WO2006022024A1

WO2006022024A1 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: WO2006022024A1
Application number: PCT/JP2004/012450
Authority: WO
Inventors: Masakazu Sakano
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2004-08-24
Filing date: 2004-08-24
Publication date: 2006-03-02
Anticipated expiration: 2007-02-24

Abstract

　ＱＦＮ（１Ａ）は、チップ（２）が実装されたダイパッド部（４）の裏面をモールド樹脂（３）の上面から外部に露出させた構造になっている。また、モールド樹脂（３）の上面と側面とには、梨地加工が施されておらず、平坦な面になっている。このような平坦な面を有するモールド樹脂（３）は、キャビティ（２１）内に露出した上金型（２０Ａ）の表面に鏡面加工が施された金型（２０）を使って成形される。

Description

半導体装置の製造方法技術分野

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体チップを封止するモールド樹脂の実装面に外部接続端子を配置し、モールド樹脂の他の面にダイパッド明

部を露出させたパッケージ構造を有する半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。田

背景技術

リードフレームに搭載された半導体チップをモールド樹脂からなる封止体によつて封止した樹脂パッケージの一種に QFN(Quad Flat Non-leaded package)がある（例えば特開 200 1— 1 8941 0号公報、特許第 307229 1号公報など)。

上記 QFNは、ボンディングワイヤを介して半導体チップと電気的に接続された複数のリードのそれぞれの一部をモールド樹脂の下面（実装面）から露出させて外部接続端子を構成し、これらの外部接続端子を配線基板の電極（フットプリント）に半田付けすることによって実装されるパッケージである。このようなパッケージ構造は、外部接続端子を構成するリ一ドをモールド樹脂の側面から外側に引き出した QF P (Quad Flat Package)などに比べて実装面積を小さくできるので、高密度実装に有利である。発明の開示

一般に、 Q FNや QFPなどの樹脂パッケージを製造するには、リードフレームのダイパッド部上に半導体チップを実装し、半導体チップとリードとをワイヤで接続した後、リードフレームをモールド金型に装着して半導体チップを樹脂封止し、その後、モールド樹脂の外部に露出したリードフレームの不要部分を切断、除去する。上記モールド金型は、上金型と下金型とで構成され、通常、キヤビティ内に露出した金型の表面には、梨地加工が施される。梨地加工とは、物理的処理や化学的処理によって、金型の表面に多数の微細な凹凸を形成する処理であり、これによって、モールド樹脂の表面に微細な凹凸を形成する。

半導体チップを封止するモールド樹脂の表面を梨地にするのは、

( a ) モールド樹脂の表面に、製造者、品番、ロット番号などを示すインクマークを刻印する際、インクの密着性を向上させる。

( b ) 金型の表面の微細な傷などがモールド樹脂の表面に転写され難くする。

( c ) モールド樹脂の外観に高級感を付与する、などの理由からである。

また、 Q F Nや Q F Pなどの樹脂パッケージは、熱伝導性の小さい有機樹脂によつて半導体チップを封止するので、半導体チップから発生した熱が外部に放散され難い。その対策として、高周波回路が形成された半導体チップのように、発熱量の大きい半導体チップを封止する樹脂パッケージの場合は、モールド樹脂の表面にダイパッド部を露出させることによって、パッケージの熱抵抗を低減することが行われている。

モールド樹脂の表面にダイパッド部を露出させる方式には、モールド樹脂の下面（実装面）から露出させる方式と、上面（実装面とは反対側の面）から露出させる方式とがある。ところ力 Q F Nは、モールド樹脂の下面に外部接続端子が配置されるため、ダイパッド部をモールド樹脂の下面（実装面）から外部に露出させた場合、配線基板の表面のダイパッド部と対向する領域に配線を配置することができなくなり、特に高密度実装用配線基板においては、配線のレイアウト設計が困難になる。

従って、 Q F Nの場合は、モールド樹月旨の上面からダイパッド部を露出させることによって、配線基板の実装密度を向上させると共に、パッケージの放熱性を向上させることが要求される。

モールド樹脂の上面からダイパッド部を露出させた Q F Nを製造するには、まず、リードフレームのダイパッド部上に半導体チップを実装した後、半導体チップのボンディングパッドと、リードフレームのリードとをワイヤで結線し、次に、このリードフレームをモード金型に装着する。そして、下金型の表面に薄い樹脂シートを敷き、この樹脂シートの上にリードフレームを載置する。このとき、リードフレームは、半導体チップが実装されたダイパッド部の一面（主面）と反対側の他面（裏面）を上に向けて配置し、リードを樹脂シートに接触させる。そしてこの状態で、リードと樹脂シートとを上金型と下金型とで挟み付けると、ダイパッド部の裏面（上面）が上金型の表面に接触すると共に、上金型と下金型との押圧力によってリードが樹脂シー卜の中に食レ、込む。

次に、この状態でキヤビティ内に溶融樹脂を注入してモールド樹脂を成形した後、上金型と下金型とを分離することにより、ダイパッド部の裏面（上面）がモ一ルド樹脂の上面から外部に露出すると共に、樹脂シートの中に食い込んでいたリ一ドがモールド樹脂の下面から外部に露出する。

リードは樹月旨シートに隙間なく食い込むため、リードと樹月旨シー卜との間に樹脂が入り込むことがないことから、モールド樹脂の下面（実装面）から露出させ形成される外部接続端子の表面に樹脂が付着することがない。

ところが、上記した成形工程では、リードフレームを金型に装着してダイパッド部の裏面（上面）を上金型の表面に接触させた時、梨地加工による上金型の表面の微細な凹凸に起因してダイパッド部と上金型との間に微細な隙間が生じる。そのため、キヤビティ内に溶融樹脂を注入すると、溶融樹脂がこの隙間に入り込む結果、リードフレームを金型から取り出した際に、モールド樹脂から露出したダイパッド部の表面にレジンフラッシュと呼ばれる樹脂パリが大量に付着してしまうこと力本発明者の検討によって明らかになった。

一般に、成形工程で発生するこの種の樹脂バリを除去するパリ取り（deflash) 方法としては、モ一ルド樹脂の表面に高圧水を噴射するウォータージエツト方式が用いられる。また、樹脂バリの量が多いとき、あるいは樹脂バリがウォータージェット方式だけでは除去することが困難な場合には、ウォータージェットの前処理として、モールド樹脂を薬液に浸漬する電解方式が併用される。

し力し、ダイパッド部の表面に樹脂パリが大量に付着した場合は、ノリ取りに多くの時間が掛かってしまう。特に、 Q F Nのような小型のパッケージの場合は、ダイパッド部の表面全体が樹脂バリで覆われてしまうので、上記したバリ取り方法では除去が困難である。また、ダイパッド部に半導体チップを実装する工程に先立ってリードフレームの表面全体に P d (パラジウム）などのメツキを施しておく、いわゆる先付けメツキ方式のリードフレームに上記のようなバリ取り方法を適用すると、モールド樹脂の外部に露出したリードやダイパッド部の表面のメツキがダメージを受け、半田メツキの濡れ性が低下するという問題も生じる。さらに、ダイパッド部の表面に付着した樹脂バリの一部がリ一ドフレームの搬送中に剥離して異物の原因となる場合もある。

ダイパッド部の表面に樹脂バリが付着するのを防ぐ方法として、例えば上金型と下金型の両面に薄い樹脂シートを敷き、ダイパッド部と上金型との間に樹脂シートを介在させる方法もある。このようにすると、ダイパッド部が樹脂シートの中に食い込むので、ダイパッド部と樹脂シートとの間に溶融樹脂が入り込むことはない。

し力し、上金型には溶融樹脂を供給するゲートランナーやキヤビディ内の余分な空気を排気するためのエアベント等が設けられている。そのため、上金型は下金型に比べ複雑な構造のため、上金型に樹脂シートを敷くと、その樹脂シートがよれてしまう可能性がある。上金型と下金型の両面に樹脂シ一トを敷く成形方法は、金型の構造が複雑ィヒするのみならず、樹脂シートのコスト増加をもたらすので、 Q F Nの製造コストの増加を招く不利益がある。

本発明の目的は、半導体チップを封止するモールド樹脂の下面（実装面）に外部接続端子を配置し、モールド樹脂の上面にダイパッド部を露出させたパッケ一ジ構造を有する半導体装置の製造に際し、ダイパッド部の表面に付着する樹脂バリの量を低減することのできる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、半導体装置の製造時間を低減することのできる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、半導体装置の製造コストを安価にすることのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明は、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の一面に実装された半導体チップと、前記ダイパッド部の周囲を囲むように配置された複数本のリードと、前記複数本のリ一ドのそれぞれと前記半導体チップとを電気的に接続する複数本のワイヤとがモールド樹脂によって封止され、

前記複数本のリ一ドのそれぞれの一部が、前記モーノレド樹脂の実装面から露出されることによって、複数の外部接続端子が構成され、

前記ダイパッド部の一面と反対側の他面が、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面から露出されたパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法であって、

( a ) 前記ダイパッド部と前記複数本のリードとが形成されたリードフレームを用意する工程と、

( b ) 前記リードフレームに形成された前記ダイパッド部の一面に、前記半導体チップを実装した後、前記リードフレームに形成された前記複数本のリードのそれぞれと前記半導体チップとをワイヤで電気的に接続する工程と、

( c ) 前記工程（b ) の後、上金型と下金型とからなる金型に前記リードフレームを装着し、前記ダイパッド部の他面を前記上金型の表面に接触させると共に、前記複数本のリードのそれぞれの一部を、前記下金型の上に敷かれた樹脂シートに接触させる工程と、

( d ) 前記工程（c ) の後、前記金型のキヤビティ内に溶融樹脂を供給することによって、前記モールド樹月旨を成形する工程とを有し、

前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面全体が鏡面処理されているものである。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の一実施の形態である Q F Nの上面を示す平面図である。図 2は、本発明の一実施の形態である Q F Nの下面を示す平面図である。図 3は、図 1の A— A線に沿った Q F Nの断面図である。

図 4は、本発明の一実施の形態である Q F Nの側面図である。図 5は、本発明の一実施の形態である Q FNの製造に用いるリードフレームの平面図である。

図 6は、本発明の一実施の形態である Q FNの製造方法を示すリードフレームの平面図である。

図 7は、本発明の一実施の形態である Q FNの製造方法を示すリードフレームの要部断面図である。

図 8は、本発明の一実施の形態である Q FNの製造方法を示すリードフレームの平面図である。

図 9は、本発明の一実施の形態である Q FNの製造方法を示すリードフレームの要部断面図である。

図 1 0は、本発明の一実施の形態である Q FNの製造方法を示す金型の要部断面図である。

図 1 1は、本発明の一実施の形態である Q FNの製造方法を示す金型の要部断面図である。

図 1 2は、本発明の他の実施の形態である Q FNの製造方法を示す金型の要部断面図である。

図 1 3は、本発明の他の実施の形態である Q FNの製造方法を示す金型の要部断面図である。

図 1 4は、本発明の他の実施の形態である Q FNの製造方法を示す金型の要部断面図である。

図 1 5は、図 1 2に示す金型により成形された Q FNの断面図である。

図 1 6は、図 1 3に示す金型により成形された Q FNの断面図である。

図 1 7は、図 1 4に示す金型により成形された QFNの断面図である。

図 1 8は、本発明の他の実施の形態である Q FNの断面図である。

図 1 9は、本発明の他の実施の形態である Q FNの製造方法を示す金型の要部断面図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有するものには同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

(実施の形態 1 )

図 1および図 2は、本実施の形態の Q F Nの平面図であり、図 1は上面側、図 2は下面（実装面）側をそれぞれ示している。また、図 3は、図 1の A— A線に沿った断面図、図 4は、この Q F Nの側面図である。

本実施の形態の Q F N ( 1 A) は、 1個の半導体チップ（以下、単にチップという） 2をモールド樹脂 3で封止した表面実装型の樹脂パッケージである。チップ 2は、金属製のダイパッド部 4 (チップ搭載部、タブ）の一面に実装（接着）された状態でモールド樹脂 3の中央部に配置されており、 .チップ 2の裏面とダイパッド部 4の表面とは、接着剤 7によって接着されている。チップ 2の主面（集積回路が形成された面）の周辺部には、複数のボンディングパッド 8が形成されている。図 1〜図 4には示さないが、ダイパッド部 4は、これと一体に形成され、モールド樹脂 3のコーナー部方向に延在する 4本の吊りリード 5によって支持されている。なお、図に示すダイパッド部 4の形状は四角形であるが、それ以外の形状（例えば円形）であってもよい。また、ダイパッド部 4のサイズは、チップ 2のサイズより小さくてもよい。

チップ 2が実装されたダイパッド部 4の周囲には、複数本のリード 6がほぼ等間隔に配置されている。各リード 6の一端部（チップ 2に近い方の端部）と、チップ 2の主面のボンディングパッド 8とは、 A uワイヤ 9を介して電気的に接続されている。一方、各リード 6の他端部側は、モールド樹脂 3の下面（実装面）力ら外部に露出し、 Q F N ( 1 A) の外部接続端子を構成している。図示は省略するが、リード 6、吊りリード 5およびダイパッド部 4のそれぞれの表面には、 P d (パラジウム）メツキが施されている。 Q F N ( 1 A) を配線基板に実装する際には、配線基板の電極と Q F N ( 1 A) の各リード 6とを半田を介して電気的に接続するが、上記 P dメツキは、半田の濡れ性を向上させるために形成される。

本実施の形態の Q F N ( 1 A) の特徴は、チップ 2が実装されたダイパッド部 4の一面（主面）とは反対側の他面（裏面）をモールド樹脂 3の上面から外部に露出させた点にある。前述したように、 Q F N ( 1 A) は、モ一ルド樹脂 3の下面に外部接続端子（リード 6 ) が配置される。そのため、ダイパッド部 4の裏面をモールド樹脂 3の下面（実装面）力ら外部に露出させた場合、配線基板の表面のダイパッド部 4と対向する領域に配線を配置することができなくなり、特に高密度実装用配線基板においては、配線のレイアウト設計が困難になる。そこで、本実施の形態の Q F N ( 1 A) は、モールド樹脂 3の上面からダイパッド部 4を外部に露出させ、配線基板の実装密度を向上させると共に、パッケージの熱抵抗を低減させている。

また、本実施の形態の Q F N ( 1 A) の他の特徴は、モールド樹脂 3の上面（ダイパッド部 4が露出している面）と側面とに梨地加工が施されておらず、平坦な面になっている点にある。このような平坦な面を有するモールド樹脂 3は、表面が鏡面加工された金型を使って成形される。

一般に、梨地加工（梨地処理）とは、物理的処理（サンドブラスト、ショットブラスト、放電加工、レーザー照射など）あるいは化学的処理（エッチングなど ) によって、金型などの表面に多数の微細な凹凸を形成する処理であり、シボ加ェとも呼ばれている。梨地加工によって形成される凹凸の大きさ（凹部の深さ、あるいは凸部の高さ）は、モールド樹脂 3の表面にインクを使って文字や記号などのマークを印刷することが可能な程度の大きさであり、通常は、 1 0 m〜l

5 μ πι程度である。

一方、鏡面加工（鏡面処理）とは、一般に、金型などの表面に上記のような梨地加工を施さず、凹凸のない平坦な面に仕上げることをいうが、本実施の形態では、 1 . 0 μ ΐη未満の極めて微細な凹凸を形成する場合も含まれる。鏡面加工が施された金型を使ってモールド樹脂 3を成形する工程については、後述する。図 1に示すように、モールド樹脂 3の上面の周辺部には、製造者、品番、口ット番号などを示すマーク 1 0が刻印されている。一般に、樹脂パッケージの表面にマークを形成する方法として、ィンクを用いた印刷方法とレーザーマーキング法とがあるが、本実施の形態の Q F N ( 1 A) は、モ一ルド樹脂 3の上面が平坦になっているので、印刷方法ではモールド樹月旨 3とィンクとの密着性が乏しくなる。そこで、上記マーク 1 0は、平坦な面にもマークを刻印できるレーザーマーキング法によって刻印されている。

図 5は、上記 Q F N ( 1 A) の製造に用いるリードフレームの平面図である。このリードフレーム 1 1は、 C u、 C u合金または F e — N i合金などからなる厚さ 1 2 5 /z m〜2 0 0 μ m程度の金属板からなり、前述したダイパッド部 4、吊りリード 5、リード 6などのパターンが繰り返し形成された構成になっている。すなわち、リードフレーム 1 1は、複数個（例えば 3個）のチップ 2を搭載できる多連構造を有している。このリードフレーム 1 1は、金属板をプレスで打ち抜いたり、エッチングしたりすることによって、ダイパッド部 4、吊りリード 5 、リード 6などのパターンを形成し、その後、これらのパターンの表面全体に P dメツキを施すことによって製造される。リードフレーム 1 1の表面全体に一括して P dメツキを施した場合は、リード 6の表面やダイパッド部 4の表面に選択的にメツキを施す工程が不要となる。

上記リードフレーム 1 1を使って Q F N ( 1 A) を組み立てるには、まず、図 6および図 7に示すように、 A g (銀）ペーストなどの接着剤 7を使ってダイパッド部 4上にチップ 2を接着した後、図 8および図 9に示すように、周知のボールボンディング装置を使って、チップ 2のボンディングパッド 8と、リードフレ —ム 1 1のリード 6とを A uワイヤ 9で電気的に接続（結線）する。

次に、上記リードフレーム 1 1を図 1 0に示す金型 2 0に装着する。図 1 0は、金型 2 0の一部（Q F N約 1個分の領域）を示す断面図である。この金型 2 0 は、上金型 2 O Aと下金型 2 0 Bとで構成されており、キヤビティ 2 1内に露出した上金型 2 O Aの表面には、鏡面加工が施されている。

上記金型 2 0を使ってチップ 2を樹脂封止するには、まず、下金型 2 0 Bの表面に薄い樹脂シ—ト 2 2を敷き、この樹脂シ一ト 2 2の上にリードフレーム 1 1 を載置する。リードフレーム 1 1は、ダイパッド部 4の裏面（チップ 2が実装された面と反対側の面）を上に向けて配置し、リ一ド 6を樹脂シ一ト 2 2に接触させる。そして、この状態でリード 6と樹脂シート 2 2とを上金型 2 O Aと下金型 2 0 Bとで挟み付け、ダイパッド部 4の裏面（上面）を上金型 2 O Aの表面に接触させると共に、上金型 2 O Aと下金型 2 0 Bとの押圧力によって、リード 6を樹脂シート 2 2の中に食い込ませる。このとき、上金型 2 O Aの表面は、梨地加ェされていない平坦な面となっているので、上金型 2 O Aの表面とダイパッド部 4とが密に接触する。

次に、この状態でキヤビティ 2 1内に溶融樹脂を注入してモールド樹脂 3を成形した後、上金型 2 O Aと下金型 2 0 Bとを分離する。これにより、図 1 1に示すように、ダイパッド部 4の裏面（上面）がモ一ノレド樹脂 3の上面から外部に露出すると共に、樹脂シ一ト 2 2の中に食い込んでいたリード 6がモールド樹脂 3 の下面から外部に露出する。また、リード 6は下金型 2 0 Bの表面に敷かれた樹月旨シート 2 2の中に食い込んでいるので、モールド樹月旨 3から突出して形成される。

前述したように、本実施の形態では、上金型 2 O Aとダイパッド部 4とが密に接触するので、キヤビティ 2 1内に注入された溶融樹脂は、上金型 2 O Aの表面とダイパッド部 4との隙間に入り難い。従って、モールド樹脂 3から露出したダィパッド部 4の裏面（上面）に付着する樹脂バリの量が低減される。

一方、リード 6は、下金型 2 0 Bの表面に敷かれた樹脂シート 2 2の中に食い込んでいるので、リード 6と樹脂シート 2 2との間に溶融樹脂が入り込むことはない。従って、モールド樹脂 3から露出したリード 6の表面に樹脂バリが発生することはない。

次に、金型 2 0から取り出したリードフレーム 1 1をウォータージヱット方式のバリ取り装置に搬送し、モールド樹脂 3の表面に高圧水を噴射することによつて、異物を除去する。このとき、モールド樹脂 3の上面から露出したダイパッド部 4の表面に付着している樹脂バリも同時に除去される。本実施の形態の製造方法によれば、ダイパッド部 4の表面には、僅かな量の樹脂バリしか付着しないので、たとえ樹脂バリが発生しても高圧水の噴射によつて速やかに樹脂バリを除去することができ、電解方式によるバリ取り作業が不要となる。従って、モーノレド樹脂 3の外部に露出したリード 6やダイパッド部 4の表面に施された P dメツキの劣化も低減される。また、本実施の形態における洗浄工程は、樹脂パッケージの外観を良くするためにも行う。

その後、モールド樹脂 3の上面の周辺部にレーザ一マーキング法でマーク 1 0 を刻印し、続いて、モールド樹脂 3の外部に露出したリードフレーム 1 1の不要箇所を切断してパッケージを個片化した後、テスティング工程および外観検査ェ程を経ることによって、前記図 1〜図 4に示す本実施の形態の Q F N ( 1 A) が完成する。

(実施の形態 2 )

前記実施の形態 1では、キヤビティ 2 1内に露出した上金型 2 O Aの表面全体に鏡面加工を施したが、例えば図 1 2に示すように、上金型 2 0 Aの表面のうち、ダイパッド部 4の裏面（上面）と接触する領域のみに鏡面加工を施し、他の頜域に梨地加工を施してもよい。

この場合も、キヤビティ 2 1内に注入された溶融樹脂は、上金型 2 O Aとダイパッド部 4との隙間に入り難いので、モールド樹脂 3から露出したダイパッド部 4の表面に付着する樹脂バリの量を低減することができる。

このような上金型 2 O Aにより成形された Q F N ( 1 A) は、図 1 5に示すように、モールド樹脂 3においてダイパッド部 4が露出する面には梨地加工が施された構造となる。

一方、この場合は、モールド樹脂 3の上面が梨地になるので、レーザーマ一キング方式と印刷方式のいずれの方法でもマーク 1 0を刻印することが可能となり

、マーキング工程の自由度が向上する。

また、この場合は、モールド樹脂 3の側面も梨地になるので、モールド工程が完了したリードフレーム 1 1を金型 2 0力ら取り出す際、モールド樹月旨 3と上金型 2 0 Aとの離型性が向上する。

図 1 3に示す上金型 2 0 Aは、前記図 1 2に示す上金型 2 0 Aと同様、ダイパッド部 4の裏面（上面）と接触する領域のみに鏡面加工を施し、他の領域に梨地加工を施したものであるが、さらに、ダイパッド部 4の裏面と接触する領域を他の領域よりもキヤビティ 2 1の内側に突出させ、ダイパッド部 4の外周部近傍の上金型 2 O Aの表面に段差を形成している。

このような段差を設けた場合は、キヤビティ 2 1内に注入された溶融樹脂が段差部の狭い隙間を通過する際に熱を奪われ易くなるので、樹脂の硬化が促進される。この結果、モールド樹脂 3により成形された Q F N ( 1 A) は、ダイパッドの周辺部のみ段差部の狭い隙間を設けた分だけ樹脂封止される。これにより、ダィパッド部 4と上金型 2 0 Aとの隙間に溶融樹脂が入り込み難くなるので、ダイパッド部 4の表面に発生する樹脂バリの量をさらに低減することができる。このような段差は、前記実施の形態 1で使用した上金型 2 0 A、または図 1 2に示すような上金型 2 O Aに形成してもよレ、。

このような上金型 2 O Aにより成形された Q F N ( 1 A) の断面図は、図 1 6 に示すように、モールド樹脂 3においてダイパッド部 4が露出する面には鏡面加ェが施され、さらにダイパッド部 4の周辺部において段差を有した構造となる。図 1 4に示す上金型 2 O Aの表面は、モールド樹脂 3の上面と接触する領域に鏡面加工を施し、モールド樹脂 3の側面と接触する領域に梨地加工を施したものである。

この場合は、モールド樹脂 3の上面が平坦になるので、マーク 1 0は、レーザ一マーキング方式によって刻印する。また、モールド樹脂 3の側面が梨地になるので、モールド樹月旨 3と上金型 2 O Aとの離型性が向上する。なお、図 1 4に示す上金型 2 0 Aの表面に、前記図 1 3に示すような段差を形成することにより、ダイパッド部 4の表面に発生する樹脂バリの量をさらに低減することができる。このような上金型 2 O Aにより成形された Q F N ( 1 A) の断面図は、図 1 7 に示すように、モールド樹脂 3においてダイパッド部 4が露出する面には鏡面加ェが施され、側面は梨地加工が施された構造となる。

(実施の形態 3 )

前記実施の形態 1では、ダイパッド部 4の面積がチップ 2の面積よりも大きい Q F N構造について説明したが、例えば図 1 8に示すように、ダイパッド部 4の面積がチップ 2の面積よりも小さい場合に、本発明を適用してもよい。

ダイパッド部 4の面積がチップ 2の面積よりも小さいと、上記したように樹脂バリがダイパッド部 4の表面全体を覆う可能性が、ダイパッド部 4の面積がチップ 2の面積よりも大きい場合に比べ高くなる。ダイパッド部 4の表面全体を樹脂バリで覆われてしまうと、バリ取り工程を行っても樹脂バリの除去が困難となる。しかし、実施形態 1および 2のような金型 2 0によりモールド樹脂 3を成形することで、ダイパッド部 4の裏面（上面）に樹脂バリが付着するのを抑制することができる。

(実施の形態 4 )

前記実施の形態 1〜 3では、チップ 2を 1個ずつ封止する金型 2 0を使用した力例えば図 1 9に示すように、複数のチップ 2を一括して樹脂封止し、その後、樹脂およびリードフレーム 1 1を切断して Q F N ( 1 A) を個片化する一括モールド方式の金型を使用する場合に、本発明を適用してもよい。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明した力本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

前記実施の形態では、 Q F Nの製造に適用した場合について説明したが、一般に、半導体チップを封止するモールド樹脂の実装面に外部接続端子を配置し、モールド樹脂の他の面にダイパッド部を露出させる樹脂パッケージの製造に広く適用することができる。

前記実施の形態では、リードフレームに P dメツキを施した場合について説明したが、 C uに A 1を形成する後付けメツキ方式のリードフレームに適用してもよい。

また、前記実施の形態では、上金型の表面において、少なくともダイパッド部 4の裏面（上面）と接触する部分は鏡面加工されている場合について説明したが、梨地加工を施した上金型を適用しても、その梨地加工によって形成される凹凸の大きさを小さくすれば、樹脂パリの発生は多少ではあるが抑制できる。上金型の表面全体を梨地加工で形成することで、鏡面加工で形成するよりも金型の製造コストを低減できる。し力し、上金型の表面全体を梨地加工にする場合、ダイパッド部 4の裏面（上面）と上金型の表面とを密にできないため、樹脂バリは発生することから、モールド樹月旨 3を成形後の洗浄工程は必要である。さらに説明すると、同じサイズのダイパッドに対して、例えば凹凸の大きさが 5 μ πΐと 1 5 μ mの上金型により成形した場合、凹凸の大きさが小さい方がダイパッド部の裏面 (上面）全体は樹脂バリで覆われ難くなる。産業上の利用可能性

半導体チップを封止するモールド樹脂の実装面に外部接続端子を配置し、モールド樹脂の他の面にダイパッド部を露出させたパッケージ構造を有する Q F N (Q uad Flat Non-leaded package)などの製造に適用することができる。

Claims

1 . ダイパッド部と、前記ダイパッド部の一面に実装された半導体チップと、前記ダイパッド部の周囲を囲むように配置された複数本のリードと、前記複数本のリ一ドのそれぞれと前記半導体チップとを電気的に接続する複数本のワイヤとがモールド樹脂によって封止され、

前記複数本のリ一ドのそれぞ請れの一部が、前記モールド樹脂の実装面から露出されることによって、複数の外部接続端子が構成され、

前記ダイパッド部の一面と反対側の他の面が、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面から露出されたパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法であつて、囲

( b ) 前記リードフレームに形成された前記ダイパッド部の一面に、前記半導体チップを実装した後、前記リードフレームに形成された前記複数本のリードのそれぞれと前記半導体チップとをワイャで電気的に接続する工程と、

( c ) 前記工程（b ) の後、上金型と下金型とからなる金型に前記リードフレームを装着し、前記ダイパッド部の他面を前記上金型の表面に接触させると共に、前記複数本のリ一ドのそれぞれの一部を、前記下金型の上に敷かれた樹脂シ一トに接触させる工程と、

( d ) 前記工程（c ) の後、前記金型のキヤビティ内に溶融樹脂を供給することによって、前記モールド樹脂を成形する工程とを有し、

前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面全体が鏡面処理されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

2 . 前記工程（d ) の後、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面に、レ一ザ一マークを刻印する工程をさらに有することを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。

3 . 前記工程（b ) に先立って、前記リードフレームの表面にメツキを施すことを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。

4 . 前記メツキは、 P dメツキであることを特徴とする請求項 3記載の半導体装置の製造方法。

5 . 前記工程（d ) の後、前記モールド樹脂の表面に高圧水を噴射することによつて、前記ダイパッド部の他面に付着した樹脂バリを除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。

6 . 前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面全体は、凹凸を有し、前記凹凸の大きさは 1 . 0 μ πι未満であることを特徴とする請求項 1記載の半導体装置の製造方法。

7 . ダイパッド部と、前記ダイパッド部の一面に実装された半導体チップと、前記ダイパッド部の周囲を囲むように配置された複数本のリードと、前記複数本のリ一ドのそれぞれと前記半導体チップとを電気的に接続する複数本のワイャとがモールド樹脂によって封止され、

前記複数本のリ一ドのそれぞれの一部が、前記モールド樹脂の実装面から露出されることによって、複数の外部接続端子が構成され、

前記ダイパッド部の一面と反対側の他面が、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面から露出されたパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法であつて、

( b ) 前記リードフレームに形成された前記ダイパッド部の一面に、前記半導体チップを実装した後、前記リ一ドフレームに形成された前記複数本のリ一ドのそれぞれと前記半導体チップとをワイャで電気的に接続する工程と、

( c ) 前記工程（b ) の後、上金型と下金型とからなる金型に前記リードフレームを装着し、前記ダイパッド部の他面を前記上金型の表面に接触させると共に、前記複数本のリ一ドのそれぞれの一部を、前記下金型の上に敷かれた樹脂シートに接触させる工程と、

前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面のうち、前記ダイパッド部の他面に接触する領域は鏡面処理され、他の領域は梨地処理されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

8 . 前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面のうち、前記ダイパッド部の他面と接触する領域は、前記他の領域よりも前記キヤビティの内側に突出していることを特徴とする請求項 7記載の半導体装置の製造方法。

9 . 前記工程（d ) の後、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面に、ィンクマークを刻印する工程をさらに有することを特徴とする請求項 7記載の半導体装置の製造方法。

1 0 . 前記工程（b ) に先立って、前記リードフレームの表面にメツキを施すことを特徴とする請求項 7記載の半導体装置の製造方法。

1 1 . 前記工程（d ) の後、前記モールド樹脂の表面に高圧水を噴射することによって、前記ダイパッド部の他面に付着した樹脂バリを除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項 7記載の半導体装置の製造方法。

1 2 . 前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面のうち、前記ダイパッド部の他面に接触する領域は、他の領域よりも平坦度が高いことを特徴とする請求項

7記載の半導体装置の製造方法。

1 3 . ダイパッド部と、前記ダイパッド部の一面に実装された半導体チップと、前記ダイパッド部の周囲を囲むように配置された複数本のリードと、前記複数本のリードのそれぞれと前記半導体チップとを電気的に接続する複数本のワイャとがモールド樹脂によって封止され、

( b ) 前記リードフレームに形成された前記ダイパッド部の一面に、前記半導体チップを実装した後、前記リードフレームに形成された前記複数本のリ一ドのそれぞれと前記半導体チップとをワイャで電気的に接続する工程と、 ( C ) 前記工程（b ) の後、上金型と下金型とからなる金型に前記リードフレームを装着し、前記ダイパッド部の他面を前記上金型の表面に接触させると共に、前記複数本のリードのそれぞれの一部を、前記下金型の上に敷かれた樹脂シートに接触させる工程と、

前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面のうち、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面に接触する領域は鏡面処理され、前記モールド樹脂の側面に接触する領域は梨地処理されていることを特徴とする半導体装置の製造方法

1 4 . 前記工程（d ) の後、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面に、レーザーマークを刻印する工程をさらに有することを特徴とする請求項 1 3記載の半導体装置の製造方法。

1 5 . 前記工程（b ) に先立って、前記リードフレームの表面にメツキを施すことを特徴とする請求項 1 3記載の半導体装置の製造方法。

1 6 . 前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面のうち、前記ダイパッド部の他面と接触する領域は、他の領域よりも前記キヤビティの内側に突出していることを特徴とする請求項 1 3記載の半導体装置の製造方法。

1 7 . 前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面のうち、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面に接触する領域は、前記モールド樹脂の側面に接触する領域よりも平坦度が高いことを特徴とする請求項 1 3記載の半導体装置の製造方法。

1 8 . ダイパッド部と、前記ダイパッド部の一面に実装された半導体チップと、前記ダイパッド部の周囲を囲むように配置された複数本のリードと、前記複数本のリ一ドのそれぞれと前記半導体チップとを電気的に接続する複数本のワイヤとがモールド樹脂によって封止され、

前記複数本のリ一ドのそれぞれの一部が、前記モールド樹脂の実装面から露出されることによって、複数の外部接続端子が構成され、前記ダイパッド部の一面と反対側の他面が、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面から露出されたパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法であつて、

( b ) 前記リードフレームに形成された前記ダイパッド部の一面に、前記半導体チップを実装した後、前記リードフレームに形された前記複数本のリ一ドのそれぞれと前記半導体チップとをワイャで電気的に接続する工程と、

前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面のうち、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面に接触する領域は、他の領域よりも平坦度が高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

1 9 . 前記キヤビティ内に露出した前記上金型の表面のうち、前記ダイパッド部の他面と接触する領域は、前記他の領域よりも前記キヤビティの内側に突出していることを特徴とする請求項 1 8記載の半導体装置の製造方法。

2 0 . 前記工程（d ) の後、前記モールド樹脂の前記実装面とは反対側の面に、インクマークを刻印する工程をさらに有することを特徴とする請求項 1 8記載の半導体装置の製造方法。

2 1 . 前記工程（b ) に先立って、前記リードフレームの表面にメツキを施すことを特徴とする請求項 1 8記載の半導体装置の製造方法。

2 2 . 前記工程（d ) の後、前記モールド樹脂の表面に高圧水を噴射することによって、前記ダイパッド部の他面に付着した樹脂バリを除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項 1 8記載の半導体装置の製造方法。