WO2005005694A1 - 人工水晶部材、露光装置、及び露光装置の製造方法 - Google Patents

人工水晶部材、露光装置、及び露光装置の製造方法 Download PDF

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WO2005005694A1
WO2005005694A1 PCT/JP2004/009839 JP2004009839W WO2005005694A1 WO 2005005694 A1 WO2005005694 A1 WO 2005005694A1 JP 2004009839 W JP2004009839 W JP 2004009839W WO 2005005694 A1 WO2005005694 A1 WO 2005005694A1
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WO
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artificial quartz
optical element
exposure apparatus
quartz member
light
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Application number
PCT/JP2004/009839
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English (en)
French (fr)
Inventor
Masafumi Mizuguchi
Norio Komine
Hiroki Jinbo
Original Assignee
Nikon Corporation
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/04Prisms
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties

Definitions

  • the present invention relates to an artificial quartz member which can be used as an optical element such as a prism or various optical elements constituting an optical integrator in an apparatus using an ultraviolet laser such as an excimer laser having a wavelength shorter than 250 nm as a light source. It is about.
  • a reduction projection exposure apparatus (or an optical lithography apparatus) is mainly used for transferring an integrated circuit pattern such as an IC and an LSI.
  • the projection optical system used in this apparatus is required to have a wider exposure area and higher resolution over the entire exposure area as the integration density of integrated circuits increases.
  • NA numerical aperture
  • the exposure wavelength has been shortened to the KrF (248 ⁇ m) excimer laser power, which is currently mainly used as a light source for semiconductor exposure apparatuses, to the ArF (193nm) excimer laser, which is a deep ultraviolet light source. .
  • the ArF (193nm) excimer laser which is a deep ultraviolet light source.
  • a vacuum ultraviolet F (157 nm) laser is currently being studied.
  • microchannel phenomenon in which optical components are mechanically damaged.
  • the microchannel phenomenon is a phenomenon called fcd (EMWngnt et al., Spatial pattern microchannel rormation in fused silica irradiated by nanosecond ultraviolet pulses ", Applied Optics, 1999, Vol. 38, p. 5785-5788).
  • microchannel When a microchannel is generated, the transmittance of the member is reduced or the optical thin film is broken by scattering, and the transmission characteristics of the optical component are significantly reduced.
  • the microchannel is generated, for example, by continuously irradiating a synthetic quartz glass with an ArF excimer laser having an energy density in a practical range of several mj / cm 2 for about 1B (10 9 ) pulses. Therefore, it is necessary to take measures to prevent mechanical damage due to the generation of microchannels even under normal use conditions of the exposure apparatus.
  • the present inventors have found that the generation of microchannels is closely related to the densification of quartz glass, and have already filed a patent application (Japanese Patent Application No. 2003-38345).
  • the irradiation of high-energy-density ultraviolet laser increases the density of silica glass without exception, and microchannels are generated in almost all silica glass when a certain irradiation energy threshold is exceeded. Therefore, it is conceivable to limit the irradiation energy density to quartz glass as one of means for preventing the generation of microchannels.
  • a predetermined energy density is required on the resist surface, and it may not be possible in design to suppress the output of the light source.
  • Fluorite (CaF) is cubic, optically isotropic, and has an optical bandgap of about 12 eV.
  • quartz Si ⁇ in the molecular formula
  • quartz is hexagonal and has an optical band gap of about 9 eV.
  • quartz does not cleave, it has high mechanical strength.
  • the 15-step Mohs hardness is 8. For this reason, it has an excellent kakunae property as compared with fluorite.
  • quartz has a strong birefringence because it has an anisotropic crystal structure. Therefore, it can be used as an optical member that can be used even if it has birefringence or an optical member that can positively utilize the birefringence of quartz. Under such circumstances, it has been proposed to use quartz for a part of the illumination system optical components of the reduction projection exposure apparatus.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-47636 discloses a birefringence possessed by quartz. It is disclosed that a polarizing beam splitter and a depolarizing element (a deborizer) are made of quartz by actively utilizing the property. In order to fabricate these optical elements, the materials must have birefringence and cannot be used with fluorite or quartz glass.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-75835 discloses using a diffractive optical element or a micro fly's eye with a specially processed substrate surface as a homogenizer for homogenizing a beam. It is extremely difficult to fabricate these optical elements with fluorite because of their lack of mechanical strength. Further, since the homogenizer is used at a position close to the light source, there is a risk that a microphone opening channel may be generated when the homogenizer is made of quartz glass having a relatively high energy density of an irradiated beam. Therefore, such optical elements are mechanically strong and do not generate microchannels, and it is preferable to use quartz.
  • the conventional quartz exhibits satisfactory performance as a visible light optical system
  • the conventional quartz has a high transmittance at short wavelengths such as excimer laser for a long period of time.
  • the optical characteristics such as are easily degraded, and the optical characteristics are hardly degraded.
  • quartz is used for an optical element that is repeatedly irradiated with high-output light at a short wavelength of 250 nm or less for a long period of time. There was a problem when it was difficult.
  • the present invention can sufficiently prevent the generation of microchannels, has high mechanical strength, facilitates the optical element, and has a short wavelength of 250 nm or less. It is an object of the present invention to provide a quartz crystal member whose transmittance characteristic is hardly deteriorated even when repeatedly irradiated with high-output light for a long period of time, an exposure apparatus using the same, and a method of manufacturing the exposure apparatus.
  • the present inventors have investigated the cause of the deterioration of the optical characteristics of artificial quartz when repeatedly irradiated with short-wavelength, high-output light for a long period of time, and the Affected by specific impurities, etc. contained from the manufacturing stage such as the crystal synthesis method. It led to this invention.
  • the present invention provides the following artificial quartz member, an exposure apparatus using the same, and a method of manufacturing the exposure apparatus, which solve the above-mentioned problems.
  • the initial transmittance for light having a wavelength of 150 nm is 60% or more per 1 cm.
  • the striae is the first grade or the second grade specified in the Japan Optical Glass Industrial Association Standard (JOGIS),
  • Class 1 or Class 2 specified by the Japan Industrial Standards (JOGIS) the absorption coefficient of the infrared absorption band of the hydroxyl group located at ⁇ 1 is 0.035 / cm or less, and the aluminum content is Sip pm or less and contains lithium.
  • Artificial quartz material whose amount is 0.5ppm or less
  • An exposure system comprising: a projection optical system for projecting and exposing a pattern image of the mask onto a substrate to be exposed, wherein the illumination optical system and / or the projection optical system have ⁇ 1>- ⁇ 8>
  • An exposure apparatus provided with an optical element comprising the artificial quartz member according to any one of the above.
  • the optical element made of the artificial quartz member is used as a phase member of the illumination optical system and
  • the exposure apparatus according to ⁇ 9> wherein the exposure apparatus is used for a deborizer.
  • ⁇ 12> At least 80% of the optical element made of the artificial quartz member arranged in the exposure apparatus, from the artificial quartz member according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>.
  • the exposure apparatus according to ⁇ 9> which is an optical element.
  • An exposure apparatus comprising: an illumination optical system for illuminating a mask using a laser beam having a wavelength shorter than 250 nm as a light source; and a projection optical system for projecting and exposing a pattern image of the mask onto a substrate to be exposed.
  • ⁇ 1> a step of selecting and preparing an optical element made of the artificial quartz member according to any one of ⁇ 8>,
  • An exposure apparatus in which various members necessary for the exposure apparatus are assembled together with the optical element made of the artificial quartz member and the optical element made of the artificial quartz member is arranged in the illumination optical system and / or the projection optical system.
  • ⁇ 14> The method for manufacturing an exposure apparatus according to ⁇ 13>, wherein the optical element formed of the artificial quartz member is used for an optical integrator of the illumination optical system.
  • the optical element made of the artificial quartz member is used as a phase member of the illumination optical system and
  • ⁇ 16> At least 80% of the optical element made of the artificial quartz member arranged in the exposure apparatus, from the artificial quartz member according to any one of ⁇ 1> and ⁇ 8>.
  • Becoming light ⁇ 13> The method for producing an exposure apparatus according to ⁇ 13>, wherein
  • the artificial quartz member of the present invention described in any one of the above ⁇ 1>- ⁇ 8>, generation of microchannels can be sufficiently prevented, and mechanical strength is high.
  • Te is easy to mosquito ⁇ E optical element, moreover, whether the initial transparently with respect to light having a wavelength of 150nm is 60% or more per lcm, the absorption coefficient of the infrared absorption band of hydroxyl groups located on Betaderutaderutaderutaarufaiota 1 If the tension is 0.035 / cm or less, or if the aluminum content is less than lp pm and the lithium content is less than 0.5 ppm, short-wave, high-power light is repeatedly irradiated for a long time. In addition, it is possible to provide an artificial water ⁇ material as an excellent optical element whose transmittance characteristics are hardly deteriorated.
  • the striae is grade 1 or grade 2 defined by the Japan Optical Glass Industrial Association Standard,
  • the artificial optical quartz member of the present invention may be provided in the illumination optical system and / or the projection optical system. Since the optical element made of is arranged, it is possible to suppress the generation of microchannels of the optical element constituting the optical system and to suppress the deterioration of the transmittance characteristic, so that it is possible to provide an exposure apparatus having excellent durability. .
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a preferred embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing the relationship between the initial transmittance for 150 nm light and the amount of induced absorption at a wavelength of 193 nm after irradiation with an ArF excimer laser.
  • FIG. 3A is a schematic diagram showing striae positions and coloring positions before ArF excimer laser irradiation.
  • FIG. 3B is a schematic diagram showing striae positions and coloring positions after ArF excimer laser irradiation.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the height of the induced absorption at a wavelength 193nm after ArF excimer laser irradiation and 3585c ⁇ 1 infrared absorption band.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the amount of induced absorption at a wavelength of 193 nm after AlF excimer laser irradiation and the amounts of Al and Li impurities.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing a configuration of another preferred embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing a configuration of a phase member and a debolalizer shown in FIG. 6. Best Mode for Carrying Out the Invention
  • the exposure apparatus shown in FIG. 1 is an exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, and includes, for example, ultraviolet light of 250 nm or less such as a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, and an F laser.
  • the ultraviolet light emitted from the light source 1 is converted into a parallel light beam by a light beam shaping optical system 3 in which a plurality of lenses 2 are arranged, and is deflected by a mirror 4a. Incident on the homogenizer 5.
  • the light enters the diffractive optical element 6, is converted into a divergent light beam having a ring-shaped cross section, is converted into a substantially parallel light beam through a plurality of zoom lenses 7, and is converted into a micro fly's eye. It is incident on 8.
  • the micro fly's eye 8 is an optical element composed of minute hexagonal microlenses densely arranged in a large number of rows and columns. To form two ring-shaped light sources.
  • This fly's eye lens 11 has a large number of lens elements having convex surfaces on the entrance surface and the exit side, which are densely and vertically and horizontally arranged.
  • the fly-eye lens 11 has a rectangular cross section similar to the shape of the illumination field of the mask and the shape of the exposure area formed on the wafer. A band-shaped substantial surface light source is formed.
  • the light beam is corrected by the homogenizer 5 so that the unevenness of the energy and density of the ultraviolet light is reduced, and the light beam is condensed by the condenser lens 12.
  • the mask 14 on which the pattern is formed is uniformly illuminated in a superimposed manner. Thereafter, an exposure shape such as a circuit pattern of the mask 14 is transferred to an exposure target 20 such as a wafer via a projection optical system 16 having a large number of lenses 15.
  • the artificial quartz member of the present invention can be used as various optical elements of such an exposure apparatus.
  • the optical element made of the artificial quartz member of the present invention is preferable to use as an optical element that can be used even if it has birefringence. It is particularly preferable to use it for a phase member such as a polarizing beam splitter and a wave plate of an illumination optical system, which is more preferably used for an illumination optical system, and / or for a debolizer. It is also preferable to use the optical element made of the artificial quartz member of the present invention for an optical integrator of an illumination optical system.
  • the number of artificial quartz members used in the exposure apparatus is generally about two to one per one exposure apparatus, and about 10 optical elements comprising the artificial quartz member of the present invention occupy at least 80%. It is particularly preferable that the ratio occupies 100%.
  • the optical element of the present invention can be used as an optical element constituting an optical integrator such as the homogenizer 5 of the exposure apparatus.
  • an optical element constituting this optical integrator in the exposure apparatus of this embodiment, a diffractive optical element such as a diffractive optical element 5, a plurality of extremely small lens elements, and a microarray such as a micro fly's eye 8 composed of Lens, fly-eye lens 11 and the like.
  • a rod-shaped internal reflection type optical element such as a kaleidoscope.
  • the output of the light source can be suppressed even when a beam having a high energy density is irradiated because the artificial quartz member is a crystal.
  • Such an artificial quartz member is manufactured by synthesizing artificial quartz by a hydrothermal synthesis method and processing it into a desired shape.
  • This hydrothermal synthesis method is a method in which artificial quartz is obtained by placing crystals and an alkaline solution at the bottom and growing the crystals in a high-temperature and high-pressure autoclave with a crystal seed crystal suspended above. .
  • the inventors measured various artificial quartz crystals, and found that the colored sample and the uncolored sample had the same initial transmittance at 248 nm and 193 nm. Therefore, even if the transmittance in the wavelength region mainly used is used as a reference, it is not possible to screen the quality of the sample.
  • the components of an alkali solution for growing crystals are adjusted, and the pressure and temperature during growing crystals are adjusted.
  • the initial transmittance for light with a wavelength of 150 nm is 60% or more per lcm, and an ultraviolet laser with a wavelength of 250 nm or less.
  • the wavelength of 150 nm corresponds to the bottom of the intrinsic absorption band of quartz, so that the initial transmittance measured at this wavelength reflects strongly the crystallinity of quartz.
  • the initial transmittance reflects the impurity concentration that is easily contained in the synthetic quartz produced by the hydrothermal synthesis method and easily affects the durability of the transmittance.
  • artificial quartz with high transmittance at 150 nm has good crystallinity. Imply that the impurity concentration is also low.
  • the ultraviolet light having a wavelength of 150 nm is not transmitted and cannot be used for determination.
  • the absorption band exists on the shorter wavelength side. Cannot be used for judgment.
  • the initial transmittance measured at 150 nm contains information unique to quartz. Therefore, if the initial transmittance at 150 nm is manufactured to be 60% or more, the initial transmittance is shorter than 250 nm. As a result, the artificial quartz member of the present invention having excellent durability with respect to the transmittance of laser light having a wavelength can be obtained.
  • the above-mentioned initial transmittance of the artificial quartz member of the present invention may be measured at one point if the member has a diameter of 30 mm or less, which is preferably measured at intervals of about 30 mm or less.
  • the content of the hydroxyl group in the obtained artificial quartz is particularly likely to increase.
  • the induced absorption increases when the hydroxyl group content is large. For this reason, if the induced absorption due to the hydroxyloxy group is suppressed to a small value, the durability of the transmittance can be easily improved.
  • the above-mentioned absorption coefficient of the artificial quartz member of the present invention is preferably measured at intervals of about 30 mm or less, and may be a single-point measurement for a member having a diameter of 30 mm or less.
  • the durability of the transmittance is improved by setting the content of an anoreminium to 1 ppm or less and the content of lithium to 0.5 ppm or less.
  • This layer is related to the occurrence of some trouble in crystal growth, in which impurities remain or etch pits are generated. Such defects are often observed as striae. They found that the striae-like crystals tended to be colored along the striae after excimer laser irradiation.
  • the striae is preferably a first-class or a second-class determined by the Japan Optical Glass Industrial Standards (iOGIS). That is, between the parallel 50 mm X 20 mm surfaces of the optical element having the shape of 50 mm X 50 mm X 20 mm, no layered inhomogeneity is observed in the projected image of the pinhole light, or it is thin and dispersed striae to the eyes. It's the limit you can see. In the artificial quartz member of the present invention having such a stria, it is easy to suppress coloring occurring along the stria in the irradiation region of the ultraviolet laser having a wavelength of 250 nm or less.
  • iOGIS Japan Optical Glass Industrial Standards
  • a first- or second-grade artificial quartz member whose striae are determined by the Japan Optical Glass Industrial Standards (JOGIS)
  • it is synthesized by a hydrothermal synthesis method or the like. It is preferable to include a pretreatment step of excluding a region including the seed crystal from the quartz crystal member.
  • the method of manufacturing an exposure apparatus according to the present invention includes a method of illuminating a mask using laser light having a wavelength shorter than 250 nm as a light source.
  • a method of manufacturing an exposure apparatus comprising: an optical system, and a projection optical system configured to project and expose a pattern image of the mask on a substrate to be exposed,
  • a step of selecting and preparing an optical element made of the artificial quartz member of the present invention and a step of preparing various members required for the exposure apparatus other than the optical element made of the artificial quartz member.
  • An exposure apparatus in which various members required for the exposure apparatus are assembled together with the optical element made of the artificial quartz member and the optical element made of the artificial quartz member is arranged in the illumination optical system and Z or the projection optical system.
  • the specific method for selecting the optical element having the artificial quartz member strength of the present invention is not particularly limited, and the following selection criteria are used:
  • the aluminum content is lppm or less and the lithium content is 0.5ppm or less;
  • the striae is grade 1 or grade 2 specified by the Japan Optical Glass Industry Association Standard CiOGIS).
  • Various members required for the exposure apparatus other than the optical element having the artificial quartz member are not particularly limited, and various members generally used for the exposure apparatus are appropriately used.
  • the method of assembling the members necessary for such an exposure apparatus together with the optical element made of the artificial quartz member is not particularly limited, and a general method of assembling the exposure apparatus is appropriately employed.
  • the present invention relates to a step-and-scan type scanning projection exposure apparatus (US Pat. No. 5,473,410) for exposing a reticle pattern by synchronously moving a reticle and a wafer.
  • a step-and-scan type scanning projection exposure apparatus US Pat. No. 5,473,410
  • .It can be applied not only to steppers but also to step-and-repeat type exposure equipment (steppers) that exposes the reticle pattern while the reticle and wafer are stationary and sequentially moves the wafer stepwise. .
  • the present invention is also applicable to a twin-stage type exposure apparatus.
  • Twin stage type The structure and exposure operation of the exposure apparatus are described in, for example, JP-A-10-163099 and JP-A-10-214783 (corresponding US Pat. Nos. 6,341,007, 6,400,441, 6,549,269 and 6).
  • U.S. Pat. No. 6,208,407), and International Patent Publication No. 2000-505958 (corresponding U.S. Pat. No. 5,969,441) are disclosed in U.S. Pat. No. 6,208,407.
  • the present invention provides a liquid immersion light device that locally fills a liquid between a projection optical system and an object to be exposed, and a liquid that moves a stage holding a substrate to be exposed in a liquid tank.
  • the present invention can also be applied to an immersion exposure apparatus and a liquid immersion exposure apparatus in which a liquid tank having a predetermined depth is formed on a stage and a substrate is held therein.
  • a liquid tank having a predetermined depth is formed on a stage as described in JP-A-6-124873.
  • a liquid immersion exposure apparatus for holding a substrate therein is disclosed in, for example, JP-A-10-303114 and US Pat. No. 5,825,043.
  • a block of 60 ⁇ XI 5 mm thick was cut out from the area excluding the seed crystal of the Z-plate quartz rough synthesized by the hydrothermal synthesis method.
  • the 60 ⁇ plane was perpendicular to the Z axis.
  • a 15 mm thick disk was precision ground and polished to obtain a sample with a final shape of 60 ⁇ X 10 mm thick.
  • Irradiation of the sample with ultraviolet light of 150 nm was performed in an aluminum chamber purged with nitrogen gas.
  • the 60 ⁇ plane was set upright, and light was irradiated from the direction perpendicular to the 60 plane.
  • a commercially available Singnore beam type spectrophotometer was used for optical transmission measurement in the vacuum ultraviolet region.
  • a deuterium lamp as a light source
  • light separated by a diffractive optical element was introduced into a sample chamber that was evacuated by a turbo molecular pump.
  • the intensity of light transmitted through the sample chamber was detected with a photomultiplier, and the spectrum was recorded on a computer.
  • a blank spectrum was measured first without any operation on the sample stage. After that, an artificial quartz sample of 60 ⁇ x 10 mm thickness was placed on the sample stand, and the intensity of light passing through the sample was measured. The intensity ratio of the light passing through the blank and the sample was taken as the transmittance of the sample.
  • Fig. 2 shows a relationship between the initial transmittance (% / (: 111)) at 150 nm and the amount of induced absorption (/ cm) at a wavelength of 193 nm after irradiation with an ArF excimer laser.
  • the vertical axis is the induced absorption coefficient at 193 nm (/ cm) induced by ArF excimer laser irradiation, with the initial transmittance measured at 150 nm measured on a lcm-thick sample.
  • the induced absorption means a difference between absorption coefficients (/ cm) before and after irradiation.
  • the initial transmittance at 150 nm is lower than 60%, the induced absorption (/ cm) at a wavelength of 193 nm increases exponentially.
  • the degree of striae was evaluated by visually observing a projected image of pinhole light.
  • the light of the incandescent lamp was made uniform with monochromatic light (yellow) through a filter and a diffusion plate.
  • the sample was irradiated with a light beam made parallel with a pinhole having a diameter of 0.5 mm and a collimation lens.
  • the light passing through the sample was projected on a white flat screen.
  • the striae was compared with the test sample and the standard sample to determine the degree of striae.
  • the secondary striae were observed samples, the ArF excimer laser, and 1 X 10 6 pulse irradiation at 200 mj / cm 2.
  • the laser beam passed through a 10mm x 10mm aperture and was applied to the center of the sample. Stria within the illuminated area were particularly strongly colored. Coloring was well visible and looked like black-grey smoke.
  • FIG. 3A and FIG. 3B show the positional relationship between striae and coloring after laser irradiation.
  • FIG. 3A shows the state before irradiation
  • FIG. 3B shows the state after irradiation.
  • a black-gray smoke-like coloring 27 was observed in the irradiated area 26 along the stria 25 seen by the projection of the pinhole light, after irradiation.
  • the striae when striae are present, coloring tends to occur along the striae. Therefore, it is desirable that the striae be as small as possible, and it is desirable that the striae be a first or second grade in JOJIS.
  • the height of the infrared absorption band of OH (/ cm) and the ArF excimer laser were set to 1 X at 200 mj / cm 2.
  • 10 6 induced absorption wavelength 193nm after pulse irradiation of (ZCM) was measured.
  • a commercially available double-beam spectrophotometer was used for optical transmission measurement in the near-infrared-ultraviolet region. Using a halogen lamp in the near-infrared region and a deuterium lamp in the ultraviolet region, the light separated by the diffractive optical element was separated into two beams, a reference beam and a measurement beam. Both separated light beams were introduced into a sample chamber purged with nitrogen gas. None was left on the sample stage on the reference beam side, and a crystal sample of 60 ⁇ ⁇ 10 mm thick was left on the sample stage on the measurement beam side. The reference light and the measurement light passing through the sample chamber are collected by the integrating sphere and detected by the photomultiplier. The ratio between the reference light intensity and the measurement light intensity was defined as the transmittance.
  • FIG. 4 shows the relationship between the height of the infrared absorption band of OH (/ cm) and the amount of induced absorption (/ cm) at a wavelength of 193 nm after irradiation with an ArF excimer laser.
  • the height of the infrared absorption band of ⁇ _H a value obtained by subtracting the absorption coefficient as the base position of the wavelength 2700nm from the absorption coefficient of the position of the wavelength 2789Nm (wavenumber ⁇ ⁇ ⁇ 1).
  • the induced absorption means a difference in absorption coefficient (/ cm) before and after irradiation.
  • FIG. 4 shows the relationship between the height of the induced absorption at a wavelength 193nm after ArF excimer laser irradiation and 3585c ⁇ 1 infrared absorption band. It can be seen that induced absorption amount after irradiation the boundary of the infrared absorption 0. OSScnT 1 of ⁇ _Ita is exponentially.
  • the crystal whose OH absorption band height was higher than 0.035 / cm showed a significant decrease in the transmittance at 193 nm after irradiation with an ArF excimer laser, while the transmittance did not decrease.
  • the transmittance of the sample at 193 nm after laser irradiation decreased remarkably in the sample with a higher OH absorption band.
  • ArF excimer laser was irradiated to the quartz sample (60 ⁇ X 10 mm thickness) prepared as described above with 1 ⁇ 10 6 pulses at 20 Omj / cm 2 , and the induced absorption at 193 nm wavelength after irradiation with ArF excimer laser ( / cm) and the content of aluminum and lithium impurities contained in the sample was quantitatively evaluated using an ICP mass spectrometer.
  • FIG. 5 shows the relationship between the induced absorption (/ cm) at a wavelength of 193 nm after ArF excimer laser irradiation and the contents of A1 and Li (ppm).
  • the induced absorption means the difference between the absorption coefficient (/ cm) before and after irradiation.
  • FIG. 5 shows the relationship between the amount of induced absorption at a wavelength of 193 nm after the irradiation with the ArF excimer laser and the amount of Al and Li impurities.
  • the left vertical axis shows the A1 content (ppm), and the right vertical axis shows the Li content.
  • ⁇ Is the data of A1 content, and the mouth is the data of Li content.
  • the induced absorption at 193 nm after irradiation increases almost linearly with A1 and Li contents.
  • FIG. 5 shows that when the A1 content is higher than 1 ppm, the induced absorption (/ cm) at a wavelength of 193 nm increases linearly.
  • an exposure apparatus having the configuration shown in FIG. 6 was manufactured.
  • an artificial quartz single crystal was manufactured by hydrothermal synthesis. Since the synthesized single crystal mass contains a seed crystal, it is visually observed using a condensing lamp to find the interface with the seed crystal and marking is performed, leaving a 5 mm margin outside the marking. The part was cut and removed. The single crystal from which the seed crystal portion was removed in this manner was used as a base material for producing an optical element.
  • a columnar sample having a diameter of 30mm was cut out from the above base material, and two surfaces were optically polished in parallel to obtain a 10mm thick sample for transmittance measurement.
  • the initial transmittance for light having a wavelength of 150 nm was measured using a commercially available single-beam vacuum ultraviolet spectrophotometer.
  • a 50 mm ⁇ 50 mm ⁇ 20 mm crystal was cut out from the base material, and both sides of 50 mm ⁇ 20 mm were optically polished in parallel to obtain a striae evaluation sample. This sample was compared with a standard sample according to JOGIS (Japan Optical Glass Industry Association Standard) 11-1975 to determine the striae grade.
  • JOGIS Japanese Optical Glass Industry Association Standard
  • the initial transmittance for light with a wavelength of 150 nm is 60% or more
  • the absorption coefficient of 3585 cm- 1 is 0.035 Zcm or less
  • the striae class is 1st or 2nd class
  • the aluminum Base materials satisfying all the conditions of less than lppm and less than 0.5ppm of lithium were selected.
  • An artificial quartz single crystal having a desired size is cut out from the base material thus selected, and subjected to ordinary grinding and polishing to obtain a half-wave plate having a predetermined thickness and a predetermined thickness.
  • An apex prism was fabricated.
  • a predetermined resist pattern was formed on the surface of the quartz single crystal cut into a plate shape by using photolithography, and a diffractive optical element having a predetermined surface shape was manufactured by dry etching.
  • An exposure apparatus shown in FIG. 6 was manufactured by combining these half-wave plates, prisms, and diffractive optical elements made of a single crystal of quartz with other optical members made of synthetic quartz glass or calcium fluoride.
  • the Z-axis is along the normal direction of the wafer W as a photosensitive substrate
  • the Y-axis is in a direction parallel to the plane of FIG. 6 in the wafer plane
  • the X axis is set in the direction perpendicular to the direction.
  • the illumination optical device is set to perform annular illumination.
  • the exposure apparatus shown in FIG. 6 includes an 193 nm wavelength ArF excimer laser light source 101 for supplying exposure light (illumination light).
  • a substantially parallel light beam emitted from the laser light source 101 in the Z direction has a rectangular cross section elongated in the X direction, and is applied to a pair of lenses 102a and 102b by a beam expander 102.
  • Each of the lenses 102a and 102b has a negative refracting power and a positive refracting power, respectively, in the plane of FIG. 6 (in the YZ plane). Therefore, the light beam incident on the beam expander 102 is enlarged in the plane of the paper of FIG. 6 and shaped into a light beam having a predetermined rectangular cross section.
  • the almost parallel light beam passing through the beam expander 102 as a shaping optical system is bent. After being deflected in the Y direction by a mirror 103, the light is incident on an afocal zoom lens 105 via a phase member 110, a devolarizer (non-polarizing element) 120, and a diffractive optical element 104.
  • the diffractive optical element 104 is constituted by forming a step having a pitch of about the wavelength of exposure light (illumination light) on a substrate made of quartz single crystal, and the light beam passing through the diffractive optical element 104 is transmitted through an afocal zoom lens.
  • a circular light intensity distribution, that is, a light beam having a circular cross section is formed at the pupil position 105.
  • the diffractive optical element 104 is configured to be retractable from the illumination light path.
  • the a-focal force zoom lens 105 is configured to be capable of continuously changing the magnification within a predetermined range while maintaining an a-focal system (a non-focus optical system).
  • the light beam having passed through the afocal zoom lens 105 enters a diffractive optical element 106 for annular illumination.
  • the afocal zoom lens 105 optically couples the divergence origin of the diffractive optical element 104 and the diffractive surface of the diffractive optical element 106 almost optically. Then, the numerical aperture of the light beam condensed at one point on the diffraction surface of the diffractive optical element 106 or on a surface in the vicinity thereof changes depending on the magnification of the afocal zoom lens 105.
  • the diffractive optical element 106 for annular illumination has a function of forming a ring-shaped light intensity distribution in its far field when a parallel light beam enters.
  • the diffractive optical element 106 is configured so as to be freely inserted into and removed from the illumination optical path, and has a diffractive optical element 160 for quadrupole illumination, a diffractive optical element 161 for circular illumination, and a diffractive optical element 162 for dipole illumination in the X direction. It is configured to be switchable with the diffractive optical element 163 for dipole illumination in the horizontal and vertical directions.
  • the light beam having passed through the diffractive optical element 106 enters the zoom lens 107.
  • the entrance surface of the micro lens array (or fly-eye lens) 108 is positioned near the rear focal plane of the zoom lens 107.
  • the microlens array 108 is an optical element composed of a large number of microlenses having a positive refractive power and arranged vertically and horizontally and densely. In general, a microlens array is formed by, for example, performing etching on a plane parallel plate to form a group of microlenses.
  • the light beam from the circular light intensity distribution formed at the pupil position of the a-focal force zoom lens 105 via the diffractive optical element 104 emits various angular components after being emitted from the a-focal zoom lens 105.
  • the light beam enters the diffractive optical element 106.
  • the diffractive optical element 104 constitutes an optical integrator having an angle light beam forming function.
  • the diffractive optical element 106 has a function as a light beam conversion element that forms a ring-shaped light intensity distribution in the far field when a parallel light beam enters. Therefore, the light beam having passed through the diffractive optical element 106 forms an annular illumination field around the optical axis AX on the rear focal plane of the zoom lens 107 (and thus on the entrance surface of the microlens array 108). .
  • the light beam incident on the microlens array 108 is divided two-dimensionally, and the rear focal plane of the microlens array 108 has multiple annular light sources (hereinafter, referred to as the illuminated field) formed by the incident light beam.
  • a “secondary light source” is formed.
  • the secondary luminous flux having an annular shape formed on the rear focal plane of the microlens array 108 is subjected to the condensing action of the condenser optical system 109 and then passes through the mirror 130 to a predetermined position.
  • the mask M on which the pattern is formed is illuminated in a superimposed manner.
  • the light transmitted through the pattern of the mask M forms an image of the mask pattern on the wafer W as a photosensitive substrate via the projection optical system PL.
  • each exposure area of the wafer W is exposed.
  • the pattern of the mask M is sequentially exposed.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing the configuration of phase member 110 and debolalizer 120 shown in FIG.
  • the phase member 110 is composed of a half-wave plate made of a single crystal quartz whose crystal optical axis is rotatable about the optical axis AX.
  • the debolizer 120 is composed of a wedge-shaped quartz single crystal prism 120a and a wedge-shaped quartz glass prism 120b having a shape complementary to the quartz single crystal prism 120a.
  • the quartz crystal single crystal prism 120a and the quartz glass prism 120b are configured as an integral prism assembly so as to be removable from the illumination optical path. Since the degree of polarization of the light emitted from the laser light source 101 typically has a degree of polarization of 95% or more, substantially linearly polarized light enters the half-wave plate 110.
  • the crystal optic axis of the half-wave plate 110 When the crystal optic axis of the half-wave plate 110 is set to make an angle of 0 degree or 90 degrees with respect to the plane of polarization of the linearly polarized light that enters, Polarized Light passes without change in the plane of polarization. If the crystal optical axis of the half-wave plate 110 is set to form an angle of 45 degrees with respect to the plane of polarization of the linearly polarized light that enters, The light is converted to linearly polarized light whose polarization plane has changed by 90 degrees.
  • the crystal optic axis of the quartz single crystal prism 120a is set to form an angle of 45 degrees with respect to the plane of polarization of the linearly polarized light that enters, the linearly polarized light that enters the quartz single crystal prism 120a is unpolarized. Converted (unpolarized) to state light
  • the light depolarized through the quartz single crystal prism 120a passes through the quartz glass prism 120b as a compensator for compensating the traveling direction of the light, and passes through the mask M (and thus the wafer W) in a non-polarized state. Lighting).
  • the crystal optic axis of the half-wave plate 110 is set at an angle of 45 degrees with respect to the polarization plane of the incident P-polarized light, the P-polarized light incident on the half-wave plate 110 will be polarized. Changes by 90 degrees, becomes S-polarized light, and enters the crystal single crystal prism 120a.
  • the crystal optic axis of the quartz single crystal prism 120a is set at an angle of 45 degrees with respect to the polarization plane of the incident S-polarized light, the S-polarized light incident on the quartz single crystal prism 120a is unpolarized. The light is converted into light in a state, and illuminates the mask M in a non-polarized state through the quartz glass prism 120b.
  • the crystal optic axis of the half-wave plate 110 is set at an angle of 0 degree or 90 degrees with respect to the plane of polarization of the incident P-polarized light.
  • the P-polarized light that has entered the half-wave plate 110 passes through the P-polarized light without changing the plane of polarization, and illuminates the mask M with light in the P-polarized state.
  • the crystal optic axis of the half-wave plate 110 is set at an angle of 45 degrees with respect to the polarization plane of the incident P-polarized light, the P-polarized light incident on the half-wave plate 110 is polarized. Changes by 90 degrees to become S-polarized light, and illuminates the mask M with light in the S-polarized state.
  • the mask M can be illuminated in a non-polarized state by inserting and positioning the deborizer 120 in the illumination optical path.
  • the depolarizer 120 is retracted from the illumination optical path, and the crystal optic axis of the 1Z2 wave plate 110 is set so as to make an angle of 0 degree or 90 degrees with respect to the plane of polarization of the incident P-polarized light.
  • the Deborizer 120 The mask M can be illuminated in the S-polarized state by retracting the force and setting the crystal optic axis of the half-wave plate 110 at 45 degrees with respect to the plane of polarization of the P-polarized light that enters.
  • An exposure apparatus manufactured by selecting a base material of an artificial quartz single crystal according to the above-described example, and an exposure apparatus having the same configuration as that of such an exposure apparatus but manufactured without selecting a base material of an artificial quartz single crystal An exposure apparatus was compared as follows. That is, both devices were continuously operated under the same exposure conditions, and the illuminance change on the wafer surface was measured.
  • the transmittance per sheet is reduced by about 10%.
  • the wave plate, the prism X 2, the diffractive optical element The total illuminance is 0.65, which is approximately the fourth power of (0.9).
  • the generation of microchannels can be sufficiently prevented, the mechanical strength is high, and the optical element can be easily processed. It is possible to provide an artificial quartz member whose transmittance characteristics are unlikely to be deteriorated even when repeatedly irradiated with a short-wavelength, high-output light for a long period of time, an exposure apparatus using the same, and a method of manufacturing the exposure apparatus. .

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Description

明 細 書
人工水晶部材、露光装置、及び露光装置の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、波長 250nmより短波長のエキシマレーザー等の紫外線レーザーを光 源とした装置などにおいて、プリズム等の光学素子やオプティカルインテグレータを 構成する各種の光学素子として使用可能な人工水晶部材に関するものである。
^景技術
[0002] IC、 LSI等の集積回路パターン転写には、主に縮小投影露光装置 (または光リソグ ラフィ装置)が用いられる。この装置に用いられる投影光学系には、集積回路の高集 積化に伴い、広い露光領域と、その露光領域全体にわたって、より高い解像力が要 求される。投影光学系の解像力の向上については、露光波長をより短くするか、ある いは投影光学系の開口数 (NA)を大きくすることが考えられる。
[0003] 露光波長は、現在、主に半導体露光装置用光源として用いられている KrF (248η m)エキシマレーザー力 深紫外光源である ArF (193nm)エキシマレーザーへと短 波長化が進められている。また、更に高集積化を進めるに当たって、現在、真空紫外 光の F (157nm)レーザーが検討されている。
2
[0004] 最近、光学部品が機械的に損傷するというマイクロチャンネル現象が注目されてい る。マイクロチャンネル現象とは光学部品の表面から内部に直径数 μ mの穴が空くと レヽっ現象で fcd (E.M.Wngnt et al., Spatial pattern microchannel rormation in fused silica irradiated by nanosecond ultraviolet pulses", Applied Optics, 1999, Vol.38, p.5785- 5788)。
[0005] マイクロチャンネルが発生すると、散乱によって部材の透過率が減少したり光学薄 膜が破壊されたりし、光学部品の透過特性が著しく減少する。マイクロチャンネノレは、 例えば、数 mj/cm2という実用域のエネルギー密度の ArFエキシマレーザーを合成 石英ガラスに 1B (109)パルス程度照射し続けると発生する。そのため、露光装置の 通常の使用条件においてもマイクロチャネルの発生による機械的損傷の防止策を施 さなければならなレヽとレ、うことになる。 [0006] 本発明者らは、マイクロチャンネルの発生が石英ガラスの高密度化と密接に関係し ているということを見出し、既に特許出願している(特願 2003-38345号明細書)。 石英ガラスの高密度化は、照射ビームの波長が短くなるほど発生しやすくなるので、 露光装置の高解像化が進む程マイクロチャンネルは深刻な問題になる。また、石英 ガラスは高エネルギー密度の紫外レーザーの照射によって例外なく高密度化してし まうため、ある照射エネルギー閾値を越えるとほとんどの石英ガラスでマイクロチャン ネルは発生してしまう。従って、マイクロチャンネルの発生を防止する手段の一つとし て石英ガラスへの照射エネルギー密度を制限するということが考えられる。し力 なが ら、縮小投影露光装置においては、レジスト面で所定のエネルギー密度が必要とさ れており、光源の出力を抑制することは設計上実施できないこともある。
[0007] もう一つの解決手段として、エネルギー密度の高いビームが照射される光学部品に は石英ガラスを用いずに高密度化が生じない透明結晶材料を用いるという方法があ る。この方法を用いれば、光源の出力を抑制しなくても光学部品へのマイクロチャン ネルの発生を防止できる。
[0008] エキシマレーザーのような短波長域で高い透過率と高い化学的安定性を有するェ 業的に利用可能な結晶材料は限られる。それらには、例えば、蛍石や水晶がある。
[0009] 蛍石(CaF )は、立方晶で光学的に等方性であり、約 12eVの光学的バンドギヤッ
2
プ(lOOnm付近まで透明)を有する非常に優れた光学材料である。最近、 ArFェキ シマレーザーを光源にした縮小露光装置のレンズ材料として用いられている。しかし 、(111)面で劈開するために機械的に弱いという性質も持っており、例えば、 15段階 モース硬度は 4である。そのため、光学素子へ加工する際、破損等を生じ易くて加工 し難いという難点がある。
[0010] 一方、水晶(分子式で Si〇 )は、六方晶で、光学的バンドギャップは約 9eVといわ
2
れている。水晶は劈開しないため、機械的な強度が強ぐ例えば、 15段階モース硬 度は 8である。そのため、蛍石に比べてカ卩ェ性が優れている。
[0011] しかし、水晶は異方的な結晶構造を有しているので、強い複屈折がある。そのため 、複屈折を有していても使用可能な光学部材や、水晶の持つ複屈折性を積極的に 利用できる光学部材として使用することができる。 [0012] このような状況の中で、縮小投影露光装置の照明系光学部品の一部に水晶を用い ることが提案されており、特開平 5-47636号公報においては、水晶の持つ複屈折性 を積極的に利用し、偏光ビームスプリツターや偏光解消素子(デボラライザ一)を水晶 で作製することが開示されている。これらの光学素子を作製するためには材料に複 屈折性が必要なので、蛍石や石英ガラスでは使用できない。
[0013] また、特開 2002—75835号公報においては、ビームを均質化するホモジナイザー に、基板表面に特殊な加工を施した回折光学素子やマイクロフライアイを用いること が開示されている。これらの光学素子を蛍石で作製するには機械的な強度が足りな いので極めて難しい。また、ホモジナイザーは光源に近い位置で用いられるので、照 射されるビームのエネルギー密度は比較的高ぐ石英ガラスで作製する場合、マイク 口チャンネルが発生する危険性がある。そのため、このような光学素子に機械的に強 く、マイクロチャンネルが発生しなレ、水晶を用いるのが好ましレ、。
発明の開示
[0014] し力しながら、従来の水晶は可視光の光学系の物品として満足できる性能を示すも のの、エキシマレーザーのように短波長で高出力の光を長期間繰り返し照射すると、 透過率等の光学特性が劣化しやすレ、ものと、光学特性が劣化しにくいものとが存在 し、品質のばらつきが大き力 た。
[0015] 従って、複屈折が強いという欠点に加え、このような品質のばらつきのために、水晶 を 250nm以下の短波長で高出力の光を長期間繰り返し照射される光学素子には使 用し難いとレ、う問題点があった。
[0016] そこで、この発明は、マイクロチャンネルの発生を十分に防止することができると共 に、機械的強度が高くて光学素子をカ卩ェすることが容易であり、しかも 250nm以下 の短波長で高出力の光が長期間繰返し照射されても、透過率特性が劣化し難い人 ェ水晶部材、それを用いた露光装置、並びにその露光装置の製造方法を提供する ことを課題とする。
[0017] 本発明者らは、短波長で高出力の光が長期間繰り返し照射された際、人工水晶の 光学特性が劣化することについての原因を探究することにより、光学特性の劣化が、 人工水晶の合成法等の製造段階に由来して含有される特定の不純物等に影響を受 けていることを見出し、この発明に至った。
[0018] そこで、本発明は、前記課題を解決する以下の人工水晶部材、それを用いた露光 装置、並びにその露光装置の製造方法を提供する。
[0019] < 1 > 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工 水晶部材であって、 Βδδδοπ 1に位置するヒドロキシノレ基の赤外吸収帯の吸収係数 ひが 0. 035Zcm以下である人工水晶部材。
[0020] < 2 > 波長 150nmの光に対する初期透過率が lcm当たり 60%以上である、く 1
>に記載の人工水晶部材。
[0021] < 3 > アルミニウム含有量が lppm以下及びリチウム含有量が 0. 5ppm以下であ る、 < 1 >に記載の人工水晶部材。
[0022] < 4 > 脈理が日本光学硝子工業会規格 (JOGIS)で定める 1級又は 2級である、
< 1 >に記載の人工水晶部材。
[0023] < 5 > 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工 水晶部材であって、波長 150nmの光に対する初期透過率が lcm当たり 60%以上 である人工水晶部材。
[0024] < 6 > 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工 水晶部材であって、アルミニウム含有量が lppm以下及びリチウム含有量が 0. 5pp m以下である人工水晶部材。
[0025] < 7 > 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工 水晶部材であって、脈理が日本光学硝子工業会規格 CiOGIS)で定める 1級又は 2 級である人工水晶部材。
[0026] < 8 > 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工 水晶部材であって、波長 150nmの光に対する初期透過率が lcm当たり 60%以上、 脈理が日本光学硝子工業会規格 (JOGIS)で定める 1級又は 2級、 Βδδδοπ 1に位 置するヒドロキシル基の赤外吸収帯の吸収係数ひが 0. 035/cm以下、及びアルミ ニゥム含有量力 Sippm以下及びリチウム含有量が 0. 5ppm以下である人工水晶部材
[0027] < 9 > 波長 250nmより短波長のレーザー光を光源としてマスクを照明する照明光 学系と、前記マスクのパターン像を被露光基板上に投影露光する投影光学系とを備 えた露光装置であって、前記照明光学系及び/又は前記投影光学系に <1>ー< 8 >のうちの何れか一項に記載の人工水晶部材からなる光学素子を配置した露光装 置。
[0028] <10> 前記人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系のオプティカルィ ンテグレータに用いる、 <9>に記載の露光装置。
[0029] <11> 前記人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系の位相部材及び
/又はデボラライザに用いる、 <9>に記載の露光装置。
[0030] <12> 前記露光装置に配置される人工水晶部材からなる光学素子のうちの少な くとも 80%力 <1>一 <8>のうちの何れか一項に記載の人工水晶部材からなる光 学素子である、 <9>に記載の露光装置。
[0031] <13> 波長 250nmより短波長のレーザー光を光源としてマスクを照明する照明 光学系と、前記マスクのパターン像を被露光基板上に投影露光する投影光学系とを 備えた露光装置の製造方法であって、
< 1 >一 < 8 >のうちの何れか一項に記載の人工水晶部材からなる光学素子を選 別して準備する工程と、
前記人工水晶部材力 なる光学素子以外の、前記露光装置に必要な諸部材を準 備する工程と、
前記露光装置に必要な諸部材を、前記人工水晶部材からなる光学素子と共に組 み立てて、前記照明光学系及び/又は前記投影光学系に前記人工水晶部材から なる光学素子を配置した露光装置を得る工程と、
を含む露光装置の製造方法。
[0032] <14> 前記人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系のオプティカルィ ンテグレータに用いる、く 13 >に記載の露光装置の製造方法。
[0033] <15> 前記人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系の位相部材及び
/又はデボラライザに用いる、 < 13 >に記載の露光装置の製造方法。
[0034] <16> 前記露光装置に配置される人工水晶部材からなる光学素子のうちの少な くとも 80%力 <1>一 <8>のうちの何れか一項に記載の人工水晶部材からなる光 学素子である、 < 13 >に記載の露光装置の製造方法。
[0035] 上記 < 1 >一 < 8 >のうちの何れか一項に記載の本発明の人工水晶部材によれば 、マイクロチャンネルの発生を十分に防止することができると共に、機械的強度が高く て光学素子をカ卩ェすることが容易であり、しかも、波長 150nmの光に対する初期透 過率が lcm当たり 60%以上であるか、 Βδδδαι 1に位置するヒドロキシル基の赤外 吸収帯の吸収係数ひが 0. 035/cm以下である力、、又は、アルミニウム含有量が lp pm以下及びリチウム含有量が 0. 5ppm以下であれば、短波長で高出力の光が長期 間繰り返し照射されても、透過率特性が劣化し難ぐ優れた光学素子としての人工水 β材を提供することができる。
[0036] また、脈理が日本光学硝子工業会規格で定める 1級又は 2級であれば、
一ザ一の照射後に着色が発生し易い脈理が少ないため、層状の脈理の発生を防止 し易い。
[0037] また、上記 < 9 >ー< 12 >のうちの何れか一項に記載の本発明の露光装置によれ ば、照明光学系及び/又は前記投影光学系に前記本発明の人工水晶部材からなる 光学素子を配置したので、光学系を構成する光学素子のマイクロチャンネルの発生 を抑制できると共に、透過率特性の劣化を抑制できるので、耐久性に優れた露光装 置を提供することができる。
[0038] さらに、上記< 13 >— < 16 >のぅちの何れかー項に記載の本発明の露光装置の 製造方法によれば、光学系を構成する光学素子のマイクロチャンネルの発生が抑制 されると共に透過率特性の劣化が抑制され、耐久性に優れた露光装置を効率良くか つ確実に得ることが可能となる。
図面の簡単な説明
[0039] [図 1]図 1は、本発明の露光装置の好適な一実施形態の構成を概略的に示す図であ る。
[図 2]図 2は、 150nmの光に対する初期透過率と ArFエキシマレーザー照射後の波 長 193nmでの誘起吸収量の関係を示すグラフである。
[図 3A]図 3Aは、 ArFエキシマレーザー照射前における脈理の位置と着色の位置を 示す模式図である。 [図 3B]図 3Bは、 ArFエキシマレーザー照射後における脈理の位置と着色の位置を 示す模式図である。
[図 4]図 4は、 ArFエキシマレーザー照射後の波長 193nmでの誘起吸収量と 3585c π 1の赤外吸収帯の高さとの関係を示すグラフである。
[図 5]図 5は、 ArFエキシマレーザー照射後の波長 193nmでの誘起吸収量と Al、 Li 不純物量の関係を示すグラフである。
[図 6]図 6は、本発明の露光装置の好適な他の実施形態の構成を概略的に示す図で める。
[図 7]図 7は、図 6に示す位相部材及びデボラライザの構成を概略的に示す図である 発明を実施するための最良の形態
[0040] 以下、この発明の実施の形態について説明する。
[0041] 図 1に示す露光装置は、本発明の好適な実施形態にかかる露光装置であり、例え ば、 KrFエキシマレーザ、 ArFエキシマレーザ、 Fレーザ等の 250nm以下の紫外線
2
を光源 1から照射し、各種の光学素子からなる照明光学系 4及び投影光学系 16を経 て、マスク 14の回路パターン等の露光形状をウェハ等の被露光物 20に転写する装 置である。
[0042] この露光装置では、光源 1から照射された紫外線が、複数のレンズ 2が配置された 光束整形光学系 3において平行光束に変換され、ミラー 4aで偏向された後、照明光 学系 4のホモジナイザー 5に入射される。
[0043] ホモジナイザ 5では、まず、回折光学素子 6に入射されて、輪帯状の断面を有する 発散光束に変換され、複数のズームレンズ 7を経由してほぼ平行光束に変換されて 、マイクロフライアイ 8に入射される。このマイクロフライアイ 8は、稠密に且つ縦横に多 数配列された正六角形状の微小レンズからなる光学素子で、入射された光束に基づ いて、各微小レンズの後側焦点面に、それぞれ 1つのリング状の光源を形成する。
[0044] マイクロフライアイ 8の後側焦点面に形成された多数の光源からの光束は、ズームレ ンズ 9を介して、フライアイレンズ 11を重畳的に照射する。このフライアイレンズ 11は、 入射面側及び射出側が凸面を有する多数のレンズエレメントを稠密に且つ縦横に配 列することによって構成され、マスクの照野の形状及びウェハ上に形成される露光領 域の形状に相似する矩形状の断面を有するものであり、フライアイレンズ 11の後側焦 点面に輪帯状の実質的な面光源が形成される。
[0045] その後、ホモジナイザー 5において光束のずれ等が補正されて紫外線のエネルギ 一密度のむらが低減された光束力 コンデンサレンズ 12の集光作用を受けた後、ミラ 一 13を経由して、所定のパターンが形成されたマスク 14を重畳的に均一照明する。 その後、多数のレンズ 15を備えた投影光学系 16を経由して、マスク 14の回路パター ン等の露光形状がウェハ等の被露光物 20に転写される構成となっている。
[0046] この発明では、このような露光装置の各種の光学素子として本発明の人工水晶部 材を用いることができる。特に、人工水晶部材が強い複屈折を有しているため、本発 明の人工水晶部材からなる光学素子を、複屈折を有していても使用可能な光学素子 として使用することが好ましぐ照明光学系に用いることがより好ましぐ照明光学系の 偏光ビームスプリッタゃ波長板等の位相部材及び/又はデボラライザに用いることが 特に好ましい。また、本発明の人工水晶部材からなる光学素子を、照明光学系のォ プティカルインテグレータにに用いることも好ましい。
[0047] また、露光装置に使用される人工水晶部材の枚数は一般的に露光装置 1台あたり 2枚一 10枚程度である力 本発明の人工水晶部材からなる光学素子が少なくとも 80 %を占めていることが好ましぐ 100%を占めていることが特に好ましい。
[0048] より具体的には、露光装置のホモジナイザ 5等のオプティカルインテグレータを構成 する光学素子として本発明の人工水晶部材力 なる光学素子を使用することができ る。このオプティカルインテグレータを構成する光学素子として、この実施の形態の露 光装置では、回折光学素子 5等の回折光学素子、極めて微小の複数のレンズ素子 力、ら構成されるマイクロフライアイ 8等のマイクロアレイレンズ、フライアイレンズ 11など が挙げられる。なお、この実施の形態の露光装置には使用されていないが、カレイド スコープ等のロッド状の内面反射型の光学素子等にも使用可能である。
[0049] このような光学素子として本発明の人工水晶部材を用いると、人工水晶部材が結晶 であるため、エネルギー密度の高いビームが照射されても、光源の出力を抑制するこ
)発生を防止することができる。同時に、水晶が劈開せず、 機械的な強度が強いため、マイクロフライアイ 8やフライアイレンズ 11などの複雑な形 状であっても加工することが容易である。
[0050] このような人工水晶部材は、水熱合成法により人工水晶を合成して、所望の形状に 加工することにより製造される。この水熱合成法とは、水晶屑とアルカリ溶液を下部に 配置するとともに、上部に水晶の種結晶を吊した高温及び高圧のオートクレープ内で 結晶を育成することにより人工水晶を得る方法である。
[0051] 水熱合成法により合成された人工水晶の場合、 KrFまたは ArFエキシマレーザー 等の 250nm以下の波長の紫外線レーザを長期間繰り返し照射して特性の変化を測 定すると、照射後、着色した試料と着色しない試料とが生じて、透過率の低下が大き レ、試料と透過率の低下が小さレ、試料とが生じる。
[0052] 本発明者らが種々の人工水晶について測定したところ、着色した試料も、着色しな い試料も 248nmや 193nmの初期透過率は同じであった。従って、主に使用する波 長域の透過率を基準にしても、試料の特性の良し悪しを篩分けすることができない。
[0053] ところ力 S、実験により劣化しな力つた試料の特性を再度解析した結果、実際に照射 される紫外線レーザより短い波長である 150nm付近における初期透過率を基準に すると、良品とそうでなレ、ものとを区別できることを見出した。
[0054] そこで、この発明では、例えば、人工水晶を水熱合成法を用いて合成する際、結晶 育成用のアルカリ溶液の成分を調整したり、結晶育成時の圧力や温度を調整するこ とにより、或いは、水熱合成法を用いて合成された人工水晶から選択することにより、 波長 150nmの光に対する初期透過率が lcm当たり 60%以上となるようにして、 250 nm以下の波長の紫外線レーザを照射した際に透過率が低下し難い本発明の人工 水晶部材を得ている。
[0055] 前述の通り、 KrFエキシマレーザ、 ArFエキシマレーザ、 Fレーザ等の使用波長に
2
より透過率を測定しても、当初の測定値には差がない。しかし、 150nmという波長は 、水晶の本質的な吸収帯の裾に相当するため、この波長で測定された初期透過率 は、水晶の結晶性を非常に強く反映している。しかも、この初期透過率には、水熱合 成法による人工水晶に含有されやすくて透過率の耐久性に影響を与えやすい不純 物濃度も反映されている。即ち、 150nmの透過率が高い人工水晶は、結晶性がよく 、不純物濃度も小さいことを示唆している。
[0056] この 150nmという波長の紫外線は、石英ガラスの場合、透過しないため判定に使 用することができず、また、蛍石の場合、吸収帯がより短波長側に存在するため、や はり、判定に使用することができないのである。
[0057] 即ち、 150nmで測定された初期透過率には、水晶固有の情報が含まれていて、そ のため、 150nmの初期透過率を 60%以上となるように製造すれば、 250nmより短 波長のレーザー光に対する透過率の耐久性が優れた本発明の人工水晶部材を得る ことができるのである。
[0058] なお、本発明の人工水晶部材における上記初期透過率は、 30mm以下程度の間 隔で測定することが好ましぐ直径が 30mm以下の部材であれば 1点測定であっても よい。
[0059] 次に、前記の実験により劣化した試料の特性を再度解析した結果から、粗悪品の 多くには、 OH、 Al、 Li等の不純物が含有されており、それらの含有量と誘起光学吸 収帯の生成に強い相関があることを見出した。
[0060] そのため、この発明では、例えば、人工水晶を水熱合成法を用いて合成する際、結 晶育成用のアルカリ溶液の成分を調整したり、結晶育成時の圧力や温度を調整する ことにより、或いは、水熱合成法を用いて合成された人工水晶から選択することにより 、まず、前記のような水熱合成法により合成される人工水晶部材の 3585cm— 1に位置 するヒドロキシル基の赤外吸収帯の吸収係数を 0· 035/cm以下にすることにより、 2 50nmより短波長のレーザー光に対する透過率の耐久性を向上している。
[0061] 水熱合成法では、アルカリ溶液を用いるため、特に、得られる人工水晶中のヒドロキ シル基の含有量が多くなりやすレ、。 250nmより短波長のレーザー光が照射される人 ェ水晶部材では、ヒドロキシル基の含有量が多いと誘起吸収が大きくなる。そのため 、ヒロドキシノレ基による誘起吸収を少なく抑えれば、透過率の耐久性を向上し易い。
[0062] 特に、人工水晶部材の場合には、 3585cm— 1に位置する赤外吸収帯の吸収係数 が 0. 035Zcmを超える範囲では、誘起吸収が指数関数的に増大する。そのため、 本発明の人工水晶部材においては前記吸収係数を 0. 035/cm以下にすることに より、前記のような短波長のレーザー光に対する透過率の耐久性を向上し易くするこ とができるのである。
[0063] なお、本発明の人工水晶部材における上記吸収係数は、 30mm以下程度の間隔 で測定することが好ましぐ直径が 30mm以下の部材であれば 1点測定であってもよ レ、。
[0064] また、このような人工水晶部材では、アルミニウム及びリチウムも含有されやすぐこ のような不純物も、 250nmより短波長のレーザー光に対する人工水晶部材の透過率 の耐久性に与える影響が大きい。そのため、本発明の人工水晶部材においては、ァ ノレミニゥム含有量を lppm以下、且つリチウム含有量を 0. 5ppm以下とすることにより 、透過率の耐久性を向上している。
[0065] 更に、前記の実験による試料の特性の再度の解析から、粗悪品に誘起した着色の 多くは層状に分布していることを見出した。
[0066] この層は結晶成長に何らかの障害が発生したことと関係しており、不純物が残留し ていたりエッチピットなどが発生していたりする。その様な不具合は脈理として観察さ れることが多々ある。そして、脈理のある水晶には、エキシマレーザーの照射後、脈 理に沿って着色が発生し易いことを見出した。
[0067] そのため、前記のように水熱合成法により合成された人工水晶部材では、特に、脈 理が日本光学硝子工業会規格 iOGIS)で定める 1級又は 2級であるのがよレ、。即ち 、 50mm X 50mm X 20mmの形状の光学素子の 50mm X 20mmの平行な両面間 に、層状の不均質性がピンホール光の投影像で認められないか、薄くて分散した脈 理で眼に見える限界のものである。このような脈理の本発明の人工水晶部材におい ては、 250nm以下の波長の紫外線レーザの照射領域内に、脈理部分に沿って生じ る着色を抑え易いのである。
[0068] なお、このように脈理が日本光学硝子工業会規格 (JOGIS)で定める 1級又は 2級 である人工水晶部材をより確実に得るためには、水熱合成法等により合成された人 ェ水晶部材から種結晶を含む領域を除外する前処理工程を含んでいることが好まし レ、。
[0069] 次に、本発明の露光装置の製造方法について説明する。本発明の露光装置の製 造方法は、波長 250nmより短波長のレーザー光を光源としてマスクを照明する照明 光学系と、前記マスクのパターン像を被露光基板上に投影露光する投影光学系とを 備えた露光装置の製造方法であって、
前記本発明の人工水晶部材からなる光学素子を選別して準備する工程と、 前記人工水晶部材力 なる光学素子以外の、前記露光装置に必要な諸部材を準 備する工程と、
前記露光装置に必要な諸部材を、前記人工水晶部材からなる光学素子と共に組 み立てて、前記照明光学系及び Z又は前記投影光学系に前記人工水晶部材から なる光学素子を配置した露光装置を得る工程と、
を含む方法である。
[0070] ここで、前記本発明の人工水晶部材力 なる光学素子を選別する具体的な方法は 特に制限されず、下記選択基準:
(i) 3585cm— 1に位置するヒドロキシル基の赤外吸収帯の吸収係数ひが 0. 035/cm 以下であること、
(ii) 150nmの光に対する初期透過率が lcm当たり 60%以上であること、
(iii)アルミニウム含有量が lppm以下及びリチウム含有量が 0. 5ppm以下であること、
(iv)脈理が日本光学硝子工業会規格 CiOGIS)で定める 1級又は 2級であること、 のうちの少なくとも一つの基準に基づいて選択される。
[0071] 前記人工水晶部材力 なる光学素子以外の露光装置に必要な諸部材は特に制限 されず、露光装置に一般的に使用される種々の部材が適宜用いられる。また、このよ うな露光装置に必要な諸部材を、前記人工水晶部材からなる光学素子と共に組み立 てる方法も特に制限されず、露光装置を組み立てる一般的な方法が適宜採用される
[0072] なお、本発明は、レチクルとウェハとを同期移動してレチクルのパターンを露光する ステップ ·アンド 'スキャン方式の走查型投影露光装置(米国特許 5, 473, 410号)、 いわゆるスキャニング.ステッパーのみならず、レチクルとウェハとを静止した状態でレ チクルのパターンを露光し、ウェハを順次ステップ移動させるステップ'アンド'リピー ト方式の露光装置 (ステッパー)にも適用すること力 Sできる。
[0073] また、本発明はツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の 露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平 10 - 163099号及び特開平 10 - 2 14783号(対応米国特許 6, 341, 007号、 6, 400, 441号、 6, 549, 269号及び 6 , 590,634号)、特表 2000— 505958号(対応米国特許 5, 969, 441号)あるレ、は 米国特許 6, 208, 407号に開示されている。
[0074] さらに、本発明は、投影光学系と被露光物との間に局所的に液体を満たす液浸露 光装置や、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光 装置や、ステージ上に所定深さの液体槽を形成しその中に基板を保持する液浸露 光装置にも適用可能である。露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動 させる液浸露光装置の構造及び露光動作については、例えば特開平 6 - 124873号 に、ステージ上に所定深さの液体槽を形成してその中に基板を保持する液浸露光装 置については、例えば特開平 10—303114号や米国特許 5, 825, 043号にそれぞ れ開示されている。
[0075] 以上説明したように、本発明の露光装置及びその製造方法においては、前記本発 明の人工水晶部材からなる光学素子を選別して配置されていればよぐそれ以外の 構成は特に制限されない。本発明の露光装置及びその製造方法に適用可能な構成 が記載されている上記の米国特許 5, 473, 410号、米国特許 6, 341 , 007号、米国 特許 6, 400, 441号、米国特許 6, 549, 269号、米国特許 6, 590,634号、米国特 許 5, 969, 441号、米国特許 6, 208, 407号及び米国特許 5, 825, 043号、並び に、特開平 10-163099号、特開平 10-214783号、特開平 6—124873号、特開平 10— 303114号及び特表 2000— 505958号は、参考文献としてこの明細書中に組 み込まれる。
実施例
[0076] 以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は 以下の実施例に限定されるものではない。
[0077] (実施例 1)
まず、水熱合成法により合成した Z板水晶原石の種結晶を除外した領域から、 60 φ X I 5mm厚のブロックを切り出した。 60 φ面は Z軸に対し垂直であった。 15mm厚 の円板を精密研削ならびに研磨加工し、最終形状 60 φ X 10mm厚の試料を得た。 [0078] そして、得られた人工水晶試料を用い、 150nmの光に対する初期透過率(%/0 m、 /cmは単位厚さ)と、 ArFエキシマレーザーを 200mj/cm2で 1 X 106パルス照 射後の誘起吸収量 (/cm)とを測定した。
[0079] 試料への 150nmの紫外線の照射は窒素ガスでパージされたアルミニウム製チャン バーの中で行われた。 60 φ面を垂直に立てて、 60面に垂直な方向から光を照射し た。
[0080] また、真空紫外域の光学透過測定には、市販のシングノレビーム方式の分光光度計 を用いた。重水素ランプを光源とし、回折光学素子で分光される光をターボ分子ボン プで真空に引かれた試料室に導入した。試料室を透過した光の強度はフォトマルチ プライアーで検出され、スペクトルはコンピューターに記録された。まず、試料台に何 もおかずブランクスペクトルを最初に測定した。その後試料台に 60 φ X 10mm厚の 人工水晶試料を静置し、試料を通過した光の強度を測定した。ブランクと試料を通過 した光の強度比を試料の透過率とした。
[0081] 図 2に、 150nmの初期透過率(%/(:111)と ArFエキシマレーザー照射後の波長 19 3nmでの誘起吸収量 (/cm)の関係を示した。図中、横軸は厚さ lcmの試料で測定 された 150nmの初期透過率を、縦軸は ArFエキシマレーザー照射後に誘起された 193nmでの誘起吸収係数(/cm)である。
[0082] ここで、誘起吸収量とは照射前後の吸収係数(/cm)の差を言う。 150nmの初期 透過率が 60%より低いと、波長 193nmでの誘起吸収量 (/cm)が指数関数的に増 大していることが分かる。
[0083] 図 2のグラフを元に、 150nmでの初期透過率を指標として水晶試料を選別したとこ ろ、 60%より初期透過率が高い試料では ArFエキシマレーザー照射後に 193nmの 透過率がほとんど減少しな力、つたのに対し、 60%より初期透過率が低い試料では Ar Fエキシマレーザー照射後に 193nmの透過率は全て減少した。また、 150nmでの 初期透過率が低い試料ほどレーザー照射後の 193nmでの透過率は顕著に減少し た。
[0084] 従って、 150nmの光に対する初期透過率が 60%以上であれば、良品を不良品か ら選別して使用することができる。 [0085] (実施例 2)
上記実施の形態のようにして作製した試料を用いて、脈理の位置と着色部分の位 置との関係を観察した。
[0086] 脈理の程度の評価は、ピンホール光の投影像を目視観察することにより行った。 白 熱灯の光をフィルターと拡散板を通して単色光(黄色)で一様にした。直径 0. 5mm のピンホールとコリメーシヨンレンズで平行にした光束を試料に照射した。試料を通過 した光を白色平板のスクリーンに投影した。そして、被検物と標準試料と脈理の強さ を比較し、脈理の程度を決定した。
[0087] そして、 2級の脈理が観察された試料に、 ArFエキシマレーザーを、 200mj/cm2 で 1 X 106パルス照射した。レーザー光は 10mm X 10mmのアパーチャ一を通し、試 料の中央に照射された。照射領域内にある脈理部分が特に強く着色した。着色は目 視でも十分確認できて、黒灰色の煙のように見えた。
[0088] 図 3A及び図 3Bに、脈理とレーザー照射後の着色の位置関係を示した。ここでは、
60 φ面を真上から見ており、図 3Aは照射前、図 3Bは照射後を示している。照射前 、ピンホール光の投影によって見えた脈理 25に沿って、照射後、照射領域 26内に黒 灰色の煙のような着色 27が観察された。
[0089] 従って、脈理が存在すると、その脈理に沿って着色が発生し易くなるため、脈理が できるだけ少ないことが望ましく、 JOJISにおける 1級又は 2級であることが望ましい。
[0090] (実施例 3)
上記実施の形態のようにして作製した水晶試料 (60 φ X 10mm厚)を用レ、、 OHの 赤外吸収帯の高さ(/cm)と ArFエキシマレーザーを、 200mj/cm2で 1 X 106パル ス照射した後の波長 193nmの誘起吸収量 (Zcm)を測定した。
[0091] 近赤外一紫外域の光学透過測定には市販のダブルビーム方式の分光光度計を用 いた。近赤外域ではハロゲンランプを紫外域では重水素ランプを光源とし、回折光学 素子で分光される光を参照光と測定光の 2つの光線に分離した。分離された光線は 共に窒素ガスでパージされた試料室に導入された。参照光側の試料台には何もお かず、測定光側の試料台には 60 φ X 10mm厚の水晶試料を静置した。試料室を通 過した参照光と測定光は積分球で集光され、フォトマルチプライアーで検出される。 参照光強度と測定光強度の比を透過率とした。
[0092] 図 4に、 OHの赤外吸収帯の高さ(/cm)と ArFエキシマレーザー照射後の波長 19 3nmでの誘起吸収量(/cm)の関係を示す。
[0093] ここで、〇Hの赤外吸収帯の高さとは、波長 2789nm (波数 Βδδδ^ι 1)の位置の 吸収係数から波長 2700nmの位置の吸収係数をベースとして引いた値である。また 、誘起吸収量とは照射前後の吸収係数 (/cm)の差を言う。
[0094] 図 4では、 ArFエキシマレーザー照射後の波長 193nmでの誘起吸収量と 3585c π 1の赤外吸収帯の高さとの関係を示している。〇Ηの赤外吸収量 0. OSScnT1を境 に照射後の誘起吸収量が指数関数的に増大していることが分かる。
[0095] 図 4より、〇H吸収帯の高さが 0. 035/cnT1より高レ、と、波長 193nmでの誘起吸 収量 (/cm)が指数関数的に増大していることが分かる。このグラフを元に、〇H吸収 帯の高さを指標として水晶試料を選別したところ、 OH吸収帯の高さが 0. 035/cm より低い水晶は ArFエキシマレーザー照射後に 193nmの透過率がほとんど減少し なかったのに対し、 OH吸収帯の高さが 0. 035/cmより高い水晶は ArFエキシマレ 一ザ一照射後に 193nmの透過率が顕著に減少した。また、 OH吸収帯の高さが高 い試料ほどレーザー照射後の 193nmでの透過率は顕著に減少した。
[0096] (実施例 4)
前記のように作製した水晶試料(60 φ X 10mm厚)に ArFエキシマレーザーを、 20 Omj/cm2で 1 X 106パルス照射して、 ArFエキシマレーザー照射後の波長 193nm での誘起吸収量 (/cm)を測定するとともに、試料に含まれるアルミニウムやリチウム の不純物含有量を ICP質量分析装置を用いて定量的に評価した。
[0097] 図 5に、 ArFエキシマレーザー照射後の波長 193nmでの誘起吸収量(/cm)と A1 ならびに Li含有量 (ppm)の関係を示した。ここで、誘起吸収量とは照射前後の吸収 係数(/cm)の差を言う。
[0098] 図 5では、 ArFエキシマレーザー照射後の波長 193nmでの誘起吸収量と Al、 Li不 純物量の関係を示している。左縦軸が A1含有量 (ppm)を、右縦軸が Li含有量を示 してレ、る。 ·が A1含有量のデータであり、口が Li含有量のデータである。照射後の 1 93nmでの誘起吸収量は A1含有量と Li含有量に対しほぼ直線的に増加している。 [0099] 図 5より、 A1含有量が lppmより高いと、波長 193nmでの誘起吸収量(/cm)が直 線的に増大していることが分かる。このグラフを元に、 A1含有量を指標として水晶試 料を選別したところ、 A1含有量が lppmより少ない水晶は ArFエキシマレーザー照射 後に 193nmの透過率がほとんど減少しなかったのに対し、 A1含有量が lppmより多 い水晶は ArFエキシマレーザー照射後に 193nmの透過率がほとんど減少しなかつ た。また、 A1含有量が多い試料ほどレーザー照射後の 193nmでの透過率は顕著に 減少した。
[0100] 同様に、 Li含有量が 0. 5ppmより高いと、波長 193nmでの誘起吸収量(/cm)が 直線的に増大していることが分かる。このグラフを元に、 Li含有量を指標として水晶 試料を選別したところ、 Li含有量が 0. 5ppmより少ない水晶は ArFエキシマレーザ 一照射後に 193nmの透過率がほとんど減少しなかったのに対し、 Li含有量が 0. 5p pmより多い水晶は ArFエキシマレーザー照射後に 193nmの透過率が顕著に減少 した。また、 Li含有量が多い試料ほどレーザー照射後の 193nmでの透過率は顕著 に減少した。
[0101] (実施例 5)
本実施例では図 6に示す構成の露光装置を製造した。
[0102] 始めに水熱合成により人工水晶単結晶を製造した。合成した単結晶塊には種結晶 が含まれるため、集光灯を用いて肉眼で観察し、種結晶との界面を見出してマーキ ングを施し、マーキングの外側に 5mmの余裕を残して種結晶部分を切断、除去した 。このようにして種結晶部分を除去した単結晶を光学素子製造用の母材とした。
[0103] 上記母材から直径 30mmの円柱状試料を切り出し、 2面を平行に光学研磨して厚 さ 10mmの透過率測定用試料とした。この試料を用いて市販のシングルビーム型真 空紫外分光光度計により波長 150nmの光に対する初期透過率を測定した。
[0104] 次に、上記の透過率測定用試料を用いて、市販のダブルビーム型赤外分光光度 計により、 3585cm 1 ( = 2789nm)の吸収係数を測定した。具体的には 2600nm力 ら 3200nmまで波長掃引の透過率測定を行レ、、測定された透過率スペクトルを吸収 スペクトルに変換した。この吸収スペクトルにおける 3703cm_1 ( = 2700nm)の吸収 係数をベースラインとし、 3585cm— 1の吸収係数を求めた。 [0105] 次に、母材から 50mm X 50mm X 20mmの結晶を切り出し、 50mm X 20mmの両 面を平行に光学研磨して脈理評価用試料とした。この試料を JOGIS (日本光学硝子 工業会規格) 11-1975に従って標準試料と比較し、脈理等級を決定した。
[0106] 次に、母材の一部を化学分析用に採取し、 ICP質量分析装置を用いてアルミニゥ ムおよびリチウムの含有量を定量分析した。
[0107] 以上の項目の評価結果に基づき、波長 150nmの光に対する初期透過率が 60% 以上、 3585cm— 1の吸収係数が 0. 035Zcm以下、脈理等級が 1級または 2級、アル ミニゥムの含有量が lppm以下、リチウムの含有量が 0. 5ppm以下の全ての条件を 充足する母材を選別した。
[0108] このようにして選別された母材から所望の大きさの人工水晶単結晶を切り出し、通 常の研削加工および研磨加工を施して、所定の厚さの 1/2波長板および所定の頂 角のプリズムを製作した。また板状に切り出した水晶単結晶の表面にフォトリソグラフ ィーを用いて所定のレジストパターンを形成し、ドライエッチングにより所定の表面形 状を有する回折光学素子を製作した。これらの水晶単結晶からなる 1/2波長板、プ リズム及び回折光学素子と、合成石英ガラスまたはフッ化カルシウムから製造した他 の光学部材と組み合わせ、図 6に示す露光装置を製造した。
[0109] 図 6において、感光性基板であるウェハ Wの法線方向に沿って Z軸を、ウェハ面内 において図 6の紙面に平行な方向に Y軸を、ウェハ面内において図 6の紙面に垂直 な方向に X軸をそれぞれ設定している。なお、図 6では、照明光学装置が輪帯照明を 行うように設定されている。
[0110] 図 6に示す露光装置は、露光光(照明光)を供給するための波長 193nmの ArFェ キシマレーザ光源 101を備えている。レーザ光源 101から Z方向に沿って射出された ほぼ平行な光束は、 X方向に沿って細長く延びた矩形状の断面を有し、一対のレン ズ 102aおよび 102b力、らなるビームエキスパンダ 102に入射する。各レンズ 102aお よび 102bは、図 6の紙面内(YZ平面内)において負の屈折力および正の屈折力を それぞれ有する。したがって、ビームエキスパンダ 102に入射した光束は、図 6の紙 面内において拡大され、所定の矩形状の断面を有する光束に整形される。
[0111] 整形光学系としてのビームエキスパンダ 102を介したほぼ平行な光束は、折り曲げ ミラー 103で Y方向に偏向された後、位相部材 110、デボラライザ (非偏光化素子) 1 20、および回折光学素子 104を介して、ァフォーカルズームレンズ 105に入射する。 回折光学素子 104は、水晶単結晶からなる基板に露光光(照明光)の波長程度のピ ツチを有する段差を形成することによって構成され、回折光学素子 104を介した光束 は、ァフォーカルズームレンズ 105の瞳位置に円形状の光強度分布、すなわち円形 状の断面を有する光束を形成する。回折光学素子 104は、照明光路から退避可能 に構成されている。
[0112] ァフォー力ノレズームレンズ 105は、ァフォーカル系(無焦点光学系)を維持しながら 所定の範囲で倍率を連続的に変化させることができるように構成されている。ァフォ 一カルズームレンズ 105を介した光束は、輪帯照明用の回折光学素子 106に入射 する。ァフォーカルズームレンズ 105は、回折光学素子 104の発散原点と回折光学 素子 106の回折面とを光学的にほぼ共役に結んでいる。そして、回折光学素子 106 の回折面またはその近傍の面の一点に集光する光束の開口数は、ァフォーカルズ ームレンズ 105の倍率に依存して変化する。
[0113] 輪帯照明用の回折光学素子 106は、平行光束が入射した場合に、そのファーフィ 一ルドにリング状の光強度分布を形成する機能を有する。回折光学素子 106は、照 明光路に対して挿脱自在に構成され、且つ 4極照明用の回折光学素子 160や円形 照明用の回折光学素子 161や X方向 2極照明用の回折光学素子 162や Υ方向 2極 照明用の回折光学素子 163と切り換え可能に構成されている。
[0114] 回折光学素子 106を介した光束は、ズームレンズ 107に入射する。ズームレンズ 10 7の後側焦点面の近傍には、マイクロレンズアレイ(またはフライアイレンズ) 108の入 射面が位置決めされている。マイクロレンズアレイ 108は、縦横に且つ稠密に配列さ れた多数の正屈折力を有する微小レンズからなる光学素子である。一般に、マイクロ レンズアレイは、たとえば平行平面板にエッチング処理を施して微小レンズ群を形成 することによって構成される。
[0115] 回折光学素子 104を介してァフォー力ノレズームレンズ 105の瞳位置に形成される 円形状の光強度分布からの光束は、ァフォーカルズームレンズ 105から射出された 後、様々な角度成分を有する光束となって回折光学素子 106に入射する。すなわち 、回折光学素子 104は、角度光束形成機能を有するオプティカルインテグレータを 構成している。一方、回折光学素子 106は、平行光束が入射した場合に、そのファー フィールドにリング状の光強度分布を形成する光束変換素子としての機能を有する。 したがって、回折光学素子 106を介した光束は、ズームレンズ 107の後側焦点面に( ひいてはマイクロレンズアレイ 108の入射面に)、たとえば光軸 AXを中心とした輪帯 状の照野を形成する。
[0116] マイクロレンズアレイ 108に入射した光束は二次元的に分割され、マイクロレンズァ レイ 108の後側焦点面には、入射光束によって形成される照野と同じ輪帯状の多数 光源 (以下、「二次光源」という)が形成される。
[0117] マイクロレンズアレイ 108の後側焦点面に形成された輪帯状の二次光源力もの光 束は、コンデンサー光学系 109の集光作用を受けた後、ミラー 130を経由して、所定 のパターンが形成されたマスク Mを重畳的に照明する。マスク Mのパターンを透過し た光束は、投影光学系 PLを介して、感光性基板であるウェハ W上にマスクパターン の像を形成する。こうして、投影光学系 PLの光軸 AXと直交する平面 (XY平面)内に おいてウェハ Wを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うこ とにより、ウェハ Wの各露光領域にはマスク Mのパターンが逐次露光される。
[0118] 図 7は、図 6に示す位相部材 110およびデボラライザ 120の構成を概略的に示す図 である。
[0119] 位相部材 110は、光軸 AXを中心として結晶光学軸が回転自在に構成された水晶 単結晶からなる 1/2波長板により構成されている。一方、デボラライザ 120は、楔形 状の水晶単結晶プリズム 120aと、この水晶単結晶プリズム 120aと相補的な形状を有 する楔形状の石英ガラスプリズム 120bとにより構成されている。水晶単結晶プリズム 120aと石英ガラスプリズム 120bとは、一体的なプリズム組立体として、照明光路に対 して揷脱自在に構成されている。レーザ光源 101から射出される光の偏光度は典型 的には 95%以上の偏光度を有するため、 1/2波長板 110にはほぼ直線偏光の光 が入射する。
[0120] 1/2波長板 110の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 0度または 90度の角度をなすように設定された場合、 1/2波長板 110に入射した直線偏光の 光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。また、 1/2波長板 110の結晶光 学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 45度の角度をなすように設定された場 合、 1/2波長板 110に入射した直線偏光の光は偏光面が 90度だけ変化した直線 偏光の光に変換される。さらに、水晶単結晶プリズム 120aの結晶光学軸が入射する 直線偏光の偏光面に対して 45度の角度をなすように設定された場合、水晶単結晶 プリズム 120aに入射した直線偏光の光は非偏光状態の光に変換 (非偏光化)される
[0121] 水晶単結晶プリズム 120aを介して非偏光化された光は、光の進行方向を補償する ためのコンペンセータとしての石英ガラスプリズム 120bを介して、非偏光状態でマス ク M (ひいてはウェハ W)を照明する。一方、 1/2波長板 110の結晶光学軸が入射 する P偏光の偏光面に対して 45度の角度をなすように設定すると、 1/2波長板 110 に入射した P偏光の光は偏光面が 90度だけ変化し、 S偏光の光になって水晶単結 晶プリズム 120aに入射する。水晶単結晶プリズム 120aの結晶光学軸は入射する S 偏光の偏光面に対しても 45度の角度をなすように設定されているので、水晶単結晶 プリズム 120aに入射した S偏光の光は非偏光状態の光に変換され、石英ガラスプリ ズム 120bを介して、非偏光状態でマスク Mを照明する。
[0122] これに対し、デボラライザ 120を照明光路から退避させた場合、 1/2波長板 110の 結晶光学軸が入射する P偏光の偏光面に対して 0度または 90度の角度をなすように 設定すると、 1/2波長板 110に入射した P偏光の光は偏光面が変化することなく P偏 光のまま通過し、 P偏光状態の光でマスク Mを照明する。一方、 1/2波長板 110の 結晶光学軸が入射する P偏光の偏光面に対して 45度の角度をなすように設定すると 、 1/2波長板 110に入射した P偏光の光は偏光面が 90度だけ変化して S偏光の光 になり、 S偏光状態の光でマスク Mを照明する。
[0123] 以上のように、図 6に示す露光装置では、デボラライザ 120を照明光路中に挿入し て位置決めすることにより、非偏光状態でマスク Mを照明することができる。また、デ ボラライザ 120を照明光路から退避させ且つ 1Z2波長板 110の結晶光学軸が入射 する P偏光の偏光面に対して 0度または 90度の角度をなすように設定することにより、 P偏光状態でマスク Mを照明することができる。さらに、デボラライザ 120を照明光路 力 退避させ且つ 1/2波長板 110の結晶光学軸が入射する P偏光の偏光面に対し て 45度をなすように設定することにより、 S偏光状態でマスク Mを照明することができ る。
[0124] 上記実施例により人工水晶単結晶の母材を選別して製造した露光装置と、このよう な露光装置と同一の構成を有するが人工水晶単結晶の母材を選別せずに製造した 露光装置とを以下のように比較した。すなわち、同一の露光条件で両装置を連続的 に稼動させ、ウェハ面の照度変化を測定した。
[0125] 本発明の露光装置の製造方法にしたがって本発明に係る選別条件を満たす人工 水晶単結晶を選別して用いた本発明の露光装置では、 1 X 101。ショット露光するまで ウェハ上の照度に変化は認められなかった力 S、このような選別をしないで人工水晶単 結晶を用いた従来の露光装置では、 1 109ショット程度からウェハ上の照度に急激 な低下が認められ、 5 X 109ショット露光した時点でウェハ上の照度は初期の 65%ま で低下した。
[0126] なお、本発明に係る選別条件を満たさない人工水晶単結晶の場合、 1枚当たりの 透過率低下は 10%程度であり、上記実施例では波長板、プリズム X 2、回折光学素 子の計 4枚を使用しているので、照度は(0. 9)の約 4乗である 0. 65となる。
産業上の利用可能性
[0127] 以上詳述の通り、本発明によれば、マイクロチャンネルの発生を十分に防止するこ とができると共に、機械的強度が高くて光学素子を加工することが容易であり、しかも 250nm以下の短波長で高出力の光が長期間繰返し照射されても、透過率特性が劣 化し難い人工水晶部材、それを用いた露光装置、並びにその露光装置の製造方法 を提供することが可能となる。

Claims

請求の範囲
[1] 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工水晶部材 であって、 Βδδδαι 1に位置するヒドロキシル基の赤外吸収帯の吸収係数ひが 0. 03 5/cm以下である人工水晶部材。
[2] 波長 150nmの光に対する初期透過率が lcm当たり 60%以上である、請求項 1に記 載の人工水晶部材。
[3] アルミニウム含有量が lppm以下及びリチウム含有量が 0. 5ppm以下である、請求 項 1に記載の人工水晶部材。
[4] 脈理が日本光学硝子工業会規格 CiOGIS)で定める 1級又は 2級である、請求項 1に 記載の人工水晶部材。
[5] 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工水晶部材 であって、波長 150nmの光に対する初期透過率が lcm当たり 60%以上である人工 水晶部材。
[6] 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工水晶部材 であって、アルミニウム含有量が lppm以下及びリチウム含有量が 0. 5ppm以下であ る人工水晶部材。
[7] 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工水晶部材 であって、脈理が日本光学硝子工業会規格 (JOGIS)で定める 1級又は 2級である人 ェ水晶部材。
[8] 波長 250nmより短波長のレーザー光が照射される光学素子に用いる人工水晶部材 であって、波長 150nmの光に対する初期透過率が lcm当たり 60%以上、脈理が日 本光学硝子工業会規格 CFOGIS)で定める 1級又は 2級、 3585cm— 1に位置するヒド 口キシル基の赤外吸収帯の吸収係数ひが 0. 035/cm以下、及びアルミニウム含有 量が lppm以下及びリチウム含有量が 0. 5ppm以下である人工水晶部材。
[9] 波長 250nmより短波長のレーザー光を光源としてマスクを照明する照明光学系と、 前記マスクのパターン像を被露光基板上に投影露光する投影光学系とを備えた露 光装置であって、前記照明光学系及び/又は前記投影光学系に請求項 1一 8のうち の何れか一項に記載の人工水晶部材からなる光学素子を配置した露光装置。
[10] 前記人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系のオプティカルインテグレー タに用いる、請求項 9に記載の露光装置。
[11] 前記人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系の位相部材及び/又はデ ボラライザに用いる、請求項 9に記載の露光装置。
[12] 前記露光装置に配置される人工水晶部材からなる光学素子のうちの少なくとも 80% 力 請求項 1一 8のうちの何れか一項に記載の人工水晶部材からなる光学素子であ る、請求項 9に記載の露光装置。
[13] 波長 250nmより短波長のレーザー光を光源としてマスクを照明する照明光学系と、 前記マスクのパターン像を被露光基板上に投影露光する投影光学系とを備えた露 光装置の製造方法であって、
請求項 1一 8のうちの何れか一項に記載の人工水晶部材からなる光学素子を選別 して準備する工程と、
前記人工水晶部材力 なる光学素子以外の、前記露光装置に必要な諸部材を準 備する工程と、
前記露光装置に必要な諸部材を、前記人工水晶部材からなる光学素子と共に組 み立てて、前記照明光学系及び/又は前記投影光学系に前記人工水晶部材から なる光学素子を配置した露光装置を得る工程と、
を含む露光装置の製造方法。
[14] 前記人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系のオプティカルインテグレー タに用いる、請求項 13に記載の露光装置の製造方法。
[15] 前記人工水晶部材からなる光学素子を前記照明光学系の位相部材及び/又はデ ボラライザに用いる、請求項 13に記載の露光装置の製造方法。
[16] 前記露光装置に配置される人工水晶部材からなる光学素子のうちの少なくとも 80% 力 請求項 1一 8のうちの何れか一項に記載の人工水晶部材からなる光学素子であ る、請求項 13に記載の露光装置の製造方法。
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