WO2006035835A1 - 磁界発生装置、電磁アクチュエータ、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents

磁界発生装置、電磁アクチュエータ、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 Download PDF

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    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
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    • H02K41/03—Synchronous motors; Motors moving step by step; Reluctance motors
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K2201/00—Specific aspects not provided for in the other groups of this subclass relating to the magnetic circuits
    • H02K2201/18—Machines moving with multiple degrees of freedom

Definitions

  • a fourth invention comprises a mask stage (230) for holding a mask (R) and a substrate stage (250) for holding a substrate (W), and a pattern (PA) formed on the mask is provided.
  • the stage apparatus (100) of the third invention is used for at least one of the mask stage and the substrate stage.
  • the Y-direction drive unit 130 is composed of first and second Y linear motors 132 and 133 that drive the wafer stage 110 in the Y direction and a Y guide 131, and is installed on the X-direction moving body 124. Is done.
  • the wafer stage 110 includes a top plate 111 and a bottom plate 112 arranged on the upper surface of the surface plate 101 so as to sandwich the Y guide 131 between vertical forces, and a pair of the top plate 111 and the bottom plate 112 that connect the both sides of the Y guide 131.
  • Y-direction bearing bodies 113 and 114 are supported along the Y guide 131 so as to be movable in the Y direction.
  • the first Y linear motor 132 includes a first Y stator 132a and a first Y mover 132b that moves along the first Y stator 132a.
  • the first Y stator 132a is the + side of the Y guide 131 in the X direction. It is extended in parallel with.
  • the second Y linear motor 133 is composed of a second Y stator 133a and a second Y mover 133b (not shown) that moves along the second Y stator 133a.
  • the Y guide 131 extends in parallel to the negative side of the X direction. Then, the first and second Y movers 132b and 133b are respectively fixed to the wafer stage 110 and driven to move the wafer stage 110 along the Y guide 131 in the Y direction.
  • Quartz glass, magnesium fluoride (MgF), etc. are used. In this case, projection optics
  • system 240 it is difficult to obtain the desired imaging characteristics (chromatic aberration characteristics, etc.) by using only refractive optical members. Therefore, even if a catadioptric system combining a refractive optical member and a reflecting mirror is adopted. Good.
  • a length measuring laser is irradiated from the laser interferometer 253 to the reflecting mirror 252 provided on the wafer table 251, and the positions of the wafer table 251 in the X direction and the Y direction are always detected.
  • the information is sent to the main control system 270.
  • the scanning exposure as described above is repeatedly performed on the other shot areas, and the pattern PA of the reticle R is sequentially transferred to all the exposure target shot areas on the wafer W. Further, by repeatedly performing such a process, a plurality of wafers W are exposed.
  • the wafer table 251 is repeatedly moved in the X direction and the Y direction. That is, a predetermined alternating voltage is applied to the coil unit 10 of the linear motor 1 (the IX, second X rear motors 122, 123, the first Y, second Y linear motors 132, 133) constituting the wafer stage driving unit 254. Is done.
  • the exposure process can be performed with a high throughput and a low running cost, so that an inexpensive device can be manufactured.
  • FIG. 7 is a diagram showing the field magnet groups 52 and 53 of the magnet unit 50. Since field magnet groups 52 and 53 have the same configuration, field magnet group 52 will be mainly described. In addition, the direction of the solid arrow in the figure indicates the magnetic pole direction of each magnet (direction to S pole as much as possible), and the direction of the broken arrow indicates each magnetic circuit.
  • Neodiiron boron (Nd—Fe—B) magnets are powerful magnets with a residual magnetic flux density of 1.3 T or more.
  • the permanent magnet unit 60 includes a main magnet 61 arranged at a predetermined interval and an auxiliary magnet 62 arranged between the main magnets 61 adjacent to each other. On both side surfaces of the main magnet 61 in the direction along the XI axis, there are a first side surface (first side surface portion) 6 la inclined with respect to the magnetic pole direction (direction along the Y1 axis), and Parallel second side surfaces (second side surface portions) 61b are formed. The first side surfaces 61a facing each other are formed so as to open toward the gap K.
  • the magnetic pole direction without using a magnet having magnetic poles in the direction inclined with respect to the Y1 direction and the XI direction in the X1Y1 plane is gradually rotated and reversed.
  • the first magnetic circuit L1 can be generated.
  • the main magnet 31 of the first permanent magnet unit 30 and the main magnet 41 of the second permanent magnet unit 40 in the magnet unit 20 may be integrated magnets.
  • the magnetic circuit is formed by superimposing the permanent magnets in substantially two stages to form a double superposition.
  • a multiple magnetic circuit may be formed by superimposing them in multiple stages. .
  • the coil unit 10 may be configured in an H shape, for example, in accordance with the structure of the magnet unit 20 which does not need to be an inverted T shape.
  • the force using the coil unit of the linear motor as a stator and the magnet unit as a mover is not limited to this, and the coil unit 10 is a mover.
  • the magnet units 20, 50 may be used as the stator.
  • the force described for the so-called cantilever type linear motor in which the cross section of the magnet units 20, 50 in the plane perpendicular to the thrust direction is U-shaped as the linear motor 1 is not limited to this.
  • the present invention can also be applied to a so-called double-sided type reduced motor in which the magnet unit has a cross-section in cross section. It can also be applied to a shaft type linear motor.
  • a step-and-repeat type exposure apparatus is used in which the mask pattern is exposed while the mask and the substrate are stationary, and the substrate is sequentially moved stepwise. Also good.
  • the use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for manufacturing semiconductor devices.
  • an exposure apparatus for liquid crystal that exposes a liquid crystal display element pattern on a square glass plate, or a thin film magnetic head
  • the present invention can also be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing.
  • the light source of the exposure apparatus to which the present invention is applied is only g-line (436 nm), i-line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), and F2 laser (157 nm).
  • charged particle beams such as X-rays and electron beams can be used.
  • thermionic emission type lanthanum hexabolite (LaB6) and tantalum (Ta) can be used as the electron gun.
  • it may be a configuration using a mask, or a configuration in which a pattern is formed directly on a substrate without using a mask.
  • the magnification of the projection optical system may be not only a reduction system but also an equal magnification or an enlargement system.
  • reaction force generated by the movement of the wafer stage may be released mechanically to the floor (ground) using a frame member as described in Japanese Patent Laid-Open No. 8-166475.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus having such a structure.
  • the semiconductor device is a step for designing the function and performance of the device.
  • Step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on this design step
  • Step 203 for manufacturing a substrate (Ueno, glass plate) which is a base material of the device
  • Mask by the exposure apparatus of the above-described embodiment.
  • (Reticle R) pattern is manufactured through a substrate processing step 204 for exposing a substrate (Weno, W), a device assembly step 205 (including a dicing process, a bonding process, and a knocking process), an inspection step 206, and the like.

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Abstract

 磁極が交互に配置された永久磁石群を備える磁界発生装置において、これら永久磁石群からの磁束密度を効率よく向上させて、高い磁界を得ることができる磁界発生装置等を提供する。永久磁石を対向して配置し、所定空間に磁界を発生させる磁界発生装置(20)であって、所定空間(K)に重畳した磁界を発生させる複数の磁気回路(L1,L2)を有する。第1磁気回路(L1)を形成する第1永久磁石ユニット(30)と、所定空間(K)に対して第1磁気回路(L1)よりも外側に第2磁気回路(L2)を形成する第2永久磁石ユニット(40)とを備える。

Description

磁界発生装置、電磁ァクチユエータ、ステージ装置、露光装置、及びデ バイスの製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、磁極が交互に配置された永久磁石群を対向配置した磁界発生装置、こ れを用いた電磁ァクチユエータ、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 に関する。
本願は、 2004年 9月 29日に出願された特願 2004— 284364号に基づき優先権 を主張し、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] 半導体デバイスや液晶表示素子等の製造に使用される露光装置では、マスク (レ チクル等)が載置されるレチクルステージや感光性の基板 (ウエノ、、ガラスプレート等
)が載置されるウエノ、ステージ等の駆動手段 (ステージ装置)としてリニアモータが用 いられている。リニアモータは、構造が簡単で部品数が少なぐまた、動作精度が高く 移動動作を迅速に行えるという利点を有しており、各ステージ装置に要求されるスル 一プットや位置決め精度の向上が図れるためである。
[0003] リニアモータは、モータ単体で直線形運動ができる利点がある力 密閉空間の小さ な空隙でエネルギー変換をする回転形モータと比較して漏れ磁束が多 、と 、う欠点 がある。このため、例えば、直線状に並べられた磁石ユニットの外壁に、強磁性体 (例 えば、低炭素鋼)からなる十分な厚さを有するヨークを配置して、ヨーク内が内側に配 置された永久磁石によって飽和磁束密度となるようにすることにより、永久磁石からの 磁束を最大限にリニアモータの推進力に反映するものがある。
[0004] ところが、ヨークの厚さを十分に厚くすると、重量が大きくなり、特にムービングコイル 型リニアモータの場合には、仕事量当たりのリニアモータの発熱量が大きくなり、エネ ルギー損失が大きいという問題がある。そこで、磁石ユニットの重量ィ匕を抑えつつ、磁 束漏れを少なくしてモータ定数を高めるために、ヨークの内壁に磁気回路を形成する 永久磁石と補極用永久磁石とを配置した磁石ユニットが提案されている。 特許文献 1:特開 2001— 145328号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] し力しながら、上述した技術を用いたとしても、得られる磁束密度は、永久磁石の 残留磁束密度に比べると低いものである。つまり、最強の磁力を有する永久磁石を 用いたとしても、得られる磁束密度には限界がある。
したがって、更なるリニアモータの高推力化、高効率化、そして、ステージ装置の高 スループットィヒゃ位置決め精度の高精度化の要請に十分に応えるためには、更なる 磁束密度の向上が望まれている。
[0006] 本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、磁極が交互に配置された永久 磁石群を備える磁界発生装置において、これら永久磁石群からの磁束密度を効率よ く向上させて、高い磁界を得ることができる磁界発生装置、電磁ァクチユエータ、ステ ージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明に係る磁界発生装置、電磁ァクチユエータ、ステージ装置、露光装置、及び デバイスの製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。 第 1の発明は、永久磁石を対向して配置し、所定空間に磁界を発生させる磁界発 生装置(20, 50)であって、所定空間 (K)に重畳した磁界を発生させる複数の磁気 回路 (LI, L2)を有するようにした。
この発明によれば、所定空間に複数の磁気回路を重畳して形成することができるの で、より強い磁界を得ることができる。
[0008] また、第 1磁気回路 (L1)を形成する第 1永久磁石ユニット(30)と、所定空間 (K)に 対して第 1磁気回路よりも外側に第 2磁気回路 (L2)を形成する第 2永久磁石ユニット (40)と、を備えるものでは、 2つの永久磁石ユニットを用いることにより、容易に二重 の磁気回路を形成できるので、強 、磁界を確実に得ることができる。
また、第 1永久磁石ユニット(30)は、比透磁率が空気の比透磁率と略同一の永久 磁石力 なるものでは、第 1永久磁石ユニットの比透磁率を低く形成することにより、 磁束が容易に通過して、第 2磁気回路の内側に第 1磁気回路を良好に形成すること ができる。
また、第 2永久磁石ユニット (40)は、磁性体力 なるヨーク(25)を含むものでは、外 側に形成される第 2磁気回路の磁束が更に外側の空間に漏れることを容易に防止す ることができるので、高 、磁束密度を確実に得ることができる。
[0009] また、第 1永久磁石ユニット(30)及び Z又は第 2永久磁石ユニット (40)は、所定空 間 (K)に向けて磁極が交互に配置された複数の主磁石(31, 41)と、主磁石の間に 配置されると共に主磁石の磁極方向と直交する方向に磁極を有する第 1補助磁石( 32, 42)とを備えるものでは、第 1補助磁石を設けることにより、第 1磁気回路及び/ 又は第 2磁気回路を形成する磁束が外部空間に漏れることを容易に防止することが できるので、高 、磁束密度を確実に得ることができる。
また、第 1永久磁石ユニット(30)は、主磁石(31)と第 1補助磁石(32)との間に配 置されると共に主磁石の磁極方向と第 1補助磁石の磁極方向とのいずれとも交差す る方向に磁極を有する第 2補助磁石(33)を備えるものでは、磁束が主磁石、第 2補 助磁石、第 1補助磁石、第 2補助磁石、主磁石の順に、磁束の方向が円滑に変化さ せつつ通過するので、より漏れが少なく高い磁束密度を有する第 1磁気回路を得るこ とがでさる。
[0010] また、所定空間 (K)に向けた磁極が交互になるように配置された複数の主磁石(61 )と、主磁石の間に配置されると共に主磁石の磁極方向と直交する方向に磁極を有 する補助磁石 (62)とを備え、主磁石は、磁極方向に対して傾斜して構成され第 1磁 気回路 (L1)の磁束が通過する第 1側面部(61a)と、磁極方向と平行に構成され第 2 磁気回路 (L2)の磁束が通過する第 2側面部(61b)とを有し、補助磁石 (62)は、第 1 側面部と第 2側面部とに対応した側面部(62a, 62b)を有し、主磁石の間に嵌合して 配置されるものでは、主磁石が磁極方向に対して傾斜した第 1側面部を有するので、 傾斜した方向に磁極を有する磁石を用意したのと同様の効果を得ることができる。 補助磁石は、第 1側面部に対応した側面部を有し、主磁石の間に嵌合されるので、 磁束が主磁石、第 1補助磁石、主磁石の順に通過する際に、磁束の方向が円滑に 変化するので、より漏れが少なく高い磁束密度を有する第 1磁気回路を得ることがで きる。 更に、第 1磁気回路の外側には、主磁石の第 2側面部を通過する磁束が第 2側面 部に対応した側面部を有する補助磁石を通過する第 2磁気回路が形成されて、二重 の磁気回路を構成するので、容易に強 、磁界を得ることができる。
[0011] 第 2の発明は、磁石ユニット(20, 50)と電機子ユニット(10)とからなる電磁ァクチュ エータ(1)において、磁石ユニットとして、第 1の発明の磁界発生装置(20, 50)が用 いられるようにした。
この発明によれば、高 、磁束密度の磁界を発生させる磁石ユニットが用いられるの で、大きな推力を発生させることができる高性能な電磁ァクチユエータを得ることがで きる。また、少ない電力で大きな推力を得ることができるので、発熱及びランニングコ ストを抑えることができる。
[0012] 第 3の発明は、移動可能なステージ(110)と、ステージを駆動するリニアモータ(12 2, 123, 132, 133)とを有するステージ装置(100)において、リニアモータとして第 2の発明の電磁ァクチユエータ(1)を用いるようにした。
この発明によれば、ステージを駆動するリニアモータが大きな推力を発生させること ができるので、ステージを高加減速及び高速に移動させることが可能なステージ装置 を得ることができる。
[0013] 第 4の発明は、マスク (R)を保持するマスクステージ(230)と、基板 (W)を保持する 基板ステージ(250)とを有し、マスクに形成されたパターン (PA)を基板に露光する 露光装置(200)において、マスクステージと基板ステージの少なくとも一方に、第 3の 発明のステージ装置(100)を用いるようにした。
この発明によれば、マスクステージと基板ステージの少なくとも一方力 高加減速及 び高速移動が可能であるので、露光装置の高スループット化を図ることができる。
[0014] 第 5の発明は、デバイスの製造方法において、リソグラフイエ程を含むデバイスの製 造方法にぉ 、て、リソグラフイエ程にぉ 、て第 4の発明の露光装置(200)を用いるよ うにした。
この発明によれば、デバイスを高効率に製造することができるので、高性能なデバ イスの低コストィ匕を実現することが可能となる。
発明の効果 [0015] 本発明によれば以下の効果を得ることができる。
所定空間に重畳した磁界を発生させる複数の磁気回路を有するようにしたので、所 定空間に複数の磁気回路を重畳して形成されて、より強い磁界を効率よく得ることが できる。
また、高い磁束密度の磁界を発生させる磁石ユニットが用いられるので、大きな推 力を発生させることができる高性能な電磁ァクチユエータを得ることができる。また、 少な 、電力で大きな推力を得ることができるので、発熱及びランニングコストを抑える ことができる。
また、ステージを駆動するリニアモータが大きな推力を発生させることができるので 、ステージを高加減速及び高速に移動させることが可能なステージ装置を得ることが できる。
また、マスクステージと基板ステージの少なくとも一方が高加減速及び高速移動が 可能であるので、露光装置の高スループット化を図ることができる。
また、デバイスの製造を高効率に製造することができるので、高性能なデバイスの 低コストィ匕を実現することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0016] [図 1]リニアモータ 1を示す概念図である。
[図 2]コイルユニット 10を示す断面図である。
[図 3]磁石ユニット 20の斜視図である。
[図 4]磁石ユニット 20の界磁磁石群 22, 23を示す図である。
[図 5]ステージ装置 100の構成を示す斜視図である。
[図 6]走査露光型の露光装置 200の概念図である。
[図 7]磁石ユニット 50を示す断面図である。
[図 8]マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
[0017] 1 リニアモータ(電磁ァクチユエータ) 10 コイルユニット (電機子ユニット) 20, 5 0 磁石ユニット (磁界発生装置) 25 ヨーク 30 第 1永久磁石ユニット 40 第 2 永久磁石ユニット 31, 41 主磁石 32, 42 第 1補助磁石 33 第 2補助磁石 61 主磁石 61a 第 1側面 (第 1側面部) 61b 第 2側面 (第 2側面部) 62 補助磁 石 62a 第 1側面 (側面部) 62b 第 2側面 (側面部) 100 ステージ装置 110 ウェハステージ (ステージ) 122 第 IXリニアモータ 123 第 2Xリニアモータ 132 第 1Yリニアモータ 133 第 2Yリニアモータ 200 露光装置 230 レチクルステ ージ (マスクステージ) 250 ウェハステージ (基板ステージ) K 空隙 (所定空間) L1 第 1磁気回路 L2 第 2磁気回路 R レチクル (マスク) PA パターン W ゥ ェハ(基板)
発明を実施するための最良の形態
[0018] 以下、本発明の磁界発生装置、電磁ァクチユエータ、ステージ装置、露光装置、及 びデバイスの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。
本発明の係る磁界発生装置、電磁ァクチユエータの実施形態を、図 1から図 4を用 いて説明する。図 1は、リニアモータ 1を示す概念図である。
リニアモータ(電磁ァクチユエータ) 1は、コイルユニット 10と磁石ユニット 20と力ら構 成される。
コイルユニット 10は、交番磁界を発生させる複数のコイル等力もなり、逆 T字形に形 成される。一方、磁石ユニット 20は、 U字形に形成されたベースの内壁のそれぞれに 磁極が交互に配置された複数の永久磁石群を対向配置して構成される。そして、磁 石ユニット 20の凹部にコイルユニット 10の凸部を所定の間隔で離間させつつ、嵌め 合うように配置され、コイルユニット 10に交番電圧を印加することにより、コイルュ-ッ ト 10と磁石ユニット 20との間に推力(ローレンツ力)が発生して、コイルユニット 10と磁 石ユニット 20とが推力方向に相対移動するようになって 、る。
[0019] 図 2は、コイルユニット 10を示す断面図である。
コイルユニット (電機子ユニット) 10は、非磁性体の金属あるいは榭脂等力もなるコィ ルベース 11と、非磁性体力もなる中空の直方体形状を有するキャン 12とを備える。 そして、キャン 12の内部には、複数のコイル 13がー列に並べられる。また、複数のコ ィル 13は、キャン 12の内壁力も所定の間隔を空けて平行に並べて配置されることに より、キャン 12の内部に空隙 Sが形成される。なお、コイル 13は、表面を榭脂等で固 められて 1枚の板状に形成される。そして、各コイル 13は、それぞれ上端及び下端に 設けられたスぺーサ 14を介してコイルベース 11及びキャン 12に固定される。
コイルベース 11には、空隙 Sに冷媒 Cを流入させるための冷媒入口 15と、空隙 Sか ら冷媒 Cを流出させるための冷媒出口 16が設けられる。そして、冷媒入口 15及び冷 媒出口 16には、それぞれ不図示の冷媒供給機構と連結する配管が接続されて、冷 媒 Cを空隙 S内に供給、回収可能に構成される。これにより、冷媒入口 15から流入し た冷媒 C力 コイル 13の表面に沿って流れ、冷媒出口 16から排出されることにより、 発熱したコイル 13を冷却するようになって 、る。
[0020] 図 3は、磁石ユニット 20の斜視図である。
磁石ユニット (磁界発生装置) 20は、端面の形状が U字型で XI方向に延在する非 磁性体 (例えば、セラミックス)で形成された磁極ベース 21と、磁極ベース 21の内壁 の一方に配置された界磁磁石群 22と、他方の内壁に配置された界磁磁石群 23とか ら構成されている。
界磁磁石群 22は、露出磁極面が N極の磁石(後述する主磁石 31の N極)と露出磁 極面が S極の磁石(主磁石 31の S極) 31Sとがストローク(XI)方向に交互に配列さ れる等して構成されている。同様に、界磁磁石群 23は、露出磁極面が S極の磁石( 主磁石 31の S極)と露出磁極面が N極の磁石(主磁石 31の N極)とがストローク方向 に交互に配列される等して構成されている。そして、界磁磁石群 22と界磁磁石群 23 の磁石が空隙 (所定空間) Kを隔てて、異種の磁極が対向するように配置される。こ れにより、界磁磁石群 22と界磁磁石群 23の間に、磁極方向が交互に並ぶ磁界が発 生するようになっている。
なお、界磁磁石群 22, 23を構成する複数の永久磁石の全ては、例えば、ネオジ鉄 ボロン系磁石用合金など希土類磁石用合金力もなる。ネオジ鉄ボロン (Nd— Fe— B )系磁石は、残留磁束密度が 1. 3T以上という強力な磁石である。
[0021] 図 4は、磁石ユニット 20の界磁磁石群 22, 23を示す図である。
なお、界磁磁石群 22, 23は、同一の構成を備えるため、主に界磁磁石群 22につ いて説明する。また、図中の実線矢印の方向が各磁石の磁極方向(S極力も N極へ の方向)を示し、破線矢印が各磁気回路を示す。
界磁磁石群 22は、複数の第 1永久磁石ユニット 30及び第 2永久磁石ユニット 40か ら構成される。第 1永久磁石ユニット 30と第 2永久磁石ユニット 40とは、磁極ベース 2 1の内壁にヨーク 25を介して、第 2永久磁石ユニット 40、第 1永久磁石ユニット 30の 順に重ねて配置される。すなわち、第 1永久磁石ユニット 30が磁極ベース 21の内側 (凹部側)に露出する。
[0022] 第 1永久磁石ユニット 30は、所定間隔で配置された主磁石 31と、互いに隣り合う主 磁石 31の間に配置される第 1補助磁石 32及び第 2補助磁石 33とから構成される。 主磁石 31は、隣り合う主磁石 31の磁極が反対方向を向くように配置される。また、第 1補助磁石 32は、主磁石 31の磁極方向(Y1軸に沿った方向)に直交する方向(XI 軸に沿った方向)に磁極を有する磁石であって、互いに隣り合う 2つの主磁石 31の 略中間に 1つ配置される。また、第 2補助磁石 33は、主磁石 31の磁極方向(Y1軸に 沿った方向)及び第 1補助磁石 32の磁極方向 (XI軸に沿った方向)に対して交差す る方向に磁極を有する磁石であって、主磁石 31と第 1補助磁石 32との間に 1つずつ 配置される。第 2補助磁石 33は、その磁極方向がその第 2補助磁石 33と隣り合う主 磁石 31と第 1補助磁石 31とのそれぞれの磁極方向の両方の方向成分を含んだ方向 となるように構成されている。
これにより、第 2補助磁石 33、第 1補助磁石 32、第 2補助磁石 33の順で徐々に磁 極方向を回転させていくことができるので、ある主磁石 31から隣の主磁石 31にかけ て効果的に磁極方向を反転させることができる。
なお、第 1永久磁石ユニット 30を構成する主磁石 31、第 1補助磁石 32、第 2補助 磁石 33は、それぞれ比透磁率が非常に小さい磁石で構成される。具体的には、空 気の比透磁率(1. 0)と略同一の比透磁率である。
[0023] 次に、第 2永久磁石ユニット 40は、第 1永久磁石ユニット 30の主磁石 31と同一の間 隔で配置された主磁石 41と、互いに隣り合う主磁石 41の間に配置される第 1補助磁 石 42とから構成される。主磁石 41は、隣り合う主磁石 41の磁極が反対方向を向くよ うに配置される。また、第 1補助磁石 42は、主磁石 41の磁極方向(Y1軸に沿った方 向)に直交する方向(XI軸に沿った方向)に磁極を有する磁石であって、互いに隣り 合う 2つの主磁石 41の略中間に 1つ配置される。これにより、ある主磁石 41から隣の 主磁石 41にかけて、第 1補助磁石 42を介して効果的に磁極方向を反転させることが できる。
なお、第 1補助磁石 42は、第 1永久磁石ユニット 30の 1つの第 1補助磁石 32と 2つ の第 2補助磁石 33とを合わせた幅 (XI軸に沿った方向の長さ)と同一の幅を有する ように構成されている。
上記構成を有する第 1永久磁石ユニット 30と第 2永久磁石ユニット 40とは、第 1永 久磁石ユニット 30の主磁石 31と第 2永久磁石ユニット 40の主磁石 41との位置及び 磁極方向が一致するように重ねて配置され、これによつて、界磁磁石群 22が構成さ れている。
界磁磁石群 23は、以上に説明した第 1永久磁石ユニット 30と同様の構成を有する 第 1永久磁石ユニット 3(Τ及び第 2永久磁石ユニット 40と同様の構成を有する第 2永 久磁石ユニット 4(Τを、界磁磁石群 22と同様に配置して構成されている。そして、界 磁磁石群 22と界磁磁石群 23とは、第 1永久磁石ユニット 30の主磁石 31の磁極方向 と、第 1永久磁石ユニット 3CTの主磁石 31の磁極方向とがー致するように、かつ空隙 Κを隔てて第 1永久磁石ユニット 30、 3(Τの主磁石 31同士が対向するように配置され ている。
これにより、図 4に点線矢印で示すように、第 1永久磁石ユニット 30、 30Ίこより磁気 回路 L1が形成され、第 2永久磁石ユニット 40、 40Ίこより磁気回路 L2が形成される。 第 2永久磁石ユニット 40、 4(Τと磁極ベース 21との間に配置されるヨーク 25は、強 磁性体 (例えば、低炭素鋼)からなる板部材であって、ヨーク 25に密着配置された第 2永久磁石ユニット 40、 4(Τの磁束が外部(磁極ベース 21側)に漏れないようにする ものである。ヨーク 25の厚さは、第 2永久磁石ユニット 40、 4(Τからの磁束によって飽 和磁束密度となるような厚みに設定されている。
なお、磁極ベース 21を磁性体材料で形成し、磁極ベース 21がヨーク 25を兼用する ようにしても構わない。
このように、磁石ユニット 20の界磁磁石群 22, 23のそれぞれを、第 1永久磁石ュ- ット 30及び第 2永久磁石ユニット 40から構成することにより、磁石ユニット 20の内部の 空隙 Κに第 1磁気回路 L1と第 2磁気回路 L2とが重畳した磁界を発生させることがで きる。すなわち、第 1永久磁石ユニット 30 (主磁石 31、第 1補助磁石 32、第 2補助磁 石 33)を比透磁率が非常に小さい磁石で構成することにより、良好に磁力線を通過 させることが可能となって、第 1磁気回路 L1と第 2磁気回路 L2とが互いに干渉するこ となく重畳する。つまり、第 1永久磁石ユニット 30に第 2永久磁石ユニット 40を重ねる ことにより、良好に第 1磁気回路 L1の外側に第 2磁気回路 L2が形成される。
これにより、磁石ユニット 20の内部の空隙 Kに効率よぐ強力な磁界を発生させるこ とができる。具体的には、従来の磁石ユニット(界磁磁石群 22, 23を主磁石のみで形 成したもの)に比べて、空隙 Kに約 1. 4倍の磁気を発生させることが可能であることが 確認された。
次に、上述したリニアモータ 1を用いたステージ装置 100について、図 5を用いて説 明する。図 5は、ステージ装置 100の構成を示す斜視図である。
ステージ装置 100は、ウェハ Wを戴置するウェハステージ (ステージ) 110と、ゥェ ハステージ 110を XY平面内で駆動する X方向駆動部 120及び Y方向駆動部 130と 、定盤 101とから構成される。 X方向駆動部 120は、定盤 101上に X方向に延設され た Xガイド 121と、定盤 101上を Xガイド 121に沿って移動する X方向移動体 124と、 X方向移動体 124を X方向に移動させる第 IXリニアモータ 122、第 2Xリニアモータ 1 23から構成される。
Xガイド 121は、定盤 101の Y方向端面の近傍に X方向に延設されて X方向の基準 となる。 X方向移動体 124は、 Xガイド 121に近接して配置された第 1Yガイド搬送体 125と、この第 1Yガイド搬送体 125から Y方向に間隔を開けて平行に配置された第 2 Yガイド搬送体 126と、これら第 1,第 2Yガイド搬送体 125, 126を連結するとともに Y 方向に延設されて Y方向の基準となる Yガイド 131とから構成され、 Xガイド 121に沿 つて X方向に移動可能に支持される。なお、 Yガイド 131は、後述する Y方向駆動部 130のー咅でもある。
第 IXリニアモータ 122は、第 IX固定子 122aと、この第 IX固定子 122aに沿って移 動する第 IX可動子 122bから構成され、第 IX固定子 122aが Xガイド 121側方に平 行に延設される。第 2Xリニアモータ 123は、第 2X固定子 123aと、この第 2X固定子 1 23aに沿って移動する第 2X可動子 123bとから構成され、第 2X固定子 123aが第 2 Yガイド搬送体 126の側方に平行に延設される。 そして、第 IX可動子 122bおよび第 2X可動子 123bが、それぞれ連結部材 127, 1 28を介して X方向移動体 124に連結される。したがって、第 1,第 2X可動子 122b, 1 23bを駆動することにより、 X方向移動体 124が Xガイド 121に沿って X方向に移動す る。
[0026] Y方向駆動部 130は、ウェハステージ 110を Y方向に駆動する第 1,第 2Yリニアモ ータ 132, 133と、 Yガイド 131とカゝら構成され、 X方向移動体 124上に設置される。 ウェハステージ 110は、 Yガイド 131を上下力も挟むようにして定盤 101の上面に配 置された天板 111および底板 112と、これら天板 111と底板 112とを Yガイド 131の 両側で連結する一対の Y方向軸受体 113, 114とから構成され、 Yガイド 131に沿つ て Y方向に移動可能に支持される。
第 1Yリニアモータ 132は、第 1Y固定子 132aと、この第 1Y固定子 132aに沿って 移動する第 1Y可動子 132bから構成され、第 1Y固定子 132aが Yガイド 131の X方 向の +側に平行に延設される。同様に、第 2Yリニアモータ 133は、第 2Y固定子 133 aと、この第 2Y固定子 133aに沿って移動する第 2Y可動子 133b (図示略)と力も構 成され、第 2Y固定子 133aが Yガイド 131の X方向の—側に平行に延設される。 そして、第 1及び第 2Y可動子 132b, 133b力 それぞれウェハステージ 110に固 定されるとともに、駆動されることによって、ウェハステージ 110が Yガイド 131に沿つ て Y方向に移動する。
なお、第 IX,第 2Xリニアモータ 122, 123、ならびに第 1Y,第 2Yリニアモータ 132 , 133はいずれも上述したリニアモータ 1と略同一の構成を備え、磁石ユニット 20を 可動子、コイルユニット 10を固定子として用いられる。
[0027] そして、ウェハステージ 110には、天板 111を Z方向に移動させるとともに、 X、 Y、 Ζ 軸回りに回転駆動可能な Ζ Θ駆動部(図示略)が設けられ、更に天板 111上には、ゥ ェハ Wを真空吸着する保持機構(図示略)が載置される。また、天板 111の X方向端 面の近傍に X座標移動鏡 115が延設され、同様に Υ方向端面の近傍に Υ座標移動 鏡 116が延設される。
そして、 X座標計測用レーザ干渉計 105及び Υ座標計測用レーザ干渉計 106から X座標移動鏡 115及び Υ座標移動鏡 116に測長レーザが照射され、その反射光を X 座標計測用レーザ干渉計 105及び Y座標計測用レーザ干渉計 106が受光すること により、ウェハステージ 110の X方向、 Υ方向の位置が常時検出される。
[0028] 次に、上述したステージ装置 100を用いた露光装置 200について、図 6を用いて説 明する。図 6は、走査露光型の露光装置 200の概念図である。
露光装置 200は、レーザユニット 210、レーザユニット 210から射出されたレーザ光 を回路パターンが形成されたレチクル (マスク) Rに向けて照射する照明光学系 220、 レチクル Rを保持するとともに所定方向に走査するレチクルステージ (マスクステージ ) 230、照明光学系 220により照明されたレチクル Rのパターン像を感光性のウェハ( 基板) Wに縮小投影する投影光学系 240、ウェハ Wを保持するとともに ΧΥ平面内で X方向及び Υ方向の 2方向に走査するウェハステージ(基板ステージ) 250、およびこ れら各機器を制御する主制御系 270等カゝら構成される。
[0029] レーザユニット 210は、露光用光源と複数の光学部材 (いずれも図示略)から構成さ れ、レーザ光を伝送する鏡筒(図示略)を通じて照明光学系 220にレーザ光を照射 する。露光光 ELとしては、例えば、 KrFエキシマレーザ光、 ArFエキシマレーザ光、 F2エキシマレーザ光、金属蒸気レーザや YAGレーザの高調波、あるいは超高圧水 銀ランプの紫外域の輝線 (g線、 i線等)等が用いられる。
[0030] 照明光学系 220は、ミラー 221、フライアイレンズ、視野絞り(いずれも図示略)を含 む複数の光学部材カも構成される。レーザユニット 210から照射されたレーザ光は、 ミラー 221で反射された後、レチクルステージ 230上に保持されたレチクル R上の所 定の照明領域内に均一な照度分布で照射される。
[0031] レチクルステージ(マスクステージ) 230は、載置されたレチクル Rを X方向すなわち 走査方向に駆動するリニアモータ力もなるレチクルステージ駆動部 233を備えており 、このリニアモータには、上述したリニアモータ 1を用いることができる。
また、レチクルステージ 230には、位置検出装置であるレーザ干渉計 231から照射 されるレーザ光を反射する移動鏡 232が固定されており、レチクルステージ 230のス テージ移動面内の位置が常時検出される。そして、レーザ干渉計 231に検出された レチクルステージ 230の位置情報は、主制御系 270に送られる。
[0032] 投影光学系 240は、フッ素ドープ石英、蛍石、フッ化リチウム等のフッ化物結晶から なるレンズや反射鏡などの複数の投影レンズ系を投影系ハウジング (鏡筒)内に配置 したものであり、レチクルステージ 230の直下に設けられる。投影レンズ系は、レチク ル Rを介して射出される露光光 ELを所定の投影倍率 ( |8は例えば 1Z4)で縮小し て、レチクル Rのパターンの像をウェハ W上の特定領域 (ショット領域)に結像させる。 なお、投影光学系 240の投影レンズ系の各要素は、それぞれ保持部材 (不図示)を 介して投影系ハウジングに支持され、各保持部材は各要素の周縁部を保持するよう に例えば円環状に形成されている。
なお、露光光 ELとして、 Fレーザ等の真空紫外線を用いる場合には、透過率の良
2
好な光学硝材 (光学素子)として、蛍石 (CaFの結晶)、フッ素や水素等をドープした
2
石英ガラス、及びフッ化マグネシウム (MgF )等が用いられる。この場合、投影光学
2
系 240において、屈折光学部材のみで構成して所望の結像特性 (色収差特性等)を 得るのは困難であることから、屈折光学部材と反射鏡とを組み合わせた反射屈折系 を採用してもよい。
[0033] ウェハステージ (基板ステージ) 250は、上述したステージ装置 100と略同一の構成 を備える。すなわち、ウェハステージ 250は、ウェハ Wを戴置するウェハテーブル 25 1と、ウェハテーブル 251を XY平面内で駆動するリニアモータからなるウェハステー ジ駆動部 254と、定盤 255等とから構成される。ウェハステージ駆動部 254のリニア モータには、上述したリニアモータ 1を用いることができる。
そして、ウェハテーブル 251に設けられた反射鏡 252に対してレーザ干渉計 253か ら測長レーザを照射して、ウェハテーブル 251の X方向、 Y方向の位置が常時検出さ れる。そして、その情報は主制御系 270に送られる。
[0034] 主制御系 270は、レーザ干渉計 231, 253等からの各種情報及び主制御系 270に 予め記憶されて 、る各種パラメータに基づ!/、て露光装置 200を統括的に制御する。 例えば、レチクルステージ 230の位置情報に基づ!/、てレチクルステージ 230を走査 方向に移動させたり、ウェハステージ 250の位置情報に基づきウェハステージ 250を XY方向に移動させたりする。
[0035] 次に、上述したリニアモータ 1、ステージ装置 100、露光装置 200の動作について 説明する。 まず、レチクル Rがレチクルステージ 230にロードされるとともに、ウェハ Wがウエノ、 ステージ 250にロードされる。
続いて、各種の露光条件が設定された後に、主制御系 270の管理の下で、ァラィメ ント等の準備作業が行われる。
次いで、主制御系 270は、ァライメント結果に基づいて、 X座標計測用レーザ干渉 計 105及び Y座標計測用レーザ干渉計 106の計測値をモニタしつつ、ウェハ Wのフ アーストシヨット(第 1番目のショット領域)の露光のための加速開始位置(走査開始位 置)にウェハステージ 250を移動させる。そして、レチクルステージ 230及びウェハス テージ 250との Y方向の走査しつつ、露光光 ELを照射することにより、レチクル尺の パターン PAがウェハ W上のファーストショット領域のレジスト層に縮小転写される。 そして、繰り返し、他のショット領域に対して上述したような走査露光が行われて、ゥ ェハ W上の全ての露光対象ショット領域にレチクル Rのパターン PAが順次転写され る。また、このような処理を繰り返し行うことにより、複数のウェハ Wの露光が行われる 上述した露光処理では、ウェハテーブル 251が X方向及び Y方向に繰り返し移動 する。すなわち、ウェハステージ駆動部 254を構成するリニアモータ 1 (第 IX,第 2Xリ -ァモータ 122, 123、第 1Y,第 2Yリニアモータ 132, 133)のコイルユニット 10には 、所定の交番電圧が印加される。
これらのリニアモータ 1のコイルユニット 10に対応する磁石ユニット 20は、高い磁力 を効率よく発生させようにしているので、リニアモータ 1は、高い推力を得ることができ る。これにより、ウェハテーブル 251を高加減速、高速に移動させることができ、ゥェ ハ Wを短時間に所定位置、速度に移動させることにより、露光処理をより短い時間で 行うことができる。
また、コイルユニット 10に流す電流を抑えても大きな推力を得ることができるので、 少ない電力で駆動可能である。また、仕事量当たりのコイルユニット 10の発熱量を抑 えることができるので、コイルユニット 10の冷却に要するエネルギー消費量も抑えるこ とができる。更に、冷媒 Cの流量を減らすことができるので、冷媒 Cの流通に伴う振動 発生を抑免ることもできる。 このように、露光装置 200によれば、高スループット、低ランニングコストで露光処理 を行うことができるので、安価なデバイスを製造することが可能となる。
[0037] 次に、磁石ユニットの変形例について説明する。
図 7は、磁石ユニット 50の界磁磁石群 52, 53を示す図である。なお、界磁磁石群 5 2, 53は、同一の構成を備えるため、主に界磁磁石群 52について説明する。また、 図中の実線矢印の方向が各磁石の磁極方向(S極力 N極への方向)を示し、破線 矢印の方向が各磁気回路を示す。
磁石ユニット (磁界発生装置) 50は、端面の形状が U字型で XI方向に延在する磁 極ベース 21と、磁極ベース 21の内壁の一方に配置された界磁磁石群 52と、他方の 内壁に配置された界磁磁石群 53とから構成されており、磁石ユニット 20と同様に、界 磁磁石群 52と界磁磁石群 53の間に、磁極方向が交互に並ぶ磁界が発生するように なっている。
なお、界磁磁石群 52, 53を構成する複数の永久磁石の全ては、例えば、ネオジ鉄 ボロン系磁石用合金など希土類磁石用合金力もなる。ネオジ鉄ボロン (Nd— Fe— B )系磁石は、残留磁束密度が 1. 3T以上という強力な磁石である。
[0038] 界磁磁石群 52は、永久磁石ユニット 60から構成される。永久磁石ユニット 60は、磁 極ベース 21の内壁にヨーク 25を介して配置される。
永久磁石ユニット 60は、所定間隔で配置された主磁石 61と、互いに隣り合う主磁 石 61の間に配置される補助磁石 62とから構成される。主磁石 61の XI軸に沿った方 向の両側面には、それぞれ、磁極方向(Y1軸に沿った方向)に対して傾斜する第 1 側面 (第 1側面部) 6 laと、磁極方向に平行な第 2側面 (第 2側面部) 61bが形成され る。そして、互いに対向する第 1側面 61aは、空隙 Kに向かって開くように形成されて いる。一方、主磁石 61の間に配置された補助磁石 62は、主磁石 61の磁極方向(Y1 軸に沿った方向)に直交する方向(XI軸に沿った方向)に磁極を有する磁石であつ て、主磁石 61の第 1側面 61aに対応する第 1側面 (側面部) 62aと、第 2側面 61bに 対応する第 2側面 (側面部) 62bとが形成されて 、る。
これにより、主磁石 61から第 1側面 61a, 62aを介して補助磁石 62を通過して、他 方の第 1側面 61a, 62aを介して隣り合う主磁石 61に至る第 1の磁界を発生させるこ とができる。また、主磁石 61から第 2側面 6 lb, 62bを介して補助磁石 62を通過して 、他方の第 2側面 61b, 62bを介して隣り合う主磁石 61に至る第 2の磁界を発生させ ることができる。すなわち、永久磁石ユニット 60は、上記構成を有することにより、磁 極方向が徐々に回転して反転する 2つの磁界を得ることができる。
界磁磁石群 53は、以上に説明した永久磁石ユニット 60と同一の構成を有する永久 磁石ユニット 6(Τを備えている。永久磁石ユニット 60Ίま、永久磁石ユニット 6(Τの主 磁石 61の磁極方向と、永久磁石ユニット 60の主磁石 61の磁極方向とがー致するよう に、及び空隙 Κを隔てて永久磁石ユニット 60と対向するように磁極ベース 21の内壁 にヨーク 25を介して配置されて!、る。
これ〖こより、図 7に点線矢印で示す磁気回路 L1と第 2磁気回路 L2とが形成される。
[0039] なお、永久磁石ユニット 60と磁極ベース 21との間にヨーク 25を配置することにより、 永久磁石ユニット 60の磁束が外部(磁極ベース 21側)に漏れないようにすることがで きる。ヨーク 25の厚さは、永久磁石ユニット 60からの磁束によって飽和磁束密度とな るような厚みに設定される。また、磁極ベース 21がヨーク 25を兼用しても構わない。 また、永久磁石ユニット 60を構成する主磁石 61、補助磁石 62は、それぞれ比透磁 率が非常に小さい磁石で構成される。具体的には、空気の比透磁率(1. 0)と略同一 の比透磁率である。
[0040] このように、磁石ユニット 50の界磁磁石群 52, 53を構成する主磁石 61、補助磁石 62のそれぞれに、磁極方向(Y1方向)に対して傾斜する第 1側面 61a, 62aと、磁極 方向(Y1方向)に平行な第 2側面 61b, 62bを形成することにより、磁石ユニット 50の 内部の空間 Kに第 1磁気回路 L1と第 2磁気回路 L2とが重畳した磁界を発生させるこ とがでさる。
すなわち、磁石ユニット 20の第 2補助磁石 33のように、 X1Y1平面内で Y1方向及 び XI方向に対して傾斜する方向に磁極を有する磁石を用いることなぐ磁極方向が 徐々に回転して反転する第 1磁気回路 L1を発生させることができる。
また、主磁石 61、補助磁石 62を比透磁率が非常に小さい磁石で構成することによ り、良好に磁力線を通過させることが可能となって、第 1磁気回路 L1と第 2磁気回路 L2とが互いに干渉することなく重畳させることができる。 これにより、永久磁石ユニット 60の内部の空間 Kに効率よぐ強力な磁界を発生さ せることができる。
[0041] なお、上述した実施の形態にぉ 、て示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形 状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプ ロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のよ うな変更をも含むものとする。
[0042] 例えば、磁石ユニット 20における第 1永久磁石ユニット 30の主磁石 31と第 2永久磁 石ユニット 40の主磁石 41とを、一体形の磁石としてもよい。
また、磁石ユニット 20における第 2永久磁石ユニットを主磁石 41だけで構成し、第 1 補助磁石 42の部分を空間にしてもよい。この場合であっても、ヨーク 25を介して磁気 回路 L2は形成される。更に、第 1補助磁石 42を磁性体材料で置き換えても良い。 また、磁石ユニット 20における第 2永久磁石ユニットを磁性体で構成されたヨーク 2 5で置き換えることもできる。この場合、主磁石 31からの磁束の一部がヨーク 25を通 過して隣り合う主磁石 31に流入し、磁気回路 L2を形成する。これによれば、第 2永久 磁石ユニットを設ける場合に比べると磁束密度は低下するが、磁石ユニット 20の構成 を簡略ィ匕することができる。
また、磁石ユニット 50における永久磁石ユニット 60の主磁石 61及び補助磁石 62の それぞれを、第 1側面 61a, 62aと第 2側面 61b, 62bとを境に上下 2分割に構成して もよい。この場合において、第 2側面 61bで挟まれる部分を空間としてもよい。この場 合であっても、ヨーク 25を介して磁気回路 L2は形成される。更に、第 2側面 61bで挟 まれる空間に磁性体を充填してもよ ヽ。
[0043] また、上述した実施形態では、永久磁石を実質的に 2段に重ねることにより、 2重に 重畳した磁気回路を形成したが、多段に重ねる等により多重の磁気回路を形成して ちょい。
[0044] また、磁石ユニット 20 (磁極ベース 21)は、必ずしも U字形である必要はなぐ更に 界磁磁石群 22側と界磁磁石群 23側とに分離させた構造であってもよい。
また、コイルユニット 10は、逆 T字形である必要はなぐ磁石ユニット 20の構造に合 わせて、例えば H字形に構成してもよい。 [0045] 上述したステージ装置 100、露光装置 200では、リニアモータのコイルユニットを固 定子とし、磁石ユニットを可動子として用いた力 本発明は、これに限らず、コイルュ ニット 10を可動子とし、磁石ユニット 20, 50を固定子として用いてもよい。
[0046] また、リニアモータ 1として、推力方向と垂直な面における磁石ユニット 20, 50の断 面が U字形である、いわゆる片持ちタイプのリニアモータについて説明した力 本発 明は、これに限らず、磁石ユニットの断面が口字形である、いわゆる両持ちタイプのリ ユアモータにも適用可能である。また、シャフトタイプのリニアモータに適用することも できる。
[0047] また、本発明が適用される露光装置として、マスクと基板とを静止した状態でマスク のパターンを露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ'アンド'リピート型の露 光装置を用いてもよい。
[0048] また、本発明が適用される露光装置として、投影光学系を用いることなくマスクと基 板とを密接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置を用いてもょ ヽ
[0049] また、露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されること なぐ例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露 光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
[0050] また、本発明が適用される露光装置の光源は、 g線 (436nm)、 i線(365nm)、 KrF エキシマレーザ(248nm)、 ArFエキシマレーザ( 193nm)、 F2レーザ( 157nm)の みならず、 X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を 用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンへキサボライト (LaB6)、タン タル (Ta)を用いることができる。さらに、電子線を用いる場合、マスクを用いる構成と してもょ ヽし、マスクを用いずに直接基板上にパターンを形成する構成としてもょ 、。 さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい
[0051] また、投影光学系としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材と して石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、 F2レーザや X線を用いる場 合は反射屈折系または屈折系の光学系にし (このとき、レチクルも反射型タイプのも のを用いる)、また、電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器 力 なる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は真空状態にす ることはいうまでもない。
[0052] また、ウェハステージゃレチクルステージには、エアベアリングを用いたエア浮上型 およびローレンツ力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは 、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよ い。さらに、ステージの駆動装置として平面モータを用いる場合、磁石ユニット (永久 磁石)と電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ュ ニットの他方をステージの移動面側(ベース)に設ければよい。
[0053] また、ウェハステージの移動により発生する反力は、特開平 8— 166475号公報に 記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
[0054] また、レチクルステージの移動により発生する反力は、特開平 8— 330224号公報 に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい 。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
[0055] また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成 要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保 つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み 立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種 機械系につ 、ては機械的精度を達成するための調整、各種電気系につ 、ては電気 的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力 露光装置への組み 立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回 路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステム力 露光装置への組み立て工程 の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブ システムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置 全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度 等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
[0056] そして、半導体デバイスは、図 7に示すように、デバイスの機能 ·性能設計を行うステ ップ 201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ 202、デ バイスの基材である基板 (ウエノ、、ガラスプレート)を製造するステップ 203、上述した 実施形態の露光装置によりマスク(レチクル R)のパターンを基板 (ウエノ、 W)に露光 する基板処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ 205 (ダイシング工程、ボンデ イング工程、ノ ッケージ工程を含む)、検査ステップ 206等を経て製造される。

Claims

請求の範囲
[1] 永久磁石を対向して配置し、所定空間に磁界を発生させる磁界発生装置であって 前記所定空間に重畳して磁界を発生させる複数の磁気回路を有することを特徴と する磁界発生装置。
[2] 第 1磁気回路を形成する第 1永久磁石ユニットと、前記所定空間に対して前記第 1 磁気回路よりも外側に第 2磁気回路を形成する第 2永久磁石ユニットと、を備えること を特徴とする請求項 1に記載の磁界発生装置。
[3] 前記第 1永久磁石ユニットは、比透磁率が空気の比透磁率と略同一の永久磁石か らなることを特徴とする請求項 2に記載の磁界発生装置。
[4] 前記第 2永久磁石ユニットは、磁性体力もなるヨークを含むことを特徴とする請求項
2に記載の磁界発生装置。
[5] 前記第 1永久磁石ユニット及び Z又は前記第 2永久磁石ユニットは、前記所定空間 に向けて磁極が交互に配置された複数の主磁石と、
前記主磁石の間に配置されると共に前記主磁石の磁極方向と直交する方向に磁 極を有する第 1補助磁石とを備えることを特徴とする請求項 2に記載の磁界発生装置
[6] 前記第 1永久磁石ユニットは、前記主磁石と前記第 1補助磁石との間に配置される と共に前記主磁石の磁極方向と前記第 1補助磁石の磁極方向とのいずれとも交差す る方向に磁極を有する第 2補助磁石を備えることを特徴とする請求項 5に記載の磁界 発生装置。
[7] 前記所定空間に向けた磁極が交互になるように配置された複数の主磁石と、 前記主磁石の間に配置されると共に前記主磁石の磁極方向と直交する方向に磁 極を有する補助磁石とを備え、
前記主磁石は、磁極方向に対して傾斜して構成され第 1磁気回路の磁束が通過す る第 1側面部と、前記磁極方向と平行に構成され第 2磁気回路の磁束が通過する第
2側面部とを有し、
前記補助磁石は、前記第 1側面部と前記第 2側面部とに対応した側面部を有し、前 記主磁石の間に嵌合して配置されることを特徴とする請求項 1に記載の磁界発生装 置。
[8] 磁石ユニットと電機子ユニットとからなる電磁ァクチユエータにお!/ヽて、
前記磁石ユニットとして、請求項 1から請求項 7のうちいずれか一項に記載の磁界 発生装置が用いられることを特徴とする電磁ァクチユエータ。
[9] 移動可能なステージと、前記ステージを駆動するリニアモータとを有するステージ装
¾【こ; i l /、て、
前記リニアモータとして、請求項 8に記載の電磁ァクチユエータが用いられることを 特徴とするステージ装置。
[10] マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージとを有し、前記マ スクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光装置において、
前記マスクステージと前記基板ステージの少なくとも一方に、請求項 9に記載のステ ージ装置が用いられることを特徴とする露光装置。
[11] リソグラフイエ程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフイエ程におい て請求項 10に記載の露光装置が用いられることを特徴とするデバイスの製造方法。
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