WO2005074069A1

WO2005074069A1 - 高周波モジュール用部品および高周波モジュール

Info

Publication number: WO2005074069A1
Application number: PCT/JP2005/000844
Authority: WO
Inventors: Tatsuya Fukunaga
Original assignee: Tdk Corporation
Priority date: 2004-01-28
Filing date: 2005-01-24
Publication date: 2005-08-11
Also published as: JP2005217604A

Abstract

　挿入損失が少ない高周波モジュールを提供する。導波管型導波路用凹部（８）、および導波管型導波路用凹部（８）に連通する遮断導波路用凹部（９），（１０）がそれぞれ形成され、導波管型導波路用凹部（８）および遮断導波路用凹部（９），（１０）の境界部分に短絡柱（５），（６）が立設されている高周波モジュール用部品（２）と、高周波モジュール用部品（２）の一方の面（４ａ）に接して配設され、高周波モジュール用部品（２）との接触面において導波管型導波路用凹部（８）を閉塞するグランド電極（１１）、および短絡柱（５），（６）の先端に接触するＴＥＭモード線路（１２），（１３）が形成された基板（３）とを備えている。

Description

明細書

高周波モジュール用部品および高周波モジュール技術分野

[0001] 本発明は、基板上に実装されることにより、例えばマイクロ波やミリ波などの電磁波（高周波信号）を対象とする高周波モジュールを構成する高周波モジュール用部品、およびこの高周波モジュール用部品を用いた高周波モジュールに関するものである

背景技術

[0002] この種の高周波モジュール用部品を用いた高周波モジュールとして、特開 2003— 273605号公報に開示された高周波モジュール (導波管型フィルタ）が知られている。この導波管型フィルタは、高周波モジュール用部品としての筐体 20および基板 9を備えて構成されている。筐体 20は、同公報中の図 3に示すように、下面が開口すると共に、内部に複数の仕切 23が配設された金属製の箱体に構成されている。基板 9は、同公報中の図 4に示すように、筐体 20の下面における開口部分を覆う広さに形成されたグランド電極 8と、グランド電極 8の一辺に接続された信号伝送路 60とが表面に形成されている。また、導波管型フィルタは、同図に示すように、筐体 20が基板 9 におけるグランド電極 8の形成部位に実装されて構成されている。この導波管型フィルタでは、筐体 20の内面とグランド電極 8との間に空洞共振器が構成されて、信号伝送路 60を伝搬した信号 (TEMモードの電磁波）は、信号伝送路 60とグランド電極 8との接合部分において、空洞共振器内の TEモードの電磁波と磁界結合される。

[0003] ところ力上述した従来の高周波モジュールには、以下の問題点がある。すなわち、この高周波モジュールでは、信号伝送路 60とグランド電極 8とを基板 9の表面におレ、て接合する構成のため、両者の接合部分において信号伝送路 60の周囲に発生する TEMモードの電磁波に基づく磁界は、信号伝送路 60上方の空間と信号伝送路 60下方の基板 9内とを通過することになる。このため、比誘電率の大きい基板 9の内部を通過する電磁波の磁界密度は強ぐ比誘電率の小さい空間中を通過する電磁波の磁界密度は弱くというように、基板 9の内部と空間中とにおける磁界密度の偏りが大きくなる。この場合、磁界密度の小さい空間中を通過する電磁波と空洞共振器内の電磁波とが結合することにより、 TEMモードの電磁波力 TEモードの電磁波に変換される。したがって、この高周波モジュールには、 TEMモードの電磁波力ら TE モードの電磁波に変換する際の効率が低いことに起因して、揷入損失が大きいという問題点がある。なお、この入力部が高周波モジュールの出力部として用いられる場合、TEモードの電磁波から TEMモードの電磁波に変換する際の変換効率が低いため、同様にして、揷入損失が大きいという問題点がある。

発明の開示

[0004] 本発明は、力かる問題点を解決すべくなされたものであり、高周波モジュールに用レ、たときに挿入損失を低減し得る高周波モジュール用部品、および挿入損失が少ない高周波モジュールを提供することを主目的とする。

[0005] 本発明に係る高周波モジュール用部品は、一方の面に形成された導波管型導波路用凹部の内面における周縁部位に短絡柱が立設されている。

[0006] また、本発明に係る高周波モジュール用部品は、導波管型導波路用凹部と、この導波管型導波路用凹部に連通する遮断導波路用凹部とがー方の面にそれぞれ形成され、導波管型導波路用凹部と遮断導波路用凹部との境界部分に短絡柱が立設されている。

[0007] この場合、導波管型導波路用凹部における幅方向の中央部分に短絡柱を立設するのが好ましい。

[0008] また、樹脂成形によって形成し、少なくとも一方の面側の表面全域を導電材料でコ一ティングするのが好ましい。

[0009] また、本発明に係る高周波モジュールは、上記の高周波モジュール用部品と、高周波モジュール用部品の一方の面に接して配設され、この高周波モジュール用部品との接触面において導波管型導波路用凹部を閉塞するグランド電極、および短絡柱の先端に接触する TEMモード線路が形成された基板とを備えている。

[0010] 本発明に係る高周波モジュール用部品によれば、一方の面に形成された導波管型導波路用凹部の内面における周縁部位に短絡柱を立設したことにより、例えば、ダランド電極および TEMモード線路を表面に形成した基板に対して、導波管型導波路用凹部がグランド電極によって閉塞され、かつ短絡柱の先端が TEMモード線路と短絡するように高周波モジュール用部品を装着することで、短絡柱の周囲に誘電体の存在しない高周波モジュールを作製することができる。したがって、この短絡柱に TE Mモード（または TEモード）の電磁波を通過させることで、 TEモード（または TEMモード）の電磁波に変換することができ、その際に、短絡柱の周囲に発生する電磁波の磁界は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、強い磁界密度の TEMモードの電磁波と導波管型導波路内の電磁波とが磁界結合する。したがって、 TEモードの電磁波と TEMモードの電磁波との間で効率よくモード変換される。この結果、高周波モジュールの揷入損失を低減することができる。

[0011] また、本発明に係る高周波モジュール用部品によれば、導波管型導波路用凹部と遮断導波路用凹部との境界部分に短絡柱を立設したことにより、例えば、グランド電極および TEMモード線路を表面に形成した基板に対して、導波管型導波路用凹部がグランド電極によって閉塞され、かつ短絡柱の先端が TEMモード線路と短絡するように高周波モジュール用部品を装着することで、上記した高周波モジュール用部品と同様の作用効果を奏することができる。カロえて、遮断導波路用凹部が遮断導波路として機能するため、導波管型導波路用凹部とグランド電極とで囲まれた導波管型導波路内に発生する電磁波の外部への漏洩を低減させることができる。したがつて、高周波モジュールに用いたときに、遮断導波路用凹部が設けられていない高周波モジュールと比較して、その高周波モジュールの挿入損失をさらに低減することができる。

[0012] また、本発明に係る高周波モジュール用部品によれば、導波管型導波路用凹部における幅方向の中央部分に短絡柱を立設したことにより、導波管型導波路用凹部とグランド電極とで囲まれた導波管型導波路内に発生する TEモードの電磁波の磁界強度が最大となる部位で TEMモードの電磁波と磁気的に結合させることができる。したがって、 TEMモードの電磁波と TEモードの電磁波とを一層良好に磁界結合させること力 Sできる結果、高周波モジュールの揷入損失を一層低減することができる。

[0013] また、本発明に係る高周波モジュール用部品によれば、樹脂成形によって形成し、少なくとも一方の面側の表面全域を導電材料でコーティングしたことにより、金属板から削り出しで作製する構成と比較して、簡易かつ安価に製造することができ、しかも大幅に軽量ィ匕することができる。

[0014] また、本発明に係る高周波モジュールによれば、上記の高周波モジュール用部品と、高周波モジュール用部品の一方の面に接して配設され、高周波モジュール用部品との接触面において導波管型導波路用凹部を閉塞するグランド電極、および短絡柱の先端に接触する TEMモード線路が形成された基板とを備えたことにより、導波管型導波路用凹部がグランド電極によって閉塞され、かつ短絡柱の先端が TEMモード線路と短絡するように高周波モジュール用部品を装着することで、短絡柱の周囲に誘電体の存在しない高周波モジュールを作製することができる。したがって、この短絡柱に TEMモード（または TEモード）の電磁波を通過させることで、 TEモードほたは TEMモード）の電磁波に変換することができ、その際に、短絡柱の周囲に発生する電磁波の磁界は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、強い磁界密度の TEMモードの電磁波と導波管型導波路内の電磁波とが磁界結合する。したがって、 TEモードの電磁波と TEMモードの電磁波との間で効率よくモード変換される。この結果、高周波モジュールの挿入損失を低減することができる。

図面の簡単な説明

[0015] [図 1]本発明の一実施の形態における高周波モジュールの構成を示す斜視図である

[図 2]図 1における高周波モジュール用部品の裏面側から見た斜視図である。

[図 3]高周波モジュール用部品および基板の構成を示す分解斜視図である。

[図 4]高周波モジュールの動作を説明するための説明図である。

[図 5]高周波モジュールの変形例の構成を示す斜視図である。

発明を実施するための最良の形態

[0016] 以下、添付図面を参照して、本発明に係る高周波モジュール用部品およびこの高周波モジュール用部品を用いた高周波モジュールの最良な形態について説明する

[0017] 最初に、本発明に係る高周波モジュール用部品および高周波モジュールの構成について、図面を参照して説明する。

[0018] 高周波モジュール 1は、図 1に示すように、高周波モジュール用部品 2および基板 3 を備えて構成され、バンドパスフィルタとして機能する。高周波モジュール用部品 2は、図 2に示すように、モジュール用部品本体 4、 2つの短絡柱 5, 6および一対の仕切壁 7, 7を備えている。モジュール用部品本体 4は、同図に示すように、外形が直方体状に形成されると共に、平面視形状がそれぞれ長方形に規定された導波管型導波路用凹部（以下、「導波路用凹部」ともいう） 8および 2つの遮断導波路用凹部 9， 10 が同一深さで一方の面（同図中の上面、図 3中の下面） 4a側にそれぞれ形成されている。この場合、導波路用凹部 8は、遮断導波路用凹部 9， 10の間において、各遮断導波路用凹部 9, 10にそれぞれ連通するように形成されている。また、一例として、各遮断導波路用凹部 9, 10は、モジュール用部品本体 4の長手方向に位置する各面 4b， 4cに接して形成されている。また、各遮断導波路用凹部 9, 10は、面 4b， 4c に沿った方向の横幅が導波路用凹部 8よりも幅狭に形成されている。さらに、各面 4b , 4c側には、 TEMモード線路 12を通過する TEMモードの電磁波に対する影響を回避するために、その一部 (TEMモード線路 12の上方部位）を切り欠いた切欠部 2 5が形成されている。この場合、切欠部 25の切欠幅 L1は、コプレーナ線路としての T EMモード線路 12の両側に形成されてレ、るグランド電極 11 , 11間の幅 L2よりも狭く形成されている。また、切欠部 25の部位には、非導電材料製 (例えば樹脂製)の防塵蓋（図示せず）が嵌め込まれてレ、る。

[0019] 短絡柱 5は、導波路用凹部 8の内面 8aおよび遮断導波路用凹部 9の内面 9aの少なくとも一方における導波路用凹部 8と遮断導波路用凹部 9との境界線近傍 (境界部分）に立設されている。一方、短絡柱 6は、導波路用凹部 8の内面 8aおよび遮断導波路用凹部 10の内面 10aの少なくとも一方における導波路用凹部 8と遮断導波路用凹部 10との境界線近傍 (境界部分）に立設されている。この高周波モジュール 1では、一例として、図 2に示すように、各短絡柱 5， 6は、各遮断導波路用凹部 9， 10の内面 9a, 10a側にそれぞれ立設されている力 S、上述した境界線を跨ぐようにしてその一部が導波路用凹部 8の内面 8a側に位置するようにそれぞれ立設されてレ、てもよレ、し、各境界線を越えて導波路用凹部 8の内面 8a側に位置するようにそれぞれ立設されていてもよい。また、各短絡柱 5， 6は、導波路用凹部 8における各遮断導波路用凹部 9 , 10と接する幅方向の各辺の中央部分に立設されている。一対の仕切壁 7, 7は、導波路用凹部 8におけるモジュール用部品本体 4の長手方向と平行な一対の内壁面にそれぞれ接した状態で、導波路用凹部 8の内面 8aにおけるこの長手方向の中間位置にそれぞれ立設されている。以上のような構成を有する高周波モジュール用部品 2は、モジュール用部品本体 4、各短絡柱 5， 6および各仕切壁 7, 7が樹脂成形によって一体的に形成されて構成されている。また、高周波モジュール用部品 2は、一方の面側の表面全域が導電材料でコーティングされている。すなわち、内面 8aを含む導波路用凹部 8の表面全域、内面 9aを含む遮断導波路用凹部 9の表面全域、内面 10aを含む遮断導波路用凹部 10の表面全域、各短絡柱 5, 6の表面全域、各仕切壁 7, 7の表面全域および一方の面 4aが導電材料でコーティングされている。なお、高周波モジュール用部品 2の表面全域を導電材料でコーティングする構成を採用することもできる力導電材料の使用量増加を避けるためには、高周波モジュール用部品 2の一方の面側の表面全域のみを導電材料でコーティングするのが好ましい。また、高周波モジュール用部品 2は、アルミニウムなどの金属板から削り出して作製することもできる力簡易かつ安価に製造でき、し力も大幅な軽量化も図れるという点で、上述したように、樹脂成形で製造するのが好ましい。

基板 3は、例えば、ガラスエポキシ系樹脂材料で形成されると共に、図 3に示すように、グランド電極 11および一対の TEMモード線路 12, 13がそれぞれ表面（同図中の上面）に形成されている。グランド電極 11は、その外形がモジュール用部品本体 4 の一方の面 4a全域を包含する広さに規定されると共に、各遮断導波路用凹部 9, 10 に対応する各部位 (長手方向の各端部 l ib, 11cにおける中央部分）が各遮断導波路用凹部 9, 10よりも若干広めに切り欠かれている。各 TEMモード線路 12， 13は、この切り欠かれた各部位内において、各端部 l ib, 11cの両端部に残存するグランド電極 11に挟まれ、かつ各々の先端がグランド電極 11の中央部分 1 laに向けて延出して形成されてコプレーナ線路に形成されている。また、 TEMモード線路 12は、高周波モジュール用部品 2を基板 3に実装した状態において、短絡柱 5の先端面が位置する部位にその先端が達するように、その全長が規定されている。同様にして、 T EMモード線路 13も、短絡柱 6の先端面が位置する部位にその先端が達するように、その全長が規定されている。

[0021] また、高周波モジュール 1は、図 1に示すように、基板 3におけるグランド電極 11および各 TEMモード線路 12， 13の形成面に高周波モジュール用部品 2を実装して構成されている。この実装状態では、高周波モジュール用部品 2の導波路用凹部 8がグランド電極 11の中央部分 11aによって閉塞されると共に、各短絡柱 5， 6の先端面（本発明における先端）と各 TEMモード線路 12, 13の先端部分とが互いに短絡する。この構成により、導電材料でコーティングされた導波路用凹部 8の表面およびグランド電極 11で囲まれた領域は、空洞に形成されて、 TEモードの電磁波を伝搬する導波管型導波路 Aとして機能する。また、この導波管型導波路 Aは、一対の仕切壁 7, 7で区画された 2つの領域を内部に備え、この 2つの領域のうちの TEMモード線路 1 2側の領域が空洞型の共振器 21を構成し、 TEMモード線路 13側の領域が空洞型の共振器 22を構成する。また、各遮断導波路用凹部 9， 10は、 TEMモード線路 12 , 13の延在方向と直交する横方向の幅が導波路用凹部 8の横幅よりも幅狭に形成されることにより、導波管型導波路 A内を伝搬する電磁波に対する遮断導波路として機能する。

[0022] 次に、高周波モジュール 1の動作について、図 4を参照して説明する。

[0023] この高周波モジュール 1では、同図に示すように、 TEMモード線路 12に入力された TEMモードの電磁波 W1は、 TEMモード線路 12を経由して短絡柱 5に達し、次いで、短絡柱 5内を通過する。そして、その際に、短絡柱 5の周囲に環状の磁界 HI を発生させる。この場合、共振器 21の E面において磁界 HIの方向と共振器 21に発生する電磁波の磁界 H2の方向とがー致する。したがって、 TEMモードの電磁波 W 1と共振器 21内の電磁波（磁界 H2)とが磁界結合する。この際に、短絡柱 5が基板 3 に立設されてレ、るため（基板 3から起立してレ、るため）、磁界 HIは誘電体としての基板 3内を通過しない。したがって、短絡柱 5の周囲に発生する電磁波 W1の磁界 HI は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、強い磁界密度の TEMモードの電磁波 W1と共振器（導波管型導波路） 21内を伝搬する TEモードの電磁波（磁界 H2)とが磁界結合する。したがって、 TEMモードの電磁波 Wlと TEモードの電磁波（磁界 H2)との間で効率よくモード変換される。この結果、高周波モジュール 1の挿入損失が低減される。また、この高周波モジュール 1では、導波路用凹部 8における遮断導波路用凹部 9と接する幅方向の各一辺の中央部分に短絡柱 5が立設されているため、共振器 21内を伝搬する TEモードの電磁波（磁界 H2)の磁界強度が最大となる部位で TEMモードの電磁波 W1と磁界結合する。したがって、 TEMモードの電磁波 W1 (磁界 HI)は、共振器 21内の電磁波（磁界 H2) と良好な状態で磁界結合する。つまり、 TEMモードの電磁波 W1 (磁界 HI)が TEモードの電磁波（磁界 H2)に効率よく変換される。

次いで、共振器 21内の電磁波（磁界 H2)は、一対の仕切壁 7， 7間に形成された隙間を E面結合窓として、共振器 22内の電磁波（磁界 H3)と磁界結合することによつて共振器 22内に図 4に示す磁界 H3が発生する。一方、短絡柱 6に発生する TEMモードの電磁波 W2の磁界 H4の方向は同図に示す方向となる。このため、電磁波の磁界 H3の方向と TEMモードの電磁波 W2の磁界 H4の方向とがー致する。したがって、共振器 22内の電磁波（磁界 H3)と TEMモードの電磁波 W2とが磁界結合する。この際に、短絡柱 6が基板 3に立設されているため（基板 3から起立しているため）、磁界 H4は誘電体としての基板 3内を通過しない。したがって、短絡柱 6の周囲に発生する電磁波 W2の磁界 H4は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、共振器 (導波管型導波路） 22内を伝搬する TEモードの電磁波（磁界 H3)と TEMモードの電磁波 W2とが良好に磁界結合する。したがって、 TE モードの電磁波（磁界 H2)と TEMモードの電磁波 W2との間で効率よくモード変換される。この結果、高周波モジュール 1の挿入損失が低減される。また、導波路用凹部 8における遮断導波路用凹部 10と接する幅方向の各一辺の中央部分に短絡柱 6が立設されているため、共振器 22内を伝搬する TEモードの電磁波（磁界 H3)の磁界強度が最大となる部位で TEモードの電磁波（磁界 H3)と TEMモードの電磁波 W2 ( 磁界 H4)とが磁界結合する。したがって、共振器 22内の電磁波は電磁波 W2と良好な状態で磁界結合する。つまり、 TEモードの電磁波（磁界 H3)が TEMモードの電磁波 W2 (磁界 H4)に効率よく変換される。この後、 TEMモードの電磁波 W2は、短絡柱 6を通過して TEMモード線路 13に達し、この TEMモード線路 13を介して出力される。以上のようにして、この高周波モジュール 1は、 TEMモード入力- (TEモード変換一 TEMモード変換一) TEMモード出力型のフィルタとして機能する。

[0025] このように、この高周波モジュール 1によれば、基板 3から起立する短絡柱 5, 6を備えて構成したことにより、 TEMモードの電磁波 W1から TEモードの電磁波（磁界 H2) への変換の際、および TEモードの電磁波（磁界 H3)力、ら TEMモードの電磁波 W2 への変換の際に、短絡柱 5， 6の周囲に発生する電磁波の磁界 Hl， H4は、同じ誘電率の空間内を通過するため、磁界密度の偏りが小さくなる。このため、 TEMモードの電磁波 W1と TEモードの電磁波（磁界 HI)とを良好に磁界結合させることができると共に、 TEモードの電磁波（磁界 H3)と TEMモードの電磁波 W2とを良好に磁界結合させることができる。したがって、 TEモードの電磁波（磁界 HI , H2)と TEMモードの電磁波 Wl , W2との間で効率よくモード変換される。この結果、揷入損失の極めて小さい高周波モジュール 1を構成することができる。

[0026] また、この高周波モジュール 1によれば、各 TEMモード線路 12, 13に対応させて各遮断導波路用凹部 9, 10を形成したことにより、導波管型導波路 Aを伝搬する各電磁波（磁界 H2, H3)に対する遮断導波路として各遮断導波路用凹部 9, 10をそれぞれ機能させることができる結果、各電磁波（磁界 H2, H3)の外部への漏洩を防止すること力 Sできる。また、導波路用凹部 8における各遮断導波路用凹部 9， 10と接する幅方向の各一辺の中央部分に各短絡柱 5, 6を立設したことにより、導波管型導波路 A内を伝搬する TEモードの各電磁波（磁界 H2, H3)の磁界強度が最大となる部位で TEMモードの電磁波 Wl, W2とそれぞれ磁界結合させることができる。したがって、 TEMモードの電磁波 W1と TEモードの電磁波（磁界 H2)との磁界結合、および TEモードの電磁波（磁界 H3)と TEMモードの電磁波 W2とを一層良好に磁界結合させることができる。この結果、高周波モジュール 1の揷入損失を一層低減すること力 Sできる。

[0027] なお、本発明は、上記した構成に限定されなレ、。例えば、導波路用凹部 8の両側に各遮断導波路用凹部 9, 10を配設した高周波モジュール 1について上記したが、各遮断導波路用凹部 9, 10のうちのいずれか一方のみを配設する構成を採用することができるし、遮断導波路用凹部 9， 10を設けない構成を採用することもできる。一例として、図 5に示す高周波モジュール 31では、導波路用凹部 8および遮断導波路用凹部 10を配設して遮断導波路用凹部 9を配設していないモジュール用部品本体 34で構成された高周波モジュール用部品 32を用レ、て、 TEMモード線路 13側にのみ遮断導波路が形成されている。この場合、 TEMモード線路 12側の短絡柱 5は、導波路用凹部 8の内面 8aにおける周縁部位に立設されている。また、面 4bには、 TEMモード線路 12を通過する TEMモードの電磁波に対する影響を回避するために、その一部 (TEMモード線路 12の上方部位であって短絡柱 5の近傍部位）を切り欠いた切欠部 35が形成されている。この場合、切欠部 35の切欠幅 L1は、コプレーナ線路としての TEMモード線路 12の両側に形成されているグランドパターン間の幅 L2よりも狭く形成されている。また、切欠部 35の部位には、非導電材料製 (例えば樹脂製)の防塵蓋（図示せず）が嵌め込まれている。なお、同図において高周波モジュール 1と同一の構成については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。この高周波モジュール 31によれば、遮断導波路用凹部 9が設けられてレ、なレ、分だけ電磁波（磁界 H2)が外部に漏洩するものの、それ以外の点に関しては、高周波モジュール 1と同様の作用効果を奏することができる。また、高周波モジュール 1 , 31として、各 TEM モード線路 12, 13をコプレーナ線路で形成した例について上記した力 S、マイクロストリップ線路やストリップ線路で形成することもできる。

Claims

請求の範囲

[1] 一方の面に形成された導波管型導波路用凹部の内面における周縁部位に短絡柱が立設されている高周波モジュール用部品。

[2] 導波管型導波路用凹部と、前記導波管型導波路用凹部に連通する遮断導波路用凹部とがー方の面にそれぞれ形成され、

前記導波管型導波路用凹部と前記遮断導波路用凹部との境界部分に短絡柱が立設されている高周波モジュール用部品。

[3] 前記短絡柱は、前記導波管型導波路用凹部における幅方向の中央部分に立設されている請求の範囲第 1項記載の高周波モジュール用部品。

[4] 樹脂成形によって形成されると共に少なくとも前記一方の面側の表面全域が導電材料でコーティングされている請求の範囲第 1項記載の高周波モジュール用部品。

[5] 樹脂成形によって形成されると共に少なくとも前記一方の面側の表面全域が導電材料でコーティングされている請求の範囲第 2項記載の高周波モジュール用部品。

[6] 樹脂成形によって形成されると共に少なくとも前記一方の面側の表面全域が導電材料でコーティングされている請求の範囲第 3項記載の高周波モジュール用部品。

[7] 請求の範囲第 1項記載の高周波モジュール用部品と、

前記高周波モジュール用部品の前記一方の面に接して配設され、前記高周波モジュール用部品との接触面において前記導波管型導波路用凹部を閉塞するグランド電極、および前記短絡柱の先端に接触する TEMモード線路が形成された基板とを備えている高周波モジュール。

[8] 請求の範囲第 2項記載の高周波モジュール用部品と、

前記高周波モジュール用部品の前記一方の面に接して配設され、この高周波モジユール用部品との接触面において前記導波管型導波路用凹部を閉塞するグランド電極、および前記短絡柱の先端に接触する TEMモード線路が形成された基板とを備えている高周波モジュール。

[9] 請求の範囲第 3項記載の高周波モジュール用部品と、

[10] 請求の範囲第 4項記載の高周波モジュール用部品と、

[11] 請求の範囲第 5項記載の高周波モジュール用部品と、

[12] 請求の範囲第 6項記載の高周波モジュール用部品と、