WO2004109584A1 - Verfahren zum herstellen eines integrierten fingerabdrucksensors sowie sensorschaltungsanordnung und einspritzanordnung - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines integrierten fingerabdrucksensors sowie sensorschaltungsanordnung und einspritzanordnung Download PDF

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WO2004109584A1
WO2004109584A1 PCT/EP2004/050868 EP2004050868W WO2004109584A1 WO 2004109584 A1 WO2004109584 A1 WO 2004109584A1 EP 2004050868 W EP2004050868 W EP 2004050868W WO 2004109584 A1 WO2004109584 A1 WO 2004109584A1
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WO
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protective layer
sensor
substrate
circuit arrangement
sensor cell
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Application number
PCT/EP2004/050868
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English (en)
French (fr)
Inventor
Christine Lindner
Andreas Wörz
Original Assignee
Infineon Technologies Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1329—Protecting the fingerprint sensor against damage caused by the finger

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an integrated fingerprint sensor circuit arrangement with the method steps carried out without restriction by the order specified: provision of a substrate,
  • a manufacturing method for a fingerprint sensor is known from European patent application EP 0 889 521 A2, in which a protective layer is applied to the sensor cell field and to connection surfaces.
  • the protective layer has a number of openings in which bond areas or solder balls are introduced with the aid of electro-chemical deposits.
  • the protective layer consists of a nitride and has a thickness of, for example, 0.3 ⁇ m.
  • a sensor circuit arrangement is to be specified.
  • the object relating to the method is achieved by means of the method with the method steps specified in patent claim 1. Further training is given in the subordinate claims.
  • the invention is based on the consideration that the protective layers used hitherto are a source of errors because they do not sufficiently repel dirt which is applied when the sensor is actuated.
  • the invention is also based on the consideration that a protective layer that is highly dirt-repellent can only be structured with difficulty with the help of a photo technique. A photoresist is rejected just like the dirt.
  • connection projections on the substrate that protrude beyond the sensor cell array or that protrude further than the sensor cell array
  • curing is carried out by means of electromagnetic radiation or by means of particle radiation.
  • the electromagnetic radiation can be radiated uniformly over the entire volume of the flowable material and leads to an easily controllable hardening or hardening.
  • it can be cured by means of hot conduction, for example by placing the substrate on a heating surface.
  • the protective layer is formed from compounds of the flowable material which are subject to a substance conversion under the influence of the electromagnetic radiation, i.e. chemical bonds are broken down and / or newly formed.
  • a whole class of substances of protective layers for fingerprint sensors can be used, in particular of materials that have the so-called lotus effect, which will be explained in more detail below. For example. based on materials according to EP 0 587 667 B1 or according to W098 / 51747.
  • a film is placed on the connection protrusions before the cover surface is placed on it.
  • the film is, for example, a plastic film made from polyethylene (PE) or from polyethylene terephthalates (PET).
  • PET polyethylene terephthalates
  • the film is removed again after the printing area has been removed. The use of the film prevents the protective layer from sticking to the printing surface.
  • the film is also transparent to the radiation used for curing.
  • the protective layer is only prepared.
  • the cover surface and possibly also the film are removed if the protective layer is still viscous.
  • Microparticles are then applied, in particular microparticles with elevations and depressions in the nanometer area. Only then is the protective layer fully cured.
  • the methods known from the German patent application DE 101 18 352 A1 can be used to apply the microparticles.
  • the microparticles mentioned there can also be used.
  • the film on the side facing the substrate has a surface structured in the micrometer range, for example with structures or elevations with dimensions smaller than 100 ⁇ m or 10 ⁇ m and larger than 5 ⁇ m or 1 ⁇ m.
  • This measure ensures that a lotus effect is achieved even without additional process steps.
  • the lotus effect of an entire Material class is based on the fact that water drops or oil drops only settle on protrusions that are in the micrometer range and are therefore difficult to adhere to or easily detached.
  • Additional structuring in the nanometer range further improves the effect, for example the additional structures have dimensions smaller than 100 nm (nanometer).
  • the pressure surface is pressed onto the connecting protrusions with a pressure greater than 40 bar or greater than 60 bar, for example with a pressure of 80 bar.
  • the protective layer is compressed with a pressure that is greater than 5 bar or greater than 7 bar, for example with a pressure of 10 bar.
  • the substrate is a wafer, which for example has a diameter of 150 mm or 200 mm or 300 mm.
  • the wafer carries a large number of sensor cell fields. The sensors are only separated after the protective layer has been applied.
  • the invention also relates to a fingerprint sensor.
  • the sensor contains a protective layer that adheres to adjoins the sides of the connecting protrusions on all sides, as is the case with manufacture using the method according to the invention.
  • the sensor circuit arrangement contains a protective layer with connections which resulted from output connections when electromagnetic radiation struck the protective layer.
  • the compounds are formed by the conversion of substances, for example by splitting chemical compounds and / or by forming chemical bonds.
  • the sensor cells of the sensor cell field capacitively record the fingerprint.
  • the sensor cell array contains a matrix of capacitors or capacitor plates. For example the distance between capacitor plates is reduced by the finger.
  • parts of the finger can be used as a counter electrode.
  • Capacitive sensors in particular are particularly sensitive to deposits that come from a previously recorded fingerprint.
  • An example of a capacitive sensor cell array is given, for example, in German Offenlegungsschrift DE 100 10 888 AI. This sensor cell array is highly sensitive, so that even the smallest deposits can lead to error detections.
  • the sensor elements of the sensor cell field detect the fingerprint on the basis of light that comes from the fingerprint.
  • the sensor cells work according to the CCD principle (Charged Coupled Device), for example. Deposits on the protective layer are also the cause of errors when measured using light.
  • the invention also relates to an injection arrangement which is suitable for carrying out the method according to the invention or one of its developments or for producing the sensor arrangement according to the invention or its development.
  • the technical effects mentioned above also apply to the injection arrangement.
  • Figure 3 is a plan view of a fingerprint sensor installed in a chip card.
  • FIG. 1 shows an injection arrangement 10 for applying a protective layer to a wafer 12.
  • the injection arrangement 10 contains from bottom to top: a flat base plate 14, the wafer 12 resting on the base plate 14, on which there are a large number of connection projections 16 and possibly also ESD leads (electro-static charge) which protrude about 500 ⁇ m beyond the wafer 12, see distance A, in particular for UV radiation transparent plastic film 18, which rests on the connection projections 16, a flat pressure plate 20 which is pressed against the plastic film 18 by a pressing device, not shown, e by an injection system 22 shown by an arrow, and - a UV symbolized by arrows -Lamp 24 (ultraviolet), which emits light in the wavelength range between 3 nm (nanometers) and 400 nm.
  • ESD leads electro-static charge
  • the injection arrangement 10 shown in FIG. 1 contains a side seal, not shown, which prevents the starting mass 26 from escaping to the side hm.
  • the pressure plate 20 and the plastic film 18 are transparent to ultraviolet light from the UV lamp 24, so that the light m penetrates the gap between the plastic film 18 and the wafer 12.
  • a flowable starting mass 26 is injected into the gap, which hardens very quickly due to the UV light, for example within 10 seconds or less than 10 seconds.
  • the hardened starting mass forms a protective layer that is highly dirt-repellent, but nevertheless adheres well to the substrate 12.
  • FIG. 2 shows method steps in the production of a fingerprint sensor which is explained in more detail below in FIG. 3 and in particular in the operation of the injection arrangement shown in FIG.
  • the process begins in a process renssch ⁇ tt 100.
  • a method step 102 after the production of a large number of sensor cell fields on the wafer, 12 connection pads are produced which, for example, protrude about 400 ⁇ m beyond the surface of the cell fields.
  • the connection pads were, for example, grown using an electrochemical, ie galvanic, deposition or produced in some other way.
  • method step 106 can be carried out immediately.
  • the wafer 12 is placed on the base plate 14.
  • the plastic film 18 is placed or laminated onto the connection pads.
  • a method step 110 the printing plate 20 is printed against the plastic film 18 from above.
  • the pressure is 80 bar, for example. The pressure is so strong that the plastic film 18 closes off all vias 16 from above and seals laterally and is easily pressed in, e.g. by a few micrometers.
  • the starting mass 26 is injected into the gap with the aid of the injection system 22.
  • the starting mass 26 is then compressed by increasing the injection pressure, e.g. under a pressure of 10 bar.
  • the starting mass 26 is injected under vacuum in order to ensure that the gap is completely filled.
  • a method step 116 the UV lamp 24 is switched on, so that the starting mass 26 is irradiated.
  • the UV radiation triggers chemical reactions which lead to the rapid hardening of the starting mass 26 and the formation of a dirt-repellent protective layer.
  • the starting mass m hardens less than 10 seconds.
  • a method step 118 the pressure plate 20 is removed and the plastic film 18 is pulled off from the protective compound formed from the starting compound 26. This concludes a first exemplary embodiment of the method, see method step 122.
  • method step 120 is carried out after method step 118.
  • method step 120 after the plastic film has been removed, 18 particles are applied to the surface of the protective layer. The particles increase the dirt-repellent effect. Only then is the method ended in method step 122.
  • the method step 120 after the plastic film has been removed, 18 particles are applied to the surface of the protective layer. The particles increase the dirt-repellent effect. Only then is the method ended in method step 122.
  • Step 116 only pre-cured the starting mass. Then, in step 118, the plastic film 18 is peeled off. The particles are then introduced into the still soft starting mass in one step 120. The complete curing then takes place by switching on the UV lamp 24 again.
  • the individual fingerprint sensors of the wafer 12 are separated and installed in chip cards.
  • FIG. 3 shows a plan view of a fingerprint sensor 150 which has been installed in a chip card 152 which has a thickness of less than 3 mm.
  • the chip card 152 is made of plastic, for example, and has a central recess
  • a dirt-repellent protective layer is applied, which is cured with the aid of a heated base plate 14.
  • the UV lamp 24 is not provided or is additionally provided in the injection arrangement 10. A simultaneous curing under radiation and heat conduction is also possible.
  • the method is not based on a wafer but is carried out for individual sensor cell fields.
  • Other wavelengths can also be used for radiation, e.g. visible light, infrared light or heat radiation.
  • highly dirt-repellent protective layers can be structured without photo technology and without grinding processes.
  • Nanoscale inorganic solid particles are in particular those particles with an average particle size or an average particle diameter of not more than 200 nm, preferably not more than 100 nm, and in particular not more than 70 nm. A particularly preferred particle size range is included 5 to 50 nm.
  • the nanoscale inorganic solid particles can consist of any material, for example of metals or of metal compounds.
  • a sol according to WO 98/51747 is used, which is produced as follows: 86.861 g of T ⁇ 0 2 sol (3.5% by weight of TiO 2 m isopropanol; particle size: 5 nm) are mixed with 1.989 g of butyl phosphate and 1 hour touched. A solution of 1.2 g of distilled ⁇ -glycidyloxypropylt ⁇ methoxysilane (GPTS) and 100 g of 2-isopropoxyethanol are then added dropwise to the sol at 100 ° C.
  • GPTS ⁇ -glycidyloxypropylt ⁇ methoxysilane
  • the sol is mixed with 0.08 g of Cyracure® UVI-6974 (Ciba-Geigy) and 0.02 g of 1-methyl imidazole. After intensive stirring The mixture is filtered and can then be used as a coating varnish. The wafer with the fingerprint sensors is cleaned with 2-propanol before coating and air dried.
  • the coating lacquer is injected into gap A after it has thickened.
  • Two mercury vapor lamps with an output of 400 mW / m 2 are used to harden the layer.
  • an IR lamp can also be used for heating to eg 120 ° C. After this
  • Curing is carried out, for example, 15 mmute thermal aftertreatment in a circulating air drying cabinet, the pressure plate and the cover plate being removed beforehand, for example.
  • the surface groups are selected, for example, from organic residues which have a (meth) acrylic, vinyl, allyl or epoxy group.
  • the solid particles used in stage a) have been produced in particular by surface modification of nanoscale solid particles with the corresponding surface groups or using at least one compound with corresponding polymerizable / polycondensable groups. In particular, the so-called sol-gel process is used to produce the solid particles.
  • the solid particles from stage a) additionally have fluorinated surface groups, in particular those of the formula R f -CH 2 ⁇ CH ⁇ - in which R f represents a perfluoroalkyl radical having 2 to 12 carbon atoms.
  • Step c) is preferably carried out in the presence of polymerizable and / or polycondensable monomeric or oligomeric species which are not bound to the solid particles.

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Abstract

Verfahren zum Herstellen eines Erläutert wird unter anderem ein verfahren zum Herstellen eines Fingerabdrucksensors mit schmutzabweisender Schutz schicht. Zum Aufbringen der Schutzschicht wird ein Verfahren eingesetzt, bei dem ein Ausgangsmaterial für die Schutz schicht in einen Spalt zwischen einem Substrat des Sensors und einer Druckplatte eingespritzt wird, siehe Verfahrensschritt (112). Auf diese Weise lassen sich stark schmutzabweisende Schutzschichten ohne Fototechnik und ohne Schleifprozesse strukturieren.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen eines integrierten Fmgerabdrucksen- sors sowie Sensorschaltungsanordnung und Einspritzanordnung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Fmgerabdruck-Sensorschaltungsanordnung mit dem ohne Beschrankung durch d e angegebene Reihenfolge ausgeführten Verfahrensschritten: - Bereitstellen eines Substrats,
Erzeugen eines Sensorzellenfeldes mit einer Vielzahl von Sensorzellen auf dem Substrat,
Erzeugen von Anschlüssen auf dem Substrat, und - Aufbringen einer Schutzschicht auf das Sensorzellenfeld und im Bereich der Anschlüsse.
Beispielsweise st aus der Europaischen Patentanmeldung EP 0 889 521 A2 ein Herstellungsverfahren für einen Fingerabdrucksensor bekannt, bei dem eine Schutzschicht auf das Sensorzel- lenfeld und auf Anschlussflachen aufgebracht wird. Die
Schicht hat eine Anzahl von Offnungen, in denen Bondflachen oder Lotkugeln mit Hilfe von elektro-chemischen Abscheidungen eingebracht werden. Die Schutzschicht besteht aus einem Nitrid und hat eine Dicke von beispielsweise 0,3 μm.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein einfaches Verfahren zur Herstellung eines Fingerabdrucksensors mit verbesserten Erf ssungseigenschaften anzugeben, insbesondere hinsichtlich der Vermeidung von Fehlerfassungen. Außerdem soll eine Sen- sorschaltungsanordnung angegeben werden.
Die auf das Verfahren bezogene Aufgabe wird durch e n Verfahren mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Verfahrensschritten gelost. Weiterbildungen sind in den ünteranspruchen ange- geben. Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass die bisher eingesetzten Schutzschichten eine Quelle von Fehlern sind, weil sie Schmutz, der bei der Betätigung des Sensors aufgebracht wird, nicht m ausreichendem Maße abweisen. Andererseits geht die Erfindung aber auch von der Überlegung aus, dass eine Schutzschicht, die stark schmutzabweisend ist, auch nur unter Schwierigkeiten mit Hilfe einer Fototechnik zu strukturieren ist. Ein Fotolack wird nämlich ebenso abgewiesen wie der Schmutz.
Deshalb werden beim erfmdungsgemaßen Verfahren zusätzlich zu den eingangs genannten Verfahrensschritten die folgenden Schritte ausgef hrt :
- Erzeugen von Anschlussvorsprungen, die ber das Sensor- zellenfeld hinausragen oder die weiter über das Substrat hinausragen als das Sensorzellenfeld, auf dem Substrat,
- Auflegen einer Druckflache, vorzugsweise unter Zwischenlegen einer Folie, auf die Anschlussvorsprunge und Bilden eines Spalts zwischen Druckflache und Substrat bzw. zwi- sehen Folie und Substrat,
Auffüllen des Spalts mit einem fließfahigen Material,
- Ausharten oder Anharten des Materials unter Bildung der Schutzschicht, insbesondere mittels UV-Licht (ultraviolett) . und - Entfernen der Druckflache nach dem Ausharten oder dem Anharten.
Aufgrund dieser Verfahrensfuhrung ist es ohne weiteres möglich, ohne Fototechnik und ohne ganzflachiges Schleifen Schutzschichten zu strukturieren, die extrem schmutzabweisend sind. Aufgrund der Strukturierung werden auch die Seiten der Anschlussflachen durch die Schutzschicht geschützt. Aufgrund der schmutzabweisenden Schutzschicht kommt es beim bestim- mungsgemaßen Gebrauch des Sensors auf dem Sensorzellenfeld nicht oder nur in einem sehr geringem Maße zu Ablagerungen, die das Erfassungsergebnis beeinträchtigen. Beispielsweise wird der Effekt vermieden, bei dem der Fingerabdruck einer Person erfasst wird, die den Fingerabdruck vor einer den Sensor danach benutzenden Person genutzt hat. Solche Effekte kommen insbesondere dann zustande, wenn die erste Person im Vergleich zur zweiten Person einen erheblich fettigeren Fm- ger hat.
Bei einer Weiterbildung des erfmdungsgemaßen Verfahrens w rd mittels einer elektromagnetischen Strahlung oder mittels einer Teilchenstrahlung ausgehartet. Die elektromagnetische Strahlung kann gleichmaßig im ganzen Volumen das fließfa- hige Material eingestrahlt werden und fuhrt zu einem gut kontrollierbaren Ausharten oder Anharten. Alternativ kann mittels Warmeleitung ausgehartet werden, beispielsweise durch Auflegen des Substrats auf eine Heizflache.
Bei einer nächsten Weiterbildung des erf dungsgemaßen Verfahrens wird die Schutzschicht aus Verbindungen des fließfa- higen Materials gebildet, die unter dem E fluss der elektromagnetischen Strahlung einer StoffUmsetzung unterliegen, d.h. es werden chemische Bindungen aufgespaltet und/oder neu gebildet . Durch das Anwenden eines zu füllenden Spaltes wird eine ganze Stoffklasse von Schutzschichten für Fingerabdruck- Sensoren einsetzbar, insbesondere von Materialien, die den sogenannten Lotus-Effekt aufweisen, der weiter unten noch naher erläutert wird. Bspw. auf der Grundlage von Materialien gemäß EP 0 587 667 Bl oder gemäß W098/51747.
Bei einer nächsten Weiterbildung des erf dungsgemaßen Verfahrens wird das mit der Schutzschicht bedeckte Substrat m eine Chipkarte eingebaut, wobei vorzugsweise Leitkleber verwendet wird. Eine thermische Belastung der Schutzschicht wird also vermieden. Eine solche thermische Belastung wurde beispielsweise bei einem Lotvorgang auftreten. Auch wird die Schutzschicht im Bereich der Anschlussvorsprunge durch das Kleben nicht geschadigt. So kann beispielsweise keine Feuchtigkeit im Bereich der Anschlussvorsprunge eindringen. Aufgrund des erfmdungsgemaßen Verfahrens liegt die Schutz- Schicht nämlich allseitig um die Anschlussvorsprunge herum und dichtet diese ab. Bei einem Lotvorgang, insbesondere auch beim Aufbringen von Lotkugelchen, wurde die Abdichtwirkung erheblich beeinträchtigt werden.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird vor dem Auflegen der Deckflache eine Folie auf die Anschlussvorsprunge aufgelegt. Die Folie ist beispielsweise eine Kunststofffolie aus Poly- ethylen (PE) oder aus Polyethylenterephthalaten (PET) . Die Folie wird nach dem Entfernen der Druckflache wieder abgezogen. Durch das Verwenden der Folie wird ein Anhaften der Schutzschicht an der Druckflache vermieden. Die Folie ist außerdem transparent für die zum Ausharten eingesetzte Strahlung.
Bei einer nächsten Weiterbildung des erfmdungsgemaßen Verfahrens wird die Schutzschicht nur angehartet. Die Deckflache und gegebenenfalls auch die Folie werden bei noch zähflüssiger Schutzschicht entfernt. Anschließend werden Mikroteilchen aufgebracht, insbesondere Mikroteilchen mit Erhebungen und Vertiefungen im Nano eterbereich. Erst danach wird die Schutzschicht vollständig ausgehartet. Zum Aufbringen der Mikroteilchen lassen sich beispielsweise die aus der Deutschen Of enlegungsschπft DE 101 18 352 AI bekannten Verfah- ren einsetzen. Auch lassen sich die dort erwähnten Mikroteilchen verwenden. Beim Aufbringen der Mikroteilchen sind hinsichtlich der Reinraumbedingungen gesonderte Schutzmaßnahmen zu ergreifen, insbesondere eine Aufbringung erst nach Ab- schluss aller Reinraumprozesse bezuglich der Sensoranordnung.
Bei einer anderen Weiterbildung hat die Folie an der dem Substrat zugewandten Seite eine im Mikrometerbereich strukturierte Oberflache, beispielsweise mit Strukturen bzw. Erhebungen mit Abmessungen kleiner als 100 μm oder 10 μm und großer als 5 μm oder 1 μm. Durch diese Maßnahme wird erreicht, dass e n Lotus-Effekt auch ohne zusatzliche Verfahrensschritte erreicht wird. Der Lotus-Effekt einer ganzen Mateπalklasse beruht darauf, dass sich Wassertropfen oder auch Oltropfen nur auf Vorsprungen absetzen, die im Mikrometerbereich liegen und somit schwer anhaften bzw. sich auch leicht wieder losen. Zusatzliche Strukturierungen im Nanome- terbereich verbessern die Wirkung des Effektes weiter, beispielsweise haben die zusätzlichen Strukturen Abmessungen kleiner als 100 nm (Nanometer) .
Bei einer Weiterbildung wird die Druckflache mit einem Druck großer als 40 bar oder großer als 60 bar an die Anschlussvorsprunge angedruckt, beispielsweise mit einem Druck von 80 bar. Die Schutzschicht wird mit einem Druck verdichtet, der großer als 5 bar oder großer als 7 bar ist, beispielsweise mit einem Druck von 10 bar.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird das Material zum Auffüllen durch mindestens eine Düse eingespritzt. Beispielsweise sind mehrere Düsen in Umfangsrichtung des Substrats angeordnet. Bei einer nächsten Weiterbildung ist das Material bereits vor dem Einbringen in die Düsen fließfahig. Dadurch lassen sich ganze Stoffklassen als Schutzschicht verwenden, die jedoch nicht als sogenannte Pellets, d.h. in fester Form hergestellt werden können. Insbesondere lassen sich eine Vielzahl von lichtempfindlichen Stoffen einbeziehen, die bei Lichtbestrahlung ausharten. Die Verwendung von lichtempfindlichen Substanzen bietet den Vorteil, dass keine Wärmebehandlung zum Ausharten erforderlich ist. Insbesondere lassen sich Verbindungen gemäß W098/51747 verwenden.
Bei einer anderen Weiterbildung ist das Substrat em Wafer, der beispielsweise einen Durchmesser von großer 150 mm oder großer 200 mm oder großer 300 mm hat. Der Wafer tragt eine Vielzahl von Sensorzellenfeldern. Erst nach dem Aufbringen der Schutzschicht werden die Sensoren vereinzelt.
Die Erfindung betrifft außerdem einen Fmgerabdrucksenso . Insbesondere enthalt der Sensor eine Schutzschicht, die an den Seiten der Anschlussvorsprunge allseitig angrenzt, wie es bei einer Herstellung mit Hilfe des erfmdungsgemaßen Verfahrens der Fall ist. Außerdem enthalt die Sensorschaltungsanordnung eine Schutzschicht mit Verbindungen, d e aus Aus- gangsverbmdungen beim Auftreffen einer elektromagnetischen Strahlung auf die Schutzschicht entstanden sind. Mit anderen Worten sind die Verbindungen durch Stoffumsetzung entstanden, beispielsweise durch Aufspaltung chemischer Verbindungen und/oder durch die Bildung von chemischen Bindungen.
Damit gelten für die Fingerabdruck-Sensorschaltungsanordnung die oben für das erfmdungsgemaße Verfahren bzw. für seine Weiterbildungen genannten technischen Wirkungen ebenfalls. Bei einer Weiterbildung sind die Anschlussvorsprunge frei von seitlichen Abstufungen, wie es beispielsweise bei Anschluss- vorsprungen der Fall ist, die aus homogenem Metall gebildet sind, beispielsweise aus geatztem Metall oder als galvanisch aufgebrachtem Metall .
Als Materialien für die Schutzschicht der Sensorschaltungsanordnung werden bei einer Weiterbildung perfluorierte Kohlenwasserstoffe eingesetzt, insbesondere Polytetrafluorethylen, das auch unter dem Namen Teflon bekannt ist . Bei einer nachs- ten Weiterbildung enthalt die Schutzschicht eine mikrostrukturierte Oberflache, die vorzugsweise im Nanometerbereich strukturiert ist. Jedoch lassen sich auch andere Schutzschichten einsetzen, z.B. die Schutzschichten (vgl. W098/51747), die vom Institut für neue Materialien gem. GmbH (INM) , Im Helmerswald 2, 66121 Saarbrücken, Bereich Anwenderzentrum NMO, oder einem anderen der zahlreichen Anbieter von schmutzabweisenden Materialien angeboten werden.
Bei einer nächsten Weiterbildung erfassen die Sensorzellen des Sensorzellenfeldes den Fingerabdruck kapazitiv. Beispielsweise enthalt das Sensorzellenfeld eine Matrix aus Kondensatoren bzw. aus Kondensatorplatten. Beispielsweise wird durch den Finger der Abstand zwischen Kondensatorplatten verringert. Andererseits lassen sich Teilbereiche des Fingers als Gegenelektrode nutzen. Insbesondere kapazitiv arbeitende Sensoren sind besonders empfindlich gegen Ablagerungen, die von einem zuvor erfassten Fingerabdruck stammen. Em Beispiel für em kapazitives Sensorzellenfeld ist beispielsweise in der Deutschen Of enlegungsschrift DE 100 10 888 AI angegeben. Dieses Sensorzellenfeld ist hochempfindlich, so dass bereits kleinste Ablagerungen zu Fehlerfassungen fuhren können.
Bei einer alternativen Weiterbildung erfassen die Sensorelemente des Sensorzellenfeldes den Fingerabdruck aufgrund von Licht, das vom Fingerabdruck kommt. Die Sensorzellen arbeiten beispielsweise nach dem CCD-Prinzip (Charged Coupled Device) . Auch bei der Erfassung mittels Lichtes sind Ablagerungen auf der Schutzschicht die Ursache für Fehler.
Die Erfindung betrifft außerdem eine Einspritzanordnung, die zum Durchfuhren des erfmdungsgemaßen Verfahrens oder einer seiner Weiterbildungen bzw. zum Herstellen der erf dungsgemaßen Sensoranordnung oder einer deren Weiterbildung geeignet ist . Damit gelten die oben genannten technischen Wirkungen auch für die Einspritzanordnung.
Im Folgenden werden Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Darm zeigen: Figur 1 eine Anordnung zum Aufbringen einer Schutzschicht auf eine Vielzahl von Fingerabdrucksensoren, Figur 2 Verfahrensschritte beim Betrieb der m Figur 1 dargestellten Anordnung, und
Figur 3 eine Draufsicht auf einen in eine Chipkarte eingebauten Fingerabdrucksensor .
Figur 1 zeigt eine Einspritzanordnung 10 zum Aufbringen einer Schutzschicht auf einen Wafer 12. Die Einspritzanordnung 10 enthalt von unten nach oben: eine ebene Grundplatte 14, den auf der Grundplatte 14 aufliegenden Wafer 12, auf dem sich eine Vielzahl von Anschlussvorsprungen 16 und ggf. auch ESD-Ableitungen (Electro Statical Charge) befinden, die etwa 500 μm über den Wafer 12 hinausragen, siehe Ab- stand A, eine insbesondere für UV-Strahlung transparente Kunststofffolie 18, die auf den Anschlussvorsprungen 16 aufliegt, eine ebene Druckplatte 20, die gegen die Kunststo ffolie 18 durch eine nicht dargestellte Pressvorrichtung ge- presst wird, e durch einen Pfeil dargestelltes Einspritzsystem 22, und - eine durch Pfeile symbolisierte UV-Lampe 24 (ultravio- lett) , die Licht im Wellenlangenbereich zwischen 3 nm (Nanometer) und 400 nm ausstrahlt.
Außerdem enthalt die m Figur 1 dargestellte Einspritzanordnung 10 eine nicht dargestellte seitliche Abdichtung, die verhindert, dass die Ausgangsmasse 26 zur Seite hm entweicht .
Die Druckplatte 20 und die Kunststofffolie 18 sind für ultraviolettes Licht der UV-Lampe 24 durchlassig, so dass das Licht m den Spalt zwischen der Kunststofffolie 18 und dem Wafer 12 dringt. Mit Hilfe des Einspritzsystems 22 wird m den Spalt eine fließfahige Ausgangsmasse 26 gespritzt, die aufgrund des UV-Lichtes sehr schnell aushärtet, beispielsweise innerhalb von 10 Sekunden oder weniger als 10 Sekunden. Die ausgehartete Ausgangsmasse bildet eine Schutzschicht, die stark schmutzabweisend ist, aber dennoch auf dem Substrat 12 gut anha tet .
Figur 2 zeigt Verfahrensschritte bei der Herstellung eines Figur 3 weiter unten naher erläuterten Fingerabdrucksensors und insbesondere beim Betrieb der m Figur 1 dargestellten Einspritzanordnung. Das Verfahren beginnt m einem Verfah- rensschπtt 100. In einem Verfahrensschritt 102 werden nach der Herstellung einer Vielzahl von Sensorzellenfeldern auf dem Wafer 12 Anschlusspads erzeugt, die beispielsweise etwa 400 μm über die Oberflache der Zellenfelder hinausragen. Die Anschlusspads wurden beispielsweise mit Hilfe einer elektrochemischen, d. h. galvanischen, Abscheidung aufgewachsen oder auf andere Art erzeugt. Nach dem Verfahrensschritt 102 kann gleich em Verfahrensschritt 106 ausgeführt werden. Im Verfahrensschritt 106 wird der Wafer 12 auf die Grundplat- te 14 aufgelegt. In einem folgenden Verfahrensschritt 108 wird die Kunststofffolie 18 auf die Anschlusspads aufgelegt oder auflaminiert .
Anschließend wird n einem Verfahrensschritt 110 die Druck- platte 20 von oben her gegen die Kunststofffolie 18 gedruckt. Der Druck betragt beispielsweise 80 bar. Der Druck ist so stark, dass die Kunststofffolie 18 alle Durchkontaktierungen bzw. Anschlussvorsprunge 16 von oben her abschließt und seitlich abdichtet und leicht eingedruckt wird, z.B. um einige Mikrometer.
In einem Verfahrensschritt 112 wird die Ausgangsmasse 26 mit Hilfe des Einspritzsystems 22 in den Spalt eingespritzt. In einem fakultativen Verfahrensschritt 114 wird anschließend die Ausgangsmasse 26 durch eine Erhöhung des Einspritzdrucks verdichtet, z.B. unter einem Druck von 10 bar. Bei einem alternativen Verfahren wird die Ausgangsmasse 26 unter Vakuum eingespritzt, um e vollständiges Auffüllen des Spaltes sicher zu stellen.
In einem Verfahrensschritt 116 wird die UV-Lampe 24 eingeschaltet, so dass die Ausgangsmasse 26 bestrahlt wird. Die UV-Strahlung lost chemische Reaktionen aus, die zum schnellen Ausharten der Ausgangsmasse 26 und zur Bildung einer schmutz- abweisenden Schutzschicht fuhren. Beispielsweise härtet die Ausgangsmasse m weniger als 10 Sekunden aus. In einem Verfahrensschritt 118 wird die Druckplatte 20 entfernt und die Kunststofffolie 18 wird von der aus der Ausgangsmasse 26 entstandenen Schutzmasse abgezogen. Damit ist ein erstes Ausfuhrungsbeispiel des Verfahrens beendet, siehe Verfahrensschritt 122.
Bei einer alternativen Verfahrensfuhrung wird nach dem Verf hrensschritt 118 noch e Verfahrensschritt 120 ausgeführt. Im Verfahrensschritt 120 werden nach dem Abziehen der Kunst- stofffolie 18 Partikel auf die Oberflache der Schutzschicht aufgebracht. Die Partikel erhohen die schmutzabweisende Wirkung. Erst danach wird das Verfahren im Verfahrensschritt 122 beendet . Bei einer weiteren alternativen Verfahrensfuhrung wird im
Verfahrensschritt 116 die Ausgangsmasse nur vorgehartet. Dann folgt im Verfahrensschritt 118 das Abziehen der Kunststofffolie 18. In die noch weiche Ausgangsmasse werden m einem Verfahrensschritt 120 dann die Partikel eingebracht. Danach erfolgt die vollständige Aushärtung durch nochmaliges Einschalten der UV-Lampe 24.
Nach der Durchfuhrung des an Hand der Figuren 1 und 2 erläuterten Verfahrens werden die einzelnen Fingerabdrucksensoren des Wafers 12 vereinzelt und in Chipkarten eingebaut.
Figur 3 zeigt eine Draufsicht auf einen Fingerabdrucksensor 150, der in eine Chipkarte 152 eingebaut worden ist, die eine Dicke kleiner als 3 mm hat. D e Chipkarte 152 besteht bei- spielsweise aus Kunststoff und hat eine zentrale Aussparung
154, die das Auflegen einer Fingerkuppe auf e Sensorzellenfeld 156 des Fingerabdrucksensors 150 ermöglicht. Das Sensorzellenfeld enthalt beispielsweise 40.000 Zellen (vierzigtausend) , die durch einen Spaltendecoder 158 sowie durch einen nicht dargestellten Zeilendecoder angesteuert werden. Außerdem tragt der Fingerabdrucksensor 150 Anschlusselemente 160 bis 174, die links und rechts des Sensorzellenfeldes 156 angeordnet sind. Beispielsweise tragt der Fmgerabdrucksen- sosr 150 sechszehn Anschlusselemente. Die Anschlusselemente 160 bis 174 wurden mit Hilfe von Leitklebern mit nicht dargestellten Leitbahnen innerhalb der Chipkarte 152 verklebt. Die Leitbahnen fuhren beispielsweise zu einem in der Chipkarte enthaltenen Prozessor oder zu Anschlussflachen für einen Lesekopf zum Lesen der Chipkarte 152. Auf dem Fingerabdrucksensor 150 befinden sich ebenfalls Leitbahnen 180, 182, beispielsweise zum Anschluss des Spaltendecoders 158. Der Sensor wird bei anderen Ausfuhrungsbeispielen m em Gehäuse eines Mobilfunkgerates oder in die Armatur eines Kraftfahrzeuges oder in em anderes Gerat eingebaut .
Bei einem alternativen Ausfuhrungsbeispiel wird eine schmutz- abweisende Schutzschicht aufgebracht, die mit Hilfe einer beheizten Grundplatte 14 ausgehartet wird. Die UV-Lampe 24 ist m diesem Fall nicht oder zusätzlich in der Einspritzanordnung 10 vorgesehen. Auch ist ein gleichzeitiges Ausharten unter Strahlung und Warmeleitung möglich.
Bei einem nächsten Ausfuhrungsbeispiel wird das Verfahren nicht auf einem Wafer bezogen sondern für einzelne Sensorzellenfelder durchgeführt. Auch lassen sich andere Wellenlangen zur Bestrahlung einsetzen, z.B. sichtbares Licht, Infrarot- licht oder Wärmestrahlung.
Durch die Anwendung der erläuterten Verfahren lassen sich stark schmutzabweisende Schutzschichten ohne Fototechnik und ohne Schleifprozesse strukturieren.
Bei einem anderen Ausfuhrungsbeispiel wird die Schutzschicht gemäß W098/51747 hergestellt durch die Schritte: a) Bereitstellung einer fließfahigen Masse, die nanoskalige anorganische Feststoffteilchen mit polymerisierbaren und/oder polykondensierbaren organischen Oberflachengruppen enthalt, b) Einbringen der Masse von Stufe a) in den Spalt (A) , c) Polymerisation und/oder Polykondensation der Oberflachengruppen der Feststoffteilchen unter Bildung einer geharteten Schicht.
Dabei sind "nanoskalige anorganische Feststof teilchen" insbesondere solche Teilchen mit einer mittleren Teilchengroße bzw. einem mittleren Teilchendurchmesser von nicht mehr als 200 nm, vorzugsweise nicht mehr als 100 nm, und insbesondere nicht mehr als 70 nm. Ein besonders bevorzugter Teilchengro- ßenbereich liegt bei 5 bis 50 nm.
Die nanoskaligen anorganischen Feststoffteilchen können aus beliebigem Material bestehen, bspw. aus Metallen oder aus Metallverbindungen. Insbesondere werden Teilchen aus SiO?, Zro , ZnO, TazOa, Sn02 und Al.,03 ( allen Modifikationen, insbesondere als Bohmit) sowie Mischungen aus diesen Teilchen verwendet .
Insbesondere wird em Sol gemäß WO 98/51747 verwendet, das wie folgt hergestellt wird: 86,861 g Tι02-Sol (3,5 Gew.-% TiO^ m Isopropanol; Teilchengroße: 5 nm) werden mit 1,989 g Phosphorsauretnbutylester versetzt und 1 Stunde gerührt. Das Sol wird anschließend bei 100°C tropfenweise mit einer Losung von 1,2 g destilliertem γ-Glycidyloxypropyltπmethoxysilan (GPTS) m 100 g 2-Isoprop- oxyethanol versetzt. Nach 1-stundιgem Ruhren wird der Ansatz auf Raumtemperatur abgekühlt und es werden 0,8775 g hydroly- siertes GPTS zugegeben, das durch Versetzen von 23, 63 g destilliertem GPTS mit 2,70 g 0,1 N HCL und 24-stundιgem Ruhren sowie anschließendem Abdestillieren von niedermolekularen Reaktionsprodukten bei bspw. 3mbar hergestellt wird. Nach 15- minuntigem Ruhren wird der Ansatz unter Vakuum , z.B. bei 3 mbar, destilliert und anschließend mit 120 g 2-Isopropoxy- ethanol verdünnt. So wird ein transparentes, agglomeratfreies Sol erhalten.
Das Sol wird mit 0,08g Cyracure ® UVI-6974 (Ciba-Geigy) und 0,02 g 1-Methylιmιdazol versetzt. Nach intensivem R hren wird d e Mischung filtriert und ist dann als Beschichtungslack einsetzbar. Der Wafer mit den Fingerprintsensoren wird vor der Beschichtung mit 2-Proρanol gereinigt und an der Luft getrocknet .
Der Beschichtungslack wird ggf. nach vorherigem Andicken den Spalt A eingespritzt. Für die Aushärtung der Schicht werden zwei Quecksilberdampflampen mit einer Leistung von jeweils 400 mW/m2 eingesetzt. Zusätzlich lasst sich auch eine IR-Lampe zur Erwärmung z.B. auf 120 °C einsetzen. Nach dem
Ausharten wird bspw. 15-mmutιge thermische Nachbehandlung in einem Umlufttrockenschrank ausgef hrt, wobei die Druckplatte und die Deckplatte bspw. vorher entfernt werden. Die Oberflachengruppen sind bspw. ausgewählt aus organischen Resten, die ber eine (Meth) acry-, Vinyl-, Allyl oder Epo- xygruppe verfugen. Die Stufe a) eingesetzten Feststoff- teilchen sind insbesondere durch Oberflachenmodifizierung von nanoskaligen Feststoffteilchen mit den entsprechenden Ober- flachengruppen bzw. unter Verwendung mindestens einer Verbindung mit entsprechenden polymerisierbaren/polykondensierbaren Gruppen hergestellt worden. Insbesondere wird zur Herstellung der Feststoffteilchen das sogenannte Sol-Gel-Verfahren eingesetzt .
Vorzugsweise weisen die Feststoffteilchen von Stufe a) zusätzlich fluorierte Oberflachengruppen auf, insbesondere solche der Formel Rf-CH2~CH^- worin Rf einen Perfluoralkylrest mit 2 bis 12 Kohlenstof atomen darstellt. Stufe c) wird vor- zugsweise Anwesenheit von nicht an die Feststoffteilchen gebundenen polymerisierbaren und/oder polykondensierbaren monomeren oder oligomeren Spezies durchgeführt .

Claims

Patentanspr che
1. Verfahren zum Herstellen einer integrierten Fingerabdruck- SensorSchaltungsanordnung, mit den ohne Beschrankung durch die angegebene Reihenfolge ausgeführten Verfahrensschritten : Bereitstellen eines Substrats (12),
Erzeugen eines Sensorzellenfeldes (156) mit einer Vielzahl von Sensorzellen auf dem Substrat (12), Erzeugen von Anschlussvorsprungen (16, 160) , die weiter über das Substrat (12) hinausragen als das Sensorzellenfeld (156), auf dem Substrat (12) ,
Andrucken (110) einer Druckflache (20) auf die Anschlussvorsprunge (16, 160) und Bilden eines Spaltes (A) zwischen Druckflache (20) und Substrat (12),
Einbringen eines fließfahigen Material (26) n den Spalt (A) , Ausharten (116) oder Anharten des Materials (26) unter Bildung einer Schutzschicht, und Entfernen (118) der Druckflache (20) nach dem Ausharten oder Anharten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennz e i chn et , dass mittels elektromagnetischer Strahlung oder mittels einer Teilchenstrahlung oder mittels einer War- meubertragung über Warmeleitung ausgehartet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gek ennz e ichnet , dass die Schutzschicht aus Verbindungen des fließfahigen Materials (26) gebildet wird, die unter dem Emfluss der elektromagnetischen Strahlung Stoffumsetzungen unterliegen.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekenn z e ichnet du rch die Schritte: Einbau des mit der Schutzschicht bedeckten Substrats in eine Chipkarte (152) oder in em Gerategehause oder m eine Kraftfahrzeugarmatur, insbesondere unter Verwendung von Leitkleber zum Herstellen der elektrisch leitfahigen Verbindung zwischen den Anschlussvorsprungen (16, 160) und einer Metalllage der Chipkarte (152) oder des Gerätes oder der Kraftfahrzeugarmatur, . und dass zwischen den Anschlussvorsprungen (16, 160) und der Metalllage keine Lotkugelchen angeordnet sind.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekenn z e i chne t durch die Schritte .- Auflegen (108) einer Folie (18) vor dem Andrucken (110) der Druckflache (20),
Auffüllen (112) des Spaltes (A) zwischen Folie (18) und Substrat (12), Abziehen (118) der Folie (18) nach dem Entfernen (118) der Druckflache (20) .
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekenn z e i chnet dur ch die Schritte:
Anharten (116) der Schutzschicht, Entfernen (118) der Druckflache (20) bei noch zähflüssiger Schutzschicht,
Mikrostrukturierung der Schutzschicht und/oder Aufbringen von Mikroteilchen (120), insbesondere mit Erhebungen und Vertiefungen im Nanometerbereich, vollständiges Ausharten der Schutzschicht nach dem Aufbringen der Mikroteilchen.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn z ei chnet , dass die Folie (18) an der dem Substrat (12) zugewandten Seite eine im Mikrometerbereich strukturierte Oberflache hat, und/oder Andrucken (110) der Druckflache (20) mit einem Druck großer als 40 bar oder großer als 60 bar, und/oder Verdichten (114) der Schutzschicht mit einem Druck großer als 5 bar oder großer als 7 bar.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Anspr che, dadurch gekennz e i chnet , dass das Material zum Auffüllen des Spaltes durch mindestens eine Düse (22) eingespritzt wird, und/oder dass das fließfahige Material (26) bereits vor dem Einbringen in die Düse fließfahig ist, und/oder dass das Substrat (12) ein Wafer ist, der eine Vielzahl von Sensorzellenfeldern (156) tragt, und/oder dass die Schutzschicht nanoskalige anorganische Feststoffteilchen enthalt und insbesondere unter Durchfuhrung der folgenden Sehritte hergestellt worden ist . a) Bereitstellung einer fließfahigen Masse, die nanoskalige anorganische Feststof teilchen mit polymerisierbaren und/oder polykondensierbaren organischen Oberflachengruppen enthalt, b) Einbringen der Masse von Stufe a) in den Spalt (A) , c) Polymerisation und/oder Polykondensation der Oberflachengruppen der Feststoffteilchen unter Bildung einer geharteten Schicht .
9. Integrierte Fingerabdruck-Sensorschaltungsanordnung (150), insbesondere nach einem Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellte Sensorschaltungsanordnung (150), mit einem Substrat (12) , mit einem am Substrat (12) ausgebildeten Sensorzellenfeld (156) , das eine Vielzahl von Sensorzellen enthalt, mit Anschlussvorsprungen (160) bis (174), die mit den Sensorzellen des Sensorzellenfeldes (156) elektrisch leitfahig verbunden sind und sich weiter weg vom Substrat (12) erstre- cken als die Sensorzellen des Sensorzellenfeldes (156) , und mit einer Schutzschicht (26) , die das Sensorzellen eld (156) bedeckt und die Anschlussvorsprunge seitlich umschließt, wobei die Schutzschicht (26) an die Seiten der Anschlussvor- Sprunge allseitig angrenzt, und wobei die Schutzschicht (26) Verbindungen enthalt, die durch chemische Stoff msetzung aus Ausgangsverbindungen beim Auftreffen einer elektromagnetischen Strahlung auf die Schutzschicht entstanden sind.
10. Sensorschaltungsanordnung (150) nach Anspruch 9, d a - durch gekennz ei chnet , dass die Schutzschicht wasserabweisend und olabweisend ist, und/oder dass nach dem einmaligen oder mehrmaligen bestim- ungsgemaßen Gebrauch des Sensors keine Ruckstande auf der Schutzschicht verbleiben, insbesondere keine eiweißhaltigen Substanzen und/oder keine fetthaltigen Substanzen und/oder keine wasserhaltigen Substanzen und/oder keine für das bloße Auge sichtbaren Ruckstande, und/oder dass die Schutzschicht eine Lotus-Schutzschicht ist, die den aus der Natur bekannten Lotuseffekt besitzt, insbe- sondere eine selbstremigende Schicht.
11. Sensorschaltungsanordnung (150) nach Anspruch 9 oder 10, dadu rch gekennz e i chnet , dass die Anschlussvorsprunge (160 bis 174) frei von seitlichen Abstufungen sind, oder dass die Anschlussvorsprunge (160 bis 174) auf vorstehenden Anschlussflachen aufgebrachte Lotkugeln enthalten, und/oder dass die Anschlussflachen (160 bis 174) mit der Oberflache der Schutzschicht (26) abschließen.
12. Sensorschaltungsanordnung (150) nach einem der Anspr che 9 bis 11, dadurch ge kenn z ei chn et , dass die Schutzschicht (26) perfluorierte Kohlenwasserstoffe enthalt oder aus perfluorierten Kohlenwasserstoffen besteht, insbe- sondere aus Polytetrafluorethylen, oder dass die Schutzschicht nanoskalige anorganische Feststoffteilchen enthalt und insbesondere unter Durchf hrung der folgenden Schritte hergestellt worden ist: a) Bereitstellung einer fließfahigen Masse, die nanoskalige anorganische Feststoffteilchen mit polymerisierbaren und/oder polykondensierbaren organischen Oberflachengruppen enthalt, b) Einbringen der Masse von Stufe a) in eine Form, c) Polymerisation und/oder Polykondensation der Oberflachengruppen der Feststoffteilchen unter Bildung einer geharteten Schicht, und/oder dass die Schutzschicht mit einer mikrostrukturierten Oberflache versehen ist, insbesondere mit einer mikrostrukturierten Oberflache, die ihrerseits im Nanometerbereich strukturiert ist.
13. Sensorschaltungsanordnung (150) nach einem der vorherge- henden Ansprüche, dadurch gekenn z e i chnet , dass die Sensorzellen des Sensorzellenfeldes (156) den Fingerabdruck kapazitiv erfassen, oder dass die Sensorelemente des Sensorzellenfeldes (156) den Fingerabdruck aufgrund vom Fingerabdruck kommenden Lichtes erfassen.
14. Einspritzanordnung (10), insbesondere zum Durchfuhren eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 8 oder zum Herstellen einer Sensorschaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, mit einer Grundplatte (14), mit einer Druckplatte (20), mit einer Pressvorrichtung zum aneinander Pressen von Grundplatte (14) und Druckplatte (20), und mit einem Einspritzsystem 22 zum Füllen eines Spaltes zwischen Druckplatte (20) und einem auf der Grundplatte (14) aufliegenden Substrat (12), wobei eine Bestrahlvorrichtung (24) vorhanden ist, die elektromagnetische Strahlung oder eine Teilchenstrahlung erzeugt, und wobei die Druckplatte (20) und/oder die Grundplatte (14) für die von der Bestrahlvorrichtung erzeugte Strahlung durchlassig ist.
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