WO2004113065A1

WO2004113065A1 - 表裏両面の導電層がスルホ−ルを介して互いに電気的に接続されている導電性シート

Info

Publication number: WO2004113065A1
Application number: PCT/JP2004/008715
Authority: WO
Inventors: Shigeki Miura
Original assignee: Fcm Co., Ltd.
Priority date: 2003-06-24
Filing date: 2004-06-21
Publication date: 2004-12-29
Also published as: JP2005019513A; TW200507719A; TWI277379B

Abstract

　本発明の導電性シート（７）は、絶縁性基体（１）の表裏両面に導電層（６）が形成され、その表裏両面の導電層（６）が該絶縁性基体（１）を貫通するようにして開孔されているスルホール（２）を介して互いに電気的に接続されているものであって、該絶縁性基体（１）の表裏両面と該スルホール（２）の壁面とにおいて同一の構成を有する導電層（６）が形成されていることを特徴としている。

Description

明細書

表裏両面の導電層がスルホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シート技術分野

[0001] 本発明は、導電性シートに関する。より詳細には、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板等に好適に用いることができる導電性シートに関する。

背景技術

[0002] 従来より、導電性シートの表裏両面の導電層をスルホールを介して電気的に接続するということが行なわれている。たとえば、スルホールの壁面に対して、蒸着法により導電層を形成させて、これにより絶縁性基体の表面に形成された銅箔等の導電層を電気的に接続しょうとする試みが提案されている（特許文献 1)。

[0003] し力ながら、このような方法においては、絶縁性基体上の導電層とスルホール内の導電層との構成が全く異なり一体性に欠けるため、信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。また、これら両導電層は全く独立した形成工程を経て製造されるものであるため、製造効率が悪く生産コストを高くしていた。さらに、蒸着法によって効率的に厚い導電層を形成させることは困難であるため、その導電層の厚み力 Sどうしても薄くなり、この点からも信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。

[0004] 一方、これに対して電気的信頼性を高めるためにスルホール内の導電層を無電解めっき法または電気めつき法により厚く形成することが試みられている。すなわち、まず絶縁性基体の表裏両面に銅箔等を貼り合わせることにより導電層を形成させた後、パンチング、ドリル、プレス、レーザ等の公知の穴開け加工により開孔を施すことにより、絶縁性基体と導電層の両者を貫通するようにしてスルホールを形成させる。その後、触媒処理やカーボンブラック処理を施した後、無電解めつき法や電気めつき法によりスルホールの壁面に対して導電層を形成させる方法が試みられている。

[0005] し力、しながら、この方法にぉレ、ても絶縁性基体の表裏両面の導電層（銅箔等）とスルホール内の導電層（めっき層等）の構成は全く異なり一体性に欠けるため、信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。また、これら両導電層は全く独立した製造工程を経て製造されるものであるため生産コストが高くなつていた。

[0006] さらに、図 5に示したようにこの方法により無電解めつき法や電気めつき法によりスルホール 502の壁面に形成される導電層 504は、該壁面のみに選択的に形成することは困難であり、絶縁性基体 501上に予め形成されている導電層 503上にも不可避的に形成されることとなるため、結果的に絶縁性基体上の導電層 505が極めて厚く形成されることになつていた。このように絶縁性基体上の導電層が厚く形成されると、ェツチング等により回路を形成する際に微細な加工をすることが困難となり、加工時間に長時間を要し生産コストを高くするとともに寸法精度そのものも悪化させていた。

[0007] その他種々の導電性シートが知られているが（特許文献 2 13)、いずれのものも絶縁性基体と導電層間の密着性に劣るなどの問題を有しており、信頼性の高い電気的接続が保証されかつ微細な加工を満足する導電性シートの開発が望まれていた。特許文献 1：特開平 4 - 286394号公報

特許文献 2：特開平 11 - 307933号公報

特許文献 3：特開平 11 - 298104号公報

特許文献 4 :特開平 5— 327229号公報

特許文献 5：特開平 5 - 267806号公報

特許文献 6 :特開平 4 - 314395号公報

特許文献 7：特開平 2 - 142198号公報

特許文献 8：特開平 2 - 21507号公報

特許文献 9 :特開昭 63 - 177586号公報

特許文献 10 :特開昭 62 - 226689号公報

特許文献 11 :特開昭 53 - 140570号公報

特許文献 12：特開昭 59 - 228789号公報

特許文献 13：特開昭 51 - 60997号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題 [0008] 本発明は、上述の現状に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ生産コストの低減と寸法精度の向上を両立させた導電性シートを提供することにある。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有する導電層が形成されていることを特徴としている。このような構成を採用したことにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層が互いに信頼性高く電気的に接続可能となるとともに、生産コストの低減と寸法精度の向上を両立させることができる。

[0010] また、上記導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第 1導電層と、無電解めつき法または電気めつき法により形成される第 2導電層とを含むことができる。これにより、絶縁性基体の表裏両面に形成されている導電層の絶縁性基体に対する密着性が向上し電気的接続の信頼性をさらに向上させることができる。

[0011] さらに、上記導電層は、上記絶縁性基体にスルホールが開孔された後、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一工程で形成されることができる。これにより、絶縁性基体の表裏両面とスルホールの壁面とに形成されている導電層の一体化を促進することができ電気的接続の信頼性をさらに高めることができるとともに、生産コストを低減させることができる。また、これにより導電層の厚みを可能な限り薄くし得、もって寸法精度をより向上させることができる。

発明の効果

[0012] 本発明の導電性シートは、信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ生産コストの低減と寸法精度の向上を両立させたものである。

[0013] したがって、本発明の導電性シートは、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板等、広範囲の用途に適用することができる。すなわち、該導電性シートは、ある大きさにカットする力、、あるいはカットせず連続状の形態で複数の回路パターンを形成することができ、上記各種用途に用いることができる。

図面の簡単な説明

[0014] [図 1]スルホールとァライメントホールを開孔した絶縁性基体の開孔部の概略断面図である。

[図 2]絶縁性基体上に第 1導電層を形成した状態の開孔部の概略断面図である。

[図 3]絶縁性基体上に第 1導電層および第 2導電層を含む導電層を形成した導電性シートの開孔部の概略断面図である。

[図 4]本発明の導電性シートの概略平面図である。

[図 5]従来の導電性シートの開孔部の概略断面図である。

符号の説明

[0015] 1 絶縁性基体、 2 スルホール、 3 ァライメントホール、 4 第 1導電層、 5 第 2導電層、 6 導電層、 7 導電性シート。

発明を実施するための最良の形態

[0016] <導電性シート >

本発明の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールを介して互いに電気的に接続された構成を有するものである。

[0017] このような構成を有する本発明の導電性シートは、半導体用基板や電気、電子部品用回路基板、各種パッケージング、自動車部品、太陽電池、アンテナ回路基板等に好適に用いることができる。以下、本発明の導電性シートの各構成について説明する。図 3 (導電性シートの開孔部の概略断面図）に示したように、本発明の導電性シート 7は、スノレホーノレ 2 (およびァライメントホール 3)が開孔された絶縁性基体 1に対して、導電層 6 (第 1導電層 4と第 2導電層 5とを含む）が形成されたものである。

[0018] <絶縁性基体 >

本発明の導電性シートの基材として用いられる絶縁性基体としては、この種の用途に用いることができる従来公知のものであれば特に限定なくいかなるものも用いることができる。特に、薄い厚みを有するフィルムの形状のものが好適である。後述の導電層の形成に適しているとともに、ロールのような長尺の連続状のものとして加工することが可能となり生産効率を向上させることができるからである。

[0019] このような絶縁性基体の一例を挙げると、たとえばポリイミド、ァラミド、 PET等のポリエステル、ポリスルフォン、ポリエーテノレイミド、ポリフエ二レンォキシド、 PEN,液晶ポリマー、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、フエノール樹脂、アクリル樹脂等のフィルムを挙げること力 Sできる。これらの中でも特に柔軟性に優れ高性能化の可能なポリイミドゃガラス繊維強化エポキシ樹脂からなるフィルムを用いることが好ましい。

[0020] なお、ここでいうフィルムとは、その厚みが 4一 150 x m、好ましくは 12 75 μ m程度のものが好適である。未満では、強度が弱く加工に耐えられない場合があり、 150 z mを超えると柔軟性に欠けロール状にして取扱いができなくなる場合があるとともに、後述のようにスルホールの壁面に対して導電層を形成する際に支障をきたす場合があるからである。

[0021] また、このように絶縁性基体の形状は、フィルム状のものが特に適している力フィルム状の形状であれば枚葉の形態のものであってもロールのような長尺の連続状の形態のものであっても差し支えない。本発明においては、特にその製造における加ェ効率の観点からロールのような長尺の連続状のものを用いることが好適である。

[0022] <スルホーノレ >

本発明におけるスルホールとは、前記絶縁性基体の表裏を物理的に貫通するように設けられてレ、る小孔であって、このスルホールを介して該絶縁性基体の表裏両面に形成される後述の導電層は互いに電気的に接続されることになる。

[0023] 本発明においては、絶縁性基体に対してこのスルホールを形成した後に後述の導電層を形成することが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホール内の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産コストの低減に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。

[0024] このようなスルホールの形状は、前記絶縁性基体の表裏を貫通する限り特に限定されることはなぐたとえばその断面形状を円形のものや多角形状のものとすることができる。該形状が円形である場合、その内径は 3mm、好ましくは 25— 200 μ mとすることが好適である。その内径が 5 x m未満である場合、開孔が困難となり加工コストが高くなるとともに、 3mmを超えると絶縁性基体の全表面に占めるスルホールの面積が大きくなり過ぎ有効な回路スペースが確保できなくなる。

[0025] また、このようなスルホールの開孔密度（数）は、特に限定されるものではなレ、が、通常 100cm²当り 10個一 1000万個、より一般的には 100個一 50万個、さらに一般的には 100個一 10万個である。 10個未満では、導電性シートの表裏の導電層をスルホールを介して電気的に接続するという実質的な機能が示されなくなるとともに、 100 0万個を超えると加工上絶縁性基体の強度が維持できなくなり精度が劣るため好ましくない。

[0026] このようなスルホールは、従来公知の開孔方法（穴開け加工方法）であれば特に限定することなくいずれの方法によっても開孔することができる。たとえば各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどの開孔手段により絶縁性基体を貫通するようにして開孔される。特にスルホールの内径が 80 x mよりも小さくなる場合は、各種レーザにより開孔することが好ましい。

[0027] <導電層 >

本発明の導電層は、前記絶縁性基体の表裏両面と前記スルホールの壁面とに形成されるものであって、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有するようにして形成される。絶縁性基体の表裏両面の導電層は、スルホールを介して電気的に接続されるものである力ここでスルホールを介して電気的に接続されるとは、具体的にはこのように絶縁性基体の表裏両面に形成されている導電層がスルホールの壁面に形成される同一構成の導電層により電気的に接続されていることを意味している。このように、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホールの壁面の導電層とが同一の構成を有することにより、信頼性の高い電気的接続が可能となる。

[0028] このような導電層は、電気導電性の作用を有する限りその組成が特に限定されるものではないが、 Cu、 Ni、 Cr、 Ag、 Au、 Zn、 Pd、 Snおよび Coからなる群力選ばれた少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金により構成されることが好ましぐ単一層として形成することができるとともに、同一組成のものあるいは異なつた組成のものを複数層積層して形成することもできる。ここで、該導電層が絶縁性基体の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成を有するとは、このような積層状態が同一であることを意味し、必ずしもその層の厚さまでもが同一であることを意味するものではない。

[0029] このような導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第 1導電層と、無電解めつき法または電気めつき法により形成される第 2導電層とを含むことができる。本発明においては、これらの第 1導電層および第 2導電層がそれぞれ単層または複数層積層されて、導電層を構成することができる。

[0030] <第 1導電層 >

本発明の第 1導電層は、前記絶縁性基体上に直接形成されるものであり、上記に示した金属または該金属を少なくとも一種含む合金をスパッタリング法または蒸着法により形成すること力 Sできる。この第 1導電層は、後述の第 2導電層を形成するための言わば下地層としての作用を有するものであり、第 2導電層の絶縁性基体に対する密着性を向上させる作用を有するものである。

[0031] このような第 1導電層は、 300— 5000A、好ましくは 1000— 3000Aの厚みで形成することが好適である。 300 A未満では、後述の第 2導電層の密着性を向上させる作用を十分に示すことができず、また 5000Aを超えても第 2導電層の密着性に大差なく却ってコスト的に不利となる。

[0032] このような第 1導電層は、前述の通り 1層（単層）または 2層以上 (複数層）積層して形成することができ、 2層以上積層される場合は全体として上記厚みを有するものとすること力 Sできる。

[0033] なお、 2層以上積層する場合は、絶縁性基体上にまず Niや Cr等の金属やそれを含む合金を積層し、その上に Cu等の金属やそれを含む合金を積層させることが好ましい。 Niや Crには、経時的に密着力が劣化するのを防止する作用があり、またその上に Cu等の金属やそれを含む合金を積層させることにより第 2導電層との密着性を高めることができるからである。

[0034] <第 2導電層 >

本発明の第 2導電層は、前記第 1導電層上に形成されるものであり、上記に示した金属または該金属を少なくとも一種含む合金を無電解めつき法または電気めつき法により適用することにより形成されるものである。この第 2導電層は、前記第 1導電層よりも厚く形成することにより主として電気導電性を付与する作用を奏するものである。

[0035] このような第 2導電層は、 0· 5— 100 μ ΐη、好ましくは 1一 25 /i mの厚みで形成することが好適である。 0. 5 μ ΐη未満では、電気抵抗が大きくなり過ぎるという問題があり、また 100 μ mを超えても電気導電性に大差なく却ってコスト的に不利となる。

[0036] このような第 2導電層は、前述の通り 1層（単層）または 2層以上 (複数層）積層して形成することができ、 2層以上積層される場合は全体として上記厚みを有するものとすること力 Sできる。

[0037] なお、この第 2導電層は、比較的厚く形成させる場合には電気めつき法を採用して形成することが好ましぐまた比較的薄く形成させる場合には、無電解めつき法を採用して形成することが好ましレ、。

[0038] <導電層の積層方法 >

本発明の前記導電層は、前記絶縁性基体にスルホールが開孔された後、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一工程で形成されるものとすることが好ましレ、。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホール内の壁面の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産コストの低減に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。また、寸法精度の向上にも資するものとなる。

[0039] ここで、導電層が同一工程で形成されるとは、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて該導電層が同時的かつ一体的に形成されることを意味している。

[0040] すなわち、たとえば該導電層が第 1導電層と第 2導電層とを含む場合、まず第 1導電層が該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とに対してスパッタリング法または蒸着法により同時的かつ一体的に形成され、続いて第 2導電層が該第 1導電層上に対して無電解めつき法または電気めつき法により同時的かつ一体的に形成されるような場合が含まれる。このように、導電層が第 1導電層と第 2導電層を含む場合や、それぞれの層が複数層積層される場合には、各層が上記のように同時的かつ一体的に形成される限り、導電層が同一工程で形成されるものとする。

[0041] なお、該導電層がスパッタリング法や蒸着法により形成される場合であって、加工装置の特性等により表裏両面を一度に処理することができない場合において、表と裏それぞれについて二回の操作で導電層が形成されるとしても、表裏両面の導電層とスルホールの壁面の導電層は同一工程で形成されるものとする。またこの場合、スノレホールの壁面の導電層は、この二回の操作のそれぞれの操作によりホールの中位の高さ（深さ）まで形成されると考えられ、結局二回の操作によりスルホールの壁面全体に導電層が形成されるものと考えられる。また、該ホールの中位の高さ（深さ）部分において導電層が加重的に積層されていたとしても、その部分の構成は絶縁性基体の表面部の導電層の構成と同一の構成とみなすものとする。

[0042] このように導電層を同一工程で形成することにより、従来、絶縁性基体の表裏両面にまず導電層を形成させた後、スルホールを開孔させ、その後改めてそのスルホールの壁面に対して導電層を形成させていた方法と比較して、導電層の形成工程の回数を半減化することができるため、生産コストを大きく低減させることが可能となった。しかも、同一工程で一体的に形成されるため、信頼性の高い接続効果が得られる。

[0043] また、上記のような従来法においては、スルホールの壁面のみに対して選択的に導電層を形成させることは困難であり、どうしても絶縁性基体上に予め形成されている導電層の上にまで回り込む形で導電層が形成されてしまう。しかし、これでは導電層の厚みが加重されて形成されることとなり、このように絶縁性基体上の導電層の厚みが厚くなると、回路を形成する加工が困難となり寸法精度そのものも悪化する。これに対して、本発明の上記形成方法によれば、導電層の厚みが加重されることがなぐもって可能な限り導電層の厚みを薄くすることが可能となり、回路を容易に形成することができるとともに寸法精度を悪化することもない。

[0044] くその他〉

本発明の絶縁性基体には、ァライメントマークを形成することができる。当該ァライメントマークはスルホールの所定の位置を決定する基準となるものであり、通常絶縁性基体の両端 (スルホールの設けられていない位置)に形成するのが好適である。

[0045] このようなァライメントマークは光学的、電子的、磁気的、目視的あるいはその他の読み取り手段によりスルホールの所定の位置を決定できるものであればレ、かなるものであっても差し支えなく、またその形成方法としても特に限定されるものではない。たとえば、目視的に読み取る場合にはこのァライメントマークとして絶縁性基体の両端にこの基体を貫通させるようにしてホールを開けたものが好適である。そしてこのホール (ァライメントホールと呼ぶ)はさらに好ましくは一定の間隔を持って連続的に開孔させるのが好適である。このような構成を取ることによりスルホールの位置をさらに簡単に決定することができるようになるからである。

[0046] このようなァライメントホールの大きさとしては、通常 5 μ m 3mm程度とするのが好ましぐ各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどにより開孔させることが可能である。このようなァライメントホールが、 80 x mよりも小さレ、場合には、各種レーザを用いることが好ましい。

[0047] また、このようなァライメントホールは上記のスルホールと同様、その内壁面に導電層が形成されてレ、ても差し支えなレ、。

[0048] 以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下においては図面を参照して説明する力各図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示している。

[0049] <実施例 1 >

本発明の導電性シートの製造方法を図 1一 4を用いて説明する。

[0050] まず、絶縁性基体 1として、厚み 50 μ m、幅 250mm、長さ 100mのポリイミドフィルム（商品名：アビカル、カネボウ製）を、 COレーザ加工機 (三菱電機製）にセットした。

2

そして、この加工機により図 1に示したように、該ポリイミドフィルムの表裏両面を貫通するようにして内径 70 μ mのスルホール 2と、内径 200 β mのァライメントホール 3をそれぞれ開孔させた。

[0051] 続いて、上記のようにして COレーザにより開孔処理がされた導電性基体 1に対し

2

て、該処理時に開孔部およびその周辺に生成した炭化物を取除くため以下の処理を行なった。すなわち、該導電性基体 1をデイスミヤ装置にセットし、液温 60°Cの 50g /1の過マンガン酸カリウム水溶液の浸漬浴に 70秒間浸漬した後、純水による洗浄を 5回繰り返して行なった。

[0052] その後さらに、液温 40°Cの 5%の硫酸の浸漬浴に 2分間浸漬させることにより中和処理した後、再度純水による洗浄を 5回繰り返して行なった。続いて、高性能フィルタ (フィルタの開孔部の大きさが 0· 5 μ m以下）を通した 105°Cの乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させることにより、上記で生成した炭化物を除去した。

[0053] 次いで、このように炭化物が除去された絶縁性基体 1の一端をスパッタリング装置の送出しシャフトにセットし、他端を卷取りシャフトにセットした。一方、このスパッタリング装置の 4つのターゲットには、ターゲット No. 1として Niを、ターゲット No. 2 4として Cuをそれぞれ取付けた。

[0054] その後該スパッタリング装置のチャンバ一を閉じ、真空ポンプにより真空度を 1 X 10 — ⁴Paとした後、 Niを取付けたターゲット No. 1に対してはアルゴンガスの注入量 100c cZ分、ターゲット電流 0. 6kWZdm²、および Cuを取付けたターゲット No. 2— 4に対してはアルゴンガスの注入量各 250cc/分、ターゲット電流 1. 2kWZdm²の条件下でこれらの金属をスパッタリングさせることにより、絶縁性基体の一方の表面上に第 1導電層を形成した。その後、該スパッタリング装置の真空状態を解除した。

[0055] 続いて、上記の絶縁性基体の第 1導電層が形成されていない方の表面に対して上記と同様の第 1導電層が形成できるように、上記絶縁性基体の表裏を逆にして再度該スパッタリング装置にセットしなおした。そして、上記と同一の条件でスパッタリングを行なうことにより絶縁性基体のもう一方の表面に上記と同じ第 1導電層を形成した。

[0056] 図 2は、この状態の絶縁性基体を示しており、絶縁性基体 1の表裏両面とスルホーノレ 2の壁面（およびァライメントホール 3の壁面）に対して第 1導電層 4が形成されている。なお、図 2には直接示されていないが、第 1導電層 4は絶縁性基体 1上に Ni層がまず積層されその上に Cu層が積層された構成となっている。そしてこの構成は絶縁性基体上の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成となっている。

[0057] また、上記の絶縁性基体の一方の端から 10m、 50mおよび 90mの地点においてサンプリングを行なレ、、 FIB装置を用いて断面をカットしその厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で、 Ni層が 100A、 Cu層は 2500Aであつた。

[0058] 続いて、数回の純水による洗浄を行なった後、表裏両面に上記のようにして第 1導電層を形成した絶縁性基体を連続めつき装置にセットし、以下の条件で電気めつきを行なった。すなわち、まず 8%の硫酸が充填されている酸活性化槽に上記絶縁性基体を 20秒間連続的に浸漬することにより、上記第 1導電層に対して酸活性化処理を行なった。

[0059] 次いで、純水による水洗を 3回繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅 110g/l、硫酸 160g/l、塩素 60ppmおよびトツプルチナ 380H (奥野製薬工業（株)製） lOcc/1からなるもの）を充填し、上記絶縁性基体を 1. OmZ分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温 28°C、電流密度 4AZdm²の条件下で 11分間電気めつきすることにより、前記第 1導電層上に Cuからなる第 2導電層を形成した。

[0060] 図 3は、この状態の絶縁性基体を示しており、絶縁性基体 1の表裏両面とスルホーノレ 2の壁面（およびァライメントホール 3の壁面）に対して第 1導電層 4が形成され、その第 1導電層 4上に第 2導電層 5が形成されている。なお、第 2導電層 5の構成は絶縁性基体上の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成となっている。したがって、該導電層 6は第 1導電層と第 2導電層とを含み、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有する導電層が形成されていることになる。

[0061] また図 4は、上記の状態の導電性シート 7の概略平面図である。図 4において、絶縁性基体 1上の導電層 6 (第 1導電層 4と第 2導電層 5とを含む）は省略されている。

[0062] 続いて、このように第 2導電層が形成された絶縁性基体に対して純水による水洗を 5回繰り返して行なった。次いで、高性能フィルタを通した 105°Cの乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させることにより、図 3および図 4に示した本発明の導電性シート 7を得た。

[0063] また、このようにして得られた導電性シートの一方の端から 10m、 50mおよび 90m の地点においてサンプリングを行なレ、、 FIB装置を用いて断面をカットし第 2導電層の厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で、 10 z m± 5% 以内であった。

[0064] なお、上記のようにして得られた導電性シートを幅 250mm、長さ 300mmの大きさのシート状にカットした。そして、このようにカットされた導電性シートに対して感光用のレジスト処理を行なレ、、回路パターン形成用のネガマスクをァライメントホールを基準にしてセットした。その後、露光、現像、エッチング、レジスト剥離をそれぞれ行なうことにより、上記導電層に対して回路パターンを形成した。このようにして形成された回路パターンは、上記導電性シートの表裏両面とも非常に高精度であり、形成された回路の寸法を測定するといずれも設計寸法に対して ± 5%以内であった。また、表裏両面において、電気導電性にも何等問題はなぐ極めて信頼性の高い電気的接続効果を示した。

[0065] ぐ実施例 2 >

第 1導電層を絶縁性基体の表裏両面に形成させるところまでは、実施例 1と全く同様にして第 1導電層を形成した絶縁性基体を得た。

[0066] このようにして得た絶縁性基体を、 lOOcc/1のパラジウム系触媒（商品名：ァクセレータ、奥野製薬工業 (株)製)の浸漬浴に室温で 1分間浸漬させることにより、前記第 1導電層上に対して触媒処理を施した。

[0067] 続いて、純水による水洗を 5回繰り返した後、触媒処理された第 1導電層上に対してスルホール用無電解銅めつき液（商品名： OPC— 750無電解銅 M (商品名）、奥野製薬工業 (株)製）を用いて室温、 pH12. 9の条件下で無電解めつき処理を施すことによって銅からなる厚さ 1 μ mの第 2導電層を形成した。

[0068] 次いで、このように第 2導電層が形成された絶縁性基体に対して純水による水洗を 5回繰り返して行なった。その後、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが 0. 5 z m以下）を通した 105°Cの乾燥エアにより水切りを行なレ、、充分に乾燥させることにより、絶縁性基体上に第 1導電層と第 2導電層とを含む導電層が形成された本発明の導電性シートを得た。

[0069] 該導電性シートの導電層は、絶縁性基体の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成を有していた。また、寸法精度にも優れているとともに、信頼性の高い電気的接続効果を示した。

Claims

請求の範囲

[1] 絶縁性基体（1)の表裏両面に導電層（6)が形成され、その表裏両面の導電層（6) が該絶縁性基体（1)を貫通するようにして開孔されているスルホール（2)を介して互いに電気的に接続されている導電性シート（7)であって、該絶縁性基体（1)の表裏両面と該スルホール（2)の壁面とにおいて同一の構成を有する導電層（6)が形成されており、前記導電層（6)は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第 1導電層（4)と、無電解めつき法または電気めつき法により形成される第 2導電層（5)とを含み、また前記導電層（6)は、前記絶縁性基体（1)にスルホール（2)が開孔された後、該絶縁性基体（1)の表裏両面と該スルホール（2)の壁面とにおいて同一工程で形成されることを特徴とする導電性シート（7)。

[2] 前記第 1導電層 (4)が、 2層以上積層されていることを特徴とする請求項 1記載の導電性シート。

[3] 前記第 1導電層（4)は、 300— 5000 Aの厚みで形成されていることを特徴とする請求項 1記載の導電性シート。

[4] 前記第 2導電層（5)は、 0· 5— 100 μ ΐηの厚みで形成されていることを特徴とする請求項 1記載の導電性シート。