KR20070044165A

KR20070044165A - Ｃｃｌ 베이스 필름 및 이를 이용한 전자부품 실장용캐리어 테이프 제조 방법

Info

Publication number: KR20070044165A
Application number: KR1020050100173A
Authority: KR
Inventors: 이상유; 김수홍
Original assignee: 엘지마이크론 주식회사
Priority date: 2005-10-24
Filing date: 2005-10-24
Publication date: 2007-04-27

Abstract

본 발명은 CCL(copper clad laminate) 베이스 필름에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면 폴리이미드 필름에 건식 또는 습식식각 전처리 및 촉매화 처리를 시행하고 무전해 도금막 형성 후 상부 구리층을 성장시키고 배선을 형성함으로써 신뢰성 있는 폴리이미드 필름과 구리 배선 사이의 접착력을 유지할 수 있는 CCL 베이스 필름에 관한 것이다. 또한 본 발명인 CCL 베이스 필름 상에 식각 공정으로 회로 패턴을 형성한 전자부품 실장용 캐리어 테이프에 관한 것이다.

본 발명의 CCL 베이스 필름을 이루는 구성수단은, 팽윤(swelling) 및 건식 또는 습식식각 처리된 폴리이미드 필름과, 상기 폴리이미드 필름 상에 촉매화 처리 후 형성되는 단일층 또는 이층의 전도성 씨앗층(seed layer)과, 상기 전도성 씨앗층 상부에 적층되는 상부 구리층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

폴리이미드 필름, CCL, 무전해 도금, 식각, 촉매화

Description

ＣＣＬ 베이스 필름 및 이를 이용한 전자부품 실장용 캐리어 테이프 제조 방법{ＣＣＬ base film and carrier tape for mounting electric components}

도 1은 일반적인 CCL의 구조를 도시한 단면도.

도 2는 종래 기술에 따른 CCL 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도.

도 3은 본 발명에 따른 CCL 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전도성 씨앗층이 이층인 CCL 구조의 단면도.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양면에 상부 구리층이 형성된 CCL 구조의 단면도.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양면에 상부 구리층이 형성되고 전도성 씨앗층이 이층인 CCL 구조의 단면도.

도 7은 본 발명에 따른 CCL을 이용하여 전자부품 실장용 캐리어 테이프를 제조하는 제1 공정도.

도 8은 본 발명에 따른 CCL을 이용하여 전자부품 실장용 캐리어 테이프를 제조하는 제2 공정도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10 : 폴리이미드 필름

20 : 전도성 씨앗층

30 : 상부 구리층

40 : 포토레지스트

본 발명은 CCL(copper clad laminate) 베이스 필름에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면 폴리이미드 필름을 팽윤 및 건식 또는 습식식각 전처리 및 촉매화 처리를 시행하고 무전해 도금막 형성 후 상부 구리층을 성장시키고 배선을 형성함으로써 신뢰성 있는 폴리이미드 필름과 구리 배선 사이의 접착력을 유지할 수 있는 CCL 베이스 필름에 관한 것이다.

현재 폴리이미드 필름은, 플렉시블 배선 기판 상에 반도체소자를 접합 및 탑재하여 테이프 캐리어형 반도체장치를 얻는 TAB(Tape Automated Bonding)기술에 의한 반도체 칩의 조립 및 실장 기술 가운데 와이어리스 본딩 방식인 COF(Chip on FPC(플렉시블 배선 회로))와 TCP(Tape Carrier Package)의 재료로 사용되고 있다.

상기 TCP, COF의 절연기판 재료로서 사용되고 있는 CCL은 폴리이미드 필름과 같은 유연성 절연재에 동박을 적층한 소재로서 그 기본구조는 도 1에 도시한 바와 같이 폴리이미드 필름(10)위에 전도성 씨앗층(20)과 상부 구리층(30)이 적층된 구 조로 이루어지는데, 층 구조에 따라 2층 CCL, 3층 CCL로 나뉘어지고 2층 CCL은 다시 제조방법에 따라 캐스팅법에 의한 CCL 또는 스퍼터링(Sputtering)법에 의한 CCL로 분류되며 3층 CCL은 양면 CCL과 단면 CCL로 구분된다.

종래 CCL의 제조에 있어서 폴리이미드 필름과 상부 구리층 사이의 접착력을 향상시키기 위해서 첫번째로 사용된 방법은 폴리이미드 필름 위에 상부 구리층을 증착하기 전 두 층 사이에 접착층을 이용하는 방법이 있다. 접착층으로 사용되는 금속은 통상 구리(Cu) 합금과 같은 금속이며, 스퍼터링 방식으로 증착한 후, 연속적으로 구리(Cu)를 전해도금하는 방법으로 접착층으로 하여금 상부 구리층과 폴리이미드 필름 사이의 접착력을 향상시키는 방법이다.

두번째 방법은 상부 구리층을 증착하기 전 폴리이미드 필름 표면을 전처리하는 방식이다. 폴리이미드 필름 표면의 전처리 공정은 일반적으로 플라스마 상태의 아르곤 이온을 이용하여 전처리 후에 곧바로 상부 구리층을 전해도금하는 방식이다. 이러한 전처리 공정을 통하여 폴리이미드 필름 표면의 거칠기, 불순물의 제거, 화학적 상태 등의 변화를 통해서 상부 구리층과 폴리이미드 필름 사이의 접착력을 향상시키는 방법이다.

한편 상기한 두 가지 방법을 병행한 방법이 사용되는데, 도면을 참고로 하여 이 기술에 따른 CCL 제조방법에 대해 설명한다.

도 2는 종래 기술에 따른 CCL 제조방법을 개략적으로 도시한 것이다.

도 2에 나타난 바와 같이 먼저

(a) 폴리이미드 필름(10) 표면을 진공상태에서 플라스마 전처리하여 표면개 질을 한 후,

(b) 밀착력을 증대시키며 확산방지층의 역할을 하는 크롬-니켈 합금 및 구리를 스퍼터링 방식으로 순차적으로 적층하여 이층의 전도성 씨앗층(seed layer,20)을 형성한다. 이때 제 1 씨앗층(21)인 크롬-니켈 합금의 두께는 200~500Å이고 제 2 씨앗층(23)인 구리층의 두께는 약 1000 ~ 5000Å이다.

그리고 (c) 전해도금 방식에 의하여 7 ~ 9μm의 두께를 가지는 상부 구리층(30)을 성장시킴으로써 CCL 베이스필름을 형성하게 된다.

이외에 CCL 베이스필름을 형성하는 다른 방법으로서 폴리이미드 필름과 금속 박막이 증착된 재료를 준비하고, 그 위에 수 KeV의 헬륨, 네온 등의 이온빔을 쏘아서 금속 박막과 폴리이미드 필름의 분자 및 원자들 사이에 믹싱(Mixing) 효과를 일으켜 경계면 부근에 그라데이션(Gradation) 효과를 얻어 접착력을 향상시키는 방법이 있다.

또 다른 방법으로는 DC 바이어스 스퍼터링(DC Bias Sputtering)을 이용한 방식으로 이 방법을 이용하게 되면 폴리이미드 필름 쪽에 네거티브 DC 바이어스(Negative DC Bias)를 걸어 스퍼티링 된 이온을 가속시키는 효과를 얻어 넌 바이어스 스퍼터링(Non-Bias Sputtering) 조건보다 강한 에너지를 가지고 폴리이미드 필름에 증착되기 때문에 강한 접착력을 얻을 수 있다.

상기한 다양한 방법에 의해 CCL 베이스 필름을 형성한 후에는, 포토레지스트를 상부 구리층(30) 전면에 도포한 다음, 상기 포토레지스트를 패터닝을 하고, 상부 구리층(30)과 전도성 씨앗층(20)을 식각공정을 통해 패터닝하여 폴리이미드 필 름(10)상에 구리 배선을 형성하는 단계를 거쳐 전자부품 실장용 캐리어 테이프를 제조하게 된다.

그러나 상기와 같은 종래의 기술들은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다. 폴리이미드 필름층과 금속 박막층 사이에 접착층을 이용하는 경우에는 파인피치(Fine Pitch) 및 접착성의 한계가 있으며, 플라스마 처리 및 스퍼티링 공정을 이용하는 경우에는 제품의 신뢰성은 높으나 장비의 설치비 및 운영비가 많은 단점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로 접착층을 이용하지 않고 폴리이미드 필름과 구리 박막층간의 접착성을 증대시킬 수 있는 CCL 베이스 필름을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

또한, 제조비가 많이 드는 스퍼터링 공정 등을 거치지 않고도 신뢰성 높은 CCL 베이스 필름을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 CCL(copper clad laminate) 베이스 필름을 이루는 구성수단은, 팽윤(swelling) 및 식각 처리된 폴리이미드 필름과, 상기 폴리이미드 필름 상에 형성되는 단일층 또는 이층의 전도성 씨앗층(seed layer)과, 상기 전도성 씨앗층(seed layer) 상부에 적층되는 상부 구리층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 팽윤 처리, 식각 처리가 상기 폴리이미드 필름 양면 상에 수행되고, 상기 폴리이미드 필름 양면 상에 촉매화 처리 후 순차적으로 전도성 씨앗층과 상부 구리층이 형성되는 것을 특징으로 한다. 즉, 양면에 상부 구리층이 형성된 CCL 베이스 필름을 가공하여 양면에 회로가 형성된 전자부품 실장용 캐리어 테이프가 제조될 수 있다.

또한, 상기 전도성 씨앗층은 무전해 도금 방식으로 형성되고, 상기 상부 구리층은 전해 도금 방식으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 전도성 씨앗층이 단일층인 경우에는, 상기 전도성 씨앗층은 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 전도성 씨앗층의 두께는 200 ~ 10000Å 사이의 범위인 것이 바람직하다.

또한, 상기 전도성 씨앗층이 이층인 경우에는, 상기 전도성 씨앗층은 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층과, 구리층 또는 구리를 포함하는 합금층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 전도성 씨앗층의 각 두께는 200 ~ 10000Å 사이의 범위인 것이 바람직하다.

한편, 본 발명에 의한 CCL 베이스 필름을 이용한 전자부품 실장용 캐리어 테이프 제조 방법을 이루는 구성수단은, 폴리이미드 필름을 팽윤 및 식각으로 전처리하는 단계, 상기 폴리이미드 필름을 촉매화 및 무전해 도금으로 전도성 씨앗층을 형성하는 단계, 상기 전도성 씨앗층 상부에 포토 레지스트를 도포하고 선택적으로 패터닝하는 단계, 노출된 상기 전도성 씨앗층 상부에 전해도금 방식으로 상부 구리층을 형성하는 단계, 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계, 상기 전도성 씨앗층을 선택적으로 식각하여 구리 배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

전자부품 실장용 캐리어 테이프의 또 다른 제조 방법은 폴리이미드 필름을 팽윤 및 식각으로 전처리하는 단계, 상기 폴리이미드 필름을 촉매화 및 무전해 도금으로 전도성 씨앗층을 형성하는 단계, 상기 전도성 씨앗층 상부에 전해도금 방식으로 상부 구리층을 형성하는 단계, 상기 상부 구리층 상부에 포토 레지스트를 도포하고 선택적으로 패터닝하는 단계, 상기 상부 구리층과 전도성 씨앗층을 선택적으로 식각하여 패터닝하는 단계, 상기 포토 레지스트를 제거하여 구리 배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한, 상기와 같이 제조된 전자부품 실장용 캐리어 테이프에는 각 종 반도체가 실장되어 소정의 디바이스를 구성하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 구성수단으로 이루어져 있는 본 발명인 CCL 베이스 필름에 관한 작용 및 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.

본 발명의 실시예에 따른 CCL 베이스 필름은 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 폴리이미드 필름(10)과, 상기 폴리이미드 필름(10) 상에 순차적으로 적층되는 전도성 씨앗층(seed layer)(20)과 상부 구리층(30)으로 이루어져 있다.

상기 폴리이미드 필름(10)은 팽윤 처리 및 건식 또는 습식 식각 처리된 후에 촉매화 처리가 수행된다. 한편, 상기 팽윤, 식각 처리된 후의 폴리이미드 필름(10) 상에는 촉매화 처리 후 단일층 또는 이층의 전도성 씨앗층(20)이 형성된다. 그리 고, 상기 전도성 씨앗층(20) 상에 상부 구리층(30)이 순차적으로 적층된다.

상기 전도성 씨앗층(20)을 이층으로 형성하는 경우에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 폴리이미드 필름(10) 상부에 니켈층 또는 니켈 합급층(21)과 구리층 또는 구리 합금층(23)을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.

상기와 같은 폴리이미드 필름(10)에 처리되는 팽윤 처리, 식각 처리 및 촉매화 처리는 상기 폴리이미드 필름(10)의 한 쪽 면뿐만 아니라 양면 상에 대하여 처리될 수 있다. 그리고 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 양면 모두에 팽윤처리, 식각 처리된 폴리이미드 필름(10)의 양면 상에 촉매화 처리 후 전도성 씨앗층(20)과 상부 구리층(30)을 순차적으로 적층할 수 있다. 이 경우에는 상기 CCL 베이스 필름은 양면에 회로 패터닝을 할 수 있게 된다. 이 경우에도 도 6에 도시된 바와 같이 상기 전도성 씨앗층(20)은 폴리이미드 필름(10) 상부에 니켈층 또는 니켈 합급층(21)과 구리층 또는 구리 합금층(23)을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.

도 7의 (a) 내지 도 7의 (g)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 CCL 베이스 필름을 제조하는 공정과 제조된 CCL 베이스 필름 상에 회로 패터닝을 형성하여 제조되는 전자부품 실장용 캐리어 테이프 제조 공정을 보여준다. 이를 참조하여 CCL 베이스 필름의 제조 공정과 제조된 CCL 베이스 필름 상에 회로 패터닝을 수행하여 완성되는 전자부품 실장용 캐리어 테이프 제조 공정에 대하여 상세하게 설명한다.

먼저 도 7의 (a)에 나타난 바와 같이, 폴리이미드 필름(10) 표면에 용제를 사용하여 팽윤 및 건식 또는 습식식각을 실시한다. 이러한 전처리 과정을 통해 폴 리이미드 필름(10)의 표면 거칠기가 증가되고 막간 접착력이 향상된다. 그리고 도 7의 (b)와 같이 촉매화 처리단계를 거친다.

다음으로 도 7의 (c)와 같이 촉매와 처리된 폴리이미드 필름(10) 상부에 상부 구리층(30)의 핵성성을 위한 전극에 해당하는 전도성 씨앗층(20)을 형성한다. 이때 전도성 씨앗층(20)으로는 200~10000Å의 두께를 가지는 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층이 형성될 수 있다. 또한 200~10000Å의 두께를 가지는 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층과 200~10000Å의 두께를 가지는 구리층 또는 구리를 포함하는 합금층이 순차척으로 적층된 이층 구조가 형성될 수도 있다. 상기 전도성 씨앗층(20)은 무전해 도금방식으로 형성된다.

무전해 도금은 외부로부터 전기에너지를 공급받지 않고 금속염 수용액 중의 금속이온을 환원제의 힘에 의해 자기 촉매적으로 환원시켜 피처리물의 표면 위에 금속을 석출시키는 방법으로 화학도금 또는 자기촉매도금이라고도 한다. 수용액 내의 환원제가 금속이온이 금속분자로 환원되도록 전자를 공급하는데, 이 반응은 촉매표면에서 일어난다. 무전해 도금은 전기도금에 비해서 도금층이 치밀하고 도체뿐만 아니라 플라스틱이나 유기체 같은 다양한 기판에 대해서 적용할 수 있는 장점을 가진다.

상기 전도성 씨앗층(20)이 니켈층이나 니켈을 포함하는 합금으로 이루어지는 단일층인 경우에는 상부에 형성될 금속 박막의 확산을 방지하고 전도성을 유지하며 밀착성을 확보함과 더불어 공정을 단순화하게 된다.

또한 전도성 씨앗층(20)을 니켈층이나 니켈 합금인 하부층과 구리층 또는 구 리합금인 상부층으로 이루어지는 이층 구조로 형성하는 경우에는 하부층인 니켈이나 니켈 합금은 상부에 형성될 상부 구리층(30)의 확산을 방지하고 층간 밀착성을 확보하는 역할을 하게 되며, 상부층에 형성되는 구리층이나 구리 합금층은 상부 구리층(30)과 전도성을 유지하는 역할을 하게 된다. 또한 이러한 이층 구조는 단일층과 비교하였을때 내부식성이 큰 니켈의 두께가 줄어듦으로써 후술할 배선형성을 위한 식각 공정이 용이해진다.

상기 전도성 씨앗층(20)을 형성한 후에는 도 7의 (d) 내지 도 7의 (e) 에서와 같이 그 상부에 포토레지스트(40)를 도포하고 선택적으로 노광 및 현상한다.

다음으로 도 7의 (f)에서와 같이 노출된 전도성 씨앗층(20)에 전해도금을 통해 상부 구리층(30)을 성장시킨 다음, 도 7의 (g)에서와 같이 상기 잔여 포토레지스트(40)를 제거하여 상부 구리층(30)을 노출시키고, 도 7의 (h)에서 처럼 구리배선이 형성된 부분을 제외하고 전도성 씨앗층(20)을 식각함으로써 폴리이미드 필름상에 미세한 구리배선을 형성하게 된다.

이와 같은 공정에 의하여 최종적으로 전자부품 실장용 캐리어 테이프가 제조된다. 이와 같이 제조된 캐리어 테이프 상면에는 각 종 반도체가 실장되어 소정의 디바이스로 사용된다.

도 8의 (a) 내지 도 8의 (h)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 CCL 베이스 필름을 제조하는 공정과 제조된 CCL 베이스 필름 상에 회로 패터닝을 형성하여 제조되는 전자부품 실장용 캐리어 테이프의 제조 공정을 보여준다. 이를 참조하여 CCL 베이스 필름의 제조 공정과 제조된 CCL 베이스 필름 상에 회로 패터닝을 수행하여 전자부품 실장용 캐리어 테이프를 제조하는 공정에 대하여 상세하게 설명한다.

먼저 도 8의 (a)에 나타난 바와 같이, 폴리이미드 필름(10) 표면에 용제를 사용하여 팽윤 및 건식 또는 습식식각을 실시한다. 이러한 전처리 과정을 통해 폴리이미드 필름(10)의 표면 거칠기가 증가되고 막간 접착력이 향상된다. 그리고 도 8의 (b)와 같이 촉매화 처리단계를 거친다.

다음으로 도 8의 (c)와 같이 촉매와 처리된 폴리이미드 필름(10) 상부에 상부 구리층(30)의 핵성성을 위한 전극에 해당하는 전도성 씨앗층(20)을 형성한다. 상기 전도성 씨앗층(20)은 무전해 도금 방식에 의하여 형성된다. 상기 전도성 씨앗층(20)은 상술한 바와 같이 단일층으로 형성될 수도 있고, 이중층으로 형성될 수도 있다.

상기 전도성 씨앗층(20)을 단일층으로 형성하고자 하는 경우에는, 니켈층 또는 니켈 합금층으로 상기 전도성 씨앗층(20)을 형성한다. 이 때 상기 전도성 씨앗층(20)으로 니켈층 또는 니켈 합급층의 두께는 200 ~ 10000Å 사이의 범위인 것이 바람직하다.

상기와 같이 상기 전도성 씨앗층(20)이 니켈이나 니켈을 포함하는 합금으로 이루어지는 단일층인 경우에는 상부에 형성될 금속 박막의 확산을 방지하고 전도성을 유지하며 밀착성을 확보함과 더불어 공정을 단순화하게 된다.

한편, 상기 전도성 씨앗층(20)을 이중층으로 형성하고자 하는 경우에는 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층을 먼저 적층한 후 구리층 또는 구리를 포함하는 합금층을 순차적으로 적층하여 상기 이중층의 전도성 씨앗층(20)을 형성한다. 이 때, 상기 니켈층 또는 니켈 합금층과 상기 구리층 또는 구리를 포함하는 합금층의 두께는 각각 200~10000Å 사이의 범위인 것이 바람직하다.

상기와 같이 상기 전도성 씨앗층(20)을 니켈이나 니켈 합금인 하부층과 구리 또는 구리합금인 상부층으로 이루어지는 이중층 구조로 형성하는 경우에는 하부층인 니켈이나 니켈 합금은 상부에 형성될 상부 구리층(30)의 확산을 방지하고 층간 밀착성을 확보하는 역할을 하게 되며, 상부층에 형성되는 구리나 구리 합금층은 상부 구리층(30)과 전도성을 유지하는 역할을 하게 된다. 또한 이러한 이층 구조는 단일층과 비교하였을 때 내부식성이 큰 니켈의 두께가 줄어듦으로써 후술할 회로 배선 형성을 위한 식각 공정이 용이해진다.

상기 전도성 씨앗층(20)은 무전해 도금 방식으로 형성하는데, 무전해 도금은 외부로부터 전기에너지를 공급받지 않고 금속염 수용액 중의 금속이온을 환원제의 힘에 의해 자기 촉매적으로 환원시켜 피처리물의 표면 위에 금속을 석출시키는 방법으로 화학도금 또는 자기촉매도금이라고도 한다. 수용액 내의 환원제가 금속이온이 금속분자로 환원되도록 전자를 공급하는데, 이 반응은 촉매표면에서 일어난다. 무전해 도금은 전기도금에 비해서 도금층이 치밀하고 도체뿐만 아니라 플라스틱이나 유기체 같은 다양한 기판에 대해서 적용할 수 있는 장점을 가진다.

상기 전도성 씨앗층(20)을 형성한 후에는 도 8의 (d)에서와 같이 전도성 씨앗층(20) 상부에 전해 도금 방식으로 상부 구리층(30)을 형성시킨다. 그리고 도 8의 (e)와 같이 상기 상부 구리층(30) 상부에 포토레지스트(40)를 도포하고 도 8의 (f)와 같이 소정의 패턴으로 상기 포토레지스트(40)를 패터닝한다.

마지막으로 도 8의 (g)와 같이 상부 구리층(30)과 전도성 씨앗층(20)을 선택적으로 식각하고 도 8의 (h)와 같이 포토레지스트(40)를 제거함으로써, 소정 패턴의 구리 배선을 형성하고 원하는 회로 패턴을 형성한다..

상기와 같은 본 발명에 의하면, 연성회로기판, TCP, COF등에 사용되는 CCL 및 그 상부에 구리 배선을 형성하는 공정에 있어서, 접착층을 추가로 형성하지 않으며 고가의 공정인 플라스마 전처리 및 스퍼터링 증착 단계를 거치지 않고도 무전해 도금 방식을 이용한 전도성 씨앗층 형성을 통해 폴리이미드 필름와 구리 박막층 사이의 접착성을 증가시킴으로써 제조 단가를 절감하고 동시에 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 구리 배선을 식각공정 없이 일반적인 도금기술을 이용하여 형성함으로써 미세패턴회로의 구성을 보다 용이하게 할 수 있다.

Claims

CCL(copper clad laminate) 베이스 필름에 있어서,

팽윤(swelling) 및 식각 처리된 폴리이미드 필름과;

상기 폴리이미드 필름 상에 형성되는 단일층 또는 이층의 전도성 씨앗층(seed layer)과;

상기 전도성 씨앗층(seed layer) 상부에 적층되는 상부 구리층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 CCL 베이스 필름.
청구항 1에 있어서,

상기 팽윤 처리, 식각 처리가 상기 폴리이미드 필름 양면 상에 수행되고, 상기 폴리이미드 필름 양면 상에 촉매화 처리 후 순차적으로 전도성 씨앗층과 상부 구리층이 형성되는 것을 특징으로 하는 CCL 베이스 필름.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 전도성 씨앗층은 무전해 도금 방식으로 형성되고, 상기 상부 구리층은 전해 도금 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 CCL 베이스 필름.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 전도성 씨앗층이 단일층인 경우에는, 상기 전도성 씨앗층은 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 CCL 베이스 필름.
청구항 4에 있어서,

상기 전도성 씨앗층의 두께는 200 ~ 10000Å 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 CCL 베이스 필름.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 전도성 씨앗층이 이층인 경우에는, 상기 전도성 씨앗층은 니켈층 또는 니켈을 포함하는 합금층과, 구리층 또는 구리를 포함하는 합금층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 CCL 베이스 필름.
청구항 6에 있어서,

상기 전도성 씨앗층의 각 두께는 200 ~ 10000Å 사이의 범위인 것을 특징으 로 하는 CCL 베이스 필름.
폴리이미드 필름을 팽윤 및 식각으로 전처리하는 단계;

상기 폴리이미드 필름을 촉매화 및 무전해 도금으로 전도성 씨앗층을 형성하는 단계;

상기 전도성 씨앗층 상부에 포토 레지스트를 도포하고 선택적으로 패터닝하는 단계;

노출된 상기 전도성 씨앗층 상부에 전해도금 방식으로 상부 구리층을 형성하는 단계;

상기 포토 레지스트를 제거하는 단계;

상기 전도성 씨앗층을 선택적으로 식각하여 구리 배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전자부품 실장용 캐리어 테이프 제조 방법.
폴리이미드 필름을 팽윤 및 식각으로 전처리하는 단계;

상기 폴리이미드 필름을 촉매화 및 무전해 도금으로 전도성 씨앗층을 형성하는 단계;

상기 전도성 씨앗층 상부에 전해도금 방식으로 상부 구리층을 형성하는 단계;

상기 상부 구리층 상부에 포토 레지스트를 도포하고 선택적으로 패터닝하는 단계;

상기 상부 구리층과 전도성 씨앗층을 선택적으로 식각하여 패터닝하는 단계;

상기 포토 레지스트를 제거하여 구리 배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전자부품 실장용 캐리어 테이프 제조 방법.
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,

상기 전자부품 실장용 캐리어 테이프에 반도체가 실장된 것을 특징으로 하는 디바이스.