WO2005093695A1

WO2005093695A1 - サブピクセル

Info

Publication number: WO2005093695A1
Application number: PCT/JP2005/004424
Authority: WO
Inventors: Takashi Chuman; Satoru Ohta; Takahisa Tanabe
Original assignee: Pioneer Corporation
Priority date: 2004-03-26
Filing date: 2005-03-14
Publication date: 2005-10-06
Also published as: TW200537170A; JPWO2005093695A1; US20070194312A1

Abstract

　製造が容易で安価な有機薄膜トランジスタやアモルファスＳｉ薄膜トランジスタを使用した場合であっても、その全体の大きさを大きくする必要がなく、また、表示部の大きさも確保することが可能なサブピクセルを提供する。　一の表示部と、当該表示部を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、を備えるサブピクセルにおいて、前記複数の薄膜トランジスタを、それぞれのチャネルが平行となるように配置する。

Description

サブピクセノレ

技術分野

[0001] 本発明は、カラーディスプレイを構成するピクセルを構成するサブピクセルに関する背景技術

[0002] アクティブ駆動ディスプレイの中で液晶ディスプレイや有機 ELディスプレイなどの力ラーディスプレイは、様々な色に変化する複数のピクセル力構成されており、任意の色に変化させることができる。また、このピクセルは、例えば、 R (赤）、 G (緑)、および B (青）のそれぞれの色を呈する複数のサブピクセル力構成されて、る。

[0003] そして、このサブピクセルは、一の表示部、前記の例でいえば、例えば R (赤）色を呈する表示部と、この表示部をアクティブ駆動させるための複数の薄膜トランジスタ（ TFT)とから構成されている。

[0004] このようなサブピクセルにおいては、カラーディスプレイの高精細化の要求に伴って、できるだけサブピクセルのサイズを小さくすることが望まれており、その一方で、サブピクセルを構成する一の表示部の大きさは確保した、と、う要求も存在する。

[0005] また、サブピクセルを構成する薄膜トランジスタにおいても、その製造の際に高温処理が不要であり、その結果、安価に製造することが可能な有機薄膜トランジスタや、比較的簡便に製造可能なアモルファス Si薄膜トランジスタなどを利用することが検討されている。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] し力しながら、有機薄膜トランジスタやアモルファス Si薄膜トランジスタは、従来からの多結晶 Si薄膜トランジスタに比べて、ソース'ドレイン間のチャネル部分での電荷移動度が低いので、当該有機薄膜トランジスタ等を使用する場合には、チャネル部分を長くする、つまり、従来の多結晶 Si薄膜トランジスタに比べて大きい薄膜トランジスタとする必要が生じる。 [0007] しかし、有機薄膜トランジスタを大きくし、その分だけサブピクセル全体を大きくすることは、前述した「サブピクセル全体のサイズを小さくする」という要求に逆行することであり、また、サブピクセル全体の大きさを変化することなく有機薄膜トランジスタを大きくすると、その分だけ表示部が小さくなつてしまい、そうすると「表示部の大きさを確保する」 t 、う要求を満たすことができな!/、。

[0008] 本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、例えば、製造が容易で安価な有機薄膜トランジスタやアモルファス Si薄膜トランジスタを使用した場合であっても、その全体の大きさを大きくする必要がなぐまた、表示部の大きさも確保することが可能なサブピクセルを提供することを課題の一例とする。

課題を解決するための手段

[0009] 上記課題を解決するための、請求項 1に記載の発明は、カラーディスプレイの画面を構成するピクセルを構成するサブピクセルであって、このサブピクセルは、一の表示部と、当該表示部を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、を備え、かつ、前記複数の薄膜トランジスタは、それぞれのチャネルが平行となるように配置されて、ることを特徴とする。

図面の簡単な説明

[0010] [図 1]本願のサブピクセルの正面図である。

[図 2]図 1に示す A— A断面図であり、本願のサブピクセル 10の表示部 11としての有機 EL表示素子の構成を説明するための概略断面図である。

[図 3]図 1に示す B— B断面図であり、本願のサブピクセル 10の薄膜トランジスタ 13として採用される有機薄膜トランジスタの構成を説明するための概略断面図である。

[図 4]比較例 1のサブピクセルの正面図である。

符号の説明

[0011] 10、 40· ··サブピクセル、 11、 41· ··表示部、 12、 42· ··薄膜卜ランジスタ（スィッチング薄膜トランジスタ）、 13、 43· ··薄膜トランジスタ (ドライビング薄膜トランジスタ）、 14、 44· ··ストレージキヤノシタンス、 15、 45· ··ガラス基板、 20· ··陽極、 21· ··ホール注入層、 22· ··ホール輸送層、 23· ··有機発光層、 24· ··ホールブロッキング層、 25· ··電子輸送層、 26…電子注入層、 27…陰極、 30…ゲート電極、 31· ··ゲート絶縁膜、 32· ·· ソース電極、 33· ··ドレイン電極、 34…へキサメチルジシラザン膜、 35· ··有機半導体層、 C…チャネル

発明を実施するための最良の形態

[0012] 以下に、本願のサブピクセルについて、図面を用いてさらに具体的に説明する。

[0013] 図 1は、本願のサブピクセルの正面図である。

[0014] 図 1に示すように、本願のサブピクセル 10は、ガラス基板 15上に、一の表示部 11と、この表示部 11を駆動するための 2つの薄膜トランジスタ 12、 13とを備える。なお、この 2つの薄膜トランジスタは、スイッチング薄膜トランジスタ 12とドライビング薄膜トランジスタ 13である。また、図示するように、表示部 11や薄膜トランジスタ 12、 13にカロえて、ストレージキャパシタンス 14などを備えていてもよい。そして、本願のサブピクセル 10は、前記複数のトランジスタ（図 1においては、スイッチング薄膜トランジスタ 12とドライビング薄膜トランジスタ 13)は、それぞれのチャネル C、 Cが平行となるように配置されて!、ることに特徴を有して、る。

[0015] このように複数の薄膜トランジスタを、それぞれのチャネルが平行となるように配置することにより、近年、より精細化が進むサブピクセルにおいて、これを構成する表示部 11や薄膜トランジスタ 12、 13を整然と配置することができ、その結果、薄膜トランジスタとして、有機薄膜トランジスタやアモルファス Si薄膜トランジスタを用いた場合であつても、表示部 11の大きさを確保することができる。つまり、有機薄膜トランジスタ等を従来の多結晶 Si薄膜トランジスタに比べて大きくしても、表示部 11の大きさをそのままに確保することができる。

[0016] さらにまた、複数の薄膜トランジスタを、それぞれのチャネルが平行となるように配置することにより、後述する、薄膜トランジスタのチャネル表面に対してラビング処理を行う際に、複数の薄膜トランジスタを均一にラビング処理することができる。

[0017] このような本願のサブピクセル 10において、サブピクセル全体の大きさと薄膜トランジスタの大きさ、すなわち、チャネルの幅については、特に限定することはない。しかしながら、図 1に示すように、サブピクセル 10の一辺の長さ Xを 1とした場合に、薄膜トランジスタ 12、 13、特に、ドライビング薄膜トランジスタ 13のチャネルの幅 Yは 0. 4以上が好ましぐ 0. 5以上が特に好ましい。 [0018] 本願のサブピクセル 10を構成する表示部 11については、特に限定されることはなぐ例えば、液晶表示素子であってもよぐまた有機 EL表示素子であってもよい。

[0019] 図 2は、図 1に示す A— A断面図であり、本願のサブピクセル 10の表示部 11としての有機 EL表示素子の構成を説明するための概略断面図である。

[0020] 図 2に示すように、表示部 11としての有機 EL表示素子は、ガラス基板 15上に、陽極 20、ホール注入層 21、ホール輸送層 22、有機発光層 23、ホールブロッキング層 2 4、電子輸送層 25、電子注入層 26、及び陰極 27、を順次積層して形成されている。なお、当該有機 EL表示素子を構成する陽極 20—陰極 27までの各材質等については、本願は特に限定することはなぐ従来公知の材質を任意に用いることができる。

[0021] また、このような有機 EL表示素子の製造方法についても、本願は特に限定することはなぐ例えば、真空蒸着装置などを用いて、各層を順次積層してもよい。

[0022] 本願のサブピクセル 10を構成する薄膜トランジスタ 12、 13についても、特に限定されることはなぐ V、かなる薄膜トランジスタ ( 、わゆる TFT)を用いることも可能である。しかしながら、本願のサブピクセルの特徴や効果を最大限に発揮するには、有機薄膜トランジスタ、またはアモルファス Si薄膜トランジスタを用いることが好ましい。これらの薄膜トランジスタは製造が容易であり、比較的安価に入手可能であるからである。また、有機薄膜トランジスタやアモルファス Si薄膜トランジスタを用いた場合には、従来の多結晶 Siトランジスタと比べて、電荷移動度が低いという問題があるが、本願のサブピクセルによれば、その分チャネルの幅を大きくすることができるので電荷移動度を高くすることができる。しかも、本願のサブピクセルによれば、チャネルの幅を大きくしても、それぞれが平行に配置されているので、前記の表示部の大きさを確保できる。

[0023] 図 3は、図 1に示す B— B断面図であり、本願のサブピクセル 10の薄膜トランジスタ 1 3として採用される有機薄膜トランジスタの構成を説明するための概略断面図である。なお、この説明においては、ドライビング薄膜トランジスタ 13として説明する力スイツチング薄膜トランジスタ 12も同様に有機薄膜トランジスタを採用することができる。

[0024] ドライビング薄膜トランジスタ 13としての有機薄膜トランジスタは、ガラス基板 15上に、ゲート電極 30、ゲート絶縁膜 31、ソース電極 32、ドレイン電極 33、へキサメチルジシラザン膜 34、および有機半導体層 35を、図示するように順次積層して形成されている。そして本願の薄膜トランジスタのチャネル Cとは、ソース電極 32とドレイン電極 3 3との間の部分のことである。

このような有機薄膜トランジスタの有機半導体層 35としては、半導体特性を示す有機材料であれば良ぐ例えば、低分子系材料では、フタロシアニン系誘導体、ナフタロシアニン系誘導体、ァゾ化合物系誘導体、ペリレン系誘導体、インジゴ系誘導体、キナクリドン系誘導体、アントラキノン類などの多環キノン系誘導体、シァニン系誘導体、フラーレン類誘導体、あるいはインドール、カルパゾール、ォキサゾール、イソォキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、ォキサジァゾール、ピラゾリン、チアチアゾール、トリァゾールなどの含窒素環式化合物誘導体、ヒドラジン誘導体、トリフエ-ルァミン誘導体、トリフエ-ルメタン誘導体、スチルベン類、アントラキノンジフエノキノン等のキノン化合物誘導体、ベンタセン、アントラセン、ビレン、フエナントレン、コロネンなどの多環芳香族化合物誘導体などを挙げることができる。また、高分子系材料では、上述した低分子系化合物の構造がポリエチレン鎖、ポリシロキサン鎖、ポリエーテル鎖、ポリエステル鎖、ポリアミド鎖、ポリイミド鎖等の高分子の主鎖中に用いられたもの、あるいは側鎖としてペンダント状に結合したもの、若しくは、ポリパラフェ-レン等の芳香族系共役性高分子、ポリアセチレン等の脂肪族系共役性高分子、ポリピノールやポリチフェン率の複素環式共役性高分子、ポリア-リン類やポリフエ- レンサルファイド等の含へテロ原子共役性高分子、ポリ（フエ-レンビ-レン)やポリ（チヱ二レンビニレン)等の共役性高分子の構成単位が交互に結合した構造を有する複合型共役系高分子等の炭素系共役系高分子が用いられる。また、ポリシラン類やジシラ-レンァリレンポリマー類、（ジシラ-レン）エテュレンポリマー類、（ジシラ-レン )ェチ-レンポリマーのようなジシラ-レン炭素系共役系ポリマー構造などのオリゴシラン類と炭素系共役性構造が交互に連鎖した高分子類などが用いられる。他にもリン系、窒素系などの無機元素からなる高分子鎖でもよぐさらにフタロシアナートポリシロキサンのような高分子鎖の芳香族系配位子が配位した高分子類、ペリレンテトラ力ルボン酸のようなペリレン類を熱処理して縮環させた高分子類、ポリアクリロニトリルなどのシァノ基を有するポリエチレン誘導体を熱処理して得られるラダー型高分子類、さらにべ口ブスカイト類に有機化合物がインター力レートした複合材料を用いてもよ

[0026] また、有機薄膜トランジスタのソース電極 32およびドレイン電極 33としても、特に限定されることはなく充分な導電性があれば、いかなる材料をも用いることができる。例えば、 Pt、 Au、 Cr、 W、 Ru、 Ir、 Sc、 Ti、 V、 Mn、 Fe、 Co、 Niゝ Zn、 Ga、 Y、 Zr、 Nb 、 Mo、 Tc、 Rh、 Pd、 Ag、 Cd、 Ln、 Sn、 Ta、 Re、 Os、 Tl、 Pb、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 P m、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb、 Lu、などの金属単体、若しくはこれらの金属の積層体、さらにはこれらの金属の化合物でもよい。また ITO (Indium— Ti n Oxide)や IZO (Indium— Zinc Oxide)のような金属酸化物、ポリア-リン類、ポリチォフェン類、ポリピロール類などの共役性高分子化合物を含む有機導電材料でもよい。

[0027] また、有機薄膜トランジスタのゲート電極 30およびゲート絶縁膜 31としては、ゲート電極 30として Taを用い、これを陽極酸ィ匕することによって、ゲート絶縁膜 31としての Ta Oを形成することが一例として挙げられる力これに限定されることはない。ゲー

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ト電極 30の材料としては、陽極酸ィ匕が可能な金属であればヽかなる金属であってもよぐ例えば、 Al、 Mg、 Ti、 Nb、 Zr、等の単体、もしくはこれらの金属の合金を挙げることができ、また、これらを陽極酸ィ匕することによって、ゲート絶縁膜 31とすることができる。また、ゲート電極の陽極酸ィ匕によりゲート絶縁膜を形成しない場合には、ゲート電極 30は、前記ソース電極 32やドレイン電極 33と同一の材料を用いることができる。また、この場合のゲート絶縁膜 31としては、 LiO、 LiN、 NaO、 KO、 RbO、 NaO 、 CsO、 BeO、 MgO、 MgN、 CaO、 CaN、 SrO、 BaO、 ScO、 YO、 YN、 L aO、 LaN、 CeO、 PrO、 NbO、 SmO、 EuO、 GdO、 TbO、 DyO、 HoO、 E rO、 TmO、 YbO、 LuO、 TiO、 TiN、 ZrO、 ZrN、 HfO、 ThO、 VO、 VN、 NbO、 TaO、 TaN、 CrO、 MoO、 MoN、 WO、 WN、 MnO、 ReO、 FeO、 FeN、 RuO、 OsO、 CoO、 RhO、 IrO、 NiO、 PdO、 PtO、 CuO、 CuN、 A gO、 AuO、 ZnO、 CdO、 HgO、 BO、 BN、 AIO、 A1N、 GaO、 GaN、 InO 、 SiN、 GeO、 SnO、 PbO、 PO、 PN、 AsO、 SbO、 SeO、 TeO、等の金属酸化物でも、 LiAlO、 Li SiO、 Li TiO、 Na Al O 、 NaFeO、 Na SiO、 K Si

2 2 3 2 3 2 22 34 2 4 4 2 O、 K TiO、 K WO、 Rb CrO、 Cs CrO、 MgAl O、 MgFe O、 MgTiO、 Ca

3 2 3 3 4 2 4 2 4 2 4 2 4 3

TiO、 CaWO、 CaZrO、 SrFe O 、 SrTiO、 SrZrO、 BaAl O、 BaFe O 、

3 4 3 12 19 3 3 2 4 12 19

BaTiO、 YA1 O 、 YFe O 、 LaFeO、 LaFe O 、： La Ti O、 CeSnO、 CeTi

3 15 12 5 12 3 5 12 2 2 7 4

O、 Sm Fe O 、 EuFeO、 Eu Fe O 、 GdFeO、 Gd Fe O 、 DyFeO、 Dy Fe

4 3 5 12 3 3 5 12 3 3 5 12 3 3

O 、 HoFeO、 Ho Fe O 、 ErFeO、 Er Fe O 、 Tm Fe O 、 LuFeO、 Lu F

5 12 3 3 5 12 3 3 5 12 3 6 12 3 3 e O 、 NiTiO、 Al TiO、 FeTiO、 BaZrO、 LiZrO、 MgZrO、 HfTiO、 NH

5 12 3 2 3 3 3 3 3 4 4

VO、 AgVO、 LiVO、 BaNb O、 NaNbO、 SrNb O、 KTaO、 NaTaO、 SrT

3 3 3 2 6 3 2 6 3 3 a O、 CuCr O、 AgCrO、 BaCrO、 K MoO、 Na MoO、 NiMoO、 BaWO、

2 6 2 4 4 4 2 4 2 4 4 4

Na WO、 SrWO、 MnCr O、 MnFe O、 MnTiO、 MnWO、 CoFe O、 ZnFe

2 4 4 2 4 2 4 3 4 2 4

O、 FeWO、 CoMoO、 CuTiO、 CuWO、 Ag MoO、 Ag WO、 ZnAl O、 Z

2 4 4 4 3 4 2 4 2 4 2 4 nMoO、 ZnWO、 CdSnO、 CdTiO、 CdMoO、 CdWO、 NaAlO、 MgAl O

4 4 3 3 4 4 2 2 4

、 SrAl O、 Gd Ga O 、 InFeO、 Mgln O、 Al TiO、 FeTiO、 MgTiO、 Na S

2 4 3 5 12 3 2 4 2 5 3 3 2 iO、 CaSiO、 ZrSiO、 K GeO、 Li GeO、： Bi Sn O、 MgSnO、 Na TeO、な

3 3 4 2 3 2 3 2 3 9 3 2 4 どの金属複合酸化物でも、 FeS、 Al S、 MgS、 ZnSなどの硫化物、 LiF、 MgF、 S

2 3 2 mFなどのフッ化物、 HgCl、 FeCl、 CrClなどの塩化物、 AgBr、 CuBr、 MnBrな

3 2 3 2 どの臭化物、 Pbl、 Cul、 Felなどの溶化物、または、 SiAlONなどの金属酸化窒化

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物でも、用いることができる。またポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアタリレート、エポキシ榭脂、フエノール榭脂、ポリビュルアルコールなどのポリマー材料をゲート絶縁膜とすることも有効である。

このような各材料を用いて有機薄膜トランジスタを製造する方法についても、本願は特に限定することはなぐ従来公知の方法を用いることができる。例えば、洗浄したガラス基板 15上に、ゲート電極 30およびストレージキャパシタンス 14用の Ta膜を成膜し、 RIE装置にてドライエッチングを行い、所望の配線パターンを形成する。この際、 2つの有機薄膜トランジスタ、つまり、スイッチング有機薄膜トランジスタ 12とドライビング有機薄膜トランジスタ 13、それぞれのゲート電極 30の向きを平行にして、各トランジスタのチャネルの方向が平行となるように配線パターンをデザインする。その後、 T a配線膜に陽極酸ィ匕を行うことにより Taの表面を Ta O膜で覆い、これをゲート絶縁

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膜 31とすることができる。さらに、その後、ソース電極 32およびドレイン電極 33用の C r膜、 Au膜をパターンユングし、ディップコート法で、へキサメチルジシラザン膜 34をゲート絶縁膜 31上に設けることにより、図 2に示す有機薄膜トランジスタを形成することがでさる。

[0029] また、上述してきた材料により形成された有機薄膜トランジスタについては、そのチャネル部分、つまり、図 3に示す有機薄膜トランジスタにおいては、へキサメチルジシラザン膜 34上をラビング処理することが好ま、。

[0030] このラビング処理とは、布、例えば、フェルトやブラシ等で同一方向に膜表面を擦る処理であり、配向処理とも呼ばれている。この処理を行うことにより、有機半導体への配向性が向上し、有機薄膜トランジスタの電荷移動度を高くすることができる。なお、擦る方向にっ、ては、チャネル部分の材質により任意に決定すればょ、。

[0031] なお、本願の発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

[0032] 例えば、上記の説明においては、基板 15としてガラス基板を用いた力これに限定されることはなく、ポリエーテルスルホン（Polyethersulfone： PES)やポリカーボネート ( polycarbonate： PC)などのプラスチック基板や、ガラスとプラスチックの積層基板でもよぐまた、基板表面にアルカリバリア膜や、バスノリア膜がコートされていてもよい。

[0033] さらに薄膜トランジスタとして有機薄膜トランジスタを用い、また表示部として有機 EL 表示素子を用いる場合には、これらを水分力も保護するために、サブピクセル全体を封止することが好ま Uヽ（図示せず)。この封止の方法にっ、ても本願は特に限定することはなく、例えば、封止缶を用いてもよぐまた無機系やポリマー系による榭脂膜によって封止してもよい。

実施例

[0034] (実施例 1)

本願のサブピクセルの実施例として、図 1に示すようなサブピクセルを製造した。なお、サブピクセルを構成する 2つのトランジスタとしては有機薄膜トランジスタを用い、図 1に示すように、それぞれのチャネルが平行となるように配置した。また、その製造方法は上記で説明した通りである。また、 2つの有機薄膜トランジスタのチャネルには上記で説明したラビング処理を 1回のみ施した。また、製造したサブピクセルの寸法は、サブピクセル 10の 1辺の長さ： lmm、スイッチング有機薄膜トランジスタ 12の幅： 400 μ m、ドライビング有機薄膜トランジスタ 13の幅： 700 μ m、チャネル Cの距離（電極間の距離）： 10 m、である。

[0035] (比較例 1)

図 4は、比較例 1のサブピクセルの正面図である。

[0036] 比較例として、図 4にしめすようなサブピクセル、つまり、サブピクセルを構成する 2 つのトランジスタ力直交するように配置されているサブピクセルを製造した。なお、この比較例において用いられた 2つのトランジスタそれぞれについては、上記実施例 1 と同一の材料を用い、同一の方法で製造した。また、ラビング処理としては、図 4の下から上の方向（矢印参照）で、つまり、図 4に示すトランジスタ 42のチャネルに沿って、 1回ラビング処理を施した。

[0037] (結果）

前記実施例 1、および比較例 1それぞれのサブピクセルのトランジスタの電荷移動度を測定したところ、実施例 1のサブピクセルのトランジスタは、それぞれ電荷移動度が 0. 23cm Vs, 0. 21cm²/Vsであるのに対し、比較例 1のサブピクセルのトランジスタは、チャネルに沿ってラビング処理されたトランジスタ 42は電荷移動度が 0. 21 cm²/Vsであったものの、もう一方のトランジスタ 43は、 0. 05cm²/Vsであった。

[0038] また、実施例 1と比較例 1のサブピクセルはその全体の大きさは同一であるにもかかわらず、その表示部 11、 41を比べると、実施例 1のサブピクセルの方が大きくなつて、ることが分力る。

[0039] 以上の結果より、本願のサブピクセルによれば、薄膜トランジスタとして、有機薄膜トランジスタゃアモルファス Si薄膜トランジスタを用いた場合であっても、表示部の大きさを確保することができ、また、複数の薄膜トランジスタがそれぞれのチャネルが平行となるように配置されているので、 1回のラビング処理のみで複数の薄膜トランジスタを一度にラビング処理することができ、それぞれの電荷移動度を向上せしめることができる。一方、比較例 1からも明らかなように、複数の薄膜トランジスタをそのチャネルが平行になるように配置しないと、その分だけ表示部が小さくなつてしまい、また、一回のラビング処理では、当該ラビング処理の方向に沿って形成されて、るチャネルしか処理できな、ので、サブピクセルを構成する複数の薄膜トランジスタの全てを均一にラビング処理することができな!/、。

Claims

請求の範囲

[1] カラーディスプレイの画面を構成するピクセルを構成するサブピクセルであって、このサブピクセルは、一の表示部と、当該表示部を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、を備え、かつ、前記複数の薄膜トランジスタは、それぞれのチャネルが平行となるように配置されて、ることを特徴とするサブピクセル。

[2] 前記複数の薄膜トランジスタのうちの少なくとも 1つの薄膜トランジスタのチャネルの幅力サブピクセルの一辺の長さを 1とした場合に 0. 4以上であることを特徴とする請求項 1に記載のサブピクセル。

[3] 前記薄膜トランジスタが、有機薄膜トランジスタまたはアモルファス Si薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項 1または 2に記載のサブピクセル。

[4] 前記表示部が、有機 EL素子であることを特徴とする、請求項 1から 3の何れか一の請求項に記載のサブピクセル。

[5] 前記複数の薄膜トランジスタのチャネル力^ビング処理されて、ることを特徴とする請求項 1から 4の何れか一の請求項に記載のサブピクセル。