液体をノズルから噴射すると同時に，噴射された後の当該液体を吸引する。

[10] 基板の表面にパターンを加工するためのパターンカ卩ェ装置であって，表面にマスクが設けられた基板を載置する載置台と，

該載置台の上方から前記基板の表面に微粒の研磨材を含む液体を噴射してパターンを加工するノズルと，

該ノズルに前記液体を供給する液体供給手段と，

前記載置台及びノズルの少なくとも一方を所定の方向に移動可能な移動機構とを有する。

[11] 請求項 10に記載のパターンカ卩ェ装置において，

前記基板表面の銅又はシリコンにパターンを加工する。

[12] 請求項 10に記載のパターンカ卩ェ装置において，

前記ノズルと基板間の距離が 0. 1〜： LOOmmである。

[13] 請求項 10に記載のパターンカ卩ェ装置において，

前記載置台又はノズルの移動速度が 0. 01〜： LOOmmZ秒である。

[14] 請求項 10に記載のパターンカ卩ェ装置において，

前記ノズルの口径が 0. 01〜： LOmmである。

[15] 請求項 10に記載のパターンカ卩ェ装置において，

前記液体は純水に研磨材としてアルミナ粉末を加えてなるものであり，該アルミナ粉末の混合比は 5〜30%である。

[16] 請求項 10に記載のパターンカ卩ェ装置において，

前記液体は純水に研磨材としてアルミナ粉末を加えてなるものであり，該アルミナ粉末の粒子径が 0. 5〜10 /ζ πιである。

[17] 請求項 10に記載のパターンカ卩ェ装置において，

前記ノズルは，噴射された液体を吸引する吸引部を有する。

[18] 請求項 17に記載のパターンカ卩ェ装置において，

前記吸弓 I部は，ノズルの中心部に配置されて、る。