WO2005117147A1 - Verfahren zur herstellung eines bereichs mit reduzierter elektrischer leitfähigkeit innerhalb einer halbleiterschicht und optoelektronisches halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines bereichs mit reduzierter elektrischer leitfähigkeit innerhalb einer halbleiterschicht und optoelektronisches halbleiterbauelement Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to a method for producing an electrically conductive III-V semiconductor layer according to the preamble of patent claim 1 and an optoelectronic semiconductor component according to the preamble of patent claims 16 or 17.
  • connection contact In radiation-emitting optoelectronic components, no current is to be injected below an electrical connection contact (bond pad), since electromagnetic radiation which is generated in regions of the active zone below the connection contact would be absorbed to a relatively large extent within the connection contact, and therefore not could be coupled out of the component.
  • the area of the optoelectronic surface through which a current flows Restrict the semiconductor component to a partial area of the semiconductor chip in order to achieve an increased charge carrier density in this partial area and thereby a shorter switching time of the optoelectronic component.
  • Known methods for influencing the current path through a semiconductor component are the underlaying of an electrical connection contact with an insulating layer, the implantation of protons in partial regions of a semiconductor layer or the selective oxidation of epitaxially produced AlAs layers in order to produce current limiting diaphragms in this way.
  • the invention is based on the object of specifying a method with which a region with reduced electrical conductivity can be produced within an electrically conductive III-V semiconductor layer with comparatively little effort, and an advantageous optoelectronic component with such a III-V semiconductor layer specify.
  • This object is achieved by a method according to patent claim 1 or by optoelectronic semiconductor components according to patent claims 16 or 17.
  • Advantageous refinements and developments of the invention are the subject of the dependent claims.
  • a ZnO layer is applied to the region of the semiconductor layer and subsequently annealed.
  • the method thus advantageously creates a region within a III-V semiconductor layer in which the electrical conductivity is reduced compared to the region or regions of the III-V semiconductor layer that adjoin the region with reduced conductivity.
  • the III-V semiconductor layer has an electrical conductivity ⁇ i, and an area with a reduced electrical conductivity ⁇ 2 compared to ⁇ x is generated within the electrically conductive III-V semiconductor layer, so that ⁇ 2 ⁇ i.
  • the ZnO layer is preferably deposited on the III-V semiconductor material at a temperature of less than 150 ° C., preferably between 25 ° C. and 120 ° C. inclusive.
  • the ZnO layer is advantageously applied by means of sputtering.
  • the subsequent annealing is preferably carried out at a temperature of about 300 ° C to 500 ° C.
  • the ZnO layer can be structured, for example, using photolithography or a lift-off technique.
  • the conductivity of the ZnO layer can be doped with Al, preferably with a concentration of up to 3%.
  • the invention is based on the knowledge that the electrical conductivity, in particular also the transverse conductivity, of a III-V semiconductor layer can be influenced in a targeted manner by applying a ZnO layer and a subsequent annealing process.
  • the reduction in the conductivity of the III-V semiconductor layer strongly depends on the temperature at which the ZnO layer is applied.
  • a deposition temperature of less than 150 ° C. it is possible, for example, to reduce the conductivity of a III-V semiconductor layer by at least a factor of 2, preferably by at least a factor 5 and particularly preferably even by at least a factor 10.
  • the conductivity of the III-V semiconductor layer is influenced at least less, preferably even only negligibly, by the application of a ZnO layer at a temperature of more than 150 ° C., for example at about 250 ° C., and subsequent annealing.
  • the ZnO layer can be removed after the tempering or can also remain on the semiconductor layer and act as a current spreading layer, for example, within an optoelectronic component.
  • the method according to the invention is particularly suitable for a III-V semiconductor layer which is one of the
  • III-V semiconductor layer is preferably p-doped.
  • the III-V semiconductor layer is contained in an optoelectronic component, in particular in a luminescence diode or in a semiconductor laser device.
  • the optoelectronic component contains a radiation-emitting active zone and by means of the area with reduced electrical conductivity, the current flow through partial areas of the active zone is reduced.
  • the area with reduced electrical conductivity is advantageously arranged between an electrical connection contact of the optoelectronic component and the active zone.
  • An advantageous variant of the method according to the invention consists in depositing a first ZnO layer on a first region of the semiconductor layer and depositing a second ZnO layer on a second region of the semiconductor layer, the deposition temperature of the second ZnO layer compared to the deposition temperature of the first ZnO layer.
  • Layer is increased in such a way that during the subsequent annealing the conductivity of the second region of the semiconductor layer is reduced at least less than the conductivity of the first region.
  • the second ZnO layer is preferably applied at a temperature of more than 150 ° C., for example at about 250 ° C.
  • an optoelectronic semiconductor component which contains a III-V semiconductor layer which has at least one region with reduced electrical conductivity produced by a method according to the invention.
  • a preferred embodiment of an optoelectronic semiconductor component according to the invention has a III-V semiconductor layer which is covered with a ZnO layer in at least a first region, the conductivity in the semiconductor body being lower in the first region covered by the ZnO layer than in the laterally adjacent areas of the semiconductor layer.
  • the electrical conductivity of the first region of the III-V semiconductor layer is advantageously lower by at least a factor of 2, preferably by at least a factor 5 and particularly preferably by at least a factor 10 than in the laterally adjacent regions of the semiconductor layer.
  • the III-V semiconductor layer preferably contains one of the semiconductor materials In ⁇ - x - y Ga x Al y P with 0 ⁇ x + y ⁇ l, O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l or Al ⁇ _ x Ga x As with O ⁇ x ⁇ l.
  • a second ZnO layer can be deposited on a second region of the semiconductor layer, the conductivity of the second region of the semiconductor layer being greater than the conductivity of the first region.
  • first ZnO layer and the second ZnO layer can adjoin one another and be arranged between the III-V semiconductor layer and the connection contact of an optoelectronic component.
  • the first ZnO layer and the second ZnO layer thus advantageously together form a current spreading layer.
  • An optoelectronic semiconductor component preferably contains a radiation-emitting active zone, the region with reduced electrical conductivity between one electrical connection contact of the optoelectronic component and the active zone is arranged in order to reduce the current injection in a region of the active zone opposite the connection contact. This reduces the generation of radiation in this area and thus advantageously reduces the absorption in the final contact.
  • FIG. 1 a shows a schematically illustrated top view of an optoelectronic component in accordance with a first exemplary embodiment of the invention
  • FIG. 1b shows a schematic illustration of a cross section along the line AB of the exemplary embodiment of the invention shown in FIG.
  • FIG. 2a shows a schematically illustrated plan view of an optoelectronic component in accordance with a second exemplary embodiment of the invention
  • Figure 2b is a schematic representation of a cross section along the line CD of the embodiment of the invention shown in Figure 2a and
  • Figure 2c is a schematic representation of a cross section along the line EF of the embodiment of the invention shown in Figure 2a.
  • the same or equivalent elements are provided with the same reference numerals in the figures.
  • the first exemplary embodiment of an optoelectronic component according to the invention shown in FIGS.
  • the semiconductor layer sequence 3, 4, 5, which is shown only schematically in FIG. 1b, can have any desired embodiment for luminescence diodes or semiconductor laser devices within the scope of the invention.
  • quantum layers can also be provided as radiation-emitting active zone 4.
  • a second ZnO layer 6 which, in contrast to the first ZnO layer, was applied at a higher deposition temperature of more than 150 ° C., for example about 250 ° C.
  • the first ZnO layer 1 and the second ZnO layer 6 can be applied, for example, in such a way that the second ZnO layer 6 is applied over the whole area to the III-V semiconductor layer 3 and then covered with a mask layer which contains an opening in the partial area provided for the first ZnO layer.
  • the second ZnO layer 6 is removed in this partial area, for example using an etching process, and then the first ZnO layer 1 is applied at a deposition temperature of less than 150 ° C.
  • a first connection contact 7 is then applied. From the areas of the second ZnO layer 6 covered with the mask layer, the material of the first ZnO layer 1 and the connecting contact 7 deposited there can be lifted off together with the mask layer (lift-off technique).
  • the tempering is then carried out at a temperature between 300 ° C. and 500 ° C. in order to produce the region 8 below the first ZnO layer 1 with reduced electrical conductivity.
  • the current flow from an electrical connection contact 7 on the first ZnO layer 1 to a second connection contact 9, which is arranged, for example, on the rear side of the substrate 2 facing away from the active zone 4, is advantageously in the areas the active zone 4, which are not opposite the connection contact 7.
  • the preferred current path from the connection contact 7 to the active zone 4 within the semiconductor layer 3 is indicated in FIG. 1b by the arrows 10.
  • This course of the current path 10 has the advantage that only a relatively small proportion of the radiation emitted by the optoelectronic component is generated in the regions of the active zone 4 opposite the connection contact 7 , whereby the absorption losses in the connection contact 7 are reduced.
  • the first ZnO layer 1 and the second ZnO layer 6 adjoin one another and together form a current spreading layer.
  • the ZnO layers 1, 6 are advantageously doped with up to three percent Al. Due to the good transverse conductivity of the ZnO layers 1, 6, which is also retained in the annealing process step, the current from the connection contact 7 through the first ZnO layer 1 and the second ZnO layer 6 into the areas with or not slightly reduced electrical conductivity of the III-V semiconductor layer 3 are injected.
  • the second exemplary embodiment of an optoelectronic component according to the invention shown in FIGS. 2a, 2b and 2c differs from that shown in FIG. 1 essentially in that the current injection into the semiconductor layer 3 does not have a second ZnO layer 6, but rather an structured form on the semiconductor layer 3 applied contact layer 11 takes place.
  • the contact layer 11 is preferably a metal layer which is suitable for forming an ohmic contact on the semiconductor layer 3 and can in particular contain Au, Zn or a compound of these materials.
  • the contact layer 11 is structured such that it describes the outline of a square when viewed from above. Alternatively, the contact layer 11 can also have a different structuring.
  • the contact layer 11 is connected to the centrally arranged connection contact 7 via connecting webs 12.
  • the connection contact 7 is arranged on the first ZnO layer 1, which according to the previously described method for reducing the conductivity of the areas below it to III -V semiconductor layer 3 was applied and annealed.
  • the conductivity of the semiconductor layer 3 is therefore also reduced in this exemplary embodiment in a region 8 which lies opposite the connection contact 7, so that the current is impressed through the contact layer 11 preferably in those regions of the active zone 4 which do not lie opposite the connection contact 7.
  • the absorption of the radiation emitted by the optoelectronic component in the connection contact 7 is thereby reduced and thus the efficiency of the component is increased.
  • the invention is not limited by the description based on the exemplary embodiments. Rather, the invention encompasses every new feature and every combination of features, which in particular includes every combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly specified in the patent claims or exemplary embodiments.

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Abstract

Bei einem Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht (3) wird auf den Bereich (8) der Halbleiterschicht (3) eine ZnO-Schicht (1) aufgebracht und anschließend bevorzugt bei einer Temperatur zwischen 300 °C und 500 °C getempert. Die ZnO-Schicht (1) wird bevorzugt bei einer Temperatur von weniger als 150 °C, bevorzugt zwischen einschließlich 25 °C und einschließlich 120 °C auf die III-V-Halbleiterschicht (3) abgeschieden. Der Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit ist bevorzugt in einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement zwischen der aktiven Zone (4) und einem Anschlusskontakt (7) angeordnet, um die Strominjektion in die dem Anschlusskontakt (7) gegenüberliegenden Bereiche der aktiven Zone (4) zu vermindern.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines Bereichs mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer Halbleiterschicht und optoelektronisches Halbleiterbauelement
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102004026231.4-33, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement nach den Oberbegriffen der Patentansprüche 16 oder 17.
Bei optoelektronischen Halbleiterbauelementen, insbesondere Lumineszenzdioden oder Halbleiterlaservorrichtungen, besteht oftmals der Wunsch, den Stromfluss durch den Halbleiterkörper gezielt durch einzelne Teilbereiche der Halbleiterschichten zu lenken, um die Effizienz des Bauelements zu erhöhen.
Zum Beispiel soll bei strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelementen kein Strom unterhalb eines elektrischen Anschlusskontakts (Bondpad) injiziert werden, da elektromagnetische Strahlung, die in unterhalb des Anschlusskontakts liegenden Bereichen der aktiven Zone erzeugt wird, zu einem verhältnismäßig großen Anteil innerhalb des Anschlusskontakts absorbiert würde, und deshalb nicht aus dem Bauelement ausgekoppelt werden könnte.
Ferner besteht oftmals auch der Wunsch, die von einem Strom durchflossene Fläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf einen Teilbereich des Halbleiterchips zu beschränken, um in diesem Teilbereich eine erhöhte Ladungsträgerdichte und dadurch eine kürzere Schaltzeit des optoelektronischen Bauelements zu erreichen.
Bekannte Methoden zur Beeinflussung des Strompfades durch ein Halbleiterbauelement sind die Unterlegung eines elektrischen Anschlusskontaktes mit einer isolierenden Schicht, die Implantation von Protonen in Teilbereiche einer Halbleiterschicht oder die selektive Oxidation von epitaktisch hergestellten AlAs-Schichten, um auf diese Weise Strombegrenzungsblenden herzustellen.
Bei Halbleitermaterialien mit einer hohen Querleitf higkeit ist die Wirksamkeit der Unterlegung des Anschlusskontaktes mit einer isolierenden Schicht allerdings auf oberflächennahe Bereiche beschränkt, da die Leitfähigkeit des Halbleitermaterials selbst dadurch nicht beeinflusst wird. Mit den zuvor genannten Methoden der Protonenimplantation oder der selektiven Oxidation von AlAs-Schichten kann dagegen die Leitfähigkeit einzelner Teilbereiche einer Halbleiterschicht verändert werden. Allerdings sind diese Methoden technisch verhältnismäßig aufwendig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem mit vergleichsweise geringem Aufwand ein Bereich mit reduzierter elektrischer Leitf higkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht erzeugt werden kann, und ein vorteilhaftes optoelektronisches Bauelement mit einer derartigen III-V-Halbleiterschicht anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Patentanspruch 1 beziehungsweise durch optoelektronische Halbleiterbauelemente nach den Patentansprüchen 16 oder 17 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche .
Bei einem Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht wird gemäß der Erfindung auf den Bereich der Halbleiterschicht eine ZnO-Schicht aufgebracht und anschließend getempert. Durch das Verfahren wird also vorteilhaft ein Bereich innerhalb einer III-V-Halbleiterschicht erzeugt, in dem die elektrische Leitfähigkeit gegenüber dem Bereich oder den Bereichen der III-V-Halbleiterschicht, die an den Bereich mit reduzierter Leitfähigkeit angrenzen, reduziert ist. Beispielsweise weist die III-V-Halbleiterschicht eine elektrische Leitfähigkeit σi auf, und es wird ein Bereich mit einer gegenüber σx reduzierten elektrischen Leitfähigkeit σ2 innerhalb der elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht erzeugt, so dass σ2 < σi gilt .
Die ZnO-Schicht wird bevorzugt bei einer Temperatur von weniger als 150 °C, bevorzugt zwischen einschließlich 25 °C und einschließlich 120 °C, auf das III-V-Halbleitermaterial abgeschieden. Vorteilhaft wird die ZnO-Schicht mittels Sputtern aufgebracht. Das anschließende Tempern erfolgt bevorzugt bei einer Temperatur von etwa 300 °C bis 500 °C.
Zur Definition der Bereiche, in denen die Leitfähigkeit der Halbleiterschicht reduziert werden soll, kann die ZnO-Schicht beispielsweise mittels Photolithographie oder einer Lift-Off- Technik strukturiert werden. Zur Verbesserung der Leitfähigkeit der ZnO-Schicht kann diese mit AI dotiert sein, vorzugsweise mit einer Konzentration von bis zu 3 % .
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass die elektrische Leitfähigkeit, insbesondere auch die Querleitfähigkeit, einer III-V-Halbleiterschicht durch das Aufbringen einer ZnO- Schicht und einen anschließenden Temperprozess gezielt beeinflusst werden kann. Insbesondere hat sich herausgestellt, dass die Reduzierung der Leitfähigkeit der III-V-Halbleiterschicht stark von der Temperatur abhängt, bei der die ZnO-Schicht aufgebracht wird. Bei einer Abscheidtemperatur von weniger als 150 °C ist es beispielsweise möglich, die Leitf higkeit einer III-V- Halbleiterschicht um mindestens einen Faktor 2, bevorzugt um mindestens einen Faktor 5 und besonders bevorzugt sogar um mindestens einen Faktor 10 zu reduzieren. Andererseits wird die Leitfähigkeit der III-V-Halbleiterschicht durch das Aufbringen einer ZnO-Schicht bei einer Temperatur von mehr als 150 °C, beispielsweise bei etwa 250 °C, und anschließendes Tempern zumindest weniger stark, bevorzugt sogar nur vernachlässigbar gering beeinflusst .
Die ZnO-Schicht kann nach dem Tempern entfernt werden oder auch auf der Halbleiterschicht verbleiben und beispielsweise innerhalb eines optoelektronischen Bauelements als StromaufweitungsSchicht fungieren .
Besonders geeignet ist das erfindungsgemäße Verfahren für eine III-V-Halbleiterschicht, die eines der
Halbleitermaterialien Inx-x.yGaxAlyP mit θ£X+y<l, θ X<l, 0<y<l oder Alι-xGaxAs mit 0<x<l enthält. Die III-V-Halbleiterschicht ist vorzugsweise p-dotiert. Bei einem bevorzugten Verfahren gemäß der Erfindung ist die III-V-Halbleiterschicht in einem optoelektronischen Bauelement enthalten, insbesondere in einer Lumineszenzdiode oder in einer Halbleiterlaservorrichtung. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform enthält das optoelektronische Bauelement eine Strahlungsemittierende aktive Zone und mittels des Bereichs mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit wird der Stromfluss durch Teilbereiche der aktiven Zone vermindert. Dazu ist der Bereich mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit vorteilhaft zwischen einem elektrischen Anschlusskontakt des optoelektronischen Bauelements und der aktiven Zone angeordnet.
Eine vorteilhafte Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, eine erste ZnO-Schicht auf einen ersten Bereich der Halbleiterschicht abzuscheiden und eine zweite ZnO-Schicht auf einen zweiten Bereich der Halbleiterschicht abzuscheiden, wobei die Abscheidtemperatur der zweiten ZnO- Schicht gegenüber der Abscheidtemperatur der ersten ZnO- Schicht derart erhöht ist, dass bei dem anschließenden Tempern die Leitfähigkeit des zweiten Bereichs der Halbleiterschicht zumindest weniger reduziert wird als die Leitf higkeit des ersten Bereichs. Bevorzugt wird die zweite ZnO-Schicht bei einer Temperatur von mehr als 150 °C, beispielsweise bei etwa 250 °C, aufgebracht.
Weiterhin ist im Rahmen der Erfindung ein optoelektronisches Halbleiterbauelement vorgesehen, das eine III-V- Halbleiterschicht enthält, die mindestens einen mit einem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten Bereich mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit aufweist. Eine bevorzugte Ausführungsform eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung weist eine III-V- Halbleiterschicht auf, die in mindestens einem ersten Bereich mit einer ZnO-Schicht bedeckt ist, wobei die Leitf higkeit in dem Halbleiterkδrper in dem von der ZnO-Schicht bedeckten ersten Bereich geringer ist als in den lateral angrenzenden Bereichen der Halbleiterschicht.
Vorteilhaft ist die elektrische Leitf higkeit des ersten Bereichs der III-V-Halbleiterschicht um mindestens einen Faktor 2, bevorzugt um mindestens einen Faktor 5 und besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 10 geringer als in den lateral angrenzenden Bereichen der Halbleiterschicht. Die III-V-Halbleiterschicht enthält vorzugsweise eines der Halbleitermaterialien Inι-x-yGaxAlyP mit 0<x+y<l, O≤x≤l, O≤y≤l oder Alι_xGaxAs mit O≤x≤l .
Auf einem zweiten Bereich der Halbleiterschicht kann eine zweite ZnO-Schicht abgeschieden sein, wobei die Leitf higkeit des zweiten Bereichs der Halbleiterschicht größer ist als die Leitfähigkeit des ersten Bereichs.
Insbesondere können die erste ZnO-Schicht und die zweite ZnO- Schicht aneinander angrenzen und zwischen der III-V- Halbleiterschicht und dem Anschlusskontakt eines optoelektronischen Bauelements angeordnet sein. Die erste ZnO-Schicht und die zweite ZnO-Schicht bilden so auf vorteilhafte Weise gemeinsam eine Stromaufweitungsschicht aus .
Bevorzugt enthält ein optoelektronisches Halbleiterbauelement eine Strahlungsemittierende aktive Zone, wobei der Bereich mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit zwischen einem elektrischen Anschlusskontakt des optoelektronischen Bauelements und der aktiven Zone angeordnet ist, um die Strominjektion in einem dem Anschlusskontakt gegenüberliegenden Bereich der aktiven Zone zu vermindern. Dadurch wird die Erzeugung von Strahlung in diesem Bereich vermindert und damit die Absorption im Abschlusskontakt vorteilhaft vermindert .
Die Erfindung wird im folgenden anhand von zwei Ausführungsbeispielen in Zusammenhang mit den Figuren 1 und 2 näher erläutert .
Es zeigen:
Figur la eine schematisch dargestellte Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Figur lb eine schematische Darstellung eines Querschnitts entlang der Linie AB des in Figur la dargestellten Ausführungsbeispiels der Erfindung,
Figur 2a eine schematisch dargestellte Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Figur 2b eine schematische Darstellung eines Querschnitts entlang der Linie CD des in Figur 2a dargestellten Ausführungsbeispiels der Erfindung und
Figur 2c eine schematische Darstellung eines Querschnitts entlang der Linie EF des in Figur 2a dargestellten Ausführungsbeispiels der Erfindung. Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Das in den Figuren la und lb dargestellte erste Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements enthält auf einem Substrat 2 mindestens eine p-dotierte III-V-Halbleiterschicht 3 und mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht 5, zwischen denen eine Strahlungsemittierende aktive Zone 4 ausgebildet ist. Die in der Figur lb nur schematisch dargestellte Halbleiterschichtenfolge 3, 4, 5 kann im Rahmen der Erfindung eine beliebige für Lumineszenzdioden oder Halbleiterlaservorrichtungen übliche Ausführungsform aufweisen. Insbesondere können auch Quantenschichten als Strahlungsemittierende aktive Zone 4 vorgesehen sein.
Auf einen Teilbereich 8 der III-V-Halbleiterschicht 3 ist eine erste ZnO-Schicht 1 aufgebracht, die mittels Sputtern bei einer Temperatur zwischen 25 °C und 120 °C abgeschieden ist. Durch einen nach der Abscheidung der ersten ZnO-Schicht 1 erfolgten Temperprozess bei einer Temperatur zwischen 300 °C und 500 °C wurde innerhalb der III-V-Halbleiterschicht 3 ein Bereich 8 mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit erzeugt .
In lateraler Richtung grenzt an die erste ZnO-Schicht 1 eine zweite ZnO-Schicht 6 an, die im Gegensatz zur ersten ZnO- Schicht bei einer höheren Abscheidtemperatur von mehr als 150 °C, beispielsweise etwa 250 °C, aufgebracht wurde.
Das Aufbringen der ersten ZnO-Schicht 1 und der zweiten ZnO- Schicht 6 kann zum Beispiel derart erfolgen, dass zuerst die zweite ZnO-Schicht 6 ganzflächig auf die III-V- Halbleiterschicht 3 aufgebracht wird und anschließend mit einer Maskenschicht, die eine Öffnung in dem für die erste ZnO-Schicht vorgesehenen Teilbereich enthält, bedeckt wird. Die zweite ZnO-Schicht 6 wird in diesem Teilbereich beispielsweise mit einem Ätzverfahren entfernt und anschließend die erste ZnO-Schicht 1 bei einer Abscheidtemperatur von weniger als 150 °C aufgebracht. Anschließend wird ein erster Anschlusskontakt 7 aufgebracht. Von den mit der Maskenschicht bedeckten Bereichen der zweiten ZnO-Schicht 6 kann das dort abgeschiedene Material der ersten ZnO-Schicht 1 und des Anschlusskontakts 7 zusammen mit der Maskenschicht abgehoben werden (Lift-Off-Technik) . Anschließend erfolgt das Tempern bei einer Temperatur zwischen 300°C und 500 °C, um den Bereich 8 mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit unterhalb der ersten ZnO-Schicht 1 zu erzeugen.
Durch den Bereich 8 mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit wird der Stromfluss von einem elektrischen Anschlusskontakt 7 auf der ersten ZnO-Schicht 1 zu einem zweiten Anschlusskontakt 9, der beispielsweise auf der von der aktiven Zone 4 abgewandten Rückseite des Substrats 2 angeordnet ist, vorteilhaft in die Bereiche der aktiven Zone 4 geleitet, die dem Anschlusskontakt 7 nicht gegenüber liegen. Der bevorzugte Strompfad von dem Anschlusskontakt 7 zur aktiven Zone 4 innerhalb der Halbleiterschicht 3 wird in der Figur 1 b durch die Pfeile 10 angedeutet. Dieser Verlauf des Strompfads 10 hat den Vorteil, dass in den dem Anschlusskontakt 7 gegenüberliegenden Bereichen der aktiven Zone 4 nur ein verhältnismäßig geringer Anteil der von dem optoelektronischen Bauelement emittierten Strahlung erzeugt wird, wodurch die Absorptionsverluste in dem Anschlusskontakt 7 verringert werden.
Die erste ZnO-Schicht 1 und die zweite ZnO-Schicht 6 grenzen in diesem Ausführungsbeispiel aneinander an und bilden gemeinsam eine StromaufWeitungsschicht aus. Vorteilhaft sind die ZnO-Schichten 1, 6 mit bis zu drei Prozent AI dotiert. Aufgrund der guten Querleitfähigkeit der ZnO-Schichten 1, 6, die auch bei dem Verfahrenschritt des Temperns erhalten bleibt, kann der Strom von dem Anschlusskontakt 7 durch die erste ZnO-Schicht 1 und die zweite ZnO-Schicht 6 in die Bereiche mit nicht oder nur geringfügig reduzierter elektrischer Leitfähigkeit der III-V-Halbleiterschicht 3 injiziert werden.
Das in den Figuren 2a, 2b und 2c dargestellte zweite Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements gemäß der Erfindung unterscheidet sich von dem in Figur 1 dargestellten im wesentlichen dadurch, dass die Stromeinprägung in die Halbleiterschicht 3 nicht über eine zweite ZnO-Schicht 6, sondern durch eine in strukturierter Form auf die Halbleiterschicht 3 aufgebrachte KontaktSchicht 11 erfolgt. Die KontaktSchicht 11 ist bevorzugt eine Metallschicht, die zur Ausbildung eines ohmschen Kontakts auf der Halbleiterschicht 3 geeignet ist, und kann insbesondere Au, Zn oder eine Verbindung dieser Materialien enthalten.
Wie in der in Figur 2a zu erkennen ist, ist die KontaktSchicht 11 derart strukturiert, das sie in der Aufsicht den Umriss eines Quadrats beschreibt. Alternativ kann die KontaktSchicht 11 auch eine andere Strukturierung aufweisen. Die Kontaktschicht 11 ist über VerbindungsStege 12 mit dem zentral angeordneten Anschlusskontakt 7 verbunden. Wie in den in Fig. 2b und 2c dargestellten Querschnitten erkennbar ist, ist wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel ist der Anschlusskontakt 7 auf der ersten ZnO-Schicht 1 angeordnet, die nach dem zuvor beschriebenen Verfahren zur Reduzierung der Leitfähigkeit der darunter liegenden Bereiche auf die III-V-Halbleiterschicht 3 aufgebracht und getempert wurde. Die Leitfähigkeit der Halbleiterschicht 3 ist daher auch bei diesem Ausführungsbeispiel in einem Bereich 8, der dem Anschlusskontakt 7 gegenüberliegt, reduziert, so dass die Stromeinprägung durch die KontaktSchicht 11 bevorzugt in diejenigen Bereiche der aktiven Zone 4 erfolgt, die dem Anschlusskontakt 7 nicht gegenüberliegen. Die Absorption der von dem optoelektronischen Bauelement emittierten Strahlung in dem Anschlusskontakt 7 wird dadurch vermindert und somit die Effizienz des Bauelements erhöht.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht (3) , dadurch gekennzeichnet, dass auf den Bereich (8) der Halbleiterschicht (3) eine ZnO- Schicht (1) aufgebracht und anschließend getempert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , bei dem die ZnO-Schicht (1) bei einer Temperatur von weniger als 150 °C, bevorzugt zwischen einschließlich 25 °C und einschließlich 120 °C, auf die III-V- Halbleiterschicht (3) abgeschieden wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 , bei dem das Abscheiden der ZnO-Schicht (1) mittels Sputtern erfolgt .
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ZnO-Schicht vor dem Tempern strukturiert wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Tempern bei einer Temperatur von 300 °C bis 500 °C erfolgt.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ZnO-Schicht (1) mit AI, vorzugsweise mit einer Konzentration kleiner oder gleich 3 %, dotiert ist.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die III-V-Halbleiterschicht (3) Inι-x-yGaxAlyP mit 0<x+y≤l, O≤x≤l, O≤y≤l oder Alι_xGaxAs mit O≤x≤l umfasst.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die III-V-Halbleiterschicht (3) p-dotiert ist.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die elektrische Leitfähigkeit des Bereichs (8) der III-V-Halbleiterschicht (3) um mindestens einen Faktor 2, bevorzugt um mindestens einen Faktor 5 und besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 10 reduziert wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die III-V-Halbleiterschicht (3) in einem optoelektronischen Bauelement, insbesondere in einer Lumineszenzdiode oder in einer Halbleiterlaservorrichtung, enthalten ist.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das optoelektronische Bauelement eine Strahlungsemittierende aktive Zone (4) enthält und mittels des Bereichs (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit der Stromfluss (10) durch Teilbereiche der aktiven Zone (4) vermindert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem der Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit zwischen einem elektrischen Anschlusskontakt (7) des optoelektronischen Bauelements und der aktiven Zone (4) angeordnet ist.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ZnO-Schicht (1) nach dem Tempern entfernt wird .
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine erste ZnO-Schicht (1) auf einen ersten Bereich der Halbleiterschicht (3) abgeschieden wird, und eine zweite ZnO-Schicht (6) auf einen zweiten Bereich der Halbleiterschicht (3) abgeschieden wird, wobei die Abscheidtemperatur der zweiten ZnO-Schicht (6) gegenüber der Abscheidtemperatur der ersten ZnO-Schicht (1) derart erhöht ist, dass bei dem Tempern die Leitfähigkeit des zweiten Bereichs der Halbleiterschicht (3) zumindest weniger reduziert wird als die Leitfähigkeit des ersten Bereichs der Halbleiterschicht (3) .
15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem die zweite ZnO-Schicht (6) bei einer Temperatur von mehr als 150 °C, bevorzugt bei etwa 250 °C, abgeschieden wird.
16. Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer III-V- Halbleiterschicht (3) , die mindestens einen mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15 hergestellten Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit aufweist .
17. Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer III-V- Halbleiterschicht (3) , die in mindestens einem erstem Bereich (8) mit einer ZnO-Schicht (1) bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitfähigkeit der Halbleiterschicht (3) in dem von der ZnO-Schicht (1) bedeckten ersten Bereich (8) geringer ist als in den lateral angrenzenden Bereichen der III-V- Halbleiterschicht (3) .
18. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, bei dem die elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereichs (8) der III-V-Halbleiterschicht (3) um mindestens einen Faktor 2 , bevorzugt um mindestens einen Faktor 5 und - besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 10, geringer ist als in den lateral angrenzenden Breichen der III-V-Halbleiterschicht (3) .
19. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 17 oder 18, bei dem die ZnO-Schicht (1) mit AI, vorzugsweise mit einer Konzentration kleiner oder gleich 3 %, dotiert ist.
20. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 19, bei dem die III-V-Halbleiterschicht (3) Inι-x_yGaxAlyP mit 0<x+y≤l, O≤x≤l, O≤y≤l oder Alx-xGaxAs mit O≤x≤l umfasst .
21. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 20, bei dem eine zweite ZnO-Schicht (6) auf einen zweiten Bereich der Halbleiterschicht (3) abgeschieden ist und die Leitfähigkeit des zweiten Bereichs der Halbleiterschicht (3) größer ist als die Leitfähigkeit des ersten Bereichs (8) .
22. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch ,21, bei dem die erste ZnO-Schicht (1) und die zweite ZnO- Schicht (6) aneinander angrenzen und zwischen der III -V- Halbleiterschicht (3) und einem Anschlusskontakt (7) des optoelektronischen Bauelements angeordnet sind.
23. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 22, bei dem die erste ZnO-Schicht (1) und die zweite ZnO- Schicht (6) gemeinsam eine StromaufWeitungsschicht ausbilden.
24. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 23, das eine Strahlungsemittierende aktive Zone (4) enthält und der Bereich mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit (8) zwischen einem elektrischen Anschlusskontakt (7) des optoelektronischen Bauelements und der aktiven Zone (4) angeordnet ist.
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