TWI430701B - Organic electroluminescent elements and full color light emitting devices - Google Patents

Description

有機電致發光元件及全彩發光裝置

本發明係關於有機電致發光元件及使用其之全彩發光裝置。

近年來，白色系有機電致發光元件(有機EL元件)之開發，因可使用在單色顯示裝置之用途，背光等照明用途及使用濾色器之全彩顯示裝置等故一直在積極進行。尤其是，在將白色系有機EL元件用於照明用途之情形，與例如螢光燈之發光效率比較則在同等級以上，而發光效率高的白色系有機EL元件則被要求。

以有機EL元件獲得白色發光之方法有為數極多被揭示。該等方法，欲僅以1種發光材料得到白色者則少，通常係將2種或3種發光材料在一個有機EL元件中，同時予以發光。在使用2種發光材料之情形，雖選擇藍系與為其補色之黃色~紅色系之發光材料，然而多有黃色~紅色系之發光變強，而常成為帶紅色之白色。

對此問題，在專利文獻1係發現在將發光層分割為2之型式中，將發光層之發光區域易於偏移之陽極側的發光層作為藍色系發光層，因而可消除發光色易於偏紅色之傾向，而有提案關於可抑制顏色變化之白色元件。但是，其發光效率並非達到充分之階段。

在專利文獻2則揭示，使發光層自陽極側依照紅色發光層，藍色發光層，綠色發光層之順序層合之有機EL元件。進而，將用於紅色發光層之紅色摻雜劑亦於藍色發光層予以摻雜下，隨著驅動電流之增大而可抑制色變化之技術。但是，其發光效率並非達到充分之階段。

另一方面，為可均衡性良好的進行白色發光之技術方面，則有一些文獻揭示在複數發光層間設置電荷障壁層之技術。

例如，在專利文獻3則揭示依照陽極，電洞輸送性藍色發光層，電子輸送性載體再結合區域控制層，電子輸送性紅色發光層，陰極之順序予以層合進行白色發光之有機EL元件。但是，上述載體再結合區域控制層之親和力等級相對於電洞輸送性藍色發光層之親和力等級因為大的值故驅動電壓高。又，與驅動時間同時，在電洞輸送性藍色發光層電子難以注入，使得電洞輸送性藍色發光層之發光強度降低，而使發光色易於偏向電子輸送性發光層之紅色發光。

在專利文獻4有揭示使2個電子輸送性發光層透過電荷障壁層而配置之白色發光有機EL元件。但是，自陽極注入之電洞，幾乎在最初之發光層即已消耗殆盡，而因通過電荷障壁層對第二層之電子輸送性發光層供給的電洞之量少，故有白色發光之效率降低之課題。

在專利文獻5，係揭示使陽極，第1發光層，電荷障壁層，第2發光層，陰極依順序層合，使電荷障壁層之游離電位比第1發光層之游離電位大0.1eV以上，又使電荷障壁層之親和力等級比第二發光層之親和力等級小0.1eV以上之白色發光有機EL元件。但是，電荷障壁層因具有電子障壁與電洞障壁之兩者之機能故會有驅動電壓變高之課題。

其他，在專利文獻6，專利文獻7亦有揭示白色元件，然而任一者之發光效率均非充分。

專利文獻1：日本特開2003－272857號公報專利文獻2：日本特開2004－235168號公報專利文獻3：日本特開平8－78163號公報專利文獻4：國際公開第2005/099313號摘要專利文獻5：國際公開第2005/112518號摘要專利文獻6：日本特開2005－100921號公報專利文獻7：美國公開第2006/0088729

本發明係鑑於上述課題，其目的在於提供一種，具有適於顯示器或照明用途之色調效性(color rendering propertyes)，發光效率高且色度變化少的有機EL元件。

為解決此等課題，本發明人等經戮力研究，結果首先發現下述元件具有高的色調效性，及發光效率，且色度變化少者，因而完成本發明。

根據本發明，可提供以下之有機EL元件及全彩發光裝置。

1.一種有機電致發光元件，其含有使陽極、第1發光層、電荷障壁層、第2發光層及陰極依順序層合，該第1發光層及第2發光層各含有主材料及摻雜劑，該第1發光層之主材料之能量間隙(energy gap)比該第2發光層之主材料的能量間隙小，該第1發光層之主材料為電洞輸送性材料，第2發光層之主材料為電子輸送性材料，該電荷障壁層之親和力等級(affinity level)，比該第2發光層主材料之親和力等級小0.2eV以上，該電荷障壁層之游離電位(Ie1)與該第1發光層之主材料之游離電位(Ih1)，可滿足下述關係(1)，Ie1<Ih1＋0.1(eV)………(1)。

2.一種有機電致發光元件，其含有使陽極、第1發光層、電荷障壁層、第2發光層、第3發光層及陰極依順序層合，該第1發光層、第2發光層及第3發光層各含有主材料及摻雜劑，該第1發光層之主材料之能量間隙比該第2發光層之主材料的能量間隙更小，該第1發光層之主材料為電洞輸送性材料，該第2發光層及第3發光層之主材料為電子輸送性材料，該電荷障壁層為電洞輸送性材料，該電荷障壁層之游離電位(Ie1)與該第1發光層之主材料之游離電位(Ih1)，可滿足下述關係(1)，Ie1<Ih1＋0.1(eV)………(1)。

3.如第2項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層之親和力等級，比該第2發光層主材料之親和力等級小0.2eV以上。

4.如第1~3項中任一項之有機電致發光元件，其中該第1發光層之主材料之能量間隙，比該第2發光層之主材料之能量間隙小0.4eV以上。

5.如第1項之有機電致發光元件，其中該第1發光層之摻雜劑為紅色摻雜劑，該第2發光層之摻雜劑為藍色摻雜劑。

6.如第2或3項之有機電致發光元件，其中該第1發光層之摻雜劑為紅色摻雜劑，該第2發光層之摻雜劑為藍色摻雜劑，該第3發光層之摻雜劑為綠色摻雜劑。

7.如第1~6項中任一項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層含發光材料。

8.如第7項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層之發光材料為綠色摻雜劑。

9.如第1~8項中任一項之有機電致發光元件，其中在該陽極與該第1發光層之間，具有與第1發光層鄰接之電洞輸送層。

10.如第9項之有機電致發光元件，其中形成該電洞輸送層之材料與形成該電荷障壁層之材料為相同材料。

11.如第1~10項中任一項之有機電致發光元件，其中為近於陽極之有機層的第1發光層或第1有機層含有氧化劑，及/或為近於陰極之有機層的第2發光層或第2有機層含有還原劑。

12.如第1~11項中任一項之有機電致發光元件，其中該第1發光層之主材料為下述式(1)所示之化合物，該第1發光層之摻雜劑為具有螢蒽骨架或苝骨架之化合物，X－(Y)n (1)(式中，X為碳環3以上之縮合芳香族環基，Y係選自取代或者無取代之芳基、取代或者無取代之二芳基胺基、取代或者無取代之芳烷基或取代或者無取代之烷基之基，n為1~6之整數，n為2以上之情形，Y可為相同或相異)。

13.如第12項之有機電致發光元件，其中具有該螢蒽骨架或苝骨架之化合物為下述式(2)或式(3)所示之茚并苝衍生物， (式中，Ar¹ 、Ar² 及Ar³ 為各自取代或者無取代之芳香環基或取代或者無取代之芳香族雜環基，X¹ ~X¹⁸ 各自示氫、鹵素、烷基、烷氧基、烷硫基、鏈烯基、鏈烯氧基、鏈烯硫基、含芳香環烷基、含芳香環烷氧基、含芳香環烷硫基、芳香環基、芳香族雜環基、芳香環氧基、芳香環硫基、芳香環鏈烯基、鏈烯芳香環基、胺基、咔唑基、氰基、羥基、－COOR^1' (R^1' 係氫、烷基、鏈烯基、含芳香環烷基或芳香環基)、－COR^2' (R^2' 為氫、烷基、鏈烯基、含芳香環烷基、芳香環基或胺基)、或－OCOR^3' (R^3' 為烷基、鏈烯基、含芳香環烷基或芳香環基)，X¹ ~X¹⁸ 之鄰接之基，可互為結合，或與取代之碳原子一起形成環)。

14.如第13項之有機電致發光元件，其中該茚并苝衍生物為二苯并四苯基perifurantene衍生物。

15.如第12~14項之有機電致發光元件，其中第1發光層之主材料之縮合環數為4以上，第2發光層之主材料之縮合環數為3環以下。

16.如第12~15項之有機電致發光元件，其中該式(1)所示之化合物為下述式(4)所示之萘并萘衍生物， (式(4)中，Q¹ ~Q¹² 為各自獨立，示氫原子、取代或者無取代之碳數1~20之烷基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳基、胺基、取代或者無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或者無取代之碳數1~20之烷硫基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳氧基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳硫基、取代或者無取代之碳數2~20之鏈烯基、取代或者無取代之核碳數7~20之芳烷基或取代或者無取代之核原子數5~20之雜環基，該等可為相同或相異)。

17.如第16項之有機電致發光元件，其中該式(4)所示之萘并萘衍生物中Q¹ 、Q² 、Q³ 及Q⁴ 之至少一種為芳基。

18.如第17項之有機電致發光元件，其中該式(4)所示之萘并萘衍生物為下述式(5)所示者， (式(5)中，Q³ ~Q¹² 、Q¹⁰¹ ~Q¹⁰⁵ 、Q²⁰¹ ~Q²⁰⁵ 為各自獨立，示該一般式(1)中與Q³ ~Q¹² 相同基，該等可為相同或相異，該等鄰接之2個以上可互為結合形成環)。

19.如第18項之有機電致發光元件，其中該式(5)所示之萘并萘衍生物中Q¹⁰¹ 、Q¹⁰⁵ 、Q²⁰¹ 及Q²⁰⁵ 之至少1個以上示烷基、芳基、胺基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、鏈烯基、芳烷基或雜環基，該等可為相同或相異。

20.如第12~19項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層含有，第三級胺化合物、咔唑衍生物、含有含氮雜環之化合物或金屬錯合物。

21.一種全彩發光裝置，其特徵為具備，白色發光之如第1~20項中任一項之有機電致發光元件、與濾色器。

根據本發明，可提供具有色調效性，發光效率高且色度變化少的有機EL元件。

〔實施發明之最佳型態〕 實施形態1

與本發明之實施形態1有關之有機EL元件係含有，使陽極，第1發光層，電荷障壁層，第2發光層及陰極依順序層合。第1發光層及第2發光層，各自含有主材料及摻雜劑。

在此，第1發光層係含有以電洞輸送性材料作為主材料，第2發光層係含有以電子輸送性材料作為主材料。進而，第1發光層之主材料能量間隙比第2發光層主材料能量間隙為小。

又，電荷障壁層之親和力等級，比第2發光層之主材料之親和力等級小0.2eV以上，電荷障壁層之游離電位(le1)與第1發光層之主材料之游離電位(lh1)，可滿足下述關係(1)。

Ie1<Ih1＋0.1(eV)………(1)

較佳為，電荷障壁層之親和力等級(Afe1)比1eV大，比第2發光層之主材料之親和力等級(Afh2)小0.2eV以上(可滿足下述式)。

1<Afe1≦Afh2－0.2(eV)

較佳為，電荷障壁層之游離電位(Ie1)與第1發光層之主材料之游離電位(Ih1)，可滿足下述式。

2.5<Ie1<Ih1＋0.1(eV)

較佳為，第1發光層之主材料之能量間隙(Egh1)比1.5eV大，比第2發光層之主材料之能量間隙(Egh2)小0.4eV以上(可滿足下述式)。

1.5<Egh1≦Egh2－0.4(eV)

第1圖表示與實施形態1有關之有機EL元件之構成例圖。

第1圖所示有機EL元件10具有使陽極1，電洞輸送層2，第1發光層3，電荷障壁層4，第2發光層5，電子輸送層6及陰極7層合之構造。

第1發光層3及第2發光層5各自含有主材料及摻雜劑。

另外，在此元件10，例如，係使第1發光層3為紅色系發光，使第2發光層5為藍色系發光，藉此可獲得白色發光。在第2發光層5使藍色摻雜劑摻雜者，一般係使發光弱的藍色發光，因而可取得白色之均衡性。

在有機EL元件10，近於陽極1側之第1發光層3之主材料為電洞輸送性材料，近於陰極7側之第2發光層5之主材料為電子輸送性材料。接著，在第1發光層3與第2發光層5之間設置電荷障壁層4。如此一來，對第1發光層3之電子注入，對第2發光層5之電洞注入可均勻地進行，同時藉由電荷障壁層4所致電子阻礙(block)，在電荷障壁層4與第2發光層之界面周邊再結合區域則予以集中。這時，在第2發光層5係使藍色摻雜劑摻雜而可效率良好的獲得藍色發光。藍色發光一般為弱時，可獲得強的藍色發光。在第1發光層3，透過電荷障壁層所注入之電子與自陽極側之電洞之再結合，同時來自第2發光層5之藍發光能量於第1發光層3之紅亦進行能量移動可獲得紅之發光。因此，可獲得高效率且色均衡優異之白色發光。

在此，本發明中「電洞輸送性」係指在10² ~10⁸ V/cm之電場範圍，層之電洞移動度比電子移動度大之意。較佳為第1發光層之電洞移動度為10^－5 cm² /V．秒以上。

又，「電子輸送性」係指，在10² ~10⁸ V/cm之電場範圍，層之電子移動度比電洞移動度大之意。較佳為第2發光層之電子移動度為10^－6 cm² /V．秒以上。

電洞或電子移動度係以飛行時間法(Time of flight法)測定。

另外，第1發光層及第2發光層之主材料在均為電子輸送性材料之情形，如習知技術之專利文獻4，再結合區域偏向第1發光層，而難以獲得良好的白色發光。

又，第1發光層及第2發光層之主材料在均為電洞輸送性材料之情形，與上述相反，再結合區域偏向了第2發光層，而難以獲得良好的白色發光。又，再結合區域即使在第2發光層中仍有偏向於陰極側之傾向。因此，藉由金屬陰極所致消光作用，使得發光效率降低了。

第1發光層之主材料為電子輸送性材料，第2發光層之主材料為電洞輸送性材料之情形，對第1發光層之電子注入，及對第2發光層之電洞注入均難以進行，而產生驅動電壓之大幅上升。

又，如專利文獻3，吾人考慮到關於依順序使陽極，電洞輸送性藍色發光層，電子輸送性載體再結合區域控制層，電子輸送性紅色發光層，陰極層合之情形。

在此情形，因藍之能量間隙大故電洞輸送性藍色發光層之親和力等級變低。又，電子輸送性載體再結合區域控制層之親和力等級則大致上為高。因此，自電子輸送性載體再結合區域控制層往電洞輸送性藍色發光層之電子注入障壁變高，全體則使元件之驅動電壓變高。

就此點，若為本實施形態之構成，因使藍色發光層配置於電荷障壁層之陰極側，故親和力等級之間隙變的過大，而可防止高電壓化。

在有機EL元件10，電荷障壁層4之親和力等級，比第2發光層5主材料之親和力等級小0.2eV以上。又，電荷障壁層4之游離電位(Ie1)與第1發光層3主材料之游離電位(Ih1)，可滿足下述關係(1)。

Ie1<Ih1＋0.1(eV)………(1)

此關係可以表示能量等級之圖加以說明。

第2圖表示有機EL元件10之第1發光層3之主材料，電荷障壁層4，第2發光層5之主材料之能量等級。在此圖中上邊之等級示各層之親和力等級，下邊示游離電位。在能量等級圖中，往下方表示更大的值。在各層中，游離電位與親和力等級之差則相當於能量間隙。

在有機EL元件10，電荷障壁層4之親和力等級，比第2發光層5之親和力等級小0.2eV以上。亦即，在第2圖中電荷障壁層4之親和力等級比第2發光層5之親和力等級，在0.2eV以上上方之位置(在第2圖中，△Af₁ 為0.2eV以上)。

電荷障壁層4係對，自近於陰極7者之第2發光層5至近於陽極1者之第1發光層3的電子注入予以限制之層，在各發光層內可控制電子－電洞對之再結合量，而為了調整來自各發光層之發光量而設置者。在考慮此機能時，具有比第2發光層之主材料之親和力等級小0.2eV以上之親和力等級為必要。較佳為具有小0.5eV以上的親和力等級。

另外，第1發光層3之主材料之親和力等級與電荷障壁層4之親和力等級之關係，並無特別限定，而就驅動電壓之觀點而言，電荷障壁層4之親和力等級以小0eV以上為佳。

又，在有機EL元件10，電荷障壁層4之游離電位(Ie1)與第1發光層3之主材料之游離電位(Ih1)可滿足上述(1)。此係，電荷障壁層4對電洞而成為障壁時因驅動電壓之上升成為問題，故為防止其發生者。

電荷障壁層4之游離電位(Ie1)與第1發光層3之主材料之游離電位(Ih1)之關係，較佳為可滿足下述式(1')。

Ie1<Ih1-0.2(eV)...(1')

在有機EL元件10，第1發光層3之主材料之能量間隙，比第2發光層5之主材料之能量間隙小，較佳為小0.4eV以上。

以第1發光層3之主材料之能量間隙者為大的情形，或小者在未達0.4eV之情形，第2發光層5與電荷障壁層4之親和力等級之差變得過大，使得對第1發光層3之電子供給過少，會有難以獲得良好白色發光之情形。具體言之，第1發光層3之主材料之能量間隙為1.8~2.8eV，第2發光層5之主材料之能量間隙以2.2~3.3eV為佳。

第1發光層3之摻雜劑為紅色摻雜劑，第2發光層5之摻雜劑為藍色摻雜劑時，第1發光層3發出紅色系之光，第2發光層5發出藍色系之光，再加上滿足上述要件，可獲得均衡良好的白色發光。

第1發光層之主材料之能量比第2發光層之主材料之能量小者為佳之理由，並不明確，可作以下之考量。

難以獲得發光強度之色因為藍，故以此藍為主進行激發子生成使之發光。因此，藍以在電子障壁層陰極側之位置為佳。接著，使紅配置於電子障壁層之陽極側。進行此種配置時，在為電子障壁層陰極側之第2發光層(藍)產生激發子，此藍可良好的發光。接著，第2發光層相對於第1發光層因能量間隙廣，故使其能量移動至第1發光層側。結果，第2發光層之紅亦發光。

另外，本實施形態之元件構成並非限定於第1圖，例如，可為以下之構成。

1.陽極/第1發光層/電荷障壁層/第2發光層/陰極2.陽極/電洞輸送層/第1發光層/電荷障壁層/第2發光層/陰極3.陽極/第1發光層/電荷障壁層/第2發光層/電子輸送層/陰極4.陽極/電洞輸送層/第1發光層/電荷障壁層/第2發光層/電子輸送層/陰極5.陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第1發光層/電荷障壁層/第2發光層/電子輸送層/陰極6.陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第1發光層/電荷障壁層/第2發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極

該等構成中以具有電洞輸送層為佳。

除了上述層之外，亦可使其他有機層或無機層介在其中。介在層，若為可輸送電子及電洞者則無限制。在光擷取方向之情形，以有透明性為佳。

實施形態2

與實施形態2有關之有機EL元件，係含有使陽極，第1發光層，電荷障壁層，第2發光層，第3發光層及陰極依順序層合。第1發光層，第2發光層及第3發光層，各自含有主材料及摻雜劑。

在此，第1發光層之主材料係由電洞輸送性材料所成，第2發光層及第3發光層之主材料係由電子輸送性材料所成。進而，第1發光層之主材料之能量間隙，比第2發光層之主材料之能量間隙為小。

電荷障壁層為電洞輸送性。又，較佳為電荷障壁層之親和力等級比第2發光層之主材料之親和力等級小0.2eV以上。

進而，電荷障壁層之游離電位(Ie1)與第1發光層之主材料之游離電位(Ih1)，可滿足下述關係(1)。

Ie1<Ih1＋0.1(eV)………(1)

第3圖係表示與實施形態2有關之有機EL元件之構成例圖。

第3圖所示有機EL元件20，係具有使陽極1，電洞輸送層2，第1發光層3，電荷障壁層4，第2發光層5，第3發光層8，電子輸送層6及陰極7層合之構造。亦即，除了形成第3發光層8之外，其他具有與上述實施形態1同樣的構成。第3發光層8亦含有主材料及摻雜劑。又，第3發光層8之主材料，與第2發光層5同樣均為電子輸送性材料。

另外，在此元件20，例如，使第1發光層3之摻雜劑為紅色摻雜劑，第2發光層5之摻雜劑為藍色摻雜劑，第3發光層8之摻雜劑為綠色摻雜劑，使第1發光層3成為紅色系發光，第2發光層5成為藍色系發光，使第3發光層8成為綠色系發光，進而可獲得色調效性優異之白色發光。

另外，通常藍色摻雜劑之能量間隙為約2.8eV，綠色摻雜劑之能量間隙為約2.5eV，紅色摻雜劑之能量間隙為約2.0eV左右。

本實施形態中，第1發光層3，電荷障壁層4及第2發光層5並無具有實施形態1般關係的必要。藉由第3發光層8之形成，因而可限制對第1發光層3，電荷障壁層4，以及對第2發光層5之電子注入量。尤其是，在第3發光層摻雜綠摻雜劑，故藉由此綠摻雜劑使得電子被摻雜，而可控制對第2發光層之電子注入。

但是，為使元件之性能更高，第1發光層3之主材料，電荷障壁層4及第二發光層5之主材料之游離電位，親和力等級及能量間隙，以具有與實施形態1相同關係為佳。

另外，與實施形態1同樣，本實施形態之元件構成並不限定於第3圖，例如，在實施形態1所例示之元件構成1－6亦可為形成第3發光層之構成，又，將複數電荷障壁層層合而形成亦可。

上述實施形態中，較佳為，第1發光層之主材料為下述式(1)所示之化合物，第1發光層之摻雜劑為具有螢蒽骨架或苝骨架之化合物。

X－(Y)n (1)(式中，X為碳環3以上之縮合芳香族環基，Y係選自取代或者無取代之芳基，取代或者無取代之二芳胺基，取代或者無取代之芳烷基或取代或者無取代之烷基之基，n為1~6之整數，n為2以上之情形，Y可為相同或相異)。

進而較佳為第1發光層之主材料之縮合環數為4以上。又，較佳為，第2發光層之主材料之縮合環數為3環以下。

以上，係說明本發明之實施形態，而在本發明之元件，係依順序使陽極，電洞輸送性之第1發光層，電荷障壁層，電子輸送性之第2發光層及陰極層合而構成。藉由此種構成，可獲得具有色調效性，發光效率高且色度變化少的有機EL元件。又，在本發明之元件，即使變更元件之驅動條件(驅動電壓等)，會有發光色度變化小的特徵。

實施形態3

與本發明之實施形態3有關之全彩發光裝置係具備白色發光之本發明之有機EL元件，與濾色器。

第4圖係與實施形態3有關之全彩發光裝置之構成之例圖。

第4圖所示全彩發光裝置100係在支持基板110上，設置第1，第2，第3(白)有機EL元件120,130,140，在該等元件120,130,140之光擷取側(箭頭所示)，在該等元件120,130,140為各自對向，配置第1，第2，第3(紅，綠，藍)之濾色器122,132,142。濾色器122,132,142形成於透明基板150上。

自有機EL元件120發出之光藉由濾色器122成為紅色光而被擷取於外，自有機EL元件130發出之光藉由濾色器132成為綠色光而被擷取於外，自有機EL元件140發出之光藉由濾色器142成為藍色光而被擷取於外，而可獲得全彩。

在有機EL元件120,130,140與濾色器122,132,142之間，有機EL元件為防止因環境或含於濾色器之氧，水分，其他揮發成分而致劣化則可設置封閉層等。具體例方面，可使用SiOxNy、AlOxNy、SiAlOxNy等透明無機化合物層，及該等透明無機化合物層與透明樹脂或封閉液予以層合者等。

在濾色器122,132,142方面，可例舉例如僅將下述色素，或色素溶解或分散於黏合劑樹脂中之固體狀態之物。

紅色(R)色素：苝系顏料，色澱(lake)顏料，偶氮系顏料等綠色(G)色素：鹵素多取代酞菁系顏料，鹵素多取代銅酞菁系顏料，三苯甲烷系鹼性染料等。

藍色(B)色素：銅酞菁系顏料，標準還原藍(indanthrone)系顏料，靛酚系顏料，花青苷系顏料等。

另一方面，黏合劑樹脂則以透明的(可視光透過率50%以上)材料為佳。例如有聚甲基甲基丙烯酸酯，聚丙烯酸酯，聚碳酸酯，聚乙烯醇，聚乙烯吡咯啶酮，羥基乙基纖維素，羧甲基纖維素等之透明樹脂(高分子)，或可適用於光微影法之感光性樹脂方面，可例舉丙烯酸系，甲基丙烯酸系等具有反應性乙烯基之光硬化型光阻材料。又，在使用印刷法之情形，可選擇用到聚氯化乙烯樹脂，三聚氰胺樹脂，苯酚樹脂等透明樹脂的印刷油墨(媒質)。

在濾色器主為由色素所成情形，可透過所望濾色器圖型之掩罩以真空蒸鍍或濺鍍成膜，另一方面，在由色素與黏合劑樹脂所成情形，將色素與上述樹脂及光阻混合，分散或可溶化，以旋轉塗佈，輥塗佈，鑄模等方法製膜，以光微影法用所望之濾色器圖型進行圖型化，或以印刷等方法用所望之濾色器圖型進行圖型化為一般。

各濾色器122,132,142之膜厚與透過率，以下述為佳。

R：膜厚0.5~5.0μm(透過率50%以上/610mm)，G：膜厚0.5~5.0μm(透過率50%以上/545nm)，B：膜厚0.2~5.0μm(透過率50%以上/460nm)。

又，本實施形態中，在提供呈現紅，綠，藍3原色發光之全彩發光裝置的情形，為使對比提高可使用黑色矩陣(black matrix)。

以下，就關於為本發明有機EL元件之特徵部分之電荷障壁層，第1發光層，及第2發光層(第3發光層)為中心加以說明。而其他之有機層，無機化合物層，陽極，陰極等構成或製法，則可採用一般構成。

1.電荷障壁層

電荷障壁層就相對於電洞難以成為障壁之觀點而言，電洞移動度在外加10⁴ ~10⁷ V/cm之電場時，以至少10^－5 cm² /V．秒以上為佳。

電荷障壁層之膜厚，並無特別限定，較佳為0.1~50nm。更佳為0.1~20nm。

在電荷障壁層可使用各種有機化合物，無機化合物。有機化合物方面，可使用第三級胺化合物，咔唑衍生物，含有含氮雜環之化合物或金屬錯合物等。無機化合物方面，可使用與Ba,Ca,Sr,Yb,Al,Ga,In,Li,Na,K,Cd,Mg,Si,Ta,Ge,Sb,Zn,Cs,Eu,Y,Ce,W,Zr,La,Sc,Rb,Lu,Ti,Cr,Ho,Cu,Er,Sm,W,Co,Se,Hf,Tm,Fe,Nb等金屬之氧化物，氮化物，複合氧化物，硫化物，氟化物等。

又，較佳為，就關於電荷障壁層相對於電洞難以成為障壁之觀點而言，通常在有機EL元件中作為電洞輸送層使用之以下記載之有機化合物。

具體例方面，可例舉三唑衍生物(參照美國專利3,112,197號說明書等)，噁二唑衍生物(參照美國專利3,189,447號說明書等)，咪唑衍生物(參照日本特公昭37－16096號公報等)，聚芳基鏈烷衍生物(參照美國專利3,615,402號說明書，同第3,820,989號說明書，同第3,542,544號說明書，特公昭45－555號公報，同51－10983號公報，日本特開昭51－93224號公報，同55－17105號公報，同56－4148號公報，同55－108667號公報，同55156953號公報，同56－36656號公報等)，吡唑啉衍生物及吡唑酮(Pyrazolone)衍生物(參照美國專利第3,180,729號說明書，同第4,278,746號說明書，日本特開昭55－88064號公報，同55－88065號公報，同49－105537號公報，同55－51086號公報，同56－80051號公報，同56－88141號公報，同57－45545號公報，同54－112637號公報，同55－74546號公報等)，伸苯二胺衍生物(參照美國專利第3,615,404號說明書，特公昭51－10105號公報，同46－3712號公報，同47－25336號公報，日本特開昭54－53435號公報，同54－110536號公報，同54－119925號公報等)，芳胺衍生物(參照美國專利第3,567,450號說明書，同第3,180,703號說明書，同第3,240,597號說明書，同第3,658,520號說明書，同第4,232,103號說明書，同第4,175,961號說明書，同第4,012,376號說明書，特公昭49－35702號公報，同39－27577號公報，日本特開昭55－144250號公報，同56－119132號公報，同56－22437號公報，西德專利第1,110,518號說明書等)，胺基取代查耳酮衍生物(參照美國專利第3,526,501號說明書等)，噁唑衍生物(美國專利第3,257,203號說明書等所揭示者)，苯乙烯基蒽衍生物(參照日本特開昭56－46234號公報等)，芴酮衍生物(參照日本特開昭54－110837號公報等)，腙衍生物(參照美國專利第3,717,462號說明書，日本特開昭54－59143號公報，同55－52063號公報，同55－52064號公報，同55－46760號公報，同55－85495號公報，同57－11350號公報，同57－148749號公報，日本特開平2－311591號公報等)，二苯乙烯衍生物(參照日本特開昭61－210363號公報，同第61－228451號公報，同6114642號公報，同61－72255號公報，同62－47646號公報，同62－36674號公報，同62－10652號公報，同62－30255號公報，同60－93455號公報，同60－94462號公報，同60－174749號公報，同60－175052號公報等)，矽氮烷衍生物(美國專利第4,950,950號說明書)，聚矽烷系(日本特開平2－204996號公報)，苯胺系共聚體(日本特開平2－282263號公報)，日本特開平1－211399號公報所揭示之導電性高分子寡聚物(尤以噻吩寡聚物)等。

又，亦可使用卟啉化合物(日本特開昭63－2956965號公報等所揭示者)，芳香族第三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物(參照美國專利第4,127,412號說明書，日本特開昭53－27033號公報，同54－58445號公報，同54－149634號公報，同54－64299號公報，同55－79450號公報，同55－144250號公報，同56－119132號公報，同61－295558號公報，同61－98353號公報，同63－295695號公報等)。尤以使用芳香族第三級胺化合物為佳。

進而，以下述式所示之化合物亦佳。

式中，Ar²¹ ~Ar²⁴ 為各自獨立，示取代或者無取代之核碳數6~50之芳基，R²¹ 及R²² 為各自獨立，示氫原子，取代或者無取代之核碳數6~50之芳基，碳數1~50之烷基，m，n為0~4之整數。

核碳數6~50之芳基方面，可例舉苯基，萘基，聯苯基，三聯苯基，菲基等為佳。另外，核碳數6~50之芳基，進而可被取代基所取代，恰當的取代基方面，可例舉碳數1~6之烷基(甲基，乙基，異丙基，正丙基，二級丁基，三級丁基，戊基，己基，環戊基，環己基等)，以核碳數6~50之芳基所取代之胺基。

碳數1~50之烷基方面，以甲基，乙基，異丙基，正丙基，二級丁基，三級丁基，戊基，己基，環戊基，環己基等為佳。

又，美國專利第5,061,569號所記載之分子內具有2個縮合芳香族環之，例如，4,4'－雙(N－(1－萘基)－N－苯基胺基)聯苯基(NPD)，日本特開平4－308688號公報所記載之三苯基胺單元連接於3個星爆型之4,4',4”－三(N－(3－甲基苯基)－N－苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)等。

在電荷障壁層亦可添加發光材料。藉此，進而可獲得含多樣成分之光的發光。例如如實施形態1般之，發光層為第1發光層3與第2發光層5之二層時，使第1發光層3之摻雜劑為紅色摻雜劑，第2發光層之摻雜劑為藍色摻雜劑，電荷障壁層之發光材料為綠色摻雜劑。亦即，使發光最弱的藍配置於最光亮之區域，將視感度高的綠接著配置於最光亮之區域。此係因為綠之發光有偏離時在人類所見則馬上知道有色偏差，因而無法為均衡良好的白色。紅為除了電荷注入之外，即使來自藍，綠之能量移動亦可進行發光，故以第1發光層之位置為佳。如此配置時，效率良好，可取得均衡，可實現難有色偏差之3波長白色。在發光材料方面，可使用後述各發光層所使用之摻雜劑等。

另外，電荷障壁層在含有發光材料時，電荷障壁層之親和力等級，游離電位為電荷障壁層之主材料之親和力等級，游離電位者。

2.第1發光層

由上述能量間隙之關係可知，第1發光層以黃色~橙色或紅色發光層為佳。黃色~橙色或紅色發光層，其發光之最大波長為550~650nm之發光層。發光層較佳為由主材料與黃色~橙色或紅色摻雜劑所成。

主材料方面，可使用下述式所示之化合物。

X－(Y)n(式中，X為碳環3以上之縮合芳香族環基，Y為選自取代或者無取代之芳基，取代或者無取代之二芳基胺基，取代或者無取代之芳烷基或取代或者無取代之烷基之基，n為1~6之整數，n為2以上之情形，Y可為相同或相異)。

X較佳為，含有選自萘并萘，芘，蒽，苝，(chrysene)，苯并蒽，并五苯，二苯并蒽，苯并芘，苯并茀，螢蒽，苯并螢蒽，萘基螢蒽，二苯并茀，二苯并芘，二苯并螢蒽，苊基(acenaphthyl)螢蒽之1以上骨架之基。更佳為含有萘并萘骨架或蒽骨架。

Y較佳為碳數12~60之芳基，二芳胺基，更佳為碳數12~20之芳基或碳數12~40之二芳胺基。

n較佳為2。

較佳為式(1)所示之化合物為下述式(4)所示之萘并萘衍生物。

式(4)中，Q¹ ~Q¹² 為各自獨立，示氫原子，取代或者無取代之碳數1~20之烷基，取代或者無取代之核碳數6~20之芳基，胺基，取代或者無取代之碳數1~20之烷氧基，取代或者無取代之碳數1~20之烷硫基，取代或者無取代之核碳數6~20之芳氧基，取代或者無取代之核碳數6~20之芳硫基，取代或者無取代之碳數2~20之鏈烯基，取代或者無取代之核碳7~20之芳烷基或取代或者無取代之核原子數5~20之雜環基，該等可為相同或相異)。

更佳為，該式(4)所示之萘并萘衍生物中，Q¹ ，Q² ，Q³ 及Q⁴ 之至少一種為芳基之化合物。

更佳為，式(4)所示之萘并萘衍生物為下述式(5)所示之化合物。

(式(5)中，Q³ ~Q¹² ，Q¹⁰¹ ~Q¹⁰⁵ ，Q²⁰¹ ~Q²⁰⁵ 為各自獨立，示與該一般式(1)中Q³ ~Q¹² 相同基，該等可為相同或相異，該等鄰接之2個以上可互相結合形成環)

更佳為，該式(5)所示之萘并萘衍生物中Q¹⁰¹ ，Q¹⁰⁵ ，Q²⁰¹ 及Q²⁰⁵ 之至少1個以上為烷基，芳基，胺基，烷氧基，芳氧基，烷硫基，芳基硫基，鏈烯基，芳烷基或雜環基，該等可為相同或相異。

黃色~橙色或紅色系摻雜劑方面，可使用具有至少一個螢蒽骨架或苝骨架之螢光性化合物，可例舉例如下述式〔2〕~〔18〕所示之化合物。

(式〔2〕~〔16〕式中，X¹ ~X²⁰ 為各自獨立，示氫原子，直鏈，分支鏈或者環狀之碳原子數1~20之烷基，直鏈，分支鏈或者環狀之碳原子數1~20之烷氧基，取代或者無取代之碳原子數6~30之芳基，取代或者無取代之碳原子數6~30之芳氧基，取代或者無取代之碳原子數6~30之芳基，取代或者無取代之碳原子數1~30之烷胺基，取代或者無取代之碳原子數7~30之芳烷基胺基或取代或者無取代碳原子數8~30之鏈烯基，鄰接之取代基及X¹ ~X²⁰ 為結合可形成環狀構造。鄰接之取代基為芳基時，取代基可為相同)。

式〔2〕~〔16〕之化合物以含有胺基或鏈烯基為佳。

式〔17〕，〔18〕中，X²¹ ~X²⁴ 為各自獨立，示碳原子數1~20之烷基，取代或者無取代之碳原子數6~30之芳基，X²¹ 與X²² 及/或X²³ 與X²⁴ 透過碳－碳結合或－O－，－S－結合亦可。

X²⁵ ~X³⁶ 示氫原子，直鏈，分支鏈或者環狀之碳原子數1~20之烷基，直鏈，分支鏈或者環狀之碳原子數1~20之烷氧基，取代或者無取代之碳原子數6~30之芳基，取代或者無取代之碳原子數6~30之芳氧基，取代或者無取代之碳原子數6~30之芳胺基，取代或者無取代之碳原子數1~30之烷胺基，取代或者無取代之碳原子數7~30之芳烷基胺基或取代或者無取代碳原子數8~30之鏈烯基，鄰接之取代基及X²⁵ ~X³⁶ 為結合可形成環狀構造。

各式中取代基X²⁵ ~X³⁶ 之至少一個以含有胺或鏈烯基為佳。

較佳為式〔13〕，〔14〕之茚并苝衍生物。

具有螢蒽骨架之螢光性化合物，為獲得高效率及長壽命則以含有電子供與性基為佳，較佳之電子供與性基為取代或者未取代之芳胺基。進而，具有螢蒽骨架之螢光性化合物以縮合環數5以上為佳，6以上特佳。此係因為，螢光性化合物顯示540~700nm之螢光峰值波長，因而來自藍色系發光材料與螢光性化合物之發光為重疊而呈白色。

上述螢光性化合物，在具有螢蒽骨架複數個時，因發光色成為黃色~橙色或紅色區域故佳。

特佳之茚并苝衍生物，為二苯并四苯基perifurantene衍生物。

第1發光層之膜厚，較佳為1~50nm，更佳為5~50nm。未達1nm時會有發光效率降低之虞，超過50nm時驅動電壓有上升之虞。

3.第2發光層

關於發光色，由能量間隙之關係以第2發光層為藍系發光層者為佳。較佳為藍色系發光之峰值波長為450~500nm。

可使用於第2發光層之摻雜劑方面，可例舉例如芳胺化合物及/或苯乙烯基胺化合物，蒽，萘，菲，芘，四氫蒽，六苯并苯(coronene)，(chrysene)，熒光素(fluoresceine)，苝，酞并苝，萘并苝，迫酮(perinone)，酞并迫酮(phathalo-perinone)，萘并迫酮(perinone)，二苯基丁二烯，四苯基丁二烯，香豆素，噁二唑，醛連氮，雙苯并噁唑啉，雙苯乙烯基，吡嗪，環戊二烯，喹啉金屬錯合物，胺基喹啉金屬錯合物，苯并喹啉金屬錯合物，亞胺，二苯基乙烯，乙烯蒽，二胺基咔唑，哌喃，噻喃，聚次甲基，部花青，咪唑鉗合物化氧化物類化合物，喹吖酮(quinacridone)，四及螢光色素等，而並非限定於該等。

又，本發明之有機EL元件中，第2發光層以含有芳胺化合物及/或苯乙烯基胺化合物為佳。

芳基胺化合物方面可例舉下述一般式(A)所示之化合物等，苯乙烯基胺化合物方面可例舉下述一般式(B)所示之化合物等。

[一般式(A)中，Ar₈ 示選自苯基，聯苯基，三聯苯基，二苯乙烯，二苯乙烯基芳基之基，Ar₉ 及Ar₁₀ 各自示氫原子或碳數6~20之芳香族基，Ar₉ ~Ar₁₀ 可被取代。p'為1~4之整數。進而較佳為Ar₉ 及/或Ar₁₀ 可被苯乙烯基所取代]。

在此，碳數6~20之芳香族基方面，以苯基，萘基，蒽基，菲基，三聯苯基等為佳。

[一般式(B)中，Ar₁₁ ~Ar₁₃ 為可被取代之核碳數5~40之芳基。q'為1~4之整數]。

在此，核原子數5~40之芳基方面，以苯基，萘基，蒽基，菲基，芘，Coronyl，聯苯基，三聯苯基，吡咯基(pyrrolyl)，呋喃基，噻吩，苯并噻吩，噁二唑基，二苯基蒽基，吲哚基，咔唑基，吡啶基，苯并喹啉基，，苊并，二苯乙烯等為佳。此外，核原子數5~40之芳基，進而可被取代基所取代，較佳之取代基方面，可例舉碳數1~6之烷基(乙基，甲基，異丙基，正丙基，二級丁基，三級丁基，戊基，己基，環戊基，環己基等)，碳數1~6之烷氧基(乙氧基，甲氧基，異丙氧基，正丙氧基，丁氧基，三級丁氧基，戊氧基，己氧基，環戊氧基，環己氧基等)，核原子數5~40之芳基，以核原子數5~40之芳基所取代之胺基，具有核原子數5~40之芳基之酯基，具有碳數1~6之烷基之酯基，氰基，硝基，鹵原子(氯，溴，碘等)。

可使用於第2發光層之主材料方面，以具有具蒽中心骨架之下述式(19)所示構造的化合物為佳。

(式中，A₁ 及A₂ 為各自獨立，示取代或無取代之核碳數6~20之芳香族環所衍生之基。R₁ ~R₈ 為各自獨立，示氫原子，取代或無取代之核碳數6~50之芳基，取代或無取代之核原子數5~50之雜芳基，取代或無取代之碳數1~50之烷基，取代或無取代之碳數3~50之環烷基，取代或無取代之碳數1~50之烷氧基，取代或無取代之碳數6~50之芳烷基，取代或無取代之核原子數5~50之芳基氧基，取代或無取代之核原子數5~50之芳基硫基，取代或無取代之碳數1~50之烷氧基羰基，取代或無取代之單矽烷基，羧基，鹵原子，氰基，硝基或羥基)。

A₁ 及A₂ 之芳香族環為可被1或2以上之取代基所取代者。此取代基係選自取代或無取代之核碳數6~50之芳基，取代或無取代之碳數1~50之烷基，取代或無取代之碳數3~50之環烷基，取代或無取代之碳數1~50之烷氧基，取代或無取代之碳數6~50之芳烷基，取代或無取代之核原子數5~50之芳基氧基，取代或無取代之核原子數5~50之芳基硫基，取代或無取代之碳數1~50之烷氧羰基，取代或無取代之單矽烷基，羧基，鹵原子，氰基，硝基及羥基。

A₁ 及A₂ 之芳香族環在可被2以上之取代基所取代之情形，取代基可為相同或相異，鄰接之取代基彼此之間可互為結合可形成飽和或不飽和之環狀構造。

此外，該式(19)中，A₁ 與A₂ 以互為相異為佳。

又，以下述(i)~(ix)所示之化合物為佳。

下述一般式(i)所示之非對稱蒽。

(式中，Ar係取代或者無取代之核碳數10~50之縮合芳香族基。

Ar'係取代或者無取代之核碳數6~50之芳香族基。

X¹ ，X² ，X³ 係各自獨立，示取代或者無取代之核碳數6~50之芳香族基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳香族雜環基，取代或者無取代之碳數1~50之烷基，取代或者無取代之碳數1~50之烷氧基，取代或者無取代之碳數6~50之芳烷基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳基氧基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳基硫基，取代或者無取代之碳數1~50之烷氧基羰基，羧基，鹵原子，氰基，硝基，羥基。

a，b及c為各自0~4之整數。另外，a，b及c為2以上之情形，X¹ 彼此之間，X² 彼此之間，X³ 彼此之間可為相同或相異。

n為1~3之整數。又，n為2以上之情形，[]內，可為相同或相異)。

下述一般式(ii)所示之非對稱單蒽衍生物。

(式中，Ar¹ 及Ar² 為各自獨立，示取代或者無取代之核碳數6~50之芳香族環基，m及n各自為1~4之整數。但是，m＝n＝1且Ar¹ 與Ar² 之對於苯環之結合位置為左右對稱型之情形，則Ar¹ 與Ar² 並非相同，m或n為2~4之整數之情形，則m與n為相異之整數。

R¹ ~R¹⁰ 為各自獨立，示氫原子，取代或者無取代之核碳數6~50之芳香族環基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳香族雜環基，取代或者無取代之碳數1~50之烷基，取代或者無取代之環烷基，取代或無取代之碳數1~50之烷氧基，取代或者無取代之碳數6~50之芳烷基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳基氧基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳基硫基，取代或者無取代之碳數1~50之烷氧羰基，取代或者無取代之單矽烷基，羧基，鹵原子，氰基，硝基，羥基。)

下述一般式(iii)所示之非對稱芘衍生物。

[式中，Ar及Ar'係各自取代或者無取代之核碳數6~50之芳香族基。

L及L'係各自取代或者無取代之伸苯基，取代或者無取代之伸萘基，取代或者無取代之伸芴基或取代或者無取代之二苯并Silolylene基。

m為0~2之數，n為1~4之整數，s為0~2之整數，t為0~4之整數。

又，L或Ar係結合於芘之1~5位中任一項，L'或Ar'係結合於芘之6~10位中任一項。

但是，n＋t為偶數時，Ar,Ar',L,L'可滿足下述(1)或(2)。

(1)Ar≠Ar'及/或L≠L'(在此≠示相異構造之基)。

(2)Ar＝Ar'且L＝L'時(2－1)m≠s及/或n≠t，或(2－2)m＝s且n＝t時，(2－2－1)：L及L'，或芘各自結合於Ar及Ar'上之相異結合位置，(2－2－2)L及L'，或芘在Ar及Ar'上相同結合位置結合之情形，L及L'或Ar及Ar'之芘中取代位置並非1位與6位，或2位與7位之情形]。

下述一般式(iv)所示之非對稱蒽衍生物。

(式中，A¹ 及A² 為各自獨立，示取代或者無取代之核碳數10~20之縮合芳香族環基。

Ar¹ 及Ar² 為各自獨立，示氫原子，或取代或者無取代之核碳數6~50之芳香族環基。

R¹ ~R¹⁰ 為各自獨立，示氫原子，取代或者無取代之核碳數6~50之芳香族環基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳香族雜環基，取代或者無取代之碳數1~50之烷基，取代或者無取代之環烷基，取代或者無取代之碳數1~50之烷氧基，取代或者無取代之碳數6~50之芳烷基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳基氧基，取代或者無取代之核原子數5~50之芳基硫基，取代或者無取代之碳數1~50之烷氧羰基，取代或者無取代之單矽烷基，羧基，鹵原子，氰基，硝基或羥基。

Ar¹ ，Ar² ，R⁹ 及R¹⁰ 各自可為複數，鄰接之物彼此之間可形成為飽和或者不飽和環狀構造。

但是，一般式(1)中，在中心之蒽9位及10位，相對於該蒽上所示X－Y軸並無成為對稱型之基為結合之情形)。

下述一般式(v)所示之蒽衍生物。

(式中，R¹ ~R¹⁰ 係各自獨立，示氫原子，烷基，環烷基，可取代之芳基，烷氧基，芳氧基，烷基胺基，鏈烯基，芳基胺基或可取代之雜環式基，a及b各自示1~5之整數，該等為2以上之情形，R¹ 彼此之間或R² 彼此之間，各自可為相同或相異，又R¹ 彼此之間或R² 彼此之間為結合可形成環，R³ 與R⁴ ，R⁵ 與R⁶ ，R⁷ 與R⁸ ，R⁹ 與R¹⁰ 可互為結合形成環。L₁ 為單鍵，－O－，－S－，－N(R)－(R為烷基或可取代之芳基)，烷撐基或伸芳基)。

下述一般式(vi)所示之蒽衍生物。

(式中，R¹¹ ~R²⁰ 係各自獨立，示氫原子,烷基,環烷基,芳基,烷氧基,芳氧基,烷基胺基,芳基胺基或可取代之複數環式基，c，d，e及f各自示1~5之整數，該等為2以上之情形，R¹¹ 彼此之間，R¹² 彼此之間，R¹⁶ 彼此之間或R¹⁷ 彼此之間，各可為相同或相異，又R¹¹ 彼此之間，R¹² 彼此之間，R¹⁶ 彼此之間或R¹⁷ 彼此之間為結合可形成環，R¹³ 與R¹⁴ ，R¹⁸ 與R¹⁹ 可互為結合形成環。L₂ 示單鍵，－O－，－S－，－N(R)－(R示烷基或可取代之芳基)，烷撐基或伸芳基)。

下述一般式(vii)所示之螺旋茀衍生物。

(式中，A⁵ ~A⁸ 為各自獨立，示取代或者無取代之聯苯基或取代或者無取代之萘基)。

下述一般式(viii)所示之含有縮合環化合物， (式中，A⁹ ~A¹¹ 示各自單鍵或取代或者無取代之核碳數6~50之伸芳基，A¹² ~A¹⁴ 各自示氫原子或取代或者無取代之核碳數6~50之芳基。R²¹ ~R²³ 為各自獨立，示氫原子，碳數1~6之烷基，碳數3~6之環烷基，碳數1~6之烷氧基，碳數5~18之芳基氧基，碳數7~18之芳烷氧基，碳數5~16之芳基胺基，硝基，氰基，碳數1~6之酯基或鹵原子，A⁹ ~A¹⁴ 中至少1個為具有3環以上之縮合芳香族環之基)。

下述一般式(ix)所示之茀化合物。

(式中，R₁ 及R₂ 示氫原子，取代或無取代之烷基，取代或無取代之芳烷基，取代或無取代之芳基，取代或無取代之雜環基，取代胺基，氰基或鹵原子。在結合於相異茀基之R₁ 彼此之間，R₂ 彼此之間可為相同或相異，結合於相同茀基之R₁ 及R₂ ，可為相同或相異。R₃ 及R₄ 示氫原子，取代或無取代之烷基，取代或無取代之芳烷基，取代或無取代之芳基或取代或無取代之雜環基，結合於相異茀基之R₂ 彼此之間，R₄ 彼此之間，可為相同或相異，結合於相同茀基之R₃ 及R₄ ，可為相同或相異。Ar₁ 及Ar₂ 係以苯環合計3個以上之取代或無取代之縮合多環芳香族基或苯環與雜環合計3個以上之取代或無取代之碳而結合於茀基之縮合多環雜環基，Ar₁ 及Ar₂ 可為相同或相異。n示1至10之整數)。

以上主材料中，較佳為蒽衍生物，進而較佳為單蒽衍生物，特佳為非對稱蒽。

藍色系摻雜劑，以選自苯乙烯基胺，胺取代苯乙烯基化合物及含縮合芳香族環化合物中之至少一種為佳。此時，藍色系摻雜劑可由相異的複數化合物所構成。上述苯乙烯基胺及胺取代苯乙烯基化合物方面，可例舉例如下述式〔20〕或〔21〕所示之化合物，而上述含縮合芳香族環化合物方面，可例舉例如下述式〔22〕所示之化合物。

〔式中，Ar³¹ ，Ar³² 及Ar³³ 為各自獨立，示碳原子數6~40之取代或者無取代之芳香族基，p示1~3之整數。另外，較佳為Ar³¹ ，Ar³² 及Ar³³ 之至少一個含有苯乙烯基〕。

〔式中，Ar⁴¹ 及Ar⁴² 為各自獨立，示碳原子數6~30之伸芳基，E¹ 及E² 為各自獨立，示碳原子數6~30之芳基或者烷基，氫原子或氰基，q示1~3之整數。u及/或v示含胺基之取代基，該胺基以芳基胺基為佳〕。

〔式中，A示碳原子數1~16之烷基或者烷氧基，碳原子數6~30之取代或者未取代之芳基，碳原子數6~30之取代或者未取代之烷基胺基，或碳原子數6~30之取代或者未取代之芳基胺基，B示碳原子數10~40之縮合芳香族環基，r示1~4之整數〕。

綠色系摻雜劑方面，可使用與上述藍色摻雜劑相同之芳基胺化合物及/或苯乙烯基胺化合物。較佳為綠色系發光之峰值波長為500~550nm。

較佳的綠色系摻雜劑方面，可使用式(1)所示之芳香族胺化合物。

式(1)中，A¹ ~A² 為各自獨立，示氫原子，取代或者無取代之碳數1~10(較佳為碳數1~6)之烷基，取代或者無取代之核碳數5~50(較佳為核碳數5~10)之芳基，取代或者無取代之核碳數3~20(較佳為核碳數5~10)之環烷基，取代或者無取代之碳數1~10(較佳為碳數1~6)之烷氧基，取代或者無取代之核碳數5~50(較佳為核碳數5~10)之芳基氧基，取代或者無取代之核碳數5~50(較佳為核碳數5~20)之芳基胺基，取代或者無取代之碳數1~10(較佳為，碳數1~6)之烷基胺基，或鹵原子。

A¹ ~A² 之取代或者無取代之烷基方面，可例舉例如甲基，乙基，丙基，異丙基，丁基，二級丁基，三級丁基，戊基，己基，庚基，辛基，硬脂醯基，2－苯基異丙基，三氯甲基，三氟甲基，苄基，α－苯氧基苄基，α,α－二甲基苄基，α,α－甲基苯基苄基，α,α－二－三氟甲基苄基，三苯基甲基，α－苄基氧苄基等。

A¹ ~A² 之取代或者無取代之芳基方面，可例舉例如苯基，2－甲基苯基，3－甲基苯基，4－甲基苯基，4－乙基苯基聯苯基，4－甲基聯苯基，4－乙基聯苯基，4－環己基聯苯基，聯三苯基，3,5－二氯苯基，萘基，5－甲基萘基，蒽基，芘基等。

A¹ ~A² 之取代或者無取代之環烷基方面，可例舉例如環丙基，環丁基，環戊基，環己基，正基，金剛烷基等。

A¹ ~A² 之取代或者無取代之烷氧基方面，可例舉例如甲氧基，乙氧基，丙氧基，異丙氧基，丁氧基，異丁氧基，二級丁氧基，三級丁氧基，各種戊基氧基，各種己基氧基等。

A¹ ~A² 之取代或者無取代之芳基氧基方面，可例舉例如苯氧基，甲苯基氧基，萘基氧基等。

A¹ ~A² 之取代或者無取代之芳基胺基方面，可例舉例如二苯基胺基，二甲苯基胺基，二萘基胺基，萘基苯基胺基等。

A¹ ~A² 之取代或者無取代之烷基胺基方面，可例舉例如二甲基胺基，二乙基胺基，二己基胺基等。

A¹ ~A² 之鹵原子方面，可例舉例如氟原子，氯原子，溴原子等。

另外，式(1)中，A¹ 及A² 之兩者無為氫原子之情形。

式(1)中，d及e示各自1~5之整數，以1~3為佳。d，e為各自2以上之情形，複數之A¹ ，A² 各自可為相同或相異，互為連接可形成飽和或者不飽和之環。又，h示1~9之整數，以1~3為佳。

R¹¹ 示取代或者無取代之碳數3~10之2級或3級之烷基，或取代或者無取代之碳數3~10之2級或3級環烷基。

R¹¹ 之取代或者無取代之碳數3~10之2級或3級烷基方面，可例舉例如異丙基，三級丁基，二級丁基，三級戊基，1－甲基丁基，1－甲基戊基，1,1’－二甲基戊基，1,1'－二乙基丙基，1－苄基－2－苯基乙基，1－甲氧基乙基，1－苯基－1－甲基乙基等。

R¹¹ 之取代或者無取代之碳數3~10之2級或3級之環烷基方面，可例舉例如環戊基，環己基，正基，金剛烷基等。

式(1)中，f示1~9之整數，以1~3為佳。f為2以上之情形，複數之R¹¹ 可為相同或相異。

R¹² 示氫原子，取代或者無取代之碳數1~10之烷基(較佳為碳數1~6)，取代或者無取代之核碳數5~50之芳基(較佳為核碳數5~10)，取代或者無取代之核碳數3~20之環烷基(較佳為核碳數5~10)，取代或者無取代之碳數1~10之烷氧基(較佳為碳數1~6)，取代或者無取代之核碳數5~50之芳基氧基(較佳為核碳數5~10)，取代或者無取代之核碳數5~50之芳基胺基(較佳為核碳數5~20)，取代或者無取代之碳數1~10之烷基胺基(較佳為碳數1~6)，或鹵原子。

R¹² 之取代或者無取代之烷基，芳基，環烷基，烷氧基，芳基氧基，芳基胺基，烷基胺基及鹵原子之具體例方面，可例舉與上述A¹ ~A² 同樣之物。

式(1)中，g為0~8之整數，以0~2為佳。

g為2以上之情形，複數之R¹² 可為相同或相異。

又，式(1)中，f＋g＋h為2~10之整數，以2~6為佳。

芳香族胺化合物方面，以式(1－1)~(1－7)所示之化合物更佳。

[式(1－1)~(1－7)中，A^l ，A² ，d，e，R¹¹ 及R¹² 與式(1)同]。

第2發光層之膜厚，較佳為1~100nm，更佳為5~50nm。未達1nm時發光層形成為困難，會有色度調整有困難之虞，超過100nm時會有驅動電壓上升之虞。

4.第3發光層

關於發光色，由能量間隙之關係可知第3發光層以綠系發光層為佳。較佳為，綠色系發光之峰值波長為500~550nm。

第3發光層之主材料與摻雜劑可使用上述之物。主材料以與第2發光層同材料為佳。

第3發光層之膜厚較佳為1~100 mm，更佳為5~50nm。未達1nm時發光層形成有困難，色度調整會有困難之虞，超過100nm時驅動電壓有上升之虞。

5.其他有機層

(1)第一有機層在陽極與第1發光層之間，第一有機層可設置電洞注入層，電洞輸送層或有機半導體層等。電洞注入層或電洞輸送層係有助於對發光層之電洞注入，在輸送至發光區域為止層，電洞移動度大，離子化能量通常小至5.5eV以下。電洞注入層係可緩和能量等級之急遽變化等，為調整能量等級而設置。此種電洞注入層或電洞輸送層方面以在更低的電場強度使電洞輸送至發光層之材料為佳，進而電洞之移動度，例如在外加10⁴ ~10⁶ V/cm電場時，至少以10^－6 cm² /V．秒以上為佳。在形成電洞注入層或電洞輸送層之材料方面，若為具有該較佳性質者並無特別限制，可自習知之在光傳導材料中以電洞之電荷輸送材料為慣用之物，或使用於有機EL元件之電洞注入層之周知物中選擇任意之物使用。

此種電洞注入層或電洞輸送層之形成材料方面，具體言之，可例舉例如三唑衍生物(參照美國專利3,112,197號說明書等)，噁二唑衍生物(參照美國專利3,189,447號說明書等)，咪唑衍生物(參照特公昭37－16096號公報等)，聚芳基鏈烷衍生物(參照美國專利3,615,402號說明書，同第3,820,989號說明書，同第3,542,544號說明書，特公昭45－555號公報，同51－10983號公報，日本特開昭51－93224號公報，同55－17105號公報，同56－4148號公報，同55－108667號公報，同55－156953號公報，同56－36656號公報等)，吡唑啉衍生物及吡唑酮(Pyrazolone)衍生物(參照美國專利第3,180,729號說明書，同第4,278,746號說明書，日本特開昭55－88064號公報，同55－88065號公報，同49－105537號公報，同55－51086號公報，同56－80051號公報，同56－88141號公報，同57－45545號公報，同54－112637號公報，同55－74546號公報等)，伸苯二胺衍生物(參照美國專利第3,615,404號說明書，特公昭51－10105號公報，同46－3712號公報，同47－25336號公報，日本特開昭54－53435號公報，同54－110536號公報，同54－119925號公報等)，芳基胺衍生物(參照美國專利第3,567,450號說明書，同第3,180,703號說明書，同第3,240,597號說明書，同第3,658,520號說明書，同第4,232,103號說明書，同第4,175,961號說明書，同第4,012,376號說明書，特公昭49－35702號公報，同39－27577號公報，日本特開昭55－144250號公報，同56－119132號公報，同56－22437號公報，西德專利第1,110,518號說明書等)，胺基取代查耳酮衍生物(參照美國專利第3,526,501號說明書等)，噁唑衍生物(美國專利第3,257,203號說明書等所揭示者)，苯乙烯基蒽衍生物(參照日本特開昭56－46234號公報等)，芴酮衍生物(參照日本特開昭54－110837號公報等)，腙衍生物(參照美國專利第3,717,462號說明書，日本特開昭54－59143號公報，同55－52063號公報，同55－52064號公報，同55－46760號公報，同55－85495號公報，同57－11350號公報，同57－148749號公報，日本特開平2－311591號公報等)，二苯乙烯衍生物(參照日本特開昭61－210363號公報，同第61－228451號公報，同61－14642號公報，同61－72255號公報，同62－47646號公報，同62－36674號公報，同62－10652號公報，同62－30255號公報，同60－93455號公報，同60－94462號公報，同60－174749號公報，同60－175052號公報等)，矽氮烷衍生物(美國專利第4,950,950號說明書)，聚矽烷系(日本特開平2－204996號公報)，苯胺系共聚體(日本特開平2－282263號公報)，日本特開平1－211399號公報所揭示之導電性高分子寡聚物(尤其是噻吩寡聚物)等。

電洞注入層或電洞輸送層之材料方面，可使用上述之物，而可使用卟啉化合物(日本特開昭63－2956965號公報等所揭示者)，芳香族第三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物(參照美國專利第4,127,412號說明書，日本特開昭53－27033號公報，同54－58445號公報，同54－149634號公報，同54－64299號公報，同55－79450號公報，同55－144250號公報，同56－119132號公報，同61－295558號公報，同61－98353號公報，同63－295695號公報等)，芳香族第三級胺化合物。又分子內具有美國專利第5,061,569號所記載之2個縮合芳香族環之，例如4,4'－雙(N－(1－萘基)－N－苯基胺基)聯苯基，又日本特開平4－308688號公報所記載之三苯基胺單位連接於3個星爆型之4,4',4"－三(N－(3－甲基苯基)－N－苯基胺基)三苯基胺等。進而，除了發光層之材料所示之前述芳香族二次甲基系化合物以外，p型Si，p型Sic等無機化合物亦可作為電洞注入層或電洞輸送層之材料來使用。

電洞輸送材料方面以下述一般式(1)所示之該芳香族胺衍生物為所望。

[式中，L₁ 係取代或者無取代之碳數5~60之伸芳基或雜環基所成2價基，Ar₇ ~Ar₁₀ 示各自取代或者無取代之核原子數5~50之取代基或下述一般式所示之取代基。

(式中，L₂ 示取代或者無取代之碳數5~60之伸芳基或雜環基所成2價基，Ar₁₁ ~Ar₁₂ 示各自取代或者無取代之核原子數5~50之取代基)]。

L₁ 及L₂ 方面，可例示聯伸苯基，聯伸三苯基，菲或伸芴基，較佳為聯伸苯基，聯伸三苯基，更佳為聯伸苯基。

Ar₇ ~Ar₁₂ 方面可例示聯苯基，聯三苯基，菲基，芴基，1－萘基，2－萘基或苯基，較佳為聯苯基，聯三苯基，1－萘基或苯基。

該一般式(1)所示之化合物，以Ar₇ ~Ar₁₀ 為同一之取代基為佳。此時，Ar₇ ~Ar₁₀ 較佳為聯苯基，聯三苯基，更佳為聯苯基。

又，該一般式(1)所示之化合物，Ar₇ ~Ar₁₀ 之取代基中以Ar₈ ~Ar₁₀ 為相同之取代基為佳。此時，Ar₈ ~Ar₁₀ 較佳為聯苯基，聯三苯基，更佳為聯苯基，Ar₇ 較佳為聯苯基，聯三苯基，菲基，芴基，1－萘基，2－萘基或苯基，更佳為聯苯基，聯三苯基，1－萘基或苯基。進而較佳之Ar₈ ~Ar₁₀ 為聯苯基，Ar₇ 為聯三苯基，1－萘基。

又，該一般式(1)所示之化合物以在Ar₇ ~Ar₁₀ 之取代基中3個以上為相異之取代基為佳。Ar₇ ~Ar₁₂ 方面較佳為聯苯基，聯三苯基，菲基，芴基，1－萘基，2－萘基或苯基，更佳為聯苯基，聯三苯基，1－萘基或苯基。進而較佳之Ar₉ ~Ar₁₀ 示聯苯基，Ar₇ 示聯三苯基，1－萘基，Ar₈ 示苯基。

電洞注入層方面，可使用下述式之化合物。

(式中，R₁ ，R₂ ，R₃ ，R₄ ，R₅ ，R₆ 示取代或者無取代之烷基，取代或者無取代之芳基，取代或者無取代之芳烷基，或取代或者無取代之雜環基。但R₁ ，R₂ ，R₃ ，R₄ ，R₅ ，R₆ 可為相同或相異。又，R₁ 與R₂ ，R₃ 與R₄ ，R₅ 與R₆ ，或R₁ 與R₆ ，R₂ 與R₃ ，R₄ 與R₅ 可形成縮合環)

更佳為下述之化合物。

此電洞注入層或電洞輸送層，可以上述材料之1種或2種以上所成一層所構成，又，與電洞注入層或電洞輸送層為不同種之化合物所成電洞注入層或電洞輸送層予以層合亦可。電洞注入層或電洞輸送層之膜厚，並無特別限定，較佳為20~200nm。

有機半導體層係有助於對發光層之電洞注入或電子注入之層，以具有10^－10 S/cm以上導電率為恰當。此種有機半導體層之材料方面，可使用含噻吩寡聚物或日本特開平8－193191號公報記載之含芳基胺寡聚物等之導電性寡聚物，含芳基胺樹狀聚合物等之導電性樹狀聚合物等。有機半導體層之膜厚並無特別限定，較佳為10~1,000nm。

(2)第二有機層在陰極與第2發光層之間，第二有機層可設置電子注入層或電子輸送層等。電子注入層或電子輸送層，係在有助於對發光層之電子注入之層中，電子移動度大。電子注入層可緩和能量等級之急遽變化等，為調整能量等級用而設。電子注入層或電子輸送層所使用之材料方面，以8－羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物，噁二唑衍生物，含氮雜環衍生物為恰當。上述8－羥基喹啉或該衍生物之金屬錯合物之具體例方面，可使用羥基喹啉(oxine)(一般為含有8－喹啉酚或8－羥基喹啉)之鉗合物之金屬鉗合物氧化物類化合物，例如三(8－喹啉酚)鋁。接著，噁二唑衍生物方面，可例舉下述式 (式中，Ar⁵⁰ ，Ar⁵¹ ，Ar⁵² ，Ar⁵⁴ ，Ar⁵⁵ 及Ar⁵⁸ 示各自具有取代基或者無取代基之芳基，Ar⁵⁰ 與Ar⁵¹ ，Ar⁵² 與Ar⁵⁴ ，Ar⁵⁵ 與Ar⁵⁸ 可互為相同或相異。Ar⁵³ ，Ar⁵⁶ 及Ar⁵⁷ 各自示具有取代基或不具有取代基之伸芳基，Ar⁵⁶ 與Ar⁵⁷ 可互為相同或相異。)所示之電子傳遞化合物。該等式中芳基方面，可例舉苯基，聯苯基，蒽基，苝基，芘基等。又，伸芳基方面，可例舉伸苯基，伸萘基，聯伸苯基，伸蒽基，伸苝基，伸芘基等。接著，對該等取代基方面可例舉碳數1~10之烷基，碳數1~10之烷氧基或氰基等。此電子傳遞化合物，可恰當使用薄膜形成性良好之物。接著，該等電子傳遞性化合物之具體例方面，可例舉下述之物。

含氮雜環衍生物方面，可例舉含有下述(a)~(c)所示構造之，非金屬錯合物之含氮化合物。

(a)含有＝N－骨架之5員環或者6員環

(b) (式中，X示碳原子或者氮原子。Z₁ 及Z₂ 示各自獨立，可形成含氮雜環之原子群)。

(c)

又，含氮雜環衍生物方面，較佳為具有5員環或者6員環所成含氮芳香多環族，在含有氮原子複數個之情形可例舉具有於不鄰接之結合位之骨架的有機化合物。具有此種複數氮原子之含氮芳香多環族之情形，可例舉具有使上述(a)與(b)或者(a)與(c)予以組合之骨架的含氮芳香多環有機化合物。

進而，含氮雜環衍生物方面，可例舉下述(d)~(g)所示化合物。

(d)含有選自以下之式之含氮雜環基的含氮雜環衍生物。

(式中，R示碳數6~40之芳基，碳數3~40之雜芳基，碳數1~20之烷基或碳數1~20之烷氧基，n為0~5之整數，n為2以上之整數時，複數之R可互為相同或相異)。

(e)進而，恰當的具體化合物方面，為下述式所示之含氮雜環衍生物，HAr-L-Ar⁶¹ -Ar⁶²

(式中，HAr示可具有取代基之碳數3~40之含氮雜環，L示單鍵，可具有取代基之碳數6~40之伸芳基或可具有取代基之碳數3~40之雜伸芳基，Ar⁶¹ 示可具有取代基之碳數6~40之2價芳香族烴基，Ar⁶² 示可具有取代基之碳數6~40之芳基或可具有取代基之碳數3~40之雜芳基。)

HAr可例示下述之基。

L可例示下述之基。

Ar⁶² 可例示下述之基。

Ar⁶¹ 可例示下述之基。

(式中，R⁶¹ ~R⁷⁴ 係各自獨立，示氫原子，鹵原子，碳數1~20之烷基，碳數1~20之烷氧基，碳數6~40之芳氧基，可具有取代基之碳數6~40之芳基或碳數3~40之雜芳基，Ar⁶³ 各自示可具有取代基之碳數6~40之芳基或碳數3~40之雜芳基。)

較佳為R⁶¹ ~R⁷⁴ 均為氫原子。

(f)日本特開平9－3448記載之下述化合物 (式中，R⁸¹ ~R⁸⁴ 為各自獨立，示氫原子，取代或者未取代之脂肪族基，取代或者未取代之脂肪族式環基，取代或者未取代之碳環式芳香族環基，取代或者未取代之雜環基，X⁸¹ ，X⁸² 為各自獨立，示氧原子，硫原子或者二氰亞甲基)。

(g)日本特開2000－173774記載之下述化合物 〔式中，R⁹¹ ，R⁹² ，R⁹³ 及R⁹⁴ 係互為相同或相異之基，以下述式所示之芳基。

(式中，R⁹⁵ ，R⁹⁶ ，R⁹⁷ ，R⁹⁸ 及R⁹⁹ 係互為相同或相異之基，氫原子，或該等至少1個為飽和或不飽和烷氧基，烷基，胺基或烷基胺基。)〕

(h)進而，可為含該含氮雜環基或者含氮雜環衍生物之高分子化合物。

電子注入層或電子輸送層之膜厚並無特別限定，較佳為1~100nm。

為最近於陽極的有機層之第一發光層或第一之有機層以含有氧化劑為佳。恰當的氧化劑，為電子吸引性或電子受體。電子吸引性或電子受體，較佳為具有電子吸引性之取代基或電子缺乏環之有機化合物。

電子吸引性之取代基方面，可例舉例如鹵素，CN-，羰基，芳基硼基等。

電子缺乏環方面可例舉選自例如，2-吡啶基，3-吡啶基，4-吡啶基，2-喹啉基，3-喹啉基，4-喹啉基，2-咪唑，4-咪唑，3-吡唑，4-吡唑，嗒，嘧啶，吡嗪，噌啉，呔，喹唑啉，喹喔啉，3-(1,2,4-N)-三唑基，5-(1,2,4-N)-三唑基，5-四唑基，4-(1-O,3-N)-噁唑，5-(1-O,3-N)-噁唑，4-(1-S,3-N)-噻唑，5-(1-S,3-N)-噻唑，2-苯并唑，2-苯并噻唑，4-(1,2,3-N)-苯并三唑，及苯并咪唑所成群之化合物等，但是並非限定於該等。

較佳為路易士酸，各種苯醌衍生物，二氰醌二甲烷衍生物，以芳香族胺與路易士酸所形成之鹽類。

進而較佳為醌型衍生物，可例示下述式(1a)~(1i)之化合物。更佳為，(1a)，(1b)所示之化合物。

式(1a)~(1i)中，R¹ ~R⁴⁸ 各自示氫，鹵素，氟烷基，氰基，烷氧基，烷基或芳基。較佳為氫，氰基。

式(1a)~(1i)中，X¹ ~X¹⁷ 為電子吸引基，示各自獨立，由下述式(j)~(p)構造之任一種所成。較佳為(j)，(k)，(1)之構造。

(式中，R⁴⁹ ~R⁵² 各自示氫，氟烷基，烷基，芳基或雜環，R⁵⁰ 與R⁵¹ 可形成環)。

式(1a)~(1i)中，Y¹ ~Y²⁸ 係各自獨立，示－N＝或－CH＝。

R¹ ~R⁴⁸ 之鹵素以氟，氯為佳。

R¹ ~R⁴⁸ 之氟烷基以三氟甲基，五氟乙基為佳。

R¹ ~R⁴⁸ 之烷氧基以甲氧基，乙氧基，異丙氧基，三級丁氧基為佳。

R¹ ~R⁴⁸ 之烷基以甲基，乙基，丙基，異丙基，三級丁基，環己基為佳。

R¹ ~R⁴⁸ 之芳基以苯基，萘基為佳。

R⁴⁹ ~R⁵² 之氟烷基，烷基，芳基與R¹ ~R⁴⁸ 同。

R⁴⁹ ~R⁵² 之雜環以下述式所示取代基為佳。

R⁵⁰ 與R⁵¹ 在形成環之情形，X較佳為下述式所示取代基。

(式中，R^51' ，R^52' 各自示甲基，乙基，丙基，三級丁基)。

醌型衍生物之具體例方面，可例舉以下之化合物。

為最近於陰極之有機層的第2發光層或第二有機層以含有還原劑為佳。恰當的還原劑係鹼金屬，鹼土類金屬，鹼金屬氧化物，鹼土類氧化物，稀土類氧化物，鹼金屬鹵素化物，鹼土類鹵素化物，稀土類鹵素化物，鹼金屬與芳香族化合物所形成之錯合物。特佳之鹼金屬為Cs，Li，Na，K。

本發明中，電洞輸送層(電洞注入層)以使用與上述電荷障壁層相同材料來形成為佳。藉此，可減少有機EL元件在製作上使用材料之種類，在工業生產中於成本上為有利。

[實施例]

以下示使用於實施例及比較例之化合物。

上述化合物之，能量間隙(Eg)，游離電位(Ip)，親和力等級(Af)則如表1所示。

化合物特性之測定方法係如以下。

(1)能量間隙(Eg)使用紫外．可視分光光度計(島津公司製，UV－3100PC)，測定材料溶液(溶劑：甲苯)之紫外－可視光吸收光譜，將自其長波長側接線所計算之光學帶間隙(band gap)作為能量間隙(Eg)。

(2)游離電位(Ip)使用大氣中光電子分光測定裝置(理研計器製，AC－1)來測定。相對於照射於材料(粉末)之紫外線能量，將釋出之光電子以乘以1/2繪圖，使光電子釋出能量之閥值作為游離電位(Ip)。

(3)親和力等級(Af)Af=IP-Eg。

(4)驅動電壓

計測在ITO與Al間通電時之電壓(單位：V)使電流密度成為10mA/cm² 。

(5)發光效率

外加電流密度10mA/cm² 時之EL光譜以分光放射亮度計CS1000A(Konica Minolta公司製)計測，計算發光效率(單位：cd/A)。

(6)CIE1931色度

將外加電流密度10mA/cm² 時之EL光譜以分光放射亮度計CS1000A(Konica Minolta公司製)計測CIE1931色度(x，y)。

(7)外部量子收率

將外加電流密度10mA/cm² 時EL光譜以分光放射亮度計CS1000A(Konica Minolta公司製)計測，以下述式計算出。

實施例1

(有機EL元件之形成)將25mm×75mm×1.1mm厚之附有ITO透明電極(陽極)之玻璃基板(Geomatic公司製)(ITO之膜厚130nm)在異丙基醇中進行超音波洗淨5分鐘後，進行UV臭氧洗淨30分鐘。將洗淨後附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板保持架，首先在形成透明電極線側之面上以覆蓋該透明電極之方式使膜厚60nm之HI膜成膜。此HI膜係作為電洞注入層來作用。接續HI膜之成膜，在此HI膜上使膜厚15nm之HT膜成膜。此HT膜係作為電洞輸送層來作用。

進而，持續HT膜之成膜，在膜厚5nm使RH(Eg：2.4eV)與RD，予以蒸鍍成膜成為RD0.5重量%，做成第1發光層(Ip/Af(eV)＝5.6/3.2)。此第1發光層係紅色發光。接著，電荷障壁層係使膜厚5nm之HT膜(BDIp/Af[eV]＝5.36/2.3)成膜。在電荷障壁層上將BH與蒸鍍，成膜使BD成為7.5重量%，做成膜厚40nm之藍色發光層(第2發光層)(Ip/Af[eV]＝5.8/2.8)。在此膜上，電子輸送層係使膜厚20nm之三個(8－喹啉酚)鋁膜(Alq膜)成膜。其後，電子注入層係使LiF膜形成1.6nm。在此LiF膜上使金屬Al進行150nm蒸鍍形成金屬陰極，來形成有機EL發光元件。

(有機EL元件之評價)第5圖示實施例1所製成第1發光層，第1電荷障壁層，第2發光層之能量等級。就所得有機EL發光元件之特性進行測定。結果如表2所示。

比較例1

實施例1中，於形成第1發光層後，除了不形成電荷障壁層以外，其他則與實施例1同，來形成有機EL發光元件。就所得有機EL發光元件，進行與實施例1同樣地測定。測定結果如表2所示。

比較例2

於比較例1中，除了使電洞輸送層之厚度為10nm，第1發光層之厚度為40nm，電子輸送層之厚度為30nm，第二發光層之成膜予以省略之外，其他則與比較例1相同，來形成有機EL發光元件。就所得之有機EL發光元件，進行與實施例1同樣地測定。測定結果如表2所示。

比較例3

在比較例1中，除了電洞輸送層之厚度為20nm，第二發光層之厚度為40nm，第1發光層之成膜予以省略以外，其他與比較例1同樣地形成有機EL發光元件。就所得之有機EL發光元件，進行與實施例1同樣地測定。測定結果如表2所示。

比較例4

在實施例1中，除了電荷障壁層係以厚度5mm使ET膜(Ip/Af[eV]=5.71/2.73)成膜以替代HT以外，其他則與實施例1同樣地形成有機EL發光元件。在第6圖示比較例4所製成第1發光層，第1電荷障壁層，第2發光層之能量等級。就所得有機EL發光元件，進行與實施例1同樣地測定。測定結果如表2所示。

實施例2

在實施例1中，除了第2發光層以膜厚10nm形成後，第3發光層係以膜厚30nm使BH與GD進行蒸鍍，成膜(Ip/Af[eV]=5.8/2.8)使得GD為10重量%，做成綠系發光層後，形成Alq₃ 層(電子輸送層)以外，其他與實施例1同樣地形成有機EL發光元件。就所得有機EL發光元件，進行與實施例相同之測定。測定結果如表2所示。

比較例5

在實施例2中，除了電荷障壁層係以厚度5nm使CBP膜(lp/Af[eV]=5.86/2.41)成膜以替代HT以外，其他則與實施例2同樣地形成有機EL發光元件。在第7圖，示比較例5所製成之第1發光層，第1電荷障壁層，第2發光層之能量等級。就所得有機EL發光元件，進行與實施例相同之測定。測定結果如表2所示。

實施例3

在在實施例1中，除了電荷障壁層係使HT與GD進行蒸鍍，成膜(Ip/Af[eV]＝5.36/2.3)，使得GD為10重量%以替代HT，使第二發光層之厚度為4Onm以外，其他則與實施例1同樣地形成有機EL發光元件。

就所得有機EL發光元件，進行與實施例1同樣地測定。測定結果如表2所示。

實施例4

在實施例2中，電荷障壁層係使HT與GD蒸鍍，成膜(Ip/Af[eV]＝5.36/2.3)，使得GD成為5重量%，以替代HT，並使第二發光層，第三發光層之厚度各自成為15nm，25nm以外，其他則與實施例2同樣地形成有機EL發光元件。

就所得有機EL發光元件，進行與實施例相同之測定。測定結果如表2所示。

在實施例1，將比較例2之紅色發光，比較例3之藍色發光予以組合。使能量間隙小的紅色發光層成為陽極側之第1發光層，使能量間隙大的藍色發光層成為第2發光層，在其間設置親和力等級小的電荷障壁層，可獲得比在各單色之外部量子收率更高，且良好的白色發光(第5圖)。

在實施例2，相對於實施例1進而第3發光層係加入綠色發光層，藉以獲得同等之外部量子收率，進而獲得電流效率高之良好白色發光。

在實施例3，相對於實施例1進而在電荷障壁層摻雜綠色發光材料，可獲得同等外部量子收率同時為良好的白色發光。

在比較例4，因設置親和力等級大的電子輸送性之電荷障壁層，進而泛紅增加了，且效率亦變低(第6圖)。

在比較例5，因設置游離電位大且親和力小的電荷障壁層故電洞積存於第1發光層，相對於實施例2泛紅增加了，無法獲得良好的白色發光(第7圖)。

在比較例1，於亮度10~10000cd/m² 範圍中，CIE1931色度(x,y)自白色附近(0.33,0.33)大幅遠離，泛紅增加並非良好的白色。在實施例1~4色度(x,y)在白色附近，可獲得良好的白色發光。尤其是實施例3，在亮度10~10000cd/m² 之範圍中色度(x，y)之變化比實施例1~2，實施例4更少，進而可獲得良好的白色發光(第8圖，第9圖)。

比較例6

除了將第1發光層，電子障礙層，第2發光層之組成如表3所示改變以外，其他則與實施例1同樣地來製造有機EL元件。亦即，使電荷障壁層之陰極側成為紅色發光層。接著，電荷障壁層係使用Af為3.1eV左右之胺電洞輸送材(GD)。就所得有機EL發光元件進行與實施例相同之測定。測定結果如表3所示。

僅(CIEx,CIEy)＝(0.657,0.340)與第2發光層之紅發光。又，發光效率亦惡化。

比較例7

除了第1發光層，第2發光層之組成如表3所示變化以外，其他則與實施例1同樣，來製造有機EL元件。亦即，與上述比較例6同樣地使電荷障壁層之陰極側成為紅色發光層。在此，使第1發光層之主材料(host)之Af比電荷障壁層之Af為高。就所得有機EL發光元件，進行與實施例相同之測定。測定結果如表3所示。

僅有(CIEx,CIEy)＝(0.657,0.340)與第2發光層之紅發光，效率惡化。在此情形發光亦僅有紅，在第1發光層(藍)並不注入電子，而非為良好的白色。

如此一來，由上述二個比較例可知，第2發光層之主材料之Eg在比第1發光層之主材料之Eg為小之情形，即使對電荷障壁層之Af等級如何的下工夫亦無法取得發光均衡性。

因此，有必要使第2發光層之Eg比第1發光層之Eg更大。

比較例8

除了使第1發光層，電子障礙層，第2發光層之組成變更為如表3所示以外，其他則與實施例1同樣地來製造有機EL元件。亦即，以第1發光層為綠，以第2發光層為藍。接著，在電荷障壁層摻雜紅(RD)。就所得有機EL發光元件，進行與實施例相同之測定。測定結果如表3所示。

由色度數據可知，在電荷障壁層/第2發光層之界面再結合之能量，移動至藍摻雜劑與紅摻雜劑而發光，但是自紅至綠因不進行能量移動故綠之發光幾乎見不到。

比較例9

除了使第1發光層，電子障礙層，第2發光層之組成變更為如表3所示以外，其他則與實施例1同樣地來製造有機EL元件。亦即，使第1發光層為藍，使第2發光層為紅，在電荷障壁層摻雜綠。就所得有機EL發光元件，進行與實施例相同之測定。測定結果如表3所示。

如色度數據所示發光幾乎只有紅。

如實施例3及比較例8，9所示，為構成均衡性良好的3波長白色，則以將發光弱的藍配置於最為再結合之區域為佳。因此，藍成為第2發光層。由主材料之均衡性可知，在第1發光層配置紅。藉由此構成可獲得均衡性良好的白色。

進而，在電荷障壁層摻雜綠時，在電荷障壁層與第2發光層之界面區域產生之激發子能量可使綠發光。進而，在與第1及第2發光層之界面在構成再結合區域之電荷障壁層因使綠摻雜，故綠之發光為穩定。視感性高的綠若發光均衡性崩潰時由人類之眼睛可即知。因此，藉由使綠配置於最為均衡之位置，可成為色偏差少的白色。

實施例5

除了使第2發光層，第3發光層之組成如表3所示改變以外，其他則與實施例2同樣地來製造有機EL元件。就所得有機EL發光元件，與實施例1同樣地進行測定。測定結果如表3所示。

如色度數據所示在460nm附近之藍發光弱，並無法成為恰當的白色發光。原因係在電荷障壁層/第2發光層(綠)界面附近產生再結合而進行綠色發光，但是對藍發光層因能量移動有困難，故藍之發光變弱。

由實施例2及實施例5之對比可知，在實施例2，使在第2發光層之再結合能量移動至第3發光層使第3發光層之綠發光。在實施例2，綠相對於藍則配置於陰極側，藉此可取得對藍之電子注入的均衡性。因而綠摻雜劑成為電子捕獲。藉此，可實現全體均衡性良好的白色元件構成。

實施例6

(全彩發光裝置)在112mm×143mm×1.1mm之支持基板(OA2玻璃：日本電氣硝子公司製)上，黑色矩陣(BM)之材料係使V259BK(新日鐵化學公司製)旋轉塗佈，透過使68μm×285μm為開口之成為格子狀圖型之光罩進行紫外線曝光，以2%碳酸鈉水溶液顯影後，於200℃烘焙，形成黑色矩陣(膜厚1.5μm)之圖型。

接著，藍色濾色器之材料係使V259B(新日鐵化學公司製)旋轉塗佈，透過可得長方形(100μm線，230μm間隙)條帶圖型320支之光罩，對準BM進行紫外線曝光，以2%碳酸鈉水溶液顯影後，於200℃烘焙，形成藍色濾色片(膜厚1.5μm)之圖型。

接著，綠色濾色器之材料係以V259G(新日鐵化學公司製)旋轉塗佈，透過可得長方形(100μm線，230μm間隙)條帶圖型為320支之光罩，對準BM進行紫外線曝光，以2%碳酸鈉水溶液顯影後，以200℃進行烘焙，在鄰接於藍色濾色器之位置形成綠色濾色器(膜厚1.5μm)之圖型。

接著，紅色濾色器之材料係將CRY－S840B(富士Film Arch公司製)旋轉塗佈，透過可得長方形(100μm線，230μm間隙)之條帶圖型為320支之光罩，對準BM進行紫外線曝光，以2%碳酸鈉水溶液顯影後，於200℃烘焙，在藍色濾色器與綠色濾色器間之位置形成紅色濾色器(膜厚1.5μm)之圖型。

接著，平坦化膜係將丙烯酸系熱硬化性樹脂(V259PH：新日鐵化學公司製)於先前之基板上進行旋轉塗佈，於180℃烘焙，形成平坦化膜(膜厚5μm)。

接著，將ITO(銦錫氧化物)藉由濺鍍以130nm膜厚成膜。

接著，在此基板上將正型光阻(HPR204：富士Orlin製)進行旋轉塗佈，透過陰極之擷取部，與成為90μm線，20μm間隙之條帶狀圖型的光罩進行紫外線曝光，以氫氧化四甲基銨之顯影液顯影，於130℃烘焙，獲得光阻圖型。

接著，以ITO蝕刻液，將曝光部分之IT0予以蝕刻。接著，將蝕刻以乙醇胺為主成分之剝離液(N303：長瀨產業製)處理，在藍色濾色器，綠色濾色器，紅色濾色器上之相當位置，獲得ITO圖型(下部電極：陽極，線數960支)。

接著，第一層間絕緣膜係將負型光阻(V259PA：新日鐵化學公司製)旋轉塗佈，透過光罩進行紫外線曝光，以氫氧化四甲基銨之顯影液顯影。接著，在180℃烘焙，來形成被覆ITO邊緣之ITO之開口部為70μm×290μm)格子狀圖型層間絕緣膜。

接著，第二層間絕緣膜(隔壁)，係使負型光阻(ZPN1100：日本Zeon製)旋轉塗佈，透過成為20μm線，310μm間隙之條帶圖型之光罩進行紫外線曝光後，進而在曝光後進行烘焙。接著，以氫氧化四甲基銨之顯影液將負型光阻顯影，來形成與ITO條帶正交之第二層間絕緣膜(隔壁)。

將如此所得之基板在純水及異丙基醇中進行超音波洗淨，以吹氣(air blow)乾燥後，進行UV洗淨。

其後，有機層(電洞注入層~電子注入層為止)，係在覆蓋濾色器之範圍進行掩罩蒸鍍，陰極進而予以光罩蒸鍍成為在先前形成之ITO擷取電極以可連接之方式。陰極(上部電極)則藉由先前在基板上製作之隔壁，被自動地分離，成為與下部電極交差之圖型(線數240支)。

在基板上製作有機EL元件後，在流通有乾燥氮之乾箱使基板移動至不與大氣接觸，在該乾箱內，以封閉基板之藍板玻璃被覆顯示部，顯示部周邊部係以陽離子硬化性之黏接劑(TB3102：Three bond製)進行光硬化而封閉。

如此一來，製作下部電極與上部電極係形成XY基質(matrix)所成全彩發光裝置，在該下部電極與上部電極外加DC電壓(下部電極：(＋)，上部電極：(－))時，在各電極之交差部分(像素)產生發光。

(全彩發光裝置之特性評價)(1)藍色性能在對應於藍色濾色器之下部電極與上部透明電極之間，外加7.25V之直流電壓時，則呈藍色發光。以分光放射亮度計CS－1000(Minolta製)測定時，為亮度31cd/m² ，色度(0.124,0.117)。測定流動於兩電極間之電流值，計算發光效率時，為1.14cd/A。

(2)綠色性能在對應於綠色濾色器之下部電極與上部透明電極之間，在外加7.25V之直流電壓時，則呈綠色發光。以分光放射亮度計CS－1000(Minolta製)測定時，亮度為250cd/m² ，色度(0.247,0.621)。測定流動於兩電極間之電流值，計算發光效率時，為9.24cd/A。

(3)紅色性能在對應於紅色濾色器之下部電極與上部透明電極之間，在外加7.25V之直流電壓時，呈現紅色發光。以分光放射亮度計CS－1000(Minolta製)測定時，為亮度85cd/m² ，色度(0.652,0.335)。測定流經兩電極間之電流值，在計算發光效率時，為3.15cd/A。

(4)全面點燃在全部之下部電極與上部透明電極之間，在外加7.25V之直流電壓時，顯示白色發光。以分光放射亮度計CS－1000(Minolta製)測定時，亮度451cd/m² ，色度(0.324,0.397)。流經兩電極間之電流值，來計算發光效率時為4.51cd/A，具有非常高的效率。

〔產業上之利用可能性〕

本發明之有機EL元件可使用於各種顯示裝置，背光，使用到濾色器之全彩顯示裝置，泛用照明用及特殊照明用光源等。

1．．．陽極

2．．．電洞輸送層

3．．．第1發光層

4．．．電子障壁層

5．．．第2發光層

6．．．電子輸送層

7．．．陰極

10．．．有機EL元件

100．．．全彩發光裝置

110．．．支持基板

120、130、140．．．有機EL元件

122、132、142．．．濾色器

150．．．透明基板

[第1圖]說明與本發明之實施形態1有關之有機EL元件之構成圖。

[第2圖]說明第1圖所示有機EL元件之第1發光層，電荷障壁層及第2發光層之能量等級圖。

[第3圖]與本發明之實施形態2有關之有機EL元件之構成圖。

[第4圖]與本發明之實施形態3有關之有機EL元件之構成圖。

[第5圖]說明實施例1所製成第1發光層，第1電荷障壁層，第2發光層之能量等級圖。

[第6圖]說明比較例4所製成第1發光層，第1電荷障壁層，第2發光層之能量等級圖。

[第7圖]說明比較例5所製成第1發光層，第1電荷障壁層，第2發光層之能量等級圖。

[第8圖]相對於比較例1，實施例1~4所製作之有機EL元件之亮度，CIE1931色度x之值的表示圖。

[第9圖]相對於比較例1，實施例1~4所製成有機EL元件之亮度，CIE1931色度y之值的表示圖。

1．．．陽極

2．．．電洞輸送層

3．．．第1發光層

4．．．電子障壁層

5．．．第2發光層

6．．．電子輸送層

7．．．陰極

10．．．有機EL元件

Claims (20)

1. 一種有機電致發光元件，其含有使陽極、第1發光層、電荷障壁層、第2發光層及陰極依順序層合，該第1發光層及第2發光層各含有主材料及摻雜劑，該第1發光層之主材料之能量間隙(energy gap)比該第2發光層之主材料的能量間隙小，該第1發光層之主材料為電洞輸送性材料，第2發光層之主材料為電子輸送性材料，該第1發光層之主材料之能量間隙係比該第2發光層之主材料之能量間隙小0.4eV以上，該電荷障壁層之親和力等級(affinity level)，比該第2發光層主材料之親和力等級小0.2eV以上，該電荷障壁層之游離電位(Ie1)與該第1發光層之主材料之游離電位(Ih1)，可滿足下述關係(1)，Ie1<Ih1+0.1(eV)...(1)。
2. 一種有機電致發光元件，其含有使陽極、第1發光層、電荷障壁層、第2發光層、第3發光層及陰極依順序層合，該第1發光層、第2發光層及第3發光層各含有主材料及摻雜劑，該第1發光層之主材料之能量間隙比該第2發光層之主材料的能量間隙小0.4eV以上，該第1發光層之主材料為電洞輸送性材料，該第2發光層及第3發光層之主材料為電子輸送性材 料，該電荷障壁層為電洞輸送性材料，該電荷障壁層之游離電位(Ie1)與該第1發光層之主材料之游離電位(Ih1)，可滿足下述關係(1)，Ie1<Ih1+0.1(eV)...(1)。
3. 如申請專利範圍第2項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層之親和力等級，比該第2發光層主材料之親和力等級小0.2eV以上。
4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中該第1發光層之摻雜劑為紅色摻雜劑，該第2發光層之摻雜劑為藍色摻雜劑。
5. 如申請專利範圍第2或3項之有機電致發光元件，其中該第1發光層之摻雜劑為紅色摻雜劑，該第2發光層之摻雜劑為藍色摻雜劑，該第3發光層之摻雜劑為綠色摻雜劑。
6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層含發光材料。
7. 如申請專利範圍第6項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層之發光材料為綠色摻雜劑。
8. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之有機電致發光元件，其中在該陽極與該第1發光層之間，具有與第1發光層鄰接之電洞輸送層。
9. 如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中形成該電洞輸送層之材料與形成該電荷障壁層之材料為 相同材料。
10. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之有機電致發光元件，其中為較近於陽極之有機層的第1發光層或第1有機層含有氧化劑，及/或為較近於陰極之有機層的第2發光層或第2有機層含有還原劑。
11. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之有機電致發光元件，其中該第1發光層之主材料為下述式(1)所示之化合物，該第1發光層之摻雜劑為具有螢蒽(fluoranthene)骨架或苝骨架之化合物，X-(Y)_n (1)(式中，X為碳環3以上之縮合芳香族環基，Y係選自取代或者無取代之芳基、取代或者無取代之二芳基胺基、取代或者無取代之芳烷基或取代或者無取代之烷基之基，n為1~6之整數，n為2以上之情形，Y可為相同或相異)。
12. 如申請專利範圍第11項之有機電致發光元件，其中具有該螢蒽骨架或苝骨架之化合物為下述式(2)或式(3)所示之茚并苝衍生物， 式中，Ar¹ 、Ar² 及Ar³ 各自為取代或者無取代之芳香環基或取代或者無取代之芳香族雜環基，X¹ ~X¹⁸ 各自表示氫、鹵素、烷基、烷氧基、烷硫基、鏈烯基、鏈烯氧基、鏈烯硫基、含芳香環烷基、含芳香環烷氧基、含芳香環烷硫基、芳香環基、芳香族雜環基、芳香環氧基、芳香環硫基、芳香環鏈烯基、鏈烯芳香環基、胺基、咔唑基、氰基、羥基、-COOR^1' (R^1' 係氫、烷基、鏈烯基、含芳香環烷基或芳香環基)、-COR^2' (R^2' 為氫、烷基、鏈烯基、含芳香環烷基、芳香環基或胺基)、或-OCOR^3' (R^3' 為烷基、鏈烯基、含芳香環烷基或芳香環基)，X¹ ~X¹⁸ 之鄰接之基，可互為結合，或與取代之碳原子一起形成環。
13. 如申請專利範圍第12項之有機電致發光元件，其中該茚并苝衍生物為二苯并四苯基二茚并芘(dibenzotetraphenyl perifurantene)衍生物。
14. 如申請專利範圍第11項之有機電致發光元件，其中第1發光層之主材料之縮合環數為4以上，第2發光層之主材料之縮合環數為3環以下。
15. 如申請專利範圍第11項之有機電致發光元件，其中該式(1)所示之化合物為下述式(4)所示之萘并萘(Naphthacene)衍生物， 式(4)中，Q¹ ~Q¹² 為各自獨立表示氫原子、取代或者無取代之碳數1~20之烷基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳基、胺基、取代或者無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或者無取代之碳數1~20之烷硫基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳氧基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳硫基、取代或者無取代之碳數2~20之鏈烯基、取代或者無取代之核碳數7~20之芳烷基或取代或者無取代之核原子數5~20之雜環基，該等可為相同或相異。
16. 如申請專利範圍第15項之有機電致發光元件，其中該式(4)所示之萘并萘衍生物中Q¹ 、Q² 、Q³ 及Q⁴ 之至少一種為芳基。
17. 如申請專利範圍第16項之有機電致發光元件，其中該式(4)所示之萘并萘衍生物為下述式(5)所示者， 式(5)中，Q³ ~Q¹² 、Q¹⁰¹ ~Q¹⁰⁵ 、Q²⁰¹ ~Q²⁰⁵ 為各自獨立表示氫原子、取代或者無取代之碳數1~20之烷基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳基、胺基、取代或者無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或者無取代之碳數1~20之烷硫基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳氧基、取代或者無取代之核碳數6~20之芳硫基、取代或者無取代之碳數2~20之鏈烯基、取代或者無取代之核碳數7~20之芳烷基或取代或者無取代之核原子數5~20之雜環基，該等可為相同或相異，該等鄰接之2個以上可互為結合形成環。
18. 如申請專利範圍第17項之有機電致發光元件，其中該式(5)所示之萘并萘衍生物中Q¹⁰¹ 、Q¹⁰⁵ 、Q²⁰¹ 及Q²⁰⁵ 之至少1個以上表示烷基、芳基、胺基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、鏈烯基、芳烷基或雜環基，該等可為相同或相異。
19. 如申請專利範圍第11項之有機電致發光元件，其中該電荷障壁層含有，第三級胺化合物、咔唑衍生物、含有含氮雜環之化合物或金屬錯合物。
20. 一種全彩發光裝置，其特徵為具備，白色發光之如申請專利範圍第1~3項中任一項之有機電致發光元件、與濾色器。