WO2007023940A1 - アクチュエータ、光ヘッド装置および光情報装置 - Google Patents

Abstract

　本発明の光ヘッド装置は、レーザ光を出力する光源と、レーザ光を光ディスク媒体へ照射する光学系と、レーザ光の収差を補正する収差補正部とを備える。収差補正部は、レーザ光を反射する複数のミラー部と、複数のミラー部を変位させる複数のミラー駆動部と、光ヘッド装置内の物理条件を検出する検出部とを備えている。

Description

明 細 書

ァクチユエータ、光ヘッド装置および光情報装置

技術分野

[oooi] 本発明は、情報の光学的な記録および Zまたは再生を行う装置に関し、特に、収 差補正素子を備えた装置に関する。

背景技術

[0002] ピット状パターンを有する光ディスク媒体を高密度'大容量の情報記憶媒体として 用いる光メモリ技術は、デジタルオーディオディスク、ビデオディスク、文書ファイルデ イスク、さらにはデータファイルディスクと用途を拡張しつつ、実用化が進んでいる。微 小に絞られたレーザ光を用いて、光ディスク媒体への情報の記録および光ディスク媒 体からの情報の再生を高!ヽ信頼性で首尾よく遂行するために必要な機能は、回折限 界の光スポットを形成する集光機能、光学系の焦点制御 (フォーカスサーボ)機能とト ラッキング制御 (トラッキングサーボ)機能、およびピット信号 (情報信号)検出機能に 大別される。

[0003] 光ディスク媒体の記録密度を一層高くするために、光ヘッドに搭載される対物レン ズの開口数 NAを大きくするとともに光源の光の波長 λを短くして、対物レンズによつ て集光される光のスポット径が縮小されてきている。また、光ディスク媒体の記録容量 を一層高くするために、光ディスク媒体には情報を記録するための記録層を複数層 設けるようになってきている。

[0004] 例えば、 CD (Compact Disc)規格では、対物レンズの開口数 NAが 0. 45、光源 の光の波長が 780nmであるのに対し、より高記録密度化および大容量ィ匕がなされた DVD (Digital Versatile Disc)規格では、開口数 NAは 0. 6、光の波長は 650η mとなっている。

[0005] ところで、光軸に対する光ディスク媒体の傾きにより生じる収差は、光の波長が短く なるほど大きくなる。このため、より短波長の光源を用いて尚且つ良好な光スポットを 得るためには、そのような収差を打ち消すように基材厚さ（光ディスク媒体の光入射側 表面力 記録層までの距離)を薄くすることが有効であり、 CDでは基材厚さは 1. 2m mであったが、 DVDでは 0. 6mmである。

[0006] そして、青色レーザ光を用いた BD (Blu— ray Disc)規格では、開口数 NAは 0. 8 5、基材厚さは 0. 1mmである。

[0007] 光ディスク媒体の記録層を保護する基材厚さに起因する球面収差は、開口数 NA の 4乗に比例する。このため、 BD規格のように開口数 NAを 0. 85と大きく設定する 場合には、光学系に球面収差を補正する手段が設けられる。

[0008] 従来、光ピックアップ装置の出力信号から特定の種類の収差を検出してこれを補正 する技術が提案されており、液晶素子を用いた透過型の収差補正素子や、薄膜ミラ 一やアレイ化したマイクロミラーを駆動させる反射型の収差補正素子があり、特許文 献 1や特許文献 2に開示されている。

[0009] さらに、電子機器の小型化への巿場からの要求は強くなる一方ではあるが、半導体 微細加工技術の進歩により収差補正素子のような微細構造体の作製が容易に行わ れるようになった。近年この技術はマイクロマシユング技術と言われるようになり、この 技術を応用したマイクロアクチユエータの研究開発も多く行われている。その中で製 品化した例としては、静電容量検出型の加速度センサーがある。また別の例としては 、特許文献 3に開示されている空間的光変調装置がある。これはビデオプロジェクタ の画像表示デバイスとして開発され、 DMD (Digital Micromirror Device)の名 称で知られている。このマイクロアクチユエータの駆動方法は、静電引力を用いてい るが、他に電磁気力 ·熱応力 ·光吸引力などがある。

[0010] 特に多く利用される駆動方法は静電引力である。この方法は、低消費電力で駆動 電圧を低く抑えることが可能で、応答速度も速 、と 、う利点がある。

[0011] さらに駆動力として静電引力を用いていることを利用して、静電容量変化から自己 の変位を検出する変位検出機能を備えた可変形ミラーが特許文献 4に開示されてい る。

[0012] また、非特許文献 1は、温度センサー、圧力センサー、湿度センサーをまとめて搭 載するチップを開示している。これら各センサーは、検出対象に合わせて個別に設 計されており、各センサーで互いに異なった材料が使用され、センサー毎に製造さ れている。 特許文献 1 :特開 2000— 155979号公報

特許文献 2：特開 2002— 288873号公報

特許文献 3：特開平 8— 334709号公報

特許文献 4：特開 2002— 228813号公報

非特許文献 1 : "AN ALL - C AP ACITI VE SENSING CHIP FOR TEMP ERATURE, ABSOLUTE PRESSURE, AND RELATIVE HUMIDIT Y", IEEE 12th International Conference on Solid— State Sensors, Actuators and Microsystems, Boston, MA, June 2003 発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0013] 光ヘッド装置の安定な動作を実現するためには、光ヘッド装置内の物理条件 (温度 、湿度、加速度等)の変化を検出し、それらの変化に応じて光ヘッド装置の各構成要 素をフィードバック制御することが望ましい。例えば、レーザ光源や光検出器は、温度 や湿度の変化に応じてフィードバック制御することが望ましぐまた、対物レンズ駆動 機構やトラバース機構は、温度や加速度の変化に応じてフィードバック制御すること が望ましい。

[0014] それらの温度、湿度、加速度を検出するために、光ヘッド装置には温度センサー、 湿度センサー、加速度センサー等の物理条件検出器が搭載されている。しかしなが ら、それらのセンサーを光ヘッド装置に搭載すると、光ヘッド装置が大型化するという 課題がある。

[0015] 本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、装置内の物理条件を検出する 検出部を備え尚且つ小型化を実現した光学ヘッド装置、およびその光ヘッド装置を 搭載した光情報装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0016] 本発明のァクチユエータは、光を変調する光変調部を備えたァクチユエータであつ て、前記光変調部は、基台と、光反射面を有し、前記基台に対して変位可能な可動 部と、前記可動部を支持する弾性支持部と、前記可動部と対向するように前記基台 上に形成された固定電極部と、前記ァクチユエータに与えられた物理条件を検出す る検出部とを備えたことを特徴とする。

[0017] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記可動部および前記固定電極部であり

、前記可動部と前記固定電極部との間の変位量力 前記物理条件を検出する。

[0018] ある実施形態によれば、前記物理条件は、温度、湿度、加速度、角速度、角加速 度、圧力の少なくとも 1つである。

[0019] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の作製プロセスと同一プロ セスにて作製された加速度センサーである。

[0020] ある実施形態によれば、前記可動部と前記固定電極との間に発生する静電引力に より前記可動部を変位させる。

[0021] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の少なくとも一部に配置さ れている。

[0022] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の外周部の少なくとも一部 に配置されている。

[0023] 本発明の製造方法は、可動電極と固定電極との間に発生する静電引力により前記 可動部が変位するァクチユエータの製造方法であって、基台上に前記固定電極を形 成するステップと、前記固定電極上に第 1犠牲層を堆積させ、前記第 1犠牲層上に 前記可動電極を形成するステップと、前記可動電極上に第 2犠牲層を堆積させるス テツプと、前記可動電極とミラー部とを接続するリブを形成する材料を堆積させるため のトレンチを前記第 2犠牲層に形成するときに、前記トレンチの一部の幅を他の部分 よりも広く形成するステップと、前記トレンチに前記材料を堆積させて、前記リブを形 成すると共に前記幅の広い部分におもりを形成するステップとを包含することを特徴 とする。

[0024] 本発明の光ヘッド装置は、レーザ光を出力する光源と、前記レーザ光を光ディスク 媒体へ照射する光学系と、前記レーザ光の収差を補正する収差補正部とを備えた光 ヘッド装置であって、前記収差補正部は、前記レーザ光を反射する複数のミラー部と 、前記複数のミラー部を変位させる複数のミラー駆動部と、前記光ヘッド装置内の物 理条件を検出する検出部とを備えていることを特徴とする。

[0025] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記複数のミラー駆動部のうちの少なくと も 1つのミラー駆動部である。

[0026] ある実施形態によれば、前記検出した物理条件に応じた所定の駆動信号を生成す る駆動信号生成部をさらに備える。

[0027] ある実施形態によれば、前記物理条件は、温度、湿度、加速度、角速度、角加速 度、圧力の少なくとも 1つである。

[0028] ある実施形態によれば、前記少なくとも 1つのミラー駆動部は、収差補正のために 少なくとも 1つの前記ミラー部を駆動する動作と、前記物理条件を検出する動作とを 時分割的に切り替える。

[0029] ある実施形態によれば、前記ミラー駆動部は、空隙を介して離れた可動電極部と固 定電極部とを備え、前記ミラー駆動部は、前記可動電極と前記固定電極との間に発 生する静電引力により前記ミラー部を変位させる。

[0030] ある実施形態によれば、前記ミラー駆動部は圧電素子を備え、前記圧電素子の変 形に応じて前記ミラー部が変位する。

[0031] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記ミラー駆動部の作製プロセスと同一プ ロセスにて作製された加速度センサーである。

[0032] ある実施形態によれば、前記加速度センサーは、空隙を介して離れた可動電極部 と固定電極部とを備え、前記光ヘッド装置に生じた加速度に応じて前記可動電極と 前記固定電極との間の距離が変化する。

[0033] ある実施形態によれば、前記収差補正部は、基台と、光反射面を有し、前記基台 に対して変位可能な可動部と、前記可動部を支持する弾性支持部と、前記可動部と 対向するように前記基台上に形成された固定電極部とを備える。

[0034] ある実施形態によれば、前記収差補正部は、基台と、光反射面を有し、前記基台 に対して変位可能な可動部と、前記可動部を支持する弾性支持部と、前記可動部を 変位させる圧電部材とを備える。

[0035] 本発明の光情報装置は、前記光ヘッド装置と、前記光源を駆動する光源駆動部と

、前記光学系が備える対物レンズの位置を制御する対物レンズ機構を駆動する対物 レンズ機構駆動部と、前記光ヘッド装置を前記光ディスク媒体の半径方向に沿って 移送するトラバース機構を駆動するトラバース機構駆動部と、前記光ディスク媒体を 回転させる回転機構を駆動する回転機構駆動部と、前記光源駆動部、前記対物レン ズ機構駆動部、前記トラバース機構駆動部および前記回転機構駆動部の少なくとも

1つを駆動する駆動信号を前記検出した物理条件に応じて生成する駆動信号生成 部とを備えたことを特徴とする。

[0036] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記ミラー駆動部の作製プロセスと同一プ ロセスにて作製された加速度センサーである。

[0037] 本発明の光情報装置は、前記光ヘッド装置を備えた光情報装置であって、前記光 情報装置は、前記光学系が備える対物レンズおよび前記光ディスク媒体の少なくとも 一方をチルトさせるチルト機構を駆動するチルト機構駆動部と、前記光学系の光路 中に配置された光学素子の位置を制御する光学素子機構を駆動する光学素子機構 駆動部と、前記対物レンズが前記光ディスク媒体に衝突するのを防止する衝突防止 機構を駆動する衝突防止機構駆動部と、前記光ディスク媒体をロードするローデイン グ機構を駆動するローデイング機構駆動部と、冷却用ファンを駆動する冷却用ファン 駆動部とのうちの少なくとも 1つをさらに備え、前記光情報装置は、前記チルト機構駆 動部、前記光学素子機構駆動部、前記衝突防止機構駆動部、前記ローデイング機 構駆動部および前記冷却用ファン駆動部の少なくとも 1つを駆動する駆動信号を前 記検出した物理条件に応じて生成する駆動信号生成部をさらに備えることを特徴と する。

[0038] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記ミラー駆動部の作製プロセスと同一プ ロセスにて作製された加速度センサーである。

[0039] 本発明のァクチユエータは、光を変調する光変調部を備えたァクチユエータであつ て、前記光変調部は、基台と、光反射面を有し、前記基台に対して変位可能な可動 部と、前記可動部を支持する弾性支持部と、前記可動部を変位させる圧電部材と、 前記ァクチユエータに与えられた物理条件を検出する検出部とを備えたことを特徴と する。

[0040] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記圧電部材であり、前記圧電部材の歪 みから前記物理条件を検出する。

[0041] ある実施形態によれば、前記物理条件は、温度、湿度、加速度、角速度、角加速 度、圧力の少なくとも 1つである。

[0042] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の作製プロセスと同一プロ セスにて作製された加速度センサーである。

[0043] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の少なくとも一部に配置さ れている。

[0044] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の外周部の少なくとも一部 に配置されている。

[0045] 本発明の製造方法は、可動電極と固定電極との間に発生する静電引力により前記 可動部が変位するァクチユエータの製造方法であって、基台上に前記固定電極を形 成するステップと、前記固定電極上に犠牲層を堆積させるステップと、前記可動電極 および前記可動電極を支持する弾性支持部を前記犠牲層上に形成するステップと、 前記可動電極および前記弾性支持部の少なくとも一方に、前記可動電極および前 記弾性支持部の材料とは異なる材料を堆積させてバイメタル構造を形成するステツ プとを包含することを特徴とする。

発明の効果

[0046] 本発明によれば、収差補正部が光ヘッド装置内の物理条件を検出する検出部を備 えている。収差補正部が物理条件を検出することにより、別途検出部を搭載する必要 が無いので、光ヘッド装置の小型化、簡略化および低コスト化を実現することができ る。また、駆動信号生成部は、検出した物理条件に応じて駆動信号を生成する。これ により、光情報装置の各構成要素の動作を、検出した物理条件に応じて制御するこ とがでさる。

図面の簡単な説明

[0047] [図 1]本発明の実施形態による光情報装置を示す図である。

[図 2]本発明の実施形態による時分割駆動を示す図である。

[図 3A]本発明の実施形態による検出部の構造を示す図である。

[図 3B]本発明の実施形態による検出部の構造を示す図である。

[図 3C]本発明の実施形態による検出部の構造を示す図である。

[図 3D]本発明の実施形態による検出部の構造を示す図である。 圆 3E]本発明の実施形態による検出部の構造を示す図である。

圆 4]本発明の実施形態による静電駆動型ァクチユエータを示す図である。

[図 5]本発明の実施形態による圧電素子型ァクチユエータを示す図である。

圆 6]本発明の実施形態によるマイクロホンによる音圧検出を示す図である。

圆 7]本発明の実施形態による送受信機能を有する収差補正素子を示す図である。 圆 8]本発明の実施形態によるミラー素子を示す分解斜視図である。

圆 9]本発明の実施形態による収差補正素子のミラーアレイ構造を示す斜視図である

[図 10A]本発明の実施形態による収差補正素子の製造方法を示す図である。

[図 10B]本発明の実施形態による収差補正素子の製造方法を示す図である。

[図 10C]本発明の実施形態による収差補正素子の製造方法を示す図である。

[図 10D]本発明の実施形態による収差補正素子の製造方法を示す図である。

圆 10E]本発明の実施形態による収差補正素子の製造方法を示す図である。

圆 10F]本発明の実施形態による収差補正素子の製造方法を示す図である。

圆 10G]本発明の実施形態による収差補正素子の製造方法を示す図である。

圆 10H]本発明の実施形態による収差補正素子の製造方法を示す図である。

圆 11]本発明の実施形態による収差補正素子のトレンチ部の拡大図である。

圆 12A]本発明の実施形態による加速度センサーを備えた収差補正素子の製造方 法を示す図である。

[図 12B]本発明の実施形態による加速度センサーを備えた収差補正素子の製造方 法を示す図である。

[図 12C]本発明の実施形態による加速度センサーを備えた収差補正素子の製造方 法を示す図である。

[図 12D]本発明の実施形態による加速度センサーを備えた収差補正素子の製造方 法を示す図である。

[図 13]本発明の実施形態による加速度センサーのおもりの配置を示す図である。

[図 14A]本発明の実施形態による温度センサーを備えた収差補正素子の製造方法 を示す図である。 [図 14B]本発明の実施形態による温度センサーを備えた収差補正素子の製造方法 を示す図である。

[図 14C]本発明の実施形態による温度センサーを備えた収差補正素子の製造方法 を示す図である。

[図 14D]本発明の実施形態による温度センサーを備えた収差補正素子の製造方法 を示す図である。

圆 14E]本発明の実施形態による温度センサーを備えた収差補正素子の製造方法を 示す図である。

圆 14F]本発明の実施形態による温度センサーを備えた収差補正素子の製造方法を 示す図である。

圆 15]本発明の実施形態によるミラー素子を示す分解斜視図である。

圆 16]本発明の実施形態による圧電素子型のミラー素子の変位量の検出方法を説 明する図である。

圆 17]本発明の実施形態による画像投射装置を示す図である。

圆 18]本発明の実施形態によるカメラを示す図である。

圆 19]本発明の実施形態によるカメラを示す図である。

圆 20]本発明の実施形態によるカメラを示す図である。

圆 21]本発明の実施形態による顕微鏡を示す図である。

圆 22]本発明の実施形態による画像投射装置を示す図である。

符号の説明

1 レーザ光源

2 偏光ビームスプリッタ

3 コリメートレンズ

4 ビームエキスパンダー

5 1Z4波長板

6 収差補正素子

6a 基台

6b マイクロミラー 対物レンズ駆動機構

対物レンズ

衝突防止機構

光ディスク媒体

検出レンズ

光検出器

トラバース機構

ローデイング機構

光ディスク媒体回転機構

光ディスク媒体チルト機構

冷却用ファン

レーザ光照射域

変位検出部

, 22, 23, 26, 30, 32, 32a, 32b, 35 アルミニウム層, 25, 28, 31, 33, 36, 37 シリコン

高分子膜

水晶振動子構造

酸化膜層

静電引力

圧電素子

マイクロホン

送信機

ディスクトレー

基台

グランド電極

固定電極

支柱

弾性支持部材 可動電極

a エッチングホーノレ

b 垂直リブ接続部

垂直リブ

a 切り欠き部

ミラー面

, 52, 54 犠牲層

, 53 ビア

トレンチ

, 57 空隙

メタル層

おもり

検出電極

片持ち梁

0 光ヘッド

1 光情報装置

2 検出信号変換部

3 波面パターン発生器

4 対物レンズ駆動機構ドライバ5 光ディスク媒体チルト機構駆動部6 光ディスク媒体回転機構駆動部7 トラバース機構駆動部

8 レーザ光源駆動部

9 衝突防止機構駆動部

0 ローデイング機構駆動部

1 冷却用ファン駆動部

2 光学素子駆動機構ドライバ 静電容量 ω 角;! ¾度

発明を実施するための最良の形態

[0049] 以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。

[0050] (実施形態 1)

図 1は、本実施形態の光情報装置 101を示す図である。

[0051] 光情報装置 101は光ヘッド装置 100を備え、光ヘッド装置 100は、レーザ光を出力 するレーザ光源 1と、レーザ光 1の収差を補正する収差補正素子 6とを備える。収差 補正素子 6は、光ヘッド装置 100内の物理条件を検出する検出部を備えている。収 差補正素子 6が物理条件を検出するので、光ヘッド装置 100は、別途検出部を搭載 する必要が無い。収差補正素子 6の詳細は後述する。

[0052] 光情報装置 101は、トラバース機構 13と、ローデイング機構 14と、光ディスク媒体回 転機構 15と、光ディスク媒体チルト機構 16と、冷却用ファン 17とをさらに備える。また 、光情報装置 101は、さらに、波面パターン発生器 103と、対物レンズ駆動機構駆動 部 104と、光ディスク媒体チルト機構駆動部 105と、光ディスク媒体回転機構駆動部 106と、トラバース機構駆動部 107と、レーザ光源駆動部 108と、衝突防止機構駆動 部 109と、ローデイング機構駆動部 110と、冷却用ファン駆動部 111と、光学素子駆 動機構駆動部 112とをさらに備える。これらの駆動部は、検出した物理条件に応じて 検出信号変換部が生成した駆動信号により駆動制御される。

[0053] 光ヘッド装置 100は、偏光ビームスプリッタ 2と、コリメートレンズ 3と、ビームエキスパ ンダー 4と、 1Z4波長板 5と、対物レンズ駆動機構 7と、対物レンズ 8と、衝突防止機 構 9と、検出レンズ 11と、光検出器 12と、検出信号変換部 102とをさらに備える。偏 光ビームスプリッタ 2、コリメートレンズ 3、ビームエキスパンダー 4、 1Z4波長板 5、対 物レンズ 8は、レーザ光を光ディスク媒体 10へ照射するための光学系である。

[0054] 次に、光情報装置 101の動作を説明する。レーザ光源 1が出力したレーザ光は、偏 光ビームスプリッタ 2、コリメートレンズ 3、 1Z4波長板 5を経て収差補正素子 6で反射 され、対物レンズ 8で集光される。対物レンズ 8で集光されたレーザ光は、光ディスク 媒体 10のカバー層 10aを透過して記録層 10b上にスポットを形成する。光ディスク媒 体 10にて反射された反射光は、逆の経路を迪つて偏光ビームスプリッタ 2によって反 射され、検出レンズ 11を介し光検出器 12に入射する。光検出器 12は受光した反射 光から、再生信号と、フォーカスおよびトラッキング用のサーボ信号を生成する。対物 レンズ駆動部 104は、サーボ信号を演算処理して対物レンズ駆動機構 7を駆動し、 対物レンズ 8のフォーカスおよびトラッキングサーボを行う。また、光ディスクチルト機 構駆動部による制御により、対物レンズ駆動機構 7は対物レンズ 8をチルトさせるチル ト機構としても機能し得る。

[0055] 光源 1が出力するレーザ光の波長は、例えば BDに対応した波長 (405nm)である 。光情報装置 101に装着された光ディスク媒体 10の光入射面力も記録層 10bまでの 距離 (すなわち基材厚)の違 、や、光学系に生じる色収差等に応じて球面収差が生 じるが、波面パターン発生器 103でこれを打ち消す波面パターンを生成し、収差補 正素子 6を駆動して収差補正を行 、、記録または再生に適したビームスポットを形成 する。

[0056] 収差補正素子 6の駆動部は、その一部が変位検出器でもあり、その変位検出部より 得られる変位量は、光情報装置 101の構成要素の少なくとも 1つのフィードバック制 御のために用いられる。

[0057] また、変位量は、波面パターン発生器 103のフィードバック制御に用いられる。波面 ノターン発生器 103は、光情報装置 101で発生する波面収差を補正するために、収 差補正素子 6のマイクロミラー 6bに補正波面を発生させる駆動部である。マイクロミラ 一 6bは光を変調する光変調部として機能する。

[0058] 収差補正素子 6は基台 6aを備え、ミラー素子であるマイクロミラー 6bが基台 6a上に 2次元配列されたマイクロミラーアレイであり、各マイクロミラーは基台に対する上下位 置と傾きを独立に制御され、任意の波面を形成できる。このようなマイクロミラーアレイ は、半導体製造プロセスの微細加工技術によってシリコン基板上に作られる。例えば 、特願 2003— 564638号公報や特許文献 6の特願 2004— 063518号公報に開示 されて 、る技術が好適である。

[0059] また、光ディスク媒体 10が複数の記録層を持つ場合は、選択した記録層によって ディスク表面カゝら記録層までの距離 (基材厚)が異なるため、同様に収差補正素子 6 を駆動して収差を補正する。 [0060] 図 8は、本発明の微小機械構造体であるマイクロミラー 6bを示す分解斜視図である 。図 8では、ミラーの一部を切り欠いて下部のリブ構造が見えるように示している。マイ クロミラー 6bは、静電駆動型のァクチユエータである。マイクロミラー 6bは、基台 6aと 、光反射面 49が設けられ、基台 6aに対して変位可能な可動電極 47と、可動電極 47 を支持する弾性支持部 46と、可動電極 47と対向するように基台 6a上に形成された 固定電極 44とを備える。詳細は後述する力 可動電極 47および固定電極 44は、光 反射面 49を変位させるミラー駆動部と、マイクロミラー 6bに与えられた物理条件を検 出する検出部とを兼ねて 、る。

[0061] 基台 6aは、シリコン基板上に形成された CMOS回路 6cの最上層を絶縁層で被覆 し、平坦ィ匕したものである。絶縁層上には、グランド電極 43と 3個の固定電極 44が形 成されている。グランド電極 43と固定電極 44には、アルミニウム (A1)合金、ポリシリコ ンゲルマニウム（Poly— SiGe)等の 450°C以下で低温成膜が可能な導電材料が用 いられる。 3個の固定電極 44は、それぞれが基台 6a表面の絶縁層に形成されたビア (不図示）によって CMOS回路に接続される。 CMOS回路 6cは、 0〜5Vの範囲内で 各々独立した駆動電圧を固定電極 44に印加することができる。この駆動電圧は例え ば lObitの多段階の値として設定され得る。

[0062] グランド電極 43上に支柱 45が形成され、固定電極 44に対して所定のギャップを有 するように、弾性支持部 46および可動電極 47が同一面上に形成される。 3つの弾性 支持部 46は、 3箇所の支柱 45から中心部に向力 ようにに配置されている。弾性支 持部 46間の領域には、 3つの弾性支持部 46が交叉する中心部から広がる可動電極 47が形成されている。

[0063] 可動電極 47上に垂直リブ 48が形成されており、さらにその上にミラー面 (光反射面 ) 49が形成されている。

[0064] 垂直リブ 48の端面が可動電極 47と接続する垂直リブ接続部 47bを 2点鎖線で示し ている。垂直リブ 48は可動電極 47のほぼ全域に亘つて接続されている。弾性支持部 46に相当する領域は切り欠き部 48aが形成されており、その段差の分だけ空隙が形 成されている。

[0065] このような構造により、可動電極 47、垂直リブ 48、ミラー面 49は一体となって弾性 支持部 46により中空に支持され、可動部として機能する。可動部は、グランド電極 43 に接続されている。

[0066] 固定電極 44に駆動電圧を印加すると、固定電極 44と可動電極 47との間に働く静 電力により、可動部全体が基台 6aの方向に引き寄せられる。 3個の固定電極 44の駆 動電圧のバランスによって、可動部は下方に並進したり多軸方向に傾動する。

[0067] 駆動電圧の印加を止めると、可動部は弾性支持部 46の弾性復元力によって元の 位置および元の姿勢に復帰する。

[0068] このような構造を単一セルとして、これらを 2次元状にアレイ配置したミラーアレイを 図 9に示す。

[0069] 図 9では、下部構造を表示するため、部分的にミラー部、さらに可動電極と弾性支 持部も省略して表示して 、る。

[0070] 図 9を参照して、正六角形に形成されたミラー面 49同士は、一定の間隙 (たとえば 1 m)を空けて配置されている。隣接するセル間では、支柱 45を共有する形で、弾性 支持部 46が形成されて 、る。各ミラー素子は基台 6aを共有して 、る。

[0071] このような構造で、前述のように各ミラー面 49を並進 Z傾動制御することにより、全 体として任意の波面形状を形成し、反射光の波面収差を制御することができる。

[0072] ミラーセルの数は、ミラーアレイで形成する必要波面精度によって決定される。ミラ 一セルの数を増やすほど波面近似精度が向上するが、その反面、ミラーの制御デー タ量が膨大となるため、制御回路の負荷が大きくなる。また、制御データ転送速度が ボトルネックとなってミラーアレイ全体の応答速度が大幅に低下する。そのため、必要 な近似精度が得られる範囲でミラー数は最小限に抑える方が好ましい。

[0073] 本実施形態では、 φ 2mmのビーム直径を 20分割し、ミラーセルの幅は約 100 μ m 程度である。

[0074] また、ミラーの必要変位量は、レーザ光波長の半波長に、最大傾きを得るために必 要な変位を加えて決定する。最大傾きは補正する収差量によって決定される。ここで は、波長 405nmの青色レーザ光に対し、半波長 203nm+傾き約 400nm力ら、最 大変位量は 0. 6 mとしている。

[0075] 次に、ミラー素子の静電容量 Cの検出方法を説明する。図 8を参照して、固定電極 44と可動電極 47との間の距離を D、電極間の誘電率を ε、可動電極 47の面積を S とすると、静電容量 Cは、 C = ε ' SZDで表される。距離 Dが変化すると静電容量 C 変化する。 CMOS回路 6cは、固定電極 44に印加する駆動信号に高周波 (駆動信号 と比較して高い周波数)の信号を重畳する。 CMOS回路 6cは、固定電極 44に印加 された高周波信号に応じて可動電極 47を流れる電流の位相と振幅カゝら静電容量 C を検出することができる。このように、可動電極 47を流れる電流の変化力も静電容量 Cを検出することができる。また、この検出方法により、ミラー素子の駆動中でも静電 容量 Cを検出することができる。なお、静電容量 Cおよび変位量の検出は、検出信号 変換部 102が行ってもよい。

[0076] 光学ヘッド装置 100は、対物レンズ 8と光ディスク媒体 10とが接触しないように対物 レンズ 8を防止する衝突防止機構 9を備えている。また、光学ヘッド装置 100は、収差 補正素子 6の収差補正機能を代用する光学素子として、駆動部を有するビームェキ スパンダ 4を備えている。収差補正素子 6の収差補正機能を代用する光学素子として 、ビームエキスパンダー 4を用いる場合は、収差補正素子 6が反射面を有する光学素 子に変わることもある。ビームエキスパンダー 4は、ビームエキスパンダー 4の位置を 制御する光学素子機構を備えており、光学素子機構駆動部 112により駆動される。

[0077] トラバース機構 13は、光学ヘッド装置 100を光ディスク媒体 10の半径方向に沿つ て移送する。ローデイング機構 14およびディスクトレー 41は、光ディスク媒体 10を回 転させる回転機構 15まで、光ディスク媒体 10を移送する。冷却用ファン 17は、光情 報装置 101の構成要素およびそれらが形成された電子基板を冷却する。

[0078] 以下、光情報装置 101において、収差補正素子 6の変位検出部より得られる変位 量もしくは変位量を検出信号変換部 102で換算した信号を用いてフィードバック制御 を行う動作を説明する。

[0079] 収差補正素子 6の変位検出部より得られる変位量は、検出信号変換部 102にて制 御を行うのに必要な信号に換算されフィードバックしている。

[0080] 光ヘッド装置 100では、レーザ光源 1が電流一光パワー特性に温度依存性を持つ ため、変位量力も換算した温度信号がレーザ光源駆動部 108にフィードバックされて

、レーザ光源 1の光量の制御が行われている。 [0081] 光検出器 12の信号と、検出信号変換部 102が換算した温度信号と加速度信号と 角速度信号とが、対物レンズ機構駆動部 104にフィードバックされて、対物レンズ機 構部 7の制御が行われている。対物レンズ機構部 7は、対物レンズ 8のフォーカスおよ びトラッキングサーボを行う。これにより、対物レンズ機構部 7のァクチユエータ感度の 温度補償を行うと共に、外乱に対する制御が可能となる。

[0082] 対物レンズ機構部 7のサーボ剛性を上回るような外乱加速度を検知した場合、加速 度信号が衝突防止機構駆動部 109にフィードバックされて衝突防止機構 9の制御が 行われている。衝突防止機構 9は、対物レンズ 8と光ディスク媒体 10との間に介入し て両者が接触しな 、ようにする。

[0083] トラバース機構 13は、光学ヘッド装置 100を光ディスク媒体 10の半径方向に移送 する。トラバース機構駆動部 107には、温度信号と加速度信号とがフィードバックされ て、トラバース機構 13のモーターの温度補償および加速度に対する制御が行われる

[0084] ローデイング機構 14は、光ディスク媒体 10を回転機構 15まで移送する。ローデイン グ機構 14を駆動するローデイング機構駆動部 110には、温度信号と加速度信号とが フィードバックされて、ローデイング機構 14のモーターの温度補償および加速度に対 する制御が行われる。

[0085] チルト機構 16は、光ディスク媒体 10を回転させる回転機構 15または光ディスク媒 体 10をチルトさせる。光ディスク媒体回転機構駆動部 106または光ディスク媒体チル ト機構駆動部 105には、温度信号と加速度信号と角加速度信号とがフィードバックさ れて、チルト機構 16の駆動、回転機構 15のモーターの温度補償および外乱の加速 度および角速度に対する制御が行われている。

[0086] 冷却用ファン 17は、光情報装置 101内を冷却する。冷却用ファン 17を駆動する冷 却用ファン駆動部 111には、温度信号力 sフィードバックされて、温度上昇による特性 変動を抑えるため制御が行われて 、る。

[0087] また、検出信号変換部 102は、結露時または結露する前に機構系の動作を制限す るために、温度信号と湿度信号から露点検出を行い、機構系の駆動部にフィードバ ックして！/、る。 [0088] このように、収差補正素子 6の変位検出部が検出した変位量または変位量を換算し た信号を用いることで、フィードバック制御に必要な検出信号のみを得るために個々 に設けられていた複数の検出器を削除することができる。

[0089] なお、この上述の光情報装置 101は一例であって、フィードバックをする機構がこ れだけに限定されるものではな!/、。

[0090] (実施形態 2)

次に、収差補正素子 6を時分割駆動して、集光光学系の収差補正と変位量検出と を交互に切り替える動作を説明する。

[0091] 図 2は、収差補正素子 6の変位検出部 19の表面に、光ビーム 18が斜めに入射した 状態を示す。変位検出部 19は、集光光学系の収差を補正するためのマイクロミラー 6bが 2次元配列されたマイクロミラーアレイの一部であり、任意の波面を形成できる。 変位検出部 19は、静電容量の変化力 可動部の変位量が得られる静電駆動型のァ クチユエータである。

[0092] この変位検出部 19を含むマイクロミラーアレイに、波面パターン発生器 103から集 光光学系の収差を補正するための制御信号が送られる。マイクロミラーアレイの一部 は、変位検出部 19として静電容量の変位量を検出する。 CMOS回路 6cは、収差を 補正するための変位検出部 19の駆動と、変位検出部 19から変位量を検出する動作 を高速で切り替える。ただし、光ビーム照射領域のミラー素子を変位検出部として用 いる場合は、必要な収差補正を確保した範囲内で変位量検出を行う。

[0093] この時分割駆動方式は、変位検出部全面に光ビームが照射されている場合に特に 有効である。

[0094] また、トラッキング制御時には、光ビーム 18の照射位置がシフトするので、そのシフ ト量に応じて、変位検出部として用いるミラー素子をシフトさせてもよい。

[0095] (実施形態 3)

次に、収差補正素子 6の変位検出部より得られる変位量を換算した信号から、温度 信号、湿度信号、加速度信号、角速度信号、圧力信号を得るための、収差補正素子 6の変位検出部の構造を説明する。

[0096] 図 3Aは、温度信号を得るための変位検出部の構造の一例を示す側面図である。 変位検出部は、互いに膨張係数が異なるアルミニウム層 20とシリコン層 21とを張り合 わされたバイメタルの片持ち梁構造を有して 、る。片持ち梁構造と空隙を介してアル ミニゥム層 22が設けられている。膨張係数が大きく異なる 2つの材料を選ぶことにより 、温度変化により片持ち梁構造を大きく反らせることが出来る。この反りによりバイメタ ルの片持ち梁構造とアルミニウム層 22との間に発生する静電容量 Cが変化する。こ の静電容量 Cを検出し、換算して温度信号を得る。例えば、少なくとも 1つのミラー素 子 6bの可動電極 47 (図 8)を上記のようなバイメタルの片持ち梁構造とすることで、温 度信号を得るための変位検出部を実現することができる。

[0097] 図 3Bは、湿度信号を得るための変位検出部の構造の一例を示す側面図である。

変位検出部は、高分子膜 24を金属薄膜のアルミニウム 23で挟んだコンデンサ構造 を有している。高分子膜 24の水分の吸収量に応じて静電容量 Cが変化する。このコ ンデンサ構造の静電容量 Cを検出し、換算して湿度信号を得る。例えば、少なくとも 1 つのミラー素子 6bの可動電極 47と固定電極 44との間に高分子膜 24を設けることで 、湿度信号を得るための変位検出部を実現することができる。

[0098] 図 3Cは、加速度信号を得るための変位検出部の構造の一例を示す側面図である 。変位検出部は、シリコンで形成された可動部の重り 25がパネで吊られていて、重り 25と空隙を介してアルミニウム層 26が形成されている構造を有している。可動部の 重り 25の変位により、重り 25とアルミニウム層 26との間に発生する静電容量 Cが変化 する。この静電容量変化と時間を検出し、換算して加速度信号を得る。例えば、少な くとも 1つのミラー素子 6bの可動部に重り 25を設けることで、加速度信号を得るため の変位検出部を実現することができる。

[0099] 図 3Dは、角速度を検出する原理を示す斜視図である。固有振動数で振動している 音叉型の水晶振動子構造 27に角速度 ωが加わった場合、振動方向 Xと直行したコ リオリカ Υが働く。このコリオリカ Υを検出し、換算して角速度信号を得る。例えば、可 動電極 47が固有振動数で固定電極 44に対して上下に振動しているミラー素子 6bに 角速度が加わると、可動電極 47にコリオリカ Yが働き、可動電極 47が固定電極 44に 対して傾くように振動が発生する。この傾きにより静電容量 Cが変化する。この傾きに よる静電容量変化を検出し、換算して角速度信号を得る。また、その傾くように振動 する振動の周期の変化を検出して、換算することで、角加速度信号を得ることができ る。

[0100] 図 3Eは、圧力信号を得るための変位検出部の構造の一例を示す側面図である。

絶縁層の酸ィ匕膜 29を介して上部シリコン層 28と下部シリコン層 31とが接合されてお り、上部シリコン層 28が圧力を受けると歪む構造を変位検出部は有している。歪んだ ときの、下部シリコン 31上に設けられたアルミ層 30と、上部シリコン層 28との間に発 生する静電容量 Cの変化を検出し、換算して、圧力信号を得る。例えば、圧力により 可動電極 47が歪むことで生じる可動電極 47と固定電極 44との間の静電容量変化を 検出することで、圧力信号を得ることができる。

[0101] なお、上述の変位検出部の構造および変位量検出方法は一例であって、本発明 は、これらの構造および検出方法に限定されない。

[0102] (実施形態 4)

図 4は、収差補正素子 6のミラー素子を示す側面図である。シリコン 33上に固定電 極部 32としてアルミニウム層 32aおよび 32bが形成されている。固定電極部 32と空 隙を介して、アルミニウムの可動電極 35が設けられている。可動電極 35の上面は光 を反射する反射面になっている。固定電極であるアルミニウム層 32aに電圧を印加す ると、アルミニウム層 32aと可動電極 31との間に電位差が生じる。この電位差カも静 電引力 34が発生し、可動電極 31が傾く動作を起こす。このミラー素子を検出器とし て用いる場合は、物理条件に応じて可動電極 35と固定電極 32との間の距離が変化 して、電極間に発生する静電容量 Cが変化するので、この静電容量 Cの変化量を検 出する。

[0103] (実施形態 5)

図 5は、圧電素子型のァクチユエータ構造を示す上面図である。圧電素子 38に電 圧を印加することで、シリコン可動部 36を変位させることが出来る。シリコン可動部 36 の上面は光を反射する反射面になっており、ァクチユエータはミラー素子として機能 する。また、物理条件に応じてシリコン可動部 36が変位すると、圧電素子 38に電圧 が発生するので、この発生した電圧を検出し、換算することによりフィードバック信号 が得られる。この 2つの特性から、圧電素子型のァクチユエータを、ミラー素子として 用いたり検出器として用いたりすることが出来る。

[0104] (実施形態 6)

図 6は、収差補正素子 6が備えるマイクロホン 39を示す図である。物理条件である 圧力には音圧も含まれる。収差補正素子 6にマイクロホン 39を設け、収差補正素子 6 周辺の音を検出し、検出した音に応じて光情報装置 101の構成要素をフィードバック 制御する。例えば、ローデイング機構 14、回転機構 15、チルト機構 16等で、安定制 御動作困難と判断させる異常音が発生した場合には、検出信号変換部 102は、動作 を停止させるための信号を各駆動部へ出力する。

[0105] なお、上述の信号送信手順は一例であって、検出信号変換部 102に信号を入力 する収差補正素子 6の検出部、および検出信号変換部 102がフィードバック制御す る駆動部は、これらに限定されない。

[0106] (実施形態 7)

図 7は、収差補正素子 6が備える送信機 40を示す図である。収差補正素子 6に外 部に信号を出す送信機 40を設けることで、外部機器と通信することができる。

[0107] また、収差補正素子 6に受信機を設ければ、外部機器との双方向通信も可能であ る。

[0108] (実施形態 8)

次に、図 10A〜図 10Hを参照して、収差補正素子 6が備えるミラー素子の作製プロ セスを説明するとともに、その作製プロセスを用いて形成された加速度センサーの構 造を説明する。図 10A〜図 10Hのそれぞれは、各製造工程を表す平面図と断面図 を含んでいる。なお、説明を簡単にするために、断面図は、構造の特徴的な部分を 強調して描かれており、必ずしも実際の製品に忠実な断面図ではない。

[0109] 図 10Aは、基台 6a上にグランド電極 43と固定電極 44が形成された状態を示す。典 型的には、厚さ 0. 5 mのアルミニウム膜をスパッタリング法で形成し、フォトリソダラ フィ法でパターユングする。前述したように、基台 6aは、シリコン基板上に形成された CMOS回路の最上層を絶縁層で被覆し、平坦ィ匕することによって得られている。図 示していないが、各電極は、絶縁層に設けられたコンタクトビアを介して、 CMOS回 路部と電気的に接続されている。 [0110] 図 10Bを参照して、グランド電極 43と固定電極 44を覆う犠牲層 50を形成する。犠 牲層 50は、フォトレジスト（例えば AZエレクトロニックマテリアルズの AZP4000シリー ズ等)または感光性ポリイミド (例えば日立化成デュポン製 PI2727等)から形成される 。フォトレジストまたは感光性ポリイミドをスピンコート法によって塗布した後、フォトリソ グラフイエ程で露光、現像してビア 51を形成し、 UVキュアして硬化する。

[0111] ビア 51は支柱 45を形成するための穴となる。犠牲層 50の膜厚が電極間ギャップと なる。静電ァクチユエータは、電極間ギャップの 3分の 1以上も変位すると、プルインし て制御不可能となるので、安定して制御できるように電極間ギャップ (すなわち犠牲 層 50の膜厚）を、最大変位量（0. 6 m)の 5倍の 3 mとする。

[0112] 図 10Cを参照して、犠牲層 50の上に、弾性支持部 46と可動電極 47を構成するメ タル層を堆積してパター-ングする。メタル層にはアルミニウム合金が使用される。ェ ツチングホール 47aも同時にパターユングされる。

[0113] メタル層の厚さは、弾性支持部 46のパネ定数の設計により決定される。ここでは 5V の駆動電圧で最大変位が得られるようにパネ定数を決定し、膜厚は 0. 3 mとする。

[0114] 可動電極 47も同じ膜厚であって、弾性支持部 46と同等の曲げ剛性であるため、こ のまま静電駆動すると弾性支持部 46の変形と同時に可動電極 47が固定電極 44の 方へ変形してしまう。しかし、後の工程で形成する垂直リブが可動電極 47のほぼ全 域に亘つて接続されるので、垂直リブの高!、剛性で補強されて上述の変形が阻止さ れる。

[0115] これにより、弾性支持部 46と可動電極 47の厚さを変える必要はなぐ 1回の成膜で 事足りるため、プロセスが簡単になる。

[0116] 図 10Dを参照して、メタル層の上に犠牲層 52をスピンコート法により塗布し、可動 電極 47の領域内にビア 53を形成する。犠牲層 52は犠牲層 50と同様の材料を使用 する。

[0117] ビア 53の領域で、後述する垂直リブが可動電極 47に接続される。それ以外の領域 、即ち弾性支持部 46の領域では、垂直リブは犠牲層 52の膜厚に相当する空隙を持 つて形成される。その膜厚はばらつきを含めて可動部の最大変位ストローク以上確保 されていれば良ぐなおかつ犠牲層 50よりは薄くする。ここでは 1. とする。犠牲 層 52も、 UVキュアして硬化する。

[0118] 図 10Eを参照して、さらに犠牲層 54をスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフイエ 程でパター-ングしてトレンチ 55を形成する。犠牲層 54には、高アスペクト比の厚塗 り用レジスト（例えば東京応化製 TSMR— iNlOOOPM等）が用いられる。犠牲層 54 の厚さは、後述する垂直リブ 48の高さとなり、可動電極 47、垂直リブ 48、ミラー面 49 がー体となった可動部の剛性を考慮して決定する。ここでは、犠牲層 54の膜厚 10 m、トレンチ幅 1 μ mとする。

[0119] 図 10Fを参照して、トレンチ 55にメタルを埋め込んで垂直リブ 48とミラー面 49を形 成する。メタル埋め込みの方法としては、アルミニウム合金をコリメ一トスパッタやロン ダスロースパッタでスパッタリングする方法、銅やニッケルをめつきで埋め込む方法等 、深い溝に良好に成膜できる工法が選ばれる。各トレンチ内では、トレンチの両側壁 力 中心に向かって均等に膜が成長し、トレンチ中心で合体した後、さらに上方に成 膜を続けミラー面 49を形成する。この時、ミラー面 49には、垂直リブ 48に対応した凹 部 58が残る。このメタルを埋め込む工程については後で詳細に説明する。

[0120] 図 10Gを参照して、ミラー面 49の表面を CMP (Chemical Mechanical Polishi ng)で研磨して鏡面を形成する。ミラー外形をウエットエッチングでパターユングして 、隣接ミラーとのギャップを形成する。埋め込んだメタルとしてアルミニウム合金を用い た場合は、このままミラー面として利用可能である。銅など他の金属を用いた場合は 表面に薄!ヽアルミや銀の反射層をさらに堆積してミラー面を形成する。

[0121] 図 10Hを参照して、酸素プラズマエッチングで犠牲層を除去し可動部をリリースす る。犠牲層 50の部分が空隙 56となり、犠牲層 52の部分が空隙 57となる。これにより 、弾性支持部 46、可動電極 47、ミラー面 49よりなる可動部が変位可能となり、ミラー 素子が完成する。

[0122] 図 10Hに示すように、グランド電極 43を接地し、固定電極 44に駆動電圧 +Vdを印 加すると、固定電極 44と可動電極 47の間に静電引力が発生して、ミラーは時計回り に回動する。すべての固定電極 44に同電圧を印加すると、ミラーは基台 6a側に平行 移動する。

[0123] 次に、図 11 (a)、図 11 (b)を参照して、犠牲層 54に形成したトレンチ 55にメタル層 58を埋め込む工程を説明する。

[0124] コリメートスパッタ等の方法でメタル層 58のメタル材料が堆積する際、矢印で示す結 晶成長方向に対して残留応力が発生し、膜厚方向に応力勾配が生じる。この応力は 、堆積速度や温度などの成膜条件によって様々に変化する。ここで仮に、結晶成長 方向に圧縮応力が大きくなるような応力勾配が生じるものとすると、ミラー面 49の部 分では +Z方向の応力勾配が発生し、上方向へ反ろうとする曲げモーメントが働く。 一方、トレンチ 55の内部では、両側面からトレンチの幅中央に向かって成長するため 、応力勾配は ±X方向に対称に生じ、最終的に図 11 (b)に示すように、トレンチ中央 部で合体した時、応力勾配はキャンセルされる。即ち、トレンチ 55内部に形成される 垂直リブ 48の部分では Z方向の応力勾配が生じないことになる。従って、垂直リブ 48 は Z方向に応力勾配を持たず、それ自体は反りを生じる曲げモーメントを発生しな!ヽ ので、ミラー面 49の部分が反るのを矯正するに足る剛性を持たせるよう、幅と高さを 設定すれば、ミラー面 49の応力勾配による反りを抑えることが出来る。さらに、垂直リ ブ 48の下端側にも可動電極 47が接続されている。このため、可動電極 47およびミラ 一面 49が薄くても、垂直リブ 48の剛性により、可動部は非常に剛性の高い構造とな る。

[0125] このような作製プロセスにより、極めて軽量で高剛性な可動部が形成される。

[0126] (実施形態 9)

図 10E〜図 10Hに示すミラー素子の作製プロセスでトレンチ 55を形成する際に、 加速度センサーのおもりになる構造を形成するパターユングについて、図 12A〜図 1

2Dを参照して説明する。

[0127] 図 12Aを参照して、図 10Eに示す作製プロセスにおいて、トレンチ 55を形成する際 のパター-ングで犠牲層 54の一部の三角形状が残らないようにパターユングされる

。すなわち、トレンチの一部の幅を他の部分よりも広く形成する。

[0128] 図 12Bを参照して、図 10Fに示す作製プロセスにおいて、メタルを埋め込んで垂直 リブ 48とミラー面 49を形成する。この際、上記の幅の広い部分におもり 59も形成され る。

[0129] 図 12Cを参照して、図 10Gに示す作製プロセスと同様に、ミラー面 49の表面を CM Pで研磨して鏡面とし、ミラー外形をウエットエッチングでパターユングして、隣接ミラ 一とのギャップを形成する。

[0130] 図 12Dを参照して、図 10Hに示す作製プロセスと同様に、酸素プラズマエッチング で犠牲層を除去し可動部をリリースする。犠牲層 50の部分が空隙 56となり、犠牲層 5 2の部分が空隙 57となる。これにより、弾性支持部 46、可動電極 47、ミラー面 49、お もり 59を備えた可動部が変位可能となる。

[0131] このような作製プロセスにより、極めて軽量で高剛性なミラー面の形成と共に、加速 度センサーのおもりになる構造が形成される。可動電極と固定電極間に発生する静 電容量をモニターすることにより、加速度が発生した際のおもり 59の変位力 静電容 量変化として検出される。

[0132] このようにして検出された加速度信号を、上述した光情報装置 101の構成要素の 少なくとも 1つのフィードバック制御に用いることができる。

[0133] なお、加速度信号でフィードバック制御される構成要素は可動機構部に限定されな い。

[0134] また、角速度の発生によりおもり 59が変位すると、可動電極 47と固定電極 44との 間に変位が生じる。 3つの固定電極 44に順に高周波信号を印加して、 3つの固定電 極 44それぞれについて静電容量変化を検出することで、そのような可動電極 47と固 定電極 44との間の変位を検出し、角速度信号を得ることができる。

[0135] (実施形態 10)

図 13 (a)〜13 (h)を参照して、実際の加速度センサーのおもり 59の配置を説明す る。

[0136] 図 13 (a)は、収差補正素子 6のマイクロミラー 6bの構造を示している。

[0137] 図 13 (b)は、加速度センサーのおもり 59を、マイクロミラー 6bの垂直リブ 48の全領 域に形成した構造を示す。

[0138] 図 13 (c)は、加速度センサーのおもり 59を、マイクロミラー 6bの垂直リブ 48の領域 で、支柱 45付近にバランス良く配置させた構造 (全領域における表面積で 25%程度

)を示す。

[0139] 図 13 (d)は、加速度センサーのおもり 59を、マイクロミラー 6bの垂直リブ 48の領域 で、支柱 45付近にアンバランスに配置させた構造 (全領域における表面積で 8%程 度)を示す。

[0140] 図 13 (e)は、加速度センサーのおもり 59を、マイクロミラー 6bの垂直リブ 48の領域 で、支柱 45付近にバランス良く配置させた構造 (全領域における表面積で 50%程度 )を示す。

[0141] 図 13 (f)は、加速度センサーのおもり 59を、マイクロミラー 6bの垂直リブ 48の領域 で、支柱 45付近にアンバランスに配置させた構造 (全領域における表面積で 17%程 度)を示す。

[0142] 図 13 (g)は、加速度センサーのおもり 59を、マイクロミラー 6bの垂直リブ 48の領域 の外周側にバランスに配置させた構造 (全領域における表面積で 75%程度)を示す

[0143] 図 13 (h)は、加速度センサーのおもり 59を、マイクロミラー 6bの垂直リブ 48の領域 で、支柱 45付近にアンバランスに配置させた構造 (全領域における表面積で 25%程 度)を示す。

[0144] また、固定電極 44の形状も、これらおもり 59に対向するように形成されている。

[0145] また、これらおもり 59の形状、形成領域および表面積比率は一例であって、これら に限定されない。

[0146] (実施形態 11)

図 1 OA〜図 1 OHを参照して説明した作製プロセスに 1プロセス追加するだけでバイ メタル構造を作製できる、温度センサーの作製プロセスを、図 14A〜(g)を参照して 説明する。

[0147] 図 14Aを参照して、図 10Eに示すトレンチ 55を形成するパターユングにおいて、犠 牲層 54の一部の領域を完全にパターユングして除去する。この犠牲層 54を完全に 除去した領域は、固定電極と対向した領域であり、この領域にノ メタル構造が形成 される。

[0148] 図 14Bを参照して、図 10Fに示す作製プロセスと同様に、トレンチにメタルを埋め込 んで垂直リブ 48とミラー面 49を形成する。この際、加速度センサーのおもり 59と同様 な構造が形成される。弾性支持部 46周辺と同様に、弾性支持部 46とおもり 59 (垂直 リブ 48)とは接合されて!ヽな 、。

[0149] 図 14Cを参照して、図 10Gに示す作製プロセスと同様に、ミラー面 49の表面を CM

Pで研磨して鏡面とし、ミラー外形をウエットエッチングでパターユングする。そのとき

、おもり 59をエッチングで除去する。

[0150] 図 14Dを参照して、酸素プラズマエッチングで犠牲層 52のみを完全に除去する。

この際、犠牲層 54も犠牲層 52と同程度除去されるが、犠牲層 54の厚さは犠牲層 52 の 2倍以上あるので完全に除去されるわけではなぐ犠牲層 50もあるので構造的に は問題ない。

[0151] 図 14Eを参照して、犠牲層 52の除去で露出したメタル層（弾性支持部 46または可 動電極 47)上に、そのメタル材料とは異なるメタル層を堆積させ、フォトレジストをスピ ンコート法で塗布し、フォトリソグラフイエ程でパターユングして片持ち梁 61を形成す る。

[0152] 図 14Fを参照して、酸素プラズマエッチングで犠牲層を除去し、片持ち梁 61をリリ ースする。犠牲層 50の部分が空隙 56となる。

[0153] これにより、ノ ィメタル構造として片持ち梁 61を備えた温度センサーが完成する。バ ィメタル構造の可動電極 47と検出電極 60との間に発生する静電容量をモニターす ることにより、温度変化によって変位する静電容量変化を検出することができる。

[0154] なお、片持ち梁 61は、図 14Fに示す形状であってもよいし、図 3Aに示す形状であ つてもよい。上面から見ると、片持ち梁 61は、厚さに対して十分な幅と長さを持った構 造となっている。

[0155] 片持ち梁 61の変形の検出力も生成された温度信号を、上述した光情報装置 101 の構成要素の少なくとも 1つのフィードバック制御に用いることができる。

[0156] なお、温度信号でフィードバック制御される構成要素は上述した構成要素に限定さ れない。

[0157] (実施形態 12)

図 15は、圧電素子型のァクチユエータであるマイクロミラー 6dを示す分解斜視図で ある。マイクロミラー 6dは光を変調する光変調部として機能する。図 15では、ミラーの 一部を切り欠 、て下部のリブ構造が見えるように示して 、る。 [0158] マイクロミラー 6dは、基台 6aと、光反射面 49が設けられ、基台 6aに対して変位可能 な可動部 72と、可動部 72を支持する弾性支持部 46と、可動部 72を変位させる圧電 部材 71とを備える。圧電部材 71は、マイクロミラー 6dに与えられた物理条件を検出 する検出部を兼用し、圧電部材 71の歪みから物理条件を検出する。検出する物理 条件は静電駆動型のマイクロミラー 6bと同様である。また、図 10A〜図 14Fを参照し て説明した上述のマイクロミラー 6bの製造プロセスと同様に、マイクロミラー 6dの製造 プロセスと同一のプロセスにて、おもりやバイメタル構造がマイクロミラー 6bに形成さ れる。おもりの配置例は図 13に示すとおりである。

[0159] 基台 6b上には弾性支持部 46が形成されており、弾性支持部 46は可動部 72を支 持している。可動部 72は垂直リブ 48およびミラー面 49を有する。可動部 72と基台 6b との間には空隙 73が形成されている。弾性支持部 46上には圧電部材 71が設けられ ている。圧電部材 71は上部電極 71aおよび下部電極 71bを備えており、上部電極 7 laおよび下部電極 71bに電圧を印加することで圧電部材 71は変位する。圧電部材 71が変位することにより、可動部 72を変位させることができる。

[0160] 次に、圧電素子型のマイクロミラー 6dの変位量の検出方法を説明する。 CMOS回 路 6cは、図 16に示すようなブリッジ回路を備えている。ここで歪みの無い状態での圧 電部材の抵抗を R、歪みが生じたときの圧電部材の抵抗変化量を ARとする。印加電 圧 V、検出電圧 VIおよび V2、抵抗 抵抗変化量 ARの関係は、 VI— V2=— VX ARZ4Rで表されるので、出電圧 VIおよび V2を検出することで ARが算出される。 抵抗変化量 Δ R力も圧電部材の変位量を算出することができる。

[0161] また、図 8を参照して説明した固定電極 44と可動電極 47との間の静電容量 Cの検 出方法と同様に、上部電極および下部電極の一方に高周波電圧を印加し、他方の 電極を流れる電流の位相と振幅力 圧電素子の変位量を算出してもよい。この検出 方法により、ミラー素子の駆動中でも変位量を検出することができる。

[0162] (実施形態 13)

図 17は、本実施形態による画像投射装置 200を示す図である。画像投射装置 200 は、空間光変調素子 203を備える。空間光変調素子 203は、上述の収差補正素子 6 と同様の構成を有し、ミラー素子と物理条件を検出する検出器とを備えている。これ により、画像投射装置 200でも光情報装置 101と同様の効果が得られる。

[0163] 光源 201から照射された光は、回転するカラーフィルター 202を透過して赤色光、 緑色光、青色光 (以下、 RGB光と称する）に変換される。 RGB光は、空間光変調素 子 203に入射する。空間光変調素子 203は、画像フレームに応じて RGB光を投射レ ンズ 205の方向へ反射させ、画像を形成するのに不要な光は、光吸光板 204の方向 へ反射させる。投射レンズ 205は、入射した RGB光を拡大し、投射画像 206が得ら れる。空間光変調素子 203が物理条件を検出する検出器を備えることにより、画像投 射装置 200内の物理条件の変化に応じて、画像投射装置 200の構成要素をフィード ノ ック制御することができる。

[0164] (実施形態 14)

図 18は、本実施形態によるカメラ 300を示す図である。カメラ 300は、収差補正素 子 302を備える。収差補正素子 302は、上述の収差補正素子 6と同様の構成を有し 、ミラー素子と物理条件を検出する検出器とを備えている。これにより、カメラ 300でも 光情報装置 101と同様の効果が得られる。

[0165] 被写体を反射した光はレンズ群 301を通過して収差補正素子 302へ入射し、収差 が補正される。収差補正された光は、ミラー 303で反射され、映像記録部 304に入射 する。映像記録部 304は受光素子を備えており、入射光を画像信号に変換して記録 する。通常のカメラでは高価なレンズ群によって光の収差を補正している力 カメラ 3 00では収差補正素子 302で収差を補正することができるので、高価なレンズ群を使 用する必要が無くなる。

[0166] また、収差補正素子 302が物理条件を検出する検出器を備えることにより、カメラ 3 00内の物理条件の変化に応じて、カメラ 300の構成要素をフィードバック制御するこ とができる。例えば、カメラの手ブレ補正に必要なフィードバック信号を、検出器が検 出した加速度、角速度、角加速度から生成することができる。また、重力加速度をモ 二ターすることで、落下時の安全動作 (例えば、ズーム状態にあるレンズを元の位置 に戻す等)を行うことができる。

[0167] (実施形態 15)

図 19および図 20は、本実施形態によるカメラ 400を示す図である。カメラ 400は、 収差補正素子 402を備える。収差補正素子 402は、上述の収差補正素子 6と同様の 構成を有し、ミラー素子と物理条件を検出する検出器とを備えている。これにより、力 メラ 400でも光情報装置 101と同様の効果が得られる。

[0168] また、収差補正素子 402は、手ブレ補正用ミラー素子としての機能も有する。図 19 は手ブレ補正が行われて 、な 、ときの光路を示し、図 20は手ブレ補正が行われて!/ヽ るときの光路を示している。

[0169] 被写体力もの光はレンズ群 401を通過して収差補正素子 402へ入射し、収差が補 正される。また同時に、収差補正素子 402は、手ブレ量に応じてミラー素子を変位さ せて手ブレを補正する。収差補正および手ブレ補正がされた光は、ミラー 403で反射 され、映像記録部 404に入射する。映像記録部 404は受光素子を備えており、入射 光を画像信号に変換して記録する。手ブレ補正に必要なフィードバック信号は、検出 器が検出した加速度、角速度、角加速度から生成することができる。

[0170] (実施形態 16)

図 21は、本実施形態による顕微鏡 500を示す図である。顕微鏡 500は、収差補正 素子 506を備える。収差補正素子 506は、上述の収差補正素子 6と同様の構成を有 し、ミラー素子と物理条件を検出する検出器とを備えている。これにより、顕微鏡 500 でも光情報装置 101と同様の効果が得られる。

[0171] 試料台 502に載置された試料 501表面を反射した光は対物レンズ 503、ハーフミラ 一 504および接眼レンズ 505を通過して瞳 509へ入射することで試料が肉眼により 観察される。また、対物レンズ 503からハーフミラー 504へ入射した光の一部はハー フミラー 504で反射され、収差補正素子 506へ入射して収差が補正される。収差補 正された光は集光レンズ 507で集光されて CCDカメラで撮像される。

[0172] 収差補正素子 506が物理条件を検出する検出器を備えることにより、顕微鏡 500 内の物理条件の変化に応じて、顕微鏡 500の構成要素をフィードバック制御すること ができる。例えば、検出器が検出した加速度、角速度、角加速度力 生成したフィー ドバック信号で試料台 502の位置を制御する事で、振動による観察像のボケや、測 定中の観測点のズレを防止することができる。特に、高倍率になると視野が狭くなる ので、振動に起因する像の乱れの防止は重要である。 [0173] (実施形態 17)

図 22は、本実施形態による画像投射装置 600を示す図である。画像投射装置 600 は、空間光変調素子 604を備える。空間光変調素子 604は、上述の収差補正素子 6 と同様の構成を有し、ミラー素子と物理条件を検出する検出器とを備えている。これ により、画像投射装置 600でも光情報装置 101と同様の効果が得られる。

[0174] 光源 601から照射された光は、集光レンズ 602およびカラーフィルター 603を通過 して空間光変調素子 604に入射する。空間光変調素子 604は、画像フレームに応じ て光を投射レンズ 605の方向へ反射させる。投射レンズ 605は、入射した光を拡大し 、投射画像 608が得られる。空間光変調素子 604が備える検出器の変位量力も重力 加速度を検出する。演算部 605は、重力加速度の方向から傾斜角を算出し、算出さ れた傾斜角に応じて制御部 606は空間光変調素子 604をフィードバック制御して、 投射画像の台形歪み補正を行う。従来の装置では、別途傾斜センサーを搭載してい たが、空間光変調素子 604が重力加速度を検出することで、装置全体としてコストダ ゥンを実現することができる。

[0175] なお、図 2を参照して説明した時分割駆動と同様に、上述の本発明の画像投射装 置、カメラ、顕微鏡においても、光の変調動作と変位量の検出動作とを時分割的に 切り替えてもよい。

[0176] 上述の説明では、収差補正素子として、本発明により得られる効果を最も良く発揮 するマイクロミラーアレイを採用したが、応答性が良く領域ごとに収差補正状態を設 定できる素子であればよぐ例えば、液晶素子等の収差補正素子に変位量検出部を 設けても同様の効果が得られる。

[0177] 本発明の収差補正素子を光ヘッド装置が搭載することにより、収差補正素子の静 電容量変化または圧電素子の変位量から、温度信号、湿度信号、加速度信号、角 速度信号等を生成することができるため、個々の検出器の数量を削減でき、光ヘッド 装置の小型化、機構の簡略化、低コスト化が実現できる。

[0178] 以上説明したように、本発明のァクチユエータは、光を変調する光変調部を備えた ァクチユエータであって、前記光変調部は、基台と、光反射面を有し、前記基台に対 して変位可能な可動部と、前記可動部を支持する弾性支持部と、前記可動部と対向 するように前記基台上に形成された固定電極部と、前記ァクチユエータに与えられた 物理条件を検出する検出部とを備えたことを特徴とする。

[0179] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記可動部および前記固定電極部であり

、前記可動部と前記固定電極部との間の変位量力 前記物理条件を検出する。

[0180] ある実施形態によれば、前記物理条件は、温度、湿度、加速度、角速度、角加速 度、圧力の少なくとも 1つである。

[0181] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の作製プロセスと同一プロ セスにて作製された加速度センサーである。

[0182] ある実施形態によれば、前記可動部と前記固定電極との間に発生する静電引力に より前記可動部を変位させる。

[0183] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の少なくとも一部に配置さ れている。

[0184] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の外周部の少なくとも一部 に配置されている。

[0185] 本発明の製造方法は、可動電極と固定電極との間に発生する静電引力により前記 可動部が変位するァクチユエータの製造方法であって、基台上に前記固定電極を形 成するステップと、前記固定電極上に第 1犠牲層を堆積させ、前記第 1犠牲層上に 前記可動電極を形成するステップと、前記可動電極上に第 2犠牲層を堆積させるス テツプと、前記可動電極とミラー部とを接続するリブを形成する材料を堆積させるため のトレンチを前記第 2犠牲層に形成するときに、前記トレンチの一部の幅を他の部分 よりも広く形成するステップと、前記トレンチに前記材料を堆積させて、前記リブを形 成すると共に前記幅の広い部分におもりを形成するステップとを包含することを特徴 とする。

[0186] 本発明の光ヘッド装置は、レーザ光を出力する光源と、前記レーザ光を光ディスク 媒体へ照射する光学系と、前記レーザ光の収差を補正する収差補正部とを備えた光 ヘッド装置であって、前記収差補正部は、前記レーザ光を反射する複数のミラー部と 、前記複数のミラー部を変位させる複数のミラー駆動部と、前記光ヘッド装置内の物 理条件を検出する検出部とを備えていることを特徴とする。 [0187] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記複数のミラー駆動部のうちの少なくと も 1つのミラー駆動部である。

[0188] ある実施形態によれば、前記検出した物理条件に応じた所定の駆動信号を生成す る駆動信号生成部をさらに備える。

[0189] ある実施形態によれば、前記物理条件は、温度、湿度、加速度、角速度、角加速 度、圧力の少なくとも 1つである。

[0190] ある実施形態によれば、前記少なくとも 1つのミラー駆動部は、収差補正のために 少なくとも 1つの前記ミラー部を駆動する動作と、前記物理条件を検出する動作とを 時分割的に切り替える。

[0191] ある実施形態によれば、前記ミラー駆動部は、空隙を介して離れた可動電極部と固 定電極部とを備え、前記ミラー駆動部は、前記可動電極と前記固定電極との間に発 生する静電引力により前記ミラー部を変位させる。

[0192] ある実施形態によれば、前記ミラー駆動部は圧電素子を備え、前記圧電素子の変 形に応じて前記ミラー部が変位する。

[0193] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記ミラー駆動部の作製プロセスと同一プ ロセスにて作製された加速度センサーである。

[0194] ある実施形態によれば、前記加速度センサーは、空隙を介して離れた可動電極部 と固定電極部とを備え、前記光ヘッド装置に生じた加速度に応じて前記可動電極と 前記固定電極との間の距離が変化する。

[0195] ある実施形態によれば、前記収差補正部は、基台と、光反射面を有し、前記基台 に対して変位可能な可動部と、前記可動部を支持する弾性支持部と、前記可動部と 対向するように前記基台上に形成された固定電極部とを備える。

[0196] ある実施形態によれば、前記収差補正部は、基台と、光反射面を有し、前記基台 に対して変位可能な可動部と、前記可動部を支持する弾性支持部と、前記可動部を 変位させる圧電部材とを備える。

[0197] 本発明の光情報装置は、前記光ヘッド装置と、前記光源を駆動する光源駆動部と

、前記光学系が備える対物レンズの位置を制御する対物レンズ機構を駆動する対物 レンズ機構駆動部と、前記光ヘッド装置を前記光ディスク媒体の半径方向に沿って 移送するトラバース機構を駆動するトラバース機構駆動部と、前記光ディスク媒体を 回転させる回転機構を駆動する回転機構駆動部と、前記光源駆動部、前記対物レン ズ機構駆動部、前記トラバース機構駆動部および前記回転機構駆動部の少なくとも

1つを駆動する駆動信号を前記検出した物理条件に応じて生成する駆動信号生成 部とを備えたことを特徴とする。

[0198] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記ミラー駆動部の作製プロセスと同一プ ロセスにて作製された加速度センサーである。

[0199] 本発明の光情報装置は、前記光ヘッド装置を備えた光情報装置であって、前記光 情報装置は、前記光学系が備える対物レンズおよび前記光ディスク媒体の少なくとも 一方をチルトさせるチルト機構を駆動するチルト機構駆動部と、前記光学系の光路 中に配置された光学素子の位置を制御する光学素子機構を駆動する光学素子機構 駆動部と、前記対物レンズが前記光ディスク媒体に衝突するのを防止する衝突防止 機構を駆動する衝突防止機構駆動部と、前記光ディスク媒体をロードするローデイン グ機構を駆動するローデイング機構駆動部と、冷却用ファンを駆動する冷却用ファン 駆動部とのうちの少なくとも 1つをさらに備え、前記光情報装置は、前記チルト機構駆 動部、前記光学素子機構駆動部、前記衝突防止機構駆動部、前記ローデイング機 構駆動部および前記冷却用ファン駆動部の少なくとも 1つを駆動する駆動信号を前 記検出した物理条件に応じて生成する駆動信号生成部をさらに備えることを特徴と する。

[0200] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記ミラー駆動部の作製プロセスと同一プ ロセスにて作製された加速度センサーである。

[0201] 本発明のァクチユエータは、光を変調する光変調部を備えたァクチユエータであつ て、前記光変調部は、基台と、光反射面を有し、前記基台に対して変位可能な可動 部と、前記可動部を支持する弾性支持部と、前記可動部を変位させる圧電部材と、 前記ァクチユエータに与えられた物理条件を検出する検出部とを備えたことを特徴と する。

[0202] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記圧電部材であり、前記圧電部材の歪 みから前記物理条件を検出する。 [0203] ある実施形態によれば、前記物理条件は、温度、湿度、加速度、角速度、角加速 度、圧力の少なくとも 1つである。

[0204] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の作製プロセスと同一プロ セスにて作製された加速度センサーである。

[0205] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の少なくとも一部に配置さ れている。

[0206] ある実施形態によれば、前記検出部は、前記光変調部の外周部の少なくとも一部 に配置されている。

[0207] 本発明の製造方法は、可動電極と固定電極との間に発生する静電引力により前記 可動部が変位するァクチユエータの製造方法であって、基台上に前記固定電極を形 成するステップと、前記固定電極上に犠牲層を堆積させるステップと、前記可動電極 および前記可動電極を支持する弾性支持部を前記犠牲層上に形成するステップと、 前記可動電極および前記弾性支持部の少なくとも一方に、前記可動電極および前 記弾性支持部の材料とは異なる材料を堆積させてバイメタル構造を形成するステツ プとを包含することを特徴とする。

産業上の利用可能性

[0208] 本発明は、収差補正を行う技術分野において特に有用である。

Claims

請求の範囲

[1] 光を変調する光変調部を備えたァクチユエータであって、

前記光変調部は、

基台と、

光反射面を有し、前記基台に対して変位可能な可動部と、

前記可動部を支持する弾性支持部と、

前記可動部と対向するように前記基台上に形成された固定電極部と、 前記ァクチユエータに与えられた物理条件を検出する検出部と

を備えた、ァクチユエータ。

[2] 前記検出部は、前記可動部および前記固定電極部であり、

前記可動部と前記固定電極部との間の変位量から前記物理条件を検出する、請 求項 1に記載のァクチユエータ。

[3] 前記物理条件は、温度、湿度、加速度、角速度、角加速度、圧力の少なくとも 1つ である、請求項 1に記載のァクチユエータ。

[4] 前記検出部は、前記光変調部の作製プロセスと同一プロセスにて作製された加速 度センサーである、請求項 1に記載のァクチユエータ。

[5] 前記可動部と前記固定電極との間に発生する静電引力により前記可動部を変位さ せる、請求項 1に記載のァクチユエータ。

[6] 前記検出部は、前記光変調部の少なくとも一部に配置されている、請求項 1に記載 のァクチユエータ。

[7] 前記検出部は、前記光変調部の外周部の少なくとも一部に配置されている、請求 項 1に記載のァクチユエータ。

[8] 可動電極と固定電極との間に発生する静電引力により前記可動部が変位するァク チユエータの製造方法であって、

基台上に前記固定電極を形成するステップと、

前記固定電極上に第 1犠牲層を堆積させ、前記第 1犠牲層上に前記可動電極を形 成するステップと、

前記可動電極上に第 2犠牲層を堆積させるステップと、 前記可動電極とミラー部とを接続するリブを形成する材料を堆積させるためのトレン チを前記第 2犠牲層に形成するときに、前記トレンチの一部の幅を他の部分よりも広 く形成するステップと、

前記トレンチに前記材料を堆積させて、前記リブを形成すると共に前記幅の広!ヽ部 分におもりを形成するステップと

を包含する製造方法。