WO2006025183A1

WO2006025183A1 - ウェハ温度調整装置及びウェハ温度調整方法

Info

Publication number: WO2006025183A1
Application number: PCT/JP2005/014327
Authority: WO
Inventors: Kouichi Harada; Junichi Teraki; Mitsuhiro Tanaka
Original assignee: Daikin Industries, Ltd.
Priority date: 2004-08-30
Filing date: 2005-08-04
Publication date: 2006-03-09

Abstract

　温度調整の対象となるウェハと、所定の温度に設定された平面との間に隙間を設けつつも、両者間の熱伝導を向上させる。温調プレート３は、その上側に平面３ｃと、平面３ｃから突出する突起４４，４５を有している。半導体ウェハＷは、平面３ｃの上方で後述する流体Ｆ１０によって支持される。突起４４，４５は、平面３ｃの上方において半導体ウェハＷの端部が平面３ｃに平行な移動を制限する。温調プレート３の中央部には、平面３ｃにおいて設けられて流体を供給する少なくとも一つの吹き出し口３ａが一つ設けられている。吹き出し口３ａは、流体流入口３１０から矢印の方向に向かって冷却部１及び温調プレート３を貫通して導入された流体Ｆ１０を吹き出すことにより、平面３ｃにおいて流体Ｆ１０を供給する。

Description

明細書

ウェハ温度調整装置及びウェハ温度調整方法

技術分野

[0001] この発明は温度調整技術に関し、特にゥハ (例えば半導体ウェハ)を加熱、冷却する技術に関する。

背景技術

[0002] 半導体ウェハの処理の一工程である、リソグラフィー工程において、薬液の塗布、加熱、温度調整が繰り返される。そしてこれら加熱、冷却工程では温度管理が厳しく要求される。また、生産性向上のため、冷却、加熱に要する時間を短縮することも要求されている。

[0003] 半導体ウェハの温度を調整する際、温度調整された平面を有する温調プレート〖こ接触させると、半導体ウェハの微少な破片が発生したり、温調プレート上のゴミが半導体ウェハに付着したりする。あるいは更に、半導体ウェハのゴミが温調プレートに付着して他の半導体ウェハに付着して汚染が拡大する可能性がある。

[0004] また、半導体ウェハは極く僅かながら歪んでいるので、温調プレートと接触する部分と接触しなヽ部分との間で温度むらが発生する。

[0005] 力かる問題を回避するため、温調プレート上に突起を設け、これで半導体ウェハを支持する技術が、例えば特許文献 1〜3に記載されている。このように支持する技術により、温調プレートと半導体ウェハとの間に僅かな、例えば 100 m程度の隙間を設け、半導体ウェハの温度調整を行っていた。

[0006] なお、温調プレート以外の保持板の上方で、半導体ウェハをガスの噴出によって浮揚させる技術が特許文献 4にお、て提案されて！、る。

[0007] 特許文献 1 :特開平 11 312637号公報

特許文献 2：特開平 11― 329922号公報

特許文献 3：特開平 11― 330212号公報

特許文献 4：特開昭 59— 215718号公報

[0008] 温調プレート上に突起を設け、これで半導体ウェハを支持する場合、半導体ウェハの歪みを考慮すると、突起の高さを顕著に低くすることはできない。温調プレートと半導体ウェハとの接触はできるだけ回避されなければならな、からである。しかし突起の高さを高くすると、温調プレートと半導体ウェハとの間のギャップを大きくしてしまい、温調プレートによる半導体ウェハの温度調整を迅速に行うことが困難となる。

発明の開示

[0009] 本発明は温調プレートと半導体ウェハとの接触を回避しつつ、両者間のギャップを小さくし、以て温調プレートによる半導体ウェハの温度調整を迅速にすることを目的としている。

[0010] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 1の態様（10A, 10B, IOC, 10D, 10 E)は、平面（3c)と、前記平面を所定の温度に設定する温度設定部（1, 2)と、前記平面において設けられて流体 (FIO, Fl l, F12 :F1)を供給する少なくとも一つの吹き出し口（3a)とを備え、前記平面の上方でウェハ (W)を支持する。

[0011] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 1の態様によれば、流体がウェハと平面との間に介在するので、平面とウェハとの接触を回避しつつ、両者の間の距離を小さくすることができる。よってウェハの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間を短縮できる。し力も、平面とウェハの下方側主面との間で流体が移動するのでその効果は高められる。

[0012] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 2の態様（10A, 10B)は、第 1の態様にかかるウェハ温度調整装置であって、前記流体を送出する元圧よりも前記吹き出し口における前記流体の圧力が小さい。

[0013] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 2の態様によれば、吹き出し口に流体の抵抗を持たせることにより、ウェハを流体で支持する際の剛性を高めることができる。

[0014] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 3の態様（10A, 10B)は、第 3の態様にかかるウェハ温度調整装置であって、前記元圧と前記吹き出し口における前記流体の圧力との差圧 ( Δ P)で前記流体の流量 (Q)を除した値（1ZR)に前記流体の粘性率）を乗じて得られるパラメタ（ ZR)が 1. 0 X 10— ¹²よりも小さ、。

[0015] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 3の態様によれば、ウェハを流体で支持する際の剛性を高めることにより、平面とウェハとの接触を回避できる。 [0016] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 4の態様（10A)は、第 1乃至第 3の態様のいずれかにかかるウェハ温度調整装置であって、前記平面（3c)において設けられて、前記ウェハの端部の移動を制限する突起 (44、 45)を更に備える。

[0017] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 4の態様によれば、ウェハを安定して保持することができる。

[0018] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 5の態様（10B)は、第 1乃至第 3の態様のいずれかにかかるウェハ温度調整装置であって、前記吹き出し口（3a)は複数設けられ、前記吹き出し口の少なくとも二つは、前記平面の中心に向けて前記流体を供給する。

[0019] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 5の態様によれば、ウェハに対して非接触でウェハを安定して保持することができる。

[0020] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 6の態様（10E)は、第 1の態様に力かるウェハ温度調整装置であって、前記平面にお!、て前記流体を排出する少なくとも一つの吸い込み口（3b)を更に備える。

[0021] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 6の態様によれば、吸、込み口力流体を排出することによって、平面と反対側のウェハの表面に触れることなぐ吹き出しロカ供給された流体によってウェハが過剰に浮上することを防止できる。また吹き出し口での差圧を高めることができるので、流体による支持の剛性を高めることができる。

[0022] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 7の態様（10E)は、第 6の態様に力かるウェハ温度調整装置であって、前記吹き出し口（3a)と吸い込み口（3b)とは複数設けられ、相互に対となって配置される。

[0023] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 7の態様によれば、ウェハの温度分布を均一にしゃすい。

[0024] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 8の態様は、第 1乃至第 7の態様の、ずれカにかかるウェハ温度調整装置であって、前記流体としてヘリウム、ネオンカも少なくとも一つのガスを選択して採用する。

[0025] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 8の態様によれば、熱伝導率が高!、ガスを流体として採用するので、更にウェハの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間をより短縮できる。

[0026] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 9の態様は、第 1乃至第 7の態様の、ずれカにかかるウェハ温度調整装置であって、前記流体として、水、フルォロ化合物から少なくとも一つの液体を選択して使用する。

[0027] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 9の態様によれば、熱伝導率が高!、液体を流体として採用するので、更にウェハの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間をより短縮できる。

[0028] この発明に力かるウェハ温度調整装置の第 10の態様（IOC, 10D)は、所定量の液体を確保する平面 (3c)と、前記平面を所定の温度に設定する温度設定部（1, 2) とを備え、前記液体を介して前記平面にウェハ (W)を載置する。

[0029] この発明にかかるウェハ温度調整装置の第 10の態様によれば、平面及びこれと対向する側のウェハ主面との間に液体を介在させることができる。従って、平面とウェハとの間の熱伝導を液体によって改善することができ、ウェハの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間を短縮できる。

[0030] この発明に力かるウェハ温度調整方法の第 1の態様（10A, 10B, IOC, 10D, 10 E)は、ウェハ (W)を、その下方側の主面に対向して所定の温度に設定された平面（ 3c)によって温度調整する方法であって、前記平面は、少なくとも一つの吹き出し口（ 3a)を有し、前記主面の上方に前記ウェハを配置し、前記吹き出し口から前記主面へ流体 (F10, Fl l, F12 :F1)を供給する。

[0031] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 1の態様によれば、流体がウェハと平面との間に介在するので、平面とウェハとの接触を回避しつつ、両者の間の距離を小さくすることができる。よってウェハの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間を短縮できる。し力も、平面とウェハの下方側主面との間で流体が移動するのでその効果は高められる。

[0032] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 2の態様（10A, 10B)は、第 1の態様にかかるウェハ温度調整方法であって、前記流体を送出する元圧よりも前記吹き出し口における前記流体の圧力が小さい。 [0033] この発明に力かるウェハ温度調整方法の第 2の態様によれば、吹き出し口に流体の抵抗を持たせることにより、ウェハを流体で支持する際の剛性を高めることができる。

[0034] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 3の態様（10A, 10B)は、第 2の態様にかかるウェハ温度調整方法であって、前記元圧と前記吹き出し口における前記流体の圧力との差圧 ( Δ P)で前記流体の流量 (Q)を除した値（1ZR)に前記流体の粘性率）を乗じて得られるパラメタ（ ZR)が 1. 0 X 10— ¹²よりも小さ、。

[0035] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 3の態様によれば、ウェハを流体で支持する際の剛性を高めることにより、平面とウェハとの接触を回避できる。

[0036] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 4の態様（10A)は、第 1乃至第 3の態様に力かるウェハ温度調整方法であって、前記ウェハの端部は、平面（3c)に設けられた突起 (44、 45)によって移動が制限される。

[0037] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 4の態様によれば、ウェハを安定して保持することができる。

[0038] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 5の態様（10B)は、第 1乃至第 3の態様にかかるウェハ温度調整方法であって、前記吹き出し口（3a)は複数設けられ、前記吹き出し口の少なくとも二つは、前記平面の中心に向けて前記流体を供給する。

[0039] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 5の態様によれば、ウェハに対して非接触でウェハを安定して保持することができる。

[0040] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 6の態様（10E)は、第 1の態様に力かるウェハ温度調整方法であって、前記平面は、少なくとも一つの吸い込み口（3b)を更に有し、前記吹き出し口から前記主面へ流体 (F1)を供給しつつ、前記吸い込み口から前記流体 (F2)を排出する。

[0041] この発明に力かるウェハ温度調整方法の第 6の態様によれば、吸、込み口力流体を排出することによって、平面と反対側のウェハの表面に触れることなぐ吹き出しロカ供給された流体によってウェハが過剰に浮上することを防止できる。また吹き出し口での差圧を高めることができるので、流体による支持の剛性を高めることができる。

[0042] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 7の態様（10E)は、第 6の態様に力かるウェハ温度調整方法であって、前記吹き出し口（3a)と吸い込み口（3b)とは複数設けられ、相互に対となって配置される。

[0043] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 7の態様によれば、ウェハの温度分布を均一にしゃすい。

[0044] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 8の態様は、第 1乃至第 7の態様のいずれカにかかるウェハ温度調整方法であって、前記流体としてヘリウム、ネオンカも少なくとも一つのガスを選択して採用する。

[0045] この発明に力かるウェハ温度調整方法の第 8の態様によれば、熱伝導率が高!、ガスを流体として採用するので、更にウェハの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間をより短縮できる。

[0046] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 9の態様は、第 1乃至第 7の態様のいずれカにかかるウェハ温度調整方法であって、前記流体として、水、フルォロ化合物から少なくとも一つの液体を選択して使用する。

[0047] この発明に力かるゥハ温度調整方法の第 9の態様によれば、熱伝導率が高!、液体を流体として採用するので、更にウェハの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間をより短縮できる。

[0048] この発明に力かるウェハ温度調整方法の第 10の態様（IOC, 10D)は、所定量の液体を確保する平面 (3c)と、前記平面を所定の温度に設定する温度設定部（1, 2) とを用い、前記液体を介して前記平面にウェハ (W)を載置する。

[0049] この発明にかかるウェハ温度調整方法の第 10の態様によれば、平面及びこれと対向する側のウェハ主面との間に液体を介在させることができる。従って、平面とウェハとの間の熱伝導を液体によって改善することができ、ウェハの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間を短縮できる。

[0050] この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによつて、より明白となる。

図面の簡単な説明

[0051] [図 1]本発明の第 1の実施の形態に力かる構成を例示する概念的な断面図である。

[図 2]本発明の第 1の実施の形態の効果を示すグラフである。 [図 3]本発明の第 1の実施の形態の効果を示すグラフである。

[図 4]本発明の第 2の実施の形態の効果を示すグラフである。

[図 5]本発明の第 2の実施の形態の効果を示すグラフである。

[図 6]本発明の第 3の実施の形態に力かる構成を例示する概念的な断面図である。

[図 7]本発明の第 4の実施の形態の効果を示すグラフである。

[図 8]本発明の第 4の実施の形態の効果を示すグラフである。

[図 9]本発明の第 5の実施の形態に力かる構成を例示する概念的な断面図である。

[図 10]本発明の第 6の実施の形態に力かる構成を例示する概念的な断面図である。

[図 11]本発明の第 7の実施の形態に力かる構成を例示する概念的な断面図である。

[図 12]本発明の第 7の実施の形態に力かる構成を例示する概念的な斜視図である。

[図 13]貫通孔の近傍を概念的に例示する断面図である。

[図 14]吹き出し口、吸、込み口の配置を例示する平面図である。

[図 15]本発明の第 7の実施の形態の効果を示すグラフである。

[図 16]本発明の第 7の実施の形態の効果を示すグラフである。

[図 17]本発明の第 8の実施の形態に力かる構成を例示する概念的な断面図である。

[図 18]本発明の第 8の実施の形態の効果を示すグラフである。

発明を実施するための最良の形態

[0052] 第 1の実施の形態.

図 1は本発明の第 1の実施の形態に力かるウェハ温度調整装置 10Aの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハ Wと共に例示する、概念的な断面図である。ウェハ温度調整装置 10Aは、冷却部 1、熱電素子群 2、温調プレート 3を備えており、この順に積層されている。

[0053] 熱電素子群 2は少なくとも一つの熱電素子を有しており、ここでは 4個の熱電素子 2 1, 22, 23, 24で構成されている場合が例示されている。熱電素子 21〜24は図示されない電源に接続されており、その冷却部 1側の面を放熱面とし、温調プレート 3側の面を吸熱面として機能する。

[0054] 冷却部 1は熱電素子群 2の放熱面を冷却する機能を果たす。冷却部 1は冷媒の供給口 laと、排出口 lbとを有している。冷媒としては例えば水が採用され、供給口 la には矢印 Mlで示されるように入水し、排出口 lbからは矢印 M2で示されるように出水する。

[0055] 温調プレート 3は、その上側に平面 3cと、平面 3cから突出する突起 44, 45を有している。半導体ウェハ wは、平面 3cの上方で後述する流体 F10によって支持される。突起 44, 45は、平面 3cの上方において半導体ウェハ Wの端部が平面 3cに平行な移動を制限する。

[0056] 温調プレート 3はまた、平面 3cにおいて設けられて流体を供給する少なくとも一つの吹き出し口 3aを有する。図 1では吹き出し口 3aが温調プレート 3の中央部に一つ設けられる場合が例示されている。吹き出し口 3aは、流体流入口 310から矢印の方向に向力つて冷却部 1及び温調プレート 3を貫通して導入された流体 F10を吹き出すこと〖こより、平面 3cにおいて流体 F10を供給する。

[0057] 上記の説明では半導体ウェハ Wを水冷する場合を例示した。しかし半導体ウェハ Wを加熱する場合にも、上記流体の供給を適用することができる。半導体ウェハ Wを加熱するには、例えば、熱電素子群 2の放熱面を温調プレート 3側に、吸熱面を反対側に設け、当該吸熱面を加熱する機構を冷却部 1の代わりに設ける。

[0058] 図 2は平面 3cにおいて供給された流体 F10により、半導体ウェハ Wが平面 3cから浮上する距離をシミュレーションした結果を示すグラフである。横軸に採用された差圧とは、平面 3cにおける流体 F10の圧力と、吹き出し口 3aとは反対側で流体 F10に印加された流体流入口 310側の圧力（ここでは「元圧」と称す）との圧力差を示す。縦軸に採用されたギャップとは、半導体ウェハ Wと平面 3cとの間の距離、即ち半導体ゥェハ Wの平面 3cからの浮上量を示す。但しシミュレーションにおいては、半導体ゥェハ Wとしてシリコン基板を用い、その直径及び厚さをそれぞれ 200mm及び 0. 8mm とした。また流体として空気を採用した。

[0059] 図 2から理解されるように、半導体ウェハ Wの平面 3cからの距離が 100 m以下であっても、差圧によって、従って元圧によって制御可能である。し力も、半導体ウェハ Wは流体によって支持されるので、これに歪みが生じていても、その最も平面 3cに近 V、位置までもが浮上し、両者が接触することを回避できる。

[0060] 温調プレート 3cは熱伝導性の良好な材料、例えば金属で形成されており、平面 3c と反対側力熱電素子群 2によって吸熱される。上述のように熱電素子群 2の放熱面は冷却部 1によって冷却される。従って、冷却部 1と熱電素子群 2とを温度設定部として把握して、当該温度設定部によって温調プレート 3の平面 3が所定の温度に設定されると把握することができる。

[0061] 温度センサ 7は温度調整プレート 3の温度を測定する。温度センサ 7によって測定された温度に基づき、図示されない制御装置によって熱電素子群 2に与えられる電圧が制御される。これにより温度調整プレート 3の、特に平面 3cの温度を所定の温度に設定することができる。

[0062] 上述のように、流体 F10が半導体ゥハ Wに与える力で半導体ゥハ Wが支持される。これにより、平面 3cと半導体ウェハ Wとの間に流体 F10が介在し、両者間の接触を回避しつつ両者の間の距離を小さくすることができる。よって半導体ウエノ、 Wの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間を短縮できる。し力も、平面 3cと半導体ウェハ Wの下方側主面との間では流体が移動するので、温度調整に必要な時間を短縮できる効果が高められる。

[0063] 図 3は本実施の形態の効果を示すグラフであり、半導体ウェハ Wの初期温度を 150 °Cとした場合の半導体ウエノ、 Wの温度低下をシミュレーションした結果を示す。縦軸は半導体ゥハ Wの温度を、横軸は半導体ゥハ Wを平面 3cの上方に載置した時点を 0とする時間の経過を示す。

[0064] 但しシミュレーションにおいては、半導体ウェハ Wとしてシリコン基板を用い、その直径及び厚さをそれぞれ 200mm及び 0. 8mmとした。シミュレーション結果としては、半導体ウェハ Wの温度の平均値を示している。また吹き出し口 3aの直径は 0. 2mm として平面 3cの中央に露出しており、空気を吹き出している。平面 3cの設定温度は 2 3°Cである。平面 3cと半導体ウェハ Wとの間のギャップを 50 μ mに設定した（グラフ L 101)。

[0065] なお、比較のために、半導体ウェハ Wを、平面 3cから突出する突起によって支持した場合についても併記した (グラフ L102)。但し、突起によって支持した場合、上述のように半導体ウェハ Wの歪みによる平面 3cとの接触を回避するために、両者の間のギャップは 120 μ mに設定した。 [0066] 流体によって半導体ウェハ Wを支持する場合 (グラフ L101)の方力突起によって半導体ウェハ Wを支持する場合 (グラフ L102)と比較して、冷却時間が顕著に短縮されていることが示されている。例えば 23. 2°Cまで冷却されるのに必要な時間は、約 1 2秒短縮されている。これは半導体ウェハ Wと平面 3cとの間のギャップが小さいこと、あるいは更に流体が両者の間を流れることによる冷却の効果であると考えられる。

[0067] 図 3では流体として気体たる空気を採用した場合を説明した力流体として液体を採用してもよい。その場合の特有の効果については第 4の実施の形態で後述する。

[0068] 第 2の実施の形態.

半導体ウェハ Wを平面 3cの上方で安定して支持するためには、半導体ウェハ Wに対して働く力に対するギャップの変化を小さくすることが望ましい。換言すれば、流体によるガスパネの剛性を高めることが望ま、。

[0069] 例えば半導体ウェハ Wを平面 3cの上方から降下させて流体によって支持させる場合、当該剛性が不足していれば、降下する半導体ウェハ Wの慣性力を流体による浮上力が支持しきれない。このような剛性の不足は、半導体ウェハ Wが平面 3cに接触することを許してしまうことになる。つまり半導体ウェハ Wと平面 3cとの間のギャップを Δとして支持したい場合、両者の間の接触を回避するためには半導体ウェハ Wの位置のアンダーシュートは Δよりも小さく抑える必要がある。

[0070] そこで本実施の形態では当該剛性を高めるため、第 1の実施の形態において、吹き出し口 3aの流体 F10に対する抵抗を高めることを提案する。但し図 1においても、当該剛性を高めるために吹き出し口 3aの近傍においてその径が流体流入口 310の径よりも細くなることが図示されている。

[0071] 剛性は流体の粘性率 μを吹き出し口 3aの抵抗 Rで除した値 μ ZRをパラメータとして変化する。また剛性はもちろん、半導体ウェハ Wと平面 3cとの間のギャップの大きさにも依存する。ここで吹き出し口 3aの抵抗 Rの逆数（1ZR)は、元圧と吹き出し口 3 aにおける流体 F10の圧力との差圧 Δ Pで流体 F10の流量 Qを除した値である。

[0072] 第 1の実施の形態において元圧を、流体流入口 310側の圧力を例に採って説明していたが、吹き出し口 3aよりも流体 F10の上流側の圧力であればよい。そしてパラメータ ZRの値が小さいほど、吹き出し口 3aの抵抗は大きいことになる。これにより、流体 F10を送出する元圧よりも吹き出し口 3aにおける流体 F10の圧力はより小さくなる。

[0073] 図 4は半導体ウェハ Wとして直径 200mm、厚さ 0.8 μ mのシリコンからなる半導体ウェハ Wを流体 F 10で支持する場合の、ギャップと剛性との関係を示すグラフである。グラフ L201, L202, L203, L204, L205, L206はそれぞれ、ノラメータ/ zZR 力 .0X10— ¹⁴, 1.0X10— ¹³, 2.0X10— ¹³, 5.0X10— ¹³, 1.0X10— ¹², 2.0X10— ¹² の場合を示している。

[0074] 半導体ウェハ Wを lOmmZsで平面 3cへ向けて下降させた場合、半導体ウェハ W の位置のアンダーシュートを 50 μ m未満とするために要求される剛性は 2.3 X 10³N Zm以上となる。従来の技術に対して顕著に有利なギャップは 100 m程度と考えられるので、ギャップが 100 μ m以下において 2.3 X 10³NZm以上の剛性を得るためには、ノラメータ/ z ZRが 1.0X 10— ¹²よりも小さいことが必要となる。

[0075] 図 5は半導体ウェハ Wとして直径 300mm、厚さ 0.8 μ mのシリコンからなる半導体ウェハ Wを流体 F 10で支持する場合の、ギャップと剛性との関係を示すグラフである。グラフ L301, L302, L303, L304, L305, L306はそれぞれ、ノラメータ/ zZR 力 .0X10— ¹⁴, 1.0X10— ¹³, 2.0X10— ¹³, 5.0X10— ¹³, 1.0X10— ¹², 2.0X10— ¹² の場合を示している。

[0076] 半導体ウェハ Wを lOmmZsで平面 3cへ向けて下降させた場合、半導体ウェハ W の位置のアンダーシュートを 50 μ m未満とするために要求される剛性は 5.0X10³N Zm以上となる。よってギャップが 100 μ m程度以下において力かる剛性を得るためには、パラメータ μ ZRがやはり 1.0X 10— ¹²よりも小さくなければならない。

[0077] 以上のように、流体 F10を送出する元圧よりも吹き出し口 3aにおける流体 F10の圧力を小さくし、流体 F10によるガスパネの剛性を高めることができる。特に、パラメータ /ZZRを 1.0X10— ¹²よりも小さくすることにより、半導体ウェハ Wを lOmmZsで平面 3 cへ向けて下降させる際でも、半導体ウェハ Wの位置のアンダーシュートを 50 μ m以下に抑えることができる。これは半導体ウェハ Wと平面 3cとの間のギャップを 100 μ m 程度以下にして、半導体ウェハ Wの温度調節を迅速に行う場合に好適である。

[0078] 第 3の実施の形態. 本実施の形態では平面 3cに平行な方向での半導体ウェハ Wの安定性を、突起 44 , 45を設けずに改善する技術を提案する。

[0079] 図 6は本発明の第 3の実施の形態に力かるウェハ温度調整装置 10Bの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハ Wと共に例示する、概念的な断面図である。ウェハ温度調整装置 10Aに対し、吹き出し口 3aを複数設けた点で異なって、る。

[0080] ここでは吹き出し口 3aの二つが平面 3cの中心に向けて流体 Fl l, F12を供給しており、これらの流体はそれぞれ流体流入口 311 , 312から矢印の方向に向かって温調プレート 3を貫通して導入されている。またウェハ温度調整装置 10Aと同様に、平面 3cの中央で流体 F10を供給する吹き出し口 3aも図示されている力これは省略しても構わない。

[0081] 流体 Fl l, F12は半導体ウェハ Wの位置が中央から外へと移動することを妨げる。

従って、平面 3cに平行な方向での半導体ウェハ Wの安定性を、非接触で改善することがでさる。

[0082] このような複数の流体による半導体ウェハの浮揚自体は、特許文献 4等により公知であるので、詳細は割愛する。但し、本実施の形態では温調プレート 3において吹き出し口 3aを設けているので、流体が支持する半導体ウェハ Wの温度調節を行うベぐ平面 3cと半導体ウェハ Wとの間のギャップを小さくする場合に特に好適となる。

[0083] 第 4の実施の形態.

半導体ウェハ Wを支持する流体として、気体のみならず液体を採用することができる。時に液体は、その熱伝導率が気体よりも高いため、温調プレート 3による半導体ゥェハ Wの温度調整をより迅速にできる。ある、は両者間のギャップを広げても温度調整を迅速にできる。

[0084] 図 7は流体として水を採用した場合の、差圧とギャップとの関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。但しシミュレーションにおいては、半導体ウェハ Wとしてシリコン基板を用い、その直径及び厚さをそれぞれ 200mm及び 0. 8mmとした。また吹き出し口 3aの直径は 0. 4mmとして平面 3cに 4個設けた場合についてシミュレーシヨンした。

[0085] 第 1の実施の形態において示したシミュレーションの条件と比較して、吹き出し口 3a の直径を二倍にし、また個数を 4倍にしたので、差圧に対するギャップも大きくなつている。しかしながら水の熱伝導率（0. 61WZmK)は空気のそれ（0. 026W/mK) と比較して約 23倍程度大きい。従って、流体として空気を採用した場合と比較して、ギャップを大きくしても、半導体ウェハ Wの温度調整を迅速に行うことができる。

[0086] 図 8は本実施の形態の効果を示すグラフであり、半導体ウェハ Wの初期温度を 150 °Cとした場合の半導体ウエノ、 Wの温度低下をシミュレーションした結果を示す。縦軸及び横軸は図 3と同様に採用した。

[0087] シミュレーションの条件は図 7について示したとおりであり、平面 3cの設定温度は 2 3°Cに設定した。また平面 3cと半導体ウェハ Wとの間のギャップを 400 mに設定した（グラフ L401)。

[0088] なお、比較のために、半導体ウェハ Wを、平面 3cから突出する突起によって支持した場合についても併記した (グラフ L402)。但し、この場合の条件は、図 3に示されたグラフ L102と同一であり、従って半導体ウェハ Wと平面 3cとの間のギャップは 120 μ mに設定し、かつ両者の間は空気が存在している。

[0089] 水によって半導体ウェハ Wを支持する場合 (グラフ L401)の方力突起によって半導体ウェハ Wを支持する場合 (グラフ L402)と比較して、冷却時間が顕著に短縮されていることが示されている。例えば 23. 2°Cまで冷却されるのに必要な時間は、約 14 秒短縮されている。これは半導体ウエノ、 Wと平面 3cとの間のギャップが 3倍以上大きくても、熱伝導率が高い液体を流体として採用することで温度調整効率を高められたためと考えられる。

[0090] 流体としては水の他、半導体ゥヱハ Wに対して悪影響を与えない液体が望ましい。

例えば半導体ウェハ Wを腐食させず、また半導体の導電性に影響を与えな、ことが望まれる。具体例としては、パーフルォロトリペンテイラミン、パーフルォロポリエーテル、パーフルォロポリエステル等のフルォロ化合物カゝら少なくとも一つを選択して採用することが望ましい。

[0091] 第 5の実施の形態.

図 9は本発明の第 5の実施の形態に力かるウェハ温度調整装置 10Cの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハ Wと共に例示する、概念的な断面図である。ウェハ温度調整装置 10Aと比較して吹き出し口 3aが複数設けられている。また平面 3c上に突起 41 , 42, 43が追加して設けられている。更にリフトピン 53が追加して設けられている。

[0092] 液体は流体流入口 310から吹き出し口 3aによって平面 3cへと導入され、半導体ゥヱハ Wと平面 3cとの間に介在する。突起 41, 42, 43は半導体ウェハ Wを平面 3cの上方で支持する。

[0093] 液体は流体流入口 310から吹き出し口 3aによって平面 3cへと導入され、半導体ゥハ Wと平面 3cとの間に介在する。換言すれば、吹き出し口 3aによって平面 3cは所定量の液体を、流出入はあるものの、確保されることになる。半導体ウェハ Wと平面 3 cとの間は液体で充満されることが望ま、。

[0094] リフトピン 53は冷却部 1及び温調プレート 3を貫通して上下可能である。リフトピン 5 3が上方に移動することによって半導体ウェハ Wを突起 41, 42, 43から離して上方に挙げる。リフトピン 53が下方に移動することによって半導体ウェハ Wを下降させ、突起 41 , 42, 43に載せる。

[0095] 第 6の実施の形態.

第 4の実施の形態で説明したように、液体が介在することにより、半導体ウェハ Wと平面 3cとの間のギャップが大きくても両者間の熱伝導は良好となる。よって必ずしも、液体が半導体ゥハ Wに与える力で半導体ゥハ Wを支持せず、本実施の形態のように突起 41, 42, 43で支持しても、半導体ウェハ Wの温度調整効率を高めることができる。

[0096] 図 10は本発明の第 6の実施の形態に力かるウェハ温度調整装置 10Dの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハ Wと共に例示する、概念的な断面図である。ゥェハ温度調整装置 10Cと比較して吹き出し口 3aが削除されている一方、平面 3cの周辺には環状の突起 46が設けられている。

[0097] 突起 46は環状であるので平面 3cにお、て所定量の液体を確保することができる。

し力も突起 41, 42, 43によって半導体ウェハ Wを支持できるので、液体を平面 3cへと吹き出す必要もない。このように単に平面 3cにおいて所定量の液体を溜めるだけでも、その上の半導体ウェハ Wの温度調整効率を高めることができる。 [0098] 特に突起 46は環状であるので、半導体ウェハ Wが平面 3cに平行な方向に移動することの防止ちでさる。

[0099] 第 4乃至第 6の実施の形態に記載された技術は、液体を介して平面 3cに半導体ゥェハ Wを載置する、と把握することもできる。

[0100] また第 5の実施の形態及び第 6の実施の形態において、液体として表面張力の大きいもの、例えば水を採用した場合、突起 41, 42, 43を省略することもできる。半導体ウェハ Wが当該液面の表面張力により、その上に浮かぶ力もである。

[0101] 第 7の実施の形態.

図 11は本発明の第 7の実施の形態に力かるウェハ温度調整装置 10Eの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハ Wと共に例示する、概念的な断面図である。ゥェハ温度調整装置 10Eは、ゥハ温度調整装置 10Aと同様に冷却部 1、熱電素子群 2 、温調プレート 3を備えている。

[0102] 熱電素子群 2はここでは 3個の熱電素子 21, 22, 23で構成されている場合が例示されている。熱電素子 21は配線対 24によって図示されない電源に接続されており、その冷却部 1側の面を放熱面とし、温調プレート 3側の面を吸熱面として機能する。熱電素子 22, 23についても同様に、配線対（図示を省略)を介して電源が接続され、それらの冷却部 1側の面を放熱面とし、温調プレート 3側の面を吸熱面として機能する。

[0103] 温調プレート 3の平面 3cには、ここ力も突出する少なくとも一つの突起、ここでは 3 偶の突起 41, 42, 43を有して!/ヽる。これらの突起 41, 42, 43ίま、平面 3c力ら僅力に隙間を設けて半導体ウェハ Wを下方力支持する。

[0104] 温調プレート 3は吹き出し口 3aに加え、平面 3cにおいて上記流体を排出する少なくとも一つの吸い込み口 3bを有する。ここでは吹き出し口 3a、吸い込み口 3bのいずれもが複数設けられる場合が例示されている。吹き出し口 3aは流体流入口 31から導入された流体を平面 3cにおいて供給する。吸い込み口 3bは当該流体を平面 3cにおいて排出し、これを流体流出口 32から排出する。

[0105] 但し、本実施の形態では突起 41, 42, 43が半導体ウェハ Wを下方力支持するため、吹き出し口 3aの近傍で、その径を細める必要はない。 [0106] 図 12はウェハ温度調整装置 10Eの構成を、ウェハリフト機構 5と共に例示する概念的な斜視図である。ウェハリフト機構 5はリフトピン 51, 52, 53とこれらを支持する台座 50とを有しており、ウェハ温度調整装置 10に対してほぼ垂直な方向、即ちほぼ鉛直方向に沿って上下する。ウェハ温度調整装置 10には熱電素子 21, 22, 23を避けて貫通孔 61, 62, 63が設けられており、それぞれリフトピン 51, 52, 53がその中を移動する。

[0107] 図 13は貫通孔 63の近傍を概念的に例示する断面図である。貫通孔 63は冷却部 1 に設けられた貫通孔 631及び温調プレート 3に設けられた貫通孔 632を有している。リフトピン 53は、その先端が平面 3cよりも下方に下がることが可能であり、この場合には突起 41, 42, 43によって半導体ウェハ Wが支持される。リフトピン 53は、その先端が突起 41, 42, 43よりも上方に上がることが可能であり、この場合にはリフトピン 51, 52, 53によって半導体ウェハ Wが持ち上げられる（鎖線参照)。

[0108] まずリフトピン 51, 52, 53を、それらの先端が突起 41, 42, 43よりも上方に上げられた状態において半導体ウェハ Wをウェハ温度調整装置 10の上方、即ち平面 3cの上方に、より詳細には突起 41, 42, 43上に載置する。

[0109] 突起 41, 42, 43で半導体ウェハ Wを支持しつつ、吹き出し口 3aから流体を吹き出し、吸い込み口 3bから流体を吸い込む。これにより平面 3cと半導体ウェハ Wの下方側主面との間で流体が移動する。従って平面 3cと半導体ウェハ Wとの隙間において流体の温度が上昇する等の、冷却効率を下げる事態を回避できる。つまり半導体ゥハ Wの冷却効率を高め、冷却に必要な時間を短縮できる。

[0110] し力も吸い込み口 3bから流体を排出することによって、ウェハ Wの上面に触れることもなぐ吹き出し口 3aから供給された流体によってウェハが過剰に浮上することを防止できる。特に半導体処理工程において、半導体ウェハ Wの上面、即ち平面 3cと反対側の半導体ウェハ Wの表面にはリソグラフィー処理が為されていることに鑑みれば、当該上面に触れないことは好適である。

[0111] 上記の説明では半導体ウェハ Wを冷却する場合を例示した。しかし半導体ウェハ Wを加熱する場合にも、突起 41, 42, 43で半導体ウェハ Wを支持しつつ、吹き出し口 3aから流体を吹き出し、吸い込み口 3bから流体を吸い込むことにより、加熱効率を下げる事態を回避できる。つまり半導体ウェハ Wの加熱効率を高め、加熱に必要な時間を短縮できる。

[0112] 以上のように、本実施の形態においても、温度調整の対象となるウェハと、所定の温度に設定された平面との間に隙間を設けつつも、両者間の熱伝導を向上させる冷却や加熱などの温度調整効率を高め、温度調整に必要な時間を短縮することができる。

[0113] 図 14は平面 3cにおける吹き出し口 3a、吸い込み口 3bの配置を例示する平面図である。貫通孔 61 , 62, 63と突起 41, 42, 43はほぼ等角度に配置されている力かかる配置は例示であって、限定的ではない。

[0114] 温調プレート 3内には連通管 33及びこれを介して相互に連通する連通管 331〜33 6が設けられており、連通管 331〜336は部分的に平面 3cにおいて開口して吹き出し口 3aを形成している。温調プレート 3内には連通管 34及びこれを介して相互に連通する連通管 341〜346が設けられており、連通管 341〜346は部分的に平面 3c におヽて開口して吸、込み口 3bを形成して、る。

[0115] 連通管 331〜336と連通管 341〜346とは連通しておらず、相互にほぼ嚙み合つたインターデジタルな配置を呈して、る。

[0116] 流体流入口 31は流入口 31a, 31b, lcを有しており、これらのそれぞれから連通管 33へ流体が流入する。流体流入口 31は流入口 31a, 31b, 31cを有しており、これらのそれぞれから連通管 33へ流体が流入する。流体流出口 32は流出口 32a, 32b, 3 2cを有しており、これらのそれぞれへと連通管 34から流体が流出する。

[0117] 上記流体としては気体、例えば空気を採用してもよいし、第 4の実施の形態で紹介されたように液体を採用してもょ、。

[0118] 図 15は本実施の形態の効果を示すグラフであり、半導体ウェハ Wの初期温度を種々変えた場合の半導体ウェハ Wの温度低下をシミュレーションした結果を示す。縦軸は半導体ゥハ Wの温度を、横軸は半導体ゥハ Wを平面 3cの上方に載置した時点を 0とする時間の経過を示す。

[0119] 但しシミュレーションにおいては、半導体ウェハ Wの直径を 200mmとし、その初期温度が 130°C、 150°C、 170°Cの三つの場合について行った。吹き出し口 3a、吸い込み口 3bは相互に対となるように、平面 3cにそれぞれ 1対 1の割合で設け、それらが lcmの等間隔でほぼ巿松模様状に配置された場合を想定して、る。このように吹き出し口 3a、吸い込み口 3bを相互に対とすることで、温度分布を均一にしゃすくなる。シミュレーション結果としては、半導体ウェハ Wの温度の平均値を示している。平面 3 cの設定温度は 23°Cである。流体として空気を採用し、吹き出し口 3aから空気を 0. 0 IMPaの差圧で吹き出し、吸い込み口 3bから空気を 0. 03MPaの差圧（平面 3cにおける流体 F2の圧力と、吸、込み口 3bとは反対側で流体 F2に印加された流体流出口 32側の圧力との圧力差)で吸、込んだ場合が例示されて、る。半導体ウェハ Wとして厚さ 800 μ mのシリコンを想定し、これと平面 3cとの間の隙間を 80 μ mに設定した。

[0120] なお、比較のために、空気の流入を行わない場合も併記した。グラフ LI, L2, L3 は空気の流出入がある場合を、グラフ L4, L5, L6は空気の流出入がない場合を、それぞれ示している。またグラフ LI, L4は半導体ウェハ Wの初期温度が 130°Cの場合を、グラフ L2, L5は半導体ウェハ Wの初期温度が 150°Cの場合を、グラフ L3, L6は半導体ウェハ Wの初期温度が 170°Cの場合を、それぞれ示している。いずれの場合も空気の流入を行うことの効果が、冷却時間の短縮として顕著に現れて、る。

[0121] 例えば 23. 2°Cまで冷却されるのに必要な時間は、初期温度が 130°Cの場合には約 6秒短縮され、初期温度が 150°Cの場合には約 4秒短縮され、初期温度が 170°C の場合には約 3. 5秒短縮されている。

[0122] 図 16も本実施の形態の効果を示すグラフであり、半導体ウェハ Wの初期温度を 15 0°Cとした場合の半導体ウエノ、 Wの温度低下をシミュレーションした結果を示す。吹き出し口 3aから空気を 0. 03MPaで吹き出し、吸い込み口 3bから 0. 03MPaで吸い込んだ場合であり、それ以外の条件は図 5のシミュレーションと同一である。 23. 2°Cに達するのに要する時間は 15秒となっており、図 15のグラフ L2に示した場合よりも更に 0. 5秒程度、冷却に必要な時間が短縮されていることがわかる。

[0123] 第 8の実施の形態.

第 7の実施の形態に示されたように、吹き出し口 3aのみならず、吸い込み口 3bをも設けた場合には、突起 41, 42, 43を設けることなぐ半導体ウェハ Wを平面 3cの上方に支持することも可能である。

[0124] 図 17は本発明の第 8の実施の形態に力かるウェハ温度調整装置 10Bの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハ Wと共に例示する、概念的な断面図である。ゥェハ温度調整装置 10Aに対し、その先端に吸、込み口 3bを有する流体流出口 32を設け、その周囲に吹き出し口 3aを複数設けた点で異なっている。

[0125] 但し、第 7の実施の形態とは異なり、第 1乃至第 6の実施の形態と同様に、吹き出し口 3aの径は、流体流入口 310の径よりも細くなる事が望ま U、。

[0126] 吸い込み口 3bを設けることにより、吹き出し口 3aでの差圧を大きくしても、半導体ゥェハ Wの浮上量を抑えることができる。よって浮上量を小さくしつつも半導体ウェハ W を流体で支持する際の剛性を高めることができる。

[0127] 図 18は、図 4と同様に半導体ウェハ Wとして直径 200mm、厚さ 0. 8 μ mのシリコン力なる半導体ウェハ Wを流体たる空気で支持する場合の、ギャップと剛性との関係を示すグラフである。但しグラフ L401, L402はそれぞれ吸い込み口 3bが無い場合と一つ設けた場合を示しており、いずれも直径 0. 2mmの吹き出し口 3aを 3個設けた場合を示している。吸い込み口 3bの直径を 0. 5mmとした。

[0128] 同じ浮上量を得る場合、吸い込み口 3bから流体を吸い込むことにより、吹き出し口 3aからの吹き出す流体の差圧を大きくすることができるので、これらのグラフ力判るように、剛性が高められる。

[0129] 例えば半導体ウェハ Wを 60 μ mで平面 3cから浮上させる場合、グラフ L401で示される場合には、吹き出し口 3aでの差圧を 150Paとする必要があった。一方、グラフ L 402で示される場合には、吸!、込み口 3bでの差圧を 200Paとして流体 F2を吸!、込むことにより、吹き出し口 3aでの差圧を 300Paまで高めることができた。この場合、図 18力ら、剛性はほぼ 1. 3 X 10⁴NZm力ら 2. 5 X 10⁴NZmへと、ほぼ倍増することができる。

[0130] なお、上記各実施の形態において、流体として気体を採用する場合、更に冷却に必要な時間を短縮するには、ヘリウム、ネオン力も少なくとも一つのガスを選択して採用することが望ましい。これらの気体は空気と比較して、その熱伝導性が良好だからである。この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例力この発明の範囲力外れることなく想定され得るものと解される。

Claims

請求の範囲

[1] 平面 (3c)と、

前記平面を所定の温度に設定する温度設定部（1, 2)と、

前記平面において設けられて流体 (F10, Fl l, F12 :F1)を供給する少なくとも一つの吹き出し口（3a)と

を備え、前記平面の上方でウェハ (W)を支持するウェハ温度調整装置（10A, 10B, IOC, 10D, 10E)。

[2] 前記流体を送出する元圧よりも前記吹き出し口における前記流体の圧力が小さい、請求項 1記載のウェハ温度調整装置（10A, 10B)。

[3] 前記元圧と前記吹き出し口における前記流体の圧力との差圧 ( Δ P)で前記流体の流量 (Q)を除した値（1ZR)に前記流体の粘性率（ μ )を乗じて得られるパラメタ（ μ ZR)が 1. O X 10—¹²よりも小さい、請求項 2記載のウェハ温度調整装置（10A, 10B)

[4] 前記平面（3c)において設けられて、前記ウェハの端部の移動を制限する突起 (44 、 45)を更に備える、請求項 1乃至 3のいずれか一つに記載のウェハ温度調整装置（ 10A) o

[5] 前記吹き出し口（3a)は複数設けられ、

前記吹き出し口の少なくとも二つは、前記平面の中心に向けて前記流体を供給する、請求項 1乃至請求項 3のいずれか一つに記載のウェハ温度調整装置（10B)。

[6] 前記平面において前記流体を排出する少なくとも一つの吸い込み口（3b)を更に備える、請求項 1記載のウェハ温度調整装置（10E)。

[7] 前記吹き出し口（3a)と吸い込み口（3b)とは複数設けられ、相互に対となって配置される、請求項 6記載のウェハ温度調整装置（10E)。

[8] 前記流体としてヘリウム、ネオン力も少なくとも一つのガスを選択して採用する、請求項 1記載のウェハ温度調整装置。

[9] 前記流体として、水、フルォロ化合物から少なくとも一つの液体を選択して使用する

、請求項 1記載のウェハ温度調整装置。

[10] 所定量の液体を確保する平面（3c)と、前記平面を所定の温度に設定する温度設定部（1, 2)と

を備え、

前記液体を介して前記平面にウェハ (W)を載置するウェハ温度調整装置（10C, 1 OD)。

[11] ウェハ (W)を、その下方側の主面に対向して所定の温度に設定された平面（3c)によって温度調整する方法であって、

前記平面は、少なくとも一つの吹き出し口（3a)を有し、

前記主面の上方に前記ウェハを配置し、前記吹き出し口から前記主面へ流体 (F1 0, Fl l, F12 :F1)を供給する、ウェハ温度調整方法（10A, 10B, IOC, 10D, 10 E)。

[12] 前記流体を送出する元圧よりも前記吹き出し口における前記流体の圧力が小さい、請求項 11記載のウェハ温度調整方法（10A, 10B)。

[13] 前記元圧と前記吹き出し口における前記流体の圧力との差圧 ( Δ P)で前記流体の流量 (Q)を除した値（1ZR)に前記流体の粘性率（ μ )を乗じて得られるパラメタ（ μ ZR)が 1. 0 X 10— ¹²よりも小さい、請求項 12記載のウェハ温度調整方法（10A, 10B

) o

[14] 前記ウェハの端部は、平面（3c)に設けられた突起 (44、 45)によって移動が制限される、請求項 11乃至 13の、ずれか一つに記載のウェハ温度調整方法（ 10A)。

[15] 前記吹き出し口（3a)は複数設けられ、

前記吹き出し口の少なくとも二つは、前記平面の中心に向けて前記流体を供給する、請求項 11乃至請求項 13の、ずれか一つに記載のウェハ温度調整方法（10B)。

[16] 前記平面は、少なくとも一つの吸い込み口（3b)を更に有し、

前記吹き出し口から前記主面へ流体 (F1)を供給しつつ、前記吸、込み口力前記流体 (F2)を排出する、請求項 11記載のウェハ温度調整方法。

[17] 前記吹き出し口（3a)と吸い込み口（3b)とは複数設けられ、相互に対となって配置される、請求項 16記載のウェハ温度調整方法。

[18] 前記流体としてヘリウム、ネオン力も少なくとも一つのガスを選択して採用する、請求項 11記載のウェハ温度調整方法。

[19] 前記流体として、水、フルォロ化合物から少なくとも一つの液体を選択して使用する

、請求項 11記載のウェハ温度調整方法。

[20] 所定量の液体を確保する平面（3c)と、

前記平面を所定の温度に設定する温度設定部（1, 2)と

を用い、前記液体を介して前記平面にウェハ (W)を載置するウェハ温度調整方法（1

OC, 10D)。