WO2007039966A1

WO2007039966A1 - 光ケーブル及び送受信サブアセンブリ

Info

Publication number: WO2007039966A1
Application number: PCT/JP2006/312386
Authority: WO
Inventors: Tadashi Ono; Yoshihiro Ishikawa
Original assignee: Mitsumi Electric Co., Ltd.
Priority date: 2005-09-30
Filing date: 2006-06-21
Publication date: 2007-04-12
Also published as: CN101248380A; US20090269004A1; JP2007101571A; KR20080028488A; EP1930758A1

Abstract

　設計の自由度が高く、光結合率の高い光ケーブル、送受信サブアセンブリを提供する。　コネクタ３の送受信サブアセンブリ３ａではそのサブ基板３２上において、光電変換素子３１はバンプ３４を介して実装面と間に空間を設けて設置され、その空間に光導波路ケーブル２が配置される。光電変換素子３１の実装面に対する高さは光導波路ケーブル２の厚みに応じて決定されており、その高さ位置はバンプ３４の大きさを調整することにより制御する。

Description

明細書

光ケーブル及び送受信サブアセンブリ

技術分野

[0001] 本発明は、光導波路を介して光伝送を行う光ケーブル及び送受信サブアセンブリに関する。

背景技術

[0002] 近年、フィルム状のケーブルに光導波路を形成した光ケーブルの開発が進められている（例えば、特許文献 1、 2参照)。このような光ケーブルのソケットに装着されたコネクタ部分には、消費電力の低減や多チャンネル化と、う観点から面型の発光素子（以下、 VCSEL; Vertical Cavity Emitting Laserという）や PD (Photo Diode)等の光電変換素子が搭載されている。

[0003] 図 7及び図 8に、 VCSEL、 PDの光電変換素子及びフィルム状の光導波路ケープルが実装されたコネクタ内の送受信サブアセンブリの従来の構成を示す。図 7は斜視図であり、図 8は図 7の II II線における断面図である。

図 7及び図 8に示すように、従来の送受信サブアセンブリ 30ではサブ基板 32上に光電変換素子 31、 IC (Integrated Circuit) 33等が搭載されており、光導波路ケープル 2の端部が光電変換素子 31の上部を被覆して光導波路ケーブル 2のコアと光電変換素子 31の受発光部 31cとの位置が対応するように設計されている。また、光電変換素子 31には金属ワイヤ Pが配設されており、ワイヤボンディング方式によってサブ基板 32内の電極と電気的に接続されている。

[0004] 従来は、送受信サブアセンブリ 30のサブ基板 32上に光電変換素子 31を配置し、ワイヤボンディングを行った後に、その光電変換素子 31の受発光部 31cと光導波路ケーブル 2のコア間を結合する光路の光軸が一致するよう、光導波路ケーブル 2のサブ基板 32の実装面における位置を調整していた。また、光導波路ケーブル 2とサブ基板 32との間には、光導波路ケーブル 2の高さ位置を先に設置されている光電変換素子 31の高さと合わせるため、スぺーサ Sを介在させて、た。

特許文献 1 :特開 2001— 166167号特許文献 2 :特開 2004— 361858号

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 上記の構成において、光導波路ケーブル 2の高さはスぺーサ Sにより決まるため、スぺーサ Sの役割は重要である。光導波路ケーブル 2は可撓性を有するフィルム状であるため、スぺーサ Sの高さが光電変換素子 31と合わない場合には光導波路ケーブル 2の端部に反りや曲がりが生じ、光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31の光軸がずれてしまう。

[0006] このように、光導波路ケーブル 2の実装面上の位置だけでなく、スぺーサ Sの大きさが光軸合わせに影響するため、個々の部品による光軸ズレの積み重ねによりその公差が大きくなると、光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31間の光路結合率が低下する。そのため、スぺーサ Sの形成や光導波路ケーブル 2の位置合わせには非常に高度な微細加工が要求され、これが原因となって光ケーブルの生産性の低下を招、ていた。

[0007] また、光導波路ケーブル 2の特徴となる柔軟性を出すために基材として高分子材料が用いられるが、高分子材料は環境の熱変化によって膨張又は収縮することがある。光導波路ケーブル 2の先端部は固定されているわけではなぐ光電変換素子 31により支持される形で取り付けられるため、光ケーブルを搭載した機器の使用温度の変化により、光導波路ケーブル 2の先端部が湾曲したり反りを生じたりすることがある。その結果、光軸が合ったりずれたりといった状況が発生し、安定した光伝送が行えなくなつてしまう。

[0008] また、光電変換素子 31や光導波路ケーブル 2の他、スぺーサ Sやワイヤ P等、サブ基板 32上に設置される部品が増えると、設置スペースの関係から設計の自由度が低くなるとともに、多くの部品について位置や大きさ等の高精度な調整が必要となり、生産効率が悪い。

[0009] さらに、光路結合を行う際には光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31間で光の伝搬損失が最も少なくなるような位置関係があるが、光導波路ケーブル 2の先端部は光電変換素子 31により支持されているため、スぺーサ Sによりその高さを可変するだけでは、光導波路ケーブル 2及び光電変換素子 31間の光路距離を意図的に調整することができない。

[0010] また、光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31間は密接状態となるが、実際には空気が媒質として介在して!/ヽる。空気層の屈折率は光導波路ケーブル 2のクラッドの屈折率に比して小さいため、光導波路ケーブル 2から出射された光は、その出射径が広がることとなる。そのため、結合光路における光伝搬の損失が少なからず生じるという問題があった。

[0011] 本発明の課題は、設計の自由度が高ぐ光結合率の高い光ケーブル、送受信サブアセンブリを提供することである。

課題を解決するための手段

[0012] 請求の範囲第 1項に記載の発明は、

光ガイド用のコアがクラッド内に光ガイド方向に延在された光導波路ケーブルと、前記光導波路ケーブルの端部において前記コアと光結合する光電変換素子と、が同一基板上に実装された光ケーブルであって、

前記基板の実装面と前記光電変換素子との間に前記光導波路ケーブルが配置され、前記光導波路ケーブルの前記実装面からの高さに応じて前記光電変換素子の高さ位置が調整されて!、ることを特徴とする。

[0013] 請求の範囲第 11項に記載の発明は、

光ガイド用のコアがクラッド内に光ガイド方向に延在された光導波路ケーブルの端部と、前記光導波路ケーブルの端部において前記コアと光結合する光電変換素子と、が同一基板上に実装された送受信サブアセンブリであって、

発明の効果

[0014] 本発明によれば、基板の実装面と光電変換素子との間に光導波路ケーブルを設置し、光導波路ケーブルを基準に光電変換素子との光結合を行うため、光導波路ケ一ブルの高さ調整に用いていたスぺーサを取り除くことができ、光結合の光軸ズレの要因を排除して光結合効率を向上させるとともに、スぺーサの微細加工が不要となり生産効率を向上させることができる。また、部品点数の削減により、設計の自由度が向上するとともに製品の小型化、高密度実装が可能となる。

図面の簡単な説明

[図 1]本実施形態における光ケーブルを示す図である。

[図 2]図 1のコネクタ内の送受信サブアセンブリの構成を示す斜視図である。

[図 3]図 2の断面図である。

[図 4A]送受信サブアセンブリの製造方法 (一例）の一工程を示す図である。

[図 4B]送受信サブアセンブリの製造方法 (一例）の一工程を示す図である。

[図 4C]送受信サブアセンブリの製造方法 (一例）の一工程を示す図である。

[図 5A]送受信サブアセンブリの製造方法 (他の例）の一工程を示す図である。

[図 5B]送受信サブアセンブリの製造方法 (他の例）の一工程を示す図である。

[図 6]図 3の送受信サブアセンブリを両面実装した例を示す図である。

[図 7]従来の光ケーブルの送受信サブアセンブリの構成を示す斜視図である。

[図 8]図 7の断面図である。

符号の説明

1 光ケーブル

2 光導波路ケーブル

21、 22 クラッド、

23 コア

25 反射面

3 コネクタ

3a 送受信サブアセンブリ

31 光電変換素子

32 サブ基板

34 ノンプ

35 光路形成材

発明を実施するための最良の形態 [0017] 〈光ケーブル及びコネクタ部分の構成〉

図 1に、本実施形態における光ケーブル 1の構成を示す。

図 1に示すように、光ケーブル 1は 2つのプリント配線基板 5を接続するものであり、光導波路ケーブル 2の両端にコネクタ 3を備えて構成されている。コネクタ 3はプリント配線基板 5上に搭載されたソケット 6に装着され、プリント配線基板⁵上には他に IC4 が搭載されている。

[0018] 光導波路ケーブル 2はフィルム状に形成されており、その内部に有する光導波路は両端に設けられたコネクタ 3間でやりとりされる光の伝送路として作用する。コネクタ 3 は、光電変換を行う送受信サブアセンブリを備えており、この送受信サブアセンブリによりプリント配線基板 5から入力される電気信号を光に変換し、光導波路ケーブル 2 を介して他端側に位置するコネクタ 3に光を送出する。或いは、光導波路ケーブル 2 を介して他端のコネクタ 3から送出された光を受光し、電気信号に変換してプリント配線基板 5に出力する。

[0019] 図 2に光導波路ケーブル 2とコネクタ 3内の送受信サブアセンブリ 3aとの接続部分の斜視図を示し、図 3に図 2の I-I線における断面図を示す。

図 2及び図 3に示すように、光導波路ケーブル 2はその先端部分が、サブ基板 32の実装面と発光素子 31a又は受光素子 31bとの間に配置されている。また、光導波路ケーブル 2は、クラッド 21側のフィルム面がサブ基板 32と当接するように実装面に沿つて接着されている。

[0020] 光導波路ケーブル 2は、図 3に示すように、クラッド 21、 22及びコア 23から形成されており、その端部には反射面 25が設けられている。また、その外周面は図示しない榭脂フィルムにより覆われている。榭脂フィルムは、機材、カバーとして作用するものであり、例えばポリイミド、 PET (Poly Ethylene Terepthalate)等の可撓性を有する材料から構成されている。

[0021] クラッド 21、 22及びコア 23は、ポリイミド系、ポリシラン系、エポキシ系、アクリル系の榭脂等カゝら構成されている。

[0022] コア 23は、クラッド 21、 22間に直線状に形成され、光導波路を構成する。具体的には、クラッド 21上に塗布されたコア層がエッチング等によって所定の経路となるように成形され、その上面にクラッド 22の層が塗布されてなるものである。コア 23は、クラッド 21、 22とは異なる屈折率となるように材料が調整されている。このように、コア 23の周囲が屈折率の異なるクラッド 21、 22により囲まれることによって、コア 23内に送出された光を損なうことなくある一方向へ伝搬させることができる。

[0023] 反射面 25は、コア 23を介して伝送された光を反射して光導波路ケーブル 2の上部に位置する受光素子 31bに導ぐ或いは発光素子 31aから出射された光を反射してコア 23に導く光路変換手段である。光導波路ケーブル 2の光導波路とは、コア 23及びこの反射面 25により導かれる光路 24を含めた光の伝送路をいう。反射面 25は、光導波路ケーブル 2の端面をブレードやレーザ等により 45度等の傾斜角度で切断すること〖こより形成される。

[0024] 送受信サブアセンブリ 3aは、図 2に示すように、サブ基板 32上に発光素子 31a及び受光素子 31b、 IC33が搭載されてなるものであり、プリント配線基板 5から入出力される電気信号と光導波路ケーブル 2を介して入出力される光の相互変換を行う。

[0025] 発光素子 31aは、例えば VCSEL等の面発光型の光電変換素子が用いられ、図 3 に示すように、プリント配線基板 5から入力される電気信号に応じた光を Z→Y方向に向けて発光する。発光素子 31aから発光された光は、反射面 25で光路を変換され、 W→X方向へ伝送される。

[0026] 受光素子 31bは、例えば PD等の光電変換素子が用いられ、光導波路ケーブル 2 のコア 23にお!/、て X→W方向に伝送され、反射面 25を介して Y→Z方向に光路変換された光を受光し、その受光量に応じた電気信号を生成する。

以下、発光素子 31a及び受光素子 31bを光電変換素子 31と総称し、その発光部及び受光部を受発光部 31cという。

[0027] なお、本実施形態では、 1つの送受信サブアセンブリ 3aにおいて発光素子 31a及び受光素子 31bをそれぞれ 1素子づっ備えて双方向の光伝送を行う例を説明するが、発光素子 31a及び受光素子 31bを複数素子づっ備えて双方向の伝送を複数路で行う構成であってもよいし、光ケーブル 1の一端の送受信サブアセンブリ 3aに発光素子 31aのみ、他端の送受信サブアセンブリ 3aに受光素子 31bのみを備えて一方向の光伝送を行う構成としてもょヽ。 [0028] 光電変換素子 31の高さ位置は、光導波路ケーブル 2の実装面からの高さに応じて決定されている。すなわち、光電変換素子 31はバンプ 34を介してサブ基板 32の実装面との間に空間を設けて配置されているものであるが、その光電変換素子 31の高さが光導波路ケーブル 2の厚み分の高さより高くなるように調整されている。また、光電変換素子 31の基板実装面における位置は、光導波路ケーブル 2のサブ基板 32の実装面における設置位置を基準に、光導波路ケーブル 2の光導波路と光電変換素子 31の受発光部 31c間で伝送される光の光軸がそれぞれ一致するように決定されている。

[0029] 光電変換素子 31の高さ位置は、バンプ 34の大きさを可変することにより調整が可能である。すなわち、バンプ 34を調整することにより、光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31間の光路距離を制御することが可能となり、光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31間の光結合効率が最大となるようにその距離を決定することができる。

[0030] バンプ 34は、導電体から形成され、光電変換素子 31の電極とサブ基板 32に設けられている電極 (各電極は図示せず）とを電気的に接続している。バンプ 34としては、例えば Au等の金属を適用可能である。

[0031] 光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31との界面に生じる間隙には、光路形成材 3 5が充填されている。光路形成材 35は、例えば光硬化榭脂等の光屈折媒質力もなり、光導波路ケーブル 2のクラッド 22と同程度の屈折率等、空気に対して比較的大きい屈折率となるように材料が選択されている。この光路形成材 35により、光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31間の光路を通る光の出射径の広がりを抑えるよう制御が可能である。

[0032] 〈コネクタ部分の製造方法〉

光ケーブル 1のコネクタ 3部分を上述した構成とするためには、先に光導波路ケーブル 2をコネクタ 3のサブ基板 32上に固定する方法の他、光電変換素子 31を取り付けた後に光導波路ケーブル 2を設けることも可能である。

[0033] 何れの方法においても、光導波路ケーブル 2の光導波路と光電変換素子 31間でやりとりされる光の光軸が一致するように光導波路ケーブル 2及び光電変換素子 31 のサブ基板 32の実装面における設置位置が予め決定されている。また、光導波路ケ一ブル 2の厚み、光導波路から光電変換素子 31の受発光部 31cまでの距離等に応じて、光電変換素子 31を設置する高さ位置が予め決定され、その高さに応じてバンプ 34が形成される。

[0034] 光導波路ケーブル 2を先に設置する場合、図 4Aに示すように、サブ基板 32に光導波路ケーブル 2のフィルム面を当接させて予め決められた位置に配置し、接着してその位置を固定する。このとき、サブ基板 32と光導波路ケーブル 2の離接部分には光導波路ケーブル 2を支持する補強材 36が設けられる。

[0035] 次いで、図 4Bに示すように、光導波路ケーブル 2に隣接してサブ基板 32上にバンプ 34をはんだ接合し、そのバンプ 34の上部に光電変換素子 31をはんだ接合する。バンプ 34は、上述したように予め決定された光電変換素子 31の高さ位置に応じて大きさが調整されている。また、光電変換素子 31は、光導波路ケーブル 2の光導波路との光軸が一致するように予め決定された位置に配置され、バンプ 34とはんだ接合される。なお、光電変換素子 31とバンプ 34は予め接合しておき、光電変換素子 31の位置調整を行った後、バンプ 34とサブ基板 32を接合することとしてもよい。

[0036] 次、で、図 4Cに示すように、前記配置された光導波路ケーブル 2及び光電変換素子 31間に生じた間隙 gに光路形成材 35を充填する。間隙 gは挟隙であるので、光路形成材 35は毛細管現象により吸入され、間隙 g内を満たすこととなる。また、毛細管現象により密接した界面にのみ光路形成材 35が保持されるため、開口している光路 24部分への滲出はない。

[0037] これに対し、光導波路ケーブル 2を後から取り付けることも可能である。

この場合、図 5Aに示すように、まずバンプ 34及び光電変換素子 31をサブ基板 32 上にはんだ接合により取り付ける。バンプ 34の大きさが調整されていること、光電変換素子 31が予め決定されている位置に配置されることは前述の場合と同様である。

[0038] 次いで、図 5Bに示すように、光電変換素子 31とサブ基板 32間に光導波路ケープル 2を挿入し、規定の位置まで光導波路ケーブル 2を差し込むとサブ基板 32と光導波路ケーブル 2のフィルム面を接着し、その位置を固定する。その後、図 4Cに示したように、光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31間の間隙 gを光路形成材 35で満たすとコネクタ 3が完成する。 [0039] 以上のように、本実施形態によれば、光導波路ケーブル 2をサブ基板 32の実装面と光電変換素子 31間に配置し、その光導波路ケーブル 2の設置位置を基準に光電変換素子 31の実装面からの高さ位置及び実装面における設置位置を調整する。すなわち、スぺーサ等を介さずに光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31とを光結合するので、光軸ズレの要因を取り除くことができ、光結合率を向上させることができる。

[0040] 従来は、図 7及び図 8に示すように、光電変換素子 31の設置位置を基準に光導波路ケーブル 2を設置していたため、光導波路ケーブル 2とサブ基板 32間にスぺーサ Sを介在させなくてはならな力つた。このスぺーサ Sの介在は、光導波路ケーブル 2の光導波路と光電変換素子 31間の光路の光軸ズレを生じさせる要因の一つとなっていたが、本実施形態によれば、スぺーサ Sが不要となるため、光軸の位置合わせ精度を向上させることができる。

[0041] また、光導波路ケーブル 2のフィルム面をサブ基板 32と当接させて接着するので、光導波路ケーブル 2を広、面積で支持することができ、安定に実装することができる。また、接着により環境温度の変化による光導波路ケーブル 2の膨張又は縮小を抑える作用が得られる。これにより、光導波路ケーブル 2自体の動きを安定ィ匕させることができ、光軸ズレの防止を図ることができる。従って、環境変化に拘わらず光伝送を安定に行うことが可能となる。

[0042] また、本実施形態によれば、光軸ズレの要因は光導波路ケーブル 2と光電変換素子 31の実装面に対する位置関係のみとなるので、光導波路ケーブル 2、光電変換素子 31間の光路の光軸が一致するようにサブ基板 32の実装面に対する配置位置を予め設計しておき、製造工程ではその設計により決められた位置に各部材を正確に配置するだけで光導波路ケーブル 2及び光電変換素子 31間の光軸を一致させることができる。すなわち、ノッシブァライメントによる光路結合が可能となり、光ケーブル 1 の生産効率を向上させることができる。

[0043] 従来の構成では、スぺーサ Sによる光軸ズレの公差を含めて、光電変換素子 31を基準に個体差のある光導波路ケーブル 2の位置合わせをパッシブァライメントで行うことは難しぐ最終的にはアクティブァライメントにより位置合わせを行わなければならなかった。しかし、本実施形態によれば、スぺーサ Sに起因する光軸ズレの要因を排除することができるので、サブ基板 32上での光導波路ケーブル 2及び光電変換素子 31の配置さえ正確に行えば、パッシブァライメントによる光軸合わせが可能である。また、光電変換素子 31の高さ位置が正確ではな力つたとしても、光軸合わせには影響が無いため、バンプ 34の成形にスぺーサ Sのような高精度は要求されず、光ケーブル 1の生産性を向上させることができる。

[0044] さらに、設計により光導波路ケーブル 2の位置さえ決定しておけば、光導波路ケーブル 2を最初に実装することもできるし、光電変換素子 31を実装面との間に空間を設けるように設置した後からその空間に光導波路ケーブル 2を挿入することもでき、製造工程が限定されない。

[0045] また、バンプ 34の大きさを調整することにより、光導波路ケーブル 2の光導波路と光電変換素子 31の受発光部 31c間の距離を容易に制御することができる。これにより、光伝搬効率の最も良い距離を設定することができ、光結合の最適化を図ることができる。

[0046] また、バンプ 34を導電体で形成し、フリップチップ方式により光電変換素子 31の電極を電気的に接続することにより、従来のように電極を接続するためのワイヤ P (図 8 参照）を設ける必要がなくなった。ワイヤ Pは光導波路ケーブル 2をサブ基板 32上に搭載する際に、光導波路ケーブル 2の先端部と抵触することがあり、光路結合の妨げとなる場合があった。また、ワイヤ Pが形成するループがアンテナとなってノイズを受けやすくなるため、光電変換素子 31部分のシールドが必須であった力本実施形態では、ワイヤ Pを不要としたことによりそのような問題を解消することができる。また、バンプ 34による電気的接続を行うため、電極間の距離を短縮することができ、簡易なシ一ルドで済む。

[0047] また、光導波路ケーブル 2及び光電変換素子 31間を、光路形成材 35で満たすことにより結合光路における光の光径を制御することができる。すなわち、光導波路ケーブル 2のクラッド 22の屈折率と略同等の屈折率となるように光路形成材 35の材料を選択することにより、光径の広がりを抑えることができ、結合光路における光伝搬の損失を抑えることができる。

[0048] さらに、ワイヤ Pゃスぺーサ Sを排除したことにより、回路構成を簡素化することができ、送受信サブアセンブリ 3aの小型化、軽量ィ匕を実現することができる。また、電気接続用のノ^ド面積が素子サイズ以下となるため、図 6に示すように 2つの送受信サブアセンブリ 3aをそのサブ基板 32の背面を合わせて両面実装することが可能となり、高密度実装が実現できる。さらに、サブ基板 32を電気的回路基板に替えることも可能となる。この場合、非常に小型で高密度な光ケーブルを提供することが可能となる

[0049] また、発光素子 31a、受光素子 31bがー体となったアレイ素子を使用することも可能とである。この場合、サブ基板 32上に複数の光電変換素子 31を各々取り付ける必要がなぐ 1個のアレイ素子をサブ基板 32上に実装するだけで済むとともに、個々の光電変換素子 31についてバンプ 34を調整する必要がなくなり、生産効率が良い。産業上の利用可能性

[0050] 光通信の分野において利用することが可能であり、コア及びクラッドを有する光導波路ケーブルを用いて光通信を行う光ケーブル、送受信アセンブリに適用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 光ガイド用のコアがクラッド内に光ガイド方向に延在された光導波路ケーブルと、前記光導波路ケーブルの端部において前記コアと光結合する光電変換素子と、が同一基板上に実装された光ケーブルであって、

前記基板の実装面と前記光電変換素子との間に前記光導波路ケーブルが配置され、前記光導波路ケーブルの前記実装面からの高さに応じて前記光電変換素子の高さ位置が調整されて!ヽることを特徴とする光ケーブル。

[2] 前記光導波路ケーブルは、可撓性を有するフィルム状に形成されていることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光ケーブル。

[3] 前記光導波路ケーブルは、そのフィルム面と前記基板とが当接されて配設されていることを特徴とする請求の範囲第 2項に記載の光ケーブル。

[4] 前記光電変換素子の高さ位置は、前記光電変換素子と前記基板との間にバンプを介在させて調整されていることを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 3項の何れか一項に記載の光ケーブル。

[5] 前記バンプは、導電体力なることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の光ケーブル。

[6] 前記バンプを介して前記光電変換素子の電極の電気的接続が行われて、ることを特徴とする請求の範囲第 4項又は第 5項に記載の光ケーブル。

[7] 前記光電変換素子と前記光導波路ケーブルとの間に、光路形成材が充填されていることを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 6項の何れか一項に記載の光ケーブル

[8] 前記光路形成材は光屈折媒質からなり、その屈折率は前記クラッドの屈折率と略同等となるように選択されていることを特徴とする請求の範囲第 7項に記載の光ケーブル。

[9] 前記光電変換素子は、発光素子又は受光素子であることを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 8項の何れか一項に記載の光ケーブル。

[10] 前記発光素子は、面発光素子であることを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の光ケーブル。

[11] 光ガイド用のコアがクラッド内に光ガイド方向に延在された光導波路ケーブルの端部と、前記光導波路ケーブルの端部において前記コアと光結合する光電変換素子と、が同一基板上に実装された送受信サブアセンブリであって、

前記基板の実装面と前記光電変換素子との間に前記光導波路ケーブルが配置され、前記光導波路ケーブルの前記実装面からの高さに応じて前記光電変換素子の高さ位置が調整されていることを特徴とする送受信サブアセンブリ。

[12] 前記光導波路ケーブルは、可撓性を有するフィルム状に形成されていることを特徴とする請求の範囲第 11項に記載の送受信サブアセンブリ。

[13] 前記光導波路ケーブルは、そのフィルム面と前記基板とが当接されて配設されていることを特徴とする請求の範囲第 12項に記載の送受信サブアセンブリ。

[14] 前記光電変換素子の高さ位置は、前記光電変換素子と前記基板との間にバンプを介在させて調整されていることを特徴とする請求の範囲第 11項〜第 13項の何れか一項に記載の送受信サブアセンブリ。

[15] 前記バンプは、導電体からなることを特徴とする請求の範囲第 14項に記載の送受信サブアセンブリ。

[16] 前記バンプを介して前記光電変換素子の電極の電気的接続が行われて、ることを特徴とする請求の範囲第 14項又は第 15項に記載の送受信サブアセンブリ。

[17] 前記光電変換素子と前記光導波路ケーブルとの間に、光路形成材が充填されていることを特徴とする請求の範囲第 11項〜第 16項の何れか一項に記載の送受信サブアセンブリ。

[18] 前記光路形成材は光屈折媒質からなり、その屈折率は前記クラッドの屈折率と略同等となるように選択されていることを特徴とする請求の範囲第 17項に記載の送受信サブアセンブリ。

[19] 前記光電変換素子は、発光素子又は受光素子であることを特徴とする請求の範囲第 11項〜第 18項の何れか一項に記載の送受信サブアセンブリ。

[20] 前記発光素子は、面発光素子であることを特徴とする請求の範囲第 19項に記載の送受信サブアセンブリ。