WO2005003862A1 - Vorrichtung zur polarisationsspezifischen untersuchung eines optischen systems - Google Patents

Vorrichtung zur polarisationsspezifischen untersuchung eines optischen systems Download PDF

Info

Publication number
WO2005003862A1
WO2005003862A1 PCT/EP2003/007203 EP0307203W WO2005003862A1 WO 2005003862 A1 WO2005003862 A1 WO 2005003862A1 EP 0307203 W EP0307203 W EP 0307203W WO 2005003862 A1 WO2005003862 A1 WO 2005003862A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polarization
optical
radiation
optical system
polarizing
Prior art date
Application number
PCT/EP2003/007203
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ulrich Wegmann
Markus Mengel
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Smt Ag filed Critical Carl Zeiss Smt Ag
Priority to PCT/EP2003/007203 priority Critical patent/WO2005003862A1/de
Priority to AU2003304304A priority patent/AU2003304304A1/en
Priority to EP04015662A priority patent/EP1496398A1/de
Priority to JP2004197953A priority patent/JP2005043353A/ja
Priority to CNA200410063454XA priority patent/CN1584536A/zh
Priority to US10/883,739 priority patent/US7277182B2/en
Publication of WO2005003862A1 publication Critical patent/WO2005003862A1/de
Priority to US11/864,337 priority patent/US20080252888A1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J4/00—Measuring polarisation of light
    • G01J4/04—Polarimeters using electric detection means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4205—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant
    • G02B27/4222—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant in projection exposure systems, e.g. photolithographic systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4233—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application
    • G02B27/4255—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application for alignment or positioning purposes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4261—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element with major polarization dependent properties
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4272—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having plural diffractive elements positioned sequentially along the optical path
    • G02B27/4277—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having plural diffractive elements positioned sequentially along the optical path being separated by an air space
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1809—Diffraction gratings with pitch less than or comparable to the wavelength
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
    • G02B5/3091—Birefringent or phase retarding elements for use in the UV
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components

Definitions

  • the invention relates to a device for polarization-specific examination of an optical system with a detector part, which comprises polarization detector means for detecting the exit polarization state of radiation emerging from the optical system.
  • optical system is to be understood here to mean any arrangement of one or more optical components which transmit and / or reflect incident optical radiation, in particular also lenses and lenses constructed therewith.
  • optical radiation is to be understood as any electromagnetic radiation with which the optical system under investigation is exposed, e.g. visible light or UV radiation.
  • Ellipsometry methods and ellipsometry devices in various forms are particularly widespread. Suitable variables, such as the Stokes parameters, the Müller matrix, the polarization matrix and the Jones matrix, are used to describe the state of polarization and its influence or change by the optical system. For details in this regard, reference can be made to the relevant literature.
  • wavefront sensors can be used to determine the imaging quality of high-precision imaging optics, with which deviations of the image-side wavefronts from the ideal imaging behavior can be determined very precisely. For this, for example so-called shearing interferometers in use.
  • a wavefront detection device based thereon is disclosed in the published patent application DE 101 09 929 A1.
  • This device is also particularly suitable for determining the imaging quality of projection objectives of microlithographic projection exposure systems and includes means for providing a wavefront source, for example with a light guide and a shadow mask arranged at its output, in the object plane of the examined optical imaging system and a diffraction grating in the image plane conjugated to the object plane ,
  • a spatially resolving radiation detector is connected downstream of the diffraction grating, for example in the form of a CCD chip, an intermediate optical system imaging the interferogram generated by the diffraction grating onto the sensor surface of the detector.
  • This type of wavefront sensor system can examine the imaging system with the same radiation that is used by the imaging system in its normal operation. This type of wavefront sensor is therefore also referred to as an operating interferometer (BIF) and can be integrated in particular in one structural unit with the imaging system.
  • BIF operating interferometer
  • a measuring device which in particular can be such a BIF device and is used for the interferometric measurement of an optical imaging system, which is used to image a useful pattern provided on a mask in the image plane, for which purpose the mask in the object plane is arranged. It is proposed to implement the wavefront source for the interferometric measurement by means of a measurement pattern formed on the mask in addition to the useful pattern.
  • the polarization detector means of the detector part which is arranged on the image side of the examined optical imaging system, have a compensator polarizer unit, typically in the form of a ⁇ / 4 plate, with a subsequent polarization analyzer element, typically in the form of a polarization beam splitter element, and an upstream, collimating optics to convert the aperture beam emerging from the examined optical imaging system into a parallel beam required for the polarization analyzer element.
  • a collimating optic requires a corresponding overall height of the detector part.
  • specified polarization detector means include refractive or diffractive small lenses with a miniaturized polarization splitter cube connected downstream.
  • miniaturized optical components are relatively complex to manufacture.
  • the invention is based on the technical problem of providing a device of the type mentioned at the outset, with which an optical system can be examined in a polarization-specific manner, in particular with regard to the influence of the polarization state of the radiation used by the examined optical system, and which can be implemented with a comparatively small overall height and e.g. can be used for pupil-resolved determination of the polarization-related influence on the imaging quality in the case of high-aperture microlithography projection objectives.
  • the polarization detector means maintain a polarizing grating structure.
  • polarizing grating structure here means a periodic structure with a periodicity length up to approximately the order of the wavelength of the radiation used, which shows polarizing properties.
  • Such polarizing grating structures are also referred to as sub- ⁇ gratings if the grating structure period is smaller than that
  • a polarizing grating structure in the polarization detector means enables a comparatively compact and simple implementation of the detector part of the device for polarization-specific examination of optical systems.
  • an upstream collimating optic can thereby be dispensed with, and small lenses and miniaturized polarization beam splitter elements are also not absolutely necessary.
  • the device is also particularly suitable for pupil-resolved determination of the influencing of the polarization state of optical radiation by means of a microlithography projection objective with a high aperture, the compact detector part being easily placed on the image side of the projection objective at the location of the same in a corresponding microlithography projection exposure system can.
  • the device for this application can be constructed in one of the conventional ways in order to measure the objective by a corresponding technique, for example by shear interferometry, point diffraction interferometry, by the Shack-Hartmann or the Litel method.
  • the detector part of the device can comprise a periodic diffraction structure for providing a corresponding diffraction effect.
  • the diffraction structure can e.g. be realized by a diffraction grating, the grating periodicity of which is then typically significantly greater than the wavelength of the radiation used and thus has a diffractive but no noticeable polarizing effect.
  • the periodic diffraction structure can advantageously be arranged essentially in the image plane thereof and / or the polarizing grating structure close to the image plane.
  • the periodic diffraction structure and the polarizing grating structure can be arranged on their own carrier or on a common carrier, as required, in the latter case e.g. one structure on a front side and the other structure on a back side of the common carrier.
  • the device is of the shear interferometry, point diffraction interferometry, Litel or Shack-Hartmann type and / or for determining the influencing of the polarization state of optical radiation by means of a microlithographic projection objective.
  • FIG. 1 is a schematic side view of the essential part of the invention of a device for polarization-specific examination of an optical system using a detector part with a periodic diffraction structure and a polarizing grating structure on its own structure support and
  • FIG. 2 shows a representation corresponding to FIG. 1 for a variant with a common carrier for the periodic diffraction structure and the polarizing grating structure.
  • 1 shows the part of a device for the polarization-specific examination of an optical system which is of particular interest here, the device being specifically designed to determine the influence of the polarization state of optical radiation by means of a microlithography projection lens having a high aperture, pupil-resolved.
  • 1 shows a device part which is arranged on the image side of the same in the case of examining an optical imaging system and has a detector part which contains special polarization detector means.
  • first grating carrier 1 with a diffraction grating structure 2 arranged on its front side
  • second grating carrier 3 with a polarizing grating structure 4 arranged on its front side
  • detector element 5 which is used, for example, by a CCD chip of an image recording camera can be formed.
  • the first carrier 1 with the diffraction grating structure 2, the second carrier 3 with the polarizing grating structure 4 and the detector element 5 are arranged one behind the other in the beam path of radiation 6 to be analyzed, which emerges from the optical system to be examined.
  • FIG. 1 is used for pupil-resolved measurement of a microlithographic projection objective by means of shear interferometry using radiation of the same wavelength as is used in the associated projection exposure system in normal exposure operation, for example for wafer exposure, ie as a BIF.
  • the projection lens and the part of the measuring device located on its object side are not shown in FIG. 1, the part of the device on the object side having a conventional structure which is dependent on the selected measuring method and which consequently requires no further explanation.
  • the diffraction grating 2 acts as an associated shear interferometry diffraction structure, for which purpose it preferably has a grating periodicity that is significantly greater than the wavelength of the radiation 6 used, as is known to the person skilled in the art.
  • the polarizing grating structure 4 has a grating periodicity of at most in the order of magnitude of the radiation wavelength used.
  • Such polarizing grating structures can in practice also be implemented for typical UV radiation wavelengths of high-resolution microlithography projection exposure systems, such as in the range from approximately 140 nm to 200 nm, e.g. through a lattice structure made of gold with a thickness of approx.
  • the Schehnterferometrie diffraction structure 2 is, as illustrated in FIG. 1 by means of a center and second edge rays of the radiation 6, preferably arranged in the image plane of the lens being examined, while the polarizing grating structure 4 is placed at a short distance therefrom between the diffraction grating 2 and the detector element 5.
  • the polarizing grating structure 4 being alternatively arranged in front of the diffraction structure 2 instead of as shown.
  • the device shown in the detector part, apart from the polarizing grating structure 4, requires no further optical components between the diffraction structure 2 and the detector element 5, in particular no collimating optical components.
  • This enables a compact construction of the detector part with a low overall height, so that the detector part can be placed on the image side of the lens being examined without any space problems, in particular also on the spot of the projection objective in the associated projection exposure system.
  • All aperture rays of the projection lens which typically has a relatively high numerical aperture, with aperture angles of up to 60 ° and more can be detected by the downstream detector element 5 with varying incidence on the polarizing grating 4 and can be analyzed in pupil-resolved fashion by an associated conventional evaluation unit (not shown).
  • Fig. 2 shows a variant of the device of Fig. 1, which differs from this in that the diffraction structure 2 and the polarizing Lattice structure 4 are arranged on a common carrier 1 a, the same reference numerals being chosen for functionally equivalent elements and in this respect reference can be made to the above description of FIG. 1.
  • the diffraction structure 2 is located on the front and the polarizing grating structure 4 on the back of the common carrier 1 a.
  • the diffraction structure 2 can first be produced on the front of the carrier 1 a and then the polarizing grating 4 as a prefabricated structure on the rear of the carrier 1 a, e.g. be fixed by wringing.
  • the device according to the invention for polarization-specific, pupil-resolved shear interferometry measurement of a high-aperture microlithography projection objective was explained above as an example. It goes without saying, however, that the device according to the invention, if appropriately designed, is also suitable for any other polarization-specific examination of objectives and other optical systems.
  • the device with the compactly constructed detector part with polarizing grating can also be designed to measure or measure a microlithography projection objective or another optical imaging system using the point diffraction interferometry, Shack-Hartmann or Litel method with regard to imaging errors correct.

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung eines optischen Systems mit einem Detektorteil, der Polarisationsdetektormittel zur Erfassung des Austritts-Polarisationszustands von aus dem optischen System austretender Strahlung (6) aufweist. Erfindungsgemäß beinhalten die Polarisationsdetektormittel eine polarisierende Gitterstruktur (4). Verwendung z.B. zur Bestimmung der Beeinflussung des Polarisationszustands von UV-Strahlung durch ein Mikrolithographie-Projektionsobjektiv.

Description

Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung eines optischen Systems
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung eines optischen Systems mit einem Detektorteil, der Polarisationsdetektormittel zur Erfassung des Austritts-Polarisations- zustands von aus dem optischen System austretender Strahlung um- fasst.
Insbesondere kann eine solche Vorrichtung zur Bestimmung benutzt werden, wie ein optisches System den Polarisationszustand optischer Strahlung beeinflusst. Dazu sind verschiedene Vorrichtungstypen bekannt. Unter dem Begriff optisches System ist dabei jedwede Anordnung einer oder mehrerer Optikkomponenten zu verstehen, die einfallende optische Strahlung transmittieren und/oder reflektieren, insbesondere auch Linsen und damit aufgebaute Objektive. Unter dem Begriff optische Strahlung ist vorliegend eine beliebige elektromagnetische Strahlung zu verstehen, mit denen das untersuchte optische System beaufschlagt wird, z.B. sichtbares Licht oder UV-Strahlung. Besonders verbreitet sind Ellipsometrieverfahren und Ellipsometrievorrichtungen in diversen Ausprägungen. Zur Beschreibung des Polarisationszustandes sowie dessen Beeinflussung bzw. Änderung durch das optische System dienen geeignete Größen, wie die Stokes-Parameter, die Müller-Matrix, die Polarisationsmatrix und die Jones-Matrix. Für diesbezügliche Details kann auf die einschlägige Literatur verwiesen werden.
Zur Ermittlung der Abbildungsgüte von hochpräzis abbildenden Optiken können bekanntermaßen Wellenfrontsensoren eingesetzt werden, mit denen Abweichungen der bildseitigen Wellenfronten vom idealen Abbildungsverhalten sehr genau bestimmt werden können. Hierzu sind z.B. sogenannte Shearing-Interferometer im Gebrauch. Eine darauf basierende Wellenfronterfassungsvorrichtung ist in der Offenlegungsschrift DE 101 09 929 A1 offenbart. Diese Vorrichtung eignet sich insbesondere auch zur Bestimmung der Abbildungsqualität von Projektionsobjektiven mikrolithographischer Projektionsbelichtungsanlagen und beinhaltet Mittel zur Bereitstellung einer Wellenfrontquelle, z.B. mit einem Lichtleiter und einer an dessen Ausgang angeordneten Lochmaske, in der Objektebene des untersuchten optischen Abbildungssystems und ein Beugungsgitter in der zur Objektebene konjugierten Bildebene. Dem Beugungsgitter ist ein ortsauflösender Strahlungsdetektor nachgeschaltet, z.B. in Form eines CCD-Chips, wobei eine zwischenliegende Optik das vom Beugungsgitter erzeugte Interferogramm auf die Sensorfläche des Detektors abbildet. Diese Art von Wellenfrontsensorik kann das Abbildungssystem mit derselben Strahlung untersuchen, die vom Abbildungssystem in seinem normalen Betrieb verwendet wird. Dieser Wel- lenfrontsensortyp wird daher auch als Betriebsinterferometer (BIF) bezeichnet und kann insbesondere mit dem Abbildungssystem in einer Baueinheit integriert sein.
In der nicht vorveröffentlichten deutschen Patentanmeldung 102 17 242.0 wird eine Messvorrichtung beschrieben, die insbesondere eine derartige BIF-Vorrichtung sein kann und zur interferometrischen Vermessung eines optischen Abbildungssystems dient, das zur Abbildung eines an einer Maske vorgesehenen Nutzmusters in die Bildebene dient, wozu die Maske in der Objektebene angeordnet wird. Es wird vorgeschlagen, die Wellenfrontquelle für die interferometrische Vermessung durch ein zusätzlich zum Nutzmuster an der Maske ausgebildetes Messmuster zu realisieren.
Eine weitere, in der Praxis verwendete Methode der Wellenfronterfas- sung hochpräziser Abbildungssysteme stellt die Punktbeugungs- Interferometrie (Point-Diffraction-Interferometrie) dar, deren Grundprin- zipien in der einschlägigen Fachliteratur beschrieben sind, siehe z.B. D. Malacara, „Optical Shop Testing", Kap 3.7., John Wiley, New York, 1991. Spezielle Ausführungen sind in den Patentschriften US 6.344.898 B1 und US 6.312.373 und den Offenlegungsschriften JP 1 1 -142291 und WO 02/42728 angegeben. Weitere benutzte Methoden zur Bestimmung bzw. Korrektur von Abbildungsfehlern hochpräziser Abbildungssysteme sind z.B. das Shack-Hartmann-Verfahren und das von der Firma Litel Instruments benutzte, sogenannte Litel-Verfahren, siehe zu letzterem z.B. die Patentschriften US 5.392.1 19, US 5.640.233, US 5.929.991 und US 5.978.085. Diese interferometrischen und nicht-interferometrischen Vermessungsverfahren können insbesondere zur Aberrationsbestimmung von Projektionsobjektiven mikrolithographischer Projektionsbelichtungsanlagen benutzt werden.
Bei modernen hochpräzisen Abbildungssystemen hoher numerischer Apertur, wie sie z.B. als mikrolithographische Projektionsobjektive eingesetzt werden, ist der Einfluss des Abbildungssystems auf den Polarisationszustand der eingesetzten Strahlung kaum mehr zu vernachlässigen. So ergeben sich z.B. polarisationsbedingte Auswirkungen auf die Abbildungsqualität durch Doppelbrechung bei Linsen aus Calciumfluorid, wie sie häufig für kurze Wellenlängen verwendet werden, und durch Polarisationseffekte an Umlenkspiegeln. Es besteht daher ein Bedarf, die Beeinflussung des Polarisationszustands von optischen Abbildungssystemen hoher Apertur möglichst gut quantitativ bestimmen zu können, um daraus Rückschlüsse auf die polarisationsabhängige Abbildungsqualität zu ziehen.
Verschiedene Vorrichtungen zur Bestimmung der Polarisationszu- standsbeeinflussung durch ein optisches System und dafür geeignete Polarisationsanalysatoranordnungen sind in der nicht vorveröffentlichten, älteren deutschen Patentanmeldung 103 04 822.7 beschrieben, deren Inhalt hiermit in vollem Umfang durch Verweis aufgenommen wird. Mit der dort beschriebenen Vorrichtung und dem dort beschriebenen Verfahren kann z.B. die phasenreduzierte oder vollständige Jones- Matrix eines untersuchten optischen Abbildungssystems, insbesondere auch von hochaperturigen Mikrolithographie-Projektionsobjektiven, pupillenaufgelöst bestimmt werden. Die Polarisationsdetektormittel des Detektorteils, der auf der Bildseite des untersuchten optischen Abbildungssystems angeordnet wird, weisen dort eine Kompensator- Polarisatoreinheit, typischerweise in Form einer λ/4-Platte, mit nachfolgendem Pola sationsanalysatorelement, typischerweise in Form eines Polarisationsstrahlteilerelements, und eine vorgeschaltete, kollimierende Optik auf, um das aus dem untersuchten optischen Abbildungssystem austretende Aperturstrahlenbündel in ein für das Polahsationsanalysatorelement benötigtes Parallelstrahlenbündel umzuformen. Eine derartige kollimierende Optik bedingt eine entsprechende Bauhöhe des Detektorteils. Alternativ angegebene Polarisationsdetektormittel beinhalten refraktive oder diffraktive Kleinlinsen mit nachgeschaltetem miniaturisiertem Polahsationsteilerwürfel. Solche miniaturisierten optischen Bauteile sind jedoch relativ aufwendig in der Herstellung.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Vorrichtung der eingangs genannten Art zugrunde, mit der sich ein optisches System polarisationsspezifisch untersuchen lässt, insbesondere hinsichtlich der Beeinflussung des Polarisationszustands der verwendeten Strahlung durch das untersuchte optische System, und die sich mit vergleichsweise geringer Bauhöhe realisieren lässt und z.B. zur pupillenaufgelösten Ermittlung des polarisationsbedingten Einflusses auf die Abbildungsqualität bei hochaperturigen Mikrolithographie-Projektions- objektiven verwendet werden kann.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Bei dieser Vorrichtung bein- halten die Polarisationsdetektormittel eine polarisierende Gitterstruktur. Mit dem Begriff „polarisierende Gitterstruktur" ist hierbei eine periodische Struktur mit einer Periodizitätslänge bis etwa in der Größenordnung der Wellenlänge der verwendeten Strahlung gemeint, die polarisierende Eigenschaften zeigt. Solche polarisierende Gitterstrukturen werden auch Sub-λ-Gitter bezeichnet, wenn die Gitterstrukturperiode kleiner als die Strahlungswellenlänge ist. Zu weiteren Details über polarisierende Gitterstrukturen sei auf die diesbezügliche Fachliteratur verwiesen, siehe z.B. L. H. Cescato et al., "Holographie quarterwave plates", Applied Op- tics 29 (1990), Seite 3286, M. Totzeck et al., "Inspection of subwave- length struetures and zero-order gratings using polarization- interferometry", Proceedings for Interferometry XI: Techniques and Ana- lysis, SPIE 4777-39 (2002), M. Gruntman, "Transmission grating filtering of 52-140nm radiation", Applied Optics 36 (1997), Seite 2203, B. Schnabel et al., "Study on polarizing visible light by subwavelength-period me- tal-stripe gratings", Opt. Eng. 38 (1999), Seite 220 und M. Honkanen, "Inverse metal-stripe polarizers", Appl. Phys. B 68 (1999), Seite 81.
Die erfindungsgemäße Verwendung einer polarisierenden Gitterstruktur in den Polarisationsdetektormitteln ermöglicht eine vergleichsweise kompakte und einfache Realisierung des Detektorteils der Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung optischer Systeme. Insbesondere kann dadurch eine vorgeschaltete kollimierende Optik entfallen, und auch Kleinlinsen und miniaturisierte Polarisationsstrahlteilerelemente sind nicht zwingend erforderlich. Trotzdem eignet sich die Vorrichtung speziell auch zur pupillenaufgelösten Bestimmung der Beeinflussung des Polarisationszustands optischer Strahlung durch ein Mikrolithogra- phie-Projektionsobjektiv hoher Apertur, wobei der kompakt bauende Detektorteil problemlos auf der Bildseite des Projektionsobjektivs am Ort desselben in einer entsprechenden Mikrolithographie-Projektionsbe- lichtungsanlage platziert werden kann. Alle Aperturstrahlen können unter variierender Inzidenz auf die polarisierende Gitterstruktur analysiert wer- den, ohne dass eigens eine kollimierende Optik erforderlich ist. Im übrigen kann die Vorrichtung für diesen Anwendungszweck in einer der herkömmlichen Weisen aufgebaut sein, um das Objektiv durch eine entsprechende Technik zu vermessen, z.B. durch Scherinterferometrie, Punktbeugungsinterferometrie, nach dem Shack-Hartmann- oder dem Litel-Verfahren.
Insbesondere kann der Detektorteil der Vorrichtung dazu in Weiterbildung der Erfindung eine periodische Beugungsstruktur zur Bereitstellung eines entsprechenden Beugungseffektes umfassen. Die Beugungsstruktur kann z.B. durch ein Beugungsgitter realisiert sein, dessen Gitterperi- odizität dann typischerweise deutlich größer als die Wellenlänge der verwendeten Strahlung ist und somit zwar beugende, aber keine merkliche polarisierende Wirkung hat. Im Fall eines untersuchten optischen Abbildungssystems kann vorteilhaft die periodische Beugungsstruktur im Wesentlichen in der Bildebene desselben und/oder die polarisierende Gitterstruktur bildebenennah angeordnet sein.
Die periodische Beugungsstruktur und die polarisierende Gitterstruktur können je nach Bedarf auf je einem eigenen Träger oder auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sein, in letzterem Fall z.B. die eine Struktur auf einer Vorderseite und die andere Struktur auf einer Rückseite des gemeinsamen Trägers.
In vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung ist die Vorrichtung vom Scherinterferometrie-, Punktbeugungsinterferometrie-, Litel- oder Shack- Hartmann-Typ und/oder zur Bestimmung der Beeinflussung des Polarisationszustands optischer Strahlung durch ein mikrolithographisches Projektionsobjektiv eingerichtet.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei zeigen: Fig. 1 eine schematische Seitenansicht des erfindungswesentlichen Teils einer Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung eines optischen Systems unter Verwendung eines Detektorteils mit einer periodischen Beugungsstruktur und einer polarisierenden Gitterstruktur auf je einem eigenen Strukturträger und
Fig. 2 eine Darstellung entsprechend Fig. 1 für eine Variante mit gemeinsamem Träger für die periodische Beugungsstruktur und die polarisierende Gitterstruktur.
Fig. 1 zeigt den vorliegend besonders interessierenden Teil einer Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung eines optischen Systems, wobei die Vorrichtung speziell darauf ausgelegt sein kann, die Beeinflussung des Polarisationszustands optischer Strahlung durch ein Mikrolithographie-Projektionsobjektiv hoher Apertur pupillenaufgelöst zu bestimmen. Genauer gesagt zeigt Fig. 1 einen im Fall der Untersuchung eines optischen Abbildungssystems auf der Bildseite desselben angeordneten Vorrichtungsteil mit einem Detektorteil, der spezielle Polarisationsdetektormittel beinhaltet.
Im einzelnen beinhaltet der in Fig. 1 gezeigte Vorrichtungsteil einen ersten Gitterträger 1 mit einer auf seiner Vorderseite angeordneten Beugungsgitterstruktur 2, einen zweiten Gitterträger 3 mit einer auf dessen Vorderseite angeordneten polarisierenden Gitterstruktur 4 und ein Detektorelement 5, das z.B. durch einen CCD-Chip einer Bildaufnahmekamera gebildet sein kann. Der erste Träger 1 mit der Beugungsgitterstruktur 2, der zweite Träger 3 mit der polarisierenden Gitterstruktur 4 und das Detektorelement 5 sind hintereinander im Strahlengang von zu analysierender Strahlung 6 angeordnet, die aus dem zu untersuchenden optischen System austritt. In einer bevorzugten Realisierung dient die Vorrichtung gemäß Fig. 1 der pupillenaufgelösten Vermessung eines mikrolithographischen Projektionsobjektivs mittels Scherinterferometrie unter Verwendung von Strahlung der gleichen Wellenlänge, wie sie in der zugehörigen Projekti- onsbelichtungsanlage im normalen Belichtungsbetrieb z.B. zur Waferbe- lichtung eingesetzt wird, d.h. als BIF. Der Übersichtlichkeit halber sind in Fig. 1 das Projektionsobjektiv und der auf dessen Objektseite befindliche Teil der Vermessungsvorrichtung nicht dargestellt, wobei der objektseiti- ge Vorrichtungsteil einen herkömmlichen, vom gewählten Vermessungsverfahren abhängigen Aufbau besitzt, der folglich keiner näheren Erläuterung bedarf. Es kann hierzu beispielsweise auf die erwähnte ältere deutsche Patentanmeldung 103 04 822.7 verwiesen werden.
Im besagten Anwendungsfall der Objektivvermessung durch Scherinterferometrie fungiert das Beugungsgitter 2 als zugehörige Scherinterfero- metrie-Beugungsstruktur, wozu es bevorzugt eine gegenüber der Wellenlänge der verwendeten Strahlung 6 deutlich größere Gitterperiodizität besitzt, wie dem Fachmann bekannt. Im Unterschied dazu besitzt die polarisierende Gitterstruktur 4 eine Gitterperiodizität maximal in der Größenordnung der verwendeten Strahlungswellenlänge. Derartige polarisierende Gitterstrukturen sind in der Praxis auch für typische UV- Strahlungswellenlängen hochauflösender Mikrolithographie-Projektions- belichtungsanlagen, wie im Bereich von etwa 140nm bis 200nm, realisierbar, z.B. durch eine Gitterstruktur aus Gold mit ca. 90nm bis 100nm Dicke und einer Gitterperiodizität von ebenfalls etwa 90nm bis 100nm auf einem dünnen Quarzträger oder durch ein freitragendes Nickelgitter mit einer Dicke und Periodizität der Nickelmetallstreifen von jeweils ca. 100nm, was Strukturbreiten von ca. 50nm bedeutet.
Die Schehnterferometrie-Beugungsstruktur 2 wird, wie in Fig. 1 anhand eines Mitten- und zweiter Randstrahlen der Strahlung 6 illustriert, vor- zugsweise in der Bildebene des untersuchten Objektivs angeordnet, während die polarisierende Gitterstruktur 4 mit geringem Abstand davon zwischen dem Beugungsgitter 2 und dem Detektorelement 5 platziert ist. Je nach Bedarf und Anwendungsfall sind andere Positionierungen der beiden periodischen Strukturen 2, 4 möglich, wobei die polarisierende Gitterstruktur 4 statt wie gezeigt hinter alternativ auch vor der Beugungsstruktur 2 angeordnet sein kann.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, benötigt die gezeigte Vorrichtung im Detektorteil außer der polarisierenden Gitterstruktur 4 keine weiteren Optikkomponenten zwischen der Beugungsstruktur 2 und dem Detektorelement 5, insbesondere keine kollimierenden Optikbauteile. Dies ermöglicht einen kompakten Aufbau des Detektorteils mit geringer Bauhöhe, so dass der Detektorteil ohne Bauraumprobleme auf der Bildseite des untersuchten Objektivs platziert werden kann, insbesondere auch an Ort und Stelle des Projektionsobjektivs in der zugehörigen Projektionsbelich- tungsanlage. Alle Aperturstrahlen des typischerweise eine relativ hohe numerische Apertur besitzenden Projektionsobjektivs mit Aperturwinkeln von bis zu 60° und mehr können unter variierender Inzidenz auf das polarisierende Gitter 4 vom nachgeschalteten Detektorelement 5 erfasst und von einer zugehörigen herkömmlichen, nicht gezeigten Auswerteeinheit pupillenaufgelöst analysiert werden.
Untersuchungen zeigen, dass mit einer solchen Vorrichtung mit polarisierendem, bei hohen Inzidenzwinkeln arbeitendem Gitter 4 im Detektorteil z.B. eine Ermittlung der Jones-Matrix mit ausreichender Genauigkeit möglich ist, speziell auch für die erwähnten, für die Mikrolithographie besonders interessierenden UV-Wellenlängen im Bereich zwischen etwa 140 nm und 200nm.
Fig. 2 zeigt eine Variante der Vorrichtung von Fig. 1 , die sich von dieser darin unterscheidet, dass die Beugungsstruktur 2 und die polarisierende Gitterstruktur 4 auf einem gemeinsamen Träger 1 a angeordnet sind, wobei für funktioneil äquivalente Elemente gleiche Bezugszeichen gewählt sind und insoweit auf die obige Beschreibung der Fig. 1 verwiesen werden kann.
Im gezeigten Beispiel von Fig. 2 befindet sich die Beugungsstruktur 2 an der Vorderseite und die polarisierende Gitterstruktur 4 an der Rückseite des gemeinsamen Trägers 1 a. Zur Herstellung kann beispielsweise zunächst die Beugungsstruktur 2 an der Vorderseite des Trägers 1 a erzeugt und anschließend das polarisierende Gitter 4 als vorgefertigte Struktur an der Rückseite des Trägers 1 a, z.B. durch Ansprengen fixiert werden.
Im übrigen ergeben sich für die Vorrichtung von Fig. 2 ersichtlich dieselben Eigenschaften, Verwendungsmöglichkeiten und Vorteile wie oben zur Vorrichtung von Fig. 1 erwähnt, worauf verwiesen werden kann.
Exemplarisch wurde oben der Einsatz der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur polarisationsspezifischen, pupillenaufgelösten Scherinterfero- metrie-Vermessung eines hochaperturigen Mikrolithographie-Projek- tionsobjektivs erläutert. Es versteht sich jedoch, dass sich die erfindungsgemäße Vorrichtung bei entsprechenden Auslegung auch für jedwede anderen polarisationsspezifischen Untersuchungen von Objektiven und anderen optischen Systemen eignet. Insbesondere kann die Vorrichtung mit dem kompakt zu bauenden Detektorteil mit polarisierendem Gitter auch dafür ausgelegt sein, ein Mikrolithographie-Projek- tionsobjektiv oder ein anderes optisches Abbildungssystem unter Verwendung des Punktbeugungsinterferometrie-, Shack-Hartmann- oder Litel-Verfahrens hinsichtlich Abbildungsfehlern zu vermessen bzw. zu korrigieren.

Claims

Patentansprüche
Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung eines optischen Systems, insbesondere zur Bestimmung der Beeinflussung des Polarisationszustands optischer Strahlung durch ein optisches Abbildungssystem, mit - einem Detektorteil mit Polarisationsdetektormitteln (4, 5) zur Erfassung des Austhtts-Polarisationszustands von aus dem optischen System austretender Strahlung (6), dadurch gekennzeichnet, dass - die Polarisationsdetektormittel eine polarisierende Gitterstruktur (4) beinhalten.
Vorrichtung nach Anspruch 1 , weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Detektorteil eine periodische Beugungsstruktur (2) um- fasst, wobei die polarisierende Gitterstruktur (4) im Strahlengang vor oder hinter der periodischen Beugungsstruktur (2) angeordnet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung eines optischen Abbildungssystems eingerichtet ist und dass die periodische Beugungsstruktur (2) im wesentlichen in der Bildebene des Abbildungssystems und/oder die polarisierende Gitterstruktur (4) bildebenennah angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die polarisierende Gitterstruktur (4) und die periodische Beugungsstruktur (2) auf einem gemeinsamen Träger (1 a) angeordnet sind, wobei die eine der beiden Strukturen (2, 4) auf einer Trägervorderseite und die andere auf einer Trägerrückseite angeordnet sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sie vom Scherinterferometrie-, Punktbeugungsinterferometrie-, Shack-Hartmann- oder Litel-Typ ist und/oder zur pupillenaufgelösten Bestimmung der Beeinflussung des Polarisationszustands optischer Strahlung durch ein mikrolithographisches Projektionsobjektiv eingerichtet ist.
PCT/EP2003/007203 2003-07-05 2003-07-05 Vorrichtung zur polarisationsspezifischen untersuchung eines optischen systems WO2005003862A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2003/007203 WO2005003862A1 (de) 2003-07-05 2003-07-05 Vorrichtung zur polarisationsspezifischen untersuchung eines optischen systems
AU2003304304A AU2003304304A1 (en) 2003-07-05 2003-07-05 Device for the polarization-specific examination of an optical system
EP04015662A EP1496398A1 (de) 2003-07-05 2004-07-02 Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung, optisches Abbildungssystem und Kalibrierverfahren
JP2004197953A JP2005043353A (ja) 2003-07-05 2004-07-05 偏光固有調査方法、光学的結像システムおよび校正方法
CNA200410063454XA CN1584536A (zh) 2003-07-05 2004-07-05 用于偏振特定研究的装置、光学成像系统和校准方法
US10/883,739 US7277182B2 (en) 2003-07-05 2004-07-06 Apparatus for polarization-specific examination, optical imaging system, and calibration method
US11/864,337 US20080252888A1 (en) 2003-07-05 2007-09-28 Apparatus for polarization-specific examination, optical imaging system, and calibration method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2003/007203 WO2005003862A1 (de) 2003-07-05 2003-07-05 Vorrichtung zur polarisationsspezifischen untersuchung eines optischen systems

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/883,739 Continuation-In-Part US7277182B2 (en) 2003-07-05 2004-07-06 Apparatus for polarization-specific examination, optical imaging system, and calibration method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005003862A1 true WO2005003862A1 (de) 2005-01-13

Family

ID=33560728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2003/007203 WO2005003862A1 (de) 2003-07-05 2003-07-05 Vorrichtung zur polarisationsspezifischen untersuchung eines optischen systems

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7277182B2 (de)
JP (1) JP2005043353A (de)
CN (1) CN1584536A (de)
AU (1) AU2003304304A1 (de)
WO (1) WO2005003862A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1813988A2 (de) 2006-01-26 2007-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Messverfahren

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101119723B1 (ko) * 2003-09-26 2012-03-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 리소그래피 투영 노광
US7408616B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
US7304719B2 (en) * 2004-03-31 2007-12-04 Asml Holding N.V. Patterned grid element polarizer
KR100623026B1 (ko) * 2004-10-06 2006-09-19 엘지전자 주식회사 선 격자 편광자 및 그 제조방법
US7619747B2 (en) * 2004-12-17 2009-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, analyzer plate, subassembly, method of measuring a parameter of a projection system and patterning device
JP4580797B2 (ja) * 2005-03-28 2010-11-17 株式会社東芝 偏光状態検査方法及び半導体装置の製造方法
WO2008116314A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Exfo Electro-Optical Engineering Inc. Method and apparatus for determining differential group delay and polarization mode dispersion
DE102005062237A1 (de) * 2005-12-22 2007-07-05 Carl Zeiss Jena Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung des Abbildungsverhaltens einer Abbildungsoptik
EP1818658A1 (de) * 2006-02-08 2007-08-15 Carl Zeiss SMT AG Verfahren zu näherungsweisen Bestimmung des Einflusses eines optischen Systems auf den Polarisationszustand optischer Strahlung
KR100818995B1 (ko) * 2006-03-23 2008-04-02 삼성전자주식회사 편광 측정 장치, 타원 분광기 및 빛의 편광 상태 측정 방법
US20080062385A1 (en) * 2006-04-07 2008-03-13 Asml Netherlands B.V. Method of monitoring polarization performance, polarization measurement assembly, lithographic apparatus and computer program product using the same
US7889315B2 (en) * 2006-04-13 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, lens interferometer and device manufacturing method
CA2548022C (en) * 2006-05-23 2014-03-25 Itf Laboratories Inc. Method for monitoring and measuring optical properties of device in polarization maintaining fibers by using reference fiber bragg grating and fiber components manufactured thereby
WO2008128024A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-23 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Compact snapshot polarimetry camera
NL1036279A1 (nl) * 2007-12-13 2009-06-16 Asml Netherlands Bv A device for transmission image detection for use in a lithographic projection apparatus and a method for determining third order distortions of a patterning device and/or a projection system of such a lithographic apparatus.
DE102008017645A1 (de) 2008-04-04 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats
FR2933503B1 (fr) * 2008-07-02 2010-09-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif de couplage a birefringence compensee.
US8368890B2 (en) 2009-02-19 2013-02-05 International Business Machines Corporation Polarization monitoring reticle design for high numerical aperture lithography systems
US8982313B2 (en) * 2009-07-31 2015-03-17 North Carolina State University Beam steering devices including stacked liquid crystal polarization gratings and related methods of operation
JP5629455B2 (ja) * 2009-12-14 2014-11-19 キヤノン株式会社 干渉計
DE102010001336B3 (de) * 2010-01-28 2011-07-28 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems
US8570514B2 (en) * 2011-06-20 2013-10-29 Kla-Tencor Corporation Optical system polarizer calibration
CN102540475B (zh) * 2012-02-28 2014-10-22 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法
CN104634453B (zh) * 2015-02-03 2016-08-17 上海理工大学 一种检测线偏振入射光偏振角的方法
US9423360B1 (en) * 2015-02-09 2016-08-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
CN109085718B (zh) * 2018-10-30 2021-04-20 惠科股份有限公司 光学复合膜和显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5866935A (en) * 1994-03-09 1999-02-02 Nikon Precision, Inc. Tunneling device
US20020191185A1 (en) * 2001-06-18 2002-12-19 Rotter Lawrence D. Diffractive optical elements and grid polarizers in focusing spectroscopic ellipsometers
US20030072079A1 (en) * 2001-10-15 2003-04-17 Eastman Kodak Company Double sided wire grid polarizer

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8701521D0 (en) * 1987-01-23 1993-12-01 British Aerospace Multi-parameter imaging polarimeter
JP2686941B2 (ja) * 1987-12-28 1997-12-08 アンリツ株式会社 偏光測定装置
JP2702167B2 (ja) * 1988-08-04 1998-01-21 オリンパス光学工業株式会社 光ピックアップ
CA2043978C (en) * 1990-06-13 1999-08-10 Yoshio Yoshida Polarization diffraction element and polarization detector employing the same
IL96483A (en) * 1990-11-27 1995-07-31 Orbotech Ltd Optical inspection method and apparatus
JPH0642910A (ja) * 1992-07-27 1994-02-18 Sharp Corp 光干渉装置
US5392119A (en) 1993-07-13 1995-02-21 Litel Instruments Plate correction of imaging systems
JP3227934B2 (ja) * 1993-10-01 2001-11-12 株式会社島津製作所 偏光特性測定方法
JPH07311117A (ja) * 1994-05-20 1995-11-28 Canon Inc 多眼レンズ位置測定装置
JP3538281B2 (ja) * 1995-12-14 2004-06-14 ペンタックス株式会社 光学部材検査装置
US5640233A (en) 1996-01-26 1997-06-17 Litel Instruments Plate correction technique for imaging systems
JP2910689B2 (ja) * 1996-06-20 1999-06-23 日本電気株式会社 光ヘッド
US5929991A (en) 1997-03-07 1999-07-27 Litel Instruments Single plate corrector for stepper lens train
US5978085A (en) 1997-03-07 1999-11-02 Litel Instruments Apparatus method of measurement and method of data analysis for correction of optical system
US5798837A (en) 1997-07-11 1998-08-25 Therma-Wave, Inc. Thin film optical measurement system and method with calibrating ellipsometer
JP4117585B2 (ja) 1997-08-26 2008-07-16 株式会社ニコン 光学装置の検査方法及び装置、露光装置、並びに露光装置の製造方法
US6344898B1 (en) 1998-09-14 2002-02-05 Nikon Corporation Interferometric apparatus and methods for measuring surface topography of a test surface
US6312373B1 (en) 1998-09-22 2001-11-06 Nikon Corporation Method of manufacturing an optical system
JP2000146541A (ja) * 1998-11-10 2000-05-26 Nikon Corp 面形状測定装置
JP2000321021A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Canon Inc 干渉装置、変位測定装置、及びそれを用いた情報記録又は／及び再生装置
JP3574765B2 (ja) * 1999-10-08 2004-10-06 松下電器産業株式会社 レンズの評価方法、レンズの評価装置
JP3833876B2 (ja) * 1999-06-16 2006-10-18 日本電産サンキョー株式会社 光ピックアップ装置
TW550377B (en) 2000-02-23 2003-09-01 Zeiss Stiftung Apparatus for wave-front detection
JP2001241929A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp 非球面形状測定方法、非球面形状測定装置、投影光学系、および露光方法
AU2002224059A1 (en) 2000-11-27 2002-06-03 Nikon Corporation Method and apparatus for measuring aberration of projection optical system, and method and apparatus for exposure
JP4016179B2 (ja) * 2002-02-28 2007-12-05 ソニー株式会社 露光装置及び収束レンズの制御方法
EP1483616A1 (de) 2002-03-14 2004-12-08 Carl Zeiss SMT AG Optisches system mit doppelbrechenden optischen elementen
WO2003087945A2 (de) 2002-04-15 2003-10-23 Carl Zeiss Smt Ag Interferometrische messvorrichtung und projektionsbelichtungsanlage mit derartiger messvorrichtung
JP2004028850A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Nikon Corp パターン検出装置
JP3651676B2 (ja) * 2002-07-11 2005-05-25 株式会社東芝 検査方法及びフォトマスク
JP2004045326A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Konica Minolta Holdings Inc 干渉計装置
DE10304822A1 (de) 2002-07-29 2004-02-12 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Polarisationszustandsbeeinflussung durch ein optisches System und Analysator

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5866935A (en) * 1994-03-09 1999-02-02 Nikon Precision, Inc. Tunneling device
US20020191185A1 (en) * 2001-06-18 2002-12-19 Rotter Lawrence D. Diffractive optical elements and grid polarizers in focusing spectroscopic ellipsometers
US20030072079A1 (en) * 2001-10-15 2003-04-17 Eastman Kodak Company Double sided wire grid polarizer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1813988A2 (de) 2006-01-26 2007-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Messverfahren
EP1813988A3 (de) * 2006-01-26 2007-12-05 Canon Kabushiki Kaisha Messverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
US7277182B2 (en) 2007-10-02
CN1584536A (zh) 2005-02-23
AU2003304304A1 (en) 2005-01-21
US20080252888A1 (en) 2008-10-16
US20050146789A1 (en) 2005-07-07
JP2005043353A (ja) 2005-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005003862A1 (de) Vorrichtung zur polarisationsspezifischen untersuchung eines optischen systems
EP1257882B1 (de) Vorrichtung zur wellenfronterfassung
EP1615062B1 (de) Mikroskopisches Abbildungssystem und Verfahren zur Emulation eines hochaperturigen Abbildungssystems, insbesondere zur Maskeninspektion
EP0045321B1 (de) Verfahren und Einrichtung zur optischen Distanzmessung
EP1922587B1 (de) Verfahren zur bestimmung der intensitätsverteilung in der bildebene einer projektionsbelichtungsanlage
DE102005041203A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken
WO2008012091A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum bestimmen einer abweichung einer tatsächlichen form von einer sollform einer optischen oberfläche
DE10021378A1 (de) Optische Messanordnung mit einem Ellipsometer
DE102019108696B3 (de) Verfahren zum Erfassen von Verlagerungen einer Probe gegenüber einem Objektiv
DE102005041373A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur kalibrierenden Wellenfrontvermessung
DE19911671A1 (de) Schmalbandmodul-Prüfvorrichtung
WO2009121546A1 (de) Vorrichtung zur mikrolithographischen projektionsbelichtung und verfahren zum prüfen einer derartigen vorrichtung
WO2009146855A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum bestimmen einer optischen eigenschaft eines optischen systems
EP3824246A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung der oberflächenform eines optischen elements
DE102021200109A1 (de) Verfahren zur flächenhaften Bestimmung einer Karte wenigstens eines Strukturpara-meters einer strukturierten Oberfläche eines diffraktiven optischen Elements
EP1496398A1 (de) Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung, optisches Abbildungssystem und Kalibrierverfahren
DE10304822A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Polarisationszustandsbeeinflussung durch ein optisches System und Analysator
DE102015209489A1 (de) Interferometrische Messvorrichtung
DE102006021965A1 (de) Kalibrierverfahren, Verwendung und Messvorrichtung
EP1434977A1 (de) Scatterometrische messanordnung und messverfahren
DE102008001448A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Messen mindestens eines Abbildungsfehlers eines optischen Abbildungssystems
DE102009021096A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen des Polarisationszustandes elektromagnetischer Strahlung
DE102021125813B4 (de) Doppelspiegel-Shear-Interferometer und Verfahren zum zerstörungsfreien Messen einer Oberfläche mittels interferometrischer Messverfahren
DE4446887A1 (de) Verfahren und Vorrichtung für die Shearing-Speckle-Interferometrie
DE102022203999A1 (de) Verfahren zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur, Vorrichtung zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur und Lithografiesystem

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10883739

Country of ref document: US

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP