WO2006030527A1

WO2006030527A1 - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: WO2006030527A1
Application number: PCT/JP2004/014017
Authority: WO
Inventors: Masakazu Funahashi
Original assignee: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date: 2004-09-17
Filing date: 2004-09-17
Publication date: 2006-03-23
Also published as: EP1790631A4; US20070292714A1; EP1790631A1; JPWO2006030527A1; CN101018760A

Abstract

無置換ピレン構造に置換基を有するジフェニルアミノ基が結合した特定構造の芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、寿命が長く、高発光効率な青色発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供する。

Description

明細書

芳香族ァミン誘導体及ぴそれを用いた有機エレクト口ルミネッセンス素子

技術分野

本発明は壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として使用され、寿命が長く、高発光効率な有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する新規な芳香族ァミン誘導体に関するものである。

背景技術

有機物質を使用した有機エレクト口ルミネッセンス（ E L ) 素子は、固体発光型の安価な大面積フル力ラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に E L素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戾る際にエネルギーを光として放出する現象である。従来の有機 E L素子は、無機発光ダイォードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至つていなかった。最近の有機 E L素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率、長寿命が要求されている。

例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特開平 1 1 一 3 7 8 2号公報）。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度 1 6 5 m A , c m ² において、 1 6 5 0 c d / m ² の輝度しか得られておらず、効率は 1 c Aであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特開平 8— 1 2 6 0 0号公報）。しかしながら、この技術においても、効率は 1〜 3 c d / A程度で低く、実用化のための改良が求められていた。また、モノもしくはビスァントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（国際公開 W O 0 0 Z 0 6 4 0 2号公報）。しかしながら、この素子は、寿命が十分長くなく、さらなる改良が求められていた。さらに、特開平 4 - 1 7 5 3 9 5号公報に記載のジァミノピレン誘導体をドーピング材料として有機 E L素子を作製すると、発光効率の高い有機 E L素子が得られるものの、寿命が十分長くなく、さらなる改良が求められていた。さらに、特開平 1 0— 2 5 1 6 3 3号公報に、 1 , 6 —置換ジァミノピレン化合物が例示されているが、この化合物を発光材料として用いた場合、分子量が大きく、蒸着時に分解しやすくなる。

発明の開示

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、寿命が長く、高発光効率な有機 E L素子及びそれを実現する芳香族ァミン誘導体を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、前記の好ましい性質を有する芳香族ァミン誘導体及びそれを使用した有機 E L素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（ a ) で表される無置換ピレン構造に置換基を有するジフエニルァミノ基が結合した芳香族ァミン誘導体を利用することによりその目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。

すなわち、本発明は、下記一般式（ a ) で表される芳香族ァミン誘導体を提供するものである。

( a )

(式中、 A A ₂及ぴ A ₃は、それぞれ独立に、炭素数 1 2 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 5 2 5のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 6 2 5のァラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3 2 5 のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1 2 0のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 5 ~ 2 5のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 5 2 5のァリールアミノ基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1 2 0のアルキルアミノ基を表わす。

A ₄は、炭素数 2 2 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 5 2 5 のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 3 .2 5 のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1 2 0のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 5 2 5のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 5 2 5のァリールアミノ基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1 ~ 2 0のアルキルアミノ基を表わす。

ただし、 A A ₂ A ₃及び A ₄の示す各基における置換基がビュル基を含む基である場合はない。

p q r及ぴ s はそれぞれ 0 5の整数であり、 p + q + r + s ≥ l である。 pが 2以上の場合、複数の A tは、それぞれ互.いに同一でも異なつていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 qが 2以上の場合、複数の A ₂は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 r が 2 以上の場合、複数の A₃は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 s が 2以上の場合、複数の A₄は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。）

また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 E L素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、前記芳香族ァミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機 E L素子を提供するものである。'

図面の簡単な説明

図 1は、本発明の芳香族ァミン誘導体である化合物の NMRスぺクトルを示す図である。

図 2は、本発明の芳香族ァミン誘導体である化合物 ( 2 ) の NMRスぺクトルを示す図である。

図 3は、本発明の芳香族ァミン誘導体である化合物 ( 5 ) の NMRスぺクトルを示す図である。

図 4は、本発明の芳香族ァミン誘導体である化合物 ( 6 ) の NMRスぺクトルを示す図である。

図 5は、本発明の芳香族ァミン誘導体である化合物 ( 1 3 ) の NMRスぺクトルを示す図である。

図 6は、本発明の芳香族ァミン誘導体である化合物 ( 1 5 ) の NMRスぺクトルを示す図である。

図 7は、本発明の芳香族ァミン誘導体である化合物 ( 2 0 ) の NMRスぺクトルを示す図である。図 8は、本発明の芳香族ァミン誘導体である化合物（ 2 6 ) の NMRスぺタトルを示す図である。

発明を実施するための最良の形態

本発明の芳香族ァミン誘導体は、上記一般式（ a ) で表される芳香族ァミン誘導体からなるものである。

一般式（ a ) において、 A A₂及び A₃は、それぞれ独立に、炭素数 1 2 0 (好ましくは、炭素数 1 6 ) のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 5 2 5 (好ましくは、炭素数 5 1 0 ) のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 6 2 5 (好ましくは、炭素数 6 1 0 ) のァラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3 2 5 (好ましくは、炭素数 3 1 0 ) のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1 2 0 (好ましくは、炭素数 1 6 ) のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 5 2 5 (好ましくは、炭素数 5 1 0 ) のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 5 2 5 (好ましくは、炭素数 5 1 0 ) のァリールアミノ基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1 2 0 (好ましくは、炭素数 1 6 ) のアルキルアミノ基を表わす。

前記 A i A₃のアルキル基としては、例えば、メチル基、ェチル基、プ口ピル基、イソプロピル基、ブチル基、 s e c —プチル基、 t e r t—プチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、ステアリル基、 2 — フエニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルォロメチノレ基、ベンジノレ基、 α フエノキシベンジノレ基、 α , ージメチルベンジノレ基、 , α—メチノレフェニルベンジノレ基、 , α，ジトリフノレオロメチルベンジル基、トリフエニルメチル基、 α—ベンジルォキシベンジル基等が挙げられ、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、プチノレ基、 s e c プチル基、 t e r t ブチル基が好ましい。

前記 A 〜八：^のァリール基としては、例えば、フエニル基、 2—メチルフエニル基、 3 —メチルフエニル基、 4 ーメチノレフェニル基、 4 一ェチルフエニル基、ビフェニル基、 4 ーメチルビフエニル基、 4ーェチルビフエニル基、 4 —シクロへキシルビフエニル基、ターフェニル基、 3， 5 —ジクロ口フエ二ル基、ナフチル基、 5—メチルナフチル塞、アントリル基、ピレニル基等が挙げられる。

前記 A i〜A ₃のァラルキル基としては、例えば、ベンジル基、 1 一フエ二ルェチノレ基、 2 —フエニノレエチル基、 1 —フエニルイソプロピル基、 2 一フエニルイソプロピル基、フエニル一 t —プチル基、 α —ナフチルメチル基、 1 一 α —ナフチノレエチル基、 2 — ο; —ナフチルェチル基、 1 - α - ナフチルイソプロピル基、 2 — α —ナフチルイソプロピル基、 β —ナフチルメチル基、 1 一 J3 —ナフチノレエチル基、 2 — β —ナフチノレエチノレ基、 1 一 3 —ナフチルイソプロピノレ基、 2 — β —ナフチルイソプロピル基、 1 一ピロリルメチル基、 2 — ( 1 —ピロリノレ）ェチル基、ーメチノレベンジノレ基、 m—メチノレベンジノレ、 ο —メチノレべンジノレ基、 Ρ ーク口口べンジノレ基、 m—クロ口ベンジル基、 ο —クロ口べンジノレ £、 Ρ ープ'ロモべンジノレ基、 m—プロモベン、ンノレ、 ο —フ"ロモべンジル基、一ョードベンジノレ基、 m— ョードベンジル基、 ο —ョードベンジノレ基、 Ρ ーヒドロキシベンンノレ基、 m— ヒドロキシベンジノレ基、 ο ヒドロキシぺンジル基、 ρ —ァミノべンジノレ基、 m - .·!··' i ノベンジル基、 o ーァミノぺンジノレ ¾、 ρ 一二トロべンジノレ基、 m一二ト口べンジノレ基、 o 一二トロぺンジル基、 ρ —シァノベンジル基、 m一シァノベンジル基、 o —シァノベンジル基、 1 ーヒドロキシー 2 —フエ二ルイソプロピル基、 1 —クロ口一 2 —フエ二ルイソプ口ピル基等が挙げられる。

前記 A 〜 Α ₃のシク口アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル.基、ノルボルネン基、ァダマンチル基等が挙げられる。

前記 Α 〜 Α ₃のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基，ェトキシ基，プロポキシ基，イソプロポキシ基，ブトキシ基，. イソブトキシ基， s e c —ブトキシ基， t e r t —プトキシ基、各種ペンチルォキシ基，各種へキシルォキシ基等が挙げられる。

前記 A ₁〜A₃のァリールォキシ基としては、例えば、フエノキシ基，トリルォキシ基，ナフチルォキシ基等が挙げられる。

前記 A ₁〜A₃のァリールァミノ基としては、例えば、ジフエ二ルァミノ基，ジトリルアミノ基，イソプロピルジフヱニルァミノ基， t 一プチルジフエニルァミノ基，ジイソプロピルジフエニルァミノ基, ジ一 t 一プチルジフエニルァミノ基，ジナフチルァミノ基，ナフチルフエニルァミノ基等が挙げられる。

前記 A t〜 A ₃のアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ジへキシルァミノ基等が挙げられる。

一般式（ a ) において、は、炭素数 2〜 2 0 (好ましくは、炭素数 2〜 6 ) のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 2 5 (好ましくは、炭素数 5〜 1 0 ) のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜 2 5 (好ましくは、炭素数 3〜 1 0 ) のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 2 0 (好ましくは、炭素数 1〜 6 ) のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 2 5 (好ましくは、炭素数 5〜 1 0 ) のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 2 5 (好ましくは、炭素数 5〜 1 0 ) のァリ一ルァミノ基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜 2 0 (好ましくは、炭素数 1〜 6 ) のアルキルアミノ基を表わす。

前記 A のアルキル基としては、例えば、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、プチル基、 s e c —プチル基、 t e r t —ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、ステアリル基、 2—フエ二ルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルォロメチル基、ベンジノレ基、 CB — フエノキシベンジル基、 a , α —ジメチノレべンジノレ基、 α , οί —メチルフエニルべンジル基、 α， α—ジトリフルォロメチルベンジル基、トリフエニルメチル基、ひ一べンジルォキシベンジル基等が挙げられ、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、 s e c —ブチル基、 t e r t -ブチル基が好ましい。

また、前記 A₄のァリ一ル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、了リールォキシ基、ァリールアミノ基及びアルキルアミノ基の具体例としては、前記 A i〜 A ₃で挙げたものと、それぞれ同様のものが挙げられる。

ただし、前記 A₂、 A₃及び A₄の示す各基における置換基がビュル基を含む基である場合はない。

本発明の一般式（ a ) においては、前記 Α₂, Α₃及ぴ Α₄のうち少なくとも一つが分岐アルキル基（例えば、イソプロピル基、 s e c —プチル基、 t e r t —ブチル基）であると好ましく、イソプロピル基又は t e r t —プチル基であるとさらに好ましい。

また、前記 A A ₂、 A₃及び A₄のうち少なくとも一つがメチル基であつても好ましい。

p、 q、 r及ぴ s はそれぞれ 0〜 5の整数であり、 p + q + r + s ≥ l である。 pが 2以上の場合、複数の A iは、それぞれ互いに同一でも異なつていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 qが 2以上の場合、複数の A ₂は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 rが 2 以上の場合、複数の Asは、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 s が 2以上の場合、複数の A ₄は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。

この飽和もしく不飽和の環の例としては、前記アリ ^"ル基及びシクロアルキル基で挙げたものと、それぞれ同様のものが举げられる。

本発明の一般式（ a ) においては、 p 、 q、 r及び s のうちの少なくとも一つは 2以上であると好ましい。

本発明の一般式（ a ) で表される芳香族ァミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、 M e はメチノレ基を示す。 .

LlOPlO/tOOZd£/13d ん θεθ/900Ζ OAV ZJ0H000ifc7:1>d zs/ Oos900iAV.

(25) (26) (27)

本発明の芳香族ァミン誘導体は、これらの中でも、（ 1 ) 、（ 2 ) 、 ( 5 ) 、（ 6 ) 、（ 7 ) 、（ 8 ) 、（ 9 ) 、（ 1 3 ) 、（ 1 5 ) 、（ 2 ) 、（ 2 6 ) 、（ 2 9 ) 、（ 3 0) 及び（ 3 3 ) が好ましい。本発明の一般式（ a ) で表される芳香族ァミン誘導体は、ピレン構造に置換基を有するジフエニルァミノ基が連結し、特に置換基がアルキル基、さらには 2置換以上のアルキル基又は分岐アルキル基であることにより、化合物同士の会合が防止されるため、寿命が長くなる。 .また、固体状態で強い蛍光性を持ち、電場発光性にも優れ、蛍光量子効率が 0 . 3以上である。さらに、金属電極又は有機薄膜層からの優れた正孔注入性及び正孔輸送性、金属電極又は有機薄膜層からの優れた電子注入性及び電子輸送性を併せて持ち合わせているので、有機 E L素子用発光材料、特にドーピング材料として有効に用いられ、さらに、他の正孔輸送性材料、電子輸送性材料又はドービング材料を使用してもさしっかえない。

本発明の有機 E L素子は、陽極と陰極間に一層又は多層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料又は電子注入材料を含有しても良い。一般式（ a ) φ芳香族ァミン誘導体は、高い発光特性を持ち、優れた正孔注入性、正孔輞送特性及び電子注入性、電子輸送特性を有しているので、発光材料又はドーピング材料として発光層に使用することができる。

本発明の有機 E L素子においては、発光層が、本発明の芳香族ァミン誘導体を 0 . 1 〜 2 0重量％含有すると好ましく、 1 ~ 1 0重量％含有するとさらに好ましい。また、本発明の一般式（ a ) の芳香族ァミン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及ぴ電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、この芳香族ァミン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。

また、本発明の有機 E L素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む二層以上からなる有機薄膜層が挟持されている有機 E L素子において、陽極と発光層との間に一般式（ a ) で表される芳香族ァミン誘導体を主成分とする有機層を有すると好ましい。この有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。

多層型の有機 E L素子としては、（陽極 Z正孔注入層 Z発光層/陰極）、 (陽極/発光層電子注入層陰極）、（陽極/正孔注入層発光層電子注入層ノ陰極）等の多層構成で積層したものが挙げられる。

発光層には、必要に応じて、本発明の芳香族ァミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機 E L素子は、多層構造にするこどにより、タエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、' 正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。

本発明の芳香族ァミン誘導体と共に発光層に使用できる発光材料又はド一¹ビング材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フエナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、タリセン、フノレオレセィン、ペリレン、フタ口ペリレン、ナフタ口ペリレン、ペリノン、フタ口ペリノン、ナフタ口ペリノン、ジフエ二ルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、ォキサジァゾール、アルダジン、ビスべンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジェン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、ィミン、ジフエニルエチレン、ビュルアントラセン、ジァミノカルパゾ一ル、ピラン、チォピラン、ポリメチン、メロシァニン、ィミダゾールキレート化ォキシノィド化合物、キナクリドン、ルプレン及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、. 陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、. フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ォキサゾール、ォキサジァゾール、トリァゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾ一ルチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、ォキサゾール、ォキサジァゾール、ヒドラゾン、ァシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフエニルアミン、スチリルァミン型トリフエニルァミン、ジァミン型トリフエニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビュルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の有機 E L素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級ァミン誘導体及ぴフタ口シァニン誘導体である。

芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフエニルァミン、トリトリノレアミン、トリルジフエニルァミン、 N, N ' ージフエ二ルー N, N ' 一（ 3—メチルフエニル）一 1 , 1 ' —ビフエニル一 4， 4，ージァミン、 N， N , N ' , N ' - ( 4ーメチルフエニル） — 1 , 1 ' —フエ二ル一 4 , 4 ' —ジァミン、 N, N , N ' ， N ' 一（ 4—メチルフエニル） — 1 , 1 ' ービフエ二ルー 4 , 4 ，ージァミン、 N, N ' —ジフエニル一 N, N ' ージナフチル一 1 , 1 ，ービフエ二ルー 4 , 4 ' —ジァミン、 N N ' - (メチルフエニル）一 N， N ' 一（4一 n—ブチルフエニル）ーフェナントレン一 9 , 1 0—ジァミン、 N, N—ビス（4ージ一 4一トリルァミノフエニル）一 4—フエ二ルーシクロへキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。

フタロシアニン（ P c ) 誘導体としては、例えば、 H₂ P c、 C u P c、 C o P c、 N i P c、 Z n P c、 P d P c、 F e P c、 Mn P c、 C 1 A l P c、 C l G a P c、 C l I n P c、 C l S n P c、 C l ₂ S i P c、 (HO) A l P c、 (HO) G a P c、 V O P c、 T i O P c、 M o O P c、 G a P c - O - G a P c等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。

'また、本発明の有機 E L素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級ァミン誘導体及び又はフタ口シァニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。

電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルォレノン、アントラキノジメタン、ジフエノキノン、チォピランジオキシド、ォキサゾール、ォキサジァゾ一ル、トリァゾール、ィミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレォレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。

本発明の有機 E L素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。

金属錯体化合物としては、例えば、 8—ヒドロキシキノリナ一トリチウム、ビス（ 8 —ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（ 8 —ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（ 8 —ヒドロキシキノリナ一ト）. マンガン、トリス

( 8—ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（ 2—メチルー 8 ' —ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（ 8—ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（ 1 0—ヒドロキシベンゾ [h ] キノリナ一ト）ベリリウム、ビス（ 1 0—ヒドロキシベンゾ [ h ] キノリナート）亜鉛、ビス（ 2—メチルー 8 _キノリナート）クロ口ガリウム、ビス（ 2— メチルー 8 —キノリナート）（ o—クレゾラ一ト）ガリウム、ビス（ 2— メチル一 8 —キノリナート）（ 1 一ナフトラ一ト）アルミニウム、ビス

( 2—メチル一 8 —キノリナート）（ 2—ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、含窒素五員誘導体としては、例えば、ォキサゾール、チアゾール、ォキサジァゾ一ル、チアジアゾール、トリァゾ一ル誘導体が好ましい。具体的には、 2， 5 —ビス（ 1 一フエニル）一 1 , 3 , 4—ォキサゾール、ジメチル P O P O P、 2 , 5—ビス（ 1 —フエニル） - 1 , 3 , 4—チアゾール、 2 , 5— ビス（ 1 —フエニル）一 1 , 3 , 4 —ォキサジァゾール、 2— ( 4 ' — t e r t —ブチルフエニル） — 5 — ( 4 " — ビフエニル） 1， 3 , 4 —ォキサジァゾール、 2 , 5—ビス（ 1 —ナフチル）一 1 , 3 , 4 —ォキサジァゾール、 1 , 4一ビス [ 2— ( 5 —フエ二ルォキサジァゾリル） ] ベンゼン、 1 , 4—ビス [ 2— （ 5—フエニルォキサジァゾリル） — 4 _ t e r t —プチノレベンゼン] 、 2— (4，一 t e r t —プチルフエニル）一 5— ( 4 " — ビフエニル） — 1 , 3 , 4—チアジアゾール、 2， 5—ビス（ 1 —ナフチル）一 1 , 3 , 4—チアジアゾール、 1 , 4—ビス

[ 2— （ 5—フエ二ルチアジァゾリル） ] ベンゼン、 2— ( 4 ' — t e r t 一ブチルフエニル）一 5— （ 4 " —ビフエニル）一 1 , 3 , 4— トリアゾール、 2 , 5— ビス（ 1 —ナフチル）一 1 , 3 , 4— トリァゾール、 1， 4一ビス [ 2— ( 5—フエニルトリァゾリル） ] ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の有機 E L素子においては、発光層中に、一般式（ a ) の芳香族ァミン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも 1種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機 E L素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。

有機 E L素子の陽極に使用される導電性材料としては、 4 e Vより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、 I T O基板、 N E S A基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチォフェンやポリピロール等の有機導電性榭脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、 4 e Vより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシゥム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシゥム /インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。有機 E L素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の癸光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着ゃスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を 1 0 %以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。. 透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン—酢酸ビュル共重合体、エチレン一ビュルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアタリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビュルアルコール、ポリビュルプチラール、ナイロン、ポリエーテルエ一テルケトン、ポリサルホン、ポリエーテ/レサノレフォン、テトラフルォロエチレン一パーフノレオロアノレキノレビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルォロェチレン一エチレン共重合体、テトラフルォロエチレン一へキサフノレォロプロピレン共重合体、ポリクロ口トリフルォロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。

本発明に係わる有機 E L素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、デイツビング、フローコ一ティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は 5 n m〜： L 0 μ rnの範囲が適しているが、 1 0 n m〜 0 . 2 fi mの範囲がさらに好ましい。

湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロ口ホルム、テトラヒドロフラン、ジォキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、 'その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタタリレート、ポリメチルアタリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ一 N— ビ二ルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチォフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。

以上のように、有機 E L素子の有機薄膜層に本発明の芳香族ァミン誘導体を用いることにより、寿命が長く、高発光効率な有機 E L素子を得ることができる。本発明の有機 E L素子は、壁掛けテレビのブラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機 E L素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。

合成実施例 1 (化合物（1) ) の合成

アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0 ミリリットル三口フラスコ中に、 1， 6— ジブロモピレン 3. 6 g ( 1 0 mm o 1 ) , 4—イソプロピルジフエニルァミン 5. 2 g ( 2 5 mm o l ) 、酢酸パラジウム 0. 0 3 g ( 1. 5 m o 1 %) 、トリ一 t —プチルホスフィン 0. 0 6 g ( 3 m o 1 % ) 、 t—ブトキシナトリウム 2. 4 g ( 2 5 mm o 1 ) 、乾燥トルエン 1 0 0 ミリリットルを加えた後、 1 0 o°cにて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン 5 0 ミリリットル、メタノール 1 0 0 ミリリットルにて洗浄し、淡黄色粉末 5. 5 gを得た。このものは、〗 H— NMRスペクトル（図 1 ) 及び F D— MS (フィールドディソープシヨンマススペクトル）の測定により、化合物（ 1 ) と同定した（収率 8 9 %) 。

なお、 ^] H— NMRスペクトルは、溶媒が C D C I ₃、（株）日立製作所製 R— 1 9 0 0 ( 9 0MH z ) フーリェ変換核磁気共鳴装厚、又は B r u c k e r社製 DRX— 5 00 ( 5 0 0 MH z ) にて測定した。

合成実施例 2 (化合物（2) の合成）

アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0 ミリリットル三口フラスコ中に、 1 , 6— ジブ口モピレン 3. 6 g ( 1 0 mm o 1 ) 、 4 - t—ブチルジフェ二/レアミン 5. 6 g ( 2 5 mm o l ) 、酢酸ノラジウム 0. 0 3 g ( 1 . 5 m o 1 %) 、トリ一 t—ブチルホスフィン 0. 0 6 g ( 3 m o 1 %) 、 t一ブトキシナトリウム 2 · 4 g ( 2 5 mm o l ) 、乾燥トルエン 1 0 0 ミリリットルを加えた後、 1 0 0°Cにて一晩加熱攪拌した。反応終了後、'析出した結晶を濾取し、トルエン 5 0 ミリリットル、メタノール 1 0 0 ミリリットルにて洗浄し、淡黄色粉末 5. l gを得た。このものは、 ¹ NMRスペクトル（図 2 ) 及ぴ F D— MSの測定により、化合物（ 2 ) と同定した（収率 7 9 %) 。なお、 MRスぺクトルは合成実施例 1 と同様の条件にて測定した。

合成実施例 3 (化合物 (5) の合成)

アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0 ミリリットル三口フラスコ中に、 1 , 6— ジブロモピレン 3. 6 g ( 1 0mm o l ) 、 4一イソプロピルフエニル一 p— トリルァミン 4. 9 g (2 5 mm o l ) 、酢酸パラジウム 0. 0 3 g ( 1. 5 m o 】％) 、トリー t 一プチルホスフイン 0. 0 6 g ( 3 m o 1 %) 、 tーブトキシナトリウム 2. 4 g ( 2 5 mm o 1 ) 、乾燥トルエン 1 0 0 ミリリットルを加えた後、 1 0 0°Cにて一晩加熱攪拌した。反応終 7後、析出した結晶を濾取し、トルエン 5 0 ミリリットル、メタノール 1 0 0 ミリリットルにて洗浄し、淡黄色粉末 5. 7 gを得た。このものは、 ¹ NMRスぺクトル（図 ³) 及び F D— MSの測定により、化合物（ 5) と同定した（収率 9 3 %) 。なお、 ¹ NMRスぺクトルは合成実施例 1 と '同様の条件にて測定した。

合成実施例 4 (化合物（6) の合成）

アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0 ミリリットル三口フラスコ中に、 1 , 6— ジブロモピレン 3. 6 g ( 1 0 mm o 1 ) 、ビス（4—イソプロピルフエ二ル）ァミン 6. 3 g ( 2 5 mm o 1 ) 、酢酸パラジウム 0. 0 3 g ( 1. 5 m o 1 %) 、トリ一 t—プチルホスフイン 0. 0 6 g ( 3 m o 1 %) 、 tープトキシナトリウム 2. 4 g ( 2 5 mm o l ) 、乾燥トルエン 1 0 0 ミリリットノレを加えた後、 1 0 0°Cにて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン 5 0 ミリリットル、メタノール 1 0 0 ミリリツトルにて洗浄し、淡黄色粉末 7. 1 gを得た。このものは、 ] NMRスぺクトル（図 4 ) 及び F D—M Sの測定により、化合物（6 ) と同定した（収率 9 7 %) 。なお、 ^J N MRスぺクトルは合成実施例 1 と同様の条件にて測定した。

合成実施例 5 (化合物（1 3 ) の合成）

アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0 ミリリットル三口フラスコ中に、 1 , 6— ジブロモピレン 3. 6 g ( 1 0 mm o 1 ) 、ビス（3 , 4—ジフエニル）了ミン 5. 6 g ( 2 5 mm o 1 ) 、酢酸パラジウム 0. 0 3 g ( 1. 5 m o l %) 、トリー t—プチノレホスフィン 0. 0 6 g (3 m o I %) 、 t ープトキシナトリゥム 2. 4 g ( 2 5 m m o 1 ) 、乾燥トルエン 1 0 0 ミリリットルを加えた後、 1 0 o°cにて一晚加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルェン 5 0 ミリリットル、メタノ一ル 1 0 0 ミリリツトルにて洗浄し、淡黄色粉末 5. 9 gを得た。このものは、〗 NMRスペクトル（図 5 ) 及ぴ F D— MSの測定により、化合物（ 1 3 ) と同定した（収率 9 2 %) 。なお、 ¹ NMRスぺクトルは合成実施例 1 と同様の条件にて測定した。

合成実施例 6 (化合物（ 1 5 ) の合成）

アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0 ミリリットル三口フラスコ中に、 1 , 6— ジプロモピレン 3. 6 g ( 1 0 mm o 1 ) 、 4一イソプロピルフエニル一 3 , 5—ジメチルフエニルァミン 6 · 0 g (2 5 mm o 1 ) 、酢酸パラジウム 0. 0 3 g ( 1. 5 m o 】％) 、トリ一 t—ブチルホスフィン 0. 0 6 g ( 3 m o 1 %) 、 t —ブトキシナトリウム 2. 4 g ( 2 5 m m o 1 ) 、乾燥トルエン 1 0 0 ミリリツトルを加えた後、 1 0 0°Cにて一晚加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン 5 0 ミリリットル、メタノ一ル 1 0 0 ミリリットルにて洗浄し、淡黄色粉末 6. 6 gを得た。このものは、 i NMRスぺクトル（図 6 ) 及び F D—M Sの測定により、化合物（ 1 5) と同定した（収率 9 8 % ) 。なお、 ¹ NMRスペクトルは合成実施例 1 と同様の条件にて測定した。

合成実施例 7 (化合物（2 0) の合成）

アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0 ミリリットル三口フラスコ中に、 1 , 6— ジブ口 ΐピレン 3. 6 g ( 1 0 mm o 1 ) 、 4—フエ二ルビフエニルァミン 6. 1 g ( 2 5 mm o l ) 、酢酸パラジウム 0. 0 3 g ( 1. 5 m o 1 % ) 、トリ一 t —プチルホスフイン 0. 0 6 g ( 3 m o 1 %) 、 t—ブトキシナトリゥム 2. 4 g ( 2 5 mmo l ) 、乾燥トルエン 1 0 0 ミリリットルを加えた後、

1 0 0°Cにて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルェン 5 0 ミリリットル、メタノール 1 0 0 ミリリツトルにて洗浄し、淡黄色粉末 6. 3 gを得た。このものは、】 NMRスペクトル（図 7) 及ぴ FD— MSの測定により、化合物（ 2 0) と同定した（収率 9 2 %) 。なお、〗 NMRスぺクトルは合成実施例 1 と同様の条件にて測定した。

合成実施例 8 (化合物（2 6 ) の合成）

アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0 ミリリットル三口フラスコ中に、 1， 6— ジブロモピレン 3. 6 g ( l O mmo l ) 、ジ ( 2—ナフチル) ァミン 6. 7 g ( 2 5 mm o 1 ) 、酢酸パラジウム 0. 0 3 g ( 1. 5 m o 1 %) , トリ一 t一ブチルホスフィン 0. 0 6 g (3 m o l %) 、 t _ブトキシナトリウム 2. 4 g ( 2 5 mm o l ) 、乾燥トルエン 1 0 0 ミリリットルを加えた後、 1 0 0°Cにて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン 5 0ミリリットル、メタノ一ル 1 0 0 ミリリツトルにて洗浄し、淡黄色粉末 6. 6 gを得た。このものは、〗 NMRスペクトル（図 8 ) 及び FD—MSの測定により、化合物（ 2 6 ) と同定した（収率 9 0 %) 。なお、 ' NMRスぺクトルは合成実施例 1 と同様の条件にて測定した。

実施例 1 2 5 X 7 5 X 1. 1 mmサイズのガラス基板上に、膜厚 1 2 0 n mのインジゥムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及ぴォゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。

まず、正孔注入層として、 N' ， N' ' —ビス [4— (ジフエニルァミノ）フエニル] 一 N' ， N ' ，一ジフエ二ルビフエニル一 4·, 4 ' ージァミンを

6 0 n mの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、 N, N, N ' , N ' ーテトラキス（4—ビフエニル）一 4， 4 ' —ベンジジンを 2 0 n mの厚さに蒸着した。

次いで、発光層として、発光材料に 1 0 , 1 0 ' —ビス [ 1 ， 1 ' , 4 ' ， 1 ' ' ] テノレフエ二ルー 2—ィル一 9 , 9，一ビアントラセニルをドーピング材料に上記化合物（ 5) を、重量比 4 0 ： 2で同時蒸着し、厚さ 4 0 nmの発光層を形成した。

次に、電子注入層として、トリス（8—ヒド口キシキノリナト）アルミ二ゥムを 1 O n mの厚さに蒸着した。次に弗化リチウムを l nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを 1 5 0 n mの厚さに蒸着した。このアルミ二ゥム /弗化リチゥムは陰極として機能する。このようにして有機 E L素子を作製した。

得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. 9 V、電流密度 1 0 m A/ c m ²にて発光輝度 9 3 8 c d/m²の青色発光（発光極大波長： 4

7 6 nm) が得られた。初期輝度 3 , 0 0 0 c d Zm ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は 2， 0 0 0時間であった。

実施例 2

実施例 1において、上記化合物（5) の代わりに上記化合物（6 ) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. 9 V、電流密度 1 0 m A/ c m ²にて発光輝度 9 7 0 c d /m ²の青色発光' （発光極大波長： 4 7 7 n m) が得られた。初期輝度 3， 0 0 0 c dノ m ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は 2 , 1 0 0時間であった。

実施例 3

実施例 1において、発光層として、発光材料に 1 0 , 1 0，一ビス [ 1， 1 ' ， 4 ' ， 1 ' ' ] テルフエニル一 2—ィル一 9 , 9 ' 一ビアントラセニルの代わりに 1 0— ( 4— (ナフタレン一 1—ィル）フエニル）一 9 — (ナフタレン一 3—ィル) アントラセンを、ドーピング材料に上記化合物 ( 5 ) の代わりに上記化合物（ 1 5 ) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. 8 V、電流密度 1 0 mA/ c m ²にて発光輝度 9 0 2 c d /m²の青色発光' （発光極大波長： 4 7 2 n m) が得られた。初期輝度 3， 0 0 0 c d Zm ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は 1 , 9 0 0時間であった。

実施例 4

実施例 3において、上記化合物（1 5 ) の代わりに上記化合物（1 3) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. 9 V、電流密度 1 0 m A/ c πι ²にて発光輝度 9 7 8 c d Zm²の青色発光（発光極大波長： 4 7 7 n m) が得られた。初期輝度 3， 0 0 0 c d ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は 3 , 0 0 0時間であった。

実施例 5

実施例 3において、上記化合物（1 5 ) の代わりに上記化合物（3 0) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 7. 0 V、電流密度 1 0 m A/ c m ²にて発光輝度 8 0 4 c d /m ²の青 ^発光（発光極大波長： 4 6 9 nm) が得られた。初期輝度 3 , 0 0 0 c d /m ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は 1， 8 0 0時間であった。

比較例 1

実施例 1において、上記化合物（5) の代わりに 1， 6—ビス（ジフエニルァミノ）ピレンを用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. .4 V、電流密度 1 0 m A/ c m²にて発光輝度 6 1 5 c dZm²の青色発光（発光極大波長： 4

6 4 nm) が得られた。初期輝度 3， 0 0 0 c d /m ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は 2 6 0時間と短かった。'

比較例 2

実施例 1において、上記化合物（5) の代わりに 1 , 6—ビス（ p， p，一ジトリルァミノ）ピレンを用いて、有機 E L素子を作製した。

得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. 8 V、電流密度 1 0 m A/ c m ²にて発光輝度 9 7 6 c d Zm²の青色発光（発光極大波長： 4

7 7 nm) が得られた。初期輝度 3 , 0 0 0 c d /m ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は 9 0 0時間と短かった。

比較例 3

実施例 1において、上記化合物（5) の代わりに 1 , 4 _ビス [ (2— { 4 ージフエニルァミノ } フエニル）ビュル] ベンセンを用いて、有機 E L素子を作製した。

得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. 4 V、電流密度 1 0 m A/ c m ²にて発光輝度 8 0 9 c d Zm²の青色発光（発光極大波長： 4 6 8 n m) が得られた。初期輝度 3， 0 0 0 c d Zm ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は 1 0 0 0時間と短かった。産業上の利用可能性

本発明の一般式（ a ) で表される芳香族ァミン誘導体を使用した有機 E L素子は、低い印加電圧で実用上充分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため実用性能が高い有機 E L素子として極めて有用である。 ·

Claims

請求の範囲下記一般式（ a ) で表される芳香族ァミン誘導体。

( a )

(式中、 A i、 A₂及び A₃は、それぞれ独立に、炭素数 1 〜 2 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 2 5のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 2 5 のァラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜 2 5 のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 2 0のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 2 5のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 2 5のァリールアミノ基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜 2 0のアルキルアミノ基を表わす。

A₄は、炭素数 2 ~ 2 0のアルキル基、置換もしくは.無置換の炭素数 5 〜 2 5のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜 2 5のシクロアノレキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1 〜 2 0のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数 5 ~ 2 5 のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 5〜 2 5のァリールアミノ基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜 2 0のアルキルアミノ基を表わす。

ただし、 A :L、 A²、 A₃及び A₄の示す各基における髯換基がビュル基を含む基である場合はない。

p、 q、 r及び s はそれぞれ 0 ~ 5の整数であり、 p + q + r + s ≥ l である。 pが 2以上の場合、複数のは、それぞれ互いに同一でも異なつていてもよく、互いに速結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 qが 2以上の場合、複数の A ₂は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 rが 2 以上の場合、複数の A₃は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。 s が 2以上の場合、複数の A₄は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。） .

2. p、 q、 r及ぴ s のうちの少なくとも一つは 2以上である請求項 1 に記載の芳香族ァミン誘導体。

3. A A₂, A₃及び A₄のうち少なくとも一つは分岐アルキル基である請求項 1 又は 2に記載の芳香族ァミン誘導体。

4. 分岐アルキル基が、イソプロピル基又は t —ブチル基である請求項 3 に記載の芳香族ァミン誘導体。

5. A !, A₂, A 及び A₄のうち少なくとも一つはメチル基である請求項 1 又は 2に記載の芳香族ァミン誘導体。

6. 前記芳香族ァミン誘導体が、下記化合物（ 1 ) 、（ 2 ) 、（ 5 ) 、 ( 6 ) 、（ 7 ) 、（ 8 ) 、（ 9 ) 、（ 1 3 ) 、（ 1 5 ) 、（ 2 0 ) 、（ 2

6 ) 、 ( 2 9 ) 、 ( 3 0 ) 又は（ 3 3 ) である請求項 1 に記載の芳香族ァミン誘導体。

(M e はメチル基である）

7 . 有機エレクト口ルミネッセンス素子用のドーピング材料である請求項 1 に記載の芳香族ァミン誘導体。 '

8 . 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、請求項 1 に記載の芳香族ァミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機ェレクトロ'ルミネッセンス素子。

9 . 前記陽極と前記発光層との間に前記芳香族ァミン誘導体を主成分とする有機層を有する請求項 8 に記載の有機ェレクトロルミネッセンス素子。

1 0 . 前記発光層が、前記芳香族ァミン誘導体を 0 . 1 〜 2 0重量％含有する請求項 8又は 9に記載の有機ェレクトロルミネッセンス素子。