WO2007026397A1 - 圧電共振素子及びそれを用いた圧電共振装置 - Google Patents

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WO2007026397A1
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vibration
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vibrating
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Junji Furue
Masato Murahashi
Yuuji Hata
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Kyocera Corporation
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    • H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric resonance element widely used in an oscillation circuit, a filter circuit, etc., and a piezoelectric resonance device using the same, and in particular, a piezoelectric resonance element with improved electrical characteristics by suppressing spurious and a piezoelectric using the same.
  • the present invention relates to a resonant device.
  • Piezoelectric resonant elements utilizing thickness longitudinal vibration or thickness shear vibration of a piezoelectric body are widely used in oscillation circuits, filter circuits, etc. in which the Q value as a resonator is high.
  • Piezoelectric resonant elements have a large number of different resonance peaks at different frequencies based on different vibration modes in their electrical characteristics.
  • Patent Document 1 As a conventional piezoelectric resonant element devised about suppression of a spurious, for example, one having a structure shown in FIG. 13 is known (see, for example, Patent Document 1) o
  • This piezoelectric resonant element 101 has a piezoelectric substrate 102 polarized in the thickness direction (corresponding to the direction perpendicular to the paper surface), and the center of the upper and lower surfaces of the piezoelectric substrate 102 (FIG. 13 is the top view).
  • circular vibrating electrodes 103 and 104 are formed so as to face each other with the piezoelectric substrate 102 interposed therebetween, and the third harmonic of thickness longitudinal vibration is used.
  • the diameter of the vibrating electrode 103 on the upper surface and the diameter of the vibrating electrode 104 on the lower surface are made different, whereby the fundamental wave of thickness longitudinal vibration is leaked and generated by the vibration. I try to suppress the spurious.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-134060 Disclosure of the invention
  • the conventional piezoelectric resonance element 101 described above has the problem that it is possible to suppress only the fundamental wave of thickness longitudinal vibration while applying pressure.
  • harmonics such as the fifth harmonic of thickness longitudinal vibration and vibrations other than thickness longitudinal vibration also cause spuriousness, but the above-described conventional The piezoelectric resonant element 101 can not suppress the spurious due to these vibrations.
  • An object of the present invention is to provide a piezoelectric resonant element capable of effectively suppressing a plurality of spurious emissions, and a piezoelectric resonant device using the same.
  • the piezoelectric resonance element of the present invention is a piezoelectric resonance element in which a pair of vibrating electrodes is attached to both main surfaces of a rectangular shaped piezoelectric substrate, and the pair of vibrating electrodes is the piezoelectric substrate.
  • a lead-out portion which is derived from the opposing portion in a direction parallel to one side surface of the piezoelectric substrate and in a direction opposite to each other, and in a direction orthogonal to the one side surface And an extension portion extending in a direction.
  • the extending portions extending in the opposite direction to each other in the direction orthogonal to the lead-out direction of the lead-out portion of the vibrating electrode Since it is physically formed, the spurious due to other vibration modes generated at the frequency near the resonance peak due to the third harmonic of thickness longitudinal vibration, the high order thickness longitudinal vibration mode, especially the fifth harmonic of thickness longitudinal vibration Spurs can be effectively suppressed.
  • the piezoelectric resonance element of the present invention when one extension part and the other extension part of the pair of vibrating electrodes pass through the center of the facing part when the piezoelectric substrate is viewed in plan, And it is preferable to be arranged in line symmetry with respect to a straight line parallel to the one side surface. According to this configuration, it is possible to more effectively suppress the adverse effect exerted on the third harmonic of the thickness longitudinal vibration.
  • a piezoelectric resonance device of the present invention is characterized by including the above-described piezoelectric resonance element and a capacitor element electrically connected to a vibrating electrode of the piezoelectric resonance element. It is. According to this piezoelectric resonance device, by connecting the capacitor element to the vibrating electrode of the piezoelectric resonance element described above, the spurious can be effectively suppressed in the electrical characteristics, and as a result, the oscillation frequency can be obtained. It is possible to obtain a piezoelectric resonance device with excellent characteristics that is less likely to shift.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing a piezoelectric resonant element according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view showing the piezoelectric resonant element of FIG. 1, (a) is a plan view of the piezoelectric resonant element of FIG. 1 viewed from the top side, (b) is a cross section along line A-A of FIG. Figure, (c) is a cross-sectional view taken along the line B-B in Figure 1
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing a piezoelectric resonant element according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view schematically showing a piezoelectric resonator according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing a piezoelectric resonant element according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view schematically showing a piezoelectric resonant element according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing a piezoelectric resonant element according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a longitudinal sectional view schematically showing a piezoelectric resonance device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view schematically showing the piezoelectric resonance device of FIG.
  • FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of the piezoelectric resonance device of FIG.
  • FIG. 11 is a graph showing the electrical characteristics of the piezoelectric resonance device.
  • A is a graph showing the electrical characteristics of the piezoelectric resonance device of the present invention
  • b shows the electrical characteristics of the conventional piezoelectric resonance device. Showing Dora It is f.
  • Figure 12 shows the level difference between the resonance peak due to the third harmonic wave and the resonance peak due to the fifth harmonic wave due to the change in capacitance between the vibrating electrodes 12c and 13c. It is a graph showing the change.
  • FIG. 13 is a plan view schematically showing a conventional piezoelectric resonance element.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing a piezoelectric resonant element according to an embodiment of the present invention.
  • 2 (a) is a plan view of the piezoelectric resonant element of FIG. 1 viewed from the top side
  • FIG. 2 (b) is a sectional view taken along line A-A of FIG. 1
  • FIG. 2 (c) is a line B-B of FIG. FIG.
  • the piezoelectric resonant element 10 has upper and lower substantially rectangular main surfaces.
  • a pair of vibrating electrodes 12 and 13 is attached to both main surfaces of the piezoelectric substrate 11 so that a part thereof is opposed via the piezoelectric substrate 11.
  • the piezoelectric substrate 11 is a rectangular parallelepiped substrate made of a piezoelectric ceramic material such as lead zirconate titanate or lead titanate, or a piezoelectric single crystal material such as lithium niobate or the like, and polarized in the thickness direction It is done.
  • the piezoelectric substrate 11 is a ceramic material
  • a method of adding a binder to the raw material powder and pressing it, or mixing and drying the raw material powder with water and a dispersing agent using a ball mill, a binder, a solvent and a plasticizer Etc. and made into a sheet by a method such as molding by a doctor blade method, and then fired at a peak temperature of 1100 ° C. to 1400 ° C. for several 10 minutes to several hours to form a substrate for example,
  • a polarization treatment by applying a voltage of 3 to 15 kVZ mm at a temperature of 60 to 150 ° C. in the thickness direction, a piezoelectric substrate 11 having desired piezoelectric characteristics is obtained.
  • the piezoelectric substrate 11 is made of a piezoelectric single crystal material
  • desired piezoelectric characteristics are obtained by cutting an ingot (base material) of the piezoelectric single crystal material to be the piezoelectric substrate 11 so as to have a predetermined crystal direction.
  • the piezoelectric substrate 11 is obtained.
  • the piezoelectric resonance element 10 of the present embodiment utilizes a resonance peak resulting from the vibration of a thickness-longitudinal triple wave.
  • the vibrating electrode 12 includes a facing portion 12a facing the vibrating electrode 13, a lead-out portion 12b which is led from the facing portion 12a and is provided for electrical connection with the outside, and an extending portion 12 extended from the facing portion 12a. and c.
  • the vibrating electrode 13 includes a facing portion 13a that faces the vibrating electrode 12, a lead-out portion 13b that is led from the facing portion 13a and is used for electrical connection with the outside, and a facing portion 13a. And the output portion 13c.
  • the extending portions 12 c and 13 c are parallel to the short side of the main surface of the piezoelectric substrate 11 from the center X of the facing region of the vibrating electrodes 12 and 13 when the piezoelectric substrate 11 is viewed in plan. It is extended from the opposing parts 12a and 13a in opposite directions.
  • the spurious level of the piezoelectric resonance element 10 can be effectively reduced. It is considered that this is because the mass addition effect of the extending portions 12c and 13c formed in the non-facing regions of the vibrating electrodes 12 and 13 attenuates unnecessary vibration present in the non-facing regions.
  • the vibration of the thickness-longitudinal third wave is used, and this vibration is generated simultaneously with the force substantially confined in the opposing region of the vibrating electrodes 12 and 13.
  • the vibration of other modes such as the fundamental wave and the fifth harmonic wave also exists in the non-opposing area of the vibrating electrodes 12 and 13, and the mass addition effect of the extension parts 12c and 13c formed in the non-opposing area It is thought that the vibration of modes other than the present 3rd harmonic can be attenuated and the level of the resulting spurious can be reduced.
  • the inventors of the present application conducted a simulation using the finite element method and analyzed the vibration distribution of the vibration causing the spurious generated at the frequency near the resonance peak due to the vibration of the thickness-longitudinal third harmonic.
  • the region where the amplitude of the vibration causing the spurious is large is from the center X of the opposing region of the vibrating electrodes 12 and 13 to the direction parallel to the short side of the main surface of the piezoelectric substrate 11. It was found that 13 opposing area forces were present in the protruding part. From this, it can be seen that the level of spurious can be particularly effectively reduced by forming the extending portions 12c and 13c in the portions where the opposing area forces of the vibrating electrodes 12 and 13 also protrude.
  • the capacitance between the vibrating electrodes 12 and 13 can be further increased as compared with the case where the extension parts 12c and 13c are not formed. This makes it possible to attenuate high-order thickness longitudinal vibration modes, in particular, the fifth harmonic of thickness longitudinal vibration, and reduce the level of spurious caused thereby.
  • the capacitance between the vibrating electrodes 12 and 13 there is also a method of increasing the area of the facing region of the vibrating electrodes 12 and 13, but the increase of the area of the facing region is unnecessary to cause the spurious. Unfavorably because it causes an increase in vibration.
  • the increase of the capacitance between the vibrating electrodes 12 and 13 is brought about also by the lead-out portions 12 b and 13 b, there is also a limitation.
  • the formation of the extension portions 12 c and 13 c allows the capacitance between the vibrating electrodes 12 and 13 to be increased without increasing the area of the opposing region of the vibrating electrodes 12 and 13. It is possible to increase the size, and to reduce the level of high order thickness longitudinal vibration modes, in particular, the spurious due to the fifth harmonic of thickness longitudinal vibration.
  • the extension portions 12 c and 13 c are straight lines parallel to the long side of the main surface of the piezoelectric substrate 11, passing through the center X of the opposing regions of the vibrating electrodes 12 and 13 when the piezoelectric substrate 11 is viewed in plan. It is preferable to arrange them in line symmetry with respect to 2 (a) (C 1 C line). In this case, the mass distribution and the electric field distribution of the electrode with respect to the center of vibration of the thickness-longitudinal third harmonic existing in the opposing region of the vibrating electrodes 12 and 13 are targeted, effectively preventing the adverse effect on the vibration can do.
  • extension portions 12c and 13c are straight lines parallel to the short side of the main surface of the piezoelectric substrate 11 passing through the center X of the facing region of the vibrating electrodes 12 and 13 when the piezoelectric substrate 11 is viewed in plan. It is preferable to make the shape axisymmetric with the center line of line D-D in Fig. 2 (a). By forming the extension parts 12c and 13c in such a shape, it is possible to more effectively prevent the adverse effect on the vibration of the third harmonic having a thickness and height.
  • metals of good conductivity such as gold, silver, copper, chromium, nickel, tin, lead, aluminum and the like are used. It is formed by a PVD method such as vapor deposition, a sputtering method, or coating and baking by a thick film printing method.
  • FIGS. 1-10 Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In these embodiments, only differences from the above-described embodiments will be described, and the same reference numerals will be used for similar components to omit redundant descriptions.
  • FIGS. 3 and 4 are plan views of a piezoelectric resonance element showing an example of a vibrating electrode pattern in which the shape of the extension part is changed.
  • the region where the amplitude of the vibration causing the spurious generated at the frequency near the resonance peak due to the thickness-longitudinal third harmonic vibration is large is from the center X of the opposing region of the vibrating electrodes 12 and 13 to the main of the piezoelectric substrate 11 It exists in the extension parts 12c and 13c which protruded from the opposing area
  • the extending portions 12c and 13c have a triangular shape whose one side is a side parallel to the long side of the main surface of the piezoelectric substrate 11 of the opposing portions 12a and 13a. Or, in the case of FIG. 4, it is a rectangular shape which extended from a part of one side parallel to the long side of the main surface of the piezoelectric substrate 11 of opposing part 12a, 13a. The level of the spurious can be suppressed also by the extension portions 12c and 13c having such shapes.
  • FIG. 5 is a plan view of a piezoelectric resonance element showing an example of a vibrating electrode pattern in which the widths of the lead-out portions 12b and 13b are extended to the extension portions 12c and 13c.
  • FIGS. 6 and 7 are plan views of the piezoelectric resonance element showing an example of a vibrating electrode pattern in which the shapes of the lead-out portions 12 b and 13 b are changed.
  • FIG. 8 is a longitudinal sectional view schematically showing a piezoelectric resonance device 1 in which a piezoelectric resonator with built-in capacity is formed by electrically and mechanically connecting the piezoelectric resonance element 10 and the capacitor element 20 described above.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view of the piezoelectric resonance device of FIG. 8, and FIG. 10 is an equivalent circuit diagram thereof.
  • the piezoelectric resonance device 1 shown in these figures mainly includes a piezoelectric resonance element 10 and a capacitor element 20.
  • the sealing substrate 3 lb is bonded to the upper surface side of the piezoelectric resonance element 10 via the frame 41 b so that the vibration space 51 b is formed, and the vibration space 51 a is formed on the lower surface side of the piezoelectric resonator 10.
  • the sealing substrate 31a is joined via the frame 41a so as to be connected.
  • capacitor element 20 is formed of a dielectric substrate 21, internal electrodes 22 (22a, 22b), and external terminal electrodes 23 (23a, 23b, 23c).
  • external terminal electrodes 23a, 23b and 23c are formed on the upper surface of the dielectric substrate 21 and on the lower surface of the dielectric substrate 21 with the internal electrodes 22a and 22b, respectively.
  • Each external terminal electrode is disposed such that a predetermined capacitance is formed between the external terminal electrodes 23a and 23c and between the external terminal electrodes 23b and 23c.
  • the dielectric substrate 21 is a rectangular substrate which is also made of a ferroelectric ceramic material such as lead zirconate titanate (PZT), lead titanate (PT), or barium titanate (BT).
  • This dielectric substrate 21 is a method of adding a binder to the raw material powder and pressing it, or mixing the raw material powder with water and a dispersing agent using a ball mill and drying, adding a binder, a solvent, a plasticizer, etc.
  • a sheet is prepared by a method such as molding, and the sheet is fired at a peak temperature of 1100 to 1400 ° C. for several tens of minutes to several hours.
  • the internal electrodes 22 and the external terminal electrodes 23 formed on the upper and lower surfaces of the dielectric substrate 21 are formed by the same material and method as the vibrating electrodes 12 and 13, and nickel plating is further performed on the surface of the external terminal electrodes 23. And tin plating is applied.
  • the sealing substrate 31 (31a, 31b) has a function of forming a vibration space 51 (51a, 51b) together with the frame 41 (41a, 41b) to protect the vibration region of the piezoelectric substrate 11.
  • the length and width thereof are substantially the same as the length and width of the piezoelectric substrate 11, and the thickness varies depending on the material, but is set, for example, to several tens of ⁇ m to several mm.
  • engineering plastics such as polybutylene terephthalate (PBT) and heat-resistant resins such as liquid crystal polymers and epoxy resins can be used.
  • the content of glass fiber is 30 to 80%.
  • Polyimide and epoxy resin are preferably used. In that case, while maintaining a pressure of 0.2 MPa to 5 MPa in a vacuum of 100 Pa or less and holding at a temperature of 180 ° C. to 200 ° C. for 40 minutes to 90 minutes, it is possible to achieve good bonding. .
  • the frame 41 has a function of forming the vibration space 51 together with the sealing substrate 31 and is made of a thermosetting resin such as an epoxy resin. It is formed by applying to a substrate 11, drying and curing at 80 ° C to 200 ° C. In addition, in order to adjust the viscosity and thermal expansion coefficient of the frame 41, a filler made of an inorganic material such as silicon oxide may be included.
  • the frame 41 is formed not in contact with the facing portions 12a and 13a of the vibrating electrode and in contact with the extending portions 12c and 13c of the vibrating electrode. As a result, it is possible to further suppress the vibration that causes the spurious that hardly affects the vibration of the third harmonic with thickness which is confined in the opposing portion of the vibrating electrodes 12 and 13.
  • the piezoelectric resonant element 10 and the capacitor element 20 are electrically connected by an external connection electrode (not shown).
  • the external connection electrode is formed, for example, by applying a conductive epoxy resin to the side surfaces of the piezoelectric substrate 11 and the dielectric substrate 21 by a conventionally known thick film printing method, and then heating and curing at 80 ° C. to 250 ° C. It is formed by
  • the vibrating electrode 12, the internal electrode 22a and the external terminal electrode 23a are connected to each other by the external connection electrode, and the vibrating electrode 13, the internal electrode 22b and the external terminal electrode 23b are other They are connected to each other by external connection electrodes.
  • Such a piezoelectric resonance element 10, an electrostatic capacitance cl formed between the external terminal electrodes 23a and 23c, and an electrostatic capacitance c2 formed between the external terminal electrodes 23b and 23c are shown in FIG.
  • the built-in capacity type piezoelectric resonator shown in FIGS. 8 to 10 was manufactured on an experimental basis and its electrical characteristics were measured.
  • the material of the piezoelectric substrate 11 is lead titanate, and the shape is 2.5 mm long ⁇ 2. O mm ⁇ thickness 0.31 mm, and the upper and lower surfaces thereof are formed by sputtering the vibrating electrodes 12 and 13 which also have a chromium base and silver power. did.
  • the shape of the vibrating electrodes the shape of the vibrating portions 12a and 13a is 0.6 mm in length ⁇ 0.5 mm in width, and the shape of the lead-out portions 12b and 13b is 0.95 mm in height ⁇ 0.5 mm in width
  • the shape of the vertical axis is 0.6 mm ⁇ X 0.45 mm.
  • the material of dielectric substrate 21 is barium titanate, and the shape is 2.5 mm in length and 2.5 mm in width.
  • the internal electrode 22 and the external terminal electrode 23 were formed by applying and baking a conductive paste mainly composed of silver on the upper and lower surfaces of X thickness 0.16 mm. Nickel plating and tin plating were further applied to the surface of the external terminal electrode 23.
  • the vertical force is also sandwiched by the sealing substrate 31 made of glass fiber-containing polyimide resin, and the capacitor element from the bottom. 20, and then hold it at a temperature of 180 ° C for 60 minutes while applying a pressure of 0.5 MPa in a vacuum of lOOPa for 60 minutes to cure and bond it, and then to the side surface of the piezoelectric substrate 11 or the dielectric substrate 21
  • the piezoelectric resonance device 1 was manufactured by forming the external connection electrode by applying and curing a conductive paste containing silver as a main component.
  • piezoelectric resonance device was manufactured in the same manner as the above example except that the extension portions 12 c and 13 c were not formed for comparison.
  • FIG. 11 (a) is a graph showing the electrical characteristics of the piezoelectric resonance device 1 of the present invention manufactured as described above.
  • FIG. 11 (b) is a graph showing the electrical characteristics of the comparative example.
  • the horizontal axis of each graph represents frequency (MHz), and the vertical axis represents impedance (solid line) and phase shift (dotted line).
  • the scale of the vertical axis is a relative scale. Comparing FIG. 11 (a) with FIG. 11 (b), the piezoelectric resonance device of the present invention has a resonance peak (point A and point B in the impedance characteristic) due to the vibration of the thickness-longitudinal tripled wave. It can be seen that the spurious peaks (point C, point D in the impedance characteristic, and point E in the phase characteristic) present on the slightly higher frequency side are suppressed, resulting in good electrical characteristics.
  • the capacitance between the vibrating electrodes 12 and 13 is gradually increased by gradually increasing the area of the extension portions 12c and 13c, and the level of the resonance peak due to the vibration of the thickness-longitudinal triple wave in each of them;
  • the horizontal axis of the graph shown in FIG. 12 represents the electrostatic capacitance AC newly added by the extension parts 12c and 13c, and the capacitance C between the vibrating electrodes 12 and 13 before the formation of the extension parts 12c and 13c.
  • the value is the value divided by 0, and the vertical axis is the difference between the PZV value at the resonance peak due to the third harmonic wave thickness vibration and the PZV value at the resonance peak due to the fifth harmonic wave thickness vibration. is there.
  • the vibration of the thickness-longitudinal fifth harmonic is a spurious response to the resonance peak due to the vibration of the thickness-longitudinal triple wave. It is desirable that the resonance peak due to is smaller. In particular, the difference between the two is 14 dB or more, and the value of ACZC is
  • the extension parts 12c and 13c are plan views of the piezoelectric substrate 11, the center parts of the main surface of the piezoelectric substrate 11 pass through the center X of the facing region of the vibrating electrodes 12 and 13.
  • An example is shown that is arranged symmetrically about a straight line parallel to the long side (C1-C line in FIG. 2 (a)) as a center line, but this is not necessarily required.
  • the extension parts 12c and 13c extending in the opposite direction from the center X of the opposite area in the opposite direction in the direction orthogonal to the one side are provided in the non-opposite area of It can be suppressed.
  • the extension parts 12c and 13c are plan views of the piezoelectric substrate 11, the center parts of the main surface of the piezoelectric substrate 11 pass through the center X of the opposing region of the vibrating electrodes 12 and 13.
  • An example is shown in which the shape is symmetrical about a straight line parallel to the short side (D-D in FIG. 2 (a)) as a center line, but it is not always necessary to arrange as such.
  • the extending portions 12c and 13c extending in the opposite direction from the center X of the opposite area in the opposite direction in the direction orthogonal to the one side are provided in the opposite area, the spurious is effectively suppressed. be able to.

Abstract

　スプリアスが抑圧された電気特性の優れた圧電共振素子を提供する。矩形状の圧電基板１１の両主面に一対の振動電極１２，１３を被着させてなる圧電共振素子１０であって、両振動電極１２，１３の非対向領域に、前記対向領域の中心Ｘより外方に向かって相反する方向に延出された延出部１２ｃ，１３ｃを設ける。

Description

明 細 書
圧電共振素子及びそれを用いた圧電共振装置
技術分野
[0001] 本発明は、発振回路やフィルタ回路などに広く用いられる圧電共振素子及びそれ を用いた圧電共振装置に関し、特にスプリアスを抑圧して電気特性を改善した圧電 共振素子及びそれを用いた圧電共振装置に関するものである。
背景技術
[0002] 圧電体の厚み縦振動や、厚み滑り振動などを利用した圧電共振素子は、共振器と しての Q値が高ぐ発振回路やフィルタ回路などに広く用いられている。
圧電共振素子は、その電気特性において異なる振動モードに基づぐ周波数の異 なる共振ピークを多数有して 、る。
スプリアス (所望の振動以外の振動による周波数応答）が抑圧されて 、な ヽ圧電共 振素子を発振回路に使用すると、発振周波数が意に反してスプリアスの存在する周 波数にシフトしてしまう問題が生じやすくなり、また、フィルタ回路に使用すると、通過 帯域外減衰量の不足が生じやす 、。
[0003] よって、圧電共振素子においては、スプリアスを如何に抑圧するかが電気特性向上 のポイントとなり、従来から種々の検討がなされてきた。
スプリアスの抑圧について工夫された従来の圧電共振素子としては、例えば図 13 に示す構造のものが知られている（例えば、特許文献 1参照。 ) o
この圧電共振素子 101は、厚み方向（紙面に垂直な方向に相当）に分極された圧 電基板 102を有し、その圧電基板 102の上下面（図 13は上面を見て 、る）の中央部 に、圧電基板 102を挟んで互いに対向するように円形の振動電極 103、 104が形成 されており、厚み縦振動の 3倍波を利用している。また、上述した圧電共振素子 101 は、上面の振動電極 103の径と下面の振動電極 104の径とを異ならせてあり、これに よって厚み縦振動の基本波を漏洩させて、その振動によって生じるスプリアスを抑圧 するようにしている。
特許文献 1：特開 2000— 134060号公報 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] し力しながら、上述した従来の圧電共振素子 101にお 、ては、厚み縦振動の基本 波しか抑圧できな 、と 、う問題があった。
例えば、厚み縦振動の 3倍波を利用した圧電共振素子の場合は、厚み縦振動の 5 倍波などの高調波や、厚み縦振動以外の振動もスプリアスの原因となるが、上述した 従来の圧電共振素子 101では、これらの振動によるスプリアスを抑圧することができ なかった。
[0005] 本発明の目的は、複数のスプリアスを有効に抑圧することが可能な圧電共振素子 及びそれを用いた圧電共振装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0006] 本発明の圧電共振素子は、矩形状をなす圧電基板の両主面に、一対の振動電極 を被着させてなる圧電共振素子であって、前記一対の振動電極は、前記圧電基板を 介して互いに対向する対向部と、前記対向部から前記圧電基板の一側面と平行な 方向で、且つ互いに反対方向に導出される導出部と、前記一側面と直交する方向で 、且つ互いに反対方向に延出される延出部と、を含んで形成されることを特徴とする ものである。
[0007] この構成によれば、一対の振動電極の非対向領域に、振動電極の導出部の導出 方向と直交する方向で、且つ互いに反対方向に延出された延出部を振動電極と一 体的に形成したことから、厚み縦振動の 3倍波による共振ピークの近傍の周波数に 生じる他の振動モードによるスプリアスや、高次の厚み縦振動モード、特に厚み縦振 動の 5倍波によるスプリアスを有効に抑圧することができる。
[0008] また、本発明の圧電共振素子は、前記一対の振動電極の一方の延出部と他方の 延出部とが、前記圧電基板を平面視した際、前記対向部の中心を通り、且つ前記一 側面と平行な直線に対し、線対称に配置されていることが好ましい。この構成によれ ば、厚み縦振動の 3倍波に与える悪影響をさらに有効に抑えることができる。
そして、本発明の圧電共振装置は、上述した圧電共振素子と、該圧電共振素子の 振動電極に電気的に接続されるコンデンサ素子とを含んで成ることを特徴とするもの である。この圧電共振装置によれば、上述した圧電共振素の振動電極にコンデンサ 素子を接続して構成することにより、その電気特性においてスプリアスが効果的に抑 圧されるようになり、その結果、発振周波数のシフトが生じにくい、優れた特性の圧電 共振装置が得られる。
[0009] 本発明における上述の、又はさらに他の利点、特徴及び効果は、添付図面を参照 して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
図面の簡単な説明
[0010] [図 1]図 1は、本発明の一実施形態に係る圧電共振素子を模式的に示す斜視図であ る。
[図 2]図 2は図 1の圧電共振素子を示す図であり、 (a)は図 1の圧電共振素子を上面 側から見た平面図、（b)は図 1の A— A線断面図、（c)は図 1の B— B線断面図である
[図 3]図 3は、本発明の他の形態に係る圧電共振素子を模式的に示す平面図である
[図 4]図 4は、本発明の更に他の形態の圧電共振素子を模式的に示す平面図である
[図 5]図 5は、本発明の更に他の形態の圧電共振素子を模式的に示す平面図である
[図 6]図 6は、本発明の更に他の形態の圧電共振素子を模式的に示す平面図である
[図 7]図 7は、本発明の更に他の形態の圧電共振素子を模式的に示す平面図である
[図 8]図 8は、本発明の一実施形態に係る圧電共振装置を模式的に示す縦断面図で ある。
[図 9]図 9は、図 8の圧電共振装置を模式的に示す分解斜視図である。
[図 10]図 10は、図 8の圧電共振装置の等価回路図である。
[図 11]図 11は圧電共振装置の電気特性を示すグラフであり、 (a)は本発明の圧電共 振装置の電気特性を示すグラフ、 (b)は従来の圧電共振装置の電気特性を示すダラ フである。
[図 12]図 12は、振動電極 12c、 13c間の静電容量の変化による、厚み縦 3倍波の振 動による共振ピークと、厚み縦 5倍波の振動による共振ピークとのレベル差の変化を 示すグラフである。
[図 13]図 13は、従来の圧電共振素子を模式的に示す平面図である。
符号の説明
[0011] 1 圧電共振装置
10 圧電共振素子
11 圧電基板
12、 13 振動電極
12aゝ 13a 対向咅
12b、 13b 導出部
12c、 13c 延出部
20 コンデンサ素子
21 誘電体基板
22a, 22b 内部電極
23a, 23b、 23c 外部端子電極
31a、 31b 封止基板
41a, 41b 枠体
51a, 51b 振動空間
発明を実施するための最良の形態
[0012] 以下、本発明の圧電共振素子を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図 1は本発明の一実施形態に係る圧電共振素子を模式的に示す斜視図である。 図 2 (a)は図 1の圧電共振素子を上面側から見た平面図、図 2 (b)は図 1の A— A線 断面図、図 2 (c)は図 1の B— B線断面図である。
圧電共振素子 10は、略長方形の主面を上下に有する。圧電基板 11の両主面に、 圧電基板 11を介してその一部が対向するように一対の振動電極 12、 13を被着した 構造を有している。 [0013] 圧電基板 11は、チタン酸ジルコン酸鉛やチタン酸鉛等の圧電セラミック材料や、水 晶ゃニオブ酸リチウム等の圧電単結晶材料力 成る直方体状の基板であり、厚み方 向に分極されている。なお、圧電基板 11がセラミック材料力 成る場合は、原料粉末 にバインダを加えてプレスする方法、或いは、原料粉末を水、分散剤と共にボールミ ルを用いて混合及び乾燥し、バインダ、溶剤、可塑剤等を加えてドクターブレード法 により成型する方法などによってシート状と成し、次に、 1100°C〜1400°Cのピーク 温度で数 10分〜数時間焼成して基板を形成した後、例えば、厚み方向に 60〜150 °Cの温度にて 3〜15kVZmmの電圧をかけて分極処理を施すことによって所望の圧 電特性を有した圧電基板 11が得られる。また、圧電基板 11が圧電単結晶材料から 成る場合は、圧電基板 11となる圧電単結晶材料のインゴット (母材)を所定の結晶方 向となるように切断することにより、所望の圧電特性を有した圧電基板 11が得られる。
[0014] このような圧電共振素子 10に被着された振動電極 12、 13に交流電圧を印加すると 、圧電効果によって種々の振動が励振され、それぞれの振動に起因する共振ピーク が周波数特性上に現れる。本実施形態の圧電共振素子 10は、厚み縦 3倍波の振動 に起因する共振ピークを利用したものである。
振動電極 12は、振動電極 13に対向する対向部 12aと、対向部 12aから導出されて 外部との電気的接続に供される導出部 12bと、対向部 12aから延出された延出部 12 cと、を含んで構成される。振動電極 13は、振動電極 12に対向する対向部 13aと、対 向部 13aから導出されて外部との電気的接続に供される導出部 13bと、対向部 13a 力ゝら延出された延出部 13cと、を含んで構成されている。
[0015] ここで、延出部 12c、 13cは、圧電基板 11を平面視した際の振動電極 12、 13の対 向領域の中心 Xから、圧電基板 11の主面の短辺と平行で且つ相反する方向に向か つて、対向部 12a、 13aより延出されている。このような延出部 12c、 13cを振動電極 1 2、 13に設けることにより、圧電共振素子 10のスプリアスのレベルを有効に低減する ことができる。これは、振動電極 12、 13の非対向領域に形成された延出部 12c、 13c の質量付加効果によって、非対向領域に存在する不要な振動が減衰させられるため と考えられる。すなわち本実施形態の場合、厚み縦 3倍波の振動を利用しており、こ の振動は振動電極 12と 13の対向領域にほぼ閉じ込められている力 同時に発生す る基本波や 5倍波など他のモードの振動は振動電極 12と 13の非対向領域にも存在 し、その非対向領域に形成された延出部 12c、 13cの質量付加効果によって、そこに 存在する厚み縦 3倍波以外のモードの振動を減衰させ、それに起因するスプリアスの レベルを低減することができるものと考えられる。
[0016] 本願発明者は、有限要素法を用いたシミュレーションを行い、厚み縦 3倍波の振動 による共振ピークの近傍の周波数に発生するスプリアスの原因となる振動の振動分 布を解析した。その結果、スプリアスの原因となる振動の振幅の大きい領域が、振動 電極 12、 13の対向領域の中心 Xから、圧電基板 11の主面の短辺に平行な方向に 向かって、振動電極 12、 13の対向領域力 突出した部分に存在することを見出した 。このことにより、振動電極 12、 13の対向領域力も突出した部分に延出部 12c、 13c を形成することによって、スプリアスのレベルを特に有効に低減できることが判る。
[0017] また、延出部 12c、 13cを形成することによって、延出部 12c、 13cを形成しない場 合と比較して、振動電極 12、 13間の静電容量をより大きくすることができ、それによつ て高次の厚み縦振動モード、特に厚み縦振動の 5倍波を減衰させ、それに起因する スプリアスのレベルを低減することが可能となる。振動電極 12、 13間の静電容量を大 きくするためには、振動電極 12、 13の対向領域の面積を増加させる方法もあるが、 対向領域の面積の増加は、スプリアスの原因となる不要振動の増大をもたらすので 好ましくない。また、導出部 12b、 13bによっても振動電極 12、 13間の静電容量の増 カロがもたらされるが、それにも限界があった。本実施形態の圧電共振素子 10におい ては、延出部 12c、 13cを形成することにより、振動電極 12、 13の対向領域の面積を 増大させることなく振動電極 12、 13間の静電容量を大きくすることができ、高次の厚 み縦振動モード、特に厚み縦振動の 5倍波によるスプリアスのレベルを低減すること が可能となる。
[0018] 延出部 12cと 13cは、圧電基板 11を平面視した際に、振動電極 12、 13の対向領 域の中心 Xを通り圧電基板 11の主面の長辺に平行な直線（図 2 (a)の C一 C線）に対 して線対称に配置させることが好ましい。この場合、振動電極 12、 13の対向領域に 存在する厚み縦 3倍波の振動の中心に対して電極の質量分布及び電界分布が対象 となり、厚み縦 3倍波の振動に対する悪影響を有効に防止することができる。 [0019] また、延出部 12c及び 13cは、圧電基板 11を平面視した際に、振動電極 12、 13の 対向領域の中心 Xを通り圧電基板 11の主面の短辺と平行な直線（図 2 (a)の D— D 線)を中心線として線対称な形状とすることが好ましい。延出部 12c、 13cをこのような 形状になすことで厚み縦 3倍波の振動に対する悪影響をより有効に防止することがで きる。
[0020] なお、振動電極 12、 13の材質としては、金、銀、銅、クロム、ニッケル、錫、鉛、アル ミニゥム等の良導電性の金属が用いられ、これらの金属を従来周知の真空蒸着など の PVD法やスパッタリング法、或 、は厚膜印刷法による塗布及び焼き付けなどにより 形成される。
次に本発明の他の実施形態について図 3〜図 7を用いて説明する。なお、これらの 実施形態においては前述した実施形態と異なる点についてのみ説明し、同様の構 成要素については同一の参照符を用いて重複する説明を省略するものとする。
[0021] 図 3及び図 4は、延出部の形状を変更した振動電極パターンの例を示す圧電共振 素子の平面図である。
厚み縦 3倍波の振動による共振ピークの近傍の周波数に発生するスプリアスの原 因となる振動の振幅が大きい領域が、振動電極 12、 13の対向領域の中心 Xから、圧 電基板 11の主面の短辺と平行な方向に向かって、振動電極 12、 13の対向領域から 突出した延出部 12c、 13cに存在する。
[0022] 延出部 12c, 13cの形状は、図 3の場合、対向部 12a, 13aの、圧電基板 11の主面 の長辺と平行な一辺を底辺とする三角状である。又は、図 4の場合、対向部 12a, 13 aの、圧電基板 11の主面の長辺と平行な一辺の一部から延びた矩形状である。この ような形状の延出部 12c、 13cによっても、当該スプリアスのレベルを抑えることができ る。
[0023] また図 5は、導出部 12b、 13bの幅を、延出部 12c, 13cにまで広げた振動電極パ ターンの例を示す圧電共振素子の平面図である。
この図 5の形状の振動電極 12、 13においては、振動電極 12、 13間の静電容量が 更に大きくなるため、高次の厚み縦振動モード、特に厚み縦振動の 5倍波を更に減 衰させ、それに起因するスプリアスのレベルを更に低減することが可能となる。 [0024] 更に図 6及び図 7は、導出部 12b、 13bの形状を変更した振動電極パターンの例を 示す圧電共振素子の平面図である。
これらの図に示すように、導出部 12b、 13cは必ずしも圧電基板 11の主面の短辺に 導出される必要はなぐ途中で向きを変えて長辺に導出するようにしても構わない。 また更に図 8は、前述した圧電共振素子 10とコンデンサ素子 20とを電気的及び機 械的に接続して容量内蔵型圧電共振子を構成した圧電共振装置 1を模式的に示す 縦断面図であり、図 9は図 8の圧電共振装置の分解斜視図であり、図 10はその等価 回路図である。
[0025] これらの図に示す圧電共振装置 1は、主に圧電共振素子 10とコンデンサ素子 20と から構成されている。
圧電共振素子 10の上面側には、振動空間 51bが形成されるように枠体 41bを介し て封止基板 3 lbが接合され、圧電共振子 10の下面側には、振動空間 51aが形成さ れるように枠体 41aを介して封止基板 31aが接合されている。
[0026] 一方、コンデンサ素子 20は、誘電体基板 21、内部電極 22 (22a、 22b)及び外部 端子電極 23 (23a、 23b、 23c)とカゝら構成されている。具体的には、誘電体基板 21 の上面に内部電極 22a、 22b力 誘電体基板 21の下面に外部端子電極 23a、 23b、 23cがそれぞれ形成されている。各外部端子電極は、外部端子電極 23aと 23cとの 間、及び外部端子電極 23bと 23cとの間に所定の静電容量が形成されるようにして 配置されている。
[0027] 誘電体基板 21は、チタン酸ジルコン酸鉛 (PZT)やチタン酸鉛 (PT)、チタン酸バリ ゥム（BT)などの強誘電体セラミック材料力も成る四角形状の基板である。この誘電 体基板 21は、原料粉末にバインダを加えてプレスする方法、或いは、原料粉末を水 ,分散剤とともにボールミルを用いて混合及び乾燥し、ノ インダ，溶剤，可塑剤等を 加えてドクターブレード法により成型する方法などによってシートを作成し、そのシー トを 1100〜1400°Cのピーク温度で数 10分〜数時間焼成することにより形成される。
[0028] 誘電体基板 21の上下面に形成された内部電極 22及び外部端子電極 23は、振動 電極 12、 13と同様の材料及び方法で形成され、外部端子電極 23の表面には更に ニッケルメツキ及び錫メツキが施されて 、る。 封止基板 31 (31a, 31b)は、枠体 41 (41a, 41b)と共に振動空間 51 (51a, 51b) を形成して圧電基板 11の振動領域を保護する機能を有する。その縦'横の長さは圧 電基板 11の縦'横の長さと略同一であり、厚みは材料によって異なるが、例えば、数 10 μ m〜数 mmに設定される。このような封止基板 31の材料としてはポリブチレンテ レフタレート（PBT)等のエンジニアリングプラスチックや、液晶ポリマーやエポキシ系 榭脂等の耐熱性榭脂が使用でき、特にガラス繊維の含有量が 30〜80%のポリイミド 榭脂ゃエポキシ榭脂が好適に使用される。その場合、 lOOPa以下の真空中にて 0. 2MPa〜5MPaの圧力をカ卩えながら 180°C〜200°Cの温度で 40分〜 90分保持して 硬化させると良好に接合することができる。
[0029] 枠体 41は、封止基板 31とともに振動空間 51を形成する機能を有し、エポキシ系榭 脂等の熱硬化性榭脂など力 なり、例えば、従来周知の厚膜印刷法により圧電基板 11に塗布し、 80°C〜200°Cで乾燥及び硬化することによって形成される。また、枠 体 41の粘度や熱膨張係数を調節するために、酸化珪素等の無機質材料から成るフ イラ一を含有するようにしてもょ ヽ。
[0030] ここで、枠体 41は、振動電極の対向部 12a、 13aには接触させず、且つ、振動電極 の延出部 12c、 13cに接触させて形成するのが望ましい。それによつて、振動電極 1 2、 13の対向部に閉じ込められている厚み縦 3倍波の振動には殆ど影響を与えること なぐスプリアスの原因となる振動を更に抑圧することが可能となる。
そして、圧電共振素子 10とコンデンサ素子 20とが外部接続電極（図示せず）によつ て電気的に接続されている。外部接続電極は、例えば、導電性エポキシ榭脂を従来 周知の厚膜印刷法などによって圧電基板 11や誘電体基板 21の側面などに塗布し た後、 80°C〜250°Cで加熱'硬化させることによって形成される。
[0031] 上述した圧電共振装置 1においては、振動電極 12、内部電極 22a及び外部端子 電極 23aが、外部接続電極により互いに接続され、振動電極 13、内部電極 22b及び 外部端子電極 23bが、他の外部接続電極により互いに接続されて 、る。
このような圧電共振素子 10と、外部端子電極 23aと 23cとの間に形成される静電容 量 clと、外部端子電極 23bと 23cとの間に形成される静電容量 c2とで、図 10の等価 回路図に示される容量内蔵型圧電共振子が構成される。 [0032] 力かる圧電共振装置 1においては、スプリアスが効果的に抑圧された圧電共振素 子 10と、その振動電極に電気的に接続されるコンデンサ素子 20とを含んで構成され ることから、発振周波数のシフトが生じにくい、特性の優れた圧電共振装置 1が得ら れる。
実施例
[0033] 本発明の作用効果を確認するために、図 8〜図 10に示した容量内蔵型圧電共振 子を試作してその電気特性を測定した。
圧電基板 11の材質はチタン酸鉛、形状は縦 2. 5mm X横 2. Omm X厚み 0. 31m mとし、その上下面にクロムの下地と銀力もなる振動電極 12、 13をスパッタにて形成 した。振動電極の形状としては、振動部 12a、 13aの形状を縦 0. 6mm X横 0. 5mm 、導出部 12b、 13bの形状を縦 0. 95mm X横 0. 5mmとし、延出部 12c、 13cの形 状を縦 0. 6mm X横 0. 45mmとした。
[0034] また、誘電体基板 21の材質はチタン酸バリウム、形状は縦 2. 5mm X横 2. Omm
X厚み 0. 16mmとし、その上下面に銀を主成分とする導電ペーストの塗布及び焼き 付けによって内部電極 22及び外部端子電極 23を形成した。外部端子電極 23の表 面には更にニッケルメツキ及び錫メツキを施した。
そして、圧電共振素子 10の上下面にエポキシ榭脂の塗布及び硬化によって枠体 4 1を形成した後にガラス繊維含有ポリイミド榭脂から成る封止基板 31で上下力も挟み 込み、更に、下からコンデンサ素子 20も重ねて、 lOOPaの真空中にて 0. 5MPaの 圧力を加えながら 180°Cの温度で 60分保持して硬化させて接合し、その後、圧電基 板 11や誘電体基板 21の側面に外部接続電極を、銀を主成分とする導電ペーストの 塗布及び硬化によって形成することにより、圧電共振装置 1を作製した。
[0035] また、比較のために延出部 12c、 13cを形成しないこと以外は、上記実施例と同様 にして別の圧電共振装置を作製した。
図 11 (a)は、上記のようにして作製した本発明の圧電共振装置 1の電気特性を示 すグラフである。図 11 (b)は、比較例の電気特性を示したグラフである。各グラフの横 軸は周波数 (MHz)、縦軸はインピーダンス（実線)及び位相シフト量 (破線)を示す。 縦軸のスケールは相対目盛とする。 [0036] 図 11 (a)と図 11 (b)とを比較すると、本発明の圧電共振装置は、厚み縦 3倍波の振 動による共振ピーク (インピーダンス特性における A点及び B点）よりもやや高周波側 に存在するスプリアスピーク (インピーダンス特性における C点、 D点、及び位相特性 における E点）が抑圧されて、良好な電気特性となっていることがわかる。
また、延出部 12c、 13cの面積を徐々に増大させることにより振動電極 12、 13間の 静電容量を徐々に増加させ、それぞれにおける厚み縦 3倍波の振動による共振ピー クのレベルと、スプリアスである厚み縦 5倍波の振動による共振ピークのレベルを評価 し、両者の差の変化を調べた。
[0037] 共振ピークのレベルの評価においては、共振点（図 11の A点）における抵抗値であ る Rと反共振点（図 11の B点）における抵抗値である Raとを測定して、 PZV値 =20
0
Log (Ra/R )で定義する PZV値を使用した。その結果を図 12に示す。
0
図 12に示すグラフの横軸は、延出部 12c、 13cによって新たに付加された静電容 量 A Cを、延出部 12c、 13cの形成前における振動電極 12、 13間の静電容量 Cで
0 割った値であり、縦軸は、厚み縦 3倍波の振動による共振ピークにおける PZV値か ら厚み縦 5倍波の振動による共振ピークにおける PZV値を引いて両者の差を取った ものである。
[0038] ここで、厚み縦 3倍波の振動を利用する圧電共振装置 1にお 、ては、厚み縦 3倍波 の振動による共振ピークに対して、スプリアスとなる厚み縦 5倍波の振動による共振ピ ークが小さい方が望ましい。特に、両者の差としては 14dB以上、 A CZCの値として
0
は 0. 25以上に設定することが好ましい。このように、延出部 12c、 13cを形成して振 動電極 12、 13間の静電容量を増加させることにより、高次の厚み縦振動モード、特 に厚み縦 5倍波の振動による共振ピークのレベルが低く抑えられることが確認された
[0039] この実験において、 A CZCの値の増加によって厚み縦 3倍波の振動による共振
0
ピークの PZV値に若干の低下が見られたが、厚み縦 5倍波の振動による共振ピーク における PZV値の低下がそれを上回るため、両者のレベル差としては増加し、良好 な電気特性となることも確認された。
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなぐ本発明の要旨を逸脱しな い範囲において種々の変更、改良が可能である。
[0040] 例えば、上述した実施形態においては、延出部 12c、 13cが、圧電基板 11を平面 視した際に、振動電極 12、 13の対向領域の中心 Xを通り圧電基板 11の主面の長辺 と平行な直線（図 2 (a)の C一 C線)を中心線として線対称に配置されて 、る例にっ ヽ て示したが、必ずしもそのように配置させる必要はなぐ振動電極の非対向領域に、 前記一辺と直交する方向で、前記対向領域の中心 Xより外方に向かって相反する方 向に延出する延出部 12c、 13cを設けている限り、スプリアスを有効に抑圧することが できる。
[0041] また、上述した実施形態においては、延出部 12c及び 13cが、圧電基板 11を平面 視した際に、振動電極 12、 13の対向領域の中心 Xを通り圧電基板 11の主面の短辺 と平行な直線（図 2 (a)の D— D線)を中心線として線対称な形状とされて ヽる例を示 したが、必ずしもそのように配置させる必要はなぐ振動電極の非対向領域に、前記 一辺と直交する方向で、前記対向領域の中心 Xより外方に向かって相反する方向に 延出された延出部 12c、 13cを設けている限り、スプリアスを有効に抑圧することがで きる。

Claims

請求の範囲
[1] 矩形状をなす圧電基板の両主面に、一対の振動電極を被着させてなる圧電共振 素子であって、
前記一対の振動電極は、前記圧電基板を介して互いに対向する対向部と、前記対 向部から前記圧電基板の一側面と平行な方向で、且つ互いに反対方向に導出され る導出部と、前記一側面と直交する方向で、且つ互いに反対方向に延出される延出 部と、を含んで形成されることを特徴とする圧電共振素子。
[2] 前記一対の振動電極の一方の延出部と他方の延出部とが、前記圧電基板を平面 視した際、前記対向部の中心を通り、且つ前記一側面と平行な直線に対し、線対称 に配置されて!ヽることを特徴とする請求項 1に記載の圧電共振素子。
[3] 請求項 1または請求項 2に記載の圧電共振素子と、該圧電共振素子の振動電極に 電気的に接続されるコンデンサ素子とを含んで成る圧電共振装置。
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