WO2006028155A1 - モジュール型電子部品及び電子機器 - Google Patents

モジュール型電子部品及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2006028155A1
WO2006028155A1 PCT/JP2005/016456 JP2005016456W WO2006028155A1 WO 2006028155 A1 WO2006028155 A1 WO 2006028155A1 JP 2005016456 W JP2005016456 W JP 2005016456W WO 2006028155 A1 WO2006028155 A1 WO 2006028155A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electronic component
wiring
wiring board
sealing resin
resin layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/016456
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yuki Momokawa
Original Assignee
Nec Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Corporation filed Critical Nec Corporation
Priority to JP2006535805A priority Critical patent/JPWO2006028155A1/ja
Publication of WO2006028155A1 publication Critical patent/WO2006028155A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183—Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2499—Auxiliary members for HDI interconnects, e.g. spacers, alignment aids
    • H01L2224/24996—Auxiliary members for HDI interconnects, e.g. spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/24998—Reinforcing structures, e.g. ramp-like support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7615—Means for depositing
    • H01L2224/76151—Means for direct writing
    • H01L2224/76155—Jetting means, e.g. ink jet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting a build-up interconnect during or after the bonding process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06524—Electrical connections formed on device or on substrate, e.g. a deposited or grown layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10515—Stacked components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-289769 (See Claims and FIG. 1) Disclosure of Invention
  • Another module type electronic component of the present invention includes a wiring board on which a first wiring group constituted by a plurality of wirings is formed, a first electronic component mounted on the wiring board, and the first electronic A first sealing resin layer filling a gap between the component and the wiring board; an electrical insulating layer covering the first electronic component and the first sealing resin layer; the first electronic component and the first A second wiring group constituted by a plurality of wirings arranged three-dimensionally using a sealing resin layer; and a second electronic component mounted on the first electronic component, the first wiring
  • the first electronic component is connected to one end of a part of the wires in the group, and the second electronic component is connected to one end of the predetermined wire in the second wire group, Electrical insulation layer is made of resin
  • Each end of the predetermined wiring in the second wiring group is on one surface in the thickness direction of the first electronic component, and the predetermined wiring in the second wiring group Each force on one surface in the thickness direction of the first electronic component is connected to the other part of the wiring in the first wiring group through the
  • the electrical insulating layer also has a silicone rubber force (hereinafter, this module type electronic component may be referred to as “mounting structure IIC").
  • the lower surface of the first electronic component in the present specification means that the first electronic component is positioned in the thickness direction of the first electronic component, and is closer to the wiring board. Means the face.
  • the wiring board covers the through hole in plan view.
  • a counterbore portion for the first electronic component formed around the through-hole so as to include the first electronic component (hereinafter referred to as the module type electronic component).
  • the component may be “Mounting Structure IVB”.
  • the modular electronic component of the present invention it becomes easy to deal with various functions of the electronic device, and according to the electronic device of the present invention, it corresponds to various functions. Therefore, according to the present invention, it becomes easy to develop an electronic device having a function that meets the needs of consumers in a short period of time.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a module type electronic component according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross section schematically showing a module type electronic component according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a module type electronic component according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross section schematically showing a module type electronic component according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 5] is a cross-sectional view schematically showing a modular electronic component according to a fifth embodiment of the present invention. 6] A sectional view schematically showing a modular electronic component according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the second electronic component 30 is the same as the first electronic component 15. It may be any type of electronic component such as a ball grid array (BGA) type, a lead type, a chip type, and a bare chip.
  • BGA ball grid array
  • the illustrated second electronic component 30 is connected to each wiring 25 a by solder bumps 28. In FIG. 1, for convenience, illustration of the electrodes of the second electronic component 30 connected to the solder bumps 28 is omitted.
  • the surface of the first electronic component is covered with an electrical insulating layer, and each end of the wiring connected to the second electronic component among the wirings in the second wiring group is electrically insulated as described above. It can be located on the layer.
  • the module-type electronic component 50 described above has the same technical effect as the module-type electronic component 40 shown in FIG. Furthermore, each wiring 25a and the first electrons are separated by the electrical insulating layer 42. Since a short circuit with the component 15 can be easily prevented, it is easy to cope with various functions of the electronic device with higher reliability than the module type electronic component 40 shown in FIG.
  • a counterbore for the first electronic component can be provided on the wiring board, and the second electronic component can be mounted on the upper surface of the first electronic component mounted on the counterbore.
  • a plurality of spare wirings 3c for mounting other electronic components are formed on the lower surface of the first electrically insulating substrate lb.
  • Each of the wirings 3a, 3b, and 3c constitutes the first wiring group 3, and each predetermined portion of the wirings 3b and 3c is protected by the solder resist layer 5.
  • the modular electronic component 60 described above has the same technical effect as the modular electronic component 40 shown in FIG. Since the first electronic component 15 is disposed in the spot facing CB and the second electronic component 30 is mounted on the first electronic component 15, the mounting height of the second electronic component 30 can be easily suppressed. As a result, it is easy to cope with various functions of thin or small electronic devices as compared with the module-type electronic component 40 shown in FIG.
  • a through hole is provided in the wiring board, and the second electronic component can be mounted on the lower surface of the first electronic component mounted so as to straddle the through hole.
  • the first electronic component 15 is disposed so as to straddle the through hole TH, and is connected to each wiring 3 a by a solder bump 13.
  • One end of each wiring 25a constituting the second wiring group 25 is located on the lower surface 15b of the first electronic component 15, and the other end of the wiring 25a is respectively the lower surface of the first electronic component 15. 15b, the surface of the first sealing resin layer 20, the inner wall of the through-hole TH, and the lower surface of the wiring board 10B are connected to the predetermined wiring 3b.
  • the modular electronic component 70 described above has the same technical effect as the modular electronic component 40 shown in FIG.
  • the first electronic component 15 is arranged so as to straddle the through hole TH, and the second electronic component 30 is mounted on the lower surface 15b of the first electronic component 15, so the second electronic component 30 is mounted.
  • the height can be easily suppressed, and as a result, it is easy to cope with various functions of a thin or small electronic device as compared with the modular electronic component 40 shown in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of a modular electronic component having the above-described through hole and counterbore.
  • the modular electronic component 80 shown in the figure has a wiring board having a through hole TH2 and a counterbore CB2 for a first electronic component formed around the through hole TH2 so as to encompass the through hole TH2 in plan view. 10C is used.
  • the first electronic component 15 is placed on the wiring board 10C in a state where it is disposed on the counterbore CB2 so as to straddle the through hole TH2.
  • the second electronic component 30 is mounted on the lower surface 15b of the first electronic component 15.
  • Another second electronic component 75 is mounted on the upper surface 15 a of the first electronic component 15.
  • the region of the top surface of the first electrically insulating base la2 that is located around the through hole TH2 is the bottom surface of the counterbore part CB2, and the predetermined end of each wiring 3a is the counterbore part CB2. Reached the bottom.
  • a plurality of wirings 3bl for the second electronic component 30 are formed on the lower surface of the first electrical insulating substrate la2, and the second electrical insulating substrate lb has an upper surface for the other second electronic component 75.
  • a plurality of wirings 3b2 are formed. Each wiring 3a, 3b 1, 3b2 constitutes the first wiring group 3, and predetermined portions of the wirings 3bl, 3b2 are protected by the solder resist layer 5 !.
  • the first electronic component and the first sealing resin layer can be covered with an electric insulating layer made of a resin coating film.
  • the modular electronic component 90 described above has the same technical effect as the modular electronic component 40 shown in FIG. Since the electrical insulation layer 82 makes it easy to suppress the disconnection of each wiring 25a, it is higher than the module-type electronic component 40 shown in Fig. 1 and can easily cope with various functions of electronic devices under reliability. It is.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an example of a modular electronic component having a plurality of first electronic components sealed with one sealing resin layer.
  • the module-type electronic component 100 shown in the figure three first electronic components 15A, 15B, and 15C are mounted on the wiring board 10D, and these first electronic components 15A to 15C are one first sealing resin layer 20A. It is sealed by.
  • the second electronic component 30 is placed on each of the first electronic components 15A to 15C via the first sealing resin layer 20A.
  • the configurations of the solder resist layer 5, the wires 25a constituting the second wire group 25, and the second electronic component 30 are the same as those of the modular electronic component 40 shown in FIG. Since these configurations are the same, the description thereof is omitted here.
  • the module-type electronic component 110 described above has the same technical effect as the module-type electronic component 40 shown in FIG. Since various electronic components can be easily mounted as the second electronic component, it is easy to cope with various functions of electronic devices as compared with the module-type electronic component 40 shown in FIG.
  • the second electronic component can be mounted on the first electronic component, and the third electronic component can be further mounted on the second electronic component.
  • the gap between the second electronic component and the first electronic component is filled with the second sealing resin layer.
  • each wiring for the third electronic component is three-dimensionally formed using the second electronic component and the second sealing resin layer to constitute the third wiring group.
  • the wiring board provided with the counterbore for the first electronic component is composed of a plurality of first electronic components as one first sealing resin layer as in the module-type electronic component 100 shown in FIG. It can also be used when sealing with.
  • a wiring board provided with a counterbore for the first electronic component or a wiring board provided with a through-hole mounts the second electronic component on the first electronic component, and further adds the third electronic component thereon. It can also be used when mounting electronic components.
  • Each wiring constituting the second wiring group or the third wiring group can also be formed by a plating method or a transfer method.
  • a plating layer is formed by depositing silver, copper, nickel, gold, or aluminum at a desired location.
  • a transfer method for example, a transfer material in which wiring is formed with a predetermined pattern on a resin film using a conductive resin composition containing a conductive filler is prepared.
  • Each wiring constituting the second wiring group or the third wiring group can be obtained by transferring the formed wiring by thermocompression bonding.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

モジュール型電子部品及び電子機器
技術分野
[0001] 本発明は、モジュール型電子部品及び電子機器に関し、特に、配線基板上に電子 部品を高密度で実装したモジュール型電子部品、及びこの電子部品を一部に有す る電子機器に関する。
背景技術
[0002] 電子機器の小型化及び高性能化を図るうえからは、配線基板への電子部品の実 装密度を高めることが望まれる。近年では、配線基板に実装した電子部品の上に更 に電子部品を実装して高密度実装を図ることも提案されている。
[0003] 例えば、特許文献 1には、複数個の半導体素子を厚さ方向に多段に重ねて配線基 板に実装した半導体装置が記載されている。この半導体装置では、複数個の半導体 素子を多段に重ねるにあたって、厚さ方向に隣り合う半導体素子同士が面接触の状 態で接着される。
[0004] また、特許文献 2には、配線基板上に第 1の半導体素子をフリップチップ接続し、そ の上にフィルム配線導体を介して第 2の半導体素子をフリップチップ接続して、これら の第 1の半導体素子及び第 2の半導体素子を榭脂で封止した積層型半導体装置が 記載されている。
特許文献 1 :特開 2001— 15677号公報 (特許請求の範囲、図 1、図 5、及び図 6参照 )
特許文献 2：特開 2002— 289769号公報 (特許請求の範囲、及び図 1参照） 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 半導体素子等の電子部品を多段に実装する場合に、その構造を特許文献 1に記 載されている半導体装置における構造、すなわち、厚さ方向に隣り合う電子部品（半 導体素子）同士が面接触の状態で接着した構造にすると、 3段以上の多段に実装す る際の 3段目以降の電子部品については、下段の電子部品に端子を設ける必要上、 下段の電子部品よりも小さなものしか実装できないため、所望の性能を有する半導体 装置を高い集積密度の下に得ることが困難になることがある。
[0006] また、例えば携帯電話のように機能の多様ィ匕が進んで 、る電子機器では、消費者 のニーズにあった機能を有するものを短期間で開発する必要性が高まっており、この ような電子機器を製造するにあたって特許文献 2に記載されている積層型半導体装 置を用いると、例えば配線基板の設計後に第 2の半導体素子を変更する必要が生じ たときにはフィルム配線導体も製造し直さなければならないため、開発期間及び開発 コストが増大してしまう。
[0007] 本発明の目的は、電子機器の機能の多様ィ匕に対応し易いモジュール型電子部品 及び電子機器を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明に係るモジュール型電子部品は、複数の配線によって構成される第 1配線 群が形成された配線基板と、該配線基板に実装された第 1電子部品と、該第 1電子 部品と前記配線基板との間隙を埋める第 1封止榭脂層と、前記第 1電子部品及び前 記第 1封止榭脂層を利用して立体的に配置された複数の配線によって構成される第 2配線群と、前記第 1電子部品上に実装された第 2電子部品とを備え、前記第 1配線 群中の一部の配線の各一端に前記第 1電子部品が接続されていると共に、前記第 2 配線群中の所定の配線の各一端に前記第 2電子部品が接続されており、前記第 2配 線群中の所定の配線の各一端が、前記第 1電子部品における厚さ方向の一方の面 上にあり、前記第 2配線群中の所定の配線の夫々が、前記第 1電子部品における厚 さ方向の一方の面上から前記第 1封止榭脂層の表面を経て、前記第 1配線群中の他 の一部の配線に接続されていることを特徴とする（以下、このモジュール型電子部品 を「実装構造 IA」ということがある。 )0
[0009] ここで、本明細書で!/ヽぅ「立体的に配置された配線」とは、全体として配線基板の表 面形状に倣っていない形状を呈する配線、具体的には、第 1電子部品の実装後に第 1電子部品の表面、及び第 1封止榭脂層の表面を利用して形成された配線を意味す る。
[0010] 本発明の実装構造 IAでは、第 1電子部品上に第 2電子部品が実装されているので 、電子部品の実装密度を高め易い。また、第 2配線群中の所定の配線の各一端が第 1電子部品における厚さ方向の一方の面上にあり、この一端に第 2電子部品が接続 されているので、第 2電子部品上に更に第 3電子部品を実装する場合でも、第 3電子 部品の大きさには実質的に制約が課せられない。
[0011] 更に、第 2電子部品に接続されている第 2配線群中の所定の配線の夫々が、第 1電 子部品における厚さ方向の一方の面上力 第 1封止榭脂層の表面を経て、第 1配線 群中の他の一部の配線に接続された構造となっているので、第 2配線群を構成する 各配線は、直接描画により形成することができる。このため、例え配線基板の設計後 に第 2電子部品を変更する必要が生じたとしても、短期間かつ低コストの下にこの変 更に対応することができる。
[0012] これらの理由から、本発明の実装構造 IAによれば、電子機器の機能の多様化に対 応することが容易になる。
[0013] 本発明の実装構造 IAにおいては、前記第 1電子部品の表面を覆う電気絶縁層を 更に有し、前記第 2配線群中の所定の配線の各一端が前記電気絶縁層上に位置し ている（以下、このモジュール型電子部品を「実装構造 IB」ということがある。）こと、が 好ましい。
[0014] この実装構造 IBによれば、上記の電気絶縁層を有しているので、たとえ第 1電子部 品の表面に電極以外の導通部が露出していたとしても、第 2電子部品に接続されて いる第 2配線群中の所定の配線と第 1電子部品との短絡を防止することができ、結果 として、高い信頼性の下に電子機器の機能の多様ィ匕に対応することが容易になる。
[0015] 本発明の他のモジュール型電子部品は、複数の配線によって構成される第 1配線 群が形成された配線基板と、該配線基板に実装された第 1電子部品と、該第 1電子 部品と前記配線基板との間隙を埋める第 1封止榭脂層と、前記第 1電子部品及び前 記第 1封止榭脂層を覆う電気絶縁層と、前記第 1電子部品及び前記第 1封止榭脂層 を利用して立体的に配置された複数の配線によって構成される第 2配線群と、前記 第 1電子部品上に実装された第 2電子部品とを備え、前記第 1配線群中の一部の配 線の各一端に前記第 1電子部品が接続されていると共に、前記第 2配線群中の所定 の配線の各一端に前記第 2電子部品が接続されており、前記電気絶縁層が榭脂製 のコーティング膜からなり、前記第 2配線群中の所定の配線の各一端が、前記第 1電 子部品における厚さ方向の一方の面上にあり、該第 2配線群中の所定の配線の夫々 力 前記第 1電子部品における厚さ方向の一方の面上力 前記電気絶縁層の表面 を経て、前記第 1配線群中の他の一部の配線に接続されていることを特徴とする（以 下、このモジュール型電子部品を「実装構造 ΠΑ」ということがある。 )0
[0016] 本発明の実装構造 ΠΑは、上記榭脂製のコーティング膜からなる電気絶縁層を有し 、第 2配線群を構成する各配線が前記の電気絶縁層を利用して立体的に配置されて いるという点でのみ、前述した本発明の実装構造 Iと異なる。この実装構造 ΠΑによれ ば、第 2配線群を構成している配線が第 1電子部品又は第 1封止榭脂層との熱膨張 差又は熱収縮差に起因して断線してしまうことを抑制し易くなるので、高い信頼性の 下に電子機器の機能の多様ィ匕に対応することが容易になる。
[0017] 本発明の実装構造 ΠΑにおいては、前記電気絶縁層が、応力緩和層としても機能 する（以下、このモジュール型電子部品を「実装構造 ΠΒ」ということがある。）こと、が 好ましい。
[0018] この実装構造 ΠΒによれば、上記の電気絶縁層が応力緩和層としても機能するので 、第 2配線群を構成している配線が第 1電子部品又は第 1封止榭脂層との熱膨張差 や熱収縮差に起因して断線してしまうことを更に抑制し易くなり、結果として、高い信 頼性の下に電子機器の機能の多様ィ匕に対応することが更に容易になる。
[0019] 本発明の実装構造 ΠΒにおいては、前記電気絶縁層がシリコーンゴム力もなる（以 下、このモジュール型電子部品を「実装構造 IIC」ということがある。）ことが好ましい。
[0020] この実装構造 IICによれば、上述した本発明の実装構造 ΠΒを構成し易くなるので、 高い信頼性の下に電子機器の機能の多様ィ匕に対応することがより一層容易になる。
[0021] 上述した本発明の実装構造 IA〜IB及び実装構造 IIA〜IICの 、ずれにぉ 、ても、 前記配線基板が前記第 1電子部品用の座ぐり部を有し、前記第 1電子部品が前記座 ぐり部に配置され、前記第 2電子部品が前記第 1電子部品の上面上に実装されてい る（以下、このモジュール型電子部品を「実装構造 ΠΙΑ」ということがある。）ことが好ま しい。
[0022] ここで、本明細書でいう「第 1電子部品の上面」とは、第 1電子部品においてその厚 さ方向に位置して ヽる 2つの面のうちで、配線基板から遠!ヽ方の面を意味する。
[0023] 本発明の実装構造 ΠΙΑによれば、上記の座ぐり部を有しているので、第 2電子部品 の実装高さを容易に抑えることができ、結果として、薄型又は小型の電子機器につい ても機能の多様ィ匕に対応することが容易になる。
[0024] 本発明の実装構造 ΠΙΑにおいては、前記第 1電子部品の上面が、前記座ぐり部の 周囲の配線基板上面と同一平面上にある力 又は前記座ぐり部の周囲の配線基板 上面よりも低い位置にある（以下、このモジュール型電子部品を「実装構造 ΠΙΒ」という ことがある。）ことが好ましい。
[0025] ここで、本明細書でいう「座ぐり部の周囲の配線基板上面」とは、第 1電子部品の上 面が鉛直方向上方を向くように配線基板を配置したときの当該配線基板の上面のう ちで、座ぐり部の周隨こ位置する領域を意味する。
[0026] 本発明の実装構造 ΠΙΒによれば、第 1電子部品の上面と座ぐり部の周囲の配線基 板上面との位置関係が上記の関係にあるので、第 2電子部品の実装高さを更に容易 に抑えることができ、結果として、薄型又は小型の電子機器の機能の多様ィ匕に対応 することが更に容易になる。
[0027] 前述した本発明の実装構造 ΙΑ〜ΙΒ及び実装構造 IIA〜IICの ヽずれにぉ ヽても、 前記配線基板が貫通孔を有し、前記第 1電子部品が前記貫通孔を跨ぐようにして前 記配線基板に実装され、前記第 2電子部品の平面視上の大きさが前記貫通孔の平 面視上の大きさよりも小さぐかつ、該第 2電子部品が前記第 1電子部品の下面上に 実装されている（以下、このモジュール型電子部品を「実装構造 IVA」ということがある
。）ことが好ましい。
[0028] ここで、本明細書でいう「第 1電子部品の下面」とは、第 1電子部品においてその厚 さ方向に位置して 、る 2つの面のうちで、配線基板に近 、方の面を意味する。
[0029] 本発明の実装構造 IVAによれば、貫通孔を跨ぐようにして実装された第 1電子部品 の下面に第 2電子部品が実装されているので、第 2電子部品の実装高さを容易に抑 えることができ、結果として、薄型又は小型の電子機器についても機能の多様ィ匕に対 応することが容易になる。
[0030] 本発明の実装構造 IVAにおいては、前記配線基板が、前記貫通孔を平面視上包 含するようにして該貫通孔の周囲に形成された第 1電子部品用の座ぐり部を更に有し 、この座ぐり部に前記第 1電子部品が配置されている（以下、このモジュール型電子 部品を「実装構造 IVB」 t ヽぅことがある。 )ことが好ま ヽ。
[0031] この実装構造 IVBによれば、配線基板に形成された貫通孔を跨ぐようにして第 1電 子部品が実装され、この第 1電子部品の下面に第 2電子部品が実装され、さらに、前 記貫通孔を平面視上包含するようにして当該貫通孔の周囲に第 1電子部品用の座ぐ り部が形成されているので、第 1電子部品及び第 2電子部品の各実装高さを容易に 抑制することができ、結果として、薄型又は小型の電子機器の機能の多様ィ匕に対応 することが更に容易になる。
[0032] 本発明の実装構造 IVA及び実装構造 IVBの 、ずれにお 、ても、前記第 2電子部品 の上面が、前記貫通孔の周囲の配線基板下面と同一平面上にあるか、又は前記貫 通孔の周囲の配線基板下面よりも高い位置にある（以下、このモジュール型電子部 品を「実装構造 IVC」 t 、うことがある。 )ことが好ま 、。
[0033] ここで、本明細書でいう「第 2電子部品の下面」とは、第 2電子部品においてその厚 さ方向に位置している 2つの面のうちで、第 1電子部品に近い方の面を意味する。ま た、本明細書でいう「貫通孔の周囲の配線基板下面」とは、第 1電子部品の上面が鉛 直方向上方を向くように配線基板を配置したときの当該配線基板の下面のうちで、貫 通孔の周囲に位置する領域を意味する。
[0034] 本発明の実装構造 IVCによれば、第 2電子部品の上面と貫通孔の周囲の配線基板 下面との位置関係が上記の関係にあるので、第 2電子部品の実装高さを更に容易に 抑えることができ、結果として、薄型又は小型の電子機器の機能の多様化に対応す ることがより一層、容易になる。
[0035] 本発明の実装構造 IVA〜IVCのいずれにおいても、前記第 1電子部品の上面上に 実装された他の第 2電子部品を更に備えている（以下、このモジュール型電子部品を 「実装構造 IVD」と ヽぅことがある。 )こととすることができる。
[0036] この実装構造 IVDによれば、第 1電子部品の上面及び下面の夫々に第 2電子部品 が実装されているので、電子部品の実装密度を高めることが容易になり、結果として 、電子機器の機能の多様化に対応することが容易になる。 [0037] 本発明の実装構造 IA〜IB、実装構造 IIA〜IIC、及び実装構造 ΠΙΑ〜ΠΙΒのいず れにおいても、前記配線基板に複数の第 1電子部品が実装され、前記第 1封止榭脂 層が、前記複数の第 1電子部品の夫々と前記配線基板との間隙を埋めていると共に 、前記複数の第 1電子部品間の段差を埋めており、前記第 1封止榭脂層を介して前 記第 1電子部品上に前記第 2電子部品が実装されている（以下、このモジュール型 電子部品を「実装構造 V」 ヽぅことがある。 )こととすることができる。
[0038] また、本発明の実装構造 IA〜IB、実装構造 IIA〜IIC、実装構造 ΠΙΑ〜ΠΙΒ、実装 構造 IVA〜IVD、及び実装構造 Vのいずれにおいても、前記第 1電子部品における 厚さ方向の一方の面上に、複数の第 2電子部品が実装されている（以下、このモジュ ール型電子部品を「実装構造 VI」ということがある。）こととすることができる。
[0039] 上記の実装構造 V及び VIのいずれによっても、電子部品の実装密度を高め易くな るので、電子機器の機能の多様化に対応することが容易になる。
[0040] 本発明の実装構造 IA〜IB、実装構造 IIA〜IIC、実装構造 ΠΙΑ〜ΠΙΒ、実装構造 IV A〜IVD、及び実装構造 V〜VIのいずれにおいても、前記第 2配線群を構成する各 配線が、導電性榭脂からなるか、又は、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末、金粉末、及 び炭素粉末の少なくとも 1種を含む焼結体力 なる（以下、このモジュール型電子部 品を「実装構造 VII」ということがある。）こととすることができる。
[0041] また、本発明の実装構造 IA〜IB、実装構造 IIA〜IIC、実装構造 ΠΙΑ〜ΠΙΒ、実装 構造 IVA〜IVD、及び実装構造 V〜VIのいずれにおいても、前記第 2配線群を構成 する各配線力 銀、銅、ニッケル、金、又はアルミニウムのめっき層力 なる（以下、こ のモジュール型電子部品を「実装構造 VIII」ということがある。）こととすることができる
[0042] 本発明の実装構造 IA〜IB、実装構造 IIA〜IIC、実装構造 ΠΙΑ〜ΠΙΒ、実装構造 IV A〜IVD、及び実装構造 V〜VIIIのいずれにおいても、前記第 2電子部品と前記第 1 電子部品との間隙を少なくとも埋める第 2封止榭脂層と、前記第 2電子部品及び前記 第 2封止榭脂層を利用して立体的に配置された複数の配線によって構成される第 3 配線群と、前記第 2電子部品上に実装された第 3電子部品とを更に有し、前記第 3配 線群中の所定の配線の各一端が、前記第 2電子部品における厚さ方向の一方の面 上にあり、該第 3配線群中の所定の配線の夫々が、前記第 2電子部品における厚さ 方向の一方の面上から前記第 2封止榭脂層の表面を経て、前記第 1配線群中の更 に他の一部の配線に接続されており、前記第 3配線群中の所定の配線の各一端に 前記第 3電子部品が接続されている（以下、このモジュール型電子部品を「実装構造 IX」と ヽぅことがある。）こととすることができる。
[0043] この実装構造 IXによれば、第 1電子部品上に第 2電子部品が実装され、その上に 第 3電子部品が実装されているので、電子部品の実装密度を高めることが容易になり 、結果として、電子機器の機能の多様化に対応することが容易になる。
[0044] 本発明に係る電子機器は、上述した本発明の実装構造 IA〜IB、実装構造 ΠΑ〜Π C、実装構造 ΠΙΑ〜ΠΙΒ、実装構造 IVA〜IVD、及び実装構造 V〜IXのいずれかを一 部に有することを特徴とする。
[0045] この電子機器によれば、本発明の実装構造を一部に有しているので、機能の多様 化に対応し易くなる。
発明の効果
[0046] 以上説明したように、本発明のモジュール型電子部品によれば、電子機器の機能 の多様ィ匕に対応し易くなり、本発明の電子機器によれば、機能の多様ィ匕に対応し易 くなるので、これらの本発明によれば、消費者のニーズにあった機能を有する電子機 器を短期間で開発することが容易になる。
図面の簡単な説明
[0047] [図 1]本発明の第 1実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である [図 2]本発明の第 2実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である [図 3]本発明の第 3実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である [図 4]本発明の第 4実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である 圆 5]本発明の第 5実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である 圆 6]本発明の第 6実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である
[図 7]本発明の第 7実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である [図 8]本発明の第 8実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である [図 9]本発明の第 9実施形態のモジュール型電子部品を概略的に示す断面図である 符号の説明
3 第 1配線群
3a、 3al、 3a2、 3a3、 3b、 3b 1、 3b2、 3c、 3d 第 1配線群を構成する配線 10、 10A、 10B、 10C、 10D、 10E 配線基板
15、 15 A, 15Bゝ 15C 第 1電子咅
20、 20A 第 1封止榭脂層
25 第 2配線群
25a, 25al、 25a2、 25a3、 25b 第 2配線群を構成する配線
30、 30A、 30B、 30C 第 2電子部品
40、 50、 60、 70、 80、 90、 100、 110、 140
モジュール型電子部品
42 第 1電子部品の表面を覆う電気絶縁層
75 他の第 2電子部品
82 第 1電子部品及び第 1封止榭脂層を覆う電気絶縁層
120 第 2封止榭脂層
125 第 3配線群
125a 第 3配線群を構成する配線
130 第 3電子部品
CB、 CB2 第 1電子部品用の座ぐり部 TH、 TH2 貫通孔
発明を実施するための最良の形態
[0049] 以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態に係るモジュール型電子部品及 び電子機器について説明する。
[0050] <モジュール型電子部品（第 1実施形態） >
図 1は、本発明の第 1実施形態に係るモジュール型電子部品を概略的に示す断面 図である。同図に示すモジュール型電子部品 40は、配線基板 10と、配線基板 10〖こ 実装された第 1電子部品 15と、第 1電子部品 15と配線基板 10との間隙を埋める第 1 封止榭脂層 20と、第 1電子部品 15及び第 1封止榭脂層 20を利用して立体的に配置 された複数の配線 25a、 25aにより構成される第 2配線群 25と、第 1電子部品 15上に 実装された第 2電子部品 30とを備えたものである。
[0051] 上記の配線基板 10は例えば片面プリント配線板であり、その一表面上には、第 1電 子部品 15用の配線 3aが複数本形成されていると共に、第 2電子部品 15用の配線 3 bが複数本形成されている。これらの配線 3a、 3bは、第 1電子部品 15を実装する前 力も配線基板 10に形成されていたものであり、第 1配線群 3を構成している。第 1配 線群 3を構成する各配線 3a、 3bの所定箇所は、ソルダーレジスト層 5によって保護さ れている。
[0052] 第 1電子部品 15の具体例としては、例えば大規模集積回路 (LSI)チップ、中央演 算処理装置 (CPU)、記憶素子、抵抗素子、コンデンサ、インダクタ等、種々の集積 回路又は回路素子が挙げられ、この第 1電子部品 15は、ボールグリッドアレイ (BGA )タイプ、リードタイプ、チップタイプ、及びベアチップのいずれのタイプの電子部品で あってもよい。図示の第 1電子部品 15は、はんだバンプ 13によって各配線 3aに接続 されている。なお、図 1においては、便宜上、はんだバンプ 13に接続されている第 1 電子部品 15の電極の図示を省略して!/ヽる。
[0053] 第 1封止榭脂層 20は、例えばエポキシ榭脂等によって形成されて第 1電子部品 15 と配線基板 10との間隙を埋め、第 1電子部品 15と配線 3aとの接続箇所を補強する 役割を果たしていると共に、後述する各配線 25aを形成するための下地としての役割 を果たしている。この第 1封止榭脂層 20にはサイドフィレットが形成されていることが 好ましいが、サイドフィレットが形成されていなくてもよい。第 1封止榭脂層 20にサイド フィレットを形成する場合、このサイドフィレットの表面にボイド等によって大きな凹凸 が生じていると配線 25aの形成を阻害する要因となる。
[0054] 第 2配線群 25を構成している各配線 25aは、第 1電子部品 15の上面 15a上に第 2 電子部品 30を実装するためのものであり、これらの配線 25aは第 1電子部品 15及び 第 1封止榭脂層 20を利用して立体的に配置されている。各配線 25aの一端は第 1電 子部品 15の上面 15a上にあり、これらの配線 25aは、それぞれ、第 1電子部品 15の 上面 15a上力も第 1封止榭脂層 20の表面及び配線基板 10の上面を経て、第 1配線 群 3中の所定の配線 3bに接続されている。
[0055] 第 2電子部品 30の具体例としては、例えば第 1電子部品 15の具体例として挙げた ものと同じものが挙げられ、この第 2電子部品 30は、第 1電子部品 15と同様に、ボー ルグリッドアレイ（BGA)タイプ、リードタイプ、チップタイプ、及びベアチップのいずれ のタイプの電子部品であってもよい。図示の第 2電子部品 30は、はんだバンプ 28に よって各配線 25aに接続されている。なお、図 1においては、便宜上、はんだバンプ 2 8に接続されて 、る第 2電子部品 30の電極の図示を省略して 、る。
[0056] 以上説明したモジュール型電子部品 40では、第 1電子部品 15上に第 2電子部品 3 0が実装されているので、これら第 1電子部品 15及び第 2電子部品 30の実装密度を 高め易い。また、第 2配線群 25を構成する配線 25aそれぞれの一端が第 1電子部品 15の上面 15a上にあり、当該一端に第 2電子部品 30が接続されているので、第 2電 子部品 30上に更に第 3電子部品を実装する場合でも、第 3電子部品の大きさには実 質的に制約が課せられない。
[0057] 更に、各配線 25aが第 1電子部品 15の上面 15a上力も第 1封止榭脂層 20の表面 を経て所定の配線 3bに接続された構成となっているので、これらの配線 25aは、例え ば、デイスペンサゃインクジェットプリンタ等を用いて導電性ペーストを所望形状に塗 布、印刷して塗膜を形成した後、当該塗膜を硬化させることによって形成することが できる。即ち、直接描画することができる。このため、たとえ配線基板 10の設計後に 第 2電子部品を変更する必要が生じたとしても、配線基板 10に予め所望数の配線 3 bを形成しておくことにより、配線基板 10自体の設計を変更することなぐ短期間かつ 低コストの下に上記の変更に対応することができる。
[0058] これらの理由から、モジュール型電子部品 40によれば、電子機器の機能の多様ィ匕 に対応することが容易になる。
[0059] <モジュール型電子部品（第 2実施形態） >
本発明のモジュール型電子部品では、電気絶縁層で第 1電子部品の表面を覆 、、 第 2配線群中の配線のうちで第 2電子部品と接続される配線の各一端を上記の電気 絶縁層上に位置させることができる。
[0060] 図 2は、上記の電気絶縁層を有するモジュール型電子部品の一例を概略的に示す 断面図である。同図に示すモジュール型電子部品 50は、第 1電子部品 15の上面 15 a及び側面を覆うようにして設けられた電気絶縁層 42を有して ヽると ヽぅ点で、図 1に 示したモジュール型電子部品 40と異なる。モジュール型電子部品 50における他の 構成は、図 1に示したモジュール型電子部品 40の構成と同じであるので、図 2に示し た構成部材のうちの電気絶縁層 42以外の構成部材については、図 1で用いた参照 符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
[0061] なお、図 2においても、便宜上、はんだバンプ 13に接続されている第 1電子部品 15 の電極、及びはんだバンプ 28に接続されている第 2電子部品 30の電極の図示を省 略している。
[0062] 第 1電子部品 15の上面 15a及び側面を覆う上記の電気絶縁層 42は、例えばェポ キシ系、アクリル系、イミド系等の液状榭脂を第 1電子部品 15上に滴下する、あるい はインクジェット法やスプレー法等で噴霧する等の方法により付着させた後に硬化さ せることによって形成することができる。また、第 1電子部品 15がベアのシリコンチッ プである場合には、熱酸化によって電気絶縁層 42を形成することもできる。
[0063] 電気絶縁層 42によって第 1電子部品 15の表面を覆うことにより、たとえ第 1電子部 品 15の表面に電極以外の導通部分があつたとしても、第 2電子部品 30に接続されて いる各配線 25aと第 1電子部品 15との短絡を防止することが容易になる。電気絶縁 層 42の膜厚は、 200 m程度以下の範囲内で適宜選定可能である。
[0064] 以上説明したモジュール型電子部品 50は、図 1に示したモジュール型電子部品 40 と同様の技術的効果を奏する。更に、電気絶縁層 42によって各配線 25aと第 1電子 部品 15との短絡を容易に防止することができるので、図 1に示したモジュール型電子 部品 40よりも高い信頼性の下に電子機器の機能の多様ィ匕に対応することが容易で ある。
[0065] <モジュール型電子部品（第 3実施形態） >
本発明のモジュール型電子部品では、配線基板に第 1電子部品用の座ぐり部を設 け、この座ぐり部に実装した第 1電子部品の上面上に第 2電子部品を実装することが できる。
[0066] 図 3は、上記の座ぐり部を有するモジュール型電子部品の一例を概略的に示す断 面図である。同図に示すモジュール型電子部品 60では、第 1電子部品 15用の座ぐり 部 CBを有する配線基板 10Aが用いられており、第 1電子部品 15は座ぐり部 CB内に 配置されている。第 2電子部品 30は、第 1電子部品 15の上面 15a上に実装されてい る。モジュール型電子部品 60における配線基板 10A以外の構成は図 1に示したモ ジュール型電子部品 40と同様であるので、図 3に示した構成部材のうちで図 1に示し た構成部材と機能上共通するものについては、配線基板 10Aを除き、図 1で用いた 参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
[0067] なお、図 3においても、便宜上、はんだバンプ 13に接続されている第 1電子部品 15 の電極、及びはんだバンプ 28に接続されている第 2電子部品 30の電極それぞれの 図示を省略している。
[0068] 上記の配線基板 10Aは、所定箇所に第 1電子部品 15用の座ぐり部 CBを有する多 層プリント配線板であり、第 1電気絶縁基材 laの片面に第 1電子部品 15用の配線 3a が複数本形成され、座ぐり部 CBの平面視上の輪郭を画定する第 2電気絶縁基材 lb が第 1電気絶縁基材 la上に配置されている。個々の配線 3aでの所定の端部は座ぐ り部 CBの底部に達しており、第 2電気絶縁基材 lbの上面には、第 2電子部品に接続 される配線 3bが複数本形成されている。また、第 1電気絶縁基材 lbの下面には、他 の電子部品を実装するための予備配線 3cが複数本形成されて ヽる。上記の各配線 3a、 3b、 3cは第 1配線群 3を構成しており、配線 3b、 3cの各所定箇所はソルダーレ ジスト層 5によって保護されて!、る。
[0069] 第 1電子部品 15は、その上面 15aが座ぐり部 CBの周囲での配線基板 10Aの上面 と同一平面上にくるようにして、はんだバンプ 13により各配線 3aに接続されている。こ の第 1電子部品 15の上面 15aには、第 2配線群 25を構成する各配線 25aの各一端 が位置しており、これらの配線 25aの他端は、夫々、第 1電子部品 15の上面 15a、第 1封止榭脂層 20の表面、及び配線基板 10Aの下面を経て、所定の配線 3bに接続さ れている。第 2電子部品 30は、第 1電子部品 15の上面 15a上において、はんだバン プ 28により各配線 25aに接続されている。
[0070] 以上説明したモジュール型電子部品 60は、図 1に示したモジュール型電子部品 40 と同様の技術的効果を奏する。座ぐり部 CBに第 1電子部品 15が配置され、この第 1 電子部品 15上に第 2電子部品 30が実装されているので、第 2電子部品 30の実装高 さを容易に抑えることができ、結果として、図 1に示したモジュール型電子部品 40に 比べて薄型又は小型の電子機器の機能の多様ィ匕に対応することが容易である。
[0071] <モジュール型電子部品（第 4実施形態） >
本発明のモジュール型電子部品では、配線基板に貫通孔を設け、この貫通孔を跨 ぐようにして実装した第 1電子部品の下面上に第 2電子部品を実装することができる。
[0072] 図 4は、上記の貫通孔を有するモジュール型電子部品の一例を概略的に示す断面 図である。同図に示すモジュール型電子部品 70では、貫通孔 THを有する配線基板 10Bが用いられており、第 1電子部品 15は貫通孔 THを跨ぐようにして配線基板 10B に実装されている。第 2電子部品 30は、第 1電子部品 15の下面 15b上に実装されて いる。このモジュール型電子部品 70における配線基板 10B以外の構成は図 1に示し たモジュール型電子部品 40と同様であるので、図 4に示した構成部材のうちで図 1に 示した構成部材と機能上共通するものについては、配線基板 10Bを除き、図 1で用 いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
[0073] なお、図 4においても、便宜上、はんだバンプ 13に接続されている第 1電子部品 15 の電極、及びはんだバンプ 28に接続されている第 2電子部品 30の電極それぞれの 図示を省略している。
[0074] 上記の配線基板 10Bは、例えば所定箇所に貫通孔 THを有する両面プリント配線 板であり、その上面側には、第 1電子部品 15用の配線 3aと他の電子部品を実装する ための予備配線 3cとがそれぞれ複数本ずつ形成されており、当該配線基板 10Bの 下面側には、第 2電子部品 30用の配線 3bが複数本形成されている。上記の配線 3a 、 3b、 3cは第 1配線群 3を構成しており、これらの配線 3b、 3cの各所定箇所は、ソル ダーレジスト層 5によって保護されて!、る。
[0075] 第 1電子部品 15は貫通孔 THを跨ぐようにして配置されて、はんだバンプ 13により 各配線 3aに接続されている。この第 1電子部品 15の下面 15bには、第 2配線群 25を 構成する各配線 25aの各一端が位置しており、これらの配線 25aの他端は、夫々、第 1電子部品 15の下面 15b、第 1封止榭脂層 20の表面、貫通孔 THの内壁、及び配線 基板 10Bの下面を経て、所定の配線 3bに接続されている。
[0076] 第 2電子部品 30は、平面視上の大きさが貫通孔 THの平面視上の大きさよりも小さ いものであり、第 1電子部品 15の下面 15b上において、はんだバンプ 28により各配 線 25aに接続されている。第 2電子部品 30の上面は、配線基板 10Bの下面よりも高 い位置にある。
[0077] 以上説明したモジュール型電子部品 70は、図 1に示したモジュール型電子部品 40 と同様の技術的効果を奏する。また、貫通孔 THを跨ぐようにして第 1電子部品 15が 配置され、この第 1電子部品 15の下面 15b上に第 2電子部品 30が実装されているの で、第 2電子部品 30の実装高さを容易に抑えることができ、結果として、図 1に示した モジュール型電子部品 40に比べて薄型又は小型の電子機器の機能の多様ィ匕に対 応することが容易である。
[0078] <モジュール型電子部品（第 5実施形態） >
本発明のモジュール型電子部品では、配線基板に貫通孔を設けると共に当該貫 通孔を平面視上包含するようにしてその周囲に第 1電子部品用の座ぐり部を設け、貫 通孔を跨ぐようにして座ぐり部に実装した第 1電子部品の下面上に第 2電子部品を実 装することができる。
[0079] 図 5は、上記の貫通孔及び座ぐり部を有するモジュール型電子部品の一例を概略 的に示す断面図である。同図に示すモジュール型電子部品 80では、貫通孔 TH2と 当該貫通孔 TH2を平面視上包含するようにしてその周囲に形成された第 1電子部 品用の座ぐり部 CB2とを有する配線基板 10Cが用いられている。第 1電子部品 15は 、貫通孔 TH2を跨ぐようにして座ぐり部 CB2に配置された状態で、配線基板 10Cに 実装されている。第 2電子部品 30は、第 1電子部品 15の下面 15b上に実装されてい る。また、他の第 2電子部品 75が第 1電子部品 15の上面 15a上に実装されている。
[0080] このモジュール型電子部品 80における配線基板 10C以外の構成は図 1に示した モジュール型電子部品 40と同様であるので、図 5に示した構成部材のうちで図 1に 示した構成部材と機能上共通するものについては、配線基板 10Cを除き、図 1で用 いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
[0081] なお、図 5においても、便宜上、はんだバンプ 13に接続されている第 1電子部品 15 の電極、及びはんだバンプ 28に接続されている第 2電子部品 30の電極それぞれの 図示を省略している。また、第 1封止榭脂層 20にはハッチングではなくスマッジング を付してある。
[0082] 上記の配線基板 10Cは、例えば所定箇所に貫通孔 TH2及び座ぐり部 CB2を有 する多層プリント配線板であり、第 1電気絶縁基材 la2の上面に第 1電子部品 15用 の配線 3aが複数本形成され、座ぐり部 CB2の平面視上の輪郭を画定する第 2電気 絶縁基材 lbが第 1電気絶縁基材 la2上に配置されている。貫通孔 TH2は、第 1電 気絶縁基材 la2に形成されている。第 1電気絶縁基材 la2の上面のうちで貫通孔 T H2の周囲に位置する領域が座ぐり部 CB2の底面となっており、個々の配線 3aでの 所定の端部は座ぐり部 CB2の底部に達している。この第 1電気絶縁基材 la2の下 面には第 2電子部品 30用の配線 3blが複数本形成されており、第 2電気絶縁基材 lbの上面には他の第 2電子部品 75用の配線 3b2が複数本形成されている。各配線 3a、 3b 1、 3b2は第 1配線群 3を構成しており、配線 3bl、 3b2それぞれの所定箇 所はソルダーレジスト層 5によって保護されて!、る。
[0083] 第 1電子部品 15は、貫通孔 TH2を跨ぐようにして、かつ、その上面 15aが座ぐり部 CB2の周囲での配線基板 10Cの上面と同一平面上にくるようにして、はんだバンプ 13により各配線 3aに接続されている。この第 1電子部品 15の下面 15bには、第 2配 線群 25を構成する各配線 25aそれぞれの一端が位置しており、これらの配線 25aの 他端は、それぞれ、第 1電子部品 15の下面 15b、第 1封止榭脂層 20の表面、及び配 線基板 10Cの下面を経て、所定の配線 3blに接続されている。また、第 1電子部品 15の上面 15aには、第 2配線群 25を構成する各配線 25bそれぞれの一端が位置し ており、これらの配線 25bの他端は、それぞれ、第 1電子部品 15の上面 15b、第 1封 止榭脂層 20の表面、及び配線基板 10Cの上面を経て、所定の配線 3b2に接続さ れている。
[0084] 第 2電子部品 30は、第 1電子部品 15の下面 15b上において、はんだバンプ 28によ り各配線 25aに接続されている。第 2電子部品 30の上面は、配線基板 10Cの下面と 同一の平面上にある。また、他の第 2電子部品 75は、第 1電子部品 15の上面 15a上 において、はんだバンプ 73により各配線 25bに接続されている。なお、図 5において は、便宜上、はんだバンプ 73に接続されている他の第 2電子部品 75の電極それぞ れの図示を省略している。
[0085] 以上説明したモジュール型電子部品 80は、図 1に示したモジュール型電子部品 40 と同様の技術的効果を奏する。第 1電子部品 15の下面に第 2電子部品が実装され、 第 1電子部品 15の上面に他の第 2電子部品 75が実装されて!、るので、図 1に示した モジュール型電子部品 40よりも電子部品の実装密度を高めることが容易である。ま た、貫通孔 TH2を跨ぐようにして第 1電子部品 15が実装され、この第 1電子部品 15 の下面に第 2電子部品 30が実装され、さらに、貫通孔 TH2を平面視上包含するよう にして第 1電子部品用の座ぐり部 CB2が配線基板 10Cに形成されているので、第 1 電子部品 15及び第 2電子部品 30それぞれの実装高さを容易に抑えることができ、結 果として、薄型又は小型の電子機器の機能の多様ィ匕に対応することが容易である。
[0086] <モジュール型電子部品（第 6実施形態） >
本発明のモジュール型電子部品では、榭脂製のコーティング膜からなる電気絶縁 層によって第 1電子部品及び第 1封止榭脂層を覆うことができる。
[0087] 図 6は、上記の電気絶縁層を有するモジュール型電子部品の一例を概略的に示す 断面図である。同図に示すモジュール型電子部品 90は、第 1電子部品 15及び第 1 封止榭脂層 20を覆うようにして設けられた榭脂製のコーティング膜からなる電気絶縁 層 82を有しているという点で、図 1に示したモジュール型電子部品 40と異なる。モジ ユール型電子部品 90における他の構成は、図 1に示したモジュール型電子部品 40 の構成と同じであるので、図 6に示した構成部材のうちの電気絶縁層 82以外の構成 部材については、図 1で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略す る。
[0088] なお、図 6においても、便宜上、はんだバンプ 13に接続されている第 1電子部品 15 の電極、及びはんだバンプ 28に接続されている第 2電子部品 30の電極それぞれの 図示を省略している。また、第 1封止榭脂層 20にはハッチングではなくスマッジング を付してある。
[0089] 上記の電気絶縁層 82は、例えば、電気絶縁性の榭脂ペーストを塗布し硬化させる ことにより、あるいは、電気絶縁性の榭脂インクを印刷し乾燥させることにより、形成す ることがでさる。
[0090] この電気絶縁層 82を形成することにより、第 1電子部品 15又は第 1封止榭脂層 20 との熱膨張差や熱収縮差に起因して配線 25aが断線してしまうことを抑制し易くなる 。配線 25aの断線を抑制するという観点からは、図示のように、各配線 25aと配線基 板 10との間にも電気絶縁層 82を介在させることが好ましい。また、電気絶縁層 82を シリコーンゴム等で形成すると、応力緩和層としても優れた電気絶縁層 82を得ること ができるので、上記の断線を更に抑制し易くなる。電気絶縁層 82の膜厚は、その材 料に応じて、 200 m程度以下の範囲内で適宜選定可能である。
[0091] 以上説明したモジュール型電子部品 90は、図 1に示したモジュール型電子部品 40 と同様の技術的効果を奏する。電気絶縁層 82によって各配線 25aの断線を抑制し 易くなるので、図 1に示したモジュール型電子部品 40よりも高 、信頼性の下に電子 機器の機能の多様ィ匕に対応することが容易である。
[0092] <モジュール型電子部品（第 7実施形態） >
本発明のモジュール型電子部品では、複数の第 1電子部品を 1つの第 1封止榭脂 層で封止し、この第 1封止榭脂層を介して第 1電子部品上に第 2電子部品を実装す ることがでさる。
[0093] 図 7は、 1つの封止榭脂層で封止された複数の第 1電子部品を有するモジュール型 電子部品の一例を概略的に示す断面図である。同図に示すモジュール型電子部品 100では、配線基板 10Dに 3つの第 1電子部品 15A、 15B、 15Cが実装され、これら の第 1電子部品 15A〜15Cが 1つの第 1封止榭脂層 20Aによって封止されている。 第 2電子部品 30は、第 1封止榭脂層 20Aを介して各第 1電子部品 15A〜15C上に 実装されている。図 7に示した構成部材のうち、ソルダーレジスト層 5、第 2配線群 25 を構成する各配線 25a、及び第 2電子部品 30それぞれの構成は図 1に示したモジュ ール型電子部品 40におけるこれらの構成と同様であるので、ここではその説明を省 略する。
[0094] 上記の配線基板 10Dは例えば片面プリント配線板カゝらなり、この配線基板 10Dの 片面には、第 1電子部品 15A用の配線 3al、第 1電子部品 15B用の配線 3a2、第 1 電子部品 15C用の配線 3a3、及び第 2電子部品 30用の配線 3bがそれぞれ複数本 ずつ形成されて、第 1配線群 3を構成している。ただし、図 7に現れている配線 3a2 は 1本のみである。
[0095] 第 1電子部品 15Aは、例えばはんだ 13aによって各配線 3alに接続されており、第 1電子部品 15Bは、例えばはんだ 13bによって各配線 3a2に接続されている。そして 、アウターリード Rを複数本有するノ ッケージタイプの第 1電子部品 15Cは、例えば図 示を省略したはんだによって各配線 3a3に接続されている。
[0096] 第 1封止榭脂層 20Aは、例えば図 1に示した第 1封止榭脂層 20と同様の原材料に よって形成されて、各第 1電子部品 15A〜15Cと配線基板 10Dとの間隙を埋めてい ると共に、これら第 1電子部品 15A〜15C間の段差を埋めている。
[0097] 第 2配線群 25を構成する各配線 25aの一端は、第 1封止榭脂層 20Aの上面に位 置しており、これらの配線 25aにおける前記の一端には、はんだバンプ 28を介して第 2電子部品 30が接続されている。したがって、第 2電子部品 30は、第 1封止榭脂層 2 OAを介して各第 1電子部品 15 A〜 15C上に実装されている。
[0098] なお、図 7においては、便宜上、はんだ 13aによって配線 3alに接続されている第 1電子部品 15Aの電極、はんだ 13bによって配線 3a2に接続されている第 1電子部 品 15Bの電極、及びはんだバンプ 28に接続されている第 2電子部品 30の電極それ ぞれの図示を省略している。さらに、第 1封止榭脂層 20Aにはハッチングではなくス マッジングを付してある。
[0099] 以上説明したモジュール型電子部品 100は、図 1に示したモジュール型電子部品 4 0と同様の技術的効果を奏する。第 2電子部品 30を配線基板 10D上の任意の場所 に実装し易くなるので、第 2電子部品を複数実装する場合には、図 1に示したモジュ ール型電子部品 40に比べてその実装が容易である。
[0100] <モジュール型電子部品（第 8実施形態） >
本発明のモジュール型電子部品では、 1つの第 1電子部品の上面又は下面に複数 の第 2電子部品を実装とすることができる。
[0101] 図 8は、 1つの第 1電子部品に複数の第 2電子部品が実装されたモジュール型電子 部品の一例を概略的に示す断面図である。同図に示すモジュール型電子部品 110 では、 1つの第 1電子部品 15の上面 15a上に 3つの第 2電子部品 30A、 30B、 30C が実装されており、これら 3つの第 2電子部品 30A〜30Cを実装するために、配線 2 5al、配線 25a2、及び配線 25a3がそれぞれ複数本ずつ立体的に形成されて、第 2配線群 25を構成している。ただし、図 8に現れている配線 25a2は 1本のみである。
[0102] 第 2電子部品 30Aは、例えばはんだ 28aによって各配線 25alに接続されており、 第 2電子部品 30Bは、例えばはんだ 28bによって各配線 25a2に接続されている。そ して、アウターリード Rを複数本有するパッケージタイプの第 2電子部品 30Cは、例え ば図示を省略したはんだによって各配線 25a3に接続されている。
[0103] 上述のように第 2配線群 25が配線 25al〜25a3によって構成され、かつ、これら の配線 25al〜25a3を利用して 3つの第 2電子部品 30A〜30Cが第 1電子部品 15 の上面 15a上に実装されて 、るという点を除けば、モジュール型電子部品 110の構 成は、図 1に示したモジュール型電子部品 40の構成と同様である。図 8に示した構成 部材のうちで図 1に示した構成部材と共通するものには図 1で用いた参照符号と同じ 参照符号を付してその説明を省略する。
[0104] なお、図 8においては、便宜上、はんだ 28aによって配線 25alに接続されている 第 2電子部品 30Aの電極、及びはんだ 28bによって配線 25a2に接続されている第 2電子部品 30Bの電極は夫々図示を省略している。
[0105] 以上説明したモジュール型電子部品 110は、図 1に示したモジュール型電子部品 4 0と同様の技術的効果を奏する。第 2電子部品として種々の電子部品を実装し易くな るので、図 1に示したモジュール型電子部品 40に比べて電子機器の機能の多様ィ匕 に対応することが容易である。
[0106] <モジュール型電子部品（第 9実施形態） > 本発明のモジュール型電子部品では、第 1電子部品上に第 2電子部品を実装し、 この第 2電子部品上に更に第 3電子部品を実装することができる。この場合、第 2電 子部品と第 1電子部品との間隙は第 2封止榭脂層によって埋められる。また、第 3電 子部品用の各配線が第 2電子部品及び第 2封止榭脂層を利用して立体的に形成さ れて、第 3配線群を構成する。
[0107] 図 9は、第 1電子部品上に実装された第 2電子部品の上に更に第 3電子部品が実 装されているモジュール型電子部品の一例を概略的に示す断面図である。同図に 示すモジュール型電子部品 140では、配線基板 10Eに第 1電子部品 15が実装され 、この第 1電子部品 15上に第 2電子部品 30が実装され、この第 2電子部品 30上に第 3電子部品 130が実装されている。これら 3つの電子部品 15、 30、 130を実装するた めに、配線基板 10Eの上面には、第 1電子部品 15用の配線 3a及び第 2電子部品 30 用の配線 3bに加えて、第 3電子部品 130用の配線 3dが複数本形成されて、第 1配 線群 3を構成している。ただし、図 9に現れている配線 3dは 1本のみである。また、第 2電子部品 30と第 1電子部品 15との間隙が第 2封止榭脂層 120によって埋められ、 この第 2封止榭脂層 120と第 2電子部品 30とを利用して、第 3電子部品 130を第 2電 子部品 30上に実装するための配線 125aが複数本、立体的に形成されている。これ らの配線 125aは、第 3配線群 125を構成している。
[0108] 上記の第 2封止榭脂層 120は、配線基板 10Eの上面に達するサイドフィレット 120a を有している。第 2配線群を構成する各配線 25aは、一部の配線 25aにおける配線 3 bとの接続箇所を除き、第 2封止榭脂層 120のサイドフィレット 120aによって覆われて いる。このような第 2封止榭脂層 120は、例えば第 1封止榭脂層 20と同様にして形成 することができる。なお、図 9においては、例えば図 1には現れないソルダーレジスト 層 5aも現れている。
[0109] 第 3配線群 125を構成する各配線 125aの一端は第 2電子部品 30の上面 30a上に あり、これらの配線 125aは、夫々、第 2電子部品 30の上面 30a上力も第 2封止榭脂 層 120の表面を経て、第 1配線群 3中の所定の配線 3dに接続されている。各配線 12 5aにおける前記の一端に、はんだバンプ 128を介して第 3電子部品 130が接続され ている。すなわち、第 2電子部品 30上に第 3電子部品 130が実装されている。各配 線 125aは、例えば第 2配線群 25を構成する各配線 25aと同様の方法によって形成 することができる。
[0110] なお、図 9に示した構成部材のうち、ソルダーレジスト層 5、第 1電子部品 15、第 2配 線群 25を構成する各配線 25a、及び第 2電子部品 30それぞれの構成は図 1に示し たモジュール型電子部品 40におけるこれらの構成と同様であるので、ここではその 説明を省略する。また、図 9においては、便宜上、はんだバンプ 13によって配線 3aに 接続されている第 1電子部品 15の電極、及びはんだバンプ 28に接続されている第 2 電子部品 30の電極それぞれの図示を省略して!/ヽる。
[0111] 以上説明したモジュール型電子部品 140では、第 1電子部品 15上に第 2電子部品 30が実装され、この第 2電子部品 30上に第 3電子部品 130が実装されているので、 配線基板 10Eへの電子部品の実装密度を高め易い。また、各配線 125aが第 2電子 部品 30の上面 30a上力も第 2封止榭脂層 120の表面を経て配線 3dに接続された構 成となっているので、これらの配線 125aは、第 2配線群 25を構成する各配線 25aと 同様に、直接描画することができる。このため、たとえ配線基板 10Eの設計後に第 3 電子部品を変更する必要が生じたとしても、配線基板 10Eに予め所望数の配線 3dを 形成しておくことにより、配線基板 10E自体の設計を変更することなぐ短期間かつ 低コストの下に上記の変更に対応することができる。これらの理由から、モジュール型 電子部品 140によっても、電子機器の機能の多様ィ匕に対応することが容易になる。
[0112] <モジュール型電子部品（変形例） >
本発明のモジュール型電子部品は、図 1〜図 9に示したモジュール型電子部品に 限定されるものではない。
[0113] 例えば、図 2に示したモジュール型電子部品 40におけるように電気絶縁層で第 1電 子部品の表面を覆う場合、この電気絶縁層の形成位置は、第 2配線群中の配線のう ちで第 2電子部品と接続される配線それぞれの一端が当該電気絶縁層上に配置さ れることになる位置であればよぐ第 2電子部品を第 1電子部品の上面上、及び下面 上のいずれに実装するかに応じて適宜選定可能である。第 2電子部品上に第 3電子 部品を実装する場合には、上記の電気絶縁層に相当する電気絶縁層を第 2電子部 品の表面の所望位置に設けることができる。 [0114] また、図 3に示したモジュール型電子部品 60及び図 5に示したモジュール型電子 部品 80におけるように配線基板に第 1電子部品用の座ぐり部を設けた場合、この座 ぐり部に配置した第 1電子部品の上面と当該座ぐり部の周囲の配線基板上面とは、 必ず同一平面上に位置させなければならないというものではなぐ一方が他方よりも 高い位置にあってもよい。電子部品の実装高さを抑えるという観点力もは、第 1電子 部品の上面と当該座ぐり部の周囲の配線基板上面とを同一平面上に位置させるか、 第 1電子部品の上面の位置を上記配線基板上面よりも低くすることが好ましい。
[0115] 図 4に示したモジュール型電子部品 70及び図 5に示したモジュール型電子部品 80 におけるように配線基板に貫通孔を設け、この貫通孔を跨ぐようにして第 1電子部品 を実装する場合には、配線基板に第 1電子部品用の座ぐり部が形成されている力否 かに拘わらず、第 1電子部品の上面及び下面それぞれに所望数の第 2電子部品を 実装することができる。
[0116] 第 1電子部品用の座ぐり部が設けられた配線基板は、図 7に示したモジュール型電 子部品 100におけるように複数の第 1電子部品を 1つの第 1封止榭脂層で封止すると きにも利用することができる。また、第 1電子部品用の座ぐり部が設けられた配線基板 や、貫通孔が設けられた配線基板は、第 1電子部品上に第 2電子部品を実装し、そ の上に更に第 3電子部品を実装する場合にも利用することができる。
[0117] 図 6に示したモジュール型電子部品 90におけるように榭脂製のコ一ティング膜から なる電気絶縁層によって第 1電子部品及び第 1封止榭脂層を覆う場合、第 1電子部 品は配線基板に設けられた座ぐり部に実装してもよいし、配線基板に設けられ貫通 孔を跨ぐようにして実装してもよい。また、図 7に示したモジュール型電子部品 100に おけるように複数の第 1電子部品を 1つの第 1封止榭脂層で封止するときには、この 第 1封止榭脂層を榭脂製のコーティング膜からなる電気絶縁層、特に応力緩和層と しても機能する電気絶縁層によって覆うことができる。さらに、第 2電子部品上に第 3 電子部品を実装するときには、榭脂製のコーティング膜からなる電気絶縁層によって 第 2電子部品及び第 2封止榭脂層を覆うこともできる。
[0118] 第 2配線群又は第 3配線群を構成する各配線を形成するにあたって前述した導電 性ペーストを用いる場合、この導電性ペーストは、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末、金 粉末、及び炭素粉末の少なくとも 1種を含んでいることが好ましい。このような導電性 ペーストを用いて配線を形成することにより、導電性が良好な配線を立体的に形成す ることが容易になる。また、導電性高分子の原料又は導電性フィラーを含有した導電 性榭脂組成物をデイスペンサ又はインクジェットプリンタ等により所望形状に塗布、印 刷して塗膜を形成した後、当該塗膜を硬化 (原料の高分子化を含む。）させることによ つても、第 2配線群又は第 3配線群を構成する各配線を形成することができる。第 2配 線群又は第 3配線群を構成する各配線を形成するにあたって導電性ペースト、導電 性高分子の原料、又は導電性フィラーを含有した導電性榭脂組成物を用いる場合に は、これらを塗布、印刷することによって形成した塗膜の硬化 (原料の高分子化を含 む。）と同時に、配線への第 2電子部品又は第 3電子部品の接続を行うことも可能で ある。
[0119] 第 2配線群又は第 3配線群を構成する各配線は、めっき法又は転写法によっても 形成することができる。めっき法によって形成する場合には、導電性が良好な配線を 立体的に形成するという観点から、所望箇所に銀、銅、ニッケル、金、又はアルミ-ゥ ムを析出させてめっき層を形成し、これによつて第 2配線群又は第 3配線群を構成す る各配線を得ることが好ましい。転写法によって形成する場合には、例えば、導電性 フィラーを含有した導電性榭脂組成物を用いて榭脂フィルム上に所定のノターンで 配線が形成された転写材を用意し、この転写材に形成されている配線を熱圧着によ り転写することによって第 2配線群又は第 3配線群を構成する各配線を得ることがで きる。
[0120] 配線基板への第 1電子部品の実装は、フリップチップ接続によって行うこともできる 。また、第 1電子部品上への電子部品の実装は、第 1電子部品を含めた 4段以上の 多段〖こすることちでさる。
[0121] く電子機器 >
本発明の電子機器は、上述した本発明のモジュール型電子部品を一部に有するも の、換言すれば、上述した本発明のモジュール型電子部品を一部に有する回路基 板を備えたものであればよぐその機能及び用途等は特に限定されない。具体例とし ては、携帯電話、携帯情報端末、通信関連機器 (交浦等)、各種の電子計算機、 表示装置、音響機器、産業用ロボット等が挙げられる。
産業上の利用可能性
本発明は、配線基板上に複数の電子部品を高密度で実装したモジュール型電子 部品として有用であり、携帯電話、携帯情報端末、通信関連機器 (交換機等)、各種 の電子計算機、表示装置、音響機器、及び産業用ロボット等の電子機器に適用でき る。

Claims

請求の範囲
[1] 複数の配線によって構成される第 1配線群が形成された配線基板と、
前記配線基板に実装された第 1電子部品と、
前記第 1電子部品と前記配線基板との間隙を埋める第 1封止榭脂層と、 前記第 1電子部品及び前記第 1封止榭脂層を利用して立体的に配置された複数 の配線によって構成される第 2配線群と、
前記第 1電子部品上に実装された第 2電子部品と、
を備え、
前記第 1配線群中の一部の配線の各一端に前記第 1電子部品が接続されていると 共に、前記第 2配線群中の所定の配線の各一端に前記第 2電子部品が接続されて おり、
前記第 2配線群中の所定の配線の各一端が、前記第 1電子部品における厚さ方向 の一方の面上にあり、前記第 2配線群中の所定の配線の夫々が、前記第 1電子部品 における厚さ方向の一方の面上力 前記第 1封止榭脂層の表面を経て、前記第 1配 線群中の他の一部の配線に接続されていることを特徴とするモジュール型電子部品
[2] 前記第 1電子部品の表面を覆う電気絶縁層を更に有し、前記第 2配線群中の所定 の配線の各一端が前記電気絶縁層上に位置していることを特徴とする請求項 1に記 載のモジュール型電子部品。
[3] 複数の配線によって構成される第 1配線群が形成された配線基板と、
前記配線基板に実装された第 1電子部品と、
前記第 1電子部品と前記配線基板との間隙を埋める第 1封止榭脂層と、 前記第 1電子部品及び前記第 1封止榭脂層を覆う電気絶縁層と、
前記第 1電子部品及び前記第 1封止榭脂層を利用して立体的に配置された複数 の配線によって構成される第 2配線群と、
前記第 1電子部品上に実装された第 2電子部品と、
を備え、
前記第 1配線群中の一部の配線の各一端に前記第 1電子部品が接続されていると 共に、前記第 2配線群中の所定の配線の各一端に前記第 2電子部品が接続されて おり、
前記電気絶縁層が榭脂製のコーティング膜からなり、
前記第 2配線群中の所定の配線の各一端が、前記第 1電子部品における厚さ方向 の一方の面上にあり、該第 2配線群中の所定の配線の夫々が、前記第 1電子部品に おける厚さ方向の一方の面上力も前記電気絶縁層の表面を経て、前記第 1配線群 中の他の一部の配線に接続されていることを特徴とするモジュール型電子部品。
[4] 前記電気絶縁層が、応力緩和層としても機能することを特徴とする請求項 3に記載 のモジュール型電子部品。
[5] 前記電気絶縁層がシリコーンゴム力もなることを特徴とする請求項 3又は 4に記載の モジュール型電子部品。
[6] 前記配線基板が前記第 1電子部品用の座ぐり部を有し、
前記第 1電子部品が前記座ぐり部に配置され、
前記第 2電子部品が前記第 1電子部品の上面上に実装されていることを特徴とする 請求項 1乃至 5のいずれか 1項に記載のモジュール型電子部品。
[7] 前記第 1電子部品の上面が、前記座ぐり部の周囲の配線基板上面と同一平面上に あるか、又は前記座ぐり部の周囲の配線基板上面よりも低い位置にあることを特徴と する請求項 6に記載のモジュール型電子部品。
[8] 前記配線基板が貫通孔を有し、
前記第 1電子部品が前記貫通孔を跨ぐようにして前記配線基板に実装され、 前記第 2電子部品の平面視上の大きさが前記貫通孔の平面視上の大きさよりも小 さぐかつ、該第 2電子部品が前記第 1電子部品の下面上に実装されていることを特 徴とする請求項 1乃至 5のいずれ力 1項に記載のモジュール型電子部品。
[9] 前記配線基板が、前記貫通孔を平面視上包含するようにして該貫通孔の周囲に形 成された第 1電子部品用の座ぐり部を更に有し、該座ぐり部に前記第 1電子部品が配 置されていることを特徴とする請求項 8に記載のモジュール型電子部品。
[10] 前記第 2電子部品の上面が、前記貫通孔の周囲の配線基板下面と同一平面上に あるカゝ、 又は前記貫通孔の周囲の配線基板下面よりも高い位置にあることを特徴とする請求 項 8又は 9に記載のモジュール型電子部品。
[11] 前記第 1電子部品の上面上に実装された他の第 2電子部品を更に備えていること を特徴とする請求項 8乃至 10のいずれ力 1項に記載のモジュール型電子部品。
[12] 前記配線基板に複数の第 1電子部品が実装され、
前記第 1封止榭脂層が、前記複数の第 1電子部品の夫々と前記配線基板との間隙 を埋めていると共に前記複数の第 1電子部品間の段差を埋めており、
該第 1封止榭脂層を介して前記第 1電子部品上に前記第 2電子部品が実装されて いることを特徴とする請求項 1乃至 7のいずれ力 1項に記載のモジュール型電子部品
[13] 前記第 1電子部品における厚さ方向の一方の面上に、複数の第 2電子部品が実装 されていることを特徴とする請求項 1乃至 12のいずれ力 1項に記載のモジュール型 電子部品。
[14] 前記第 2配線群を構成する各配線が、導電性榭脂からなるか、又は、銀粉末、銅粉 末、ニッケル粉末、金粉末、及び炭素粉末の少なくとも 1種を含む焼結体からなること を特徴とする請求項 1〜13のいずれ力 1項に記載のモジュール型電子部品。
[15] 前記第 2配線群を構成する配線の各々が、銀、銅、ニッケル、金、又はアルミニウム のめつき層力もなることを特徴とする請求項 1乃至 13のいずれか 1項に記載のモジュ ール型電子部品。
[16] 前記第 2電子部品と前記第 1電子部品との間隙を少なくとも埋める第 2封止榭脂層 と、
前記第 2電子部品及び前記第 2封止榭脂層を利用して立体的に配置された複数 の配線によって構成される第 3配線群と、
前記第 2電子部品上に実装された第 3電子部品と
を更に有し、
前記第 3配線群中の所定の配線の各一端が、前記第 2電子部品における厚さ方向 の一方の面上にあり、前記第 3配線群中の所定の配線の夫々が、前記第 2電子部品 における厚さ方向の一方の面上力 前記第 2封止榭脂層の表面を経て、前記第 1配 線群中の更に他の一部の配線に接続されており、
前記第 3配線群中の所定の配線の各一端に前記第 3電子部品が接続されているこ とを特徴とする請求項 1乃至 15のいずれ力 1項に記載のモジュール型電子部品。 請求項 1乃至 16のいずれか 1項に記載されたモジュール型電子部品を一部に有 することを特徴とする電子機器。
PCT/JP2005/016456 2004-09-08 2005-09-07 モジュール型電子部品及び電子機器 WO2006028155A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006535805A JPWO2006028155A1 (ja) 2004-09-08 2005-09-07 モジュール型電子部品及び電子機器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004260640 2004-09-08
JP2004-260640 2004-09-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006028155A1 true WO2006028155A1 (ja) 2006-03-16

Family

ID=36036437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/016456 WO2006028155A1 (ja) 2004-09-08 2005-09-07 モジュール型電子部品及び電子機器

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2006028155A1 (ja)
WO (1) WO2006028155A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094434A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Elpida Memory Inc 半導体装置およびその製造方法
WO2009078229A1 (ja) * 2007-12-18 2009-06-25 Alps Electric Co. Ltd. 半導体装置およびその製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01123361U (ja) * 1988-02-17 1989-08-22
JPH03104739U (ja) * 1990-02-13 1991-10-30
JP2001094045A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Seiko Epson Corp 半導体装置
JP2001177045A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2002033443A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Toshiba Corp 半導体モジュール
JP2002289769A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層型半導体装置およびその製造方法
JP2002368189A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体スタックドパッケージ及びその製造方法
JP2004087661A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Sony Corp チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその製造に用いる疑似ウェーハ及びその製造方法、並びに実装構造

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01123361U (ja) * 1988-02-17 1989-08-22
JPH03104739U (ja) * 1990-02-13 1991-10-30
JP2001094045A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Seiko Epson Corp 半導体装置
JP2001177045A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2002033443A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Toshiba Corp 半導体モジュール
JP2002289769A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層型半導体装置およびその製造方法
JP2002368189A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体スタックドパッケージ及びその製造方法
JP2004087661A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Sony Corp チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその製造に用いる疑似ウェーハ及びその製造方法、並びに実装構造

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094434A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Elpida Memory Inc 半導体装置およびその製造方法
WO2009078229A1 (ja) * 2007-12-18 2009-06-25 Alps Electric Co. Ltd. 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2006028155A1 (ja) 2008-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7376318B2 (en) Circuit board and its manufacturing method
US20070170582A1 (en) Component-containing module and method for producing the same
TWI264744B (en) Solid electrolytic capacitor, transmission-line device, method of producing the same, and composite electronic component using the same
JP4606849B2 (ja) デカップリングコンデンサを有する半導体チップパッケージ及びその製造方法
KR100851072B1 (ko) 전자 패키지 및 그 제조방법
CN104241255B (zh) 电子组件模块及其制造方法
JP5042049B2 (ja) コンデンサ、配線基板
KR20090022749A (ko) 적층형 반도체 패키지, 그 형성방법 및 이를 구비하는전자장치
WO2010141266A1 (en) Compliant printed circuit peripheral lead semiconductor package
JPH09321073A (ja) 半導体装置用パッケージ及び半導体装置
US8791501B1 (en) Integrated passive device structure and method
CN107424973A (zh) 封装基板及其制法
CN110473788A (zh) 覆晶封装基板的制法及其结构
CN110459521B (zh) 覆晶封装基板和电子封装件
WO2014074933A2 (en) Microelectronic assembly with thermally and electrically conductive underfill
US6941537B2 (en) Standoff devices and methods of using same
KR20080027586A (ko) 반도체 다이 모듈 및 반도체 패키지와 반도체 패키지 제조방법
JP2014086721A (ja) 電子部品が実装された基板構造及びその製造方法
JP2020150145A (ja) 半導体装置
CN102244972A (zh) 电路板及其应用
US9997504B2 (en) Electronic device module and method of manufacturing the same
WO2006028155A1 (ja) モジュール型電子部品及び電子機器
JP2005129752A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
KR20100066821A (ko) 패키지 온 패키지 및 그의 제조 방법
US20050017344A1 (en) Interconnecting component

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006535805

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase