WO2005031759A1 - 導電粒子及びこれを用いた異方導電性接着剤 - Google Patents

導電粒子及びこれを用いた異方導電性接着剤 Download PDF

Info

Publication number
WO2005031759A1
WO2005031759A1 PCT/JP2004/013800 JP2004013800W WO2005031759A1 WO 2005031759 A1 WO2005031759 A1 WO 2005031759A1 JP 2004013800 W JP2004013800 W JP 2004013800W WO 2005031759 A1 WO2005031759 A1 WO 2005031759A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductive
insulating
particles
nucleus
insulating layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/013800
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroyuki Fujihira
Original Assignee
Sony Chemicals Corp.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Chemicals Corp. filed Critical Sony Chemicals Corp.
Publication of WO2005031759A1 publication Critical patent/WO2005031759A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/04—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0224—Conductive particles having an insulating coating

Definitions

  • the present invention relates to conductive particles for an anisotropic conductive adhesive used for electrical connection between a liquid crystal display (LCD) and a circuit board, for example.
  • LCD liquid crystal display
  • an anisotropic conductive adhesive has been used as a means for connecting a liquid crystal display device to an integrated circuit substrate or the like.
  • the anisotropic conductive adhesive connects, for example, terminals of a flexible printed circuit (FPC) or an IC chip to terminals of an ITO (Indium Tin Oxide) electrode formed on a glass substrate of an LCD panel. It is used when various terminals are bonded together and electrically connected to each other.
  • FPC flexible printed circuit
  • ITO Indium Tin Oxide
  • Patent Document 1 JP-A-7-118617
  • Patent Document 2 JP-A-2000-215730
  • the insulating property may not be sufficient due to the stress due to the flow of the conductive particles at the time of pressure bonding and the deformation of the bump serving as the connection electrode. is there.
  • the present invention has been made in order to solve such problems of the related art, and has been made of a conductive particle for an anisotropic conductive adhesive having a sufficient insulating property with respect to a fine pitch connection terminal.
  • the purpose is to provide.
  • the present invention made to achieve the above object provides a conductive nucleus having a conductive surface.
  • the conductive particles have an insulating layer formed on the surface thereof, and insulating fine particles are embedded in the insulating layer.
  • the hardness of the insulating fine particles is larger than the hardness of the insulating layer.
  • the conductive nucleus has a conductive layer formed on the surface of an insulating nucleus.
  • the average particle diameter of the insulating fine particles is 1Z5 or less of the average particle diameter of the conductive nucleus.
  • the present invention is a method for producing conductive particles by embedding insulating fine particles by a hybridization treatment in an insulating layer of a conductive nucleus having an insulating layer formed on the surface of the nucleus. It is also effective to form an insulating layer on the surface of the conductive nucleus by means of a treatment.
  • the present invention provides an insulating adhesive and an insulating layer formed on the surface of a conductive nucleus dispersed in the insulating adhesive and having a conductive surface, and the insulating fine particles are formed on the insulating layer. Embedded! / Conductive particles and an anisotropic conductive adhesive.
  • the hardness of the insulating fine particles is larger than the hardness of the insulating layer.
  • the conductive nucleus has a conductive layer formed on the surface of an insulating nucleus.
  • the average particle diameter of the insulating fine particles is 1Z5 or less of the average particle diameter of the conductive nucleus.
  • the insulating adhesive is formed in a film shape.
  • the hardness of the insulating fine particles is made larger than that of the insulating layer.
  • the average particle diameter of the insulating fine particles is set to be 1Z5 or less of the average particle diameter of the conductive nucleus, it is possible to improve the insulating property without reducing the adhesive force. Become.
  • the conductive particles of the present invention are easy and efficient by embedding insulating fine particles by a hybridization treatment in an insulating layer of a conductive nucleus having an insulating layer formed on a nucleus surface. Can be manufactured well.
  • an anisotropically conductive adhesive and an anisotropically conductive adhesive film having a sufficient insulating property with respect to a fine pitch connection terminal it is possible to provide an anisotropically conductive adhesive and an anisotropically conductive adhesive film having a sufficient insulating property with respect to a fine pitch connection terminal.
  • the conductive particles of the present invention can be used for any paste-like or film-like anisotropic conductive adhesive.
  • FIGS. 1 (a) and 1 (b) are cross-sectional views showing the configuration of an embodiment of the anisotropic conductive adhesive film according to the present invention.
  • an anisotropic conductive adhesive film 1 of the present invention is used for electrical connection of connection electrodes 12, 22 of a pair of circuit boards 11, 21, and Conductive particles 3 are dispersed in a resinous insulating adhesive resin 2 in a shape.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of an embodiment of the conductive particles according to the present invention.
  • the conductive particles 3 of the present embodiment have a conductive nucleus 30 having a conductive surface.
  • the conductive nucleus 30 is, for example, a resin particle (insulating layer nucleus) 30A which also has a silicone polymer power such as silicone rubber as a nucleus, and a metal plating 30B as a conductive layer on the surface thereof.
  • the power that is applied is also composed.
  • the metal plating 30B for example, nickel / gold plating can be used.
  • the conductive particles 3 for example, it is also possible to use particles having a metallic force such as nickel and gold. From the viewpoint of fine pitch, the surface of the resin particles 30 A is coated with a metal plating 30 B It is preferable to use those that have been subjected to!
  • an insulating layer 31 is formed on the surface of the conductive core 30 from the viewpoint of ensuring insulation between adjacent connection electrodes.
  • the material of the insulating layer 31 it is preferable to use a resin having a softening point higher than the heating temperature at the time of temporary compression bonding.
  • the softening point of the resin for the insulating layer 31 is preferably 80-300 ° C, more preferably 80-2 ° C.
  • Examples of the resin meeting such conditions include epoxy resin, acrylic styrene copolymer resin, and the like.
  • the thickness of the insulating layer 31 is not particularly limited, but is preferably in the range of 1Z5 to 3Z5 of the average particle diameter of the conductive nucleus from the viewpoint of fine pitch.
  • the insulating layer 31 can be formed by various methods.
  • the force of increasing the unevenness of the insulating layer 31 and improving the adhesiveness and the insulating property is also determined by the high pre-digestion treatment described later. Preferably, it is formed.
  • insulating fine particles 32 are embedded in the insulating layer 31 of the conductive particles. In this case, the insulating fine particles 32 also partially expose the surface force of the insulating layer 31.
  • the type of the insulating fine particles 32 is not particularly limited. However, from the viewpoint of sufficiently improving the insulating properties of the conductive particles, those having a hardness larger than that of the insulating layer 31 are used. Preferably.
  • As such insulating fine particles 32 those made of silicon dioxide (SiO 2) are particularly preferable from the viewpoint of obtaining appropriate hardness.
  • the average particle diameter of the insulating fine particles 32 is not particularly limited, but is preferably 1Z5 or less of the average particle diameter of the conductive nucleus from the viewpoint of the fine pitch. .
  • FIG. 3 (a)-(c) is a process chart showing an example of a method for producing the conductive particles of the present embodiment.
  • a conductive nucleus 30 having the above resin particles 30A as a nucleus and a metal plating 3B on the surface thereof is prepared.
  • an insulating layer 31 is formed on the surface of the conductive nucleus 30 by, for example, dipping in a solution for forming an insulating layer and drying.
  • the embedding of the insulating fine particles 32 can be performed by a known hybridization process.
  • the high pretension treatment is a process in which fine particles are combined with fine particles (for example, see Powder and Industrial VOL.27, NO.8, 1995, p35-42, etc.).
  • mechanical thermal energy mainly impact force
  • the connection terminals are not subjected to thermocompression bonding. Since the contact of the conductive nucleus 30 is prevented, an anisotropic conductive adhesive and a film thereof having sufficient insulating properties with respect to the fine pitch connection terminal can be obtained.
  • the insulating property can be reliably improved.
  • the conductive core 30 is made of resin particles 30A having a metal plating 30B formed on the surface thereof, an appropriate resilience can be obtained, so that it is possible to cope with finer pitch. become. Furthermore, if the average particle diameter of the insulating fine particles 32 is set to be equal to or less than 1 Z5 of the average particle diameter of the conductive core 30, it is possible to improve the insulating property without lowering the adhesive force. it can.
  • the insulating fine particles 32 are buried in the insulating layer 31 of the conductive nucleus 30 in which the insulating layer 31 is formed on the surface of the nucleus by a hybridization treatment. By doing so, it is possible to manufacture easily and efficiently.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of another embodiment of the conductive particles according to the present invention.
  • portions common to the above-described embodiment will be denoted by the same reference numerals and detailed description thereof will be given. Description is omitted.
  • the conductive particles 3A of the present embodiment have an insulating layer 31 formed on the surface of a conductive nucleus 30 similarly to the above-described embodiment.
  • a large number of insulating fine particles 32 are embedded in 31! / ,.
  • the surface of insulating fine particles 32 is covered with the material constituting insulating layer 31.
  • FIGS. 5A and 5B are process diagrams showing an example of a method for producing the conductive particles of the present embodiment.
  • a conductive nucleus 30 having the above resin particles 30A as a nucleus and metal plating 3B on the surface thereof is prepared.
  • insulating particles 33 covering the surface of the insulating fine particles 32 using the material forming the insulating layer 31 are prepared, and the above-described hybridization is performed. By the treatment, the insulating particles 33 are combined with the conductive nuclei 30.
  • the surface of the edge fine particles 32 is coated, for example, by dipping in a solution for forming an insulating layer and drying.
  • an anisotropic conductive adhesive and an anisotropic conductive adhesive having sufficient insulating properties to the fine pitch connection terminals are provided. A film is obtained.
  • Other configurations and operational effects are the same as those of the above-described embodiment, and thus detailed description thereof will be omitted.
  • the conductive core 30 described above, the particles constituting the insulating layer 31, The particles 32 can be charged into the above-mentioned hybridization system to prepare conductive particles.
  • the conductive particles 3 are formed by this step, the dispersibility of the insulating fine particles 32 can be improved, and the conductive fine particles 3 can be obtained by preventing the insulating fine particles 32 from falling off. .
  • Core particles with an insulating layer made of acrylic styrene copolymer resin with a thickness of 1 ⁇ m are prepared on particles obtained by plating an insulating nucleus of silicone rubber with an average particle diameter of 5 ⁇ m. did.
  • the core particles and SiO particles having an average particle size of 0.5 ⁇ m are mixed in a plastic bag.
  • the mixture was put into a neutralization system (o-type manufactured by Nara Machinery Co., Ltd.) to produce conductive particles.
  • this anisotropic conductive adhesive film was cut into a slit shape to obtain an example.
  • An insulating layer having a thickness of 1 m made of an acrylic styrene copolymer resin was formed on the surface of the particles obtained by plating the insulating nucleus with gold by using the above hybridization system.
  • the core particles and the SiO particles are injected into the hybridization system.
  • Example 2 Further, the anisotropic conductive adhesive film of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1.
  • Example 3 Further, the anisotropic conductive adhesive film of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1.
  • An anisotropic conductive adhesive film of Comparative Example 1 was prepared in the same manner as in Example except that conductive particles having no insulating layer were used.
  • Example 2 The same method as in Example 1 except that SiO particles were embedded, and that conductive particles were used.
  • the samples of the example and the comparative example were arranged between a pair of substrates on which patterns were formed at intervals of 10 ⁇ m, and thermocompression bonding was performed.
  • insulating the thing resistance between patterns is less than IX 10 5 ⁇ X, 1 ⁇ 10 5 ⁇ or more
  • the conduction reliability was measured by measuring the resistance value between patterns after repeating a temperature cycle of -40 ° C to 100 ° C for 1000 cycles, and determining that the conduction resistance value between the patterns was less than 10 ⁇ .
  • X, X is 10 ⁇ or more.
  • the anisotropic conductive adhesive films of Examples 13 to 13 had good insulation properties and good conduction reliability.
  • the present invention can be used for, for example, electrical connection between a liquid crystal display device and a circuit board having fine pitch connection terminals.
  • FIG. 1 (a): Cross-sectional view showing an example of a connection method using an anisotropic conductive adhesive film according to the present invention (part 1) (b): Anisotropic conductive adhesive according to the present invention Sectional view showing an example of a connection method using a film (part 2)
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of an embodiment of a conductive particle according to the present invention.
  • FIG. 3 (a): Step diagram showing an example of a method for manufacturing the conductive particles of the embodiment (part 1) (b): Step diagram showing an example of a method for manufacturing the conductive particles of the embodiment (Part 2) (c): Process drawing showing an example of the method for producing the conductive particles of the embodiment (part 3)
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of another embodiment of the conductive particles according to the present invention.
  • FIG. 5 (a): Step diagram showing an example of a method for producing the conductive particles of the embodiment (part 1) (b): Step diagram showing an example of a method for producing the conductive particles of the embodiment (Part 2) Explanation of code

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

　本発明は、ファインピッチの接続端子に対して十分な絶縁性を有する異方導電性接着剤用の導電粒子を提供するものである。 　本発明の導電粒子３は、導電性の表面を有する導電性核体３０を有している。導電性核体３０の表面には、絶縁層３１が形成されている。絶縁層３１には、絶縁層３１の硬さより硬さの大きい絶縁性微粒子（例えばＳiＯ2粒子）３２が埋め込まれている。導電性核体３０としては、絶縁性核体の表面に導電層が形成されたものを用いるとよい。絶縁性微粒子３２は、その平均粒子径が導電性核体３０の平均粒子径の１／５以下であることが好ましい。絶縁性微粒子３２は、ハイブリダイゼーション処理によって埋め込むことが好ましい。

Description

明 細 書
導電粒子及びこれを用いた異方導電性接着剤
技術分野
[0001] 本発明は、例えば液晶表示装置 (LCD)及び回路基板間の電気的な接続に用いら れる異方導電性接着剤用の導電粒子に関する。
背景技術
[0002] 従来より、例えば、液晶表示装置と集積回路基板等を接続する手段として、異方性 導電接着剤が用いられて ヽる。
[0003] この異方性導電接着剤は、例えば、フレキシブルプリント基板 (FPC)や ICチップの 端子と、 LCDパネルのガラス基板上に形成された ITO (Indium Tin Oxide)電極 の端子とを接続する場合を始めとして、種々の端子同士を接着するとともに電気的に 接続する場合に用いられて 、る。
[0004] 近年、接続端子のファインピッチ化に伴う接続端子の接続面積の減少に対応する ため、導電粒子の表面に榭脂をコーティングすることによって絶縁性を向上させるこ とが行われている。
[0005] 特許文献 1 :特開平 7— 118617号公報
特許文献 2 :特開 2000— 215730号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] し力しながら、このような従来の異方導電性接着剤によっても、圧着時における導 電粒子の流れによる応力や、接続電極であるバンプの変形によって絶縁性が十分で ない場合がある。
[0007] 本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、ファイン ピッチの接続端子に対して十分な絶縁性を有する異方導電性接着剤用の導電粒子 を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0008] 上記目的を達成するためになされた本発明は、導電性の表面を有する導電性核体 の当該表面に絶縁層が形成され、この絶縁層に絶縁性微粒子が埋め込まれている 導電粒子である。
本発明にお 、ては、前記絶縁性微粒子の硬さが絶縁層の硬さより大き 、ことも効果 的である。
本発明においては、前記導電性核体が絶縁性核体の表面に導電層が形成された ものであることも効果的である。
本発明にお！、ては、前記絶縁性微粒子の平均粒子径が導電性核体の平均粒子径 の 1Z5以下であることも効果的である。
また、本発明は、核体表面に絶縁層が形成された導電性核体の絶縁層に、ハイブ リダィゼーシヨン処理によって絶縁性微粒子を埋め込む導電粒子の製造方法である 本発明においては、ノ、イブリダィゼーシヨン処理によって導電性核体の表面に絶縁 層を形成することも効果的である。
また、本発明は、絶縁性接着剤と、前記絶縁性接着剤中に分散され、導電性の表 面を有する導電性核体の当該表面に絶縁層が形成されこの絶縁層に絶縁性微粒子 が埋め込まれて！/ヽる導電粒子と、有する異方導電性接着剤である。
本発明にお 、ては、前記絶縁性微粒子の硬さが絶縁層の硬さより大き 、ことも効果 的である。
本発明においては、前記導電性核体が絶縁性核体の表面に導電層が形成された ものであることも効果的である。
本発明にお！、ては、前記絶縁性微粒子の平均粒子径が導電性核体の平均粒子径 の 1Z5以下であることも効果的である。
本発明にお 、ては、前記絶縁性接着剤がフィルム状に形成されて 、ることも効果的 である。
本発明の場合、導電性核体表面に形成された絶縁層に絶縁性微粒子を埋め込む ことによって、熱圧着時に接続端子に対する導電性核体の接触が阻止されるため、 ファインピッチの接続端子に対して十分な絶縁性を有する異方導電性接着剤及び異 方導電性接着フィルムが得られる。 [0010] また、本発明にあっては、絶縁性微粒子の硬さを絶縁層より大きくすることによって
、絶縁性を確実に向上させることが可能になる。
[0011] さらに、導電性核体として、絶縁性核体の表面に導電層が形成されたものを用いれ ば、適度な反発性が得られるため、よりファインピッチへの対応が可能になる。
[0012] さらにまた、絶縁性微粒子の平均粒子径を、導電性核体の平均粒子径の 1Z5以 下となるようにすれば、接着力を低下させることなぐ絶縁性を向上させることが可能 になる。
[0013] 一方、本発明の導電粒子は、核体表面に絶縁層が形成された導電性核体の絶縁 層に、ハイブリダィゼーシヨン処理によって絶縁性微粒子を埋め込むことによって、容 易かつ効率良く製造することができる。
発明の効果
[0014] 本発明によれば、ファインピッチの接続端子に対して十分な絶縁性を有する異方導 電性接着剤及び異方導電性接着フィルムを提供することができる。
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、本発明に係る導電粒子及びこれを用いた異方導電性接着剤の好ま 、実 施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
なお、本発明の導電粒子は、ペースト状又はフィルム状の異方導電性接着剤のい ずれにも使用することができるものである。
[0016] 図 1 (a) (b)は、本発明に係る異方導電性接着フィルムの実施の形態の構成を示す 断面図である。
図 1 (a) (b)に示すように、本発明の異方性導電接着フィルム 1は、一対の回路基板 11、 21の接続電極 12、 22の電気的な接続に用いられるもので、フィルム状の絶縁 性接着剤榭脂 2中に導電粒子 3が分散されて ヽる。
この異方導電性接着フィルム 1を用いて接続電極 12、 22の接続を行うには、図 l (a )に示すように、回路基板 11、 21の間に異方導電性接着フィルム 1を配置した状態 で、回路基板 11、 21同士を熱圧着する。これにより、絶縁性接着剤榭脂 2によって回 路基板 11、 21が接着されるとともに、導電粒子 3によって接続電極 12、 22が電気的 に接続される。 [0017] 図 2は、本発明に係る導電粒子の実施の形態の構成を示す断面図である。
図 2に示すように、本実施の形態の導電粒子 3は、導電性の表面を有する導電性 核体 30を有している。
[0018] ここで、導電性核体 30は、例えば、シリコーンゴム等のシリコーン重合体力もなる榭 脂粒子 (絶縁層核体） 30Aを核体として、その表面に導電層として金属めつき 30Bを 施したもの力も構成される。この場合、金属めつき 30Bとしては、例えば、ニッケル/ 金めつきなどを用いることができる。
[0019] なお、導電粒子 3としては、例えば、ニッケル、金等の金属力もなる粒子を用いるこ とも可能である力 ファインピッチへ対応する観点からは、榭脂粒子 30Aの表面に金 属めっき 30Bを施したものを用いることが好まし!/、。
[0020] また、導電性核体 30の表面には、隣接する接続電極間の絶縁性を確保する観点 から、絶縁層 31が形成されている。
[0021] この場合、絶縁層 31の材料としては、仮圧着の際の加熱温度より高い軟化点を有 する榭脂を用いることが好まし 、。
[0022] 好ましい絶縁層 31用榭脂の軟ィ匕点は、 80— 300°Cであり、さらに好ましくは 80— 2
00°Cである。
[0023] このような条件に合致する榭脂としては、例えば、エポキシ榭脂、アクリル スチレン 共重合体榭脂等があげられる。
[0024] また、絶縁層 31の厚さは、特に限定されることはないが、ファインピッチへ対応する 観点からは、導電性核体の平均粒子径の 1Z5以上 3Z5以下とすることが好ましい。
[0025] なお、絶縁層 31は、種々の方法によって形成することが可能である力 絶縁層 31 の凹凸を増カロさせて接着性及び絶縁性を向上させる観点力もは、後述するハイプリ ダイゼーシヨン処理によって形成することが好ましい。
[0026] さらに、導電粒子の絶縁層 31には、絶縁性微粒子 32が埋め込まれている。この場 合、絶縁性微粒子 32は、部分的に絶縁層 31の表面力も露出している。
[0027] 本発明の場合、絶縁性微粒子 32の種類は、特に限定されることはないが、導電粒 子の絶縁性を十分に向上させる観点からは、絶縁層 31の硬さより大きいものを用い ることが好ましい。 [0028] このような絶縁性微粒子 32としては、適度な硬さが得られる観点から、二酸化ケィ 素（SiO )からなるものが特に好ましい。
2
[0029] この場合、絶縁性微粒子 32の平均粒子径は、特に限定されることはないが、フアイ ンピッチへ対応する観点からは、導電性核体の平均粒子径の 1Z5以下とすることが 好ましい。
[0030] 図 3 (a)一 (c)は、本実施の形態の導電粒子を製造する方法の一例を示す工程図 である。
図 3 (a)に示すように、まず、上記榭脂粒子 30Aを核体としてその表面に金属めつ き 3Bを施した導電性核体 30を用意する。
[0031] 次いで、図 3 (b)に示すように、この導電性核体 30表面に、例えば、絶縁層形成用 溶液への浸漬 '乾燥により、絶縁層 31を形成する。
[0032] さらに、図 3 (c)に示すように、絶縁層 31に、上述した多数の絶縁性微粒子 32を埋 め込む。これにより、図 2に示す本実施の形態の導電粒子 3が完成する。
[0033] この場合、絶縁性微粒子 32の埋め込みは、公知のハイブリダィゼーシヨン処理によ つて行うことができる。
[0034] ここで、ハイプリタイゼーシヨン処理は、微粒子に微粒子を複合ィ匕するもので (例え ば、粉体と工業 VOL.27, NO.8, 1995, p35— 42等参照）、母粒子と子粒子とを気 相中に分散させながら、衝撃力を主体とする機械的熱エネルギーを粒子に与えるこ とによって、粒子の固定ィ匕及び成膜処理を行うものである。
[0035] 以上述べたように本実施の形態にあっては、導電性核体 30表面に形成された絶縁 層 31に絶縁性微粒子 32を埋め込まれていることから、熱圧着時に接続端子に対す る導電性核体 30の接触が阻止されるため、ファインピッチの接続端子に対して十分 な絶縁性を有する異方導電性接着剤及びそのフィルムが得られる。
[0036] また、本実施の形態にあっては、絶縁性微粒子 32の硬さを絶縁層 31より大きくする ことによって、絶縁性を確実に向上させることができる。
[0037] さらに、導電性核体 30として、榭脂粒子 30Aの表面に金属めつき 30Bが形成され たものを用いれば、適度な反発性が得られるため、よりファインピッチへの対応が可 會 になる。 [0038] さらにまた、絶縁性微粒子 32の平均粒子径を、導電性核体 30の平均粒子径の 1 Z5以下となるようにすれば、接着力を低下させることなぐ絶縁性を向上させることが できる。
[0039] 一方、本実施の形態の導電粒子 3は、核体表面に絶縁層 31が形成された導電性 核体 30の絶縁層 31に、ハイブリダィゼーシヨン処理によって絶縁性微粒子 32を埋め 込むことによって、容易かつ効率良く製造することができる。
[0040] 図 4は、本発明に係る導電粒子の他の実施の形態の構成を示す断面図であり、以 下、上記実施の形態と共通する部分については同一の符号を付しその詳細な説明 を省略する。
[0041] 図 4に示すように、本実施の形態の導電粒子 3Aは、上記実施の形態と同様に、導 電性核体 30の表面に絶縁層 31が形成され、さら〖こ、絶縁層 31に多数の絶縁性微 粒子 32が埋め込まれて!/、る。
[0042] 本実施の形態の場合は、絶縁層 31を構成する材料によって絶縁性微粒子 32の表 面が覆われている。
[0043] 図 5 (a) (b)は、本実施の形態の導電粒子を製造する方法の一例を示す工程図で ある。
図 5 (a)に示すように、本実施の形態においても、上記榭脂粒子 30Aを核体として その表面に金属めつき 3Bを施した導電性核体 30を用意する。
[0044] そして、図 5 (b)に示すように、上記絶縁層 31を構成する材料を用いて絶縁性微粒 子 32の表面を被覆した絶縁粒子 33を用意し、上述のハイブリダィゼーシヨン処理に よってこの絶縁粒子 33を導電性核体 30に複合ィ匕する。
[0045] なお、縁性微粒子 32表面の被覆は、例えば、絶縁層形成用溶液への浸漬'乾燥 によって行う。
[0046] このような構成を有する本実施の形態によっても、上記実施の形態と同様にフアイ ンピッチの接続端子に対して十分な絶縁性を有する異方導電性接着剤及び異方導 電性接着フィルムが得られる。その他の構成及び作用効果につ!、ては上述の実施 の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
[0047] 一方、上述した導電性核体 30と、上記絶縁層 31を構成する粒子と、上記絶縁性微 粒子 32を上記ハイブリダィゼーシヨンシステムに投入して導電粒子を作成することも 可能である。
[0048] この工程によって導電粒子 3を作成すれば、絶縁性微粒子 32の分散性を向上させ ることができ、これにより絶縁性微粒子 32の脱落しにく 、導電粒子 3を得ることができ る。
実施例
[0049] 以下、本発明の実施例を比較例とともに詳細に説明する。
<実施例 1 >
平均粒子径 5 μ mのシリコーンゴム力 なる絶縁性核体に金めつきを施した粒子に 、アクリル スチレン共重合体榭脂からなる厚さ 1 μ mの絶縁層を形成した核体粒子 を用意した。
[0050] そして、この核体粒子と、平均粒径 0. 5 μ mの SiO粒子とをビニール袋に入れて混
2
合させた後、ノヽイブリダィゼーシヨンシステム (奈良機械社製 o型）に投入し、導電粒 子を作成した。
[0051] この導電粒子 40重量部を、絶縁性接着剤榭脂としてエポキシ榭脂 100重量部を含 む榭脂溶液に分散させ、さらに、そのバインダーペーストを剥離用の PETフィルム上 にコーティングし、異方性導電接着フィルムを得た。
そして、この異方性導電接着フィルムをスリット状に切断して実施例とした。
[0052] <実施例 2>
上記絶縁性核体に金めつきを施した粒子の表面に、上記ハイブリダィゼーシヨンシ ステムを用いてアクリル スチレン共重合体榭脂からなる厚さ 1 mの絶縁層を形成し た。
[0053] そして、この核体粒子と上記 SiO粒子を上記ハイブリダィゼーシヨンシステムに投
2
入して導電粒子を作成した。
[0054] さらに、実施例 1と同一の方法によって実施例 2の異方導電性接着フィルムを作成 した。
[0055] <実施例 3 >
上記絶縁性核体に金めつきを施した粒子と、上記アクリル スチレン共重合体榭脂 の粒子と、上記 SiO粒子を上記ノ、イブリダィゼーシヨンシステムに投入して導電粒子
2
を作成した。
[0056] さらに、実施例 1と同一の方法によって実施例 3の異方導電性接着フィルムを作成 した。
[0057] <比較例 1 >
絶縁層を有しない導電粒子を用いた以外は実施例と同一の方法によって比較例 1 の異方導電性接着フィルムを作成した。
[0058] <比較例 2>
SiO粒子が埋め込まれて 、な 、導電粒子を用いた以外は実施例 1と同一の方法
2
によって比較例 2の異方導電性接着フィルムを作成した。
[0059] 実施例及び比較例のサンプルを、 10 μ mの間隔でパターンが形成された一対の 基板の間に配置し、熱圧着を行った。
[0060] そして、このようにして作成したサンプルにつ 、て絶縁性及び導通信頼性の試験を 行った。その結果を表 1に示す。
[0061] [表 1]
Figure imgf000010_0001
[0062] ここで、絶縁性はパターン間の抵抗値が I X 105 Ω未満のものを X、 1 Χ 105 Ω以上
1 X 108 Ω未満のものを△、 1 X 108 Ω以上のものを〇とした。
[0063] 一方、導通信頼性は、 -40°C— 100°Cの温度サイクルを 1000サイクル繰り返した 後におけるパターン間の抵抗値を測定し、パターン間の導通抵抗値が 10 Ω未満の ものを〇、 10 Ω以上のものを Xとした。 [0064] 〔評価結果〕
表 1に示すように、実施例 1一 3の異方性導電接着フィルムは、絶縁性が良ぐまた 導通信頼性も良好であった。
[0065] 一方、比較例 1及び比較例 2の異方導電性接着フィルムは、絶縁性の点で実施例
1一 3のものよりも劣っていた。
産業上の利用可能性
[0066] 以上述べたように本発明は、ファインピッチの接続端子を有する例えば液晶表示装 置及び回路基板間の電気的な接続の際に利用できるものである。
図面の簡単な説明
[0067] [図 l] (a)：本発明に係る異方導電性接着フィルムを用いた接続方法の一例を示す断 面図（その 1) (b)：本発明に係る異方導電性接着フィルムを用いた接続方法の一例 を示す断面図 (その 2)
[図 2]本発明に係る導電粒子の実施の形態の構成を示す断面図
[図 3] (a)：同実施の形態の導電粒子を製造する方法の一例を示す工程図 (その 1) ( b)：同実施の形態の導電粒子を製造する方法の一例を示す工程図（その 2) (c)：同 実施の形態の導電粒子を製造する方法の一例を示す工程図（その 3)
[図 4]本発明に係る導電粒子の他の実施の形態の構成を示す断面図
[図 5] (a)：同実施の形態の導電粒子を製造する方法の一例を示す工程図 (その 1) ( b)：同実施の形態の導電粒子を製造する方法の一例を示す工程図（その 2) 符号の説明
[0068] 1 異方導電性接着フィルム
2 絶縁性接着剤樹脂
3 導電粒子
30 導電性核体
30A 榭脂粒子 (絶縁層核体）
30B 金属めつき（導電層）
31 絶縁層
32 絶縁性微粒子

Claims

請求の範囲
[I] 導電性の表面を有する導電性核体の当該表面に絶縁層が形成され、この絶縁層 に絶縁性微粒子が埋め込まれて ヽる導電粒子。
[2] 請求項 1にお 、て、前記絶縁性微粒子の硬さが絶縁層の硬さより大き 、導電粒子。
[3] 請求項 1において、前記導電性核体が絶縁性核体の表面に導電層が形成されたも のである導電粒子。
[4] 請求項 1にお！ヽて、前記絶縁性微粒子の平均粒子径が導電性核体の平均粒子径 の 1Z5以下である導電粒子。
[5] 核体表面に絶縁層が形成された導電性核体の絶縁層に、ハイブリダィゼーシヨン 処理によって絶縁性微粒子を埋め込む導電粒子の製造方法。
[6] 請求項 5において、ハイブリダィゼーシヨン処理によって導電性核体の表面に絶縁 層を形成する導電粒子の製造方法。
[7] 絶縁性接着剤と、
前記絶縁性接着剤中に分散され、導電性の表面を有する導電性核体の当該表面 に絶縁層が形成されこの絶縁層に絶縁性微粒子が埋め込まれて ヽる導電粒子と、 を有する異方導電性接着剤。
[8] 請求項 7にお 、て、前記絶縁性微粒子の硬さが絶縁層の硬さより大き!/、導電粒子。
[9] 請求項 7において、前記導電性核体が絶縁性核体の表面に導電層が形成されたも のである導電粒子。
[10] 請求項 7にお ヽて、前記絶縁性微粒子の平均粒子径が導電性核体の平均粒子径 の 1Z5以下である導電粒子。
[II] 請求項 7において、前記絶縁性接着剤がフィルム状に形成されている異方導電性 接着フィルム。
PCT/JP2004/013800 2003-09-29 2004-09-22 導電粒子及びこれを用いた異方導電性接着剤 WO2005031759A1 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-336880 2003-09-29
JP2003336880 2003-09-29
JP2003-424278 2003-12-22
JP2003424278 2003-12-22
JP2004015152A JP4724369B2 (ja) 2003-09-29 2004-01-23 導電粒子の製造方法
JP2004-015152 2004-01-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005031759A1 true WO2005031759A1 (ja) 2005-04-07

Family

ID=34396839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/013800 WO2005031759A1 (ja) 2003-09-29 2004-09-22 導電粒子及びこれを用いた異方導電性接着剤

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4724369B2 (ja)
TW (1) TWI366835B (ja)
WO (1) WO2005031759A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367332A (zh) * 2012-03-27 2013-10-23 南亚科技股份有限公司 封装结构
CN104170023A (zh) * 2012-03-06 2014-11-26 东洋油墨Sc控股株式会社 导电性微粒及其制造方法、导电性树脂组成物、导电性薄片、以及电磁波屏蔽薄片
CN109742566A (zh) * 2019-02-15 2019-05-10 Oppo广东移动通信有限公司 显示面板以及电子装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100722493B1 (ko) * 2005-09-02 2007-05-28 제일모직주식회사 절연 전도성 미립자 및 이를 이용한 이방 전도성 접착필름
KR101063710B1 (ko) * 2006-09-26 2011-09-07 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 이방 도전성 접착제 조성물, 이방 도전성 필름, 회로 부재의 접속 구조, 및 피복 입자의 제조 방법
JP2008120990A (ja) * 2006-10-17 2008-05-29 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着剤組成物、異方導電性フィルム、回路部材の接続構造、及び、被覆粒子の製造方法
KR100861010B1 (ko) 2006-12-22 2008-09-30 제일모직주식회사 절연성 도전 입자 및 이를 이용한 이방 도전성 필름
JP5074082B2 (ja) * 2007-04-16 2012-11-14 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 導電性粒子体及びこれを用いた異方性導電接続材料、並びに導電性粒子体の製造方法
WO2009054386A1 (ja) * 2007-10-22 2009-04-30 Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. 被覆導電性粉体およびそれを用いた導電性接着剤
KR101644849B1 (ko) * 2009-11-30 2016-08-03 중앙대학교 산학협력단 이방성 도전성 접착제 및 이를 이용한 반도체 실장 방법
JP5476168B2 (ja) * 2010-03-09 2014-04-23 積水化学工業株式会社 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
WO2012002508A1 (ja) * 2010-07-02 2012-01-05 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP5025825B2 (ja) * 2010-07-28 2012-09-12 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2014030026A (ja) * 2013-08-30 2014-02-13 Dexerials Corp 異方性導電接着剤及び発光装置
JP6564302B2 (ja) * 2014-10-28 2019-08-21 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、絶縁性粒子付き導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体
TWI740807B (zh) * 2014-10-29 2021-10-01 日商迪睿合股份有限公司 導電材料、連接構造體、及連接構造體之製造方法
JP2022026341A (ja) 2020-07-30 2022-02-10 デクセリアルズ株式会社 複合導電粒子、及び複合導電粒子の製造方法
JP7430610B2 (ja) 2020-08-31 2024-02-13 日本化学工業株式会社 被覆粒子及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03112011A (ja) * 1989-09-26 1991-05-13 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 異方導電性材料、異方導電性接着剤およびその異方導電性接着剤を使用した電極間を電気的に接続する方法並びにその方法により形成される電気回路基板
JPH04259766A (ja) * 1991-02-14 1992-09-16 Hitachi Chem Co Ltd 回路の接続部材
JPH0742784U (ja) * 1993-12-31 1995-08-11 カシオ計算機株式会社 異方導電性接着剤

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03112011A (ja) * 1989-09-26 1991-05-13 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 異方導電性材料、異方導電性接着剤およびその異方導電性接着剤を使用した電極間を電気的に接続する方法並びにその方法により形成される電気回路基板
JPH04259766A (ja) * 1991-02-14 1992-09-16 Hitachi Chem Co Ltd 回路の接続部材
JPH0742784U (ja) * 1993-12-31 1995-08-11 カシオ計算機株式会社 異方導電性接着剤

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104170023A (zh) * 2012-03-06 2014-11-26 东洋油墨Sc控股株式会社 导电性微粒及其制造方法、导电性树脂组成物、导电性薄片、以及电磁波屏蔽薄片
CN104170023B (zh) * 2012-03-06 2016-12-28 东洋油墨Sc控股株式会社 导电性微粒及其制造方法、导电性树脂组成物、导电性薄片、以及电磁波屏蔽薄片
CN103367332A (zh) * 2012-03-27 2013-10-23 南亚科技股份有限公司 封装结构
CN103367332B (zh) * 2012-03-27 2016-03-09 南亚科技股份有限公司 封装结构
CN109742566A (zh) * 2019-02-15 2019-05-10 Oppo广东移动通信有限公司 显示面板以及电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200515427A (en) 2005-05-01
JP2005209491A (ja) 2005-08-04
TWI366835B (en) 2012-06-21
JP4724369B2 (ja) 2011-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005031759A1 (ja) 導電粒子及びこれを用いた異方導電性接着剤
JP3379456B2 (ja) 異方導電性接着フィルム
EP0827632B1 (en) Semiconductor device having a semiconductor chip electrically connected to a wiring substrate
US6034331A (en) Connection sheet and electrode connection structure for electrically interconnecting electrodes facing each other, and method using the connection sheet
JP3296306B2 (ja) 異方導電性接着剤および接着用膜
JP2001011503A (ja) 新規な導電性微粒子、および該微粒子の用途
JP5074082B2 (ja) 導電性粒子体及びこれを用いた異方性導電接続材料、並びに導電性粒子体の製造方法
JPWO2009017200A1 (ja) 回路接続材料、それを用いた回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法
KR20100009591A (ko) 접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막
JP2648712B2 (ja) 異方導電性接着剤およびその異方導電性接着剤を使用した電極間を電気的に接続する方法並びにその方法により形成される電気回路基板
JP3477367B2 (ja) 異方導電性接着フィルム
JP3516379B2 (ja) 異方導電フィルム
KR100694529B1 (ko) 전기전도성 입자 및 접착제
JPH07157720A (ja) 異方導電フィルム
JP3966686B2 (ja) 接続材料
JPH07118617A (ja) ファインピッチ用異方導電性接着剤
JP3150054B2 (ja) 異方導電フィルム
TWI271427B (en) Adhesives, adhesive films and electric devices
JP2003049152A (ja) 回路接続用接着剤及びそれを用いた接続方法、接続構造体
JP5143329B2 (ja) 回路接続体の作製方法
JP4055583B2 (ja) 回路接続用接着剤組成物、これを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
KR100251674B1 (ko) 서로 마주보는 전극들을 상호접속하기 위한 접속시트, 및이 접속시트를 사용하는 전극접속구조 및 접속방법
JP2001035248A (ja) 導電性付与粒子及びこれを用いた異方導電性接着剤
JPH09147928A (ja) 接続部材
JP2001214149A (ja) 異方導電接着剤

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase