KR100828214B1

KR100828214B1 - 데이터 처리 방법, 데이터 처리 장치, 마스크 제조 방법 및마스크 패턴

Info

Publication number: KR100828214B1
Application number: KR1020067025641A
Authority: KR
Inventors: 요시또모 마루모또
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2004-07-06
Filing date: 2005-07-06
Publication date: 2008-05-07
Also published as: KR20070031322A

Abstract

다른 복수 색의 잉크를 이용하여 복수 회의 주사로 화상을 완성하는 분할 기록에 이용되는 마스크이며, 기록 도중에서의 그레인의 발생을 억제하여 비딩에 의한 화질 열화를 경감할 수 있는 마스크를 제공한다. 척력 포텐셜의 합계가 계산되는 각 기록 허용 화소 중에서, 예를 들어, 기록 허용 화소(Do)가 척력 포텐셜의 합계가 가장 큰 경우, 그 이동 전후의 척력 포텐셜의 변화를 구해, 이동 전후에서 가장 척력 포텐셜의 합계가 낮아지는 화소로 기록 허용 화소(Do)를 이동시킨다. 이러한 처리를 반복함으로써 각 플레인 전체의 총 에너지를 낮출 수 있어, 각 플레인의 마스크의 중첩에 있어서 기록 허용 화소 분포가, 저주파수 성분이 적게 양호하게 분산된 배치가 된다.

마스크, 그레인, 척력 포텐셜, 기록 허용 화소, 플레인

Description

데이터 처리 방법, 데이터 처리 장치, 마스크 제조 방법 및 마스크 패턴 {DATA PROCESSING METHOD, DATA PROCESSING DEVICE, MASK PRODUCTION METHOD AND MASK PATTERN}

본 발명은, 데이터 처리 방법, 데이터 처리 장치, 마스크 제조 방법 및 마스크 패턴에 관한 것으로, 상세하게는 기록 화상을 구성하는 잉크 도트를 복수 회의 기록 헤드의 주사로 분할하여 형성할 때의 상기 도트 기록 데이터 생성을 위한 마스크 처리 내지 마스크 패턴에 관한 것이다.

잉크젯 프린터에서는, 소위 멀티패스 기록 방식이 널리 채용되고 있다. 멀티패스 기록 방식은, 화상의 임의의 영역을 보았을 때에 그 영역의 화상을 구성하는 잉크 도트를 기록 헤드의 복수 회의 주사로 분할하여 형성하는 방식이다. 이 방식에 따르면, 잉크를 토출하는 노즐(내지 토출구)마다의 잉크 토출 방향 등 토출 성능의 변동이나 기록 용지의 반송 오차 등에 기인한 농도 불균일 등을 복수 회의 주사로 분산할 수 있다. 이로써 농도 불균일이 눈에 띄지 않는 고품위의 화상을 기록하는 것이 가능해진다.

그런데, 기록 화상을 구성하는 복수의 잉크 도트를 복수 회의 주사로 분할하여 형성하기 위한 도트 기록 데이터의 생성은, 일반적으로는 마스크 패턴(단순히, 「마스크」라고도 함)을 이용한 마스크 처리에 의해 행한다. 마스크 패턴은, 후술하는 도5에 도시된 바와 같이, 기록을 허용하는 화소(이하, 「기록 허용 화소」라고도 함)와 기록을 허용하지 않는 화소(이하, 「비기록 허용 화소」라고도 함)를 배열한 것이다. 기록 허용 화소는 도5에서 검게 나타내는 부분에 상당하고, 비기록 허용 화소는 희게 나타내는 부분에 상당한다. 그리고, 이 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 고안함으로써, 복수 회의 각각의 주사로 기록하는 도트 수를 조정하거나, 상기 농도 불균일을 해소하거나 하는 등 다양한 목적에 따른 형태를 취할 수 있다.

예를 들어, 이하와 같은 두 종류의 마스크 패턴이 화질상의 문제에 유효하다.

전형적인 마스크 패턴으로서, 베이어형의 패턴을 베이스로 한 마스크 패턴이 있다. 그러나, 이러한 패턴은 규칙적이므로, 화상 데이터와 간섭이 일어나기 쉬워, 화질상의 문제가 일어나는 경우가 있다.

그래서, 특허 문헌 2에서는, 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치에 랜덤성을 가지게 해, 이러한 랜덤성을 가진 마스크 패턴(이하, 랜덤 마스크라고도 함)을 이용함으로써 화상 데이터와의 간섭이 일어나기 어렵게 하고 있다. 이로써 상기 문제가 향상된다.

한편, 특허 문헌 1에서는, 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 분산성이 우수한 것으로 하고, 이러한 분산성이 높은 마스크 패턴을 이용하여 양 방향 기록 시의 도트 형성 위치의 어긋남에 의한 화상 품위의 저하를 억제하는 것 이 기재되어 있다. 즉, 상기 문헌에 기재된 마스크에 있어서의 기록 허용 화소의 배치는, 척력 포텐셜의 개념을 이용하여 양호하게 분산시킨 것이다. 바꾸어 말하면, 이 마스크 패턴은, 그것을 이용하여 형성되는 도트끼리가 근접하여 배치되는 것을 가능한 한 피하도록 생성되고, 이로써 기록 허용 화소의 배치를 주파수 성분에서 보았을 때 저주파수 성분이 적은 것이 된다. 그리고, 이 마스크를 사용함으로써, 양 방향 기록에서 도트 형성 위치의 어긋남이 생기고, 그 어긋남에 의해 기록 화상에 마스크 패턴 자체의 모양(텍스처)이 가령 현재화되어도, 그것이 양호하게 분산됨으로써 눈으로 확인하기 어렵게 할 수 있다.

특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2002-144552호

특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 평7-052390호

특허 문헌 3 : 일본 특허 공개 제2002-96455호

그런데, 최근의 잉크젯 기록 시스템에서는 그 고속화, 고밀도화, 또한 잉크의 종류의 다양화에 수반하여, 단위 시간당에 부여되는 잉크량이나 기록 매체의 단위 면적당에 부여되는 잉크의 양이 증대하는 경향이 있다. 이로 인해, 지금까지 이상으로 중요한 과제로서 비딩 문제를 들 수 있다. 비딩은, 기록 매체에서 전혀 흡수할 수 없는 잉크가 매체 상에서 접촉하여 이어져, 그것이 기록 화상에 있어서 불균일 등의 원인이 되는 것이다.

비딩을 저감시키기 위해서는, 짧은 시간 내에 부여되는 잉크를 최대한 다른 위치에 배치하는 것이 중요하다. 이로 인해, 각 색 잉크마다, 최대한 다른 마스크 패턴을 이용하는 것이 유효하다. 이렇게 함으로써, 다른 색의 잉크끼리가 같은 장소에 주입되는 확률을 낮출 수 있다.

그러나, 마스크 패턴을 색마다 다르게 하는 것만으로는 비딩의 저감은 충분하지 않다.

도86의 (a) 내지 (c)는 이 문제를 설명하는 도면이다. 이 도면은, 멀티패스 기록에 있어서의 일정 주사로 시안, 마젠타, 옐로우의 순으로 각각의 잉크가 기록 매체에 주입되어 가는 과정을 나타내고 있다. 도86의 (a)에 도시한 바와 같이, 아직 아무것도 주입되어 있지 않은 기록 매체에 우선 시안 잉크가 토출된다. 이때, 각각의 시안 잉크가 주입되는 위치는 이용하고 있는 마스크의 기록 허용 화소의 배치를 따르는 것은 물론이다. 그리고, 이 잉크가 기록 매체에 완전히 흡수되기 전은, 기록 매체 위에 상기 마스크를 따른 배치로 시안 잉크 방울(10C)이 존재한다. 다음에, 도86의 (b)에 도시한 바와 같이 마젠타 잉크가, 마찬가지로 대응하는 마스크를 따른 위치로 토출되고, 마찬가지로 흡수 전에는 잉크 방울(10M)을 형성한다. 여기에서, 시안 잉크와 마젠타 잉크에 대하여 각각 이용하는 마스크의 기록 허용 화소 배치의 관계에 따라서는, 시안 잉크 방울(10C)과 마젠타 잉크 방울(10M)이 접촉하여 연결된 잉크 방울(10B)(도면 중, × 표시를 한 것)을 형성하는 경우가 있다. 또한, 도86의 (c)에 도시한 바와 같이 옐로우 잉크가, 마찬가지로 대응하는 마스크를 따른 위치로 토출되어 흡수 전에는 잉크 방울(10Y)을 형성한다. 이 경우도, 각각의 잉크에 대하여 이용하는 마스크의 기록 허용 화소 배치의 관계에 의해, 연결한 잉크 방울(10B)(도면 중, × 표시를 한 것)을 형성한다. 또한, 주사가 포개어져, 화소에 대한 잉크 방울의 비율이 높아지면, 동일한 화소에 잉크 방울이 중첩하여 토출되는 경우도 있어, 마찬가지로 연결된 잉크 방울을 형성한다.

이와 같이, 차례로 토출되는 잉크 방울이 인접 내지 근접하는 화소 혹은 동일한 화소에 부여되는 경우에는, 서로가 접촉하여 상호의 표면 장력에 의해 서로 당겨, 2개분 혹은 3개분의(혹은 그 이상의) 잉크 방울이 합체한 큰 방울(10B)(그레인)을 형성한다. 한번 이러한 그레인이 형성되면, 다음에 인접 또는 근접한 위치에 부여된 잉크 방울은 그 그레인에 근접시키기 쉬워진다. 즉, 최초에 발생한 그레인이 핵이 되어 서서히 성장하고, 이윽고 큰 그레인을 생성한다. 그리고, 특히 똑같은 화상 영역에서는, 이러한 그레인이 기록 매체에 정착한 것이 불규칙하게 흩어진 상태로 산재하여, 비딩으로서 확인되게 된다.

또한, 마스크 패턴은, 일반적으로 그 패턴을 2차원 방향으로 반복하여 이용한다. 이로 인해, 상술한 그레인의 분포는, 마스크 패턴의 반복 주기의 모양으로서 사람의 눈에 지각되기 쉬워져 버린다.

이들의 문제는, 특허 문헌 1, 2에 기재된 마스크 패턴에서는 해소할 수 없다. 왜냐하면, 이들 특허 문헌 1, 2에서는 다른 색의 마스크 패턴 간에서 분산을 고려하여 설계를 하고 있지 않기 때문이다.

다른 색 사이에서 이러한 관련성을 갖게 한 마스크 설계를 행하고 있지 않은 특허 문헌 1, 2의 마스크에서는, 다른 색끼리의 마스크를 중첩했을 때의 기록 허용 화소의 배치는 그 분산이 나빠, 분할 기록 도중의 화상(중간 화상)에 있어서의 도트의 인접이나 또한 도트의 중첩을 피할 수 없다.

본 발명은, 상술한 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 분할 기록의 도중에 있어서의 그레인이 원인이 되어 발생하는 비딩에 의한 화질 열화를 경감할 수 있는 데이터 처리 방법, 데이터 처리 장치, 마스크 제조 방법 및 마스크 패턴을 제공하는 데 있다.

또한, 상기 그레인은 잉크끼리의 표면 장력에 의해서만 생기는 것은 아니다. 예를 들어, 잉크와 이것을 응집 혹은 불용화시키는 처리액 등, 서로 반응하는 액체가 동일한 주사로 부여되는 경우, 접촉한 각 액적은, 보다 견고한 화학 반응에 의해 결합되어, 이것이 그레인을 형성하는 경우도 있다. 또한, 동일색의 잉크가 동일한 주사로 부여되는 경우도, 이들 사이에서 그레인이 발생한다. 따라서, 본 발명의 다른 목적은, 이러한 그레인이 원인이 되어 생기는 문제점도 해결하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 결정하는 결정 공정을 갖고, 상기 결정 공정은 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치에 의해 정해지는 저주파수 성분이 상기 복수의 마스크 패턴에서 모두 적어지도록 기록 허용 화소의 배치를 정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 정하는 결정 공정을 갖고, 상기 결정 공정은 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 변화시키는 공정을 포함하고, 상기 변화 공정에서는 상기 기록 허용 화소의 배치에 의존하는 저주파수 성분이 적어지도록 상기 복수의 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 변화시키는 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 정하는 결정 공정을 갖고, 상기 결정 공정은 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 서로 관련지은 소정의 룰을 기초로 하여, 상기 복수의 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 변화시키는 공정을 포함하고, 상기 변화시킨 후의 상기 기록 허용 화소의 배치는, 상기 변화시키기 전의 상기 기록 허용 화소의 배치보다도 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 화상을 구성하는 복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 제1 배치 상태로부터 제2 배치 상태로 변화시킴으로써, 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 배치를 정하는 결정 공정을 갖고, 상기 제2 배치 상태일 때의 상기 복수의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배치 패턴은, 상기 제1 배치 상태일 때의 상기 복수의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배치 패턴에 비해, 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 화상을 구성하는 복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 제1 배치 상태로부터 제2 배치 상태로 변화시킴으로써, 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 배치를 정하는 결정 공정을 갖고, 상기 제2 배치 상태일 때의 상기 복수의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배치 패턴은, 상기 제1 배치 상태일 때의 상기 복수의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배치 패턴에 비해, 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 한다.

또한, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴에 대하여 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴을 정규인 위치에서 논리곱한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 상기 정규의 위치와는 다른 위치에서 논리곱한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스터 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴에 있어서의 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖도록, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴 각각의 기록 허용 화소는 서로 관련지어 배열된 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴은, 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴에 대하여 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴을 정규인 위치에서 논리합한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 상기 정규의 위치와는 다른 위치에서 논리합한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴에 있어서의 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖도록, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴 각각의 기록 허용 화소는 서로 관련지어 배열된 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴은, 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴에 대하여 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적고, 또한 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴에 대하여 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴을 정규인 위치에서 논리곱한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 상기 정규의 위치와는 다른 위치에서 논리곱한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적고, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 정규인 위치에서 논리합한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 상기 정규의 위치와는 다른 위치에서 논리합한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴에 있어서의 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖고, 또한 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴에 있어서의 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖도록, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴 각각의 기록 허용 화소는 서로 관련지어 배열된 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 중, 적어도 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴이 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 적고, 또한 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴이 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 적어지도록, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴 각각의 기록 허용 화소는 서로 관련지어 배열된 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고, 상기 복수 회의 주사 중 소정의 동일한 주사에서 사용되는 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고, 상기 복수 회의 주사 중 소정의 동일한 주사에서 사용되는 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고, 상기 복수 회의 주사 중 소정의 동일한 주사에서 사용되는 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적고, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴을 구성하는 복수의 마스크 패턴 중, 소정의 N(N은 2 이상의 정수)개의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴을 구성하는 복수의 마스크 패턴 중, 소정의 N개(N은 2 이상의 정수)의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또 다른 형태에서는, 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며, 상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고, 상기 복수 종류의 마스크 패턴을 구성하는 복수의 마스크 패턴 중, 소정의 N개(N은 2 이상의 정수)의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적고, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 한다.

또한, 복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 복수의 마스크 패턴에 있어서, 상기 복수의 마스크 패턴은, 그들의 2개 이상을 중첩한 경우에, 상기 기록 허용 화소의 패턴이, 상기 2개 이상의 마스크 패턴에 대하여 중첩 위치를 어긋나게 한 경우의 기록 허용 화소의 패턴보다, 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 분할 기록의 도중에 있어서의 그레인이 원인이 되어 생기는 비딩에 의한 화질 열화를 줄일 수 있다.

도1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 화상 처리 장치로서의 PC의 하드웨어 및 소프트웨어의 구성을 주로 도시하는 블록도이다.

도2는 본 발명의 일 실시 형태의 잉크젯 기록 시스템에 있어서의, 화상 데이터 변환 처리의 흐름을 설명하기 위한 블록도이다.

도3은 본 발명의 실시 형태에 적용 가능한 잉크젯 기록 장치를 도시한 사시도이다.

도4는 2 패스 기록을 설명하기 위해, 기록 헤드, 마스크 패턴 및 기록 매체 를 개략적으로 도시한 도면이다.

도5는 2 패스의 멀티패스 기록을 설명하기 위해, 기록 헤드 및 기록 패턴을 개략적으로 도시한 도면이다.

도6a는 C, M, Y 각각의 2분할 기록에 관한 6개의 플레인의 2치 데이터를 개략적으로 도시한 도면이다.

도6b는 C, M, Y 각각의 2분할 기록에 관한 6개의 플레인의 2치 데이터를 개략적으로 도시한 도면이다.

도7은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 마스크 제법을 설명하는 도면이다.

도8은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 마스크 제법의 순서를 도시하는 흐름도이다.

도9는 본 발명의 실시 형태에 관한 기본 척력 포텐셜 E(r)의 함수를 개략적으로 도시한 도면이다.

도10a는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 척력 포텐셜의 부여와 총 에너지의 감쇠 처리를 개략적으로 설명하는 도면이다.

도10b는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 척력 포텐셜의 부여와 총 에너지의 감쇠 처리를 개략적으로 설명하는 도면이다.

도10c는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 척력 포텐셜의 부여와 총 에너지의 감쇠 처리를 개략적으로 설명하는 도면이다.

도10d는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 척력 포텐셜의 부여와 총 에너지의 감쇠 처리를 개략적으로 설명하는 도면이다.

도11은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 다른 마스크 제법의 순서를 도시하는 흐름도이다.

도12는 마스크 패턴의 논리곱을 설명하는 도면이다.

도13은 마스크 패턴의 논리합을 설명하는 도면이다.

도14는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도15는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도16은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도17은 비교예에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도18은 다른 비교예에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도19는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 2개의 마스크 패턴의 논리합의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도20은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도21은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 3개의 마스크 패턴의 논리합의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도22는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 3개의 마스크 패턴의 논리곱의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도23은 비교예에 관한 2개의 마스크 패턴의 논리합의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도24는 비교예에 관한 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도25는 다른 비교예에 관한 2개의 마스크 패턴의 논리합의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도26은 다른 비교예에 관한 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도27은 마스터 패턴의 「중합」패턴을 설명하는 도면이다.

도28은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 2개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도29는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 3개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도30은 비교예에 관한 2개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도31은 다른 비교예에 관한 2개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도32는 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크와 종래 예에 관한 마스크 각각에 대하여 1개의 마스크의 주파수 특성을 설명하는 도면이다.

도33은 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크와 종래 예에 관한 마스크 각각에 대하여 2개의 마스크의 논리합의 주파수 특성을 설명하는 도면이다.

도34는 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크와 종래 예에 관한 마스크 각각에 대하여 2개의 마스크의 논리곱의 주파수 특성을 설명하는 도면이다.

도35는 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크와 종래 예에 관한 마스크 각각에 대하여 2개의 마스크의 「중합」의 주파수 특성을 설명하는 도면이다.

도36은 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크와 종래 예에 관한 마스크 각각에 대하여 3개의 마스크의 「중합」의 주파수 특성을 설명하는 도면이다.

도37은 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 2개의 마스크 패턴의 논리합의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도38은 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도39는 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 2개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도40은 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 논리합의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도41은 비교예의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 논리합의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도42는 다른 비교예의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 논리합의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도43은 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도44는 비교예의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도45는 다른 비교예의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도46은 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 [중합]의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도47은 비교예의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 [중합]의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도48은 다른 비교예의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 [중합]의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도49는 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 3개의 마스크 패턴의 [중합]의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도50은 본 발명의 제1 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 논리합, 논리곱 및 [중합]의 저주파수 성분의 차이를 도시한 도면이다.

도51은 비교예의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 논리합, 논리곱 및 [중합]의 저주파수 성분의 차이를 도시한 도면이다.

도52는 다른 비교예의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 논리합, 논리곱 및 [중합]의 저주파수 성분의 차이를 도시한 도면이다.

도53은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 마스크 제법을 설명하는 도면이다.

도54는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 마스크 제법을 설명하는 도면이다.

도55는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도56은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도57은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 마스터 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도58은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 3개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도59는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 6개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도60은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 9개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도61은 본 발명의 제2 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 3개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도62는 본 발명의 제2 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 6개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도63은 본 발명의 제2 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 9개의 마스 크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도64는 본 발명의 제2 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 [중합]의 저주파수 성분의 차이를 도시한 도면이다.

도65a는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 마스크를 설명하는 도면이다.

도65b는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 마스크를 설명하는 도면이다.

도66은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 마스크 제법의 순서를 도시하는 흐름도이다.

도67은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 다른 마스크 제법의 순서를 도시하는 흐름도이다.

도68은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도69는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도70은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 마스크 패턴의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도71은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 2개의 마스크 패턴의 논리합의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도72는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 2개의 마스터 패턴의 논리곱의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도73은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 2개의 마스크 패턴의 「중합」의 기 록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도74는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 3개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도75는 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 2개의 마스크 패턴의 논리합의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도76은 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도77은 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 2개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도78은 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크를 어긋나게 했을 때의 3개의 마스크 패턴의 「중합」의 기록 허용 화소의 배치를 도시한 도면이다.

도79는 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 논리합의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도80은 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 논리곱의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도81은 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 2개의 마스크 패턴의 [중합]의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도82는 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각각의 3개의 마스크 패턴의 [중합]의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도83은 본 발명의 제3 실시 형태의 마스크 및 그것을 어긋나게 한 마스크 각 각의 논리합, 논리곱 및 [중합]의 저주파수 성분의 차이를 도시한 도면이다.

도84는 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 2 패스의 멀티패스 기록에 이용하는 마스크를 설명하는 도면이다.

도85는 본 발명의 제5 실시 형태에 관한 2 패스의 멀티패스 기록에 이용하는 마스크를 설명하는 도면이다.

도86은 종래 기술의 문제점을 설명하는 도면이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 상세하게 설명한다.

본 발명의 실시 형태는, 멀티패스 기록의 각 주사에서 이용하는 2치의 도트 기록 데이터를 생성하기 위한 마스크의 제조 또는 그 마스크 패턴에 관한 것이다. 본 발명의 구체적인 몇 가지의 실시 형태를 설명하기 전에, 마스크 패턴을 제조하거나 혹은 마스크 패턴을 이용하여 도트 기록 데이터를 생성하기 위한 구성에 대해 설명한다. 여기에서, 본 명세서에 있어서 「도트 기록 데이터」라 함은 도트의 기록을 도시하는 데이터를 의미한다.

도1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 호스트 기기로서 기능을 하는 퍼스널 컴퓨터(이하, 단순히 PC라고도 함)의 주로 하드웨어 및 소프트웨어의 구성을 도시하는 블록도이다. 이 호스트 기기는, 프린터(104)에서 기록하는 화상 데이터를 생성한다.

도1에 있어서, 호스트 컴퓨터인 PC(100)는, 오퍼레이팅 시스템(OS)(102)에 의해, 어플리케이션 소프트웨어(101), 프린터 드라이버(103), 모니터 드라이 버(105)의 각 소프트웨어를 동작시킨다. 어플리케이션 소프트웨어(101)는, 워드프로세서, 표 계산, 인터넷 브라우저 등에 관한 처리를 행한다. 모니터 드라이버(105)는, 모니터(106)에 표시하는 화상 데이터를 작성하는 등의 처리를 실행한다.

프린터 드라이버(103)는, 어플리케이션 소프트웨어(101)로부터 OS(102)로 발행되는 각종 묘화 명령군(이미지 묘화 명령, 텍스트 묘화 명령 그래픽 묘화 명령 등)을 묘화 처리하고, 최종적으로 프린터(104)에서 이용하는 2치의 화상 데이터를 생성한다. 자세한 것은, 도2에서 후술하는 화상 처리를 실행함으로써, 프린터(104)에서 이용하는 복수의 잉크 색 각각의 2치의 화상 데이터를 생성한다.

호스트 컴퓨터(100)는, 이상의 소프트웨어를 동작시키기 위한 각종 하드웨어로서, CPU(108), 하드 디스크(HD)(107), RAM(109), ROM(110) 등을 구비한다. 즉, CPU(108)는 하드 디스크(107)나 ROM(110)에 격납되어 있는 상기한 소프트웨어 프로그램을 따라서 그 처리를 실행하고, RAM(109)은 그 처리 실행 시에 워크 영역으로서 이용된다.

본 실시 형태의 프린터(104)는, 잉크를 토출하는 기록 헤드를 기록 매체에 대하여 주사하고, 그 사이에 잉크를 토출하여 기록을 행하는 소위 직렬 방식의 프린터이다. 기록 헤드는 C, M, Y, K 각각의 잉크에 대응하여 준비되어, 이들이 캐리지에 장착됨으로써, 기록 용지 등의 기록 매체에 대하여 주사할 수 있다. 각각의 기록 헤드는, 토출구의 배열 밀도가 1200 dpi이며, 각각의 토출구로부터 3.0 피코리터의 잉크 방울을 토출한다. 또한, 각각의 기록 헤드의 토출구의 수는 512개 이다.

프린터(104)는 멀티패스 기록을 실행 가능한 기록 장치이다. 그로 인해, 후술하는 각 실시 형태에서 설명되는 마스크를 소정의 메모리에 격납해 두고, 기록 시에는 주사 및 잉크 색마다 정해진 마스크를 이용하여 2치의 분할 화상 데이터를 생성하는 처리를 행한다.

또한, 마스크 패턴이 소정의 메모리에 미리 격납되어 있지 않고 PC(100)가 마스크 제조를 위한 데이터 처리 장치로서 기능을 할 때는, 후술하는 각 실시 형태에서 각각 설명되는 마스크 제조 처리를 실행한다. 그리고, 제조한 마스크 데이터는, 프린터(104)의 소정의 메모리에 격납된다.

도2는, 도1에 도시한 구성에 있어서 프린터(104)로 기록을 행할 때의 PC(100) 및 프린터(104)에 있어서의 주요한 데이터 처리 과정을 설명하는 블록도이다. 본 실시 형태의 잉크젯 프린터(104)는, 상술한 바와 같이 시안, 마젠타, 옐로우, 블랙의 4색 잉크에 의해 기록을 행하는 것이며, 그로 인해 이들 4색의 잉크를 토출하는 기록 헤드(J0010)를 구비한다.

호스트 PC(100)의 어플리케이션(101)을 거쳐서, 사용자는 프린터(104)에서 기록하는 화상 데이터를 작성할 수 있다. 그리고, 기록을 행할 때는 어플리케이션(101)에서 작성된 화상 데이터가 프린터 드라이버(103)에게 전달된다.

프린터 드라이버(103)는, 그 처리로서, 전단 처리(J0002), 후단 처리(J0003), γ 보정(J0004), 2치화 처리(J0005), 및 인쇄 데이터 작성(J0006)을 각각 실행한다. 전단 처리(J0002)에서는, 어플리케이션에 의한 화면을 표시하는 표 시기가 갖는 색역을 프린터(104)의 색역으로 변환하는 색역 변환을 행한다. 구체적으로는, R, G, B 각각이 8 비트로 표현된 화상 데이터 R, G, B를 3차원 LUT에 의해, 프린터의 색역 내의 8 비트 데이터 R, G, B로 변환한다. 계속해서, 후단 처리(J0003)에서는, 변환된 색역을 재현하는 색을 잉크 색으로 분해한다. 구체적으로는, 전단 처리(J0002)에서 얻어진 8 비트 데이터 R, G, B가 나타내는 색을 재현하기 위한 잉크의 조합에 대응한 8 비트 데이터 C, M, Y, K를 구하는 처리를 행한다. γ 보정(J0004)에서는, 색분해에서 얻어진 CMYK의 데이터 각각에 대하여 γ 보정을 행한다. 구체적으로는, 색분해에서 얻어진 8 비트 데이터 CMYK 각각이 프린터의 계조 특성에 선형적으로 대응시키게 되는 변환을 행한다. 계속해서, 2치화 처리(J0005)에서는, γ 보정이 이루어진 8 비트 데이터 C, M, Y, K 각각을 1 비트 데이터 C, M, Y, K로 변환하는 양자화 처리를 행한다. 마지막으로, 인쇄 데이터 작성 처리(J0006)에서는, 2치화된 1 비트 데이터 C, M, K, Y를 내용으로 하는 2치의 화상 데이터에 인쇄 제어 데이터 등을 부여하여 인쇄 데이터를 작성한다. 여기에서, 2치의 화상 데이터는, 도트의 기록을 나타내는 도트 기록 데이터와, 도트의 비기록을 나타내는 도트 비기록 데이터를 포함한다. 또한, 인쇄 제어 데이터는 「기록 매체 정보」, 「기록 품위 정보」, 및 급지 방법 등과 같은 「기타 제어 정보」로 구성되어 있다. 이상과 같이 하여 생성된 인쇄 데이터는, 프린터(4)에 공급된다.

한편, 프린터(104)는 입력되어 온 인쇄 데이터에 포함되는 2치의 화상 데이터에 대하여 마스크 데이터 변환 처리(J0008)를 행한다. 마스크 데이터 변환 처 리(J0008)에서는, 미리 프린터의 소정의 메모리에 격납되어 있는, 후술하는 각 실시 형태에서 설명되는 마스크 패턴을 이용하고, 입력되어 온 2치의 화상 데이터에 대하여 AND 처리를 한다. 이로써 멀티패스 기록에 있어서의 각각의 주사에서 이용되는 2치의 분할 화상 데이터가 생성되는 동시에, 실제로 잉크가 토출되는 타이밍이 결정된다. 또한, 2치의 분할 화상 데이터에는, 도트 기록 데이터와 도트 비기록 데이터가 포함된다.

도3은 잉크젯 프린터(104)를 도시하는 사시도이다. 캐리지(M4000)는, 기록 헤드 및 이것에 시안(C), 마젠타(M), 옐로우(Y), 블랙(K) 각각의 잉크를 공급하는 잉크 탱크(H1900)를 탑재한 상태에서 도면의 X 방향(주 주사 방향)으로 이동하고, 기록 헤드의 각 노즐은, 2치의 분할 화상 데이터를 기초로 하여 소정의 타이밍에서 잉크를 토출한다. 기록 헤드의 1회의 주 주사가 종료되면, 기록 매체는 도면의 Y 방향(부 주사 방향)으로 소정량만큼 반송된다. 이상의 기록 주 주사와 부 주사를 교대로 반복함으로써, 멀티패스 기록에 의한 화상이 차례로 형성되어 간다.

이하에서는, 전술한 기록 시스템에 있어서 이용되거나 혹은 제조되는, 멀티패스 기록의 화상을 완성하는 주사(이하, 패스라고도 함) 횟수와 기록 허용 화소의 비율에 의해 구별되는 마스크 패턴의 제조 방법 및 그것에 의한 마스크 패턴의 몇 가지의 실시 형태를 설명한다.

[제1 실시 형태 : 2 패스 기록용 100 % 균등 마스크]

(1) 본 실시 형태의 개요

본 실시 형태는, 시안(C), 마젠타(M), 옐로우(Y), 블랙(K)의 각 잉크에 대하 여 2회의 주사로 화상을 완성하는 2 패스의 멀티패스 기록에 관한 것이다. 그리고, 이 2 패스 기록에 이용하는 잉크 색의 각각에 대하여 복수(본 실시 형태에서는 2)회의 주사 각각에 이용하는 마스크(이하에서는, 「1 플레인」의 마스크라 함)가 양호하게 분산되어 있을 뿐만 아니라, 이들 마스크의 임의의 복수의 플레인을 맞춘 것도 양호하게 분산된 것이다.

도4는 2 패스 기록을 설명하기 위해, 기록 헤드, 마스크 패턴 및 기록 매체를 개략적으로 도시한 도면이다. 또한, 이 도면에서는, 도시 및 설명의 간략화를 위해, 시안, 마젠타, 옐로우의 3색으로 2 패스 기록을 행하는 경우에 대해 설명한다. 이하에서 설명하는 마스크에 대해서도 마찬가지이다.

시안, 마젠타, 옐로우의 각 색 노즐군은 제1 그룹 및 제2 그룹의 2개의 그룹으로 분할되어, 각 그룹에는 256개씩의 노즐이 포함되어 있다. 각 그룹에는 본 실시 형태의 마스크 패턴(C1, C2, M1, M2, Y1, Y2)이 대응지어져 있으며, 각 마스크 패턴의 부 주사 방향(반송 방향)의 크기는 각 그룹의 노즐 개수와 같은 256 화소분으로 되어 있다. 또한, 주사 방향의 크기도 256 화소분으로 되어 있다. 또한, 동일색 잉크의 노즐군에 대응하는 2개의 마스크 패턴(C1과 C2, 혹은 M1과 M2, 혹은 Y1과 Y2)은 서로 보완 관계에 있으며, 이들을 중합하면 256 × 256 화소에 대응한 영역의 기록이 완성되는 구성으로 되어 있다.

각 색 노즐군은 노즐 배열 방향과 대략 직교하는 방향(도면의 화살표로 나타낸 「헤드 주사 방향」)으로 주사하면서 기록 매체에 잉크를 토출한다. 본 예에서는, 각 영역에 대하여 C, M, Y의 잉크 토출이 행해진다. 또한, 주사가 종료될 때 마다, 기록 매체는 주사 방향과 직교하는 방향(도면의 화살표로 나타낸 「기록 매체 반송 방향」)으로 1개 그룹의 폭만큼(여기서는, 256 화소분)씩 반송된다. 이에 의해, 기록 매체의 각 그룹의 폭에 대응하는 크기의 영역은 2회의 주사에 의해 화상이 완성된다.

더욱 구체적으로 설명하면, 제1 주사에서는 기록 매체 상의 영역 A에 대하여, C 노즐군의 제1 그룹, M 노즐군의 제1 그룹, Y 노즐군의 제1 그룹을 이용하여 CMY의 순서로 기록이 행해진다. 그리고, 이 제1 주사에서는 영역 A에 대해서는 마스크 패턴 C1, 마스크 패턴 M1, 마스크 패턴 Y1이 이용된다.

다음에, 제2 주사에서는, 제1 주사에서의 기록이 종료된 영역 A에 대하여, C 노즐군의 제2 그룹, M 노즐군의 제2 그룹, Y 노즐군의 제2 그룹을 YMC의 순서로 이용하여 나머지의 기록이 행해지는 동시에, 미 기록 상태의 영역 B에 대하여, C 노즐군의 제1 그룹, M 노즐군의 제1 그룹, Y 노즐군의 제1 그룹을 이용하여 YMC의 순서로 기록이 행해진다. 따라서, 제2 주사에서는 영역 A에 대하여 마스크 패턴 C2, 마스크 패턴 M2, 마스크 패턴 Y2가 이용되는 동시에, 영역 B에 대하여 마스크 패턴 C1, 마스크 패턴 M1, 마스크 패턴 Y1이 이용된다. 또한, 이러한 동작을 계속함으로써, C1M1Y1Y2M2C2의 순서, 혹은 Y1M1C1C2M2Y2의 순서로 각 영역에 대해 기록이 행해져 간다.

도5는, 도4에서 설명한 2 패스 기록에 이용하는 마스크와 그 보완 관계를 개념적으로 설명하는 개략도이다. 도5에 있어서, 부호 P0001은 도4에 도시한 C, M, Y 중, 1개의 색의 기록 헤드를 나타내고, 여기에서는 도시의 간략화를 위해 8개의 노즐을 갖는 것으로 나타내고 있다. 노즐은, 상술한 바와 같이 제1 및 제2의 2개의 그룹으로 분할되어, 각 노즐 그룹에는 각각 4개의 노즐이 포함된다. 부호 P0002A 및 P0002B는, 이 제1 및 제2 그룹의 노즐 열에 각각 대응한 마스크 패턴을 나타낸다. 즉, 제1 주사에서 이용하는 마스크 패턴(P0002A)(이 도면 중, 하측 패턴)과 제2 주사에서 이용하는 마스크 패턴(P0002B)(이 도면 중, 상측 패턴)이다. 이들이 각각 1 플레인의 마스크가 된다. 각각의 마스크 패턴은, 기록 허용 화소가 검게 표시되어 있고, 비기록 허용 화소가 희게 표시되어 있다. 제1 주사용의 마스크 패턴(P0002A)과 제2 주사용의 마스크 패턴(P0002B)은 서로 보완 관계에 있으며, 따라서 이들을 중합하면 기록 허용 화소가 4 × 4의 영역을 전부 매립하는 패턴이 된다. 또한, 도면에 도시하는 패턴은 설명을 쉽게 하기 위해, 이하에서 나타내는 본 실시 형태의 마스크 패턴과는 다른 패턴으로 나타내고 있다. 이 도면에서는, 기록 허용 화소의 배치가 지그재그, 역 지그재그로 되어 있지만, 이러한 배치의 마스크 패턴은 본 발명의 범위에 포함되지 않는다.

여기에서, 「기록 허용 화소」와 「비기록 허용 화소」에 대해 정의한다. 「기록 허용 화소」라 함은, 상술한 바와 같이 도트의 기록(잉크의 토출)을 허용하는 화소인 것이다. 이 기록 화소에 대응하는 2치의 화상 데이터가 토출을 나타내는 데이터이면 도트 기록이 행해지고, 비 토출을 나타내는 데이터이면 도트 기록은 행해지지 않는다. 한편, 「비기록 허용 화소」라 함은, 2치의 화상 데이터에 상관없이 기록을 허용하지 않는 화소인 것이다. 따라서, 가령 이 비기록 허용 화소에 대응하는 2치의 화상 데이터가 잉크 토출을 나타내는 데이터라도 기록은 행해지지 않는다.

부호 P0003 및 P0004는 2 패스 기록에 의해 완성되는 화상을, 그것을 구성하는 도트 배치로 나타내고 있다. 또한, 이 화상은, 설명을 쉽게 하기 위해, 모든 화소에 도트를 형성하는 소위 베타 화상이며, 따라서, 그 도트 기록 데이터의 생성에 이용하는 마스크(P0002)의 기록 허용 화소의 배치가 그대로 반영된 도트 배치를 나타내고 있다. 제1 주사에서는, 제1 그룹의 도트 기록 데이터는, 마스크 패턴(P0002A)을 이용하여 생성된다. 그리고, 기록 매체는 도면의 화살표 방향으로 노즐 그룹의 폭만큼씩 반송된다. 다음의 제2 주사에서는, 상기 반송량만큼 어긋난 영역에 대한 제1 그룹의 도트 기록 데이터는, 동일하게 마스크 패턴(P0002A)을 이용하여 생성되고, 상기 제1 그룹에서 기록된 영역에 대한 제2 그룹의 도트 기록 데이터는, 마스크 패턴(P0002A)을 이용하여 생성된다. 이 2회의 기록 주사에 의해 화상이 완성된다.

도6a 내지 도6b는, C, M, Y의 잉크를 이용하여[상술한 바와 같이 블랙(K)은 설명의 간략화를 위해 생략되어 있음], 도4 및 도5에서 설명한 2 패스 기록을 행하는 경우를 설명하는 도면이다. 도6에 도시한 바와 같이, 마스크 C1, M1, Y1, C2, M2, Y2를 이용하여, 2회의 주사(도6a 내지 도6b에 도시하는 예에서는, 왕로 주사와 복로 주사)에서 C, M, Y 각각의 잉크를 토출하여, 칼라 화상을 기록한다.

도6a는, 왕로 주사(도4의 우측 방향으로의 주사), 복로 주사(도4의 좌측 방향으로의 주사)의 순으로 기록되는 영역의 화상이 완성되어 가는 모습을 도시한 것이다. 1회째의 주사인 왕로 주사에서는, 처음에 1 패스째인 시안용 마스크(마스크 C1)를 이용하여 생성한 시안의 분할 화상 데이터의 도트 기록 데이터를 기초로 하여 시안 화상을 기록한다. 동일한 주사로, 마젠타 및 옐로우 각각의 마스크(마스크 M1, Y1)를 이용하여 생성한 분할 화상 데이터의 도트 기록 데이터를 기초로 하여, 마젠타 화상을 그것보다 전에 기록한 시안 화상에 중첩하고, 또한 옐로우 화상을 그것보다 전에 기록한 시안, 마젠타 화상에 중첩하여 차례로 기록한다. 기록 매체를 소정량 반송한 후의, 2회째의 주사인 복로 주사에서는, 마찬가지로, 차례로 마스크 Y2, M2, C2를 이용하여 생성한 각각 옐로우, 마젠타 및 시안의 도트 기록 데이터를 기초로 하여, 그것보다 전에 기록한 화상에 중첩하여 기록한다.

한편, 도6b는 복로 주사(도4의 좌측 방향에의 주사), 왕로 주사(도4의 우측 방향에의 주사)의 순으로 기록되는 영역의 화상이 완성되어 가는 모습을 도시한 것이다. 1회째의 주사인 복로 주사에서는, 처음에 1 패스째의 옐로용 마스크(마스크 Y1)를 이용하여 생성한 옐로우의 분할 화상 데이터의 도트 기록 데이터를 기초로 하여 옐로우 화상을 기록한다. 동일한 주사에서, 마젠타 및 시안 각각의 마스크(마스크 M1, C1)를 이용하여 생성한 분할 화상 데이터의 도트 기록 데이터를 기초로 하여, 마젠타 화상을 그것보다 전에 기록한 옐로우 화상에 중첩하고, 또한 시안 화상을 그것보다 전에 기록한 옐로우, 마젠타 화상에 중첩하여 차례로 기록한다. 기록 매체를 소정량 반송한 후의, 2회째의 주사인 왕로 주사에서는, 마찬가지로, 차례로 마스크 C2, M2, Y2를 이용하여 생성한 각각 시안, 마젠타 및 옐로우의 도트 기록 데이터를 기초로 하여, 그것보다 전에 기록한 화상에 중첩하여 기록한다.

이와 같이, C, M, Y의 3색을 이용하여, 2회의 주사로 화상을 완성하는 2 패 스 기록을 행할 때는, 1 패스째의 시안 화상과 1 패스째의 마젠타 화상을 맞춘 화상, 이 화상에 다시 1 패스째의 옐로우 화상을 중첩한 화상, 또한 이들 1 패스째의 화상에 2 패스째의 옐로우 화상을 중첩한 화상, 등의 마스크의 플레인마다의 화상을 중첩한 중간 화상이 존재한다. 이러한 중간 화상에서는, 도86의 (a) 내지 (c)에서 설명한 그레인이 생기는 경우가 있다. 특히, 기록의 고속화, 고밀도화, 또한 이용하는 잉크 종류의 다양화에 수반하여, 단위 시간당에 부여되는 잉크량이나 기록 매체의 단위 면적당에 부여되는 잉크의 양이 증대하는 경우에는, 중간 화상에 있어서의 이 그레인의 발생은 현저해진다. 그리고, 중간 화상에서 발생한 그레인은, 그대로 정착하여 완성된 화상에 있어서 불규칙한 얼룩 모양 등의 비딩으로서 확인된다.

본 실시 형태에서는, 이러한 중간 화상에 있어서의 그레인의 발생을 피하기 위해, 각각의 플레인의 마스크를 중첩했을 때의 기록 허용 화소의 배치가 저주파수 성분이 적은 특성을 갖도록 하고 있다. 저주파수 성분이 적기 때문에, 각 단계에 있어서의 중간 화상에 있어서의 잉크 도트의 치우침을 적은 상태로 유지할 수 있다. 또한, 중요한 특성으로서, 화상 데이터나 기타 노이즈 등과의 간섭을 방지하기 위해, 비 주기인 패턴 특성을 가지게 한다. 즉, 플레인의 마스크를 중첩했을 때의 기록 허용 화소의 배치가 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 적은 특성을 갖도록 하고, 분산성이 우수한 것으로 하고 있다. 이로써 화상의 완성에 이르는 각 단계의 중간 화상에 있어서의 도트의 근접 또는 인접, 또한 도트의 중첩을 최대한 배제하도록 한다. 또한, 가령 도트의 중첩이나 인접을 완전히 배제할 수 없는 경 우에도, 그러한 중첩 부위 등에 대해서도 분산성이 높은 것으로 한다.

또한, 「저주파수 성분」이라 함은 주파수 성분(파워 스펙트럼)이 존재하는 공간 주파수 영역 중, 절반보다 저주파 측에 있는 성분을 가리킨다.

(2) 마스크의 제법

본 발명의 실시 형태에 관한 마스크의 제조 방법은, 크게 나누어 복수 패스 분의 마스크를 동시에 생성하는 방법(동시 생성)과, 패스마다 차례로 마스크를 생성하는 방법(패스마다의 생성)의 2개의 방법 중 어느 하나로 실시할 수 있다. 전자의 동시 생성 방법은, [화상을 완성하는 패스 수(주사 횟수)-1] 패스분의 마스크를 동시에 생성하고, 나머지 1 패스분의 마스크는, 그 기록 허용 화소가 동시 생성된 마스크의 기록 허용 화소의 배치에 대하여 배타적이 되도록 생성하는 것이다. 후자의 패스마다의 생성 방법은, 화상을 완성하는 복수의 패스(주사)마다 차례로 마스크를 생성하는 방법이며, 최후의 패스분의 마스크는, 전자의 방법과 같이 기록 허용 화소가 지금까지 생성된 마스크의 기록 허용 화소의 배치에 대하여 배타적이 되도록 생성한다. 또한, 본 실시 형태의 경우에는 2 패스 기록에 이용하는 마스크이므로, 동시 생성과 패스마다의 생성은 동일한 것이 된다.

또한, 상기 2개의 생성 방법 각각에 대하여, 구체적으로 기록 허용 화소의 배치를 정하는 방법으로서, 마스크의 모든 기록 허용 화소를 미리 소정의 배치로 하고 이들을 이동시키면서, 생성되는 마스크 전체에서 분산성을 올려 가는 방법(이하, 「배치 이동법」)과, 생성되는 마스크 전체에서 분산성을 올리면서 기록 허용 화소를 1개씩 배치해 가는 방법(이하, 「순차 배치법」)을 실행할 수 있다.

도7은 본 실시 형태의 2 패스 기록에 이용하는 마스크의 제법을 개념적으로 도시한 도면이다.

마스크 생성의 스텝 1로서, 1 패스째에 이용하는 각각의 플레인의 마스크 C1, M1, Y1을 생성한다. 그리고, 스텝 2로서, 2 패스째에 이용하는 각각의 플레인의 마스크 C2, M2, Y2를, 상기 1 패스째의 마스크 C1, M1, Y1과 각각 보완의 관계를 갖도록 생성한다. 즉, 색마다 2 패스째의 마스크는, 그 기록 허용 화소의 배치는 1 패스째의 마스크의 기록 허용 화소의 배치와 배타적인 관계가 되도록 생성된다.

이상의 마스크의 제법에 있어서, 1 패스째의 마스크 C1, M1, Y1 각각의 기록 허용 화소의 배치는, 다음과 같이 행해진다. 최초에 배치 이동법에 대해 설명하고, 다음에 순차 배치법에 대해 설명한다. 또한, 이들의 배치 방법 중 어느 하나를 이용해도 되는 것은 물론이다.

배치 이동법

도8은 본 실시 형태의 2 패스 기록에 이용하는 마스크의 기록 허용 화소의 배치 이동법에 의한 배치 결정 처리를 도시하는 흐름도이다.

우선, 스텝 S801에서, 1 패스째의 마스크 C1, M1, Y1 각각의 플레인의 사이즈에 대응한 C, M, Y 각각의 50 % 농도의 화상을 취득한다. 그리고, 스텝 S802에서, 각각의 화상에 대해 오차 확산법 등의 2치화 수법을 이용하여 2치화를 행한다. 이로써 마스크 C1, M1, Y1 각각의 플레인에 대하여, 1 비트의 데이터가 "1"인 기록 허용 화소가 마스크 화소 전체의 50 %로 배치된 초기 배치를 얻을 수 있다. 또한, 이 2치화의 수법을 이용하여 기록 허용 화소의 초기 배치를 얻는 것은, 그 이용하는 2치화의 수법에 따라 어느 정도, 초기 상태에서 분산성이 좋은 배치를 얻을 수 있기 때문이며, 이로써 그 후의 최종적인 배치 결정까지의 연산 시간 또는 수렴 시간을 짧게 할 수 있기 때문이다. 바꾸어 말하면, 본 발명을 적용한 다음 초기 배치를 얻는 방법은 본질은 아니며, 예를 들어 마스크의 플레인에 있어서, 1 비트의 데이터가 "1"인 기록 허용 화소를 랜덤하게 배치한 초기 배치라도 좋다.

다음에, 스텝 S803에서, 상기한 바와 같이 하여 얻은 마스크 C1, M1, Y1 각각의 플레인의 모든 기록 허용 화소에 대하여 척력 포텐셜을 계산한다. 구체적으로는,

(i) 동일 플레인 내의 기록 허용 화소 사이에 거리에 따른 척력을 부여한다.

(ii) 또한, 다른 플레인 간의 기록 허용 화소에도 척력을 부여한다.

(iii) 동일 플레인과 다른 플레인 간에 다른 척력을 부여한다.

(iv) 다른 플레인의 기록 허용 화소의 중첩을 인정하고, 기록 허용 화소의 중첩(2개의 기록 허용 화소 중첩, 3개의 기록 허용 화소 중첩, …)끼리도 조합에 따른 척력을 부여한다.

도9는 본 실시 형태에 관한 기본 척력 포텐셜 E(r)의 함수를 개략적으로 도시한 도면이다.

이 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에서 규정하는 척력 함수는, 그 척력이 미치는 범위를 r = 16(화소 ; 기록 허용 화소가 배치되는 마스크의 화소)까지로 한다. 이러한 거리와 함께 감쇠되는 포텐셜을 이용함으로써, 기본적으로 기 록 허용 화소가 접근하여 배치되면 에너지가 높은 상태, 즉 불안정한 상태가 되어, 수렴 계산의 결과, 접근한 배치는 가능한 한 선택되지 않도록 할 수 있다.

또한, 이 척력의 형상은, 마스크 화소 전체에 대한 기록 허용 화소의 비율에 의해 결정하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 복수 색 잉크를 이용하여 기록을 행하는 경우, 잉크 도트를 배치할 수 있는 위치(해상도 1200 경우의 경우에는, 1인치 사방에 1200 × 1200개의 가능 위치가 있음) 이상에 중첩하여 잉크 도트를 배치하므로, 각 기록 허용 화소에 대하여 척력 포텐셜을 계산할 때는, 기록 허용 화소 위에 기록 허용 화소가 겹치는 것을 고려한다. 이로 인해, r = 0에 있어서 유한한 척력 포텐셜을 갖도록 함수를 정의한다. 이로써, 기록 허용 화소의 중첩도 고려한 분산이 가능해진다.

본 실시 형태에서는 동일 플레인의 기록 허용 화소끼리에 관하여 αE(r), 다른 플레인 간의 기록 허용 화소끼리에 관하여 βE(r), 겹치는 기록 허용 화소끼리에 관하여 γs(n)E(r)의 척력 포텐셜을 부여하여 계산을 행한다. 즉, 어떤 기록 허용 화소가 존재함에 따른 포텐셜은, 거리 r 이내의 범위에 있는, 동일 플레인의 기록 허용 화소, 다른 플레인의 기록 허용 화소, 또한 다른 플레인의 겹치는 기록 허용 화소에 대한 척력 포텐셜이 가산된다.

또한, 마스크 패턴 사이즈는 유한하지만(본 실시 형태의 경우, 256 × 256 화소가 됨), 포텐셜 계산에 있어서는, 256 × 256 화소의 동일한 패턴이 마치 반복하고 있는 것 같은 주기 경계 조건을 이용한다. 따라서, 마스크 패턴의 좌단부는 우단부와 인접하고 있어, 아래는 위와 인접하고 있게 된다.

상기한 척력 포텐셜에 있어서, 계수 α, β, γ은 가중 계수이며, 본 실시 형태에서는 α = 3, β = 1, γ = 3의 값을 이용한다. 이 α, β, γ의 값에 의해 기록 허용 화소의 분산성이 영향을 받는다. 이 α, β, γ의 값은, 예를 들어 실제로는 실험을 행하고, 마스크를 이용하여 기록되는 기록 화상을 참조한 최적화에 의해 구할 수 있다.

또한, 계수 s(n)는 겹치는 기록 허용 화소를 분산되게 하기 위해 γ에다가 다시 적산하는 계수다. 이 계수 s(n)는, 중첩이 많을수록 그들의 기록 허용 화소를 보다 분산되게 하기 위해 중첩의 수에 따른 값으로 하는 것이다. 본원 발명자의 실험에 따르면, 다음 2개의 식 중 어느 하나에 의해 구해지는 s(n)를 이용함으로써, 분산에 관하여 좋은 결과를 얻을 수 있다.

즉, n을 중첩의 수라 할 때, 조합의 수의 합을 s(n)으로 하는 것이다. 상세하게는, 척력을 계산하는 주목 기록 허용 화소에 대하여 겹치는(동일 플레인 또는 다른 플레인에 있어서의 동일한 위치의) 기록 허용 화소를 조사하는 동시에, 주목 기록 허용 화소로부터 거리 r에 위치하는 기록 허용 화소를 조사한다. 이 경우에, 주목 기록 허용 화소 및 그 화소와 같은 위치에서 겹치는 다른 플레인의 기록 허용 화소와, 거리 r에 있는 각 플레인의 그 화소에서 동일하게 겹치는 기록 허용 화소의 공통되는 중첩의 수를 n이라 한다. 그리고, 이들 2개의 화소 간의 중첩된 기록 허용 화소끼리에 의한 척력을 고려한다.

이 경우, 예를 들어 어떤 2 화소 사이에서 제1 플레인, 제2 플레인 및 제3 플레인에 각각 공통적으로 기록 허용 화소가 존재하는 예를 생각하면, n = 3이 된다. 그리고, 그들의 화소 사이에는 3개의 기록 허용 화소의 중첩에 기인하는 척력을 작용시킨다. 여기에서, 3개의 기록 허용 화소의 중첩에 의한 척력을 고려할 때, 3개의 기록 허용 화소의 중첩과 함께, 2개의 기록 허용 화소의 중첩끼리나 1개의 기록 허용 화소끼리의 척력이 다중적으로 작용된다고 생각된다. 바꾸어 말하면, 제3 플레인을 고려하지 않으면, 제1 플레인과 제2 플레인의 2개의 기록 허용 화소의 중첩이라 생각할 수 있고, 또한 제2 플레인을 고려하지 않으면 제1 플레인과 제3 플레인의 2개의 기록 허용 화소의 중첩이라고도 생각된다. 제1 플레인을 고려하지 않으면 제2 플레인과 제3 플레인의 중첩도 고려된다. 이러한 기록 허용 화소가 겹치는 것의 다중적인 효과를 계산하기 위해, 중첩의 조합에 의한 척력을 정의하여 상기와 같은 s(n)를 이용한다. 이에 따르면, 분산성이 좋은 기록 허용 화소 배치를 얻을 수 있는 것이 실험상 확인되어 있다.

다시, 도8을 참조하면, 스텝 S803에서, 모든 기록 허용 화소의 척력 포텐셜을 합계한 총 에너지가 구해져 있다. 그리고, 이 총 에너지를 감쇠시키는 처리를 행한다.

이 처리에서는, 모든 기록 허용 화소에 대하여 차례로, 거리 r이 4 이내의 화소 중에서 척력 포텐셜이 가장 낮아지는 화소로 기록 허용 화소를 옮긴다. 이러한 처리를 반복해 감으로써(스텝 S804), 모든 기록 허용 화소의 척력 포텐셜의 합 계 값인 총 에너지를 저하시켜 간다. 즉, 이 총 에너지가 서서히 차례로 감소해 가는 과정은, 기록 허용 화소의 배치가 차례로 분산성을 높이는 과정, 즉 기록 허용 화소 배치의 저주파수 성분이 차례로 적어져 가는 과정이다.

스텝 S805에서는, 스텝 S804에 있어서의 총 에너지의 저하율을 계산하고, 그것이 소정치 이하라고 판단하면, 에너지 감쇠 처리를 종료한다. 또한, 이 소정치는 가령 실제로 인쇄를 행한 결과를 바탕으로, 저주파수 성분이 적절하게 억제된 화상을 기록할 수 있는 저하율로서 구할 수 있다.

마지막으로 스텝 S806에서, 상기한 바와 같이 총 에너지의 저하율이 소정치 이하가 된 상태의 각 플레인을 1 패스째의 마스크 C1, M1, Y1로서 설정한다. 또한, 이들 마스크의 기록 허용 화소의 배치에 대한 각각 배타적 위치를 기록 허용 화소의 배치로 한 2 패스째의 마스크 C2, M2, Y2를 설정한다.

또한, 본 실시 형태에서는 스텝 S805에 있어서 총 에너지의 저하율이 소정치 이하가 되었는지 여부를 판정하고, 저하율이 소정치 이하가 되면 스텝 S806으로 이행하도록 하고 있다. 그러나, 본 실시 형태는 이 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 스텝 S805에 있어서 총 에너지가 소정치 이하가 되었는지 여부를 판정하고, 총 에너지가 소정치 이하가 되면 스텝 S806으로 이행하도록 해도 좋다.

도10a 내지 도10d는, 상술한 척력 포텐셜의 계산과 총 에너지의 감쇠 처리를 개략적으로 설명하는 도면이다. 자세한 것은, 본 실시 형태에 관한 C1, M1, Y1의 3 플레인을 사시도로 도시하고, 또한 특히 기록 허용 화소의 이동을 평면도로 도시한 도면이다. 여기에서, 최소의 정사각형은 마스크의 화소를 나타내고, 3 플레인 의 중첩에 있어서 겹치는 화소가 플레인 간에서 동일한 화소 위치에 대응한다.

도10a는 동일 플레인에 기록 허용 화소가 존재하는 경우에 그들 기록 허용 화소 간의 척력에 의해 포텐셜이 가해지는(느는) 것을 설명하는 도면이다. 도면에 도시한 예에서는, 플레인 C1의 주목 화소의 기록 허용 화소(Do)와 동일 플레인으로 거리 r 이격된 화소에 기록 허용 화소가 1개 존재하는 예이며, 이 경우, α = 3이 적용되어, 기록 허용 화소(Do)의 포텐셜로서 1 × αE(r)의 포텐셜이 가해진다.

도10b는 주목 기록 허용 화소(Do)와는 다른 플레인(플레인 M1, Y1)에 기록 허용 화소가 존재하는 경우에, 그들 2개의 기록 허용 화소와의 관계에서 가해지는 척력 포텐셜을 설명하는 도면이다. 다른 플레인 간의 기록 허용 화소와의 관계이므로, β = 1이 적용되어 기록 허용 화소(Do)의 포텐셜로서 기록 허용 화소 2개분의 2 × βE(r)의 포텐셜이 가해진다.

도10c는, 상기한 2개의 경우인, 동일 플레인에 기록 허용 화소가 존재하는 경우와 다른 플레인에 기록 허용 화소가 존재하는 경우에다가, 다른 플레인의 동일 화소에 기록 허용 화소가 존재하여 기록 허용 화소의 중첩이 존재하는 경우에, 그들의 기록 허용 화소와의 관계에서 가해지는 척력 포텐셜을 설명하는 도면이다. 도10a 및 도10b의 경우에다가, 주목 기록 허용 화소(Do)의 플레인 C1과 다른 플레인 Y1의 동일한 화소에 기록 허용 화소가 존재함으로써, 동일 플레인의 척력 포텐셜 1 × αE(r)와, 동일한 화소의 다른 플레인의 1개의 기록 허용 화소에 의한 척력 포텐셜 1 × βE(0)과, 다른 플레인의 2개의 기록 허용 화소에 의한 척력 포텐셜 2 × βE(r)와, 겹치는 수 n = 2에서 γ = 3이 적용되는, 중첩에 의한 척력 포 텐셜 γs(2) × E(r)의 포텐셜이 더해진다. 이 결과, 도10c에 도시하는 기록 허용 화소 배치에 있어서 주목 기록 허용 화소(Do)가 존재함에 따른 척력 포텐셜의 합계는, 1 × βE(0) + 1 × αE(r) + 2 × βE(r) + γs(2) × E(r)이 된다.

도10d는, 도10c에 도시하는 기록 허용 화소 배치에 있어서, 기록 허용 화소(Do)를 이동시킴으로써, 그 기록 허용 화소의 척력 포텐셜의 합계가 변화되는 것을 설명하는 도면이다. 도10d에 도시한 바와 같이, 기록 허용 화소(Do)[플레인 C1의 기록 허용 화소]가 동일한 플레인의 인접한 화소로 옮겨지면, 그 기록 허용 화소(Do)가 존재함에 따른 척력 포텐셜의 합계는, 거리가 r2, 중첩끼리의 수 n이 0이 되는 것 등에 의해, βE(1) + 1 × αE(r2) + 2 × βE(r2)로 변화된다. 그리고, 도10c에 도시하는 기록 허용 화소 배치의 경우의 척력 포텐셜의 합계 1 × βE(0) + 2 × αE(r) + 1 × βE(r) + γs(2) × E(r)와, 도10d의 기록 허용 화소(Do)가 이동한 것에 의한 척력의 합계를 비교하여, 이 이동 전후의 척력 포텐셜의 합계의 변화를 알 수 있다.

또한, 이 척력 포텐셜의 합계는, 상기한 설명에서는, 2개의 화소 또는 기록 허용 화소 이동시켰을 때는 3개의 화소의 기록 허용 화소에 의한 에너지의 합계를 구하는 것으로 하고 있지만, 이것은 설명을 간단하고 쉽게 하기 위해서이며, 실제는 이들 기록 허용 화소 이외에 존재할 수 있는 다른 화소의 기록 허용 화소를 포함한 기록 허용 화소와의 관계를 기초로 하는 척력 포텐셜의 적분으로서 구해지는 것은 물론이다.

도10a 내지 도10c에 도시한 바와 같이 척력 포텐셜의 합계가 계산되는 각 기 록 허용 화소 중에서, 예를 들어 기록 허용 화소(Do)가 척력 포텐셜의 합계가 가장 클 경우, 도10d에서 설명한 바와 같이 그 이동 전후의 척력 포텐셜의 변화를 구하고, 이동 전후에서 가장 척력 포텐셜의 합계가 낮아지는 화소로 기록 허용 화소(Do)를 이동시킨다. 이러한 처리를 반복함으로써 3 플레인 전체의 총 에너지를 낮출 수 있다. 즉, 3 플레인의 마스크의 중첩에 있어서 기록 허용 화소 분포가, 저주파수 성분이 적게 양호하게 분산된 배치가 된다.

그리고, 이와 같이 3 플레인의 마스크 C1, M1, Y1의 중첩에 있어서 기록 허용 화소가 양호하게 분산됨으로써, 이들과 각각 보완 관계에 있는 마스크 C2, M2, Y2도 각각 기록 허용 화소가 양호하게 분산된 것이 된다. 또한, 이들 6 플레인 중 임의의 수(2, 3, 4 또는 5)의 플레인의 중첩에 있어서의 기록 허용 화소의 분포도, 저주파수 성분이 적은 양호하게 분산된 것이 된다. 본 실시 형태의 경우의 왕복 순서로 화상이 기록되는 영역에 대해서는, 1 패스째의 마스크 C1, 1 패스째의 마스크 M1, 1 패스째의 마스크 Y1, 2 패스째의 마스크 Y2, 2 패스째의 마스크 M2, 2 패스째의 마스크 C2의 순으로, 각각의 마스크 패턴이 겹치도록 이용되어 기록이 행해진다. 따라서, 중간 화상인 「1 패스째의 C + 1 패스째의 M」, 「1 패스째의 C + 1 패스째의 M + 1 패스째의 Y」, 「1 패스째의 C + 1 패스째의 M + 1 패스째의 Y + 2 패스째의 Y」, 「1 패스째의 C + 1 패스째의 M + 1 패스째의 Y + 2 패스째의 Y + 2 패스째의 M」, 「1 패스째의 C + 1 패스째의 M + 1 패스째의 Y + 2 패스째의 Y + 2 패스째의 M + 2 패스째의 C」 각각의 잉크 도트의 분포는, 저주파수 성분이 적어 분산성이 우수한 것이 된다. 마찬가지로, 왕복 순으로 화상이 기록되는 영역에 대 해서는, 1 패스째의 마스크 Y1, 1 패스째의 마스크 M1, 1 패스째의 마스크 C1, 2 패스째의 마스크 C2, 2 패스째의 마스크 M2, 2 패스째의 마스크 Y2의 순으로, 각각의 마스크 패턴이 겹치도록 이용되어 기록이 행해진다. 따라서, 중간 화상인 「1 패스째의 Y + 1 패스째의 M」, 「1 패스째의 Y + 1 패스째의 M + 1 패스째의 C」, 「1 패스째의 Y + 1 패스째의 M + 1 패스째의 C + 2 패스째의 C」, 「1 패스째의 Y + 1 패스째의 M + 1 패스째의 C + 2 패스째의 C + 2 패스째의 M」, 「1 패스째의 Y + 1 패스째의 M + 1 패스째의 C + 2 패스째의 C + 2 패스째의 M + 2 패스째의 Y」각각의 잉크 도트의 분포는, 저주파수 성분이 적어 분산성이 우수한 것이 된다. 그리고, 이러한 마스크를 이용하여 생성되는 각 패스의 도트 기록 데이터에 의해 기록되는 도트도 양호하게 분산된 것이 된다. 즉, 전술한 바와 같이, 마스크의 기록 허용 화소의 배치 패턴은 그 저주파수 성분이 적음으로써, 그 마스크를 이용하여 기록되는 도트의 배치 패턴은, 마스크 처리되기 전의 원래의 화상에 있어서의 도트 배치 패턴에 있어서의 치우침 등이 나타나지 않는 것이 된다. 즉, 각 패스의 마스크를 이용하여 기록되는 각각의 도트 패턴도, 마스크 패턴과 같이 저주파수 성분이 적어 분산성이 좋은 것이 된다.

이로써, 잉크와 기록 매체와의 상대적인 관계로부터, 가령 중간 화상의 단계에서 잉크의 침투가 충분히 행해지지 않아도, 잉크 도트가 분산되어 있으므로 침투가 불충분한 잉크끼리가 접촉하여 그레인을 만들 확률은 낮은 것이 되어, 소위 그레인에 의한 비딩의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 가령 그레인이 발생해도, 이들의 그레인이 양호하게 분산된 분포가 되므로, 그들 그레인이 기록 화상의 품위에 미치는 영향을 적게 할 수 있다.

그리고, 이와 같이 결과적으로 중간 화상의 단계에서 잉크 침투가 반드시 충분히 행해지지 않아도 되는 것을 고려하면, 프린터(104)에 있어서, 각 플레인 간의 기록 시간차, 즉 토출 시간차를 짧게 하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 캐리지 속도 혹은 토출 주파수를 크게 할 수 있거나, 혹은 멀티패스 기록에 있어서의 패스 수를, 예를 들어 잉크가 충분히 침투하는 것을 고려하여 4 패스로 하고 있는 바, 보다 적은 2 패스로 한 인쇄를 실행하는 것도 가능해진다.

또한, 전술한 배치 이동법은, 2 패스의 마스크 중 1 패스째에 이용하는 3 플레인의 마스크에 대하여 적용하는 경우에 관한 것이지만, 이 방법은 이 형태에 한정되지 않고, 모든 플레인에 적용하여 기록 허용 화소의 배치를 결정해도 좋다. 본 실시 형태의 2 패스 기록에 이용하는 마스크의 경우, C, M, Y 각각의 2 패스분의 6 플레인의 마스크에 배치 이동법을 적용해도 좋다. 이 경우에는, 기록 허용 화소를 이동시키는 범위를 근방 화소에 한정시키지 않으며, 다른 플레인의 기록 허용 화소와의 관계에서 배치 화소를 교체하는 이동을 허용하는 것으로 한다. 구체적으로는, 예를 들어 일정 플레인의 기록 허용 화소를 동일 플레인의 기록 허용 화소가 배치되어 있지 않은 화소로 이동시키는 동시에, 그 이동한 화소에 대응하는 다른 플레인의 화소에 배치되는 기록 허용 화소를 그 동일 플레인의, 전자의 기록 허용 화소가 있었던 화소에 대응하는 화소로 이동시키는 등의 교체를 행한다. 이로써 척력 포텐셜의 계산에 관계되는 플레인 전부에 있어서의 기록 허용 화소의 배치 관계가 변화되어, 포텐셜 에너지가 최소가 되는 교체 이동이 가능해진다.

순차 배치법

이 방법은, 상술한 바와 같이 마스크의 플레인의 기록 허용 화소가 아직 배치되어 있지 않은 부분에 차례로 기록 허용 화소를 배치해 가는 방법이다.

도11은, 본 실시 형태의 순차 배치법에 의한 기록 허용 화소의 배치 결정 처리를 도시하는 흐름도이다.

도11에 도시하는 처리는, 3개의 플레인에 차례로 1개씩 기록 허용 화소를 배치하고, 그것을 반복함으로써, 각각의 플레이트로 50 %의 기록 허용 화소의 배치를 행하는 것이다. 우선, 스텝 S1101에서, 기록 허용 화소를 배치하려고 할 때에, 그 기록 허용 화소와 마스크 C1, M1, Y1의 각 플레인에 있어서 이미 배치되어 있는 기록 허용 화소와의 사이에 발생하는 척력 포텐셜을 계산한다.

척력 포텐셜의 계산 자체는, 전술한 배치 이동법에서 설명한 것과 동일하다. 다른 점은, 예를 들어 도10a 내지 도10c에 도시하는 예를 참조하여 설명하면, 전술한 배치 이동법과는 달리, 기록 허용 화소(Do)가 이 도면에 도시하는 화소가 이미 마련되어 있는 것은 아니며, 기록 허용 화소(Do)를 새롭게 마련한다고 가정하였을 때에, 이미 배치되어 동일 플레인 C1이나 다른 플레인 M1, Y1의 기록 허용 화소와의 관계를 기초로 하여 척력 포텐셜을 계산한다. 이상에서도 알 수 있듯이, 아직 기록 허용 화소가 1개도 배치되어 있지 않은 최초의 단계에서는, 기록 허용 화소가 어디에 있어서도 척력 포텐셜은 같은 값이 된다.

다음에, 스텝 S1102에서, 각각의 마스크 화소에 마련한다고 하였을 때에 계산되는 척력 포텐셜 중에서, 최소의 포텐셜 에너지가 되는 마스크 화소를 결정한 다. 그리고, 스텝 S1103에서는, 그 최소의 에너지가 되는 마스크 화소가 복수인지의 여부를 판단한다. 복수인 경우에는, 스텝 S1107에서, 난수를 이용하여 그 복수의 화소 중에서 1개의 마스크 화소를 결정한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 동일 플레인에서는 이미 기록 허용 화소가 배치되어 있는 화소에는 거듭 배치하지 않는다고 하는 조건 하에서, 최소 에너지의 화소를 결정한다. 이것은, 가중 계수나 척력 포텐셜 함수 등의 변수에 따라서는, 척력 포텐셜의 계산에 있어서 동일 플레인에서 중첩한 경우 쪽이 다른 플레인의 기록 허용 화소와의 관계 등으로 인해 에너지가 최소가 되는 경우가 있어, 그 경우에 마스크는 1개의 마스크 화소에 1개의 기록 허용 화소만이 허용되므로 중첩을 금하도록 하기 위해서이다.

스텝 S1104에서는, 결정된 최소 포텐셜 에너지의 마스크 화소에 기록 허용 화소를 배치한다. 즉, 그 화소의 마스크 데이터를 "1"로 한다.

스텝 S1105에서는, C, M, Y의 플레인에 대하여 각 1개씩 기록 허용 화소획이 배치되었는지 여부를 판정한다. 배치되어 있지 않은 경우에는, 스텝 S1101로부터의 처리를 반복한다.

플레인 C1, M1, Y1과 이순로 1개씩 기록 허용 화소를 배치하면, 스텝 S1106에서, 3개의 플레인 각각의 모든 마스크 화소에 대하여 50 %까지 기록 허용 화소가 배치되는지 여부를 판단한다. 각각의 플레인에서 50 %까지 기록 허용 화소의 배치가 이루어져 있지 않을 때는, 스텝 S1101로부터의 처리를 반복한다. 그리고, 3개의 플레인의 전부에서 50 %의 기록 허용 화소가 배치되면, 본 처리를 종료한다. 이상과 같이 하여 1 패스째의 마스크 C1, M1, Y1을 설정하면, 이들과 보완 관계에 있는 마스크 C2, M2, Y2를 계속해서 설정한다.

이상에서 설명한 순차 배치법에 의해서도 상술한 배치 이동법과 같은 특성을 갖는 마스크를 얻을 수 있다. 즉, 순차 배치법에 의한 3 플레인의 마스크 C1, M1, Y1은, 그들의 중첩에 있어서 기록 허용 화소가 양호하게 분산된 것이 된다. 또한, 그에 의해, 각각 보완 관계에 있는 마스크 C2, M2, Y2도 각각 기록 허용 화소가 양호하게 분산된 것이 된다. 또한, 이들 6 플레인 중 임의의 수(2, 3, 4 또는 5)의 플레인의 중첩에 있어서의 기록 허용 화소의 분포도, 저주파수 성분이 적은 양호하게 분산된 것이 된다.

또한, 상술한 마스크 제법의 다른 특징으로서, 기록 허용 화소의 배치가 규칙적으로 반복되는 주기 패턴이 생성되는 일은 없다고 하는 경우가 있다. 예를 들어, 지그재그 패턴이나 베이어형의 배치가 반복되는 주기성을 가진 패턴은 생성되지 않는다. 만일 생성되었다고 해도, 척력 포텐셜의 변수를 다시 설정함으로써 주기 패턴을 피하는 상태로 수렴시킬 수 있다. 이와 같이 본 실시 형태의 마스크 제법에 의해 생성되는 마스크는 비 주기의 패턴이 된다.

또한, 상술한 마스크 제법에 있어서는, 각 플레인에 있어서, 특히 어딘가의 기록 허용 화소를 사용하지 않는 설정은 행하고 있지 않다. 그러나, 굳이, 각 플레인에 있어서 기록 허용 화소로서 사용하지 않는 화소를 설정했다고 해도, 그 화소를 피하면서도 저주파수 성분이 적은 양호하게 분산된 것을 얻을 수 있다.

(3) 마스크 특성 평가

마스크에서의 척력 포텐셜의 가중 계수 α, β, γs(n)의 효과

우선, 이상에서 설명한 본 실시 형태의 마스크 제법에 의해 제조된 마스크에 대하여, 척력 포텐셜 계산의(거리의 의론은 하고 있지 않은, 계수의 영향만) 가중 계수 α, β, γs(n) 각각이 어떻게 영향을 주고 있는지에 대하여 구체적으로 설명한다. 상술한 바와 같이 계수 α는 동일 플레인에 있어서의 기록 허용 화소의 분산에 영향을 주고, 계수 β는 다른 플레인 간의 기록 허용 화소의 분산에 영향을 주고, 또한 γs(n)는 다른 플레인의 기록 허용 화소가 동일한 위치의 화소에 있어서 겹치는 경우의 이 중첩 분산에 영향을 주고 있다.

또한, 본 실시 형태에서는 E(r)로서 동일 함수(도9)를 모든 항에 이용하고 있지만, 다른 포텐셜 함수를 각각의 항에 이용할 수도 있다. 이 경우에는, 각각의 함수 E(r)와 대응하는 각각의 가중 계수 α, β, γ(n)의 곱인 αE(r), βE(r)', γE(r)''의 차이가, 본질적으로 이하에서 설명하는, 분산의 차이가 되어 영향을 미치게 하는 것은 물론이다.

가령, 동일한 플레인 내의 기록 허용 화소 간에만 척력 포텐셜을 정의하여 에너지를 감쇠시켜서 기록 허용 화소 분포를 결정하는 경우, 즉 αE(r)에서 α = 1, β = γ = 0으로 하는 경우, 1개의 플레인의 기록 허용 화소 분포는, 각각 플레인에 있어서의 기록 허용 화소의 배치의 분산성이 좋다. 이것은 αE(r)의 효과에 의한 것이다. 그러나, 2개(복수)의 플레인을 중첩한 것으로부터 겹치는 기록 허용 화소(논리곱, 논리합)의 패턴을 추출한 것은, 기록 허용 화소의 배치에 치우침이 있어 저주파수 성분이 많은 것이 된다. 2개의 플레인 간에서 간혹 겹쳐 버리는 기록 허용이 발생해 버리거나, 2개의 플레인 간에 관련이 없기 때문에 치우침이 생 기거나 하기 때문이다.

또한, [논리곱] 패턴이라 함은, 문자 그대로, 도12에 도시한 바와 같이 복수 플레인 간의 동일한 화소 위치에 대하여 논리곱의 연산을 행함으로써 얻을 수 있는 패턴이다. 구체적으로는, 복수(도면에 도시하는 예에서는, 2개)의 플레인의 대응하는 화소 위치에 기록 허용 화소("1")가 동시에 존재할 때, 그 위치를 추출한 패턴이 논리곱 패턴이다. 이 논리곱 패턴은, 다른 플레인 간에서 기록 허용 화소의 중첩이 있는 경우에 그 분포를 도시하는 것이다.

또한, [논리합] 패턴이라 함은, 문자 그대로, 도13에 도시한 바와 같이 복수 플레인 간의 동일한 화소 위치에 대하여 논리합의 연산을 행함으로써 얻을 수 있는 패턴이다. 구체적으로는, 복수(도면에 도시하는 예에서는, 2개)의 플레인 중 어느 하나의 화소 위치에 기록 허용 화소("1")이 존재할 때, 그 위치를 추출한 패턴이 논리합 패턴이다. 이 논리합 패턴은, 다른 플레인 각각의 기록 허용 화소의 배치를 1개의 플레인으로 나타낸 것이다.

다음에 3 플레인의 모든 기록 허용 화소에 동일한 척력 포텐셜을 더한 경우, 즉, αE(r) 및 βE(r)에 있어서, α = β = 1, γ = 0의 경우를 가정한다. 이 경우에는, 각각의 플레인의 기록 허용 화소 분포는, 어떤 크기의 저주파수 성분을 가져 분포에 치우침이 있다. 한편, 상기한 3색의 플레인을 중첩한 것인 기록 허용 화소 분포(논리합)는 분산이 좋다. 이것은 α, β가 동일한 값인 것에 의해, 동일 플레인의 기록 허용 화소를 분산되게 하는 효과가, 다른 플레인의 기록 허용 화소를 분산되게 하는 효과와 동일하므로, 결과적으로 각각의 플레인에서는, 기록 허용 화소 분포의 분산이 불충분해지기 때문이다.

그래서, 동일 플레인과 다른 플레인 간에서 척력 포텐셜을 바꾸기 위해, 예를 들어 α = 3, β = 1로 한다. 이로써, 다른 플레인의 영향을 상대적으로 작게 할 수 있어 동일 플레인 내의 분산성이 좋아진다. 또한, 2개의 플레인을 중첩한 것인 기록 허용 화소 분포(논리합 패턴)는, 저주파수 성분이 적은 분산이 좋은 분포가 된다. 이와 같이, 동일 플레인, 다른 플레인의 기록 허용 화소의 분산성의 양방이 좋아진다. 즉, αE(r)와 βE(r)의 항을 작용시키고, 또한 α와 β의 값을 다르게 함으로써, 동일 플레인 내, 다른 플레인 내 양방의 분산성이 좋아진다.

다음에, 기록 허용 화소의 중첩이 있는 경우에 있어서, 우선 γs(n)E(r)의 항을 이용하지 않은 경우를 고려한다. 저주파수 성분을 가지지 않는 기록 허용 화소 분포를 가진 2개의 플레인을, γs(n)E(r)의 항을 작용시키지 않고, 중첩하여 얻을 수 있는 것인 기록 허용 화소 분포로부터 중첩 기록 허용 화소를 추출한 것(논리곱)은, 저주파수 성분이 많은 분산이 나쁜 분포가 된다.

이에 대해, γs(n)E(r)의 항을 더한 경우, 우선 각각의 플레인에 대하여, 저주파수 성분을 갖지 않는 기록 허용 화소 분포를 얻을 수 있다. 그리고, 이들의 플레인을 중첩한 것인 기록 허용 화소 분포로부터 중첩 기록 허용 화소를 추출한 것(논리곱)의 분포도, 저주파수 성분을 갖지 않는 기록 허용 화소의 배치가 된다.

이와 같이, γs(n)E(r)의 항은, 기본적으로 겹치는 기록 허용 화소끼리가 양호하게 분산되는 효과를 부여하는 것이지만, 도10a 내지 도10d에서 설명한 바와 같이, 이 항이, 중첩이 많을수록 포텐셜이 높아지도록 설정되고, 그 포텐셜에 따라서 기록 허용 화소를 1개씩 이동하고, 또는 배치하여 에너지를 줄임으로써, 에너지를 줄이는 처리의 과정에서 중첩의 수를 줄이는 효과를 부여하고 있다. 이것은, 동일한 플레인에서 인접하는 기록 허용 화소에 대하여, αE(r)가 인접하는 기록 허용 화소의 수를 줄이는 효과를 부여하는 것과 동일한 것을 의미하고 있다. 이와 같이, γs(n)E(r)의 항은, 단순히 겹치는 기록 허용 화소끼리를 가능한 한 분산시키도록 할 뿐만 아니라, 그 중첩의 수를 줄이는 효과도 부여하고 있다. 그리고, 이 효과에 의해, 인접이나 중첩에 의한 기록 허용 화소의 덩어리에 있어서의 기록 허용 화소의 수는 가능한 한 적게 하고, 결과적으로 저주파수 성분이 적은 기록 허용 화소 분포를 얻을 수 있다.

이상의 관점으로부터, 본 실시 형태에서는 상술한 바와 같이 α = 3, β = 1, γ = 3의 값을 이용한다.

또한, 예를 들어 α, β << γ로서, 복수의 플레인의 중첩에 있어서 추출되는 겹치는 기록 허용 화소에 특히 주목하고, 상기 γs(n)E(r)의 항의 효과에 의해, 겹치는 기록 허용 화소가, 특히 저주파수 성분이 적은 분산이 좋은 것으로 하는 것도 가능해진다.

또한, 본 실시 형태에서는 플레인 간의 척력은 모두, βE(r)로 하고 있지만, 상호 작용의 크기 등을 고려하여 각 플레인 간에서 상호 작용을 다르게 하는 것은 유효하다. 예를 들어, 플레인수가 많은 경우에 가능한 한 짧은 시간에 주입되는 잉크에 이용하는 마스크의 플레인 간의 척력 포텐셜을 다른 척력 포텐셜에 대하여 크게 하는, 즉 βE(r)의 계수나 E(r)의 형태를 플레인 간에서 바꾸는 것도 유효하 다. 또한, 예를 들어, 반응계를 이용한 정착에 있어서, 반응액 또는 그와 같은 성분을 가진 잉크를 기록 헤드에 의해 토출하는 경우에, 그 반응액 등에 이용하는 마스크의 플레인과 그 반응액 등과 반응 작용이 큰 잉크에 이용하는 마스크의 플레인의 척력 포텐셜을 통상보다 많게 하는 것도 유효하다. 척력 포텐셜의 함수를 바꾸는 구체적인 예로서, 척력이 미치는 범위의 거리 r을 바꾸는 예를 들 수 있다. 예를 들어, 처리에 가해지는 화상 데이터의 계조값이 50 % 계조일 때, 상기한 바와 같이 r = 16으로 하고, 계조 값이 50 %보다 크거나 또는 작아지는 만큼 r을 크게 하도록 할 수 있다.

또한, 본 명세서에서는, 기록 허용 화소 또는 그 중첩이 균일하게 분산될수록, 「보다 양호한 분산」 혹은 「분산이 보다 좋은 것」을 의미한다. 그리고, 「균일한 분산」이라 함은 상기한 척력 포텐셜의 예에서 말하면 총 에너지를 가능한 한 낮게 한 상태, 즉 기록 허용 화소의 중첩이나 인접에 의한 덩어리가 있을 때는 그들의 중첩이나 인접의 수를 가능한 한 적게 한 상태이며, 또한 이러한 상태에서, 기록 허용 화소를 가능한 한 균등하게 배치하는 것이다. 또한, 「저주파수 성분이 적어지는(작아지는)」이라 함은, 상기한 바와 같이 분산이 좋을 때, 그 분포에 대하여 후술하는 파워 스펙트럼에 있어서의, 인간의 시각 특성에 있어서의 감도가 높은 영역(저주파수 영역)의 주파수 성분이, 그 분산이 좋은 정도에 따라서 적어지는(작아지는) 것을 의미한다.

본 실시 형태의 마스크와 종래 예의 마스크

도14 내지 도16은, 상술한 제법에 의해 제조된 본 실시 형태의 마스크 C1, M1, Y1(이하 「적층 마스크」라 함) 각각의 기록 허용 화소의 배치 패턴을 도시한 도면이다. 또한, 도17 및 도18은 종래 예의 마스크과 같은 패턴을 도시한 도면이다. 상세하게는, 도17은 시안 잉크의 1 패스째에 이용할 수 있는 특허 문헌 1과 같이 작성한 마스크( 「자(自) 플레인만의 분산 마스크」라 함)의 패턴을 도시하고, 도18은 특허 문헌 2에 기재된 랜덤 마스크의 패턴을 나타내고 있다. 도14 내지 도18에 도시되는 각 마스크 패턴은, 256 × 256의 화소의 영역을 갖는다. 각 패턴에 있어서, 희게 나타낸 화소는 비기록 허용 화소(즉 그 화소의 화상 데이터에 상관 없이 마스킹되어 버리는 화소)를, 검게 나타낸 화소는 기록 허용 화소(즉 그 화소의 화상 데이터에 따라서 도트 형성이 이루어지게 되는 화소)를 각각 나타내고 있다.

이들의 도면에 도시한 바와 같이, 도18에 도시하는 랜덤 마스크만이, 다른 마스크에 비해, 시각적인 거칠거칠한 감이 높아, 매끄러움이 부족한 인상을 받는다. 이것은, 랜덤 마스크 패턴을 작성할 때에, 특히 그 플레인 내의 도트 배치의 상관 관계를 고려(계수 α)하는 일 없이, 랜덤하게 도트의 기록 허용 화소의 배치를 정하고 있기 때문이다. 이에 대하여 「자 플레인만의 분산 마스크」(도17)나 본 실시 형태의 마스크의 패턴(도14 내지 도16)은, 특히 계수 α의 효과에 의해 동일 플레인 내의 분산성을 고려한 기록 허용 화소가 배치되어 있으므로, 기록 허용 화소의 분산에 치우침이 없어, 전체적으로 매끄러운 인상을 받는다.

도19 및 도20은, 도14 및 도15에 도시한 본 실시 형태의 적층 마스크 C1, M1의 각각 논리합 패턴 및 논리곱 패턴을 도시한 도면이다. 또한, 도21 및 도22는, 도14, 도15 및 도16에 도시한 적층 마스크 C1, M1, Y1의 각각 논리합 패턴 및 논리곱 패턴을 도시한 도면이다. 또한, 도23 및 도24는 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크의 각각 논리합 패턴 및 논리곱 패턴을 나타내는 도면이고, 도25 및 도26은 마찬가지로 종래 예에 관한 랜덤 마스크의 각각 논리합 패턴 및 논리곱 패턴을 도시한 도면이다.

도19 및 도20에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 2개의 마스크를 중첩한 경우의 기록 허용 화소의 배치(논리합)와, 그 중에서 기록 허용 화소가 겹친 것을 추출한 것인 배치(논리곱)는, 원래 분산이 좋아 거칠거칠한 감이 없는 것으로 되어 있다. 이것은, 상술한 바와 같이 2개의 플레인 상호에서 기록 허용 화소의 분산을 고려(계수 β)하는 동시에, 중첩 자체의 분산을 고려[계수 γs(n)]하고 있기 때문이다.

또한, 도21에 도시된 바와 같이 본 실시 형태의 3개의 마스크를 중첩한 경우의 기록 허용 화소의 논리합 패턴은 전체적으로 간극 없이 기록 허용 화소가 배치된 것이 된다. 즉, 본 실시 형태는 3개의 플레인 상호에서 기록 허용 화소의 분산을 고려(계수 β)하고 있으므로, 3개의 플레인 상호의 기록 허용 화소는 양호하게 분산되어, 그 결과, 전체적으로 간극 없이 배치되게 된다. 또한, 각각의 플레인은 2 패스 기록용의 균등 마스크이므로 50 % 밀도로 기록 허용 화소를 배치하고 있다. 따라서, 3개의 플레인을 중첩한 것인 밀도는 150 %가 되어 중첩을 배제할 수 없지만, 본 실시 형태는 그 중첩을, 계수 γs(n)에 의해 2개의 중첩까지로 하고 있다. 그 결과, 도22에 도시한 바와 같이 3개의 중첩을 추출한 논리곱 패턴에서는 그 중 첩이 존재하지 않는 것이 된다.

이에 대하여, 특허 문헌 1에 개시되는 「자 플레인만의 분산 마스크」에 대하여 다른 색의 플레인을 중첩했을 때의 논리합 패턴과 논리곱 패턴은, 각각 도23 및 도24에 도시한 바와 같이 본 실시 형태의 패턴(도19, 도20)과 비교하여 분산이 좋지 않은 것으로 되어 있다. 이것은, 상술한 바와 같이 특허 문헌 1에서는, 동일 플레인 내의 분산은 고려하고 있지만, 플레인 상호의 기록 허용 화소의 분산(계수 β)이나 기록 허용 화소의 중첩의 분산[계수 γs(n)]을 고려하고 있지 않기 때문이다. 종래 예에 관한 랜덤 마스크의 경우도, 도25 및 도26에 도시한 바와 같이 마찬가지로 논리합 패턴 및 논리곱 패턴은 모두 분산이 좋지 않다.

마스크 패턴의 다른 평가 방법으로서, 「중합」패턴을 이용한 것을 정의한다. 이 「중합」패턴은, 도27에 도시한 바와 같이 복수(도면에 도시하는 예에서는 2개)의 플레인 중 어느 하나의 마스크 화소에 기록 허용 화소("1")가 존재할 때, 그 대응하는 화소에 기록 허용 화소를 도시하는 데이터 "1"이 존재하고, 또한 기록 허용 화소가 동일한 마스크 화소에서 겹칠 때는 그 수에 따른 데이터가 존재하는 패턴이다. 예를 들어, 중첩이 2인 경우에는 "2", 3일 경우에는 "3"이라 하도록 한다. 그리고, 후술하는 「중합 패턴」은 그 데이터가 나타내는 수에 따른 농도로 나타낸다. 즉, 기록 허용 화소의 중첩이 많을수록, 검은 농도가 짙어지도록 나타내고 있다. 이 중합 패턴은, 다른 플레인 각각의 기록 허용 화소의 배치를 1개의 플레인으로 나타내는 동시에, 기록 허용 화소의 중첩의 배치를 그 중첩의 정도와 함께 나타낼 수 있다.

도28 및 도29는, 본 실시 형태의 적층 마스크를 각각 2개 및 3개 중첩했을 때의 「중합」패턴을 나타낸 도면이다.

이들의 도28, 도29에 도시하는 패턴은, 본 실시 형태의 마스크를 이용하여 기록을 행할 때의 각각 중간 화상의 잉크 도트의 패턴에 가까운 것을 나타내고 있다. 따라서, 이들의 패턴으로부터도, 중간 화상에 있어서의 잉크 도트나 그들의 중첩이 양호하게 분산되어 있는 것을 알 수 있다.

도30 및 도31은, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크를 2개 중첩했을 때의 「중합」패턴을 도시한 도면이다. 이들의 도면에 도시한 바와 같이 종래 예의 마스크에 의한 「중합」패턴도, 기록 허용 화소 및 그 중첩의 분산성이 좋지 않은 것을 알 수 있다.

파워 스펙트럼에 의한 평가

다음에 마스크 패턴의 주파수 특성을 나타내는 파워 스펙트럼에 의해 본 실시 형태의 마스크를 평가한다. 이하에서 설명하는 파워 스펙트럼은, 기록 허용 화소를 도트의 배치로 치환했을 때에 얻을 수 있는 것이며, 256 화소 × 256 화소 사이즈의 플레인에 대하여 파워 스펙트럼을 구한 것이다. 여기에서, 파워 스펙트럼은 2차원 공간 주파수를 1차원으로서 취급하는, 「T. Mitsa and K. J. Parker, "Digital Halftoning using a Blue Noise Mask", Proc. SPIE 1452, pp.47-56(1991)」에 기재된 radially averaged power spectrum이다.

도32는, 본 실시 형태의 적층 마스크, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크 각각에 대하여, 단독 마스크 패턴(C1)의 주파수 특성을 설 명하는 도면이다. 도33은, 이들 3종의 마스크 각각에 대하여, 2개 마스크(C1, M1)의 논리합 패턴의 주파수 특성을 설명하는 도면이다. 도34는, 이들 3 종류의 마스크 각각에 대하여, 2개 마스크(C1, M1)의 논리곱 패턴의 주파수 특성을 설명하는 도면이다.

도32에 있어서, 각 곡선은 각각의 마스크 패턴의, 공간 주파수에 대한 파워 스펙트럼을 나타내고 있다. 곡선 a는, 본 실시 형태의 적층 마스크의 마스크 패턴(도14)의 파워 스펙트럼을, 곡선 b는, 자 플레인만의 분산 마스크의 패턴(도17)의 파워 스펙트럼을, 또한 곡선 c는 랜덤 마스크의 패턴(도18)의 파워 스펙트럼을 각각 나타낸다. 이들 3개의 곡선을 비교하면, 랜덤 마스크(곡선 c)는, 공간 주파수의 전체 영역에 대하여 대략 일률적인 파워를 갖고 있는 것을 알 수 있다. 랜덤 마스크는, 랜덤하게 기록 허용 화소의 배치를 정하고 있으므로, 기록 허용 화소가 분산되는 간격에 특별한 특징을 갖고 있지 않다. 따라서, 저주파수 영역으로부터 고주파수 영역에 걸쳐 대략 똑같은 분포가 된다. 한편, 본 실시 형태의 적층 마스크 및 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크(곡선 a 및 b)는, 저주파수의 영역에서의 파워가 낮아, 파워의 피크가 고주파에 존재하고 있다. 이것은, 기록 허용 화소끼리가 어느 정도의 거리를 유지하면서도, 대략 균등하게 분산되어 있는 것을 나타내고 있다.

마스크 패턴의 성능 평가로서, 마스크 패턴의 파워 스펙트럼이 존재하는 주파수 영역 중, 대개 절반보다 저주파수 측에 있는 「저주파수 성분」에 주목하는 것이 본 발명의 큰 특징이다. 마스크 패턴의 저주파수 성분이 낮게 억제되어 있는 상태에서, 상술한 바와 같이 그레인의 분포에 기인하는 비딩은 나타나기 어렵고, 또 확인되기 어렵다. 결과적으로, 기록한 화상은 시각적으로는 거칠거칠한 감이 없는 것이 된다. 또한, 특히 마스크 패턴은, 1개의 패턴을 기록하는 화상에 대하여 2차원적으로 반복하여 이용한다. 이 일정한 마스크 패턴을 반복한 경우에는, 마스크 패턴의 저주파수 성분이 많으면 많을수록, 그 반복 패턴의 모양이 사람의 눈에 인식되기 쉽다. 그리고, 그 모양은 비딩의 발생 및 보는 법에 크게 영향을 주기 때문에, 마스크 주기에 관련된 거칠거칠한 감이 발생한다. 그래서, 반복 패턴에 주목하여, 마스크 패턴의 저주파수 성분 측을 억제하는 설계가 중요해진다. 즉 본 발명에서는, 시각적으로 거칠거칠한 감 등이 신경이 쓰이는 저주파수 영역에 초점을 맞추어, 그 저주파역의 성분을 낮게 억제하도록 하고 있다. 즉, 본 발명의 마스크 패턴은 그러한 저주파 수의 파워가 낮게 억제되어 있는 것이 특징이다.

또한, 사람의 눈의 감도에 관한 주파수 특성은, 기록물과 사람의 눈의 거리 등에 의존하고, 예를 들어 도오리(Dooley)의 문헌( 「R.P. Dooley : Prediction Brightness Appearance at Edges Using Linear and Non-Liner Visual Describing Functions, SPES annual Meeting(1975)」) 등에 의해 지금까지 많이 논의되고 있다. 다양한 실험에서 기록물을 보는 경우에는, 약 10 cycles/㎜보다 낮은 주파수 영역의 성분이 사람의 눈에 인식하기 쉽다고 언급되고 있다. 이것에 관하여, 본 발명자도 실험적으로 확인하고 있다. 그래서 10 cycles/㎜보다 저주파수측을 포함하는 영역(저주파수 영역)에 주목하는 것이 중요하다고 할 수 있다. 실제로는 기록물에 눈을 더욱 근접시키는 경우도 있으므로, 본 발명자는 약 20 cycles/㎜보다 저주파수측에 주목하여 설계하는 것이 중요하다고 생각한다. 또한, 후술하는 각 실시 형태의 마스크 평가(예를 들어, 도50)에서 주목하고 있는 저주파수 영역은, 대략 이들의 범위와 겹치고 있다.

도33 및 도34에 도시하는, 마스크를 중첩했을 때의 논리합 및 논리곱 패턴의 파워 스펙트럼에서는, 어떠한 경우도, 종래 예에 관한 콘 마스크 분산 마스크(곡선 b)의 저주파수 성분이 본 실시 형태의 적층 마스크(곡선 a)보다 많아져 있다. 즉, 도23 및 도24에 도시된 바와 같이, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크에 있어서의 기록 허용 화소의 배치는, 본 실시 형태의 적층 마스크에 비해 그 분산이 떨어진다.

도35 및 도36은, 본 실시 형태의 적층 마스크, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크를 각각 2개 및 3개 중첩했을 때의 「중합」패턴의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다. 각각의 도면에 있어서, 곡선 a는 본 실시 형태의 적층 마스크의 중합 패턴(도28, 도29)의 파워 스펙트럼을 나타내고, 곡선 b는 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크의 중합 패턴(도30)의 파워 스펙트럼을 나타내고, 곡선 c는 동일하게 종래 예에 관한 랜덤 마스크의 중합 패턴(도31)의 파워 스펙트럼을 각각 나타내고 있다.

3개의 곡선을 비교하면, 랜덤 마스크는 상기 단독 마스크, 논리합 패턴 및 논리곱 패턴의 파워 스펙트럼와 마찬가지로, 공간 주파수의 전체 영역에 대하여 대략 일률적인 파워를 갖고 있다. 한편, 곡선 b로 나타내는 자 플레인만의 분산 마스크의 중합 패턴은, 도32에 도시한 단일 자 플레인만의 분산 마스크에 비해, 저주 파수 성분이 많아지고 있다. 또한, 곡선 b로 나타내는 자 플레인만의 분산 마스크 마스크의 중합 패턴은, 본 실시 형태의 적층 마스크의 중합 패턴에 비해, 저주파수 성분이 많아지고 있다. 즉, 도30에 도시한 바와 같이 분산이 나빠져 패턴의 거칠거칠한 감이 는다.

이에 대하여, 곡선 a로 나타내는 본 실시 형태의 적층 마스크의 중합 패턴의 저주파수 성분은, 도32에 도시한 단일 적층 마스크와 비교해도 거의 변하고 있지 않다. 이것은, 3개의 플레인을 중합시킨 상태에 있어서도, 기록 허용 화소끼리가 어느 정도의 거리를 유지하면서, 대략 균등하게 분산되어 있는 것을 나타내고 있다.

어긋남에 의한 평가

본 발명의 실시 형태에 관한 마스크가 종래의 1개의 플레인만을 고려하여 얻을 수 있는 마스크(특허 문헌 1에 기재된 자 플레인만의 분산 마스크)와 다른 점 1개는, 다른 플레인의 마스크를 정규인 위치에서 중첩한 경우와 정규가 아닌 위치에서 중첩한 경우의 분산성의 변화이다. 본 발명의 실시 형태에 관한 마스크는, 다른 플레인의 마스크의 중첩하는 방법을 의도적으로 어긋나게 한 경우, 기록 허용 화소의 분산성이 크게 저하된다. 즉, 본 실시 형태에서는, 다른 플레인 간에서도 분산을 고려하고 있으므로, 그 분산을 고려할 때의 정규인 겹침 쪽과는 다른 겹침 쪽을 하면 분산성이 크게 저하된다. 한편, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크의 경우, 다른 플레인 간에서의 분산성은 고려되어 있지 않으므로, 정규인 겹침 쪽과는 다른 겹침 쪽을 해도 분산성에 변화는 없다.

이 어긋남의 평가는 다음과 같이 행한다. 상술한 제법에 의해 작성한 C1, M1, Y1을, 각각으로부터 각 색 러스터 방향으로 어긋나게 한다. 이때 마스크 자체는 주기적으로 늘어서므로 어긋나게 하는 것이 가능하다.

도37 내지 도39는, 마스크를 어긋나게 하여 중첩한 경우, C1, M1을 중첩했을 때의 각각 논리합, 논리곱 및 「중합」의 패턴을 도시한 도면이다. 이들의 도면으로부터 명백한 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 마스크 C1, M1의 겹침 위치를 어긋나게 한 겹침 패턴의 논리합, 논리곱, 「중합」이 모두 분산성이 저하되어, 패턴을 관찰하였을 때의 거칠거칠한 감이 늘고 있다.

도40 내지 도42는, 겹침 위치를 어긋나게 한 경우와 중첩 위치를 어긋나게 하지 않은 경우(즉, 정규인 위치에서 중첩한 경우)의 파워 스펙트럼을 비교한 도면이며, 각각 본 실시 형태의 적층 마스크, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크의 논리합 패턴의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

도40에 도시하는 본 실시 형태의 적층 마스크는, 어긋나게 한 경우의 저주파수 성분은, 어긋남 없음의 경우에 비해 비교적 커진다. 이것은, 상술한 바와 같이 적층 마스크는, 다른 플레인 간에서도 분산을 고려하고 있으므로, 그 분산을 고려할 때의 정규인 겹침 쪽과는 다른 겹침 쪽으로 하였을 때는, 분산성이 크게 저하되기 때문이다.

이에 대하여, 도41 및 도42에 도시하는 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크는, 어긋나게 한 경우와 어긋남 없음의 경우에서 파워 스펙트럼의 저주파수 성분에 거의 변화가 없다. 이것은, 이들의 마스크가, 원래 다른 플레인 간에서의 기록 허용 화소의 분산을 고려하고 있지 않으므로, 겹침 위치가 어긋나도 그에 의해 중첩했을 때의 패턴에 있어서의 분산에 큰 차이가 생기지 않기 때문이다.

도43 내지 도45는, 도40 내지 도42에 도시한 도면과 같이, 겹침 위치를 어긋나게 한 경우와 어긋나게 하지 않은 경우의 파워 스펙트럼의 비교도이다. 도43 내지 도45는, 각각 본 실시 형태의 적층 마스크, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크의 논리곱 패턴의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다. 또한, 도46 내지 도48은 겹침 위치를 어긋나게 한 경우와 어긋나게 하지 않은 경우의 파워 스펙트럼의 비교도이며, 각각 본 실시 형태의 적층 마스크, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크의 「중합」패턴의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다. 이들의 도면으로부터도 알 수 있듯이, 본 실시 형태의 적층 마스크는, 어긋나게 한 경우의 저주파수 성분이 어긋남 없음의 경우에 비교하여 크게 는다. 한편, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크는, 어긋나게 한 경우와 어긋남 없음의 경우에서 파워 스펙트럼의 저주파수 성분에 거의 변화가 없다. 도49에 도시하는 본 실시 형태의 3개의 적층 마스크 C1, M1, Y1을 어긋나게 하여 중첩했을 때의 「중합」패턴의 파워 스펙트럼에서도, 마찬가지로 어긋나게 했을 때에 주파수 영역의 전체적으로 파워가 증대한다.

도50 내지 도52는, 이상의 어긋남에 의한 평가를 저주파수 성분의 양으로 나타낸 도면이며, 각각 본 실시 형태의 적층 마스크, 종래 예에 관한 자 플레인만의 분산 마스크 및 랜덤 마스크에 나타내고 있다. 여기에서, 저주파수 성분의 양은, 파워 스펙트럼이 존재하는 공간 주파수 영역의 대략 절반에 상당하는 90 이하의 성분을 적분한 것이다.

도50에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 마스크의 경우, 어긋나게 한 것은, 마스크 C1, M1의 각각 논리합, 논리곱, 「중합」의 패턴 및 마스크 C1, M1, Y1의 「중합」패턴 중 어느 하나에 있어서도, 어긋나 있지 않은 경우와 비교하여, 저주파수 성분의 양이 많아지는 것을 알 수 있다.

이에 대하여, 도51에 도시하는 자 플레인만의 분산 마스크 및 도52에 도시하는 랜덤 마스크를 모두 어긋나게 한 경우와 어긋나게 하지 않은 경우에서 저주파수 성분의 양에 변화는 없다.

이상과 같이, 마스크를 중합하는 경우에, 그 겹침 위치를 어긋나게 했을 때 분산성에 영향을 미치는 평가치가 크게 변화되는지 여부에 의해, 본 발명을 적용한 마스크인지 여부를 판단할 수 있다. 즉, 전술한 어긋남에 의한 평가는, 본 발명을 적용한 마스크가 중합에 있어서의 분산성을 고려하고 있는 것을 증명하는 것이다.

[제2 실시 형태 : 4 패스 기록용 100 % 균등 마스크]

(1) 본 실시 형태의 개요

본 실시 형태는, 시안(C), 마젠타(M), 옐로우(Y), 블랙(K)의 각 잉크에 대하여 4회의 주사로 화상을 완성하는 4 패스의 멀티패스 기록에 관한 것이다. 그리고, 이 4 패스 기록에 이용하는 잉크 색의 각각에 대하여 복수(본 실시 형태에서는 4)회의 주사 각각에 이용하는 마스크가 양호하게 분산되어 있을 뿐만 아니라, 이들의 마스크의 임의의 복수의 플레인을 맞춘 것도 양호하게 분산된 것이다.

이하에서는, 도시 및 설명의 간략화를 위해, 시안, 마젠타, 옐로우의 3색으로 4 패스 기록을 행하는 경우에 대해 설명한다.

시안, 마젠타, 옐로우의 각 색 노즐군은, 제1 그룹 내지 제4 그룹의 4개의 그룹으로 분할되어, 각 그룹에는 128개씩의 노즐이 포함되어 있다. 각 그룹에는 본 실시 형태의 마스크 패턴(C1, C2, C3, C4, M1, M2, M3, M4, Y1, Y2, Y3, Y4)이 대응지어져 있으며, 각 마스크 패턴의 부 주사 방향(반송 방향)의 크기는 각 그룹의 노즐 개수와 동일한 128 화소분으로 되어 있다. 한편, 주사 방향의 크기는 256 화소분으로 되어 있다. 또한, 동일색 잉크의 노즐군에 대응하는 4개의 마스크 패턴(C1, C2, C3 및 C4, M1, M2, M3 및 M4, Y1, Y2, Y3 및 Y4)은 각각 4개의 패턴으로 보완하여 모든 화소에 대응하는 관계에 있으며, 이들을 중합하면 128 × 256 화소에 대응한 영역의 기록이 완성되는 구성으로 되어 있다.

이들의 마스크를 이용한 기록 동작에서는, 각 색 노즐군은 노즐 배열 방향과 대략 직교하는 방향으로 주사하면서 기록 매체에 잉크를 토출한다. 예를 들어, 각 영역에 대하여 C, M, Y의 잉크 토출이 행해진다. 또한, 주사가 종료할 때마다, 기록 매체는 주사 방향과 직교하는 방향으로 1개의 그룹의 폭만큼(즉, 128 화소분)씩 반송된다. 이로써 기록 매체의 각 그룹의 폭에 대응하는 크기의 영역은 4회의 주사에 의해 화상이 완성된다.

더욱 구체적으로 설명하면, 기록 매체에 있어서의 각각 노즐 그룹의 폭에 대응하는 크기의 연속된 4개의 영역을 기록 매체의 반송 방향으로 차례대로 영역 A, B, C, D라 할 때, 제1 주사에서는 기록 매체 상의 영역 A에 대하여, C 노즐군의 제 1 그룹, M 노즐군의 제1 그룹, Y 노즐군의 제1 그룹을 이용하여 기록이 행해진다. 그리고, 이 제1 주사에서는 영역 A에 대해서는 마스크 패턴 C1, 마스크 패턴 M1, 마스크 패턴 Y1이 이용된다.

다음에, 제2 주사에서는 제1 주사에서의 기록이 종료된 영역 A에 대하여, C 노즐군의 제2 그룹, M 노즐군의 제2 그룹, Y 노즐군의 제2 그룹을 이용하여 기록이 행해지는 동시에, 미 기록 상태의 영역 B에 대하여, C 노즐군의 제1 그룹, M 노즐군의 제1 그룹, Y 노즐군의 제1 그룹을 이용하여 기록이 행해진다. 따라서, 제2 주사에서는 영역 A에 대하여 마스크 패턴 C2, 마스크 패턴 M2, 마스크 패턴 Y2가 이용되는 동시에, 영역 B에 대하여 마스크 패턴 C1, 마스크 패턴 M1, 마스크 패턴 Y1이 이용된다.

또한, 제3 주사에서는 제2 주사에서의 기록이 종료된 영역 A에 대하여, C 노즐군의 제3 그룹, M 노즐군의 제3 그룹, Y 노즐군의 제3 그룹을 이용하여 기록이 행해지는 동시에, 영역 B에 대하여, C 노즐군의 제2 그룹, M 노즐군의 제2 그룹, Y 노즐군의 제2 그룹을 이용하여 기록이 행해지고, 또한 미 기록 상태의 영역 C에 대하여, C 노즐군의 제1 그룹, M 노즐군의 제1 그룹, Y 노즐군의 제1 그룹을 이용하여 기록이 행해진다. 따라서, 제3 주사에서는 영역 A에 대하여 마스크 패턴 C3, 마스크 패턴 M3, 마스크 패턴 Y3이 이용되고, 영역 B에 대하여 마스크 패턴 C2, 마스크 패턴 M2, 마스크 패턴 Y2가 이용되고, 영역 C에 대하여 마스크 패턴 C1, 마스크 패턴 M1, 마스크 패턴 Y1이 이용된다.

또한, 제4 주사에서는, 제3 주사의 기록이 종료된 영역 A에 대하여, C 노즐 군의 제4 그룹, M 노즐군의 제4 그룹, Y 노즐군의 제4 그룹을 이용하여 기록이 행해지는 동시에, 영역 B에 대하여, C 노즐군의 제3 그룹, M 노즐군의 제3 그룹, Y 노즐군의 제3 그룹을 이용하여 기록이 행해지고, 영역 C에 대하여, C 노즐군의 제2 그룹, M 노즐군의 제2 그룹, Y 노즐군의 제2 그룹을 이용하여 기록이 행해지고, 또한 미 기록 상태의 영역 D에 대하여, C 노즐군의 제1 그룹, M 노즐군의 제1 그룹, Y 노즐군의 제1 그룹을 이용하여 기록이 행해진다. 따라서, 제4 주사에서는 영역 A에 대하여 마스크 패턴 C4, 마스크 패턴 M4, 마스크 패턴 Y4가 이용되고, 영역 B에 대하여 마스크 패턴 C3, 마스크 패턴 M3, 마스크 패턴 Y3이 이용되고, 영역 C에 대하여 마스크 패턴 C2, 마스크 패턴 M2, 마스크 패턴 Y2가 이용되고, 또한 영역 D에 대하여 마스크 패턴 C1, 마스크 패턴 M1, 마스크 패턴 Y1이 이용된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 4회의 주사로 기록 매체 상의 영역 A에 대한 화상의 기록이 완성된다. 또한, 영역 B나 후속 영역에 대해서도 마찬가지로 기록이 행해져 간다.

본 실시 형태에서는 상술한 제1 실시 형태와 같이 중간 화상에 있어서의 그레인의 발생을 회피하기 위해, 각각의 플레인의 마스크를 중첩했을 때의 기록 허용 화소의 배치를 비 주기이고 저주파수 성분이 적어 분산성이 좋은 것으로 하고 있다. 이로써 화상의 완성에 이르는 각 단계의 중간 화상에 있어서의 도트의 근접 또는 인접, 또한 도트의 중첩을, 최대한 배제하도록 한다. 또한, 가령 도트의 중첩이나 인접을 전혀 배제할 수 없는 경우에도, 그러한 중첩 등에 대해서도 분산성이 높은 것으로 하는 것이다.

(2) 마스크의 제법

본 실시 형태에 있어서도, 마스크의 제조 방법으로서, 제1 실시 형태에서 설명한 동시 생성법과 패스마다의 생성법 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 단, 본 실시 형태에서는 동시 생성법과 패스마다의 생성법이 동일한 것은 되지 않는다. 이하, 이들의 방법에 대하여 차례로 설명한다.

동시 생성

도53은 본 실시 형태의 동시 생성법을 개념적으로 설명하는 도면이다.

이 도면에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 동시 생성법은, 1 패스째 내지 3 패스째용의 마스크인 마스크(C1, M1, Y1), (C2, M2, Y2) 및 (C3, M3, Y3)을, 스텝 1에서 동시에 생성한다. 그리고, 스텝 2에서 4 패스째에 이용하는 각각의 플레인의 마스크(C4, M4, Y4)를, 상기 1 패스째 내지 3 패스째의 마스크(C1, M1, Y1), (C2, M2, Y2) 및 (C3, M3, Y3)와 각각의 색이 보완의 관계를 갖도록 생성한다. 즉, 색마다, 4 패스째의 마스크는, 그 기록 허용 화소의 배치가 1 패스째 내지 패스째의 마스크의 기록 허용 화소의 배치와 배타적인 관계가 되도록 생성된다.

1 패스째 내지 3 패스째용의 마스크 생성에 있어서의 기록 허용 화소의 구체적인 배치의 방법은, 제1 실시 형태에서 설명한 「배치 이동법」 또는 「순차 이동법」중 어느 하나를 이하에 나타내도록 하여 이용할 수 있다.

(배치 이동법)

이 방법을 이용할 때의 처리는, 기본적으로 제1 실시 형태에 대하여 도8에서 설명하는 처리와 마찬가지이다. 즉, 도8의 스텝 S801과 같이 1 패스째 내지 3 패 스째의 각각의 색의 마스크(C1, M1, Y1), (C2, M2, Y2), (C3, M3, Y3) 각각의 플레인 사이즈에 대응한 C, M, Y 각각의 25 % 농도의 화상을 취득한다. 그리고, 스텝 S802와 같이 각각의 화상에 대하여 오차 확산법 등의 2치화 수법을 이용하여 2치화를 행한다. 이로써 각각의 마스크(C1, M1, Y1), (C2, M2, Y2), (C3, M3, Y3) 각각의 플레인에 대하여, 기록 허용 화소가 마스크 화소 전체의 25 %로 배치된 초기 배치를 얻을 수 있다.

다음에, 스텝 S803과 마찬가지로 상기한 바와 같이 하여 얻은 마스크(C1, M1, Y1), (C2, M2, Y2), (C3, M3, Y3) 각각의 플레인의 모든 기록 허용 화소에 대하여 척력 포텐셜을 계산한다.

이 척력 포텐셜의 계산에서, 제1 실시 형태의 처리와 다른 점은 다음과 같다. 예를 들어, 플레인 C2가 있는 허용 화소의 척력 포텐셜을 계산할 때, 다른 색의 다른 플레인의 거리 r에 있는 기록 허용 화소에 의한 영향 ; βE(r)의 가중 계수 β의 값은 실시 형태와 동일하게 1로 한다. 한편, 동일한 색의 다른 플레인 C1, C3에 있어서 거리 r에 있는 기록 허용 화소로부터의 영향 ; βE(r)의 가중 계수 β의 값은 2로 한다. 이로써, 동일한 색의 마스크를 중첩했을 때의 기록 허용 화소의 분산(β가 2)이, 다른 색의 기록 허용 화소와의 분산(β가 1)에 우선하여 확보된다.

다음에, 도8의 스텝 S804와 마찬가지로, 도10a 내지 도10d에서 설명한 바와 같이, 에너지 감쇠를 행한다. 여기에서, 제1 실시 형태와 다른 점은 다음과 같다. 즉, 지금까지의 처리에서 계산한 9 플레인의 모든 기록 허용 화소에 대하여 차례대 로, 그 기록 허용 화소로부터의 거리 r이 4 이내인 화소 중에서 척력 포텐셜이 가장 낮아지는 화소로 기록 허용 화소를 옮기지만, 그때, 동일한 색(플레인)에서의 기록 허용 화소의 중첩을 금지하는 점이다. 이로써 3 패스용의 동일한 색의 마스크 상호의 보완 관계를 얻을 수 있다.

(순차 배치법)

동시 생성에 있어서의 순차 배치법은, 제1 실시 형태에 대하여 도11에서 설명한 처리와 기본적으로 동일하다. 다른 점은, 상기 배치 이동법에서 설명한 것과 동일하다. 즉, 척력 포텐셜을 계산할 때의, 다른 색의 다른 플레인의 기록 허용 화소에 의한 영향 ; βE(r)의 가중 계수 β의 값을 1로 하는 동시에, 동일한 색의 다른 플레인에 있는 기록 허용 화소로부터의 영향 ; βE(r)의 가중 계수 β의 값을 2로 한다. 또한, 척력 포텐셜이 가장 낮아지는 화소에 그 주목 기록 허용 화소를 배치할 때, 동일한 색(플레인)에서의 기록 허용 화소의 중첩을 금지한다.

그리고, 이 배치가 각 플레인 25 %의 수를 배치하는 처리를 종료한다(도11의 스텝 S1106 참조).

패스마다의 생성

도54는 본 실시 형태의 패스마다의 생성법을 개념적으로 설명하는 도면이다.

이 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태의 동시 생성법은, 스텝 1에서 1 패스째용의 마스크(C1, M1, Y1)를 생성하고, 다음 스텝 2에서 2 패스째용의 마스크(C2, M2, Y2)를 생성하고, 또한 스텝 3에서 3 패스째용의 마스크(C3, M3, Y3)를 생성한다. 그리고, 스텝 4에서 4 패스째에 이용하는 각각의 플레인의 마스크(C4, M4, Y4)를, 상기 생성된 1 패스째 내지 3 패스째의 마스크(C1, M1, Y1), (C2, M2, Y2) 및 (C3, M3, Y3)와 각각의 색이 보완 관계를 갖도록 생성한다. 즉, 색마다 4 패스째의 마스크는, 그 기록 허용 화소의 배치가 1 패스째 내지 패스째의 마스크의 기록 허용 화소의 배치와 배타적인 관계가 되도록 생성된다.

1 패스째 내지 3 패스째용의 마스크의 생성에 있어서의 기록 허용 화소의 구체적인 배치의 방법은, 제1 실시 형태에서 설명한 「배치 이동법」 또는 「순차 이동법」중 어느 하나를 이하에 나타내도록 하여 이용할 수 있다.

(배치 이동법)

이 방법을 이용할 때의 처리는, 기본적으로 제1 실시 형태에 대하여 도8에서 설명한 처리와 마찬가지이다. 즉, 도8의 스텝 S801과 마찬가지로, 1 패스째의 각각의 색의 마스크(C1, M1, Y1) 각각의 플레인의 사이즈에 대응한 C, M, Y 각각의 25 % 농도의 화상을 취득한다. 그리고, 스텝 S802과 마찬가지로 각각의 화상에 대하여 오차 확산법 등의 2치화 수법을 이용하여 2치화를 행한다. 이로써 각각의 마스크(C1, M1, Y1) 각각의 플레인에 대하여, 기록 허용 화소가 마스크 화소 전체의 25 %로 배치된 초기 배치를 얻을 수 있다.

다음에, 스텝 S803과 마찬가지로 상기한 바와 같이 하여 얻은 마스크(C1, M1, Y1) 각각의 플레인의 모든 기록 허용 화소에 대하여 척력 포텐셜을 계산한다.

이 척력 포텐셜의 계산에서, 제1 실시 형태의 부여 처리와 다른 점은, 전술한 동시 생성에 있어서의 배치 이동법과 동일하다. 즉, 어떤 허용 화소의 척력 포텐셜을 계산할 때, 다른 색의 다른 플레인의 거리 r에 있는 다른 기록 허용 화소에 의한 영향 ; βE(r)의 가중 계수 β의 값은 실시 형태와 동일하게 1로 한다. 한편, 동일한 색의 다른 플레인에 있어서 거리 r에 있는 기록 허용 화소로부터의 영향 ; βE(r)의 가중 계수 β의 값은 3으로 한다. 이로써 동일한 색의 마스크를 중첩했을 때의 기록 허용 화소의 분산(β가 3)이, 다른 색의 기록 허용 화소와의 분산(β가 1)에 우선하여 확보된다. 또한, 다른 색의 플레인으로부터의 영향 ; βE(r)의 계수 β의 값이 제1 실시 형태와 동일하게 1인 것에 의해, 예를 들어 C, M, Y 각각의 기록 허용 화소의 집중이 분산성이 높게 배치되는 패턴을 구할 수 있다.

이상과 같이 하여 1 패스째의 마스크(C1, M1, Y1)의 기록 허용 화소의 배치를 얻으면, 이하, 마찬가지로 하여, 2 패스째(스텝2), 3 패스째(스텝3)의 마스크 패턴을 구한다. 이때, 기록 허용 화소를 배치할 때(도8의 스텝 S804 참조), 지금까지 생성된 패스의 패턴 ; 기록 허용 화소의 배치는 고정한다. 이로써 1 패스째 내지 3 패스째까지의 마스크 패턴 상호 보완성을 보증할 수 있다.

(순차 배치법)

패스마다의 생성에 있어서의 순차 배치법은, 제1 실시 형태에 대하여 도11에서 설명한 처리와 기본적으로 동일하다. 다른 점은, 상기 배치 이동법에서 설명한 것과 같다. 즉, 척력 포텐셜을 계산할 때의, 다른 색의 다른 플레인의 기록 허용 화소에 의한 영향 ; βE(r)의 가중 계수 β의 값을 1로 하는 동시에, 동일한 색의 다른 플레인에 있는 기록 허용 화소로부터의 영향 ; βE(r)의 가중 계수 β의 값을 3으로 한다. 또한, 척력 포텐셜이 가장 낮아지는 화소에 그 주목 기록 허용 화소를 배치할 때, 지금까지 생성된 패스의 패턴 ; 기록 허용 화소의 배치는 고정한다. 이로써 1 패스째 내지 3 패스째까지의 마스크 패턴 상호의 보완성을 보증할 수 있다.

(3) 마스크 특성 평가

도55 내지 도57은, 상술한 어느 한 제법에 의해 제조된 본 실시 형태의 1 플레인분의 적층 마스크 C1, M1, Y1 각각의 기록 허용 화소의 배치 패턴을 도시한 도면이다. 각 마스크 패턴은 128 × 256의 화소의 영역을 가진 것이다.

이들의 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태의 마스터 패턴은, 특히 계수 α의 효과에 의해 동일 플레인 내의 분산성을 고려한 기록 허용 화소가 배치되어 있으므로, 전체적으로는 매끄러운 인상을 받는다.

도58 내지 도60은, 본 실시 형태의 적층 마스크를 각각 3개(C1, M1, Y1), 6개(C1, M1, Y1, C2, M2, Y2) 및 9개(C1, M1, Y1, C2, M2, Y2, C3, M3, Y3)를 정규인 위치에서 중첩했을 때의 「중합」패턴을 도시한 도면이다. 이들의 적층 마스크를 복수 중첩했을 때의 「중합」패턴은, 그들의 마스크의 논리합 패턴을 옅은 농도로, 논리곱 패턴을 보다 짙은 농도로 나타내고 있다.

이들의 도면에 도시하는 「중합」의 패턴은, 본 실시 형태의 마스크를 이용하여 기록을 행할 때의 각각 중간 화상의 잉크 도트의 패턴에 가까운 것을 나타내고 있다. 따라서, 이들의 패턴으로부터도, 중간 화상에 있어서의 잉크 도트나 그들의 중첩이 양호하게 분산되어 있는 것을 알 수 있다.

어긋남에 의한 평가

본 실시 형태에 관한 4 패스용 적층 마스크에 대해서도, 상기한 제1 실시 형태와 마찬가지의 어긋남에 의한 평가를 행한다.

도61은, 도58에 도시한 3개의 적층 마스크(C1, M1, Y1)의 각각을 어긋나게 하여 중첩했을 때의 「중합」의 패턴을 도시한 도면이다. 또한, 도62는 도59에 도시한 6개의 적층 마스크(C1, M1, Y1, C2, M2, Y2)의 각각을 어긋나게 하여 중첩했을 때의 「중합」의 패턴을 도시한 도면이다. 또한, 도63은 도60에 도시한 9개의 적층 마스크(C1, M1, Y1, C2, M2, Y2, C3, M3, Y3)의 각각을 어긋나게 하여 중첩했을 때의 「중합」의 패턴을 도시한 도면이다.

이들의 도면으로부터 명백한 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 마스크의 겹침 위치를 어긋나게 한 중합 패턴(도61 내지 도63)이 모두, 겹침 위치를 어긋나게 하지 않은 패턴(도58 내지 도60)에 비해 분산성이 저하되고, 패턴을 관찰하였을 때의 거칠거칠한 감이 늘고 있다.

도64는, 이상의 어긋남에 의한 평가를 저주파수 성분의 양으로 나타낸 도면이다. 여기에서는, 상술한 3개(C1, M1, Y1), 6개(C1, M1, Y1, C2, M2, Y2) 및 9개(C1, M1, Y1, C2, M2, Y2, C3, M3, Y3)의 적층 마스크 각각에 대하여, 「중합」패턴을 어긋나게 한 경우(도61 내지 도63)와 어긋나게 하지 않은 경우(도58 내지 도60)의 저주파수 성분의 양을 비교하여 나타내고 있다.

이 도면에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 마스크의 경우, 어긋나게 한 것은 어떠한 패턴에 있어서도, 어긋나게 하지 않은 경우(즉, 정규인 위치에서 중첩한 경우)와 비교하여, 저주파수 성분의 양이 많아지는 것을 알 수 있다.

이상과 같이, 마스크를 중합하는 경우에, 그 겹침 위치를 어긋나게 했을 때 분산성에 영향을 미치는 평가치가 크게 변화되는지 여부에 의해, 본 발명을 적용한 마스크인지 여부를 판단할 수 있는 것은 전술한 바와 같다.

또한, 본 실시 형태에 있어서의 마스크 패턴은, 가로 : 256 화소 × 세로 : 128 화소의 사이즈로 되어 있으며, 종횡의 사이즈가 다르다. 이러한 패턴에 대하여 주파수 성분을 구할 때는, 마스크 패턴의 종횡 사이즈를 일치시킨 후 주파수 성분을 구하도록 한다. 본 실시 형태에서는 종횡 사이즈를 길이 방향의 사이즈(본 실시 형태의 경우, 가로 방향의 256 화소)에 일치시키기 위해, 세로에 패턴을 반복하고, 256 화소 × 256 화소의 패턴으로서 주파수 성분을 평가했다.

그 밖의 사이즈의 경우도 마찬가지이며, 종횡 사이즈를 길이 방향의 사이즈로 일치시킨 패턴에 대하여 주파수 성분을 평가한다. 구체적으로는, 패턴의 짧은 방향의 사이즈가 길이 방향의 사이즈 이상이 될 때까지 짧은 방향으로 패턴을 반복하고, 그 중에서 패턴을 추출하고, 그 추출한 패턴에 대하여 평가한다. 그때, 주파수 변환을 행할 때에 고속 프리에 변환을 사용할 수 있도록, 종횡 사이즈는 2의 n승(n은 플러스인 정수)인 것이 바람직하다. 2의 n승이 아닌 경우에는, 길이 방향의 사이즈에 가장 가까운 2의 n승을 특별히 정하고, 그 특정한 2의 n승의 사이즈로 추출하도록 패턴을 종횡으로 반복한다. 그리고, 이 반복에 의해 생성된 패턴 중에서, 상기 특정한 2의 n승의 사이즈의 패턴을 추출하고, 그 추출한 패턴에 대하여 평가를 행한다. 예를 들어, 마스크 패턴이 가로 : 500 화소 × 세로 : 320 화소인 경우에 대하여 고려한다. 이 경우, 길이 방향의 사이즈는 「500」이므로, 이 「500」에 가장 가까운 2의 n승을 특정한다. 가장 가까운 2의 n승은 「512」로 특정된다. 그래서, 512 화소 × 512 화소의 패턴을 추출하기 위해, 가로 방향과 세로 방향으로 1회씩 패턴을 반복하고, 1000 화소 × 640 화소의 패턴을 생성한다. 이렇게 하여 생성된 1000 화소 × 640 화소의 패턴 중에서 512 화소 × 512 화소의 패턴을 추출하고, 추출한 패턴에 대하여 평가를 행한다.

[제3 실시 형태 : 2 패스 기록용 100 % 그라데이션 마스크]

본 실시 형태는, 소위 그라데이션 마스크에 관한 것이다. 그라데이션 마스크는, 예를 들어 특허 문헌 3에 의해 알려진 것이다. 그라데이션이라 함은 노즐열 단부의 기록률이 낮게, 중앙부의 기록률이 높게 설정되어 있는, 노즐 위치에 따라 기록률이 다른 마스크이다. 이 마스크에 따르면, 멀티패스 기록으로 각 패스의 기록 영역의 경계에서 폐해의 원인이 되기 쉬운 단부 노즐의 토출을 그 빈도를 상대적으로 적게 함으로써, 화상 품위를 향상되게 하는 효과를 얻을 수 있다.

여기에서, 상술한 마스크 패턴의 「기록률」이란, 마스크 패턴에 있어서의 일정한 영역에 포함되는 전체 화소수(기록 허용 화소와 비기록 허용 화소의 합)에 대한 기록 허용 화소수의 비율이다. 예를 들어, 단일 노즐에 대응하는 마스크 패턴의 기록률이라 함은, 그 단일 노즐에 대응하는 영역(단일 러스터 영역)에 포함되는 전체 화소수에 대한 기록 허용 화소의 비율이다.

이러한 마스크의 경우, 노즐열 전체에 대응한 마스크 패턴을 공간 주파수로 보았을 때, 영역마다의 기록률의 변화에 기인한 저주파수 성분의 증대가 보인다. 그러나, 이러한 기록률이 서서히 변화되는 기록 허용 화소의 배치를 허용하면서, 그 이외의 불필요한 저주파 성분이 억제된 마스크 패턴이 실현되면, 그레인의 발생을 억제할 수 있다고 하는 본 발명의 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 마스크에 있어서 변화되는 기록률의 각각에 대응한 복수개 영역 각각에서 분산성을 높게 유지하면서, 각 영역 간에서는 기록률에 변화를 갖게 한 그라데이션 마스크로 함으로써, 본 발명과 특허 문헌 3에 기재된 쌍방의 효과를 얻는 것이 가능해진다.

도65a 및 도65b는, 본 실시 형태에 관한 그라데이션 마스크의 노즐 위치에 대응시킨 기록률, 및 2 플레인의 서로 배타적인 마스크 패턴을 도시한 도면이다.

이 2 플레인의 마스크는, 본 실시 형태의 경우, 시안의 2 플레인의 마스크 C1, C2, 마젠타의 2 플레인의 마스크 M1, M2, 또는 옐로우의 2 플레인의 마스크 Y1, Y2이다. 이들의 마스크 중, 도면에서는 대표적으로 시안의 마스크 C1, C2를 나타내고 있다. 그리고, 상기한 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 이들 6개의 마스크의 기록 허용 화소의 배치는 서로 분산된 것으로 되어 있다.

이들의 도면에 도시한 바와 같이, 각 주사에서는, 번호 0 내지 255의 노즐이 마스크 C2에 대응하고, 번호 256 내지 511의 노즐이 마스터 C1에 대응하여 기록이 행해진다. 또한, 전술한 바와 같이 마스크 C1과 마스크 C2는 보완 관계에 있다. 그리고, 주사와 주사 사이에는, 256개분의 노즐 배열의 길이에 대응한 양만큼 기록 매체가 반송된다. 이와 같이 주사와 반송을 반복함으로써, 상기 256개분의 노즐 배열에 대응한 영역을 마스크 C1과 마스크 C2에서 보완하는 2 패스 기록이 행해진다.

도65a에 도시한 바와 같이, 마스크 C1 및 마스크 C2는 각각 기록률이 0.3에서 0.7까지 러스터(노즐)마다 변화되는 동시에, 각각의 플레인 전체에서 합계 50 %의 기록률을 갖는다. 이로써 마스크의 각 러스터의 기록 허용 화소의 수는, 상기 기록률에 의해 정해진다. 예를 들어, 기록률이 0.4(40%)의 러스터에서는, 그 마스크의 러스터 방향 사이즈가 1000 화소라고 하면, 약 400개의 기록 허용 화소가 배치된다.

(2) 마스크의 제법

본 실시 형태에 관한 마스크의 제조 방법은, 기본적으로 제1 실시 형태에서 설명한 방법과 같은 방법을 이용할 수 있다. 즉, 모든 플레인을 동시에 생성하는 방법과, 패스마다 차례로 마스크를 생성하는 방법의 2개의 방법 중 어느 하나라도 실시할 수 있다. 본 실시 형태의 2 패스 기록의 경우, 제1 실시 형태에서 상술한 바와 같이, 동시 생성과 패스마다의 생성 방법은 동일한 것이 된다. 또한, 상기 2개의 생성 방법 각각에 대하여, 배치 이동법과 순차 배치법을 모두 실시할 수 있는 것도 동일하다. 이하, 본 실시 형태에 관한 배치 이동법과 순차 배치법을 차례로 설명한다.

배치 이동법

도66은, 본 실시 형태의 2 패스 기록에 이용하는 그라데이션 마스크의 기록 허용 화소의 배치 이동법에 의한 배치 결정 처리를 도시하는 흐름도이다. 이 도66에 도시하는 처리는, 기본적으로 제1 실시 형태에 관하여 도8에 도시한 처리와 마찬가지이다. 이하에서는, 다른 점을 주로 설명한다.

스텝 S6601, S6602의 처리는, 도8에 도시한 스텝 S801, S802의 처리와 마찬가지이다. 또한, 스텝 S6603의 처리도, 스텝 S803의 처리와 마찬가지이며, 마스크 C1, M1, Y1 각각의 플레인에서 상기한 바와 같이 러스터마다 배치된 모든 기록 허용 화소에 대하여 척력 포텐셜을 계산한다.

다음에 스텝 S6604에서, 도8의 스텝 S804와 동일하게, 각 플레인의 기록 허용 화소에 대하여 상기한 바와 같이 하여 얻을 수 있는 척력 포텐셜을 3개의 플레인 C1, M1 및 Y1에 대하여 합계하여 총 에너지를 구한다. 그리고, 도10a 내지 도10d에서 상술한 바와 같이, 기록 허용 화소의 배치를 이동시켜 간다.

그때, 가장 포텐셜 에너지가 낮은 위치로 이동시키면 그 러스터의 상술한 배치 수의 제한을 넘을 때는, 그 러스터로는 이동시키지 않고 배치수가 제한 이내가 되는 러스터로, 다음에 에너지가 낮은 화소가 있는 러스터의 그 에너지가 낮은 화소로 이동시킨다. 이로써 러스터마다의 기록률을 유지하면서 분산성이 높은 기록 허용 화소의 배치를 얻을 수 있다.

이하는, 도8의 처리와 동일하도록, 총 에너지의 저하율을 계산하고, 그것이 소정치 이하라고 판단하면, 에너지 감쇠 처리를 종료한다. 그리고, 총 에너지의 저하율이 소정치 이하가 된 상태의 각 플레인을 1 패스째의 마스크 C1, M1, Y1로서 설정한다. 또한, 이들 마스크의 기록 허용 화소의 배치에 대한 각각 배타적 위치를 기록 허용 화소의 배치로 한 2 패스째의 마스크 C2, M2, Y2를 설정한다. 또한, 여기에서도, 상술한 제1 실시 형태와 같이, 에너지의 감쇠 처리를 종료시키는지 여부의 판단을, 총 에너지의 저하율로 판단하는 것은 아니고, 총 에너지 소정치 이하 가 되었는지 여부에 의해 판단하도록 해도 좋다.

순차 배치법

이 방법도, 기본적으로 제1 실시 형태에 관하여 도11에서 상술한 방법과 동일하다. 도67은, 본 실시 형태의 순차 배치법에 의한 기록 허용 화소의 배치 결정 처리를 도시하는 흐름도이다.

도67의 스텝 S6701 내지 S6703, S6705, S6706 및 S6707의 처리는, 도11의 S1101 내지 S1103, S1105, S1106 및 S1107의 처리와 동일하다.

다른 점은, 스텝 S6704에서, 플레인 내에서 최소 에너지의 화소에 기록 허용 화소를 마련할 때에, 상술한 바와 같이 기록률에 따라서 정해지는 러스터마다의 배치수를 넘을 때는, 배치수의 제한 이내인 러스터이고, 다음에 에너지가 낮은 화소가 있는 러스터인 그 에너지가 낮은 화소에 배치하는 점이다. 이로써 기록률을 러스터마다 변화시키면서, 분산성이 높은 그라데이션 마스크를 얻을 수 있다.

또한, 상술한 어떠한 제법의 예에서도, 러스터마다 배치 수를 관리하는 것으로 했지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 마스크 패턴을 소정의 복수의 러스터마다 기록률을 정하는 경우에는, 그 복수의 러스터마다 배치 수의 제한을 행하도록 한다.

(3) 마스크 특성 평가

도68 내지 도70은, 상술한 어느 한 제법에 의해 제조된 본 실시 형태의 1 플레인분의 마스크 C1, M1, Y1 각각의 기록 허용 화소의 배치 패턴을 도시한 도면이다. 각 마스크 패턴은, 256 × 256의 화소의 영역을 가진 것이다.

이들의 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태의 마스크의 패턴은, 특히 계수 α의 효과에 의해 동일 플레인 내의 분산성을 고려한 기록 허용 화소가 배치되어 있으므로, 그라데이션이 갖는 기록 허용 화소의 치우침을 제외하고, 기록 허용 화소의 분산에 치우침이 없어, 전체적으로는 매끄러운 인상을 받는다.

도71 및 도72는, 도68 및 도69에 도시한 본 실시 형태의 적층 마스크 C1, M1의 각각 논리합 패턴 및 논리곱 패턴을 도시한 도면이다.

도71 및 도72에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태의 2개의 마스크를 중첩한 경우의 기록 허용 화소의 배치(논리합)와, 그 중에서 기록 허용 화소가 겹친 것을 추출한 것의 배치(논리곱)는, 그라데이션에 의한 분산의 치우침을 제외하고, 어디에도 분산이 좋아 거칠거칠한 감이 없는 것으로 되어 있다. 이것은, 전술한 바와 같이 2개의 플레인 상호에서 기록 허용 화소의 분산을 고려(계수 β)하는 동시에, 중첩 자체의 분산을 고려[계수 γs(n)]하고 있기 때문이다.

도73 및 도74는, 본 실시 형태의 적층 마스크를 각각 2개 및 3개 중첩했을 때의 「중합」패턴을 도시한 도면이다. 적층 마스크 C1, M1을 중첩했을 때의 「중합」패턴은, 이들 2개의 마스크의 논리합 패턴(도71)을 옅은 농도로, 논리곱 패턴(도72)을 보다 짙은 농도로 나타내고 있다. 또한, 적층 마스크 C1, M1, Y1을 중첩했을 때의 「중합」패턴은, 이들 3개의 마스크의 논리합 패턴을 옅은 농도로, 논리곱 패턴을 보다 짙은 농도로 나타내고 있다.

도73 및 도74에 나타내는 「중합」의 패턴은, 본 실시 형태의 마스크를 이용하여 기록을 행할 때의 각각 중간 화상의 잉크 도트의 패턴에 가까운 것을 나타내 고 있다. 따라서, 이들의 패턴으로부터도, 중간 화상에 있어서의 잉크 도트나 그들의 중첩이 양호하게 분산되어 있는 것을 알 수 있다.

어긋남에 의한 평가

본 실시 형태에 관한 그라데이션 마스크에 대해서도, 상기한 각 실시 형태와 마찬가지로 어긋남에 의한 평가를 행한다.

도75 내지 도77은, 도68, 도69에 도시한 마스크 C1, M1을 어긋나게 하여 중첩했을 때의 논리합, 논리곱 및 「중합」의 패턴을 도시한 도면이다. 이들의 도면으로부터 명백한 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 마스크 C1, M1의 겹침 위치를 어긋나게 한 경우의 논리합, 논리곱, 「중합」의 패턴은, 정규인 위치에서 중첩한 각종 패턴(도71 내지 도73)에 비교하여, 분산성이 저하되어, 패턴을 관찰하였을 때의 거칠거칠한 감이 늘고 있다.

도78은, 적층 마스크 C1, M1, Y1을 어긋나게 하여 중첩했을 때의 「중합」의 패턴을 도시한 도면이다. 이 도면으로부터 명백한 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 마스크 C1, M1, Y1의 겹침 위치를 어긋나게 한 경우의 「중합」패턴도, 정규인 위치에서 중첩한 패턴(도74)에 비교하여, 분산성이 저하되어, 패턴을 관찰하였을 때의 거칠거칠한 감이 늘고 있다.

도79 내지 도81은, 겹침 위치를 어긋나게 한 경우와 중첩 위치를 어긋나게 하지 않은 경우(즉, 정규인 위치에서 중첩한 경우)의 파워 스펙트럼을 비교한 도면이다. 자세한 것은, 본 실시 형태의 2개의 적층 마스크 C1, M1의 논리합, 논리곱, 및 [중합] 패턴을 어긋나게 한 경우와 어긋나게 하지 않은 경우의 파워 스펙트럼을 나타낸 도면이다. 또한, 도82는 본 실시 형태의 3개의 적층 마스크의 [중합] 패턴을 어긋나게 한 경우와 어긋나게 하지 않은 경우의 파워 스펙트럼을 도시한 도면이다.

이들의 도면에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 마스크는 논리합, 논리곱, 및 [중합] 중 어떠한 경우도, 어긋나게 한 경우의 저주파수 성분은, 어긋남 없음의 경우에 비교하여 커진다. 이것은, 상술한 바와 같이, 적층 마스크는 다른 플레인 간에서도 분산을 고려하고 있으므로, 그 분산을 고려할 때의 정규인 겹침 쪽과는 다른 겹침 쪽으로 하였을 때는, 분산성이 크게 저하하기 때문이다.

또한, 각각 도면의 어긋남 없음의 파워 스펙트럼에 있어서, 공간 주파수가 1에서 20 부근에서 파워가 커지고 있다. 이것은, 그라데이션 마스크로서 기록률을 변화시키고 있는 것에 기인하는 것이다. 즉, 이러한 비교적 작은 공간 주파수, 즉 큰 주기의 기록 허용 화소의 배치의 치우침은, 곧 그라데이션으로서 인식되는 것이며, 이것은 본 발명에서 제어하려고 하는 불필요한 저주파수 성분의 치우침으로서 인식되는 것은 아니다.

도83은, 이상의 어긋남에 의한 평가를 저주파수 성분의 양으로 나타낸 도면이다. 여기에서는, 본 실시 형태의 2개의 적층 마스크 C1, M1의 논리합, 논리곱, 「중합」의 패턴, 및 마스크 C1, M1, Y1의 「중합」패턴에 대하여, 어긋나게 한 경우와 어긋나게 하지 않은 경우의 저주파수 성분의 양을 비교하여 나타내고 있다.

도83에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 마스크의 경우, 어긋나게 한 것은 마스크 C1, M1의 각각 논리합, 논리곱, 「중합」의 패턴 및 마스크 C1, M1, Y1의 「중합」패턴 중 어떠한 것에 있어서도, 어긋나게 하지 않은 경우와 비교하여, 저주파수 성분의 양이 많아지는 것을 알 수 있다.

[제4 실시 형태 : 2 패스 기록용 150 % 균등 마스크]

전술한 각 실시 형태에서는 동일한 색의 복수의 플레인의 마스크는 서로 보완 관계에 있으며, 기록 허용 화소의 배치는 플레인 간에서 배타적인 것이다. 본 발명의 적용은 이러한 마스크 한정되지 않는다. 동일한 색의 복수의 마스크 각각의 기록률을 맞췄을 때에 100 %을 넘는 복수 플레인의 마스크에도 본 발명을 적용할 수 있다. 100 %를 넘는 마스크를 사용하면, 화상 데이터의 해상도가 낮은 경우라도, 최대 잉크 주입량을 늘릴 수 있다.

본 발명의 제4 실시 형태는, 2 패스 기록에 이용되는 동일색의 2개의 플레인이 각각 75 퍼센트의 기록률을 갖고, 합쳐서 150 %의 기록률이 되는 마스크에 관한 것이다.

도84는, 이 2 패스 기록에 이용하는 마스크를 개념적으로 설명하는 개략도이다. 도84에 있어서, 부호 P0001은 C, M, Y 중, 1개의 색의 기록 헤드를 나타내고, 여기에서는 도시한 간략화를 위해 8개의 노즐을 갖는 것으로서 나타내고 있다. 노즐은, 제1 및 제2의 2개의 그룹으로 분할되어, 각 노즐 그룹에는 각각 4개의 노즐이 포함된다. 부호 P0002A 및 P0002B는, 이 제1 및 제2 그룹의 노즐열에 각각 대 응한 마스크 패턴을 도시한다. 즉, 제1 주사에서 이용하는 마스크 패턴(P0002A)(이 도면 중, 하측 패턴)과 제2 주사에서 이용하는 마스크 패턴(P0002B)(이 도면 중, 상측 패턴)이다. 이들이 각각 1 플레인의 마스크가 된다. 각각의 마스크 패턴은, 기록 허용 화소가 검게 표시되어 있으며, 비기록 허용 화소가 희게 표시되어 있다. 제1 주사용의 마스크 패턴(P0002A)과 제2 주사용의 마스크 패턴(P0002B)은 각각 75 %의 기록률, 즉 각각의 패턴에 있어서의 모든 마스크 화소에 대한 기록 허용 화소의 수의 비율이 75 %의 패턴이다. 따라서, 이들을 중합하면 기록 허용 화소가 4 × 4의 영역에 대하여 150 %, 즉 중첩을 포함한 패턴이 된다. 또한, 도면에 도시하는 패턴은 설명을 쉽게 하기 위해, 이하에서 나타내는 본 실시 형태의 마스크 패턴과는 달리 개념적으로 도시하는 패턴으로 하고 있다.

부호 P0003 및 P0004는 2 패스 기록에 의해 완성되는 화상을, 그것을 구성하는 도트 배치로 나타내고 있다. 화소에 도트가 1개 배치되는 경우에는 「1」, 도트가 2개 배치되는 경우에는 「2」로서 나타내고 있다. 또한, 이 화상은, 설명을 쉽게 하기 위해, 모든 화소에 도트를 형성하는 소위 베타 화상이며, 따라서 그 도트 기록 데이터의 생성에 이용하는 마스크(P0002)의 기록 허용 화소의 배치가 그대로 반영된 도트 배치를 나타내고 있다. 제1 주사에서는, 제1 그룹의 도트 기록 데이터는 마스크 패턴(P0002A)을 이용하여 생성된다. 이로써, 베타 화상의 경우에는 전체 화소의 75 %의 도트가 메워지는 화상이 형성된다. 그리고, 기록 매체는 도면 중, 상방에 노즐 그룹의 폭만큼 반송된다.

다음의, 제2 주사에서는 상기 반송량만큼 어긋난 영역에 대한 제1 그룹의 도 트 기록 데이터는, 동일하게 마스크 패턴(P0002A)을 이용하여 생성되고, 상기 제1 그룹에서 기록된 영역에 대한 제2 그룹의 도트 기록 데이터는, 마스크 패턴(P0002B)을 이용하여 생성된다. 이 2회의 기록 주사에 의해 화상이 완성된다. 이때, 완성된 화상은 베타 화상의 경우, 전체 화소의 150 %의 1 도트가 메워지는 화상이 형성된다.

본 실시 형태의 마스크의 제조 방법은, 기본적으로 제1 실시 형태와 마찬가지로 행할 수 있다.

다른 점은, 동시 생성법 및 패스마다의 생성 중 어떠한 경우도(도7 참조), 스텝 1에서 1 패스째의 75 % 마스크 패턴을 생성한 후, 스텝 2에서는 제1 실시 형태와 같이 배타 위치에 기록 허용 화소를 배치하는 것은 아니며, 스텝 1과 같은 처리 반복 75 %의 2 패스째의 마스크 패턴을 생성한다. 이하, 더욱 구체적으로 배치법인 배치 이동법과 순차 배치법에 대하여, 제1 실시 형태와 다른 점에 대해 설명한다.

배치 이동법

본 실시 형태의 배치 이동법도 제1 실시 형태에 관한 도8의 처리와 기본적으로 마찬가지의 처리를 행한다. 다른 것은, 스텝 S801과 마찬가지의 처리에서는, 상기 스텝 1 및 2 중 어떠한 생성에서도, 초기 배치로서 각 플레인에 대하여, 75 %의 2치 데이터를 구한다. 또한, 스텝 2의 생성으로, 도8의 스텝 S804와 마찬가지의 처리에서는, 기록 허용 화소의 이동 시에, 동일한 색의 다른 플레인의 기록 허용 화소와의 중첩을 금지하지 않는다. 즉, 에너지가 가장 낮은 위치로 이동시키려 고 하였을 때, 그 위치에서 동일한 색의 다른 플레인의 기록 허용 화소와 겹쳐도 그곳에 배치한다. 이로써, 2개의 마스크를 중첩한 것이 100 %의 기록률을 넘은 150 %의 기록률의 마스크를 생성 할 수 있다.

순차 배치법

순차 이동법에 대해서도 제1 실시 형태에 관한 도11에 나타낸 처리와 기본적으로 같은 처리를 행한다. 다른 것은, 스텝 S1106과 마찬가지의 처리에서는, 상기 스텝 1 및 2 중 어떠한 생성에서도, 75 %까지 기록 허용 화소가 배치되었는지 여부를 판단한다. 또한, 상기 스텝 2의 2 패스째용의 마스크 생성에서는, 도11의 스텝 S1104와 마찬가지의 처리에서, 기록 허용 화소를 배치할 때에, 동일한 색의 다른 플레인의 기록 허용 화소와의 중첩을 금지하지 않는다. 즉, 에너지가 가장 낮은 위치에 배치하자고 하였을 때, 그 위치에서 동일한 색의 다른 플레인의 기록 허용 화소와 겹쳐도 그곳에 배치한다. 이에 의해, 2개의 마스크를 중첩한 것이 100 %의 기록률을 넘은 150 %의 기록률의 마스크를 생성할 수 있다.

이상의 제법에 의해 제조한 마스크를 이용하면, 도트가 2개 배치되는 장소(화소의 위치)의 분산성을 향상시킬 수 있다.

[제5 실시 형태 : 클러스터 사이즈가 m × n인 마스크]

본 발명은, m × n개의 기록 허용 화소를 1개의 단위로 하는, 소위 클러스터 마스크에 대해서도 적용할 수 있다.

도85는, 2 패스 기록용의 클러스터 사이즈가 1 × 2인 100 % 균등 마스크의 개념을 설명하는 도면이다. 도85에 있어서, 부호 P0001은 C, M, Y 중, 1개의 색의 기록 헤드를 나타내고, 여기에서는 도시의 간략화를 위해 8개의 노즐을 갖는 것으로 하여 나타내고 있다. 노즐은, 제1 및 제2의 2개의 그룹으로 분할되고, 각 노즐 그룹에는 각각 4개의 노즐이 포함된다. 부호 P0002A 및 P0002B는, 이 제1 및 제2 그룹의 노즐 열에 각각 대응한 마스크 패턴을 나타낸다. 즉, 제1 주사에서 이용하는 마스크 패턴(P0002A)(이 도면 중, 하측 패턴)과 제2 주사에서 이용하는 마스크 패턴(P0002B)(이 도면 중, 상측 패턴)이다. 이들이 각각 1 플레인의 마스크가 된다. 각각의 마스크 패턴은, 1 × 2 사이즈의 클러스터 기록 허용 화소가 검게 표시되어 있으며, 1 × 2 사이즈의 클러스터 비기록 허용 화소가 희게 표시되어 있다. 제1 주사용의 마스크 패턴(P0002A)과 제2 주사용의 마스크 패턴(P0002B)은 각각 50 %의 기록률의 패턴이다. 따라서, 이들을 중합하면 클러스터 기록 허용 화소가 4 × 4인 영역에 대하여 100 %의 패턴이 된다.

부호 P0003 및 P0004는, 2 패스 기록에 의해 완성되는 화상을, 그것을 구성하는 1 × 2개의 도트를 단위로 하는 배치로 나타내고 있다. 또한, 이 화상은, 설명을 쉽게 하기 위해, 모든 화소에 도트를 형성하는 소위 베타 화상이며, 따라서 그 도트 기록 데이터의 생성에 이용하는 마스크(P0002)의 기록 허용 화소의 배치가 그대로 반영된 도트 배치가 된다. 제1 주사에서는, 제1 그룹의 도트 기록 데이터는, 마스크 패턴(P0002A)을 이용하여 생성된다. 이로써 베타 화상의 경우에는 전체 화소의 50 %의 도트가 메워지는 화상이 형성된다. 그리고, 기록 매체는 도면 중, 상방에 노즐 그룹의 폭만큼 반송된다. 다음의, 제2 주사에서는, 상기 반송량만큼 어긋난 영역에 대한 제1 그룹의 도트 기록 데이터는, 동일하게 마스크 패 턴(P0002A)을 이용하여 생성되고, 상기 제1 그룹에서 기록된 영역에 대한 제2 그룹의 도트 기록 데이터는, 마스크 패턴(P0002B)을 이용하여 생성된다. 이 2회의 기록 주사에 의해 화상이 완성된다. 이때 완성된 화상은, 베타 화상의 경우 전체 화소의 100 %에 1 × 2개 단위의 도트가 메워지는 화상이 형성된다.

이상의 설명으로부터도 명백한 바와 같이, m × n(본 실시 형태에서는 1 × 2) 사이즈의 기록 허용 화소를 1 단위로 할 때, 제1 실시 형태에서 설명한 것과 마찬가지로 마스크를 제조할 수 있는 것은 쉽게 이해할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 마스크는, 제1 실시 형태에서 설명한 효과와 대략 동일한 효과를 얻을 수 있다.

[다른 실시 형태]

상술한 실시 형태 이외에, 예를 들어 제2 실시 형태에 나타낸 4 패스의 형태와 각각 제3 실시 형태, 제4 실시 형태, 제5 실시 형태와의 조합도 가능하여, 또한 제3 실시 형태에 나타낸 그라데이션의 형태와 각각 제4 실시 형태, 제5 실시 형태와의 조합도 가능하다. 또한, 제4 실시 형태와 제5 실시 형태와의 조합도 가능하며, 이들의 조합은 각각의 실시 형태의 설명과 같이 실시할 수 있다.

또한, 본 발명에서 적용할 수 있는 잉크의 종류는, 상술한 실시 형태에서 설명한 잉크의 종류에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, CMY의 기본색보다도 농도가 낮은 연한 잉크(연한 시안 잉크, 연한 마젠타 잉크)나 레드, 블루, 그린 등의 특색 잉크를 더 첨가하여 이용할 수 있다.

또한, 본 발명은 기록 장치에서 이용하는 복수 종류의 잉크 전부에 대하여, 전술한 실시 형태에서 설명한 적층 마스크를 적용해도 좋고, 혹은 기록 장치에서 이용하는 복수 종류의 잉크 일부의 잉크 조합에 대하여, 적층 마스크를 적용해도 좋다.

예를 들어, 시안(C), 마젠타(M), 옐로우(Y), 블랙(K), 연한 시안(Lc), 연한 마젠타(Lm)의 6색 잉크를 이용하는 경우, 이들 6색 전부에 대하여 적층 마스크를 적용해도 좋다. 이 경우, 6색분의 적층 마스크를 상기 실시 형태에서 설명한 제법에 의해 생성하게 된다.

한편, 이들 6색 중 일부의 색(2색, 3색, 4색, 5색)의 조합에 대하여 적층 마스크를 적용해도 좋다. 이 경우, 2개의 형태가 고려된다. 제1 형태는, 상기 일부의 색만큼만 적층 마스크를 생성하고, 그 이외의 색에 대한 마스크 제법과 상관없는 형태이다. 예를 들어, 6색 중 3색(예를 들어, CMY)에 대해서는 전술한 실시 형태에서 설명한 제법에 의해 적층 마스크를 생성하고, 그 이외의 3색(KLcLm)에 대해서는 주지의 제법에 의해 마스크를 생성한다. 제2 형태는, 상기 일부의 색만큼만 적층 마스크를 생성하고, 그 이외의 색에 대해서는 상기 일부의 색을 위해 생성한 적층 마스크 중에서 선택한 것을 할당하는 형태이다. 예를 들어, 6색 중 CMY의 3색에 대해서는 전술한 실시 형태에서 설명한 제법에 의해 적층 마스크를 생성하고, 그 이외의 3색(KLcLm)에 대해서는 CMY로 인해 생성한 적층 마스크 중에서 선택한 것을 적용한다.

또한, 전술한 실시 형태에서는 다른 잉크 색의 조합에 대하여 적층 마스크를 적용하는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 이 형태에 한정되는 것은 아니다. 동일한 색으로 직경이 다른 도트(토출 체적이 다른 동일색 잉크)를 이용하여 기록을 행하는 형태에도 적용 가능하다. 이 경우, 동일색으로 직경이 다른 도트(예를 들어, 대도트, 소도트)에 대하여 전술한 적층 마스크를 적용해도 좋다. 예를 들어, 대시안, 소시안, 대마젠타, 소마젠타, 옐로우, 블랙의 6 종류의 도트를 이용하는 경우를 고려한다. 이 경우, 대시안과 소시안, 혹은 대마젠타와 소마젠타에 대하여, 전술한 실시 형태에서 설명한 제법에 의해 적층 마스크를 생성한다.

또한, 동일색으로 직경이 다른 도트(예를 들어, 대도트, 소도트)를 이용하는 형태에 있어서, 이색 도트의 조합에 대해서는 전술한 적층 마스크를 적용하고, 직경이 다른 동일색 도트의 조합에 대해서는 동일한 마스크를 적용하는 형태라도 좋다. 예를 들어, 전술한 6 종류의 도트를 이용하는 경우에 있어서, 대시안과 대마젠타에 대하여 상기 실시 형태에서 설명한 제법에 의해 적층 마스크를 생성하고, 또한 소시안에 대해서는 대시안과 동일한 마스크를 적용하고, 소마젠타에 대해서는 대마젠타와 동일한 마스크를 적용하는 것이다.

또한, 동일색으로 직경이 다른 도트의 종류 수는, 대소 2 종류에 한정되는 것은 아니며, 대중소의 3 종류라도 좋고, 그 이상이라도 좋다. 또한, 본 발명은 색 및 크기 중 적어도 한쪽이 다른 도트에 대하여 적용한 경우에 있어서만 효과를 발휘하는 것은 아니며, 예를 들어 이격된 노즐군으로부터 다른 타이밍에서 토출되는 동일색 잉크에 대하여 적용해도 효과를 발휘한다. 예를 들어, 헤드의 주 주사 방향을 따라 CMYMC의 순으로 노즐군이 배열되어 있는 형태에 있어서는, 이격된 동일색 노즐군(C 노즐군, M 노즐군)에 대하여 상기 제법에 의해 제조한 적층 마스크 를 적용하는 것이다.

또한, 본 발명은, 전술한 바와 같이 잉크 이외의 액체를 이용하는 형태에 있어서도 적용 가능하다. 잉크 이외의 액체로서는, 잉크 중의 색재를 응집 혹은 불용화시키는 반응액을 들 수 있다. 이 경우, 적어도 어떤 한 종류의 잉크와 반응액에 대하여, 상기 실시 형태에서 설명한 제법에 의해 적층 마스크를 생성하게 된다.

또한, 본 발명에서는, 색재로서 염료를 함유하는 염료 잉크, 색재로서 안료를 함유하는 안료 잉크, 색재로서 염료 및 안료를 함유하는 혼합 잉크 중 어느 하나에 대해서도 적용 가능하다.

본원은 2004년 7월 6일에 출원된 일본 특허 출원 제2004-199623호 및 2005년 7월 6일에 출원된 일본 특허 출원 제2005-197873호를 기초로 하여 우선권을 주장하고, 상기 일본 특허 출원은, 이 참조에 의해 본 명세서에 포함된다.

Claims

복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서,

상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 결정하는 결정 공정을 갖고,

상기 결정 공정은, 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치에서 정해지는 저주파수 성분이 상기 복수의 마스크 패턴에서 모두 적어지도록 기록 허용 화소의 배치를 정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서,

상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 정하는 결정 공정을 갖고,

상기 결정 공정은, 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 변화시키는 공정을 포함하고, 상기 변화 공정에서는, 상기 복수의 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치에 기초하는 저주파수 성분이 적어지도록 상기 복수의 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 변화시키는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서,

상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 정하는 결정 공정을 갖고,

상기 결정 공정은, 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 관련지은 소정의 룰을 기초로 하여, 상기 복수의 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 변화시키는 공정을 포함하고,

상기 변화시킨 후의 상기 기록 허용 화소의 배치에 기초하는 저주파수 성분은, 상기 변화시키기 전의 상기 기록 허용 화소의 배치에 기초하는 저주파수 성분보다 적은 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서,

상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 제1 배치 상태로부터 제2 배치 상태로 변화시킴으로써, 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 배치를 정하는 결정 공정을 갖고,

상기 제2 배치 상태일 때의 상기 복수의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배치 패턴은, 상기 제1 배치 상태일 때의 상기 복수의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배치 패턴에 비해, 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 마스크 패턴의 제조 방법에 있어서,

상기 복수 종류의 도트에 대응한 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 제1 배치 상태로부터 제2 배치 상태로 변화시킴으로써, 상기 복수의 마스크 패턴 각각에 있어서의 배치를 정하는 결정 공정을 갖고,

상기 제2 배치 상태일 때의 상기 복수의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배치 패턴은, 상기 제1 배치 상태일 때의 상기 복수의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배치 패턴에 비해, 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 마스크 패턴은 상기 복수 종류의 도트와 상기 복수 회 주사의 조합에 대응한 복수의 마스크 패턴인 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 결정 공정은

상기 복수의 마스크 패턴의 각각에 대하여, 상기 패턴의 기록률에 따른 수의 기록 허용 화소를 초기 패턴으로 배치하는 제1 공정과,

상기 복수의 마스크 패턴의 각각에 배치된 기록 허용 화소 각각에 대하여, 그 기록 허용 화소와, 그것이 배치된 마스크 패턴을 포함한 상기 복수의 마스크 패턴에 배치된 다른 기록 허용 화소와의 사이에서 척력 포텐셜을 계산하고, 그 합계인 총 포텐셜 에너지를 구하는 제2 공정과,

상기 척력 포텐셜이 계산된 각각의 기록 허용 화소를, 보다 척력 포텐셜이 낮아지는 위치로 이동시키는 제3 공정과,

상기 제2 공정과 상기 제3 공정을 반복함으로써, 상기 총 포텐셜 에너지를 저하시키는 제4 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 총 포텐셜 에너지가 소정치 이하가 되었을 때 각각의 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배치를 최종 배치로서 정하는 제5 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 제3 공정은 보다 척력 포텐셜이 낮아지는 위치가, 그 위치가 속하는 러스터이며 마스크 패턴의 상기 주사 방향에 대응하여 규정되는 러스터에 대하여 정해진 기록 허용 화소를 배치할 수 있는 수를 초과하는 위치일 때는, 다른 러스터에서 다음에 척력 포텐셜이 낮아지는 위치로 기록 허용 화소를 이동시키는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 결정 공정은

상기 복수의 마스크 패턴의 각각에 대하여 1개의 기록 허용 화소를 배치하는 공정이며, 그 기록 허용 화소를 배치하는 것으로 하였을 때에, 그 위치의 기록 허용 화소와, 그 기록 허용 화소의 마스크 패턴을 포함한 상기 복수의 마스크 패턴에 배치된 다른 기록 허용 화소와의 사이에서 척력 포텐셜을 계산하는 제1 공정과,

상기 척력 포텐셜이 계산된 각각의 기록 허용 화소에 대해, 상기 기록 허용 화소를 척력 포텐셜이 최소가 되는 위치에 배치하는 제2 공정과,

상기 제1 공정과 상기 제2 공정을 반복하여, 상기 복수의 마스크 패턴의 각각에 대하여, 상기 패턴의 기록률에 따른 수의 기록 허용 화소를 배치하는 제3 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
제10항에 있어서, 상기 제2 공정은 척력 포텐셜이 최소가 되는 위치가, 그 위치가 속하는 러스터이며 마스크 패턴의 상기 주사 방향에 대응하여 규정되는 러스터에 대하여 정해진 기록 허용 화소를 배치할 수 있는 수를 초과하는 위치일 때는, 다른 러스터에서 다음에 척력 포텐셜이 작은 위치에 기록 허용 화소를 배치하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수 종류의 도트는 도트의 색 및 사이즈 중 적어도 한쪽이 다른 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 마스크 제조 방법에 의해 제조된 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트를 상기 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 마스크 제조 방법에 의해 제조된 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트를 상기 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 장치.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 어긋나게 한 패턴과 상기 소정의 제1 마스크 패턴을 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴을 정규인 위치에서 논리곱한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 상기 정규인 위치와는 다른 위치에서 논리곱한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴이, 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖도록, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴 각각의 기록 허용 화소는 서로 관련지어 배열된 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴은, 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 고주파수 성분보다 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스터 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴은, 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 어긋나게 한 패턴과 상기 소정의 제1 마스크 패턴을 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴을 정규인 위치에서 논리합한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 상기 정규의 위치와는 다른 위치에서 논리합한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴에 있어서의 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖도록, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴 각각의 기록 허용 화소는 서로 관련지어 배열된 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴은, 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 고주파수 성분보다 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제20항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴은, 비 주기이고 또한 상기 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 어긋나게 한 패턴과 상기 소정의 제1 마스크 패턴을 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적고, 또한

상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 어긋나게 한 패턴과 상기 소정의 제1 마스크 패턴을 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴을 정규인 위치에서 논리곱한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 상기 정규의 위치와는 다른 위치에서 논리곱한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적고,

상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 정규인 위치에서 논리합한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴을 상기 정규의 위치와는 다른 위치에서 논리합한 경우에 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴에 있어서의 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖고, 또한 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴에 있어서의 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖도록, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴 각각의 기록 허용 화소는 서로 관련지어 배열된 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스터 패턴은 제1 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제1 마스크 패턴과 제2 종류의 도트를 기록하기 위한 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 제2 마스크 패턴을 적어도 포함하고, 또한 상기 제1 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열과 상기 제2 마스크 패턴에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은 다르고,

상기 복수의 제1 마스크 패턴 중 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 복수의 제2 마스크 패턴 중 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴이 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 고주파수 성분보다 적고, 또한 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴이 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 고주파수 성분보다 적어지도록, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴 각각의 기록 허용 화소는 서로 관련지어 배열된 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제25항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴은, 비 주기이고 또한 상기 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖고, 또한

상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴은, 비 주기이고 또한 상기 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항, 또는 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소정의 제1 마스크 패턴과 상기 소정의 제2 마스크 패턴은 동일한 주사로 사용되는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항, 또는 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 종류의 도트는 소정색의 색재를 함유하는 잉크의 도트이며, 상기 제2 종류의 도트는 상기 색재와 화학적으로 반응하는 성분을 함유하는 액체의 도트인 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항, 또는 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은, 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖고, 또한

상기 복수의 제2 마스크 패턴 각각에 있어서의 기록 허용 화소의 배열은, 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항, 또는 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 각각은, 상기 제1 종류의 도트를 기록하는 제1 노즐군의 노즐 배열 방향에 기록률의 치우침을 갖는 마스크 패턴이며,

상기 복수의 제2 마스크 패턴 각각은, 상기 제2 종류의 도트를 기록하는 제2 노즐군의 노즐 배열 방향에 기록률의 치우침을 갖는 마스크 패턴인 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항, 또는 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 제1 마스크 패턴 각각은, 상기 주사 방향 및 상기 주사 방향과 직교하는 부 주사 방향 중 적어도 한쪽에 인접하는 복수의 화소로 구성되는 그룹을 1 단위로서 기록 허용 화소 혹은 비기록 허용 화소가 배열되고,

상기 복수의 제2 마스크 패턴 각각은, 상기 주사 방향 및 상기 주사 방향과 직교하는 부 주사 방향 중 적어도 한쪽에 인접하는 복수의 화소로 구성되는 그룹을 1 단위로서 기록 허용 화소 혹은 비기록 허용 화소가 배열되는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 또는 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록 매체의 소정 영역에 기록되어야 할 화상은, 상기 복수의 노즐군이 소정의 순서로 기록을 행함으로써 단계적으로 완성되는 것이며,

상기 소정 영역에 대한 기록의 순서가 연속되는 N개(N은 2 이상의 정수)의 노즐군에 대응한 상기 N개의 마스크 패턴의 논리곱 및 논리합 각각에 의해 얻을 수 있는 기록 화소의 배열 패턴 각각은 비 주기이고 또한 저주파수 성분이 고주파수 성분보다도 작은 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고,

상기 복수 회의 주사 중 소정의 동일한 주사에서 사용되는 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고,

상기 복수 회의 주사 중 소정의 동일한 주사에서 사용되는 소정의 적어도 2 개의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고,

상기 복수 회의 주사 중 소정의 동일한 주사에서 사용되는 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적고,

상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 적어도 2개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저 주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴을 구성하는 복수의 마스크 패턴 중, 소정의 N(N은 2 이상의 정수)개의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴을 구성하는 복수의 마스크 패턴 중, 소정의 N개(N은 2 이상의 정수)의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하기 위한, 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터를 생성하는 데이터 처리 방법이며,

상기 복수 종류의 도트 각각에 대응한 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 복수 종류의 도트에 대응한 화상 데이터를 상기 복수 회의 주사 각각에서 이용하는 화상 데이터로 분할하는 공정을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴 각각은, 상기 복수 회의 주사에 대응한 복수의 마스크 패턴을 갖고,

상기 복수 종류의 마스크 패턴을 구성하는 복수의 마스크 패턴 중, 소정의 N개(N은 2 이상의 정수)의 마스크 패턴의 논리곱에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리곱함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적고,

상기 소정의 N개의 마스크 패턴의 논리합에 의해 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분은, 상기 소정의 N개의 마스크 패턴을 어긋나게 하여 논리합함으로써 얻을 수 있는 기록 허용 화소의 배열 패턴의 저주파수 성분보다도 적은 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제39항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록 매체의 소정 영역에 기록되어야 할 화상은, 상기 복수 종류의 마스크 패턴을 이용하여 생성된 복수의 선별 화상을 소정의 순서로 기록함으로써 단계적으로 완성되는 것이며,

상기 소정의 N개의 마스크 패턴은, 상기 소정 영역에 대한 기록의 순서가 연속되는 N개(N은 2 이상의 정수)의 선별 화상을 생성하는 데 이용되는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항, 제25항 내지 제28항, 또는 제36항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수 종류의 도트는, 도트의 색 및 사이즈 중 적어도 한쪽이 다른 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항, 제25항 내지 제28항, 또는 제36항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저주파수 성분이라 함은 주파수 성분이 존재하는 공간 주파수 영역 중, 절반보다 저주파 측에 있는 성분인 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제36항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 동일한 주사는 상기 소정 영역에 대하여 기록을 행하는 1회째의 주사인 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
제15항 내지 제18항, 제20항 내지 제23항, 제25항 내지 제28항, 또는 제36항 내지 제41항 중 어느 한 항에 기재된 데이터 처리 방법을 실행하는 화상 처리부를 구비한 것을 특징으로 하는 데이터 처리 장치.
제46항에 있어서, 상기 데이터 처리 장치는 상기 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하는 기록 장치인 것을 특징으로 하는 데이터 처리 장치.
제46항에 있어서, 상기 데이터 처리 장치는 상기 복수 종류의 도트를 기록하는 복수의 노즐군을 기록 매체의 소정 영역에 대하여 복수 회 주사하여 기록을 행하는 기록 장치에 접속되는 호스트 장치인 것을 특징으로 하는 데이터 처리 장치.
복수 종류의 도트를 복수 회의 주사 각각으로 기록하기 위한 화상 데이터를 생성하는 데 이용되는 복수의 마스크 패턴에 있어서,

상기 복수의 마스크 패턴은, 그들 2개 이상을 중첩한 경우에, 상기 기록 허 용 화소의 패턴이, 상기 2개 이상의 마스크 패턴에 대하여 중첩 위치를 어긋나게 한 경우의 기록 허용 화소의 패턴보다, 저주파수 성분이 적은 것을 특징으로 하는 마스크 패턴.