JPH10308280A - 電界発光素子 - Google Patents

電界発光素子

Info

Publication number
JPH10308280A
JPH10308280A JP9119169A JP11916997A JPH10308280A JP H10308280 A JPH10308280 A JP H10308280A JP 9119169 A JP9119169 A JP 9119169A JP 11916997 A JP11916997 A JP 11916997A JP H10308280 A JPH10308280 A JP H10308280A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
layer
emitting layer
group
amino compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9119169A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4013282B2 (ja
Inventor
Hideaki Ueda
秀昭 植田
Takeshi Kitahora
健 北洞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Minolta Co Ltd filed Critical Minolta Co Ltd
Priority to JP11916997A priority Critical patent/JP4013282B2/ja
Publication of JPH10308280A publication Critical patent/JPH10308280A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4013282B2 publication Critical patent/JP4013282B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高輝度で高効率な発光を呈する耐久性に優れ
た電界発光素子を提供すること。 【解決手段】 一対の電極間に発光層または発光層を含
む複数層の有機化合物薄層を備えた電界発光素子におい
て少なくとも一層が下記一般式(I)で示される高分子
アミノ化合物を含有することを特徴とする電界発光素
子; 【化1】 (式中、Ar1およびAr3は、それぞれ独立して、置換基
を有してもよいアリーレン基を表わし、Ar1およびA
3はそれぞれ結合基を介して結合していてもよい;Ar
2およびAr4は、それぞれ独立して、置換基を有しても
よいアリール基または複素環基を表わす;lは0〜2の
整数を表す;mは0〜2の整数を表すl、mが同時に0
となる場合を除く;nは自然数を表す)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、正孔注入電極と電
子注入電極との間に少なくとも有機発光層を含む有機薄
膜層を有する電界発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴って、ブラ
ウン管(CRT)より低消費電力で薄型の平面表示素子
のニーズが高まっている。このような平面表示素子とし
ては液晶、プラズマディスプレイ(PDP)等がある
が、特に、最近は自己発光型で、表示が鮮明で視野角の
広い電界発光素子が注目されている。ここで、上記電界
発光素子は構成する材料により無機電界発光素子と有機
電界発光素子とに大別することができ、無機電界発光素
子は既に実用化され商品として市販されている。
【0003】しかしながら、上記無機電界発光素子の駆
動電圧は高電界の印加によって、加速された電子が発光
中心に衝突して発光させるという、いわゆる衝突型励起
発光であるため、100V以上の高電圧で駆動させる必
要がある。このため、周辺機器の高コスト化を招来する
という課題を有していた。また、青色発光の良好な発光
体がないためフルカラーの表示ができないという課題も
あった。
【0004】これに対して、有機電界発光素子は、電極
から注入された電荷(正孔および電子)が発光体中で再
結合して励起子を生成し、それが発光材料の分子を励起
して発光するという、いわゆる注入型発光であるため低
電圧で駆動することができる。しかも、有機化合物であ
るため発光材料の分子構造を容易に変更することがで
き、任意の発光色を得ることができる。従って、有機電
界発光素子はこれからの表示素子として非常に有望であ
る。
【0005】ここで、有機電界発光素子は正孔輸送層と
電子輸送性発光層の2層を備えた素子が、TangとVanSly
keによって提案された(C.W.Tang and S.A.VanSlyke;Ap
pl.Phys.Lett.,51(1987)913)。その素子の構成は、ガ
ラス基板上に形成した陰極、正孔輸送層、電子輸送性発
光層、陰極であった。
【0006】上記素子では、正孔輸送層が陽極から電子
輸送性発光層へ正孔を注入する働きをするとともに、陰
極から注入された電子が正孔と再結合することなく陽極
へ逃げるのを防ぎ、電子輸送性発光層内へ電子を封じ込
める役割をも果たしている。このため、この正孔輸送層
による電子の封じ込め効果により、従来の単層構造の素
子に比べてより効率良く電子と正孔の再結合が起こり、
駆動電圧の大幅な低下が可能になった。
【0007】また、斎藤らは、2層構造の素子におい
て、電子輸送層だけでなく正孔輸送層も発光層と成り得
ることを示した(C.Adachi,T.Tsutsui and S.Saito;App
l.Phys.Lett.,55(1989)1489)。
【0008】2層構成の改良として正孔輸送層と電子輸
送層の間に有機発光層が挟まれた3層構造の有機電界発
光素子を斎藤らが提案した(C.Adachi,S.Tokito,T.Tsut
suiand S.Saito;Jpn.J.Appl.Phys.,27(1988)L269)。こ
れは、硝子基板上に形成した陽極、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層、陰極からなり、正孔輸送層が電子を発
光層に封じ込める働きをするとともに、電子輸送層が正
孔を発光層に封じ込める働きをするため発光効率がさら
に向上した。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように有機電界発
光素子の発光効率を向上させるために層構成からの改良
が行われてきたが、まだまだ発光の高輝度化や高効率化
が必要なのが現状である。また、有機電界発光素子を長
時間発光させるためにはより低電圧で低電流密度で発光
させることが必要となってくる。
【0010】本発明は上記の点に鑑みなされたものであ
り、高輝度で高効率な発光を呈する耐久性に優れた電界
発光素子を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、一対
の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合
物薄層を備えた電界発光素子において少なくとも一層が
下記一般式(I)で示される高分子アミノ化合物を含有
することを特徴とする電界発光素子;
【化2】 (式中、Ar1およびAr3は、それぞれ独立して、置換基
を有してもよいアリーレン基を表わし、Ar1およびA
3はそれぞれ結合基を介して結合していてもよい;Ar
2およびAr4は、それぞれ独立して、置換基を有しても
よいアリール基または複素環基を表わす;lは0〜2の
整数を表す;mは0〜2の整数を表す;nは自然数を表
す)に関する。
【0012】一般式(I)で表わされる特定の高分子ア
ミノ化合物は良好な正孔注入輸送材または有機発光材料
となる。これは、一般式(I)で表される高分子アミノ化
合物が高い正孔輸送性を持ち、固体での蛍光の量子収率
が高いためであると考えられる。
【0013】上記一般式(I)中、Ar1およびAr3は、
それぞれ独立して、アリーレン基、例えばフェニレン、
ジフェニレン等を表わす。それらの基は低級アルキル
基、あるいは低級アルコキシ基等の置換基を有していて
もよい。またAr1およびAr3はそれぞれ結合基を介し
て結合していてもよい。結合基とは
【化3】 などの2価の基であり、Ar1あるいはAr3が結合基を
介して結合するとは、例えば結合基が−O−や−S−で
あると
【化4】 のように結合している状態をいう。
【0014】好ましいAr1およびAr3
【化5】 である。
【0015】Ar2およびAr4は、それぞれ独立して、置
換基を有してもよいアリール基、例えばフェニル、ジフ
ェニル等または複素環基、例えばチエニル、フリル等を
表わす。それらの基は低級アルキル基、あるいは低級ア
ルコキシ基等の置換基を有していてもよい。
【0016】好ましいAr2およびAr4はフェニル基お
よび低級アルキル基または低級アルコキシ基を置換基と
して有するフェニル基である。
【0017】lは0〜2、好ましくは0〜1の整数を表
す。mは0〜2、好ましくは0〜1の整数を表す。ただ
し、l、mは同時に0ではない。nは自然数であり、そ
の値は特に限定されないが、例えば5〜1000、好ま
しくは10〜1000とすることができる。
【0018】本発明において使用する一般式(I)で表
される高分子アミノ化合物としては、具体的には以下の
ものが挙げられるが、これらの例示は本発明の範囲を限
定するものとして例示するものではない。
【0019】
【化6】
【0020】
【化7】
【0021】
【化8】
【0022】
【化9】
【0023】
【化10】
【0024】
【化11】
【0025】
【化12】
【0026】
【化13】
【0027】
【化14】
【0028】
【化15】
【0029】一般式(I)で表わされる高分子アミノ化
合物は、Makromol.Chem.193,909頁(1992)等記載の公知
の方法で製造することが可能で、例えば、下記アミノ化
合物とハロゲン化合物;
【化16】 または、下記アミノ化合物とハロゲン化合物;
【化17】 とを、塩基性化合物または遷移金属化合物触媒、溶媒の
存在下、Ullmann反応により合成することができ
る。
【0030】合成に用いられる塩基性化合物としては、
アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、アルコ
ラートなどが一般的に用いられるが、第4級アンモニウ
ム化合物や脂肪族アミンや芳香族アミンの様な有機塩基
を用いることも可能である。このなかでアルカリ金属や
第4級アンモニウムの炭酸塩や炭酸水素塩が好ましいも
のとして用いられる。更に、反応速度および熱安定性と
いう観点からアルカリ金属の炭酸塩や炭酸水素塩が最も
好ましい。
【0031】合成に用いられる遷移金属または遷移金属
化合物としては、例えばCu、Fe;Co、Ni、Cr、
V、Pd、Pt、Ag等の金属およびそれらの化合物が用
いられるが、収率の点から銅およびパラジウムとそれら
の化合物が好ましい。銅化合物としては特に限定はな
く、ほとんどの銅化合物が用いられるが、ヨウ化第一
銅、塩化第一銅、酸化第一銅、臭化第一銅、シアン化第
一銅、硫酸第一銅、硫酸第二銅、塩化第二銅、水酸化第
二銅、酸化第二銅、臭化第二銅、リン酸第二銅、硝酸第
一銅、硝酸第二銅、炭酸銅、酢酸第一銅、酢酸第二銅な
どが好ましい。その中でも特にCuCl、CuCl2、CuB
r、CuBr2、CuI、CuO、Cu2O、CuSO4、Cu(O
COCH3)2は容易に入手可能である点で好適である。
パラジウム化合物としても、ハロゲン化物、硫酸塩、硝
酸塩、有機酸塩などを用いることができる。遷移金属お
よびその化合物の使用量は、反応させるハロゲン化合物
の0.5〜500モル%である。
【0032】合成に用いられる溶媒は、一般的に用いら
れる溶媒であれば良いが、ニトロベンゼン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリ
ドン等の非プロトン性極性溶媒が好ましく用いられる。
【0033】合成反応は、一般的には常圧下100〜2
50℃での温度で行なわれるが、加圧下に行なってもも
ちろんかまわない。反応終了後、反応液中に析出した固
形物を除去した後、溶媒を除去し生成物を得ることがで
きる。
【0034】図1〜図4に本発明の電界発光素子の取り
得る構成を模式的に示した。図1中、(1)は陽極であ
り、その上に、正孔注入輸送層(2)と有機発光層
(3)および陰極(4)が順次積層された構成をとって
おり、該正孔注入輸送層に上記一般式(I)で表わされ
る高分子アミノ化合物を含有する。
【0035】図2において、(1)は陽極であり、その
上に、正孔注入輸送層(2)と有機発光層(3)、電子
注入輸送層(5)および陰極(4)が順次積層された構
成をとっており、該正孔注入輸送層に上記一般式(I)
で表わされる高分子アミノ化合物を含有する。
【0036】図3において、(1)は陽極であり、その
上に、有機発光層(3)と電子注入輸送層(5)および
陰極(4)が順次積層された構成をとっており、該有機
発光層に上記一般式(I)で表わされる高分子アミノ化
合物を含有する。
【0037】図4において、(1)は陽極であり、その
上に、有機発光層(3)および陰極(4)が順次積層さ
れた構成をとっており、該有機発光層に有機発光材料
(6)と電荷輸送材料(7)が含まれており、該有機発
光材料または電荷輸送材料に上記一般式で表わされる高
分子アミノ化合物を使用する。
【0038】上記構成の電界発光素子は陽極(1)と陰
極(4)がリード線(8)により接続され、陽極(1)
と陰極(4)に電圧を印加することにより有機発光層
(3)が発光する。
【0039】一般式(I)で表わされる特定の高分子ア
ミノ化合物は良好な正孔注入輸送材または有機発光材料
となる。これは、特定の高分子アミノ化合物が高い正孔
輸送性を持ち、固体での蛍光の量子収率が高いためであ
ると考えられる。
【0040】電界発光素子の陽極(1)として使用され
る導電性物質としては4eVよりも大きい仕事関数をも
つものがよく、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、
コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングステン、銀、
錫、金などおよびそれらの合金、酸化錫、酸化インジウ
ム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなど
の導電性金属化合物が用いられる。
【0041】陰極(4)を形成する金属としては4eV
よりも小さい仕事関数を持つものがよく、マグネシウ
ム、カルシウム、チタニウム、イットリウムリチウム、
ガドリニウム、イッテルビウム、ルテニウム、マンガン
およびそれらの合金が用いられる。
【0042】電界発光素子においては、発光が見られる
ように、少なくとも陽極(1)あるいは陰極(4)は透
明電極にする必要がある。この際、陰極に透明電極を使
用すると、透明性が損なわれやすいので、陽極を透明電
極にすることが好ましい。
【0043】透明電極を形成する場合、透明基板上に、
上記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリン
グ等の手段やゾル・ゲル法あるいは樹脂等に分散させて
塗布する等の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保
されるように形成すればよい。
【0044】透明基板としては、適度の強度を有し、電
界発光素子作製時、蒸着等による熱に悪影響を受けず、
透明なものであれば特に限定されないが、係るものを例
示すると、ガラス基板、透明な樹脂、例えばポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリエーテルサルホン、ポリエー
テルエーテルケトン等を使用することも可能である。ガ
ラス基板上に透明電極が形成されたものとしてはIT
O、NESA等の市販品が知られているがこれらを使用
してもよい。
【0045】上記電極を用いて図2の構成の電界発光素
子の作製を例示的に説明する。
【0046】まず、上記した陽極(1)上に正孔注入輸
送層(2)を形成する。正孔注入輸送層(2)は、一般
式(I)で表される高分子アミノ化合物を溶解した溶液
や適当な樹脂とともに溶解した液をディップコートやス
ピンコートして形成することができる。その厚さは、通
常、5〜1000nm、好ましくは10〜500nm程
度にすればよい。
【0047】形成する膜厚が厚いほど発光させるための
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪くなり、電
界発光素子の劣化を招きやすい。また膜厚が薄くなると
発光効率はよくなるがブレイクダウンしやすくなり電界
発光素子の寿命が短くなる。
【0048】一般式(I)の高分子アミノ化合物は他の
電荷輸送材料と併用してもよく、かかる電荷輸送材料と
しては、発光層または発光物質に対して優れたホール注
入効果を有し、高移動度で、発光層で生成した励起子の
電子注入層または電子輸送材料への移動を防止し、かつ
薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。
【0049】具体的には、フタロシアニン化合物、ナフ
タロシアニン化合物、ポルフィリン化合物、オキサジア
ゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、
イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラ
ヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾー
ル、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアル
カン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリアリ
ールアミン、ジアミン型トリアリールアミン等と、それ
らの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラ
ン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに
限定されるものではない。
【0050】後述するように、一般式(I)で表される
高分子アミノ化合物を有機発光層(3)の発光材料とし
て使用する場合、正孔注入輸送層に用いられる正孔輸送
材料としては、公知のもの、例えばN,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’
−ジフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(4−メチルフェニル)−1,
1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジ
フェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−1,1’
−ジフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(2−ナフチル)−1,1’−ジ
フェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−テトラ(4
−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’
−ジアミン、N,N’−テトラ(4−メチルフェニル)
−1,1’−ビス(3−メチルフェニル)−4,4’−
ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3
−メチルフェニル)−1,1’−ビス(3−メチルフェ
ニル)−4,4’−ジアミン、N,N’−ビス(N−カ
ルバゾリル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジア
ミン、4,4’,4”−トリス(N−カルバゾリル)ト
リフェニルアミン、N,N’,N”−トリフェニル−
N,N’,N”−トリス(3−メチルフェニル)−1,
3,5−トリ(4−アミノフェニル)ベンゼン、4,
4’,4”−トリス[N,N’,N”−トリフェニル−
N,N’,N”−トリス(3−メチルフェニル)]トリ
フェニルアミン等を挙げることができる。こららのもの
は2種以上を混合して使用してもよい。
【0051】次に、正孔注入輸送層(2)の上に有機発
光層(3)を形成する。有機発光層に用いられる有機発
光体、発光補助材料としては、公知のものを使用可能
で、例えばエピドリジン、2,5−ビス[5,7−ジ−
t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル]チオフェン、
2,2’−(1,4−フェニレンジビニレン)ビスベン
ゾチアゾール、2,2’−(4,4’−ビフェニレン)
ビスベンゾチアゾール、5−メチル−2−{2−[4−
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビ
ニル}ベンゾオキサゾール、2,5−ビス(5−メチル
−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、アントラセ
ン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、
ペリレン、ペリノン、1,4−ジフェニルブタジエン、
テトラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジン、ス
チルベン、2−(4−ビフェニル)−6−フェニルベン
ゾオキサゾール、アルミニウムトリスオキシン、マグネ
シウムビスオキシン、ビス(ベンゾ−8−キノリノー
ル)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノール)アル
ミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、アル
ミニウムトリス(5−メチルオキシン)、リチウムオキ
シン、ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス(5−
クロロオキシン)、ポリ亜鉛−ビス(8−ヒドロキシ−
5−キノリノリル)メタン、ジリチウムエピンドリジオ
ン、亜鉛ビスオキシン、1,2−フタロペリノン、1,
2−ナフタロペリノンなどを挙げることができる。
【0052】また、一般的な螢光染料、例えば螢光クマ
リン染料、螢光ペリレン染料、螢光ピラン染料、螢光チ
オピラン染料、螢光ポリメチン染料、螢光メシアニン染
料、螢光イミダゾール染料等も使用できる。このうち、
特に、好ましいものとしては、キレート化オキシノイド
化合物が挙げられる。
【0053】有機発光層は上記した発光物質の単層構成
でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整する
ために、多層構成としてもよい。また、2種以上の発光
物質を混合したり発光層にドープしてもよい。
【0054】有機発光層(3)は、上記のような発光物
質を蒸着して形成してもよいし、該発光物質を溶解した
溶液や適当な樹脂とともに溶解した液をディップコート
やスピンコートして形成してもよい。
【0055】有機発光層には、一般式(I)で表わされ
る高分子アミノ化合物を発光物質として用いることもで
きる。有機発光層は高分子アミノ化合物の単層構成でも
よいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整するため
に、多層構成としてもよい。また、2種以上の発光物質
を混合したり発光層にドープしてもよい。
【0056】一般式(I)で表される高分子アミノ化合
物を用いて発光層を形成する場合、高分子アミノ化合物
を溶解した溶液や適当な樹脂とともに溶解した液をディ
ップコートやスピンコートして形成することができる。
その厚さは、通常、5〜1000nm程度、好ましくは
10〜500nm程度にすればよい。
【0057】形成する膜厚が厚いほど発光させるための
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機電界
発光素子の劣化を招きやすい。また膜厚が薄くなると発
光効率はよくなるがブレイクダウンしやすくなり発光素
子の寿命が短くなる。
【0058】有機発光層(3)の上には電子注入輸送層
(5)を形成する。電子注入輸送層に使用される電子注
入輸送材料としては、電子を輸送する能力を持ち、発光
層または発光物質に対して優れた電子注入効果を有し、
電子移動性が大きく正孔注入輸送材料から正孔の移動を
防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。
【0059】例えば、2−(4−ビフェニルイル)−5
−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、2−(1−ナフチル)−5−(4−tert−
ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、
1,4−ビス{2−[5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾリル]}ベンゼン、
1,3−ビス{2−[5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾリル]}ベンゼン、
4,4’−ビス{2−[5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾリル]}ビフェニル、
2−(4−ビフェニルイル)−5−(4−tert−ブチル
フェニル)−1,3,4−チオジアゾール、2−(1−
ナフチル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,
3,4−チオジアゾール、1,4−ビス{2−[5−
(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−チオジア
ゾリル]}ベンゼン、1,3−ビス{2−[5−(4−
tert−ブチルフェニル)−1,3,4−チオジアゾリ
ル]}ベンゼン、4,4’−ビス{2−[5−(4−te
rt−ブチルフェニル)−1,3,4−チオジアゾリ
ル]}ビフェニル、3−(4−ビフェニルイル)−4−
フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,
2,4−トリアゾール、3−(1−ナフチル)−4−フ
ェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,
4−トリアゾール、1,4−ビス{3−[4−フェニル
−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−ト
リアゾリル]}ベンゼン、1,3−ビス{3−[4−フ
ェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾリル]}ベンゼン、4,4’−ビス
{2−[4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾリル]}ビフェニル、
1,3,5−トリス{2−[5−(4−tert−ブチルフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾリル]}ベンゼン
などを挙げることができる。これらのものは、2種以上
を混合して使用してもよい。次に、電子注入輸送層の上
に、前記した陰極を形成する。
【0060】以上、陽極(1)上に正孔注入輸送層
(2)、発光層(3)および電子注入輸送層(5)、陰
極(4)を順次積層して電界発光素子を形成する場合に
ついて説明したが、陽極(1)上に発光層(3)、電子
注入輸送層(5)および陰極を順次積層したり(図
3)、陰極(4)上に、電子注入輸送層(5)、有機感
光層(3)および、陽極(1)を順次積層したり、陽極
(1)上に正孔注入輸送層(2)、発光層(3)およ
び、陰極(4)を順次積層したり(図1)、陰極(4)
上に電子注入輸送層(5)、発光層(3)および、正孔
注入輸送層(2)、陽極(1)を順次積層したりしても
もちろん構わない。
【0061】陰極と陽極の1組の透明電極は、各電極に
ニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリード線
(8)を接続し、電界発光素子は両電極に適当な電圧
(Vs)を印加することにより発光する。
【0062】本発明の電界発光素子は、各種の表示装
置、あるいはディスプレイ装置等に適用可能である。
【0063】以下に実施例を記載し本発明を説明する。
なお、本発明の有機電界発光素子は発光効率、発光輝度
の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使用さ
れる発光物質、発光補助材料、電荷輸送材料、増感剤、
樹脂、電極材料等および素子作製方法に限定されるもの
ではない。
【0064】合成例1(化合物(1)の合成) N,N’−ジフェニル−1,4−フェニレンジアミン1
3.0g(50mmol)をジヘキシルエーテル250
mlに溶解させ、その溶液に100mmolのブチルリ
チウムのヘキサン溶液をゆっくりと滴下した。その後、
110℃で2時間撹拌させた後、16.5g(50mm
ol)の1,4−ジヨードベンゼンと0.48g(25
mmol)のヨウ化銅を加え、200℃で16時間反応
させた。
【0065】冷却後、得られた反応液をろ過し、沸騰テ
トラヒドロフランで3回抽出した。テトラヒドロフラン
溶液を濃縮し、メタノール溶液にパージさせて目的のポ
リマーを得た。この操作を3回繰り返した。
【0066】合成例2(化合物(8)の合成) N,N’−ジフェニルベンジジン16.8g(50mm
ol)をジヘキシルエーテル250mlに溶解させ、そ
の溶液に100mmolのブチルリチウムのヘキサン溶
液をゆっくりと滴下した。その後、110℃で2時間撹
拌させた後、19.3g(50mmol)の4,4’−
ジヨードビフェニルと0.48g(25mmol)のヨ
ウ化銅を加え、200℃で24時間反応させた。
【0067】冷却後、得られた反応液をろ過し、沸騰テ
トラヒドロフランで3回抽出した。ろ液とテトラヒドロ
フラン溶液を濃縮し、メタノール溶液にパージさせて目
的のポリマーを得た。この操作を3回繰り返した。
【0068】実施例1 インジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に有機ホール
注入輸送層として高分子アミノ化合物(1)のジクロル
メタン溶液をスピンコート法により厚さ50nmの薄膜
を形成した。
【0069】次に、有機発光層としてアルミニウムトリ
スオキシンを真空蒸着により50nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【0070】最後に、陰極としてマグネシウムを真空蒸
着により200nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。このようにして、有機電界発光素子装置を作製し
た。
【0071】実施例2〜4 実施例1において、高分子アミノ化合物(1)を使用す
る代わりに、高分子アミノ化合物(2)、(3)、
(4)に代えること以外は実施例1と全く同様にして有
機電界発光素子を作製した。
【0072】実施例5 インジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に有機正孔注
入輸送層として高分子アミノ化合物(7)のジクロルメ
タン溶液をスピンコート法により厚さ70nmの薄膜を
形成した。
【0073】次に、有機発光層としてアルミニウムトリ
スオキシンを蒸着により100nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
【0074】さらに有機電子注入輸送層として下記のオ
キサジアゾール化合物(A)を蒸着により50nmの厚
さになるように薄膜を形成した。
【化18】 最後に、陰極としてマグネシウムを蒸着により200n
mの厚さになるように薄膜を形成した。 このようにし
て、有機電界発光素子を作製した。
【0075】実施例6〜8 実施例5において、高分子アミノ化合物(7)を使用す
る代わりに、高分子アミノ化合物(8)、(9)、(1
0)に代えること以外は実施例5と全く同様にして有機
電界発光素子を作製した。
【0076】実施例9 インジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に発光層とし
て高分子アミノ化合物(11)のジクロルメタン溶液を
スピンコート法により厚さ50nmの薄膜を形成した。
次に、有機電子注入輸送層としてオキサジアゾール化合
物(A)を蒸着により20nmの厚さになるように薄膜
を形成した。最後に、陰極として10:1の原子比のM
gおよびAgを蒸着により200nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。このようにして、有機電界発光素子
を作製した。
【0077】実施例10 インジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に有機正孔注
入輸送層として高分子アミノ化合物(13)のジクロル
メタン溶液をスピンコート法により厚さ20nmの薄膜
を形成した。さらに、N,N’−ジフェニル−N,N’
−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−
4,4’−ジアミンを真空蒸着して、膜厚40nmの正
孔輸送層を得た。次に、トリス(8−ヒドロキシキノリ
ン)アルミニウム錯体を蒸着により50nmの厚さにな
るように薄膜を形成した。最後に、陰極として10:1
の原子比のMgおよびAgを蒸着により200nmの厚
さになるように薄膜を形成した。このようにして、有機
電界発光素子を作製した。
【0078】実施例11 インジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に高分子アミ
ノ化合物(14)をジクロルメタンに溶解させ、スピン
コーティングにより膜厚50nmの正孔注入層を得た。
次に、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム
錯体を蒸着により20nmの厚さになるように発光層を
形成した。さらに真空蒸着法によりオキサジアゾール化
合物(A)の膜厚20nmの電子注入層を得た。最後
に、陰極として10:1の原子比のMgおよびAgを蒸
着により200nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。このようにして、有機電界発光素子を作製した。
【0079】実施例12〜14 実施例11において、高分子アミノ化合物(14)を使
用する代わりに、高分子アミノ化合物(18)、(1
9)、(21)に代えること以外は実施例12と全く同
様にして有機電界発光素子を作製した。
【0080】実施例15 インジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に高分子アミ
ノ化合物(24)、トリス(8−ヒドロキシキノリン)
アルミニウム錯体を3:2の比率でテトラヒドロフラン
に溶解させ、スピンコーティング法により膜厚100n
mの発光層を得た。次に、陰極として10:1の原子比
のMgおよびAgを蒸着により200nmの厚さになる
ように薄膜を形成した。このようにして、有機電界発光
素子を作製した。
【0081】実施例16〜18 実施例15において、高分子アミノ化合物(24)を使
用する代わりに、高分子アミノ化合物(29 )、(3
1)、(36)に代えること以外は実施例15と全く同
様にして有機電界発光素子を作製した。
【0082】評価 実施例1〜18で得られた電界発光素子を、そのガラス
電極を陽極として、直流電圧を除々に電圧を印加した時
に発光を開始する電圧および、最高発光輝度とその時の
電圧を測定した。結果を表1にまとめて示す。
【0083】
【表1】
【0084】表1からわかるように、本実施例の有機電
界発光素子は低電位で発光を開始し、良好な発光輝度を
示した。また、実施例1で得られた素子を、窒素ガス不
活性雰囲気下で初期6Vで連続発光させて、その発光輝
度の半減期(輝度が半分になるまでの時間)を測定した
ところ200時間であった。
【0085】本実施例の有機電界発光素子は出力低下が
少なく、寿命の長い安定な発光を観測することができ
た。
【0086】
【発明の効果】本発明により、有機発光層に上記一般式
(I)で表わされる高分子アミノ化合物を含有すること
により、光強度が大きく発光開始電圧が低い耐久性に優
れた電界発光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 電界発光素子の一構成例の概略構成図。
【図2】 電界発光素子の一構成例の概略構成図。
【図3】 電界発光素子の一構成例の概略構成図。
【図4】 電界発光素子の一構成例の概略構成図。
【符号の説明】 1:陽極 2:正孔注入輸送層 3:有機発光層 4:陰極 5:電子注入輸送層 6:有機発光材料 7:電荷輸送材料 8:リード線

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の電極間に発光層または発光層を含
    む複数層の有機化合物薄層を備えた電界発光素子におい
    て少なくとも一層が下記一般式(I)で示される高分子
    アミノ化合物を含有することを特徴とする電界発光素
    子; 【化1】 (式中、Ar1およびAr3は、それぞれ独立して、置換基
    を有してもよいアリーレン基を表わし、Ar1およびA
    3はそれぞれ結合基を介して結合していてもよい;Ar
    2およびAr4は、それぞれ独立して、置換基を有しても
    よいアリール基または複素環基を表わす;lは0〜2の
    整数を表すl、mが同時に0となる場合を除く;mは0
    〜2の整数を表す;nは自然数を表す)。
JP11916997A 1997-05-09 1997-05-09 電界発光素子 Expired - Lifetime JP4013282B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11916997A JP4013282B2 (ja) 1997-05-09 1997-05-09 電界発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11916997A JP4013282B2 (ja) 1997-05-09 1997-05-09 電界発光素子

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006167225A Division JP4569526B2 (ja) 2006-06-16 2006-06-16 電界発光素子用材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10308280A true JPH10308280A (ja) 1998-11-17
JP4013282B2 JP4013282B2 (ja) 2007-11-28

Family

ID=14754628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11916997A Expired - Lifetime JP4013282B2 (ja) 1997-05-09 1997-05-09 電界発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4013282B2 (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004014985A1 (ja) * 2002-08-09 2004-02-19 Tosoh Corporation 新規トリアリールアミンポリマー、その製造方法及びその用途
JP2004093798A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2004093810A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2005285749A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Tosoh Corp トリアリールアミンポリマー及びその製造方法
JP2006316224A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Mitsui Chemicals Inc チオフェンを主鎖に含む高分子化合物、および該化合物を含有する有機電界発光素子
JP2006316280A (ja) * 2006-06-16 2006-11-24 Konica Minolta Holdings Inc 電界発光素子用材料
WO2006129589A1 (ja) * 2005-06-03 2006-12-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. 電荷輸送性ポリマーを含有する電荷輸送性ワニス及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007518842A (ja) * 2003-12-13 2007-07-12 メルク パテント ゲーエムベーハー オリゴマーおよびポリマー
JP2007177225A (ja) * 2005-12-01 2007-07-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP2009074074A (ja) * 2007-08-28 2009-04-09 Mitsubishi Chemicals Corp 有機化合物、高分子化合物、架橋型高分子化合物、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子
JP2009155650A (ja) * 2002-10-24 2009-07-16 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
US7576484B2 (en) 2004-03-22 2009-08-18 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2012007021A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Tosoh Corp 新規トリアリールアミンポリマー、その製造方法及びその用途
KR101160692B1 (ko) * 2002-12-20 2012-06-28 메르크 올레트 마테리알스 게엠베하 전자 소자
WO2012096352A1 (ja) 2011-01-14 2012-07-19 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機電界発光素子用組成物、及び有機電界発光装置
JP2012177029A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Mitsubishi Chemicals Corp 重合体、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明
US8822039B2 (en) 2004-03-25 2014-09-02 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge-transporting varnish and organic electro-luminescent devices made by using the same
US8980443B2 (en) 2009-04-14 2015-03-17 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element
WO2018168667A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 保土谷化学工業株式会社 置換トリアリールアミン骨格を有する高分子量化合物

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004014985A1 (ja) * 2002-08-09 2004-02-19 Tosoh Corporation 新規トリアリールアミンポリマー、その製造方法及びその用途
EP2327739A1 (en) * 2002-08-09 2011-06-01 Tosoh Corporation Novel triarylamine polymer, process for its production and its use
US7608680B2 (en) 2002-08-09 2009-10-27 Tosoh Corporation Triarylamine polymer, process for producing the same, and use thereof
JP2004093798A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2004093810A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2009155650A (ja) * 2002-10-24 2009-07-16 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
KR101160692B1 (ko) * 2002-12-20 2012-06-28 메르크 올레트 마테리알스 게엠베하 전자 소자
JP2007518842A (ja) * 2003-12-13 2007-07-12 メルク パテント ゲーエムベーハー オリゴマーおよびポリマー
KR101213014B1 (ko) 2003-12-13 2012-12-17 메르크 파텐트 게엠베하 올리고머 및 중합체
US8043722B2 (en) 2003-12-13 2011-10-25 Merck Patent Gmbh Oligomers and polymers
JP2005285749A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Tosoh Corp トリアリールアミンポリマー及びその製造方法
US7576484B2 (en) 2004-03-22 2009-08-18 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US8822039B2 (en) 2004-03-25 2014-09-02 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge-transporting varnish and organic electro-luminescent devices made by using the same
JP2006316224A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Mitsui Chemicals Inc チオフェンを主鎖に含む高分子化合物、および該化合物を含有する有機電界発光素子
EP1905804A1 (en) * 2005-06-03 2008-04-02 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge-transporting varnishes containing charge-transporting polymers and organic electroluminescent devices made by using the same
WO2006129589A1 (ja) * 2005-06-03 2006-12-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. 電荷輸送性ポリマーを含有する電荷輸送性ワニス及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1905804A4 (en) * 2005-06-03 2011-08-03 Nissan Chemical Ind Ltd LOAD-TRANSPORTING LACQUERS WITH LOAD-TRANSPORTING POLYMERS AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENTING DEVICES MANUFACTURED THEREFOR
JP5110282B2 (ja) * 2005-06-03 2012-12-26 日産化学工業株式会社 電荷輸送性ポリマーを含有する電荷輸送性ワニス及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007177225A (ja) * 2005-12-01 2007-07-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP2006316280A (ja) * 2006-06-16 2006-11-24 Konica Minolta Holdings Inc 電界発光素子用材料
JP2009074074A (ja) * 2007-08-28 2009-04-09 Mitsubishi Chemicals Corp 有機化合物、高分子化合物、架橋型高分子化合物、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子
US8980443B2 (en) 2009-04-14 2015-03-17 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element
JP2012007021A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Tosoh Corp 新規トリアリールアミンポリマー、その製造方法及びその用途
WO2012096352A1 (ja) 2011-01-14 2012-07-19 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機電界発光素子用組成物、及び有機電界発光装置
CN103314463A (zh) * 2011-01-14 2013-09-18 三菱化学株式会社 有机电致发光元件、有机电致发光元件用组合物以及有机电致发光装置
US9028980B2 (en) 2011-01-14 2015-05-12 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent element, composition for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent device
JP2012177029A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Mitsubishi Chemicals Corp 重合体、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明
WO2018168667A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 保土谷化学工業株式会社 置換トリアリールアミン骨格を有する高分子量化合物
KR20190126059A (ko) * 2017-03-15 2019-11-08 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 치환 트리아릴아민 골격을 갖는 고분자량 화합물
JPWO2018168667A1 (ja) * 2017-03-15 2020-02-13 保土谷化学工業株式会社 置換トリアリールアミン骨格を有する高分子量化合物
US11196004B2 (en) 2017-03-15 2021-12-07 Hodogaya Chemical Co., Ltd. High-molecular-weight compound having substituted triarylamine skeleton

Also Published As

Publication number Publication date
JP4013282B2 (ja) 2007-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7586006B2 (en) Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element employing the same
JP3503403B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
US7081550B2 (en) Arylamine compound and organic electroluminescence device
JP4013282B2 (ja) 電界発光素子
JP3498533B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2003080761A1 (fr) Materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent l'utilisant
JP4002040B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2004044088A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2003078541A1 (en) Material for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices made by using the same
JP2001131541A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2002020459A1 (fr) Nouveaux composes de styryle et dispositifs electroluminescents organiques
WO2005089027A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4569526B2 (ja) 電界発光素子用材料
JP2001354668A (ja) ベンゾチオフェン誘導体、及びそれを用いた有機電界発光素子
JP4069505B2 (ja) トリナフチルベンゼン誘導体、及びそれを用いた有機電界発光素子
JP2003313547A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001207167A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3985895B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4269382B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
JP4792687B2 (ja) ジアザペンタセン誘導体を含有する電荷輸送材料、発光材料およびこれらを用いた有機電界発光素子
JP4028996B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4045684B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
JPH11317290A (ja) 有機電界発光素子
JP3823551B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
JP2000030864A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20040223

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040311

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040311

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20040311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060616

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070529

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070821

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070903

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921

Year of fee payment: 6

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term