WO2005109964A1 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDF

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WO2005109964A1
WO2005109964A1 PCT/JP2005/006846 JP2005006846W WO2005109964A1 WO 2005109964 A1 WO2005109964 A1 WO 2005109964A1 JP 2005006846 W JP2005006846 W JP 2005006846W WO 2005109964 A1 WO2005109964 A1 WO 2005109964A1
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light
organic
layer
group
color
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PCT/JP2005/006846
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Hitoshi Kuma
Hiroshi Tokailin
Keiko Yamamichi
Kenichi Fukuoka
Kimihiro Yuasa
Chishio Hosokawa
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Idemitsu Kosan Co., Ltd.
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    • H10K85/656Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H10K85/6565Oxadiazole compounds

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescent (EL) display device, and more particularly to a full-color organic EL display device using a white organic luminescent medium layer.
  • EL organic electroluminescent
  • Full-color technology using organic EL includes a three-color coating method, a method of combining a color filter with white EL, and a color conversion method of combining a color conversion film with EL.
  • the full color display system of the organic EL display device is divided into a bottom emission structure and a top emission structure.
  • the top emission structure is a structure in which light is extracted from the glass substrate supporting the organic EL element structure, and light is extracted from the upper part on the opposite side of the substrate.
  • L is the optical distance
  • is the wavelength of light to be extracted
  • m is an integer
  • is the phase shift at the electrode. And is configured to minimize the optical distance L
  • Patent Document 2 discloses a metal belonging to Group 5 or 6 of the periodic table, more specifically, chromium, molybdenum, tungsten, tantalum, and niobium. Metals having an isowork function of 4.8 eV or less are disclosed.
  • Patent Document 3 discloses a structure in each of R, G, and B pixels in which an organic EL element has an organic light-emitting medium layer interposed between a reflective layer and a transparent layer.
  • a display device is disclosed that is disposed on the light output side or the external light incidence side of the display device.
  • Patent Document 1 International Publication No. WO01Z39554 pamphlet
  • Patent Document 2 JP 2001-43980 A
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-373776
  • Metals such as chromium, molybdenum, tungsten, tantalum, and niobium used for the light-reflecting electrode could not obtain a sufficient optical resonator effect, and there was room for improvement in the efficiency of the display device.
  • the optical thickness of the organic layer that satisfies the above formula shown in Patent Document 1 is one type, and it is difficult to efficiently apply it to a full-color display device without extracting light of three different wavelengths.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an organic EL display device capable of performing full-color display with high efficiency.
  • the present inventors have conducted intensive studies and found that a metal electrode having a high specific reflectance, an organic EL element including three kinds of light-emitting materials exhibiting different emission colors, and three opposing color filters are combined. As a result, they found that high-efficiency multi-color light emission was possible, and completed the present invention.
  • the following organic EL display device is provided.
  • a first organic electorescence luminescence element, and a first color filter that transmits light of the first color emitted by the first organic electorum luminescence element is provided in this order in the light extraction direction.
  • One pixel, A second organic electorophore luminescent element and a second color filter that transmits a second color light emitted by the second organic electorophorical luminescent element are provided in this order in the light extraction direction. Pixels,
  • the first organic electorophore luminescent element holds at least a first light reflecting means and a second light reflecting means in this order in a light extraction direction, and includes a first light reflecting means and a second light reflecting means between the first and second light reflecting means. And at least a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting medium layer located between the electrodes, and an optical distance between the first light reflecting means and the second light reflecting means is , Set to select the light of the first color,
  • the second organic electroluminescent device holds at least a first light reflecting means and a second light reflecting means in this order in a light extraction direction, and further includes a first light reflecting means and a second light reflecting means between the first and second light reflecting means. And at least a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting medium layer located between the electrodes, and an optical distance between the first light reflecting means and the second light reflecting means is Set to select a second color light,
  • the third organic electroluminescent device holds at least a first light reflecting means and a second light reflecting means in this order in a light extraction direction, and further includes a first light reflecting means and a second light reflecting means between the first and second light reflecting means. And at least a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting medium layer located between the electrodes, and an optical distance between the first light reflecting means and the second light reflecting means is Set to select a third color light,
  • the wavelength of the first light reflecting means is 400 ⁇ !
  • the average value of the reflectance at ⁇ 700 nm is 65% or more
  • An organic electroluminescent display device wherein the organic light emitting medium layer emits light of at least a first color, a second color, and a third color.
  • first and second light reflecting means are a first electrode and a second electrode, respectively;
  • first electrode and second electrode between the first and second light reflecting means, 2.
  • a first organic electorescence luminescent element and a first color filter that transmits the first color light emitted by the first organic electorum luminescence element are arranged in this order in the light extraction direction.
  • a second organic electorophore luminescent element and a second color filter that transmits a second color light emitted by the second organic electorophorical luminescent element are provided in this order in the light extraction direction.
  • the first organic electroluminescent device is a device in which at least a light reflective electrode, an organic light emitting medium layer, a metal layer, and a transparent electrode layer are laminated in this order in a light extraction direction;
  • the third organic electroluminescent device is a device in which at least a light reflective electrode, a second optical thickness adjusting layer, an organic light emitting medium layer, a metal layer, and a transparent electrode layer are laminated in this order in the light extraction direction.
  • the light reflective electrode has an average reflectance of 65% or more at a wavelength of 400 nm to 700 nm
  • An organic electroluminescent display device wherein the organic light emitting medium layer emits light of at least a first color, a second color, and a third color.
  • the organic light-emitting medium layer includes a first light-emitting material that emits light of a first color, a second light-emitting material that emits light of a second color, and a third light emission that emits light of a third color. 4.
  • the first optical film thickness adjusting layer is composed of the first inorganic compound layer
  • the second optical film thickness adjusting layer is composed of the first inorganic compound layer and the second inorganic compound layer. 4.
  • a first organic electorescence luminescent element and a first color filter that transmits the first color light emitted by the first organic electorum luminescence element are provided in this order in the light extraction direction.
  • a second organic electorophore luminescent element and a second color filter that transmits a second color light emitted by the second organic electorophorical luminescent element are provided in this order in the light extraction direction.
  • the first organic electroluminescent device is a device in which at least a light reflective electrode, a first optical film thickness adjusting layer, an organic light emitting medium layer, a metal layer, and a transparent electrode layer are laminated in this order in a light extraction direction.
  • the second organic electroluminescent device is a device in which at least a light reflective electrode, a second optical thickness adjusting layer, an organic light emitting medium layer, a metal layer, and a transparent electrode layer are laminated in this order in the light extraction direction.
  • the third organic electroluminescent device is an element in which at least a light reflective electrode, a third optical thickness adjusting layer, an organic luminescent medium layer, a metal layer, and a transparent electrode layer are laminated in this order in the light extraction direction.
  • the light reflective electrode has an average reflectance of 65% or more at a wavelength of 400 nm to 700 nm
  • An organic electroluminescent display device wherein the organic light emitting medium layer emits light of at least a first color, a second color, and a third color.
  • the organic light-emitting medium layer comprises a first light-emitting material that emits light of a first color, a second light-emitting material that emits light of a second color, and a third light emission that emits light of a third color. 7.
  • the first optical thickness adjusting layer is a first inorganic compound layer
  • the second optical thickness adjusting layer is composed of the first inorganic compound layer and the second inorganic compound layer.
  • the organic electroluminescent display device according to 6 or 7, wherein the third optical film thickness adjusting layer comprises the first inorganic compound layer, the second inorganic compound layer, and the third inorganic compound layer.
  • the organic light-emitting medium layer includes a blue light-emitting layer containing a host material and a blue dopant, a green light-emitting layer containing the same host material and a green dopant as the blue light-emitting layer, and a blue light-emitting layer.
  • the organic electroluminescent display device according to any one of 1 to 8 above, wherein the same host material and an orange-red light emitting layer containing an orange-red dopant are laminated.
  • the blue dopant used in the organic light-emitting medium is at least one compound selected from styrylamine, an amine-substituted styryl compound, an amine-substituted condensed aromatic compound and a condensed aromatic ring-containing compound, according to 9 or 10.
  • Organic elect-port luminescence display device is at least one compound selected from styrylamine, an amine-substituted styryl compound, an amine-substituted condensed aromatic compound and a condensed aromatic ring-containing compound, according to 9 or 10.
  • an organic EL display device capable of performing full-color display with high efficiency.
  • FIG. 1 is a diagram showing an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2a is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2b is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2c is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2c is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2d is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2e is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2f is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2g is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2h is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 2i is a view showing a step of the method for producing an organic EL element substrate of an organic EL display device of Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a view showing an organic EL display device of Embodiment 2.
  • FIG. 4 is a diagram showing the reflectance of the light-reflective electrodes of the example and the comparative example.
  • FIG. 5 is a diagram showing emission spectra of blue pixels of an example and a comparative example.
  • FIG. 6 is a diagram showing emission spectra of green pixels of an example and a comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram showing emission spectra of red pixels of an example and a comparative example.
  • FIG. 1 is a diagram showing an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • the organic EL element 10 includes, in the light extraction direction, a light-reflective electrode 12 having both a first light-reflecting means and a first electrode, an organic light-emitting medium layer 13, a second light-reflecting means and a second light-reflecting means. It has a structure in which a laminated film of a metal layer 14 and a transparent electrode 15 also serving as an electrode is laminated in this order.
  • the light-reflective electrode 12 is a layer that functions as an electrode for supplying holes or electrons and reflects light generated in the organic luminescent medium layer 13 in a light extraction direction.
  • the light reflective electrode has an average reflectance of 65% or more, preferably 70% or more, and more preferably 85% or more at a wavelength of 400 nm to 700 nm.
  • the organic light emitting medium layer 13 is a layer that generates light by recombination of electrons and holes.
  • Organic The optical medium layer 13 emits light of at least a first color, a second color, and a third color.
  • the organic light emitting medium layer 13 includes at least a first light emitting material that emits light of a first color and a second light emitting material that emits light of a second color.
  • the first light-emitting material may emit light of the first color and light of the second color simultaneously, or the second light-emitting material may emit light of the second color And light of the third color.
  • the light that goes out of the organic EL element includes the first, second, and third lights.
  • the organic light emitting medium layer 13 can emit colors other than the first, second and third colors.
  • the first, second, and third colors are preferably blue with a wavelength of 400 nm to 500 nm, green with a wavelength of 500 ⁇ m to 570 nm, and red with a wavelength of 570 nm to 700 nm.
  • the color is not limited to these colors, and subtle coloring can be realized by combining various three colors.
  • the laminated film of the metal layer 14 and the transparent electrode 15 functions as a second electrode for supplying holes or electrons, and reflects and transmits the light generated in the organic light emitting medium layer 13. Also functions as a layer.
  • a first color filter 16 is provided facing the organic EL element 10 in a light extraction direction indicated by an arrow.
  • the first color filter transmits light of the first color.
  • the first pixel I is composed of the organic EL element 10 and the first color filter 16.
  • a light-reflective electrode 12 having both a first light-reflecting means and a first electrode and a first inorganic compound layer 27 are formed in the light extraction direction, and an organic light-emitting medium layer is formed thereon.
  • It has a structure in which a laminated film of a metal layer 14 and a transparent electrode 15 having both a second light reflecting means and a second electrode is laminated in this order.
  • the first inorganic compound layer 27 corresponds to a first optical thickness adjusting layer.
  • a second color filter 26 is provided facing the organic EL element 20 in a light extraction direction indicated by an arrow.
  • the second color filter transmits second color light.
  • the organic EL element 20 and the second color filter 26 constitute a second pixel II.
  • a light-reflective electrode 12 which has both a first light-reflecting means and a first electrode, a first inorganic compound layer 27, and a second inorganic compound layer 38 are formed in the light extraction direction.
  • the organic light emitting medium layer 13 has a structure in which a laminated film of a metal layer 14 and a transparent electrode 15 having both the second light reflecting means and the second electrode is laminated in this order.
  • the first inorganic compound layer 27 and the second inorganic compound layer 38 together correspond to a second optical thickness adjustment layer.
  • a third color filter 36 is provided facing the organic EL element 30 in a light extraction direction indicated by an arrow.
  • the third color filter transmits third color light.
  • the organic EL element 30 and the third color filter 36 constitute a third pixel III.
  • the first light reflecting means and the first electrode do not need to be the same, and the insulating light reflecting layer Z May be stacked in this order.
  • the insulating light reflecting layer may be a light reflecting layer made of a metal film, a laminated layer of a Z-insulating optical film pressure adjusting layer, or a high refractive index dielectric layer known as a dielectric laser mirror. And a low-refractive-index dielectric layer.
  • a material for forming the high refractive index dielectric layer for example, ZrO Ce
  • Examples include metal oxides such as 23 and IIVI compounds such as ZnS and CdS.
  • a material for forming the low refractive index dielectric layer for example, CaF
  • metal fluorides such as A1F.
  • the second light reflecting means is not limited to the laminated film of the metal layer and the transparent electrode. The order may be reversed. It is not necessary to use a metal film, and it may be an insulating film such as the above-described dielectric multilayer film.
  • FIG. 1 in order to facilitate understanding of the present invention, only the organic light emitting medium 13 is sandwiched between the two electrodes 12 and 15. , An electron transport layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and the like.
  • a sealing layer or the like may be provided.
  • a transparent inorganic compound layer such as SiON, AION, or SiAlON, a layer obtained by laminating these transparent inorganic compound layers with a transparent resin, or a sealing liquid can be used.
  • Each of the organic EL elements 10, 20, and 30 is provided with the first light reflecting means (light reflecting electrode 12).
  • the optical resonator structure has a resonator between the second light reflecting means (metal layer 14). With such a resonator structure, light generated in the organic light emitting medium 13 is repeatedly reflected between two light reflecting surfaces (the light reflective electrode 12 and the metal layer 14), and a light near a wavelength satisfying the following equation is obtained. Are selectively and strongly emitted out of the device.
  • optical distance L is the difference between the refractive index n of the medium through which light passes and the actual geometric distance L.
  • L is the optical distance of the first organic EL element 10
  • L is the second organic EL element
  • L is the optical distance of the third organic EL element 30, and L is the optical distance of the third organic EL element 30.
  • the amount corresponding to the optical distance of the first inorganic compound layer 27 is set to L.
  • the optical distances 1 2 and 3 differ by an amount corresponding to the optical distance of the second inorganic compound layer 38.
  • the first organic EL element 10 can be set so that a certain wavelength is emphasized and light is extracted to the outside of the element.
  • the second organic EL device 20 emphasizes a certain wavelength to extract light outside the device.
  • the third organic EL element 30 emphasizes a certain wavelength and emits light to the outside of the element.
  • a material for forming the light-reflective conductive layer 12 is sputtered on the substrate 11 to form a film (see FIG.
  • a first inorganic compound layer 27 is formed on the light-reflective conductive layers 12 of the EL elements 20 and 30 (FIG. 2D).
  • the light-reflective conductive layer 12 formed first is etched by selecting a material which is easily etched in the order of the light-reflective conductive layer 12, the first inorganic compound layer 27, and the second inorganic compound layer 38.
  • the first inorganic compound layer 27 can be formed.
  • An organic luminescent medium layer 13 (FIG. 2g), a metal layer 14 (FIG. 2h), and a transparent electrode layer 15 (FIG. 2i) are provided in this order on the substrate on which the light-reflective conductive layer 12 and each inorganic compound layer are formed.
  • An organic EL device can be manufactured by forming a film.
  • an organic EL element substrate can be easily manufactured.
  • each layer of the organic EL element is not particularly limited, and may be a conventionally known sputtering method, a vacuum evaporation method, a molecular beam evaporation method (MBE method), a dipping method of a solution dissolved in a solvent, a spin coating method, a casting method, or the like. It can be formed by a coating method such as a bar coating method, a roll coating method, or the like.
  • a high-reflectance electrode is used, and the optical distance is changed for each pixel, so that an effective optical resonator effect is obtained for each pixel. Increase. Therefore, the luminous efficiency of the display is improved, and the color purity can be improved.
  • the color purity of the display can be further improved by combining the white light emitting organic EL element including the three primary colors and the color filter.
  • the organic light emitting medium layer 13, the metal layer 14, and the transparent electrode layer 15 can be formed as a common film. For this reason, the manufacturing process can be simplified, which is extremely advantageous in industrial production.
  • FIG. 3 is a diagram showing an organic EL display device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the third inorganic compound layer 19 is formed on the light-reflective electrode 12, and in the organic EL element 20 of the second pixel II, A third inorganic compound layer 19 and a first inorganic compound layer 27 are formed on the reflective electrode 12, and in the organic EL element 30 of the third pixel III, a third inorganic compound layer 19 and a first inorganic compound layer 27 are formed on the light reflective electrode 12.
  • Embodiment 1 is different from Embodiment 1 in that one inorganic compound layer 27, a second inorganic compound layer 38, and a third inorganic compound layer 19 are formed.
  • the third inorganic compound layer 19 serves as a first optical film thickness adjusting layer, and the first inorganic compound layer 27 and the third inorganic compound layer 19 together form a second optical film thickness adjusting layer.
  • the third inorganic compound layer 19 is used not only for the purpose of adjusting the optical film thickness, but also for improving the adhesion between the organic light emitting medium layer 13 and the light reflection electrode 12 and improving the charge injection property to the organic light emitting medium. It is provided for the purpose.
  • Preferred inorganic compounds used in the inorganic compound layer include alkali metal oxides, alkaline earth oxides, rare earth oxides, alkali metal halides, alkaline earth halides, rare earth halides, SiO, AIO, SiN
  • the light reflection electrode 12 functions as an anode, SiO, AIO, SiN, SiON,
  • A10N, GeO, C, ITO, IZO, InO, ZnO, and ICO are preferable because they form a stable implantation interface layer.
  • the thickness of the third inorganic compound layer 19 is not particularly limited, but is preferably 0.1 nm to: LOOnm.
  • L is the optical distance of the first organic EL element 10 (the optical film thickness, the refractive index and the actual film thickness are 4 times the force), and L is , The optical distance of the second organic EL element 20
  • L indicates the optical distance of the third organic EL element 30 schematically.
  • the amount corresponding to the optical distance of the first inorganic compound layer 27 is set to L.
  • the optical distances 1 2 and 3 differ by an amount corresponding to the optical distance of the second inorganic compound layer 38.
  • the first The organic EL element 10 can be set to extract light outside the element by emphasizing a certain wavelength ⁇ , and the second organic EL element 20 can extract light outside the element by emphasizing a certain wavelength.
  • the third organic EL device 30 a certain wavelength is emphasized and the outside of the device is emphasized.
  • the optical film thickness adjusting layer is a single layer or a laminate of 2 to 3 layers. However, as long as a desired optical film thickness is obtained, an appropriate number of layers may be used. It may be formed.
  • the material of the light reflective electrode is preferably a wavelength of 400 ⁇ !
  • a metal film having an average reflectance of 65% or more at ⁇ 700 nm is selected.
  • the reflectivity of a metal film is determined by its thickness d, complex refractive index n-i ⁇ , and surface roughness (RMS roughness) ⁇ .
  • RMS roughness surface roughness
  • a material having a small real part ⁇ and an imaginary part ⁇ ⁇ (corresponding to the light absorption coefficient) of the complex refractive index is preferably small.
  • Au, Ag, Cu, Mg, Al, Ni A simple metal film such as Pd and an alloy film can be mentioned.
  • the thickness d is small, light is transmitted and the reflectance is reduced.
  • the thickness is preferably 50 nm or more.
  • the surface roughness ⁇ is more preferably less than lOnm, more preferably less than 5 nm.
  • the inorganic compound layer can be used without particular limitation as long as it has a light transmittance of 50% or more in the visible light wavelength region (380 ⁇ ! To 780 nm). Preferably, those having a light transmittance of 80% or more are used.
  • the inorganic compound include an inorganic oxide, for example, In, Sn, Zn, Ce
  • the materials used for the inorganic compound layer and the third inorganic compound layer preferably have different etching characteristics. That is, it is preferable to select a material which is easily etched in the order of the light-reflective conductive layer, the first inorganic compound layer, the second inorganic compound layer, and the third inorganic compound layer.
  • a material that is more easily etched by a weaker acid than the light reflective conductive layer is selected
  • a material that is more easily etched by a weaker acid than the first inorganic compound layer is selected
  • a material that is easily etched is selected
  • a material that is more easily etched with a weak acid than the second inorganic compound layer is selected for the third inorganic compound layer.
  • the present invention by providing a difference in crystallinity between the inorganic compound layers, it is possible to provide a difference in the etching characteristics between the two compound layers.
  • first and second inorganic compound layers are manufactured by a wet etching method as described below.
  • a light reflecting conductive layer is formed by sputtering Cr on a glass substrate.
  • This substrate is etched with a mixed solution of cerium ammonium nitrate-hydrogen peroxide (CAN) to obtain a substrate having a light-reflective conductive layer having a desired pattern.
  • CAN cerium ammonium nitrate-hydrogen peroxide
  • ITO is formed into a film by sputtering and etched with an oxalic acid aqueous solution to obtain a substrate with an amorphous (non-crystalline) ITO film having a desired pattern.
  • a substrate with a crystalline ITO film which is the first inorganic compound layer, can be obtained.
  • a crystalline ITO film By using a crystalline ITO film, a layer can be formed without being etched with an oxalic acid aqueous solution.
  • a film of IZO is formed thereon by sputtering and etched with an aqueous solution of oxalic acid to obtain a substrate having a desired pattern of the second inorganic compound layer.
  • amorphous ITO can also be used for the second inorganic compound layer.
  • the crystallinity can be measured by X-ray diffraction measurement. That is, the surface of the sample is irradiated with X-rays, the angle (2 °) of the diffraction line and the intensity are measured, and the integrated intensity specific power of the diffraction peak is also determined as the crystallinity.
  • the first inorganic compound layer is crystalline and the second inorganic compound layer is amorphous.
  • the second inorganic compound layer can be more easily etched with a weak acid than the first inorganic compound layer.
  • Examples of the inorganic compound which is most easily etched by a weak acid include indium oxide zinc oxide (IZO), a compound obtained by adding a lanthanoid metal oxide to IZO, and the like.
  • Examples of the lanthanoid-based metal oxide include, for example, cerium oxide, iridium praseodymium, neodymium oxide, samarium acid sardium, pium sulphate, sulphate gadolinium, sulphate terbium, acid And dysprosium, holmium oxide, erbium oxide, thulium oxide, ytterbium oxide, and lutetium oxide.
  • the content ratio of the lanthanoid metal oxide is preferably 0.1 to 10 atomic% with respect to all metal atoms of the metal oxide in the metal oxide layer.
  • ITO indium oxide monotin oxide
  • ITO indium oxide monocerium cerium compound (ICO), indium oxide monoimide tungsten compound, which can be etched with a weaker acid than the light-reflective conductive layer and are harder to etch than the inorganic compounds described above, And indium oxide / molybdenum conjugate.
  • Amorphous ITO and amorphous materials of the above compounds are also preferred. As described above, since the amorphous ITO and the non-crystalline substance of the above compound can be converted into a crystalline compound by thermal annealing, when a second inorganic compound layer is formed on the first inorganic compound layer, Particularly preferred.
  • the first inorganic compound layer is made of ITO and the second inorganic compound layer is made of IZO, because damage to a base layer during etching can be reduced.
  • the thicknesses of the first inorganic compound layer and the second inorganic compound layer may be appropriately adjusted so that light of a desired wavelength resonates in the resonance section of each EL element section. Preferably, it is in the range of 5 nm to 1000 nm.
  • the light emitting layer is a layer interposed between the light reflective electrode, the metal layer and the transparent electrode layer, and includes at least an organic light emitting medium layer.
  • the organic light-emitting medium layer is preferably a first light-emitting material showing a light-emission color corresponding to the transmission color of the first color filter, in order to improve color purity, which is important when using an organic EL display device as a full-color display. And a second light-emitting material having a light-emitting color corresponding to the transmitted color of the second color filter, and a third light-emitting material having a light-emitting color corresponding to the transmitted color of the third color filter.
  • the structure may include three types of light-emitting materials having different emission colors, and the organic light-emitting medium layer may include three types of layers (a blue light-emitting layer, a green light-emitting layer, and an orange-red light-emitting layer).
  • the following configuration can be mentioned on the anode layer as the light reflective electrode.
  • the configurations (vi) and (vii) are usually preferably used because they have higher luminous efficiency and excellent durability.
  • the blue light emitting layer, the green light emitting layer, and the orange-red light emitting layer also have a host material doped with a dopant material that emits light.
  • the blue-green mixed light emitting layer in (viii) and (X) has a host material which is doped with a dopant material having a broad emission spectrum from blue to green, and emits blue light.
  • the host material shown may be made of a material in which a dopant material emitting green light is slightly doped.
  • the green-orange-red mixed light-emitting layer in (ix) may be a host material doped with a dopant material having a broad emission spectrum from green to orange to red, or may be a host material that emits green light. It may be made of a material that is slightly doped with a dopant material that emits orange to red light! ,.
  • the blue-orange-red mixed light emitting layer in (X) may have a material power in which a host material that emits blue light and a dopant material that emits orange-red light are slightly doped.
  • the description is made in the order of the blue light emitting layer Z, the green light emitting layer Z, and the orange to red light emitting layer.
  • the anode side is the blue light emitting layer, so that the tendency that the emission color tends to be green or red can be canceled. Therefore, it is not necessary to suppress green, orange, or red light emission to obtain an ideal white color as a full-color display.
  • the green, orange, or red light emitting layer is made thinner than the blue light emitting layer. And it is not necessary to reduce the doping concentration. As a result, the thickness of the green or yellow-red light-emitting layer can be made larger than before, so that the chromaticity change is small.
  • the blue light emitting region is less affected by the fluctuation of the interface where light is concentrated on the interface. It is hard to receive. Furthermore, since the thickness of the orange-red light emitting layer is sufficiently large, it is hardly affected by the fluctuation of the interface.
  • the order is not limited to the order of the blue light-emitting layer Z, the green light-emitting layer Z, and the orange-red light-emitting layer.
  • the dopant material may be doped in the hole transport layer or the electron transport layer.
  • the thickness of the blue light emitting layer is preferably 5 to 30 nm, more preferably 5 to 20 nm. Five If it is less than nm, it may be difficult to form a light emitting layer, and it may be difficult to adjust the chromaticity. If it exceeds 30 nm, the driving voltage may increase.
  • the thickness of the green light emitting layer is preferably 5 to 30 nm, more preferably 5 to 20 nm. If it is less than 5 nm, the luminous efficiency may decrease. If it exceeds 30 nm, the driving voltage may increase.
  • the thickness of the orange-red light emitting layer is preferably 5 to 40 nm, more preferably 10 to 30 nm. If it is less than 5 nm, the luminous efficiency may decrease. If it exceeds 30 nm, the driving voltage may increase.
  • the blue light emitting layer contains a host material and a blue dopant.
  • the host material is preferably a styryl derivative, an anthracene derivative or an aromatic amine.
  • the styryl derivative is particularly preferably at least one selected from the group consisting of distyryl derivatives, tristyryl derivatives, tetrastyryl derivatives and styrylamine derivatives.
  • the anthracene derivative is preferably an asymmetric anthracene compound.
  • the aromatic amine is preferably a compound having 2 to 4 aromatic-substituted nitrogen atoms, preferably having 2 to 4 aromatic-substituted nitrogen atoms, and having at least one aryl group. Compounds having are particularly preferred.
  • Suitable asymmetric anthracene compounds include compounds represented by the following formula. Methods for producing these compounds are described in Japanese Patent Application No. 2004-042694.
  • Ar is a substituted or unsubstituted fused aromatic group having 10 to 50 nuclear carbon atoms.
  • Ar is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • X is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms A substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted It is an arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group,
  • a, b and c are each an integer of 0-4, and n is an integer of 1-3. ]
  • Examples of the substituted or unsubstituted condensed aromatic group of Ar in the above formula include 1 naphthyl group, 2 naphthyl group, 1 anthryl group, 2 anthryl group, 9 anthryl group, 1-phenanthryl group, 2 phenanthryl group, 3 phenanthryl group, 4 phenanthryl group, 9 phenanthryl group, 1 naphthacyl group, 2 naphthacyl group, 9 naphthacyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 3-methyl-2 Examples include a naphthyl group, 4-methyl-1 naphthyl group, and 4-methyl-1 anthryl group.
  • Ar is a substituted or unsubstituted aryl group, aryl group of X, aromatic heterocyclic group, alkyl group, alkoxy group, aralkyl group, aryloxy group, arylthio group and alkoxycarbo.
  • benzyl group include the following examples.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aryl group include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, a 2-anthryl group, a 9-anthryl group, a 1-phananthryl group, and a 2-phenanthryl group , 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1 naphthacyl group, 2 naphthacyl group, 9 naphthacyl group, 1-pyryl group, 2-pyryl group, 4-pyrethyl Group, 2-biphenyl-yl, 3-biphenyl-yl, 4-biphenyl-yl, p-tert-yl 4-yl, p-tert-yl 3-yl, p-terphenyl 2-yl M, terferyl 4-yl, m-terferyl 3-yl, m-terferyl 2-
  • Examples of the substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group include 1 pyrrolyl group, 2 pyrrolyl group, 3 pyrrolyl group, and pyrazul. Group, 2 pyridinyl, 3 pyridinyl, 4 pyridyl, 1 indolyl, 2 indolyl, 3 indolyl, 4 indolyl, 5 indolyl, 6—indolyl, 7—indolyl, 1—isoindolyl Group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7 isoindolyl group, 2 furyl group, 3 furyl group, 2 benzofural group, 3 benzofura group -Benzoyl group, 4-benzofural group, 5-benzofural group, 6-benzofurayl group, 7-benzofural group
  • Phenoxazil group 10- phenoxa Nyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2 oxadiazolyl group, 5 oxadiazolyl group, 3 furazal group, 2 cyenyl group, 3 chloro group, 2 methylpyrroyl-1-yl group Methylpyrroyl 3-yl group,
  • Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, an n-pentyl group, and an n- Xyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl group, 1,2-dihydroxyxyl group, 1,3-dihydroxyisopropyl group Group, 2,3 dihydroxy t-butyl group, 1,2,3 trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2 chloroethyl group, 2-chloro isobutyl group, 1,2 dichloroethyl group, 1, 3 Dichloro
  • a substituted or unsubstituted alkoxy group is represented by OY, and examples of Y include the same as the above-mentioned substituted or unsubstituted alkyl group.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aralkyl group include the substituted or unsubstituted aralkyl group substituted with the substituted or unsubstituted alkyl group.
  • a substituted or unsubstituted aryloxy group is represented by OY ', and examples of Y' Examples include the same as the substituted or unsubstituted aryl group.
  • a substituted or unsubstituted arylyl group is represented by SY ′, and examples of Y ′ include the same as the above-mentioned substituted or unsubstituted aryl group.
  • the substituted or unsubstituted alkoxycarbol group is represented as COOY, and examples of Y include the same as the above-mentioned substituted or unsubstituted alkyl group.
  • halogen atom examples include fluorine, chlorine, bromine and iodine.
  • a 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted fused aromatic ring group having 10 to 20 ring carbon atoms.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • R 1 to R 1Q each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom;
  • a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, or a hydroxyl group. is there.
  • Examples of the substituted or unsubstituted fused aromatic group include the same examples as described above.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aryl group of Ar 1 and Ar 2 in the above formula include the same examples as described above.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aryl group, aromatic heterocyclic group, alkyl group, alkoxy group, aralkyl group, aryloxy group, arylthio group and alkoxycarbyl group of R 1 to R 1Q in the above formula are the same examples as described above.
  • Ar 1 and Ar 2 ′ are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • R -R 10 each independently substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted carbon number
  • Examples of the substituted or unsubstituted aryl group of Ar 1 ′ and Ar 2 ′ in the above formula include the same examples as described above.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aryl group, aromatic heterocyclic group, alkyl group, alkoxy group, aralkyl group, aryloxy group, arylthio group and alkoxycarbyl group of R 1 to R 1Q in the above formula are the same examples as described above.
  • the substituent of each group includes a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, an alkyl group, an aryl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aromatic heterocyclic group, and an aralkyl group.
  • the blue dopant is preferably at least one selected from styrylamine, an amamine-substituted styryl compound, an amamine-substituted condensed aromatic ring and a condensed aromatic ring-containing compound.
  • the blue dopant may be composed of a plurality of different compounds.
  • the styrylamine and the amine-substituted styrylli conjugate include compounds represented by the following formulas (1) and (2)
  • examples of the condensed aromatic ring-containing compound include compounds represented by the following general formula (3) Is mentioned.
  • Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, and at least one of them represents a styryl group. And p represents an integer of 1 to 3. ]
  • Ar 15 and Ar 16 each independently represent an arylene group having 6 to 30 carbon atoms; E 1 and E 2 each independently represent an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or Represents an alkyl group, a hydrogen atom or a cyano group, and q represents an integer of 1 to 3.
  • U and Z or V are substituents containing an amino group, and the amino group is preferably an arylamino group.
  • A is an alkyl group or alkoxy group having 1 to 16 carbon atoms, and 6 to 30 substituted or unsubstituted aryl groups, substituted or unsubstituted alkylamino groups having 6 to 30 carbon atoms, or substituted or unsubstituted arylamino groups having 6 to 30 carbon atoms
  • B represents 10 to 40 carbon atoms
  • r represents an integer of 1 to 4.
  • the green light emitting layer includes a host material and a green dopant.
  • the same host material as the host material used in the blue light emitting layer.
  • the dopant is not particularly limited, but may be, for example, a coumarin derivative disclosed in European Patent Publication No. 0281381, Publication No. 2003-249372, or an aromatic compound having a substituted anthracene structure and an amine structure.
  • An aromatic amine derivative or the like can be used.
  • the orange-red emitting layer contains a host material and an orange-red dopant.
  • the same host material as the host material used in the blue light emitting layer.
  • a fluorescent conjugate having at least one fluoranthene skeleton or perylene skeleton can be used.
  • X 21 to X 24 are each independently an alkyl group, or a substituted or unsubstituted Ariru group having 6 to 30 carbon atoms carbon atoms 1 to 20, X 21 and X 22 and / or X 23 and X 24 may be bonded via a carbon-carbon bond, —O—, or —S—.
  • x 25 to x : 6 are a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted carbon Aryl group having 6 to 30 atoms, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl amino group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 30 carbon atoms 30 alkylamino groups, substituted or unsubstituted arylalkylamino groups having 7 to 30 carbon atoms or substituted or unsubstituted alkenyl groups having 8 to 30 carbon atoms, adjacent substituents and x 25 to x 36 may combine to form a ring structure. At least one of Amin or alkenyl substituents x 25 ⁇ x 36 in each
  • a hole transport layer can be provided between the organic light emitting medium layer and the hole injection layer.
  • the hole transport layer is preferably made of a material that transports holes to the light emitting layer at a lower electric field intensity. That is, it is preferable that the mobility of holes be 10 4 cm 2 ZV.sec or more when an electric field of 10 4 to 10 6 V / cm is applied.
  • the material for forming the hole transport layer is selected from those commonly used as charge transport materials for holes in photoconductive materials, and those known for use in the hole transport layer of EL devices. Any of these can be selected and used.
  • a triazole derivative see US Pat. No. 3,112,197
  • an oxaziazole derivative see US Pat. No. 3,189,447, etc.
  • an imidazole derivative Japanese Patent Publication No. — See 16096, etc.
  • polyarylalkane derivatives U.S. Pat. Nos. 3,615,402, 3,820,989, 3,542,544, JP-B-45
  • pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives U.S. Pat. Nos.
  • the hole transport layer can be formed from the above-mentioned compound by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, and an LB method.
  • the thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is preferably 5 ⁇ ! 55 ⁇ m, particularly preferably 5 to 40 nm.
  • the hole transport layer may be composed of one or more of the above-mentioned materials. Further, a layer in which a hole transport layer made of a different kind of compound is laminated may be used.
  • the same materials as those for the hole transporting layer can be used, but the porphyrin conjugate (disclosed in JP-A-63-29556965, etc.), aromatic tertiary A Mindy ligated product and styrylamine ligated product (US Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-27033, JP-A-54-58445, JP-A-54-149634, and JP-A-54-149634. — See 64299, 55-79450, 55-144250, 56-119132, 61-295558, 61-98353, 63-295695, etc.) In particular, it is preferable to use an aromatic tertiary amine conjugate.
  • NPD N- (1-naphthyl) -N-phenyl -Lamino biphenyl
  • MTDATA tris (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine
  • inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the material for the hole injection layer.
  • the organic semiconductor layer is also a part of the hole injection layer, and is a layer that assists hole injection or electron injection into the light emitting layer, and preferably has a conductivity of 10 ′′ 10 S / cm or more.
  • Examples of the material for such an organic semiconductor layer include thiophene-containing oligomers, conductive oligomers such as arylamine-containing oligomers disclosed in JP-A-8-193191, and conductive oligomers such as arylamine-containing dendrimers. Sex dendrimers and the like can be used.
  • the hole injecting layer may be formed by applying the above-mentioned compound to the hole injection layer, for example, by vacuum evaporation, spin coating, casting,
  • It can be formed by a known method such as the LB method.
  • the hole injection layer may be composed of one or more of the above materials!
  • a layer obtained by laminating a hole injection layer made of a compound different from the hole injection layer may be used.
  • Electron-transporting layer is usually appropriately chosen force 104 to a thickness of several nm ⁇ number m: is preferably having an electron mobility of 10 _5 cm 2 ZVS more when an electric field is applied in the L0 6 VZc m,.
  • Materials used for the electron transport layer include 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof such as gold. Genus complexes are preferred.
  • metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof examples include oxine
  • Alq described in the section of the light emitting material can be used as the electron injection layer.
  • examples of the oxadiazole derivative include an electron transfer compound represented by the following formula.
  • Ar 5, Ar 6, Ar ?, Ar 9, Ar 10, Ar 13 each represent a substituted or unsubstituted Ariru group may each also being the same or different.
  • the Ar 8, Ar 11 and Ar 12 each represent a substituted or unsubstituted arylene group, each of which may be the same or different, and
  • examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, an anthral group, a peryl group, and a pyrenyl group.
  • examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthracene group, a perylenylene group, a pyrenylene group and the like.
  • examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cyano group.
  • the electron transfer conjugate is preferably a thin film-forming material.
  • electron-transporting conjugates include the following.
  • tBu t-butyl group
  • Me methyl group
  • R is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, a heteroaryl group having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, A haloalkyl group of 1 to 20 or an alkoxy group of 1 to 20 carbon atoms, n is an integer of 0 to 5, and when n is an integer of 2 or more, a plurality of Rs are the same or different from each other You may. Further, a plurality of adjacent R groups may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted carbocyclic aliphatic ring or a substituted or unsubstituted carbocyclic aromatic ring.
  • Ar 14 has an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, or has a substituent hand! Or a heteroaryl group having 3 to 60 carbon atoms.
  • Ar 15 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent.
  • either one of Ar 14 and Ar 15 may have a substituent, and may have a condensed cyclic group having 10 to 60 carbon atoms, or may have a substituent! /, Or may have 3 to 60 carbon atoms. Is a hetero-fused ring group.
  • L 2 is a single bond, a condensed ring having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, a heterocondensed ring having 3 to 60 carbon atoms or a substituted It is a fluorene group which may have a group.
  • HAr is a nitrogen-containing heterocyclic ring having 3 to 40 carbon atoms which may have a substituent
  • L 3 is a single bond, an arylene group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, or a heteroarylene group or a substituent having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent.
  • Ar 16 is a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms having a substituent! /
  • Ar 17 is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent or a heteroaryl group having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent.
  • an insulator or an electron injecting layer having a semiconductor power can be provided between the cathode and the electron injecting layer or between the cathode and the light emitting layer.
  • the insulator examples include an alkali metal chalcogenide, an alkaline earth metal chalcogenide, a halide of an alkali metal and a halide of an alkaline earth metal, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, silicon oxide, germanium oxide, silicon nitride, It is preferable to use metal compounds such as boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and vanadium oxide alone or in combination. Among these metal compounds, alkali metal power Lucogenides and chalcogenides of alkaline earth metals are preferred in terms of electron injection.
  • Preferred alkali metal chalcogenides include Li0, LiO, NaS, NaSe and NaO.
  • No. Preferred alkaline earth metal chalcogenides include CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, and CaSe.
  • Examples of the alkali metal halide include LiF, NaF, KF, LiCl, KC1, and NaCl.
  • Examples of the alkaline earth metal halide include fluorides such as CaF, BaF, SrF, MgF and BeF, and fluorides.
  • the semiconductor constituting the electron injection layer is at least selected from the group consisting of Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb and Zn.
  • One kind or a combination of two or more kinds of oxides, nitrides, oxynitrides, and the like containing one element can be given.
  • the electron injection layer is preferably microcrystalline or amorphous. This is because a uniform thin film is formed, so that pixel defects such as dark spots can be reduced.
  • two or more kinds of electron injection layers may be laminated and used.
  • each organic layer forming the light emitting layer described above is not particularly limited. In general, when the thickness is too small, defects such as pinholes occur, and when it is too large, a high applied voltage is required. Usually, the range of several nm to 1 ⁇ m is preferable because the efficiency is deteriorated.
  • the second reflecting means preferably uses a metal that reflects and transmits light generated in the organic light emitting medium layer and can form an optical resonator together with the light reflecting electrode.
  • metals include Ag, Mg, Al, Au, Pt, Cu, Cr, Mo, W, Ta, Nb, Li, Mn, Ca, Yb, Ti, Ir, Be, Hf, Eu, Sr, Examples include metals such as Ba, Cs, Na and K or alloys composed of these metals.
  • this metal layer is used as a cathode in contact with an organic luminescent medium, among these, Al, Ag, Mg, Ce, Na, K, Cs, and the like, from the viewpoint of a low work function (for example, 4.OeV or less).
  • the thickness of the metal layer is preferably 2 nm to 100 nm.
  • the electrode layer is formed by a method such as sputtering. However, it is not preferable from the viewpoint that damage to the organic light emitting medium layer located thereunder may not be prevented. If the thickness is greater than 100 nm, the light transmittance will decrease, and the light extraction efficiency may decrease.
  • the transparent electrode examples include ITO, copper, tin oxide, zinc oxide, and the like.
  • the transmittance is preferably 30% or more.
  • Examples of the color filter used in the present invention include, for example, only the following dyes or a solid state in which the dyes are dissolved or dispersed in a binder resin.
  • Red (R) dyes perylene pigments, lake pigments, azo pigments, etc.
  • Green (G) dyes halogen-substituted phthalocyanine pigments, halogen-substituted copper phthalocyanine pigments, triflemethane-based basic dyes, and the like.
  • Blue ( ⁇ ) pigment copper phthalocyanine pigment, indanthrone pigment, indophenol pigment, cyanine pigment and the like.
  • the binder resin is preferably a transparent material (visible light transmittance of 50% or more).
  • transparent resins polymers
  • polymers such as polymethyl methacrylate, polyatarylate, polycarbonate, polybutyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, hydroxyethyl cellulose, canoleboxy methinoresenolerose, and a photolithography method
  • Photocurable resist materials having a reactive vinyl group, such as acrylic acid-based and methacrylic acid-based can be cited as photosensitive resins to which this is applicable.
  • a printing ink (media) using a transparent resin such as polyvinyl chloride resin, melamine resin, phenol resin or the like is selected.
  • the film is formed by a vacuum deposition or sputtering method through a mask of a desired color filter pattern.
  • the coloring filter is composed of a coloring matter and a binder resin, Mixing, dispersing or solubilizing the resin and resist, forming a film by a method such as spin coating, roll coating, or casting, patterning with a desired color filter pattern by photolithography, printing, etc. In general, the pattern is patterned with a desired color filter pattern.
  • each color filter is preferably as follows. 0.5-5.0 m (transmittance 50% or more / 610 nm), G: 0.5-5.0 m (transmittance 50) %: Z545 nm), B: film thickness: 0.2 to 5.0 / zm (transmittance: 50% or more: Z460 nm).
  • a black matrix when providing a full-color display device that emits light of three primary colors of red, green, and blue, a black matrix can be used to improve a contrast ratio.
  • a 150 mm ⁇ 150 mm ⁇ I. 1 mm support substrate (OA2 glass: manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.), aluminum was formed by sputtering to a thickness of 300 nm.
  • a positive resist (HPR204: manufactured by Fuji Ohlin) was formed thereon by spin coating.
  • the resist film is exposed to ultraviolet rays through a photomask having a stripe pattern with a line width of 20 ⁇ m.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • beta-treated at 130 ° C The exposed aluminum layer was etched with an aluminum etchant of phosphoric acid Z nitric acid Z acetic acid solution.
  • the resist film was treated with a stripping solution containing ethanolamine as a main component (N303: manufactured by Nagase Sangyo) to form a lower electrode having a width of 80 ⁇ m and a gap of 20 m.
  • ICO indium oxide-cerium oxide
  • a positive resist HPR204: manufactured by Fuji Ohlin
  • this resist film is exposed to ultraviolet rays while being aligned with the stripe pattern of the lower electrode through a photomask that forms a striped pattern with a desired 20 m line width.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the ICO etchant which has 47% hydrobromic acid power, etches the exposed ICO, resulting in a periodic pattern of 80 ⁇ m, 20 / zm gap, 80 / zm width, 120 / zm gap.
  • An ICO layer was formed such that it was repeated at a later time.
  • this substrate was heat-treated in a heating furnace at 230 ° C for 30 minutes to crystallize the ICO, and then IZO (indium oxide containing 10 wt% zinc oxide) was deposited on the ICO layer.
  • a film was formed to a thickness of 20 nm by sputtering.
  • a positive resist (HPR204: Fujiori) was formed by spin coating.
  • this resist film is exposed to ultraviolet rays through a photomask having a desired 20 ⁇ m line width and a stripe pattern while being aligned with the stripe pattern of the lower electrode.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • a negative resist (V259BK: manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was spin-coated, exposed to ultraviolet light, and developed with a developing solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide).
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • beta was applied at 200 ° C. to form an organic interlayer insulating film covering the edge of the aluminum lower electrode (opening 70 mx 270 ⁇ m).
  • the substrate was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then to UV sonic cleaning for 30 minutes.
  • the cleaned substrate with the lower electrode was mounted on a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus.
  • the following compound (HI) hereinafter abbreviated as “HI film” as a hole injection material and the following compound (HT) ( (Hereinafter abbreviated as “HT film”)
  • the following compound (BH) as a host of the luminescent material
  • the following compound (BD) as a blue luminescent dopant
  • the following compound (GD) as a green luminescent dopant
  • the following compound (GD) as a red luminescent dopant (RD)
  • the target was mounted in another
  • IZO was sputtered to lnm as a hole injection auxiliary layer so as to cover the substrate.
  • an HI film functioning as a hole injection layer was deposited to a thickness of 25 nm.
  • an HT film functioning as a hole transport layer was deposited to a thickness of lOnm.
  • compound BH and compound BD were used as a blue light emitting layer so that the film thickness ratio was 10: 0.5.
  • Co-deposition was performed with a film thickness of lOnm.
  • the compound BH and the compound GD were co-deposited with a film thickness lOnm so as to have a film thickness ratio of 10: 0.8.
  • compound BH and compound RD were co-deposited with a film thickness of 20 nm so as to have a film thickness ratio of 20: 0.5.
  • An Alq film having a thickness of lOnm was deposited as an electron transport layer on this film.
  • LiF was deposited to a thickness of lnm as an electron injection layer, and on this film, Ag and Mg were deposited as a cathode (metal layer) at a deposition rate of 1: 9 by lOnm.
  • IZO was formed as a 90 nm-pattering film as an upper transparent electrode.
  • a film was formed with a thickness of 300 mm.
  • a light-shielding layer pattern was formed on a 112 mm X 143 mm X I. 1 mm support substrate (OA2 glass: manufactured by NEC Corporation).
  • OA2 glass manufactured by NEC Corporation.
  • 50 nm of chromium oxide and 300 nm of chromium were sequentially laminated by sputtering.
  • a positive resist (HPR204: manufactured by Fuji Ohlin) was formed on the light-shielding layer by spin coating. Subsequently, the resist film is exposed to ultraviolet light via a photomask. Then, it was developed with a developing solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide), and was betad at 130 ° C. Next, the exposed chromium layer and the oxidized chromium layer were etched with a chromium etchant having a cerium nitrate ammonium Z-perchloric acid aqueous solution.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • V259 manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.
  • V259 was spin-coated on a supporting substrate to form a film.
  • the substrate was exposed to ultraviolet light through a photomask such that a rectangular (90 mx 290 m) color arrangement was obtained with stripes and 76,800 dot-like patterns were aligned with the light-shielding layer.
  • beta treatment was subjected to beta treatment at 200 ° C. to form a color filter layer pattern for blue (thickness: 1.5 / zm).
  • a pigment-based green color filter material (CG-8510L: manufactured by Fuji Film Arch) was spin-coated, and a photomask used for blue was used. It was shifted from the position of the blue color filter layer pattern by 100 ⁇ m pitch in the vertical direction with respect to the stripe color arrangement, and was exposed to ultraviolet light through this photomask. Thereafter, beta was performed at 200 ° C to form a green color filter layer pattern (film thickness 1.0 m).
  • a pigment-based red color filter material (CRY-S840B: manufactured by Fuji Film Arch) was spin-coated, and a photomask used for blue was used. It was shifted from the position of the color filter layer pattern for blue by a pitch of 200 ⁇ m in the vertical direction with respect to the stripe-shaped color array, and was exposed to ultraviolet light through this photomask. Thereafter, the substrate was subjected to beta at 200 ° C. to obtain a red color filter layer pattern (thickness: 1.2 m) substrate.
  • Liquid silicone rubber (XE14-128: manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) was applied onto a color filter substrate using a spin coater, and the organic EL element substrate was bonded onto the color filter substrate according to alignment marks.
  • a 7.2V DC voltage is applied between the lower electrode and the upper transparent electrode corresponding to the blue color filter. When the pressure was applied, it glowed blue.
  • the luminance was 45 nits and the chromaticity was 0.135, 0.078.
  • the current value flowing between both electrodes was measured and the luminous efficiency was calculated to be 1.78 cdZA.
  • Comparative example An organic EL display device having the same configuration as that of the example except that chromium was used instead of aluminum as the lower electrode was manufactured.
  • chromium etchant used for forming the electrode pattern an aqueous solution of cerium nitrate ammonium-perchloric acid (HCE: manufactured by Nagase & Co., Ltd.) was used.
  • FIG. 5 is a diagram showing emission spectra of blue pixels of the example (A1 electrode) and the comparative example (Cr electrode).
  • FIG. 6 is a diagram showing emission spectra of green pixels of the example (A1 electrode) and the comparative example (Cr electrode).
  • FIG. 7 is a diagram showing emission spectra of red pixels of the practical example (A1 electrode) and the comparative example (Cr electrode).
  • the organic EL display device of the present invention can be used for various display devices such as a consumer TV, a large display, and a display screen for a mobile phone.

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Abstract

 第一の有機エレクトロルミネッセンス素子(10)において、第一の光反射手段(12)と第二の光反射手段(14)の間の光学的距離が、第一の色の光を選択するように設定され、第二の有機エレクトロルミネッセンス素子(20)において、第一の光反射手段(12)と第二の光反射手段(14)の間の光学的距離が、第二の色の光を選択するように設定され、第三の有機エレクトロルミネッセンス素子(30)において、第一の光反射手段(12)と第二の光反射手段(14)の間の光学的距離が、第三の色の光を選択するように設定され、第一の光反射手段(12)の波長400nm~700nmにおける反射率の平均値が65%以上である有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

Description

明 細 書
有機エレクト口ルミネッセンス表示装置
技術分野
[0001] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス (EL)表示装置、特に白色有機発光媒体 層を用いたフルカラー有機 EL表示装置に関する。
背景技術
[0002] 有機 ELを用いたフルカラー化技術としては、三色塗分け法、白色 ELにカラーフィ ルタを組み合わせる方法、 ELに色変換膜を組み合わせる色変換法等がある。
[0003] 三色塗分け法においては、材料のバランスを整えることと円偏光板のロスを小さくす ることで、高効率ィ匕できる可能性がある。し力しながら、その塗分け技術が困難である ことから、高精細なディスプレイの実現は難しぐ大面積ィ匕は困難とされている。 一方、有機 EL発光層を共有ィ匕できるために、大面積化、高精細化が容易にできる ことから白色カラーフィルタ法又は色変換法が期待されている。
[0004] 有機 EL表示装置のフルカラーディスプレイの方式としては、ボトムェミッション構造 とトップェミッション構造に分けられる。トップェミッション構造とは、従来、有機 EL素 子構造を支持するガラス基板側から光を取り出して ヽたものを、基板とは反対側の上 部から光を取り出す構造としたものである。これにより、発光部に対する開口率を向上 させることが可能となり、高輝度化を可能としている。
[0005] ところで、上部電極に半透明の陰極を採用し、多重干渉効果によって、特定の波長 の光のみを EL素子の外部に取出し、高い色再現性を実現することが検討されている 。例えば、特許文献 1には、光反射材料からなる第 1電極、有機発光媒体層を含む 有機層、半透明反射層及び透明材料からなる第 2電極が順次積層され、有機層が 共振部となるように構成された有機 EL素子にぉ 、て、取り出した 、光のスペクトルの ピーク波長をえとした場合、以下の式を満たすように構成した有機 EL素子が開示さ れている。
[0006] (2L) / 1 + Φ/ (2 π ) =πι
(Lは光学的距離、 λは取り出したい光の波長、 mは整数、 Φは電極における位相シ フトであり、光学的距離 Lが最小となるように構成)
[0007] 光反射性材料からなる第 1電極の具体例としては、特許文献 2に、周期律表の 5族 又は 6族に属する金属、さらに具体的にはクロム、モリブデン、タングステン、タンタル 及びニオブ等仕事関数が 4. 8eV以下であるような金属が開示されている。
[0008] また、特許文献 3には、 R、 G、 Bの各画素において、有機 EL素子が反射層と透明 層の間に有機発光媒体層が挟まれた構造であり、カラーフィルタを透明層の光出力 側又は外光入射側に配置して 、る表示装置が開示されて 、る。
[0009] 特許文献 1:国際公開第 WO01Z39554号パンフレット
特許文献 2:特開 2001—43980号公報
特許文献 3:特開 2002— 373776号公報
[0010] し力しながら、これらの有機 EL素子又は有機 EL表示装置には以下に示す問題が めつに。
光反射性電極に使用されるクロム、モリブデン、タングステン、タンタル及びニオブ 等の金属では充分な光共振器効果が得られず、表示装置の高効率化に改善の余 地があった。
また、特許文献 1に示される上記式を満たす有機層の光学膜厚は、一種類であり、 三色の異なる波長の光を取り出ずフルカラーの表示装置へ効率的に適用しにくい。 本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、高い効率のフルカラー表示が可 能な有機 EL表示装置を提供することを目的とする。
発明の開示
[0011] 本発明者らは鋭意研究したところ、特定の反射率の高い金属電極と、異なる発光 色を示す三種類の発光材料を含む有機 EL素子と、対向する三種類のカラーフィル タを組み合わせることによって、高効率な多色発光が可能となることを見出し、本発 明を完成した。
本発明によれば、以下の有機 EL表示装置が提供される。
1.第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第一の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第一の色の光を透過させる第一のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第一の画素と、 第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第二の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第二の色の光を透過させる第二のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第二の画素と、
第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第三の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第三の色の光を透過させる第二のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第三の画素とを有し、
前記第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも第一の光反射手段と第 二の光反射手段を、光取出方向にこの順に保有し、かつ、前記第一及び第二の光 反射手段の間に、少なくとも第一の電極と第二の電極と、前記電極間に位置する有 機発光媒体層とを有し、第一の光反射手段と第二の光反射手段の間の光学的距離 が、第一の色の光を選択するように設定され、
前記第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも第一の光反射手段と第 二の光反射手段を、光取出方向にこの順に保有し、かつ、前記第一及び第二の光 反射手段の間に、少なくとも第一の電極と第二の電極と、前記電極間に位置する有 機発光媒体層とを有し、第一の光反射手段と第二の光反射手段の間の光学的距離 が、第二の色の光を選択するように設定され、
前記第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも第一の光反射手段と第 二の光反射手段を、光取出方向にこの順に保有し、かつ、前記第一及び第二の光 反射手段の間に、少なくとも第一の電極と第二の電極と、前記電極間に位置する有 機発光媒体層とを有し、第一の光反射手段と第二の光反射手段の間の光学的距離 が、第三の色の光を選択するように設定され、
前記第一の光反射手段の波長 400ηπ!〜 700nmにおける反射率の平均値が 65 %以上であり、
前記有機発光媒体層が、少なくとも第一の色、第二の色及び第三の色の光を発す る、有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
2.前記第一及び第二の光反射手段が、それぞれ第一の電極及び第二の電極であ るか、
前記第一及び第二の光反射手段の間に、第一の電極と第二の電極が有って、前 記有機発光媒体層が前記第一及び第二の電極間に位置する 1に記載の有機エレク トロルミネッセンス表示装置。
3.第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第一の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第一の色の光を透過させる第一のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第一の画素と、
第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第二の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第二の色の光を透過させる第二のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第二の画素と、
第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第三の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第三の色の光を透過させる第三のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第三の画素とを有し、
前記第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、有機発 光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順に積層した素子であり、 前記第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第一の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第二の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記光反射性電極の波長 400nm〜 700nmにおける反射率の平均値が 65 %以 上であり、
前記有機発光媒体層が、少なくとも第一の色、第二の色及び第三の色の光を発す る、有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
4.前記有機発光媒体層が、第一の色の光を発する第一の発光材料、第二の色の光 を発する第二の発光材料、及び第三の色の光を発する第三の発光材料とを含む、 3 に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
5.前記第一の光学膜厚調整層が第一の無機化合物層力 なり、前記第二の光学 膜厚調整層が前記第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層からなる 3又は 4 に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
6.第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第一の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第一の色の光を透過させる第一のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第一の画素と、
第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第二の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第二の色の光を透過させる第二のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第二の画素と、
第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第三の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第三の色の光を透過させる第三のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第三の画素とを有し、
前記第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第一の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第二の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第三の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記光反射性電極の波長 400nm〜 700nmにおける反射率の平均値が 65 %以 上であり、
前記有機発光媒体層が、少なくとも第一の色、第二の色及び第三の色の光を発す る、有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
7.前記有機発光媒体層が、第一の色の光を発する第一の発光材料、第二の色の光 を発する第二の発光材料、及び第三の色の光を発する第三の発光材料を含む、 6に 記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
8.前記第一の光学膜厚調整層が第一の無機化合物層力 なり、前記第二の光学 膜厚調整層が前記第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層からなり、前記第 三の光学膜厚調整層が前記第一の無機化合物層、前記第二の無機化合物層及び 第三の無機化合物層からなる 6又は 7に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装 置。
9.前記有機発光媒体層が、ホスト材料と青色系ドーパントを含む青色系発光層、青 色系発光層と同一のホスト材料と緑系ドーパントを含む緑系発光層、及び青色系発 光層と同一のホスト材料と橙〜赤系ドーパントを含む橙〜赤系発光層を積層して含 む、 1〜8の!、ずれかに記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
10.前記有機発光媒体層に用いられるホスト材料が、非対称アントラセン系化合物 である 9に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
11.前記有機発光媒体に用いられる青色系ドーパントが、スチリルァミン、ァミン置換 スチリル化合物、ァミン置換縮合芳香族及び縮合芳香族環含有化合物より選択され る少なくとも一種類の化合物である 9又は 10に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表 示装置。
12.前記有機発光媒体に用いられる橙〜赤色系ドーパントが、フルオランテン骨格 を複数有する化合物より選択される少なくとも一種類の化合物である 9〜11のいずれ かに記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[0012] 本発明によれば、高 ヽ効率のフルカラー表示が可能な有機 EL表示装置を提供で きる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]実施形態 1の有機 EL表示装置を示す図である。
[図 2a]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。
[図 2b]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。
[図 2c]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。
[図 2d]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。 [図 2e]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。
[図 2f]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。
[図 2g]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。
[図 2h]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。
[図 2i]実施形態 1の有機 EL表示装置の有機 EL素子基板の製造方法を示す工程図 である。
[図 3]実施形態 2の有機 EL表示装置を示す図である。
[図 4]実施例と比較例の光反射性電極の反射率を示す図である。
[図 5]実施例と比較例の青画素の発光スペクトルを示す図である。
[図 6]実施例と比較例の緑画素の発光スペクトルを示す図である。
[図 7]実施例と比較例の赤画素の発光スペクトルを示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0014] [実施形態 1]
図 1は、本発明の第 1の実施形態である有機 EL表示装置を示す図である。
この有機 EL表示装置 1には、異なる有機 EL素子 10, 20, 30が並置されている。
[0015] 有機 EL素子 10は、光取出し方向に、第一の光反射手段と第一の電極を兼ね備え た光反射性電極 12、有機発光媒体層 13、第二の光反射手段と第二の電極を兼ね 備えた、金属層 14と透明電極 15の積層膜を、この順に積層された構造を有している
[0016] 光反射性電極 12は、正孔又は電子を供給する電極として機能するとともに、有機 発光媒体層 13で発生した光を、光取出し方向に反射する層である。光反射性電極 は、波長 400nm〜700nmにおける反射率の平均値が 65%以上であり、好ましくは 70%以上であり、より好ましくは 85%以上である。
[0017] 有機発光媒体層 13は、電子と正孔の再結合により光を発生する層である。有機発 光媒体層 13は、少なくとも第一の色、第二の色及び第三の色の光を発する。有機発 光媒体層 13は、少なくとも第一の色の光を発する第一の発光材料及び第二の色の 光を発する第二の発光材料を含んでおり、好ましくは、第一の色の光を発する第一 の発光材料、第二の色の光を発する第二の発光材料及び第三の色の光を発する第 三の発光材料を含む。含まれる発光材料の数が二つの場合は、第一の発光材料が 第一の色の光と第二の色の光を同時に発してもよ 、し、第二の発光材料が第二の色 の光と第三の色の光を発してもよい。いずれにしても、有機 EL素子の外へ出る光は 、第一、第二及び第三の光を含んでいる。また、有機発光媒体層 13は、第一、第二 、第三の色以外の色も合わせて発することができる。
[0018] 第一、第二、第三の色は、好ましくは、波長 400nm〜500nmの青色、波長 500η m〜570nmの緑色、波長 570nm〜700nmの赤色である。しかしながら、これらの 色には限定されず、様々な三色を組合わせて微妙な発色を実現できる。
[0019] 金属層 14と透明電極 15の積層膜は、正孔又は電子を供給する第二の電極として 機能するとともに、有機発光媒体層 13で発生した光を反射及び透過する第二の光 反射層としても機能する。
さらに、矢印で示す光取出し方向に、有機 EL素子 10に対向して第一のカラーフィ ルタ 16が設けられている。第一のカラーフィルタは、第一の色の光を透過させる。
[0020] 有機 EL素子 10と第一のカラーフィルタ 16から第一の画素 Iが構成される。
有機 EL素子 20は、光取出し方向に、第一の光反射手段と第一の電極を兼ね備え た光反射性電極 12、第一の無機化合物層 27が形成され、その上に、有機発光媒体 層 13、第二の光反射手段と第二の電極を兼ね備えた、金属層 14と透明電極 15の 積層膜を、この順に積層された構造を有している。ここで、第一の無機化合物層 27 が第一の光学膜厚調整層に相当する。
[0021] さらに、矢印で示す光取出し方向に、有機 EL素子 20に対向して第二のカラーフィ ルタ 26が設けられている。第二のカラーフィルタは、第二の色の光を透過させる。 有機 EL素子 20と第二のカラーフィルタ 26から第二の画素 IIが構成される。
有機 EL素子 30は、光取出し方向に、第一の光反射手段と第一の電極を兼ね備え た光反射性電極 12、第一の無機化合物層 27、第二の無機化合物層 38が形成され 、その上に、有機発光媒体層 13、第二の光反射手段と第二の電極を兼ね備えた、 金属層 14と透明電極 15の積層膜を、この順に積層された構造を有している。ここで 、第一の無機化合物層 27と第二の無機化合物層 38が合わせて第二の光学膜厚調 整層に相当する。
[0022] さらに、矢印で示す光取出し方向に、有機 EL素子 30に対向して第三のカラーフィ ルタ 36が設けられている。第三のカラーフィルタは、第三の色の光を透過させる。 有機 EL素子 30と第三のカラーフィルタ 36から第三の画素 IIIが構成される。
[0023] 尚、第一の光反射手段と第一の電極が同一である必要はなぐ光取出し方向に、こ の順に分離していてもよぐ光取出し方向に、絶縁性光反射層 Z電極の順で積層さ れていてもよい。絶縁性光反射層の具体例としては、金属膜からなる光反射層 Z絶 縁性光学膜圧調整層の積層であってもよいし、誘電体レーザミラーで知られる、高屈 折率誘電層と低屈折率誘電層の多層積層膜を挙げることができる。高屈折率誘電層 を形成する材料としては例えば、 ZrO Ce
2、 O
2、 Ta O
2 3等の金属酸化物や、 ZnS、 C dS等の II VI族化合物を挙げることができる。低屈折率誘電層を形成する材料とし ては例えば、 CaF
2、 A1F等の金属フッ化物を挙げることができる。
3
また、第二の光反射手段は、金属層と透明電極の積層膜に限定されることはなぐ 順序はこの逆でもよい。また金属膜である必要はなぐ先に例示した誘電体多層膜の ような絶縁性膜であっても構わな ヽ。
[0024] 尚、図 1において、発明を理解し易くするために、二つの電極 12, 15に挟まれてい るのは、有機発光媒体 13だけである力 後述するように、通常、電子注入層、電子輸 送層、正孔注入層、正孔輸送層等をさらに含む。
[0025] 透明電極層 15とカラーフィルタ 16, 26, 36の間に、有機 EL素子 10が環境やカラ 一フィルタ 16, 26, 36に含まれる酸素、水分、その他揮発成分により劣化することを 防止するために、封止層等を設けてもよい。具体例としては、 SiO N、 AIO N、 SiA lO N等の透明無機化合物層、及びこれらの透明無機化合物層と透明榭脂、あるい は封止液と積層したもの等を用いることができる。
[0026] 次に、この有機 EL表示装置 1の動作について説明する。
有機 EL素子 10, 20, 30は、いずれも、第一の光反射手段 (光反射性電極 12)と 第二の光反射手段 (金属層 14)の間を共振部とする光共振器構造となって!/、る。こ のような共振器構造により、有機発光媒体 13で発生した光は、二つの光反射面 (光 反射性電極 12と金属層 14)の間で反射を繰り返し、下記式を満たす波長付近の光 が選択的に強く素子の外に放出される。
(2L) / 1 + Φ/ (2 π ) =πι
(Lは、共振部の光学的距離、 λは光の波長、 Φは二つの光反射手段界面にお ける位相シフトの和、 mは 0以上の整数を示す。 )
尚、光学的距離 Lは、光の通過する媒体の屈折率 nと実際の幾何学的距離 Lとの
R
禾 M "ある。
[0027] すなわち、有機発光媒体 13で発生した光のうち、上記式を満たす波長 λ付近の光 が選択的に強められ、金属層 14、透明電極 15を通って、素子の外に放出される。
[0028] 図 1において、 Lは、第一の有機 EL素子 10の光学的距離を、 Lは、第二の有機 Ε
1 2
L素子 20の光学的距離を、 Lは、第三の有機 EL素子 30の光学的距離を、模式的
3
に示している。
Lとしでは、第一の無機化合物層 27の光学的距離に相当する分だけ、 Lとしで
1 2 2 3 は、第二の無機化合物層 38の光学的距離に相当する分だけ光学的距離が異なつ ている。
[0029] 即ち、無機化合物層 27, 38の屈折率又は厚みを調節することにより、第一の有機 EL素子 10では、ある波長え を強調して素子の外部に光を取り出すように設定でき、 第二の有機 EL素子 20では、ある波長え を強調して素子の外部に光を取り出すよう
2
に設定でき、第三の有機 EL素子 30では、ある波長え を強調して素子の外部に光を
3
取り出すように設定できる。これにより、所望の波長の光をそれぞれ強調させて 3つの 素子から取り出せるので、効果的な多色発光が可能となる。
[0030] 次に、本実施形態の有機 EL素子基板の製造方法について図 2を用いて説明する
。ここでは、ウエットエッチング法を含む方法にて製造した例を説明するが、下記の方 法に限定されるものではない。
[0031] 基板 11上に、光反射導電層 12を形成する材料をスパッタリングし、製膜した後(図
2a)、フォトリソグラフィ等によって、所望の形状のパターンにエッチングする(図 2b)。 [0032] 続いて、第一の無機化合物層 27を形成する材料をスパッタリングし、製膜した後( 図 2c)、上記と同様にエッチング液によって不用部をエッチングし、第二及び第三の 有機 EL素子 20, 30の光反射導電層 12上に第一の無機化合物層 27を形成する( 図 2d)。
光反射導電層 12、第一の無機化合物層 27、第二の無機化合物層 38の順に、エツ チングがされやすい材料を選択することにより、先に形成した光反射導電層 12をエツ チングすることなぐ第一の無機化合物層 27を形成することができる。
[0033] さらに、第二の無機化合物層 38を形成する材料をスパッタリングし、製膜した後(図 2e)、エッチング液によって不用部をエッチングし、第二の無機化合物層 38を第三の 有機 EL素子 30の第一の無機化合物層 27上に形成する(図 2f)。
[0034] この光反射導電層 12及び各無機化合物層を形成した基板上に、有機発光媒体層 13 (図 2g)、金属層 14 (図 2h)及び透明電極層 15 (図 2i)をこの順に製膜して、有機 EL素子を製造できる。
この方法によれば、容易に有機 EL素子基板を製造できる。
[0035] 有機 EL素子の各層の形成方法は特に限定されず、従来公知のスパッタリング法、 真空蒸着法、分子線蒸着法 (MBE法)あるいは溶媒に解かした溶液のデイツビング 法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布 法によって形成することができる。
[0036] 本実施例では、高反射率電極を使用し、さらに画素毎に光学的距離を変えることに より、画素毎に効果的な光共振器効果を発揮させるため、画素毎の光取出し効率が 高まる。そのため、ディスプレイの発光効率が高まり、また色純度を向上できる。
[0037] また、本実施例では、 3原色を含む白色発光有機 EL素子とカラーフィルタの組合 せにより、ディスプレイの色純度をさらに向上させることができる。
また、この有機 EL表示装置において、有機発光媒体層 13、金属層 14及び透明電 極層 15は、共通した同一の膜として形成することができる。このため、製造工程が簡 略化でき、工業生産上、極めて有利である。
[0038] [実施形態 2]
図 3は、本発明の実施形態 2である有機 EL表示装置を示す図である。 実施形態 2は、第一の画素 Iの有機 EL素子 10において、光反射性電極 12の上に 、第三の無機化合物層 19が形成され、第二の画素 IIの有機 EL素子 20において、光 反射性電極 12の上に、第三の無機化合物層 19及び第一の無機化合物層 27が形 成され、第三の画素 IIIの有機 EL素子 30において、光反射性電極 12の上に、第一 の無機化合物層 27、第二の無機化合物層 38及び第三の無機化合物層 19が形成さ れていることが、実施形態 1と異なる。
ここで、第三の無機化合物層 19が第一の光学膜厚調整層に、第一の無機化合物 層 27及び第三の無機化合物層 19が合わせて第二の光学膜厚調整層に、第一の無 機化合物層 27、第二の無機化合物層 38及び第三の無機化合物層 19が合わせて 第三の光学膜厚調整層に相当する。
第三の無機化合物層 19は、光学膜厚調整の目的の他、有機発光媒体層 13と光 反射電極 12との間の付着性を改善し、有機発光媒体への電荷注入性を改善するこ とを目的として設けられている。この無機化合物層に使用される好ましい無機化合物 としては、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類酸ィ匕物、希土類酸化物、アルカリ金属 ハロゲン化物、アルカリ土類ハロゲン化物、希土類ハロゲン化物、 SiO、 AIO、 SiN
X X
、 SiO 、 A10N、 GeO、 LiO、 LiON、 TiO、 TiON、 TaO、 TaON、 TaN、 C等
X N X X X X X
各種酸化物、窒化物、酸化窒化物である。
特に光反射電極 12が陽極として機能する場合には、 SiO、 AIO、 SiN、 SiON、
X X X
A10N、 GeO、 C、 ITO、 IZO、 InO、 ZnO、 ICO (酸化セリウム)が安定な注入界 面層を形成して好ましい。第三の無機化合物層 19の膜厚は、特に限定されないが、 好ましくは、 0. lnm〜: LOOnmである。
[0039] 図 3において、図 1と同様に、 Lは、第一の有機 EL素子 10の光学的距離 (光学膜 厚、屈折率と実際の膜厚を力 4ナたもの)を、 Lは、第二の有機 EL素子 20の光学的距
2
離を、 Lは、第三の有機 EL素子 30の光学的距離を、模式的に示している。
3
Lとしでは、第一の無機化合物層 27の光学的距離に相当する分だけ、 Lとしで
1 2 2 3 は、第二の無機化合物層 38の光学的距離に相当する分だけ光学的距離が異なつ ている。
[0040] 即ち、無機化合物層 19, 27, 38の屈折率又は厚みを調節することにより、第一の 有機 EL素子 10では、ある波長 λェを強調して素子の外部に光を取り出すように設定 でき、第二の有機 EL素子 20では、ある波長え を強調して素子の外部に光を取り出
2
すように設定でき、第三の有機 EL素子 30では、ある波長え を強調して素子の外部
3
に光を取り出すように設定できる。これにより、所望の波長の光をそれぞれ強調させ て 3つの素子から取り出せるので、効果的な多色発光が可能となる。
[0041] 尚、実施形態 1 , 3において、光学膜厚調整層は、単層又は 2〜3層の積層体であ るが、所望の光学膜厚が得られる限り、適当な数の層により形成してもよい。
[0042] 続いて、本発明の有機 EL表示装置の部材について説明する。
( 1)光反射性電極
光反射性電極の材質としては、好ましくは波長 400ηπ!〜 700nmにおける反射率 の平均値が 65%以上である金属膜が選択される。金属膜の反射率は、その膜厚 d、 複素屈折率 n— i κ、表面粗さ (RMS粗さ) σで決まる。好ましい金属膜の材料として は、複素屈折率の実部 η、虚部 Κ (光吸収係数に相当)ともに、小さいものが好ましく 、具体的には、 Au、 Ag、 Cu、 Mg、 Al、 Ni、 Pd等の単体金属膜、及び合金膜を挙げ ることがでさる。
[0043] 膜厚 dが薄い場合、光が透過してしまい反射率が小さくなる。使用する金属種の複 素屈折率虚部 κの値にもよるが、膜厚としては 50nm以上であることが好ましい。
[0044] 表面粗さ σが大きい場合、光が乱反射し有機 EL素子の発光平面と垂直な方向へ 反射される成分が少なくなる。そのため、表面粗さ σとしては、 lOnm未満であること が好ましぐ 5nm未満であることがより好ましい。
[0045] (2)無機化合物層
無機化合物層は、その可視光の波長領域(380ηπ!〜 780nm)における光透過率 が 50%以上のものであれば特に限定なく使用できる。好ましくは、光透過率が 80% 以上の透過率を有するものがょ 、。
無機化合物の具体例としては、無機酸ィ匕物が挙げられ、例えば、 In, Sn, Zn, Ce
, Sm, Pr, Nb, Tb, Cd, Ga, Al, Mo及び W等の酸化物が挙げられ、好ましくは、 I n, Sn, Zn, Ceを含む酸化物である。
[0046] 表示装置の製造を容易にするために、光反射導電層、第一の無機化合物層、第二 の無機化合物層及び第三の無機化合物層に使用する材料は、そのエッチング特性 に差があることが好ましい。即ち、光反射導電層、第一の無機化合物層、第二の無 機化合物層、第三の無機化合物層の順に、エッチングがされやすい材料を選択する ことが好ましい。
例えば、第一の無機化合物層に、光反射導電層よりも弱酸でエッチングされやす い材料を選択し、第二の無機化合物層には、第一の無機化合物層よりも、さらに弱 酸でエッチングされやすい材料を選択し、第三の無機化合物層には、第二の無機化 合物層よりも、さらに弱酸でエッチングされやす 、材料を選択する。
尚、各層を選択的にエッチングできる、エッチング液を有する材料を選択することも 考えられる。
[0047] 無機化合物層のエッチング特性を異なるものとするには、両化合物層を形成する 無機酸ィ匕物の結晶化度を調整する方法がある。結晶化度が高いほど、酸によるエツ チングがされにくくなる傾向がある。
本発明においては、無機化合物層の結晶化度に差を設けることで、両化合物層の エッチング特性に差を設けることができる。
[0048] エッチング特性の違いを利用して第一及び第二の無機化合物層を製造する例とし て、以下のようにウエットエッチング法で行なう例がある。
ガラス基板上に Crをスパッタリング製膜し、光反射導電層を形成する。この基板を 硝酸セリウムアンモ-ゥム塩—過酸ィ匕水素水(CAN)の混合液にてエッチングし、所 望のパターンの光反射導電層付き基板を得る。
次に、 ITOをスパッタリング製膜し、蓚酸水溶液によりエッチングし、所望のパターン のアモルファス (非結晶性) ITO膜付基板を得る。
この基板を 230°Cで 30分間加熱処理することで、第一の無機化合物層である結晶 性 ITO膜付基板を得ることができる。結晶性 ITO膜とすることで、蓚酸水溶液でエツ チングされな 、層を形成できる。
さらに、その上に IZOをスパッタリング製膜し、蓚酸水溶液でエッチングして所望の パターンの第二の無機化合物層付基板を得る。尚、第二の無機化合物層として、非 結晶性 ITOを用いることもできる。 [0049] 尚、結晶化度は、 X線回折測定によって測定できる。即ち、試料表面に X線を照射 し、回折線の角度 (2 Θ )と強度を測定して、回折ピークの積分強度比力も結晶化度 を求める。
[0050] 第一の無機化合物層が結晶質であり、第二の無機化合物層が非結晶質であること も好ましい。これにより、第二の無機化合物層を第一の無機化合物層よりも弱酸でェ ツチングされやすくできる。
[0051] 最も弱酸でエッチングされやすい無機化合物の例としては、酸化インジウム 酸ィ匕 亜鉛 (IZO)、 IZOにランタノイド系金属酸ィ匕物を添加したもの等が挙げられる。ランタ ノイド系金属酸ィ匕物としては、例えば、酸ィ匕セリウム、酸ィ匕プラセォジゥム、酸化ネオ ジゥム、酸ィ匕サマリウム、酸ィ匕ユウ口ピウム、酸ィ匕ガドリニウム、酸ィ匕テルビウム、酸ィ匕 ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、 及び酸化ルテチウム等が挙げられる。
尚、ランタノイド系金属酸化物の含有割合は、金属酸化物層における金属酸化物 の全金属原子に対して 0. 1〜 10原子%とするのが好まし 、。
また、水素等の存在下で、酸化インジウム一酸ィ匕錫 (ITO)をスパッタリングして得ら れる非結晶性の ITOも好適である。
[0052] 光反射導電層よりも弱酸でエッチングでき、上記の無機化合物よりもエッチングされ にくいものとしては、 ITO、酸化インジウム一酸ィ匕セリウム化合物(ICO)、酸化インジ ゥムー酸ィ匕タングステン化合物、酸化インジウム 酸ィ匕モリブデンィ匕合物等が挙げら れる。非結晶性 ITO及び上記化合物の非結晶性物質も好ましい。上述したように、 非結晶性 ITO及び上記化合物の非結晶性物質は、熱ァニールにより結晶性化合物 にできるため、第一の無機化合物層上に第二の無機化合物層を製膜する場合には 特に好適である。
[0053] 第一の無機化合物層を ITO、第二の無機化合物層を IZOとすることが、エッチング 時に下地となる層のダメージを低減できるため好ましい。
[0054] 第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層の膜厚は、各 EL素子部の共振部 において、所望の波長の光が共振されるように適宜調整すればよい。好ましくは、 5n m〜1000nmの範囲とする。 [0055] (3)発光層の構成
発光層は、光反射性電極と、金属層と透明電極層の間に挟持される層であり、少な くとも有機発光媒体層を含む。
有機発光媒体層は、有機 EL表示装置をフルカラーディスプレイとして用いる際に 重要視される色純度向上のため、好ましくは、第一のカラーフィルタの透過色に相当 する発光色を示す第一の発光材料と、第二のカラーフィルタの透過色に相当する発 光色を示す第二の発光材料と、第三のカラーフィルタの透過色に相当する発光色を 示す第三の発光材料とを含む。
[0056] 構成としては、発光色の異なる 3種類の発光材料を含んでいればよいが、有機発光 媒体層が 3種類の層 (青色系発光層、緑色系発光層、橙色〜赤色系発光層)を積層 する場合には、光反射性電極としての陽極層上に、次の構成を積層したものを挙げ ることがでさる。
[0057] (i)青色系発光層 Z緑色系発光層 Z橙色〜赤色系発光層
(ii)正孔輸送層 Z青色系発光層 Z緑色系発光層 Z橙色〜赤色系発光層
(m)青色系発光層 Z緑色系発光層 Z橙色〜赤色系発光層 Z電子輸送層
(iv)正孔輸送層 Z青色系発光層 Z緑色系発光層 Z橙色〜赤色系発光層 Z電子輸 送層
(V)正孔注入層 Z正孔輸送層 Z青色系発光層 Z緑色系発光層 Z橙色〜赤色系発 光層 Z電子輸送層
(vi)正孔注入層 Z正孔輸送層 Z青色系発光層 Z緑色系発光層 Z橙色〜赤色系発 光層 Z電子輸送層 Z電子注入層
(vii)正孔注入補助層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z青色系発光層 Z緑色系発光層 Z橙色〜赤色系発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層
(vm)正孔注入層 Z正孔輸送層 Z青色 緑色混合発光層 Z橙色〜赤色系発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層
(k)正孔注入層 Z正孔輸送層 Z青色発光層 Z緑色 橙色〜赤色系混合発光層 Z 電子輸送層 Z電子注入層
(X)正孔注入層 Z正孔輸送層 Z青色 緑色混合発光層 Z青色 橙色〜赤色系混 合発光層 z電子輸送層 z電子注入層
[0058] これらの中で、(vi)、 (vii)の構成が、より発光効率が高ぐ耐久性にも優れているこ とから通常好ましく用いられる。なお、青色系発光層、緑色系発光層、橙色〜赤色系 発光層は、発光色を示すドーパント材料をドープしたホスト材料力もなる。
尚、 (viii), (X)中の青色—緑色混合発光層は、青色カゝら緑色にかけてブロードな発 光スペクトルを有するドーパント材料をドープしたホスト材料力もなつてもょ 、し、青色 発光を示すホスト材料に、緑色発光を示すドーパント材料を微量ドープした材料から なってもよい。
また、(ix)中の緑色 橙色〜赤色系混合発光層は、緑色から橙色〜赤色にかけて ブロードな発光スペクトルを有するドーパント材料をドープしたホスト材料力 なっても よいし、緑色発光を示すホスト材料に、橙色〜赤色発光を示すドーパント材料を微量 ドープした材料からなってもよ!、。
また、(X)中の青色 橙色〜赤色系混合発光層は、青色発光を示すホスト材料に、 橙色〜赤色発光を示すドーパント材料を微量ドープした材料力もなつてもよい。
[0059] 上記 (i)〜(x)では、青色系発光層 Z緑色系発光層 Z橙色〜赤色系発光層という 順序で記載した。この順序では陽極側が青色系発光層であるため、発光色が緑色や 赤色に偏りがちな傾向を打ち消すことができる。従って、フルカラーディスプレイとし ての理想的な白色を得るために緑色や橙色〜赤色系発光を押さえる必要がなぐ緑 色や橙色〜赤色系発光層を青色系発光層に比べて、膜厚を薄くしたり、ドープ濃度 を薄くする必要がない。その結果、緑色や黄色〜赤色系発光層の膜厚を従来より厚 くできるため、色度変化が少ない。また、青色系発光層と緑色系発光層及び橙〜赤 色系発光層のホスト材料を同一物質とすることができるため、青色発光領域が界面に 発光が集中しにくぐ界面の変動による影響を受け難い。さらに、橙色〜赤色系発光 層の膜厚が十分大きいので、界面の変動による影響を受け難い。
[0060] ただし、本発明では、青系発光層 Z緑系発光層 Z橙色〜赤色系発光層の順序に 限定する必要はなぐこれ以外の順序でもよい。また、ドーパント材料は、正孔輸送層 や電子輸送層にドープされて 、てもよ 、。
[0061] 青色系発光層の膜厚は、好ましくは 5〜30nm、より好ましくは 5〜20nmである。 5 nm未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、 30nm を超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。
[0062] 緑色系発光層の膜厚は、好ましくは 5〜30nm、より好ましくは 5〜20nmである。 5 nm未満では発光効率が低下する恐れがあり、 30nmを超えると駆動電圧が上昇す る恐れがある。
[0063] 橙色〜赤色系発光層の膜厚は、好ましくは 5〜40nm、より好ましくは 10〜30nm である。 5nm未満では発光効率が低下する恐れがあり、 30nmを超えると駆動電圧 が上昇する恐れがある。
[0064] (4)青色系発光層
青系発光層はホスト材料と青色系ドーパントを含む。
ホスト材料は、スチリル誘導体、アントラセン誘導体又は芳香族ァミンであることが好 ましい。スチリル誘導体は、ジスチリル誘導体、トリスチリル誘導体、テトラスチリル誘 導体及びスチリルアミン誘導体の中力 選ばれる少なくとも一種類であることが特に 好ましい。アントラセン誘導体は、非対称アントラセン系化合物であることが好ましい。 芳香族ァミンは、芳香族置換された窒素原子を 2〜4個有する化合物であることが好 ましぐ芳香族置換された窒素原子を 2〜4個有し、かつァルケ-ル基を少なくとも一 つ有する化合物が特に好まし 、。
好適な非対称アントラセン系化合物として以下の式に示される化合物が挙げられる 。これらの化合物の製造方法等は特願 2004— 042694に記載されている。
[0065] [化 1]
Figure imgf000020_0001
[式中、 Arは置換もしくは無置換の核炭素数 10〜50の縮合芳香族基である。
Ar,は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァリール基である。 Xは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァリール基、置換もしくは無置換の 核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキ ル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭 素数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキ シ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換 の炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ 基、ニトロ基、又はヒドロキシル基である。
a、 b及び cは、それぞれ 0〜4の整数であり、 nは 1〜3の整数である。 ]
[0066] 上記の式における Arの置換もしくは無置換の縮合芳香族基の例としては、 1 ナフ チル基、 2 ナフチル基、 1 アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1ーフ ェナンスリル基、 2 フエナンスリル基、 3 フエナンスリル基、 4 フエナンスリル基、 9 フエナンスリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1ーピレニル基、 2 ピレニル基、 4ーピレニル基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4 メチル— 1 ナフチル基、 4—メチル— 1 アントリル基等が挙げられる。
[0067] 上記の式における Ar,の、置換もしくは無置換の、ァリール基、 Xのァリール基、芳 香族複素環基、アルキル基、アルコキシ基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、ァリー ルチオ基及びアルコキシカルボ-ル基の例としては、それぞれ以下の例が挙げられ る。
[0068] 置換もしくは無置換のァリール基の例としては、フエ-ル基、 1 ナフチル基、 2— ナフチル基、 1 アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1 フ ナントリル 基、 2—フエナントリル基、 3—フエナントリル基、 4—フエナントリル基、 9—フエナントリ ル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1ーピレ -ル基 、 2 ピレ-ル基、 4 ピレ-ル基、 2 ビフエ-ルイル基、 3 ビフエ-ルイル基、 4— ビフエ-ルイル基、 p ターフェ-ルー 4—ィル基、 p ターフェ-ルー 3—ィル基、 p —ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ターフェ-ルー 4—ィル基、 m—ターフェ-ルー 3 —ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィル基、 o トリル基、 m—トリル基、 ρ トリル基、 ρ t ブチルフエ-ル基、 p— (2 フエ-ルプロピル)フエ-ル基、 3—メチルー 2 ナ フチル基、 4—メチル—1—ナフチル基、 4—メチル—1—アントリル基、 4,—メチルビ フエ-ルイル基、 4" t ブチル p ターフェ-ル 4 ィル基等が挙げられる。 置換もしくは無置換の芳香族複素環基の例としては、 1 ピロリル基、 2 ピロリル 基、 3 ピロリル基、ピラジュル基、 2 ピリジニル基、 3 ピリジニル基、 4 ピリジ- ル基、 1 インドリル基、 2 インドリル基、 3 インドリル基、 4 インドリル基、 5 イン ドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリル基、 2—イソインドリル 基、 3—イソインドリル基、 4—イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリ ル基、 7 イソインドリル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ-ル基、 3 べ ンゾフラ-ル基、 4一べンゾフラ-ル基、 5—べンゾフラ-ル基、 6—ベンゾフラ -ル基 、 7 べンゾフラ-ル基、 1 イソべンゾフラ-ル基、 3 イソべンゾフラ-ル基、 4ーィ ソベンゾフラ -ル基、 5—イソべンゾフラ-ル基、 6—イソべンゾフラ-ル基、 7—イソべ ンゾフラニル基、キノリル基、 3—キノリル基、 4 キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリ ル基、 7 キノリル基、 8 キノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノリル基、 4 イソ キノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリ ル基、 2 キノキサリニル基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル基、 1一力ルバ ゾリル基、 2—力ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 9一力ルバ ゾリル基、 1 フエナンスリジ-ル基、 2 フエナンスリジ-ル基、 3 フエナンスリジ- ル基、 4 フエナンスリジ-ル基、 6—フエナンスリジ-ル基、 7—フエナンスリジ -ル基 、 8 フエナンスリジ-ル基、 9 フエナンスリジ-ル基、 10 フエナンスリジ-ル基、 1 —アタリジ-ル基、 2—アタリジ-ル基、 3—アタリジ-ル基、 4—アタリジ-ル基、 9 アタリジ-ル基、 1, 7 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 3— ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 8—ィル基、 1, 7 フ ェナンスロリン— 9—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 8 フエナン スロリン— 2—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン —4—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 6—ィ ル基、 1, 8 フエナンスロリンー7—ィル基、 1, 8 フエナンスロリンー9ーィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 9 フエ ナンスロリン— 3—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 9 フエナンスロ リン— 5—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 6—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 7 —ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 8—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 10—ィル 基、 1, 10 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1 , 10 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 - フエナンスロリン一 1—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 3—ィル基、 2, 9 フエナン スロリン— 4—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン —6—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 7—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 8—ィ ル基、 2, 9—フエナンスロリン 10—ィル基、 2, 8—フエナンスロリン 1ーィル基、 2 , 8 フエナンスロリン一 3—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 4—ィル基、 2, 8 フエ ナンスロリン— 5—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 6—ィル基、 2, 8 フエナンスロ リン— 7—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 9—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 10 ーィル基、 2, 7 フエナンスロリン 1ーィル基、 2, 7 フエナンスロリンー3 ィル基 、 2, 7 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 7— フエナンスロリン一 6—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 8—ィル基、 2, 7—フエナン スロリンー9ーィル基、 2, 7—フエナンスロリン 10—ィル基、 1—フエナジ-ル基、 2 フエナジ-ル基、 1 フエノチアジ-ル基、 2 フエノチアジ-ル基、 3 フエノチア ジ-ル基、 4 フエノチアジ-ル基、 10 フエノチアジ-ル基、 1 フエノキサジ-ル 基、 2 フエノキサジ-ル基、 3 フエノキサジ-ル基、 4 フエノキサジ-ル基、 10— フエノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザ-ル基、 2 チェニル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 3—ィル基、
2 メチルピロ一ルー 4ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3 メチルピロ一 ルー 1ーィル基、 3—メチルピロール— 2—ィル基、 3—メチルピロール— 4—ィル基、
3 メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2 t—ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3—(2 フエ -ルプロピル)ピロール— 1—ィル基、 2—メチル—1—インドリル基、 4—メチル 1— インドリル基、 2—メチルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インドリル基、 2—t—ブ チルー 1 インドリル基、 4 tーブチルー 1 インドリル基、 2 tーブチルー 3 イン ドリル基、 4 t ブチル 3 インドリル基等が挙げられる。 [0070] 置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、 イソプロピル基、 n ブチル基、 s ブチル基、イソブチル基、 t ブチル基、 n ペン チル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1 ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1, 2—ジヒ ドロキシェチル基、 1, 3 ジヒドロキシイソプロピル基、 2, 3 ジヒドロキシ tーブチ ル基、 1, 2, 3 トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1—クロロェチル基、 2 ク ロロェチル基、 2 クロ口イソブチル基、 1, 2 ジクロロェチル基、 1, 3 ジクロロイソ プロピル基、 2, 3 ジクロロー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリクロ口プロピル基、ブロモメ チル基、 1 ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1, 2- ジブロモェチル基、 1, 3 ジブロモイソプロピル基、 2, 3 ジブ口モー t ブチル基、 1, 2, 3 トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1ーョードエチル基、 2 ョードエチ ル基、 2 ョードイソブチル基、 1, 2 ジョードエチル基、 1, 3 ジョードイソプロピル 基、 2, 3 ジョードー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1, 2—ジアミノエチ ル基、 1, 3 ジァミノイソプロピル基、 2, 3 ジアミノー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリア ミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノ イソブチル基、 1, 2 ジシァノエチル基、 1, 3 ジシァノイソプロピル基、 2, 3 ジシ ァノー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1 -トロェチ ル基、 2 -トロェチル基、 2 -トロイソブチル基、 1, 2 ジニトロェチル基、 1, 3— ジニトロイソプロピル基、 2, 3 ジニトロ— t—ブチル基、 1, 2, 3 トリ-トロプロピル 基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、 4ーメ チルシクロへキシル基、 1ーァダマンチル基、 2—ァダマンチル基、 1 ノルボル-ル 基、 2—ノルボルニル基等が挙げられる。
[0071] 置換もしくは無置換のアルコキシ基は OYと表され、 Yの例としては、前記置換も しくは無置換のアルキル基と同様のものが挙げられる。
置換もしくは無置換のァラルキル基の例としては、前記置換もしくは無置換のアル キル基で置換された前記置換もしくは無置換のァリール基等が挙げられる。
置換もしくは無置換のァリールォキシ基は OY'と表され、 Y'の例としては、前記 置換もしくは無置換のァリール基と同様のものが挙げられる。
置換もしくは無置換のァリールチオ基は SY'と表され、 Y'の例としては、前記置 換もしくは無置換のァリール基と同様のものが挙げられる。
置換もしくは無置換のアルコキシカルボ-ル基は COOYと表され、 Yの例として は、前記置換もしくは無置換のアルキル基と同様のものが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
[化 2]
Figure imgf000025_0001
[式中、 A1及び A2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 10〜20の 縮合芳香族環基である。
Ar1及び Ar2は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァリール基である。
R1〜R1Qは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァリール基 、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の 炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、 置換もしくは無置換の炭素数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子 数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチ ォ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、カルボキシル 基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基である。
ただし、中心のアントラセンの 9位及び 10位に、対称型となる基が結合する場合は ない。]
上記の式における A1及び A2 の置換もしくは無置換の縮合芳香族基の例としては、前記と同様の例が挙げられる。 上記の式における Ar1及び Ar2の置換もしくは無置換のァリール基の例としては、 それぞれ前記と同様の例が挙げられる。
上記の式における R1〜R1Qの、置換もしくは無置換の、ァリール基、芳香族複素環 基、アルキル基、アルコキシ基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基及 びアルコキシカルボ-ル基の例としては、それぞれ前記と同様の例が挙げられる。
[化 3]
Figure imgf000026_0001
[式中、 Ar1及び Ar2'は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の ァリール基である。
R -R10^,それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァリール基 、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の 炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、 置換もしくは無置換の炭素数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子 数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチ ォ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、カルボキシル 基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基である。 ]
上記の式における Ar1'及び Ar2'の置換もしくは無置換のァリール基の例としては、 それぞれ前記と同様の例が挙げられる。
上記の式における R1〜R1Qの、置換もしくは無置換の、ァリール基、芳香族複素環 基、アルキル基、アルコキシ基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基及 びアルコキシカルボ-ル基の例としては、それぞれ前記と同様の例が挙げられる。 また、上記の 3つの式における、各基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ ル基、ニトロ基、シァノ基、アルキル基、ァリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基 、芳香族複素環基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、アルコキシ力 ルポ二ル基、又はカルボキシル基等が挙げられる。
[0074] 青色系ドーパン としては、青色系ドーパントは、スチリルァミン、ァミン置換スチリル 化合物、ァミン置換縮合芳香族環及び縮合芳香族環含有化合物の中から選ばれる 少なくとも一種類であることが好ましい。そのとき、青色系ドーパントは異なる複数の 化合物から構成されて 、てもよ 、。上記スチリルァミン及びアミン置換スチリルイ匕合物 としては、例えば下記式(1) , (2)で示される化合物が、上記縮合芳香族環含有化合 物としては、例えば下記一般式(3)で示される化合物が挙げられる。
[0075] [化 4]
Figure imgf000027_0001
[0076] 〔式中、 Ar2、 Ar3及び Ar4は、それぞれ独立に、炭素原子数 6〜40の置換もしくは無 置換の芳香族基を示し、それらの中の少なくとも一つはスチリル基を含み、 pは 1〜3 の整数を示す。〕
[0077] [化 5]
Figure imgf000027_0002
[0078] 〔式中、 Ar15及び Ar16は、それぞれ独立に、炭素原子数 6〜30のァリーレン基、 E1及 ひ Έ2は、それぞれ独立に、炭素原子数 6〜30のァリール基もしくはアルキル基、水 素原子又はシァノ基を示し、 qは 1〜3の整数を示す。 U及び Z又は Vはアミノ基を含 む置換基であり、該ァミノ基がァリールアミノ基であると好ましい。〕
[0079] [化 6]
[0080] 〔式中、 Aは炭素原子数 1〜16のアルキル基もしくはアルコキシ基、炭素原子数 6〜 30の置換もしくは未置換のァリール基、炭素原子数 6〜30の置換もしくは未置換の アルキルアミノ基、又は炭素原子数 6〜30の置換もしくは未置換のァリールアミノ基、 Bは炭素原子数 10〜40の縮合芳香族環基を示し、 rは 1〜4の整数を示す。〕
[0081] (5)緑色系発光層
緑色系発光層はホスト材料と緑色系ドーパントを含む。
連続点灯時の色変化を抑えるという観点で、ホスト材料としては、青色系発光層で 使用するホスト材料と同一のものを使用することが好ましい。
[0082] ドーパントとしては、特に制限はないが、例えばヨーロッパ公開特許第 0281381号 公報、公開公報 2003— 249372号公報などに開示されているクマリン誘導体や、置 換アントラセン構造とァミン構造が連結した芳香族ァミン誘導体などを用いることがで きる。
[0083] (6)橙色〜赤色系発光層
橙色〜赤色系発光層はホスト材料と橙色〜赤色系ドーパントを含む。
連続点灯時の色変化を抑えるという観点で、ホスト材料としては、青色系発光層で 使用するホスト材料と同一のものを使用することが好ましい。
[0084] ドーパントとしては、少なくとも一つのフルオランテン骨格又はペリレン骨格を有する 蛍光性ィ匕合物が使用でき、例えば下記式 (4)
[0085] [化 7]
Figure imgf000028_0001
[0086] 〔式中、 X21〜X24は、それぞれ独立に、炭素原子数 1〜20のアルキル基、又は置換 もしくは無置換の炭素原子数 6〜30のァリール基であり、 X21と X22及び/又は X23と X24は、炭素—炭素結合、— O—、又は— S—を介して結合していてもよい。 x25〜x: 6は、水素原子、直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数 1〜20のアルキル基、直鎖、 分岐もしくは環状の炭素原子数 1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素 原子数 6〜30のァリール基、置換もしくは無置換の炭素原子数 6〜30のァリールォ キシ基、置換もしくは無置換の炭素原子数 6〜30のァリールアミノ基、置換もしくは無 置換の炭素原子数 1〜30のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素原子数 7 〜30のァリールアルキルアミノ基又は置換もしくは無置換炭素原子数 8〜30のアル ケニル基であり、隣接する置換基及び x25〜x36は結合して環状構造を形成していて もよい。各式中の置換基 x25〜x36の少なくとも一つがァミン又はアルケ-ル基を含有 すると好ましい。〕
[0087] (7)正孔輸送層
本発明では、有機発光媒体層と正孔注入層の間に正孔輸送層を設けることができ る。
正孔輸送層は、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましい。即 ち、正孔の移動度が、 104〜106V/cmの電界印加時に、 10_4cm2ZV.秒以上で あると好ましい。
[0088] 正孔輸送層を形成する材料としては、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料と して慣用されて 、るものや、 EL素子の正孔輸送層に使用される公知のものの中から 任意のものを選択して用いることができる。
[0089] 具体例としては、トリァゾール誘導体 (米国特許 3, 112, 197号明細書等参照)、ォ キサジァゾール誘導体 (米国特許 3, 189, 447号明細書等参照)、イミダゾール誘導 体 (特公昭 37— 16096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体 (米国特許 3, 615, 402号明細書、同第 3, 820, 989号明細書、同第 3, 542, 544号明細書、特 公昭 45— 555号公報、同 51— 10983号公報、特開昭 51— 93224号公報、同 55 — 17105号公報、同 56— 4148号公報、同 55— 108667号公報、同 55— 156953 号公報、同 56— 36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体 (米 国特許第 3, 180, 729号明細書、同第 4, 278, 746号明細書、特開昭 55— 8806 4号公報、同 55— 88065号公報、同 49— 105537号公報、同 55— 51086号公報、 同 56— 80051号公報、同 56— 88141号公報、同 57— 45545号公報、同 54— 11 2637号公報、同 55— 74546号公報等参照)、フ -レンジァミン誘導体 (米国特許 第 3, 615, 404号明細書、特公昭 51— 10105号公報、同 46— 3712号公報、同 4 7— 25336号公報、特開昭 54— 53435号公報、同 54— 110536号公報、同 54— 1 19925号公報等参照)、ァリールァミン誘導体 (米国特許第 3, 567, 450号明細書、 同第 3, 180, 703号明細書、同第 3, 240, 597号明細書、同第 3, 658, 520号明 細書、同第 4, 232, 103号明細書、同第 4, 175, 961号明細書、同第 4, 012, 37 6号明糸田書、特公昭 49— 35702号公報、同 39— 27577号公報、特開昭 55— 144 250号公報、同 56— 119132号公報、同 56— 22437号公報、西独特許第 1, 110 , 518号明細書等参照)、ァミノ置換カルコン誘導体 (米国特許第 3, 526, 501号明 細書等参照)、ォキサゾール誘導体 (米国特許第 3, 257, 203号明細書等に開示の もの)、スチリルアントラセン誘導体 (特開昭 56— 46234号公報等参照)、フルォレノ ン誘導体 (特開昭 54— 110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体 (米国特許第 3, 7 17, 462号明細書、特開昭 54— 59143号公報、同 55— 52063号公報、同 55— 52 064号公報、同 55— 46760号公報、同 55— 85495号公報、同 57— 11350号公報 、同 57— 148749号公報、特開平 2— 311591号公報等参照)、スチルベン誘導体( 特開昭 61— 210363号公報、同第 61— 228451号公報、同 61— 14642号公報、 同 61— 72255号公報、同 62— 47646号公報、同 62— 36674号公報、同 62— 10 652号公報、同 62— 30255号公報、同 60— 93455号公報、同 60— 94462号公報 、同 60— 174749号公報、同 60— 175052号公報等参照)、シラザン誘導体 (米国 特許第 4, 950, 950号明細書)、ポリシラン系(特開平 2— 204996号公報)、ァニリ ン系共重合体 (特開平 2— 282263号公報)、特開平 1— 211399号公報に開示され て 、る導電性高分子オリゴマー(特にチォフェンオリゴマー)等を挙げることができる。
[0090] 正孔輸送層は上述したィ匕合物を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 LB法 等の公知の方法により形成することができる。正孔輸送層の膜厚は特に制限されな いが、好ましくは 5ηπ!〜 5 μ m、特に好ましくは 5〜40nmである。正孔輸送層は上述 した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよい。また、別種の化合 物からなる正孔輸送層を積層したものであってもよい。
[0091] (8)正孔注入層
正孔注入層の材料としては正孔輸送層と同様の材料を使用することができるが、ポ ルフィリンィ匕合物 (特開昭 63— 2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第三級ァ ミンィ匕合物及びスチリルアミンィ匕合物 (米国特許第 4, 127, 412号明細書、特開昭 5 3— 27033号公報、同 54— 58445号公報、同 54— 149634号公報、同 54— 6429 9号公報、同 55— 79450号公報、同 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報 、同 61— 295558号公報、同 61— 98353号公報、同 63— 295695号公報等参照) 、特に芳香族第三級アミンィ匕合物を用いることが好まし 、。
[0092] また米国特許第 5, 061, 569号に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内に 有する、例えば 4, 4,—ビス(N— (1—ナフチル)—N—フエ-ルァミノ)ビフエ-ル( 以下 NPDと略記する)、また特開平 4— 308688号公報に記載されているトリフエ- ルァミンユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4,, 4"—トリス(N— (3—メ チルフエ-ル)—N—フエ-ルァミノ)トリフエ-ルァミン(以下 MTDATAと略記する) 等を挙げることができる。
[0093] また芳香族ジメチリディン系化合物の他、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔注 入層の材料として使用することができる。また有機半導体層も正孔注入層の一部で あるが、これは発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、 10"10S/c m以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては 、含チォフェンオリゴマーゃ特開平 8 - 193191号公報に開示してある含ァリールァ ミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含ァリールァミンデンドリマー等の導電性デン ドリマー等を用いることができる。
[0094] 正孔注入層は上述したィ匕合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、
LB法等の公知の方法により形成することができる。
[0095] 正孔注入層は上述した材料の一種又は二種以上力 なる一層で構成されてもよ!ヽ
。又は、前記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注入層を積層したものであ つてもよい。
[0096] (9)電子輸送層
本発明では、陰極と有機発光媒体層の間に電子輸送層を設けることができる。 電子輸送層は、通常、数 nm〜数 mの膜厚で適宜選ばれる力 104〜: L06VZc mの電界印加時に電子移動度が 10_5cm2ZVs以上であるものが好まし 、。
[0097] 電子輸送層に用いられる材料としては、 8—ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金 属錯体が好適である。
上記 8—ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、ォキシン
(一般に 8—キノリノール又は 8—ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートォ キシノイドィ匕合物が挙げられる。
[0098] 例えば、発光材料の項で記載した Alqを電子注入層として用いることができる。
[0099] 一方、ォキサジァゾール誘導体としては、下記の式で表される電子伝達化合物が 挙げられる。
[化 8]
Figure imgf000032_0001
(式中、 Ar5, Ar6, Ar?, Ar9, Ar10, Ar13はそれぞれ置換又は無置換のァリール基を 示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また Ar8, Ar11, Ar12は置 換又は無置換のァリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なって 、てもよ 、)
[0100] ここでァリール基としてはフエ-ル基、ビフエ-ル基、アントラ-ル基、ペリレ-ル基、 ピレニル基が挙げられる。またァリーレン基としてはフエ-レン基、ナフチレン基、ビフ ェ-レン基、アントラ-レン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。また置 換基としては炭素数 1〜10のアルキル基、炭素数 1〜10のアルコキシ基又はシァノ 基等が挙げられる。この電子伝達ィ匕合物は薄膜形成性のものが好まし 、。
[0101] 上記電子伝達性ィ匕合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
[化 9]
Figure imgf000033_0001
tBuは t ブチル基、 Meはメチル基を表す,
下記式で表される含窒素複素環誘導体
[化 10]
Figure imgf000033_0002
(式中、 〜八3は、窒素原子又は炭素原子である。
Rは、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール基、置換基を有していて もよい炭素数 3〜60のへテロアリール基、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1〜2 0のハロアルキル基、又は炭素数 1〜20のアルコキシ基であり、 nは 0から 5の整数で あり、 nが 2以上の整数であるとき、複数の Rは互いに同一又は異なっていてもよい。 また、隣接する複数の R基同士で互いに結合して、置換又は未置換の炭素環式脂 肪族環、あるいは、置換又は未置換の炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
Ar14は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール基、又は置換基を有し て!、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリール基である。
Ar15は、水素原子、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1〜20のハロアルキル基 、炭素数 1〜20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール 基、又は置換基を有して!/、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリール基である。
ただし、 Ar14、 Ar15のいずれか一方は置換基を有していてもよい炭素数 10〜60の 縮合環基、又は置換基を有して!/、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロ縮合環基である。
L2は、それぞれ単結合、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60の縮合環、置 換基を有して 、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロ縮合環又は置換基を有して 、てもよ いフルォレ-レン基である。 )
[0103] 下記式で表される含窒素複素環誘導体
HAr— L— Ar — Ar
(式中、 HArは、置換基を有していても良い炭素数 3〜40の含窒素複素環であり、
L3は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリーレン基、置換基を 有して 、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリーレン基又は置換基を有して!/、てもよ!/ヽ フノレオレニレン基であり、
Ar16は、置換基を有して!/、てもよ 、炭素数 6〜60の 2価の芳香族炭化水素基であ り、
Ar17は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール基又は、置換基を有し ていてもよい炭素数 3〜60のへテロアリール基である。 )
[0104] (10)電子注入層
本発明においては陰極と電子注入層の間又は陰極と発光層の間に絶縁体や半導 体力もなる電子注入層を設けることができる。このような電子注入層を設けることで、 電流のリークを有効に防止して、電子注入性の向上が図られる。
絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、ァ ルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化アルミニウム 、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸ィ匕ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ 素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等の金属化合物を単独又は 組み合わせて使用するのが好ましい。これらの金属化合物の中でもアルカリ金属力 ルコゲナイドやアルカリ土類金属のカルコゲナイドが電子注入性の点で好まし 、。好 ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、 Li 0、 LiO、 Na S、 Na Se及び NaOが
2 2 2
挙げられる。好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、 CaO、 BaO、 SrO、 BeO、 BaS、及び CaSeが挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、 LiF、 NaF、 KF、 LiCl、 KC1及び NaCl等を挙げることができる。アルカリ土類金属のハロ ゲン化物としては、 CaF、 BaF、 SrF、 MgF及び BeF等のフッ化物や、フッ化物
2 2 2 2 2
以外のハロゲンィ匕物が挙げられる。
[0105] 電子注入層を構成する半導体としては、 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Al、 Ga、 In、 Li、 Na、 C d、 Mg、 Si、 Ta、 Sb及び Znからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸 化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げら れる。
[0106] 電子注入層は、微結晶又は非結晶質であることが好ましい。均質な薄膜が形成さ れるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができるからである。
尚、 2種以上の電子注入層を積層して使用してもよい。
[0107] 上述した発光層を形成する各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚 が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすぐ逆に厚すぎると高い印加電圧が必 要となり効率が悪くなるため、通常は数 nmから 1 μ mの範囲が好ましい。
[0108] (11)金属層 Z第二の反射手段
第二の反射手段は、有機発光媒体層で発生した光の反射'透過し、前記した光反 射電極とともに光共振器を形成することのできる金属を使用することが好ましい。この ような金属としては、 Ag、 Mg、 Al、 Au、 Pt、 Cu、 Cr、 Mo、 W、 Ta、 Nb、 Li、 Mn、 C a、 Yb、 Ti、 Ir、 Be、 Hf、 Eu、 Sr、 Ba、 Cs、 Na及び K等の金属又はこれら金属からな る合金を挙げることができる。この金属層を有機発光媒体と接する陰極として用いる 場合には、仕事関数が低い(例えば 4. OeV以下)という観点で、これらのうちで、 Al、 Ag、 Mg、 Ce、 Na、 K、 Cs、 Li及びこれらの合金が好ましい。金属層の膜厚は、 2nm 〜100nmとすることが好まし 、。 2nmより薄 、と陰極として用いたときに電子注入性 が低下するために素子の発光効率が低下したり、透過率が高すぎて充分な光共振 器効果が得られず、また、のちに透明電極層をスパッタリング等の方法で成膜するさ いに、その下部に位置する有機発光媒体層へのダメージを防ぐことができない恐れ がある、という観点で好ましくない。 lOOnmより厚いと、光線透過率が低下するため 光の取出し効率が低下する恐れがある。
[0109] 透明電極としては、 ITO、 ΙΖΟ、酸化錫、酸ィ匕亜鉛等を挙げることができる。発光を 取り出すため、透過率は 30%以上であることが好ま U、。
[0110] (12)カラーフィルタ
本発明に用いられるカラーフィルタとしては、たとえば、下記の色素のみ又は、色素 をバインダー樹脂中に溶解又は分散させた固体状態のものを挙げることができる。 赤色 (R)色素:ペリレン系顔料、レーキ顔料、ァゾ系顔料、等。
緑色(G)色素:ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシア ニン系顔料、トリフェルメタン系塩基性染料、等。
青色(Β)色素:銅フタロシアニン系顔料、インダンスロン系顔料、インドフエノール系 顔料、シァニン系顔料等。
[0111] 一方、バインダー榭脂は、透明な (可視光透過率 50%以上)材料が好ましい。たと えば、ポリメチルメタタリレート、ポリアタリレート、ポリカーボネート、ポリビュルアルコー ル、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシェチルセルロース、カノレボキシメチノレセノレロース 等の透明榭脂 (高分子)や、フォトリソグラフィ一法が適用できる感光性榭脂として、了 クリル酸系、メタクリル酸系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト材料が挙 げられる。また、印刷法を用いる場合には、ポリ塩化ビニル榭脂、メラミン榭脂、フエノ 一ル榭脂等の透明な榭脂を用いた印刷インキ (メジゥム)が選ばれる。
[0112] カラーフィルタが主に色素力もなる場合は、所望のカラーフィルタパターンのマスク を介して真空蒸着又はスパッタリング法で成膜され、一方、色素とバインダー榭脂か らなる場合は、色素と上記榭脂及びレジストを混合、分散又は可溶化させ、スピンコ ート、ロールコート、キャスト法等の方法で製膜し、フォトリソグラフィ一法で所望のカラ 一フィルタパターンでパターユングしたり、印刷等の方法で所望のカラーフィルタのパ ターンでパターユングするのが一般的である。
[0113] それぞれのカラーフィルタの膜厚と透過率は、下記とすることが好ましい。 膜厚0 . 5〜5. 0 m (透過率 50%以上/ 610nm)、 G :膜厚 0. 5〜5. 0 m (透過率 50 %以上 Z545nm)、 B :膜厚 0. 2〜5. 0 /z m (透過率 50%以上 Z460nm)。
[0114] また、本発明において、赤、緑、青の 3原色発光を呈するフルカラー表示装置を提 供する場合には、コントラスト比向上のためブラックマトリックスを用いることができる。
[0115] [実施例]
実施例:
1.有機 EL素子基板の作製
(光反射性電極及び光学膜厚調整層の形成)
150mmX 150mm X I. 1mmの支持基板(OA2ガラス:日本電気硝子社製)上に 、アルミニウムをスパッタリングにより 300nmの厚みになるように成膜した。その上に ポジ型レジスト (HPR204:富士オーリン製)をスピンコートで成膜した。続、て、この レジスト膜を、 20 μ mライン幅でストライプ状のパターンとなるようなフォトマスクを介し て紫外線で露光する。そして、 TMAH (テトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシド)の現像 液で現像し、 130°Cでベータした。リン酸 Z硝酸 Z酢酸溶液カゝらなるアルミニウムエツ チャントで、露出しているアルミニウム層部分をエッチングした。その後、レジスト膜を エタノールアミンを主成分とする剥離液 (N303:長瀬産業製)で処理して、 80 μ m幅 、 20 mギャップの下部電極を形成した。
[0116] 次に、下部電極上に、 ICO (酸化インジウム—酸ィ匕セリウム)をスパッタリングにより 2 Onmの厚みになるように成膜した。その上にポジ型レジスト(HPR204 :富士オーリン 製)をスピンコートで成膜した。続いて、このレジスト膜を、所望の 20 mライン幅でス トライプ状のパターンとなるようなフォトマスクを介して下部電極のストライプパターン に位置合わせしながら紫外線で露光する。そして、 TMAH (テトラメチルアンモ-ゥ ムヒドロキシド)の現像液で現像し、 130°Cでベータした。 47%臭化水素酸力もなる I COエツチャントにて、露出している部分の ICOをエッチングし、 80 μ m , 20 /z mギ ヤップ、 80 /z m幅、 120 /z mギャップ、というパターンが周期的に繰り返されるような I CO層を形成した。
[0117] 次に、この基板を 230°Cの加熱炉にて 30分間熱処理して、 ICOを結晶化させたの ち、 ICO層上に IZO (酸ィ匕亜鉛 10wt%含有の酸化インジウム)をスパッタリングにより 20nmの厚みになるように成膜した。その上にポジ型レジスト (HPR204:富士ォーリ ン製)をスピンコートで成膜した。続いて、このレジスト膜を、下部電極のストライプバタ ーンに位置合わせしながら、所望の 20 μ mライン幅でストライプ状のパターンとなるよ うなフォトマスクを介して紫外線で露光する。そして、 TMAH (テトラメチルアンモ-ゥ ムヒドロキシド)の現像液で現像し、 130°Cでベータした。 3. 5%蓚酸水溶液からなる I ZOエツチャントにて、露出している部分の IZOをエッチングし、 80 μ m幅、 220 μ m ギャップというパターンが周期的に繰り返されるような IZO層を形成した。
[0118] 次に、層間絶縁膜として、ネガ型レジスト (V259BK:新日鉄化学社製)をスピンコ ートし、紫外線露光し、 TMAH (テトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシド)の現像液で現 像した。次に、 200°Cでベータして、アルミニウム下部電極のエッジを被覆した(開口 部が 70 m X 270 μ m)有機膜の層間絶縁膜を形成した。
[0119] 顕微分光測定装置を用い、アルミニウムが露出している部分の垂直入射光に対す る垂直方向の反射率を測定したところ、波長 400nm〜700nmの範囲の平均値は 9 1. 8%という 65%を超える値であった。測定した反射率を図 4に示す。
[0120] (3波長型有機 EL発光部の形成)
上記の基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行った後、 UVォゾ ン洗浄を 30分間行った。洗浄後の下部電極付き基板を真空蒸着装置の基板ホルダ 一に装着した。尚、予め、それぞれのモリブテン製の加熱ボートに、正孔注入材料と して、下記化合物 (HI) (以下「HI膜」と略記する)、正孔輸送材料として、下記化合 物 (HT) (以下「HT膜」と略記する)、発光材料のホストとして、下記化合物 (BH)、青 色発光ドーパントとして下記化合物 (BD)、緑色発光ドーパントとして下記化合物 (G D)、赤色発光ドーパントとして下記化合物 (RD)、電子輸送材料として、トリス (8—キ ノリノール)アルミニウム (Alq)、電子注入材料として LiF、陰極材料として、 Mg及び Agをそれぞれ仕込み、さらに正孔注入補助材料及び陰極の取出し電極として IZOタ 一ゲットを別のスパッタリング槽に装着した。
[0121] まず上記基板を覆うようにして、正孔注入補助層として IZOを lnmスパッタリングし た。次に、正孔注入層として機能する HI膜を膜厚 25nmで蒸着した。 HI膜の成膜に 続けて、正孔輸送層として機能する HT膜を膜厚 lOnmで蒸着した。 HT膜の成膜に 続けて、青色発光層として、化合物 BHと化合物 BDを 10 : 0. 5の膜厚比になるように 膜厚 lOnmで共蒸着した。次に、緑色発光層として、化合物 BHとィ匕合物 GDを 10 : 0 . 8の膜厚比になるように膜厚 lOnmで共蒸着した。さらに、赤色発光層として、化合 物 BHと化合物 RDを 20 : 0. 5の膜厚比になるように膜厚 20nmで共蒸着した。この 膜上に、電子輸送層として、 Alq膜を膜厚 lOnmで蒸着した。この後、電子注入層と して、 LiFを膜厚 lnmで蒸着し、この膜上に、陰極 (金属層)として Agと Mgを成膜速 度比 1 : 9として lOnm蒸着した。さら〖こ、上部透明電極として、 IZOを 90nm^パッタリ ング成膜した。
[化 11]
/§ iii:>ld
Figure imgf000040_0001
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[0122] (固体封止膜の形成)
次に、有機 EL発光部全体を覆うように、封止層として、有機 EL素子の上部電極上 に透明無機膜として SiOxNy (O/O+N= 50%: Atomic ratio)を低温 CVDによ り 300應の厚さで成膜した。
[0123] 2.カラーフィルタ基板の作製
(遮光層の形成)
112mmX 143mm X I. 1mmの支持基板(OA2ガラス:日本電気硝子社製)上に 、遮光層パターンを形成した。ここでは、遮光層として、酸ィ匕クロムを 50nm、クロムを 300nmずつスパッタリングにより順次積層した。
[0124] 次に、遮光層上に、ポジ型レジスト (HPR204 :富士オーリン製)をスピンコートで成 膜した。続いて、このレジスト膜を、フォトマスクを介して紫外線で露光する。そして、 T MAH (テトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシド)の現像液で現像し、 130°Cでベータし た。次に、硝酸セリウムアンモ-ゥム Z過塩素酸水溶液力もなるクロムエツチャントで、 露出しているクロム層及び酸ィ匕クロム層部分をエッチングした。続いて、エタノールァ ミンを主成分とする剥離液 (N303 :長瀬産業製)でレジストを除去して、開口部が 70 μ ηι Χ 270 μ mであるような 30 μ m幅の格子状の遮光層パターンを得た。
[0125] (カラーフィルタ層の形成)
青色用(B)のカラーフィルタ層パターンの材料として、 V259 (新日鉄化学社製)を 支持基板上にスピンコートして成膜した。続いて、長方形(90 m X 290 m)の色 配列がストライプでドット状のパターンが 76800個得られるようなフォトマスクを介して 、遮光層に位置合わせして紫外線で露光した。そして、 2%炭酸ナトリウム水溶液で 現像後、 200°Cでベータし、青色用のカラーフィルタ層パターン (膜厚 1. 5 /z m)を形 成した。
[0126] 次に、緑色用(G)のカラーフィルタ層パターンの材料として、顔料系緑色カラーフィ ルタ材料 (CG-8510L :富士フィルムアーチ製)をスピンコートし、青色用で用いた フォトマスクを、青色用のカラーフィルタ層パターンの位置から 100 μ mピッチ、ストラ イブ状色配列に対して垂直方向へずらし、このフォトマスクを介して紫外線で露光し た。その後、 200°Cでベータして、緑色カラーフィルタ層パターン (膜厚 1. 0 m)を 形成した。
[0127] 次に、赤色用(R)のカラーフィルタ層パターンの材料として、顔料系赤色カラーフィ ルタ材料(CRY— S840B:富士フィルムアーチ製)をスピンコートし、青色用で用い たフォトマスクを、青色用のカラーフィルタ層パターンの位置から 200 μ mピッチ、スト ライプ状色配列に対して垂直方向へずらし、このフォトマスクを介して紫外線で露光 した。その後、 200°Cでベータして、赤色カラーフィルタ層パターン (膜厚 1. 2 m) 基板を得た。
[0128] 3.有機 EL素子基板とカラーフィルタ基板の貼り合せ
カラーフィルタ基板上に液状シリコーンゴム (XE14— 128:東芝シリコーン社製)を スピンコーターを用いて塗布し、その上に、上記有機 EL素子基板を位置合せマーク に合せて貼り合わせた。
[0129] 4.有機 EL表示装置の特性評価
(青色性能)
青色カラーフィルタに対応する下部電極と上部透明電極との間に、 7. 2Vの直流電 圧を印カロしたところ、青く発光した。分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)にて測 定したところ、輝度 45nit、色度(0. 135, 0. 078)であった。両電極間に流れる電流 値を測定し、発光効率を算出したところ、 1. 78cdZAであった。
[0130] (緑色性能)
緑色カラーフィルタに対応する下部電極と上部透明電極との間に、 7. 2Vの直流電 圧を印加したところ、緑色に発光した。分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)にて 測定したところ、輝度 331nit、色度(0. 224, 0. 639)であった。両電極間に流れる 電流値を測定し、発光効率を算出したところ、 13. 2cdZAであった。
[0131] (赤色性能)
赤色カラーフィルタに対応する下部電極と上部透明電極との間に、 7. 2Vの直流電 圧を印加したところ、赤色に発光した。分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)にて 測定したところ、輝度 83nit、色度(0. 629, 0. 370)であった。両電極間に流れる電 流値を測定し、発光効率を算出したところ、 3. 34cdZAであった。
[0132] (全面点灯)
全ての下部電極と上部透明電極との間に、 7. 2Vの直流電圧を印加したところ、白 色発光を示した。分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)にて測定したところ、輝度 459nit、色度(0. 255, 0. 350)であった。両電極間に流れる電流値を測定し、発 光効率を算出したところ、 6. llcdZAであり、非常に高効率であった。後に述べるよ うに、下部電極として Crを用いた比較例での反射率 56%に対して本実施例での反 射率は 91%という 1. 6倍の値にも関わらず、効率としては 4倍以上の値が得られた。 また、青色色度、緑色色度、赤色色度から計算した NTSC (National Television Standards Committee)比は 79. 3%という良好な値を示した。
[0133] (コントラスト比の評価)
1000ルクスの蛍光灯照明下で、非点灯状態の画面輝度を測定したところ、 5. 8nit であった。全面点灯時の輝度 459nitと非点灯時の輝度 5. 8nitという値カゝらコントラ スト比を算出したところ、 79であり、反射性の高い下部電極を用いているにも関わら ず、実用的なコントラストが予期せず得られた。
[0134] 比較例: 下部電極としてアルミニウムの代わりにクロムとしたこと以外は、実施例と同様な構 成の有機 EL表示装置を作製した。電極パターンを形成する際に使用するクロムエツ チャントとしては、硝酸セリウムアンモ-ゥム Z過塩素酸水溶液 (HCE:長瀬産業製) を使用した。
[0135] 顕微分光測定装置を用い、クロムが露出している部分の反射率を測定したところ、 波長 400ηπ!〜 700nmにおける平均値は 56%という 65%より小さな値であった。測 定した反射率を図 4に示す。
[0136] 青色カラーフィルタに対応する下部電極と上部透明電極との間に、 7. 2Vの直流電 圧を印カロしたところ、青く発光した。分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)にて測 定したところ、輝度 19nit、色度(0. 134, 0. 090)であった。両電極間に流れる電流 値を測定し、発光効率を算出したところ、 0. 76cdZAであった。
[0137] (緑色性能)
緑色カラーフィルタに対応する下部電極と上部透明電極との間に、 7. 2Vの直流電 圧を印加したところ、緑色に発光した。分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)にて 測定したところ、輝度 135nit、色度(0. 236, 0. 612)であった。両電極間に流れる 電流値を測定し、発光効率を算出したところ、 5. 41cdZAであった。
[0138] (赤色性能)
赤色カラーフィルタに対応する下部電極と上部透明電極との間に、 7. 2Vの直流電 圧を印加したところ、赤色に発光した。分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)にて 測定したところ、輝度 38nit、色度(0. 630, 0. 368)であった。両電極間に流れる電 流値を測定し、発光効率を算出したところ、 1. 51cdZAであった。
[0139] (全面点灯)
全ての下部電極と上部透明電極との間に、 7. 2Vの直流電圧を印加したところ、白 色発光を示した。分光放射輝度計 CS— 1000 (ミノルタ製)にて測定したところ、輝度 192nit、色度(0. 271, 0. 359)であった。両電極間に流れる電流値を測定し、発 光効率を算出したところ、 2. 56cdZAであり、実施例に比べて半分以下の値であつ た。 NTSC比は 72. 9%であり、実施例に比べ劣っていた。
[0140] (コントラスト比の評価) 1000ルクスの蛍光灯照明下で、非点灯状態の画面輝度を測定したところ、 1. 4nit であった。全面点灯時の輝度 192nitと非点灯時の輝度 1. 4nitという値カゝらコントラ スト比を算出したところ、 138であった。
[0141] 実施例及び比較例の評価結果を表及び図 5〜8に示す。図 5は、実施例 (A1電極) と比較例(Cr電極)の青画素の発光スペクトルを示す図である。図 6は、実施例 (A1電 極)と比較例(Cr電極)の緑画素の発光スペクトルを示す図である。図 7は、実実施例 (A1電極)と比較例(Cr電極)の赤画素の発光スペクトルを示す図である。
産業上の利用可能性
[0142] 本発明の有機 EL表示装置は、民生用 TV、大型表示ディスプレイ、携帯電話用表 示画面等の各種表示装置に用いることができる。

Claims

請求の範囲
[1] 第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第一の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第一の色の光を透過させる第一のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第一の画素と、
第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第二の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第二の色の光を透過させる第二のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第二の画素と、
第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第三の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第三の色の光を透過させる第三のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第三の画素とを有し、
前記第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも第一の光反射手段と第 二の光反射手段を、光取出方向にこの順に保有し、かつ、前記第一及び第二の光 反射手段の間に、有機発光媒体層とを有し、第一の光反射手段と第二の光反射手 段の間の光学的距離が、第一の色の光を選択するように設定され、
前記第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも第一の光反射手段と第 二の光反射手段を、光取出方向にこの順に保有し、かつ、前記第一及び第二の光 反射手段の間に、有機発光媒体層とを有し、第一の光反射手段と第二の光反射手 段の間の光学的距離が、第二の色の光を選択するように設定され、
前記第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも第一の光反射手段と第 二の光反射手段を、光取出方向にこの順に保有し、かつ、前記第一及び第二の光 反射手段の間に、有機発光媒体層とを有し、第一の光反射手段と第二の光反射手 段の間の光学的距離が、第三の色の光を選択するように設定され、
前記第一の光反射手段の波長 400ηπ!〜 700nmにおける反射率の平均値が 65 %以上であり、
前記有機発光媒体層が、少なくとも第一の色、第二の色及び第三の色の光を発す る、有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[2] 前記第一及び第二の光反射手段が、それぞれ第一の電極及び第二の電極である 力 前記第一及び第二の光反射手段の間に、第一の電極と第二の電極が有って、前 記有機発光媒体層が前記第一及び第二の電極間に位置する請求項 1記載の有機 エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[3] 第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第一の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第一の色の光を透過させる第一のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第一の画素と、
第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第二の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第二の色の光を透過させる第二のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第二の画素と、
第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第三の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第三の色の光を透過させる第三のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第三の画素とを有し、
前記第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、有機発 光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順に積層した素子であり、 前記第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第一の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第二の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記光反射性電極の波長 400nm〜 700nmにおける反射率の平均値が 65 %以 上であり、
前記有機発光媒体層が、少なくとも第一の色、第二の色及び第三の色の光を発す る、有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[4] 前記有機発光媒体層が、第一の色の光を発する第一の発光材料、第二の色の光 を発する第二の発光材料、及び第三の色の光を発する第三の発光材料とを含む請 求項 3記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[5] 前記第一の光学膜厚調整層が第一の無機化合物層からなり、前記第二の光学膜 厚調整層が前記第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層からなる請求項 3に 記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[6] 第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第一の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第一の色の光を透過させる第一のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第一の画素と、
第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第二の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第二の色の光を透過させる第二のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第二の画素と、
第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び前記第三の有機エレクト口ルミネッ センス素子が発する第三の色の光を透過させる第三のカラーフィルタを、光取出方 向にこの順に設けた第三の画素とを有し、
前記第一の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第一の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記第二の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第二の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記第三の有機エレクト口ルミネッセンス素子が、少なくとも光反射性電極、第三の 光学膜厚調整層、有機発光媒体層、金属層及び透明電極層を光取出方向にこの順 に積層した素子であり、
前記光反射性電極の波長 400nm〜 700nmにおける反射率の平均値が 65 %以 上であり、
前記有機発光媒体層が、少なくとも第一の色、第二の色及び第三の色の光を発す る、有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[7] 前記有機発光媒体層が、第一の色の光を発する第一の発光材料、第二の色の光 を発する第二の発光材料、及び第三の色の光を発する第三の発光材料とを含む請 求項 6記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[8] 前記第一の光学膜厚調整層が第一の無機化合物層からなり、前記第二の光学膜 厚調整層が前記第一の無機化合物層及び第二の無機化合物層からなり、前記第三 の光学膜厚調整層が前記第一の無機化合物層、前記第二の無機化合物層及び第 三の無機化合物層からなる請求項 4に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置
[9] 前記有機発光媒体層が、ホスト材料と青色系ドーパントを含む青色系発光層、青色 系発光層と同一のホスト材料と緑系ドーパントを含む緑系発光層、及び青色系発光 層と同一のホスト材料と橙〜赤系ドーパントを含む橙〜赤系発光層を積層して含む、 請求項 1, 3又は 6に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[10] 前記有機発光媒体層に用いられるホスト材料が、非対称アントラセン系化合物であ る請求項 9に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
[11] 前記有機発光媒体に用いられる青色系ドーパントが、スチリルァミン、ァミン置換ス チリル化合物、ァミン置換縮合芳香族及び縮合芳香族環含有化合物より選択される 少なくとも一種類の化合物である請求項 9に記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示 装置。
[12] 前記有機発光媒体に用いられる橙〜赤色系ドーパントが、フルオランテン骨格を複 数有する化合物より選択される少なくとも一種類の化合物である請求項 9に記載の有 機エレクト口ルミネッセンス表示装置。
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