WO2005119309A1

WO2005119309A1 - 反射ミラー製作方法および反射ミラー

Info

Publication number: WO2005119309A1
Application number: PCT/JP2005/010027
Authority: WO
Inventors: Nobuaki Asai; Emi Iwasaka
Original assignee: Brother Kogyo Kabushiki Kaisha
Priority date: 2004-06-04
Filing date: 2005-06-01
Publication date: 2005-12-15
Also published as: US7582219B1; US20090223924A1

Abstract

光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する方法が開示されており、その方法は、（ａ）単結晶により構成された板状の被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方に膜状のエッチングマスク材をコーティングするコーティング工程（Ｓ２）と、（ｂ）前記被エッチング材にコーティングされたエッチングマスク材のうちの少なくとも一方に、四角形より円形に近い平面形状を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程（Ｓ３）と、（ｃ）前記エッチングマスク材がコーティングされた前記被エッチング材を、設定温度のもとに、設定濃度を有するエッチング液に浸漬させてエッチングを実行するウエットエッチング工程（Ｓ４）とを含み、それにより、前記反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように前記反射ミラーを製作するために実施される。

Description

明細書

反射ミラー製作方法および反射ミラー

技術分野

[0001] 本発明は、光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する技術に関するものであり、特に、その反射ミラーをウエットエッチングによって製作する技術に関するものである。

背景技術

[0002] 例えば、光によって画像を形成する分野においては、光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーが使用される場合がある。この種の反射ミラーは種々の用途に使用される。例えば、この種の反射ミラーの一形式は、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに振動させられることにより、その反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される。

[0003] この形式の反射ミラーの一従来例が存在する（例えば、日本国特開 2003— 5758 6号公報参照。 ) ₀この従来の反射ミラーは、その反射ミラーから前記揺動軸線に沿つて延び、少なくともねじり振動が前記揺動軸線まわりに発生させられる板状のばねと共に振動体を構成し、その振動体のうちの少なくとも一部が振動させられることにより

、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される。

[0004] この従来の反射ミラーは、前記日本国特開 2003— 57586号公報に開示されているように、反射ミラーの揺動軸線を対称中心線とする四角形を成す平面形状を有するように製作されていた。さらに、この従来の反射ミラーは、エッチングによって製作されていた。エッチングの種類には、ドライエッチングとウエットエッチングとがある。発明の開示

[0005] この種の反射ミラーを利用する分野にお!、ては、反射ミラーを揺動軸線まわりに揺動させ得る最大揺動速度を高速ィ匕することが強く要望される場合がある。具体的には、例えば、この種の反射ミラーを用いて光の走査を行う走査部を備えた画像形成装置においては、画像の解像度を増すために光の走査速度を高速ィ匕することが強く要望され、その走査速度の高速化のために反射ミラーの揺動速度の高速ィヒが要望される場合がある。

[0006] 一方、この種の反射ミラーの揺動速度を高速ィヒするためには、反射ミラーの、揺動軸線まわりの慣性モーメントを低減させることが有効である。

[0007] し力しながら、ウエットエッチングによって製作された従来の反射ミラーは、前述のように、反射ミラーの揺動軸線を対称中心線とする四角形を成す平面形状を有するように製作されていた。そのため、この従来の反射ミラーを使用せざるを得ない場合には、この従来の反射ミラーと同程度の反射領域を確保するためにそれと同じ横寸法を有する円形の反射ミラーに比較し、反射ミラーの慣性モーメントを低減させることが困難であった。

[0008] 反射ミラーをドライエッチングによって製作する場合には、ウエットエッチングによつて製作する場合より、マスクパターンの微細化が容易で、反射ミラーを任意の形状に高精度で製作することが容易である。しかし、ドライエッチングによる反射ミラーの製作は、多数枚の反射ミラーを製作するために使用される多数枚の被エッチング材に対してエッチングを一括して行うバッチ処理に十分には適していない。そのため、ドラィエッチングによる反射ミラーの製作は、反射ミラーの生産効率を高めて生産コストを低減させることに十分には適して、な、。

[0009] 以上説明した事情を背景として、本発明は、光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する技術にぉ、て、その反射ミラーをウエットェツチングによって製作する技術を提供することを課題としてなされたものである。

[0010] 本発明によって下記の各態様が得られる。各態様は、項に区分し、各項には番号を付し、必要に応じて他の項の番号を引用する形式で記載する。これは、本発明が採用し得る技術的特徴の一部およびそれの組合せの理解を容易にするためであり、本発明が採用し得る技術的特徴およびそれの組合せが以下の態様に限定されると解釈すべきではない。すなわち、下記の態様には記載されていないが本明細書には記載されている技術的特徴を本発明の技術的特徴として適宜抽出して採用することは妨げられな、と解釈すべきなのである。

[0011] さらに、各項を他の項の番号を引用する形式で記載することが必ずしも、各項に記載の技術的特徴を他の項に記載の技術的特徴から分離させて独立させることを妨げることを意味するわけではなぐ各項に記載の技術的特徴をその性質に応じて適宜独立させることが可能であると解釈すべきである。

[0012] (1) 光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する反射ミラー製作方法であって、

単結晶により構成された板状の被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方に膜状のエッチングマスク材をコーティングするコーティング工程と、

前記被エッチング材にコ一ティングされたエッチングマスク材のうちの少なくとも一方に、四角形より円形に近い平面形状を有するマスクパターンを形成するマスクバターン形成工程と、

前記エッチングマスク材がコーティングされた前記被エッチング材を、設定温度のもとに、設定濃度を有するエッチング液に浸漬させてエッチングを実行するウエットエツチング工程と

を含み、それにより、前記反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように前記反射ミラーを製作する反射ミラー製作方法。

[0013] この方法によれば、反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように反射ミラーが製作される。したがって、この方法によれば、必要な反射面積を有する円形状の反射領域が最低限要求される反射ミラーにおいて、四角形を投影図形とする反射ミラーより容易に、無駄な反射領域を省略可能となるため、四角形を投影図形とする反射ミラーより軽量で慣性モーメントが小さ!、反射ミラーが容易に製作される。

[0014] さらに、この方法によれば、反射ミラーがドライエッチングによってではなくウエットェツチングによって製作される。したがって、この方法によれば、反射ミラーをドライエツチングによって製作する場合より、高い生産効率で安価に製作することが容易となる

[0015] ところで、反射ミラーをドライエッチングによって製作する場合には、被エッチング材の表面にコーティングされたエッチングマスク材に形成されたマスクパターンと同じ形状を有するように反射ミラーが製作される。これに対し、反射ミラーをウエットエツチングによって製作する場合には、マスクパターンとは異なる形状を有するように反射ミラ一が製作される。その理由は、被エッチング材の複数の結晶面間に存在するエッチング速度差である。

[0016] したがって、本項に係る方法を実施する場合には、反射ミラーの目標形状に基づき、被エッチング材の複数の結晶面間に存在するエッチング速度差を見込んでマスクパターンが形成される。この方法においては、反射ミラーが最終的に、それの投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように製作されるため、マスクパターンも、四角形より円形に近い平面形状であって、反射ミラーの目標形状とは一致しない形状を有するように形成される。

[0017] このように、反射ミラーをウエットエッチングによって製作する場合であっても、複数の結晶面間に存在するエッチング速度差を見込んでマスクパターンを決定すれば、反射ミラーを目標形状を有するように製作することが可能である。

[0018] 本項に係る方法は、コーティング工程力被エッチング材の両面にそれぞれエッチングマスクをコーティングする態様で実施したり、片面のみにコーティングする態様で実施することが可能である。前者の態様で実施する場合、マスクパターン形成工程は、被エッチング材の両面にそれぞれコーティングされた 2個のエッチングマスクのそれぞれにマスクパターンを形成したり、それら 2個のエッチングマスクのうちのいずれかのみにマスクパターンを形成することが可能である。要するに、本項に係る方法は、被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方にマスクパターンが形成されるように実施すれば足りるのである。

[0019] (2) 前記反射ミラーは、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに振動させられることにより、その反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される（1)項に記載の反射ミラー製作方法。

[0020] この方法によれば、光を走査するために使用される反射ミラーを、四角形より円形に近、投影図形を有するように、ウエットエッチングによって製作することが可能となる。

[0021] (3) 前記反射ミラーは、その反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、少なくともねじり振動が前記揺動軸線まわりに発生させられる板状のばねと共に振動体を構成し、その振動体のうちの少なくとも一部が振動させられることにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される（2)項に記載の反射ミラー製作方法。

[0022] (4) 前記マスクパターンの平面形状は、概して凸の八角形である（1)ないし（3)項の！、ずれかに記載の反射ミラー製作方法。

[0023] この方法によれば、概して凸の八角形を投影図形とする反射ミラーを、四角形を投影図形とする反射ミラーより慣性モーメントを低減させることが容易な反射ミラーとして製作することが可能となる。

[0024] (5) 前記マスクパターンの平面形状は、凸の八角形を基本形状として、その八角形における 8個の角部において突出部を有する形状である (4)項に記載の反射ミラー製作方法。

[0025] この方法によれば、被エッチング材のウエットエッチング工程にぉ、て、被エツチング材のうちマスクパターンの角部に対面する部分の侵食力その角部が突出部を有しない場合より遅延される。この遅延が反映されるように反射ミラーが製作される。

[0026] 本項における「突出部」は、例えば、正規の八角形における各角部から、その各角部の外角に当たる領域に向力つて延びる形状を有するものとすることが可能である。

[0027] (6) 前記マスクパターンは、一基準線と平行な第 1辺とその基準線と直交する第 2辺とを有し、前記被エッチング材の（100)結晶面上において前記第 1辺および第 2辺が < 110>結晶方向と直交するように前記被エッチング材に対して位置決めされ、そのマスクパターンの外形線は、そのマスクパターンの中心点において互いに直交する 2本の対称中心線によって前記被エッチング材を 4つの領域に分割した場合の各領域ごとに、前記被エッチング材の（100)結晶面に相当する第 1部分と、 (111) 結晶面に相当する第 2部分とを有する (4)または (5)項に記載の反射ミラー製作方法

[0028] 本明細書においては、結晶面が（abc)というように表記される力この表記が意味する結晶面は、その表記中の a, b, cという各数字の符号を考慮した狭義の結晶面のみならず、それと等価な結晶面をも含んでいる。すなわち、（abc)結晶面は、該当する複数の結晶面を包含する包括的な定義に従って解釈すべきなのである。このことはく abc > t 、うように表記される結晶方向につ!、ても同様である。

[0029] そして、本項に係る方法を実施すれば、（100)結晶面と（111)結晶面とが露出する m角形 (m : 3以上の整数を 4倍したもの）を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。

[0030] (7) 前記マスクパターンの外形線は、さらに、前記各領域ごとに、前記被エッチング材の (ni l)結晶面 (n: 2以上の整数）に相当する第 3部分を、前記第 1部分と第 2部分との間に有する (6)項に記載の反射ミラー製作方法。

[0031] この方法によれば、反射ミラーの投影図形の外形線が（100)結晶面および（111) 結晶面のみで構成されると仮定した場合にその投影図形が示す八角形を、それに属する 8個の角部においてそれぞれ、少なくとも 1種類の別の結晶面が露出するように部分的に削り落として得られる m角形 (m : 8より大きい 8の倍数)を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。

[0032] したがって、この方法によれば、八角形より円形に近い平面形状を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。さらに、この方法によれば、反射ミラーの投影図形を、四角形より円形に近似させることが容易となるため、必要な反射面積の確保 (必要な横寸法の確保)が要求される反射ミラーにおいては、反射ミラーが四角形である場合より、無駄な反射領域が省略され、その結果、反射ミラーの軽量化および慣性モーメントの低減ィ匕が容易となる。

[0033] 反射ミラーの円形度は、上述の仮想形状である八角形の各角部において露出する結晶面が複数種類存在する場合には、 1種類しか存在しない場合より改善される。例えば、その露出する結晶面が 1種類しか存在しない場合には、反射ミラーの投影図形は 16角形であるが、その露出する結晶面が 2種類存在する場合には、反射ミラーの投影図形は 24角形となる。露出する結晶面の種類が多いほど反射ミラーの円形度が増すという傾向は、その露出する結晶面の種類が多いほど強調され、本項に係る方法は、その露出する結晶面の種類を増加させることに適して、る。

[0034] (8) 前記マスクパターンの外形線は、さらに、前記各領域ごとに、前記被エッチング材の（520)結晶面に相当する第 4部分を、前記第 1部分と第 2部分との間に有する（ 6)項に記載の反射ミラー製作方法。

[0035] この方法によれば、反射ミラーの投影図形の外形線が（100)結晶面および（111) 結晶面のみで構成されると仮定した場合にその投影図形が示す八角形が、それに属する 8個の角部においてそれぞれ、主として（520)結晶面が露出するように部分的に削り落とされた形状を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。この方法によって製作され得る反射ミラーの投影図形は、 16角形に近い形状である。

[0036] したがって、この方法によれば、八角形より円形に近い平面形状を投影図形とする反射ミラーを製作することが可能となる。さらに、この方法によれば、八角形がそれの各角部において削り落とされる際に主として露出する結晶面が必ず 1種類のみであり、その結晶面の種類の数は変動しないため、製作される反射ミラーの最終形状が安定化させられる。

[0037] (9) 前記エッチング液は、 KOHまたは TMAHである（1)ないし（8)項のいずれかに記載の反射ミラー製作方法。

[0038] (10) 前記設定濃度は、約 35wt%ないし約 45wt%の範囲内にある（8)項に記載の反射ミラー製作方法。

[0039] (11) 前記設定温度は、約 60°Cないし約 80°Cの範囲内にある（9)または（10)項に記載の反射ミラー製作方法。

[0040] (12) 前記マスクパターン形成工程は、前記被エッチング材の両面にそれぞれコーティングされた 2個のエッチングマスク材にそれぞれ前記マスクパターンを形成する工程を含む（ 1)ないし（ 11)項のヽずれかに記載の反射ミラー製作方法。

[0041] 前記（1)ないし（11)項のいずれかに係る方法を実施すれば、例えば、図 14 (b)および (c)に示すように、縦断面図において側面が傾斜面を有するように反射ミラーが製作される場合がある。

[0042] この場合、被エッチング材の片面のみからウエットエッチングを行うと、例えば、図 1 4 (c)に縦断面図で示すように、被エッチング材 400'の側面に連続的な傾斜面が形成される。その傾斜面は、被エッチング材 400'の厚さ方向に関する中心線に関して非対称的に形成される。

[0043] これに対し、被エッチング材の両面からウエットエッチングを行うと、例えば、図 14 ( b)に縦断面図で示すように、被エッチング材 400の側面に不連続的な傾斜面が形成される。その傾斜面は、被エッチング材 400の厚さ方向に関する中心線に関して対称的に形成される。

[0044] したがって、それら 2種類のウエットエッチングの結果を、最終的に製作される反射ミラーの重量に関して互いに比較すれば、後者の両面ウエットエッチングを実施する場合の方が、前者の片面ウエットエッチングを実施する場合より、反射ミラーの軽量ィ匕が容易となる。反射ミラーの軽量化が容易となれば、反射ミラーの慣性モーメントの低減化も容易となる。

[0045] 以上説明した知見に基づき、本項に係る方法にお!、ては、被エッチング材の両面にそれぞれコーティングされた 2個のエッチングマスク材にそれぞれマスクパターンが形成される。被エッチング材の両面にそれぞれマスクパターンが形成されるのであり、その結果、被エッチング材の両面からウエットエッチングが行われる。

[0046] (13) さらに、前記ウエットエッチングの終了後に、前記被エッチング材カも前記エツチングマスク材を剥離する剥離工程を含む（1)な、し（12)項の、ずれかに記載の反射ミラー製作方法。

[0047] (14) さらに、前記被エッチング材カも前記エッチングマスク材が剥離された後に、その被エッチング材の両面のうちの少なくとも片面に反射膜を形成する反射膜形成工程を含む（13)項に記載の反射ミラー製作方法。

[0048] (15) 光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーであって、

を実行することにより、前記反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近!ヽ平面形状を有するように製作された反射ミラー。

[0049] この反射ミラーにおいては、その反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有する。したがって、この反射ミラーによれば、必要な反射面積を有する円形状の反射領域が最低限要求される使用条件のもとにおいて、四角形を投影図形とする反射ミラーより容易に、無駄な反射領域を省略可能となる。よって、この反射ミラーによれば、四角形を投影図形とする反射ミラ一より軽量ィ匕および慣性モーメントの低減ィ匕が容易となる。

[0050] (16) 当該反射ミラーは、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに振動させられることにより、その反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される（ 15)項に記載の反射ミラー。

[0051] (17) 当該反射ミラーは、その反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、少なくともねじり振動が前記揺動軸線まわりに発生させられる板状のばねと共に振動体を構成し、その振動体のうちの少なくとも一部が振動させられることにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される（16)項に記載の反射ミラー。

[0052] (18) 長さ方向における一部分にステップ部を有するはり構造体をエッチングによつて一体的に製作するはり構造体製作方法であって、

単結晶により構成された板状の被エッチング材の両面にそれぞれ膜状のエツチングマスク材をコ一ティングするコ一ティング工程と、

前記被エッチング材の両面にそれぞれコーティングされた 2枚のエッチングマスク材に 2個のマスクパターンをそれぞれ形成するマスクパターン形成工程と、

そのマスクパターン形成工程において前記 2個のマスクパターンがそれぞれコーテイングされた前記被エッチング材をエッチング液に浸漬させてウエットエッチングを実行するウエットエッチング工程と

を含み、

前記ステップ部は、（a)前記はり構造体の基本表面と同一の高さを有する高部と、 ( b)前記基本表面より低!、低部であって、前記はり構造体の厚さ方向にお!、て前記高部から隔たるものと、（c)それら高部と低部との境界に位置して前記はり構造体を横断する肩部とを有しており、

前記被エッチング材は、 (d)前記板状の被エッチング材から前記はり構造体を取り出すために、前記ウエットエッチングの実行時に、前記厚さ方向に貫通するまで侵食される予定貫通部分と、（e)前記高部を形成するために、前記ウエットエッチングの実行時に、侵食されずに残る予定残存部分と、（f)前記低部を形成するために、前記ゥエツトエッチングの実行時に、前記厚さ方向の途中まで侵食される予定半侵食部分とを有しており、

前記マスクパターンは、（g)前記予定残存部分の表面を覆う基本パターンと、 (h) 前記予定貫通部分のうち前記予定半侵食部分を前記はり構造体の幅方向両側から挟む両側部分と前記予定半侵食部分とのうちの少なくとも両側部分の表面を覆う補償パターンとを有するはり構造体製作方法。

[0053] 本項に係る方法は、 1次元的に延びるはり構造体をエッチングによって製作する技術に関するものであり、特に、長さ方向における一部分にステップ部を有するはり構造体をエッチングによって一体的に製作する技術に関するものである。

[0054] 例えば、光によって画像を形成する分野においては、光の走査、または眼を通して観察者によって知覚される虚像の奥行きの制御を目的として、光の進行方向または波面曲率を高精度で変化させるためにはり構造体が使用される場合がある。このはり構造体は例えば、光の走査のために、そのはり構造体に平行な一直線まわりにねじり振動させられ、また、波面曲率の変調のために、そのはり構造体の表面に直角な一直線方向にぉヽて縦振動させられる。

[0055] この種のはり構造体は、光の走査または虚像の奥行きの制御を目的として使用される場合には、例えば、光が入射する反射面を有する板状の反射ミラー部と、その反射ミラー部と同一平面に沿って延びる弾性変形部とを一体的に含むように構成される。この種のはり構造体の一従来例が日本国特許第 2981600号公報に開示されている

[0056] 本発明者らは、長さ方向における一部分にステップ部を有するはり構造体をゥエツトエッチングによって一体的に製作する技術にっ、て研究を行った。そのステップ部は、（a)はり構造体の基本表面と同一の高さを有する高部と、（b)その基本表面より低い低部であって、はり構造体の厚さ方向において高部から隔たるものと、（C)それら高部と低部との境界に位置してはり構造体を横断する肩部とを有している。

[0057] その研究の結果、本発明者らは、ウェハに対してドライエッチングを施す場合には、製作されたはり構造体において、ステップ部のうちの肩部の、そのはり構造体の長さ方向における位置が安定し易いのに対し、ウェハに対してウエットエッチングを従来の手法で施す場合には、製作されたはり構造体において、ステップ部のうちの肩部の、そのはり構造体の長さ方向における位置が安定し難いことに気が付いた。さらに、本発明者らは、従来のウエットエッチングでは、はり構造体の長さ方向における肩部の位置の精度に関する個体間のばらつきを低減することが困難であることにも気がついた。

[0058] 以上説明した事情を背景として、本項に係る方法は、長さ方向における一部分にステツプ部を有するはり構造体をエッチングによって一体的に製作する技術において、そのステップ部のうちの肩部の、はり構造体の長さ方向における位置を制御することを課題としてなされたものである。

[0059] 本項に係る方法によれば、マスクパターンが形成された被エッチング材に対してゥエツトエッチングが施されることにより、ステップ部を有するはり構造体が製作される。ステップ部は、上述のように、高部と低部と肩部とを有している。

[0060] 被エッチング材は、前述のように、板状の被エッチング材からはり構造体を取り出すための予定貫通部分と、ステップ部のうちの高部を形成するための予定残存部分と、ステップ部のうちの低部を形成するための予定半侵食部分とを含んでいる。

[0061] この方法においては、マスクパターンが、予定残存部分の表面を覆う基本パターンを含んでいる。マスクパターンは、さらに、（i)予定貫通部分のうち予定半侵食部分をはり構造体の幅方向両側から挟む両側部分と、 (ϋ)予定半侵食部分とのうちの少なくとも両側部分の表面を覆う補償パターンを含んで、る。

[0062] ステップ部のうちの肩部は、被エッチング材のうちの平面部がエッチングされることによって形成される。そのエッチング過程において、被エッチング材には、最終的な肩部に似た形状を有する部分が中間的に生成される。

[0063] その中間生成部分は、被エッチング材の基本表面に対して交差する方向に延びている。そのため、その中間生成部分においては、エッチングが、被エッチング材の厚さを減らす向きに進行するのみならず、幅寸法を減らす向きおよび長さ方向位置を後退させる向きにも進行する。そのため、その中間生成部分においては、同じ被エツチング材のうちの基本表面より、エッチングの進行速度が速いうえに、出現する結晶面の構成が複雑化し易い。

[0064] そのため、エッチングにより、被エッチング材のうちの平面部から、立体的なステップ部を形成するために被エッチング材に予め付着させられるマスクパターンを、前述の予定残存部分の形状のみを反映する基本パターンと同じ形状にしたのでは、最終的に形成されるはり構造体のうちのステップ部のうちの肩部が、そのはり構造体の長さ方向における位置に関して安定しな、。

[0065] すなわち、実際のエッチング条件 (例えば、エッチング時間）のばらつきに対して肩部の位置がかなり敏感なのであり、その結果、エッチングによって形成された複数のはり構造体間にお、て肩部の位置がばらつき易、。

[0066] これに対し、本項に係る方法においては、マスクパターンが、さらに、（a)予定半侵食部分 Aと、 (b)予定貫通部分のうちその予定半侵食部分をはり構造体の幅方向両側から挟む両側部分 Bとのうちの少なくとも両側部分 Bの表面を覆う補償パターンを含んでいる。

[0067] この補償パターンは、被エッチング材のうち基本パターンによって被覆されている部分においてエッチングが進行することを抑制するように機能する。さらに、この補償パターンの形状次第で、最終的に形成される肩部の表面組成を、エッチングされ難い結晶面が適当な位置に出現するように、制御することが容易である。エッチングされ難い結晶面が肩部の表面に出現することは、実際のエッチング条件のばらつきにもかかわらず、肩部の位置が安定することにつながる。

[0068] したがって、本項に係る方法によれば、マスクパターンが基本パターンの他に補償パターンをも含むものとされているため、板状の被エッチング材から、立体的なステツプ部を有するはり構造体を一体的にウエットエッチングによって製作する際に、ステツプ部のうちの肩部の位置精度を向上させることが容易となる。

[0069] (19) 前記マスクパターンは、全体的に均一な厚さを有する（18)項に記載のはり構造体製作方法。

[0070] この方法によれば、マスクパターンの厚さが不均一である場合より、マスクパターンを簡単にかつ安定して製作することができる。

[0071] (20) 前記被エッチング材は、シリコン単結晶であって、（100)結晶面が露出するものである（18)または（19)項に記載のはり構造体製作方法。

[0072] (21) 前記補償パターンは、前記両側部分の表面を覆うことにより、前記予定半侵食部分において前記ウエットエッチングが進行する速度を減速させてそのウエットェツチングが前記予定残存部分に到達しないようにする第 1エッチング補償部を含む（ 18)な、し (20)項の、ずれかに記載のはり構造体製作方法。

[0073] この方法によれば、マスクパターンの一部である第 1エッチング補償部により、被ェツチング材のうちの予定半侵食部分を幅方向両側から挟む両側部分の表面が覆われることにより、その予定半侵食部分においてウエットエッチングが進行する速度が減速させられる。

[0074] したがって、この方法によれば、被エッチング材のうちの予定残存部分力それの肩部において正面力もウエットエッチングが施される可能性があるにもかかわらず、第 1エッチング補償部の存在により、ウエットエッチングが予定残存部分に到達しないようにされる。その結果、この方法によれば、実際のエッチング条件のばらつきにもかかわらず、最終的に形成される肩部の位置の安定性が向上する。

[0075] (22) 前記第 1エッチング補償部は、前記予定半侵食部分から前記幅方向両側にそれぞれ張り出した状態で前記長さ方向に延びる一対の張り出し部分であって、それら一対の張り出し部分の一端部において前記基本パターンに結合されて閉塞される一方、他端部において開放されることにより、前記基本パターンのうち前記一対の張り出し部分に結合される部分と共同して概して U字状を成すものを含む（21)項に記載のはり構造体製作方法。

[0076] (23) 前記第 1エッチング補償部は、前記はり構造体の幅方向に平行であり、かつ、前記被エッチング材の < 110>結晶方向と直交する直線部を有する（21)または（2 2)項に記載のはり構造体製作方法。

[0077] 被エッチング材のうちく 110>結晶方向と直交する部分は、エッチングされ難い部分であるため、この部分が出現するように肩部をウエットエッチングによって形成すれば、肩部の位置が安定する。

[0078] このような知見に基づき、本項に係る方法においては、前記（21)または（22)項における第 1エッチング補償部力はり構造体の幅方向に平行であり、かつ、被エッチング材のく 110 >結晶方向と直交する直線部を有するものとされて、る。

[0079] (24) 前記補償パターンは、前記予定半侵食部分の表面を覆うことにより、その予定半侵食部分において前記ウエットエッチングが進行する速度を減速させてそのゥエツトエッチングが前記予定残存部分に到達しな、ようにする第 2エッチング補償部を含む（18)な、し (23)項の、ずれかに記載のはり構造体製作方法。

[0080] この方法によれば、マスクパターンの一部である第 2エッチング補償部により、被ェツチング材のうちの予定半侵食部分の表面が覆われることにより、その予定半侵食部分においてウエットエッチングが進行する速度が減速させられる。

[0081] したがって、この方法によれば、被エッチング材のうちの予定残存部分力それの肩部において正面力もウエットエッチングが施される可能性があるにもかかわらず、第 2エッチング補償部の存在により、ウエットエッチングが予定残存部分に到達しないようにされる。その結果、この方法によれば、実際のエッチング条件のばらつきにもかかわらず、最終的に形成される肩部の位置の安定性が向上する。

[0082] (25) 前記補償パターンは、（21)ないし (23)項のいずれかに記載の第 1エツチング補償部と前記第 2エッチング補償部とを含んでおり、

その補償パターンは、前記基本パターンのうち前記補償パターンに結合される部分と共同して、 4個の角部と 4本の辺とを有する菱形状を成し、かつ、各辺はく 100 >結晶方向と直交しており、かつ、前記 4個の角部のうち互いに対向する 2個の対向角部のうちの一方において前記基本パターンに結合される一方、他方の対向角部にぉ、て切り欠かれて、る形状を成して、る (24)項に記載のはり構造体製作方法。

[0083] (26) 前記ウエットエッチング工程において前記被エッチング材を前記エッチング液に 1回のみ浸漬させることにより、前記はり構造体を一括して製作する（ 18)ないし（2 5)項の、ずれかに記載のはり構造体製作方法。

[0084] 前記（18)な、し（25)項の、ずれかに係る方法は、ウエットエッチング工程にお!、て同じ被エッチング材をエッチング液に複数回に分けて浸漬させることにより、はり構造体を製作するようにして実施することが可能である。

[0085] これに対し、本項に係る方法にお!、ては、ウエットエッチング工程にぉヽて被エッチング材がエッチング液に 1回のみ浸漬させられることにより、はり構造体が一括して製作される。したがって、この方法によれば、はり構造体の製作時間が短縮し、製作効率が向上する。

[0086] (27) 長さ方向における少なくとも一部分にステップ部を有するはり構造体であって前記ステップ部が、（a)前記はり構造体の基本表面と同一の高さを有する高部と、 ( b)前記基本表面より低!、低部であって、前記はり構造体の厚さ方向にお!、て前記高部から隔たるものと、（c)それら高部と低部との境界に位置して前記はり構造体を横断する肩部とを有するように、単結晶により構成された板状の被エッチング材に対するウエットエッチングによって製作されたはり構造体。

[0087] このはり構造体によれば、長さ方向における少なくとも一部分にステップ部を有するはり構造体であってウエットエッチングによって一体的に製作されたものが提供される。このはり構造体は、前記（18)ないし（26)項のいずれかに係る方法の実施によって好適に製作することが可能である。

[0088] (28) 当該はり構造体は、（18)ないし（26)項のいずれかに記載のはり構造体製作方法によって製作されたはり構造体。

[0089] (29) 当該はり構造体は、光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーと、その反射ミラーと同一平面に沿って延びる弾性変形部であって前記ステップ部が形成されたものとを互いに一体的に含む（27)または（28)項に記載のはり構造体。

[0090] (30) 当該はり構造体は、振動させられることにより、前記反射面に入射した光の光学的特性を変化させるために使用される（29)項に記載のはり構造体。

[0091] 本項および下記の各項にお!、ては、「振動」は、例えば、前記反射面に平行なー摇動軸線まわりの揺動として実現したり、前記反射面に直角な一直線方向における往復運動として実現することが可能である。

[0092] 本項および下記の各項にお!、ては、「光学的特性」は、例えば、反射面への入射光がその反射面によって偏向される角度を意味するように解釈したり、反射面からの出射光の波面曲率を意味するように解釈することが可能である。

[0093] (31) 前記低部に積層部力その積層部の上面が前記高部の上面を超えないように形成される (27)な、し (30)項の、ずれかに記載のはり構造体。

[0094] このはり構造体によれば、積層部（例えば、加振源、駆動源）をそのはり構造体に、そのはり構造体の基本表面力厚さ方向に突出することなく形成することが可能となる。したがって、このはり構造体によれば、例えば、はり構造体の薄板ィ匕が要望される環境において、その要望を満たしつつ、はり構造体に積層部を形成することが可能となる。

[0095] (32) 反射面を有する反射ミラーと板状のばねとが一体的に形成されて成る振動体をエッチングによって一体的に製作する振動体製作方法であって、

前記反射ミラーは、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに揺動させられ、それにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するものであり、前記ばねは、前記反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、長さ方向における一部分にステップ部を有するはり構造体として構成され、前記振動体のうちの少なくとも一部の振動によって少なくともねじり振動が前記ばねに前記揺動軸線まわりに発生させられ、その少なくともねじり振動によって前記反射ミラーを前記揺動軸線まわりに揺動させるものであり、

当該振動体製作方法は、前記反射ミラーを製作するために、（1)ないし（14)項のいずれかに記載の反射ミラー製作方法を含み、

前記コーティング工程は、前記はり構造体を製作するために、さらに、前記被エッチング材のうち前記はり構造体が形成されるべき予定形成部分の両面にそれぞれ前記エッチングマスク材をコーティングし、

前記マスクパターン形成工程は、前記はり構造体を製作するために、さらに、前記予定形成部分の両面にそれぞれコーティングされた 2枚の前記エッチングマスク材に 1組の前記マスクパターンをそれぞれ形成し、

前記ウエットエッチング工程は、前記はり構造体を製作するために、さらに、前記マスクパターン形成工程において前記 1組のマスクパターンがそれぞれコーティングされた前記予定形成部分をエッチング液に浸漬させてウエットエッチングを実行し、前記ステップ部は、（a)前記はり構造体の基本表面と同一の高さを有する高部と、 ( b)前記基本表面より低!、低部であって、前記はり構造体の厚さ方向にお!、て前記高部から隔たるものと、（c)それら高部と低部との境界に位置して前記はり構造体を横断する肩部とを有しており、

前記マスクパターンは、（g)前記予定残存部分の表面を覆う基本パターンと、 (h) 前記予定貫通部分のうち前記予定半侵食部分を前記はり構造体の幅方向両側から挟む両側部分と前記予定半侵食部分とのうちの少なくとも両側部分の表面を覆う補償パターンとを有する振動体製作方法。

[0096] 本項に係る方法によれば、前記（18)項に係る方法と共通する原理に従い、共通する効果、すなわち、振動体のうちのはり構造体につき、それのステップ部のうちの肩部の位置精度を向上させることが容易となるという効果を実現することが可能である。

[0097] (33) 前記マスクパターンは、全体的に均一な厚さを有する（32)項に記載の振動体製作方法。

[0098] 本項に係る方法によれば、前記（19)項に係る方法と共通する効果を実現することが可能である。

[0099] (34) 前記被エッチング材は、シリコン単結晶であって、（100)結晶面が露出するものである（32)または（33)項に記載の振動体製作方法。

[0100] (35) 前記補償パターンは、前記両側部分の表面を覆うことにより、前記予定半侵食部分において前記ウエットエッチングが進行する速度を減速させてそのウエットェツチングが前記予定残存部分に到達しないようにする第 1エッチング補償部を含む（

32)な、し (34)項の、ずれかに記載の振動体製作方法。 [0101] 本項に係る方法によれば、前記（21)項に係る方法と共通する原理に従い、共通する効果を実現することが可能である。

[0102] (36) 前記第 1エッチング補償部は、前記予定半侵食部分から前記幅方向両側にそれぞれ張り出した状態で前記長さ方向に延びる一対の張り出し部分であって、それら一対の張り出し部分の一端部において前記基本パターンに結合されて閉塞される一方、他端部において開放されることにより、前記基本パターンのうち前記一対の張り出し部分に結合される部分と共同して概して U字状を成すものを含む（35)項に記載の振動体製作方法。

[0103] (37) 前記第 1エッチング補償部は、前記はり構造体の幅方向に平行であり、かつ、前記被エッチング材のく 110>結晶方向と直交する直線部を有する（35)または（3 6)項に記載の振動体製作方法。

[0104] 本項に係る方法によれば、前記（23)項に係る方法と共通する原理に従!、、共通する効果を実現することが可能である。

[0105] (38) 前記補償パターンは、前記予定半侵食部分の表面を覆うことにより、その予定半侵食部分において前記ウエットエッチングが進行する速度を減速させてそのゥエツトエッチングが前記予定残存部分に到達しな、ようにする第 2エッチング補償部を含む（32)な、し (37)項の、ずれかに記載の振動体製作方法。

[0106] 本項に係る方法によれば、前記（24)項に係る方法と共通する原理に従!、、共通する効果を実現することが可能である。

[0107] (39) 前記補償パターンは、（35)ないし (37)項のいずれかに記載の第 1エツチング補償部と前記第 2エッチング補償部とを含んでおり、

その補償パターンは、前記基本パターンのうち前記補償パターンに結合される部分と共同して、 4個の角部と 4本の辺とを有する菱形状を成し、かつ、各辺はく 100 >結晶方向と直交しており、かつ、前記 4個の角部のうち互いに対向する 2個の対向角部のうちの一方において前記基本パターンに結合される一方、他方の対向角部にぉ、て切り欠かれて、る形状を成して、る (38)項に記載の振動体製作方法。

[0108] (40) 前記ウエットエッチング工程において前記被エッチング材を前記エッチング液に 1回のみ浸漬させることにより、前記振動体を一括して製作する（32)ないし（39) 項のヽずれかに記載の振動体製作方法。

[0109] 本項に係る方法によれば、前記（26)項に係る方法と共通する原理に従!、、共通する効果を実現することが可能である。

[0110] (41) (15)ないし（17)項のいずれかに記載の反射ミラーと板状のばねとが一体的に形成されて成る振動体であって、

前記ステップ部は、（a)前記はり構造体の基本表面と同一の高さを有する高部と、 ( b)前記基本表面より低!、低部であって、前記はり構造体の厚さ方向にお!、て前記高部から隔たるものと、（c)それら高部と低部との境界に位置して前記はり構造体を横断する肩部とを有するように、前記被エッチング材に対するウエットエッチングによつて製作された振動体。

[0111] (42) 当該振動体は、（32)ないし (40)項のいずれかに記載の振動体製作方法によって製作された (41)項に記載の振動体。

[0112] (43) 当該振動体は、前記反射ミラーと、その反射ミラーと同一平面に沿って延びる弾性変形部であって前記ステップ部が形成されたものとを互いに一体的に含む (41) または (42)項に記載の振動体。

[0113] (44) 当該振動体は、振動させられることにより、前記反射面に入射した光の光学的特性を変化させるために使用される（41)な、し (43)項の、ずれかに記載の振動体

[0114] (45) 前記低部に積層部力その積層部の上面が前記高部の上面を超えないように形成される (41)な、し (44)項の、ずれかに記載の振動体。

図面の簡単な説明 [図 1]本発明の第 1実施形態に従う反射ミラー製作方法によって製作された反射ミラ一部を光走査のために備えた網膜走査型ディスプレイを示す系統図である。

[図 2]図 1における光スキャナ 104を示す分解斜視図である。

[図 3]図 2における駆動源 154およびその周辺を示す側面断面図と斜視図である。

[図 4]図 2における振動体 124を示す斜視図である。

[図 5]図 1における水平走査駆動回路 180を示すブロック図である。

[図 6]図 2における振動体 124の具体的形状を示す斜視図である。

[図 7]図 2における振動体 124のうちの円形状の反射ミラー部 122に光が入射する様子を説明するための斜視図である。

[図 8]図 2における振動体 124の比較例のうちの四角形状の反射ミラー部 302に光が入射する様子を説明するための斜視図である。

[図 9]前記反射ミラー製作方法を示す工程図である。

[図 10]図 9におけるステップ S3において形成されるマスクパターンを示す平面図である。

[図 11]図 9におけるステップ S4において実行されるウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための斜視図である。

[図 12]図 9におけるステップ S4において実行されるウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための別の斜視図である。

[図 13]図 12 (b)に示す被エッチング材 400を拡大して示す斜視図である。

[図 14]図 9に示す反射ミラー製作方法によって最終的に製作された反射ミラー部 122 を示す縦断面図と、その反射ミラー部 122の一比較例を示す縦断面図とである。

[図 15]図 10に示すマスクパターンの一変形例を示す平面図である。

[図 16]本発明の第 2実施形態に従う反射ミラー製作方法によって反射ミラー部 122を製作するために形成されるマスクパターンを示す平面図である。

[図 17]前記第 2実施形態においてウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための斜視図である。

[図 18]前記第 2実施形態においてウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための別の斜視図である。 [図 19]図 18 (b)に示す被エッチング材 480を拡大して示す斜視図である。

圆 20]前記第 2実施形態によって最終的に製作された反射ミラー部 122を示す斜視図と平面図である。

[図 21]図 16に示すマスクパターンの一変形例を示す平面図である。

圆 22]本発明の第 3実施形態に従う振動体製作方法を示す工程図である。

[図 23]図 22におけるステップ S12および S13を説明するための図 2における A— A断面図および B— B断面図である。

[図 24]図 22におけるステップ S 13にお!/、て形成される上側マスクパターン 630および下側マスクパターン 632を示す平面図である。

[図 25]図 2における複数個の枠側板ばね部 144を代表する 1個の代表枠側板ばね部 144の基本的な狙い形状と被エッチング材 600と上側マスクパターン 630とをそれぞれ示す斜視図である。

[図 26]図 25における代表枠側板ばね部 144のうちのステップ部 160の基本的な狙ヽ形状とステップ部対応マスクパターン 650とをそれぞれ示す平面図である。

[図 27]図 22におけるステップ S14において実行されるウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための斜視図である。

[図 28]図 22におけるステップ S14において実行されるウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための別の斜視図である。

[図 29]図 28 (b)に示す被エッチング材 600のうちのステップ部 160を拡大して示す平面図および斜視図である。

圆 30]前記第 3実施形態との比較例においてウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための斜視図である。

圆 31]前記第 3実施形態との比較例においてウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための別の斜視図である。

圆 32]本発明の第 4実施形態に従う振動体製作方法によってステップ部 160を製作するために形成される上側マスクパターン 740および下側マスクパターン 742をそれぞれ示す平面図である。

[図 33]図 32におけるステップ部対応マスクパターン 760と、そのステップ部対応マスクパターン 760によって形成されるべきステップ部 160の基本的な狙い形状とをそれぞれ示す平面図である。

[図 34]前記第 4実施形態に従う振動体製作方法を実施する際にウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための斜視図である。

[図 35]前記第 4実施形態に従う振動体製作方法を実施する際にウエットエッチングが進行する様子を段階的に説明するための別の斜視図である。

発明を実施するための最良の形態

[0116] 以下、本発明のさらに具体的な実施の形態のいくつかを図面に基づいて詳細に説明する。

[0117] 図 1には、本発明の第 1実施形態に従う反射ミラー製作方法によって製作された反射ミラー部を光走査のために備えた網膜走査型ディスプレイが系統的に表されている。この網膜走査型ディスプレイ（以下、「RSD」と略称する。）は、レーザビームを、それの波面および強度を適宜変調しつつ、観察者の眼 10の瞳孔 12を経て網膜 14上に入射させ、その網膜 14上においてレーザビームを 2次元的に走査することにより、その網膜 14上に画像を直接に投影する装置である。

[0118] この RSDは、光源ユニット 20を備え、その光源ユニット 20と観察者の眼 10との間において波面変調光学系 22と走査装置 24とをそれらの順に備えている。

[0119] 光源ユニット 20は、 3原色 (RGB)を有する 3つのレーザ光を 1つのレーザ光に結合して任意色のレーザ光を生成するために、赤色のレーザ光を発する Rレーザ 30と、緑色のレーザ光を発する Gレーザ 32と、青色のレーザ光を発する Bレーザ 34とを備えている。各レーザ 30, 32, 34は、例えば、半導体レーザとして構成することが可能である。

[0120] 各レーザ 30, 32, 34から出射したレーザ光は、それらを結合するために、各コリメート光学系 40, 42, 44によって平行光化された後に、波長依存性を有する各ダイク口イツクミラー 50, 52, 54に入射させられ、それにより、各レーザ光が波長に関して選択的に反射 ·透過させられる。

[0121] 具体的には、 Rレーザ 30から出射した赤色レーザ光は、コリメート光学系 40によつて平行光化された後に、ダイクロイツクミラー 50に入射させられる。 Gレーザ 32から出射した緑色レーザ光は、コリメート光学系 42を経てダイクロイツクミラー 52に入射させられる。 Bレーザ 34から出射した青色レーザ光は、コリメート光学系 44を経てダイク口イツクミラー 54に入射させられる。

[0122] それら 3つのダイクロイツクミラー 50, 52, 54にそれぞれ入射した 3原色のレーザ光は、それら 3つのダイクロイツクミラー 50, 52, 54を代表する 1つのダイクロイツクミラー 54に最終的に入射して結合され、その後、結合光学系 56によって集光される。

[0123] 以上、光源ユニット 20のうち光学的な部分を説明したが、以下、電気的な部分を説明する。

[0124] 光源ユニット 20は、コンピュータを主体とする信号処理回路 60を備えている。信号処理回路 60は、外部力も供給された映像信号に基づき、各レーザ 30, 32, 34を駆動するための信号処理と、レーザビームの走査を行うための信号処理とを行うように設計されている。

[0125] 各レーザ 30, 32, 34を駆動するため、信号処理回路 60は、外部から供給された映像信号に基づき、網膜 14上に投影すべき画像上の各画素ごとに、レーザ光にとって必要な色と強度とを実現するために必要な駆動信号を、各レーザドライバ 70, 72, 7 4を介して各レーザ 30, 32, 34に供給する。レーザビームの走査を行うための信号処理については後述する。

[0126] 以上説明した光源ユニット 20は、結合光学系 56においてレーザビームを集光し、光ファイバ 82に入射させる。光ファイバ 82に入射したレーザビームは、光伝送媒体としての光ファイバ 82中を伝送され、その光ファイバ 82の後端力放射させられるレーザビームを平行光化するコリメート光学系 84を経て波面変調光学系 22に入射する。

[0127] この波面変調光学系 22は、光源ユニット 20から出射したレーザビームの波面曲率を変調する光学系である。この波面変調光学系 22は、波面曲率の変調を、網膜 14 上に投影すべき画像の各画素ごとに行う形式とすることが可能であるが、これは本発明を実施するために不可欠なことではなぐ画像の 1フレームごとに行う形式とすることが可能である。波面曲率を変調することは、表示画像の遠近感を変化させることや、表示画像のピント位置を変化させることを意味する。

[0128] いずれにしても、この波面変調光学系 22においては、信号処理回路 60から入力された奥行き信号に基づき、波面変調光学系 22に入射するレーザビームの波面を変調する。この波面変調光学系 22においては、コリメート光学系 84から平行光として入射するレーザビームが収束レンズ 90によって収束光に変換され、その変換された収束光が可動ミラー 92によって反射されて拡散光に変換される。その変換された拡散光は、収束レンズ 90を通過し、目標の波面曲率を有するレーザビームとしてこの波面変調光学系 22から出射する。

[0129] 図 1に示すように、この波面変調光学系 22は、外部から入射したレーザビームを反射または透過させるビームスプリッタ 94と、そのビームスプリッタ 94を経て入射したレ一ザビームを収束する収束レンズ 90と、その収束レンズ 90により収束されたレーザビームを反射する可動ミラー 92とを備えて、る。

[0130] この波面変調光学系 22は、さらに、可動ミラー 92を、収束レンズ 90に接近するかまたは収束レンズ 90から離れる向きに変位させるァクチユエータ 96を備えている。このァクチユエータ 96の一例は、圧電素子である。ァクチユエータ 96は、信号処理回路 6 0から入力された奥行き信号に応じて可動ミラー 92の位置を移動させることにより、波面変調光学系 22から出射するレーザビームの波面曲率を変調する。

[0131] 以上のように構成された波面変調光学系 22においては、コリメート光学系 84から入射したレーザビームがビームスプリッタ 94で反射して収束レンズ 90を通過した後、可動ミラー 92で反射する。そして、再度、収束レンズ 90を通過し、その後、ビームスプリッタ 94を透過して走査装置 24へ向かう。

[0132] 走査装置 24は、水平走査系 100と垂直走査系 102とを備えて、る。

[0133] 水平走査系 100は、表示すべき画像の 1フレームごとに、レーザビームを水平に走查する水平走査を行う光学系である。これに対し、垂直走査系 102は、表示すべき画像の 1フレームごとに、レーザビームを垂直に走査する垂直走査を行う光学系である。水平走査系 100は、垂直走査系 102より高速にすなわち高周波数でレーザビームを走査するように設計されて、る。

[0134] 具体的に説明するに、水平走査系 100は、本実施形態においては、機械的偏向を行うミラーを備えた弾性体の振動によってそのミラーを揺動させる光スキャナ 104を備えている。光スキャナ 104は、信号処理回路 60から供給される水平同期信号に基づいて制御される。

[0135] 図 2には、光スキャナ 104が分解斜視図で示されている。図 2に示すように、光スキャナ 104は、本体部 110がベース 112に装着されて構成されている。

[0136] 本体部 110は、シリコン等、弾性を有する材料を用いて形成されている。本体部 11 0は、図 2の上部に示すように、概略的には、光が通過し得る貫通穴 114を有して薄板長方形状を成している。本体部 110は、外側には固定枠 116を備え、一方、内側には、反射面 120が形成された反射ミラー部 122を有する振動体 124を備えて、る。

[0137] このような本体部 110の構成に対応して、ベース 112は、図 2の下部に示すように、本体部 110との装着状態において固定枠 116が装着されるべき支持部 130と、振動体 124と対向する凹部 132とを有するように構成されている。凹部 132は、本体部 11 0をベース 112に装着した状態において、振動体 124が振動によって変位してもべース 112と干渉しな、形状を有するために形成されて!、る。

[0138] 図 2に示すように、反射ミラー部 122の反射面 120は、それの対称中心線でもある揺動軸線 134を中心として揺動させられる。振動体 124は、さらに、その反射ミラー部 122からそれと同一面上に延びて、その反射ミラー部 122を固定枠 116に接合するはり部 140を備えている。本実施形態においては、反射ミラー部 122の両側から一対のはり部 140がそれぞれ互いに逆向きに延び出している。

[0139] 各はり部 140は、 1個のミラー側板ばね部 142と、一対の枠側板ばね部 144と、それらミラー側板ばね部 142と一対の枠側板ばね部 144とを互いに接続する接続部 1 46とを含むように構成されている。ミラー側板ばね部 142は、反射ミラー部 122のうち、揺動軸線 134の方向において互いに対向する一対の縁のそれぞれから、対応する接続部 146まで、揺動軸線 134上において、揺動軸線 134に沿って延びている。一対の枠側板ばね部 144は、対応する接続部 146から、揺動軸線 134に対して互いに逆向きにオフセットする姿勢で、揺動軸線 134に沿って延びている。

[0140] 各 ίまり咅 140にお!/、て ίま、図 2に示すように、馬区動源 150, 152, 154, 156力 ^一対の枠側板ばね部 144, 144のそれぞれに、固定枠 116に及ぶ姿勢で取り付けられている。

[0141] 図 3に示すように、各枠側板ばね部 144が、固定枠 116に近い側において局部的に薄板ィ匕され、それにより、凹部 158が形成されている。この凹部 158に連続する凹部 159が固定枠 116に形成されている。それら凹部 158および 159を利用することにより、各駆動源 150, 152, 154, 156が、各枠側板ばね部 144と固定枠 116とにそれらを跨ぐ姿勢で設置されてヽる。

[0142] 各,駆動源 150, 152, 154, 156は、図 3に,駆動源 154力 ^代表的に示されるように、圧電体 170 (「圧電振動子」または「圧電素子」とも!ヽぅ。 )を主体として構成されてヽる。圧電体 170は、薄板状を成して振動体 124の片面に貼り付けられており、その貼付け面と直角な方向において上部電極 172と下部電極 174とによって挟まれている。図 3に示すように、上部電極 172と下部電極 174とはそれぞれ、図示しない各リード線により、固定枠 116に設置された一対の入力端子 178, 178に接続されている。これに対し、上部電極 172と下部電極 174とがそれぞれ、図示しない各リード線により、同じく図示しない外部端子に接続される態様で本発明を実施することが可能である。

[0143] それら上部電極 172と下部電極 174とに電圧が印加されれば、その印加方向と直交する向きの変位が圧電体 170に発生する。この変位により、図 4に示すように、はり部 140に屈曲すなわち反りが発生する。この屈曲は、はり部 140のうち固定枠 116との接続部を固定端とする一方、反射ミラー部 122との接続部を自由端として行われる。その結果、その屈曲の向きが上向きであるか下向きであるかにより、自由端が上向きまたは下向きに変位する。

[0144] 図 4から明らかなように、 4個の枠側板ばね 144にそれぞれ貼り付けられた 4個の駆動源 150, 152, 154, 156のうち、揺動軸線 134に関して一側に位置して反射ミラ一部 122を挟む一対の駆動源 150および 152と、他側に位置して反射ミラー部 122 を挟む一対の駆動源 154および 156とはそれぞれ、各対に属する 2個の圧電体 170 の自由端が互いに同じ向きに変位するように屈曲させられる。

[0145] それに対し、反射ミラー部 122に関して一側に位置して揺動軸線 134を挟む一対の駆動源 150および 154と、他側に位置して揺動軸線 134を挟む一対の駆動源 15 2および 156とはそれぞれ、各対に属する 2個の圧電体 170の自由端が互いに逆向きに変位するように屈曲させられる。

[0146] その結果、反射ミラー部 122には、図 4に示すように、その反射ミラー部 122を同じ向きに回転させる変位が、揺動軸線 134に関して一側に位置する一対の駆動源 150 および 152の一方向の変位と、反対側に位置する一対の駆動源 154および 156の逆方向の変位との双方によって発生させられる。

[0147] 以上要するに、各枠側板ばね部 144は、それに貼り付けられた圧電体 170の直線変位 (横変位)を屈曲運動 (縦変位)に変換する機能を有し、接続部 146は、各枠側板ばね部 144の屈曲運動をミラー側板ばね部 142の回転運動に変換する機能を有して、るのである。そのミラー側板ばね部 142の回転運動によって反射ミラー部 122 が回転させられる。

[0148] したがって、本実施形態においては、 4個の駆動源 150, 152, 154, 156を制御するために、揺動軸線 134に関して一側に位置する 2個の駆動源 150, 152、すなわち、図 2において右上の駆動源 150と左上の駆動源 152とが第 1対を成し、反対側に位置する 2個の駆動源 154, 156、すなわち、同図において右下の駆動源 154と左下の駆動源 156とが第 2対を成している。

[0149] 本実施形態においては、第 1対を成す 2個の駆動源 150, 152と、第 2対を成す 2 個の駆動源 154, 156とを互いに逆向きに変位させて、反射ミラー部 122にそれの摇動軸線 134まわりの往復回転運動すなわち揺動運動を発生させるために、第 1対を成す 2個の駆動源 150, 152に交番電圧が互いに同位相で印加されるのに対し、それとは逆位相の交番電圧力第 2対を成す 2個の駆動源 154, 156に互いに同位相で印加される。その結果、第 1対を成す 2個の駆動源 150, 152がいずれも、図 4〖こおいて下向きに橈んだ場合には、第 2対を成す 2個の駆動源 154, 156はいずれも、同図において上向きに橈むこととなる。

[0150] 上述の制御を実現するために、水平走査系 100は、図 1に示す水平走査駆動回路 180を備えている。この水平走査駆動回路 180においては、図 5に示すように、発振器 182が、信号処理回路 60から入力された水平同期信号に基づき、交番電圧信号を生成する。発振器 182は、位相シフタ 184およびアンプ 186を経た第 1経路を経て、第 1対を成す 2個の駆動源 150, 152に接続される一方、位相反転回路 188、位相シフタ 190およびアンプ 192を経た第 2経路を経て、第 2対を成す 2個の駆動源 154 , 156に接続されている。 [0151] 位相反転回路 188は、発振器 182から入力された交番電圧信号を、それの位相を反転させて位相シフタ 190に供給する。この位相反転回路 188は、第 2経路のみに設けられるため、第 1対を成す 2個の駆動源 150, 152と、第 2対を成す 2個の駆動源 154, 156とでは、対応するアンプ 186, 192から供給される交番電圧信号の位相が互いに逆となる。

[0152] いずれの経路においても、位相シフタ 184, 190は、前記映像信号と反射ミラー部 122の振動とが互いに同期するように、駆動源 150, 152, 154, 156に供給されるべき交番電圧信号の位相を変化させるために設けられてヽる。

[0153] 図 6には、振動体 124の具体的形状が斜視図で示されている。この振動体 124においては、反射面 120の法線方向に反射ミラー部 122を投影して得られる投影図形力概して円形を成すように、反射ミラー部 122が製作される。この反射ミラー部 122 は前記（18)項における「反射ミラー」の一例を構成して、る。本実施形態にぉ、ては、この反射ミラー部 122の直径は lmm、その厚さは 100 mであり、また、各はり部 1 40の長さは 2mmである。この反射ミラー部 122の製作方法は後に詳述する。

[0154] 図 7には、光ファイバ 82からの出射光がコリメート光学系 84を経てこの光スキャナ 1 04に入射する様子が斜視図で示されている。コリメート光学系 84からの出射光は、概して円形を成す反射ミラー部 122の反射面 120に入射し、その反射ミラー部 122 が揺動軸線 134まわりに揺動させられることにより、その反射面 120からの反射光が水平方向に走査される。

[0155] 図 8には、光ファイバ 82からの出射光がコリメート光学系 84を経て従来の光スキヤナ 300に入射する様子が斜視図で示されている。この光スキャナ 300においては、反射ミラー部 302が四角形を成している。

[0156] この反射ミラー部 302と本実施形態における反射ミラー部 122とを、材料の比重、厚さおよび最大幅寸法に関して互いに共通すると仮定したうえで、重量に関して互いに比較すれば、本実施形態における反射ミラー部 122の方が軽ぐよって、揺動軸線 134, 304まわりの慣性モーメントに関して互いに比較すれば、本実施形態における反射ミラー部 122の方が小さヽ。

[0157] したがって、本実施形態における反射ミラー部 122も、従来の反射ミラー部 302も、自身の共振を利用して光を走査する場合には、その共振周波数を増加させて光の走査周波数を増加させることにつき、本実施形態における反射ミラー部 122の方が従来の反射ミラー部 302より適してヽる。

[0158] 以上説明した光スキャナ 104によって水平走査されたレーザビームは、図 1に示すように、リレー光学系 194によって垂直走査系 102に伝送される。

[0159] この RSDは、ビームディテクタ 200を定位置に備えている。ビームディテクタ 200は、光スキャナ 104によって偏向されたレーザビームを検出することにより、そのレーザビームの主走査方向（水平走査方向）における位置を検出するために設けられている。ビームディテクタ 200の一例は、ホトダイオードである。

[0160] ビームディテクタ 200は、レーザビームが所定の位置に到達したことを示す信号を B D信号として出力し、その出力された BD信号は信号処理回路 60に供給される。このビームディテクタ 200から出力された BD信号に応答し、信号処理回路 60は、ビームディテクタ 200がレーザビームを検出した時期から設定時間が経過するのを待って、必要な駆動信号を各レーザドライバ 70, 72, 74に供給する。これにより、各走査線ごとに、画像表示開始タイミングが決定され、その決定された画像表示開始タイミングで画像表示が開始される。よって、画像信号とレーザビーム走査位置との同期が確実化される。

[0161] 以上、水平走査系 100を説明したが、垂直走査系 102は、図 1に示すように、機械的偏向を行う揺動ミラーとしてのガルバノミラー 210を備えている。ガルバノミラー 210 には、水平走査系 100から出射したレーザビームがリレー光学系 194によって集光されて入射するようになっている。このガルバノミラー 210は、それに入射したレーザビームの光軸と交差する回転軸線まわりに揺動させられる。このガルバノミラー 210の起動タイミングおよび回転速度は、信号処理回路 60から供給される垂直同期信号に基づいて制御される。

[0162] なお付言するに、この垂直走査系 102は、ガルバノミラー 210を主体として構成されているが、他の形式で構成することが可能である。

[0163] 以上説明した水平走査系 100と垂直走査系 102との共同により、レーザビームが 2 次元的に走査され、その走査されたレーザビームによって表現される画像力リレー光学系 214を経て観察者の眼 10に照射される。

[0164] ここで、反射ミラー部 122の製作方法を図 9の工程図を参照して詳細に説明する。

[0165] この製作方法においては、まず、ステップ S1において、シリコン単結晶により構成された板状の素材（シリコンゥエーハ）が、 100 mの厚さを有するように、被エッチング材 400 (図 11参照）として使用するために準備される。

[0166] 次に、ステップ S2において、被エッチング材 400の両面にエッチングマスク材 410 ( 図 11参照）がコーティングされる。エッチングマスク材 410は例えば、被エッチング材 400を加熱することによってその被エッチング材 400の両面に形成されたシリコン酸化膜である。すなわち、このステップ S2がコーティング工程なのである。

[0167] 続いて、ステップ S3において、被エッチング材 400の両面にそれぞれコーティングされたエッチングマスク材 410に所定のマスクパターンがリソグラフィによって形成される。各エッチングマスク材 410に形成されたマスクパターンの形状は、被エッチング材 400が図示しないエッチング槽に浸漬された場合に、そのエッチング槽内に収容されて、るエッチング液が最初に接触してエッチングされる部分の形状を決める。すなわち、このステップ S3がマスクパターン形成工程なのである。

[0168] 図 10には、マスクパターンの一例が平面図で示されている。

[0169] ところで、本実施形態においては、被エッチング材 400において最終的に露出させられる結晶面を説明するために、その被エッチング材 400の最終形状の対称性に着目し、図 10に示すように、被エッチング材 400の表面に沿ってその表面の一中心点 PC(Point of Center)まわりに 4等分された 4つの領域が想定されている。図 13には、それら 4つの領域のうちの一つが代表的に示されている。

[0170] 本実施形態においては、マスクパターンが、図 10に示すように、揺動軸線 134 (これが前記（23)項における「一基準線」の一例である。 )と平行な第 1辺と揺動軸線 13 4と直交する第 2辺とを有している。このマスクパターンは、図 11に示す被エッチング材 400の（100)結晶面上において第 1辺および第 2辺がく 110>結晶方向と直交するように被エッチング材 400に対して位置決めされる。

[0171] 本実施形態においては、図 10に示すように、第 1辺が、後述の複数の第 2部分 422 のうち、揺動軸線 134と平行な第 2部分 422 (図 10において水平に延びる第 2部分 4 22)に相当し、一方、第 2辺は、それら複数の第 2部分 422のうち、揺動軸線 134と直交する第 2部分 422 (図 10において垂直に延びる第 2部分 422)に相当する。このマスクパターンの形状を定義するために、便宜上、被エッチング材 400が、マスクパターンの中心点 PCにおいて互いに直交する 2本の対称中心線 (揺動軸線 134と、中心点 PCにおいてその揺動軸線 134と直交する一直線）によって 4つの領域 I, II, III および IVに分割される。

[0172] 本実施形態においては、さらに、マスクパターンが、図 10に示すように、それの両側であって揺動軸線 134の方向にぉ、て互いに対向するものにぉ、てそれぞれ、摇動軸線 134に沿って外向きに延び出す延出部 431を有している。この延出部 431は、図 4に示すはり部 140を、反射ミラー部 122と一緒にウエットエッチングによって製作するためにマスクパターンに設けられて、る。

[0173] ここで、図 13を参照しつつ、各領域の向きと、単結晶により構成された被エッチング材 400の複数の結晶面を定義するためにその被エッチング材 400に割り当てられる X yz座標系の向きとの関係を説明すれば、各領域の中心角（図 13の例においては、当該領域が示す四角形の 4つの角のうち図 13にお、て最上部に位置するもの）の二等分線と、 X軸とが互いに一致するように、各領域の向きと xyz座標系の向きとが決定されている。換言すれば、各領域における（100)面に対する法線力各領域の中心角の二等分線と一致するように、被エッチング材 400が 4等分されているのである。

[0174] 図 10には、上述の xyz座標系力被エッチング材 400と共にではなぐエッチングマスク材 410と共に示されている。図 10においては、マスクパターンが、それの表面に沿ってその表面の一中心点 PCまわりに 4等分され、それにより、 4つの領域 I, II, I IIおよび IVが形成されている。各領域ごとに xyz座標系が割り当てられている力図 1 0には、このことが領域 Iにつ!/、てのみ代表的に示されて!/、る。

[0175] 図 10に示すように、マスクパターンは、凸の八角形を成している。具体的には、マスクパターンの外形線は、各領域ごとに、被エッチング材 400の（100)結晶面に相当する第 1部分 420と、（ 111)結晶面 (狭義の（111)結晶面およびそれと等価な結晶面を含む。）に相当する第 2部分 422とを有する。第 2部分 422は、第 1部分 420の両側にそれぞれ存在する。 [0176] 以上説明した形状を有するマスクパターンは、被エッチング材 400の両面に互いにずれないように形成される。その後、図 9に示すように、ステップ S4において、被エツチング材 400とエッチングマスク材 410との積層体力エッチング液を収容するエッチング槽に浸漬される。本実施形態においては、エッチング液の種類が水酸ィ匕カリウム溶液 (KOH)に選定され、その濃度が 40wt%に選定され、その温度が 70°Cに選定されている。この条件において、被エッチング材 400に対してウエットエッチングが行われる。すなわち、このステップ S4がウエットエッチング工程なのである。なお、エッチング液の種類を水酸ィ匕テトラメチルアンモ -ゥム溶液 (TMAH)に変更することが可能である力この場合には、マスクパターンの形状が図 10に示すもの力も変更される

[0177] 図 11 (a)および (b)ならびに図 12 (a)および (b)には、被エッチング材 400がゥエツトエッチングされる様子が段階的に示されている。ただし、それら図には、被エツチング材 400力それの対称性に着目し、前述の 4つの領域 I, II, IIIおよび IVのうちのいずれかのみに関して代表的に示されている。

[0178] 図 11 (a)においては、被エッチング材 400のウエットエッチング力エッチングマスク材 410によってコーティングされていない部分から開始される。この段階においては、被エッチング材 400に、（100)結晶面と（111)結晶面のみが現れる。

[0179] 図 11 (a)に示す段階力ウエットエッチングが少し進行すると、図 11 (b)に示すように、被エッチング材 400においては、最初に露出した（100)結晶面と（111)結晶面との間の部分、すなわち、図 11 (a)に示す段階においてエッチングマスク材 410が示す八角形に属する各角部（以下、「もとの各角部」という。）に複数の別の結晶面が露出し始まり、これにより、もとの各角部が丸められる。

[0180] 図 11 (b)に示す段階力ウエットエッチングが少し進行すると、図 12 (a)に示すように、被エッチング材 400においては、（100)結晶面と（111)結晶面との間の部分に図 11 (b)に示す段階において露出した複数の結晶面が成長し、さらに、別の結晶面も露出し始まり、これにより、もとの各角部がさらに丸められる。

[0181] 図 12 (a)に示す段階力ウエットエッチングが少し進行すると、図 12 (b)に示すように、被エッチング材 400においては、（100)結晶面と（111)結晶面との間の部分に図 12 (a)に示す段階において露出した複数の結晶面が成長し、さらに、別の結晶面も露出し始まり、これにより、もとの各角部がさらに丸められる。図 12 (b)に示す段階は、ウエットエッチングの終了段階であり、被エッチング材 400がエッチング液によつて厚さ方向に貫通させられている。図 12 (b)には、被エッチング材 400の最終形状が、マタスパターンと共に示されている。

[0182] 図 13には、図 12 (b)に示す被エッチング材 400が拡大して示されている。被エッチング材 400のウエットエッチングが終了すると、（100)結晶面と（111)結晶面との間に、 (211)結晶面と（311)結晶面と (411)結晶面と（511)結晶面とを含む複数の別の結晶面が露出する。それら（211)結晶面と（311)結晶面と (411)結晶面と（511) 結晶面とはそれぞれ、（111)結晶面と同様に、括弧内の数字列によって表される狭義の結晶面およびそれと等価な結晶面を含むように定義されて、る。

[0183] すなわち、本実施形態においては、図 10に示すように、エッチングマスク材 410は、第 1部分 420と第 2部分 422との間に、（ni l)結晶面 (n : 2以上の整数）に対応する第 3部分 424を有するのである。

[0184] 以上説明したウエットエッチングによって完成した反射ミラー部 122は、それを法線方向に投影すれば、概して凸の八角形を成しており、正確には、 m角形 (m: 16より大きい整数)を成している。図 14 (a)には、完成した反射ミラー部 122の縦断面図であって、（100)結晶面を通過する平面で切断した場合のものが示されている。同図（ b)には、完成した反射ミラー部 122の縦断面図であって、（111)結晶面を通過する平面で切断した場合のものが示されて、る。

[0185] 図 14 (c)には、被エッチング材 400の一比較例として、被エッチング材 400'を片面のみ力もウエットエッチングした場合に取得される反射ミラー部 122 'が、（ 111)結晶面を通過する平面で切断した縦断面図で示されている。同図（b)に示すように、本実施形態によれば、被エッチング材 400が両面力ウエットエッチングされるため、それの側面に、被エッチング材 400の厚さ方向の中心線に関して対称である不連続な傾斜面が形成されている。したがって、本実施形態によれば、上述の比較例より、軽量で慣性モーメントが小さい反射ミラー部 122を製作することが容易である。

[0186] 本実施形態によれば、（100)結晶面と（111)結晶面との間に露出するそれらとは別の結晶面 (以下、「介在結晶面」という。）の種類の数が複数個である。したがって、本実施形態によれば、その介在結晶面の種類の数が 1個である場合の反射ミラー部 122の形状である 16角形より、反射ミラー部 122の形状が円形化される。反射ミラー部 122をそれの法線方向に投影して得られる投影図形の外形線を構成する直線セグメント (各結晶面に相当する。）の数が多いほど、その外形線は円に接近する傾向があるからである。

[0187] さらに、本実施形態によれば、（100)結晶面と（111)結晶面とがいずれも、ウエットエッチングによって侵食され、それぞれの長さ寸法が初期値より減少させられる。その減少分が、それら（100)結晶面と（111)結晶面との双方に対して斜めの向きを有する別の結晶面によって置換される。

[0188] したがって、本実施形態によれば、反射ミラー部 122の外周面を構成する複数の結晶面のそれぞれの長さが減少されて均等化させられ、このことによつても、反射ミラー部 122の形状が円形化される。反射ミラー部 122の投影図形の外形線を構成する複数の直線セグメント（各結晶面に相当する。）の数が一定であると仮定すると、それら直線セグメントのうちの最長の直線セグメントの長さが短いほど、その外形線は円に接近する傾向があるからである。

[0189] なお付言するに、図 15には、マスクパターンの別の例が示されている。この例においては、前述の例と同様に、マスクパターンの外形線力（100)結晶面に対応する第 1部分 430と、（111)結晶面に対応する第 2部分 432と、（ni l)結晶面 (n: 2以上の整数）に対応する第 3部分 434を有している。

[0190] 以上のようにしてウエットエッチング工程が終了すれば、図 9に示すように、その後、ステップ S5において、エッチングマスク材 410が両面にそれぞれコーティングされた被エッチング材 400がエッチング槽から取り出される。続いて、ステップ S6において、エッチングマスク材 410が被エッチング材 400の両面から剥離される。その後、ステツプ S7において、被エッチング材 400の両面のうちの少なくとも一方に、アルミニウムまたは銀を材料として、反射膜が形成される。

[0191] 以上で、この反射ミラー製作方法の一連の実施が終了する。

[0192] 次に、本発明の第 2実施形態を説明する。ただし、本実施形態は、第 1実施形態に対し、マスクパターンの形状および反射ミラーの具体的形状が異なるのみで、他の要素については共通するため、異なる要素についてのみ詳細に説明し、共通する要素については、同一の符号または名称を使用して引用することにより、詳細な説明を省略する。

[0193] 図 16に示すように、本実施形態においては、第 1実施形態と同様に、マスクパターンが、揺動軸線 134 (これが前記（23)項における「一基準線」の一例である。）と平行な第 1辺と揺動軸線 134と直交する第 2辺とを有している。このマスクパターンは、図 1 7に示す被エッチング材 480の（100)結晶面上において第 1辺および第 2辺が < 11 0>結晶方向と直交するように被エッチング材 480に対して位置決めされる。

[0194] 本実施形態においては、第 1辺が、後述の複数の第 2部分 472のうち、揺動軸線 1 34と平行な第 2部分 472 (図 16において水平に延びる第 2部分 472)に相当し、一方、第 2辺は、それら複数の第 2部分 472のうち、揺動軸線 134と直交する第 2部分 4 72 (図 16において垂直に延びる第 2部分 472)に相当する。このマスクパターンの形状を定義するために、便宜上、被エッチング材 480が、マスクパターンの中心点 PC にお、て互いに直交する 2本の対称中心線 (揺動軸線 134と、中心点 PCにお、てその揺動軸線 134と直交する一直線）によって 4つの領域 I, II, IIIおよび IVに分割される。

[0195] 本実施形態においては、さらに、マスクパターンが、第 1実施形態と同様に、図 16 に示すように、それの両側であって揺動軸線 134の方向にぉ、て互いに対向するものにおいてそれぞれ、揺動軸線 134に沿って外向きに延び出す延出部 431を有している。

[0196] 本実施形態においては、第 1実施形態と同様に、マスクパターンが概して凸の八角形を成しており、マスクパターンの外形線が、（100)結晶面に対応する第 1部分 470 と、（111)結晶面に対応する第 2部分 472とを有している。さらに、本実施形態においては、第 4部分 474が、第 2部分 472と同様に、第 1部分 470の両側にそれぞれ対称的に配置されている。

[0197] 以上の説明から明らかなように、本実施形態においては、マスクパターンの平面形状が、凸の八角形を基本形状として、その八角形における 8個の角部において突出部として第 4部分 474を有する形状なのである。その第 4部分 474は、正規の八角形における各角部から、その各角部の外角に当たる領域に向力つて延びる形状を有している。

[0198] 第 4部分 474は、この第 4部分 474が介在しないことによって第 1部分 470と第 2部分 472とによって本来であれば形成されるべき角部がウエットエッチングによって侵食されるタイミングを遅延させる機能を果たす。この機能により、最終的な反射ミラー部 122の外周面の面構成が、第 1実施形態より単純な面構成で済むことになる。

[0199] 本実施形態においては、第 1実施形態と同様に、被エッチング材 480の両面にエツチングマスク材 490がコーティングされ、それらコーティングされた 2個のエッチングマスク材 490にそれぞれ、上述の形状を有するマスクパターンが形成される。そのようにしてマスクパターンが割り当てられた被エッチング材 480に対してウエットエツチングが実行される。

[0200] 図 17 (a)および（b)ならびに図 18 (a)および（b)には、被エッチング材 480がゥエツトエッチングされる様子が段階的に示されている。図 17 (a)においては、被エツチング材 480のウエットエッチングが、エッチングマスク材 490によってコーティングされていない部分から開始される。

[0201] この段階においては、被エッチング材 480に主に、（100)結晶面と（111)結晶面とが現れる。さらに、被エッチング材 480には、それら（100)結晶面と（111)結晶面との間に、別の結晶面も現れる。被エッチング材 480のうち、その別の結晶面が現れる部分は、（100)結晶面および（111)結晶面力突出する突出部 492を形成して、る。その突出部 492は、マスクパターンのうちの第 4部分 474により、その周辺部より侵食が遅延された結果、形成される部分である。

[0202] 図 17 (a)に示す段階力ウエットエッチングが少し進行すると、図 17 (b)に示すように、被エッチング材 480においては、（100)結晶面と（111)結晶面との間に位置する突出部 492がウエットエッチングによって侵食され、その突出部 492の突出量が減少する。この段階においては、その突出部 492の先端に、（520)結晶面が形成し始められる。

[0203] 図 17 (b)に示す段階力ウエットエッチングが少し進行すると、図 18 (a)に示すように、被エッチング材 480においては、（100)結晶面と（111)結晶面との間に位置する突出部 492がウエットエッチングによってさらに侵食され、その突出部 492の突出量がさらに減少する。この段階においては、その突出部 492の先端に形成された（5 20)結晶面が成長する。

[0204] 図 18 (a)に示す段階力もウエットエッチングが少し進行すると、図 18 (b)に示すように、被エッチング材 480においては、（100)結晶面と（111)結晶面との間において（ 520)結晶面が成長し、この（520)結晶面により、（100)結晶面と（111)結晶面とが斜面によって互いに接続される。図 18 (b)に示す段階は、ウエットエッチングの終了段階であり、被エッチング材 480がエッチング液によって厚さ方向に貫通させられている。図 18 (b)には、被エッチング材 480の最終形状力マタスパターンの第 1部分 4 70と共に示されている。

[0205] 図 19には、図 18 (b)に示す被エッチング材 480が拡大して示されている。被エッチング材 480のウエットエッチングが終了すると、（100)結晶面と（111)結晶面との間に（520)結晶面のみが露出し、その結果、本実施形態によれば、（100)結晶面と（1 11)結晶面とが、第 1実施形態より単純な面構成によって互いに接続される。

[0206] 図 20 (a)には、完成した反射ミラー部 122が斜視図で示され、図 20 (b)には平面図で示されている。その反射ミラー部 122は、それを法線方向に投影すれば、概して凸の八角形を成しており、正確には、 16角形を成しており、より正確には、 16角形に近い形状を成している。

[0207] 本実施形態によれば、反射ミラー部 122の外周面力（100)結晶面と（111)結晶面との間に主として（520)結晶面が介在するように構成される。介在結晶面が主として 1種類存在するようにウエットエッチングが実行されるのであり、その存在する介在結晶面の種類の数は変動しない。よって、本実施形態によれば、反射ミラー部 122の外周面の形状が安定ィ匕し、その結果、その反射ミラー部 122の慣性モーメントも安定化する。

[0208] なお付言するに、図 21には、マスクパターンの別の例が示されている。この例においては、前述の例と同様に、マスクパターンの外形線力（100)結晶面に対応する第 1部分 500と、（111)結晶面に対応する第 2部分 502と、第 4部分 504とを有している。

[0209] 次に、図 22ないし図 32を参照することにより、本発明の第 3実施形態を説明する。

[0210] 本実施形態は、第 1または第 2実施形態に対し、本体部 110の製作方法のうち、ステツプ部を有するばね部 140をウエットエッチングによって製作する部分についてのみ異なり、他の要素については共通する。したがって、本実施形態における複数の要素のうち、第 1または第 2実施形態と共通する要素については、同一の符号または名称を使用して引用することにより、重複した説明を省略する一方、異なる要素についてのみ、詳細に説明する。

[0211] 本実施形態に従う RSDは、構成上、第 1実施形態に従う RSDであって図 1に示すものと共通している。ただし、波面変調光学系 22が省略されるように本実施形態を変更することが可能であり、このことは、第 1実施形態についても同様である。

[0212] 本実施形態に従う RSDにおける本体部 110は、第 1実施形態に従う RSDにおける本体部 110であって図 2ないし図 4に示すものと共通しており、振動体 124と固定枠 1 16とが一体的に形成されて構成されている。その振動体 124は、図 2に示すように、反射面 120を有する反射ミラー部 122と、その反射ミラー部 122を隔てて互いに対向する一対のはり部 140, 140とが一体的に形成されて構成されている。

[0213] 図 2に示すように、その振動体 124の各はり部 140は、第 1実施形態と同様に、 1個のミラー側板ばね部 142と、一対の枠側板ばね部 144, 144と、それらミラー側板ばね部 142と一対の枠側板ばね部 144, 144とを互いに接続する接続部 146とを含むように構成されている。すなわち、本実施形態においては、各はり部 140が、前記（1 8)項における「はり構造体」の一例を構成し、また、前記（27)項および（28)項に係る「はり構造体」の一例を構成しているのである。

[0214] ここで、図 2および図 3を参照することにより、本実施形態に従う RSDにおける本体部 110のうち、本実施形態に従う振動体製作方法の理解を容易にするために説明が必要である部分を説明する。

[0215] 図 2に示すように、各 ίまり咅 140にお!/、て ίま、馬区動源 150, 152, 154, 156力 ^一対の枠側板ばね部 144, 144のそれぞれに、固定枠 116に及ぶ姿勢で取り付けられている。 [0216] 図 3に示すように、各枠側板ばね部 144が、固定枠 116に近い側において局部的に薄板ィ匕され、それにより、凹部 158が形成されている。この凹部 158に連続する凹部 159が固定枠 116に形成されている。それら凹部 158および 159を利用することにより、各駆動源 150, 152, 154, 156が、各枠側板ばね部 144と固定枠 116とにそれらを跨ぐ姿勢で設置されてヽる。

[0217] 図 3を参照して上述したように、本実施形態においては、はり部 140のうちの各枠側板ばね部 144の片面部すなわち上面部に凹部 158がそれぞれ形成されている。各枠側板ばね部 144の上面部に凹部 158を形成するために、各枠側板ばね部 144がステップ部 160を有するものとされている。

[0218] 図 3に示すように、そのステップ部 160は、（a)はり部 140の基本表面すなわちもとの上面と同一の高さを有する高部 162と、（b)もとの上面より低い低部 164と、（a)それら高部 162と低部 164との境界に位置してはり部 140を横断する肩部 166とを有するように各枠側板ばね部 144に形成される。それらのうち、低部 164と肩部 166とによって凹部 158が形成されている。

[0219] 図 2および図 3に示すように、各駆動源 150, 152, 154, 156は、それぞれの上面力対応する枠側板ばね部 144の基本表面と同一の高さの平面を超えない状態で、対応する凹部 158、すなわち、対応するステップ部 160に装着されている。

[0220] 図 3に示すように、各馬区動源 150, 152, 154, 156ίま、薄板状の圧電体 170力 S上部電極 172と下部電極 174とによってサンドイッチされた積層体として形成されている。各駆動源 150, 152, 154, 156は、図 3 (a)に側面図で示すように、下面において凹部 158, 159の表面に装着される一方、上面において高部 162の表面の高さを超えない厚さ寸法を有している。すなわち、本実施形態においては、各駆動源 150, 152, 154, 156が前記（31)項における「積層部」の一例を構成しているのである。

[0221] 本実施形態に従う RSDにおける水平走査駆動回路 180には、構成および作動に関し、第 1実施形態に従う RSDにおける水平走査駆動回路 180であって図 4に示すものと共通している。

[0222] 振動体 124のうちの各枠側板ばね部 144は、凹部 158を形成するためのステップ部 160を有するように、反射ミラー部 122と一体的に形成される。本実施形態においては、ステップ部 160の高さ、すなわち、各枠側板ばね部 144の厚さ方向における高部 162と低部 164との距離は 50 mであり、各枠側板ばね部 144の長さ方向における凹部 158の寸法は lmmである。

[0223] 図 22には、固定枠 116および振動体 124を含む本体部 110をウエットエッチングによって一体的にかつ一括して製作する振動体製作方法が工程図で示されている。

[0224] この製作方法が実施されると、まず、ステップ S 11において、シリコン単結晶により構成された板状の素材が被エッチング材として準備される。

[0225] 図 23には、その被エッチング材が符号 600を付されて示されている。この被エッチング材 600は、 100 /z mの厚さを有してシリコンゥエーハによって構成されている。この被エッチング材 600においては、図 29に示すように、最初から（100)結晶面が露出させられている。

[0226] 図 23には、本体部 110の製作方法力その製作方法のうち後述のコーティングェ程とマスクパターン形成工程とを代表的に説明するために、図 2における A— A線と B —B線とについて断面図で示されている。 A— A線は、反射ミラー部 122の中心を通過して本体部 110を横断する切断線であり、一方、 B— B線は、凹部 158の長さ方向中心を通過して本体部 110を横断する切断線である。

[0227] 次に、ステップ S12において、図 23 (a)に示すように、被エッチング材 600の両面に 2個のエッチングマスク材 610, 612がそれぞれコーティングされる。それらエツチングマスク材 610, 612は、被エッチング材 600の両面を加熱することによってその被エッチング材 600の両面に形成されたシリコン熱酸化膜である。すなわち、このステツプ S 12が前記（18)項における「コーティング工程」の一例を構成して、るのである。

[0228] 続いて、ステップ S13において、図 23 (b)〖こ示すよう〖こ、被エッチング材 600の両面にそれぞれコーティングされた 2個のエッチングマスク材 610, 612に対してリソグラフィが実行される。具体的には、各エッチングマスク材 610, 612の表面にそれぞれレジストが塗布され、その後、その塗布された各レジストがそれぞれのパターン光で露光される。続いて、各レジストが、それぞれの露光パターンのもと、必要な薬品を用いて位置選択的に除去される。その結果、上側エッチングマスク材 610の表面には上側マスクパターンを有するレジスト 620が付着する一方、下側エッチングマスク材 612 の表面には下側マスクパターンを有するレジスト 622が付着する。

[0229] このステップ S13においては、さらに、 2個のエッチングマスク材 610, 612力それぞれ予めパターユングされたレジスト 620, 622のもとに、必要な薬液（例えば、フッ酸)を用いて位置選択的に除去される。その結果、上側エッチングマスク材 610には、図 24 (a)に平面図で示す上側マスクパターン 630、下側エッチングマスク材 612には、図 24 (b)に平面図で示す下側マスクパターン 632がそれぞれ形成される。

[0230] ただし、図 24には、上側マスクパターン 630および下側マスクパターン 632のそれぞれが、振動体 124の製作に関連する部分のみについて示されており、固定枠 116 の製作に関連する部分については、本発明を理解するために不可欠ではないため、省略されている。

[0231] 図 24 (a)および（b)にそれぞれ示すマスクパターン 630, 632においては、それぞれの長さ方向中央位置に、反射ミラー部 122を製作するための部分が存在するが、この部分については、前述の第 1または第 2実施形態と共通するため、省略されている。

[0232] 図 24 (a)に示す上側マスクパターン 630においては、破線の丸で囲まれた部分が、各枠側板ばね部 144の上面部のうちのステップ部 160の製作に関連する部分 650 である。これに対し、図 24 (b)に示す下側マスクパターン 632においては、破線の丸で囲まれた部分が、各枠側板ばね部 144の下面部のうち、ステップ部 160とは反対側に位置する部分の製作に関連する部分 652である。

[0233] 各マスクパターン 630, 632の形状は、被エッチング材 600が図示しないエツチング槽に浸漬された場合に、そのエッチング槽内に収容されているエッチング液が最初に接触してエッチングされる部分の形状を決める。すなわち、このステップ S13が、前記（18)項における「マスクパターン形成工程」の一例を構成して、るのである。

[0234] 図 24に示すように、部分 652は、枠側板ばね部 144の基本的な狙い形状 (最終製作形状）とほぼ同じ単純な帯状を成して、部分 652と、下側マスクパターン 632のうち固定枠 116に対応する部分 654との間をストレートに延びているのに対し、部分 650 は、複雑な形状を有している。

[0235] 以下、図 25および図 26を参照することにより、部分 650の形状を詳細に説明する。ただし、図 25には、被エッチング材 600および枠側板ばね部 144が、それらの形状を容易に説明することを目的として簡略化されて示されてヽる。それら被エッチング材 600および枠側板ばね部 144のより現実的な各形状は、図 27ないし図 29に示されている。

[0236] 図 25 (a)には、上側マスクパターン 630のうち、複数の枠側板ばね部 144を説明の便宜上代表する 1個の枠側板ばね部 144 (以下、「代表枠側板ばね部」という。）に対応する部分が斜視図で示されている。図 25 (b)には、被エッチング材 600のうち、代表枠側板ばね部 144が形成される部分とその周辺部分とが斜視図で示されている。図 25 (c)には、代表枠側板ばね部 144の基本的な狙い形状 (最終製作形状)が斜視図で示されている。

[0237] 図 25 (b)を参照して被エッチング材 600をさらに詳細に説明するに、この被エッチング材 600は、その被エッチング材 600のうち、この被エッチング材 600をエッチング液に浸漬させてウエットエッチングを行うにもかかわらず侵食されずに残る予定残存部分 700を備えている。その予定残存部分 700は、図 25 (c)に示す基本的な狙い形状のうちの高部 162と同じ形状を有している。この予定残存部分 700は、図 25 (b)にぉ、て破線で示されて、る。

[0238] 図 25 (b)に示すように、この被エッチング材 600は、さらに、ウエットエッチングによつて被エッチング材 600の厚さ方向に貫通するまで侵食される予定貫通部分 702を備えている。この予定貫通部分 702は、被エッチング材 600と、その被エッチング材 6 00のうち代表枠側板ばね部 144の基本的な狙い形状と同じ形状を有する同形状部分とを、被エッチング材 600の厚さ方向に投影した場合に、被エッチング材 600の投影図のうち、同形状部分の投影図を除外した部分である。

[0239] 図 25 (b)に示すように、この被エッチング材 600は、さらに、ウエットエッチングによつて被エッチング材 600の厚さ方向の途中まで侵食される予定半侵食部分 704を有している。その予定半侵食部分 704は、図 3に示す凹部 158と同じ形状を有している。この予定半侵食部分 704は、図 25 (b)において二点鎖線で示されている。被エツチング材 600においては、その予定半侵食部分 704を、それの幅方向両側から挟む両側部分 706, 706が存在する。 [0240] 図 25 (a)に示すように、上側マスクパターン 630のうちの部分 650 (以下、「ステップ部対応マスクパターン 650」という。）は、ウエットエッチングの開始前に予定残存部分 700の表面（上面）を覆う基本パターン 710を含んで、る。ステップ部対応マスクパターン 650は、さらに、ウエットエッチングの開始前に両側部分 706, 706の表面（上面 )を覆う補償パターン 712を含んでいる。

[0241] 補償パターン 712は、具体的には、予定半侵食部分 704からそれの幅方向両側に張り出した状態でそれの長さ方向に延びる一対の張り出し部分 714, 714として構成されている。

[0242] 図 26には、代表枠側板ばね部 144のうちのステップ部 160のうちの高部 162の基本的な狙い形状と、ステップ部対応マスクパターン 650の形状と力比較のために共に平面図で並べて示されている。図 26から明らかなように、ステップ部対応マスクパターン 650は、高部 162の表面形状と同じ形状を有する基本パターン 710を含んでいる。ステップ部対応マスクパターン 650は、さらに、その基本パターン 710から幅方向両側に張り出した一対の張り出し部分 714, 714を補償パターン 712として含んでいる。ステップ部対応マスクパターン 650は、図 26に示すように、一対の張り出し部分 714, 714の一端部において基本パターン 710に結合されて閉塞される一方、他端部において開放されることにより、基本パターン 710のうち補償パターン 712に結合される部分と共同して概して U字状を成して、る。

[0243] 以上説明した形状を有する上側マスクパターン 630および下側マスクパターン 632 は、被エッチング材 600の両面にそれぞれ形成される。その後、図 22に示すステップ S14において、被エッチング材 600とエッチングマスク材 610, 612との積層体力ェツチング液を収容するエッチング槽に浸漬される。本実施形態においては、エツチング液の種類が水酸ィ匕カリウム溶液 (KOH)に選定され、その濃度が 40wt%に選定され、その温度が 70°Cに選定されている。この条件において、被エッチング材 600に対してウエットエッチングが行われる。すなわち、このステップ S14が前記（18)項における「ウエットエッチング工程」の一例を構成して、るのである。

[0244] なお付言するに、エッチング液の種類を水酸ィ匕テトラメチルアンモ -ゥム溶液 (TM AH)に変更することが可能である力この場合には、マスクパターンの形状が図 24 に示すものから部分的に変更される。

[0245] さらに、このステップ S14においては、被エッチング材 600が予定貫通部分 702において貫通したときに、一回のウエットエッチングが終了する。一回のウエットエッチングのために被エッチング材 600がエッチング液に一回のみ浸漬される。すなわち、本実施形態においては、一回のウエットエッチングのために、被エッチング材 600がエッチング液に複数回に分けて浸漬されるのではなぐ一回のみ浸漬されるようになつており、その結果、被エッチング材 600に対するウエットエッチングによって本体部 110がー括して（一度に)製作されるようになって!/、るのである。

[0246] 図 27 (a)および（b)ならびに図 28 (a)および（b)には、被エッチング材 600においてウエットエッチングが進行する様子が段階的に示されている。ただし、それら図には

、代表枠側板ばね部 144にっき、被エッチング材 600の侵食が上面から下面に向かつて進行する様子が代表的に示されている。

[0247] 図 27 (a)に示す段階においては、被エッチング材 600のウエットエッチング力エツチングマスク材 610によって被覆されていない部分から開始される。この段階においては、ステップ部対応マスクパターン 650により、被エッチング材 600に、（100)結晶面および（111)結晶面が出現し始める。

[0248] 図 27 (a)に示す段階力もウエットエッチングが少し進行し、被エッチング材 600の侵食深さも少し増すと、図 27 (b)に示すように、被エッチング材 600のうち一対の張り出し部分 714, 714によって被覆されている部分において、各張り出し部分 714の先端部の両角部力各張り出し部分 714の内側に向力侵食が進行する。ただし、 (111 )結晶面は残存している。

[0249] 図 27 (b)に示す段階力もウエットエッチングが少し進行すると、図 28 (a)に示すように、被エッチング材 600のうち一対の張り出し部分 714, 714によって被覆されている部分がほぼ完全に除去される。この段階においてもなお、（111)結晶面が存在している。

[0250] 図 28 (a)に示す段階力もウエットエッチングが少し進行すると、一回のウエットエツチングが終了させられる。このとき、図 28 (b)に示すように、被エッチング材 600は、予定貫通部分 702において厚さ方向に貫通させられる。さらに、低部 164の表面が形成され、さらに、肩部 166の表面も形成される。

[0251] 図 29 (a)には、そのウエットエッチングによって形成されたステップ部 160が平面図で示され、図 29 (b)には、斜視図で示されている。肩部 166においては、（111)結晶面が出現している。（111)結晶面は、ウエットエッチングの実行中、他の結晶面より侵食される速度が遅、結晶面である。

[0252] したがって、（111)結晶面を利用して肩部 166を形成すれば、ウエットエッチング時間が実際に多少ばらついても、その終了時に出現している（111)結晶面の、代表枠側板ばね部 144の長さ方向における位置がそれほど敏感に変化せずに済む。その結果、肩部 166の、長さ方向における位置が、実際のウエットエッチング条件の変動にもかかわらず、安定し、精度が向上する。

[0253] 本実施形態においては、肩部 166に（111)結晶面が出現するようにするために、補償パターン 712が、図 26に示すように一対の張り出し部分 714, 714であって、各先端部にお、て各張り出し部分 714の長さ方向に直角に延びる矩形部を有し、かつ、その矩形部の各角部ができる限り直角に近いものを有している。

[0254] 図 26に示すように、本実施形態においては、それら一対の張り出し部分 714, 714 のそれぞれの先端に、各張り出し部分 714, 714の長さ方向と直交する直線部 720, 720が形成されている。各直線部 720, 720は、被エッチング材 600のく 110>結晶方向と直交する直線部の一例であり、各直線部 720, 720の存在により、ウエットエツチングによって肩部 166に（111)結晶面が出現する。すなわち、本実施形態においては、各張り出し部 714, 714の先端に位置する直線部 720, 720が、前記（23)項における「直線部」の一例を構成して、るのである。

[0255] すなわち、本実施形態においては、ウエットエッチングが終了させられるときに肩部 166に（111)結晶面が出現するように、補償パターン 712の形状が一対の張り出し部分 714, 714を有するように予め設定されて!、るのである。

[0256] 以上のようにしてウエットエッチング工程が終了すれば、図 22に示すように、その後、ステップ S15において、エッチングマスク材 610が両面にそれぞれコーティングされた被エッチング材 600がエッチング槽から取り出される。続いて、ステップ S16において、エッチングマスク材 610が被エッチング材 600の両面から剥離される。 [0257] 以上で、この振動体製作方法の一連の実施が終了する。

[0258] 図 30および図 31には、本実施形態との比較例である製作方法によってステップ部 160が製作される過程が、図 27および図 28と同様にして、段階的に斜視図で示されている。この比較例においては、ステップ部対応マスクパターン力基本パターン 71 0と同じ形状を有するものとして使用される。

[0259] この比較例においては、被エッチング材 600に対するウエットエッチングが進行するにつれて、被エッチング材 600の上面部の形状力図 30 (a)に示す段階から図 30 (b)に示す段階に移行する。ウエットエッチングがさらに継続されると、図 31 (a)に示すように、被エッチング材 600のうち高部 162に相当する部分の長さ力その高部 16 2の基本的な狙い形状より短くなる。ウエットエッチングがさらに継続されると、図 31 (b )に示すように、被エッチング材 600のうち高部 162に相当する部分の長さ力その高部 162の基本的な狙い形状よりかなり短くなるうえに、肩部 166が、多様な結晶面によって形成される。

[0260] そのため、この比較例においては、肩部 166の位置を精度よく管理することが困難であり、肩部 166の位置精度に関して個体差を縮減することも困難である。これに対し、本実施形態によれば、前述のように、肩部 166の位置を精度よく管理することが容易であり、肩部 166の位置精度に関して個体差を縮減することも容易である。

[0261] 以上の説明から明らかなように、本実施形態においては、一対の張り出し部分 714 , 714が互いに共同して前記（21)項および（22)項における「第 1エッチング補償部」の一例を構成して、るのである。

[0262] 次に、本発明の第 4実施形態を説明する。ただし、本実施形態は、第 3実施形態に対し、マスクパターンの形状が異なるのみで、他の要素については共通するため、異なる要素についてのみ詳細に説明し、共通する要素については、同一の符号または名称を使用して引用することにより、詳細な説明を省略する。

[0263] 図 32に示すように、本実施形態においても、第 3実施形態と同様に、エッチングマスク材 610の両面が、上側エッチングマスク材 730と下側エッチングマスク材 732とによってコーティングされる。

[0264] 図 32 (a)には、上側エッチングマスク材 730に形成される上側マスクパターン 740 力振動体 124の製作に関連する部分についてのみ平面図で示されている。図 32 ( b)には、下側エッチングマスク材 732に形成される下側マスクパターン 742が、振動体 124の製作に関連する部分と、固定枠 116のうち振動体 124と連結する部分の製作に関連する部分とにつ、てのみ平面図で示されて、る。

[0265] 図 32 (a)に示す上側マスクパターン 740においては、破線の丸で囲まれた部分が、各枠側板ばね部 144の上面部のうちのステップ部 160の製作に関連する部分 760 である。これに対し、図 32 (b)に示す下側マスクパターン 742においては、破線の丸で囲まれた部分が、各枠側板ばね部 144の下面部のうち、ステップ部 160とは反対側に位置する部分の製作に関連する部分 762である。

[0266] 図 32に示すように、下側マスクパターン 742の形状は、第 3実施形態における下側マスクパターン 632と共通するのに対し、上側マスクパターン 740の形状は、第 3実施形態における上側マスクパターン 630とは異なっている。したがって、以下、上側マスクパターン 740の形状のみを詳細に説明し、下側マスクパターン 742の形状については説明を省略する。

[0267] 図 33には、複数の枠側板ばね部 144を代表する 1個の枠側板ばね部 144のうちのステップ部 160のうちの高部 162の基本的な狙い形状と、上側マスクパターン 740のうちステップ部 160に対応する部分 760 (以下、「ステップ部対応マスクパターン 760」という。）の形状と力比較のために共に平面図で並べて示されている。

[0268] 図 33から明らかなように、ステップ部対応マスクパターン 760は、高部 162の表面形状と同じ形状を有する基本パターン 770を含んで、る。ステップ部対応マスクバターン 760は、さらに、予定半侵食部分 704 (図 25参照）の表面と、両側部分 706, 70 6 (図 25参照）の表面とを覆うことにより、特に予定半侵食部分 704においてウエットエッチングが進行する速度を減速させる補償パターン 772を含んでいる。

[0269] その補償パターン 772は、具体的には、基本パターン 770のうち補償パターン 772 に結合される部分と共同して、 4個の角部と 4本の辺とを有する菱形状を成している。補償パターン 772の各辺は、く 100>結晶方向と直交しており、かつ、補償パターン 772の 4個の角部のうち互いに対向する 2個の対向角部のうちの一方において基本パターン 770に結合される一方、他方の対向角部において切り欠かれている。 [0270] この補償パターン 772は、さらに具体的に説明するに、両側部分 706, 706 (図 25 参照）の表面を覆う一対の第 1エッチング補償部 780, 780と、予定半侵食部分 704 (図 25参照）の表面を覆う第 2エッチング補償部 782、すなわち、予定残存部分 700 (図 25参照）の前方に位置する部分とを有している。それら第 1エッチング補償部 78 0, 780と第 2エッチング補償部 782との共同により、予定半侵食部分 704においてゥエツトエッチングが進行する速度が減速させられ、その結果、そのウエットエッチングが予定残存部分 700に到達しな、ようになって、る。

[0271] 図 34 (a)および（b)ならびに図 35 (a)および（b)には、被エッチング材 600においてウエットエッチングが進行する様子が段階的に示されている。ただし、それら図には

[0272] 図 34 (a)に示す段階においては、被エッチング材 600のウエットエッチング力エツチングマスク材 610によって被覆されていない部分から開始される。この段階においては、ステップ部対応マスクパターン 760により、被エッチング材 600に、（100)結晶面が出現し始める。

[0273] 図 34 (a)に示す段階力もウエットエッチングが少し進行し、被エッチング材 600の侵食深さも少し増すと、図 34 (b)に示すように、被エッチング材 600のうち補償パターン 772によって被覆されている部分において、その補償パターン 772の複数個の角部のうち、先端に位置する 2個の角部と、幅方向に互いに隔たった 2個の角部とから、補償パターン 772の内側に向力侵食が進行する。ただし、（100)結晶面は残存している。

[0274] 図 34 (b)に示す段階力もウエットエッチングが少し進行すると、図 35 (a)に示すように、被エッチング材 600のうち補償パターン 772によって被覆されている部分力その補償パターン 772の後端部のみ残して除去される。この段階においてもなお、（10 0)結晶面が存在している。

[0275] 図 35 (a)に示す段階力もウエットエッチングが少し進行すると、一回のウエットエツチングが終了させられる。このとき、図 35 (b)に示すように、被エッチング材 600は、予定貫通部分 702において厚さ方向に貫通させられる。さらに、低部 164の表面が形成され、さらに、肩部 166の表面も形成される。

[0276] 本実施形態によれば、ウエットエッチング時間が実際に多少ばらついても、肩部 16 6の、代表枠側板ばね部 144の長さ方向における位置がそれほど敏感に変化せずに済む。その結果、肩部 166の、長さ方向における位置力ウエットエッチング条件の変動にもかかわらず、安定し、精度が向上する。

[0277] 以上の説明から明らかなように、本実施形態においては、補償パターン 772が前記

(25)項における「補償パターン」の一例を構成し、その補償パターン 772のうち、一対の第 1エッチング補償部 780, 780が前記（21)項な、し (23)項および（25)項における「第 1エッチング補償部」の一例を構成し、補償パターン 772のうち、第 2エッチング補償部 782が前記（24)項および（25)項における「第 2エッチング補償部」の一例を構成して、るのである。

[0278] 以上、本発明の実施の形態のいくつかを図面に基づいて詳細に説明したが、これらは例示であり、前記く発明の開示 >の欄に記載の態様を始めとして、当業者の知識に基づいて種々の変形、改良を施した他の形態で本発明を実施することが可能である。

Claims

請求の範囲

[1] 光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する反射ミラー製作方法であって、

[2] 前記反射ミラーは、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに振動させられることにより、その反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される請求の範囲第 1項に記載の反射ミラー製作方法。

[3] 前記反射ミラーは、その反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、少なくともねじり振動が前記揺動軸線まわりに発生させられる板状のばねと共に振動体を構成し、その振動体のうちの少なくとも一部が振動させられることにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される請求の範囲第 2項に記載の反射ミラー製作方法。

[4] 前記マスクパターンの平面形状は、概して凸の八角形である請求の範囲第 1項に記載の反射ミラー製作方法。

[5] 前記マスクパターンの平面形状は、凸の八角形を基本形状として、その八角形における 8個の角部において突出部を有する形状である請求の範囲第 4項に記載の反射ミラー製作方法。

[6] 前記マスクパターンは、一基準線と平行な第 1辺とその基準線と直交する第 2辺とを有し、前記被エッチング材の（100)結晶面上において前記第 1辺および前記第 2辺が < 110>結晶方向と直交するように前記被エッチング材に対して位置決めされ、そのマスクパターンの外形線は、そのマスクパターンの中心点において互いに直交する 2本の対称中心線によって前記被エッチング材を 4つの領域に分割した場合の各領域ごとに、前記被エッチング材の（100)結晶面に相当する第 1部分と、 (111) 結晶面に相当する第 2部分とを有する請求の範囲第 4項に記載の反射ミラー製作方法。

[7] 前記マスクパターンの外形線は、さらに、前記各領域ごとに、前記被エッチング材の (ni l)結晶面 (n: 2以上の整数）に相当する第 3部分を、前記第 1部分と前記第 2 部分との間に有する請求の範囲第 6項に記載の反射ミラー製作方法。

[8] 前記マスクパターンの外形線は、さらに、前記各領域ごとに、前記被エッチング材の（520)結晶面に相当する第 4部分を、前記第 1部分と前記第 2部分との間に有する請求の範囲第 6項に記載の反射ミラー製作方法。

[9] 前記エッチング液は、 KOHまたは TMAHである請求の範囲第 1項に記載の反射ミラー製作方法。

[10] 前記設定濃度は、約 35wt%ないし約 45wt%の範囲内にある請求の範囲第 9項に記載の反射ミラー製作方法。

[11] 前記設定温度は、約 60°Cないし約 80°Cの範囲内にある請求の範囲第 9項に記載の反射ミラー製作方法。

[12] 前記マスクパターン形成工程は、前記被エッチング材の両面にそれぞれコーティングされた 2個のエッチングマスク材にそれぞれ前記マスクパターンを形成する工程を含む請求の範囲第 1項に記載の反射ミラー製作方法。

[13] さらに、前記ウエットエッチングの終了後に、前記被エッチング材カも前記エツチングマスク材を剥離する剥離工程を含む請求の範囲第 1項に記載の反射ミラー製作方法。

[14] さらに、前記被エッチング材力前記エッチングマスク材が剥離された後に、その被エッチング材の両面のうちの少なくとも片面に反射膜を形成する反射膜形成工程を含む請求の範囲第 13項に記載の反射ミラー製作方法。

[15] 光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーであって、

[16] 当該反射ミラーは、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに振動させられることにより、その反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される請求の範囲第 15項に記載の反射ミラー。

[17] 当該反射ミラーは、その反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、少なくともねじり振動が前記揺動軸線まわりに発生させられる板状のばね部と共に振動体を構成し、その振動体のうちの少なくとも一部が振動させられることにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するために使用される請求の範囲第 1 6項に記載の反射ミラー。

[18] 反射面を有する反射ミラーと板状のばねとが一体的に形成されて成る振動体をエツチングによって一体的に製作する振動体製作方法であって、

前記反射ミラーは、前記反射面に平行な揺動軸線まわりに揺動させられ、それにより、前記反射面に入射した光の反射方向を変化させてその光を走査するものであり、前記ばねは、前記反射ミラーから前記揺動軸線に沿って延び、長さ方向における一部分にステップ部を有するはり構造体として構成され、前記振動体のうちの少なくとも一部の振動によって少なくともねじり振動が前記ばねに前記揺動軸線まわりに発生させられ、その少なくともねじり振動によって前記反射ミラーを前記揺動軸線まわりに揺動させるものであり、当該振動体製作方法は、前記反射ミラーを製作するために、請求の範囲第 1項に記載の反射ミラー製作方法を含み、

[19] 前記マスクパターンは、全体的に均一な厚さを有する請求の範囲第 18項に記載の振動体製作方法。

[20] 前記被エッチング材は、シリコン単結晶であって、（100)結晶面が露出するものである請求の範囲第 18項に記載の振動体製作方法。

[21] 前記補償パターンは、前記両側部分の表面を覆うことにより、前記予定半侵食部分において前記ウエットエッチングが進行する速度を減速させてそのウエットエッチングが前記予定残存部分に到達しな、ようにする第 1エッチング補償部を含む請求の範囲第 18項に記載の振動体製作方法。

[22] 前記第 1エッチング補償部は、前記予定半侵食部分力前記幅方向両側にそれぞれ張り出した状態で前記長さ方向に延びる一対の張り出し部分であって、それら一対の張り出し部分の一端部において前記基本パターンに結合されて閉塞される一方、他端部において開放されることにより、前記基本パターンのうち前記一対の張り出し部分に結合される部分と共同して概して U字状を成すものを含む請求の範囲第 21 項に記載の振動体製作方法。

[23] 前記第 1エッチング補償部は、前記はり構造体の幅方向に平行であり、かつ、前記被エッチング材のく 110>結晶方向と直交する直線部を有する請求の範囲第 21項に記載の振動体製作方法。

[24] 前記補償パターンは、前記予定半侵食部分の表面を覆うことにより、その予定半侵食部分において前記ウエットエッチングが進行する速度を減速させてそのウエットェツチングが前記予定残存部分に到達しないようにする第 2エッチング補償部を含む請求の範囲第 18項に記載の振動体製作方法。

[25] 前記補償パターンは、請求の範囲第 21項に記載の第 1エッチング補償部と前記第 2エッチング補償部とを含んでおり、

その補償パターンは、前記基本パターンのうち前記補償パターンに結合される部分と共同して、 4個の角部と 4本の辺とを有する菱形状を成し、かつ、各辺はく 100 >結晶方向と直交しており、かつ、前記 4個の角部のうち互いに対向する 2個の対向角部のうちの一方において前記基本パターンに結合される一方、他方の対向角部にぉ、て切り欠かれて、る形状を成して、る請求の範囲第 24項に記載の振動体製作方法。

[26] 前記ウエットエッチング工程にぉ、て前記被エッチング材を前記エッチング液に 1 回のみ浸漬させることにより、前記振動体を一括して製作する請求の範囲第 18項に記載の振動体製作方法。

[27] 請求の範囲第 15項に記載の反射ミラーと板状のばねとが一体的に形成されて成る振動体であって、

[28] 当該振動体は、請求の範囲第 18項に記載の振動体製作方法によって製作された請求の範囲第 27項に記載の振動体。

[29] 当該振動体は、前記反射ミラーと、その反射ミラーと同一平面に沿って延びる弾性変形部であって前記ステップ部が形成されたものとを互いに一体的に含む請求の範囲第 27項に記載の振動体。

[30] 当該振動体は、振動させられることにより、前記反射面に入射した光の光学的特性を変化させるために使用される請求の範囲第 27項に記載の振動体。

[31] 前記低部に積層部が、その積層部の上面が前記高部の上面を超えないように形成される請求の範囲第 27項に記載の振動体。