Beschreibung
Substrat mit Leiterbahnen und Herstellung der Leiterbahnen auf Substraten für Halbleiterbauteile.
Die Erfindung betrifft ein Substrat mit Leiterbahnen und ein Verfahren zur Herstellung und Aufbringung von Leiterbahnen auf ein Substrat für Halbleiterbauteile mit engem Anschlussraster und kleiner Leiterbahnbreite oder kleinem Leiterbahndurchmes- ser.
Unter einem "engen Anschlussraster" wird in der vorliegenden Erfindung ein Anschlussraster verstanden mit einem Abstand zwischen den Leiterbahnen von ca. 100 Nanometern bis ca. 10 Mikrometern. "Kleine Leiterbahnbreite bzw. kleiner Leiterbahn¬ durchmesser" bedeutet hier, dass die Breite bzw. der Durchmes¬ ser der Leiterbahnen auf dem Substrat zwischen ca. 10 Nanome¬ tern und ca. 10 Mikrometern liegt.
Gemäß dem Stand der Technik werden heute Halbleiterbauteile typischerweise mit Anschlussrastern in der Größenordnung von einigen hundert Mikrometern bis minimal ca. 50 μm gebaut. Halbleiterbauteile mit Anschlussrastern bis minimal ca. 20 μm befinden sich im Entwicklungsstadium. Es ist jedoch absehbar, dass sich die Anschlussdichten, also die Anzahl benötigter
Kontakte bei konstanter Halbleiterchipfläche noch weiter erhö¬ hen werden, bzw. dass die Größe der Anschlussflächen und die Abstände dazwischen noch weiter verkleinert werden.
Für diese neuen Halbleiterbauteile bzw. Halbleiterchips werden Substrate mit Leiterbahnen zur Montage benötigt.
Der Begriff "Substrate" wird im vorliegenden Text für alle Arten von Halbleiterchips, Leiterplatten oder Trägerplatten verwendet, die Leiterbahnen und/oder Kontaktflächen in der Größenordnung und mit einem Anschlussraster von ca. 100 Nano- metern bis ca. 10 Mikrometern erfordern.
Aus der Druckschrift US 6,626,684 Bl ist ein Sockel zur An- kopplung von Halbleiterbauteilen mit integrierten Schaltungen oder von Halbleiterchips an eine Leiterplatte bekannt. Dieser Sockel ist mehrlagig und weist eine Lage mit einem Substrat auf, welches Durchgangsöffnungen besitzt, wobei eine elekt¬ risch leitende Kohlenstoff-Nanoröhren-Struktur mindestens in einer der Durchgangsöffnungen angeordnet ist. Ein Nachteil dieses Substrats mit Durchgangsleitungen aus Kohlenstoff- Nanoröhren ist die lineardimensionale und Ausrichtung der Kohlenstoff-Nanoröhren-Struktur in einer Durchkontaktöffnung orthogonal zu der Substratoberfläche, was auf horizontale Verdrahtungsstrukturen mit engem Anschlussraster nicht über¬ tragbar ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Substrat mit Leiterbahnen und Herstellung der Leiterbahnen auf einer Oberseite des Substrats für Halbleiterbauteile bereitzustel¬ len.
Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Pa¬ tentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfin¬ dung ergeben sich aus den jeweiligen abhängigen Patentansprü¬ chen.
Erfindungsgemäß wird ein Substrat mit Leiterbahnen und Kon¬ taktflächen angegeben, wobei die Leiterbahnen ein Verdrah¬ tungsmuster auf einer Oberseite des Substrats bilden. Dieses Verdrahtungsmuster verbindet Kontaktflächen über die Leiter-
bahnen miteinander. Die Leiterbahnen weisen dazu eine kleine Leiterbahnbreite bzw. einen kleinen Leiterbahndurchraesser auf. Zusätzlich bilden die Kontaktflächen und/oder die Leiterbahnen ein enges Anschlussraster auf dem Substrat aus und weisen elektrisch leitende Kohlenstoff-Nanoröhren auf.
Ein Vorteil dieses Substrats mit Leiterbahnen, die elektrisch leitende Kohlenstoff-Nanoröhren aufweisen, liegt darin, dass das bisherige in der Entwicklung befindliche Anschlussraster von 20 Mikrometern bei Halbleiterbauteilen um mehrere Größen¬ ordnungen bis hinunter auf 100 Nanometer vermindert wird. Ein weiterer Vorteil liegt in der extrem kleinen Leiterbahnbreite, bzw. einem extrem kleinen Leiterbahndurchmesser, die bzw. der mit Kohlenstoff-Nanoröhren erreichbar ist. Derartige Kohlen- stoff-Nanoröhren ermöglichen Leiterbahnen von einer bevorzug¬ ten Breite zwischen 10 Nanometer und 30 Nanometer, wenn die Leiterbahn eine einzige mehrwandige Kohlenstoff-Nanoröhre aufweist. Bei einwandigen Kohlenstoff-Nanoröhren lassen sich Leiterbahndurchmesser von 0,6 bis 1,8 Nanometer in vorteilhaf- ter Weise erreichen.
Darüber hinaus haben die Kohlenstoff-Nanoröhren den Vorteil einer geringen Dichte, die mit 1,33 bis 1,4 g/cm2 um den Fak¬ tor 2 geringer ist als die Dichte von Aluminium, welches bis- her für metallische Leiterbahnen auf Halbleiterchips einge¬ setzt wird. Gegenüber Kupfer, das vorzugsweise bisher als Leiterbahnmaterial auf Leiterplatten eingesetzt wird, ergibt sich sogar eine Dichteverringerung um den Faktor von etwa 6, wenn Kohlenstoff-Nanoröhren eingesetzt werden. Auch die Zug- festigkeit von elektrisch leitenden Kohlenstoff-Nanoröhren ist mit ca. 1011 Pa um mehrere Größenordnungen besser als bei Metallen, sodass die Gefahr eines Abrisses der Leiterbahnen aus Kohlenstoff-Nanoröhren bei hoher thermischer Belastung
aufgrund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten der betei¬ ligten Materialien in einem Halbleiterbauteil oder auf einer Leiterplatte gegenüber herkömmlichen Leiterbahnen aus Metallen geringer ist.
Da Kohlenstoff-Nanoröhren auf ihrer Länge von 10 Nanometern bis einigen Millimetern keine Korngrenzen, wie Metalle oder Kohlenstofffasern, aufweisen, ist ihre Verformbarkeit und Elastizität wesentlich größer und ein Aufbrechen oder eine Mikrorissbildung an Korngrenzen, wie es bei metallischen Lei¬ terbahnen auftritt, nicht möglich. Für Leiterbahnen auf Sub¬ straten ist darüber hinaus entscheidend, dass eine hohe Strom¬ belastbarkeit möglich ist. Bei herkömmlichen metallischen Leiterbahnen treten bei hoher Strombelastung Materialmigratio- nen auf, sodass die Strombelastung bei Leiterbahnen aus Kupfer auf weniger als 1 x 106 A/cm2 (1 Mio. A/cm2) begrenzt ist, während mit Kohlenstoff-Nanoröhren eine Strombelastbarkeit der Leiterbahnen von bis zu 1 x 109 A/cm2 möglich ist.
Die Wärmeleitung bei derartigen dicht angeordneten Leiterbahn¬ strukturen ist ebenfalls ein Faktor, der entscheidend zur Verbesserung eines Halbleiterbauteils oder einer Leiterplatte beitragen kann. Für Kohlenstoff-Nanoröhren wurde festgestellt, dass die Wärmeleitfähigkeit mit 6000 Watt pro Meter und Grad Kelvin nahezu doppelt so hoch ist, wie bei Diamant. Darüber hinaus können die Eigenschaften weiter verbessert werden, insbesondere in der Strombelastung und der Bruchfestigkeit durch mehrwandige Kohlenstoff-Nanoröhren als Leiterbahnen. Der Durchmesser derartiger mehrwandiger Kohlenstoff-Nanoröhren liegt zwischen 2 und 300 Nanometern, wobei für die Anwendung als Leiterbahnen eines Substrats der vorliegenden Erfindung vorzugsweise Kohlenstoff-Nanoröhren mit einem Durchmesser d zwischen 10 ≤ d ≤ 30 nm eingesetzt werden.
Das hat den Vorteil, dass auf dem Substrat Leiterbahnen aus Agglomeraten von Kohlenstoff-Nanoröhren eingesetzt werden können, die eine erhöhte Sicherheit durch mehrere parallel geschaltete Kohlenstoff-Nanoröhren gegen einen Abriss der Verbindung zwischen zwei Kontaktflächen auf einem Substrat liefern. Dazu können in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung die Leiterbahnen in Längsrichtung nebeneinander liegende mehrwandige Kohlenstoff-Nanoröhren aufweisen.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist je¬ doch eine einzelne Leiterbahn des Substrats ein einzelnes mehrwandiges Kohlenstoff-Nanorohr auf, womit in vorteilhafter Weise ein äußerst enges Anschlussraster verwirklicht werden kann.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Leiterbahnen mehrlagig ausgeführt. Dazu weisen die Leiterbahnen eine Basislage aus Katalysatormaterial auf, wobei das Katalysatormaterial das Bilden von Kohlenstoff-Nanoröhren aus Vorstufen fördert. Außerdem weisen diese Leiterbahnen eine Stapellage auf, die ihrerseits Kohlestoff-Nanoröhren zeigt. Diese Mehrlagigkeit der Leiterbahnen hat den Vorteil, dass Leiterbahnen auf einem Substrat gezielt strukturiert werden können, indem das Katalysatormaterial zunächst selektiv und strukturiert aufgebracht wird. Auf dieser Basislage kann sich dann aus einer Suspension, die ein Lösungsmittel und Vorstufen von Kohlenstoff-Nanoröhren aufweist, die Stapellage auf der Basislage ausbilden.
Dazu weist die Basislage vorzugsweise ein Metall der Gruppe Nickel, Eisen, Molybdän, Kobalt oder Legierungen derselben auf. Diese Katalysatormaterialien können als strukturierte
Basislagen für Leiterbahnen auf dem Substrat verbleiben und wirken somit als Katalysatoren zur Bildung von Kohlenstoff- Nanoröhren, überall dort, wo sie auf dem Substrat aufzubringen sind. Als Keime zur Bildung von Kohlenstoff-Nanoröhren werden vorzugsweise Kohlenstoff-Fullerene eingesetzt, die als Gra¬ phitbällchen bekannt sind, und einwandige hexagonal struktu¬ rierte hohlkugelförmige Graphitpartikel ausbilden. Unter dem Einfluss des Katalysatormaterials generieren diese Fullerene als Feststoffe in einer Suspension Nanoröhren, die sich ent- lang der durch die Struktur des Katalysatormaterials vorgege¬ benen Leiterbahnen ausbreiten können.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Substrat mehrere Leiterbahnlagen mit Kohlenstoff- Nanoröhren auf, wobei die Leiterbahnlagen durch Isolationsla¬ gen elektrisch voneinander isoliert sind. Mit einem derartigen Substrat kann die Leitungsdichte weiter erhöht werden, und durch entsprechend vorbereitete Durchkontaktierungen über Kohlenstoff-Nanoröhren in den Isolationslagen können die Lei- terbahnen vorteilhaft untereinander elektrisch verbunden sein.
Dazu weist das Substrat mindestens eine Isolationslage auf, welche mindestens ein Kohlenstoff-Nanorohr als Durchkontakt durch die Isolationslage besitzt. Als Durchkontakte können jedoch auch in einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung die Kohlenstoff-Nanoröhren als Agglomerat in einer Durchgangsöffnung durch die Isolationslage ausgebildet sein. Dabei bilden die Kohlenstoff-Nanoröhren vorzugsweise eine Kolumnarstruktur von aneinander liegenden und orthogonal zur Isolationslage ausgerichteten Kohlenstoff-Nanoröhren als
Durchkontakte durch die Isolationslage aus. Somit ist es mög¬ lich, engste dreidimensionale Anschlussraster für Leiterbahnen
und/oder Kontaktflächen itiithilfe der Kohlenstoff-Nanoröhren- Technologie für Halbleiterbauteile zu verwirklichen.
Vorzugsweise ist das Substrat ein Schaltungsträger. Derartige Schaltungsträger werden eingesetzt, um enge Anschlussraster von Kontaktflächen eines Halbleiterchips mit vergrößerten Kontaktflächen auf dem Schaltungsträger über entsprechende Leiterbahnen zu verbinden. Während das Anschlussraster für die Kontaktflächen des Halbleiterchips auf dem Schaltungsträger äußerst eng ausgelegt wird, erweitert sich das Anschlussraster auf die Größenordnung von Außenkontakten eines Halbleiterbau¬ teils auf dem Schaltungsträger. Somit weist der Schaltungsträ¬ ger zwei unterschiedliche Anschlussraster auf, wobei ein enges Anschlussraster im Bereich des Halbleiterchips mit der Kohlen- stoff-Nanoröhren-Technologie auf wenige 100 Nanometer redu¬ ziert werden kann, während eine anderes weites Rastermaß für die Außenkontakte des Halbleiterchips auf übliche technische Standards mithilfe der Leiterbahnen des erfindungsgemäßen Substrats erweitert werden kann.
Unter einem Substrat wird in diesem Zusammenhang auch ein Halbleiterchip verstanden, wobei die Leiterbahnen auf dem Halbleiterchip mithilfe der Kohlenstoff-Nanoröhren-Technologie hergestellt sind, sodass die Kontaktflächen des Halbleiter- chips ein bisher nicht erreichtes enges Anschlussraster auf¬ weisen können. Dazu ist das Material des Substrats ein Halb¬ leitermaterial, vorzugsweise aus monokristallinem Silicium.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist das Substrat einen plattenförmigen, isolierenden Grundkörper aus Keramik auf. Mithilfe derartiger Keramikplatten, insbesondere in Form von mehrlagigen Keramikplatten mit zwischengelagerten Leiterbahnlagen, können enge Anschlussraster für Verdrahtungs-
Substrate bereitgestellt werden, womit die Gesamtabmessung eines Halbleiterbauteils weiter minimiert werden kann. Derar¬ tige Keramiksubstrate mit eingelagerten Kohlenstoff-Nanoröhren als Leiterbahnen können insbesondere für Hochfrequenzbauteile und integrierter Schaltungen für Hochfrequenzen im Giga- und Tera-Hz-Bereich eingesetzt werden.
Weiterhin kann das Substrat eine isolierende Grundplatte aus einem Kunststoff, vorzugsweise aus einem faserverstärkten Kunststoff, aufweisen, und eine Leiterplatte oder einen Nutzen darstellen, auf dem mehrere Halbleiterchips angeordnet und mithilfe der Kohlenstoff-Nanoröhren-Technologie verdrahtet werden können.
Halbleiterbauteile, die ein derartiges Substrat als Halblei¬ terchip aufweisen, können so genannte "Chip-Size"-Halbleiter- bauteile darstellen. Bei einem bevorzugten Verfahren für die Herstellung von Leiterbahnen auf Substraten werden Kohlen¬ stoff-Nanoröhren über die Flüssigkeitsphase durch Aufbringen einer Suspension aus Keimen für die Bildung von Kohlenstoff- Nanoröhren eingesetzt. Das ermöglicht flexibel strukturierbare Leiterbahnen. Da die Kohlenstoff-Nanoröhren eine höhere elekt¬ rische Leitfähigkeit aufweisen, sind somit auch kleinere Strukturen für die Leiterbahntechnik möglich.
Darüber hinaus können ganze Netzwerke von Kohlenstoff- Nanoröhren durch drucktechnisches Aufbringen von Verbindungen bzw. Leiterbahnen mit entsprechenden Vorstufen der Kohlen¬ stoff-Nanoröhren, die dann in das Kohlenstoff-Nanoröhren- Netzwerk umgewandelt werden, gebildet werden. Dazu kann bspw. eine Suspension aus einer Lösung und Kohlenstoff- Nanoröhrchenvorstufen mit entsprechenden Katalysatormetallpar¬ tikeln in dem Lösungsmittel gemischt werden, welches dann als
Suspension oder Lösung auf die Halbleiterchips oder Substrat¬ oberflächen selektiv mittels Drucktechnik aufgebracht wird. Die Umwandlung der Vorstufen der Kohlenstoff-Nanoröhren in ein Kohlenstoff-Nanoröhren-Netzwerk wird schließlich mit Nieder- temperaturprozessen erreicht.
In einem ersten Ausführungsbeispiel der Herstellung von Lei¬ terbahnen aus Kohlenstoff-Nanoröhren wird gemäß der vorliegen¬ den Erfindung in einem ersten Arbeitsschritt ein Leiterplat- tengrundkörper bereitgestellt. Das Material des Leiterplatten- grundkörpers hängt von der gewünschten Anwendung der Leiter¬ platte ab und kann für die vorliegende Erfindung und das vor¬ liegende erfindungsgemäße Verfahren von Bedeutung sein. Es sind alle Materialien denkbar und möglich, die elektrische Isolatoren sind, insbesondere Kunststoffe und Keramiken. Wie oben erwähnt, können jedoch auch Halbleiterchips bei dem er¬ findungsgemäßen Verfahren zur Anwendung kommen.
Auf den Leiterplattengrundkörper wird eine Suspension aufge- bracht, die neben Katalysatoren und Lösungsmitteln gereinigte und elektrisch leitende Vorstufen von Kohlenstoff-Nanoröhren unterschiedlicher Größe aufweist. Das Aufbringen der Suspensi¬ on kann auf verschiedenste Weise geschehen, z.B. durch Aufdru¬ cken und/oder Aufsprühen. Die gewählte Methode des Aufbringens wird entsprechend der physikalischen Eigenschaften der aufzu¬ bringenden Suspension gewählt. Das Aufbringen der Suspension kann vorzugsweise ganzflächig durchgeführt werden, entspre¬ chend einer vorgegebenen Lage und Dimension der aufzubringen¬ den Leiterbahnen.
In einem nächsten Prozessschritt wird die aufgebrachte Suspen¬ sion so behandelt, dass sich die darin enthaltenen Vorstufen von Kohlenstoff-Nanoröhren-Teilstücken zu elektrisch leitenden
Kohlenstoff-Nanoröhren-Netzwerken verbinden, die in ihrer räumlichen Anordnung dem gewünschten Leiterbahn-Layout ent¬ sprechen.
In einem nächsten Reinigungsschritt werden übrig gebliebene Kohlenstoff-Nanoröhren-Teilstücke, Lösungsmittel und Katalysa¬ toren von der Leiterplatte entfernt. Danach werden an den Endpunkten der Leiterbahnen Kontaktanschlussflächen aufge¬ bracht.
In einem anschließenden Herstellungsschritt werden die Leiter¬ bahnen mit einer polymerartigen, elektrisch isolierenden Schicht zum Schutz des Kohlenstoff-Nanoröhren-Netzwerkes be¬ deckt, sodass die sehr feinen Kohlenstoff-Nanoröhren- Leiterbahnen vor Beschädigungen geschützt sind und die Span¬ nungsfestigkeit nicht über Luftstrecken definiert ist. Dabei werden Kontaktflächen für das Anbringen bspw. von Kontakten oder das Anbringen von weiteren Verdrahtungssystemen frei¬ gehalten.
Ein alternatives Verfahren zur Herstellung von Substraten mit Leiterbahnen für Halbleiterbauteile weist die' nachfolgenden Verfahrensschritte auf:
Zunächst wird ebenfalls ein Grundkörper aus Keramik, Halblei¬ termaterial oder Kunststoff mit Kontaktflächen und/oder Durch¬ kontakten hergestellt. Anschließend wird der Grundkörper, der Durchkontakte und/oder Kontaktflächen bereits aufweist, selek¬ tiv mit einem Verdrahtungsmuster aus einer Suspension, die Vorstufen von Kohlenstoff-Nanoröhren aufweist, beschichtet.
Anschließend wird der beschichtete Grundkörper mit der selek¬ tiv beschichteten Suspension erwärmt, wobei sich Kohlenstoff- Nanoröhren als Leiterbahnen zwischen den Kontaktflächen
und/oder den Durchkontakten ausbilden. Der Unterschied zum erst genannten Verfahren besteht darin, dass die Endpunkte der Leiterbahnen auf dem Grundkörper vorhanden sind und diese Punkte in einem Netzwerk von Kohlenstoff-Nanoröhren durch die Wärmebehandlung der Suspension zu einem Netzwerk verknüpft werden.
Zur Herstellung der Suspension wird vorzugsweise ein polymerer Kunststoff in einem Lösungsmittel aufgelöst und mit z. B. in einem Lichtbogen erzeugten Vorstufen von Kohlenstoff-
Nanoröhren gemischt. Diese Vorstufen können Teilstücke von Kohlenstoff-Nanoröhren aufweisen oder hohlkugelförmige Kohlen¬ stoffbällchen in Form von Fullerenen, die ebenfalls in einem Lichtbogen erzeugt werden, besitzen.
In einem weiteren bevorzugten Durchführungsbeispiel des Ver¬ fahrens werden zunächst zur Herstellung der Suspension Kohlen¬ stoff-Nanoröhren in einem Heizrohr unter Zufuhr eines Pulver¬ gemisches aus Graphitpartikeln, vorzugsweise aus Kohlenstoff- Fullerenen und Katalysatormetallpartikeln in einem Laserstrahl erzeugt. Weiterhin ist es möglich, für das Herstellen der Suspension zunächst Kohlenstoff-Nanoröhren in einem Druckrohr¬ ofen mittels Gasphasenabscheidung unter Zufuhr von Kohlenmono- xid und Wasserstoff zu erzeugen und sie dann zu einer Suspen- sion mit einem polymeren Kunststoff und einem Lösungsmittel zu vermischen. Als polymerer Kunststoff wird vorzugsweise ein Fluoropolymer und/oder ein Tetrafluorethylen und/oder ein Polyvenylfluorid eingesetzt. Auch Polymere auf der Basis PBO (Phenylen-Benzodioxol) können zu entsprechenden Suspensionen mit Vorstufen von Kohlenstoff-Nanoröhren gemischt werden.
Bei einem weiteren bevorzugten Durchführungsbeispiel des Ver¬ fahrens zur Herstellung von Leiterbahnen auf Substraten für
Halbleiterbauteile werden nachfolgende Verfahrensschritte durchgeführt:
Zunächst wird wie in dem vorhergehenden Verfahren ein Grund- körper aus Keramik, Halbleitermaterial oder Kunststoff mit Kontaktflächen und/oder Durchkontakten hergestellt, die als Endpunkte für die Leiterbahnen des Substrats dienen sollen. Anschließend wird der Grundkörper mit einem Katalysatormetall selektiv beschichtet.
In einem weiteren Verfahrensschritt werden dann auf der struk¬ turierten Beschichtung aus Katalysatormetall Kohlenstoff- Nanoröhren unter Ausbilden von Leiterbahnen zwischen den Kon¬ taktflächen und/oder den Durchkontakten abgeschieden. Zur Herstellung einer selektiven Beschichtung kann in allen Fällen eine Drucktechnik eingesetzt werden. Vorzugsweise wird eine Strahldrucktechnik analog zum Tintenstrahldrucken verwendet, um entsprechend eng benachbarte Spuren einer Suspension oder eines Katalysatormaterials auf dem Substrat bzw. auf dem Grundkörper aufzubringen. Für gröbere Strukturen ist auch die Siebdrucktechnik oder die Schablonendrucktechnik einsetzbar. Eine weitere Möglichkeit ein selektives Beschichten, und damit eine Strukturierung in den unterschiedlichen Verfahrensvarian¬ ten zu erreichen, erfolgt mittels photolithographischer Tech- niken, die in der Halbleiterindustrie und Fertigung bekannt und verbreitet sind. Ferner ist auch ein Laserstrukturieren möglich.
Nachdem eine entsprechende Struktur aus Katalysatormetall auf dem Grundkörper vorliegt, kann in einer weiteren Ausführungs¬ form der Erfindung das Abscheiden von Kohlenstoff-Nanoröhren auf dem strukturierten Katalysatormetall aus einem Gemisch aus Kohlenstoff-Fullerenen, Inertgas und Kohlenmonoxid in einem
Heizrohr, in dem das Substrat platziert ist, erfolgen. Dabei entwickeln sich die Kohlenstoff-Fullerene, sobald sie die strukturierten Katalysatormetalle berühren, zu Kohlenstoff- Nanoröhren entlang der vorgegebenen Struktur.
In einer weiteren Variante einer Durchführung des Verfahrens wird das Abscheiden von Kohlenstoff-Nanoröhren auf dem struk¬ turierten Katalysatormetall aus einem Gemisch aus Kohlenmono- xid und Wasserstoff in einem Druckrohrofen bei 500 bis 8000C erreicht, indem das Substrat mit aufgebrachter Katalysator¬ struktur platziert ist. Für eine derartige Abscheidung ist jedoch das Material des Grundkörpers auf Halbleiterchips und/oder Keramikplatten beschränkt, da Kunststoffplatten die Druckofentemperaturen nicht beschädigungsfrei überstehen.
Weiterhin ist es vorgesehen, in einem Verfahren zur Herstel¬ lung von Halbleiterbauteilen mit Substraten und Leiterbahnen nachfolgende Verfahrensschritte durchzuführen. Zunächst wird ein Substrat mit Leiterbahnen, die Kohlenstoff-Nanoröhren aufweisen, wie oben beschrieben hergestellt. Anschließend wird auf dieses Substrat mindestens ein Halbleiterchip aufgebracht. Die Kontaktflächen dieses Halbleiterchips werden mit der Lei¬ terbahnstruktur aus Kohlenstoff-Nanoröhren des Substrats ver¬ bunden. Danach werden sowohl die Verbindungen als auch der Halbleiterchip in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet.
Abschließend können dann Außenkontakte an das Halbleiterbau¬ teil angebracht werden. Wenn das Halbleitersubstrat mit seinen Leiterbahnen für mehrere Halbleiterbauteile vorgesehen ist, wie das bspw. bei einem Nutzen der Fall ist oder bei anderen Verdrahtungssubstraten, kann vor dem Aufbringen von Außenkon¬ takten dieses Substrat für mehrere Halbleiterbauteile in Ein¬ zelhalbleiterbauteile getrennt werden. Der Vorteil, den dieses
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils aufweist, besteht darin, dass die Dimensionen der Substrate weiter mini¬ miert werden können und stärker an die Größenordnung eines Halbleiterchips angepasst werden können, sodass Halbleiterbau¬ teile entstehen, die in ihrer Größe den Halbleiterchips ent¬ sprechen.
Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
Figur 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Substrat mit Verdrahtungsmuster in Kohlenstoff-Nanoröhren- Technik;
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine
Leiterbahn gemäß einer ersten Ausführungsform der Er¬ findung;
Figur 3 zeigt eine dreidimensionale schematische Darstellung eines einwandigen Kohlenstoff-Nanorohres mit hexago- nal angeordneten Kohlenstoffatomen;
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine
Leiterbahn in Längsrichtung gemäß der ersten Ausfüh¬ rungsform der Erfindung entsprechend Figur 2;
Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Sub¬ strat mit Durchkontakten in Kohlenstoff-Nanoröhren- Technik;
Figur 6 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Substrat mit Durchkontakten in Kohlenstoff-Nanoröhren-Technik
angepasst an einen Halbleiterchip mit zentralem Bond¬ kanal;
Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt des Substrats gemäß Figur 5 mit aufgebrachten Kontaktanschlussflä¬ chen;
Figur 8 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Substrat gemäß Figur 7 mit aufgebrachter Kohlenstoff- NanorÖhren-Verdrahtung;
Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub¬ strat gemäß Figur 8;
Figur 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub¬ strat gemäß Figur 9 nach Aufbringen eines Halbleiter¬ chips mit zentralem Bondkanal;
Figur 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch Komponen- ten eines Halbleiterbauteils nach Aufbringen einer
Kunststoffmasse und nach Aufbringen von Außenkontak¬ ten;
Figur 12 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Substrat mit Halbleiterchip und Öffnungen im Substrat zu Kon¬ taktflächen des Halbleiterchips;
Figur 13 zeigt einen schematischen Querschnitt des Halbleiter¬ chips gemäß Figur 12;
Figur 14 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Substrat gemäß Figur 13 nach Aufbringen von Kontaktanschluss¬ flächen auf das Substrat;
Figur 15 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub¬ strat gemäß Figur 14;
Figur 16 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Substrat gemäß Figur 15 nach Aufdrucken einer Struktur zur Bildung von Nanorohrverbindungen;
Figur 17 zeigt einen schematischen Querschnitt des Substrats gemäß Figur 16;
Figur 18 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Substrat gemäß Figur 17 nach Bilden von Nanorohrverbindungen in dem aufgedruckten Material;
Figur 19 zeigt einen schematischen Querschnitt auf das Sub¬ strat gemäß Figur 18.
Figur 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Substrat 1 mit Verdrahtungsmuster 4 in Kohlenstoff-Nanoröhren-Technik.
Dazu weist das Substrat 1 eine isolierende Grundplatte 12 auf. Diese Grundplatte 12 weist auf der in Figur 1 gezeigten Ober¬ seite 19 zweihundertzwölf Kontaktanschlussflächen 3 auf, die gleichmäßig auf der Oberseite 19 verteilt angeordnet sind. Das Anschlussraster 5 dieser Kontaktanschlussflächen 3 ist relativ weit, sodass großvolumige Außenkontakte auf dem Substrat 1 angebracht werden können. Dazu sind im Bereich der Kontaktan¬ schlussflächen 3 Durchkontakte durch die isolierende Grund¬ platte 12 vorgesehen. Auf der hier nicht gezeigten gegenüber- liegenden Unterseite der Grundplatte 12 sind entsprechend große Außenkontaktflachen vorhanden, die beispielsweise zum Anbringen von zweihundertzwölf Lotbällen geeignet sind.
Während das Anschlussraster dieser Außenkontaktflachen unprob¬ lematisch ist, müssen jedoch diese Außenkontaktflächen mit Kontaktflächen 16 im Zentrum der Grundplatte 12 verbunden werden. Die Anzahl der Kontaktflächen 16 im Zentrum ist noch- mals um einen Faktor 3,5 größer als die Zahl der Kontaktan¬ schlussflächen 3 auf dem Grundkörper 12. Das Anschlussraster 18 dieser im Zentrum angeordneten siebenhundertachtzig Kon¬ taktflächen 16 ist um eine Größenordnung enger als das An¬ schlussraster 5 der Kontaktanschlussflächen 3.
Um die zweihundertzwölf Kontaktanschlussflächen 3 mit den siebenhundertachtzig Kontaktflächen 16 über entsprechende Leiterbahnen 2 zu verbinden, stehen auf den vier Kanten des zentralen Anschlussmusters einhundertzehn Lücken zur Verfü- gung, auf denen Leiterbahnen 2 die siebenhundertachtzig Kon¬ taktflächen 16 erreichen können. Das heißt, dass jeweils zwei Leiterbahnen 2 zwischen den Kontaktflächen 16 hindurchgeführt werden müssen, um die 212 äußeren Kontaktanschlussflächen einlagig nach innen zu routen, so dass die Abstände bzw. das Anschlussraster nochmals um den Faktor 3 für die Leiterbahnen 2 gegenüber dem Anschlussraster 18 verkleinert ist. Bei we¬ sentlich weniger parallelen Vdd-, Vss-Pads und bei Chip-to- chip-Verbindungen nimmt die Substratkrise noch wesentlich zu. Hierbei kann evt. der externe Pin-count sogar abnehmen. Bei einer Kantenlänge des hier gezeigten Substrats von 1 cm bzw. 10.000 Mikrometer muss für die Leiterbahnen 2 zwischen den Kontaktflächen 16 ein Anschlussraster von 10 μm vorgesehen werden, um die zweihundertzwölf Kontaktanschlussflächen über Leiterbahnen 2 mit entsprechenden Kontaktflächen 16 im Zentrum des Substrats 1 zu verbinden.
Um dieses zu erreichen, weisen die Leiterbahnen 2 Kohlenstoff- Nanoröhren 6 auf, die als mehrwandige Kohlenstoff-Nanoröhren 6
mit einem Durchmesser von 2 nm bis 300 nm realisiert werden können. In dieser Ausführungsform der Erfindung gemäß Figur 1 bilden Agglomerate von Kohlenstoff-Nanoröhren 6 die Leiterbah¬ nen 2 aus, sodass das einzelne Nanorohr einen Durchmesser zwischen 10 und 30 nm aufweist. Das Anschlussraster 5 der Kontaktanschlussflächen 3 ist mit 650 μm (= Standard pitch eines BGAs) groß genug, um Lotbälle als Außenkontakte auf der Rückseite des vorliegenden Substrats 1 zu positionieren.
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Lei¬ terbahn 2 einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Diese Leiterbahn 2 bildet einen Verbundwerkstoff aus zwei Lagen, die auf einem Grundkörper 12 als Isolationslage 10 b-zw. auf einer Isolationsfolie angeordnet sind. Auf der Oberseite 19 des Grundkörpers 12 weist die Leiterbahn 2 dieser Ausführungsform der Erfindung eine Basislage 7 eines Katalysatormetalls 15 auf. Auf dem Katalysatormetall 15 sind entlang der Leiterbahn 2 Kohlenstoff-Nanoröhren 6 als Stapellage 8 angeordnet.
Diese Ausführungsform der Erfindung wird in zwei Stufen gebil¬ det, indem zunächst die Basislage 7 aus einem Katalysatorme¬ tall 15, wie Eisen, Nickel, Kobalt oder Molybdän auf der Ober¬ seite 19 des Grundkörpers 12 aufgebracht wird und auf diese Basislage werden dann aus einer Suspension oder in einer Gas- phasenabscheidung die Kohlenstoff-Nanoröhren 6 wie oben be¬ schrieben gebildet.
Figur 3 zeigt eine dreidimensionale schematische Darstellung eines einwandigen Kohlenstoff-Nanorohres 6 mit hexagonal ange- ordneten Kohlenstoffatomen C. Diese hexagonale Anordnung aus 6 Kohlenstoffatomen C entspricht dem bekannten Benzolring, der eine bevorzugte Struktur des Kohlenstoffs darstellt, wobei zur Stabilisierung des Ringes Elektronen-Doppelbindungen in jedem
Ring rotieren, was die elektrische Leitfähigkeit eines derar¬ tigen Kohlenstoff-Nanorohres 6 fördert. Die Länge 1 kann sich von wenigen zehn Nanometern bis einigen Millimetern erstre¬ cken. Der Durchmesser d für das in Figur 3 dargestellte ein- wandige Kohlenstoff-Nanorohr 6 liegt im Bereich von 0, 6 bis 1,8 nm liegt. Bei mehrwandigen Kohlenstoff-Nanoröhren 6, sind koaxial angeordnete zylindrische Wände ineinander geschach¬ telt, sodass mehrlagige Kohlenstoff-Nanoröhren 6 einen Durch¬ messer von 2 nm bis zu 300 nm erreichen können. In der Ausfüh- rungsform der vorliegenden Erfindung weisen die Kohlenstoff- Nanoröhren 6 einen bevorzugten Durchmesserbereich von 10 nm ≤ d ≤ 30 nm.
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Lei- terbahn 2 in Längsrichtung entlang der Schnittebene A-A der Figur 2 gemäß der Ausführung der Erfindung nach Figur 2. Die Stapellage 8 dieser Leiterbahn 2 auf der Basislage 7 weist aneinander liegende Kohlenstoff-Nanoröhren 6 auf, die in etwa in Richtung der Längserstreckung der Leiterbahn angeordnet sind. Während hier nur ein Agglomerat von zwei Schichten aus Kohlenstoff-Nanoröhren 6 gezeigt wird, können jedoch eine beliebige Anzahl von Kohlenstoff-Nanoröhren 6 übereinander gestapelt werden, ohne dass sich die Leiterbahnbreite erhöht.
Die Figuren 5 bis 11 zeigen Querschnitte und Draufsichten von Komponenten während der Herstellung eines Halbleiterbauteils mit einem Substrat 1, das Leiterbahnen 2 mit Kohlenstoff- Nanoröhren 6 aufweist. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorgehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und in den Figuren 5 bis 11 nicht extra erör¬ tert.
Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Sub¬ strat 1 mit Durchkontakten 9 in Kohlenstoff-Nanoröhren- Technik. Dazu wurde ein Grundkörper 12 aus einem isolierenden Material als Grundplatte für den Aufbau eines Halbleiterbau- teils hergestellt. Dieser Grundkörper 12 kann mehrere Halblei¬ terbauteilpositionen zur gleichzeitigen Herstellung von mehre¬ ren Halbleiterbauteilen aufweisen. Figur 5 wird eine der Halb¬ leiterbauteilpositionen 29 gezeigt. Diese weist in ihrem Zent¬ rum Durchkontakte 9 durch den Grundkörper 12 auf. Die Druck- kontakte aus Kohlenstoff-Nanoröhren 6 erstrecken sich von der Oberseite 19 des Grundkörpers 12 zur Unterseite 20 des Grund¬ körpers 12. Diese Kohlenstoff-Nanoröhren 6 ragen aus der Un¬ terseite 20 mit ihren Enden 25 heraus und weisen -eine Kolum- narstruktur aus einem Agglomerat von Kohlenstoff-Nanoröhren 6 auf.
Figur 6 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Substrat 1 mit Durchkontakten 9 in Kohlenstoff-Nanoröhren-Technik, ange- passt an einen Halbleiterchip mit zentralem Bondkanal. Deshalb weisen die Durchkontakte 9 ein Anschlussraster 18 auf, das dem Anschlussraster 18 der Kontaktflächen des Halbleiterchips in Größe und Anordnung entspricht.
Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt des Substrats 1 nach Figur 5 mit aufgebrachten Kontaktanschlussflächen 3 in einem Anschlussraster 5. Dazu wird auf die Oberseite 19 eine selektive Metallbeschichtung aufgebracht, die lediglich auf den Durchkontakten 9 Kontaktflächen 16 aufweist, und in den Randbereichen ein weiteres Anschlussraster 5 von Kontaktan- schlussflächen 3 zeigt. Diese Metallbeschichtung kann auch mehrlagig ausgeführt sein und weist vorzugsweise Kupfer oder eine entsprechende Kupferlegierung auf, die von einer diffusi-
onshemmenden Nickelschicht und einer Lotlegierung bedeckt wird.
Figur 8 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Substrat 1 gemäß Figur 7 mit einer aufgebrachten Kohlenstoff-Nanoröhren- Verdrahtung. Um die beiden Reihen an Kontaktflächen 16 in einem engen Anschlussraster 18 mit entsprechend großen Kon¬ taktanschlussflächen 3 mit einem weiten Anschlussraster 5 verbinden zu können, werden in dieser Halbleiterbauteilpositi- on auf dem Grundkörper 12 für eine einzelne Reihe von Kontakt¬ flächen 16 im Bondkanalbereich vier Reihen Kontaktanschluss¬ flächen 3 mit einem weiten Anschlussraster 5 außerhalb des Bereichs eines zentralen Bondkanals benötigt. Die vierte Reihe von Kontaktanschlussflächen 3 wurde zur Vereinfachung der Zeichnung weggelassen.
Bevor die Kohlenstoff-Nanoröhren hergestellt werden, wurde auf das Substrat eine Verdrahtungsstruktur 4 aus einem Katalysa¬ tormetall 15 mit einer Leiterbahnbreite b aufgebracht. An- schließend kann die Oberseite 19 des Grundkörpers 12 mit einer Suspension beschichtet werden, aus der sich Vorprodukte in Form von Keimen an die Struktur des Katalysatormetalls 15 anlegen. Bei einem entsprechenden Temperschritt bei erhöhter Temperatur bilden sich die gewünschten Kohlenstoff-Nanoröhren 6 als Leiterbahnen 2 zwischen den Kontaktflächen 16 im Bondka¬ nalbereich eines Halbleiterchips und den Kontaktanschlussflä¬ chen 3 für Außenkontakte eines Halbleiterbauteils aus.
Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub- strat 1 gemäß der Figur 8. Dieser Querschnitt entspricht im
Wesentlichen der Figur 7 und zeigt nun zusätzlich die gebilde¬ ten Kohlenstoff-Nanoröhren 6 als elastische Verbindungsleiter-
bahn zwischen den Kontaktflächen 16 und den Kontaktanschluss¬ flächen 3.
Figur 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub- strat 1 gemäß Figur 9 nach Aufbringen eines Halbleiterchips 11 mit zentralem Bondkanal 21. Dieser zentrale Bondkanal 21 ist in einer doppelt klebenden Folie 22 freigelassen, damit die aus der Unterseite 20 herausragenden Enden 25 des Druckkon¬ takts 9 aus Kohlenstoff-Nanoröhren 6 mit den Kontaktflächen 16 des Halbleiterchips 11 im Bondkanal 21 einen Druckkontakt ausbilden können. Eine doppelseitig klebende Folie 22 wird dazu auf die ursprüngliche Rückseite 20 des Substrats 1 aufge¬ bracht, während auf der ursprünglichen Oberseite 19, die nun die Unterseite in Figur 10 bildet, eine zusätzliche Löt- stopplackschicht unter Freilassung der Kontaktanschlussflächen 3 aufgebracht wird. Diese Lötstopplackschicht 26 ist eine Isolationsschicht und schützt gleichzeitig die Kohlenstoff- Nanoröhren 6 auf der Oberseite des Substrats 1 vor mechani¬ scher Beschädigung.
Der Kontakt zu dem Halbleiterchip 11 bzw. zu dessen Kontakt¬ flächen 16 kann dadurch hergestellt werden, dass sich die Kohlenstoff-Nanoröhrenbündel, welche die Durchkontakte 9 bil¬ den, mit ihren Enden 25 über die Unterseite 20 des Substrats 1 hinaus erstrecken. Beim Aufbringen des Halbleiterchips 11 werden somit automatisch die Druckkontakte 9 aufgrund der elastischen Enden 25 der Kohlenstoff-Nanoröhrenbündel 6, wel¬ che die Durchkontakte 9 bilden mit den Kontaktanschlussflächen 16 des Halbleiterchips 11 elastisch verbunden.
Dabei ist die Eigenschaft der höheren Verformbarkeit dieser Kohlenstoff-Nanoröhren von Vorteil, da sie sich elastisch federnd gegen die Kontaktflächen 16 pressen.
Figur 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch Komponen¬ ten eines Halbleiterbauteils 14 nach Aufbringen einer Kunst- stoffgehäusemasse 17 und nach Aufbringen von Außenkontakten 13. Diese Schritte des Aufbringens einer Gehäusekunststoffmas¬ se 17 und des Aufbringens von Außenkontakten 13 können für einen gesamten Substratstreifen 28, der mehrere Halbleiterbau¬ teilpositionen 29 umfassen kann, durchgeführt werden, was die Fertigung verbilligt, zumal wenn erst danach der Substrat- streifen 29 entlang der Trennfugen 27 in einzelne Halbleiter¬ bauteile 14 aufgetrennt wird. Ein weiterer Vorteil des Verfah¬ rens ist, dass kein Lötprozess zum elektrischen Verbinden der Durchkontakte 9 mit den Kontaktanschlussflächen 16 des Halb¬ leiterchips 11 bei der Herstellung des Halbleiterbauteils 14 durchgeführt werden muss und somit kein erneutes Aufschmelzen dieser Verbindung bei der späteren Assemblierung/Lötung dieser Bauteile auf eine Leiterplatte erfolgt.
Die Figuren 12 bis 19 zeigen ein weiteres Durchführungsbei- spiel des Verfahrens zur Herstellung von Leiterbahnen 2 mit
Kohlenstoff-Nanoröhren 6. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden in den Figuren 12 bis 19 mit gleichem Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
Figur 12 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Substrat mit Halbleiterchip und Öffnungen 23 im Substrat zu Kontaktflä¬ chen 16 des Halbleiterchips. Die Öffnungen 23 im Substrat 1 entsprechen in ihrer Anordnung und ihrem Anschlussraster 18 Kontaktflächen 16 eines einreihigen Bondkanals des unter dem Substrat angeordneten Halbleiterchips .
Figur 13 zeigt einen schematischen Querschnitt des Halbleiter¬ chips 11 gemäß Figur 12. Auf dem Halbleiterchip 11 ist das Substrat 1 angeordnet, das eine Kunststofffolie aufweist, die Öffnungen 23 besitzt und entsprechende Kontaktflächen 16 des Halbleiterchips freilässt. Das Substrat 1 in Form einer Kunst¬ stofffolie ist in dieser Ausführungsform der Erfindung nicht frei tragend, sondern es stützt sich auf der aktiven Obersei¬ te 24 des Halbleiterchips 11 ab.
Figur 14 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Substrat 1 gemäß Figur 13 nach selektivem Aufbringen von Kontaktan¬ schlussflächen 3 auf das Substrat. Während die zentralen Öff¬ nungen 23 mit den Kontaktflächen 16 in einem engen-Anschluss¬ raster 18 angeordnet sind, können die Kontaktanschlussflächen 3 in einem weiten Anschlussraster 5, das doppelt so groß ist wie das Anschlussrastermaß 18, angeordnet werden und dennoch kann jeder Kontaktfläche 16 eine zugehörige Kontaktanschluss- flache 3 auf dem Substrat 1 zur Verfügung gestellt werden.
Figur 15 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub¬ strat gemäß Figur 14. Dabei ist anzumerken, dass die flächige Erstreckung des Halbleiterchips 11 der flächigen Erstreckung des Substrats 1 entspricht. Dies ist möglich, weil aufgrund der Kohlenstoff-Nanoröhren-Technologie, die hier zum Einsatz kommt, entsprechend enge Anschlussraster möglich werden.
Figur 16 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Substrat gemäß Figur 15 nach Aufdrucken einer Struktur zur Bildung von Kohlenstoff-Nanoröhren 6 als Leiterbahnen 2. Dabei können beim Aufdrucken auch die Öffnungen 23 für die zentrale Kontaktflä¬ che 16, die in einer Reihe angeordnet sind, mit einer entspre¬ chenden Suspension gefüllt werden. Auch die Kontaktanschluss¬ flächen 3 des Substrats 1 können von einer derartigen Suspen-
sion mittels Strahldrucktechnik; bedeckt werden. Bei einem sich anschließenden Tempern der Suspension, die Vorprodukte der Kohlenstoff-Nanoröhren 6 und Partikel aus einem Kondensatorme¬ tall aufweist, können Kohlenstoff-Nanoröhren 6 als Leiterbah- nen 2 gebildet werden.
Figur 17 zeigt einen schematischen Querschnitt des Substrats 1 gemäß Figur 16, wobei die Leiterbahnen 2 aus Kohlenstoff- Nanoröhren 6 sich von den Kontaktflächen 16 des Halbleiter- chips 11 bis zu den Kontaktanschlussflächen 3 des Substrats 1 erstrecken.
Figur 18 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Substrat 1 gemäß Figur 17 nach Bilden von Nanorohrverbindungen in dem aufgedruckten Material.
Figur 19 zeigt einen schematischen Querschnitt auf das Sub¬ strat 1 gemäß Figur 18. Dazu wurde das Substrat 1 mit der Suspension in einen Temperofen verbracht und das Lösungsmittel der Suspension verdampft, während sich die Kunststoff-
Nanoröhren 6 als Leiterbahnen 2 der gedruckten Suspension ausbilden.