WO2006004165A1

WO2006004165A1 - データ処理方法、データ処理装置、マスク製造方法およびマスクパターン

Info

Publication number: WO2006004165A1
Application number: PCT/JP2005/012514
Authority: WO
Inventors: Yoshitomo Marumoto
Original assignee: Canon Kabushiki Kaisha
Priority date: 2004-07-06
Filing date: 2005-07-06
Publication date: 2006-01-12
Also published as: EP1764221B1; RU2337009C2; RU2006143050A; US20080239337A1; EP1764221A4; USRE45358E1; US20110090518A1; ATE549695T1; US7887152B2; JP4280732B2; EP2202674B1; EP2202673B1; EP2202674A1; US20070097164A1; US7614713B2; JP2006044258A; EP2202673A1; EP1764221A1; US8157343B2; ATE536594T1

Abstract

　異なる複数の色のインクを用い複数回の走査で画像を完成する分割記録に用いられるマスクであって、記録の途中におけるグレインの発生を抑制しビーディングによる画質劣化を軽減できるマスクを提供する。　斥力ポテンシャルの合計が計算される各記録許容画素の中で、例えば、記録許容画素Ｄｏが斥力ポテンシャルの合計が最も大きい場合、その移動前後の斥力ポテンシャルの変化を求め、移動前後で最も斥力ポテンシャルの合計が低くなる画素に記録許容画素Ｄｏを移動させる。このような処理を繰り返すことによって各プレーン全体の総エネルギーを下げることができ、各プレーンのマスクの重なりにおいて記録許容画素分布が、低周波数成分が少なく良好に分散された配置となる。

Description

明細書

データ処理方法、データ処理装置、マスク製造方法およびマスクパターン技術分野

[0001] 本発明は、データ処理方法、データ処理装置、マスク製造方法およびマスクパターンに関し、詳しくは、記録画像を構成するインクドットを複数回の記録ヘッドの走査で分割して形成する際の当該ドット記録データ生成のためのマスク処理ないしマスクパターンに関するものである。

背景技術

[0002] インクジェットプリンタでは、いわゆるマルチパス記録方式が広く採用されている。マルチパス記録方式は、画像の任意の領域を見たときにその領域の画像を構成するィンクドットを記録ヘッドの複数回の走査で分割して形成する方式である。この方式によれば、インクを吐出するノズル (ないし吐出口）ごとのインク吐出方向など吐出性能のばらつきや記録用紙の搬送誤差などに起因した濃度ムラなどを複数回の走査に分散することができる。これにより、濃度ムラが目立たない高品位の画像を記録することが可能となる。

[0003] ところで、記録画像を構成する複数のインクドットを複数回の走査に分割して形成するためのドット記録データの生成は、一般にはマスクパターン（単に、「マスク」ともいう）を用いたマスク処理にて行う。マスクパターンは、後述する図 5に示されるように、記録を許容する画素 (以下、「記録許容画素」とも言う）と記録を許容しない画素 (以下、「非記録許容画素」とも言う）とを配列したものである。記録許容画素は図 5の黒で示される部分に相当し、非記録許容画素は白で示される部分に相当する。そして、このマスクパターンにおける記録許容画素の配置を工夫することによって、複数回のそれぞれの走査で記録するドット数を調整したり、上記濃度ムラを解消したりするなど様々な目的に応じた形態をとることができる。

[0004] 例えば、以下のような 2種類のマスクパターンが画質上の問題に有効である。

[0005] 典型的なマスクパターンとして、べィヤー型のパターンをベースにしたマスクパターンがある。し力しながら、このようなパターンは規則的であるため、画像データと干渉が起こりやすぐ画質上の問題が起こる場合がある。

[0006] そこで、特許文献 2では、マスクパターンにおける記録許容画素の配置にランダム性をもたせ、このようなランダム性を有したマスクパターン (以下、ランダムマスクともいう）を用いることで画像データとの干渉が起こりに《している。これにより上記問題が向上する。

[0007] 一方、特許文献 1では、マスクパターンにおける記録許容画素の配置を分散性に優れたものとし、このような分散性の高いマスクパターンを用いて双方向記録時のドット形成位置のずれによる画像品位の低下を抑制することが記載されて、る。すなわち、同文献に記載のマスクにおける記録許容画素の配置は、斥力ポテンシャルの概念を用いて良好に分散させたものである。換言すれば、このマスクパターンは、それを用いて形成されるドット同士が近接して配置されることをできるだけ避けるように生成され、これにより、記録許容画素の配置を周波数成分で見たとき低周波数成分が少ないものとなる。そして、このマスクを用いることにより、双方向記録でドット形成位置のずれが生じ、そのずれによって記録画像にマスクパターン自体の模様 (テクスチャ一）が仮に顕在化しても、それが良好に分散していることにより視認し難くすることができる。

[0008] 特許文献 1：特開 2002— 144552号公報

特許文献 2 :特開平 7— 052390号公報

特許文献 3：特開 2002— 96455号公報

発明の開示

[0009] ところで、近年のインクジェット記録システムでは、その高速化、高密度化、また、ィンクの種類の多様ィ匕に伴い、単位時間当たりに付与されるインク量や記録媒体の単位面積あたりに付与されるインクの量が増大する傾向にある。このため、これまで以上に重要な課題としてビーディング問題があげられる。ビーディングは、記録媒体で吸収しきれな、インクが媒体上で接触して連なり、それが記録画像にぉ、てムラなどの原因となるものである。

[0010] ビーディングを低減させるには、短い時間内に付与されるインクを極力異なる位置に配置することが重要である。このために、各色インク毎に、極力異なるマスクパターンを用いるのが有効である。こうすることで、異なる色のインク同士が同じ場所に打ち込まれる確率を下げることができる。

[0011] し力しながら、マスクパターンを色毎に異ならせるだけでは、ビーディングの低減は十分ではない。

[0012] 図 86 (a)〜（c)はこの問題を説明する図である。同図は、マルチパス記録におけるある走査でシアン、マゼンタ、イェローの順でそれぞれのインクが記録媒体に打ち込まれて行く過程を示している。図 86 (a)に示すように、未だ何も打ち込まれていない記録媒体に先ずシアンインクが吐出される。このとき、それぞれのシアンインクが打ち込まれる位置は用いているマスクの記録許容画素の配置に従うことはもちろんである。そして、このインクが記録媒体に完全に吸収される前は、記録媒体上に上記マスクに従った配置でシアンインク滴 10Cが存在する。次に、図 86 (b)に示すように、マゼンタインクが、同様に対応するマスクに従った位置に吐出され、同様に吸収前にはィンク滴 10Mを形成する。ここで、シアンインクとマゼンタインクについてそれぞれ用いるマスクの記録許容画素配置の関係によっては、シアンインク滴 10Cとマゼンタインク滴 10Mとが接して連結したインク滴 10B (図中、 X印を付したもの）を形成することがある。さらに、図 86 (c)に示すように、イェローインク力同様に、対応するマスクに従った位置に吐出され吸収前にはインク滴 10Yを形成する。この場合も、それぞれのインクについて用いるマスクの記録許容画素配置の関係によって、連結したインク滴 10B (図中、 X印を付したもの）を形成する。さらに走査が重ねられて、画素に対するインク滴の比率が高くとなると、同じ画素にインク滴が重ねて吐出されることもあり、同様の連結したインク滴を形成する。

[0013] このように、順次吐出されるインク滴が隣接ないし近接する画素あるいは同じ画素に付与される場合には、互いが接触して相互の表面張力によって引き合い、 2つ分あるいは 3つ分の（あるいはそれ以上の)インク滴が合体した大きな滴 10B (グレイン）を形成する。一度このようなグレインが形成されると、次に隣接ないし近接した位置に付与されたインク滴はそのダレインに引き寄せられ易くなる。すなわち、最初に発生したグレインが核となって徐々に成長し、やがて大きなグレインを生成する。そして、特に一様な画像領域では、このようなグレインが記録媒体に定着したものが不規則に散らばった状態で散在し、ビーディングとして視認されることとなる。

[0014] また、マスクパターンは、一般にそのパターンを 2次元方向に繰り返して用いる。このため、上述したグレインの分布は、マスクパターンの繰り返し周期の模様として人間の目に知覚されやすくなつてしまう。

[0015] これらの問題は、特許文献 1、 2に記載のマスクパターンでは解消できな、。なぜなら、これら特許文献 1, 2では、異なる色のマスクパターン間で分散を考慮して設計をしていないからである。

[0016] 異なる色間でこのような関連性を持たせたマスク設計を行っていない特許文献 1、 2 のマスクでは、異なる色同士のマスクを重ねたときの記録許容画素の配置はその分散が悪ぐ分割記録の途中の画像（中間画像）におけるドットの隣接やさらにはドットの重なりを避けることができない。

[0017] 本発明は、上述した問題点を解消するためになされたものであり、その目的とするところは、分割記録の途中におけるグレインが原因で生じるビーディングによる画質劣化を軽減できるデータ処理方法、データ処理装置、マスク製造方法およびマスクパターンを提供することにある。

[0018] なお、上記グレインは、インク同士の表面張力によってのみ生じるものではない。例えば、インクとこれを凝集あるいは不溶ィ匕させる処理液など、互いに反応し合う液体が同じ走査で付与される場合、接触した各液滴は、より強固な化学反応によって結合され、これがグレインを形成する場合もある。また、同色のインクが同じ走査で付与される場合も、これらの間でダレインが発生する。従って、本発明の別の目的は、このようなグレインが原因で生じる問題点も解決するものである。

[0019] 上記課題を解決するための本発明は、複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を決定する決定工程を有し、前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置で定まる低周波数成分が当該複数のマスクパターンで共に少なくなるように記録許容画素の配置を定める工程を含むことを特徴とする。 [0020] 他の形態では、複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を定める決定工程を有し、前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を変化させる工程を含み、当該変化工程では、前記記録許容画素の配置に依存する低周波数成分が少なくなるように前記複数のマスクパターンにおける記録許容画素の配置を変化させることを特徴とする。

[0021] さらに他の形態では、複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を定める決定工程を有し、前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を互いに関連付けた所定のルールに基づき、前記複数のマスクパターンにおける記録許容画素の配置を変化させる工程を含み、前記変化させた後の前記記録許容画素の配置は、前記変化させる前の前記記録許容画素の配置よりも低周波数成分が少な、ことを特徴とする。

[0022] さらに他の形態では、画像を構成する複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法にぉヽて、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を第 1配置状態力第 2配置状態へと変化させることで、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける配置を定める決定工程を有し、前記第 2配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配置パターンは、前記第 1配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配置パターンに比して、低周波数成分が少な、ことを特徴とする。

さらに他の形態では、画像を構成する複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法にぉヽて、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を第 1配置状態力第 2配置状態へと変化させることで、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける配置を定める決定工程を有し、前記第 2配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配置パターンは、前記第 1配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配置パターンに比して、低周波数成分が少な、ことを特徴とする。

また、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2 の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2マスクバターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンに対して前記所定の第 2マスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

他の形態では、では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンを正規の位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

[0023] さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さ、特性を有するように、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とする。

[0024] さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が少な、ことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンに対して前記所定の第 2マスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なヽことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンを正規の位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が少な!/ヽことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンに対して前記所定の第 2マスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なぐ且つ前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンに対して前記所定の第 2マスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンを正規の位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なぐ前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを正規の位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有し、且つ前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンが非周期で且つ低周波数成分が少なぐ且つ前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンが非周期で且つ低周波数成分が少なくなるように、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも 2つのマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも 2つのマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも 2つのマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なぐ前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定の N ( Nは 2以上の整数)個のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の N個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定の N個（Nは 2以上の整数）のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の N個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定の N個（Nは 2以上の整数）のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の N個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なぐ前記所定の N個のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の N個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。

[0025] さらに、複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられる複数のマスクパターンにおいて、前記複数のマスクパターンは、それらの 2つ以上を重ねた場合に、当該記録許容画素のパターンが、前記 2つ以上のマスクパターンについて重ね位置をずらした場合の記録許容画素のパターンより、低周波数成分が少ないものであることを特徴とする。

[0026] 本発明によれば、分割記録の途中におけるグレインが原因で生じるビーディングによる画質劣化を軽減できる。

図面の簡単な説明

[0027] [図 1]図 1は本発明の一実施形態に係る画像処理装置としての PCのハードウェアおよびソフトウェアの構成を主に示すブロック図である。

[図 2]図 2は本発明の一実施形態のインクジェット記録システムにおける、画像データ変換処理の流れを説明するためのブロック図である。

[図 3]図 3は本発明の実施形態に適用可能なインクジェット記録装置を示した斜視図である。

[図 4]図 4は 2パス記録を説明するために、記録ヘッド、マスクパターンおよび記録媒体を模式的に示した図である。

[図 5]図 5は 2パスのマルチパス記録を説明するために、記録ヘッドおよび記録パターンを模式的に示した図である。

[図 6A]図 6Aは C、 M、 Yそれぞれの 2分割記録に係る 6つのプレーンの 2値データを模式的に示す図である。

[図 6Β]図 6Βは C、 M、 Yそれぞれの 2分割記録に係る 6つのプレーンの 2値データを模式的に示す図である。

[図 7]図 7は本発明の第一の実施形態に係るマスク製法を説明する図である。

[図 8]図 8は本発明の第一の実施形態に係るマスク製法の手順を示すフローチャートである。

[図 9]図 9は本発明の実施形態に係る基本斥力ポテンシャル E (r)の関数を模式的に示す図である。 [図 10A]図 10Aは本発明の第一の実施形態に力かる斥力ポテンシャルの付与と総ェネルギ一の減衰処理を模式的に説明する図である。

[図 10B]図 10Bは本発明の第一の実施形態に力かる斥力ポテンシャルの付与と総ェネルギ一の減衰処理を模式的に説明する図である。

[図 10C]図 10Cは本発明の第一の実施形態に力かる斥力ポテンシャルの付与と総ェネルギ一の減衰処理を模式的に説明する図である。

[図 10D]図 10Dは本発明の第一の実施形態に力かる斥力ポテンシャルの付与と総ェネルギ一の減衰処理を模式的に説明する図である。

圆 11]図 11は本発明の第一の実施形態に係る他のマスク製法の手順を示すフローチャートである。

[図 12]図 12はマスクパターンの論理積を説明する図である。

[図 13]図 13はマスクパターンの論理和を説明する図である。

圆 14]図 14は本発明の第一の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

圆 15]図 15は本発明の第一の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

圆 16]図 16は本発明の第一の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

[図 17]図 17は比較例に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

[図 18]図 18は他の比較例に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

[図 19]図 19は本発明の第一の実施形態に係る 2つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 20]図 20は本発明の第一の実施形態に係る 2つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 21]図 21は本発明の第一の実施形態に係る 3つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 22]図 22は本発明の第一の実施形態に係る 3つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 23]図 23は比較例に係る 2つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 24]図 24は比較例に係る 2つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 25]図 25は他の比較例に係る 2つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 26]図 26は他の比較例に係る 2つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 27]図 27はマスクパターンの「重ね合わせ」パターンを説明する図である。

[図 28]図 28は本発明の第一の実施形態に係る 2つのマスクパターンの「重ね合わせ

」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 29]図 29は本発明の第一の実施形態に係る 3つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 30]図 30は比較例に係る 2つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 31]図 31は他の比較例に係る 2つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

圆 32]図 32は本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれについて 1つのマスクの周波数特性を説明する図である。

圆 33]図 33は本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれについて 2つのマスクの論理和の周波数特性を説明する図である。

圆 34]図 34は本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれについて 2つのマスクの論理積の周波数特性を説明する図である。

圆 35]図 35は本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれにつ

V、て 2つのマスクの「重ね合わせ」の周波数特性を説明する図である。

圆 36]図 36は本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれにつ

V、て 3つのマスクの「重ね合わせ」の周波数特性を説明する図である。 [図 37]図 37は本発明の第一の実施形態のマスクをずらしたときの 2つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 38]図 38は本発明の第一の実施形態のマスクをずらしたときの 2つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 39]図 39は本発明の第一の実施形態のマスクをずらしたときの 2つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 40]図 40は本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの論理和のパワースペクトルを示す図である。ターンの論理和のパワースペクトルを示す図である。

[図 42]図 42は他の比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの論理和のパワースペクトルを示す図である。

[図 43]図 43は本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの論理積のパワースペクトルを示す図である。ターンの論理積のパワースペクトルを示す図である。

[図 45]図 45は他の比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの論理積のパワースペクトルを示す図である。

[図 46]図 46は本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの [重ね合わせ]のパワースペクトルを示す図である。ターンの [重ね合わせ]のパワースペクトルを示す図である。

[図 48]図 48は他の比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの [重ね合わせ]のパワースペクトルを示す図である。

[図 49]図 49は本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 3つのマスクパターンの [重ね合わせ]のパワースペクトルを示す図である。

[図 50]図 50は本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの論理和、論理積および [重ね合わせ]の低周波数成分の違!、を示す図である。 [図 51]図 51は比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの論理和、論理積および [重ね合わせ]の低周波数成分の違!、を示す図である。

[図 52]図 52は他の比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの論理和、論理積および [重ね合わせ]の低周波数成分の違!、を示す図である。

圆 53]図 53は本発明の第二の実施形態に係るマスク製法を説明する図である。圆 54]図 54は本発明の第二の実施形態に係るマスク製法を説明する図である。

[図 55]図 55は本発明の第二の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

[図 56]図 56は本発明の第二の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

圆 57]図 57は本発明の第二の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

[図 58]図 58は本発明の第二の実施形態に係る 3つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 59]図 59は本発明の第一の実施形態に係る 6つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 60]図 60は本発明の第二の実施形態に係る 9つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 61]図 61は本発明の第二の実施形態のマスクをずらしたときの 3つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 62]図 62は本発明の第二の実施形態のマスクをずらしたときの 6つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 63]図 63は本発明の第二の実施形態のマスクをずらしたときの 9つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 64]図 64は本発明の第二の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの [重ね合わせ]の低周波数成分の違!、を示す図である。

圆 65A]図 65Aは本発明の第三の実施形態に係るマスクを説明する図である。圆 65B]図 65Bは本発明の第三の実施形態に係るマスクを説明する図である。圆 66]図 66は本発明の第三の実施形態に係るマスク製法の手順を示すフローチヤートである。

圆 67]図 67は本発明の第三の実施形態に係る他のマスク製法の手順を示すフローチャートである。

[図 68]図 68は本発明の第三の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

[図 69]図 69は本発明の第三の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

圆 70]図 70は本発明の第三の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。

[図 71]図 71は本発明の第三の実施形態に係る 2つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 72]図 72は本発明の第三の実施形態に係る 2つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 73]図 73は本発明の第三の実施形態に係る 2つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 74]図 74は本発明の第三の実施形態に係る 3つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 75]図 75は本発明の第三の実施形態のマスクをずらしたときの 2つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 76]図 76は本発明の第三の実施形態のマスクをずらしたときの 2つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 77]図 77は本発明の第三の実施形態のマスクをずらしたときの 2つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 78]図 78は本発明の第三の実施形態のマスクをずらしたときの 3つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。

[図 79]図 79は本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの論理和のパワースペクトルを示す図である。 [図 80]図 80は本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの論理積のパワースペクトルを示す図である。

[図 81]図 81は本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 2つのマスクパターンの [重ね合わせ]のパワースペクトルを示す図である。

[図 82]図 82は本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの 3つのマスクパターンの [重ね合わせ]のパワースペクトルを示す図である。

[図 83]図 83は本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの論理和、論理積および [重ね合わせ]の低周波数成分の違!、を示す図である。

[図 84]図 84は本発明の第四の実施形態に係る 2パスのマルチパス記録に用いるマスクを説明する図である。

[図 85]図 85は本発明の第五の実施形態に係る 2パスのマルチパス記録に用いるマスクを説明する図である。

[図 86]図 86は従来技術の問題点を説明する図である。

発明を実施するための最良の形態

[0028] 以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。

[0029] 本発明の実施形態は、マルチパス記録の各走査で用いる 2値のドット記録データを生成するためのマスクの製造な、しそのマスクパターンに関するものである。本発明の具体的ないくつかの実施形態を説明する前に、マスクパターンを製造しあるいはマスクパターンを用いてドット記録データを生成するための構成について説明する。ここで、本明細書において「ドット記録データ」とは、ドットの記録を示すデータを意味する

[0030] 図 1は、本発明の一実施形態に係るホスト機器として機能するパーソナルコンビュータ（以下、単に PCとも言う）の主にハードウェアおよびソフトウェアの構成を示すブロック図である。このホスト機器は、プリンタ 104で記録する画像データを生成する。

[0031] 図 1において、ホストコンピュータである PC100は、オペレーティングシステム（OS) 102によって、アプリケーションソフトウェア 101、プリンタドライバ 103、モニタドライバ 105の各ソフトウェアを動作させる。アプリケーションソフトウェア 101は、ワープロ、表計算、インターネットブラウザなどに関する処理を行う。モニタドライバ 105は、モニタ 106に表示する画像データを作成するなどの処理を実行する。

[0032] プリンタドライバ 103は、アプリケーションソフトウェア 101から OS102へ発行される各種描画命令群 (イメージ描画命令、テキスト描画命令グラフィクス描画命令など）を描画処理して、最終的にプリンタ 104で用いる 2値の画像データを生成する。詳しくは、図 2で後述される画像処理を実行することにより、プリンタ 104で用いる複数のィンク色それぞれの 2値の画像データを生成する。

[0033] ホストコンピュータ 100は、以上のソフトウェアを動作させるための各種ハードウェアとして、 CPU108、ハードディスク（HD) 107、 RAM109、 ROM110などを備える。すなわち、 CPU108は、ハードディスク 107や ROM110に格納されている上記のソフトウエアプログラムに従つてその処理を実行し、 RAM 109はその処理実行の際にワークエリアとして用いられる。

[0034] 本実施形態のプリンタ 104は、インクを吐出する記録ヘッドを記録媒体に対して走查し、その間にインクを吐出して記録を行ういわゆるシリアル方式のプリンタである。記録ヘッドは、 C、 M、 Y、 Κそれぞれのインクに対応して用意され、これらがキヤリツジに装着されることにより、記録用紙などの記録媒体に対して走査することができる。それぞれの記録ヘッドは、吐出口の配列密度が 1200dpiであり、それぞれの吐出口から 3. 0ピコリットルのインク滴を吐出する。また、それぞれの記録ヘッドの吐出口の数は 512個である。

[0035] プリンタ 104はマルチパス記録を実行可能な記録装置である。そのために、後述の各実施形態で説明されるマスクを所定のメモリに格納しておき、記録の際は走査およびインク色ごとに定められたマスクを用ヽて 2値の分割画像データを生成する処理を行う。

[0036] また、マスクパターンが所定のメモリに予め格納されておらず PC100がマスク製造のためのデータ処理装置として機能するときは、後述の各実施形態でそれぞれ説明されるマスク製造処理を実行する。そして、製造したマスクデータは、プリンタ 104の所定のメモリに格納される。

[0037] 図 2は、図 1に示した構成においてプリンタ 104で記録を行う際の PC100およびプリンタ 104における主なデータ処理過程を説明するブロック図である。本実施形態のインクジェットプリンタ 104は、上述したようにシアン、マゼンタ、イェロー、ブラックの 4 色のインクによって記録を行うものであり、そのためにこれら 4色のインクを吐出する記録ヘッド J0010を備える。

[0038] ホスト PC100のアプリケーション 101を介して、ユーザはプリンタ 104で記録する画像データを作成することができる。そして、記録を行うときはアプリケーション 101で作成された画像データがプリンタドライバ 103に渡される。

[0039] プリンタドライバ 103は、その処理として、前段処 ¾[0002、後段処 ¾[0003、 y補 1^0004、 2値化処 ¾[0005、および印刷データ作 0006をそれぞれ実行する。前段処 ¾[0002では、アプリケーションによる画面を表示する表示器が持つ色域をプリンタ 104の色域に変換する色域変換を行う。具体的には、 R、 G、 B夫々が 8ビットで表現された画像データ R、 G、 Bを 3次元 LUTにより、プリンタの色域内の 8ビットデ一タ尺、 G、 Bに変換する。次いで、後段処 ¾[0003では、変換された色域を再現する色をインク色に分解する。具体的には、前段処 ¾[0002にて得られた 8ビットデータ R、 G、 Bが表す色を再現するためのインクの組合せに対応した 8ビットデータ C、 M、 Y、 Κを求める処理を行う。 γ補 1^0004では、色分解で得られた CMYKのデータ夫々について γ補正を行う。具体的には、色分解で得られた 8ビットデータ CMYK 夫々がプリンタの階調特性に線形的に対応づけられるような変換を行う。次いで、 2 値化処 ¾[0005では、 γ補正がなされた 8ビットデータ C、 M、 Y、 Κそれぞれを 1ビットデータ C、 Μ、 Υ、 Κに変換する量子化処理を行う。最後に、印刷データ作成処 aj 0006では、 2値化された 1ビットデータ C、 M、 K、 Υを内容とする 2値の画像データに印刷制御データなどを付して印刷データを作成する。ここで、 2値の画像データは、ドットの記録を示すドット記録データと、ドットの非記録を示すドット非記録データを含む。なお、印刷制御データは、「記録媒体情報」、「記録品位情報」、および給紙方法等のような「その他制御情報」とから構成されて、る。以上のようにして生成された印刷データは、プリンタ 4へ供給される。

[0040] 一方、プリンタ 104は、入力されてきた印刷データに含まれる 2値の画像データに対しマスクデータ変換処 ¾[0008を行う。マスクデータ変換処 ¾[0008では、予めプリンタの所定のメモリに格納されている、後述の各実施形態で説明されるマスクバターンを用い、入力されてきた 2値の画像データに対し AND処理をかける。これにより、マルチパス記録におけるそれぞれの走査で用いられる 2値の分割画像データが生成されると共に、実際にインクが吐出されるタイミングが決定される。なお、 2値の分割画像データには、ドット記録データとドット非記録データが含まれる。

[0041] 図 3は、インクジェットプリンタ 104を示す斜視図である。キャリッジ M4000は、記録ヘッドおよびこれにシアン（C)、マゼンタ（M)、イェロー（Y)、ブラック（K)それぞれのインクを供給するインクタンク H1900を搭載した状態で図の X方向（主走査方向）に移動し、記録ヘッドの各ノズルは、 2値の分割画像データに基づき所定のタイミングでインクを吐出する。記録ヘッドの 1回の主走査が終了すると、記録媒体は図の Y方向（副走査方向）に所定量だけ搬送される。以上の記録主走査と副走査とを交互に繰り返すことにより、マルチパス記録による画像が順次形成されていく。

[0042] 以下では、上述の記録システムにおいて用いられあるいは製造される、マルチパス記録の画像を完成する走査（以下、パスとも言う）回数と記録許容画素の比率によつて区別されるマスクパターンの製造方法およびそれによるマスクパターンのいくつかの実施形態を説明する。

〔実施形態 1： 2パス記録用 100%均等マスク〕

(1)本実施形態の概要

本実施形態は、シアン (C)、マゼンタ（M)、イェロー (Y)、ブラック (K)の各インクについて 2回の走査で画像を完成する 2パスのマルチパス記録に関する。そして、この 2パス記録に用いるインク色のそれぞれにつ、て複数 (本実施形態では 2)回の走査それぞれに用いるマスク（以下では、「1プレーン」のマスクと言う）が良好に分散しているだけでなぐこれらのマスクの任意の複数のプレーンを合わせたものも良好に分散したものである。

[0043] 図 4は、 2パス記録を説明するために、記録ヘッド、マスクパターンおよび記録媒体を模式的に示した図である。なお、この図では、図示および説明の簡略ィ匕のため、シアン、マゼンタ、イェローの 3色で 2パス記録を行う場合について説明する。以下で説明するマスクについても同様である。

[0044] シアン、マゼンタ、イェローの各色ノズル群は第 1グループおよび第 2グループの 2 つのグループに分割され、各グループには 256個ずつのノズルが含まれている。各グループには本実施形態のマスクパターン（Cl、 C2、 Ml、 M2、 Yl、 Y2)が対応付けられており、各マスクパターンの副走査方向（搬送方向）の大きさは各グループのノズル個数と同じ 256画素分となっている。また、走査方向の大きさも 256画素分となつている。また、同色インクのノズル群に対応する 2つのマスクパターン（C1と C2、あるいは Mlと M2、あるいは Y1と Y2)は互いに補完の関係にあり、これらを重ね合わせると 256 X 256画素に対応した領域の記録が完成される構成となっている。

[0045] 各色ノズル群はノズル配列方向と略直交する方向（図の矢印で示した「ヘッド走査方向」）へ走査しながら記録媒体にインクを吐出する。この例では、各領域に対して C , M, Yのインク吐出が行われる。また、走査が終了するたびに、記録媒体は走査方向と直交する方向（図の矢印で示した「記録媒体搬送方向」）に 1つのブループの幅分 (ここでは、 256画素分)ずつ搬送される。これにより、記録媒体の各グループの幅に対応する大きさの領域は 2回の走査によって画像が完成する。

[0046] さらに具体的に説明すると、第 1走査では記録媒体上の領域 Aに対して、 Cノズル群の第 1グループ、 Mノズル群の第 1グループ、 Yノズル群の第 1グループを用いて C MYの順番で記録が行われる。そして、この第 1走査では領域 Aに対してはマスクパターン Cl、マスクパターン Ml、マスクパターン Y1が用いられる。

[0047] 次に、第 2走査では、第 1走査での記録が終了した領域 Aに対して、 Cノズル群の第 2グループ、 Mノズル群の第 2グループ、 Yノズル群の第 2グループを YMCの順番で用いて残りの記録が行われるとともに、未記録状態の領域 Bに対して、 Cノズル群の第 1グループ、 Mノズル群の第 1グループ、 Yノズル群の第 1グループを用いて YM Cの順番で記録が行われる。従って、第 2走査では領域 Aに対してマスクパターン C2 、マスクパターン M2、マスクパターン Y2が用いられるとともに、領域 Bに対してマスクパターン Cl、マスクパターン Ml、マスクパターン Y1が用いられる。更に、このような動作を続けることで、 C1M1Y1Y2M2C2の順番、あるいは Y1M1C1C2M2Y2の順番で各領域にっ、て記録が行われて、く。

[0048] 図 5は、図 4で説明した 2パス記録に用いるマスクとその補完関係を概念的に説明する模式図である。図 5において、 P0001は、図 4に示した C、 M、 Yのうち、 1つの色の記録ヘッドを示し、ここでは、図示の簡略ィ匕のため 8個のノズルを有するものとして示している。ノズルは、上述したように第 1および第 2の 2つのグループに分割され、各ノズルグループにはそれぞれ 4つのノズルが含まれる。 P0002Aおよび P0002B は、この第 1および第 2グループのノズル列にそれぞれ対応したマスクパターンを示す。すなわち、第 1走査で用いるマスクパターン P0002A (同図中、下側のパターン）と第 2走査で用いるマスクパターン P0002B (同図中、上側のパターン）をである。これらがそれぞれ 1プレーンのマスクとなる。それぞれのマスクパターンは、記録許容画素が黒塗りで示されており、非記録許容画素が白で示されている。第 1走査用のマスクパターン P0002Aと第 2走査用のマスクパターン P0002Bは互いに補完関係にあり、従って、これらを重ね合わせると記録許容画素が 4 X 4のエリアを総て埋めるパターンとなる。なお、図に示すパターンは説明を容易にするため、以下で示す本実施形態のマスクパターンとは異なるパターンとして示している。この図では、記録許容画素の配置が千鳥、逆千鳥となっている力このような配置のマスクパターンは本発明の範囲に含まれない。

[0049] ここで、「記録許容画素」と「非記録許容画素」につヽて定義する。「記録許容画素」とは、上述したように、ドットの記録 (インクの吐出）を許容する画素のことである。この記録画素に対応する 2値の画像データが吐出を示すデータであればドット記録が行われ、非吐出を示すデータならばドット記録は行われない。一方、「非記録許容画素」とは、 2値の画像データに関わらず記録を許容しない画素のことである。従って、仮に、この非記録許容画素に対応する 2値の画像データがインク吐出を示すデータであっても記録は行われな、。

[0050] P0003および P0004は、 2パス記録によって完成する画像を、それを構成するドット配置で示している。なお、この画像は、説明を容易にするため、総ての画素にドットを形成するいわゆるベタ画像であり、従って、そのドット記録データの生成に用いるマスク P0002の記録許容画素の配置がそのまま反映されたドット配置を示して、る。第 1走査では、第 1グループのドット記録データは、マスクパターン P0002Aを用いて生成される。そして、記録媒体は図の矢印の方向にノズルグループの幅分ずつ搬送される。次の、第 2走査では、上記搬送量分ずれた領域に対する第 1グループのドット記録データは、同じくマスクパターン P0002Aを用いて生成され、上記第 1グループで記録された領域に対する第 2グループのドット記録データは、マスクパターン POOO 2Aを用いて生成される。この 2回の記録走査によって画像が完成する。

[0051] 図 6A〜Bは、 C、 M、 Yのインクを用いて（上述したようにブラック Kは説明の簡略ィ匕ため省かれている）、図 4および図 5で説明した 2パス記録を行う場合を説明する図である。図 6【こ示すよう【こ、マスク Cl、 Ml、 Yl、 C2、 M2、 Y2を用!ヽ、 2回の走査（図 6 A〜Bに示す例では、往走査と復走査)で C、 M、 Yそれぞれのインクを吐出し、カラ一画像を記録する。

[0052] 図 6Αは、往走查（図 4の右方向への走査）、復走查（図 4の左方向への走査）の順で記録される領域の画像が完成していく様子を示したものである。 1回目の走査である往走査では、最初に、 1パス目のシアン用マスク（マスク C1)を用いて生成したシァンの分割画像データのドット記録データに基づ、てシアン画像を記録する。同じ走査で、マゼンタおよびイェローそれぞれのマスク（マスク Ml、 Y1)を用いて生成した分割画像データのドット記録データに基づき、マゼンタ画像をそれより前に記録したシアン画像に重ねて、さらに、イェロー画像をそれより前に記録したシアン、マゼンタ画像に重ねて順次記録する。記録媒体を所定量搬送した後の、 2回目の走査である復走査では、同様に、順次、マスク Y2、 M2、 C2を用いて生成したそれぞれイェロー、マゼンタおよびシアンのドット記録データに基づき、それより前に記録した画像に重ねて記録する。

[0053] 一方、図 6Bは、復走查（図 4の左方向への走査）、往走查（図 4の右方向への走査 )の順で記録される領域の画像が完成して、く様子を示したものである。 1回目の走查である復走査では、最初に、 1パス目のイェロー用マスク（マスク Y1)を用いて生成したイェローの分割画像データのドット記録データに基づいてイェロー画像を記録する。同じ走査で、マゼンタおよびシアンそれぞれのマスク（マスク Ml、 C1)を用いて生成した分割画像データのドット記録データに基づき、マゼンタ画像をそれより前に記録したイェロー画像に重ねて、さらに、シアン画像をそれより前に記録したイェロー、マゼンタ画像に重ねて順次記録する。記録媒体を所定量搬送した後の、 2回目の走査である往走査では、同様に、順次、マスク C2、 M2、 Y2を用いて生成したそれぞれシアン、マゼンタおよびイェローのドット記録データに基づき、それより前に記録した画像に重ねて記録する。

[0054] このように、 C、 M、 Yの 3色を用い、 2回の走査で画像を完成する 2パス記録を行うときは、 1パス目のシアン画像と 1パス目のマゼンタ画像を合わせた画像、この画像にさらに 1パス目のイェロー画像を重ねた画像、さらに、これら 1パス目の画像に 2パス目のイェロー画像を重ねた画像、といったマスクのプレーンごとの画像を重ねた中間画像が存在する。このような中間画像では、図 86 (a)〜（c)で説明したグレインが生じることがある。特に、記録の高速化、高密度化、また、用いるインクの種類の多様ィ匕に伴、、単位時間当たりに付与されるインク量や記録媒体の単位面積あたりに付与されるインクの量が増大する場合には、中間画像におけるこのダレインの発生は顕著となる。そして、中間画像で発生したグレインは、そのまま定着して完成した画像において不規則なまだら模様などのビーディングとして視認される。

本実施形態では、このような中間画像におけるグレインの発生を避けるベぐそれぞれのプレーンのマスクを重ねたときの記録許容画素の配置が低周波数成分が少ない特性を有するようにしている。低周波数成分が少ないため、各段階における中間画像におけるインクドットの偏りを少ない状態に保つことができる。また、重要な特性として、画像データやその他ノイズなどとの干渉を防ぐために、非周期なパターン特性をもたせる。つまり、プレーンのマスクを重ねたときの記録許容画素の配置が非周期で且つ低周波数成分が少な、特性を有するようにし、分散性の優れたものにしてヽる。これにより、画像の完成に至る各段階の中間画像におけるドットの近接ないし隣接、また、ドットの重なりを、極力排除するようにする。また、仮に、ドットの重なりや隣接が排除しきれない場合でも、そのような重なり箇所などについても分散性の高いものとする。

[0055] なお、「低周波数成分」とは、周波数成分 (パワースペクトル）が存在する空間周波数領域のうち、半分より低周波側にある成分を指す。

(2)マスクの製法

本発明の実施形態に係るマスクの製造方法は、大別して、複数パス分のマスクを同時に生成する方法（同時生成）と、パスごとに順次マスクを生成する方法 (パスごとの生成）の 2つの方法のいずれかで実施することができる。前者の同時生成方法は、（画像を完成するパス数 (走査回数） 1)パス分のマスクを同時に生成し、残りの 1パス分のマスクは、その記録許容画素が同時生成されたマスクの記録許容画素の配置に対して排他的になるように生成するものである。後者のパスごとの生成方法は、画像を完成する複数のパス（走査)ごとに順次マスクを生成する方法であり、最後のパス分のマスクは、前者の方法と同様に、記録許容画素がそれまでに生成されたマスクの記録許容画素の配置に対して排他的になるように生成する。なお、本実施形態の場合は、 2パス記録に用いるマスクであることから、同時生成とパスごとの生成は同じものとなる。

[0056] さらに、上記 2つの生成方法それぞれについて、具体的に記録許容画素の配置を定める仕方として、マスクの総ての記録許容画素を予め所定の配置としこれらを移動させながら、生成されるマスク全体で分散性を上げて行く方法 (以下、「配置移動法」 )と、生成されるマスク全体で分散性を上げながら記録許容画素を 1つずつ配置して行く方法 (以下、「順次配置法」 )とを実行することができる。

[0057] 図 7は、本実施形態の 2パス記録に用いるマスクの製法を概念的に示す図である。

[0058] マスク生成のステップ 1として、 1パス目に用いるそれぞれのプレーンのマスク Cl、

Ml、 Y1を生成する。そして、ステップ 2として、 2パス目に用いるそれぞれのプレーンのマスク C2、 M2、 Y2を、上記 1パス目のマスク Cl、 Ml、 Y1とそれぞれ補完の関係を持つように生成する。すなわち、色ごとに、 2パス目のマスクは、その記録許容画素の配置は 1パス目のマスクの記録許容画素の配置と排他的な関係となるように生成される。

[0059] 以上のマスクの製法において、 1パス目のマスク Cl、 Ml、 Y1それぞれの記録許容画素の配置は、次のように行われる。最初に配置移動法について説明し、次に、順次配置法について説明する。なお、これらの配置方法のいずれを用いてもよいことはもちろんである。

[0060] 配置移動法

図 8は、本実施形態の 2パス記録に用いるマスクの記録許容画素の配置移動法による配置決定処理を示すフローチャートである。 [0061] 先ず、ステップ S801で、 1パス目のマスク Cl、 Ml、 Y1それぞれのプレーンのサイズに対応した C、 M、 Yそれぞれの 50%濃度の画像を取得する。そして、ステップ S8 02で、それぞれの画像にっ、て誤差拡散法などの 2値ィ匕手法を用いて 2値ィ匕を行う。これにより、マスク Cl、 Ml、 Y1それぞれのプレーンについて、 1ビットのデータが" 1"である記録許容画素がマスク画素全体の 50%に配された初期配置を得ることができる。なお、この 2値ィ匕の手法を用いて記録許容画素の初期配置を得るのは、その用いる 2値ィ匕の手法に応じてある程度、初期状態で分散性のよい配置を得ることができるからであり、これにより、その後の最終的な配置決定までの演算時間ないし収束時間を短くできるからである。換言すれば、本発明を適用する上で初期配置を得る方法は本質ではなぐ例えば、マスクのプレーンにおいて、 1ビットのデータが" 1"である記録許容画素をランダムに配置した初期配置であってもよい。

[0062] 次に、ステップ S803で、上記のようにして得たマスク Cl、 Ml、 Y1それぞれのプレーンの総ての記録許容画素にっ、て斥力ポテンシャルを計算する。具体的には、 (i)同一プレーン内の記録許容画素間に距離に応じた斥力を与える。

[0063] (ii)さらに、異なるプレーン間の記録許容画素にも斥力を与える。

[0064] (iii)同一プレーンと異なるプレーン間に異なる斥力を与える。

[0065] (iv)異なるプレーンの記録許容画素の重なりを認め、記録許容画素の重なり（2つの記録許容画素重なり、 3つの記録許容画素重なり、 ···）同士も組み合わせに応じた斥力を与える。

[0066] 図 9は、本実施形態に係る基本斥力ポテンシャル E (r)の関数を模式的に示す図である。

[0067] 同図に示すように、本実施形態で規定する斥力関数は、その斥力が及ぶ範囲を r

= 16 (画素；記録許容画素が配置されるマスクの画素）までとする。このような距離とともに減衰するポテンシャルを用いることにより、基本的に、記録許容画素が接近して配置されるとエネルギーが高い状態、すなわち不安定な状態となり、収束計算の結果、接近した配置はできるだけ選択されな、ようにすることができる。

[0068] なお、この斥力の形状は、マスク画素全体に対する記録許容画素の割合により決定することがより望まし、。 [0069] また、複数色のインクを用いて記録を行う場合、インクドットを配置できる位置 (解像度 1200場合の場合は、 1インチ四方に 1200 X 1200個の可能位置がある）以上に重ねてインクドットを配置するため、各記録許容画素にっ、て斥力ポテンシャルを計算する際には、記録許容画素の上に記録許容画素が重なることを考慮する。このため、 r=0において有限の斥力ポテンシャルを持つように関数を定義する。これにより、記録許容画素の重なりをも考慮した分散が可能となる。

本実施形態では、同一プレーンの記録許容画素同士に関して a E (r)、異なるプレーン間の記録許容画素同士に関して j8 E (r)、重なる記録許容画素同士に関して γ s (n) E (r)の斥力ポテンシャルを与えて計算を行う。つまり、ある記録許容画素が存在することによるポテンシャルは、距離 r以内の範囲にある、同プレーンの記録許容画素、異なるプレーンの記録許容画素、さらには異なるプレーンの重なる記録許容画素についての斥力ポテンシャルが加算される。

[0070] なお、マスクパターンのサイズは有限であるが（本実施形態の場合、 256 X 256画素となる）、ポテンシャル計算においては、 256 X 256画素の同じパターンがあた力も繰り返しているような周期境界条件を用いる。よってマスクパターンの左端は右端と隣接しており、下は上と隣接していることとなる。

[0071] 上記の斥力ポテンシャルにお、て、係数 α、 β、 γは重み付け係数であり、本実施形態では、 α = 3、 β = 1、 γ = 3の値を用いる。この a、 β、 γの値によって記録許容画素の分散性が影響を受ける。この α、 |8、 γの値は、例えば、実際には実験を行い、マスクを用いて記録される記録画像を参照した最適化により求めることができる

[0072] また、係数 s (η)は、重なる記録許容画素を分散させるために γに加えてさらに積算する係数である。この係数 s (n)は、重なりが多いほどそれらの記録許容画素をより分散させるベく重なりの数に応じた値とするものである。本願発明者の実験によれば、次の 2つの式、ずれかによつて求められる s (n)を用いることにより、分散に関してよ!/ヽ結果を得ることができる。

[0073] [数 1] s ( n ) = ^ nCi また ίま s ( n ) = ^ nCi

i = 1 ; = 1

[0074] すなわち、 nを重なりの数とするとき、組合せの数の和を s (n)とするものである。詳細には、斥力を計算する注目記録許容画素に対して重なる（同じプレーンまたは異なるプレーンにおける同じ位置の）記録許容画素を調べるとともに、注目記録許容画素から距離 rに位置する記録許容画素を調べる。この場合に、注目記録許容画素およびその画素と同じ位置で重なる他のプレーンの記録許容画素と、距離 rにある各プレーンのその画素で同じように重なる記録許容画素の共通する重なりの数を nとする。そして、これら 2つの画素間の重なった記録許容画素同士による斥力を考える。

[0075] この場合、例えば、ある 2画素間で第 1プレーン、第 2プレーンおよび第 3プレーンにそれぞれ共通に記録許容画素が存在する例を考えると、 n= 3となる。そして、それらの画素間には 3つの記録許容画素の重なりに起因する斥力を作用させる。ここで、 3つの記録許容画素の重なりによる斥力を考えるとき、 3つの記録許容画素の重なりとともに、 2つの記録許容画素の重なり同士や 1つの記録許容画素同士の斥力が多重的に作用すると考える。換言すれば、第 3プレーンを考えなければ、第 1プレーンと第 2プレーンの 2つの記録許容画素の重なりと考えることができ、また、第 2プレーンを考えなければ第 1プレーンと第 3プレーンの 2つの記録許容画素の重なりとも考えられる。第 1プレーンを考えなければ第 2プレーンと第 3プレーンの重なりと考えられる。このような記録許容画素が重なることの多重的な効果を計算するために、重なりの組合せによる斥力を定義し上記のような s (n)を用いる。これによれば、分散性のよい記録許容画素配置を得ることができることが実験上確認されている。

[0076] 再び、図 8を参照すると、ステップ S803で、総ての記録許容画素の斥力ポテンシャルを合計した総エネルギーが求まっている。そして、この総エネルギーを減衰させる処理を行う。

[0077] この処理では、総ての記録許容画素について順に、距離 r力以内の画素の中で斥力ポテンシャルが最も下がる画素に記録許容画素を移す。このような処理を繰り返していくことによって (ステップ S804)、総ての記録許容画素の斥力ポテンシャルの合計値である総エネルギーを低下させて行く。すなわち、この総エネルギーが徐々に順次減少して行く過程は、記録許容画素の配置が順次分散性を高める過程、つまり記録許容画素配置の低周波数成分が順次少なくなつて行く過程である。

[0078] ステップ S805では、ステップ S804における総エネルギーの低下率を計算し、それが所定値以下であると判断すると、エネルギー減衰処理を終了する。なお、この所定値は、例えば、実際に印刷を行った結果をもとに、低周波数成分が適切に抑えられた画像を記録できる低下率として求めることができる。

[0079] 最後にステップ S806で、上記のように総エネルギーの低下率が所定値以下となつた状態の各プレーンを 1パス目のマスク Cl、 Ml、 Y1として設定する。さらに、これらマスクの記録許容画素の配置に対するそれぞれ排他的位置を記録許容画素の配置とした 2パス目のマスク C2、 M2、 Y2を設定する。

なお、本実施形態では、ステップ S805において総エネルギーの低下率が所定値以下となった力否かを判定し、低下率が所定値以下となったらステップ S806へ移行するようにしている。しかし、本実施形態はこの例に限られるものではない。例えば、ステツプ S805におヽて総エネルギーが所定値以下となったか否かを判定し、総エネルギ一が所定値以下となったらステップ S806へ移行するようにしてもょ、。

[0080] 図 10A〜Dは、上述した斥力ポテンシャルの計算と総エネルギーの減衰処理を模式的に説明する図である。詳しくは、本実施形態に係る Cl、 Ml、 Y1の 3プレーンを斜視図で示し、また、特に記録許容画素の移動を平面図で示す図である。ここで、最小の正方形はマスクの画素を示し、 3プレーンの重なりにお!/、て重なる画素がプレーン間で同じ画素位置に対応する。

[0081] 図 10Aは、同一プレーンに記録許容画素が存在する場合にそれら記録許容画素間の斥力によってポテンシャルが加えられる（増す)ことを説明する図である。図に示す例では、プレーン C1の注目画素の記録許容画素 Doと同じプレーンで距離 r離れた画素に記録許容画素が 1個存在する例であり、この場合、 a = 3が適用され、記録許容画素 Doのポテンシャルとして 1 X α E (r)のポテンシャルが加えられる。

[0082] 図 10Bは、注目記録許容画素 Doとは異なるプレーン（プレーン Ml、 Y1)に記録許容画素が存在する場合に、それら 2個の記録許容画素との関係で加えられる斥力ポテンシャルを説明する図である。異なるプレーン間の記録許容画素との関係であるから、 j8 =1が適用され記録許容画素 Doのポテンシャルとして記録許容画素 2個分の 2X j8E(r)のポテンシャルが加えられる。

[0083] 図 10Cは、上記の 2つの場合である、同一プレーンに記録許容画素が存在する場合と異なるプレーンに記録許容画素が存在する場合に加え、異なるプレーンの同一画素に記録許容画素が存在して記録許容画素の重なりが存在する場合に、それらの記録許容画素との関係でカ卩えられる斥力ポテンシャルを説明する図である。図 10 Aおよび Bの場合に加え、注目記録許容画素 Doのプレーン C1と異なるプレーン Y1 の同じ画素に記録許容画素が存在することにより、同プレーンの斥力ポテンシャル 1 X aE(r)と、同じ画素の異なるプレーンの 1個の記録許容画素による斥力ポテンシャル 1 X |8 E(0)と、異なるプレーンの 2個の記録許容画素による斥力ポテンシャル 2 X j8E(r)と、重なる数 n=2で γ =3が適用される、重なりによる斥力ポテンシャル γ s( 2) XE(r)のポテンシャルが加えられる。この結果、図 10Cに示す記録許容画素配置におヽて注目記録許容画素 Doが存在することによる斥力ポテンシャルの合計は、 1 X J8E(0)+1X aE(r)+2X j8E(r) + ys(2) XE(r)となる。

[0084] 図 10Dは、図 10Cに示す記録許容画素配置において、記録許容画素 Doを移動させることにより、その記録許容画素の斥力ポテンシャルの合計が変化することを説明する図である。図 10Dに示すように、記録許容画素 Do (プレーン C1の記録許容画素 )が同じプレーンの隣の画素に移ると、その記録許容画素 Doが存在することによる斥力ポテンシャルの合計は、距離力r2、重なり同士の数 nが 0となることなどにより、 βΕ (D+1X «E(r2)+2X |8E(r2)に変化する。そして、図 10Cに示す記録許容画素配置の場合の斥力ポテンシャルの合計 1 X j8 E (0) + 2 X a E (r) + 1 X |8 E (r) + ys(2) XE(r)と、図 10Dの記録許容画素 Doが移動したことによる斥力の合計とを比較し、この移動前後の斥力ポテンシャルの合計の変化を知ることができる。

[0085] なお、この斥力ポテンシャルの合計は、上記の説明では、 2つの画素または記録許容画素移動させたときは 3つの画素の記録許容画素によるエネルギーの合計を求めるものとしているが、これは説明を簡易にするためであり、実際は、これらの記録許容画素以外に存在し得る他の画素の記録許容画素を含めた記録許容画素との関係に基づく斥力ポテンシャルの積分として求められるものであることはもちろんである。 [0086] 図 10A〜Cに示したように斥力ポテンシャルの合計が計算される各記録許容画素の中で、例えば、記録許容画素 Doが斥力ポテンシャルの合計が最も大きい場合、図 10Dで説明したようにその移動前後の斥力ポテンシャルの変化を求め、移動前後で最も斥力ポテンシャルの合計が低くなる画素に記録許容画素 Doを移動させる。このような処理を繰り返すことによって 3プレーン全体の総エネルギーを下げることができる。すなわち、 3プレーンのマスクの重なりにおいて記録許容画素分布力低周波数成分が少なく良好に分散された配置となる。

[0087] そして、このように 3プレーンのマスク Cl、 Ml、 Y1の重なりにおいて記録許容画素が良好に分散されることによって、これらとそれぞれ補完関係にあるマスク C2、 M2、 Y2もそれぞれ記録許容画素が良好に分散したものとなる。また、これら 6プレーンのうち任意の数（2、 3、 4または 5)のプレーンの重なりにおける記録許容画素の分布も、低周波数成分が少ない良好に分散されたものとなる。本実施形態の場合の往復の順で画像が記録される領域については、 1パス目のマスク Cl、 1パス目のマスク Ml、 1パス目のマスク Yl、 2パス目のマスク Υ2、 2パス目のマスク Μ2、 2パス目のマスク C 2の順で、それぞれのマスクパターンが重なるように用いられて記録が行われる。従つて、中間画像である、「1パス目の C+ 1パス目の Μ」、「1パス目の C+ 1パス目の Μ + 1パス目の Υ」、「1パス目のC+ 1パス目のM+ 1パス目のY+ 2パス目のY」、「1パス目の C+ 1パス目の Μ+ 1パス目の Υ+ 2パス目の Υ+ 2パス目の Μ」、「1パス目の C + 1パス目の Μ + 1パス目の Υ+ 2パス目の Υ+ 2パス目の Μ + 2パス目のじ」それぞれのインクドットの分布は、低周波数成分が少なく分散性に優れたものとなる。同様に、復往の順で画像が記録される領域については、 1パス目のマスク Yl、 1パス目のマスク Ml、 1パス目のマスク Cl、 2パス目のマスク C2、 2パス目のマスク M2、 2パス目のマスク Y2の順で、それぞれのマスクパターンが重なるように用いられて記録が行われる。従って、中間画像である、「1パス目の Y+ 1パス目の M」、「1パス目の Y+ 1パス目の M+ 1パス目のじ」、「1パス目の Y+ 1パス目の M+ 1パス目の C + 2パス目のじ」、「1パス目の Y+ 1パス目の M+ 1パス目の C + 2パス目の C + 2パス目の M 」、「 1パス目の Y+ 1パス目の M + 1パス目の C + 2パス目の C + 2パス目の M + 2パス目の Y」それぞれのインクドットの分布は、低周波数成分が少なく分散性に優れたものとなる。そして、このようなマスクを用いて生成される各ノスのドット記録データによつて記録されるドットも良好に分散したものとなる。すなわち、上述のとおり、マスクの記録許容画素の配置パターンはその低周波数成分が少ないことにより、そのマスクを用いて記録されるドットの配置パターンは、マスク処理される前の元の画像におけるドット配置パターンにおける偏りなどが現れないものとなる。つまり、各パスのマスクを用いて記録されるそれぞれのドットパターンも、マスクパターンと同様に低周波数成分が少なく分散性の良いものとなる。

[0088] これにより、インクと記録媒体との相対的な関係から、仮に、中間画像の段階でインクの浸透が十分に行われなくても、インクドットが分散しているため浸透が不十分なィンク同士が接触してグレインを作る確率は低いものとなり、いわゆるグレインインによるビーディングの発生を抑制することができる。また、仮に、グレインが発生しても、これらのグレインが良好に分散した分布となるので、それらグレインが記録画像の品位に及ぼす影響を少なくすることができる。

[0089] そして、このように、結果として中間画像の段階でインク浸透が必ずしも十分に行われなくてもよいことを考慮すると、プリンタ 104において、各プレーン間の記録時間差、つまり吐出時間差を短くすることが可能となる。例えば、キャリッジ速度もしくは吐出周波数を大きくでき、あるいはマルチノス記録におけるパス数を、例えばインクが十分に浸透することを考慮して 4パスとしているところ、より少ない 2パスにした印刷を実行することも可能となる。

[0090] なお、上述の配置移動法は、 2パスのマスクのうち 1パス目に用いる 3プレーンのマスクについて適用する場合に関するものである力この方法はこの態様に限られず、総てのプレーンに適用して記録許容画素の配置を決定してもよヽ。本実施形態の 2 パス記録に用いるマスクの場合、 C、 M、 Yそれぞれの 2パス分の 6プレーンのマスクに配置移動法を適用してもよい。この場合は、記録許容画素を移動させる範囲を近傍画素に限定せずに、他のプレーンの記録許容画素との関係で配置画素を入れ替える移動を許すものとする。具体的には、例えば、あるプレーンの記録許容画素を同じプレーンの記録許容画素が配置されていない画素に移動させるとともに、その移動した画素に対応する他のプレーンの画素に配置される記録許容画素をその同じプレーンの、前者の記録許容画素があった画素に対応する画素に移動させる、といった入れ替えを行う。これにより、斥力ポテンシャルの計算に係わるプレーン総てにおける記録許容画素の配置関係が変化し、ポテンシャルエネルギーが最小となる入れ替え移動が可能となる。

[0091] 順次配置法

この方法は、上述したように、マスクのプレーンの記録許容画素が未だ配置されて

V、な、部分に順次記録許容画素を配置して行く方法である。

[0092] 図 11は、本実施形態の順次配置法による記録許容画素の配置決定処理を示すフローチャートである。

[0093] 図 11に示す処理は、 3つのプレーンに順次 1つずつ記録許容画素を配置し、それを繰り返すことにより、それぞれのプレートで 50%の記録許容画素の配置を行うものである。先ず、ステップ S1101で、記録許容画素を配置しょうするときに、その記録許容画素とマスク Cl、 Ml、 Y1の各プレーンにおいて既に配置されている記録許容画素との間に発生する斥力ポテンシャルを計算する。

[0094] 斥力ポテンシャルの計算自体は、上述の配置移動法で説明したものと同じである。

異なる点は、例えば、図 10A〜Cに示す例を参照して説明すると、上述の配置移動法とは異なり、記録許容画素 Doが同図に示す画素が既に置いてあるのではなぐ記録許容画素 Doを新たに置くと仮定したときに、既に配置され同じプレーン C1や異なるプレーン M1、Y1の記録許容画素との関係基づいて斥力ポテンシャルを計算する。以上からも明らかなように、未だ記録許容画素が 1つも配置されていない最初の段階では、記録許容画素をどこにお!、ても斥力ポテンシャルは同じ値となる。

[0095] 次に、ステップ S1102で、それぞれのマスク画素に置いたとしたときに計算される斥力ポテンシャルの中で、最小のポテンシャルエネルギーとなるマスク画素を決定する。そして、ステップ S1103では、その最小のエネルギーとなるマスク画素が複数あるか否かを判断する。複数ある場合には、ステップ S1107で、乱数を用いてその複数の画素の中から 1つのマスク画素を決定する。なお、本実施形態では、同じプレーンでは既に記録許容画素が配置されて、る画素には重ねて配置しな、と、う条件の下で、最小エネルギーの画素を決定する。これは、重み付け係数や斥力ポテンシャル関数などのパラメータによっては、斥力ポテンシャルの計算において同じプレーンで重ねた場合の方が他のプレーンの記録許容画素との関係などでエネルギーが最小となることがあり、その場合に、マスクは 1つのマスク画素に 1つの記録許容画素のみが許されるので重なりを禁ずるようにするためである。

[0096] ステップ S1104では、決定した最小ポテンシャルエネルギーのマスク画素に記録許容画素を配置する。すなわち、その画素のマスクデータを" 1"とする。

[0097] ステップ S1105では、 C、 M、 Yのプレーンについて各 1つずつ記録許容画素画が配置されたか否かを判定する。配置されていない場合には、ステップ S1101からの処理を繰返す。

[0098] プレーン Cl、 Ml、 Y1とこの順で 1つずつ記録許容画素を配置すると、ステップ S1 106で、 3つのプレーンそれぞれの全マスク画素に対して 50パーセントまで記録許容画素が配置されか否かを判断する。それぞれのプレーンで 50%まで記録許容画素の配置がなされていないときは、ステップ S1101からの処理を繰返す。そして、 3 つのプレーンの総てで 50%の記録許容画素が配置されると、本処理を終了する。以上のようにして 1パス目のマスク Cl、 Ml、 Y1を設定すると、これらと補完関係にあるマスク C2、 M2、 Y2を続いて設定する。

[0099] 以上説明した順次配置法によっても上述した配置移動法と同様の特性を持つマスクを得ることができる。すなわち、順次配置法による 3プレーンのマスク Cl、 Ml、 Yl は、それらの重なりにおいて記録許容画素が良好に分散されたものとなる。また、それによって、それぞれ補完関係にあるマスク C2、 M2、 Y2もそれぞれ記録許容画素が良好に分散したものとなる。また、これら 6プレーンのうち任意の数（2、 3、 4または 5 )のプレーンの重なりにおける記録許容画素の分布も、低周波数成分が少ない良好に分散したものとなる。

[0100] なお、上述したマスク製法の他の特徴として、記録許容画素の配置が規則的に繰り返されるような周期パターンが生成されることはない、ということがある。例えば、千鳥パターンやべィヤー型の配置が繰り返されるような周期性を持ったパターンは生成されない。万が一生成されたとしても、斥力ポテンシャルのパラメータを設定し直すことで周期ノターンを避ける状態に収束させることができる。このように本実施形態のマスク製法によって生成されるマスクは非周期のパターンとなる。

[0101] また、上述したマスク製法においては、各プレーンにおいて、特にどこかの記録許容画素を使わない設定は行っていない。しかしながら敢えて、各プレーンにおいて記録許容画素として使わない画素を設定したとしても、その画素をさけながらも低周波数成分が少ない良好に分散したものを得ることができる。

(3)マスク特性評価

マスクにおける斥力ポテンシャルの重み付け係数 α、 β 、 y s (n)の効果先ず、以上説明した本実施形態のマスク製法によって製造されたマスクに対して、斥力ポテンシャル計算の（距離の議論はして!/ヽなヽ、係数の影響のみ)重み付け係数《、 j8、 γ ₅ (η)それぞれがどのように影響しているかについて具体的に説明する。上述したように係数 αは同一プレーンにおける記録許容画素の分散に影響し、係数 βは異なるプレーン間の記録許容画素の分散に影響し、また、 γ s (n)は異なるプレーンの記録許容画素が同じ位置の画素にあって重なる場合のこの重なりの分散に影響している。

なお、本実施形態では、 E (r)として同じ関数（図 9)を総ての項に用いている力異なるポテンシャル関数をそれぞれの項に用いることもできる。この場合は、それぞれの関数 E (r)と対応するそれぞれの重み付け係数ひ、 β ヽ y (n)の積である《E (r)、 β Ε (ν) γ Ε (_Γ) ~の違いが、本質的に以下で説明する、分散の違いとなって影響を及ぼすことはもちろんである。

[0102] 仮に、同一のプレーン内の記録許容画素間のみに斥力ポテンシャルを定義しエネルギーを減衰させて記録許容画素分布を決める場合、すなわち、ひ E (r)でひ = 1、 β = γ = 0とする場合、 1つのプレーンの記録許容画素分布は、それぞれプレーンにおける記録許容画素の配置の分散性がょ、。これは a E (r)の効果によるものである。しかし、 2つ (複数)のプレーンを重ねたものから重なる記録許容画素 (論理積、論理和）、のパターンを抽出したものは、記録許容画素の配置に偏りがあり低周波数成分の多いものとなる。 2つのプレーン間でたまたま重なってしまう記録許容が素が発生してしまったり、 2つのプレーン間に関連がないために偏りが生じたりするためである。 [0103] なお、 [論理積]パターンとは、文字通り、図 12に示すように、複数プレーン間の同じ画素位置について論理積の演算を行うことで得られるパターンである。具体的には、複数（図に示す例では、 2つ）のプレーンの対応する画素位置に記録許容画素（" 1 ")がともに存在するとき、その位置を抽出したパターンが論理積パターンである。この論理積パターンは、異なるプレーン間で記録許容画素の重なりがある場合にその分布を示すものである。

[0104] なお、 [論理和]パターンとは、文字通り、図 13に示すように、複数プレーン間の同じ画素位置について論理和の演算を行うことで得られるパターンである。具体的には、複数（図に示す例では、 2つ）のプレーンのいずれかの画素位置に記録許容画素（ " 1")が存在するとき、その位置を抽出したパターンが論理和パターンである。この論理和パターンは、異なるプレーンそれぞれの記録許容画素の配置を 1つのプレーンで示すものである。

[0105] 次に、 3プレーンの総ての記録許容画素に同じ斥力ポテンシャルを加えた場合、すなわち、 α E (r)および j8 E (r)において、 α = |8 = 1、 γ = 0の場合を仮定する。この場合は、それぞれのプレーンの記録許容画素分布は、ある大きさの低周波数成分を持ち分布に偏りがある。一方、上記の 3色のプレーンを重ねたものの記録許容画素分布 (論理和）は分散がよい。これは a、 βが同じ値であることによって、同一プレーンの記録許容画素を分散させる効果力他のプレーンの記録許容画素を分散させる効果と同じであるため、結果として、それぞれのプレーンでは、記録許容画素分布の分散が不十分になる力である。

[0106] そこで、同一プレーンと異なるプレーン間で斥力ポテンシャルを変えるベぐ例えば、 α = 3、 β = 1とする。これにより、他のプレーンの影響を相対的に小さくでき同一プレーン内の分散性がよくなる。さらに、 2つのプレーンを重ねたものの記録許容画素分布 (論理和パターン）は、低周波数成分の少ない分散の良い分布となる。このように、同一プレーン、異なるプレーンの記録許容画素の分散性の両方がよくなる。つまり、 a E (r)と j8 E (r)の項を作用させ、かつ αと j8の値を異ならせることにより、同一プレーン内、異プレーン内両方の分散性が良くなる。

[0107] 次に、記録許容画素の重なりがある場合において、先ず、 γ s (n) E (r)の項を用いな、場合を考える。低周波数成分をもたな、記録許容画素分布を持った 2つのプレーンを、 y s (n) E (r)の項を作用させずに、重ねて得られるものの記録許容画素分布カゝら重なり記録許容画素を抽出したもの (論理積）は、低周波数成分が多い分散の悪い分布となる。

[0108] これに対して、 γ s (n) E (r)の項をカ卩えた場合、先ず、それぞれのプレーンにつ!/ヽて、低周波数成分をもたない記録許容画素分布が得られる。そして、これらのプレーンを重ねたものの記録許容画素分布カゝら重なり記録許容画素を抽出したもの（論理積)の分布も、低周波数成分をもたな!、記録許容画素の配置となる。

[0109] このように、 γ s (n) E (r)の項は、基本的に、重なる記録許容画素同士が良好に分散する効果を与えるものである力図 10A〜Dにて説明したように、この項が、重なりが多、ほどポテンシャルが高くなるよう設定され、そのポテンシャルに応じて記録許容画素を 1つずつ移動し、または配置してエネルギーを減らすことにより、エネルギーを減らす処理の過程で重なりの数を減らす効果を与えている。これは、同じプレーンで隣接する記録許容画素にっヽて、 a E (r)が隣接する記録許容画素の数を減らす効果を与えることと同じことを意味している。このように、 y s (n) E (r)の項は、単に重なる記録許容画素同士をできるだけ分散させるようにするだけでなぐその重なりの数を減らす効果をも与えている。そして、この効果によって、隣接や重なりによる記録許容画素の塊における記録許容画素の数はできるだけ少なくし、結果として低周波数成分の少ない記録許容画素分布を得ることができる。

[0110] 以上の観点から、本実施形態では、上述したように α = 3、 β = 1、 γ = 3の値を用いる。

[0111] なお、例えば、 α、 β « γとして、複数のプレーンの重なりにおいて抽出される重なる記録許容画素に特に注目し、上記 γ s (n) E (r)の項の効果によって、重なる記録許容画素が、特に低周波数成分が少ない分散が良いものとすることも可能となる。

[0112] また、本実施形態では、プレーン間の斥力はすべて、 j8 E (r)としている力相互作用の大きさなどを考えて各プレーン間で相互作用を異ならせることは有効である。例えば、プレーン数が多い場合になるべく近い時間に打ち込まれるインクに用いるマスクのプレーン間の斥力ポテンシャルを他の斥力ポテンシャルに対して大きくする、つまり j8 E (r)の係数や E (r)の形をプレーン間で変えることも有効である。また、例えば、反応系を用いた定着において、反応液またはそのような成分を有したインクを記録ヘッドによって吐出する場合に、その反応液等に用いるマスクのプレーンとその反応液等と反応作用が大きいインクに用いるマスクのプレーンの斥力ポテンシャルを通常より多くすることも有効である。斥力ポテンシャルの関数を変える具体例として、斥力が及ぶ範囲の距離 rを変える例を挙げることができる。例えば、処理にかかる画像デ一タの階調値が 50%階調のとき、上記のように r= 16とし、階調値が 50%より大きくまたは小さくなるほど rを大きくするようにすることができる。

[0113] なお、本明細書では、記録許容画素ないしその重なりが均一に分散するほど、「より良好な分散」もしくは「分散がより良いこと」を意味する。そして、「均一な分散」とは、上記の斥力ポテンシャルの例で言えば総エネルギーを可能な限り低くした状態、すなわち、記録許容画素の重なりや隣接による塊があるときはそれらの重なりや隣接の数をできるだけ少なくした状態であり、さらに、このような状態で、記録許容画素を可能な限り均等に配置することである。さらに、「低周波数成分が少なくなる (小さくなる) 」とは、上記のように分散が良いとき、その分布について後述されるパワースペクトルにおける、人間の視覚特性における感度の高い領域 (低周波数領域)の周波数成分力その分散が良い程度に応じて少なくなる (小さくなる）ことを意味する。

[0114] 本 ¾施形能のマスク従例のマスク

図 14〜図 16は、上述した製法によって製造された本実施形態のマスク Cl、 Ml、 Y1 (以下「積層マスク」 t 、う）それぞれの記録許容画素の配置パターンを示す図である。また、図 17および図 18は、従来例のマスクの同様のパターンを示す図である。詳細には、図 17は、シアンインクの 1パス目に用い得る特許文献 1のように作成したマスク（「自プレーンのみの分散マスク」という）のパターンを示し、図 18は、特許文献 2に記載されたランダムマスクのパターンを示している。図 14〜図 18に示される各マスクパターンは、 256 X 256の画素のエリアを有している。各パターンにおいて、白く示した画素は非記録許容画素（すなわちその画素の画像データによらずマスキングされてしまう画素）を、黒く示した画素は記録許容画素（すなわちその画素の画像データに応じてドット形成がなされることになる画素）をそれぞれ表している。 [0115] これらの図に示すように、図 18に示すランダムマスクのみが、他のマスクに比べて、視覚的なザラツキ感が高ぐ滑ら力さに乏しい印象を受ける。これは、ランダムマスクノターンを作成する際に、特にそのプレーン内のドット配置の相関関係を考慮 (係数 α )することなしに、ランダムにドットの記録許容画素の配置を定めている力もである。これに対し、「自プレーンのみの分散マスク」（図 17)や本実施形態のマスクのパターン（図 14〜図 16)は、特に、係数 αの効果によって同一プレーン内の分散性を考慮した記録許容画素が配置されているので、記録許容画素の分散に偏りが無ぐ全体的に滑らかな印象を受ける。

[0116] 図 19および図 20は、図 14および図 15に示した本実施形態の積層マスク Cl、 Ml のそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図である。また、図 21および図 22は、図 14、図 15および図 16に示した積層マスク Cl、 Ml、 Y1のそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図である。さらに、図 23および図 24は、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクのそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図であり、図 25および図 26は、同様に従来例に係るランダムマスクのそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図である。

[0117] 図 19および図 20に示すように、本実施形態の 2つのマスクを重ねた場合の記録許容画素の配置 (論理和）と、その中から記録許容画素が重なったものを抽出したものの配置 (論理積）は、ともに分散がよくざらつき感のないものとなっている。これは、上述したように、 2つのプレーン相互で記録許容画素の分散を考慮 (係数 β )するとともに、重なり自体の分散を考慮 (係数 γ s (n) ) LTV、るからである。

[0118] また、図 21に示すように、本実施形態の 3つのマスクを重ねた場合の記録許容画素の論理和パターンは全体に隙間なく記録許容画素が配置されたものとなる。すなわち、本実施形態は 3つのプレーン相互で記録許容画素の分散を考慮 (係数 β )していることから、 3つのプレーン相互の記録許容画素は良好に分散し、その結果、全体に隙間なく配置されることとなる。さらに、それぞれのプレーンは 2パス記録用の均等マスクであることから 50%密度で記録許容画素を配置している。従って、 3つのプレーンを重ねたものの密度は 150%となって重なりを排除できないが、本実施形態はその重なりを、係数 γ s (n)によって 2つの重なりまでとしている。その結果、図 22に示すように、 3つの重なりを抽出した論理積パターンではその重なりが存在しないものとなる。

[0119] これに対し、特許文献 1に開示される「自プレーンのみの分散マスク」について異なる色のプレーンを重ねたときの論理和パターンと論理積パターンは、それぞれ図 23 および図 24に示すように、本実施形態のパターン（図 19、図 20)と較べて分散がよくないものとなっている。これは、上述したように特許文献 1では、同じプレーン内の分散は考慮して、るものの、プレーン相互の記録許容画素の分散 (係数 β )や記録許容画素の重なりの分散 (係数 γ s (n) )を考慮していないからである。従来例に係るランダムマスクの場合も、図 25および図 26に示すように、同様に論理和パターンおよび論理積パターンはいずれも分散が良くない。

[0120] マスクパターンの他の評価方法として、「重ね合わせ」パターンを用いたものを定義する。この「重ね合わせ」パターンは、図 27に示すように、複数（図に示す例では 2つ )のプレーンのいずれかのマスク画素に記録許容画素（"1")が存在するとき、その対応する画素に記録許容画素を示すデータ" 1"が存在し、かつ記録許容画素が同じマスク画素で重なるときはその数に応じたデータが存在するパターンである。たとえば、重なりが 2である場合は" 2"、 3である場合には" 3"というようにする。そして、後述する「重ね合わせパターン」はそのデータが示す数に応じた濃度で表される。すなわち、記録許容画素の重なりが多いほど、黒濃度が濃くなるように示している。この重ね合わせパターンは、異なるプレーンそれぞれの記録許容画素の配置を 1つのプレーンで示すとともに、記録許容画素の重なりの配置をその重なりの程度とともに示すことができる。

[0121] 図 28および図 29は、本実施形態の積層マスクをそれぞれ 2つおよび 3つ重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。

[0122] これらの図 28、図 29に示すパターンは、本実施形態のマスクを用いて記録を行うときのそれぞれ中間画像のインクドットのパターンに近いものを表している。従って、これらのパターンからも、中間画像におけるインクドットやそれらの重なりが良好に分散していることがわ力る。

[0123] 図 30および図 31は、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクを 2つ重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。これらの図に示すように、従来例のマスクによる「重ね合わせ」パターンも、記録許容画素およびその重なりの分散性がよくなヽことがわかる。

[0124] パワースペクトルによる評価

次に、マスクパターンの周波数特性を示すパワースペクトルによって本実施形態のマスクを評価する。以下で説明するパワースペクトルは、記録許容画素をドットの配置に置き換えたときに得られるものであり、 256画素 X 256画素のサイズのプレーンについてパワースペクトルを求めたものである。ここで、パワースペクトルは、 2次元空間周波数を 1次元として扱える、「T. Mitsa and K. J. Parker, "Digital Halftoning using a Blue Noise Mask", Proc. SPIE 1452, pp.47— 56 (1991)」に記載の radially averaged p ower spectrumで &)る。

[0125] 図 32は、本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクそれぞれについて、単独のマスクパターン（C1)の周波数特性を説明する図である。図 33は、これら 3種のマスクそれぞれについて、 2つマスク（Cl、 Ml)の論理和パターンの周波数特性を説明する図である。図 34は、これら 3種のマスクそれぞれについて、 2つマスク（Cl、 Ml)の論理積パターンの周波数特性を説明する図である。

[0126] 図 32において、各曲線は、それぞれのマスクパターンの、空間周波数に対するパワースベクトルを示している。曲線 aは、本実施形態の積層マスクのマスクパターン（図 14)のパワースペクトルを、曲線 bは、自プレーンのみの分散マスクのパターン（図 17)のパワースペクトルを、また、曲線 cは、ランダムマスクのパターン（図 18)のパヮ一スペクトルをそれぞれ示す。これら 3つの曲線を比較すると、ランダムマスク（曲線 c )は、空間周波数の全域に対し略一律なパワーを有していることがわかる。ランダムマスクは、ランダムに記録許容画素の配置を定めているために、記録許容画素が分散する間隔に特別な特徴を有していない。従って、低周波数領域から高周波数領域にかけて略一様な分布となる。一方、本実施形態の積層マスクおよび従来例に係る自プレーンのみの分散マスク（曲線 aおよび b)は、低周波数の領域でのパワーが低ぐパワーのピークが高周波に存在している。これは、記録許容画素同士がある程度の距離を維持しながらも、略均等に分散していることを示している。

[0127] マスクパターンの性能評価として、マスクパターンのパワースペクトルが存在する周波数領域のうち、およそ半分より低周波数側にある「低周波数成分」に着目することが本発明の大きな特徴である。マスクパターンの低周波数成分が低く抑えられている状態で、上述したようにグレインの分布に起因するビーディングは現れにくぐまた視認されにくい。結果として、記録した画像は視覚的にはざらつき感がないものとなる。また、特に、マスクパターンは、 1つのパターンを記録する画像に対して 2次元的に繰り返し用いる。この一定のマスクパターンを繰り返した場合は、マスクパターンの低周波数成分が多ければ多いほど、その繰り返しパターンの模様が人の目に認識されやすい。そして、その模様はビーディングの発生および見え方に大きく影響するため、マスク周期に関連したザラツキ感が発生する。そこで、繰り返しパターンに着目して、マスクパターンの低周波数成分側を抑える設計が重要となる。つまり本発明では、視覚的にザラツキなどが気になる低周波数領域に焦点をあてて、その低周波域の成分を低く抑えるようにしている。すなわち、本発明のマスクパターンはそのような低周波数のパワーが低く抑えられて、ることが特徴である。

[0128] さらに、人間の目の感度に関する周波数特性は、記録物と人の目の距離などに依存し、例えば、ドーリイ（Dooley)の文献（「R.P. Dooley： Prediction Brightness Appeara nce at Edges Using Linear and Non-Liner Visual Describing Functions, SPES annual Meeting (1975)」）などによってこれまで多く論じられている。様々な実験から記録物を見る場合には、およそ lOcycles/mmより低い周波数領域の成分が人の目に認識しゃすいと言われている。このことに関して、本発明者も実験的に確認している。そこで、 lOcycles/mmより低周波数側を含む領域 (低周波数領域）に着目することが重要といえる。実際には記録物に目をさらに近づける場合もあるため、本発明者は、およそ 20_Cycl_es/mmより低周波数側に着目し設計することが重要と考える。なお、後述する各実施形態のマスク評価 (例えば、図 50)で着目してヽる低周波数領域は、おおよそこれらの範囲と重なって、る。

[0129] 図 33および図 34に示す、マスクを重ねたときの論理和および論理積パターンのパワースベクトルでは、いずれの場合も、従来例に係るコーンマスク分散マスク（曲線 b) の低周波数成分が本実施形態の積層マスク（曲線 a)より多くなつている。すなわち、図 23および図 24に示したように、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクにおける記録許容画素の配置は、本実施形態の積層マスクに比べ、その分散が劣る。

[0130] 図 35および図 36は、本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクをそれぞれ 2つおよび 3つ重ねたときの「重ね合わせ」パターンのパワースペクトルを示す図である。それぞれの図において、曲線 aは、本実施形態の積層マスクの重ね合わせパターン（図 28、図 29)のパワースペクトルを示し、曲線 bは、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクの重ね合わせパターン（図 30)のパワースペクトルを示し、曲線 cは、同じく従来例に係るランダムマスクの重ね合わせパターン（図 31)のパワースペクトルをそれぞれ示している。

[0131] 3つの曲線を比較すると、ランダムマスクは、上記単独マスク、論理和パターンおよび論理積パターンのパワースペクトルと同様に、空間周波数の全域に対し略一律なパワーを有している。一方、曲線 bで示す自プレーンのみの分散マスクの重ね合わせパターンは、図 32に示した単一の自プレーンのみの分散マスクに比べ、低周波数成分が多くなつている。また、曲線 bで示す自プレーンのみの分散マスクマスクの重ね合わせパターンは、本実施形態の積層マスクの重ね合わせパターンに比べ、低周波数成分が多くなつている。すなわち、図 30に示したように分散が悪くなりパターンのざらつき感が増す。

[0132] これに対し、曲線 aで示す本実施形態の積層マスクの重ね合わせパターンの低周波数成分は、図 32に示した単一の積層マスクと比較しても殆ど変わっていない。これは、 3つのプレーンを重ね合わせた状態においても、記録許容画素同士がある程度の距離を保ちながら、略均等に分散して、ることを示して、る。

[0133] ずらしによる評価

本発明の実施形態に係るマスクが従来の 1つのプレーンのみを考慮して得られるマスク（特許文献 1に記載の自プレーンのみの分散マスク）と異なる点の 1つは、異なるプレーンのマスクを正規の位置で重ねた場合と正規ではない位置で重ねた場合の分散性の変化である。本発明の実施形態に係るマスクは、異なるプレーンのマスクの重ね方を意図的にずらした場合、記録許容画素の分散性が大きく低下する。すなわち、本実施形態では、異なるプレーン間でも分散を考慮していることから、その分散を考慮するときの正規の重ね方とは異なる重ね方をすると分散性が大きく低下する。一方、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクの場合、異なるプレーン間での分散性は考慮していないため、正規の重ね方とは異なる重ね方をしても分散性に変化はない。

[0134] このずれの評価は次のように行う。上述した製法によって作成した Cl、 Ml、 Y1を、それぞれから各色ラスター方向にずらす。このときマスク自体は周期的に並ぶためずらすことが可能である。

[0135] 図 37〜図 39は、マスクをずらして重ねた場合、 Cl、 Mlを重ねたときのそれぞれ論理和、論理積および「重ね合わせ」のパターンを示す図である。これらの図から明らかなように、本実施形態の積層マスク Cl、 Mlの重ね位置をずらした重ねパターンの論理和、論理積、「重ね合わせ」のいずれも分散性が低下し、ノターンを観察したときのざらつき感が増して、る。

[0136] 図 40〜図 42は、重ね位置をずらした場合と重ね位置をずらさない場合 (つまり、正規の位置で重ねた場合)のパワースペクトルを比較した図であり、それぞれ本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクの論理和パターンのパワースペクトルを示す図である。

[0137] 図 40に示す本実施形態の積層マスクは、ずらした場合の低周波数成分は、ずらし無しの場合に較べて比較的大きくなる。これは、上述したように、積層マスクは、異なるプレーン間でも分散を考慮していることから、その分散を考慮するときの正規の重ね方とは異なる重ね方としたときは、分散性が大きく低下するからである。

[0138] これに対し、図 41および図 42に示す従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクは、ずらした場合とずらし無しの場合とでパワースペクトルの低周波数成分に殆ど変化がない。これは、これらのマスク力もともと異なるプレーン間での記録許容画素の分散を考慮していないため、重ね位置がずれてもそれによつて重ねたときのパターンにおける分散に大きな違いを生じないからである。

[0139] 図 43〜図 45は、図 40〜図 42に示す図と同様、重ね位置をずらした場合とずらさない場合のパワースペクトルの比較図である。図 43〜図 45は、それぞれ本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクの論理積パターンのパワースペクトルを示す図である。また、図 46〜図 48は、重ね位置をずらした場合とずらさない場合のパワースペクトルの比較図であり、それぞれ本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクの「重ね合わせ」パターンのパワースペクトルを示す図である。これらの図力もも明らかなように、本実施形態の積層マスクは、ずらした場合の低周波数成分がずらし無しの場合に較べて大きく増す。一方、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクは、ずらした場合とずらし無しの場合とでパワースペクトルの低周波数成分に殆ど変化がない。図 49に示す本実施形態の 3つの積層マスク Cl、 Ml、 Y 1をずらして重ねたときの「重ね合わせ」パターンのパワースペクトルでも、同様に、ずらしたときに周波数領域の全体としてパワーが増大する。

[0140] 図 50〜図 52は、以上のずらしによる評価を低周波数成分の量で表した図であり、それぞれ本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクに示している。ここで、低周波数成分の量は、パワースペクトルが存在する空間周波数領域のおよそ半分に相当する 90以下の成分を積分したものである。

[0141] 図 50に示すように、本実施形態の積層マスクの場合、ずらしたものは、マスク Cl、 Mlのそれぞれ論理和、論理積、「重ね合わせ」のパターンおよびマスク Cl、 Ml、 Y 1の「重ね合わせ」パターンのいずれにおいても、ずらしていない場合と比較して、低周波数成分の量が多くなることがわかる。

[0142] これに対し、図 51に示す自プレーンのみの分散マスクおよび図 52に示すランダムマスクの、ずれもずらした場合とずらして、な、場合とで低周波数成分の量に変化はない。

[0143] 以上のように、マスクを重ね合わせる場合に、その重ね位置をずらしたとき分散性に係る評価値が大きく変化する力否かによって、本発明を適用したマスクか否かを判断することができる。すなわち、上述のずらしによる評価は、本発明を適用したマスクが重ね合わせにおける分散性を考慮してあることを証明するものである。〔実施形態 2： 4パス記録用 100%均等マスク〕

(1)本実施形態の概要

本実施形態は、シアン (C)、マゼンタ（M)、イェロー (Y)、ブラック (K)の各インクについて 4回の走査で画像を完成する 4パスのマルチパス記録に関する。そして、この 4パス記録に用いるインク色のそれぞれにつ、て複数 (本実施形態では 4)回の走査それぞれに用いるマスクが良好に分散しているだけでなぐこれらのマスクの任意の複数のプレーンを合わせたものも良好に分散したものである。

[0144] 以下では、図示および説明の簡略化のため、シアン、マゼンタ、イェローの 3色で 4 パス記録を行う場合にっ、て説明する。

[0145] シアン、マゼンタ、イェローの各色ノズル群は、第 1グループ〜第 4グループの 4つのグループに分割され、各グループには 128個ずつのノズルが含まれている。各グループには本実施形態のマスクパターン（Cl、 C2、 C3、 C4、 Ml、 M2、 M3、 M4、 Yl、 Y2、 Y3、 Y4)が対応付けられており、各マスクパターンの副走査方向（搬送方向）の大きさは各グループのノズル個数と同じ 128画素分となっている。一方、走査方向の大きさは 256画素分となっている。また、同色インクのノズル群に対応する 4つのマスクパターン（Cl、 C2、 C3および C4、 Ml、 M2、 M3および M4、 Yl、 Y2、 Y3 および Y4)はそれぞれ 4つのパターンで補完して総ての画素に対応する関係にあり、これらを重ね合わせると 128 X 256画素に対応した領域の記録が完成される構成となっている。

[0146] これらのマスクを用いた記録動作では、各色ノズル群はノズル配列方向と略直交する方向へ走査しながら記録媒体にインクを吐出する。例えば、各領域に対して C, M , Yのインク吐出が行われる。また、走査が終了するたびに、記録媒体は走査方向と直交する方向に 1つのブループの幅分 (すなわち、 128画素分)ずつ搬送される。これにより、記録媒体の各グループの幅に対応する大きさの領域は 4回の走査によつて画像が完成する。

[0147] さらに具体的に説明すると、記録媒体におけるそれぞれノズルグループの幅に対応する大きさの連続した 4つの領域を記録媒体の搬送方向に順に領域 A、 B、 C、 D とするとき、第 1走査では記録媒体上の領域 Aに対して、 Cノズル群の第 1グループ、 Mノズル群の第 1グループ、 Yノズル群の第 1グループを用いて記録が行われる。そして、この第 1走査では領域 Aに対してはマスクパターン Cl、マスクパターン Ml、マスクパターン Y1が用いられる。

[0148] 次に、第 2走査では、第 1走査での記録が終了した領域 Aに対して、 Cノズル群の第 2グループ、 Mノズル群の第 2グループ、 Yノズル群の第 2グループを用いて記録が行われるとともに、未記録状態の領域 Bに対して、 Cノズル群の第 1グループ、 Mノズル群の第 1グループ、 Yノズル群の第 1グループを用いて記録が行われる。従って、第 2走査では領域 Aに対してマスクパターン C2、マスクパターン M2、マスクパターン Y2が用いられるとともに、領域 Bに対してマスクパターン Cl、マスクパターン Ml、マスクパターン Y1が用いられる。

[0149] さらに、第 3走査では、第 2走査での記録が終了した領域 Aに対して、 Cノズル群の第 3グループ、 Mノズル群の第 3グループ、 Yノズル群の第 3グループを用いて記録が行われるとともに、領域 Bに対して、 Cノズル群の第 2グループ、 Mノズル群の第 2グループ、 Yノズル群の第 2グループを用いて記録が行われ、さらに、未記録状態の領域 Cに対して、 Cノズル群の第 1グループ、 Mノズル群の第 1グループ、 Yノズル群の第 1グループを用いて記録が行われる。従って、第 3走査では領域 Aに対してマスクパターン C3、マスクパターン M3、マスクパターン Y3が用いられ、領域 Bに対してマスクパターン C2、マスクパターン M2、マスクパターン Y2が用いられ、領域 Cに対してマスクパターン Cl、マスクパターン Ml、マスクパターン Y1が用いられる。

[0150] さらに、第 4走査では、第 3走査の記録が終了した領域 Aに対して、 Cノズル群の第 4グループ、 Mノズル群の第 4グループ、 Yノズル群の第 4グループを用いて記録が行われるととも〖こ、領域 Bに対して、 Cノズル群の第 3グループ、 Mノズル群の第 3ダループ、 Yノズル群の第 3グループを用いて記録が行われ、領域 Cに対して、 Cノズル群の第 2グループ、 Mノズル群の第 2グループ、 Yノズル群の第 2グループを用いて記録が行われ、さらに、未記録状態の領域 Dに対して、 Cノズル群の第 1グループ、 Mノズル群の第 1グループ、 Yノズル群の第 1グループを用いて記録が行われる。従つて、第 4走査では領域 Aに対してマスクパターン C4、マスクパターン M4、マスクパターン Y4が用いられ、領域 Bに対してマスクパターン C3、マスクパターン M3、マスクパターン Y3が用いられ、領域 Cに対してマスクパターン C2、マスクパターン M2、マスクパターン Y2が用いられ、さらに、領域 Dに対してマスクパターン Cl、マスクパターン Ml、マスクパターン Y1が用いられる。

[0151] 以上説明したように、 4回の走査で記録媒体上の領域 Aに対する画像の記録が完成する。また、領域 Bや後続の領域についても同様に記録が行われていく。

[0152] 本実施形態では、上述した実施形態 1と同様、中間画像におけるグレインの発生を避けるべく、それぞれのプレーンのマスクを重ねたときの記録許容画素の配置を非周期で低周波数成分が少なく分散性の良いものとしている。これにより、画像の完成に至る各段階の中間画像におけるドットの近接ないし隣接、また、ドットの重なりを、極力排除するようにする。また、仮に、ドットの重なりや隣接が排除しきれない場合でも、そのような重なりなどにっヽても分散性の高、ものとするものである。

(2)マスクの製法

本実施形態においても、マスクの製造方法として、実施形態 1で説明した同時生成法とパスごとの生成法のいずれをも用いることができる。但し、本実施形態では、同時生成法とパスごとの生成法が同じものとはならない。以下、これらの方法について順に説明する。

[0153] 同時牛.成

図 53は、本実施形態の同時生成法を概念的に説明する図である。

[0154] 同図に示すように、本実施形態の同時生成法は、 1パス目〜 3パス目用のマスクであるマスク（Cl、 Ml、 Yl)、（C2、 M2、 Y2)および（C3、 M3、 Y3)を、ステップ 1で同時に生成する。そして、ステップ 2として、 4パス目に用いるそれぞれのプレーンのマスク（C4、 M4、 Y4)を、上記 1パス目〜 3パス目のマスク（Cl、 Ml、 Yl)、（C2、 M 2、 Y2)および (C3、 M3、 Y3)とそれぞれの色が補完の関係を持つように生成する。すなわち、色ごとに、 4パス目のマスクは、その記録許容画素の配置が 1パス目〜パス目のマスクの記録許容画素の配置と排他的な関係となるように生成される。

[0155] 1パス目〜3パス目用のマスクの生成における記録許容画素の具体的な配置の仕方は、実施形態 1にて説明した「配置移動法」または「順次移動法」の、ずれかを以下に示すようにして用いることができる。 [0156] (配置移動法）

この方法を用いるときの処理は、基本的に、実施形態 1について図 8にて説明して処理と同様である。すなわち、図 8のステップ S801と同様、 1パス目〜 3パス目のそれぞれの色のマスク（Cl、 Ml、 Yl)、（C2、M2、Y2)、（C3、 M3、 Y3)それぞれのプレーンのサイズに対応した C、 M、 Yそれぞれの 25%濃度の画像を取得する。そして、ステップ S802と同様、それぞれの画像について誤差拡散法などの 2値ィ匕手法を用いて 2値化を行う。これにより、それぞれのマスク（Cl、 Ml、 Yl)、（C2、 M2、 Y2) 、（C3、 M3、 Y3)それぞれのプレーンについて、記録許容画素がマスク画素全体の 25%に配された初期配置を得ることができる。

[0157] 次に、ステップ S803と同様、上記のようにして得たマスク（Cl、 Ml、 Yl)、（C2、 M 2、 Y2)、（C3、 M3、 Y3)それぞれのプレーンの総ての記録許容画素について斥力ポテンシャルを計算する。

[0158] この斥力ポテンシャルの計算で、実施形態 1の処理と異なる点は次のとおりである。

例えば、プレーン C2のある許容画素の斥力ポテンシャルを計算するとき、異なる色の他のプレーンの距離 rにある記録許容画素による影響； β E (r)の重み付け係数 β の値は実施形態と同じく 1とする。一方、同じ色の異なるプレーン Cl、 C3おいて距離 rにある記録許容画素からの影響； β E (r)の重み付け係数 βの値は 2とする。これにより、同じ色のマスクを重ねたときの記録許容画素の分散（ j8が 2)力異なる色の記録許容画素との分散（ ι8が 1)に優先して確保される。

[0159] 次に、図 8のステップ S804と同様、図 10A〜Dにて説明したように、エネルギー減衰を行う。ここで、実施形態 1と異なる点は次の通りである。すなわち、それまでの処理で計算した 9プレーンの総ての記録許容画素にっ、て順次、その記録許容画素力の距離 r力以内の画素の中で斥力ポテンシャルが最も下がる画素に記録許容画素を移すが、その際、同じ色 (プレーン)での記録許容画素の重なりを禁止する点である。これにより、 3パス用の同じ色のマスク相互の補完関係を得ることができる。

[0160] (順次配置法）

同時生成における順次配置法は、実施形態 1について図 11で説明した処理と基本的に同じである。異なる点は、上記配置移動法で説明したことと同じである。すなわち、斥力ポテンシャルを計算する際の、異なる色の他のプレーンの記録許容画素による影響； i8 E (r)の重み付け係数 |8の値を 1とするとともに、同じ色の異なるプレーンにある記録許容画素力もの影響； j8 E (r)の重み付け係数 |8の値を 2とする。また、斥力ポテンシャルが最も下がる画素にその注目記録許容画素を配置する際、同じ色 ( プレーン)での記録許容画素の重なりを禁止する。

[0161] そして、この配置が各プレーン 25%の数を配置する処理を終了する（図 11のステツプ S 1106参照）。

[0162] パスごとの生成

図 54は、本実施形態のパスごとの生成法を概念的に説明する図である。

[0163] 同図に示すように、本実施形態の同時生成法は、ステップ 1で、 1パス目用のマスク

(Cl、 Ml、 Y1)を生成し、次のステップ 2で、 2パス目用のマスク（C2、 M2、 Y2)を生成し、さらにステップ 3で、 3パス目用のマスク（C3、 M3、 Y3)を生成する。そして、ステップ 4として、 4パス目に用いるそれぞれのプレーンのマスク（C4、 M4、 Y4)を、上記生成された 1パス目〜3パス目のマスク（Cl、 Ml、 Yl)、（C2、 M2、 Y2)および (C3、 M3、 Y3)とそれぞれの色が補完の関係を持つように生成する。すなわち、色ごとに、 4パス目のマスクは、その記録許容画素の配置が 1パス目〜パス目のマスクの記録許容画素の配置と排他的な関係となるように生成される。

[0164] 1パス目〜3パス目用のマスクの生成における記録許容画素の具体的な配置の仕方は、実施形態 1にて説明した「配置移動法」または「順次移動法」の、ずれかを以下に示すようにして用いることができる。

[0165] (配置移動法）

この方法を用いるときの処理は、基本的に、実施形態 1について図 8にて説明して処理と同様である。すなわち、図 8のステップ S801と同様、 1パス目のそれぞれの色のマスク（Cl、 Ml、 Yl)それぞれのプレーンのサイズに対応した C、 M、 Yそれぞれの 25%濃度の画像を取得する。そして、ステップ S802と同様、それぞれの画像について誤差拡散法などの 2値ィ匕手法を用いて 2値ィ匕を行う。これにより、それぞれのマスク（Cl、 Ml、 Yl)それぞれのプレーンについて、記録許容画素がマスク画素全体の 25%に配された初期配置を得ることができる。 [0166] 次に、ステップ S803と同様、上記のようにして得たマスク（Cl、 Ml、 Y1)それぞれのプレーンの総ての記録許容画素について斥力ポテンシャルを計算する。

[0167] この斥力ポテンシャルの計算で、実施形態 1の付与処理と異なる点は、上述の同時生成における配置移動法と同じである。すなわち、ある許容画素の斥力ポテンシャルを計算するとき、異なる色の他のプレーンの距離 rにある他の記録許容画素による影響； j8 E (r)の重み付け係数 |8の値は実施形態と同じく 1とする。一方、同じ色の異なるプレーンおいて距離 rにある記録許容画素力の影響； |8 E (r)の重み付け係数 |8 の値は 3とする。これにより、同じ色のマスクを重ねたときの記録許容画素の分散（j8 が 3)が、異なる色の記録許容画素との分散（ |8が 1)に優先して確保される。また、異なる色のプレーン力もの影響； j8 E (r)の係数 |8の値が実施形態 1と同じく 1であることにより、例えば、 C、 M、 Yそれぞれの記録許容画素の集まりが分散性が高く配置されるようなパターンを求めることができる。

[0168] 以上のようにして 1パス目のマスク（Cl、 Ml、 Y1)の記録許容画素の配置を得ると、以下、同様にして、 2パス目（ステップ 2)、 3パス目（ステップ 3)のマスクパターンを求める。この際、記録許容画素を配置する際（図 8のステップ S804参照）、それまで生成されたノスのパターン;記録許容画素の配置は固定する。これにより、 1パス目〜 3パス目までのマスクパターン相互の補完性を保証することができる。

[0169] (順次配置法）

ノスごとの生成における順次配置法は、実施形態 1につ、て図 11で説明した処理と基本的に同じである。異なる点は、上記配置移動法で説明したことと同じである。すなわち、斥力ポテンシャルを計算する際の、異なる色の他のプレーンの記録許容画素による影響； j8 E (r)の重み付け係数 |8の値を 1とするとともに、同じ色の異なるプレーンにある記録許容画素力もの影響； β E (r)の重み付け係数 βの値を 3とする。また、斥力ポテンシャルが最も下がる画素にその注目記録許容画素を配置する際、それまで生成されたパスのパターン；記録許容画素の配置は固定する。これにより、 1パス目〜3パス目までのマスクパターン相互の補完性を保証することができる。

[0170] そして、この配置が各プレーン 25%の数を配置する処理を終了する（図 11のステツプ S 1106参照）。 (3)マスク特性評価

図 55〜図 57は、上述したいずれかの製法によって製造された本実施形態の 1プレーン分の積層マスク Cl、 Ml、 Y1それぞれの記録許容画素の配置パターンを示す図である。各マスクパターンは、 128 X 256の画素のエリアを有したものである。

[0171] これらの図に示すように、本実施形態のマスクのパターンは、特に、係数 αの効果によって同一プレーン内の分散性を考慮した記録許容画素が配置されているので、全体的としては滑らかな印象を受ける。

[0172] 図 58〜図 60は、本実施形態の積層マスクをそれぞれ 3つ（Cl、 Ml、 Yl)、 6つ（C 1、 Ml、 Yl、 C2、 M2、 Y2)および 9つ（Cl、 Ml、 Yl、 C2、 M2、 Y2、 C3、 M3、 Y 3)を正規の位置で重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。これらの積層マスクを複数重ねたときの「重ね合わせ」パターンは、それらのマスクの論理和パターンを薄、濃度で、論理積パターンをより濃、濃度で表して、る。

[0173] これらの図に示す「重ね合わせ」のパターンは、本実施形態のマスクを用いて記録を行うときのそれぞれ中間画像のインクドットのパターンに近いものを表している。従つて、これらのパターンからも、中間画像におけるインクドットやそれらの重なりが良好に分散して、ることがわかる。

[0174] ずらしによる評

本実施形態に係る 4パス用積層マスクについても、上記の実施形態 1と同様のずらしによる評価を行う。

[0175] 図 61は、図 58に示した 3つの積層マスク（Cl、 Ml、 Yl)のそれぞれをずらして重ねたときの「重ね合わせ」のパターンを示す図である。また、図 62は、図 59に示した 6 つの積層マスク（Cl、 Ml、 Yl、 C2、 M2、 Y2)のそれぞれをずらして重ねたときの「重ね合わせ」のパターンを示す図である。さらに、図 63は、図 60に示した 9つの積層マスク（Cl、 Ml、 Yl、 C2、 M2、 Y2、 C3、 M3、 Y3)のそれぞれをずらして重ねたときの「重ね合わせ」のパターンを示す図である。

[0176] これらの図から明らかなように、本実施形態の積層マスクの重ね位置をずらした重ね合わせパターン（図 61〜図 63)の!、ずれも、重ね位置をずらさな、パターン（図 5 8〜図 60)に比べて分散性が低下し、パターンを観察したときのざらつき感が増している。

[0177] 図 64は、以上のずらしによる評価を低周波数成分の量で表した図である。ここでは、上述した 3つ（Cl、 Ml、 Yl)、 6つ（Cl、 Ml、 Yl、 C2、 M2、 Y2)および 9つ（CI 、 Ml、 Yl、 C2、 M2、 Y2、 C3、 M3、 Y3)の積層マスクそれぞれ【こつ!/ヽて、「重ね合わせ」パターンをずらした場合（図 61〜図 63)とずらさな、場合（図 58〜図 60)の低周波数成分の量を比較して示して、る。

[0178] 同図に示すように、本実施形態の積層マスクの場合、ずらしたものは、いずれのパターンにおいても、ずらしていない場合 (つまり、正規の位置で重ねた場合）と比較して、低周波数成分の量が多くなることがわ力る。

[0179] 以上のように、マスクを重ね合わせる場合に、その重ね位置をずらしたとき分散性に係る評価値が大きく変化する力否かによって、本発明を適用したマスクか否かを判断することができることは前述したとおりである。

[0180] なお、本実施形態におけるマスクパターンは、横： 256画素 X縦： 128画素のサイズとなっており、縦横のサイズが異なる。このようなパターンについて周波数成分を求めるときは、マスクパターンの縦横サイズを揃えて力も周波数成分を求めるようにする。本実施形態では、縦横サイズを長手方向のサイズ (本実施形態の場合、横方向の 25 6画素）に揃えるため、縦にパターンを繰り返し、 256画素 X 256画素のパターンとして周波数成分を評価した。

[0181] その他のサイズの場合も同様であり、縦横サイズを長手方向のサイズに揃えたパターンについて周波数成分を評価する。具体的には、パターンの短手方向のサイズが長手方向のサイズ以上になるまで短手方向にパターンを繰り返し、その中力パターンを切り出し、その切り出したパターンについて評価する。その際、周波数変換を行うときに高速フーリエ変換を使えるよう、縦横サイズは 2の n乗 (nは正の整数)であることが好ましい。 2の n乗でない場合には、長手方向のサイズに最も近い 2の n乗を特定し、その特定した 2の n乗のサイズで切り出せるようにパターンを縦横に繰り返す。そして、この繰り返しにより生成されたパターンの中から、上記特定した 2の n乗のサイズのパターンを切り出し、その切り出したパターンについて評価を行う。例えば、マスクパターンが横： 500画素 X縦： 320画素であった場合について考える。この場合、長手方向のサイズは「500」なので、この「500」に最も近い 2の n乗を特定する。最も近い 2の n乗は「512」と特定される。そこで、 512画素 X 512画素のパターンを切り出すために、横方向と縦方向に 1回づっパターンを繰り返し、 1000画素 X 640画素のノターンを生成する。こうして生成された 1000画素 X 640画素のパターンの中力 51 2画素 X 512画素のパターンを切り出し、切り出したパターンにつ、て評価を行う。〔実施形態 3： 2パス記録用 100%グラデーションマスク〕

本実施形態は、いわゆるグラデーションマスクに関するものである。グラデーションマスクは、例えば、特許文献 3によって知られたものである。グラデーションとは、ノズル列端部の記録率が低ぐ中央部の記録率が高く設定されているような、ノズル位置に応じて記録率が異なるマスクである。このマスクによれば、マルチパス記録で各パスの記録領域の境界で弊害の原因となりやすい端部ノズルの吐出をその頻度を相対的に少なくすることにより、画像品位を向上させる効果が得られる。

[0182] ここで、上述したマスクパターンの「記録率」とは、マスクパターンにおける一定の領域に含まれる全画素数 (記録許容画素と非記録許容画素の和）に対する記録許容画素数の割合である。例えば、単一ノズルに対応するマスクパターンの記録率とは、その単一ノズルに対応する領域 (単一ラスタ領域）に含まれる全画素数に対する記録許容画素の割合である。

[0183] このようなマスクの場合、ノズル列全体に対応したマスクパターンを空間周波数でみたとき、領域ごとの記録率の変化に起因した低周波数成分の増大が見られる。しかしながら、このような記録率が徐々に変化するような記録許容画素の配置を許容しつつ

、それ以外の不必要な低周波成分が抑えられたマスクパターンが実現されれば、グレインの発生を抑えると言う本発明の効果を得ることはできる。従って、マスクにおいて変化する記録率のそれぞれに対応した複数の領域それぞれで分散性を高く保ちつつ、各領域間では記録率に変化を持たせたグラデーションマスクとすることによつて、本発明と特許文献 3に記載の双方の効果を得ることが可能となる。

[0184] 図 65Aおよび Bは、本実施形態に係るグラデーションマスクのノズル位置に対応させた記録率、および 2プレーンの相互に排他的なマスクパターンを示す図である。

[0185] この 2プレーンのマスクは、本実施形態の場合、シアンの 2プレーンのマスク Cl、 C 2、マゼンタの 2プレーンのマスク Ml、 M2、またはイェローの 2プレーンのマスク Yl、 Υ2である。これらのマスクのうち、図では代表的にシアンのマスク Cl、 C2を示している。そして、上記の実施形態 1で説明したように、これら 6つのマスクの記録許容画素の配置は相互に分散したものとなっている。

[0186] これらの図に示すように、各走査では、番号 0〜255のノズルがマスク C2に対応し、番号 256〜511のノズルがマスク C1に対応して記録が行われる。なお、上述の通り、マスク C1とマスク C2は補完関係にある。そして、走査と走査の間には、 256個分のノズル配列の長さに対応した量だけ記録媒体が搬送される。このように走査と搬送を繰り返すことで、上記 256個分のノズル配列に対応した領域をマスク C1とマスク C2で補完する、 2パス記録が行われる。

[0187] 図 65Aに示すように、マスク C1およびマスク C2は、それぞれ記録率が 0. 3力ら 0.

7までラスター（ノズル)ごとに変化するとともに、それぞれのプレーン全体で合計 50 %の記録率を有する。これにより、マスクの各ラスターの記録許容画素の数は、上記記録率によって定まる。例えば、記録率が 0. 4 (40%)のラスターでは、そのマスクのラスター方向サイズが 1000画素あるとすると、約 400個の記録許容画素が配置される。

(2)マスクの製法

本実施形態に係るマスクの製造方法は、基本的に実施形態 1で説明した方法と同じ方法を用いることができる。すなわち、全プレーンを同時に生成する方法と、パスごとに順次マスクを生成する方法の 2つの方法のいずれでも実施することができる。本実施形態の 2パス記録の場合、実施形態 1で上述したように、同時生成とパスごとの生成の方法は同じものとなる。また、上記 2つの生成方法それぞれについて、配置移動法と順次配置法のいずれも実施できることも同じである。以下、本実施形態に係る配置移動法と順次配置法を順に説明する。

[0188] 配置移動法

図 66は、本実施形態の 2パス記録に用いるグラデーションマスクの記録許容画素の配置移動法による配置決定処理を示すフローチャートである。同図に示す処理は、基本的に実施形態 1に関して図 8に示した処理と同様である。以下では、異なる点を主に説明する。

[0189] ステップ S6601、 S6602の処理は、図 8に示したステップ S801、 S802の処理と同様である。また、ステップ S6603の処理も、ステップ S803の処理と同様であり、マスク Cl、 Ml、 Y1それぞれのプレーンで上記のようにラスターごとに配置された総ての記録許容画素にっ、て斥力ポテンシャルを計算する。

[0190] 次に、ステップ S6604で、図 8のステップ S804と同じく、各プレーンの記録許容画素について上記のようにして得ることができる斥力ポテンシャルを 3つのプレーン C1 、 Mlおよび Y1について合計して総エネルギーを求める。そして、図 10A〜Dにて上述したように、記録許容画素の配置を移動させて行く。

[0191] その際、最もポテンシャルエネルギーが低い位置に移動させるとそのラスターの上述した配置数の制限を超えるときは、そのラスターへは移動させず配置数が制限以内となるラスターで、次にエネルギーの低、画素があるラスターのそのエネルギーの低い画素に移動させる。これにより、ラスターごとの記録率を保持しつつ分散性の高 V、記録許容画素の配置を得ることができる。

[0192] 以下は、図 8の処理と同じように、総エネルギーの低下率を計算し、それが所定値以下であると判断すると、エネルギー減衰処理を終了する。そして、総エネルギーの低下率が所定値以下となった状態の各プレーンを 1パス目のマスク Cl、 Ml、 Y1として設定する。さらに、これらマスクの記録許容画素の配置に対するそれぞれ排他的位置を記録許容画素の配置とした 2パス目のマスク C2、 M2、 Y2を設定する。なお、ここでも、上述した実施形態 1と同様、エネルギーの減衰処理を終了させるか否かの判断を、総エネルギーの低下率で判断するのではなぐ総エネルギー所定置以下となった力どうかで判断するようにしてもよ!、。

[0193] 隱西法

この方法も、基本的に実施形態 1に関して図 11にて上述した方法と同じである。図 67は、本実施形態の順次配置法による記録許容画素の配置決定処理を示すフローチャートである。

[0194] 図 67のステップ S6701〜S6703、 S6705, S6706および S6707の処理は、図 1 1の S1101〜S1103、 S1105、 S1106および S1107の処理と同じである。 [0195] 異なる点は、ステップ S6704で、プレーン内で最小エネルギーの画素に記録許容画素を置く際に、上述したように記録率に応じて定まるラスターごとの配置数を超えるときは、配置数の制限以内であるラスターで、次にエネルギーの低い画素があるラスターのそのエネルギーの低い画素に配置する点である。これにより、記録率をラスタ一ごとに変化させながら、分散性の高いグラデーションマスクを得ることができる。

[0196] なお、上述した、ずれの製法の例でも、ラスターごとに配置数を管理するものとした力これに限られることはない。例えば、マスクパターンを所定の複数のラスターごとに記録率を定める場合は、その複数のラスターごとに配置数の制限を行うようにする

(3)マスク特性評価

図 68〜図 70は、上述したいずれかの製法によって製造された本実施形態の 1プレーン分のマスク Cl、 Ml、 Y1それぞれの記録許容画素の配置パターンを示す図である。各マスクパターンは、 256 X 256の画素のエリアを有したものである。

[0197] これらの図に示すように、本実施形態のマスクのパターンは、特に、係数 αの効果によって同一プレーン内の分散性を考慮した記録許容画素が配置されているので、ダラーデーシヨンが持つ記録許容画素の偏りを除いて、記録許容画素の分散に偏りが無ぐ全体的としては滑らかな印象を受ける。

[0198] 図 71および図 72は、図 68および図 69に示した本実施形態の積層マスク Cl、 Ml のそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図である。

[0199] 図 71および図 72に示すように、本実施形態の 2つのマスクを重ねた場合の記録許容画素の配置 (論理和）と、その中から記録許容画素が重なったものを抽出したものの配置 (論理積）は、グラデーションによる分散の偏りを除いて、ともに分散がよくざらつき感のないものとなっている。これは、上述したように、 2つのプレーン相互で記録許容画素の分散を考慮 (係数 β )するとともに、重なり自体の分散を考慮 (係数 γ s (η ；) )している力もである。

[0200] 図 73および図 74は、本実施形態の積層マスクをそれぞれ 2つおよび 3つ重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。積層マスク Cl、 Mlを重ねたときの「重ね合わせ」パターンは、これら 2つのマスクの論理和パターン（図 71)を薄い濃度で、論理積パターン（図 72)をより濃い濃度で表している。また、積層マスク Cl、 Ml、 Yl を重ねたときの「重ね合わせ」パターンは、これら 3つのマスクの論理和パターンを薄

V、濃度で、論理積パターンをより濃、濃度で表して、る。

[0201] 図 73および図 74に示す「重ね合わせ」のパターンは、本実施形態のマスクを用いて記録を行うときのそれぞれ中間画像のインクドットのパターンに近いものを表している。従って、これらのパターンからも、中間画像におけるインクドットやそれらの重なりが良好に分散していることがわかる。

[0202] ずらしによる評価

本実施形態に係るグラデーションマスクについても、上記の各実施形態と同様ずらしによる評価を行う。

[0203] 図 75〜図 77は、図 68、図 69に示したマスク Cl、 Mlをずらして重ねたときの論理和、論理積および「重ね合わせ」のパターンを示す図である。これらの図から明らかなように、本実施形態の積層マスク Cl、 Mlの重ね位置をずらした場合の論理和、論理積、「重ね合わせ」のパターンは、正規の位置で重ねた各種パターン（図 71〜図 7 3)に比べて、分散性が低下し、パターンを観察したときのざらつき感が増している。

[0204] 図 78は、積層マスク Cl、 Ml、 Ylをずらして重ねたときの「重ね合わせ」のパターンを示す図である。この図から明らかなように、本実施形態の積層マスク Cl、 Ml、 Yl の重ね位置をずらした場合の「重ね合わせ」パターンも、正規の位置で重ねたパターン（図 74)に比べて、分散性が低下し、パターンを観察したときのざらつき感が増している。

[0205] 図 79〜図 81は、重ね位置をずらした場合と重ね位置をずらさない場合 (つまり、正規の位置で重ねた場合)のパワースペクトルを比較した図である。詳しくは、本実施形態の 2つの積層マスク CI, Mlの論理和、論理積、および [重ね合わせ]パターンをずらした場合とずらさない場合のパワースペクトルを示す図である。また、図 82は、本実施形態の 3つの積層マスクの [重ね合わせ]パターンをずらした場合とずらさない場合のパワースペクトルを示す図である。

[0206] これらの図に示すように、本実施形態の積層マスクは、論理和、論理積、および [重ね合わせ]のいずれの場合も、ずらした場合の低周波数成分は、ずらし無しの場合に較べて大きくなる。これは、上述したように、積層マスクは、異なるプレーン間でも分散を考慮していることから、その分散を考慮するときの正規の重ね方とは異なる重ね方としたときは、分散性が大きく低下する力もである。

[0207] また、それぞれの図のずらし無しのパワースペクトルにおいて、空間周波数が 1から 20あたりでパワーが大きくなつている。これは、グラデーションマスクとして記録率を変化させていることに起因するものである。すなわち、このような比較的小さな空間周波数、つまり大きな周期の記録許容画素の配置の偏りは、とりもなおさずグラデーションとして認識されるものであり、これは本発明で制御しょうとしている不必要な低周波数成分の偏りとして認識されるものではない。

[0208] 図 83は、以上のずらしによる評価を低周波数成分の量で表した図である。ここでは、本実施形態の 2つの積層マスク Cl、 Mlの論理和、論理積、「重ね合わせ」のパターン、およびマスク Cl、 Ml、 Y1の「重ね合わせ」パターンについて、ずらした場合とずらさな、場合の低周波数成分の量を比較して示して、る。

[0209] 同図に示すように、本実施形態の積層マスクの場合、ずらしたものは、マスク Cl、

Mlのそれぞれ論理和、論理積、「重ね合わせ」のパターンおよびマスク Cl、 Ml、 Y 1の「重ね合わせ」パターンのいずれにおいても、ずらしていない場合と比較して、低周波数成分の量が多くなることがわかる。

[0210] 以上のように、マスクを重ね合わせる場合に、その重ね位置をずらしたとき分散性に係る評価値が大きく変化する力否かによって、本発明を適用したマスクか否かを判断することができることは前述したとおりである。

〔実施形態 4： 2パス記録用 150%均等マスク〕

上述の各実施形態では、同じ色の複数のプレーンのマスクは相互に補完関係にあり、記録許容画素の配置はプレーン間で排他的なものである。本発明の適用はこのようなマスク限られない。同じ色の複数のマスクそれぞれの記録率を合わせたときに 1 00%を超える複数プレーンのマスクにも本発明を適用することができる。 100%を超えるマスクを使用すれば、画像データの解像度が低い場合であっても、最大インク打ち込み量を増やすことができる。

[0211] 本発明の第 4の実施形態は、 2パス記録に用いられる同色の 2つのプレーンがそれぞれ 75パーセントの記録率を持ち、合わせて 150%の記録率となるマスクに関するものである。

[0212] 図 84は、この 2パス記録に用いるマスクを概念的に説明する模式図である。図 84において、 P0001は、 C、 M、 Yのうち、 1つの色の記録ヘッドを示し、ここでは、図示の簡略ィ匕のため 8個のノズルを有するものとして示している。ノズルは、第 1および第 2 の 2つのグループに分割され、各ノズルグループにはそれぞれ 4つのノズルが含まれる。 Ρ0002Αおよび Ρ0002Βは、この第 1および第 2グループのノズル列にそれぞれ対応したマスクパターンを示す。すなわち、第 1走査で用いるマスクパターン Ρ0002 Α (同図中、下側のパターン）と第 2走査で用、るマスクパターン P0002B (同図中、上側のパターン）である。これらがそれぞれ 1プレーンのマスクとなる。それぞれのマスクパターンは、記録許容画素が黒塗りで示されており、非記録許容画素が白で示されている。第 1走査用のマスクパターン P0002Aと第 2走査用のマスクパターン POOO 2Bはそれぞれ 75%の記録率、すなわち、それぞれのパターンにおける全マスク画素に対する記録許容画素の数の割合が 75%のパターンである。従って、これらを重ね合わせると記録許容画素が 4 X 4のエリアに対して 150%、すなわち、重なりを含んだパターンとなる。なお、図に示すパターンは説明を容易にするため、以下で示す本実施形態のマスクパターンとは異なり概念的に示すパターンとしている。

[0213] P0003および P0004は、 2パス記録によって完成する画像を、それを構成するドット配置で示している。画素にドットが 1個配置される場合は「1」、ドットが 2個配置される場合は「2」として表している。なお、この画像は、説明を容易にするため、総ての画素にドットを形成するいわゆるベタ画像であり、従って、そのドット記録データの生成に用いるマスク P0002の記録許容画素の配置がそのまま反映されたドット配置を示している。第 1走査では、第 1グループのドット記録データは、マスクパターン P0002 Aを用いて生成される。これにより、ベタ画像の場合は全画素の 75%のドットが埋まる画像が形成される。そして、記録媒体は図中、上方にノズルグループの幅分搬送される。

[0214] 次の、第 2走査では、上記搬送量分ずれた領域に対する第 1グループのドット記録データは、同じくマスクパターン P0002Aを用いて生成され、上記第 1グループで記録された領域に対する第 2グループのドット記録データは、マスクパターン P0002B を用いて生成される。この 2回の記録走査によって画像が完成する。このとき、完成した画像は、ベタ画像の場合、全画素の 150%のドットが埋まる画像が形成される。

[0215] 本実施形態のマスクの製造方法は、基本的に実施形態 1と同様に行うことができる

[0216] 異なる点は、同時生成法およびパスごとの生成のいずれの場合も（図 7参照）、ステップ 1で 1パス目の 75%マスクパターンを生成した後、ステップ 2では、実施形態 1のように排他位置に記録許容画素を配置するのではなく、ステップ 1と同様の処理繰り返し 75%の 2パス目のマスクパターンを生成する。以下、さらに具体的に配置法である配置移動法と順次配置法について、実施形態 1と異なる点について説明する。本実施形態の配置移動法も実施形態 1に係る図 8の処理と基本的に同様の処理を行う。異なるのは、ステップ S801と同様の処理では、上記ステップ 1および 2のいずれの生成でも、初期配置として各プレーンについて、 75%の 2値データを求める。また、ステップ 2の生成で、図 8のステップ S804と同様の処理では、記録許容画素の移動に際して、同じ色の異なるプレーンの記録許容画素との重なりを禁止しない。すなわち、エネルギーが最も低く位置に移動させようとしたとき、その位置で同じ色の他のプレーンの記録許容画素と重なってもそこに配置する。これにより、 2つのマスクを重ねたものが 100%の記録率を超えた 150%の記録率のマスクを生成することができる

[0217] 隱西法

順次移動法にっ、ても実施形態 1に係る図 11に示した処理と基本的に同様の処理を行う。異なるのは、ステップ S1106と同様の処理では、上記ステップ 1および 2のいずれの生成でも、 75%まで記録許容画素が配置されたカゝ否かを判断する。また、上記ステップ 2の 2パス目用のマスク生成では、図 11のステップ S1104と同様の処理で、記録許容画素を配置するに際して、同じ色の異なるプレーンの記録許容画素との重なりを禁止しない。すなわち、エネルギーが最も低く位置に配置しょうとしたとき、その位置で同じ色の他のプレーンの記録許容画素と重なってもそこに配置する。これにより、 2つのマスクを重ねたものが 100%の記録率を超えた 150%の記録率のマスクを生成することができる。

[0218] 以上の製法により製造したマスクを用いれば、ドットが 2個配置される場所 (画素の位置)の分散性を向上させることができる。

〔実施形態 5：クラスタサイズが m X nのマスク〕

本発明は、 m X n個の記録許容画素を 1つの単位とする、いわゆるクラスタマスクにっ、ても適用することができる。

[0219] 図 85は、 2パス記録用の、クラスタサイズが 1 X 2の 100%均等マスクの概念を説明する図である。図 85において、 P0001は、 C、 M、 Yのうち、 1つの色の記録ヘッドを示し、ここでは、図示の簡略化のため 8個のノズルを有するものとして示している。ノズルは、第 1および第 2の 2つのグループに分割され、各ノズルグループにはそれぞれ 4つのノズルが含まれる。 Ρ0002Αおよび Ρ0002Βは、この第 1および第 2グループのノズル列にそれぞれ対応したマスクパターンを示す。すなわち、第 1走査で用いるマスクパターン Ρ0002Α (同図中、下側のパターン）と第 2走査で用、るマスクパターン Ρ0002Β (同図中、上側のパターン）である。これらがそれぞれ 1プレーンのマスクとなる。それぞれのマスクパターンは、 1 X 2のサイズのクラスタ記録許容画素が黒塗りで示されており、 I X 2のサイズのクラスタ非記録許容画素が白で示されている。第 1走査用のマスクパターン Ρ0002Αと第 2走査用のマスクパターン Ρ0002Βはそれぞれ 50%の記録率のパターンである。従って、これらを重ね合わせるとクラスタ記録許容画素が 4 X 4のエリアに対して 100%のパターンとなる。

[0220] Ρ0003および Ρ0004は、 2パス記録によって完成する画像を、それを構成する 1 X

2個のドットを単位とする配置で示している。なお、この画像は、説明を容易にするため、総ての画素にドットを形成するいわゆるベタ画像であり、従って、そのドット記録データの生成に用いるマスク Ρ0002の記録許容画素の配置がそのまま反映されたドット配置となる。第 1走査では、第 1グループのドット記録データは、マスクパターン Ρ00 02Αを用いて生成される。これにより、ベタ画像の場合は全画素の 50%のドットが埋まる画像が形成される。そして、記録媒体は図中、上方にノズルグループの幅分搬送される。次の、第 2走査では、上記搬送量分ずれた領域に対する第 1グループのドット記録データは、同じくマスクパターン P0002Aを用いて生成され、上記第 1グループで記録された領域に対する第 2グループのドット記録データは、マスクパターン PO 002Bを用いて生成される。この 2回の記録走査によって画像が完成する。このとき、完成した画像は、ベタ画像の場合、全画素の 100%に I X 2個の単位のドットが埋まる画像が形成される。

[0221] 以上の説明力もも明らかなように、 m X n (本実施形態では、 1 X 2)のサイズの記録許容画素を 1単位とするとき、実施形態 1で説明したのと同様にマスクを製造できることは容易に理解できる。また、本実施形態のマスクは、実施形態 1で説明した効果とほぼ同様の効果を得ることができる。

〔他の実施形態〕

上述した実施形態以外に、例えば、実施形態 2に示した 4パスの態様とそれぞれ実施形態 3、実施形態 4、実施形態 5との組み合わせも可能であり、また、実施形態 3に示したグラデーションの態様とそれぞれ実施形態 4、実施形態 5との組み合わせも可能である。さらに、実施形態 4と実施形態 5との組み合わせも可能であり、これらの組み合わせは、それぞれの実施形態の説明からように実施することができる。

[0222] また、本発明で適用できるインクの種類は、上述の実施形態で説明したインクの種類に限定されるものではない。例えば、 CMYの基本色よりも濃度の低い淡インク (淡シアンインク、淡マゼンタインク）やレッド、ブルー、グリーンなどの特色インクをさらに加えて用いることができる

また、本発明は、記録装置で用いる複数種類のインク全てについて、上述の実施形態で説明した積層マスクを適用してもよいし、あるいは、記録装置で用いる複数種類のインクの一部のインクの組み合わせについて、積層マスクを適用してもよい。

[0223] 例えば、シアン（C)、マゼンタ（M)、イェロー（Y)、ブラック (K)、淡シアン（Lc)、淡マゼンタ (Lm)の 6色インクを用いる場合、これら 6色全てに対して積層マスクを適用してもよい。この場合、 6色分の積層マスクを上記実施形態で説明した製法によって生成することになる。

[0224] 一方、これら 6色のうち一部の色（2色、 3色、 4色、 5色）の組み合わせにつ、て積層マスクを適用してもよい。この場合、 2つの形態が考えられる。第 1の形態は、上記一部の色分だけ積層マスクを生成し、それ以外の色についてのマスク製法を問わない形態である。例えば、 6色のうち 3色 (例えば、 CMY)については上述の実施形態で説明した製法によって積層マスクを生成し、それ以外の 3色 (KLcLm)については周知の製法によってマスクを生成する。第 2の形態は、上記一部の色分だけ積層マスクを生成し、それ以外の色にっ、ては上記一部の色のために生成した積層マスクの中力選択したものを割り当てる形態である。例えば、 6色のうち CMYの 3色については上述の実施形態で説明した製法によって積層マスクを生成し、それ以外の 3 色（KLcLm)につ!/、ては CMYのために生成した積層マスクの中なら選択したものを適用する。

[0225] また、上述の実施形態では、異なるインク色の組み合わせについて積層マスクを適用する場合について説明したが、本発明は、この形態に限られるものではない。同じ色で径の異なるドット（吐出体積の異なる同色インク）を用いて記録を行う形態にも適用可能である。この場合、同色で径の異なるドット（例えば、大ドット、小ドット）について上述の積層マスクを適用してもよい。例えば、大シアン、小シアン、大マゼンタ、小マゼンタ、イェロー、ブラックの 6種類のドットを用いる場合を考える。この場合、大シアンと小シアン、あるいは大マゼンタと小マゼンタについて、上述の実施形態で説明した製法により積層マスクを生成する。

[0226] さらには、同色で径の異なるドット（例えば、大ドット、小ドット）を用いる形態において、異色ドットの組み合わせについては上述の積層マスクを適用し、径の異なる同色ドットの組み合わせについては同じマスクを適用する形態であってもよい。例えば、上述の 6種類のドットを用いる場合にぉ、て、大シアンと大マゼンタにつ、て上記実施形態で説明した製法により積層マスクを生成し、且つ小シアンについては大シアンと同じマスクを適用し、小マゼンタについては大マゼンタと同じマスクを適用するのである。

[0227] なお、同色で径の異なるドットの種類数は、大小 2種類に限られるものではなぐ大中小の 3種類であってもよいし、それ以上であってもよい。また、本発明は、色および大きさの少なくとも一方が異なるドットについて適用した場合においてのみ効果を発揮するものではなぐ例えば、離間したノズル群力も異なるタイミングで吐出される同色インクについて適用しても効果を発揮する。例えば、ヘッドの主走査方向に沿って CMYMCの順でノズル群が配列されて!、る形態にあっては、離間した同色ノズル群 (Cノズル群、 Mノズル群）に対して上記製法によって製造した積層マスクを適用するのである。

[0228] また、本発明は、上述した通り、インク以外の液体を用いる形態においても適用可能である。インク以外の液体としては、インク中の色材を凝集あるいは不溶化させる反応液が挙げられる。この場合、少なくとも、ある 1種のインクと反応液について、上記実施形態で説明した製法により積層マスクを生成することになる。

[0229] なお、本発明では、色材として染料を含有する染料インク、色材として顔料を含有する顔料インク、色材として染料および顔料を含有する混合インクのヽずれにっヽても適用可能である。

[0230] 本願は 2004年 7月 6日に出願された日本国特許出願第 2004— 199623号および 2005年 7月 6日に出願された日本国特許出願第 2005— 197873号に基づいて優先権を主張し、前記日本国特許出願は、この参照によって本明細書に含まれる。

Claims

請求の範囲

[1] 複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法にぉ、て、

前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を決定する決定工程を有し、

前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置で定まる低周波数成分が当該複数のマスクパターンで共に少なくなるように記録許容画素の配置を定める工程を含むことを特徴とするマスク製造方法。

[2] 複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法にぉ、て、

前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を定める決定工程を有し、

前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を変化させる工程を含み、当該変化工程では、前記記録許容画素の配置に依存する低周波数成分が少なくなるように前記複数のマスクパターンにおける記録許容画素の配置を変化させることを特徴とするマスク製造方法。

[3] 複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法にぉ、て、

前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を互いに関連付けた所定のルールに基づき、前記複数のマスクパターンにおける記録許容画素の配置を変化させる工程を含み、

前記変化させた後の前記記録許容画素の配置は、前記変化させる前の前記記録許容画素の配置よりも低周波数成分が少ないことを特徴とするマスク製造方法。

[4] 画像を構成する複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法にぉ、て、

前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を第 1配置状態力第 2配置状態へと変化させることで、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける配置を定める決定工程を有し、

前記第 2配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配置パターンは、前記第 1配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配置パターンに比して、低周波数成分が少な!/、ことを特徴とするマスク製造方法。

[5] 画像を構成する複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法にぉ、て、

前記第 2配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配置パターンは、前記第 1配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配置パターンに比して、低周波数成分が少な!/、ことを特徴とするマスク製造方法。

[6] 前記複数のマスクパターンは、前記複数種類のドットと前記複数回の走査の組合せに対応した複数のマスクパターンであることを特徴とする請求項 1乃至 5のいずれかに記載のマスク製造方法。

[7] 前記決定工程は、

前記複数のマスクパターンのそれぞれにつ、て、当該パターンの記録率に応じた数の記録許容画素を初期パターンで配置する第 1工程と、

前記複数のマスクパターンのそれぞれに配置された記録許容画素それぞれについて、その記録許容画素と、それが配置されたマスクパターンを含めた前記複数のマスクパターンに配置された他の記録許容画素との間で斥力ポテンシャルを計算し、その合計である総ポテンシャルエネルギーを求める第 2工程と、

前記斥力ポテンシャルが計算されたそれぞれの記録許容画素を、より斥力ポテンシャルが下がる位置に移動させる第 3工程と、

前記第 2工程と前記第 3工程を繰り返すことにより、前記総ポテンシャルエネルギーを低下させる第 4工程と、

を含むことを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれかに記載のマスク製造方法。

[8] 前記総ポテンシャルエネルギーが所定値以下となったときそれぞれのマスクパターンにおける記録許容画素の配置を最終の配置として定める第 5工程をさらに含むことを特徴とする請求項 7に記載のマスク製造方法。

[9] 前記第 3工程は、より斥力ポテンシャルが下がる位置力その位置が属するラスタ一であってマスクパターンの前記走査の方向に対応して規定されるラスターについて定められた記録許容画素を配置できる数を超えるときは、他のラスターで次に斥力ポテンシャルが下がる位置に記録許容画素を移動させることを特徴とする請求項 7または 8に記載のマスク製造方法。

[10] 前記決定工程は、

前記複数のマスクパターンのそれぞれに対して 1つの記録許容画素を配置するェ程であって、その記録許容画素を配置するとしたときに、その位置の記録許容画素と、その記録許容画素のマスクパターンを含めた前記複数のマスクパターンに配置された他の記録許容画素との間で斥力ポテンシャルを計算する第 1工程と、

前記斥力ポテンシャルが計算されたそれぞれの記録許容画素にっ、て、当該記録許容画素を斥力ポテンシャルが最小となる位置に配置する第 2工程と、

前記第 1工程と前記第 2工程を繰り返し、前記複数のマスクパターンのそれぞれについて、当該パターンの記録率に応じた数の記録許容画素を配置する第 3工程と、を含むことを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれかに記載のマスク製造方法。

[11] 前記第 2工程は、斥力ポテンシャルが最小となる位置が、その位置が属するラスタ一であってマスクパターンの前記走査の方向に対応して規定されるラスターについて定められた記録許容画素を配置できる数を超えるときは、他のラスターで次に斥力ポテンシャルが小さい位置に記録許容画素を配置することを特徴とする請求項 10に記載のマスク製造方法。

[12] 前記複数種類のドットは、ドットの色およびサイズの少なくとも一方が異なることを特徴とする請求項 1乃至 11のいずれかに記載のマスク製法方法。

[13] 請求項 1乃至 12のいずれかに記載のマスク製造方法により製造されたマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットを前記複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成する工程を有することを特徴とするデータ処理方法。

[14] 請求項 1乃至 12のいずれかに記載のマスク製造方法により製造されたマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットを前記複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成する手段を有することを特徴とするデータ処理装置。

[15] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、

前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第 1の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 1マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第 2の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第 2 マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンに対して前記所定の第 2マスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

[16] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンを正規の位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

[17] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とするデータ処理方法。

[18] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が少な、ことを特徴とするデータ処理方法。

[19] 前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項 15乃至 17のいずれかに記載のデータ処理方法。

[20] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンに対して前記所定の第 2マスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

[21] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンを正規の位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

[22] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とするデータ処理方法。

[23] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が少な、ことを特徴とするデータ処理方法。

[24] 前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ前記低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項 20乃至 23のいずれかに記載のデータ処理方法。

[25] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンに対して前記所定の第 2マスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なぐ且つ

前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンに対して前記所定の第 2マスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンを正規の位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なぐ前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを正規の位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少な!/ヽことを特徴とするデータ処理方法。

[27] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有し、且つ前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2 マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とするデータ処理方法。

[28] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、

前記複数の第 1マスクパターンのうちの所定の第 1マスクパターンと前記複数の第 2 マスクパターンのうちの所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンが非周期で且つ低周波数成分が少なぐ且つ前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンが非周期で且つ低周波数成分が少なくなるように、前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とするデータ処理方法。

[29] 前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ前記低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有し、且つ

前記所定の第 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ前記低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項 25乃至 28ずれかに記載のデータ処理方法。

[30] 前記所定の 1マスクパターンと前記所定の第 2マスクパターンは同じ走査で使用されることを特徴とする請求項 15乃至 29のいずれかに記載のデータ処理方法。

[31] 前記第 1の種類のドットは所定色の色材を含有するインクのドットであり、前記第 2の種類のドットは前記色材と化学的に反応する成分を含有する液体のドットであることを特徴とする請求項 15乃至 30のいずれかに記載のデータ処理方法。

[32] 前記複数の第 1マスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配列は、非周期で且つ低周波数成分が高周波数成分よりも小さ、特性を有し、且つ前記複数の第 2マスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配列は、非周期で且つ低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項 15乃至 31のいずれかに記載のデータ処理方法。

[33] 前記複数の第 1マスクパターンそれぞれは、前記第 1の種類のドットを記録する第 1 ノズル群のノズル配列方向に記録率の偏りを持つマスクパターンであり、

前記複数の第 2マスクパターンそれぞれは、前記第 2の種類のドットを記録する第 2ノズル群のノズル配列方向に記録率の偏りを持つマスクパターンであることを特徴とする請求項 15乃至 32に記載のデータ処理方法。

[34] 前記複数の第 1マスクパターンそれぞれは、前記走査の方向および当該走査の方向と直交する副走査の方向の少なくとも一方に隣接する複数の画素で構成されるグループを 1単位として記録許容画素あるいは非記録許容画素が配列され、前記複数の第 2マスクパターンそれぞれは、前記走査の方向および当該走査の方向と直交する副走査の方向の少なくとも一方に隣接する複数の画素で構成されるダループを 1単位として記録許容画素あるいは非記録許容画素が配列されることを特徴とする請求項 15乃至 33のいずれかに記載の画像処理方法。

[35] 前記記録媒体の所定領域に記録されるべき画像は、前記複数のノズル群が所定の順番で記録を行うことによって段階的に完成されるものであり、

前記所定領域に対する記録の順番が連続する N個（Nは 2以上の整数)のノズル群に対応した前記 N個のマスクパターンの論理積および論理和それぞれによって得られる記録画素の配列パターンそれぞれは非周期且つ低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項 15乃至 20のいずれかに記載のデータ処理方法。

[36] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスタノターンを有し、

前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも 2つのマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

[37] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスタノターンを有し、

前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも 2つのマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないデータ処理方法。

[38] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも 2つのマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なぐ

前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも 2つのマスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少な!/ヽことを特徴とするデータ処理方法。

[39] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定の N (N は 2以上の整数)個のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の N個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

[40] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスタノターンを有し、前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定の N個（ Nは 2以上の整数)のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の N個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

[41] 複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、

前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定の N個（ Nは 2以上の整数)のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の N個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なぐ前記所定の N個のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の N個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。

[42] 前記記録媒体の所定領域に記録されるべき画像は、前記複数種類のマスクパターンを用 V、て生成された複数の間弓 Iき画像を所定の順番で記録することによって段階的に完成されるものであり、

前記所定の N個のマスクパターンは、前記所定領域に対する記録の順番が連続する N個（Nは 2以上の整数)の間引き画像を生成するために用、られることを特徴とする請求項 39乃至 41のいずれかに記載のデータ処理方法。

[43] 前記複数種類のドットは、ドットの色およびサイズの少なくとも一方が異なることを特徴とする請求項 15乃至 42のいずれかに記載のデータ処理方法。

[44] 前記低周波数成分とは、周波数成分が存在する空間周波数領域のうち、半分より低周波側にある成分であることを特徴とする請求項 15乃至 43のいずれかに記載のデータ処理方法。

[45] 前記同じ走査は前記所定領域に対して記録を行う 1回目の走査であることを特徴とする請求項 30、 36、 37、 38のいずれかに記載のデータ処理方法。

[46] 請求項 15乃至 45のヽずれかに記載のデータ処理方法を実行する画像処理部を備えたことを特徴とするデータ処理装置。

[47] 前記データ処理装置は、前記複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行う記録装置であることを特徴とする請求項 46に記載のデータ処理装置。

[48] 前記データ処理装置は、前記複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行う記録装置に接続されるホスト装置であることを特徴とする請求項 46に記載のデータ処理装置。

[49] 複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられる複数のマスクパターンにお、て、

前記複数のマスクパターンは、それらの 2つ以上を重ねた場合に、当該記録許容画素のパターン力前記 2つ以上のマスクパターンにつ!/、て重ね位置をずらした場合の記録許容画素のパターンより、低周波数成分が少ないものであることを特徴とするマスクパターン。