WO2006027859A1

WO2006027859A1 - 透明導電性積層体及び透明タッチパネル

Info

Publication number: WO2006027859A1
Application number: PCT/JP2004/019807
Authority: WO
Inventors: Haruhiko Ito; Hitoshi Mikoshiba; Isao Shiroishi
Original assignee: Teijin Limited
Priority date: 2004-09-07
Filing date: 2004-12-27
Publication date: 2006-03-16
Also published as: TW200609952A; EP1787795A1; US20070298231A1; KR20070051307A

Abstract

　透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２が順次積層され、該硬化樹脂層−２上に透明導電層が積層された透明導電性積層体であって、（Ａ）硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２とのヤング率の関係、（Ｂ）硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２との塑性変形硬さの関係、（Ｃ）硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２との硬さの関係、の少なくとも１つの関係が特定の範囲にある、透明導電性積層体およびそれを用いた透明タッチパネル。

Description

明' 細書透明導電性積層体及び透明タツチパネル技術分野

本発明は、透明有機高分子基板上に透明導電層を有する透明導電性積層体及び該透明導電性積層体を用いた透明タツチパネルに関する。背景技術

近年、ディスプレイと情報入力用の透明タツチパネルを搭載した携帯型情報端末が広く普及し始めた。透明タツチパネルとして多く用いられる抵抗膜方式の透明タツチパネルは、透明導電層が形成された 2枚の透明電極基板がおよそ 1 0 μ π！〜 1 0 0 mの間隔になる様に相対させて構成されており、外力を加える部分のみで互いの透明導電層表面同士が接触してスィツチとして動作する 'ものであり、例えばディスプレイに表示されたメニューの選択、図形 ·文字の入力等を行うことができる。

液晶ディスプレイなどで狭額縁化が進み、これと同様に透明タツチパネルにも狭額縁化が進んできた。この狭額縁化に伴い従来透明タツチパネルに要求されていた筆記耐久性以外に、透明タツチパネル端部での筆記耐久性（端押し耐久性）が要求される傾向が強くなつた。

透明タツチパネルに要求される筆記耐久性を改善するために、特許文献 1、特許文献 2、特許文献 3では、 2枚の透明フィルム基材を硬さ（またはヤング率）を規定した粘着剤または透明樹脂層を介して積層した基材を用いた透明導電性積層体が提案されている。いずれの方法でも筆記耐久性を改善することは知られているが 2枚の透明フィルム基材を粘着剤または透明樹脂層を介して積層させるため生産工程が複雑となり生産効率が悪く、更に 1 0インチを超える大型透明タツチパネルを作製すると 2枚の透明フィルム基材を積層した構成のため剛性が弱く透明導電性積層体が橈む問題がある。また特許文献 4では透明導電層下に硬さ（ダイナミック硬度が 0. 005〜 2) を規定したクッション層を設けることも提案されているが、上記硬さの範囲では結晶質の透明導電層を得るための加熱処理時に、該クッション層は透明導電層の結晶化に伴う体積変化を支持することが出来ず、透明導電性積層体のヘーズが上昇し、透明導電性積層体に白化または干渉模様が観察されるようになる問題がある。

また透明プラスチックフィルム基材上に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層、及び透明導電層を順次積層した透明導電性積層体において透明導電層面の硬度を 0. 4〜0. 8 GP aと規定している特許文献 5では、特に硬化型樹脂成分の指定はなく透明導電層面の硬度を規定するだけであり、端押し耐久性試験後に硬化物層にクラックが発生し透明タツチパネルの電気特性が劣ィ匕してしまう問題がある。更に特許文献 6では高分子フィルム/応力緩和層 Z 透明導電層を順次積層させ、応力緩和層の膜厚が 10〜50 μπιでビッカーズ硬さが 38〜24 ONZmm²と規定しているが、外部からの応力を緩和する応力緩和層の硬度によっては、透明導電層の結晶化に伴う体積変化を支持することが出来ず透明導電層面に細かいしわが入り干渉模様が観察されるようになり、透明導電性積層体のヘーズが上昇する問題もある。更に特許文献 7のようにプラスチック基材層と導電層との間に硬化皮膜層を有するプラスチック積層体において、導電膜の硬度を 1 GP a以上とした場合、端押し耐久性試験時に硬化皮膜層にクラックが入り透明タツチパネルの電気特性（リニアリティー）が劣化する問題がある。

【特許文献 1】特開平 2— 66809号公報

【特許文献 2】特開平 2— 129808号公報

【特許文献 3】特開平 8— 192492号公報

. 【特許文献 4】特開平 1 1一 34206号公報

【特許文献 5】特開 2002— 163932号公報

【特許文献 6】特開 2004— 158253号公報

【特許文献 7】特開平 1 1— 286067号公報発明の開示

本発明の目的は、従来透明タツチパネルに要求されていた筆記耐久性、特に透明タツチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）を向上させた透明タッチパネルを得るための透明導電性積層体を提供することにある。図面の簡単な説明

第 1図は、本発明の実施例 1、 3、比較例 5で作製した透明タツチパネルの構成を表した模式図である。

第 2図は、本発明の実施例 2で作製した透明タツチパネルの構成を表した模式図である。

第 3図は、本発明の比較例 2、 3で作製した透明タツチパネルの構成を表した模式図である。

第 4図は、本発明の実施例 4で作製した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明を詳細に説明する。

<積層構成と S莫厚の関係〉

本発明の透明導電性積層体は、透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2が順次積層され、該硬化樹脂層一 2上に透明導電層が積層されてなる。このような二層構成とすることにより、各硬化榭脂層の特性、つまりは、硬化樹脂層一 1の柔軟性や低弾性、硬化樹脂層一 2の強靭性や高弾性の両方の特性を反映させることが可能となる。

本発明では硬化樹脂層一 1の膜厚と硬化樹脂層— 2の膜厚 d ₂が 0. 1≤ d ₂/d !≤ 3. 0であることが必要であり、 0. l

5が好ましく、更に好ましくは 0.

であり、尚且つ各層の膜厚が 0 . δ^πι^ά^ Ι Ο μπι, 0. 5 μ m d ₂ 10 μ mであることが必要であり、好ましくは 1 z m≤ d i≤ 1 0 μ m、 1 m≤ d ₂≤ 1 0 mである。 ά ₂ / ά _λ < 0 . 1の関係で硬化樹脂層— 1と硬化樹脂層— 2を透明有機高分子基板上に積層させた場合、硬化樹脂層一 2の膜厚が硬化樹脂層一 1の膜厚より極端に薄くなるため、硬化樹脂層一 2が有する特性を発揮することができず、透明導電層形成時や透明導電層を熱処理により結晶化させた後に硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2の積層体が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層が細かいしわ状模様になる。これによりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当でないものとなる。

また一方、 d ₂Z d > 3の関係で硬化樹脂層— 1と硬化樹脂層一 2を透明有機高分子基板上に積層させた場合、硬化樹脂層一 2の膜厚が硬化榭脂層— 1の膜厚より極端に厚くなるため、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2の積層効果が現れず、積層後の特性は硬化樹脂層一 2のみを用いた場合と同様になる。この透明導電性積層体を使用した透明タツチパネルの端押し耐久性は、硬化樹脂層一 2のみを透明有機高分子基板に積層して作製した透明導電性積層体を使用した透明タツチパネルと同様に、硬化樹脂層一 2にクラックが発生し透明タツチパネルの電気特性（リニアリティー）を確保することができない。

d i及び d ₂が 0 . 5 m未満では硬化樹脂層の硬化性の問題から好ましくなく、 1 0 μ ΐηを超える膜厚では加工が難しくなるため適当ではない。

くヤング率、塑性変形硬さ及び硬ざの関係 1 >

本発明の透明導電性積層体は、後述するヤング率、塑性変形硬さ及び硬さの関係のうち、少なくとも 1つの要件を満足する必要がある。

このようにすることにより、本発明が目的とする、透明タツチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）を向上させた透明タツチパネルを得るための透明導電性積層体を提供することが可能となる。

ここで、ヤング率、塑性変形硬さ及び硬さの関係は、いずれか 1つの要件を満足すればよいが、本発明の透明導電性積層体は全ての要件を満足することもある。

以下、ヤング率、塑性変形硬さ及び硬さの関係について詳述する。く要件（A) ：ヤング率の関係 >

本発明の要件（A) は透明有機高分子基板のヤング率 W。、硬化樹脂層一 1 単独でのヤング率硬化樹脂層一 2単独のヤング率 W₂、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1、硬化樹脂層一 2が順次積層された時のヤング率 W₃のそれぞれが、 W₂>W。>W₁、 W₂〉W₃〉W₁の関係にあることである。

ここで、透明有機高分子基板のヤング率を W。、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1を形成して測定したときのヤング率を W\、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 2を形成して測定したときのヤング率を W₂、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1、硬化樹脂層一 2が順次積層されたときのヤング率を W₃とする。

透明有機高分子基板の押し込み硬さ試験（インデンテーションテスター ·設定押し込み深さ： 0. 5 m) によるヤング率 W₀の例として、厚さ 188 μ mのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 OFW) は 6. 5 G P a (660 k g f /mm²) 、 Ι Ο Ο μπιのポリカーボネートフィルム（帝人化成（株）製「ピュアエース」）は 4. 3 GP a (44 0 k g f /mm²) 等がある。

硬化樹脂層— 1のヤング率が透明有機高分子基板より大きい（W。く W 場合は、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2を積層して得られた透明導電性積層体を使用して作製した透明タツチパネルの端押し耐久性後の電気特性（リニアリティー）を確保するのが難しい。また硬化樹脂層 _ 2のヤング率が透明有機高分子基板より小さい（W。>W₂) 場合は、硬化樹脂層一 2に透明導電層を形成する時、または透明導電層を熱処理により結晶化させる際に硬化樹脂層一 2が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層が細かいしわ状になる。これによりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当とは言えない。

更に、本発明の要件（A) として、ヤング率 W₃が 1. 9GP a≤W₃≤8. 8 GP a (200 k g f /mm ²≤W₃≤ 9 O O k g f /mm²) の範囲にあることが必要であり、 3. 9 GP a≤W₃≤ 8. 8 GP a (400 k g f /mm² ≤W₃≤ 900 k g f Zmm²であることが好ましく、更に好ましくは、 4. 4 GP a≤W₃≤ 8. 4 GP a (450 k g f /mm²≤W₃≤ 8 50 k g f / m²である。上記記載のヤング率 W₃の範囲で硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2 を透明高分子基板上に順次積層した時に硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2の各層の特性が充分に反映され、透明導電性積層体及び透明タツチパネルに必要とされる諸特性を充分に満足することが可能となる。 .

すなわち、硬化榭脂層一 1と硬化樹脂層一 2を透明高分子基板上に積層させた場合のヤング率 W₃が 1. 9GP a (200 k g f Zmm²) 未満の場合では、透明導電膜形成時や透明導電層を熱処理により結晶化させる際に硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2の積層体が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層が細かレ、しわ状模様になることによりへ一ズが発生するため透明導電性積層体として適当ではないものとなる。

また、ヤング率 W₃が 8. 8 GP a (900 k g f /mm²) を越える場合では、これを透明導電性積層体として使用した透明タツチパネルの端押し耐久性は劣るものとなり、クラックの発生により透明タッチパネルの電気特性（リ二ァリティー）を確保することが困難である。

<要件（B) ：塑性変形硬さの関係〉

本発明の要件（B) は硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2との塑性変形硬さが異なり、更にHV₂>HV。〉HV₁且っHV₂〉HV₃>HV₁の関係を有することである。

ここで、透明有機高分子基板の塑性変形硬さを HV。、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1を形成して測定したときの塑性変形硬さを HV^ 透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 2を形成して測定したときの塑性変形硬さを H V₂、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1、硬化樹脂層一 2が順次積層されたときの塑性変形硬さを HV₃とする。 ·

塑性変形硬さの異なる少なくとも 2つの硬化樹脂層を上記の関係で透明高分子基板上に積層することにより、各硬化樹脂層の特性、つまりは硬化樹脂層一 1の柔軟性や低弾性、硬化樹脂層一 2の強靭性や高弾性の両方の特性を反映させることが可能となり、近年透明タツチパネルに要求されている筆記耐久性と端押し耐久性を向上することが可能となる。

本発明の要件（B) は HV₂〉HV。〉HV₁且つ HV₂>HV₃>HV₁の関係にあることであるが、透明有機高分子基板の押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーシヨンテスター .設定押し込み深さ： 0. 5 μ ηι) による塑性変形硬さ HV。の例として、厚さ 1 8 8 μπιのポリエチレンテレフタレートフィルム (帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) は 5 3 9MP a (5 5 k g f / mm²) 、 1 0 0 /z mのポリカーボネートフィルム（帝人化成株式会社製「ピユアエース」）は 2 3 5MP a (24 k g f /mm²) 等がある。硬化樹脂層 — 1の塑性変形硬さが透明有機高分子基板より大きい（HV。<HV 場合は、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層— 2を積層して得られた透明導電性積層体を使用して作製した透明タッチパネルの端押し耐久性試験後の電気特性（リニアリティ一）を確保するのが難しい。

また、硬化樹脂層一 2の塑性変形硬さが透明有機高分子基板より小さい（H V₀>HV₂) 場合は、硬化樹脂層一 2が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層形成時、または透明導電層を熱処理により結晶化させる際に、透明導電層が細かいしわ状になる。これによりヘーズが発生するため透明導電' 積層体として適当とは言えない。

なお、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層— 2を前述の膜厚設定（0. l≤ d₂Z d J≤ 3. 0、 0. 5 μ m≤ d !≤ 1 0 m, 0. 5 μ m≤ d ₂≤ 1 0 μ ) で積層した場合、 HV₂〉HV₃〉HV₁の関係になる。

前記記載の膜厚設定外にあって、硬化樹脂層一 1の膜厚を薄く硬化樹脂層一 2の膜厚を厚く積層した場合、塑性変形硬さの関係は H V ₂ H V ₃となる。また、硬化樹脂層一 1の膜厚を厚く硬化樹脂層一 2の膜厚を薄く積層した場合、塑性変形硬さの関係は H V ₃ H V になる。

これらの場合、硬化樹脂層— 1または硬化樹脂層一 2を単独で透明有機高分子基板上に形成した時に近い状態となり、透明導電性積層体または透明タツチパネルの特性を確保することが困難となる。

本発明における硬化樹脂層一 1の塑性変形硬さ及び硬化樹脂層一 2の塑性変形硬さ HV₂は、透明有機高分子基板（厚さ 188 μπιのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW) ) 上に硬化樹脂層一 1または硬化樹脂層一 2を厚さ 5 μ mで形成後、硬化樹脂層面を押し込み塑性変形硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター ·設定押し込み深さ： 0. 5 μπι) で測定した時の値である。

<要件（C) ：硬さの関係 >

本発明の要件（C) は、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2との硬さが異なり、更に押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーシ.ョンテスター ·設定押し込み深さ： 0. 5 im) で測定したとき、 DH₂〉DH。>DH₁かつ DH₂>DH₃> DHiの関係を満たし、更に硬さ DH₃が 98MP a≤DH₃≤ 392MP a (10 k g f /mm²≤DH₃≤4 O k g f /mm²)- の範囲にあることである。ここで、透明有機高分子基板の硬さを DH。、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1を形成して測定したときの硬さを DH^ 透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 2を形成して測定したときの硬さを DH₂、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1、硬化樹脂層一 2が順次積層されたときの硬さを DH₃とする。

透明有機高分子基板の押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスタ一 ·設定押し込み深さ： 0. 5 /xm) による硬さ DH。の例として、厚さ 18 8 πιのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 OFW) は 274MP a (28 k g f /mm²) 、 100 /xmのポリカーボネートフィルム（帝人化成（株）製「ピュアエース」）は 167MP a (1 7 k g f /mm²) 等がある。

硬化樹脂層一 1の硬さが透明有機高分子基板より大きい（DHo DP^) 場合は、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2を積層して得られた透明導電性積層体を使用して作製した透明タッチパネルの端押し耐久性後の電気特性（リニアリティ—）を確保するのが難しい。

また、硬化樹脂層一 2の硬さが透明有機高分子基板より小さい（DH。>D H₂) 場合は、硬化樹脂層一 2が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層形成時、または透明導電層を熱処理により結晶化させる際に、透明導電層が細かいしわ状になる。これによりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当とは言えない。

硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2を前述の膜厚設定（0. l

. 0, 0. 5 μπι≤ d !≤ 10 μπι, 0. 5 μ m≤ d ₂≤ 10 μ m) で積層した場合、 DH₂〉DH₃〉DH₁の関係になる。

前記記載の膜厚設定外にあって、硬化樹脂層一 1の膜厚を薄く硬化樹脂層一 2の膜厚を厚く積層した場合、硬さの関係は D H ₂ ^ D H ₃となる。

また、硬化樹脂層一 1の膜厚を厚く硬化樹脂層一 2の膜厚を薄く積層した場合、硬さの関係は

になる。これらの場合硬化樹脂層一 1または硬化樹脂層一 2を単独で透明有機高分子基板上に形成した時に近い状態となり、透明導電性積層体または透明タツチパネルの特性を確保することが困難となる本明細書中に記載の硬化樹脂層一 1の硬さ D H i及び硬化樹脂層一 2の硬さ DH₂は、透明有機高分子基板（厚さ 1 88 / Hiのポリエチレンテレフタレートフイノレム（帝人デュポンフィルム（株）製 OFW) ) 上に硬化樹脂層一 1または硬化樹脂層一 2を厚さ 5 μ mで形成後、硬化樹脂層面を押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター '設定押し込み深さ： 0. 5 ;zm) で測定した時の値である。

更に、本発明の要件（C) として、硬さ DH₃が 98MP a≤DH₃≤ 392 MP a ( 10 k g f /πιιη²≤ΟΗ3≤ 40 k g f /mm²) が好ましく、更に好ましくは 147MP a≤DH₃ 343MP a (15 k g f /mm²≤DH₃ ≤ 35 k g f /mm²) である。この範囲であるときには、硬化樹脂層 _ 1と硬化樹脂層一 2を透明高分子基板上に順次積層した時に硬化榭脂層一 1と硬化樹脂層一 2の各層の特性が充分に反映され、透明導電性積層体及び透明タツチパネルに必要とされる諸特性を充分に満足することが可能となる。

すなわち、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2が所定の膜厚の範囲で硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2を透明高分子基板上に積層させた場合の硬さ DH₃が 98MP a (l O k g f /mm²) 未満の場合では、透明導電層形成時や透明導電層を熱処理により結晶化させる際に硬化樹脂層一 1と硬化榭脂層一 2の積層体が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層が細かいしわ状模様になる。これによりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当ではない ₀

また、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2が所定の膜厚の範囲で硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層 _ 2を透明高分子基板上に積層させた場合の硬さ DH₃が 39 2MP a (40 k g f /mm²) を超える場合では、これを透明導電性積層体として使用した透明タツチパネルは、端押し耐久性試験時にクラックの発生により透明タツチパネルの電気特性（リニアリティー）を確保することができない。

<ヤング率、塑性変形硬さ及び硬さの関係 2〉

本発明の透明導電性積層体は、前記の要件（A) 〜（C) の少なくとも 1つの要件を満足し、更に、要件（D) 〜（F) の少なくとも 1つの要件を更に満足することが好ましい。本発明の透明導電性積層体は全ての要件を満足することもある。

このようにすることにより、本発明が目的とする、透明タツチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）を更に向上させた透明タツチパネルを得るための透明導電性積層体を提供することが可能となる。

<要件（D) ：ヤング率の関係〉

本発明の要件（D) は、ヤング率が 0. 3GP a≤W₁≤4. 9 GP a ( 30 k g f /mm^W^ 500 k g f /mm²) であり、かつヤング率 W₂が 6. 9 GP a≤W₂≤ 9. 8 GP a (700 k g f /mm²≤W₂≤ 1000 k g f Zmm²) であることであり、好ましくは、 0. SGP a

9 G P a (50 k g f

500 k g f //mm²) であり、かつヤング率 W₂が 6· 9 GP a≤W₂≤ 9. 8 GP a (700 k g f /mm²≤W₂≤ 10 00 k g f /mm²) である。

この範囲とすることによって、透明導電層形成時、または透明導電層を熱処理により結晶化させる際に硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2との積層体が透明導電層を十分に支持することが出来るので、透明導電層が細かいしわ状になることもなく、ヘーズの発生も無い。透明導電性積層体に白化または干渉模様が観察されないため、透明導電性積層体として好適であり、また、該透明導電性積層体を用いて得られる透明タツチパネルは端押し耐久性試験時に硬化樹脂層一 2にクラックが発生することが無いので、透明タツチパネルの電気特性（リニァリティ一）を十分に確保することができる。

<要件（E) ：塑性変形硬さの関係〉

本発明の要件（E) は、塑性変形硬さが 9. 8MP a≤HV_:≤ 1 96 MP a (1 k g f

0 k g f /mm²) 、塑性変形硬さ HV₂ 力 S588MP a≤HV₂≤ 1078MP a (60 k g f / m²≤ V ₂≤ 1 1 0 k g f /mm²) であることである。

この範囲とすることによって、筆記耐久性試験時に、外部からの力による透明導電層へのダメージを緩和することができる。また、硬化榭脂層一 1 と硬化樹脂層一 2 との積層体が透明導電層を支持することも可能であるため、透明導電層形成時、または透明導電層を熱処理により結晶化させる際に透明導電層が細かいしわ状になることが無いため、ヘーズが発生することも無い。透明導電性積層体に白化または干渉模様が観察されるようなこともないため、透明導電性積層体として好適なものである。

また、このような透明導電性積層体を可動電極として用いて透明タツチパネルを作成し筆記耐久性試験を行つた場合には、固定電極基板上に設けられているドットスぺーサ一が該透明導電積層体の透明導電層にめりこみ透明導電層を破壊することが無いので、透明タツチパネルの電気特性（リニアリティー）の劣化は無く、また、該透明導電性積層体は端押し耐久性試験時に硬化樹脂層一 2にクラックが発生することが無いため、透明タツチパネルの電気特性（リニァリティー）を確保することも容易である。

<要件（F) ：硬さの関係 > 本発明の要件（F) は、硬さが 9. 8MP a≤DH!≤ 14. 7MP a (l k g f /mm^DH^ 1 5 k g f /mm²) 、硬さ DH₂が 245MP a

≤DH₂≤ 49 OMP a (25 k g f /mm²≤DH₂≤ 50 k g f /mm²) であることにある。

この範囲とすることによって、筆記耐久性試験時に、外部からの力による透明導電層へのダメージを緩和することができる。また、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2との積層体が透明導電層を支持することも可能であるため、透明導電層形成時、または透明導電層を熱処理により結晶化させる際に透明導電層が細かいしわ状になることが無いため、ヘーズが発生することも無い。透明導電性積層体に白化または干渉模様が観察されるようなこともないため、透明導電性積層体として好適なものである。

また、このような透明導電性積層体を可動電極として用いて透明タツチパネルを作成し筆記耐久性試験を行った場合には、固定電極基板上に設けられているドットスぺーサ一が該透明導電積層体の透明導電層にめりこみ透明導電層を破壊することが無いので、透明タツチパネルの電気特性（リニアリティー）の劣化は無く、また、該透明導電積層体は端押し耐久性試験時に硬化樹脂層一 2 にクラックが発生することが無いため、透明タツチパネルの電気特性（リニアリティ一）を確保することも容易である。

<要件（G) ：塑性変形硬さの関係〉

本発明においては、上記要件（D) 〜（F) のいずれかの要件を満足し、かつ下記要件（G) を満足することが好ましい。

本発明の要件（G) は、塑性変形硬さ HV₃が 98MP a≤HV₃≤ 833M P a (10 k g f /mm²≤HV₃≤ 85 k g f /mm²) にあることであり、好ましくは、塑性変形硬さ HV₃が 1 96MP a≤HV₃≤ 833MP a (20 k g f Zmm²≤HV₃≤ 85 k g f Zmm²) である。

この範囲にあることによって、硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2を透明高分子基板上に順次積層した時に硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2の各層の特性が充分に反映され、透明導電性積層体及び透明タツチパネルに必要とされる諸特性を充分に満足することが可能となる。

く硬化樹脂層一 1の説明〉

本発明に用いられる硬化樹脂層一 1は、（a ) ウレタンアタリレートをモノマーとする硬化樹脂及び（b ) 合成ゴムからなる群から選ばれる少なくとも一種を 1 0重量％以上含有することが好ましく、 2 0重量％以上含有することがより好ましい。

( a ) 、 ( b ) はそれぞれ単独または、これらを複数組み合わせて硬化樹脂層一 1を形成しても構わない。（a ) 、 ( b ) からなる群から選ばれる少なくとも 1種

が 1 0重量％以上の時には、本発明の要件（A) 〜（C ) のうち少なくとも 1 つを満足しやすい。

ここで、モノマーとして用いるウレタンアタリレートは、ジオールなどのポリオールを、ジイソシァネートなどの多官能性イソシァネートと反応させ、次にヒドロキシ官能性アタリレートで末端を封止されたものである。ポリオールとしては、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、炭化水素ポリオール等が挙げられる。これらのポリオールのコポリマーを使用しても良いし、これらのポリオールを単独または複数を組み合わせて使用しても良い。ポリオールの数平均分子量は、約 2 0 0〜 1 0 0 0 0が好ましく、更に好ましくは 5 0 0〜5 0 0 0である。ポリオールの数平均分子量が 2 0 0未満の場合、本発明の目的を達成できる硬化樹脂層一 1を得ることが困難になり、更に透明タツチパネルに必要な電気特性を確保することが困難となる。

更にポリオールの数平均分子量が 1 0 0 0 0を超える場合、硬化樹脂層一 1 上への硬化樹脂層一 2の加工が困難になる。更には透明導電層を支持できなくなる問題が生じる可能性もある。

一方、合成ゴムとしては、例えば、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、ブチノレゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、ェピクロノレヒドリンゴム、アタリノレゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、スチレンブタジェンゴム、クロロスルフォン化ゴム、塩素化ポリエチレン、二トリルゴム、水素添加アクリロニトリルブタジエンゴム、多硫化ゴム、アクリル酸エステル共重合体、各種合成ラテックス等が挙げられる。これらの合成ゴムのブロックコポリマーを使用しても良いし、これらを単独または複数を組み合わせて使用しても良い。

上記ウレタンアタリレートと合成ゴム以外の硬化樹脂成分として電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等が挙げられる。

電離放射線硬化型樹脂を与えるモノマーとしては、例えばポリオールァクリレート、ポリエステルアタリレート、上記以外のウレタンアタリレート、ェポキシァクリレート、変性スチレンアタリレート、メラミンアタリレート、シリコン含有ァクリレート等の単官能及び多官能ァクリレートを挙げることができる。

具体的なモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリアタリレート、トリメチロールプロパンプロピレンォキサイド変性トリアタリレート、ィソシァヌル酸エチレンォキサイド変性トリアタリレート、ペンタエリスリトールトリアタリレート、ジペンタエリスリトールへキサアタリレート、ジメチロールトリシク口デカンジァクリレート、トリプロピレンダリコールトリァクリレート、ジエチレングリコールジアタリレート、 1 , 6—へキサンジオールジアタリレート、エポキシ変性ァクリレート、ウレタン変性アタリレート等の多官能モノマーが挙げられる。

これらを単独で用いても、数種類を混合して用いてよく、また場合によっては、各種アルコキシシランの加水分解物を適量添加してもよい。なお、電離放射線によって重合を行う場合には公知の光重合開始剤が適量添加される。また必要に応じ光増感剤を適量添加してもよレ、。

光重合開始剤としては、ァセトフエノン、ベンゾフエノン、ベンゾイン、ベンゾィルベンゾエート、チォキサンソン類等が挙げられ、光増感剤としては、トリエチルァミン、トリー n—ブチルホスフィン等が挙げられる。

熱硬化型樹脂としては、メチルトリエトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のシラン化合物をモノマーとしたオルガノシラン系の熱硬化型樹脂やエーテル化メチロールメラミン等をモノマーとしたメラミン系熱硬化型樹脂、イソシァネート系熱硬化型樹脂、フエノール系熱硬化型樹脂、エポキシ硬化型樹脂等が挙げられる。これら硬化樹脂を単独又は複数組み合わせて使用することも可能である。また必要に応じ熱可塑性樹脂を混合することも可能である。なお、熱によって架橋を行う場合には公知の反応促進剤、硬化剤が適量添加される。

反応促進剤としては、例えばトリエチレンジァミン、ジブチル錫ジラゥレート、ベンジルメチルァミン、ピリジン等が挙げられる。硬化剤としては、例えばメチルへキサヒドロ無水フタル酸、 4， A ' —ジアミノジフエニルメタン、 4， 4 —ジァミノ一 3 , 3 ' —ジェチルジフエニルメタン、ジアミノジフエニルスルフォン等が挙げられる。

硬化樹脂層一 1の形成方法としては、ドクターナイフ、バーコ一ター、ダラビアロー/レコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、スピンコータ一等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレー法、浸漬法等が挙げられる。実際の塗工法としては、前記のモノマー化合物等を各種有機溶剤に溶解して、 '濃度や粘度を調節した塗工液を用いて、透明有機高分子基板上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を硬化させる方法が挙げられる。

希釈溶剤としては、水、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、ェタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、 1—メトキシ一 2—プロパノーノレ、へキサン、シクロへキサン、リグ口イン等が好ましい。

合成ゴムを使用する場合は、キシレン、トルエン、ケトン類、例えばメチルェチルケトン、メチルイソブチルケトン等を使用するのが好ましい。この他に、シクロへキサノン、酢酸プチル、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは 2種類以上の混合溶剤として用いることが出来る。

また硬化榭脂層一 1の表面を粗面化させる場合や硬さを調整する等の目的で、平均 1次粒子径が 0 . 0 0 1 μ πι以上 5 μ πι以下の微粒子を単独で、または平均 1次粒子径の異なる 2種類以上の微粒子を組み合わせ、硬化樹脂層- 1に含有させることも可能である。

<硬化樹脂層— 2の説明 >

本発明に用いられる硬化樹脂層一 2としては、電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等が挙げられる。

電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂としては、本発明の要件（A) 〜（C ) の少なくとも 1つの要件を満足する限り、前述した硬化樹脂層一 1の説明欄に記載した硬化樹脂成分と同じものを用いることができる。

なお、可動電極基板表面、固定電極基板表面がいずれも平坦である場合、透明タツチパネルを作製した時、可動電極基板表面からの反射光と固定電極基板表面からの反射光の干渉によるニュートンリングが観察されることがある。この反射光を光学的に散乱させることによりニュートンリングを防止するために硬化樹脂層一 1もしくは硬化樹脂層— 2の表面を粗面化してもよい。硬化樹脂層一 1もしくは硬化樹脂層— 2の表面を粗面化する手法としては、 1次粒子径が 0. 001 μ m以上 5 μ m以下の微粒子を単独で、または 1次粒子径の異なる 2種類以上の微粒子を組み合わせ、硬化樹脂層一 1もしくは硬化樹脂層一 2 に含有させる。前記手法により粗面化された好ましい粗面化範囲は硬化樹脂層 — 2の J I S B 0601— 1 982で定義される十点平均粗さ（R z) 力 100 n m以上 1000 n m未満であり、より好ましくは 100 n m以上 80 O nm未満であり、更に好ましくは 1 50 n m以上 500 n m未満である。且つ J I S B 0601— 1994で定義される算術平均粗さ（R a) 力 50 nm以上 500 nm未満で、更にかつ透明高分子基板、硬化樹脂層— 1及び硬化樹脂層一 2に基づく J I S B 736 1で定義されるヘーズが 5 %以下である。

ぐ透明有機高分子基板 >

本発明に用いられる透明有機高分子基板は、透明性に優れる熱可塑性または熱硬化性の有機高分子化合物をフィルムとしたものを用いることができる。か ' かる有機高分子化合物としては、耐熱性に優れた透明な有機高分子であれば特に限定しない。

例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン一 2， 6—ナフタレート、ポリジァリルフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン榭脂、ポリアリレート樹脂、アクリル樹脂、セルロースアセテート樹脂、シクロォレフインポリマー等が挙げられる。もちろんこれらはホモポリマ一、コポリマーとして、あるいは単独またはブレンドとしても使用し得る。

これらの透明有機高分子基板は一般的な溶融押し出し法もしく溶液流延法等により好適に成形されるが、必要に応じて成形した透明有機高分子フィルムに一軸延伸もしくは二軸延伸を実施して、機械的強度を高めたり、光学的機能を高めたりすることも好ましく行われる。

本発明の透明導電積層体を透明タツチパネルの可動電極基板として用いる場合には、透明タツチパネルをスィツチとして動作させるための可撓性と平坦性を保つ為の強度の点から、基板形状としての厚みは 7 5〜4 0 0 mのフィルム状のものが好ましい。固定電極基板として用いる場合は平坦性を保つ為の強度の点から厚さ 0 . 2〜4 . O mmのシート状のものが好ましいが、厚さ 5 0 〜4 0 0 μ mのフィルム状のものを他のシートと貼り合わせ、全体の厚さを 0 . 2〜4 . O mmになるような構成にして用いて¹ 良い。あるいは、厚さ 5 0 〜4 0 0 μ πιのフィルム状のものをディスプレイ表面に貼付けた構成で用いることも可能である。

本発明の透明導電積層体を透明タツチパネルの可動電極基板として用いた場合には、固定電極基板には前記有機高分子フィルム基板、ガラス基板あるいはこれらの積層体基板上に透明導電層を形成したものを用いても良い。透明タツチパネルの強度、重量の点から、単層又は積層体よりなる固定電極基板の厚さは 0 . 2〜4 . 0 mmが好ましい。

また、最近では透明タツチパネルの入力側（使用者側）の面に偏光板または、偏光板と位相差フィルムとを積層した構成の新しいタイプの透明タツチパネルが開発されてきている。この構成の利点は主として前記偏光板または、偏光板と位相差フィルムとの積層体の光学作用によって、透明タツチパネル内部における外来光の反射率を半分以下に低減し、透明タツチパネルを設置した状態でのディスプレイのコントラストを向上させることにある。

このようなタイプの透明タツチパネルでは、偏光が透明導電積層体を通過することから、透明有機高分子フィルムとして光学等方性に優れた特性を有するものを用いる事が好ましく、具体的には基板面内の遅相軸方向の屈折率を n _x 、進相軸方向の屈折率を n _y、基板の厚みを d (nm) とした場合に R e = ( n _x-n_y) X d (nm) で表される面内リタ一デーシヨン値 R eが少なくとも 3 0 nm以下であることが好ましく、 2 0 n m以下であることがより好ましい。なお、ここで基板の面内リタ一デーシヨン値は分光エリプソメータ（日本分光株式会社製 M— 1 5 0) を用いて測定した波長 5 9 0 nmでの値で代表している。

この様に例示した透明導電性積層体を偏光が通過するタィプの透明タッチパネルの用途においては、透明電極基板の面内リターデーシヨン値が非常に重要であるが、これに加えて透明電極基板の三次元屈折率特性、すなわち基板面内の遅相軸方向の屈折率を n _x、進相軸方向の屈折率 n _y、基板の膜厚方向の屈折率を n _zとした時に K= { (n _x + n_y) / 2 - n _z) X dで表される K値が一 2 5 0〜+ 1 5 0 nmであることが好ましく、一 2 0 0〜十 1 0 0 nmの範囲にあることが透明タツチパネルの優れた視野角特性を得る上でより好ましい。これらの光学等方性に優れた特性を示す透明有機高分子基板としては、例えば、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスノレフォン、トリァセチノレセノレロース、ジァセチノレセノレロース、シクロォレフィンポリマーおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合物等をフィルム状に成形した成型基板、エポキシ系樹脂等の熱硬化型樹脂の成形基板、ァクリル樹脂等の紫外線硬化型樹脂をフィルムゃシート状に成形した成形基板等が例示される。

成形性や製造コスト、熱的安定性等の観点から、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスノレフォン、シクロォレフィンポリマーおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合物等の成型基板が最も好ましく挙げられる。

より具体的には、ポリカーボネートとしては例えば、ビスフエノール A、 1 , 1—ジ（4—フエノール）シクロへキシリデン、 3 , 3 , 5—トリメチノレ一 1 , 1ージ（4一フエノール）シクロへキシリデン、フルオレン一 9 , 9—ジ ( 4—フエノール）、フルオレン一 9 , 9—ジ（3—メチノレー 4—フエノーノレ ) 等からなる群から選ばれる少なくとも一つの成分をモノマー単位とする重合体や共重合体またはこれらの混合物であり、平均分子量がおよそ 1 5 0 0 0〜 1 0 0 0 0 0の範囲のポリカーボネート（商品としては、例えば帝人化成株式会社製「パンライト」やバイエル社製「A p e c H T」等が例示される）の成型基板が好ましく用いられる。

また非晶性ポリアリレートとしては、商品として株式会社カネ力（旧鐘淵化学工業株式会社）製「エルメック」、ュニチカ株式会社製「Uポリマー」、イソノバ社製「ィサリル」等の成型基板が例示される。

シクロォレフインポリマーとしては、商品として日本ゼオン株式会社製「ゼォノア」や J S R株式会社製「ァ一トン」等の成型基板が例示される。

これらの高分子化合物を用いた成形基板の製造方法としては、溶融押出法や溶液流延法、射出成型法等の方法が例示されるが、優れた光学等方性を得る観点からは、特に溶液流延法ゃ溶融押出法を用いて成形を行うことが好ましい。 <硬化樹脂層一 3〉

本発明においては、硬化樹脂層一 2と後述の透明導電層の間に、全光線透過率等の光学特性を改良するために、硬化榭脂層— 3を設けてもよい。本発明に用いられる硬化樹脂層一 3としては、電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等が挙げられる。

硬化樹脂層一 3の形成方法として、前記硬化樹脂層一 1と同様の方法を挙げることができる。

電離放射線硬化型樹脂としては、ポリオールァクリレート、ポリエステルァクリレート、ウレタンァグリレート、エポキシアタリレート、変性スチレンァクリレート、メラミンアタリレート、シリコン含有アタリレート等の単官能及び多官能ァクリレート系電離放射線硬化型樹脂等がある。

熱硬化型樹脂としては、メチルトリエトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のオルガノシラン系の熱硬化型樹脂（アルコキシシラン）やエーテル化メチロールメラミン等のメラミン系熱硬化型樹脂ゃィソシァネート系熱硬化型樹脂、フエノール系熱硬化型樹脂、エポキシ系硬化型樹脂等が挙げられる。これらの電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂を単独又は複数組み合わせて使用することも可能である。また必要に応じ熱可塑性樹月旨を混合することも可能である。なお、熱によって架橋を行う場合には公知の反応促進剤、硬化剤が適量添加される。反応促進剤としては、例えばトリエチレンジァミン、ジブチル錫ジラウレート、ベンジルメチルァミン、ピリジン等が挙げられる。硬化剤としては、例えばメチルへキサヒドロ無水フタル酸、 4， 4 ⁷ —ジアミノジフェニルメタン、 4 , 4 ' —ジァミノ一 3 , 3 ' —ジェチルジフエニルメタン、ジアミノジフエニルスルフォン等が挙げられる。

上記アルコキシシランはこれを加水分解ならびに縮合重合することにより硬化樹脂層を形成する。かかるアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、 γ—グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、 β— ( 3、 4エポキシシクロへキシル）ェチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、 Ν— ;3 (アミノエチル） γ—ァミノプロビルトリメトキシシラン、 Ν— ]3 (アミノエチル） γ—ァミノプロピルジメトキシシラン、 _Υ—アミノプロピルトリエトキシシラン等が例示される。

これらのアルコキシシランは、層の機械的強度や密着性及び耐溶剤性等の観点から二種類以上を混合して用いることが好ましく、特に耐溶剤性の観点から、アルコキシシランの全組成中に重量比率 0 . 5〜4 0 %の範囲で、分子内にアミノ基を有するアルコキシシランが含有されていることが好ましい。

アルコキシシランは、モノマーで用いてもあらかじめ加水分解と脱水縮合を行って適度にオリゴマー化して用いても良いが、通常、適当な有機溶剤に溶解、希釈した塗工液を基板上に塗工する。基板上に形成された塗工層は、空気中の水分等により加水分解が進行し、続いて、脱水縮合により架橋が進行する。一般に、架橋の促進には適当な加熱処理が必要であり、塗工工程において 1 0 o°c以上の温度で数分間以上の熱処理を施すことが好ましい。また場合によつては、前記熱処理と並行して、紫外線等の活性光線を塗工層に照射することにより、架橋度をより高めることが出来る。

希釈用の有機溶剤としては、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、ェタノール、イソプロピルアルコール、ブタノ一ル、 1—メトキシ一 2—プロパノール、へキサン、シクロへキサン、リグ口イン等が好ましい。この他に、キシレン、トルエン、シクロへキサノン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは 2種類以上の混合溶剤として用いることが出来る。

硬化樹脂層一 3の屈折率を調整するために、平均 1次粒子径が 1 O O nm以下の金属酸化物または金属フッ化物からなる超微粒子 Cまたはフッ素系樹脂を単独で、もしくは複数組み合わせて、硬化樹脂層一 3中に配合しても良い。硬化樹脂層一 3の屈折率は、硬化樹脂層一 2の屈折率より小さく、且つ屈折率が 1. 20〜1. 55であることが好ましく、更に好ましくは 1. 20〜1· 4 5である。硬化樹脂層一 3の膜厚は 0. 05〜0. 5 / mであることが好ましく、更に好ましくは 0. 05〜0. 3 ;umである。

該超微粒子 Cの平均 1次粒子径は 100 nm以下が好ましく、更に好ましくは 50 nm以下である。該超微粒子 Cの 1次粒子径を 100 nm以下に制御することにより、硬化樹脂層一 3が白化することなく良好な光学特性を得ることができる。

該超微粒子 Cとしては、例えば B i ₂0₃、 C e〇₂、 I n ₂0₃、 ( I n ₂0₃ · S n 0₂) 、 H f 〇₂、 L a ₂0₃、 Mg F S b₂0₅、 (S b ₂0₅ - SnO ₂) 、 S i 0₂、 S n〇₂、 T i 0₂、 Y₂0₃、 Z nO、 Z r 0₂などの金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子が例示され、好ましくは Mg F₂、 S i〇₂等の屈折率が 1. 55以下の金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子である。該超微粒子 Cの含有量は、熱硬化型樹脂または Z及び電離放射線硬化型樹脂 1 0 0重量部に対して 1 0〜4 0 0重量部、好ましく 3 0〜4 0 0重量部、更に好ましくは 5 0〜3 0 0重量部である。超微粒子 Cの含有量が 4 0 0重量部を超えると、硬化樹脂層一 3の強度や密着性が不充分となる場合があり、一方超微粒子の含有量が 1 0重量部未満では所定の屈折率が得られなくなる場合がある。

フッ素系樹脂としては、例えばフッ化ビニリデン、へキサフルォロプロピレン、テトラフ/レオ口エチレン、フノレオ口エチレン、トリフノレオ口エチレン、クロロトリフノレオ口エチレン、 1， 2—ジクロロ一 1 , 2—ジフノレオ口エチレン、 2 _ブロモ一 3， 3， 3—トリフノレオ口エチレン、 3—ブロモ _ 3， 3—ジフルォロプロピレン、 3， 3， 3—トリフノレオ口プロピレン、 1 , 1 , 2—トリクロロ一 3， 3 , 3—トリフノレオ口プロピレン、 α—トリフノレオロメタクリル酸等のフッ素原子を有するモノマー成分が 5〜 7 0重量％を含有されたものが例示される。

フッ素系樹脂の含有量は、熱硬化型樹脂または及び電離放射線硬化型樹脂 1 0 0重量部に対して 5 0〜 3 0 0重量部、好ましくは 1 0 0〜 3 0 0重量部、更に好ましくは 1 5 0〜2 5 0重量部である。フッ素系樹脂の含有量が 3 0 0重量部を超えると、硬化樹脂層一 3の強度や密着性が不充分となる場合があり、一方フッ素系榭脂の含有量が 5 0重量部未満では所定の屈折率が得られなくなる場合がある。

ぐ光学干渉層〉

本発明においては、硬化樹脂層一 2と後述の透明導電層との間に、屈折率を制御し透明性を高めるために、光学干渉層を設けることができる。

本発明で用いられる光学干渉層は、少なくとも一層の高屈折率層と少なくとも一層の低屈折率層より構成される。高屈折率層と低屈折率層の組み合わせ単位を二つ以上とすることも出来る。光学干渉層が一層の高屈折率層と一層の低屈折率層から構成される場合、光学干渉層の膜厚は 3 0 n m〜3 0 0 n mが好ましく、更に好ましくは 5 0 n m〜2 0 0 n mである。本発明の光学干渉層を構成する高屈折率層は、金属アルコキシドを加水分解ならびに縮合重合して形成された層、または少なくとも 1種類以上の金属アルコキシドを加水分解ならびに縮合重合してなる成分と前記硬化樹脂層一 3に記載の平均 1次粒子径が 1 0 0 n m以下の金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子 Cとからなる層である。

本発明に用いる金属アルコキシドとして、例えば、チタニウムアルコキシド、ジルコニウムアルコキシド、アルコキシシラン等を挙げることが出来る。チタニウムアルコキシドとしては、例えばチタニウムテトライソプロポキシド、テトラー n—プロピルオルトチタネート、チタニウムテトラー n—ブトキシド、テトラキス（2—ェチルへキシルォキシ）チタネート等が例示される。ジルコ二'ゥムアルコキシドとしては、例えばジルコニウムテトライソプロボキシド、ジルコニウムテトラ _ n—ブトキシド等が例示される。

アルコキシシランとしては、前記硬化樹脂層一 3に記載したものが例示される該高屈折率層中には、前記硬化樹脂層一 3に記載の金属酸化物または金属フッ化物からなる、平均 1次粒子径が 1 0 0 n m以下の超微粒子 Cを単独または 2種類以上適当量添加することができる。該超微粒子 Cを添加することにより該高屈折率層の屈折率を調整することが可能である。

該高屈折率層中に該超微粒子 Cを添加する場合、超微粒子 Cと金属アルコキシドの重量比率は、 0 : 1 0 0〜6 6 . 6 : 3 3 . 3であることが好ましく、更に好ましくは 0 ： 1 0 0〜6 0 ： 4 0である。超微粒子 Cと金属アルコキシドの重量比率が 6 6 . 6 : 3 3 . 3を超える場合は光学干渉層に必要な強度や密着性が不足することがあり、好ましくない。

該高屈折率層の厚さとしては、好ましくは 1 5〜2 5 0 n m、より好ましくは 3 0〜： 1 5 0 n mである。

また該高屈折率層の屈折率は、後述する低屈折率層及び硬化樹脂層一 2の屈折率より大きく、その差が 0 . 2以上であることが好ましい。

本発明の光学干渉層を構成する低屈折率層として、前記硬化樹脂層一 3に記載の電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂からなる層、及びこれらの層に前記硬化樹脂層一 3に記載の金属酸化物または金属フッ化物からなる、平均 1次粒子径が 1 0 0 n m以下の超微粒子 Cを単独または 2種類以上適当量添加したものを用いることができる。該低屈折率層の厚さとしては、好ましくは 1 5〜2 5 0 n m、より好ましくは 3 0〜： I 5 0 n mである。

く微粒子 B〉

前記硬化樹脂層一 3、或いは前記光学干渉層を構成する高屈折率層及び低屈折率層の少なくとも一方に、微粒子 Bを含有してもよレ、。該硬化樹脂層— 3の場合は、平均 1次粒子径がそれの膜厚の 1 . 1倍以上で且つ平均 1次粒子径が 1 . 2 μ πι以下の微粒子 Bを、該光学干渉層の場合は、平均 1次粒子径が光学干渉層の総膜厚の 1 . 1倍以上で尚且つ平均 1次粒子径が 1 . 2 m以下の微粒子 Bを用いる。

これにより、透明導電層表面が粗面化され、固定電極基板の透明導電層表面と可動電極基板の透明導電層表面との引っ付き現象による誤作動を抑制することが可能となる。

更に、添加する微粒子 Bの平均 1次粒子径を制御することにより、液晶から出た R G B三原色光の散乱によるギラツキを生じない範囲で透明導電層表面を粗面化することができる。

また、該微粒子 Bの添加量を、微粒子 Bが添加された層を構成する硬化樹脂成分の 0 . 0 1〜0 . 5重量％の範囲にすることにより、可動電極基板の透明導電層表面と固定電極基板の透明導電層表面との引っ付き現象による透明タツチパネルの誤作動抑制効果を損なわずに白濁の無い良好な光学干渉層を形成することができる。

該微粒子 Bを、硬化樹脂層一 3、または光学干渉層を構成する高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方に過剰に添加した場合、添加した微粒子 Bが脱落しゃすくなることや、光学干渉層または硬化樹脂層一 3と硬化樹脂層一 2との密着性が低下しタツチパネルに要求される筆記耐久性を損なうことがある。上記微粒子 Bとしては、例えばシリカ微粒子、架橋アクリル微粒子、架橋ポリスチレン微粒子等が挙げられる。

該硬化樹脂層一 3の場合は、該微粒子 Bの平均 1次粒子径がその膜厚の 1 . 1倍以上で且つ平均 1次粒子径が 1 . 2 ;u m以下であり、該光学干渉層の場合は、該微粒子 Bの平均 1次粒子径が光学干渉層の総膜厚の 1 . 1倍以上で尚且つ平均 1次粒子径が 1 . 2 / m以下である。

該微粒子 Bの平均 1次粒子径が該硬化樹脂層一 3の膜厚または光学干渉層の総膜厚の 1 . 1倍未満である場合、透明導電層表面を粗面化することは困難である。一方、該微粒子 Bの平均 1次粒子径が 1 . 2 / mを超える場合、この様な微粒子を添加した透明導電性積層体を用いた透明タツチパネルを高精細力ラ —液晶画面上に設置し、透明タツチパネルを介して液晶画面を観察した時に、液晶画面はぎらついて見え、表示品位が低下してしまう。

更に該微粒子 Bの平均 1次粒子径が 1 . 2 mを超える場合、該微粒子 Bを添加している該硬化樹脂層一 3の膜厚または光学干渉層の総膜厚より平均 1次粒子径が極端に大きくなる為、添加した微粒子が脱落しやすく、透明タツチパネルに要求される筆記耐久性などの信頼性を確保することが困難となる。該硬化樹脂層一 3、或いは該光学干渉層を構成する高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方に微粒子 Bを含有させる場合、硬化樹脂層一 2に実質的に微粒子を含有しないことが好ましい。

ぐ金属化合物層〉

本発明においては、硬化樹脂層一 2と透明導電層の間に透明導電層と接して金属化合物層を設けることが可能である。該金属化合物層の膜厚は、透明導電層の膜厚より薄く、 0 . 5 n m以上 1 0 . 0 n m未満であり、好ましくは 1 . O n m以上 7 . 0 n m未満、更に好ましくは 1 . 0 n m以上 5 . O n m未満である。硬化樹脂層一 2、膜厚が制御された金属化合物層、透明導電層を順次積層することにより密着性が大幅に改善され、近年透明タツチパネルに要求される筆記耐久性及び端押し耐久性が向上する。金属化合物層の膜厚が 1 0 . O n m以上では、金属化合物層が連続体としての機械物性を示し始めることにより、透明タツチパネルに要求される端押し耐久性の向上は望めなレ、。一方、 0 . 5 n m未満の膜厚では膜厚の制御が困難なことに加え、硬化樹脂層一 2及び透明導電層との密着性を十分発現させることが困難になり、端押し耐久性の向上は困難になる。

金属化合物層としては、例えば酸化ケィ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の金属酸化物の層が挙げられる。

これらの金属化合物層は、公知の手法にて形成することが可能であり、例えば D Cマグネトロンスパッタリング法、 R Fマグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザーデポジション法、これらを複合した物理的形成法（Ph y s i c a l Va p o r D e p o s i t i o n、以下、 PVD) 等を用いることができるが、大面積に対して均一な膜厚の金属化合物層を形成するという工業生産性に着目すると、 DCマグネトロンスパッタリング法が望ましい。なお、上記物理的形成法（PVD) のほかに、 Ch em i c a l Va p o r D e p o s i t i o n (以下、 C VD)、ゾルゲル法などの化学的形成法を用いることもできるが、金属化合物層の厚みの制御の観点からはやはりスパタリング法が望ましい。

スパッタリングに用いるターゲットは金属ターゲットを用いることが望ましく、反応性スパッタ法を用いることが広く採用されている。これは、金属化合物層として用いる元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が絶縁体であることが多く、 DCマグネトロンスパッタリング法が適応できないことが多いからである。また、近年では、 2つの力ソードを同時に放電させ、ターゲットへの絶縁体の形成を抑制するような電源が開発されており、擬似的な R Fマグネトロンスパッタリング法を適応できるようになってきている。

本願発明では、金属ターゲットを用いて DCマグネトロンスパッタリング法により上記金属化合物層を製膜する場合は、該金属化合物層を製膜する真空槽中の圧力（背圧）を一且 1. 3 X 10— ⁴P a以下とし、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成することができる。金属化合物層を製膜する真空槽中の圧力を一旦 1. 3 X 10_⁴P a以下にすることが、真空槽中に残留し、且つ金属化合物層の形成過程に影響を与えることが懸念される分子種の影響を低減できるので望ましい。より望ましくは、 5 X 10一⁵ P a以下、更に好ましくは 2 X 10— ⁵P a以下である。

次いで導入される不活性ガスとしては、例えば He、 Ne、 Ar、 Kr、 X eを用いることができ、原子量の大きな不活性ガスほど形成される膜へのダメージが少なく表面平坦性が向上すると言われている。しかし、コスト面を考えると A rが望ましい。この不活性ガスには膜中に取り込まれる酸素濃度を調整するために、分圧に換算して 1. 3 X 1 0— ³〜7 X 10— ²P a台の酸素を添加しても構わない。更に、酸素の他に 0₃、 N₂、 N₂0、 H₂0、 NH₃等を目的に応じて用いることができる。

また、本願発明では、金属化合物層を製膜する真空槽中の水の分圧を 1. 3 X 10_⁴P a以下とし、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成することができる。水の分圧は、より望ましくは、 4 X 10— ⁵ P a以下、更に望ましくは 2 X 1 0— ⁵P a以下に制御できる。

層中に水素を取り込ませることで金属化合物層内部の応力を緩和するために、水を意図的に 1. 3 X 10_⁴〜3 X 10— ²P aの範囲で導入しても構わない。この調整は、一且真空を形成した後に、バリアブルリークバルブやマスフ口一コントローラーを用いて水を導入することで行っても良い。また、真空槽の背圧を制御することによつても実施することができる。

本願発明における水分圧を決定するときには、差動排気型のインプロセスモニタ一を用いても良い。またはダイナミックレンジが広く、 0. 1 P a台の圧力下においても計測が可能な四重極質量分析計を用いても良い。また、一般的に、 1. 3 X 10—⁵P a程度の真空度においては、その圧力を形成しているのは水である。よって、真空計によって計測された値をそのまま水分圧と考えても構わない。

本願発明においては、基板として高分子フィルムを用いるため、基板温度を当該高分子フィルムの軟化点温度より上昇させることはまずできない。よって、金属化合物層を形成するためには、高分子フィルムの温度は室温以下程度から軟化点温度以下とする必要がある。代表的な高分子フィルムであるポリェチレンテレフタレートの場合、特別な処理を行わないときは基板温度を 80°C以下の温度に保つたまま金属化合物層を形成することが望ましい。より望ましくは 50°C以下の基板温度にて、更に望ましくは 20°C以下である。また、耐熱高分子の上であっても、高分子フィルムからのアウトガスの制御という観点より 80°C以下、より望ましくは 50°C以下、更に望ましくは 20°C以下に設定した基板温度で形成することが望ましい。

ぐ透明導電層 >

本発明においては、硬化樹脂層一 2または前記硬化樹脂層一 3または光学干渉層または金属化合物層に接して透明導電層が設けられる。上記硬化樹脂層一 2に接して透明導電層を設けることにより、透明導電性積層体の筆記耐久性等の機械特性が向上する。ここで透明導電層としては、酸化錫を 2〜20重量％含む I T〇層やアンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫層がある。透明導電層の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の PVD法あるいは塗工法、印刷法、 CVD法があるが、 Ρ VD法または C VD法が好ましい。 P VD法または C VD法の場合、透明導電層の厚さは、透明性と導電性の点から 5〜50 nmが好ましく、更に好ましくは 10〜30 nmである。透明導電層の膜厚が 10 n m未満では抵抗値の経時安定性に劣る傾向が有り，また 30 nmを超えると透明導電性積層体の透過率が低下するため好ましくない。

透明タツチパネルの消費電力の低減と回路処理上の必要等から、膜厚 10〜 30 nmにおいて表面抵抗値が 100〜2000 Ω /口（Ω/s q) 、より好ましくは 140〜2000 口 (Ω/s q) の範囲を示す透明導電層を用いることが好ましい。更に、透明導電層として主として結晶質（実質的に結晶相 100%) のインジウム酸ィヒ物よりなる膜がより好ましい。特に結晶粒径が 3 000 nm以下の主として結晶質のインジウム酸化物からなる層が好ましく用いられる。結晶粒径が 3000 nmを超えると筆記耐久性が悪くなるため好ましくなレ、。ここで結晶粒径とは、透過型電子顕微鏡（TEM) 下で観察される多角形状または長円状の結晶粒の各領域における対角線または直径の中で最大のものと定義する。

<ハードコート層〉

本発明の透明導電性積層体を可動電極基板として用いた場合は、透明タツチパネルの作動時に外力が加わる面、すなわち透明導電層とは反対側の透明有機高分子基板面には、ハードコート層を設けることが好ましレ、。ハードコート層を形成するための材料としては、メチルトリエトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のオルガノシラン系の熱硬化型樹脂やエーテル化メチロールメラミン等のメラミン系熱硬化型樹脂、ポリオールアタリレート、ポリエステルアタリレート、ウレタンァクリレート、エポキシアタリレート等の多官能ァクリレート系紫外線硬化型樹脂等があり、必要に応じて、 S i 0 ₂や M g F ₂等の超微粒子等を混合したものを用いることができる。ハードコート層の厚さは、可撓性、耐摩擦性の点から 2〜 5 μ mが好ましい。

ハ一ドコート層は塗工法により形成することが出来る。実際の塗工法としては、前記の化合物を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を調節した塗工液を用いて、透明有機高分子基板上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を硬化させる。塗工方式としては例えば、マイクロダラビヤコート法、マイヤーバーコート法、ダイレクトグラビヤコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、コンマコート法、ダイコート法、ナイフコ —ト法、スピンコート法等の各種塗工方法が用いられる。

なお、ハードコート層は透明有機高分子基板上に直接、もしくは適当なアンカー層を介して積層される。こうしたアンカ一層としては例えば、該ハードコ一ト層と透明有機高分子基板との密着性を向上させる機能を有する層や、 K値が負の値となる三次元屈折率特性を有する層等の各種の位相補償層、水分や空気の透過を防止する機能もしくは水分や空気を吸収する機能を有する層、紫外線や赤外線を吸収する機能を有する層、基板の帯電性を低下させる機能を有する層等が好ましく挙げられる。

実施例以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより何等限定を受けるものではない。

なお、以下の実施例において、押し込み硬さ試験によるヤング率測定方法、押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ測定方法、押し込み硬さ試験機における硬さ測定方法、金属化合物層の膜厚測定方法、リニアリティー測定方法、端押し耐久性試験方法、筆記耐久性試験方法、は次の通りである。

<押し込み硬さ試験によるヤング率の測定方法 >

以下の測定装置と測定条件を用いてヤング率の測定を実施した。

測定装置：ナノインデンテーションテスター ΕΝΤ— 1 1'O O a (エリオ二クス社製）

測定面：硬化樹脂層面を測定する

測定条件：

押し込み深さ設定試験設定深さ 0. 5 m

250ステップに分割

試験荷重保持時間 1秒

使用圧子三角錐（稜間隔 ' 1 1 5° )

各試料につき 5点連続自動測定

ヤング率算出方法

荷重一変位グラフから下記式を使用して 5点連続測定のヤング率の平均値を算出する。

1 dP

ヤング率 = 1.8129 · 10— ¹ 0.0098 CGPa) h_x dh

P ：荷重、 h ：変位

ヤング率は、サンプルの弾性率と圧子の弾性率を足し合わせた複合弾性率である。

<押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さの測定方法〉以下の測定装置と測定条件を用いて塑性変形硬さの測定を実施した。

測定装置：ナノインデンテーションテスター ΕΝΤ— l l O O a (エリオ二クス社製）

測定面：硬化樹脂層面を測定する。

測定条件：

押し込み深さ設定試験設定深さ 0. 5 μπι

250ステップに分割

試験荷重保持時間 1秒

使用圧子三角錐（稜間隔 1 1 5° )

各試料につき 5点連続自動測定

塑性変形硬さ算出方法

荷重一変位グラフから下記式を使用して 5点連続測定の塑性変形硬さの平均値を算出する。除荷の際の、曲線の最大変位における接線を求め、その傾きから塑性変形量を分離してビッカーズ硬さに相当する硬さを求めたもの。圧子形状により実際のビッカーズ値は若干値が変わる。塑性変形硬さ HV = 3.7926.10— ² Ί .9.8 (MPa) hr

P m a χ ：荷重

h r ：除荷の際の、曲線の最大変位における接線の荷重 0の際の変位 <押し込み硬さ試験機による硬さの測定方法〉

以下の測定装置と測定条件を用いて硬さの測定を実施した。

測定装置：ナノインデンテーションテスタ— ENT_ 1 1 00 a (エリオ二タス社製）

測定面：硬化樹脂層面を測定する。

測定条件：

押し込み深さ設定試験設定深さ 0. 5 //m

250ステップに分割 ' 試験荷重保持時間 1秒

使用圧子三角錐（稜間隔 1 15° )

各試料につき 5点連続自動測定

硬さ算出方法：

荷重一変位グラフから下記式を使用して 5点連続測定の塑性変形硬さの平均値を算出する。除荷の際の、曲線の最大変位における接線を求め、その傾きから塑性変形量を分離してビッカーズ硬さに相当する硬さを求めたもの。圧子形状により実際のビッ力一ズ値は若干値が変わる。硬さ DH = 3.7926.10—². .9.8 (MPa)

ん max

Pm a X ：荷重

hma X ：除荷の際の、曲線の最大変位

<金属化合物層の膜厚測定方法 >

金属化合物層を形成後、蛍光 X線分析装置 R 1 X 1000 (株式会社リガク製）を使用して金属化合物層の B莫厚を測定した。

<リニアリティー測定方法 >

可動電極基板上又は固定電極基板上の平行電極間に直流電圧 5 Vを印加する。平行電極と垂直の方向に 5 mm間隔で電圧を測定する。測定開始位置 Aの電圧を E_A、測定終了位置 Bの電圧を E_B、 Aからの距離 Xにおける電圧実測値 E _x、理論値を Ε_τ、リニアリティーを Lとすると、

E_T = (E_B-E_A) X X/ (B— A) + E_A

L (%) = ( I E_T-E_X I ) / (E_B-E_A) X 100 ぐ端押し耐久性試験方法 >

作製した透明タッチパネルの可動電極基板の周囲の絶縁層から約 2 mmの位置を絶縁層と平行して先端が 0. 8 Rのポリアセタール製のペンを用いて 45 0 g荷重で直線往復 1 0万回筆記を行う（端押し耐久性試験）。端押し耐久性試験前後の透明タツチパネルのリニアリティーを測定する。端押し耐久性試験前後のリニアリティ一変化量が 1. 5%以上となるものを NG.とした。

<筆記耐久性試験方法 >

作製した透明タツチパネルの可動電極基板の中央部を対角線方向に先端が 0 . 8 Rのポリアセタール製のペンを用いて 450 g荷重で直線往復 10万回筆記を行い（筆記耐久性試験）、筆記耐久性試験前後の透明タツチパネルのリニァリティーを測定する。筆記耐久性前後の透明タツチパネルのリニアリティー変化量が 1. 5%以上となるものを NGとした。

実施例 1

厚さ 1 88 μπιのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5 GP a (6 60 k g f /mm², 押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 53 9MP a (55 k g f /mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬ざ 274MP a (28 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能アタリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4 μ mのハードコート層 1を形成した。

ウレタンアタリレート「ァロニックス」 Ml 200 (東亞合成株式会社製） 100重量部と「ィルガキュア」 1 84 (チバ ' スぺシャリティ 'ケミカルズ株式会社製） 3重量部をメチルイソプチルケトン（M I B K) へ溶解し塗工液 Aを作製した。塗工液 Aをハードコート層 1と反対面に硬化後の膜厚が 6. 0 / mとなるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射し硬化させ硬化樹脂層— 1 (a) を形成した。

硬化樹脂層一 1 (a) の塑性変形硬さ測定用のサンプル（硬化後の膜厚： 5 μπι) を同様の手法により作製し、ヤング率、塑性変形硬さ、硬さの測定を行つた。測定した結果を表 1に示す。

4官能ァクリレート「ァロニックス」 Μ400 (東亞合成株式会社製） 10 0重量部と「ィルガキュア」 1 84 (チバ ' スぺシャリティ ' ケミカルズ株式会社製） 3重量部をメチルイソブチルケトン（ΜΙ ΒΚ) へ溶解し塗工液 Βを作製した。塗工液 Βを硬化樹脂層— 1 (a) 上に硬化後の膜厚が 4. となるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 2 (a) を形成した。硬化樹脂層一 1 (a) と硬化樹脂層一 2 (a) 積層後のヤング率、塑性変形硬さ、硬さ測定を行った。測定した結果を表 1に示す。硬化樹脂層一 2 (a) のヤング率、塑性変形硬さ、硬さを測定用のサンプル (硬化後の膜厚： 5 _μπι) を同様の手法により作製し、測定を行った。測定した結果を表 1に示す。

次に γ—グリシドキシプロビルトリメトキシラン（信越化学工業株式会社製「ΚΒΜ40 3」）とメチルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製「ΚΒΜ1 3」 ) を 1 ： 1のモル比で混合し、鲊酸水溶液（ρΗ=3. 0) により公知の方法で前記アルコキシシランの加水分解を行った。こうして得たァルコキシシランの加水分解物に対して、固形分の重量比率 20 ： 1の割合で Ν -J3 (アミノエチル） γ—アミノプロピルメトキシシラン（信越化学工業株式会社製「ΚΒΜ603」）を添加し、更にイソプロピルアルコールと η—ブタノールの混合溶液で希釈を行い、アルコキシシラン塗工液 Cを作製した。

前記硬化樹脂層一 2 (a) 上にアルコキシシラン塗工液 Cをバーコート法によりコーティングを行い 1 30°C2分間の焼成後、膜厚 65 nmの硬化樹脂層 —3 (a) を作製した。更にこの硬化樹脂層— 3 (a) 上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比 95 ： 5の組成で充填密度 98%の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO層の膜厚は約 20 nm、製膜後の表面抵抗値は約 350 Ωノロ (Ω/s q) であった。作製した可動電極基板に対して 1 50°C90分間の熱処理を行い、 I TO膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、 I TOが結晶化した後の表面抵抗値は約 280 Ω/D (Ω/s q) であった。

他方、厚さ 1. 1 mmのガラス板の両面に S i〇₂ディップコートを行った後、スパッタリング法により、同様な方法で厚さ 1 8 nmの I TO膜を形成した。次に I TO膜上に高さ 7 m、直径 70 μπι、ピッチ 1. 5 mmのドットスぺーサーを形成することにより、固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図 1の透明タツチパネルを作製した。積層構成は、操作者面から順に、ハードコート層（図 1中 1) Zポリエチレンテレフタレ一トフイルム（図 1中 2) Z硬化榭脂層一 1 (図 1中 3) 硬化樹脂層一 2 (図 1中 4) /硬化樹脂層一 3 (図 1中 5) Z透明導電層（I TO 層）（図 1中 8) ノドットスぺーサ一（図 1中 1 1 ) ノ透明導電層（ I T〇層）（図 1中 8) ガラス基板（図 1中 9) である。

作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表 1に示す。実施例 2

厚さ 1 8 8 μπιのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5 GP a (6 6 0 k g f /mm², 押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 5 3 9MP a (5 5 k g ί /mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬さ 2 74MP a (2 8 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能アタリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4 μπιのハードコート層 1を形成した。

実施例 1の塗工液 Αをハードコート層 1と反対面に硬化後の膜厚が 5. 0 μ mとなるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 1 (b) を形成した。

実施例 1の塗工液 Bを硬化樹脂層一 1 (b) 上に硬化後の膜厚が 5. 5 μπι となるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 2 (b) を形成した。

硬化樹脂層一 1 (b) と硬化樹脂層— 2 (b) 積層後のヤング率、塑性変形硬さ、硬さ測定を行った。測定した結果を表一 1に示す。

テトラブトキシチタネート（日本曹達株式会社製 B— 4) をリグ口イン（和光純薬工業社製、等級：特級品）とブタノール（和光純薬工業株式会社製、等級：特級品）の混合溶媒で希釈した塗工液 Dを作製した。

塗工液 D中に平均 1次粒子径が 0. 5 mのシリカ微粒子をテトラブトキシチタネートの 1 00重量部に対して 0. 3重量部となるように混合し塗工液 E を作製した。実施例 1で用いたアルコキシシラン塗工液 Cを塗工液 Eと塗工液 Cの固形分同士の混合比が 70 ： 30になるように混合し塗工液 Fを作製した。塗工液 F に 1次粒子径が 20 nmの T i 0₂超微粒子を T i O ₂超微粒子と金属アルコキシドとの重量比率が 30 ： 70となるように混合した塗工液 Gを作製した。上記硬化樹脂層一 2 (b) 面上に、塗工液 Gをバーコート法でコーティングを行い 130°C2分間の焼成後、膜厚が 55 nmの高屈折率層を形成した。

前記高屈折率層上にアルコキシシラン塗工液 Cをバーコ一ト法によりコーテイングを行い 1 30°C2分間の焼成後、膜厚が 65 nmの低屈折率層を形成し、高屈折率層と低屈折率層よりなる光学干渉層を作製した。更にこの光学干渉層上に、酸化ィンジゥムと酸化錫が重量比 95 : 5の,組成で充填密度 98 %の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO 層の膜厚は約 20 nm、製膜後の表面抵抗値は約 350 (Ω/s q) であった。作製した可動電極基板に対して 1 50°C 90分間の熱処理を行い、 I TO膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、 I TOが結晶化した後の表面抵抗値は約 280 Ω/D (Ω/s q) であった。実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図 2の透明タツチパネルを作製した。

すなわち積層構成は、操作者面から順に、ハードコート層（図 2中 1) ポリエチレンテレフタレートフィルム（図 2中 2) Z硬化樹脂層一 1 (図 2中 3) 硬化樹脂層一 2 (図 2中 4) Z高屈折率層（図 2中 6) 低屈折率層 (図 2中 7) Z透明導電層（ I TO層）（図 2中 8) ドットスぺーサー（図 2中 1 1) ノ透明導電層（I TO層）（図 2中 8) Zガラス基板（図 2中 9) である。

作製した透明タツチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティ一を表 1に示す。実施例 3

厚さ 188； umのポリエチレンテレフタレートフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5 GP a (6 6 0 k g f /mm², 押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 5 3 9MP a (5 5 k g f /mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬さ 2 7 4MP a (2 8 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能ァクリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4 μ πιのハ一ドコ一ト層 1を形成した。

アクリロニトリルブタジエンゴム N i p o l 1 0 5 2 J (日本ゼオン株式会社製）を 7 5重量部、 4官能アタリレート「ァロニックス」 M4 0 0 (東亞合成株式会社製）を 2 5重量部、「ィルガキュア」 1 84 (チバ ·スぺシャリティ ·ケミカルズ株式会社製） 3重量部をトルエンとメチルイソブチルケトンの混合比が 1 ： 1の溶剤に溶解し塗工液 Hを作製した。塗工液 Hをハードコート層 1と反対面に硬化後の膜厚が 5. 5 /x mとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 1 (c ) を形成した。

硬化樹脂層一 1 (c) のヤング率、塑性変形硬さ、硬さ測定用のサンプル（硬化後の膜厚： 5 ^ m) を同様の手法により作製し、測定を行った。測定した結果を表 1に示す。

実施例 1で使用した塗工液 Bを硬化樹脂層一 1 ( c ) 上に硬化後の膜厚が 4. 5 /z mとなるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 2 ( c ) を形成した。硬化樹脂層一 1 ( c ) と硬化樹脂層一 2 ( c ) 積層後のヤング率、塑性変形硬さ、硬さ測定を行った。測定した結果を表 1に示す。

前記硬化樹脂層一 2 ( c ) 上に実施例 1で使用した塗工液 Cをバーコート法によりコーティングを行い 1 3 0°C2分間の焼成後、膜厚 6 5 n mの硬化樹脂層一 3 ( c ) を作製した。更にこの硬化樹脂層一 3 (c ) 上に、酸化インジゥムと酸化錫が重量比 9 5 ： 5の組成で充填密度 9 8 %の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO層の膜厚は約 2 0 nm、製膜後の表面抵抗値は約 3 5 0 Ω ロ (Ω/ s q) であった。作製した可動電極基板に対して 1 5 0°C9 0分間の熱処理を行い、 I TO膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、 I TOが結晶化した後の表面抵抗値は約 280 ΩΖ口 (Ω/s q) であった。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図 1の透明タツチパネルを作製した。

すなわち積層構成は、操作者面から順に、ハードコート層（図 1中 1) Zポリエチレンテレフタレートフィルム（図 1中 2) /硬化樹脂層一 1 (図 1中 3) Z硬化樹脂層一 2 (図 1中 4) 硬化樹脂層一 3 (図 1中 5) Z透明導電層（ I TO層）（図 1中 8) Zドットスぺーサ一（図 1中 1 1) /透明導電層 (I TO層）（図 1中 8) /ガラス基板（図 1中 9) である。

作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティーを表 1に示す。実施例 4

厚さ 188 のポリエチレンテレフタレートフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5 GP a (6 60 k g f /mm², 押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 5 3 9MP a (55 k g f /mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬さ 274MP a (28 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能アタリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4 μ mのハードコート層 1を形成した。

合成ラテックス N i p o l L X 857 X 2 (日本ゼオン株式会社製）をハードコート層 1の反対面に塗工後 100°C 2分間乾燥し、膜厚が 6. 0 の硬化榭脂層— 1 (d) を形成した。硬化樹脂層 _ 1 (d) の硬さ測定用のサンプル（乾燥後の膜厚： 5 m) を同様の手法により作製し、ヤング率、塑性変形硬さ、硬さ測定を行った。測定した結果を表 1に示す。

実施例 1で使用した塗工液 Bを硬化樹脂層一 1 (d) 上に硬化後の膜厚が 4. 5 jumとなるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 2 (d) を形成した。硬化樹脂層— 1 (d) と硬化樹脂層 _ 2 (d) 積層後のヤング率、塑性硬さ、硬さ測定を行った。測定した結果を表 1 に示す。

実施例 2と同様にして光学干渉層を形成した後、光学干渉層の低屈折率層上に S iタ一ゲットを用いてスパッタリング法により S i Ox層を形成した。形成された S i O X層の膜厚は約 2. O nmであった。次いで S i Ox層上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比 97 ： 3の組成で充填密度 98%の酸化インジゥム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO層の膜厚は約 20 nm、製膜後の表面抵抗値は約 550 Ω/D (Q/ s q) であった。作製した可動電極基板に対して 1 50°C60分間の熱処理を行い、 I TO膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板に^ ^一ズ変化は見られず、 I TOが結晶化した後の表面抵抗値は約 450 Ω/D (Ω/s q) であった。

実施例 1と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図 4の透明タッチパネルを作製した。

すなわち積層構成は、操作者面から順に、ハードコート層（図 4中 1) /ポリエチレンテレフタレートフィルム（図 4中 2) /硬化樹脂層 _ 1 (図 4中 3) Z硬化樹脂層一 2 (図 4中 4) 高屈折率層（図 4中 6) 低屈折率層 (図 4中 7) ノ金属化合物層（S i Ox層）（図 4中 10) ノ透明導電層（I TO層）（図 4中 8) ドットスぺーサ一（図 4中 1 1) Z透明導電層（I T O層）（図 4中 8) Zガラス基板（図 4中 9) である。

作製した透明タツチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表 1に示す。比較例 1 .

厚さ 1 88 πιのポリエチレンテレフタレートフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5 GP a (6 60 k g f /mm², 押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 53 9MP a (55 k g f ノ mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬さ 274MP a (28 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能アタリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4 μ mのハードコート層 1を形成した。

実施例 1で作製した塗工液 Aをハードコート層 1と反対面に硬化後の膜厚が 5. 0 となるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 1 (e) を形成した。

前記硬化樹脂層一 1 (e) 上に実施例 1で作製した塗工液 Cをバーコート法によりコーティングを行い 130°C2分間の焼成後、膜厚 65 nmの硬化樹脂層一 3 (e) を作製した。更にこの硬化樹脂層一 3 (e) 上に、酸化インジゥムと酸化錫が重量比 95 ： 5の組成で充填密度 98%の酸化インジウム一酸化錫タ一ゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO層の膜厚は約 20 nm 、製膜後の表面抵抗値は約 350 Ω ロ (Ω/s q) であった。作製した可動電極基板に対して 1 50°C90分間の熱処理を行ったが、 I TO層に細かいしわが入り可動電極基板のヘーズが上昇（白化）してしまった。比較例 2

厚さ 1 88； umのポリエチレンテレフタレートフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5GP a (6 60 k g f /mm², 押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 5 3 9MP a (55 k g f /mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬さ 274MP a (28 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能アタリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4 mのハードコート層 1を形成した。

実施例 1で作製した塗工液 Bをハードコート層 1と反対面に硬化後の膜厚が 5. 0 μ mとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 2 (f ) を形成した。

前記硬化樹脂層— 2 (f ) 上に実施例 1で作製した塗工液 Cをバーコ一ト法によりコーティングを行い 130°C2分間の焼成後、膜厚 65 nmの硬化樹脂層一 3 (f ) を作製した。更にこの硬化樹脂層一 3 (f ) 上に、酸化インジゥムと酸化錫が重量比 95 : 5の組成で充填密度 98 %の酸化ィンジゥム一酸ィ匕錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO層の膜厚は約 20 nm 、製膜後の表面抵抗値は約 350 Ω /口 (Ω/s q) であった。作製した可動電極基板に対して 1 50°C 90分間の熱処理を行い、 I TO膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、 I TOが結晶化した後の表面抵抗値は約 280 ΩΖ口 (Ω/ s q) であった。

実施例 1と同様に固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図 3の透明タッチパネルを作製した。

すなわち積層構成は、操作者面から順に、ハードコート層（図 3中 1) Zポリエチレンテレフタレートフィルム（図 3中 2) 硬化樹脂層一 2 (図 3中 4) Z硬化樹脂層一 3 (図 3中 5) Z透明導電層（ I TO層）（図 3中 8) / ドットスぺーサー（図 3中 1 1) Z透明導電層（I TO層）（図 3中 8) ノガラス基板（図 3中 9) である。

作製した透明タツチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表 1に示す。比較例 3

厚さ 188 jumのポリエチレンテレフタレートフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5 GP a (6 6 0 k g f /mm²、押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 539MP a (55 k g f /mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬さ 274MP a (28 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能アタリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4； u mのハードコート層 1を形成した。

多官能ァクリレート NKオリゴ U 15HA (新中村化学工業株式会社製 ) 100重量部と単官能アタリレート「ァロニックス」 TO— 1429 (東亞合成株式会社製） 100重量部と「ィルガキュア」 184 (チバ ·スぺシャリティ ·ケミカルズ株式会社製） 10重量部をメチルイソブチルケトン（M I B K) へ溶解し塗工液 Iを作製した。塗工液 Iをハ一ドコート層 1と反対面に硬化後の膜厚が 4. 0 i mとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 2 (g) を形成した。作製した硬化樹脂層一 2 (g) のヤング率、塑性変形硬さ、硬さを測定した結果を表 1に示す。

前記硬化樹脂層一 2 (g) 上に実施例 1で作製した塗工液 Cをバーコート法によりコーティングを行い 1 30°C2分間の焼成後、膜厚 65 nmの硬化樹脂層一 3 (g) を作製した。更にこの硬化樹脂層一 3 (g) 上に、酸化インジゥムと酸化錫が重量比 9 5 ： 5の組成で充填密度 9 8%の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO層の膜厚は約 2 0 nm 、製膜後の表面抵抗値は約 3 5 0 ΩΖ口 (Ω/s q) であった。作製した可動電極基板を 1 5 0°C9 0分の熱処理を行い、 I TO膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、 I TOが結晶化した後の表面抵抗値は約 2 8 0 Ω 口 (Ω/ s q) であった。

実施例 1と同様に固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図 3の透明タツチパネルを作製した。

すなわち積層構成は、操作者面から順に、ハードコート層（図 3中 1 ) ポリエチレンテレフタレートフィルム（図 3中 2) Z硬化樹脂層ー 2 (図 3中 4) Z硬化樹脂層一 3 (図 3中 5) 透明導電層（ I TO層）（図 3中 8) / ドットスぺーサ一（図 3中 1 1 ) ノ透明導電層（ I TO層）（図 3中 8) ガラス基板（図 3中 9) である。

作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリユアリティーを表 1に示す。比較例 4

厚さ 1 8 8 μ mのポリエチレンテレフタレートフイノレム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5 G P a (6 6 0 k g f /mm², 押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 5 3 9MP a (5 5 k g f /mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬さ 2 7 4MP a (2 8 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能アタリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4 μ mのハードコート層 1を形成した。

実施例 1の塗工液 Aをハードコート層 1と反対面に硬化後の膜厚が 8. 0 μ mとなるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 1 (h) を形成した。

実施例 1の塗工液 Bを硬化樹脂層一 1 (h) 上に硬化後の膜厚が 0.' 7 5 μ mとなるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 2 (h) を形成した。硬化樹脂層一 1 (h) と硬化樹脂層— 2 (h) 積層後のヤング率、塑性変形硬さ、硬さ測定を行った。測定した結果を表 1に示す。

前記硬化樹脂層一 1 (h) 上に実施例 1で作製した塗工液 Cをバーコート法によりコーティングを行い 1 30°C2分間の焼成後、膜厚 65 nmの硬化樹脂層一 3 (h) を作製した。更にこの硬化樹脂層 _ 3 (h) 上に、酸化インジゥムと酸化錫が重量比 95 ： 5の組成で充填密度 98%の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO層の膜厚は約 20 nm, 製膜後の表面抵抗値は約 350 Ωノロ {Q/ s q) であった。作製した可動電極基板に対して 1 50°C90分間の熱処理を行ったが、 I TO層に細かいしわが入り可動電極基板のヘーズが上昇（白化）してしまった。比較例 5

厚さ 1 88； umのポリエチレンテレフタレートフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製 OFW、押し込み硬さ試験によるヤング率 6. 5 GP a (6 60 k g f /mm², 押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ 5 3 9MP a (55 k g f /mm²) 、押し込み硬さ試験機による硬ざ 274MP a (28 k g f /mm²) ) の片面に紫外線硬化型多官能アタリレート樹脂塗料を用いて厚さ 4 ;z mのハードコート層 1を形成した。

実施例 1の塗工液 Aをハードコート層 1と反対面に硬化後の膜厚が 1. 5 mとなるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層 _ 1 ( i) を形成した。

実施例 1の塗工液 Bを硬化樹脂層一 1 ( i ) 上に硬化後の膜厚が 6. 0 /zm となるようにバーコ一ト法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層一 2 ( i ) を形成した。硬化樹脂層一 1 ( i ) と硬化樹脂層一 2 ( i) 積層後のヤング率、塑性変形硬さ、硬さ測定を行った。測定した結果を表 1に示す。前記硬化樹脂層一 2 ( i) 上に実施例 1で作製した塗工液 Cをバーコート法によりコーティングを行い 130°C2分間の焼成後、膜厚 65 nmの硬化樹脂層一 3 (i) を作製した。更にこの硬化樹脂層一 3 (i) 上に、酸化インジゥムと酸化錫が重量比 95 ： 5の組成で充填密度 98%の酸化インジウム一酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法により I TO層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成された I TO層の膜厚は約 20 nm 、製膜後の表面抵抗値は約 350 Ωノロ (Ω/s q) であった。作製した可動電極基板に対して 150°C90分間の熱処理を行い、 I TO膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、 I TOが結晶化した後の表面抵抗値は約 280 ΩΖ口 (Ω/ s q) であった。

実施例 1と同様に固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図 1の透明タツチパネルを作製した。

すなわち積層構成は、操作者面から順に、ハードコート層（図 1中 1) /ポリエチレンテレフタレートフィルム（図 1中 2) Z硬化樹脂層一 1 (図 1中 3) 硬化樹脂層一 2 (図 1中 4) 硬化樹脂層一 3 (図 1中 5) Z透明導電層（ I TO層）（図 1中 8) ノドットスぺーサ一（図 1中 1 1) 透明導電層 (I TO層）（図 1中 8) ガラス基板（図 1中 9) である。

作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行つた。試験前後のリニアリティーを表 1に示す。 .

表

W HV DH 筆記耐久性端押し耐久性

GPa (kgf/mm²) MPa (kgf/mm²) MPa (kgf/mm²) エア!)ティ- %) (リニア¹ jティ- %)

上段： W_t 上段： HV_t 上段： DH, d ₂/d！

中段： W₂ 中段： HV₂ 中段： DH₂ 初期試験後変化量初期試験後変化量

下段： w₃ 下段： HV₃ 下段： DH₃

3.1(310) 107.9(11) 88.3(9)

1 • 9.4(950) 961.1(98) 431.5(44) 0.66 0.8 0.96 , +0.12 0.78 0.79 +0.01

6.4(650) 539.4(55) 274.6(28)

3.1(310) 107.9(11) 88.3(9)

2 9.4(950) 961.1(98) 431.5(44) 1.10 0.66 0.72 +0.06 0.54 0.69 +0.15

実

7.7(780) 637.4(65) 304.0(31)

施

2.6(260) 68.6(7) 68.6(7)

例

3 9.4(950) 961.1 (98) 431.5(44) 0.81 0.78 0.86 +0.08 0.93 0.98 +0.05

6.0(610) 480.5 (49) 264.8(27)

0.4(42) 109.8(11) 20.6(2) - on

4 9.4(950) 961.1(98) 431.5(44) 0.75 0.54 0.56 +0.02 0.66 0.69 +0.03

5.9(600) 264.0(27) 178.5(18)

3.1(310) 107.9(11) 88.3(9)

1 - - - ― —一 ― - ― ― ―

- - -

2 9.4(950) 961.1(98) 431.5(44) ― 0.59 0.60 +0.01 0.90 23.0 +21.1

一 - - 比 - - - 較 3 7.6(772) 507.6(52) 293.7(30) ― 0.65 0.71 +0.06 0.54 7.91 +7.37

例 - - • -

3.1(310) 107.9(11) 88.3(9)

4 9.4(950) 961.1(98) 431.5 (44) 0.09 ― ― - ― ― ―

4.3 (440) 198.1(20) 98.1(10) -

3.1(310) 107.9(11) ■ 88.3(9)

5 9.4(950) 961.1(98) 431.5(44) 4.0 0.98 1.16 +0.18 0.72 33.4 +32.7

9.1 (920) 921.7(93) 421.7(43)

ここで、比較例 1、比較例 4では可動電極基板熱処理後に I TO面に細かいしわが発生しヘーズが上昇（白化）したため筆記耐久性及び端押し耐久性試験を実施していない。また、表中の各略号は以下を表す。

：硬化樹脂層- 1単独での押し込み試験によるヤング率。

W₂ ：硬化樹脂層- 2単独での押し込み試験によるヤング率。

W₃ ：硬化樹脂- 1と硬化樹脂層- 2を積層後の押し込み試験によるヤング率。 HV, ：硬化樹脂層- 1単独での押し込み試験による塑性変形硬さ。

HV₂ ：硬化樹脂層- 2単独での押し込み試験による塑性変形硬さ。

HV₃ ：硬化樹脂- 1と硬化樹脂層- 2を積層後の押し込み試験による塑性変形硬さ。

DH_X ：硬化樹脂層- 1単独での押し込み試験による硬さ。

DH₂ ：硬化樹脂層- 2単独での押し込み試験による硬さ。

DH₃ ：硬化樹脂- 1と硬化樹脂層- 2を積層後の押し込み試験による硬さ。 d , ：硬化樹脂層— 1の膜厚。

d₂ ：硬化樹脂層一 2の膜厚。

Claims

請求の範囲

1. 透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2が順次積層され、該硬化樹脂層一 2上に透明導電層が積層された透明導電性積層体であって、該硬化榭脂層一 1の膜厚と該硬化樹脂層一 2の膜厚 d₂が 0. l≤d₂ d S. 0の関係にあり、かつ膜厚が 0. δ μπι^ά ≤ 1 0 0. 5 μ m≤ d ₂ 1 0 mであり、更に下記要件（A) 〜（C

) の少なくとも 1つの要件を満足することを特徴とする、透明導電性積層体。要件（A) ：硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2とのヤング率が異なり、押し込み硬さ試験（インデンテーションテスター '設定押し込み深さ： 0. 5 μπι

) で測定したとき、 w₂>w。〉w₁かっw₂>w₃〉w₁の関係を満たし、更にヤング率 W₃が 1. 9GP a≤W₃≤8. 8 G P a (200 k g f /mm²≤W₃ ≤ 900 k g f /mm²) の範囲にあること。（ただし、透明有機高分子基板のヤング率を w。、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1を形成して測定したときのヤング率を透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 2を形成して測定したときのヤング率を w₂、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1、硬化樹脂層一 2が順次積層されたときのヤング率を W₃とする。）

要件（B) ：硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2との塑性変形硬さが異なり、更にHV₂>HV。>HV₁且っHV₂〉HV₃〉HV₁の関係を有すること。（ただし、透明有機高分子基板の塑性変形硬さを HV。、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1を形成して測定したときの塑性変形硬さを HV^ 透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 2を形成して測定したときの塑性変形硬さを H V

₂、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1、硬化樹脂層一 2が順次積層されたときの塑性変形硬さを HV₃とする。）

要件（C) ：硬化樹脂層一 1と硬化樹脂層一 2との硬さが異なり、押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター '設定押し込み深さ： 0. 5 //m ) で測定したとき、 01"1₂>0^1。〉01^₁かっ01^₂>01^₃〉011₁の関係を満たし、更に硬さ DH。が 98MP a≤DH₃≤ 392MP a (10 k g f /m m²≤DH₃≤ 4 0 k g f /mm²) の範囲にあること。（ただし、透明有機高分子基板の硬さを DH。、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層— 1を形成して測定したときの硬さを D H i、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 2を形成して測定したときの硬さを D H ₂、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層一 1、硬化樹脂層一 2が順次積層されたときの硬さを DH₃とする。）

2. 該硬化樹脂層一 1の膜厚 d ,と該硬化樹脂層一 2の膜厚 d ₂が 0. 1 5≤ d ₂/ ά !≤ 2. 5の関係にあり、且つ膜厚が 1

m ≤ d ₂≤ 1 0 μ mである、請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

3. 下記要件（Α' ) を更に満足する、請求の範囲第 1項記載の透明導電性積層体。

要件（Α' ) ：ヤング率 W₃が 3. 9 G P a≤W₃≤ 8. 8 G P a (40 0 k g f /mm²≤W₃≤ 900 k g f /mm²) の範囲にあること。

4. 下記要件（D) 〜（F) の少なくとも 1つの要件を更に満足する、請求の範囲第 1項記載の透明導電性積層体。

要件（D) ：ヤング率 W が 0. S GP a

. 9 GP a (30 k g ί / mm^W^ 500 k g f mm²) であり、かつヤング率 W₂が 6. 9 GP a ≤W₂≤ 9. 8 G P a (700 k g f /mm²≤W₂≤ 1 000 k g f /mm²) であること。

要件（E) ：塑性変形硬さが 9. 8MP a ^HV^ 1 9 6MP a (l k g f /vam²≤UY _x≤ 2 O k g f /mm²) 、塑性変形硬さ HV₂が 58 8MP a≤HV₂≤ 1 078MP a (60 k g f Ίηπι²≤Ην₂≤ 1 1 0 k g f / m²) であること。

要件（F) ：硬さが 9. 8MP a ^DH^ 1 4 7MP a ( 1 k g f / m^DH^ l S k g f /mm²) 、 D H ₂が 24 5 M P a≤ D H ₂≤ 4 9 0 M P a (25 k g f /mm²≤DH₂≤ 5 O k g f /mm²) であること。

5. 下記要件（D' ) を更に満足する、請求の範囲第 4項に記載の透明導電性積層体。

要件（D' ) ：ヤング率が 0. SGP a

9 G P a (50 k g f /mm^W^ 5 00 k g f /mm²) であり、かつヤング率 W₂が 6. 9 GP a≤W₂≤ 9. 8 GP a (7 00 k g f /mm²≤W₂≤ 1 000 k g f /mm² ) であること。

6. 下記要件（G) を更に満足する、請求の範囲第 4項に記載の透明導電性積層体。

要件（G) ：塑性変形硬さ HV₃が 98MP a≤HV₃≤ 8 3 3MP a (1 0 k g f /mm²≤HV₃≤ 8 5 k g f /mm²) の範囲にあること。

7. 下記要件（G' ) を更に満足する、請求の範囲第 6項に記載の透明導電性積層体。

要件（G' ) ：塑性変形硬さ HV₃が 1 9 6MP a≤HV₃≤ 8 3 3MP a (2 0 k g f /mm²≤HV₃≤ 8 5 k g ί /mm²) の範囲にあること。

8. 硬化樹脂層一 2と透明導電層との間に、透明導電層と接し、且つ膜厚が透明導電層より薄く、更に膜厚が 0. 5 nm以上 1 0. O nm未満である金属化合物層を有する、請求の範囲第 1項記載の透明導電性積層体。

9. 硬化樹脂層 _ 1が（a) ウレタンアタリレートをモノマーとする硬化榭脂及び（b) 合成ゴムからなる群から選ばれる少なくとも 1種を 1 0重量％以上含有する、請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

1 0. 硬化樹脂層一 1が（a) ウレタンアタリレートをモノマーとする硬化樹脂及び（b) 合成ゴムからなる群から選ばれる少なくとも 1種を 1 0重量％以上含有する、請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

1 1. 硬化樹脂層— 2と透明導電層との間に屈折率が 1. 20〜1. 55で且つ膜厚が 0. 05〜0. 5 μπιの硬化樹脂層— 3を有する、請求の範囲第 1 項に記載の透明導電性積層体。

1 2. 硬化樹脂層一 3は、平均 1次粒子径が該硬化樹脂層一 3の膜厚の 1. 1倍以上で且つ平均 1次粒子径が 1. 2 / m以下の大きさにある微粒子 Βを含有する、請求の範囲第 1 1項に記載の透明導電性積層体。

1 3. 硬化樹脂層— 3中の微粒子 Bの含有量が、硬化樹脂層一 3を形成する硬化樹脂成分を基準として 0. 5重量％以下である、請求の範囲第 12項に記載の透明導電性積層体。

14. 硬化樹脂層 _ 2と金属化合物層との間に屈折率が 1. 20〜1. 55 で且つ膜厚が 0. 05〜0. 5 mの硬化樹脂層一 3を有する、請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

15. 硬化樹脂層一 3は、平均 1次粒子径が該硬化樹脂層一 3の膜厚の 1. 1倍以上で且つ平均 1次粒子径が 1. 2 m以下の大きさにある微粒子 Bを含有する、請求の範囲第 14項に記載の透明導電性積層体。 '

1 6. 硬化樹脂層一 3中の微粒子 Bの含有量が、硬化樹脂層一 3を形成する硬化樹脂成分を基準として 0. 5重量％以下である、請求の範囲第 1 5項に記載の透明導電性積層体。

1 7. 硬化樹脂層 - 2と透明導電層との間に少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層からなる光学干渉層を有し、且つ低屈折率層が透明導電層と接する、請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

1 8. 高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方に、平均 1次粒子径が光学干渉層の膜厚の 1. 1倍以上で且つ平均 1次粒子径が 1. 2 _μπι以下の微粒子 Bを含有する、請求の範囲第 1 7項に記載の透明導電性積層体。

1 9. 光学干渉層中の微粒子 Bの含有量が、高屈折率層及び又は低屈折率層を形成する硬化樹脂成分の 0. 5重量％以下である、請求の範囲第 18項に記載の透明導電性積層体。

20. 硬化樹脂層 - 2と金属化合物層との間に少なくとも 1層の低屈折率層と少なくとも 1層の高屈折率層からなる光学干渉層を有し、且つ低屈折率層が金属化合物層と接する、請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

21. 高屈折率層と該低屈折率層の少なくとも一方に、平均 1次粒子径が光学干渉層の膜厚の 1. 1倍以上で且つ平均 1次粒子径が 1. 以下の微粒子 Bを含有する、請求の範囲第 20項に記載の透明導電性積層体。

22. 光学干渉層中の微粒子 Bの含有量が、高屈折率層及び Z又は低屈折率層を形成する硬化樹脂成分の 0. 5重量％以下である、請求の範囲第 2 1項に ' 記載の透明導電性積層体。

23. 透明導電層が、酸化インジウムを主成分とした結晶質の膜であり、且つ透明導電層の膜厚が 5〜 50 nmである、請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体。

24. 透明導電層が、酸化インジウムを主成分とした結晶質の膜であり、且つ透明導電層の膜厚が 5〜50 nmである、請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体。

2 5 . 少なくとも片面に透明導電層が設けられた 2枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として請求の範囲第 1項に記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする透明タツチパネル。

2 6 . 少なくとも片面に透明導電層が設けられた 2枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として請求の範囲第 8項に記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする透明タツチパネル。