WO2006137275A1 - 圧電薄膜フィルタ - Google Patents

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Keiichi Umeda
Hideki Kawamura
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0095Balance-unbalance or balance-balance networks using bulk acoustic wave devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023Balance-unbalance or balance-balance networks
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    • H03H9/0085Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having four acoustic tracks
    • H03H9/009Lattice filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489Compensation of undesirable effects
    • H03H9/6493Side lobe suppression

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric thin film filter, and more particularly to a piezoelectric thin film filter in which resonators are connected in a lattice shape.
  • a series arm resonator is provided between input terminals 2 and 5 and output terminals 3 and 6.
  • SAW surface acoustic wave
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 3389911
  • the capacitor can be formed simultaneously with the resonator, for example, by forming a pair of comb electrodes on the piezoelectric substrate.
  • the capacitance of the parallel arm resonator is made larger than the capacitance of the series arm resonator.
  • the capacitance of the parallel arm resonator can be 0.18 pF
  • the capacitance of the series arm resonator can be 0.3 pF
  • the additional capacitance can be 0.12 pF.
  • the sum of the parallel arm resonator capacitance 0.18pF and the additional capacitance 0.12pF is equal to the series arm resonator capacitance 0.3pF. Is the same in the frequency range away from the resonance frequency. As a result, a large attenuation can be obtained at frequencies far from the passband.
  • FIG. 1 (a) shows an equivalent circuit of one resonator.
  • L is series inductance
  • C is series capacitance
  • R is series resistance
  • C is parallel capacitance.
  • An additional capacitor Cx is placed in parallel with this resonator.
  • a parallel arm resonator in which an additional capacitor is connected in parallel can be regarded as a resonator having a ⁇ value larger than that of the series arm resonator and having the same parallel capacitance as the series arm resonator.
  • k 2 2 ′ AfZfr.
  • Af fa—fr, fr is the resonance frequency, and fa is the anti-resonance frequency.
  • the present invention can obtain a large amount of attenuation at a frequency away from the passband without adding a special process, and can improve the steepness on both sides in the vicinity of the passband.
  • the present invention provides a piezoelectric thin film filter configured as follows.
  • the piezoelectric thin film filter includes a plurality of first, second, and third resonators in which a piezoelectric thin film is sandwiched between a pair of electrodes.
  • the second resonator or the first and third resonators connected in parallel constitute a series arm resonator or a parallel arm resonator connected in a lattice shape, respectively.
  • the capacity of the second resonator is larger than the capacity of the first resonator.
  • the capacity of the third resonator is approximately equal to the difference between the capacity of the second resonator and the capacity of the first resonator.
  • the resonance frequency of the first resonator is higher than the resonance frequency of the second resonator.
  • the antiresonance frequency of the third resonator is lower than the resonance frequency of the first resonator, which is greater than the resonance frequency of the second resonator.
  • the second resonator constitutes a series arm resonator connected in a lattice shape
  • the first and third resonators connected in parallel have a parallel shape connected in a lattice shape. Constructs an arm resonator.
  • the second resonator constitutes a parallel arm resonator connected in a lattice shape
  • the first and third resonators connected in parallel constitute a series arm resonator connected in a lattice shape.
  • the third resonator connected in parallel to the first resonator has a capacitance between the resonance frequency and the antiresonance frequency of the first resonator, and is parallel to the first resonator. It is equivalent to adding capacity. Therefore, the antiresonance point of the first resonator is resonated by the third resonator. It is possible to improve the steepness of the filter characteristics on the high frequency side of the pass band close to the point side.
  • a frequency (pole) is created in which the impedances of the first and third resonators connected in parallel and the second resonator are the same including the sign. This can improve the steepness of the low pass band.
  • the resonance frequency of the third resonator matches the resonance frequency of the second resonator.
  • the third resonator and the second resonator can be formed with the same film thickness.
  • the number of processes can be reduced.
  • the filter characteristics can be abruptly attenuated at the end of the pass band on the low frequency side.
  • the sum of the capacities of the first resonator and the third resonator is equal to the capacity of the second resonator.
  • the impedance of the series arm resonator and the parallel arm resonator are equal to each other so that the impedances outside the pass band coincide with each other. You can get it.
  • the sum of the capacities of the first resonator and the third resonator is different from that of the second resonator.
  • the capacitance of the series arm resonator and the capacitance of the parallel arm resonator are different.
  • Attenuation poles can be formed outside the passband. As a result, a filter having a steeper attenuation characteristic can be obtained.
  • the difference between the antiresonance frequency and the resonance frequency of the first resonator is smaller than the difference between the antiresonance frequency and the resonance frequency of the second resonator.
  • a filter having a steep attenuation characteristic on both sides of the pass band can be obtained by using two operating frequencies.
  • the piezoelectric thin film filter of the present invention it is possible to obtain a large amount of attenuation at a frequency away from the pass band without adding a special process, and to improve the steepness on both sides in the vicinity of the pass band.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing an equivalent circuit when a capacitor is added to the resonator and the resonator.
  • FIG. 2 is a graph showing impedance characteristics.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of a filter. (Example 1)
  • FIG. 4 is a graph of impedance characteristics. (Example 1)
  • FIG. 5 is a graph of impedance characteristics. (Example 1)
  • FIG. 6 This is a graph of the characteristics of finaloreta. (Example 1)
  • FIG. 7 is a graph of filter characteristics. (Example 1)
  • FIG. 8 is a circuit diagram of a filter. (Comparative example)
  • FIG. 9 is a graph of filter characteristics. (Example Comparative Example)
  • FIG. 10 is a graph of filter characteristics. (Example 1, comparative example)
  • FIG. 11 is a Smith chart showing filter characteristics. (Example Comparative Example)
  • FIG. 12 is a circuit diagram of a filter. (Example 2)
  • FIG. 13 is a graph of impedance characteristics. (Example 2)
  • FIG. 14 is a graph of impedance characteristics. (Example 2)
  • FIG. 15 This is a graph of the characteristics of the finoleta. (Example 2)
  • FIG. 16 A graph of the characteristics of the finoreta. (Example 2)
  • FIG. 17 is a graph of impedance characteristics. (Example 3)
  • FIG. 18 A graph of the characteristics of the finoleta. (Example 3)
  • FIG. 19 This is a graph of the characteristics of the finoreta. (Example 3)
  • FIG. 20 is a graph of impedance characteristics. (Example 4)
  • FIG. 21 is a graph of filter characteristics. (Example 4)
  • FIG. 22 A graph of the characteristics of the finoleta. (Example 4)
  • FIG. 23 is a circuit diagram of a filter. (Conventional example)
  • the piezoelectric thin film filter 10 is a lattice type filter in which a series arm resonator C-2 and a parallel arm resonator C-1 are connected in a lattice shape. That is, two series arm resonators C-2 are connected between the input terminal 11 and the output terminal 13 and between the input terminal 12 and the output terminal 14, respectively. Two parallel arm resonators C-1 are connected between the input terminal 11 and the output terminal 14, and between the input terminal 12 and the output terminal 13, respectively. Furthermore, an additional resonator Cx_l is connected in parallel to each parallel arm resonator C_l.
  • the capacity of the series arm resonator C-2 is larger than the capacity of the parallel arm resonator C-1.
  • the capacitance of the additional resonator Cx-1 is approximately equal to the difference between the capacitance of the series arm resonator C-2 and the capacitance of the parallel arm resonator C-1.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator C-1 is higher than the resonance frequency of the series arm resonator C-2.
  • the antiresonance frequency of the additional resonator Cx-1 is smaller than the resonance frequency of the parallel arm resonator C-1 that is larger than the resonance frequency of the series arm resonator C-2.
  • the additional resonator Cx-1 connected in parallel to the parallel arm resonator C-1 has a capacitance between the resonance frequency and the antiresonance frequency of the parallel arm resonator C-1, and the parallel arm This is equivalent to adding a capacitor in parallel to the resonator C-1.
  • the additional resonator Cx-1 can bring the antiresonance point of the parallel arm resonator C-1 closer to the resonance point side, and can improve the steepness of the filter characteristics on the high band side of the passband.
  • the combined impedance of the parallel arm resonator C-1 and the attached calo resonator Cx-1 connected in parallel and the impedance of the series arm resonator C-2 are Can be the same frequency (pole) including.
  • the low band side of the passband Can improve sex.
  • FIG. 4 and 5 show impedance characteristics when the operating frequency is changed for each resonator.
  • Figures 6 and 7 show the filter characteristics.
  • Fig. 5 is a partially enlarged view of Fig. 4.
  • FIG. 6 is a partially enlarged view of FIG.
  • the thick line 15 indicates the impedance characteristic of the series arm resonator C-2.
  • the thin line 16 shows the impedance characteristic of the parallel arm resonator C-1.
  • the broken line 16x shows the impedance characteristics of the additional resonator Cx-1.
  • the chain line 17 shows the combined impedance characteristics when the parallel arm resonator C-1 and the additional resonator Cx_l are connected in parallel.
  • the additional resonator Cx-1 Since the operating frequencies of the parallel arm resonator C-1 and the additional resonator Cx-1 are different, the additional resonator Cx-1 has a capacitance within the range of the resonance frequency and the antiresonance frequency of the parallel arm resonator C-1. It has only characteristics, and as in Patent Document 1, capacity is added, and k 2 changes according to the same principle as Patent Document 1.
  • the three types of resonators C-1, C-2, and Cx-1 have different operating frequencies. For this reason, when the piezoelectric thin film filter 10 is manufactured using a BAW resonator, it is necessary to change the film thickness' structure for each resonator C-1, C-2, and Cx-1, and the number of processes increases.
  • FIG. 8 is a circuit diagram of a lattice filter 20 of a comparative example.
  • a comparative type lattice filter 20 includes two series arm resonators C-4 between the input terminals 21 and 22 and the output terminals 23 and 24.
  • Two parallel arm resonators C-3 are connected in a lattice shape, and each parallel arm resonator C-3 is connected to a capacitor Cx in parallel.
  • the capacitance of the additional capacitor Cx is 0.12pF.
  • Fig. 9 shows transmission characteristics (S)
  • Fig. 10 shows reflection characteristics (S)
  • Fig. 11 shows comparative examples and examples.
  • Example 30 As shown in FIG. 9, the steepness of Example 30 is improved compared to Comparative Example 33 on the lower side of the passband indicated by reference numeral 36. On the high side of the passband indicated by reference numeral 37
  • Example 30 the steepness is improved to the same extent as in Comparative Example 33.
  • Example 31 reduces S (reflection) compared to Comparative Example 34. This is the figure 1
  • the impedance force in the vicinity of the low pass band side is capacitive impedance (below the horizontal axis) in Comparative Example 35, whereas in Example 32, the constant resistance circle is increased to the plus side. This is because the inductive impedance is shifted in the direction, and reaches around 50 ⁇ point 38.
  • Embodiment 2 The piezoelectric thin film filter 40 of Embodiment 2 will be described with reference to FIGS.
  • the additional resonators are connected in parallel without increasing the number of steps by giving two kinds of operating frequencies.
  • the piezoelectric thin film filter 40 includes two series arm resonators C— between the input terminals 41 and 42 and the output terminals 43 and 44, as in the first embodiment.
  • Two and two parallel arm resonators C-1 are connected in a lattice pattern, and each parallel arm resonator C-1 is connected in parallel with an attached calorie resonator Cx-1.
  • the resonance frequency of the additional resonator Cx-1 and the resonance frequency of the series arm resonator C-2 are the same. BA using vibration in thickness direction
  • the additional resonator Cx-1 and the series arm resonator C-2 can be formed with the same film thickness, so that the number of processes can be reduced.
  • the capacitance of the parallel arm resonator C-1 is 0.18pF
  • the capacitance of the series arm resonator C-2 is 0.18pF
  • FIG. 13 and FIG. 14 show impedance characteristics when the operating frequency is changed for each resonator.
  • Figures 15 and 16 show the filter characteristics.
  • FIG. 14 is an enlarged view of a part of FIG.
  • FIG. 15 is a partially enlarged view of FIG.
  • the thick line 45 indicates the impedance characteristic of the series arm resonator C-2.
  • the thin line 46 shows the impedance characteristic of the parallel arm resonator C-1.
  • a chain line 46x indicates the impedance characteristic of the attached resonator Cx-1.
  • the thin line 47 indicates the combined impedance characteristic when the parallel arm resonator C-1 and the additional resonator Cx-1 are connected in parallel.
  • the frequency coincides with the resonance point 47a of the combined impedance characteristic curve 47 of —1.
  • an attenuation pole 49 is generated in the vicinity of the passband, and a steep and large out-of-band attenuation filter characteristic can be obtained.
  • the additional resonator Cx-1 is connected to two series arm resonators C-2 that are not connected to the parallel arm resonator C-1.
  • the operating frequency of the additional resonator Cx_l is
  • the operating frequency of the parallel arm resonator C-1 is the same.
  • Either the series arm resonator C-2 or the parallel arm resonator C-1 having a different operating frequency has the same operating frequency as the other of the series arm resonator C-2 or the parallel arm resonator C-1.
  • the filter characteristics can be improved by connecting the additional resonator Cx-1 in parallel.
  • Example 3 The filter of Embodiment 3 will be described with reference to FIGS.
  • Example 3 two operating frequencies, thereby have different k 2 from each other, to have steep attenuation band near edge of both sides of the passband. Since the circuit diagram is the same as in the first and second embodiments, the description thereof is omitted.
  • the resonance frequency of the additional resonator added to either the parallel arm resonator or the series arm resonator is set to coincide with the resonance frequency of the other resonator to which the additional resonator is not added. In other words, there are two types of frequencies.
  • k 2 of the additional resonator and the resonator to be added is changed.
  • a method of changing the k 2 is,
  • the configuration and film thickness value of the vibrating portion are shown in Table 1.
  • the capacitance of the parallel arm resonator C-1 is 0.2 pF
  • the capacitance of the series arm resonator C-2 is 0.3 pF
  • the capacitance of the additional resonator Cx-1 is 0.3 lpF
  • the parallel arm resonator C_l and the additional resonator Cx_l changing the operating frequency and k 2.
  • FIG. 17 shows impedance characteristics
  • FIGS. 18 and 19 show filter characteristics
  • the thick line 50 indicates the impedance characteristic of the series arm resonator C-2
  • the thin line 52 indicates the combined impedance when the parallel arm resonator C-1 and the additional resonator Cx-1 are connected in parallel.
  • attenuation poles 56 and 57 are generated in the vicinity of both sides of the low frequency side and high frequency side of the pass band, and the filter characteristics are steep and have large out-of-band attenuation. With the attenuation pole 57 on the high frequency side, the filter characteristics can be further improved as compared with the second embodiment.
  • Example 4 The filter of Example 4 will be described with reference to FIGS.
  • the combined capacities of the serial arm and the parallel arm are made different so that steep attenuation is provided near the band edges on both sides of the pass band.
  • the circuit diagram is the same as in Examples 1 and 2, and is omitted.
  • the resonance frequency of the additional resonator added to either the parallel arm resonator or the series arm resonator does not add the additional resonator! ⁇ ⁇ ⁇ Match with the resonance frequency of the other resonator.
  • the parallel arm resonator C-1 has a capacitance of 0.22 pF
  • the series arm resonator C-2 has a capacitance of 0.3 pF
  • the additional resonator Cx-1 has a capacitance of 0.1 l lpF. explain.
  • FIG. 20 shows impedance characteristics
  • FIGS. 21 and 22 show filter characteristics.
  • FIG. 21 is a partially enlarged view of FIG.
  • the thick line 60 represents the impedance characteristic of the series arm resonator C-2
  • the thin line 62 represents the parallel arm resonator C-1 and the additional resonator Cx-1 that are connected in parallel.
  • the synthetic impedance characteristics of The impedance of both points is 61 (4. 796 GHz, 72. 565 ⁇ ) and the point 63 (5. 48 GHz, 118. 154 ⁇ ).
  • the resonance point of series arm resonator C-2 resonance point 60a (5.095GHz, 2. 988 ⁇ ), parallel arm resonator C-1 and auxiliary resonator Cx-1 connected in parallel
  • the frequency matches 62a.
  • attenuation poles 66, 67, 68 are generated in the vicinity of both the low frequency side and the high frequency side of the pass band, and the filter characteristics are steep and have large out-of-band attenuation.
  • 5GHz band W-band bandpass filters are used for 2.4GHz band wireless LAN and other devices using the vicinity of the 2GHz band. Therefore, it is necessary to have a characteristic that a large amount of attenuation is obtained and that the attenuation is steeply attenuated on both sides of the passband. Since the piezoelectric thin film filters of Examples 1 to 4 satisfy such requirements, they are suitable for 5 GHz band W-LAN band-pass filters.
  • the additional resonator may be connected in parallel to the series arm resonator.
  • the number of stages of the lattice-type filter is not limited to the two stages of Examples 1 to 4, but may be one stage or three or more stages.

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Abstract

 特別な工程を追加することなく、通過帯域から離れた周波数における大きな減衰量を得るとともに、通過帯域近傍の両側で急峻性を改善することができる、共振子を格子型に接続した圧電薄膜フィルタを提供する。  第2の共振子C_2、又は並列に接続された第1及び第3の共振子C_1,Cx_1が、それぞれ、格子型に接続された直列腕共振子又は並列腕共振子C_1を構成する。第2の共振子C_2の容量は、第1の共振子C_1の容量より大きい。第3の共振子Cx_1の容量は、第2の共振子C_2の容量と第1の共振子C_1の容量との差に略等しい。第1の共振子C_1の共振周波数は、第2の共振子C_2の共振周波数より高い。第3の共振子Cx_1の反共振周波数は、第2の共振子C_2の共振周波数より大きく、第1の共振子C_1の共振周波数より小さい。

Description

明 細 書
圧電薄膜フィルタ
技術分野
[0001] 本発明は圧電薄膜フィルタに関し、詳しくは、共振子を格子型に接続した圧電薄膜 フィルタに関する。
背景技術
[0002] 共振子を格子型に接続したフィルタにお 、て、フィルタ特性を急峻にするために容 量を付加することが提案されて 、る。
[0003] 例えば図 23に示すように、入力端子 2, 5と出力端子 3, 6との間に、直列腕共振子
4, 7と並列腕共振子 8, 9とが格子型に接続され、並列腕共振子 8, 9に並列に容量 1
0, 11を接続する、弾性表面波(SAW)フィルタ 1の回路構成が提案されている。(例 えば、特許文献 1参照)。
特許文献 1 :特許第 3389911号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] このような回路構成にすると、直列腕共振子の周波数が並列腕共振子の周波数よ り高い場合、通過帯域の低域側の急峻性が改善され、通過帯域から離れた周波数 において大きな減衰が得られる。逆に、直列腕共振子の周波数が並列腕共振子の 周波数より低い場合、上記とは反対側に通過帯域の高域側が急峻なフィルタ特性に なる。
[0005] SAWフィルタでは、並列腕共振子と直列腕共振子の γ値( = lZk2)が同一である 。直列腕共振子と並列腕共振子の γ値が同じで、共振周波数のみが異なっている場 合、通過帯域近傍において減衰極ができず、通過帯域近傍のフィルタ特性の急峻 性が悪ィ匕する。そこで、特許文献 1のように容量を付加することによって、フィルタ特 性の急峻性を改善することができる。容量は、例えば圧電基板上に一対のくし型電 極を形成することにより、共振子と同時に形成することができる。
[0006] 電極面積を調整することにより、並列腕共振子の容量を直列腕共振子の容量より 小さくし、例えば、並列腕共振子の容量を 0.18pF、直列腕共振子の容量を 0.3pF 、付加容量を 0. 12pFとすることができる。この場合、並列腕共振子の容量 0. 18pF と付加容量 0.12pFとの和力 直列腕共振子の容量 0.3pFと等しいので、付加容量 込みの並列腕共振子のインピーダンスと直列腕共振子のインピーダンスとは、共振 周波数から離れた周波数域において同一になる。これにより、通過帯域から離れた 周波数にぉ ヽて大きな減衰量を得られる。
[0007] 図 1 (a)に、 1つの共振子の等価回路を示す。 Lは直列インダクタンス、 Cは直列 容量、 Rは直列抵抗、 Cは並列容量である。この共振子に並列に付加容量 Cxを並
1 0
列に接続すると、図 1(b)に示すようになる。付加容量 Cxを並列に接続すると、直列 容量 Cはそのままで、並列容量が C ' = C +Cxの共振子と同等となる。そして、容
1 0 0
量比は、 γ =C /C =lZk2(kは電気機械結合係数)から、 y' = C '/C =l/k'
0 1 0 1
2〖こ大きくすることができる。したがって、付加容量が並列に接続された並列腕共振子 は、直列腕共振子に対して γ値が大きくされ、直列腕共振子と並列容量が同じにさ れた共振子であると見なせる。
[0008] ここで、 k2 = 2' ')となることについて
Figure imgf000004_0001
説明する。
[0009] まず、 k2=2' AfZfrと定義される。 Af=fa—fr、 frは共振周波数、 faは反共振周 波数である。
[0010] 図 1(a)の等価回路のパラメータを用いると、 ) }1/2] =fr- (1 + 1/ γ ) 1/2
Figure imgf000004_0002
である。
[0011] ここで、 1《 γであるので、
fa = fr-(l + l/y)1/2 = fr-{l + l/(2- γ)}
これにより、 Af = fa— fr = frZ(2' γ)となり、
Figure imgf000004_0003
となる。
[0012] 上記のように容量を付加する SAWフィルタの回路構成を、単純にバルタ弾性波(B AW)フィルタに置き換えると、基板上に容量を形成する場合には、容量を形成する ための特別な工程が増えるという問題点がある。
[0013] 本発明は、力かる実情に鑑み、特別な工程を追加することなぐ通過帯域から離れ た周波数における大きな減衰量を得るとともに、通過帯域近傍の両側で急峻性を改 善することができる、共振子を格子型に接続した圧電薄膜フィルタを提供しょうとする ものである。
課題を解決するための手段
[0014] 本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した圧電薄膜フィルタを 提供する。
[0015] 圧電薄膜フィルタは、一対の電極の間に圧電薄膜が挟まれた複数の第 1、第 2及び 第 3の共振子を備える。前記第 2の共振子、又は並列に接続された前記第 1及び前 記第 3の共振子が、それぞれ、格子型に接続された直列腕共振子又は並列腕共振 子を構成する。前記第 2の共振子の容量は、前記第 1の共振子の容量より大きい。前 記第 3の共振子の容量は、前記第 2の共振子の前記容量と前記第 1の共振子の前記 容量との差に略等しい。前記第 1の共振子の共振周波数は、前記第 2の共振子の共 振周波数より高い。前記第 3の共振子の反共振周波数は、前記第 2の共振子の前記 共振周波数より大きぐ前記第 1の共振子の前記共振周波数より小さい。
[0016] 上記構成において、第 2の共振子が、格子型に接続された直列腕共振子を構成し 、並列に接続された第 1及び第 3の共振子が、格子型に接続された並列腕共振子を 構成する。あるいは、第 2の共振子が、格子型に接続された並列腕共振子を構成し、 並列に接続された第 1及び第 3の共振子が、格子型に接続された直列腕共振子を構 成する。
[0017] 上記構成によれば、直列腕共振子と並列腕共振子との容量が略等しいので、通過 帯域力 離れた周波数において大きな減衰量を得ることができる。
[0018] また、通過帯域の両側で急峻に減衰するフィルタ特性を得ることができる。すなわ ち、第 1の共振子に並列に接続される第 3の共振子は、第 1の共振子の共振周波数 と反共振周波数の間において容量性を持ち、第 1の共振子に並列に容量を付加した のと同等である。そのため、第 3の共振子によって、第 1の共振子の反共振点を共振 点側に近づけ、通過帯域の高域側のフィルタ特性の急峻性を改善することができる。 一方、通過帯域低域側近傍において、並列に接続した第 1及び第 3の共振子と第 2 の共振子とのインピーダンスが符号を含めて同じになる周波数 (極)ができる。これに より、通過帯域の低域側の急峻性を改善することができる。
[0019] 好ましくは、前記第 3の共振子の共振周波数が、前記第 2の共振子の共振周波数と 一致している。
[0020] 上記構成によれば、厚み方向の振動を利用する BAW共振子により圧電薄膜フィ ルタを構成する場合、第 3の共振子と第 2の共振子とを同じ膜厚で形成できるため、 工程数を削減できる。また、低周波側の通過帯域端で急峻に減衰するフィルタ特性 とすることができる。
[0021] 好ましくは、前記第 1の共振子と前記第 3の共振子の容量の和が、前記第 2の共振 子の容量と等しい。
[0022] 上記構成によれば、直列腕共振子の容量と並列腕共振子の容量とを等しくすること で、通過帯域外でのインピーダンスが一致するため、帯域外の減衰量が大きなフィル タを得ることがでさる。
[0023] 好ましくは、前記第 1の共振子と前記第 3の共振子の容量の和が、前記第 2の共振 子の容量と異なる。
[0024] 上記構成によれば、直列腕共振子の容量と並列腕共振子の容量とが異なることで
、通過帯域の両外に減衰極を形成することができる。これによつて、より急峻な減衰 特性を持ったフィルタが得られる。
[0025] 好ましくは、前記第 1の共振子の反共振周波数と共振周波数の差が、前記第 2の共 振子の反共振周波数と共振周波数の差より小さ ヽ。
[0026] 上記構成によれば、 2つの動作周波数を用いることで、通過帯域の両側で急峻な 減衰特性を持ったフィルタが得られる。
発明の効果
[0027] 本発明の圧電薄膜フィルタによれば、特別な工程を追加することなぐ通過帯域か ら離れた周波数における大きな減衰量を得るとともに、通過帯域近傍の両側で急峻 性を改善することができる。 図面の簡単な説明
[0028] [図 1]共振子及び共振子に容量を付加したときの等価回路を示す回路図である。
[図 2]インピーダンス特性を示すグラフである。
[図 3]フィルタの回路図である。(実施例 1)
[図 4]インピーダンス特性のグラフである。 (実施例 1)
[図 5]インピーダンス特性のグラフである。 (実施例 1)
[図 6]フィノレタ特'性のグラフである。 (実施例 1)
[図 7]フィルタ特性のグラフである。 (実施例 1)
[図 8]フィルタの回路図である。(比較例)
[図 9]フィルタ特性のグラフである。 (実施例 比較例)
[図 10]フィルタ特性のグラフである。 (実施例 1、比較例)
[図 11]フィルタ特性を示すスミスチャートである。(実施例 比較例)
[図 12]フィルタの回路図である。(実施例 2)
[図 13]インピーダンス特性のグラフである。 (実施例 2)
[図 14]インピーダンス特性のグラフである。 (実施例 2)
[図 15]フィノレタ特'性のグラフである。 (実施例 2)
[図 16]フィノレタ特'性のグラフである。 (実施例 2)
[図 17]インピーダンス特性のグラフである。 (実施例 3)
[図 18]フィノレタ特'性のグラフである。 (実施例 3)
[図 19]フィノレタ特'性のグラフである。 (実施例 3)
[図 20]インピーダンス特性のグラフである。 (実施例 4)
[図 21]フィルタ特性のグラフである。 (実施例 4)
[図 22]フィノレタ特'性のグラフである。 (実施例 4)
[図 23]フィルタの回路図である。(従来例)
符号の説明
[0029] 10, 40 フィルタ
C— 1 並列腕共振子 (第 1の共振子)
C— 2 直列腕共振子 (第 2の共振子) Cx_l 付加共振子 (第 3の共振子)
発明を実施するための最良の形態
[0030] 以下、本発明の実施の形態について、図 3〜図 22を参照しながら説明する。
[0031] く実施例 1 > 実施例 1の圧電薄膜フィルタ 10について、図 3〜図 11を参照しなが ら説明する。
[0032] 図 3の回路図に示すように、圧電薄膜フィルタ 10は、直列腕共振子 C— 2と並列腕 共振子 C—1とが格子型に接続されたラテイス型フィルタである。すなわち、 2つの直 列腕共振子 C— 2が、入力端子 11と出力端子 13との間、入力端子 12と出力端子 14 との間に、それぞれ接続されている。 2つの並列腕共振子 C—1が、入力端子 11と出 力端子 14との間、入力端子 12と出力端子 13との間に、それぞれ接続されている。さ らに、各並列腕共振子 C_lには、それぞれ、付加共振子 Cx_lが並列に接続され ている。
[0033] 直列腕共振子 C— 2の容量は、並列腕共振子 C—1の容量より大きい。付加共振子 Cx— 1の容量は、直列腕共振子 C— 2の容量と並列腕共振子 C—1の容量との差に 略等しい。これによつて、通過帯域から離れた周波数において、圧電薄膜フィルタ 10 は、大きな減衰量を得ることができる。
[0034] また、並列腕共振子 C—1の共振周波数は、直列腕共振子 C— 2の共振周波数より 高い。付加共振子 Cx—1の反共振周波数は、直列腕共振子 C— 2の共振周波数より 大きぐ並列腕共振子 C—1の共振周波数より小さい。これにより、通過帯域の高域側 で急峻に減衰するフィルタ特性を得ることができる。
[0035] すなわち、並列腕共振子 C—1に並列に接続される付加共振子 Cx—1は、並列腕 共振子 C—1の共振周波数と反共振周波数の間において容量性を持ち、並列腕共 振子 C—1に並列に容量を付加したのと同等である。そのため、付加共振子 Cx—1 によって、並列腕共振子 C—1の反共振点を共振点側に近づけ、通過帯域の高域側 のフィルタ特性の急峻性を改善することができる。
[0036] 一方、通過帯域低域側近傍において、並列に接続した並列腕共振子 C—1と付カロ 共振子 Cx—1の合成インピーダンスと、直列腕共振子 C— 2のインピーダンスとが、 符号を含めて同じになる周波数 (極)ができる。これにより、通過帯域の低域側の急峻 性を改善することができる。
[0037] 一例として、並列腕共振子 C— 1の容量が 0. 18pF、直列腕共振子 C— 2の容量が 0. 3pF、付加共振子 Cx— 1の容量が 0. 12pFの場合について説明する。
[0038] 並列腕共振子 C— 1の反共振周波数は 5460MHz、 k2 = 5. 8%である。付加共振 子 Cx— 1の反共振周波数は 5240MHz、 k2= 5. 8%である。直列腕共振子 C— 2の 反共振周波数は 5265MHz、 k2= 5. 8%である。
[0039] 図 4及び図 5に、それぞれの共振子について動作周波数を変えた場合のインピー ダンス特性を示す。図 6及び図 7に、フィルタ特性を示す。図 5は、図 4の一部拡大図 である。図 6は、図 7の一部拡大図である。
[0040] 図 4及び図 5において、太線 15は直列腕共振子 C— 2のインピーダンス特性を示す 。細線 16は、並列腕共振子 C—1のインピーダンス特性を示す。破線 16xは、付加共 振子 Cx—1のインピーダンス特性を示す。鎖線 17は、並列腕共振子 C—1と付加共 振子 Cx_lとを並列に接続したときの合成インピーダンス特性を示す。
[0041] 並列腕共振子 C—1と付加共振子 Cx—1の動作周波数が異なるため、並列腕共振 子 C—1の共振周波数と反共振周波数の範囲において、付加共振子 Cx—1は容量 特性しか持っておらず、特許文献 1と同様に、容量が付加された状態となり、特許文 献 1と同様の原理で、 k2が変化する。
[0042] 図 5に示すように、通過帯域外の点 18 (5. 070GHz, 23. 902 Ω )で、直列腕共振 子 C— 2のインピーダンス特性曲線 15と、並列腕共振子 C—1と付加共振子 Cx—1 の合成インピーダンス特性曲線 17とが一致している。これにより、図 6及び図 7に示 すように、通過帯域の近傍に減衰極 19が生じ、急峻かつ帯域外減衰の大きなフィル タ特性が得られる。
[0043] この例では、 3種類の共振子 C— 1、 C— 2、 Cx—1は、それぞれ異なる動作周波数 を持つ。そのため、 BAW共振子により圧電薄膜フィルタ 10を作製する場合には、各 共振子 C— 1、 C— 2、 Cx—1ごとに、膜厚 '構造を変化させる必要があり、工程が増 える。
[0044] 図 8は、比較例のラテイス型フィルタ 20の回路図である。比較例のラテイス型フィル タ 20は、入力端子 21, 22と出力端子 23, 24との間に、 2つの直列腕共振子 C— 4と 2つの並列腕共振子 C— 3とが格子型に接続され、各並列腕共振子 C— 3には、それ ぞれ、容量 Cxが並列に接続されている。パラメータは、実施例 1のラテイス型フィルタ 10と同様とする。すなわち、並列腕共振子 C— 3は、容量が 0. 18pF、反共振周波数 力 460MHz、 k2= 5. 8%である。付加容量 Cxの容量は、 0. 12pFである。直列腕 共振子 C— 4は、容量が 0. 30pF、反共振周波数が 5265MHz、 k2 = 5. 8%である
[0045] 比較例と実施例について、図 9に伝送特性 (S )、図 10に反射特性 (S )、図 11に
21 11 反射特性(S )のスミスチャート(周波数 1· 000GHz〜9. 000GHz)をそれぞれ示
11
す。図 9〜図 11において、実施例の特性は実線 30〜32で示し、比較例の特性は破 線 33〜35で示している。
[0046] 図 9に示すように、符号 36で示す通過帯域の低域側において、実施例 30は、比較 例 33よりも急峻性が改善される。また、符号 37で示す通過帯域の高域側においては
、実施例 30は、比較例 33と同程度に、急峻性が改善される。
[0047] 図 10に示すように、実施例 31は比較例 34より S (反射)を低減する。これは、図 1
11
1に示すように、通過帯域低域側近傍におけるインピーダンス力 比較例 35では容 量性インピーダンス (水平軸より下側)であるのに対し、実施例 32では定抵抗円上を プラス側に大きくなる方向にシフトした誘導性インピーダンスとなり、 50 Ωポイント 38 付近で卷 ヽて 、るためである。
[0048] く実施例 2> 実施例 2の圧電薄膜フィルタ 40について、図 12〜図 16を参照しな がら説明する。
[0049] 実施例 2では、 2種類の動作周波数を持たせて、工程を増やさずに、付加共振子を 並列に接続する。
[0050] 図 12の回路図に示すように、圧電薄膜フィルタ 40は、実施例 1と同様に、入力端子 41, 42と出力端子 43, 44との間に、 2つの直列腕共振子 C— 2と 2つの並列腕共振 子 C—1とが格子型に接続され、さらに、各並列腕共振子 C— 1に、それぞれ、付カロ 共振子 Cx— 1が並列に接続されて!、る。
[0051] 圧電薄膜フィルタ 40では、実施例 1と異なり、付加共振子 Cx—1の共振周波数と、 直列腕共振子 C— 2の共振周波数とを同じにする。厚み方向の振動を利用する BA W共振子により圧電薄膜フィルタ 40を構成する場合、付加共振子 Cx—1と直列腕共 振子 C— 2とを同じ膜厚で形成できるため、工程数を削減できる。
[0052] 一例として、並列腕共振子 C— 1の容量が 0. 18pF、直列腕共振子 C— 2の容量が
0. 3pF、付加共振子 Cx—1の容量が 0. 12pFの場合について説明する。
[0053] 並列腕共振子 C— 1の反共振周波数は 5440MHz、 k2 = 5. 8%である。付加共振 子 Cx— 1の反共振周波数は 5245MHz、 k2= 5. 8%である。直列腕共振子 C— 2の 反共振周波数は 5245MHz、 k2= 5. 8%である。
[0054] 図 13及び図 14に、それぞれの共振子について動作周波数を変えた場合のインピ 一ダンス特性を示す。図 15及び図 16に、フィルタ特性を示す。図 14は、図 13の一 部拡大図である。図 15は、図 16の一部拡大図である。
[0055] 図 13及び図 14において、太線 45は直列腕共振子 C— 2のインピーダンス特性を 示す。図 13において、細線 46は、並列腕共振子 C—1のインピーダンス特性を示す
。鎖線 46xは、付カ卩共振子 Cx—1のインピーダンス特性を示す。図 14において、細 線 47は、並列腕共振子 C—1と付加共振子 Cx—1とを並列に接続したときの合成ィ ンピーダンス特'性を示す。
[0056] 図 14に示すように、直列腕共振子 C— 2のインピーダンス特性曲線 45の通過帯域 外の共振点 45a (5. 105GHz, 2. 988 Ω )と、並列腕共振子 C—1と付カ卩共振子 Cx
—1の合成インピーダンス特性曲線 47の共振点 47aとの周波数が一致している。こ れにより、図 15及び図 16に示すように、通過帯域の近傍に減衰極 49が生じ、急峻か つ帯域外減衰の大きなフィルタ特性が得られる。
[0057] 付加共振子 Cx—1は、並列腕共振子 C—1ではなぐ 2つの直列腕共振子 C— 2に
、それぞれ並列に接続してもよい。この場合に、付加共振子 Cx_lの動作周波数は
、並列腕共振子 C—1の動作周波数と同じする。
[0058] 動作周波数が異なる直列腕共振子 C— 2又は並列腕共振子 C—1のいずれか一方 に、直列腕共振子 C— 2又は並列腕共振子 C—1の他方と動作周波数が同じである 付加共振子 Cx—1を並列に接続することで、フィルタ特性を改善することができる。
[0059] く実施例 3 > 実施例 3のフィルタについて、図 17〜図 19を参照しながら説明する [0060] 実施例 3では、 2種類の動作周波数と、互いに異なる k2を持たせて、通過帯域の両 側の帯域端近傍に急峻な減衰を持たせる。回路図は、実施例 1及び実施例 2と同じ であるので省略する。
[0061] 並列腕共振子又は直列腕共振子のどちらか一方に付加する付加共振子の共振周 波数が、付加共振子を付加しない他方の共振子の共振周波数と一致するようにする 。すなわち、周波数は 2種類とする。
[0062] さらに、付加共振子と、付加対象となる共振子の k2を変える。 k2を変える方法として は、
(1)電極と圧電膜の比率を変えること
(2) 2倍波で動作させること
があげられる。
[0063] (1)の具体例として、振動部分の構成と膜厚値を表 1に示す。
[表 1]
Figure imgf000012_0001
[0064] (2)の具体例として、振動部分の構成と膜厚値を表 2に示す。
[表 2]
Figure imgf000012_0002
[0065] 一例として、並列腕共振子 C— 1の容量が 0. 2pF、直列腕共振子 C— 2の容量が 0 . 3pF、付加共振子 Cx— 1の容量が 0. lpFの場合について説明する。 [0066] 並列腕共振子 C_lと付加共振子 Cx_lとは、動作周波数と k2とを変える。すなわ ち、並列腕共振子 C— 1の反共振周波数は 5310MHz、 k2= 2. 7%である。付加共 振子 Cx— 1の反共振周波数は 5245MHz、 k2= 5. 8%である。直列腕共振子 C— 2 の反共振周波数は 5245MHz、 k2= 5. 8%である。
[0067] 図 17にインピーダンス特性、図 18及び図 19にフィルタ特性を示す。
[0068] 図 17において、太線 50は直列腕共振子 C— 2のインピーダンス特性を、細線 52は 、並列腕共振子 C—1と付加共振子 Cx—1とを並列に接続したときの合成インピーダ ンス特性を示す。両者は、共振点 50a (5. 095GHz, 2. 988 Ω ) , 52aで周波数(共 振周波数)がー致し、帯域外の点 51 (5. 369GHz, 214. 857 Ω )でインピーダンス がー致している。これにより、図 18及び図 19に示すように、通過帯域の低周波側と高 周波側の両側近傍に減衰極 56, 57が生じ、急峻かつ帯域外減衰の大きなフィルタ 特性となる。高域側の減衰極 57により、実施例 2よりも、フィルタ特性をさらに改善 することができる。
[0069] く実施例 4> 実施例 4のフィルタについて、図 20〜図 22を参照しながら説明する
[0070] 実施例 4では、直列腕と並列腕の合成容量を異ならせて、通過帯域の両側の帯域 端近傍に急峻な減衰を持たせる。回路図は、実施例 1及び 2と同じであるので、省略 する。
[0071] 実施例 4では、実施例 3と同様に、並列腕共振子又は直列腕共振子のどちらか一 方に付加する付加共振子の共振周波数が、付加共振子を付加しな!ヽ他方の共振子 の共振周波数と一致するようにする。すなわち、周波数は 2種類とする。
[0072] 実施例 1〜3において、直列腕共振子 C— 2の容量と、並列腕共振子 C—1及び付 加共振子 Cx—1の合成容量とを一致させていたが、実施例 4では、若干、容量が異 なるようにする。
[0073] 一例として、並列腕共振子 C— 1の容量が 0. 22pF、直列腕共振子 C— 2の容量が 0. 3pF、付加共振子 Cx—1の容量が 0. l lpFの場合について説明する。
[0074] 並列腕共振子 C— 1の反共振周波数は 5450MHz、 k2 = 5. 8%である。付加共振 子 Cx— 1の反共振周波数は 5245MHz、 k2= 5. 8%である。直列腕共振子 C— 2の 反共振周波数は 5245MHz、 k2= 5. 8%である。
[0075] 図 20にインピーダンス特性、図 21及び図 22にフィルタ特性を示す。図 21は、図 22 の一部拡大図である。
[0076] 図 20にお 、て、太線 60は直列腕共振子 C— 2のインピーダンス特性を、細線 62は 、並列腕共振子 C—1と付加共振子 Cx—1とを並列に接続したときの合成インピーダ ンス特 '性を示す。両者は、帯域外の点、 61 (4. 796GHz, 72. 565 Ω )と、点、 63 (5. 7 48GHz, 118. 154 Ω )とで、インピーダンスが一致している。また、直列腕共振子 C —2の共振点 60a (5. 095GHz, 2. 988 Ω )、並列腕共振子 C— 1と付カ卩共振子 Cx —1とを並列に接続したときの共振点 62aとの周波数が一致する。これにより、図 21 及び図 22に示すように、通過帯域の低周波側と高周波側の両近傍に減衰極 66, 67 , 68が生じ、急峻かつ帯域外減衰の大きなフィルタ特性となる。
[0077] <まとめ > 付加共振子は、直列腕共振子や並列腕共振子と同時に形成すること ができ、圧電薄膜フィルタの作製において、特別な工程を追加する必要はない。共 振子であっても、共振子の共振周波数より低い周波数および反共振周波数より高い 周波数では容量として動作するので、これを利用して γ値( = lZk2)を調整し、通過 帯域カゝら離れた周波数における大きな減衰量を得るとともに、通過帯域近傍の両側 で急峻性を改善することができる。
[0078] 5GHz帯 W— LAN用のバンドパスフィルタでは、 2. 4GHz帯無線 LANやその他 の 2GHz帯近辺を使用している機器などからの干渉を防ぐために、通過帯域力 離 れた周波数にぉ 、て大きな減衰量が得られ、通過帯域の両側で急峻に減衰させた 特性が必要とされる。実施例 1〜4の圧電薄膜フィルタは、このような要求を満たすの で、 5GHz帯 W— LAN用のバンドパスフィルタに好適である。
[0079] なお、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなぐ種々変更を加えて 実施することが可能である。
[0080] 例えば、並列腕共振子に付加共振子を並列に接続する代わりに、直列腕共振子に 付加共振子を並列に接続してもよい。また、ラテイス型フィルタの段数は、実施例 1〜 4の 2段に限らず、 1段であっても、 3段以上であってもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 一対の電極の間に圧電薄膜が挟まれた複数の第 1、第 2及び第 3の共振子を備え 前記第 2の共振子、又は並列に接続された前記第 1及び前記第 3の共振子が、そ れぞれ、格子型に接続された直列腕共振子又は並列腕共振子を構成し、
前記第 2の共振子の容量は、前記第 1の共振子の容量より大きぐ
前記第 3の共振子の容量は、前記第 2の共振子の前記容量と前記第 1の共振子の 前記容量との差に略等しぐ
前記第 1の共振子の共振周波数は、前記第 2の共振子の共振周波数より高ぐ 前記第 3の共振子の反共振周波数は、前記第 2の共振子の前記共振周波数より大 きぐ前記第 1の共振子の前記共振周波数より小さいことを特徴とする、圧電薄膜フィ ルタ。
[2] 前記第 3の共振子の共振周波数が、前記第 2の共振子の共振周波数と一致して 、 ることを特徴とする。請求項 1に記載の圧電薄膜フィルタ。
[3] 前記第 1の共振子と前記第 3の共振子の容量の和が、前記第 2の共振子の容量と 等しいことを特徴とする、請求項 1又は 2に記載の圧電薄膜フィルタ。
[4] 前記第 1の共振子と前記第 3の共振子の容量の和が、前記第 2の共振子の容量と 異なることを特徴とする、請求項 1又は 2に記載の圧電薄膜フィルタ。
[5] 前記第 1の共振子の反共振周波数と共振周波数との差が、前記第 2の共振子の反 共振周波数と共振周波数との差より小さいことを特徴とする、請求項 1ないし 4のいず れか一つに記載の圧電薄膜フィルタ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116781035A (zh) * 2023-06-29 2023-09-19 锐石创芯(重庆)科技有限公司 滤波器、多工器及射频前端模组

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223559A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ、共用器及び通信機
WO2004034579A1 (de) * 2002-10-08 2004-04-22 Epcos Ag Mit akustischen volumenwellen arbeitender resonator und schaltung mit dem resonator
WO2004066490A2 (en) * 2003-01-20 2004-08-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Resonator filter structure having equal resonance frequencies
JP2005217852A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Toshiba Corp チューナブルフィルタ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2222417A (en) * 1938-09-24 1940-11-19 Bell Telephone Labor Inc Wave filter
US2452114A (en) * 1945-04-26 1948-10-26 Bell Telephone Labor Inc Balanced wave filter
US2929031A (en) * 1957-02-06 1960-03-15 Hermes Electronics Co Intermediate band width crystal filter
US2980872A (en) * 1958-06-13 1961-04-18 Hughes Aircraft Co Bandpass filters
JPH03165614A (ja) 1989-11-24 1991-07-17 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品
JPH09284092A (ja) 1996-04-18 1997-10-31 Toyo Commun Equip Co Ltd 超薄板多重モード圧電フィルタ素子
JPH1065491A (ja) 1996-08-14 1998-03-06 Toyo Commun Equip Co Ltd Idt励振二重モードフィルタ
JPH10242797A (ja) 1997-02-25 1998-09-11 Toyo Commun Equip Co Ltd 平衡型超薄板多重モードフィルタ
FI113111B (fi) 2000-11-24 2004-02-27 Nokia Corp Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely
ATE311689T1 (de) * 2001-03-23 2005-12-15 Infineon Technologies Ag Filtereinrichtung
US6472954B1 (en) 2001-04-23 2002-10-29 Agilent Technologies, Inc. Controlled effective coupling coefficients for film bulk acoustic resonators
DE10134987A1 (de) 2001-07-18 2003-02-06 Epcos Ag Reaktanzfilter mit verbesserter Flankensteilheit
JP3988864B2 (ja) * 2002-03-26 2007-10-10 Tdk株式会社 フィルタ及びこれを用いた分波器
JP4147817B2 (ja) 2002-05-23 2008-09-10 株式会社村田製作所 圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品
JP2004048516A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Daishinku Corp 水晶フィルタ
JP3963824B2 (ja) * 2002-11-22 2007-08-22 富士通メディアデバイス株式会社 フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路
JP2005311568A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Sony Corp フィルタ装置及び送受信機
JP2005073298A (ja) 2004-11-04 2005-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平衡型弾性表面波フィルタ
DE602006009929D1 (de) 2005-06-20 2009-12-03 Murata Manufacturing Co Piezoelektrischer dünnschichtfilter

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223559A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ、共用器及び通信機
WO2004034579A1 (de) * 2002-10-08 2004-04-22 Epcos Ag Mit akustischen volumenwellen arbeitender resonator und schaltung mit dem resonator
WO2004066490A2 (en) * 2003-01-20 2004-08-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Resonator filter structure having equal resonance frequencies
JP2005217852A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Toshiba Corp チューナブルフィルタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1895659A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7414497B2 (en) 2005-06-20 2008-08-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film filter
WO2013065488A1 (ja) * 2011-10-31 2013-05-10 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子、フィルタ装置及びデュプレクサ

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Publication number Publication date
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