WO2004100249A1 - 気化器及び半導体処理装置 - Google Patents

気化器及び半導体処理装置 Download PDF

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WO2004100249A1
WO2004100249A1 PCT/JP2004/006609 JP2004006609W WO2004100249A1 WO 2004100249 A1 WO2004100249 A1 WO 2004100249A1 JP 2004006609 W JP2004006609 W JP 2004006609W WO 2004100249 A1 WO2004100249 A1 WO 2004100249A1
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WO
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filter member
raw material
vaporizer
shielding plate
heat transfer
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PCT/JP2004/006609
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English (en)
French (fr)
Inventor
Hachishiro Iizuka
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
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Publication date
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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4486Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Definitions

  • the present invention relates to a vaporizer for generating a gaseous raw material by vaporizing a liquid raw material and a semiconductor processing apparatus using the same.
  • the semiconductor treatment means a semiconductor layer and an insulating layer on a substrate to be processed such as a wafer, a glass substrate for a liquid crystal display (LCD), or a flat panel display (FPD).
  • a conductive layer and the like By forming a conductive layer and the like in a predetermined pattern, it is possible to manufacture a structure including a semiconductor device, a wiring connected to the semiconductor device, an electrode, and the like on the substrate to be processed. Means the various processes performed. Background art
  • a CVD (chemical vapor deposition) method is known as a thin film forming technique for semiconductor devices.
  • a dielectric thin film having a high dielectric constant and a low leakage current in order to achieve high integration of a device. Therefore, when such a dielectric thin film is formed, a film forming technique using an organic metal material as a raw material is used.
  • a raw material that is an organometallic material a material that is originally liquid or a material that is liquefied with an appropriate solvent is usually used.
  • This raw material is atomized and vaporized in a vaporizer (raw material vaporizer) and supplied to a reaction chamber as a film forming apparatus.
  • a vaporizer raw material vaporizer
  • it is necessary to vaporize sufficiently at a temperature at which the organometallic material is not decomposed.
  • residual mist that has not been vaporized is generated, or decomposition products of the organometallic material are generated as particles. Therefore, there is a problem that these mist particles degrade the quality of a thin film formed in the reaction chamber.
  • a configuration has been known in which a filter is installed at the outlet of the vaporizer to remove mist particles (for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. H07-94426 and H08-1996). No. 1,816,103, US Pat. No. 6,210,485).
  • a vaporizing plate is provided perpendicular to the flow path of the vaporized material or at an angle so as to obstruct the flow path, and a heater is installed inside the vaporizing plate to promote vaporization. It is known (see, for example, JP-A-6-31044).
  • a vaporizer in which a vaporizing surface is provided on an inner surface portion of the vaporizing chamber facing the spraying direction of the raw material so that the temperature can be controlled independently of the inner surface of another vaporizing chamber (for example, See Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-111506, especially the structure of FIG. 7 and FIG. 8.
  • the temperature of the vaporized surface is set to be higher than the other inner surface temperatures.
  • This vaporizer can reduce such unvaporized residues S and can increase the amount of vaporized.
  • the temperature of an inner surface portion opposed to the spray direction of the raw material is controlled independently. This increases the vaporization efficiency of the raw materials in the vaporization chamber.
  • the mist that does not contact the vaporized surface has little effect. For this reason, there is a problem that it is not possible to suppress the discharge of the non-vaporized residue / particles directly to the gas outlet, which is the outlet of the vaporizing chamber, without passing through the vaporizing surface.
  • An object of the present invention is to provide a vaporizer that can reduce mist and particles in a gaseous raw material.
  • a filter member is disposed in a passage (a second vaporization section) of a gaseous material generated and vaporized in a first vaporization section such as a vaporizer, and the filter member is substantially disposed in a first vaporization section.
  • the captured residual mist is re-vaporized by the heated filter member, clogging of the filter member is reduced. For this reason, the vaporization efficiency of the vaporizer (2) is maintained for a long time, and an increase in the internal pressure of the vaporizer is suppressed. Therefore, the frequency of maintenance is reduced, and the operation rate of the device can be improved.
  • a heating means is provided outside the filter member and the filter member is heated from the outside, and a heating means is provided inside the filter member. It is considered that heating is performed from the inside of the filter.
  • the filter member is heated by radiant heat or conduction heat, but since the heating means cannot be arranged in the flow path of the gaseous raw material, the filter member is heated uniformly. Configuration is required. If the temperature of the filter member is not uniform, the heating temperature of the captured residual mist varies, which may cause local clogging of the filter member.
  • the center of the filter contacts the gas mist. This cools and lowers the temperature. This Therefore, the mist cannot be vaporized, which causes clogging.
  • a first aspect of the present invention is a supply structure of a vaporized raw material, comprising a first vaporizing section for vaporizing the raw material, and a first vaporizing section provided in a passage of the vaporized raw material vaporized in the first vaporizing section.
  • a second vaporizing section wherein the second vaporizing section is in thermal contact with a portion of the filter member having a gas permeability disposed in the passage, and a portion other than an outer edge portion of the filter member.
  • a heat transfer section for transmitting heat generated by the heating means.
  • the residual mist in the gaseous raw material can be vaporized again by the second vaporizing section.
  • the mist in the inside can be reduced.
  • the heat generated by the heating means is transmitted to the portion other than the outer edge of the filter member by the heat transfer portion, the temperature of the filter member can be made uniform, and as a result, Thus, the mist can be vaporized more uniformly in the filter member or in a wider area.
  • local concentration of the raw material hardly occurs, clogging of the filter member can be reduced.
  • the filter member since the mist particles generated in the first vaporizing section can be captured by the filter member, high-quality processing using a gaseous raw material can be performed.
  • the filter member include those having a porous structure, a plate-like structure having a large number of pores, a structure in which a fibrous substance is compressed, and a mesh structure. Can be mentioned.
  • the heat transfer section includes a protrusion provided on the heating means or a member including the heating means, the protrusion protruding toward the filter member, and a member including the heating means or the heating means. It may be either a separate member interposed between the filter member and the filter member, or a projection provided to the heating member or a member including the heating unit and protruding toward the heating member.
  • fixing means such as a heating means or a member having a built-in heating means, a heat transfer portion, and fixing screws for fixing at least two of the filter members to each other are provided. Is desirable.
  • the temperature controllability of the filter member is improved. I can do it.
  • a temperature detection point of a temperature sensor is arranged inside the heat transfer section or the filter member, and the heating means can be controlled by a temperature control circuit or the like based on the output of the temperature sensor.
  • a heating means different from the chamber may be provided in the heat transfer section or the filter member. In this case, it is preferable that the temperature of the heat transfer section or the filter member by the heating means is controlled so as to be the same as that of the chamber.
  • a second aspect of the present invention is a supply structure of a vaporized raw material, which includes a first vaporization section for vaporizing the raw material, and a second vapor passage provided in a passage of the vaporized raw material vaporized in the first vaporization section.
  • a second vaporizer wherein the second vaporizer includes a gas-permeable filter member disposed in the passage, and heating means disposed inside the filter member.
  • the filter member can be efficiently heated and the variation in the surface temperature thereof can be reduced. Can be done. For this reason, the mist and solids can be trapped by the filter member, and the attached residual mist can be uniformly vaporized. As a result, it is possible to prevent the residual mist from locally accumulating on the filter member to cause clogging and to prevent generation of particles.
  • the first vaporizer can be configured, for example, as a conventionally known vaporizer.
  • the vaporizer include a vaporizer having a heated inner surface, and a means for spraying raw materials into the vaporizer.
  • the second vaporizer is connected to the downstream side of the vaporizer. It can be configured with a line filter or the like.
  • both the first vaporizer and the second vaporizer may be provided in a single vaporizer.
  • a reaction processing apparatus semiconductor processing apparatus
  • a reaction processing apparatus comprising: a supply structure for a vaporized raw material according to any of the above; and a reaction chamber for reacting a gas raw material supplied by the supply structure.
  • This reaction processing apparatus performs various processes by reacting a gaseous raw material in a reaction chamber using energy of a heat source or the like, for example, a semiconductor vapor deposition apparatus, a liquid crystal vapor deposition apparatus.
  • CVD apparatus vapor deposition apparatus
  • a vaporization chamber for vaporizing a raw material
  • a spraying unit for atomizing the raw material into the vaporization chamber
  • opening the vaporization chamber to send a gaseous raw material to a raw material supply line.
  • a vaporizer having a delivery section for heating, and a heating member that is in thermal contact with a portion other than the outer edge of the filter member, which is installed in the delivery section, and has a gas permeability. And a heat transfer section that transmits the heat generated.
  • the residual mist is re-evaporated or the solids are trapped in the delivery section of the vaporizer. For this reason, The amount of mist and solids in the supplied gaseous raw material can be reduced.
  • the heat of the heating means is transmitted to a portion other than the outer edge portion of the filter member by the heat transfer portion, variation in the temperature of the filter member is reduced. For this reason, a more uniform re-evaporation action can be obtained, and local deposition (clogging) of the original substance on the filter member can be reduced.
  • mist particles generated in the vaporization chamber can be captured, high-quality processing using a gaseous raw material can be performed.
  • the temperature controllability of the filter member can be improved.
  • a temperature detection point of a temperature sensor is arranged inside the heat transfer section or the filter member, and the heating means can be controlled by a temperature control circuit or the like based on the output of the temperature sensor. You. Further, a heating means may be provided on the heat transfer section or the filter member separately from the champer. In this case, it is preferable that the temperature of the heat transfer section or the filter member by the heating means be controlled to the same temperature as the chamber.
  • the section of the filter member where the plurality of heat transfer sections are in thermal contact is perpendicular to the cross section of the delivery section (the direction from the vaporization chamber to the delivery section). That plane) have to desirable and this is substantially uniformly distributed on 0
  • a vaporization chamber for vaporizing a raw material, a spraying unit for spraying the raw material into the vaporization chamber, and an opening in the vaporization chamber for discharging a gaseous raw material to a raw material supply line.
  • a vaporizer having a discharge section and a filter section, comprising: a gas-permeable filter member provided at the discharge section; and a heating means disposed inside the filter member.
  • a shielding plate is disposed between the inside of the vaporization chamber and the filter member.
  • the shielding plate By disposing the shielding plate, the mist that has entered the delivery section from the vaporization chamber is less likely to directly contact the filter member. For this reason, the amount of residual mist that directly passes through the sending section without being vaporized in the vaporization chamber can be reduced. As a result, it is possible to avoid a situation in which mist adheres to the filter member and accumulates without being vaporized, or a situation in which a large amount of heat is removed from the filter member and the temperature is locally lowered.
  • the filter member be detachably detached by removing only the sending portion, thereby being configured to be detachable. According to this, without disassembling other components of the vaporizer, for example, the spraying means and the entire vaporization chamber, the delivery section is removed, or the filter member is removed simply by disassembling. Can be attached. Therefore, maintenance work such as cleaning and replacement of the filter member can be easily performed.
  • a sixth aspect of the present invention is a vaporization chamber for vaporizing a raw material, A position facing the vaporization chamber in a vaporizer having: a fog means for spraying a raw material into the vaporization chamber; and a delivery unit opened to the vaporization chamber and configured to deliver a gaseous raw material to a raw material supply line.
  • a shielding plate arranged to cover the sending portion while securing a flow opening portion, and a heat transfer portion that is in thermal contact with the shielding plate and transmits heat generated by the heating means.
  • the sixth viewpoint by disposing a shielding plate so as to cover the sending section at a position facing the vaporization chamber, residual mist particles that are not vaporized in the vaporization chamber directly reach the sending section. This can be prevented. Therefore, residual mist particles reaching the raw material supply line can be reduced.
  • the heat of the heating means is transmitted to the shielding plate via the heat transfer section, the heated shielding plate itself can also perform the vaporizing action. For this reason, the vaporization efficiency can be improved by vaporizing the residual mist by the shielding plate.
  • the gaseous material vaporized by the vaporization chamber or the shielding plate is introduced into the internal space of the delivery part through the above-mentioned flow opening, and is eventually delivered to the material supply line.
  • the heat transfer portion that makes thermal contact with a portion other than the outer edge of the shielding plate.
  • the temperature uniformity of the shielding plate can be improved.
  • a vaporization chamber for vaporizing a raw material
  • a spraying unit for spraying the raw material into the vaporization chamber
  • an opening for opening the vaporization chamber for discharging a gaseous raw material to a raw material supply line.
  • the vaporizer comprises: a shielding plate arranged so as to cover the delivery portion while securing a flow opening at a position facing the vaporization chamber; and a heating means arranged inside the shielding plate.
  • the seventh viewpoint by disposing a shielding plate so as to cover the sending section at a position facing the vaporizing chamber, residual mist particles not vaporized in the vaporizing chamber directly reach the sending section. This can be prevented. Therefore, residual mist particles reaching the raw material supply line can be reduced. Further, since the heating means is disposed inside the shielding plate, the heated shielding plate itself can also perform the vaporizing action. For this reason, the vaporization efficiency can be improved by vaporizing the residual mist by the shielding plate.
  • the gaseous material vaporized by the vaporization chamber and the shielding plate is introduced into the internal space of the delivery part through the above-mentioned flow opening, and is eventually delivered to the material supply line.
  • a vaporizing chamber having a vaporizing surface for vaporizing a raw material, spraying means for spraying the raw material into the vaporizing chamber, and heating means for heating the vaporizing surface of the vaporizing chamber.
  • a vaporizer that opens into the vaporization chamber and has a delivery section for delivering a gaseous raw material to a raw material supply line, wherein the vaporizer faces the vaporization chamber separately from the vaporization surface, and is connected to the vaporization chamber to the delivery section.
  • a shielding plate is arranged to cover the sending portion while securing a flow opening, and the shielding plate is heated by the heating means or a heating means different from the heating means.
  • the set temperature of the shielding plate is the same as the set temperature of the vaporized surface.
  • the heating temperature of the shielding plate is the same as that of the vaporized surface.
  • the mist can be vaporized in the shielding plate by being set at each time. For this reason, the vaporization efficiency can be improved while preventing the residual mist / solids from flowing into the delivery section by the shielding plate.
  • a plurality of heat conducting columns that are in thermal contact with the inner surface of the sending unit and the shielding plate are dispersedly arranged in the sending unit.
  • a plurality of heat conducting columns that are in thermal contact with the inner surface and the shielding plate are distributed and arranged at the sending section, so that residual mist that has passed through the flow opening and entered the sending section is captured. And it can be vaporized. Therefore, it is possible to further improve the vaporization efficiency and reduce the number of particles.
  • the shielding plate is configured so as not to pass through the sending portion in a straight line from the vaporizing chamber through the flow opening.
  • the shielding plate is configured so as not to pass through the sending portion in a straight line from the vaporizing chamber through the flow opening.
  • a vaporization chamber for vaporizing a raw material
  • a spraying unit for spraying the raw material into the vaporization chamber
  • an opening to the vaporization chamber for discharging a gaseous raw material to a raw material supply line.
  • a filter member installed in the discharge unit, and disposed so as to cover the filter member while securing a flow opening at a position facing the vaporization chamber.
  • a heated shielding plate is provided.
  • a filter member is installed in the delivery section, and a shielding plate is provided so as to cover the filter member at a position facing the vaporization chamber.
  • a vaporizing chamber having a vaporizing surface for vaporizing a raw material, a fogging means for spraying the raw material into the vaporizing chamber, and a heating means for heating the vaporizing surface of the vaporizing chamber.
  • a delivery unit that opens into the vaporization chamber and delivers a gaseous raw material to a raw material supply line, wherein a finolator member disposed in the delivery unit and the filter member are provided.
  • a shielding plate that is disposed on the vaporization chamber side, faces the vaporization chamber separately from the vaporization surface, and shields the filter member so as to cover the filter member while securing a flow opening from the vaporization chamber to the delivery unit.
  • the filter member and the shielding plate are heated by the heating unit or a heating unit different from the heating unit, and a set temperature of the filter member and the shielding plate is: Same as the set temperature of the vaporizing surface
  • the mist is vaporized in the filter member and the shield plate by setting the heating temperature of the filter member and the shield plate to the same temperature as the vaporized surface. It can be done. For this reason, the filter member and the shield plate prevent the residual mist and solids from flowing into the delivery section, and the shield plate also prevents the filter from flowing. Evaporation efficiency can be improved while limiting the amount of residual mist reaching the filter member.
  • the shielding plate is configured so that a virtual straight line introduced from the vaporization chamber to the flow opening does not reach the filter member. According to this, it is possible to reduce the possibility that the residual mist entering the delivery section from the vaporization chamber through the flow opening directly passes through the filter member. As a result, the clogging of the filter can be further reduced, and in particular, the concentration of sediment on a part of the filter can be suppressed.
  • the distance between the filter member and the shielding plate is preferably in the range of 1 to 10 Omm, and more preferably in the range of 1 to 10 Omm. Most preferably, it is about 5 mm.
  • the shielding plate is disposed so as to cover the entire surface of the filter member when viewed from the vaporization chamber side. This can prevent the mist or solids that have entered from the vaporization chamber from directly going to the filter member.
  • the shielding plate is configured to protrude further around the entire periphery than the outer edge of the filter member. This is more desirable.
  • an outer edge of the filter member is fixed to an inner surface of the sending section.
  • the flow opening is provided so as to allow the vaporization chamber and the filter member to communicate with each other around the entire periphery of the shielding plate. According to this, the gaseous raw material can be smoothly circulated from the circulation opening to the filter member, and the mist and solid matter trapping location by the filter member can be uneven. Can be reduced.
  • the gap is preferably in the range of 0.5 mm to 10 O mm, more preferably 1 O mm or less, and about 2 mm. That is most desirable.
  • the flow opening is provided around the shielding plate.
  • the shield plate can be configured in a simple structure, and maintenance such as cleaning of the shield plate and the vicinity of the circulation opening becomes easy.
  • the opening width of the circulation opening (the distance between the shielding plate and the inner surface of the sending section on the outer peripheral side thereof) is preferably 0.5 mm or more and 10 mm or less, particularly 1 mm. More preferably, it is more preferably about 2 mm.
  • the flow path of the gaseous raw material from the vaporization chamber to the delivery section includes a first flow path defined by the opening width of the communication opening, and a filter member that communicates with the first flow path. And a second flow path defined by the distance from the shielding plate.
  • the mist which has entered from the first flow path, is prevented from proceeding linearly and reaching the second flow path.
  • the flow path of the gaseous material includes a third flow path defined by a gap between the shielding plate and the outer edge of the filter member.
  • the third flow path is provided so as to communicate the first flow path with the second flow path.
  • the third flow path is formed so that the mist that has entered from the first flow path and the solid matter proceeds linearly and does not reach the second flow path. I prefer to be done.
  • the filter member is preferably a plate-like material provided with a large number of pores penetrating in the flow direction of the gaseous raw material.
  • the filter member is preferably a plate-like material provided with a large number of pores penetrating in the flow direction of the gaseous raw material.
  • An eleventh aspect of the present invention is a reaction processing apparatus, comprising: the vaporizer according to any of the above; and a reaction chamber for reacting a gaseous raw material supplied from the vaporizer.
  • the reaction processing apparatus performs various processes by reacting a gaseous raw material in a reaction chamber in some manner such as applying heat energy.
  • the present invention widely covers semiconductor processing devices such as a body vapor deposition device, a liquid crystal vapor deposition device, a compound semiconductor vapor deposition device, and a vapor etching device. In particular, it is effective in the case of a vapor deposition system (CVD system).
  • CVD system vapor deposition system
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing a structure of a vaporizer according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a schematic internal side view showing the structure of a delivery unit of the vaporizer of the first embodiment
  • FIGS. 2B, 2C, and 2D are internal side views showing a modification of the first embodiment.
  • 3A and 3B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a second embodiment of the present invention.
  • 4A and 4B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A and 5B are a schematic internal side view_ and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a fourth embodiment of the present invention
  • FIG. 5C is a schematic sectional view showing a modification of a heating means.
  • 6A and 6B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7A and 7B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a sixth embodiment of the present invention.
  • 8A and 8B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIGS. 10A and 10B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 10A and 10B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a ninth embodiment of the present invention.
  • 11A and 11B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a tenth embodiment of the present invention.
  • 12A and 12B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 13A and 13B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a 12th embodiment of the present invention.
  • 14A and 14B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic vertical sectional view showing a vaporizer according to a 14th embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the vaporizer of the fourteenth embodiment along the line AA in FIG.
  • 17A and 17B are schematic longitudinal sectional views showing a vaporizer according to a fifteenth embodiment and a sixteenth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 18A and 18B are schematic longitudinal sectional views showing a vaporizer according to a 17th embodiment and an 18th embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a schematic longitudinal sectional view showing a vaporizer according to a nineteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 AB is a schematic front view and a schematic side view showing a modification of the spraying means.
  • FIG. 20 CD is a schematic front view and a schematic side view showing another modification of the spraying means.
  • FIG. 21 shows a reaction processing apparatus (semiconductor) according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a schematic configuration diagram showing the internal configuration of the raw material supply unit.
  • FIG. 23 is a schematic configuration diagram showing a reaction processing apparatus (semiconductor processing apparatus) according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a graph showing the change over time of the internal pressure of the vaporization chamber between the vaporizer of the second embodiment and a conventional vaporizer.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing the structure of the vaporizer according to the first embodiment of the present invention.
  • the vaporizer 100 has a vaporizing surface 110B corresponding to a first vaporizing section and a vaporizing chamber 110 constituting a vaporizing space 11OA.
  • a spraying means 120 is provided to spray the liquid raw material into the vaporizing space 110A.
  • a delivery unit 130 corresponding to a second vaporization unit is detachably attached to the vaporization chamber 110.
  • a detection pipe 13 9 for installing a pressure gauge (capacitance manometer: not shown) is provided in order to detect the internal pressure of the vaporization space 11 1 OA.
  • a detection pipe 13 9 for installing a pressure gauge (capacitance manometer: not shown) is provided.
  • a filter member 1339X is attached to the opening of the vaporization chamber 110 communicating with the pipe 139.
  • Filter element 1339X prevents mist or solids from entering the pressure gauge.
  • the filter member 1339X is tightly fixed to the opening edge by the mounting member 1339y.
  • the vaporization chamber 110 has a housing wall 111 and heating means 112 such as a heater installed in the housing wall 111.
  • the housing wall 1 1 1 1 has an opening 1 1 1 a for mounting the fog means 1 20 .
  • the atomizing means 120 has a raw material supply pipe 121 'for supplying a liquid raw material such as an organic metal raw material or a raw material obtained by dissolving an organic metal raw material in a solvent.
  • Spraying spray unit 1 2 0 may also, argon gas of which ⁇ gas (e.g.
  • a r, N e, N 2 ) and atomizing gas supply pipe 1 2 2 supplies, the above raw material Mist-like The fog fog nozzles 1 2 3 and.
  • the spray nozzles 123 emit a raw material (a liquid, for example, an organometallic material) and a spray gas from individual pores to form a mist.
  • the delivery section 130 is a section for sending the gaseous material that has been vaporized in the vaporization space 110A to the supply line 141.
  • the delivery section 130 has a side wall 131, and an internal space 130A is formed in a concave shape on the side of the side wall 131 on the side of the vaporizing space 110A.
  • a column-shaped heat transfer section is provided to protrude into the internal space 13 O A in a convex shape.
  • Heating means 13 2 such as a heater is arranged inside the side wall 13 1 (accommodation hole 13 1 a, see Fig. 2).
  • the internal space 130 A of the delivery unit 130 communicates with the vaporizing space 110 A and the supply line 141.
  • the sending unit 130 may be arranged on any side of the vaporization space 110A as long as it faces the vaporization space 111A.
  • a filter member 13 33 is arranged so as to cover the outlet (gas outlet) 13 1 SO to the supply line 14 1.
  • Filter members 1 3 3 are made of air-permeable filters. It is possible to use the one configured as a data plate. Examples of such a filter member include a porous material, a filter plate having a large number of fine particles, a material obtained by compacting fibers, and a mesh material. More specifically, a metal fiber (for example, about 180 ° C. to 350 ° C., which is appropriately set depending on the vaporization temperature and decomposition temperature of the raw material) (for example, about 180 ° C.
  • a filter material obtained by solidifying stainless steel fiber into a nonwoven fabric or sintered shape.
  • the diameter of the metal fiber is about 1.3 to 3.0 mm.
  • a sintered material obtained by sintering spherical or other granular materials having high thermal conductivity examples include non-metal materials such as ceramics and quartz, and non-ferrous metals such as stainless steel, aluminum, titanium and nickel, and alloy materials thereof. I can do it. Note that the range of the above-described aspect regarding the structure and material of the filter member is common to all the embodiments described below. '
  • FIG. 2A is an internal side view showing the appearance of the sending unit 130 viewed from the vaporizing space 110A side.
  • the outer edge of the filter member 133 is in contact with and fixed to the surrounding side wall 13 1 so as to cover the entire flow section of the internal space 13 OA. More specifically, the outer edge of the filter member 133 is fixed to the side wall 13 1 with fixing screws 13 and the like. Except for the outer edge portion of the filter member 133, heat transfer portions 135 and 137 projecting inward from the side wall 1331 are provided. More specifically, the filter member 133 is in thermal contact with the side wall 131 via the heat transfer portions 135, 137. That is, the heat transfer portions 135 and 135 also function as support members for supporting the filter member 133.
  • the heat transfer sections 135 and 135 are made of a metal having good heat conductivity (for example, stainless steel).
  • the heat transfer section 135 has a columnar shape with an oval cross section, and the heat transfer section 135 has a columnar shape with a circular cross section.
  • These heat transfer sections 135, 137 are heated by a heating means such as a heater arranged in the side wall 131, in the illustrated example.
  • the heat transfer section may be constituted by the heating means itself, or the heating means may be embedded inside the heat transfer section.
  • a shielding plate 134 is disposed on the vaporizing space 110A side of the filter member 133.
  • the shield plate 1 34 is made of, for example, a heat conductive metal material such as stainless steel.
  • the shielding plate 134 faces the vaporizing space 110A, and prevents the raw material mist sprayed from the spray nozzle 123 from directly adhering to the filter member 133. .
  • the shielding plate 13 4 is basically arranged so as to cover the filter member 13 3 in a planar manner.
  • the space portion 130D is heated by the heat of the shield plate 134 and the filter member 133 via the heat transfer portions 135, 137.
  • a flow opening 1 3 4 b is provided around the shielding plate 1 3 4, Through the flow opening 13 4 b, the vaporized space 11 OA communicates with the internal space 13 OA, and the vaporized gaseous raw material is efficiently delivered.
  • an opening 134a is formed on the side of the spray nozzle 123. Since the opening area of the above-mentioned gap increases due to the opening portion 134a, the gaseous raw material flowing from the vaporizing space 110A to the internal space 130A where the filter member 133 is disposed is discharged. It becomes easy to flow.
  • the opening 1 34 a is formed because the spray angle range of the spray nozzle 123 is substantially limited, so that the spray nozzle 123 on the side of the spray nozzle 123 is formed. This is because the mist sprayed from 3 is difficult to reach the sending section 130 directly.
  • FIG. 2B, 2C, and 2D are internal side views showing modified examples of the shield plate.
  • an opening 13 4 a ′ is formed continuously or along the entire outer periphery at a position overlapping the filter member 13 3.
  • the shielding plate 1334 ⁇ shown in FIG. 2C a plurality of openings 134a ⁇ are discretely formed along the outer periphery so as to correspond to the outer periphery of the filter member 133.
  • the opening formed in the shielding plate may have a slit shape (including a concentric shape).
  • the shielding plate 134X covers the entire filter member 133.
  • the communication opening between the vaporizing space 11 OA and the internal space 13 0 A can be sufficiently obtained by the flow opening 13 4 b (see FIGS. 1 and 2A) around the shielding plate.
  • the shielding plate 13 4 X covers the entire filter member 13 3
  • the residual mist of the raw material directly passes through the filter member 13. 3 has the advantage of being less likely to adhere.
  • the shielding plate 13 4 is fixed to the heat transfer section 135 through a spacer 13 36 together with the filter member 13 33.
  • the spacer 136 is made of a material having good heat conductivity, for example, metal such as A1 or stainless steel, ceramics, or the like.
  • the fixing screw 1336a is a fixing means for fixing the shielding plate 1334 and the spacer 1336 to the heat transfer section 135.
  • a similar fixing means is used to fix the filter member 133 to the heat transfer section 133.
  • the filter member 133 and the shielding plate 134 receive the heat released from the heating means 132, which makes thermal contact via the heat transfer portion 135 and the spacer 132, and the vaporizing space. It is heated by receiving radiant heat from the inner surface of the casing wall 1 11 of the vaporization chamber 1 1. 1 facing the 110 A.
  • the raw material supplied from the raw material supply pipe 122 is atomized into the vaporization space 110A at the spray nozzle 123. A part of the mist of the sprayed material evaporates during flight, and another part is heated by heating means 1 1 2
  • the vaporization chamber 110 is heated by the heating means 112 to a temperature range lower than the decomposition temperature of the raw material and higher than the vaporization temperature of the raw material. Is performed. This temperature is, for example, about 100 to 350 ° C.
  • the gaseous raw material thus generated in the vaporizing space 110A passes through the filter member 133 from around the shielding plate 134 and is introduced into the internal space 13OA. Internal space introduced into 13 OA The gaseous raw material contains minute residual mist that is not vaporized in the vaporization space 110A. The residual mist reaches the filter member 133 and is captured, where it is transmitted from the heating means 132 to the filter member 133 via the heat transfer portions 135 and 137. It is heated by the obtained heat and re-vaporized. It is preferable that the filter member 13 3 is also heated so as to have substantially the same temperature range as that of the vaporization chamber.
  • the above-mentioned heat transfer sections .135 and 137 are distributed almost uniformly over the entirety of the filter section Neo133 on the cross section of the flow path of the gaseous raw material. . This makes it possible to heat the filter member 133 more uniformly, improve the vaporization efficiency of the residual mist, and clog the filter member. Can be further reduced.
  • the outer edge of the filter member contacts (connects and fixes) the inner surface of the sending portion, so that the outer edge also receives heat from the inner surface and is heated.
  • the filter member may be heated by providing a heating means in the heat transfer section.
  • the shielding plate 13 4 prevents the mist sprayed by the spray nozzle 123 from directly reaching the filter member 133. This prevents the filter member 133 from being deprived of heat by a large amount of mist, and as a result, the ability to vaporize the attached mist is partially reduced at a predetermined location. You. Therefore, by clogging at the location, it is possible to prevent a decrease in the amount of the gaseous raw material to be delivered and an increase in the pressure in the vaporization chamber.
  • the sending section 130 can remove the filter member 133 easily by removing the side wall 131 from the casing wall 111. Be composed.
  • the filter member 133 can be removed and cleaned very easily and quickly, or a new filter member can be used. It can be replaced with a member. As a result, maintenance time is shortened, the operation rate of the equipment is improved, and the yield is improved.
  • the shield plate 134 is also heated. For this reason, when the raw material mist in the vaporizing chamber 11 OA directly hits the shielding plate 13 4, the mist is vaporized also on the surface of the shielding plate 13 4. However, when the mist hits the shield plate 134 and evaporates, the temperature of the shield plate 134 decreases due to the loss of heat of vaporization. The amount of decrease in the temperature of the shield plate 134 also changes due to the fact that the amount of mist that hits the shield plate 134 changes in accordance with the amount of the liquid material to be sprayed. Normally, the temperature of the shielding plate 134 is about 5 to 15 ° C lower than the set temperature of the vaporization chamber 110.
  • the filter member 133 may be arranged at a position close to the delivery path side with respect to the shielding plate 134.
  • the distance 13 OD between the filter member 13 3 and the shielding plate 13 4 is in the range of 1 to 10 O mm, particularly, in the range of 1 to 5 O mm. And more preferably in the range of 2 to 1 O mm. Typically, it is most desirable that the distance be about 5 mm. If the above distance becomes smaller than the above range, The conductance of the gaseous raw material decreases, and the substantial adhesion range of the residual mist to the filter member 133 also decreases. In this case, there is a possibility that solid matter will be intensively deposited on a part of the filter member 133. In addition, when the above distance is increased, the conductance of the gaseous raw material is improved, and the local solid adhesion of the filter member 133 is reduced, but instead the vaporizer becomes larger. Invite.
  • the opening width of the above-mentioned flow opening portion 134b which is the distance between the outer edge of the shielding plate 134 and the side wall 131 disposed on the outer peripheral side thereof, is required to secure the conductance of the gaseous raw material. It is preferably 0.5 mm or more and 1 Omm or less, more preferably 1 mm or more. However, as the opening width increases, the risk that the mist directly reaches the filter member 133 increases, so it is most preferable that the opening width is about 2 mm.
  • the gap between the outer edge of the shielding plate 13 4 and the filter member 13 3 disposed on the side of the inner space 130 A is 0.5 mm or more: L is preferably within the range of 0 mm, and 0.5 mm or more: more preferably within the range of LO mm. Further, it is most desirable that this interval be about 2 mm. When this interval is reduced, the conductance of the gaseous raw material decreases. Conversely, when the distance is increased, the mist that has entered from the flow opening 130B easily reaches the filter member 133 directly.
  • the flow path of the gaseous raw material from the vaporization chamber 11 OA to the delivery section 130 is the first flow path defined by the opening width of the communication opening section 134 b described above. And a second flow path defined by the distance between the filter member 133 and the shielding plate 134 communicating with the first flow path.
  • the mist and solid matter that has entered from the first flow path are linearly advanced so as not to reach the second flow path.
  • the flow path of the gaseous raw material is the third flow path defined by the gap between the shielding plate 134 and the filter member 133.
  • the third channel portion is disposed so as to communicate the first channel portion and the second channel portion.
  • the third flow path is formed so that the mist that has entered from the first flow path and the solid matter advances linearly and does not reach the second flow path. It is preferred that it be composed.
  • FIGS. 3A and 3B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 3A and 3B show a delivery unit 150 which can be used in place of the delivery unit 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other parts are the same as in the first embodiment. It is.
  • the delivery portion 150 has a side wall 151, and an inner space 150A is formed in a concave shape on the side of the side wall 151 on the vaporization space side.
  • Inside the space 150A there are provided heat transfer portions 1505 and 157 which protrude from the side wall 1501 in a convex shape.
  • Inside the side wall (accommodation hole 15 la) the same heating means 15 2 as described above is arranged.
  • the internal space 15 OA communicates with the transmission path 15 OS.
  • the same filter member 15 3 as described above is arranged in the internal space 15 OA.
  • the filter member 15 3 is provided on the inner surface of the side wall 15 1. Thermal contact is made with the protruding heat transfer portions 15 5 and 15 7 as in the embodiment.
  • the heat transfer portion 155 is a columnar portion having an elongated cross-sectional shape such as an oval shape.
  • the heat transfer section 157 is a columnar section having a circular cross-sectional shape.
  • the columnar portion may have any shape as long as the columnar portion is in surface contact with the filter member 153 or the shielding plate 154 and easily conducts heat.
  • the shape of the column can be rhombus, triangle, star, rectangle, or round.
  • the outer edge of the filter member 15 3 is fixed to the side wall 15 1 by a fixing screw 15 58 or the like.
  • the number and arrangement of the heat transfer sections 155 and 157 are set so that heat can be uniformly transmitted to the filter member 153.
  • a shield plate 154 is attached and fixed to the heat transfer portions 155, 157 via spacers 156 with fixing screws 156a. Shield
  • a space 150D is formed between the filter member 153 and the filter member 153 over the entire surface of the filter member 153.
  • the shielding plate 154 is disposed at a position facing the vaporization chamber of the delivery unit 150. Shield plate 1
  • the shielding plate 154 is configured so as to cover the entire filter member 153 in a plane, and a circle provided between the outer edge of the shielding plate 154 and the surrounding side wall 155.
  • the circumferential gap is the opening 150B.
  • the filter member 15 3 receives not only the heat of the heating means 15 2 directly from the side wall 15 1 at the outer edge thereof, but also the heat transfer portion 1 which is in thermal contact with a portion other than the outer edge. It is configured to receive the heat of the heating means 152 through 55,157.
  • the shield plate 154 is heated by the filter member 153 and the heat transfer portions 155, 157 through the spacer 156 for a period of time.
  • the gaseous material vaporized in the vaporization chamber is introduced into the internal space 15 OA of the delivery section 150 through the flow opening section 15 OB and the filter member 15 3 After passing, it is configured to be sent out from the delivery line 1.50S to the supply line.
  • any virtual straight line reaches the filter member 1553. It is configured not to. In other words, no matter what linear flight path the residual mist in the vaporization chamber enters the delivery section 150, it remains.
  • the mist does not directly adhere to the filter member 153. Further, it is configured such that the mist-like raw material does not directly reach the filter member 153.
  • the radial direction of the flow opening 150B is set so that the linear flight path passing through the flow opening 150B does not reach the filter portion of the filter member 1503.
  • the opening width is set.
  • each section of the sending section 150 are the same as in the first embodiment.
  • a radial opening of 15 OB with a flow opening The width is 2 mm
  • the axial distance between the outer edges of the shielding plate 15 54 and the filter member 15 3 is 2 mm
  • the axial distance between the shielding plate 15 4 and the filter part of the filter member 15 3 is 5 mm
  • the radial width of the outer edge of the filter member 153 is 4 mm
  • a temperature sensor for example, a thermocouple 15 9 introduced into a hole 15 1 b provided in a side wall 15 1 is provided inside a heat transfer section 1.55 having an extended planar shape.
  • the output of the temperature sensor 159 is connected to a temperature control circuit CONT or the like, and the temperature control circuit CONT controls the heating means 152 based on the output of the temperature sensor 159. It is composed of This temperature control is preferably controlled to the same temperature as the other heating means (means for heating the vaporization chamber) based on the output of the temperature sensor 159.
  • the temperature of the heat transfer section 15 5, the filter member 15 3, and the housing wall 1 1 1 are controlled independently of the other heating means 1 1 2 so that the temperatures of the vaporization chamber are the same. It may be configured so that With this configuration, it is possible to precisely control the temperature of the filter member 153 and the shielding plate 154. it can. For this reason, clogging of the filter member 153 can be reduced, and a pressure increase in the vaporization chamber is suppressed. In addition, residual mist and particles can be reduced.
  • the temperature of the heat transfer section 1555 that is, the filter member 1553 and the shielding plate 1554 are detected to control the heating means 152.
  • the controllability of the temperature of the metal shield plate 154 is improved. Therefore, the temperature drop of the shielding plate 154 can be reduced more than in the first embodiment.
  • the set temperature of the heating means 15 2 be the same as the set temperature for the vaporization chamber.
  • the filter member 1553 may be disposed at a position near the delivery path 15.0S side of the shielding plate 1554.
  • the distance between the filter member 153 and the shielding plate 1554 is in the range of 1 to 10 Omm, and particularly preferably in the range of 1 to 5 Omm. And more preferably in the range of 2 to 1 Omm. Typically, it is most desirable that the distance be about 5 mm. If the above distance is smaller than the above range, the conductance of the gaseous raw material will decrease, and the substantial adhesion range of the residual mist to the filter member 153 will also narrow. In this case, there is a possibility that solid matter is concentrated on a part of the filter member 153.
  • the opening width of the flow opening portion 150B which is the distance between the outer edge of the shielding plate 154 and the side wall 151 arranged on the outer peripheral side thereof, is required to secure the conductance of the gaseous raw material. It is preferably 0.5 mm or more and 10 mm or less, more preferably 1 mm or more. However, as the opening width increases, the risk that the mist directly reaches the filter member 1553 increases. Therefore, it is most preferable that the opening width is about 2 mm. This point is the same in the embodiments described below.
  • the flow path width within 15 O A) is 0.5 mn! It is preferably in the range of ⁇ 10 Omm, and more preferably in the range of 0.5 mm ⁇ : LOmm. Furthermore, it is most desirable that this interval be about 2 mm. When this interval is reduced, the conductance of the gaseous raw material is reduced. Conversely, when the interval is increased, the mist that has entered from the flow opening 150B directly enters the filter member 1553. It will be easier to reach. This point is the same in the embodiments described below.
  • the flow path of the gaseous raw material from the vaporization chamber to the delivery section 150 communicates with the first flow path section defined by the opening width of the communication opening section 150 B and the first flow path section. And a second channel portion (space portion 150D) defined by an interval between the filter member 153 and the shielding plate 1554.
  • the mist or the solid material entering from the first flow path is configured so as not to travel straight and reach the second flow path.
  • the flow path of the gaseous raw material includes a third flow path defined by a gap between the shielding plate 154 and the outer edge of the filter member 153, and the third flow path is formed by a third flow path.
  • the first flow path and the second flow path are provided so as to communicate with each other.
  • the provision of the third flow path portion prevents the mist and solids entering from the first flow path portion from proceeding linearly and reaching the second flow path portion. It is preferred that it be composed. This is the same in the embodiments described below.
  • 4A and 4B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a third embodiment of the present invention.
  • 4A and 4B are used in place of the delivery unit 130 of the vaporizer shown in FIG. 1 and show a delivery unit 150 'that can be used, and the other parts are the same as those of the first embodiment. Is the same as In the transmitting section 150, the same portions as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the inner space 150A is connected to the outside '(aside from the delivery path 150S connecting the inner space 150A to the supply line to the reaction processing device on the side wall 151'.
  • a discharge path 150 C communicating with the exhaust line of the reaction processing device) is formed.
  • the discharge path 150C is formed at a position furthest away from the spray nozzle, that is, at the lower end in the drawing.
  • the discharge path 150 C is connected to a discharge line such as a pipe line (evacuation line) that is exhausted without passing through a reaction processing section of a reaction processing apparatus described later. You.
  • the discharge path 150 C is used to exhaust the gaseous raw material without introducing it into the reaction processing section until the supply state of the gaseous raw material is stabilized.
  • an opening 153a ' is formed in the filter member 153' at a plane position corresponding to the discharge path 15OC.
  • the opening edge of the opening portion 15 3 ′ is provided as a part of the outer edge portion of the filter member 15 3 ′, and a fixing screw 15 8 ′ for fixing the filter member 15 3 ′. Discharge without any gaps by connecting to ⁇ 150C.
  • the gaseous raw material that has entered the internal space 150A through the flow opening 150B while avoiding the shielding plate 154 is discharged from the discharge line connected to the discharge path 150C.
  • the valve V2 provided in the opening is opened, the gas is directly discharged through the opening 153a 'and the discharge path 150C.
  • the supply line valve VI connected to the delivery path 15 OS is closed. Therefore, the gaseous material that is not sent to the reaction processing section does not pass through the filter member 15'3 ', so that the life of the filter member 153' can be extended.
  • valve V2 of the discharge line connected to the discharge path 150C When flowing the gaseous raw material to the supply line, the valve V2 of the discharge line connected to the discharge path 150C is closed, and the valve VI of the supply line is opened. As a result, the gaseous raw material that has been discharged from the discharge path 150 C until now passes through the filter 153 ′, and is led from the discharge path 150 S to the supply line.
  • FIGS. 5A and 5B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 5A and 5B show a delivery section 150 ⁇ which can be used in place of the delivery section 130 of the vaporizer shown in FIG. 1 and other parts. Is the same as in the first embodiment.
  • the same parts as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the heating means 15 2 ′′ is inserted into the inside of the side wall 15 1 ((accommodation hole 15 1 a) with the heat transfer section 15 7 ′′ joined to the tip of the heating means 15 2 ′′.
  • the heat transfer section 157 ⁇ projects into the inner space 150A and makes thermal contact with the filter member 153 and the shielding plate 154 in the same manner as in the above embodiments. Is, for example, a rod-shaped heater, and the heat transfer portion 157 ⁇ is directly joined to the filter member 153 and the shielding plate 1 via the heat transfer portion 15 ⁇ ”. It is configured so that the heating of 54 can be performed efficiently.
  • a heat transfer portion 155 having a planar shape extended in the same manner as in the above embodiments is provided.
  • One part of the heat transfer portion 157" is formed by a side wall. The heat transfer portion is inserted from the inside of the heat transfer portion and protrudes into the internal space 150 A. That is, the heat transfer portion 155 "is configured so as to include one of the heat transfer portions 157 ⁇ You.
  • a screw hole is formed at the tip of the heat transfer section 157 ⁇ .
  • the filter member 15 3, spacer 15 6 and shielding plate 15 4 are sequentially stacked on the end of the heat transfer section 15 7 ".
  • the fixing screw 15 56 a The filter member 15 3 and the shielding plate 15 4 are fixed to the heat transfer section 15 7 ′′ by screwing in.
  • FIG. 5C shows a modification of the above heating means 152 and the components connected thereto.
  • the heating means 15 2 S “shown in Fig. 5C has a bolt embedded at the tip of a rod-shaped heater. Things. Instead of the spacer 1556, prepare a nut 152 "to be screwed to the above bolt, and fix it to the nut 1552 /; ;. providing a heating means 1
  • a filter member 15 3 is placed between the 5 2 S ”and the nut 15 2 T”, and a shielding plate 1 5 4 is placed between the nut 15 2 T and the fixing screw 15 2 U ⁇ . Place. In the second state, the heating means 15 2 S and the fixing screw 15 2 U ⁇ are fixed via the nut 15 2.
  • the heat transfer section 157 can be constituted by a part of the heating means 152 ”.
  • the filter member 153 and the shielding plate 155 can be formed. 4 can be more efficiently heated, so that the temperature drop of the shielding plate 15 4 can be further reduced, and in this case, the set temperature of the heating means 15 2 It is preferable to set the same as the set temperature.
  • FIGS. 6A and 6B are a schematic internal j-law plan view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of an air carburetor according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 6A and 6B show a delivery unit 160 that can be used in place of the delivery unit 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other parts are the same as in the first embodiment. It is.
  • the delivery section 160 has a side wall 161, and heating means 162 arranged inside the side wall 161 (accommodation hole 1661a).
  • a shielding plate 16 4 is fixedly attached to the side wall 16 1 from the inside (the vaporization chamber side).
  • the inner space 160A is defined between the side wall 161 and the shielding plate 1664, and communicates with the delivery path 160S.
  • Interior space 1 6 The outer edge of the filter member 163 is fixed to the OA by fixing screws 168 and the like.
  • a plurality of heat transfer portions 165 and 167 protruding from the inner surface of the side wall 161 are in thermal contact with portions other than the outer edge of the filter member 163.
  • a spacer 1666 is interposed between the filter member 163 and the shielding plate 1664, and the heat transfer sections 1665, 1666, and the filter are fixed by the fixing screw 1666a.
  • the filter member 16 3 and the shielding plate 16 4 are fixed.
  • a space 160D is formed between the filter member 163 and the shielding plate 1664 over the entire surface of the filter member 1663. Then, a space through which the vaporized gas passes is formed between the filter member 163 and the shielding plate 164. After the gas passing through this space passes through the filter 163, the delivery path 16 is formed. . Flows to 0 S.
  • the heat transfer section 165 has an extended planar shape, and inside the heat transfer section 165, a temperature detection point of the temperature sensor 169 similar to that in each of the above embodiments is arranged.
  • the shield plate 164 is formed with a flow opening 164A in which a plurality of planar shapes are formed in a slit shape. These flow openings 1664 A have a shape that is bent (refraction is extremely curved) in the thickness direction of the shield plate 164, and the residual mist that has entered from the vaporization chamber side is directly filtered. It is configured so that it does not reach 16 3. That is, the flow opening 164A is configured such that all virtual straight lines entering the flow opening 164A from the vaporization chamber side do not directly reach the filter member 1663. As a result, most of the residual mist contacts the shielding plate 164 at least once, and then enters the internal space 16 OA ⁇ .
  • the plurality of flow openings 1664A may be formed in the plane of the shielding plate 1664 so as to be parallel to each other, or may be formed so as to be concentric. Good.
  • the flow opening can be formed in the shielding plate.
  • the above-mentioned flow opening may be configured so that there is no virtual straight line that directly reaches the filter member from the vaporization chamber side through the flow opening. Therefore, even if it does not have the bent hole shape as described above, it does not face the filter member at the flow opening. Then, the same effects as above can be obtained.
  • 7A and 7B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a sixth embodiment of the present invention.
  • 7A and 7B show a delivery section 160 'which can be used in place of the delivery section 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other portions are the same as those of the first embodiment. The same is true.
  • the same parts as those in the fifth embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the shield plate 16 4 ′ is formed with a flow opening 16 4 A ′.
  • the flow opening portion 1664A ' is formed in a region outside the region overlapping with the filter member 163 when viewed in a plan view, that is, at a position shifted to the outer peripheral side from the filter member 1663. Thus, it is configured such that all virtual straight lines that enter the flow opening 164A 'from the vaporization chamber side do not reach the filter member 163.
  • the flow opening 164A ' has an arc-shaped slit shape.
  • the plurality of flow openings 164A ' may be formed concentrically at equal intervals.
  • the heating means 16 2 is controlled based on the output of the temperature sensor 16 9, and the temperature of the shielding plate 16 4 ′ is controllable as in the previous embodiment.
  • a heating means 164 H ′ composed of a wire-shaped heater or the like is passed through the inside of the shielding plate 164 to directly heat the shielding plate 164 ′. Heating means 1 6
  • the heating means 164 H ' is introduced into the shielding plate 164' from outside, but the heating means 164 H 'may be embedded in the shielding plate 164'.
  • the linear heating means 16 4 H ' may be arranged so as to form a lattice or a spiral. Further, a plurality of heating means 164 H 'may be introduced into the shielding plate 164'.
  • a temperature detection point of the temperature sensor 164 TC ' is also arranged inside the shielding plate 164'.
  • the heating means 164H ' is controlled by the temperature control circuit CONT based on the temperature detected by the temperature sensor 164TC', and the temperature of the shielding plate 164 'is directly and independently controlled.
  • the temperature of the shielding plate 16 4 ′ can be set precisely to the optimum temperature, and the vaporization state of the mist by the shielding plate 16 4 ′ can be stabilized.
  • the temperature controllability of the shielding plate is improved. For this reason, the raw material can be more efficiently vaporized, and residual mist and particles can be reduced.
  • FIGS. 8A and 8B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIGS. 8A and 8B show a delivery unit 15OX which can be used in place of the delivery unit 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other parts are the same as in the first embodiment. It is.
  • the sending unit 15OX the same parts as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • This embodiment has the same basic structure as that of the second embodiment, but has the same heat transfer sections 15 5 and 15 7, spacers 15 6 and fixing screws 15 56 a as those of the second embodiment. The difference is that more heat conducting columns are provided, and these are dispersed in the internal space 150A. These heat conducting columns are in thermal contact with the filter member 1553X and the shielding plate 1554X as in the second embodiment. The heat conduction column is in thermal contact with the inner surface of the side wall 15 1 X and the shielding plate 15 4 X.
  • the residual mist that has entered with the gaseous raw material from the vaporization chamber through the flow opening section 15 OB is heated. Contact with conductive pillars.
  • the residual mist is heated by Since it is converted into a gaseous raw material, the vaporization efficiency can be improved.
  • FIGS. 9A and 9B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 9A and 9B show a sending unit 150Y which can be used in place of the sending unit 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other parts are the same as those of the first embodiment. The same is true.
  • the same parts as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • a plurality of columnar heat transfer portions 1557Y are formed on the side wall 151Y, and fixing screws 1556a are formed on the heat transfer portions 1557Y. Y is fixed.
  • no filter member is provided, and instead, a heat conduction column composed of a large number of heat transfer portions 157 Y is formed by the inner surface of the side wall 151 Y and the shield plate 154 Y. Are distributed between and.
  • the heat conduction column has the same function as the filter, and captures and regenerates residual mist and particles entering the internal space 15 OA from the flow opening ⁇ 15 OB. It is configured to evaporate.
  • the shielding plate 1554Y is provided so as to cover the outlet (gas outlet) 15OSO to the delivery path 150S, and the shielding board 1554Y is connected to the delivery path 150S.
  • a gas passage to further vaporize the raw material
  • the heat transfer column of the heat transfer section 157Y functions as a fluid baffle, which replaces the function of the filter.
  • a filter member is further provided. It can also be set up.
  • the heat transfer sections 157Y are arranged in such a manner that the residual mist entering from the flow opening section 150B does not flow directly to the delivery path 150S.
  • the heat transfer section 1557Y is arranged such that all imaginary straight lines entering the internal space 15OA reaching the flow opening section 15OB force reach the heat transfer section 1557Y. Be composed.
  • a virtual straight line that does not pass through the heat transfer section 157Y from the outer circumference on the side of the flow opening 150B in the inner space 150A to the inner circumference on the side of the delivery path 150S is formed.
  • a plurality of heat transfer sections 157Y are arranged substantially orthogonal to the flow direction of the raw material gas so that they cannot be pulled.
  • the heat transfer sections 157 Y are arranged in a zigzag pattern.
  • FIGS. 10A and 10B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a ninth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 10A and 10B show a sending unit 150Z which can be used in place of the sending unit 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other parts are the first embodiment. Same as.
  • the same reference numerals as in the second embodiment denote the same parts in the transmission unit 15 OZ.
  • a heat transfer frame 1557Z is attached and fixed to the side wall 151Z from the side ⁇ (vaporization chamber side).
  • the heat transfer frame 1557Z has an outer frame portion that is in direct thermal contact with the side wall 151Z, and a plurality of beam portions 1557Za extending inward from the outer frame portion.
  • the outer edge of the filter member 15 3 Z is fixed to the outer frame.
  • the area other than the outer edge of the filter member 15 3 Z is in thermal contact with the multiple beam sections 1 57 Za.
  • Filter member 15 3 Z is connected to spacer 15 6 through spacer 15 6.
  • the shielding plate 1 5 4 Z is fixed with the fixing screw 1 5 6 a.
  • the filter member 1553Z and the shielding plate 1554Z are connected to the outer edge by the beam portion 157Za, the spacer 156 and the fixing screw 156a.
  • the parts are connected and fixed to each other at other parts.
  • a gap is provided between the inner surface of the side wall 15 1 Z and the beam portion 15 57 Z a.
  • Heating means 157 H is introduced into the heat transfer frame 157 Z, and the heating means 157 H passes through the beam 157 Z a.
  • the wire-like heating means 157H is configured to sequentially pass through the plurality of beam portions 157Za in a meandering manner.
  • a plurality of heating means 157 H may be configured to pass through each beam 157 Z a, and the heating means may be built in each beam 157 Z a, respectively. May be.
  • a temperature detection point of the temperature sensor 157 TC is disposed inside the heat transfer frame 157 Z, particularly inside the beam portion 157 Za. Then, the temperature control circuit CONT controls the amount of heat generated by the above-mentioned heating means 157 H based on the temperature detected by the temperature sensor 157 TC. As a result, the temperature of the heat transfer frame 157Z can be controlled independently of the side wall 151Z. ' In this way, the temperature sensor 157 TC detects the temperature of the heat transfer section 157 Z a to control the heating means 157 H, and the shield plate 154 The controllability of the temperature of Z is improved. Therefore, the temperature drop of the shielding plate 1 5 4 Z It can be reduced.
  • the set temperature of the heating means 157 H is preferably the same as the set temperature for the vaporization chamber.
  • the beam portion 157Za itself may be constituted by a heating means such as a rectangular heater.
  • the heating means may be arranged in the outer frame portion of the heat transfer frame 157.
  • the heat transfer section may be formed in a beam shape, the heating means may be arranged inside the heat transfer section, and the heat transfer section itself may be provided with the heating means. It may be.
  • FIGS. 11A and 11B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a tenth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 11A and 11B show a sending section 170 which can be used in place of the sending section 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other portions are the same as those of the first embodiment. Same as.
  • the sending portion 170 has a structure in which a plate member 172 having a force tl heat function is fitted and fixed to the inside of the side wall 171 from the inside.
  • the inner end face 172a of the plate member 172 faces the vaporization chamber and has the same function as the above-mentioned shielding plate.
  • a gap provided between the inner end face 172a and the surrounding side wall 171 is a flow opening 170B.
  • the plate member 172 is provided with a plurality of columnar heat transfer portions 172p at a portion opposite to the side wall 171 on the opposite side of the end surface 172a. These heat transfer portions 172 p come into thermal contact with the inner surface of the side wall 171.
  • a heating section 17 2 H such as a heater is provided, Temperature sensor 17 2
  • the TC temperature detector is arranged inside the plate member 17 1, where the power supply terminal 17 2 e connected to the heating section 17 2 H and the temperature sensor 17 2 TC are detected.
  • Terminal 1 7 2 f is provided.
  • the internal space 170A of the sending section 170 is an area surrounded by the side wall 171 and the plate member 172, and communicates with the sending path 17OS.
  • the inner space 170A is formed in a ring shape (ring shape).
  • a number of heat transfer sections 172p are distributed and arranged substantially orthogonal to the flow direction of the raw material gas. It is configured to have the same function as the filter, that is, the function of capturing residual mist particles that have entered from the vaporization chamber.
  • These heat transfer portions 17 2 p are connected between the inner surface of the side wall 17 1 and the plate member 17 2 forming the inner end surface 17 2 a having the same function as the shielding plate.
  • the pillars are in thermal contact.
  • the residual mist contacts the heat transfer section 1772p and evaporates, improving the vaporization efficiency and suppressing the generation of particles.
  • An annular filter member may be provided in the inner space 17OA, whereby solid matter such as residual mist and particles can be removed.
  • the surface of the plate member 172 facing the vaporization chamber 110 functions as a vaporization surface for vaporizing the liquid raw material, like the other inner surface of the vaporization chamber 110.
  • the plate member 172 is disposed so as to cover the outlet (gas outlet) 170SO to the delivery path 170S, and the plate member 1702 and the delivery path 170S are connected to each other.
  • vaporization chamber 1 A gas passage connecting the 10 and the outlet 170 SO is formed.
  • the heat transfer column of the heat transfer section 1772p functions as a fluid baffle, which replaces the function of the filter.
  • all virtual straight lines that enter the flow opening 170b from the vaporization chamber side do not pass through the heat transfer section 1772p.
  • the plurality of heat transfer sections 170p are arranged from the flow opening 170b side (outer peripheral side in the drawing) to the delivery path 170s side (inside) in the internal space 170A where these are arranged. Arranged in such a way that an imaginary straight line that does not pass through the heat transfer section 1 72 p toward the circumferential side> is formed, so that most of the residual mist is at least once.
  • the temperature control of the plate member 172 is performed by a temperature control circuit C ONT on the basis of the temperature detected by the temperature sensor 172 TC, independently of the temperature control of the vaporization chamber. Therefore, it is possible to reduce the temperature drop of the inner end face 172a corresponding to the shielding plate.
  • the set temperature of the plate member 17 2 be the same as the set temperature of the heating means for the vaporization chamber. Note that another heating means may be provided inside the side wall 17 1.
  • FIGS. 12A and 12B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of the vaporizer according to the eleventh embodiment of the present invention.
  • FIGS. 12A and B show a sending section 170 ′ which can be used in place of the sending section 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other parts are the same as those in the first embodiment. Same as the form.
  • the same parts as those in the tenth embodiment of the sending unit 170 are denoted by the same reference numerals.
  • a plate member 17 2 ′ is fitted and fixed to the side wall 17 1 ′ from inside.
  • a flow opening 170B ' is formed between the inner end surface 172a of the plate member 172' and the surrounding side wall 171 '.
  • annular ring-shaped (space-shaped) internal space 170 A ′ communicating with the flow opening portion 170 B ′. Also communicates with 1 7 0 S '.
  • an annular filter member 173 is arranged in the internal space 170A.
  • the outer edge of the filter member 173 is fixed to the inner surface of the side wall 171 '.
  • the portions other than the outer edge of the filter member 17 3 are connected to the columnar heat transfer portion 17 1 projecting from the side wall 17 1 ′ and the columnar heat transfer portion 17 2 projecting from the plate member 17 2 ′. Make thermal contact. More specifically, the filter member 173 is sandwiched between the heat transfer sections 17 1 ⁇ ′ and 17 2 ⁇ ′.
  • another heating means 172 ⁇ is arranged inside the side wall 171 ′ (accommodation hole 171 a ′). Accordingly, the filter member 17 3 is connected to the heat transfer sections 17 1 p ′ and 17 2 p ′ from both the heating section 17 2 H and the force tl heating means 17 2 ⁇ of the plate member 17 2 ′. To receive heat through each of them. Therefore, the filter member 173 can receive a larger amount of heat through these heat transfer sections. In this case, vaporization can be performed efficiently, and solid matter such as residual mist particles can be removed by the finoleta member.
  • FIGS. 13A and 13B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a 12th embodiment of the present invention.
  • FIGS. 13A and 13B show a delivery unit 180 that can be used in place of the delivery unit 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other parts are the same as those in the first embodiment. Same as the form.
  • a plurality of heating means 18 2 are attached to the side wall 18 1 in a state inserted from the outside. At the tips of these heating means 18 2, columnar heat transfer portions 18 5 protruding from the inner surface of the side wall 18 1 are respectively joined.
  • the interior space 180A which is configured to communicate with the delivery channel 180S and is defined inside the four side walls 181, has a container-like filter that opens inside (toward the vaporization chamber).
  • the member 18 3 is placed.
  • the outer edge of the filter member 183 is fixed to the inner surface of the side wall 181 by a fixing screw 188 or the like.
  • the portion other than the outer edge of the filter member 183 is in thermal contact with the columnar support projections 181c provided on the side wall 181 and the heat transfer portion 185 described above.
  • a shielding plate 184 is arranged at a position facing the vaporization chamber of the internal space 18 OA (further inside the filter member 183).
  • the shielding plate 184 is connected to the filter member 183 via a spacer 186. It is in thermal contact, and is fixed to the heat transfer section 1885 by the fixing screw 1886a.
  • a gap is provided between the shielding plate 184 and a portion of the side wall 181 surrounding the shielding plate 184, and this gap serves as a flow opening 180 B.
  • the filter member 183 is formed in a container shape having the axial direction as the depth direction. For this reason, since the filter member 183 also has a side surface portion extending in the axial direction, the filter area can be increased. As a result, the life of the filter member 183 can be extended.
  • the above-described heat transfer portion 185, spacer 186 and fixing screw 186a constituting the heat conduction column are in direct thermal contact with heating means 182. For this reason, the filter member 183 and the shielding plate 184 can be efficiently heated.
  • FIGS. 14A and 14B are a schematic internal side view and a schematic longitudinal sectional view showing a main part of a vaporizer according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 14A and 14B show a delivery unit 190 that can be used in place of the delivery unit 130 of the vaporizer shown in FIG. 1, and the other parts are the same as those in the first embodiment. Same as the form.
  • a heating means 192 is disposed inside the side wall 191 (accommodation hole 1991a).
  • an internal space 190A open to the inside (evaporation chamber side) is formed, which communicates with the delivery path 19OS.
  • a filter member 1993 is arranged in the internal space 19OA, and an outer edge portion thereof is fixed to the side wall 1991 by a fixing screw 1998 or the like. The portion other than the outer edge of the filter member 1993 is in thermal contact with a plurality of columnar heat transfer portions 197 protruding from the inner surface of the side wall 191. Inside the filter member 1993, it is fixed to the heat transfer section 1997 by a fixing screw 1996a via a shielding plate 1994 facing the vaporization chamber. You. A gap is provided around the shielding plate 1994 between the shielding plate 1994 and the side wall 191, and this gap serves as a flow opening 190b. A space 19OD is formed between the shielding plate 1994 and the filter member 1993 over the entire surface of the filter member 1993.
  • a hole 1991b is provided in the side wall 191, and a temperature sensor 1999 is arranged in the hole 1991b.
  • the temperature detection point of the temperature sensor 199 is located near or inside the heat transfer section 197.
  • the heating means 193H is arranged inside the filter member 193. More specifically, the heating means 1993H is a heater in the form of a wire, which passes through the inside of the filter member 1993 in a meandering manner. A temperature sensor 1993 TC is also located inside the filter member 1993. The heating control circuit CONT controls the heating value of the heating means 193 H based on the temperature detected by the temperature sensor 193 TC, and the filter member 193 directly and independently controls the temperature. It is configured to be controlled.
  • the heating means 1993H is disposed inside the filter member 1993, the filter member 1993 is directly heated, and the filter member 1993 is independently provided. Temperature can be controlled. Therefore, the temperature of the filter member 193 can be precisely controlled, and the uniformity of the temperature can be improved. As a result, clogging of the filter member 1993 and local collection of sediment The inside can be suppressed, the pressure rise in the vaporization chamber can be suppressed, and the filter life can be prolonged.
  • FIG. 15 is a schematic vertical sectional view showing a vaporizer according to a fourteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the vaporizer of the fourteenth embodiment along the line AA in FIG.
  • the vaporizer of this embodiment has a vaporizing surface 21 OB and a vaporizing chamber 210 forming a vaporizing space 21 OA similar to the first embodiment.
  • Spraying means 120 is provided to spray the liquid raw material into the vaporization space 210A.
  • a delivery unit 220 corresponding to a second vaporization unit is detachably attached to the vaporization chamber 210.
  • the configuration of the above fog means 120 (raw material supply pipe 122, spray gas supply pipe 122 and spray nozzle 123), side wall 211 of vaporization chamber 210
  • the heating means 2 1 and 2 are the same as those in the first embodiment.
  • the side wall 221, the heating means 222, the filter member 222, the shielding plate 222, the heat transfer part 222, the spacer 222 and the fixing screw 222 are provided.
  • 26a has a function similar to that of the first embodiment.
  • the first embodiment is also applicable to the internal space 220A provided in the delivery section 220, the flow opening section 222B provided around the shielding plate 222, and the delivery path 220S. The same is true.
  • the vaporization chamber 210 has an inner surface shape that is curved around the axis of the spray nozzle 123 as shown in FIG. Specifically, the vaporization chamber 210 is formed in a cylindrical shape.
  • the shape of the vaporization chamber 210 is conical with the axis of the spray nozzle 123 as the center or the axis of the spray nozzle 123 as one of the diameters. It may be spherical.
  • the filter member 222 and the shielding plate 222 have a curved shape along the inner surface curved around the axis of the mist nozzle 123 as described above.
  • the outer edge of the filter member 223 is fixed to the side wall 221 by a fixing screw 228 or the like.
  • a space 220D is formed between the filter member 222 and the shielding plate 222.
  • the shielding plate 2 24 has a shape along the inner surface shape of the vaporization chamber 2 10. For this reason, a large filter area can be secured, and the carburetor can be made compact.
  • the configuration is such that the flow of the mist gaseous raw material in the vaporization chamber 210 is hardly affected by the presence of the delivery section 220.
  • the vaporization chamber 210 has a substantially uniform shape (rotator shape) around the entire axis of the spray nozzle 123. This makes it possible to stabilize the temperature distribution in the vaporization chamber 210 and the temperature distribution in the vaporization surface 210B and the inner surface of the shielding plate 222. For this reason, it is possible to prevent intensive accumulation of solid matter at specific positions. Filter material
  • the distance between the filter member 22 3 and the shielding plate 22 4 can be made constant. For this reason, it is possible to effectively use the entire surface of the filter member 223 to efficiently capture residual mist and solid matter.
  • the vaporization chamber 210 has a shape having a curved inner surface around the axis of the spray nozzle 123, but the shape of the vaporization chamber is not limited at all. Therefore,
  • the shape of the conversion chamber may be a polyhedral shape such as a cube (hexahedron).
  • the shielding plate and the Z or filter member have a shape along the inner surface of the vaporization chamber so as to constitute a part of the polyhedral shape, as described above.
  • the shielding plate and / or the filter member may be formed so as to constitute at least two of the polyhedral shapes.
  • the vaporization chamber may have an inner surface shape in which a curved surface and a flat surface are combined.
  • an opening communicating with the detection pipe 219 to which a pressure gauge (not shown) is attached is formed so as to face the vaporization chamber 21OA.
  • the filter member 2: (_3) and the shielding plate 2 14 arranged on the side of the vaporizing chamber 2 10 A of the filter member 2 13 are disposed in the opening.
  • the filter member 2 13 comes into contact with a heat transfer section 2 15 protruding from the inner surface of the side wall 2 1 1.
  • the heat transfer section 2 15 is fixed via a spacer 2 16 to a fixing screw 2 16 a.
  • the thermal contact between the shield plate 2 13 and the side wall 2 1 1 is made to the fixed shield plate 2 14 via the spacer 2 16 and the fixing screw 2 16 a.
  • An opening is provided between the openings, and the space in which the filter member 21 is disposed communicates with the vaporization chamber 21 OA through the opening. Pass through filter member 2 13 to the inside of detection pipe 2 19.
  • the above-mentioned shield plate 214 prevents the remaining mist and solid matter entering from the vaporization chamber 21 OA from reaching the filter member 2 13. As a result, clogging of the filter member 2 13 is reduced.
  • the life of the filter member 2 13 can be extended.
  • the filter member 2 13 and the shielding plate 2 14 are in thermal contact with the side wall 2 1 1 at a portion other than the outer edge thereof via the heat transfer portion 2 15. For this reason, when the residual mist adheres, the residual mist can be vaporized when the residual mist adheres, because it is heated almost in the same manner as the inner surface of the vaporization chamber 210A.
  • FIG. 17A is a schematic longitudinal sectional view showing a vaporizer according to a fifteenth embodiment of the present invention.
  • the delivery section 230 is formed of a side wall 231, a honeycomb-shaped filter member 232 disposed between the side wall 231, and the vaporizing space 110A, and an inside of the filter member 232.
  • heating means 2 3 3 such as a heater arranged at the bottom.
  • a gas material delivery path 231a for delivering a gas material to the supply line is formed on the side wall 231, a gas material delivery path 231a for delivering a gas material to the supply line is formed.
  • a heating means for heating the side wall 23 1 may be separately provided. This heating means can be provided inside the side wall 231, on the outer surface, or the like.
  • the filter member 232 is made of a metal having good thermal conductivity (for example, stainless steel) or a plate-like material made of ceramics such as A1N and SiC. Inside the filter member 232, an accommodation hole (or accommodation hole, hereinafter the same) 233a is formed in a direction intersecting (orthogonal in the illustrated example) with the flow direction of the gaseous raw material (right direction in the figure). It is formed. Heating means 2 is provided in accommodation hole 2 3 2a. 3 3 are accommodated. Here, the heating means 233 may be arranged over the entire inside of the filter member 232. In this case, the thermal efficiency can be further improved.
  • the filter member 2 32 has minute pores that penetrate almost parallel to the flow direction of the gaseous raw material.
  • the fine pores 2332b may be formed substantially perpendicular to the flow direction of the raw material gas so that the residual mist / solids re-evaporate on the filter member.
  • pores 2 32 b are configured such that the penetration distance (length) is larger than the diameter.
  • the length of the pores 232b (which corresponds to the thickness of the filter member 232 in the illustrated example) is sufficient to capture small residual mist generated in the vaporization space 110A. Designed to be high. Specifically, pore 2
  • the diameter of 32b is about 0.01 to 1.0 mm and the penetration distance is about 5 to 15 mm.
  • a configuration may be such that the accommodation hole 232a for accommodating the heating means 233 and a part of the pores 2332b intersect.
  • it may be configured such that the pores 2332b are not formed at positions intersecting with the accommodation holes 232a.
  • FIG. 17B is a schematic longitudinal sectional view showing a vaporizer according to a sixteenth embodiment of the present invention.
  • a filter member 234 is disposed between the side wall 231 and the honeycomb-shaped finoleta member 232.
  • the filter member 234 is connected and fixed to the side wall 231 by a fixing member 235.
  • These filters are located between the filter member 23 and the filter member 24.
  • a space 230D is formed over the entire surface of the filter.
  • the other points, that is, the filter member 232 and the heating means 233 are the same as in the fifteenth embodiment shown in FIG. 17A.
  • the amount of mist particles introduced into the supply line is further reduced by disposing the filter member 234 downstream of the honeycomb-shaped filter member 232.
  • the effect is that it can be done.
  • the filter member 234 be configured so as to capture finer residual mist than the filter member 234.
  • the same member as the filter member 133 shown in the first embodiment can be used.
  • the filter member 234 is heated indirectly via the side wall 231 or by radiant heat from the filter member 232. The heat of the heating means is transmitted to the filter member 234 via a heat transfer portion 235 (a spacer), similarly to the filter member 133 of the embodiment shown in FIG. You.
  • fixing means 235a for fixing the filter member 234 to the heat transfer portion 235 and the side wall 231 is used.
  • a heating means may be disposed inside the filter member 232 similarly to the filter member 232 of the fifteenth embodiment.
  • a heating means may be provided in the side wall 2 31. In any case, it is preferable that the heated finoleta member 234 is controlled to the same temperature as the vaporizing surface (inner surface) of the vaporizing chamber.
  • a relatively large residual mist can be captured and vaporized by the filter member 232, and a relatively small residual mist can be captured by the filter member 234. It is configured to Therefore, mist removal efficiency can be improved. At the same time, clogging of each of the filter members 23, 23 can be reduced.
  • FIG. 18A is a schematic longitudinal sectional view showing a vaporizer according to a seventeenth embodiment of the present invention. Also in the seventeenth embodiment, the structure other than the transmission unit 330 is the same as that in the first embodiment.
  • the delivery section 3330 has an outer wall 331 and an inner wall 332 facing the vaporization space 110A inside the outer wall 331.
  • a gas raw material delivery path 331a is formed on the outer wall 331.
  • a communication hole 332a is formed on the inner wall 332, for communicating the evaporating space 110A with the inner space 33OA of the sending portion 330.
  • Heating means 33 such as a heater is arranged inside the inner wall 3 32.
  • the inner space 33OA is defined by the outer wall 3311 and the inner wall 3332.
  • a filter member 334 is disposed in the internal space 33OA.
  • the filter member 334 is in thermal contact with the heat transfer portion 335 at a portion other than the outer edge ⁇ .
  • the heat transfer section 335 is configured to receive the heat generated by the heating member 333 from the inner wall 332 and transmit the heat to a portion other than the outer edge of the filter member 334.
  • the filter members 334 are connected and fixed to the inner wall 332 via the heat transfer portions 335, respectively. More specifically, the filter member 334 is fixed to the heat transfer portion 335 and the inner wall 332 by fixing means 335a. That is, the heat transfer section 335 also functions as a support member for supporting the filter member 334.
  • the gas source generated in the vaporization space 110 A The material is introduced into the internal space 33OA through the communication hole 3332a.
  • the gaseous raw material introduced into the internal space 330A passes through the filter member 334, and is discharged from the gas raw material discharge passage 331a.
  • the filter member 334 is heated by the heating means 333 via the heat transfer portion 335, fine residual mist existing in the gaseous raw material adheres. Can be reliably vaporized.
  • a plurality of heat transfer portions 335 are in thermal contact with the filter member 334 at portions other than the outer edge portion, which are distributed. For this reason, since the entire filter member 3334 is more uniformly heated, temperature variations are reduced, and local clogging and the like can be prevented. Also in this case, it is preferable that the heated filter member 334 be controlled to the same temperature as the vaporizing surface (inner surface) of the vaporizing chamber.
  • the inner wall 332 of the delivery unit 3330 is disposed so as to face the vaporization space 11OA of the vaporization chamber 110.
  • the heating means 3 33 since the heating means 3 33 is disposed inside the inner wall 3 32, the heating means 3 33 also contributes to the vaporization of the raw material in the vaporization space 110 A.
  • the communication hole 332a provided in the inner wall 332 is formed at a position deviated toward the spray means (spray nozzle: not shown). This reduces the possibility that the mist sprayed into the vaporizing space 11OA is directly captured by the filter member 334 through the communication hole 332a.
  • FIG. 18B shows a vaporizer according to an eighteenth embodiment of the present invention. It is a schematic longitudinal cross-sectional view.
  • the heating means 4 32 is housed and arranged inside the side wall 4 31.
  • the filter member 433 is disposed inside the side wall 4331.
  • the filter member 433 is in a state in which a portion other than the outer edge portion is in thermal contact with a heat transfer portion 434 (spacer) formed by projecting from the side wall 431.
  • the heat transfer section 434 is connected and fixed to the filter member 433 and the side wall 431, respectively. More specifically, the filter member 433 is fixed to the heat transfer section 4334 and the side wall 431 by the fixing means 4334a. That is, the heat transfer section 434 also functions as a support member that supports the filter member 433. Even in this case, the heated filter member 4 3 4 is used for the vaporization of the vaporization chamber.
  • FIG. 19 is a schematic vertical sectional view showing a carburetor according to a nineteenth embodiment of the present invention.
  • the vaporizer 500 of this embodiment has a raw material vaporizing section 5110, a spraying section 5200, and a sending section 5300.
  • the raw material vaporizing section 510 has a side wall 51, a vaporizing surface 5111A forming an inner surface of the side wall 510, and a heating means 512 such as a heater disposed inside the vaporizing surface 511A.
  • the spraying means 520 is provided with a raw material supply pipe 521, a gas supply pipe 522 for atomization, and a spray nozzle 523.
  • the spray nozzle 523 sprays the raw material at the pressure of the spray gas.
  • the raw material and the gas for atomization are respectively introduced into the inside thereof, and the material is sprayed from a plurality (three in the example in the figure) of the atomizing gas by the gas for atomization. Let it be sprayed Is composed of More specifically, the introduced raw material is divided into a plurality of raw material supply paths 523 V through the raw material diffusion chamber 523 s. These raw material supply paths 52 3 V communicate with the above-mentioned spray ports 52 3 a.
  • the atomizing gas was diverted to a path formed coaxially with the material supply path 52 3 V through the atomizing gas diffusion chamber 52 3 t, and was supplied through each material supply path 52 3 V.
  • the raw material is sprayed at the spray port 5 2 3a.
  • only one raw material supply pipe 521 for supplying the raw material to the spray nozzle 523 is illustrated, but a plurality of raw material supply pipes 521 may be provided as necessary. It can be.
  • a plurality of kinds of raw materials supplied through a plurality of raw material supply pipes 52 1 are mixed immediately before spraying in a spray nozzle 52 3, and this mixture is sprayed together with a spray gas into a plurality of sprays.
  • Spray (matrix spray) by sharing with mouth 5 2 3a.
  • the vaporizing surface 5111A which is the inner surface of 5111, is formed in a substantially spherical (hemispherical) shape. As a result, the spray port 5 2 3 a
  • the distance to 1 A is almost constant regardless of the spray direction of the mist. Due to the fact that the amount of mist sprayed on the vaporized surface 511 A is almost uniform on the spherical surface, the spray nozzle The mist sprayed from 5 2 3 can be efficiently vaporized.
  • a side wall 531 and a honeycomb-shaped filter member 532 disposed inside the side wall 531 are provided on the side wall 531.
  • a gas source delivery path 531a is formed on the side wall 531.
  • the filter member 5332 is provided with a receiving hole (or a receiving hole, hereinafter the same) 5332a formed in a direction intersecting with the flow direction of the gaseous raw material.
  • the storage hole 532a may be formed so as to be substantially perpendicular to the flow direction of the raw material gas so that the residual mist / solids re-evaporate on the filter member.
  • a heating means 53.3 composed of a heater or the like is arranged on the outer peripheral side in the accommodation hole 532a.
  • a large number of pores 532b penetrating in the direction of the flow path of the gaseous raw material are formed in the filter member 532. These pores 532b communicate between the vaporization space 5110A and the internal space 53OA of the delivery section 5330.
  • the filter member 532 is provided on the side of the spray nozzle 523 with respect to the vaporization space 510A. More specifically, filter member 532 is arranged around spray nozzle 523 so as to surround spray nozzle 523 so as to face vaporizing surface 5111A. On the opposite side (behind) the spray nozzle 52 3 in the spray direction, an internal space 53 OA of the delivery section 53 0 is defined. Further, the gas raw material delivery path 531a is formed further behind it. With this configuration, the force S is prevented from the mist sprayed from the spray nozzles 52 23 directly adhering to the filter member 52 3. In this case, as in the first embodiment, the shielding plate 1 3 4 It is not necessary to provide.
  • the filter member 532 is substantially uniformly heated by the heating means 533 disposed therein. Therefore, the fine residual mist flowing together with the gaseous raw material generated in the vaporizing space 5110 A by the vaporizing surface 511 A adheres to the filter member 532 and is re-vaporized here. .
  • the gaseous raw material passes through the pores 5332b, is guided to the internal space 53OA, and is finally discharged through the gaseous raw material discharge passage 5311a.
  • the dimensions of the pores 532b formed in the filter member 532 are designed in the same manner as in the second embodiment.
  • a filter member 534 indicated by a broken line in the drawing may be provided in the internal space 53OA (between the filter member. 532 and the gaseous material delivery path 531a). I like it.
  • the filter member 534 the same one as the filter member of the first embodiment or the fifteenth embodiment can be used.
  • the heat transfer section is configured to transmit the heat to the filter member 532 and the heat to the filter member 534.
  • the heating means may be incorporated in the side wall 531, a heat transfer section may be attached to the side wall 531, and this heat transfer section may be brought into thermal contact with the filter member 534. .
  • the spraying means 620 includes a plurality of (three in the illustrated example) raw material supply pipes 621 and a spray gas supply pipe 622. And spray nozzles 6 2 and 3 are provided. Each of the raw materials supplied from the plurality of raw material supply pipes 6 21 is individually mixed in advance in the spray nozzle 6 23, and corresponds to each of the plurality of spray ports 6 2 3 a. It is configured to be sprayed together with the spray gas.
  • This configuration is applied, for example, when PZT (lead zirconate titanate) is formed by supplying three kinds of gaseous materials (derivatives of Pb, Zr, and Ti (organometallic compounds)).
  • PZT lead zirconate titanate
  • Ti organometallic compounds
  • the spraying means 620 has the same effect as the spraying means 520 of the nineteenth embodiment. Furthermore, by forming a dedicated spray port 623a for each raw material, the spray mode (raw material spray amount, mixed spray gas amount, water spray pressure, etc.) can be adjusted for each raw material. It has the advantage that it can be adjusted.
  • 20C and 20D are a schematic front view and a schematic side view showing another modified example of the spraying means.
  • a plurality of raw material supply pipes 7 21, a gas supply pipe 7 22 for spraying, and a spray nozzle 7 23 are arranged in the mist means 720.
  • the spray nozzle 23 is provided with a gas raw material introduction port 72B-D that communicates with the plurality of raw material supply pipes 721, respectively.
  • the raw materials supplied from the plurality of raw material supply pipes 72 1 are sequentially injected into the gas raw material introduction blocks 72 3 D, 72 3 C, and 72 B inside the spray nozzle 72 3. It is introduced into the conduit communicating with the mist port 7 2 3a and mixed.
  • the plurality of raw materials are sprayed from the spray port 72 a together with the spray gas coaxially introduced through the spray gas diffusion chamber 72 A.
  • the spraying means 720 a plurality of types of raw materials can be uniformly mixed. For this reason, since the mixed raw material is vaporized in the vaporization space and supplied to the film formation chamber, there is an effect that the reproducibility of the composition ratio of the film is improved.
  • reaction processing apparatus semiconductor processing apparatus
  • This reaction processing apparatus is, for example, a CVD apparatus for forming a thin film using a gaseous raw material.
  • This reaction processing apparatus includes a raw material supply section 200, a vaporizer 100 (500) for vaporizing the raw material supplied from the raw material supply section 200, and a vaporizer. And a reaction processing section 300 for performing processing using the generated gaseous raw material.
  • FIG. 22 is a schematic configuration diagram showing the internal configuration of the raw material supply unit 200.
  • the raw material supply section 200 is provided with raw material containers 202 A to 202 C for storing the raw materials A to C, and the liquid supply line 204 from the raw material containers 202 A to 202 C is provided.
  • Raw materials A to C are supplied to the vaporizer 100 (500) at a controlled flow rate through A to 204C.
  • a ferroelectric thin film is formed as a material for a short conductor device, Pb, Zr, Ti (PZT) or Pb, Zr, Ti, Nb (PZTN ), Organic metal compounds such as B a, S r, T i for forming a high dielectric thin film, and B for forming a superconducting thin film. 1, Sr, Cu, etc. are used respectively.
  • the number of raw materials and raw material containers is not limited to the illustrated example, and any number may be provided as necessary.
  • a solvent container 202D is provided, and the solvent prepared in this container is supplied through a liquid sending line 204D. Further, a drain line 203 connected to each of the feed lines 204A to 204D of the raw material containers 202A to 202C and the solvent container 202D is provided.
  • a drain container 202E connected to the drain line 203 is provided.
  • Fluid flow control means on the way to each downstream
  • a flow controller such as a mass flow meter
  • the liquid sending lines 204 A to 204 D extend further downstream from the fluid flow rate control means and feed the respective raw materials to the vaporizer 100 (500).
  • Each of 205 A to 205 D adjusts the flow rate in response to a controller (not shown) or a control signal.
  • the raw material supply unit 200 has gas supply lines 206 A to 206 D branched from a gas introduction line 206 for introducing an inert gas or the like.
  • the raw materials A to C and the solvent are sent to the respective liquid supply lines 204 A to 204 D by the pressure generated by the gas supply from the gas supply lines 206 A to 206 D. .
  • Between the liquid supply line 204 D for supplying the solvent and each liquid supply line 202 A to 202 C for supplying the raw material and the gas supply line 206 A to 206 C Is connected to a solvent supply line 207.
  • exhaust system (Not shown) Connected to vacuum line 208 cadrain vessel 202E connected to.
  • a check valve CH is interposed between the gas supply lines 206 A to 206 D, and an on-off valve DV (diaphragm valve) is interposed in place as shown in all lines. Is done. Further, it is preferable that a separator (a deaerator: not shown) is interposed at a position upstream of the liquid flow rate adjusting means 205A to 205D of the raw material supply line.
  • a separator a deaerator: not shown
  • the raw material vaporized in the vaporization chamber 110 is sent to the delivery section 130 (150, 150).
  • the delivery section 130 150, 150.
  • 0 's 1 5 0 ⁇ , 1 6 0, 1 6 0' ⁇ 1 5 0 X s 1 5 0 Y, 1 5 0 ⁇ 1 7 0, 1 7 0 ', 1 8 0, 1 9 0, 2 3 0, 330, 430, 530 to the raw material supply line 140.
  • the raw material supply line 144 is provided with a raw material supply path 141 and exhaust paths 144 and 144 connected to an exhaust system (for example, a vacuum pump).
  • the raw material supply path 14 1 is provided with the above filter members (13 3, 15 3, 15 3 ′, 16 3, 15 3 ⁇ , 15 3 ⁇ , 17 3, 18 3,
  • a gaseous raw material re-evaporation filter 142 provided with 193, 232, 334, 433, 532) is provided.
  • These re-evaporation filters 14 2 are connected to the above-mentioned sending sections (130, 150, 150 ′, 150 °, 160, 160 ′, 150X, 150). 0 ⁇ , 150 0, 170 0, 170 0 ', 180, 190, 230, 330, 430, 530).
  • the re-vaporization filter 142 differs in that it is disposed separately from the vaporizer, despite having the same configuration as the above-mentioned sending section.
  • the supply structure of the vaporized raw material only one of the above-described delivery unit and the re-vaporization filter 142 may be provided.
  • the processing section 300 has a reaction chamber 301 in which a susceptor 304 is disposed for placing a substrate to be processed such as a semiconductor wafer.
  • a gas inlet (shower head) 303 is provided so as to face the susceptor 304.
  • the shower head 3003 introduces the gaseous raw material (introduced together with the appropriate carrier gas) supplied from the vaporizer 100 (500) into the reaction chamber 301. Is done.
  • the shower head 303 also has a reaction gas (for example, an oxidizing gas such as oxygen gas) supplied from a separate gas introduction pipe 303 introduced into the reaction chamber 301.
  • An exhaust pipe 303 is connected to the reaction chamber 301 in order to exhaust the inside of the reaction chamber 301.
  • the delivery section of the vaporizer (130, 150, 150 ', 150 ⁇ , 160, 160', 150X150Y, 150 ⁇ , 170, 170 ′, 180, 190, 230, 330, 430, 530) or re-evaporation filter 144 It is possible to greatly reduce the amount of mist particles introduced into 01. For this reason, it is possible to improve the quality of the processing (for example, film forming processing) performed in the reaction chamber 301.
  • the filter member disposed therein is used. Be more evenly heated TJP2004 / 006609
  • FIG. 23 is a schematic configuration diagram showing a reaction processing apparatus (semiconductor processing apparatus) according to another embodiment of the present invention.
  • the raw material is supplied from the raw material supply unit 200 to the vaporizer 100 (500), and the raw material is supplied from the vaporizer 100 (500) to the raw material supply path 144. It is the same as described above in that it is supplied to the processing unit 300. However, the difference is that a purge line 144 for supplying an inert gas such as Ar gas is introduced into the raw material supply path 141. In this configuration example, the re-vaporization filter 142 and the exhaust gas path 144 are not provided.
  • the distance from the vaporizer 100 (500) to the reaction chamber 301 (the length of the raw material supply path 141) is made as short as possible so that the inside of the raw material supply path is reduced. To reduce the amount of vaporized gas in the air. As a result, generation of particles in the raw material supply system can be suppressed, and the quality of the film formed in the reaction chamber 301 can be improved.
  • Figure 24 shows the change in the internal pressure of the vaporization chamber over time (dependence of the internal pressure on the supply time of the raw material) with the vaporizer of the second embodiment and the conventional vaporizer (the filter member was simply installed in a conventional manner). This is a graph that is shown in comparison with the above.
  • the upper limit pressure was exceeded before the raw material supply time reached 100 hours, as indicated by the line L2. For this reason, a purging process in which an inert gas such as N 2 is passed while heating is performed. Although the internal pressure was reduced occasionally, the upper limit pressure was exceeded again shortly thereafter (note that the purge process period is omitted in the figure). This is presumably because a large amount of solid matter adhered to the filter member and reduced the conductance.
  • the vaporizer of the second embodiment as shown by the line L1, even if the raw material supply time exceeds 600 hours, the material does not reach the upper limit pressure much, and is compared with the conventional structure. As a result, it was found that the decrease in conductance was significantly suppressed. In the second embodiment, the decrease in the conductance hardly occurs as described above, but this does not mean that the filter member is not functioning. In the second embodiment, it has been experimentally confirmed that the amount of particles flowing into the reaction chamber is reduced to less than half compared to the conventional structure.
  • the amount of particles flowing into the reaction chamber is greatly reduced by the in-line filter connected to the downstream side.
  • the in-line filter is connected to the downstream side. Even if the in-line filter is removed, the particles that reach the reaction chamber
  • the supply structure of the vaporized raw material, the vaporizer, and the reaction treatment device of the present invention are not limited to the above-described illustrated examples, and various changes can be made without departing from the gist of the present invention.
  • the feature points of the side wall, the internal space, the heating means, the filter member, the shielding plate, the heat transfer portion (heat conduction column), and the flow opening portion shown in any of the above embodiments are independent.
  • the present invention is also applicable to other embodiments, and is not limited to combinations with other configurations shown in the respective embodiments.
  • a vaporizer capable of reducing mist and particles in a gas raw material.

Abstract

気化器は、液体原料を気化させて気体原料を形成する気化室(110)を有する。気化室に液体原料を噴霧するため、噴霧部(120)が配設される。気化室からガス出口(131SO)へ気体原料を送出するため、送出部(130)が配設される。気化器を加熱するように加熱部(112、132)が配設される。送出部(130)は、気体原料を通過させるようにガス出口を覆うフィルタ部材(133)を有する。ガス出口と反対側でフィルタ部材を被覆するように遮蔽板(134)が配設される。

Description

明 細 書
気化器及び半導体処理装置
技術分野
本発明は、 液体原料を気化させて気体原料を生成するため の気化器及びこれを利用 した半導体処理装置に関する。 こ こ で 、 半 導 体 処 理 と は 、 ウ ェ ハ や L C D (Liquid crystal di sp lay)や F P D ( Flat P anel Di splay ) 用のガラス基板な ど の被処理基板上に半導体層、 絶縁層、 導電層な どを所定のパ ターンで形成するこ と によ り、 該被処理基板上に半導体デバ イ スや、 半導体デバイスに接続される配線、 電極などを含む 構造物を製造するために実施される種々の処理を意味する.。 背景技術
一般に、 半導体デバイスにおける薄膜形成技術と して、 C V D (化学気相成長) 法が知られている。 半導体デバイ スを 製造する: 程においてキャパシタを構成する場合には、 デバ イ ス の高集積化を図るために高誘電率でリ ーク電流の少ない 誘電体薄膜に対する要請がある。 このため、 このよ う な誘電 体薄膜を形成する場合には、 有機金属材料を原料とする成膜 技術が用いられている。
上記の成膜技術において、 有機金属材料である原料と して は、 通常、 本来液体である もの、 或いは、 適宜の溶媒によ り 液状化されたものが用いられる。 この原料は、 気化器 (原料 気化器) 内において霧状にされて気化され、 成膜装置である 反応室内に供給される。 気化器においては、 有機金属材料が 分解されない温度で十分に気化させる必要がある。 しかし、 実際には、 気化 していない残留ミ ス トが生じた り 、 或いは、 有機金属材料の分解物がパーティ クルと して発生 した りする。 このため、 これらの ミ ス トゃパーティ クルが反応室にて成膜 される薄膜の品位を低下させる と い う 問題点がある。
そこで、 従来から、 気化器の出 口 にフィルタを設置してミ ス トゃパーティ クルを除去する構成が知られている (例えば、 特開平 7 — 9 4 4 2 6号公報、 特開平 8 — 1 8 6 1 0 3 号公 報、 米国特許第 6 2 1 0 4 8 5 号公報参照) 。 また、 気化原 料の流路に対して垂直又は流路を妨げる よ う な角度で設けら れた気化板を設け、 この気化板の内部にヒータを設置して気 化を促進させる といった構造も知 られている (例えば、 特開 平 6 — 3 1 0 4 4 4号公報参照) 。
また、 気化チャ ンパ内の原料の噴霧方向に対向配置された 内面部分に、 他の気化チャ ンバの内面とは独立に温度制御可 能な気化面を設けた気化器が知 られている (例えば、 特開 2 0 0 2 — 1 1 0 5 4 6 号公報参照、 特にその囱 7及ぴ図 8 の 構造〉 。 この気化面の温度は他の内面温度よ り も高く なる よ う に設定される。 従来の構造では、 原料の噴霧方向に対向配 置された内面部分に原料が集中的に噴霧されたと き、 当該内 面部分の温度低下によ り未気化残渣が生じる可能性がある。 この気化器では、 このよ う な未気化残渣を低減させる こ と力 S でき、 気化量の増加を図る こ とができ る。
しかしなが ら、 上記従来の気体原料供給系においては、 ミ ス トゃパーティ クルによ り フ ィ ルタの 目詰ま り が生ずる。 こ れによって短期間にコンダク タ ンスが低下して しま う と共に、 気化器の内部圧力が上昇する。 このため、 気体原料の供給量 や気化器における気化効率が低下する。 従って、 気体原料の 供給量や気化効率を確保するためには、 フ ィ ルタ の清掃や交 換を頻繁に行わなければな らず、 装置の稼働率が低く なる と い う 問題点がある。
一方、 上記従来のヒ ータ内蔵の気化板を用いる方法では、 気化板によ る ミ ス ト の捕捉率を高めよ う とする と、 気体原料 の通気経路に広く 張り 出すよ う に設置する必要がある。 この 場合、 気化器の気化効率が低下する とい う 問題点がある。 ま た、 このよ う な気化板では、 パーティ クルに対する捕捉効果 はほとんど期待できないとい う 問題点もある。
更に、 上記従来の独立に温度制御可能な気化面を設けた気 化器においては、 原料の噴霧方向に対向配置された内面部分 の温度を独立に制御する。 これによ り 、 気化チャ ンバ内の原 料の気化効率を高める。 しかし、 この気化面に接触しないミ . ス ト に対してはほとんど影響を与える こ とができない。 この ため、 当該気化面を経由する こ と なく 直接に気化チャ ンバの 出口であるガス導出口 に向かう未気化残渣ゃパーティ クルの 排出を抑制する こ とができないとい う 問題点がある。
発明の開示
本発明の 目的は、 気体原料中の ミ ス ト及びパーティ クルを 低減でき る気化器を提供する こ と にある。
本発明者は、 本発明の開発の過程において、 この種の気化 器について研究を行い、 その結果、 以下に述べる よ う な知見 を得た。 即ち、 気化器などの第 1気化部において気化されて生成さ れた気体原料の通過経路 (第 2気化部) にフ ィ ルタ部材を配 置し、 こ の フ ィ ルタ部材を実質的に第 1気化部の加熱温度と 同様の温度となる よ う に加熱する こ と によ り 、 気体原料中に 含まれる残留ミ ス ト を捕捉する と 同時に再気化させる'こ と力 s でき る。 これによつて、 気体原料中の残留ミ ス トやパーティ クルを捕捉する こ と ができ、 高純度の気体原料を供給でき る。 また、 捕捉された残留ミ ス トは加熱されたフ ィ ルタ部材によ つて再気化されるため、 フィルタ部材の 目詰ま り も低減され る。 このため、 気化器內の気化効率も長期間維持され、 気化 器の内部圧力の上昇も抑制される。 従って、 メ ンテナ ンス の 頻度も低減され、 装置の稼働率を向上させる こ と ができ る。
と ころで、 フィルタ部材の加熱態様と しては、 フィルタ部 材の外部に加熱手段を設け、 外部からフ ィ ルタ部材を加熱す る場合と、 フ ィ ルタ部材の内部に加熱手段を設け、 フ ィ ルタ 内部から加熱を行う場合と が考えられる。 前者の場合には、 輻射熱や伝導熱によってフィルタ部材を加熱する こ と になる が、 気体原料の流路中に加熱手段を配置するわけにはいかな いので、 フ ィ ルタ部材を均一に加熱する構成が要求される。 フィルタ部材の温度が不均一になる と、 捕捉された残留ミ ス ト の加熱温度にばらつきが発生し、 フ ィ ルタ部材に局所的な 目詰ま り が発生する可能性がある。 例えば、 フ ィ ルタ部材の 取付部位である外縁部を原料の分解を招かない程度に比較的 高温となる よ う に加熱しても、 フ ィ ルタ の中央部はガスゃミ ス ト に接触する こ と によって冷却されて温度が低下する。 こ のため、 ミ ス ト を気化させる こ と ができず、 目詰ま り を招く といった問題点がある。
本発明の第 1 の視点は、 気化原料の供給構造であって、 原 料を気化する第 1気化部と、 該第 1 気化部にて気化された気 体原料の通過経路に設け られた第 2気化部と を有し、 '前記第 2気化部には、 前記通過経路に配置された通気性を有するフ ィ ルタ部材と、 前記フ ィ ルタ部材の外縁部以外の部位に熱接 触して加熱手段にて発生した熱を伝える伝熱部と を有する。
第 1 の視点によれば、 第 1気化部によって原料が一旦気化 された後に、 気体原料中の残留ミ ス ト を第 2気化部によ って 再度気化させる こ とができ るため、 気体原料中の ミ ス ト を.低 減する こ とができ る。 また、 伝熱部によって加熱手段にて発 生した熱がフ ィ ルタ部材の外縁部以外の部位に伝えられるた め、 フィルタ部材の温度を均一化する こ と が可能にな り 、 そ の結果、 フ ィ ルタ部材においてよ り 均一に、 或いは、 よ り 広 い面積において ミ ス ト を気化させる こ とが可能になる。 また、 局所的な原料の集中付着が生じに く く なるので、 フ ィ ルタ部 材の 目詰ま り を低減する こ とができ る。 この場合、 気化器内 の気化効率の低下や第 1 気化部の内部圧力の上昇などを抑制 でき るため、 気化器の連続動作可能時間を大幅に増大させる こ と ができ る。 また、 清掃や交換などのメ ンテナンス作業を 容易にする こ と ができ る。 また、 フィルタ部材によ り 第 1気 化部で発生した ミ ス トゃパーティ クルを捕捉する こ とができ るため、 気体原料を用いた高品位の処理を行う こ とが可能に なる。 こ こで、 フィルタ部材と しては、 例えば、 多孔質 (ポーラ ス) 構造、 細孔を多数有する板状構造、 繊維状物質を圧縮し た構造、 網目 (メ ッシュ) 構造な どを有する ものを挙げる こ とができ る。
なお、 フ ィルタ部材の複数の部位に夫々熱接触する複数の 上記伝熱部が設け られている こ と が望ま しい。 これによつて、 フィルタ部材の温度の均一性をよ り 高める こ とが可能になる。 これらの複数の伝熱部が熱接触するフ ィ ルタ部材の部位は、 上記通過経路の断面 (気体原料の流路方向 と直交する仮想平 面) 上においてほぼ均一に分散配置される こ とが望ま しい。 こ こで、 フ ィ ルタ部材は、 その外縁部もまた加熱される こ と が望ま しい。
また、 上記の伝熱部と しては、 加熱手段若しく は加熱手段 を内蔵した部材に設け られフ ィルタ部材に向けて突出した突 起、 加熱手段若しく は加熱手段を内蔵した部材と フ ィ ルタ部 材と の間に介揷される別部材、 フ ィルタ部材 設け られ加熱 手段若しく は加熱手段を内蔵した部材に向けて突出した突起、 のいずれであっても よい。 また、 加熱手段若しく は加熱手段 を内蔵した部材と、 伝熱部と、 フ ィルタ部材の う ちの少なく と も 2つを相互に固定するための固定ネジな どの固定手段が 設け られている こ とが望ま しい。
この場合に、 前記伝熱部若しく は前記フ ィ ルタ部材の温度 に基づいて温度制御を行う こ とが好ま しい。 加熱手段から熱 を受ける伝熱部或いはフィルタ部材の温度に基づいて温度制 御を行う こ と によ り、 フィルタ部材の温度制御性を向上させ る こ とができ る。 例えば、 伝熱部若しく はフィルタ部材の内 部に温度センサの温度検出点を配置し、 この温度センサの出 力に基づいて加熱手段を温度制御回路などによ り 制御する こ とができ る。 また、 伝熱部若しく はフ ィ ルタ部材に、 チャ ン バと は別の加熱手段を設けても よい。 この場合、 当該'加熱手 段による伝熱部若しく はフ ィ ルタ部材の温度はチャ ンバ と 同 じ温度になる よ う に制御される こ とが好ま しい。
本発明の第 2 の視点は、 気化原料の供給構造であって、 原 料を気化する第 1 気化部と、 該第 1気化部にて気化された気 体原料の通過経路に設けられた第 2気化部と を有し、 前記第 2気化き Mこは、 前記通過経路に配置された通気性を有するフ ィルタ部材と、 該フィルタ部材の内部に配置された加熱手段 と を有する。
第 2の視点によれば、 フ ィルタ部材の内部に加熱手段を配 置する こ と によ り 、 フ ィ ルタ部材を効率的に加熱でき る と共 にその表面温度のばらつきを低減する こ と ができ る。 このた め、 ミ ス トや固形物をフ ィ ルタ部材で ト ラ ップし、 付着 した 残留ミ ス ト を均一に気化させるこ とが可能になる。 その結果、 フ ィ ルタ部材に局所的に残留ミ ス トが堆積して目詰ま り を起 した り 、 パーティ クルが発生した りする こ と を防止でき る。
こ こで、 第 1 及び第 2 の視点において、 第 1気化部は、 例 えば、 従来公知の気化器と して構成する こ と ができ る。 この 気化器と しては、 加熱された内面を備えた気化室と、 この気 化室内に原料を噴霧する嘖霧手段と を備えたものを挙げる こ とができ る。 また、 第 2気化部は、 気化器の下流側に接続さ れたライ ンフィルタな どによ り構成する こ と ができ る。 なお、 気化原料の供給構造と しては、 上記第 1 気化部及び第 2気化 部を共に単一の気化器内に設けたものであっても よい。
本発明の第 3 の視点は、 反応処理装置 (半導体処理装置) であって、 上記のいずれかに記載の気化原料の供給構造と、 該供給構造によって供給される気体原料を反応させる反応室 と を有する。 これによつて、 気化原料の供給構造によって供 給される気体原料中の ミ ス トゃ固形物等のパーティ クルの量 を低減する こ とができ るため、 反応室における処理品位を向 上させる こ とができ る。 この反応処理装置と しては、 気体原 料を熱源等のエネルギーを用いて反応室内において反応ざせ る こ と によって種々 の処理を行 う もの、 例えば半導体気相成 膜装置、 液晶気相成膜装置、 化合物半導体気相成膜装置、 気 相エッチング装置な ど、 を広く 包含する。 特に、 気相成膜装 置 ( C V D装置) である場合には、 高品位の薄膜を形成する 上できわめて効果的である。
本発明の第 4 の視点は、 原料を気化させるための気化室と、 該気化室に原料を嘖霧する噴霧手段と、 前記気化室に開 口 し、 気体原料を原料供給ライ ンに送出するための送出部と を有す る気化器において、 前記送出部に設置された、 通気性を有す るフ ィルタ部材と、 前記フ ィルタ部材の外縁部以外の部位に 熱接触して加熱手段にて発生した熱を伝える伝熱部と を有す る。
これによつて、 気化器の送出部内において残留ミ ス トが再 気化された り 、 固形物が ト ラ ップされた り する。 このため、 供給される気体原料中の ミ ス トゃ固形物の量を低減する こ と ができ る。 こ こで、 フ ィ ルタ部材には、 伝熱部によって外縁 部以外の部位に加熱手段の熱が伝達されるため、 フ ィ ルタ部 材の温度のばらつきが低減される。 このため、 よ り 均一な再 気化作用を得る こ と ができ、 フ ィ ルタ部材における局部的な 原科の堆積 (目詰ま り ) を低減する こ とができる。 また、 気 化室で発生した ミ ス トゃパーティ クルを捕捉する こ とができ るため、 気体原料を用いた高品位の処理を行 う こ とが可能に なる。
この場合に、 前記伝熱部若しく は前記フ ィ ルタ部材の温度 に基づいて温度制御を行う こ とが好ま しい。 加熱手段から.熱 を受ける伝熱部或いはフ ィ ルタ部材の温度に基づいて温度制 御を.行う こ と によ り 、 フ ィ ルタ部材の温度制御性を向上させ る こ とができる。 例えば、 伝熱部若しく はフィルタ部材の内 部に温度センサの温度検出点を配置し、 この温度センサの出. 力に基づいて加熱手段を温度制御回路などによ り制御する こ とができ る。 また、 伝熱部若しく はフ ィ ルタ部材に、 チャ ン パと は別に加熱手段を設けても よい。 この場合、 当該加熱手 段による伝熱部若しく はフ ィ ルタ部材の温度は、 チャ ンバ と 同 じ温度に制御される こ と が好ま しい。
なお、 フィルタ部材の複数の部位に夫々熱接触する複数の 上記伝熱部が設けられている こ とが望ま しい。 これによつて、 フィルタ部材の温度の均一性をよ り 高める こ とが可能になる。 これ らの複数の伝熱部が熱接触するフ ィルタ部材の部位は、 上記送出部の断面 (気化室から送出部に向か う方向 と直交す る平面) 上においてほぼ均一に分散配置される こ とが望ま し い 0
本発明の第 5 の視点は、 原料を気化させるための気化室と 、 該気化室に原料を噴霧する噴霧手段と、 前記気化室に開 口 し、 気体原料を原料供給ライ ンに送出するための送出部と を有す る気化器において、 前記送出部に設置された、 通気性を有す るフ ィ ルタ部材と、 該フィ ルタ部材の内部に配置された加熱 手段と を有する。
第 5 の視点において、 前記気化室の内部と前記フィ ルタ部 材と の間に遮蔽板が配置される こ とが好ま しい。 遮蔽板を配 置する こ と によって、 気化室から送出部に進入したミ ス ト.が フィルタ部材に直接接触しにく く なる。 このため、 気化室に おいて気化されずにそのまま直接送出部を通過する残留ミ ス トの量を低減する こ と ができ る。 その結果、 フィルタ部材に ミ ス ト が付着して、 気化されずに堆積した り 、 フ ィルタ部材 から多ぐの熱を奪って局所的に温度を低下させた りする事態 を回避でき る。
また、 前記フ ィ ルタ部材は、 前記送出部のみを取り 外し若 しく は分解する.こ と によ り 着脱可能に構成される こ とが好ま しい。 これによれば、 気化器の他の構成部分、 例えば、 噴霧 手段や気化室全体を分解しなく ても、 送出部を取り外し、 或 いは、 分解するだけでフ ィ ルタ部材を取り 外した り装着した りする こ とができ る。 このため、 フィルタ部材の清掃や交換 などのメ ンテナンス作業を容易に行う こ とができ る。
本発明の第 6 の視点は、 原料を気化させるための気化室と、 該気化室に原料を噴霧する嘖霧手段と、 前記気化室に開 口 し、 気体原料を原料供給ライ ンに送出するための送出部と を有す る気化器において、 前記気化室に臨む位置において流通開 口 部を確保しつつ前記送出部を覆う よ う に配置された遮蔽板と、 該遮蔽板に熱接触して加熱手段にて発生した熱を伝える伝熱 部と を有する。
第 6 の視点によれば、 気化室に臨む位置において送出部を 覆う よ う に遮蔽板を配置する こ と で、 気化室で気化されない 残留ミ ス トゃパーティ クルが直接に送出部に到達する こ と を 防止でき る。 このため、 原料供給ライ ンに到達する残留ミ ス トゃパーティ クルを低減でき る。 また、 遮蔽板には伝熱部.を 介して加熱手段の熱が伝達されるため、 加熱された遮蔽板そ のものによっても気化作用を果たすこ とができる。 このため、 残留ミ ス ト を遮蔽板によって気化させる こ と によ り気化効率 を向上させる こ とができ る。 なお、 気化室や遮蔽板によって 気化された気体原料は、 上記流通開口部を通 して送出部の内 部空間に導入され、 やがて原料供給ライ ンへ送出される。
この場合に、 前記遮蔽板の外縁部以外の部位に熱接触する 前記伝熱部を有する こ とが好ま しい。 これによつて、 遮蔽板 の温度均一性を向上できる。 また、 前記伝熱部若しく は前記 遮蔽板の温度に基づいて温度制御を行う温度制御手段を有す るこ とが好ま しい。
本発明の第 7 の視点は、 原料を気化させるための気化室と、 該気化室に原料を噴霧する噴霧手段と、 前記気化室に開口 し、 気体原料を原料供給ライ ンに送出するための送出部と を有す る気化器において、 前記気化室に臨む位置において流通開口 部を確保しつつ前記送出部を覆う よ う に配置された遮蔽板と 、 該遮蔽板の内部に配置された加熱手段と を有する。
第 7 の視点によれば、 気化室に臨む位置において送出部を 覆う よ う に遮蔽板を配置する こ と で、 気化室で気化されない 残留ミ ス トゃパーティ クルが直接に送出部に到達する こ と を 防止でき る。 このため、 原料供給ライ ンに到達する残留ミ ス トゃパーティ クルを低減できる。 また、 遮蔽板の内部には加 熱手段が配置されるので、 加熱された遮蔽板そのものによつ ても気化作用を果たすこ とができ る。 このため、 残留ミ ス ト を遮蔽板によって気化させる こ と によ り 気化効率を向上させ る こ とができ る。 なお、 気化室や遮蔽板によって気化された 気体原料は、 上記流通開口部を通 して送出部の内部空間に導 入され、 やがて原料供給ライ ンへ送出される。
本発明の第 8 の視点は、 原料を気化させるための気化面を 備えた気化室と、 該気化室に原料を噴霧する噴霧手段と、 前 記気化室の前記気化面を加熱する加熱手段と、 前記気化室に 開口 し、 気体原料を原料供給ライ ンに送出するための送出部 と を有する気化器において、 前記気化面と は別に前記気化室 に臨み、 前記気化室から前記送出部への流通開 口部を確保し つつ前記送出部を覆う よ う に遮蔽する遮蔽板が配置され、 前 記遮蔽板は、 前記加熱手段若しく は前記加熱手段と は別の加 熱手段によ り加熱され、 前記遮蔽板の設定温度は、 前記気化 面の設定温度と 同一である。
第 8の視点によれば、 遮蔽板の加熱温度が気化面と 同一温 度に設定されるこ と によ り 、 遮蔽板において ミ ス ト を気化さ せる こ とができ る。 このため、 遮蔽板によって送出部への残 留ミ ス トゃ固形物の流入を阻止 しつつ、 気化効率を向上させ る こ とができ る。
この場合に、 前記送出部には、 前記送出部の内面及び前記 遮蔽板に熱接触した複数の熱伝導柱が分散配置される こ とが 好ま しい。 送出部において、 その内面と遮蔽板と に熱接触し た複数の熱伝導柱が分散配置される こ と によ り 、 流通開 口部 を通過して送出部に進入した残留ミ ス ト を捕捉し、 気化させ る こ とが可能になる。 このため、 気化効率の向上やパーティ クルの低減を更に図る こ と ができ る。
' 前記遮蔽板は、 前記気化室から前記流通開 口部を通 して直 線状に前記送出部を通過できないよ う に構成される こ とが好 ま しい。 これによつて、 流通開口部を通 して送出部に進入し た ミ ス トゃ固形物がそれよ り も下流側に流出する こ と を抑制 でき る。 特に、 送出部に進入した ミ ス トが送出部の内面に当 つて気化する こ と によ り 、 気化効率を更に高める こ と ができ る。
本発明の第 9 の視点は、 原料を気化させるための気化室と、 該気化室に原料を噴霧する噴霧手段と、 前記気化室に開 口 し、 気体原料を原料供給ライ ンに送出するための送出部と を有す る気化器において、 前記送出部に設置されたフィ ルタ部材と、 前記気化室に臨む位置において流通開 口部を確保しつつ前記 フ ィ ルタ部材を覆う よ う に配置され、 加熱された遮蔽板と を 有する。 第 9 の視点によれば、 送出部にフィ ルタ部材を設置する と 共に、 気化室に臨む位置においてフィルタ部材を覆う よ う に 遮蔽板を設ける。 これによ り 、 残留ミ ス トやパーティ クルが フ ィ ルタ部材に直接到達する こ と を抑制でき、 フィルタ部材 の 目詰ま り を低減する こ と ができ る。 このため、 メ ンテナン ス を容易にする こ とができ る と共に、 加熱された遮蔽板によ つて残留 ミ ス トが気化されるため、 気化効率を高める こ とが でき る。
本発明の第 1 0の視点は、 原料を気化させるための気化面 を備えた気化室と、 該気化室に原料を噴霧する嘖霧手段と、 前記気化室の前記気化面を加熱する加熱手段と、 前記気化室 に開 口 し、 気体原料を原料供給ライ ンに送出するための送出 部と を有する気化器において、 前記送出部に配置されたフィ ノレタ部材と、 前記フ ィ ルタ部材の前記気化室側に配置され、 前記気化面と は別に前記気化室に臨み、 前記気化室から前記 送出部への流通開口部を確保しつつ前記フ ィ ルタ部材を覆う よ う に遮蔽する遮蔽板とが設け られ、 前記フ ィルタ部材及び 前記遮蔽板は、 前記加熱手段若しく は前記加熱手段と は別の 加熱手段によ り加熱され、 前記フ ィ ルタ部材及ぴ前記遮蔽板 の設定温度は、 前記気化面の設定温度と同一である。
第 1 0 の視点によれば、 フ ィ ルタ部材及ぴ遮蔽板の加熱温 度が気化面と同一温度に設定される こ と によ り 、 フィ ルタ部 材及び遮蔽板において ミ ス ト を気化させる こ とができ る。 こ のため、 フ ィ ルタ部材及び遮蔽板によって送出部への残留ミ ス トや固形物の流入を阻止 しつつ、 また、 遮蔽板によってフ ィルタ部材への残留ミ ス ト の到達量を制限しつつ、 気化効率 を向上させる こ とができ る。
前記遮蔽板は、 前記気化室から前記流通開 口部に導入され た仮想直線が前記フ ィ ルタ部材に到達しないよ う に構成され る こ とが好ま しい。 これによれば、 気化室から流通開口部を 通過 して送出部に入る残留ミ ス ト が直接にフ ィ ルタ部材に通 過する こ と を低減でき る。 こ のた め、 フ ィ ルタ の 目詰ま り を 更に低減でき、 特に、 フ ィ ルタ の一部に堆積物が集中する と いったこ と を抑制でき る。
前記フィルタ部材と前記遮蔽板との間には、 前記フィルタ 部材の全面に亘つて気体原料が通過可能な間隔が設け られて いる こ と が好ま しい。 これによれば、 流通開 口部から送出部 に進入した気体原料がフ ィ ルタ部材の全面を通過できるため、 気体原料のコ ンダク タ ンスを確保でき る。 これと共に、 フィ ルタ部材の一部においてミ ス トゃ固形物が集中的 捕捉され、 当該一部においてフィルタ部材が 目詰ま り を起こす可能性を 低減でき る。 この場合、 フ ィ ルタ部材と遮蔽板と の間の間隔 は、 1 〜 1 0 O m mの範囲内である こ とが好ま しく 、 特に 1 〜 1 O m mの範囲内である こ とが更に好ま しく 、 約 5 m mで ある こ と が最も望ま しい。
前記遮蔽板は、 前記気化室側から見て前記フ ィ ルタ部材の 全面を覆う よ う に配置される こ とが好ま しい。 これによつて、 気化室から進入した ミ ス トゃ固形物がフ ィ ルタ部材に直接向 かう こ と を防止でき る。 特に、 遮蔽板がフィルタ部材の外縁 よ り も全周に亘つて更に外周側に張り 出すよ う に構成される こ とがよ り 望ま しい。
前記フ ィ ルタ部材の外縁部が前記送出部の内面に固定され る こ とが好ま しい。
前記流通開口部は、 前記遮蔽板の周囲の全周に亘つて前記 気化室と前記フ ィ ルタ部材と を連通させる よ う に設け られて いる こ とが好ま しい。 これによれば、 気体原料を流通開 口部 からフ ィ ルタ部材へ向けてス ムーズに気体原料を流通させる こ と ができ る と共に、 フィルタ部材による ミ ス トゃ固形物の 捕捉場所の偏り も低減できる。 こ こ で、 上記間隙は、 0 . 5 mmから 1 0 O mmの範囲内である こ とが好ま しく 、 特に、 1 O mm以下である こ とがよ り 好ま しく 、 約 2 m m程度で.あ る こ とが最も望ま しい。
前記流通開口部は、 前記遮蔽板の周囲に設け られている こ とが好ま しい。 これによれば、 遮蔽板を簡易な構造に構成で き る と共に、 遮蔽板や流通開口部の近傍の清掃な どの メ ンテ ナンス が容易になる。 この場合、 流通開口部の開 口幅 (遮蔽 板とその外周側にある送出部の内面と の距離) は、 0 . 5 m m以上 1 0 mm以下である こ とが好ま しく 、 特に、 1 m m以 上である こ とがよ り 好ま しく 、 約 2 m m程度である こ とが最 も望ま しい。
また、 気化室から送出部までの気体原料の流路は、 上記の 連通開口部の開口幅で規定される第 1 流路部と、 こ の第 1 流 路部に連通するフ ィ ルタ部材と遮蔽板との間隔で規定される 第 2流路部と を含む。 この場合、 第 1 流路部から進入したミ ス トゃ固形物が直線的に進んで第 2流路部に到達しないよ う に構成される こ とが好ま しい。 また、 フ ィ ルタ部材の外縁部 が固定される場合には、 上記気体原料の流路は、 遮蔽板と フ ィルタ部材の外縁部と の間隙で規定される第 3流路部を含み、 この第 3 流路部は第 1 流路部と第 2流路部と を連通する よ う に配設される。 この場合、 第 3流路部が形成される こ と によ り 、 第 1 流路部から進入した ミ ス トゃ固形物が直線的に進ん で第 2流路部に到達しないよ う に構成される こ と が好ま しい。
前記フ ィ ルタ部材は気体原料の流路方向に貫通する細孔を 多数設けた板状材である こ とが好ま しい。 このよ う に簡易な 板状材でフ ィルタ部材を構成する こ と によ って、 フィ ルタ部 材中に加熱手段を容易に収容配置する こ とが可能になる。 .ま た、 フィルタ部材自体の熱伝導性も高める こ とができ るため、 フ ィルタ部材の温度分布の均一性を高める こ と も容易になる。 この細孔は、 開 口径よ り も貫通距離が大きい形状、 例えば、 0 . 1 〜 1 . 0 m m程度の直径、 5 〜 1 5 m mの範囲内の貫 通距離を有する ものが残留ミ ス トの捕捉率を碓保するために 望ま しい。
本発明の第 1 1 の視点は、 反応処理装置であって、 上記の いずれかに記載の気化器と、 該気化器から供給される気体原 料を反応させる反応室と を有する。 これによつて、 気化器か ら供給される気体原料中の ミ ス トゃパーティ クルの量を低減 する こ とができ るため、 反応室における処理品位を向上させ る こ と ができ る。 この反応処理装置と しては、 気体原料を、 熱エネルギーを加える等の何らかの態様で反応室内において 反応させる こ と によって種々の処理を行う もの、 例えば半導 体気相成膜装置、 液晶気相成膜装置、 化合物半導体気相成膜 装置、 気相エッチング装置などの半導体処理装置を広く 包含 する。 特に、 気相成膜装置 ( C V D装置) である場合に効果 的である。
図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明の第 1 実施形態に係る気化器の構造を示す 概略断面図。
図 2 Aは、 第 1 実施形態の気化器の送出部の構造を示す概 略内部側面図、 図 2 B、 C、 Dは、 第 1 実施形態の変更例を 示す内部側面図。
図 3 A、 Bは、 本発明の第 2実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及ぴ概略縦断面図。
図 4 A、 Bは、 本発明の第 3 実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図。
図 5 A、 Bは、 本発明の第 4実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図 _及び概略縦断面図、 囪 5 Cは、 加熱 手段の変更例を示す概略断面図。
図 6 A、 Bは、 本発明の第 5実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図。
図 7 A、 Bは、 本発明の第 6 実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図。
図 8 A、 Bは、 本発明の第 7実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及ぴ概略縦断面図。
図 9 A、 Bは、 本発明の第 8実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図。 9 図 1 0 A、 B は、 本発明の第 9実施形態に係る気化器の主 要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図。
図 1 1 A、 B は、 本発明の第 1 0実施形態に係る気化器の 主要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図。
図 1 2 A、 B は、 本発明の第 1 1 実施形態に係る気化器の 主要部を示す概略内部側面図及ぴ概略縦断面図。
図 1 3 A、 B は、 本発明の第 1 2実施形態に係る気化器の 主要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図。
図 1 4 A、 B は、 本発明の第 1 3実施形態に係る気化器の 主要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図。
図 1 5 は、 本発明の第 1 4実施形態に係る気化器を示す概 略縦断面図。
図 1 6 は、 図 1 5 の A— A線に沿った第 1 4実施形態の気 化器を示す横断面図。
図 1 7 A、 B は、 本発明の第 1 5実施形態及び第 1 6 実施 形態に係る.気化器を示す概略縦断面図。
図 1 8 A、 B は、 本発明の第 1 7実施形態及び第 1 8 実施 形態に係る気化器を示す概略縦断面図。
図 1 9 は、 本発明の第 1 9実施形態に係る気化器を示す概 略縦断面図
図 2 0 A B は、 噴霧手段の変更例を示す概略正面図及ぴ 概略側面図
図 2 0 C Dは、 噴霧手段の別の変更例を示す概略正面図 及び概略側面図。
図 2 1 は、 本発明の実施形態に係る反応処理装置 (半導体 処理装置) を示す概略構成図。
図 2 2 は、 原料供給部の内部構成を示す概略構成図。
図 2 3 は、 本発明の別の実施形態に係る反応処理装置 (半 導体処理装置) を示す概略構成図。
図 2 4 は、 気化室の内圧の時間的変化について、 第 2実施 形態の気化器と従来の気化器とで比較して示すグラフ。
発明を実施するための梟良の形態
以下に、 本発明の実施の形態について図面を参照して説明 する。 なお、 以下の説明において、 略同一の機能及び構成を 有する構成要素については、 同一符号を付し、 重複説明は必 要な場合にのみ行う。
く第 1 実施形態〉
図 1 は、 本発明の第 1 実施形態に係る気化器の構造を示す 概赂断面図である。 この気化器 1 0 0 は、 第 1 気化部に相当 する気化面 1 1 0 B及ぴ気化空間 1 1 O Aを構成する気化室 1 1 0 を有する。 気化空間 1 1 0 Aに液体原枓を噴霧するた め、 噴霧手段 1 2 0 が配設される。 気化室 1 1 0 に対 して、 第 2気化部に相当する送出部 1 3 0 が着脱可能に取り 付け ら れる。 気化空間 1 1 O Aの内圧を検出するため、 圧力ゲージ (キャパシタ ンスマノ メ ータ : 図示せず) を取り 付ける検出 用配管 1 3 9 が配設される。 配管 1 3 9 に連通する気化室 1 1 0 の開口部には、 フ ィ ルタ部材 1 3 9 X が取り 付け られる。 フィルタ部材 1 3 9 X は圧力ゲージへの ミ ス トゃ固形物の進 入を防止する。 フィ ルタ部材 1 3 9 X は取付部材 1 3 9 y に よって開口縁に対して密着固定される。 気化室 1 1 0 は、 筐体壁 1 1 1 と、 筐体壁 1 1 1 内に設置 されたヒータな どの加熱手段 1 1 2 を有する。 筐体壁 1 1 1 は、 嘖霧手段 1 2 0 を装着する開 口部 1 1 1 a を有する。 噴 霧手段 1 2 0 は、 有機金属原料や有機金属原料を溶媒に溶か した原料な どの液体原料を供給する原料供給管 1 2 1'を有す る。 噴霧手段 1 2 0 はまた、 アルゴンガスな どの喷霧用ガス (例えば A r 、 N e 、 N2 ) を供給する噴霧用ガス供給管 1 2 2 と、 上記の原料を ミ ス ト状に噴霧する嘖霧ノ ズル 1 2 3 と を有する。 噴霧ノ ズル 1 2 3 は、 原料 (液体、 例えば有機 金属材料) と噴霧用ガスを個々の細孔から噴出させる こ と に よって霧状に噴出させる。
送出部 1 3 0 は、 気化空間 1 1 0 Aにおいて気化されてな る気体原料を、 供給ライ ン 1 4 1 に送出する部分である。 送 出部 1 3 0 は側壁 1 3 1 を有し、 側壁 1 3 1 の気化空間 1 1 0 A側に凹部状に内部空間 1 3 0 Aが形成される。 内部空間 1 3 O A内に凸部状に突出 して柱状の伝熱部が配設される。 側壁 1 3 1 の内部 (収容孔 1 3 1 a 、 図 2参照) にヒータな どの加熱手段 1 3 2 が配置される。 送出部 1 3 0 の内部空間 1 3 0 Aは、 上記気化空間 1 1 0 Aと、 供給ライ ン 1 4 1 と に連通する。 なお、 送出部 1 3 0 は、 気化空間 1 1 1 Aに面 する位置であれば、 気化空間 1 1 0 Aのいずれの側に配置さ れていても よい。
内部空間 1 3 O Aには、 供給ライ ン 1 4 1 への送出口 (ガ ス出口) 1 3 1 S O を覆う よ う にフィ ルタ部材 1 3 3 が配置 される。 フ ィ ルタ部材 1 3 3 と しては、 通気性のあるフ ィ ル タ板と して構成される ものを用いる こ とができ る。 例えば、 多孔質材料、 細 ¾を多数備えたフ ィ ルタ板、 繊維を押し固め た材料、 網目 (メ ッ シュ) 材な どで構成されたフ ィ ルタ部材 を挙げる こ とができ る。 よ り 具体的には、 高温 (例えば、 1 8 0 °C〜 3 5 0 °C程度、 ただし、 原料の気化温度や分解温度 によ って適宜に設定される) に耐えられる金属繊維 (例えば ステンレス鋼繊維) を不織布状や焼結状に固めたフィ ルタ材 料を用いる こ とができ る。 例えば、 上記金属繊維の径はひ . 1 〜 3 . O m m程度である。 特に、 熱伝導性の高い、 球状そ の他の粒状材料を焼結してなる焼結材を用いる こ とが好ま し い。 粒状材料の構成素材と しては、 セラ ミ ックス、 石英な.ど の非金属材料や、 ステ ンレス鋼、 アルミ ニ ウム、 チタ ン、 二 ッケルな どの非鉄金属材料及びこれらの合金材料などを挙げ る こ とができ る。 なお、 フィルタ部材の構造及び材料に関す る上述の態様の範囲は、 以下に述べる全ての実施形態に共通 である。 '
図 2 Aは、 上記送出部 1 3 0 を気化空間 1 1 0 A側から見 た様子を示す内部側面図である。 フィルタ部材 1 3 3 の外縁 部は、 上記内部空間 1 3 O Aの流通断面を全て覆 う よ う に周 囲の側壁 1 3 1 に接触し接続固定される。 よ り具体的には、 フィルタ部材 1 3 3 の外縁部は固定ネジ 1 3 8等によ り側壁 1 3 1 に固定される。 フィ ルタ部材 1 3 3 の上記外縁部以外 の部位には、 側壁 1 3 1 よ り 内側に突出する伝熱部 1 3 5、 1 3 7 が配設される。 よ り 具体的には、 フ ィ ルタ部材 1 3 3 が伝熱部 1 3 5、 1 3 7 を介して側壁 1 3 1 に熱接触する。 即ち、 伝熱部 1 3 5 、 1 3 7 は、 フィ ルタ部材 1 3 3 を支持 する支持部材と しても機能する。 伝熱部 1 3 5、 1 3 7 は、 熱伝導性の良い金属 (例えばステ ンレス鋼な ど) によ り 構成 される。 伝熱部 1 3 5 は横断面が長円形の柱状に構成され、 伝熟部 1 3 7 は横断面が円形の柱状に構成される。 これらの 伝熱部 1 3 5 、 1 3 7 は、 図示例では側壁 1 3 1 内に配置さ れたヒ ータ等の加熱手段で加熱される。 ただし、 伝熱部が加 熱手段自体で構成されていても よ く 、 また、 伝熱部の内部に 加熱手段を埋め込んでも構わない。
フ ィ ルタ部材 1 3 3 の気化空間 1 1 0 A側には、 遮蔽板 1 3 4 が配置される。 遮蔽板 1 3 4 は、 例えば、 ステンレス.鋼 などの熱伝導性金属材料で構成される。 遮蔽板 1 3 4 は、 気 化空間 1 1 0 Aに面し、 嘖霧ノ ズル 1 2 3 から噴霧される原 料ミ ス ト などが直接にフィルタ部材 1 3 3 に付着しないよ う にする。 これによつて、 フ ィルタ部材 1 3 3 の温度低下が抑 制され、 付着したミ ス ト を確実に気化される こ とが可能にな るので、 フ ィ ルタ部材 1 3 3 の 目詰ま り が低減される。 こ こ で、 遮蔽板 1 3 4 は基本的にフィルタ部材 1 3 3 を平面的に 覆う よ う に配置される。 遮蔽板 1 3 4 と フ ィ ルタ部材 1 3 3 と の間には、 フ ィルタ部材 1 3 3 の全面に亘つて、 気化され た原料を拡散通過させる空間部 (或いはガス通路部) 1 3 0 Dが形成される。 空間部 1 3 0 Dは、 伝熱部 1 3 5、 1 3 7 を介して遮蔽板 1 3 4及ぴフ ィ ルタ部材 1 3 3 が加熱される こ と によ り 、 加熱される。
遮蔽板 1 3 4 の周囲には流通開口部 1 3 4 b が設け られ、 流通開口部 1 3 4 b によ り 気化空間 1 1 O A と 内部空間 1 3 O Aとが連通して気化された気体原料が効率良く 送出される。 また、 遮蔽板 1 3 4 には、 噴霧ノ ズル 1 2 3側に開口部 1 3 4 a が形成される。 開 口部 1 3 4 a によって上記間隙の開口 面積が大き く なるため、 気化空間 1 1 0 Aからフ ィ ルタ部材 1 3 3 の配置された内部空間 1 3 0 Aへ向か う気体原料が流 れやすく なる。 開 口部 1 3 4 a が形成されるのは、 噴霧ノ ズ ル 1 2 3 の噴射角度範囲が実質的に限定されるために、 噴霧 ノ ズル 1 2 3側においては嘖霧ノ ズル 1 2 3 から嘖霧される ミ ス ト が送出部 1 3 0 へ直接到達しに く いからである。
図 2 B、 C、 Dは、 遮蔽板の変更例を示す内部側面図であ る。 図 2 B に示す遮蔽板 1 3 4 ' では、 フ ィ ルタ部材 1 3 3 と重なる位置において外周に沿って連続的に、 或いは、 外周 全体に開 口部 1 3 4 a ' が形成される。 図 2 Cに示す遮蔽板 1 3 4〃 では、 フ ィ ルタ部材 1 3 3 の外周部に対応する よ う に、 外周に沿って複数の開口部 1 3 4 a 〃 が離散的に形成さ れる。 なお、 遮蔽板に形成される開口部は、 ス リ ッ ト状 (同 心円状の場合も含む) であっても よい。
図 2 Dに示す遮蔽板 3 4 Xでは、 それ自体に開口部が形 成されておらず、 従って遮蔽板 1 3 4 Xはフ ィ ルタ部材 1 3 3 の全体を覆う。 この場合、 遮蔽板の周囲の流通開口部 1 3 4 b (図 1 及び図 2 A参照) によ り 、 気化空間 1 1 O A と 内 部空間 1 3 0 A と の連通が十分に得られる よ う にする。 なお、 図 2 Dに示すよ う に、 遮蔽板 1 3 4 Xがフィルタ部材 1 3 3 の全体を覆う と、 原料の残留ミ ス トが直接フ ィ ルタ部材 1 3 3 に付着し難く なる とい う利点が得られる。
遮蔽板 1 3 4 は、 上記フ ィルタ部材 1 3 3 と共に、 ス ぺー サ 1 3 6 を介 して伝熱部 1 3 5 に固定される。 スぺーサ 1 3 6 は、 伝熱性の良い部材、 例えば A 1 やステ ンレス鋼等の金 属、 セラ ミ ック スな どで構成される。 なお、 固定ねじ 1 3 6 a は遮蔽板 1 3 4及ぴスぺーサ 1 3 6 を伝熱部 1 3 5 に固定 する固定手段である。 これと同様の固定手段がフ ィ ルタ部材 1 3 3 を伝熱部 1 3 7 に固定するためにも用いられる。 フィ ルタ部材 1 3 3及び遮蔽板 1 3 4 は、 伝熱部 1 3 5及びスぺ ーサ 1 3 6 を介して熱接触する加熱手段 1 3 2から放出され る熱を受ける と共に、 気化空間 1 1 0 Aに臨む気化室 1 1. 0 の筐体壁 1 1 1 の内面からの輻射熱を受ける こ と によ り 加熱 される。
この実施形態においては、 原料供給管 1 2 1 から供給され る原料は噴霧ノズル 1 2 3 において気化空間 1 1 0 Aに嘖霧 される。 こ こで噴霧された原料の ミ ス トは、 一部が飛行中に 気化する と共に、 別の一部は、 加熱手段 1 1 2 によって加熱
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される筐体壁 1 1 1 の内面に到達するこ と によって加熱され、 気化される。 原料を気化するためには、 気化室 1 1 0 、 特に 筐体壁 1 1 1 の内面は、 加熱手段 1 1 2 によって原料の分解 温度よ り 低く 、 原料の気化温度よ り 高い温度範囲に加熱され る。 この温度は、 例えば、 1 0 0 〜 3 5 0 °C程度である。
このよ う に して気化空間 1 1 0 Aにて生成された気体原料 は、 遮蔽板 1 3 4 の周囲からフィルタ部材 1 3 3 を通過 して 内部空間 1 3 O Aに導入される。 内部空間 1 3 O Aに導入さ れた気体原料には、 気化空間 1 1 0 Aにおいて気化されない 微細な残留ミス トが含まれる。 これらの残留ミ ス トは、 フィ ルタ部材 1 3 3 に到達して捕捉され、 ここで加熱手段 1 3 2 から伝熱部 1 3 5 、 1 3 7 を介 してフィノレタ部材 1 3 3 に伝 えられた熱によって加熱され、 再気化される。 フ ィ ルタ部材 1 3 3 もまた、 上記気化室と実質的に同 じ温度範囲になる よ う に加熱される こ とが好ま しい。
なお、 上記の伝熱部 .1 3 5 、 1 3 7 は、 気体原料の流路断 面においてフィ ルタ部ネオ 1 3 3 の全体に亘つてほぼ均一に分 散配置される こ とが好ま しい。 これによつて、 フ ィ ルタ部材 1 3 3 をよ り均一に加熱する こ とが可能にな り 、 残留ミ ス.ト の気化効率を向上させる こ とができ、 また、 フィルタ部材の 目詰ま り をよ り 低減でき る。
図示例では、 フィ ルタ部材の外縁部が送出部の内面に接触 (接続固定) する こ と によ り 、 当該内面から もその外縁部が 熱を受け加熱される。 なお、 上記伝熱部に加熱手段を設ける こ と によ り フィルタ部材を加熱する よ う に しても よい。
遮蔽板 1 3 4 は、 噴霧ノ ズル 1 2 3 力ゝら噴霧される ミ ス ト が直接にフ ィルタ部材 1 3 3 に到達するこ と を防止する。 こ のため、 フィルタ部材 1 3 3 が大量のミ ス ト によって熱を奪 われ、 その結果、 付着した ミ ス ト を気化させる能力が所定箇 所において部分的に低下する と いったこ とが防止される。 従 つて、 当該箇所において 目詰ま り を起こすこ と によ り 、 気体 原料の送出量が低下する こ とや、 気化室内の圧力が上昇する こ と が防止される。 上記実施形態において、 送出部 1 3 0 は、 側壁 1 3 1 を筐 体壁 1 1 1 カゝら取り 外すこ と によって、 簡単にフィルタ部材 1 3 3 を取り 出すこ とができ る よ う に構成される。 従って、 フ ィ ルタ部材 1 3 3 に 目詰ま り な どの問題が発生したと きに は、 きわめて簡単かつ迅速にフィ ルタ部材 1 3 3 を取り 外し、 清掃した り、 或いは、 新たなフ ィ ルタ部材に交換した りする こ と ができ る。 このため、 メ ンテナンス時間が短縮され、 装 置の稼働率が向上し、 歩留ま り も向上する。
本実施形態では、 伝熱部 1 3 5 、 1 3 7を介して遮蔽板 1 3 4 に熱が伝えられ、 遮蔽板 1 3 4 も加熱される。 このため、 遮蔽板 1 3 4 に気化室 1 1 O A内の原料ミ ス トが直接当 る.と、 遮蔽板 1 3 4の表面でも ミ ス ト が気化する。 ただし、 遮蔽板 1 3 4 に ミ ス トが当って気化する と、 気化熱が奪われる こ と によって遮蔽板 1 3 4 の温度は低下する。 遮蔽板 1 3 4 の温 度の低下量は、 噴霧される液体原料の量に応じて遮蔽板 1 3 4 に当るミ ス トの量が変化する こ と によつても変化する。 通 常、 遮蔽板 1 3 4 の温度は、 気化室 1 1 0 の設定温度に対し て 5 〜 1 5 °C程度低く なる。
上記フ ィ ルタ部材 1 3 3 は、 遮蔽板 1 3 4 に対して送出路 側に近い位置に配置されていればよい。 例えば、 通常、 フィ ルタ部材 1 3 3 と遮蔽板 1 3 4 の間隔 1 3 O Dは、 1 〜 1 0 O m mの範囲内であ り 、 特に、 1 〜 5 O m mの範囲内である こ と が好ま しく 、 更に 2 〜 1 O m mの範囲内であるこ と がよ り好ま しい。 典型的には、 上記距離は約 5 m m程度であるこ とが最も望ま しい。 上記距離が上記範囲よ り も小さ く なる と、 気体原料のコ ンダク タ ンスが低下し、 また、 残留ミ ス ト のフ ィ ルタ部材 1 3 3 に対する実質的な付着範囲も狭く なる。 こ の場合、 フ ィ ルタ部材 1 3 3 の一部に固形物が集中的に堆積 する恐れがある。 また、 上記距離が大き く なる と、 気体原料 のコ ンダク タ ンスが向上し、 フ ィ ルタ部材 1 3 3 の局部的な 固形物の付着も緩和されるが、 その代わり に気化器の大型化 を招 く 。
遮蔽板 1 3 4 の外縁と、 その外周側に配置された側壁 1 3 1 と の間隔である上記流通開口部 1 3 4 b の開口幅は、 気体 原料のコ ンダク タ ンスを確保する上で 0 . 5 mm以上 1 O m m以下である こ とが好ま しく 、 1 m m以上である こ とがよ.り 好ま しい。 ただし、 上記開口幅が大き く なる と ミ ス ト がフ ィ ルタ部材 1 3 3 に直接到達する危険性が増大する ので、 約 2 m m程度である こ と が最も望ま しい。
更に、 遮蔽板 1 3 4 の外.縁と、 その内部空間 1 3 0 A側に 配置されたフィルタ部材 1 3 3 との間の間隙 '(内部空間 1 3 O A内の流路幅) は、 0 . 5 m m〜 : L 0 0 mmの範囲内であ る こ とが好ま しく 、 また、 0 . 5 mm〜 : L O mmの範囲内で ある こ とがよ り 好ま しい。 更に、 この間隔は、 約 2 m m程度 である こ とが最も望ま しい。 この間隔が小さ く なる と気体原 料のコンダク タ ンスが低下する。 逆に間隔が大き く なる と、 流通開口部 1 3 0 B から進入した ミ ス トが直接フ ィルタ部材 1 3 3 に到達しやすく なる。
気化室 1 1 O Aから送出部 1 3 0 までの気体原料の流路は、 上記の連通開口部 1 3 4 b の開口幅で規定される第 1 流路部 と、 この第 1流路部に連通するフ ィ ルタ部材 1 3 3 と遮蔽板 1 3 4 との間隔で規定される第 2流路部と を含む。 この場合、 第 1 流路部から進入したミ ス トゃ固形物が直線的に進んで第 2流路部に到達しないよ う に構成される こ と が好ま しい。 フ ィ ルタ部材 1 3 3 の外縁部が固定される場合には、 上記気体 原料の流路は、 遮蔽板 1 3 4 と フ ィルタ部材 1 3 3 と の間隙 で規定される第 3流路部を含み、 この第 3流路部は第 1 流路 部と第 2流路部と を連通する よ う に配設される。 この場合、 第 3 流路部が形成される こ と によ り、 第 1 流路部から進入し たミ ス トゃ固形物が直線的に進んで第 2流路部に到達しない よ う に構成される こ と が好ま しい。
く第 2実施形態〉
図 3 A、 Bは、 本発明の第 2実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 3 A、 Bは、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0の代わり に用いる こ とのでき る送出部 1 5 0 を示すものであ り 、 その他の部分は 第 1 実施形態と 同様である。
本実施形態において、 送出部 1 5 0 は側壁 1 5 1 を有し、 側壁 1 5 1 の気化空間側に凹状に内部空間 1 5 0 Aが形成さ れる。 空間 1 5 0 Aの内部に側壁 1 5 1 よ り 凸部状に突出す る伝熱部 1 5 5 、 1 5 7 が配設される。 この側壁の内部 (収 容孔 1 5 l a ) に上記と同様の加熱手段 1 5 2が配置される。 内部空間 1 5 O Aは送出路 1 5 O S に連通する。 内部空間 1 5 O Aには、 上記と 同様のフ ィ ルタ部材 1 5 3 が配置される。 フ ィ ルタ部材 1 5 3 は、 側壁 1 5 1 の内面に設け られた第 1 実施形態と 同様の突起状の伝熱部 1 5 5、 1 5 7 に熱接触す る。 伝熱部 1 5 5 は長円形状な どの延長された断面形状を有 する柱状部である。 伝熱部 1 5 7 は円形状の断面形状を有す る柱状部である。 この柱状部は、 フ ィ ルタ部材 1 5 3や遮蔽 板 1 5 4 と面接触して伝熱しやすいものであればどのよ う な 形状でも よい。 例えば、 柱状部の形状は、 ひし形、 三角形、 星型、 長方形、 丸形とする こ とができ る。 フ ィルタ部材 1 5 3 の外縁部は固定ねじ 1 5 8等によ り 側壁 1 5 1 に固定され る。 伝熱部 1 5 5、 1 5 7 の個数や配置は、 フィ ルタ部材 1 5 3 に対して均一に熱を伝える こ とができ る よ う に設定され る。
伝熱部 1 5 5、 1 5 7 には、 スぺーサ 1 5 6 を介して遮蔽 板 1 5 4 が固定ねじ 1 5 6 a によ り 取付固定される。 遮蔽板
1 5 4 と フ ィルタ部材 1 5 3 と の間にはフ ィ ルタ部材 1 5 3 の全面に亘つて空間部 1 5 0 Dが形成される。 遮蔽板 1 5 4 は送出部 1 5 0 の気化室に臨む位置に配置される。 遮蔽板 1
5 4 は円形の平面形状を有する。 遮蔽板 1 5 4 はフィ ルタ部 材 1 5 3 を全て平面的に覆 う よ う に構成され、 遮蔽板 1 5 4 の外縁と、 その周囲の側壁 1 5 1 との間に設けられた円周状 の間隙が流通開 口部 1 5 0 B と なっている。 この よ う に、 遮 蔽板 1 5 4 がフ ィ ルタ部材 1 5 3 を全て平面的に覆う よ う に 構成される こ と によって、 霧状の原料が直接フィルタ部材 1
5 3 にあたって 目詰ま りや堆積物の局部集中を起こすこ と を 抑制する。 これによ り 、 気化室の圧力上昇を抑制する と共に、 フィルタ寿命を延ばしつつ、 残留ミ ス トゃパーティ クルが下 流側へ送出される こ と を防止でき る。
以上説明 した各部は基本的には上記第 1 実施形態と同様に 構成される。 従って、 フ ィ ルタ部材 1 5 3 は、 その外縁部に おいて側壁 1 5 1 から直接加熱手段 1 5 2 の熱を受けるだけ でな く 、 外縁部以外の部分に熱接触する伝熱部 1 5 5、 1 5 7 を介して加熱手段 1 5 2 の熱を受ける よ う に構成される。 遮蔽板 1 5 4 は、 スぺーサ 1 5 6 を介 してフィルタ部材 1 5 3及ぴ伝熱部 1 5 5、 1 5 7 によ り力 tl熱される。
本実施形態では、 気化室で気化された気体原料は、 流通開 口部 1 5 O B を通過 して送出部 1 5 0 の内部空間 1 5 O A内 に導入され、 フ ィ ルタ部材 1 5 3 を通過した後に送出路 1. 5 0 Sから供給ライ ンに送出される よ う に構成される。
こ こで、 上記の流通開口部 1 5 0 Bは、 気化室側から流通 開口部 1 5 O B に進入する任意の仮想直線を形成したと き、 いずれの仮想直線もフィルタ部材 1 5 3 に到達しないよ う に 構成される。 即ち、 気化室内の残留ミ ス トがどのよ う な直線 状の飛行経路をもって送出部 1 5 0 に進入しても、 その残留
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ミ ス トが直接フ ィ ルタ部材 1 5 3 に付着しないよ う に構成さ れる。 また、 霧状の原料が直接フィルタ部材 1 5 3 に到達し ないよ う に構成される。 具体的には、 流通開口部 1 5 0 B を 通過する直線状の飛行経路がフ ィ ルタ部材 1 5 3 のフ ィ ルタ 部分に達しないよ う に流通開口部 1 5 0 B の径方向の開 口幅 が設定される。
なお、 送出部 1 5 0 の各部のパラメ ータ は第 1 実施形態と 同 じである。 例えば、 流通開口部 1 5 O Bの半径方向の開口 幅が 2 m m、 遮蔽板 1 5 4 と フィルタ部材 1 5 3 の外縁部の 軸線方向の間隔が 2 m m、 遮蔽板 1 5 4 と フィルタ部材 1 5 3 のフ ィ ルタ部分の軸線方向の間隔が 5 m m、 フ ィ ルタ部材 1 5 3 の外縁部の半径方向の幅が 4 m m、 遮蔽板 1 5 4 の外 縁位置と フ ィ ルタ部材 1 5 3 の実質的な外縁位置 (即ち、 フ ィルタ部分の外縁位置) との間の半径方向の距離が 2 m mで ある。 これによつて、 フィルタ部材 1 5 3 上の堆積物の量を 低減する こ とができ、 目詰ま り や堆積物の集中を抑制できる。 特に、 フ ィ ルタ部材 1 5 3 の外周部分に堆積物が集中 して付 着する といつたこ と も抑制でき る。
本実施形態では、 延長された平面形状を有する伝熱部 1 . 5 5 の内部に、 側壁 1 5 1 に設け られた穴 1 5 1 b に導入され た温度センサ (例えば熱電対) 1 5 9 の検出点が配置される。 これによ つて、 伝熱部 1 5 5 の温度、 即ちフ ィルタ部材 1 5 3 の温度にきわめて近い温度を検出する こ と ができる。 そ し て、 温度セ ンサ 1 5 9 の出力は、 温度制御回路 C O N Tなど に接続され、 この温度制御回路 C O N Tは、 温度センサ 1 5 9 の出力に基づいて加熱手段 1 5 2 を制御する よ う に構成さ れる。 この温度制御は、 温度センサ 1 5 9 の出力に基づいて 気化器の他の加熱手段 (気化室を加熱する手段) と同 じ温度 に制御されるのが好ま しい。 なお、 伝熱部 1 5 5 、 フ ィ ルタ 部材 1 5 3 、 筐体壁 1 1 1 の温度が同 じ温度となる よ う に、 気化室に対する他の加熱手段 1 1 2 と独立に制御される よ う に構成しても よい。 このよ う に構成する こ と によ り、 フ ィル タ部材 1 5 3や遮蔽板 1 5 4 の温度を精密に制御する こ とが でき る。 このため、 フィルタ部材 1 5 3 の目詰ま り を低減で き、 気化室内の圧力上昇が抑制される。 また、 残留ミ ス トや パーティ クルを低減する こ とが可能になる。
本実施形態では、 伝熱部 1 5 5 の温度、 即ちフ ィ ルタ部材 1 5 3や遮蔽板 1 5 4 を検出 して加熱手段 1 5 2 が制御され る こ とから、 第 1 実施形態よ り も遮蔽板 1 5 4 の温度の制御 性が向上する。 従って、 第 1 実施形態の場合よ り も遮蔽板 1 5 4 の温度低下を低減する こ と ができ る。 この場合、 加熱手 段 1 5 2 の設定温度は気化室に対する設定温度と 同一とする こ と が好ま しい。
上記フ ィ ルタ部材 1 5 3 は、 遮蔽板 1 5 4 の送出路 1 5. 0 S側の近傍位置に配置されていればよい。 例えば、 通常、 フ ィルタ部材 1 5 3 と遮蔽板 1 5 4 の間隔は、 1 〜 1 0 O m m の範囲内であ り 、 特に、 1 〜 5 O m mの範囲内である こ とが 好ま しく 、 更に 2 〜 1 O m mの範囲内である こ と がよ り好ま しい。 典型的には、 上記距離は約 5 m m程度である こ と が最 も望ま しい。 上記距離が上記範囲よ り も小さ く なる と、 気体 原料のコ ンダク タ ンスが低下し、 また、 残留ミ ス トのフィル タ部材 1 5 3 に対する実質的な付着範囲も狭く なる。 この場 合、 フィ ルタ部材 1 5 3 の一部に固形物が集中的に堆積する 恐れがある。 また、 上記距離が大き く なる と、 気体原料のコ ンダク タ ンスが向上し、 フィルタ部材 1 5 3 の局部的な固形 物の付着も緩和されるが、 その代わり に気化器の大型化を招 く 。 なお、 以上の点は、 以下に説明する各実施形態でも同様 である。 遮蔽板 1 5 4 の外縁と、 その外周側に配置された側壁 1 5 1 と の間隔である上記流通開口部 1 5 0 B の開口幅は、 気体 原料のコ ンダク タ ンスを確保する上で 0 . 5 m m以上 1 0 m m以下である こ とが好ま しく 、 1 mm以上である こ とがよ り 好ま しい。 ただし、 上記開 口幅が大き く なる と ミ ス ドがフィ ルタ部材 1 5 3 に直接到達する危険性が増大する ので、 約 2 m m程度である こ と が最も望ま しい。 なお、 この点は、 以下 に説明する各実施形態でも同様である。
更に、 遮蔽板 1 5 4の外縁と、 その内部空間 1 5 0 A側に 配置されたフィルタ部材 1 5 3 の外縁部と の間隙 (内部空間
1 5 O A内の流路幅) は、 0 . 5 mn!〜 1 0 O m mの範囲内 である こ とが好ま しく 、 また、 0 . 5 mm〜 : L O mmの範囲 内である こ とがよ り好ま しい。 更に、 この間隔は、 約 2 m m 程度である こ とが最も望ま しい。 この間隔が小さ く なる と気 体原料のコ ンダク タ ンスが低下し、 逆に間隔が大き く なる と、 流通開口部 1 5 0 Bから進入した ミ ス トが直接フ ィルタ部材 1 5 3 に到達しやすく なる。 なお、 この点は、 以下に説明す る各実施形態でも同様である。
気化室から送出部 1 5 0 までの気体原料の流路は、 上記の 連通開 口部 1 5 0 B の開口幅で規定される第 1流路部と 、 こ の第 1 流路部に連通するフ ィ ルタ部材 1 5 3 と遮蔽板 1 5 4 と の間隔で規定される第 2流路部 (空間部 1 5 0 D ) と を含 む。 この場合、 第 1 流路部から進入したミ ス トや固形物が直 線的に進んで第 2流路部に到達しないよ う に構成される こ と が好ま しい。 フ ィ ルタ部材 1 5 3 の外縁部が固定される場合 には、 上記気体原料の流路は、 遮蔽板 1 5 4 と フ ィルタ部材 1 5 3 の外縁部との間隙で規定される第 3 流路部を含み、 こ の第 3流路部は第 1 流路部と第 2流路部と を連通する よ う に 配設される。 この場合、 第 3流路部が配設される こ と によ り 、 第 1 流路部から進入したミ ス トゃ固形物が直線的に進んで第 2流路部に到達しないよ う に構成される こ と が好ま しい。 な お、 この点は、 以下に説明する各実施形態でも同様である。 く第 3実施形態〉
図 4 A、 B は、 本発明の第 3 実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 4 A、 Bは、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わり に用いる.こ とのでき る送出部 1 5 0 ' を示すものであ り 、 その他の部分 は第 1 実施形態と同様である。 この送出部 1 5 0 の う ち、 第 2実施形態と 同様の部分には同一符号を付して示す。
この実施形態では、 側壁 1 5 1 ' にその内部空間 1 5 0 A を反応処理装置への供給ライ ンに連通させる送出路 1 5 0 S とは別に、 内部空間 1 5 0 Aを外部'(例えば、 反応処理装置 の排気ライ ン) に連通させる排出路 1 5 0 Cが形成される。 この排出路 1 5 0 Cは噴霧ノ ズルから見て最も離間した位置、 即ち、 図示下端部に形成される。 排出路 1 5 0 Cは、 後述す る反応処理装置の反応処理部を経由せずに排気されるパイパ ス ラ イ ン (排気 ラ イ ン ( e v a c u a t i o n 1 i n e ) ) な どの排出ライ ンに接続される。 排出路 1 5 0 Cは、 気体原料の供給状態が安定するまで気体原料を反応処理部に 導入せずに排気するために用いられる。 本実施形態において、 上記排出路 1 5 O C に対応する平面 位置には、 フ ィ ルタ部材 1 5 3 ' に開 口部 1 5 3 a ' が形成 さ れる。 開 口部 1 5 3 ' の開 口縁部は、 フ ィ ル タ部材 1 5 3 ' の外縁部の一部と して設け られ、 フィルタ部材 1 5 3 ' を固定する固定ねじ 1 5 8 ' 等によ り 隙間な く 排出^ 1 5 0 Cに接続される。
本実施形態では、 遮蔽板 1 5 4 を避けて流通開口部 1 5 0 B を通過して内部空間 1 5 0 Aに侵入した気体原料は、 排出 路 1 5 0 C に接続される排出ライ ンに設け られた弁 V 2 が開 いた状態において上記開口部 1 5 3 a ' 及び排出路 1 5 0 C を通って直接排出される。 この際、 送出路 1 5 O S に接続さ れる供給ライ ンの弁 V I は閉鎖される。 従って、 反応処理部 に送られない気体原料がフィルタ部材 1 5 '3 ' を通過する こ とがなく なるので、 ブイルタ部材 1 5 3 ' の寿命を延ばすこ とができ る。
なお、 気体原料を供給ライ ンへ流す場合は、 排出路 1 5 0 Cに接続された排出ライ ンの弁 V 2 を閉鎖し、 供給ライ ンの 弁 V I を開 く 。 これによ り 、 今まで排出路 1 5 0 Cから排出 されていた気体原料は、 フ ィルタ 1 5 3 ' を通過 して送出路 1 5 0 S から供給ライ ンへ導かれる よ う になる。
<第 4実施形態 >
図 5 A、 Bは、 本発明の第 4実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 5 A、 Bは、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わり に用いる こ とのでき る送出部 1 5 0〃 を示すものであ り 、 その他の部分 は第 1 実施形態と 同様である。 この送出部 1 5 0 〃 の う ち、 第 2実施形態と 同様の部分には同一符号を付して示す。
こ の実施形態では、 加熱手段 1 5 2 " の先端に伝熱部 1 5 7 " が接合された状態で側壁 1 5 1 〃 の内部 (収容孔 1 5 1 a " ) に揷入される。 伝熱部 1 5 7〃 は内部空間 1 5 0 A内 に突出 して上記各実施形態と同様にフ ィ ルタ部材 1 5 3及び 遮蔽板 1 5 4 に熱接触する。 加熱手段 1 5 2 " は例えばロ ッ ド状のヒータであ り 、 直接に伝熱部 1 5 7〃 が接合される こ と によ り 、 伝熱部 1 5 Ί " を介したフィルタ部材 1 5 3及び 遮蔽板 1 5 4 の加熱を効率的に行 う こ とができる よ う に構成 される。
本実施形態にも上記各実施形態と同様に延長された平面形 状を有する伝熱部 1 5 5 " が配設される。 その一部は上記の 伝熱部 1 5 7〃 の一つが側壁 1 5 1 〃 から挿入されて内部空 間 1 5 0 Aに突出 した状態となっている。 即ち、 伝熱部 1 5 5 " は伝熱部 1 5 7 〃 の一つを含む態様で構成される。
本実施形態において、 伝熱部 1 5 7 〃 の先端にはねじ穴が 形成される。 伝熱部 1 5 7 " の先端にフィ ルタ部材 1 5 3、 スぺーサ 1 5 6及び遮蔽板 1 5 4 を順次に重ねられる。 この 状態で、 上記のねじ穴に固定ねじ 1 5 6 a をねじ込むこ と に よ り 、 フ ィ ルタ部材 1 5 3 及び遮蔽板 1 5 4 が伝熱部 1 5 7 " に固定される。
図 5 Cは、 上記の加熱手段 1 5 2〃 及びそれに接続される 部品の変更例を示すものである。 図 5 Cに示す加熱手段 1 5 2 S " は、 ロ ッ ド状のヒータの先端部にボル ト を埋め込んだ ものである。 上記スぺーサ 1 5 6 の代わり に、 上記のボル ト に螺合するナッ ト 1 5 2 T " を用意し、 また、 ナッ ト 1 5 2 T ;/ に螺合する固定ねじ 1 5 2 U ,; を用意する。 加熱手段 1
5 2 S " とナッ ト 1 5 2 T " と の問にフィルタ部材 1 5 3 を 配置 し、 また、 ナッ ト 1 5 2 T と 固定ねじ 1 5 2 U〃 との 間に遮蔽板 1 5 4 を配置する。 二 の状態で、 ナ ッ ト 1 5 2 を介して加熱手段 1 5 2 S と 固定ねじ 1 5 2 U〃 と を 固定する。
この よ う に、 本実施形態では 伝熱部 1 5 7 を加熱手段 1 5 2 " の一部で構成する こ とができ る。 これによつて、 フィ ルタ部材 1 5 3や遮蔽板 1 5 4 を更に効率的に加熱する こと ができ る。 従って、 遮蔽板 1 5 4 の温度低下を更に低減する こ と ができ る。 この場合、 加熱手段 1 5 2〃 の設定温度は気 化室に対する設定温度と同一とする こ とが好ま しい。
く第 5 実施形態〉
図 6 A、 Bは、 本発明の第 5 実施形態に係 気化器の主要 部を示す概略内部 j則面図及び概略縦断面図である。 図 6 A、 Bは、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0の代わり に用いる こ とのでき る送出部 1 6 0 を示すものであ り 、 その他の部分は 第 1 実施形態と 同様である。
送出部 1 6 0 は、 側壁 1 6 1 と、 側壁 1 6 1 の内部 (収容 孔 1 6 1 a ) に配置された加熱手段 1 6 2 と を有する。 側壁 1 6 1 には、 内側 (気化室側) から遮蔽板 1 6 4 が密着固定 される。 内部空間 1 6 0 Aは、 側壁 1 6 1 と遮蔽板 1 6 4 と の間に画成され、 送出路 1 6 0 S に連通する。 内部空間 1 6 O Aには、 固定ねじ 1 6 8等によ り フィルタ部材 1 6 3 の外 縁部が固定される。 フ ィ ルタ部材 1 6 3 の外縁部以外の部位 には、 側壁 1 6 1 の内面上に突設された複数の伝熱部 1 6 5、 1 6 7 が熱接触する。 フ ィ ルタ部材 1 6 3 と遮蔽板 1 6 4 と の間にはスぺーサ 1 6 6 が介在 し、 固定ねじ 1 6 6 a によつ て伝熱部 1 6 5、 1 6 6 、 フ ィ ルタ部材 1 6 3及び遮蔽板 1 6 4 が固定される。 フ ィルタ部材 1 6 3 と遮蔽板 1 6 4 と の 間にはフ ィ ルタ部材 1 6 3 の全面に亘つて空間部 1 6 0 Dが 形成される。 そ して、 フィ ルタ部材 1 6 3 と遮蔽板 1 6 4 の 間に、 気化 したガスが通過する空間が形成され、 この空間を 通過 したガスがフィルタ 1 6 3 を通過 した後に送出路 1 6 . 0 Sへ流れる よ う になっている。
なお、 伝熱部 1 6 5 は延長された平面形状を有し、 伝熱部 1 6 5 の内部には、 上記各実施形態と 同様の温度センサ 1 6 9 の温度検出点が配置される。
遮蔽板 1 6 4 には、 複数の平面形状がス リ ツ ト状に構成さ れた流通開 口部 1 6 4 Aが形成される。 これらの流通開 口部 1 6 4 Aは、 遮蔽板 1 6 4 の厚さ方向に曲折 (屈折著しく は 湾曲) した形状を有し、 気化室側から進入した残留ミ ス トが 直接フィ ルタ部材 1 6 3 に到達する こ とのないよ う に構成さ れる。 即ち、 流通開口部 1 6 4 Aは、 気化室側から流通開口 部 1 6 4 Aに進入する全ての仮想直線がそのままフ ィ ルタ部 材 1 6 3 に到達しないよ う に構成される。 これによつて、 残 留ミ ス ト のほとんどが少なく と も 1 回は遮蔽板 1 6 4 に接触 してから内部空間 1 6 O A內に進入する よ う に構成される。 このため、 気体原料の流通を確保しなが ら、 遮蔽板によ る残 留ミ ス ト の気化作用を促進する こ とができ、 フ ィ ルタ部材 1 6 3 の目詰ま り や堆積物の集中を低減でき る。 上記の流通開 口部 1 6 4 Aは、 遮蔽板 1 6 4 の面内におレヽて平行になる よ う に複数形成されても よ く 、 同心円状になる よ う に複数形成 されても よい。
以上のよ う に、 遮蔽板には流通開口部を形成する こ と がで き る。 なお、 上記の流通開口部は、 結果的に気化室側から流 通開 口部を通してフ ィ ルタ部材に直接達する仮想直線が存在 しないよ う に構成されていればよい。 従って、 上記のよ う に 曲折した孔形状でな く ても、 流通開口部の遮蔽板に対する.貫 通方向がフ ィルタ部材に向いていなければ、 即ちフィ ルタ部 材から外れた方位を向いていれば、 上記と 同様の効果を得る こ とができ る。
<第 6実施形態 >
図 7 A、 Bは、 本発明の第 6 実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 7 A、 Bは、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わり に用いる こ と のでき る送出部 1 6 0 ' を示すものであ り 、 その他の部分 は第 1 実施形態と 同様である。 送出部 1 5 0 の う ち、 第 5 実施形態と 同様の部分には同一符号を付して示す。
こ の実施形態では、 遮蔽板 1 6 4 ' には流通開 口部 1 6 4 A ' が形成される。 流通開口部 1 6 4 A ' は、 平面的に見て フィルタ部材 1 6 3 と重なる領域から外れた領域、 即ち、 フ ィルタ部材 1 6 3 よ り も外周側にずれた位置に形成される。 これによつて、 気化室側から流通開口部 1 6 4 A ' に進入す る全ての仮想直線がフ ィ ルタ部材 1 6 3 に到達する こ と のな いよ う に構成される。 図示例では、 流通開口部 1 6 4 A ' は 円弧状のス リ ッ ト形状を有する。 なお、 複数の流通開口部 1 6 4 A' を同心円状に等間隔に形成しても よい。 複数の流通 開 口部 1 6 4 A ' を形成する場合には、 千鳥状 (互い違い) に形成しても よい。 なお、 温度センサ 1 6 9 の出力に基づい て加熱手段 1 6 2 を制御 し、 遮蔽板 1 6 4 ' の温度を制御可 能に構成される点は先の実施形態と同様である。
本実施形態では、 遮蔽板 1 6 4 の内部にワイ ヤ状のヒ ー タな どで構成される加熱手段 1 6 4 H ' が揷通され、 遮蔽板 1 6 4 ' を直接に加熱する。 加熱手段 1 6 は、 遮蔽 fe
1 6 4 ' を蛇行状に揷通する。 図示例では、 加熱手段 1 6 4 H' を外部から遮蔽板 1 6 4 ' に導入するが、 加熱手段 1 6 4 H ' を遮蔽板 1 6 4 ' 内に埋め込んでも よい。 線状の加熱 手段 1 6 4 H' を格子状や螺旋状となる よ う に配設しても よ い。 更に、 複数本の加熱手段 1 6 4 H' を遮蔽板 1 6 4 ' に 導入してもよい。
遮蔽板 1 6 4 ' の内部には、 温度セ ンサ 1 6 4 T C ' の温 度検出点も配置される。 温度制御回路 C O N Tによって、 温 度センサ 1 6 4 T C ' の検出温度に基づいて、 加熱手段 1 6 4 H ' を制御し、 遮蔽板 1 6 4 ' を直接、 独立して温度制御 する。 これによ り 、 遮蔽板 1 6 4 ' の温度を最適温度に精密 に設定する こ とができ るため、 遮蔽板 1 6 4 ' による ミ ス ト の気化状態を安定させる こ とができる。 この場合、 加熱手段 1 6 4 H ' の設定温度は気化室に対する設定温度と 同一とす る こ と が好ま しい。
以上のよ う に、 遮蔽板の内部に加熱手段を配置する こ と に よ り 、 遮蔽板の温度制御性が改善される。 このため、 更に効 率的に原料の気化を行う こ とができ、 残留ミ ス トやパーティ クルの低減を図る こ とができ る。
ぐ第 7実施形態 >
図 8 A、 Bは、 本発明の第 7 実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 8 A、 Bは、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わり に用いる こ と のでき る送出部 1 5 O Xを示すものであ り 、 その他の部分 は第 1 実施形態と 同様である。 送出部 1 5 O Xの う ち、 .第 2 実施形態と 同様の部分には同一符号を付して示す。
この実施形態においては、 第 2実施形態と 同様の基本構造 を有するが、 第 2実施形態と同様の伝熱部 1 5 5、 1 5 7、 スぺーサ 1 5 6及び固定ねじ 1 5 6 a で構成きれる熱伝導柱 がよ り 多く 設け られ、 これらが内部空間 1 5 0 A内に分散配 置される点で異なる。 これらの熱伝導柱は、 第 2実施形態と 同様にフ ィ ルタ部材 1 5 3 X及ぴ遮蔽板 1 5 4 X と熱接触す る。 熱伝導柱は.、 側壁 1 5 1 Xの内面と遮蔽板 1 5 4 X と に 共に熱接触した状態と なっている。
本実施形態では、 上記の熱伝導柱が送出部において多数分 散配置される こ と によ り 、 気化室から流通開 口部 1 5 O B を 通して気体原料と共に進入した残留ミ ス ト が熱伝導柱に接触 しゃすく なる。 残留ミ ス ト は、 熱伝導柱によ り加熱されて気 化し、 気体原料と なるため、 気化効率を向上させるこ と がで き る。
く第 8実施形態 >
図 9 A、 Bは、 本発明の第 8実施形態に係る気化器の主要 部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 9 A、 Bは、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わり に用いる こ と のでき る送出部 1 5 0 Yを示すものであ り 、 その他の部分 は第 1 実施形態と同様である。 送出部 1 5 0 Yの う ち、 第 2 実施形態と 同様の部分には同一符号を付して示す。
本実施形態では、 側壁 1 5 1 Yに複数の柱状の伝熱部 1 5 7 Yを形成 し、 伝熱部 1 5 7 Yに固定ねじ 1 5 6 a によ り.遮 蔽板 1 5 4 Yを固定してある。 この実施形態では、 フィルタ 部材は設け られておらず、 その代わり に、 多数の伝熱部 1 5 7 Yにて構成される熱伝導柱が側壁 1 5 1 Yの内面と遮蔽板 1 5 4 Y と の間に分散配置される。 本実施形態では、 熱伝導 柱がフ ィ ルタ と 同様の機能を有し、 流通開 口 ^ 1 5 O Bから 内部空間 1 5 O A内に進入してきた残留ミ ス ト及びパーティ クルを捕捉して再気化する よ う に構成される。
即ち、 遮蔽板 1 5 4 Yが送出路 1 5 0 S への送出口 (ガス 出口) 1 5 O S Oを覆う よ う に配設され、 遮蔽板 1 5 4 Yと 送出路 1 5 0 S との間に、 気化室 1 1 0 (図 1参照) と送出 口 1 5 0 S O と を接続するガス通路部 (原料を更に気化させ る) が形成される。 このガス通路部で、 伝熱部 1 5 7 Yの熱 伝導柱が流体バッフルと して機能し、 これがフ ィ ルタ の機能 を代替する。 なお、 この構成に加え、 更にフ ィルタ部材を配 設する こ と もでき る。
この実施形態でも、 伝熱部 1 5 7 Yは、 流通開 口部 1 5 0 Bから進入した残留ミ ス トが直接送出路 1 5 0 S に流出する こ と のない態様で配列される。 即ち、 伝熱部 1 5 7 Yは、 流 通開 口部 1 5 O B力 ら至る内部空間 1 5 O A内に進入する全 ての仮想直線が伝熱部 1 5 7 Yに到達する よ う に構成される。 特に、 内部空間 1 5 0 A内の流通開口部 1 5 0 B側の外周部 から送出路 1 5 0 S側の内周部に向けて伝熱部 1 5 7 Yを通 過 しない仮想直線を引 く こ とができないよ う に、 原料ガスの 流れ方向に対して略直交して、 複数の伝熱部 1 5 7 Yが配列 される。 例えば、 伝熱部 1 5 7 Yは千鳥状に配置される。 . ぐ第 9実施形態 >
図 1 0 A、 B は、 本発明の第 9 実施形態に係る気化器の主 要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 1 0 A、 Bは、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わり に用い る こ とのでき る送出部 1 5 0 Z を示すもので り 、 その他の 部分は第 1 実施形態と 同様である。 送出部 1 5 O Zの う ち、 第 2実施形態と 同様の部分には同一符号を付して示す。
この実施形態では、 側壁 1 5 1 Z に伝熱枠 1 5 7 Zが內側 (気化室側) から取付固定される。 伝熱枠 1 5 7 Zは、 側壁 1 5 1 Z に直接熱接触する外枠部と、 この外枠部から内側に 伸びる複数の梁部 1 5 7 Z a と を有する。 フィルタ部材 1 5 3 Zの外縁部は、 外枠部に対して固定される。 フ ィルタ部材 1 5 3 Z の外縁部以外の部位が複数の梁部 1 5 7 Z a に熱接 触する。 フ ィ ルタ部材 1 5 3 Z にはスぺーサ 1 5 6 を介して 遮蔽板 1 5 4 Zが固定ねじ 1 5 6 a によ り 固定される。 本実 施形態では、 梁部 1 5 7 Z a 、 スぺーサ 1 5 6 及び固定ねじ 1 5 6 a によ り 、 フ ィ ルタ部材 1 5 3 Z及ぴ遮蔽板 1 5 4 Z が外縁部以外の部位において相互に接続固定される。
上記の側壁 1 5 1 Z の内面と梁部 1 5 7 Z a との間には間 隙が設け られる。 これによつて、 流通開口部 1 5 0 B を通し て内部空間 1 5 0 A内に導入された気体原料がフ ィ ルタ部材 1 5 3 Z を通過 した後において、 梁部 1 5 7 Z a に妨げられ ずに供給ライ ンに送出される よ う に構成される。
上記伝熱枠 1 5 7 Z の内部には加熱手段 1 5 7 Hが導入さ れ、 加熱手段 1 5 7 Hは、 梁部 1 5 7 Z a の内部を通過す.る。 図示例では、 ワイヤ状の加熱手段 1 5 7 Hが複数の梁部 1 5 7 Z a を順次蛇行状に通過する よ う に構成される。 もちろん、 複数の加熱手段 1 5 7 Hを夫々の梁部 1 5 7 Z a を揷通する よ う に構成しても よ く 、 各梁部 1 5 7 Z a の内部に夫々加熱 手段を内蔵しても よい。
伝熱枠 1 5 7 Zの内部、 特に梁部 1 5 7 Z a の内部には、 温度センサ 1 5 7 T Cの温度検出点が配置される。 そ して、 温度制御回路 C O N T は、 温度セ ンサ 1 5 7 T C の検出温度 に基づいて、 上記の加熱手段 1 5 7 Hの発熱量を制御する。 これによつて、 側壁 1 5 1 Z と は別に、 独立して伝熱枠 1 5 7 Zの温度制御を行 う こ とができる'。 このよ う に、 温度セン サ 1 5 7 T Cによ り 伝熱部 1 5 7 Z a の温度を検出 して加熱 手段 1 5 7 Hが制御される こ と力ゝら、 遮蔽板 1 5 4 Zの温度 の制御性が向上する。 従って、 遮蔽板 1 5 4 Z の温度低下を 低減する こ とができ る。 この場合、 加熱手段 1 5 7 Hの設定 温度は気化室に対する設定温度と 同一とする こ と が好ま しい。
なお、 この実施形態において、 上記の梁部 1 5 7 Z a その ものを、 口 ッ ド状ヒータな どの加熱手段で構成しても よい。 伝熱枠 1 5 7 の外枠部内に加熱手段を配置する よ う に構成し ても よい。
以上のよ う に、 伝熱部を梁状に構成 しても よ く 、 また、 こ の伝熱部の内部に加熱手段を配置しても よ く 、 更には、 伝熱 部自体を加熱手段と しても よい。
く第 1 0実施形態 >
図 1 1 A、 B は、 本発明の第 1 0実施形態に係る気化器の 主要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 1 1 A、 B は、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0の代わり に用 いる こ と のでき る送出部 1 7 0 を示すものであ り 、 その他の 部分は第 1 実施形態と 同様である。
この送出部 1 7 0 は、 側壁 1 7 1 の内側に力 tl熱機能を有す る板部材 1 7 2 が内側から嵌合固定された構造を有する。 板 部材 1 7 2 の内端面 1 7 2 a は気化室に臨み、 上記の遮蔽板 と 同様の機能を有する。 そ して、 内端面 1 7 2 a とそ.の周囲 の側壁 1 7 1 との間に設け られた間隙が流通開口部 1 7 0 B と なっている。 板部材 1 7 2 には、 その內端面 1 7 2 a の反 対側にある、 側壁 1 7 1 に対向する部分に複数の柱状の伝熱 部 1 7 2 p が配設される。 これらの伝熱部 1 7 2 p は側壁 1 7 1 の内面に熱接触する。
板部材 1 7 2 の内部にはヒータなどの加熱部 1 7 2 H と、 温度センサ 1 7 2 T Cの温度検出部が配置される。 板部材 1 7 2 の一部は側壁 1 7 1 の外側に突出 し、 こ こに、 加熱部 1 7 2 Hに接続された給電端子 1 7 2 e 及ぴ温度セ ンサ 1 7 2 T C の検出端子 1 7 2 f が配設される。 送出部 1 7 0 の内部 空間 1 7 0 Aは、 側壁 1 7 1 と板部材 1 7 2 によつて'囲まれ た領域であ り 、 送出路 1 7 O S に連通する。 内部空間 1 7 0 Aは環状 (リ ング状) に構成される。
内部空間 1 7 0 Aには、 多数の伝熱部 1 7 2 p が、 原料ガ スの流れ方向に対して略直交して分散配置されており 、 これ らの伝熱部 1 7 2 p によってフィルタ と 同様の機能、 即ち、 気化室から進入してきた残留ミ ス トゃパーティ クルを捕捉.す る機能を有する よ う に構成される。 これらの伝熱部 1 7 2 p は、 側壁 1 7 1 の内面と、 遮蔽板と 同様の機能を有する内端 面 1 7 2 a を構成する板部材 1 7 2 の部分との間に熱伝導柱 と して熱接触した状態となっている。 これによつて、 残留ミ ス トが伝熱部 1 7 2 p に接触して気化し、 気化効率が向上す る と共に、 パーティ クルの発生が抑制される。 内部空間 1 7 O A内に環状のフィルタ部材を配設する こ と もでき、 これに よ り 、 残留ミ ス トやパーティ クル等の固形物を除去する こ と ができ る。
即ち、 気化室 1 1 0 (図 1 参照) に面する板部材 1 7 2 の 表面は、 気化室 1 1 0 の他の内面と同様に、 液体原料を気化 させる気化面と して機能する。 また、 板部材 1 7 2が送出路 1 7 0 S への送出口 (ガス出口) 1 7 0 S Oを覆 う よ う に配 設され、 板部材 1 7 2 と送出路 1 7 0 S と の間に、 気化室 1 1 0 と送出 口 1 7 0 S O と を接続するガス通路部が形成され る。 このガス通路部で、 伝熱部 1 7 2 p の熱伝導柱が流体バ ッフルと して機能し、 これがフ ィ ルタ の機能を代替する。 本実施形態においても、 上記の伝熱部 1 7 2 p は、 気化室 側から流通開口部 1 7 0 B に進入する全ての仮想直線が伝熱 部 1 7 2 p を通過する こ と な しにそのまま送出路 1 7 0 Sに 到達する といつたこ と のないよ う に配置される。 複数の伝熱 部 1 7 2 p は、 これらが配置される内部空間 1 7 0 A内の流 通開 口部 1 7 0 B側 (図示外周側) か ら送出路 1 7 0 S側 (内周側 > に向けて伝熱部 1 7 2 p を通過 しない仮想直線が 形成されないよ う に配列される。 これによつて、 残留ミ ス ト のほとんどが少なく と も 1 回は伝熱部 1 7 2 p に接触して力 ら送出路 1 7 0 S に進入する よ う に構成される。 このため、 気体原料の流通を確保しながら、 パーティ クルの排出を防止 し、 しかも残留ミ ス ト の気化作用を促進する こ と ができ る。 更に、 フィルタ部材を用いていないので、 目詰ま り によ る気 化室内の圧力上昇がな く な り 、 長期使用が可能と なる。
板部材 1 7 2 の温度制御は、 温度制御回路 C O N Tによつ て、 温度センサ 1 7 2 T Cの検出温度に基づいて、 気化室の 温度制御と は独立して行われる。 従って、 遮蔽板に相当する 内端面 1 7 2 a の温度低下を低減する こ と ができ る。 この場 合、 板部材 1 7 2 の設定温度は気化室に対する加熱手段の設 定温度と 同一とする こ とが好ま しい。 なお、 側壁 1 7 1 の内 部にも別の加熱手段を設けても構わない。
ぐ第 1 1 実施形態〉 図 1 2 A、 B は、 本発明の第 1 1 実施形態に係る気化器の 主要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 1 2 A、 B は、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わり に用 いる こ と のでき る送出部 1 7 0 ' を示すものであ り 、 その他 の部分は第 1 実施形態と同様である。 送出部 1 7 0 の う ち、 第 1 0実施形態と 同様の部分には同一符号を付して示す。
この実施形態では、 側壁 1 7 1 ' に対して内側から板部材 1 7 2 ' が嵌合固定された構造を有する。 板部材 1 7 2 ' の 内端面 1 7 2 a と、 その周囲の側壁 1 7 1 ' との間には流通 開口部 1 7 0 B ' が形成される。 側壁 1 7 1 ' と板部材 1 7 2 ' と の間に上記流通開 口部 1 7 0 B ' に連通する環状 しリ. ング状) の内部空間 1 7 0 A ' が設け られ、 送出路 1 7 0 S ' にも連通する。
こ の実施形態において、 内部空間 1 7 0 A 内には、 環状 に構成されたフ ィルタ部材 1 7 3 が配置される。 フィ ルタ部 材 1 7 3 の外縁部は、 側壁 1 7 1 ' の内面に対して固定され る。 フ ィ ルタ部材 1 7 3 の外縁部以外の部位が、 側壁 1 7 1 ' から突出 した柱状の伝熱部 1 7 1 及び板部材 1 7 2 ' から突出 した柱状の伝熱部 1 7 2 に熱接触する。 具 体的には、 伝熱部 1 7 1 ρ ' と 1 7 2 ρ ' によってフ ィ ルタ 部材 1 7 3 が挟持された状態と なっている。
こ の実施形態では、 側壁 1 7 1 ' の内部 (収容孔 1 7 1 a ' ) にも別の加熱手段 1 7 2〃 が配置される。 従って、 フ ィ ルタ部材 1 7 3 は、 板部材 1 7 2 ' の加熱部 1 7 2 Hと力 tl 熱手段 1 7 2 〃 の双方から伝熱部 1 7 1 p ' 及び 1 7 2 p ' を夫々介 して熱を受ける よ う に構成される。 従って、 フ ィ ル タ部材 1 7 3 は、 これらの伝熱部を介 してよ り 大きな熱量を 受ける こ とができ る。 この場合、 効率よ く 気化を行う と共に、 残留ミ ス トゃパーティ クル等の固形物をフィノレタ部材によ り 除去する こ とができ る。
ぐ第 1 2実施形態 >
図 1 3 A、 B は、 本発明の第 1 2実施形態に係る気化器の 主要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 1 3 A、 B は、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わ り に用 いる こ と のでき る送出部 1 8 0 を示すものであ り、 その他の 部分は第 1 実施形態と 同様である。
こ の実施形態において、 側壁 1 8 1 には複数の加熱手段 1 8 2 が外側から揷入された状態で取り付け られる。 これらの 加熱手段 1 8 2 の先端には、 側壁 1 8 1 の内面から突出する 柱状の伝熱部 1 8 5 が夫々接合される。
送出路 1 8 0 S に連通する よ う に構成され 4 側壁 1 8 1 の内部に画成された内部空間 1 8 0 Aには、 内側 (気化室 側) に開いた容器状のフ ィ ルタ部材 1 8 3 が配置される。 フ ィ ルタ部材 1 8 3 は、 その外縁部が固定ねじ 1 8 8等によ り 側壁 1 8 1 の内面に固定される 。 フ ィ ルタ部材 1 8 3 の外縁 部以外の部分は、 側壁 1 8 1 に設けられた柱状の支持突起 1 8 1 cや上記の伝熱部 1 8 5 に熱接触する。
内部空間 1 8 O A の気化室に臨む位置 (フ ィ ルタ部材 1 8 3 の更に内側) には遮蔽板 1 8 4 が配置される。 遮蔽板 1 8 4 は、 フィルタ部材 1 8 3 に対してスぺーサ 1 8 6 を介して 熱接触した状態となってお り 、 固定ねじ 1 8 6 a によって伝 熱部 1 8 5 に対して固定される。 遮蔽板 1 8 4 と、 その周囲 にある側壁 1 8 1 の部分との間には間隙が設けられ、 この間 隙が流通開 口部 1 8 0 B と なっている。
こ の実施形態では、 フ ィ ルタ部材 1 8 3 が軸線方向を深さ 方向 とする容器形状に構成される。 このため、 フ ィルタ部材 1 8 3 には軸線方向に伸びる側面部分も存在する こ とから、 そのフィルタ面積を大き く する こ とができ る。 その結果、 フ ィ ルタ部材 1 8 3 の寿命を延ばすこ と ができ る。 熱伝導柱を 構成する上記の伝熱部 1 8 5 、 スぺーサ 1 8 6及び固定ねじ 1 8 6 a は、 加熱手段 1 8 2 に直接熱接触する。 このため.、 効率的にフ ィ ルタ部材 1 8 3や遮蔽板 1 8 4 を加熱する こ と ができ る。
ぐ第 1 3 実施形態 >
図 1 4 A、 B は、 本発明の第 1 3実施形態に係る気化器の 主要部を示す概略内部側面図及び概略縦断面図である。 図 1 4 A、 B は、 図 1 に示す気化器の送出部 1 3 0 の代わ り に用 いる こ と のでき る送出部 1 9 0 を示すものであ り 、 その他の 部分は第 1 実施形態と 同様である。
こ の実施形態において、 側壁 1 9 1 の内部 (収容孔 1 9 1 a ) には加熱手段 1 9 2が配置される。 側壁 1 9 1 には、 内 側 (気化室側) に開いた内部空間 1 9 0 Aが構成され、 これ は送出路 1 9 O S に連通する。
内部空間 1 9 O Aにはフィルタ部材 1 9 3 が配置され、 そ の外縁部が固定ねじ 1 9 8等によ り側壁 1 9 1 に固定される。 フィルタ部材 1 9 3 の外縁部以外の部位は、 側壁 1 9 1 の内 面から突出 した柱状の複数の伝熱部 1 9 7 に熱接触する。 フ ィルタ部材 1 9 3 の内側には、 気化室に臨む遮蔽板 1 9 4力 S スぺーサ 1 9 6 を介 して固定ねじ 1 9 6 a によ り伝熱部 1 9 7 に固定される。 遮蔽板 1 9 4 の周囲には、 側壁 1 9 1 との 間に間隙が設け られ、 この間隙が流通開口部 1 9 0 B と なる。 遮蔽板 1 9 4 と フィルタ部材 1 9 3 と の間には、 フ ィ ルタ部 材 1 9 3 の全面に亘つて空間部 1 9 O Dが形成される。
側壁 1 9 1 には穴 1 9 1 b が設け られ、 穴 1 9 1 b 内に温 度セ ンサ 1 9 9 が配置される。 温度センサ 1 9 9 の温度検出 点は上記伝熱部 1 9 7 の近傍若しく はその内部に配置される。
こ の実施形態では、フ ィ ルタ部材 1 9 3 の内部に加熱手段 1 9 3 Hが配置される。 具体的には、 加熱手段 1 9 3 Hはヮ ィ ャ状の ヒ ータ であ り 、 これがフ ィ ルタ部材 1 9 3 の内部を 蛇行状に通過する。 フ ィルタ部材 1 9 3 の内部には温度セン サ 1 9 3 T C もまた配置される。 そ して、 温^制御回路 C O N Tによって、 温度センサ 1 9 3 T Cの検出温度に基づいて、 加熱手段 1 9 3 Hの発熱量が制御され、 フ ィ ルタ部材 1 9 3 が直接独立して温度制御される よ う に構成される。
この実施形態では、 フィルタ部材 1 9 3 の内部に加熱手段 1 9 3 Hが配置される ので、 フ ィ ルタ部材 1 9 3 が直接加熱 される と共に、 フ ィ ルタ部材 1 9 3 を独立して温度制御する こ と ができ る。 従って、 フィルタ部材 1 9 3 の温度を精密に 制御でき る と共に、 その温度の均一性を高める こ とができる。 このため、 フ ィ ルタ部材 1 9 3 の 目詰ま りや堆積物の局部集 中を抑制する こ とができ、 気化室内の圧力上昇を抑制する と 共に、 フィルタ寿命を延ばすこ と ができ る。
<第 1 4実施形態 >
図 1 5 は、 本発明の第 1 4実施形態に係る気化器を示す概 略縦断面図である。 図 1 6 は、 図 1 5 の A— A線に沿った第 1 4実施形態の気化器を示す横断面図である。 こ の実施形態 の気化器は、 上記第 1 実施形態と 同様の気化面 2 1 O B及び 気化空間 2 1 O Aを構成する気化室 2 1 0 を有する。 気化空 間 2 1 0 Aに液体原料を噴霧するため、 噴霧手段 1 2 0 が配 設される。 気化室 2 1 0 に対して、 第 2気化部に相当する送 出部 2 2 0 が着脱可能に取り付け られる。 こ こで、 上記嘖.霧 手段 1 2 0 の構成 (原料供給管 1 2 1 、 噴霧用ガス供給管 1 2 2及ぴ噴霧ノ ズル 1 2 3 ) 、 気化室 2 1 0 の側壁 2 1 1 及 ぴ加熱手段 2 1 2 は、 上記第 1 実施形態と 同様である。 送出 部 2 2 0 において、 側壁 2 2 1 、 加熱手段 2 2 2 、 フ ィ ルタ 部材 2 2 3 、 遮蔽板 2 2 4、 伝熱部 2 2 5 、 スぺーサ 2 2 6 及ぴ固定ねじ 2 2 6 a は第 1 実施形態と 同様の機能を有する。 送出部 2 2 0 に設け られた内部空間 2 2 0 A、 遮蔽板 2 2 4 の周囲に設けられた流通開 口部 2 2 B、 送出路 2 2 0 S につ いても第 1 実施形態と 同様である。
本実施形態において、 気化室 2 1 0 は、 図 1 6 に示すよ う に噴霧ノ ズル 1 2 3 の軸線周 り に湾曲 した内面形状を有する。 具体的には、 気化室 2 1 0 は円筒状に構成される。 こ こで、 気化室 2 1 0 の形状は、 噴霧ノ ズル 1 2 3 の軸線を中心と し た円錐形、 或いは、 嘖霧ノ ズル 1 2 3 の軸線を直径の一つと する球形であっても構わない。 そ して、 上記のフ ィルタ部材 2 2 3 及び遮蔽板 2 2 4 は、 上記のよ う に嘖霧ノ ズル 1 2 3 の軸線周 り に湾曲 した内面に沿った湾曲形状を有する。 こ こ で、 フ ィ ルタ部材 2 2 3 の外縁部は固定ねじ 2 2 8等によつ て側壁 2 2 1 に固定される。 フ ィ ルタ部材 2 2 3 と遮蔽板 2 2 4 との間には空間部 2 2 0 Dが形成される。
上記のよ う に、 本実施形態では、 遮蔽板 2 2 4 が気化室 2 1 0 の内面形状に沿った形状を有する。 このため、 フ ィ ルタ 面積を大き く確保するこ と ができ る と共に、 気化器をコ ンパ ク ト に構成でき る。 本実施形態ではまた、 気化室 2 1 0 内の ミ ス トゃ気体原料の流れが送出部 2 2 0 の存在によって影響 を受けに く く なる よ う に構成してある。 図示例では気化室 2 1 0 は、 噴霧ノ ズル 1 2 3 の軸線周 り全体にほぼ均等な形状 (回転体形状) となる。 これによつて、 気化室 2 1 0 内の温 度分布や気化面 2 1 O B及び遮蔽板 2 2 4 の内面の温度分布 を安定させる こ とができ る。 このため、 特定^位への固形物 の集中的な堆積を防止する こ と が可能になる。 フ ィ ルタ部材
2 2 3 を遮蔽板 2 2 4 に沿った面形状を有する もの とする こ と で、 フ ィ ルタ部材 2 2 3 と遮蔽板 2 2 4 と の間隔を一定に 構成する こ と ができ る。 このため、 フ ィ ルタ部材 2 2 3 の全 面を有効に用いて、 残留ミ ス トや固形物を効率的に捕捉する こ と が可能になる。
本実施形態では、 上記のよ う に気化室 2 1 0 が噴霧ノ ズル 1 2 3 の軸線周 り に湾曲 した内面を有する形状と なっている が、 気化室の形状については何等限定されない。 従って、 気 化室の形状は、 立方体 ( 6 面体) などの多面体形状であって も構わない。 この場合、 上記遮蔽板及び Z又はフ ィ ルタ部材 は、 上記と 同様に、 多面体形状の一部を構成する よ う に気化 室の内面に沿った形状とする こ と が好ま しい。 この場合、 遮 蔽板及び/又はフィ ルタ部材が上記多面体形状の う ちの 2面 以上を構成する よ う に形成されていても よい。 更に、 気化室 は、 曲面と 平坦面とが組み合わされた内面形状を備えていて も よい。
本実施形態では、 第 1 実施形態と 同様に、 圧力ゲージ (図 示せず) を取り 付ける検出用配管 2 1 9 に連通する開 口部が 気化室 2 1 O Aに臨むよ う に形成される。 そ して、 この開口 部には、 フ ィルタ部材 2 :(_ 3 と 、 フィ ルタ部材 2 1 3 の気化 室 2 1 0 A側に配置された遮蔽板 2 1 4 とが配設される。 フ ィルタ部材 2 1 3 は、 側壁 2 1 1 の内面から突出する伝熱部 2 1 5 に当接する。 伝熱部 2 1 5 は、 スぺーサ 2 1 6 を介し て固定ねじ 2 1 6 a によ り 固定された遮蔽板 2 1 4 に対して これらのスぺーサ 2 1 6及び固定ねじ 2 1 6 a を介して熱的 に接触する。 遮蔽板 2 1 3 と側壁 2 1 1 との間には開 口部が 設け られ、 この、開口部を通 して気化室 2 1 O Aに対してフィ ルタ部材 2 1 3 の配置された空間が連通する。 また、 この開 口部は、 フ ィ ルタ部材 2 1 3 を通 して検出用配管 2 1 9 の内 部に連通する。
上記の遮蔽板 2 1 4 は、 気化室 2 1 O Aから侵入する残留 ミ ス トゃ固形物がフ ィ ルタ部材 2 1 3 に到達しに く く なる よ う にする。 このため、 フ ィ ルタ部材 2 1 3 の 目詰ま り が緩和 06609
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され、 フ ィルタ部材 2 1 3 の長寿命化を図る こ と ができ る。 フィ ルタ部材 2 1 3及ぴ遮蔽板 2 1 4 は伝熱部 2 1 5 を介し てその外縁部以外の部分において熱的に側壁 2 1 1 と熱的に 接触する。 このため、 気化室 2 1 0 Aの内面と ほぼ同様に加 熱される こ と力 ら、 残留ミ ス トが付着した と き、 当該'残留ミ ス ト を気化させる こ とができ る。
<第 1 5 実施形態 >
図 1 7 Aは、 本発明の第 1 5 実施形態に係る気化器を示す 概略縦断面図である。 こ こで、 送出部 2 3 0以外の構成は図 1 に示す実施形態と 同様である も の とする。 送出部 2 3 0 は、 側壁 2 3 1 と、 側壁 2 3 1 と気化空間 1 1 0 Aと の間に配置 されるハニカム状のフ ィルタ部材 2 3 2 と、 フィ ルタ部材 2 3 2 の内部に配置されたヒータな どの加熱手段 2 3 3 と を有 する。 側壁 2 3 1 には、 供給ライ ンに気体原料を送出する気 体原料送出路 2 3 1 a が形成される。 こ こで、 フ ィ ルタ部材 2 3 2 を通過した後のガスの温度低下を防止するために、 側 壁 2 3 1 を加熱するための加熱手段を別途設けても よい。 こ の加熱手段は、 側壁 2 3 1 の内部や外面上な どに設けるこ と ができ る。
フ ィルタ部材 2 3 2 は、 熱伝導性の良好な金属 (例えばス テンレス鋼など) 又は A 1 N、 S i C等のセラ ミ ック などで 構成された板状材で構成される。 フ ィ ルタ部材 2 3 2 の内部 には、 気体原料の流路方向 (図示右方向) と交差する (図示 例では直交する) 方向に収容孔 (或いは収容穴、 以下同様) 2 3 2 a が形成される。 収容孔 2 3 2 a には上記加熱手段 2 3 3 が収容される。 こ こで、 加熱手段 2 3 3 はフ ィルタ部材 2 3 2の内部全体に亘つて配置されていても よい。 この場合 には更に熱効率を高める こ とができる。 フ ィ ルタ部材 2 3 2 には、 気体原料の流路方向 と ほぼ平行に貫通 した微小な細孔
2 3 2 b が多数形成される。 なお、 細孔 2 3 2 b は、 残留ミ ス トゃ固形物がフ ィ ルタ部材にあたって再気化する よ う に、 原料ガスの流れ方向に対して略直交して形成してもよい。
これらの細孔 2 3 2 b は、 その貫通距離 (長さ) が直径に 較べて大きい形状と なるよ う に構成される。 細孔 2 3 2 b の 長さ (図示例ではフィルタ部材 2 3 2 の厚さ に一致する。 ) は、 気化空間 1 1 0 Aにて発生した微小な残留ミ ス ト の捕捉 率が充分に高く なる よ う に設計される。 具体的には、 細孔 2
3 2 b の直径は 0 . 0 1 〜 1 . O m m程度、 貫通距離は 5 〜 1 5 m m程度である。
なお、 加熱手段 2 3 3 を収容する収容孔 2 3 2 a と、 一部 の細孔 2 3 2 b とが交差する よ う に構成されていても よい。 或いは、 収容孔 2 3 2 a と交差する位置には、 細孔 2 3 2 b が形成されていないよ う に構成されていて も よい。
<第 1 6実施形態 >
図 1 7 B は、 本発明の第 1 6 実施形態に係る気化器を示す 概略縦断面図である。 この第 1 6実施形態では、 側壁 2 3 1 と 、 ハニカ ム状のフ ィ ノレタ部材 2 3 2 と の間に、 フィ ルタ部 材 2 3 4 が配置される。 フ ィルタ部材 2 3 4 は、 側壁 2 3 1 に対して固定部材 2 3 5 によって接続固定される。 フ ィ ルタ 部材 2 3 2 と フ ィ ルタ部材 2 3 4 と の間には、 これらのフィ ルタ面全体に亘つて空間部 2 3 0 Dが形成される。 これら以 外の点、 即ち、 フ ィ ルタ部材 2 3 2及び加熱手段 2 3 3 につ いては、 図 1 7 Aに示す第 1 5 実施形態と 同様である。
この構成例では、 ハニカム状のフィルタ部材 2 3 2 の下流 側にフィルタ部材 2 3 4が配置される こ と によ り 、 供給ライ ンに導入される ミ ス トゃパーティ クルの量を更に低減する こ とができ る とい う効果が得られる。 なお、 フ ィ ルタ部材 2 3 4 は、 フィルタ部材 2 3 4 よ り も細かい残留ミ ス ト を捕捉で き る よ う に構成される こ と が望ま しい。 例えば、 第 1 実施形 態に示すフィルタ部材 1 3 3 と 同様のものを用いる こ と がで きる。 図示例では、 フィルタ部材 2 3 4 は、 側壁 2 3 1 を.介 して、 或いは、 フィルタ部材 2 3 2力 らの輻射熱によって間 接的に加熱される。 フ ィ ルタ部材 2 3 4 には、 図 1 に示す実 施形態のフ ィルタ部材 1 3 3 と 同様に伝熱部 2 3 5 (ス ぺ一 サ) を介 して加熱手段の熱が伝達される。 なお、 フィ ルタ部 材 2 3 4 を伝熱部 2 3 5及び側壁 2 3 1 に固定する固定手段 2 3 5 a が用い られる。 こ こで、 第 1 5実施形態のフ ィ ルタ 部材 2 3 2 と同様にその内部に加熱手段を配置しても よい。 側壁 2 3 1 内に加熱手段を設けてもよい。 いずれの場合にお いて も、 この加熱されたフ ィ ノレタ部材 2 3 4 は、 気化室の気 化面 (内面) と 同一温度に制御される こ とが好ま しい。
この実施形態では、 フ ィ ルタ部材 2 3 2 によって比較的大 きな残留ミ ス ト を捕捉して気化させる こ とができ、 フ ィ ルタ 部材 2 3 4 によって比較的小さな残留ミ ス ト を捕捉する よ う に構成される。 従って、 ミ ス ト の除去効率を高める こ とがで き る と共に、 各フィ ルタ部材 2 3 2、 2 3 4 の目詰ま り を低 減する こ と ができ る。
く第 1 7実施形態 >
図 1 8 Aは、 本発明の第 1 7実施形態に係る気化器を示す 概略縦断面図である。 この第 1 7実施形態においても、 送出 部 3 3 0以外の構造は上記第 1 実施形態と 同様である。
この実施形態では、 送出部 3 3 0 には、 外壁 3 3 1 と 、 外 壁 3 3 1 の内側において気化空間 1 1 0 Aに臨む内壁 3 3 2 と を有する。 外壁 3 3 1 には、 気体原料送出路 3 3 1 a が形 成される。 内壁 3 3 2 には; 気化空間 1 1 0 Aと、 送出部 3 3 0 の内部空間 3 3 O Aと を連通させる連通孔 3 3 2 a が.形 成される。 内壁 3 3 2 の内部には、 ヒータなどの加熱手段 3 3 3 が配置される。
内部空間 3 3 O Aは、 外壁 3 3 1 と 内壁 3 3 2 によって画 成される。 内部空間 3 3 O Aには、 フ ィルタ部材 3 3 4 が配 置される。 フィ ルタ部材 3 3 4 は、 その外縁^以外の部位に おいて伝熱部 3 3 5 を介して熱接触した状態にある。 伝熱部 3 3 5 は、 加熱部材 3 3 3 によ り発生した熱を内壁 3 3 2 力 ら受けてフ ィ ルタ部材 3 3 4 の外縁部以外の部位に伝える よ う に構成される。 フィルタ部材 3 3 4 は、 伝熱部 3 3 5 を介 して内壁 3 3 2 に夫々接続固定される。 よ り 具体的には、固 定手段 3 3 5 a によってフ ィ ルタ部材 3 3 4 は伝熱部 3 3 5 及ぴ内壁 3 3 2 に固定される。 即ち、 伝熱部 3 3 5 は、 フ ィ ルタ部材 3 3 4 を支持する支持部材と しても機能する。 - この実施形態では、 気化空間 1 1 0 Aで生成された気体原 料が連通孔 3 3 2 a を通して内部空間 3 3 O Aに導入される。 内部空間 3 3 0 Aに導入された気体原料は、 フ ィ ルタ部材 3 3 4 を通過 して、 気体原料送出路 3 3 1 a から送出される。 ここで、 フ ィルタ部材 3 3 4 は、 伝熱部 3 3 5 を介して加熱 手段 3 3 3 によ り 加熱されるため、 気体原料中に存在する微 細な残留ミ ス トが付着しても、 確実に気化させるこ とができ る。 図示例では、 フ ィ ルタ部材 3 3 4 には、 複数の伝熱部 3 3 5 が外縁部以外の分散配置された部位に熱接触する。 この ため、 フ ィ ルタ部材 3 3 4全体がよ り 均一に加熱される こ と によ り 、 温度のばらつきが少なく な り 、 局部的な 目詰ま り な どを防止でき る。 この場合においても、 この加熱されたフイ ルタ部材 3 3 4 は、 気化室の気化面 (内面) と同一温度に制 御される こ とが好ま しい。
この実施形態では、 送出部 3 3 0 の内壁 3 3 2 が気化室 1 1 0 の気化空間 1 1 O Aに臨むよ う に配置される。 しかも、 内壁 3 3 2 の内部に加熱手段 3 3 3 が配置さ る ので、 加熱 手段 3 3 3 は、 気化空間 1 1 0 A内の原料の気化作用にも寄 与する もの となっている。
なお、 内壁 3 3 2 に設け られた上記連通孔 3 3 2 a は、 噴 霧手段 (噴霧ノ ズル : 図示せず) 側に偏った位置に形成され る。 これによつて、 気化空間 1 1 O A内に噴霧された ミ ス ト が直接連通孔 3 3 2 a を通ってフ ィ ルタ部材 3 3 4 に捕捉さ れる といったこ とが低減される。
<第 1 8 実施形態 >
図 1 8 B は、 本発明の第 1 8 実施形態に係る気化器を示す 概略縦断面図である。 この実施形態の送出部 4 3 0では、 側 壁 4 3 1 の内部に加熱手段 4 3 2 が収容配置される。 そ して、 側壁 4 3 1 の内側に、 フ ィ ルタ部材 4 3 3 が配置される。 フ ィ ルタ部材 4 3 3 は、 その外縁部以外の部位が側壁 4 3 1 に 突出 して形成した伝熱部 4 3 4 (スぺーサ) に熱接触した状 態にある。 伝熱部 4 3 4 は、 フィ ルタ部材 4 3 3 と側壁 4 3 1 と に夫々接続固定される。 よ り 具体的には、 固定手段 4 3 4 a によ り フィルタ部材 4 3 3 は伝熱部 4 3 4及び側壁 4 3 1 に固定される。 即ち、 伝熱部 4 3 4 は、 フィルタ部材 4 3 3 を支持する支持部材と しても機能する。 この場合において も、 この加熱されたフ ィ ルタ部材 4 3 4 は、 気化室の気化.面
(内面) と 同一温度に制御される こ とが好ま しい。
<第 1 9実施形態 >
図 1 9 は、 本発明の第 1 9実施形態に係る気化器を示す概 略縦断面図である。 この実施形態の気化器 5 0 0 は、 原料気 化部 5 1 0 と、 噴霧手段 5 2 0 と、 送出部 5 3 0 と を有する。 原料気化部 5 1 0 は、 側壁 5 1 と、 側壁 5 1 0 の内面を形 成する気化面 5 1 1 A と その内部に配置されたヒ ータな どの 加熱手段 5 1 2 と を有する。 噴霧手段 5 2 0 には、 原料供給 管 5 2 1 と 、 嘖霧用ガス供給管 5 2 2 と 、 噴霧ノ ズル 5 2 3 とが配設される。
噴霧ノ ズル 5 2 3 は、 原料を噴霧用ガスの圧力で噴霧する ものである。 噴霧ノ ズル 5 2 3 では、 その内部に原料と嘖霧 用ガス と が夫々 導入され、 その原料が複数 (図示例では 3 つ) の嘖霧ロ 5 2 3 a 力 ら噴霧用ガス によ り 噴霧される よ う に構成される。 よ り 具体的には、 導入された原料は原料拡散 室 5 2 3 s を介 して複数の原料供給路 5 2 3 V に分流される。 これ らの原料供給路 5 2 3 V は上記噴霧口 5 2 3 a に連通す る。 噴霧用ガスは噴霧用ガス拡散室 5 2 3 t を介して原料供 給路 5 2 3 V と 同軸に形成された経路に分流され、 各原料供 給路 5 2 3 V によ り 供給された原料を噴霧口 5 2 3 a にて噴 霧する。 このよ う に複数の噴霧口 5 2 3 a によって原料を噴 霧する こ と によって、 原料供給量を増やして ミ ス ト量を增大 させる.こ とができる。 また、 噴霧量を増やしても均一な径の ミ ス トを噴霧でき る よ う になる。 従って、 原料の気化効率を 高める こ とができ る と共に、 残留ミ ス トゃパーティ クルを低 減できる。
なお、 図示例では、 噴霧ノ ズル 5 2 3 に原料を供給する原 料供給管 5 2 1 は一本だけ描かれているが、 必要に応じて複 数の原料供給管 5 2 1 を設ける こ とができ る。 この場合、 複 数の原料供給管 5 2 1 によ り供給される複数瘇類の原料を噴 霧ノ ズル 5 2 3 内で噴霧直前にて混合し、 この混合物を噴霧 用ガス と共に複数の噴霧口 5 2 3 a にて分担して噴霧 (マ ト リ ク ス噴霧) する。
上記の嘖霧ノ ズル 5 2 3 の噴霧方向に配置される上記側壁
5 1 1 の内面である気化面 5 1 1 Aは、 略球面 (半球) 状に 構成される。 これによつて、 噴霧口 5 2 3 a 力 ら気化面 5 1
1 Aまでの距離がミ ス トの噴霧方向にかかわらずほぼ一定に なる。 当該気化面 5 1 1 Aに吹き付け られる ミ ス ト量が球面 上においてほぼ均一化されるなどの理由によ り 、 噴霧ノ ズル 5 2 3 から噴霧されたミ ス ト を効率的に気化させるこ とがで き る。
本実施形態の送出部 5 3 0 においては、 側壁 5 3 1 と、 側 壁 5 3 1 の内側に配置されたハニカ ム状のフ ィルタ部材 5 3 2 と が配設される。 側壁 5 3 1 には、 気体原料送出路 5 3 1 a が形成される。 フィルタ部材 5 3 2 には、 気体原料の流路 方向 と交差する方向に形成された収容孔 (又は 容穴、 以下 同様) 5 3 2 a が設け られる。 なお、 収容孔 5 3 2 a は、 残 留ミ ス トゃ固形物がフ ィ ルタ部材にあたって再気化する よ う に、 原料ガス の流れ方向に対して略直交して形成 しても よい。 収容孔 5 3 2 a にはヒータ などで構成される加熱手段 5 3.3 が外周側に配置される。 フ ィ ルタ部材 5 3 2 には、 気体原料 の流路方向に貫通した多数の細孔 5 3 2 b が形成される。 こ れらの細孔 5 3 2 b は、 気化空間 5 1 0 Aと、 送出部 5 3 0 の内部空間 5 3 O Aと を連通する。
本実施形態において、 フ ィ ルタ部材 5 3 2 は、 気化空間 5 1 0 Aに対して噴霧ノ ズル 5 2 3側に^設される。 よ り 具体 的には、 気化面 5 1 1 Aと対向 して噴霧ノ ズル 5 2 3 を取り 囲むよ う に、 噴霧ノ ズル 5 2 3 の周囲にフィルタ部材 5 3 2 が配置される。 噴霧ノ ズル 5 2 3 の噴霧方向 と は反対側 (背 後) に送出部 5 3 0 の内部空間 5 3 O Aが画成される。 また、 気体原料送出路 5 3 1 a は更にその背後に形成される。 こ の よ う に構成される こ と によ って、 噴霧ノ ズル 5 2 3 から噴霧 されたミ ス トが直接にフ ィ ルタ部材 5 2 3 に付着する こ と力 S 防止される。 この場合、 第 1 実施形態のよ う に遮蔽板 1 3 4 を設ける必要もない。
フィルタ部材 5 3 2 は、 その内部に配置された加熱手段 5 3 3 によってほぼ一様に加熱される。 従って、 気化面 5 1 1 Aによって気化空間 5 1 0 A内に生成された気体原料と共に 流れる微細な残留ミ ス トは、 フ ィ ルタ部材 5 3 2 に付着し、 こ こで再気化される。 気体原料は細孔 5 3 2 b を通過 して内 部空間 5 3 O Aに導かれ、 最終的に気体原料送出路 5 3 1 a を通過して送出されていく 。 フ ィ ルタ部材 5 3 2 に形成され る細孔 5 3 2 b は、 第 2実施形態と 同様にその寸法が設計さ れる。
本実施形態において、 内部空間 5 3 O A (フ ィ ルタ部材. 5 3 2 と気体原料送出路 5 3 1 a と の間) に、 図示破線で示す フ ィ ルタ部材 5 3 4 を設ける こ と が好ま しい。 フ ィ ルタ部材 5 3 4 は、 第 1 実施形態或いは第 1 5 実施形態のフ ィ ルタ部 材と 同様のものを用いるこ とができ る。 第 1 実施形態と 同様 に、 フィ ルタ部材 5 3 4 の外縁部以外の部位も熱接触して側 壁 5 3 1 よ り 突出 して形成される伝熱部に固定される のが好 ま しい。 この場合、 この伝熱部は、 フィルタ部材 5 3 2 力、ら フ ィ ルタ部材 5 3 4へと熱を伝える よ う に構成される。 なお、 加熱手段を側壁 5 3 1 に内蔵し、 側壁 5 3 1 に対して伝熱部 を取り付け、 この伝熱部をフ ィ ルタ部材 5 3 4 に熱接触させ る よ う に しても よい。
図 2 0 A、 B は、 噴霧手段の変更例を示す概略正面図及び 概略側面図である。 この噴霧手段 6 2 0 には、 複数 (図示例 では 3つ) の原料供給管 6 2 1 と、 噴霧用ガス供給管 6 2 2 と、 噴霧ノ ズル 6 2 3 と が配設される。 これらの複数の原料 供給管 6 2 1 から供給される各原料は、 夫々個々 に噴霧ノ ズ ル 6 2 3 内で事前に混合され、 複数の噴霧口 6 2 3 a の夫々 から夫々 に対応する噴霧用ガス と共に噴霧される よ う に構成 される。 この構成は、 例えば、 3種の気体原料 ( P b 、 Z r 及び T i の誘導体 (有機金属化合物) ) を供給 して P Z T (チタ ン酸ジルコン酸鉛) を形成する場合に適用 される。 こ の場合、 これら 3種の原料を上記噴霧手段 6 2 0 に導入する こ と によって、 夫々 の原料が個々 に噴霧ノ ズル 6 2 3 内で混 合される。 そ して、 3種の原料は、 夫々の専用の噴霧口 6 2 3 a から夫々の噴霧口 6 2 3 a に対応する噴霧用ガス と共に 噴霧される。
噴霧手段 6 2 0 においては、 上記第 1 9 実施形態の噴霧手 段 5 2 0 と 同様の効果を有する。 更に、 原料毎に専用の噴霧 口 6 2 3 a が形成される こ と によ り 、 原料別に噴霧態様 (原 料の噴霧量、 混合する噴霧用ガスの量、 嘖霧庄力など) を調 整する こ とができ る といった利点を有する。
- j
図 2 0 C、 Dは、 噴霧手段の別の変更例を示す概略正面図 及び概略側面図である。 この嘖霧手段 7 2 0 には、 複数の原 料供給管 7 2 1 と、 噴霧用ガス供給管 7 2 2 と、 噴霧ノ ズル 7 2 3 とが配設される。 噴霧ノ ズル 2 3 には、 複数の原料供 給管 7 2 1 に対応して連通する気体原料導入プロ ック 7 2 3 B〜 Dが配設される。 複数の原料供給管 7 2 1 から夫々供給 される原料は、 噴霧ノ ズル 7 2 3 の内部において気体原料導 入ブロ ック 7 2 3 D、 7 2 3 C、 7 2 3 B において順次に噴 霧口 7 2 3 a に連通する管路に導入されて混合される。 そ し て、 複数の原料は、 噴霧用ガス拡散室 7 2 3 Aを介して同軸 に導入された噴霧用ガス と共に噴霧口 7 2 3 a から噴霧され る。
噴霧手段 7 2 0 においては、 複数種類の原料を均一に混合 する こ とができ る。 このため、 気化空間内において混合原料 が気化されて成膜室内に供給されるこ と によ り 、 膜の組成比 の再現性が向上する といった効果を有する。
図 2 1 は、 本発明の実施形態に係る反応処理装置 (半導体 処理装置〉 を示す概略構成図である。 この反応処理装置は、 例えば、 気体原料を用いて薄膜を形成するための C V D装置 である。 この反応処理装置は、 原料供給部 2 0 0 と、 原料供 給部 2 0 0 に よ り供給さ れた原料を気化する気化器 1 0 0 ( 5 0 0〉 と、 気化器によ り 生成された気体原料を用いて処 理を行う反応処理部 3 0 0 と を有する。
図 2 2 は、 原料供給部 2 0 0 の内部構成を^す概略構成図 である。 原料供給部 2 0 0 には、 原料 A〜 Cを収容する原料 容器 2 0 2 A〜 2 0 2 Cが設けられ、 原料容器 2 0 2 A〜 2 0 2 Cから送液ライ ン 2 0 4 A〜 2 0 4 Cを通して原料 A〜 Cが気化器 1 0 0 ( 5 0 0 ) へと制御された流量で供給され る。 原料容器 2 0 2 〜 2 0 2 。 には、 例えば、 短導体装置 の材料と して、 強誘電体薄膜を成膜するのであれば P b、 Z r 、 T i ( P Z T ) や P b 、 Z r 、 T i 、 N b ( P Z T N ) 、 高誘電体薄膜を成膜するのであれば B a 、 S r、 T i な どの 有機金属化合物が、 更に超伝導薄膜を成膜するのであれば B 1 、 S r 、 C u などが夫々用い られる。 こ こで、 原料及び原 料容器の数は図示例には限定されず必要に応じて任意数設置 される。 溶剤容器 2 0 2 Dが設け られ、 この容器内に用意さ れた溶剤が送液ライ ン 2 0 4 Dを通して供給される。 更に、 各原料容器 2 0 2 A〜 2 0 2 C及び溶剤容器 2 0 2 Dの各送 液ライ ン 2 0 4 A〜 2 0 4 Dに接続された ドレイ ンライ ン 2 0 3 が設け られ、 ドレイ ンライ ン 2 0 3 に接続された ドレイ ン容器 2 0 2 Eが配設される。
送液ラィ ン 2 0 4 〜 2 0 4 0は、 一端を各原料容器 2 0
2 A〜 2 0 2 C及び溶剤容器 2 ひ 2 Dの液中に浸漬する位置 に配設される。 夫々下流側に伸びる途中に流体流量調節手段
(例えばマス フ ローメ ータな どの流量制御計) 2 0 5 A〜 2 0 5 Dが配設される。 送液ライ ン 2 0 4 A〜 2 0 4 Dは、 流 体流量調節手段から更に下流側に伸びて、 気化器 1 0 0 ( 5 0 0 〉 に各原料を送液する。 流体流量調節手段 2 0 5 A〜 2 0 5 Dは、 夫々 コ ン ト ローラ (図示せず) か 制御信号を受 けて流量を調整する。
原料供給部 2 0 0 は、 不活性ガスな どを導入するガス導入 ライ ン 2 0 6 から分岐したガス供給ライ ン 2 0 6 A〜 2 0 6 Dを有する。 ガス供給ライ ン 2 0 6 A〜 2 0 6 Dによ るガス 供給によ り 生じた圧力によって原料 A〜 C及び溶剤を夫々の 送液ライ ン 2 0 4 A〜 2 0 4 Dに送出する。 溶剤を供給する 送液ライ ン 2 0 4 D と、 原料を供給する各送液ライ ン 2 0 2 A〜 2 0 2 C及ぴガス供給ライ ン 2 0 6 A〜 2 0 6 C と の間 には溶剤供給ラ イ ン 2 0 7 が接続される。 更に、 排気装置 (図示せず) に接続されたバキュームライ ン 2 0 8 カ ドレイ ン容器 2 0 2 Eに接続される。
ガス供給ライ ン 2 0 6 A〜 2 0 6 Dには逆止弁 C Hが介揷 され、 また、 全てのライ ンには図示のよ う に適所に開閉弁 D V (ダイヤフ ラ ムバルブ) が介揷される。 更に、 原料'供給ラ ィ ンの液体流量調整手段 2 0 5 A〜 2 0 5 Dの上流位置には セパレータ (脱気器 : 図示せず〉 が介揷される こ とが好ま し い
再ぴ図 2 1 に戻り 、 気化器 1 0 0 ( 5 0 0 ) においては、 気化室 1 1 0 ( 5 1 0 ) において気化された原料が、 送出部 1 3 0 ( 1 5 0、 1 5 0 ' s 1 5 0〃 、 1 6 0、 1 6 0 ' ^ 1 5 0 X s 1 5 0 Y、 1 5 0 Ζ 1 7 0、 1 7 0 ' 、 1 8 0 、 1 9 0、 2 3 0、 3 3 0、 4 3 0、 5 3 0 ) を介して原料供 給ライ ン 1 4 0 に送出される。
原料供給ライ ン 1 4 0 には、 原料供給経路 1 4 1 と、 排気 系 (例えば真空ポンプ) に接続された排気経路 1 4 3 、 1 4 4 とが配設される。 原料供給経路 1 4 1 には、 上記フ ィ ルタ 部材 ( 1 3 3 、 1 5 3 、 1 5 3 ' 、 1 6 3 、 1 5 3 Χ、 1 5 3 Ζ、 1 7 3 、 1 8 3 、 1 9 3 、 2 3 2、 3 3 4、 4 3 3 、 5 3 2 ) を備えた気体原料再気化フ ィ ルタ 1 4 2 が配設され る。 これらの再気化フ ィ ルタ 1 4 2 は、 上記送出部 ( 1 3 0 、 1 5 0、 1 5 0 ' 、 1 5 0〃 、 1 6 0 、 1 6 0 ' 、 1 5 0 X , 1 5 0 Υ、 1 5 0 Ζ、 1 7 0、 1 7 0 ' 、 1 8 0 、 1 9 0、 2 3 0、 3 3 0 、 4 3 0、 5 3 0 ) と 同様の構造を有する。 即ち、 上記気体原料供給部がいずれも気化器の一部と して配 設されるのに対して、 再気化フィルタ 1 4 2 は、 上記の送出 部と 同 じ構成を有するにも拘らず、 気化器と は別体に配設さ れる点で異なる。 こ こで、 気化原料の供給構造と しては、 上 記送出部と、 再気化フ ィ ルタ 1 4 2 と は、 いずれか一方のみ が設け られていても構わない。
処理部 3 0 0 には、 半導体ウェハな どの被処理基板を载置 するため、 サセプタ 3 0 4が配設された反応室 3 0 1 を有す る。 反応室 3 0 1 内で、 サセプタ 3 0 4 に対向 して、 ガス導 入部 (シャ ワーヘッ ド) 3 0 3 が配設される。 シャ ワー へッ ド 3 0 3 カゝらは、 気化器 1 0 0 ( 5 0 0 ) から供給された気 体原料 (適宜のキャ リ アガス と共に導入される) が反応室 3 0 1 内に導入される。 シャ ワー へッ ド 3 0 3 力 らはまた、 別 途のガス導入管 3 0 5 から供給された反応ガス (例えば酸素 ガスなどの酸化性ガス) が反応室 3 0 1 内に導入される。 反 応室 3 0 1 には、 反応室 3 0 1 内を排気するため、 排気管 3 0 6 が接続される。
上記の反応処理装置においては、 気化器の送出部 ( 1 3 0 、 1 5 0、 1 5 0 ' , 1 5 0〃 、 1 6 0 、 1 6 0 ' , 1 5 0 X 1 5 0 Y、 1 5 0 Ζ、 1 7 0、 1 7 0 ' 、 1 8 0 、 1 9 0、 2 3 0、 3 3 0 、 4 3 0、 5 3 0 ) 又は再気化フ ィルタ 1 4 2 によって反応室 3 0 1 に導入される ミ ス トゃパーティ クル の量を大幅に低減する こ とができる。 このため、 反応室 3 0 1 内にて行われる処理 (例えば成膜処理〉 の品位を高める こ とができ る。 上記送出部や再気化フィ ルタ においては、 その 内部に配置されるフィルタ部材がよ り 均一に加熱される こ と TJP2004/006609
70 によって、 気化効率が高め られ、 目詰ま り が防止される。 こ のため、 供給ライ ンの コ ンダク タ ンス を維持 しつつ、 メ ンテ ナンス頻度を低減でき る。
図 2 3 は、 本発明の別の実施形態に係る反応処理装置 (半 導体処理装置) を示す概略構成図である。 この構成例では、 原料供給部 2 0 0 から気化器 1 0 0 ( 5 0 0 ) に原料が供給 され、 気化器 1 0 0 ( 5 0 0 ) から原料供給経路 1 4 1 に気 体原料が供給され、 処理部 3 0 0 に供給される点では上記と 同様である。 ただし、 原料供給経路 1 4 1 には A r ガスなど の不活性ガスを供給するパージライ ン 1 4 5 が導入される点 で異なる。 この構成例では、 再気化フィルタ 1 4 2及び排.気 経路 1 4 3 は設けられていない。
この構成例では、 気化器 1 0 0 ( 5 0 0 ) から反応室 3 0 1 までの距離 (原料供給経路 1 4 1 の長さ) が可能な限り 短 く する こ とで、 原料供給経路内の在留気化ガス量を小さ く す る。 これによ り 、 原料供給系におけるパーティ クルの発生を 抑止する こ とができ る こ と力ゝら、 反応室 3 0 1 で成膜される 膜の品位を向上させる こ とができ る。
図 2 4 は、 気化室の内圧の時間的変化 (内圧の原料供給時 間依存性) について、 第 2実施形態の気化器と従来の気化器 (単にフ ィ ルタ部材を従来の態様で設置したもの) とで比較 して示すグラ フである。
従来の気化器では、 線 L 2 で示すよ う に、 原料供給時間が 1 0 0時間に達する前に上限圧力を越えた。 このため、 加熱 しなが ら N 2 な どの不活性ガスを流すパージ処理を行って一 時的に内圧を低下させたが、 その後短時間の う ちに再び上限 圧力を超えた (なお、 図ではパージ処理期間を省略して示 す) 。 これは、 フ ィ ルタ部材に固形物が大量に付着 し、コ ン ダク タンスを低下させたためと思われる。
これに対して、 第 2実施形態の気化器では、 線 L 1 で示す よ う に、 原料供給時間が 6 0 0 時間を越えても上限圧力には はるかに届かず、 従来構造の場合に較べてコ ンダク タ ンスの 低下が大幅に抑制されるこ とがわかった。 なお、 第 2実施形 態では、 上記の う にコ ンダク タ ンスの低下がほ とんど発生 していないが、 フ ィ ルタ部材が機能していないわけではない。 第 2 実施形態では、 却って従来構造に較べて反応室に流れ.る パーティ クルの量が半分以下に低減される こ とが実験的に確 かめ られた。
特に、 従来構造の場合には下流側に接続されたイ ンライ ン フィルタによって反応室に流れるパーティ クル量が大き く 減 少するが、 第 2実施形態の場合には、 下流側【こ接続されたィ ンライ ンフィルタを取り外しても、 反応室に到達するパーテ
. 1
イ タルの量がほとんど変化 しないこ とが判明 した。 このこ と は、 イ ンライ ンフィ ルタの有無による変化がほと んど現れな い程度に第 2実施形態の気化器において発生するパーテイ ク ルの量が少ないこ と を示すと思われる。
このため、 図 2 4 に示す内圧変化の測定では、 原料供給時 間が約 1 7 0時間と なった時点 (図示点線) で、 下流側に接 続されたイ ンライ ンフ ィ ルタ を取り外して測定を継続して行 つた。 その結果、 グラ フの内圧値は 1 7 0時間以降において 04 006609
7 2 はやや低下した。 こ のよ う に、 第 2実施形態では、 フ ィ ルタ 部材の詰ま り による コンダクタ ンス の低下が大幅に抑制され る と共に、 下流側へ流れるパーティ ク ルを格段に低減する こ とができ る こ とが実証された。
なお、 本発明の気化原料の供給構造、 気化器及び反応処理 装置は、 上述の図示例にのみ限定される ものではなく 、 本発 明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得る こ と は勿論である。 例えば、 上記の実施形態のいずれかに示し た側壁、 内部空間、 加熱手段、 フ ィルタ部材、 遮蔽板、 伝熱 部 (熱伝導柱) 、 流通開口部の夫々の特徴点は、 夫々独立し . て他の実施形態にも適用可能であ り 、 夫々 の実施形態に示す 他の構成と の組合せに限定される ものではない。
産業上の利用可能性
本発明によれば、 気体原料中の ミ ス ト及びパーティ クルを 低減でき る気化器を提供する こ と ができる。

Claims

WO 2004/画 9 , W PCT趣 04 /画 9 7 3 求 の
1 . 気化器であって、
液体原料を気化させて気体原料を形成する気化室と、 前記気化室に前記液体原料を噴霧する噴霧部と、
前記気化室からガス賓出口へ前記気体原料を送出する送出部 と 、
前記気化器を加熱する加熱部と、
を具備し、 前記送出部は、 前記気体原料を通過させる よ う に前記ガス出口 を覆う フ ィ ルタ部材と、
前記加熱部の熱を前記フ ィ ルタ部材に伝達する伝熱部材.と を具備する。
2 . 請求の範囲 1 に記載の気化器において、
前記伝熱部材若しく は前記フ ィ ルタ部材の温度に基づいて 前記加熱部の温度制御を行う制御部材を更に具備する。
3 . 請求の範囲 1 に記載の気化器において、
前記伝熱部材は、 複数の伝熱部材を具備する。
- I
4 . 請求の範囲 1 に記載の気化器において、
前記伝熱部材に組み込まれたヒ ータ を更に具備する。
5 . 請求の範囲 1 に記載の気化器において、
前記伝熱部材は前記フ ィ ルタ部材の外縁部以外の部位に熱 接触する。
6 . 気化器であって、
液体原料を気化させて気体原料を形成する気化室と 、 前記気化室に前記液体原料を噴霧する噴霧部と、 前記気化室からガス出口へ前記気体原料を送出する送出部 と、
前記気化器を加熱する加熱部と、
を具備し、 前記送出部は、
前記気体原料を通過させる よ う に前記ガス出口 を覆 う フ ィ ルタ部材と 、
前記ガス出口 と反対側で前記フ ィ ルタ部材を被覆する遮蔽 板と、
を具備する。
7 . 請求の範囲 5 に記載の気化器において、
前記遮蔽板は、 前記気化室から前記ガス出口 に導入される 前記気体原料の仮想直線が前記フ ィ ルタ部材に直接到達しな いよ う に配設される。
8 . 請求の範囲 5 に記載の気化器において、
前記フ ィ ルタ部材と前記遮蔽板との間に、 前記気体原料を 前記ガス出口へ送出する加熱されたガス通路部が形成される。
9 . 請求の範囲 8 に記載の気化器において、
前記気化室と前記ガス通路部を連通させる開口部が、 前記 遮蔽板の周囲に形成される。
1 0 . 請求の範囲 8 に記載の気化器において、
前記気化室と前記ガス通路部を連通させる開口部が、 前記 遮蔽板自体に形成される。
1 1 . 請求の範囲 1 0 に記載の気化器において、
前記開 口部は、 前記遮蔽板の厚さ方向に屈折した形状を有 するス リ ッ トを具備する。
1 2 . 請求の範囲 6 に記載の気化器において、 前記フィルタ部材または前記遮蔽板の温度に基づいて前記 加熱部の温度制御を行う制御部材を更に具備する。
1 3 . 請求の範囲 1 2 に記載の気化器において、
前記フ ィ ルタ部材または前記遮蔽板の温度は、 前記加熱部 の温度と実質的に同一に設定される。
1 4 . 請求の範囲 1 2 に記載の気化器において、
前記遮蔽板に配設された温度センサを更に具備し、 前記制 御部材は、 前記センサによる検出信号に基づいて前記加熱部 の温度制御を行う。
1 5 . 請求の範囲 6 に記載の気化器において、
前記遮蔽板に組み込まれたヒ ータを更に具備する。
1 6 . 請求の範囲 6 に記載の気化器において、
前記加熱部は、 前記気化室の壁面内に埋め込まれたヒータ を具備する。
1 7 . 気化器であって、
液体原料を気化させて気体原料を形成する気化室と、 前記気化室に前記液体原料を噴霧する噴霧部と、
前記気化室からガス出口へ前記気体原料を送出する送出部 と、
前記気化器を加熱する加熱部と、
を具備し、 前記送出部は、
流通開 口部を確保した状態で前記ガス出口及ぴその周囲の 壁面を間隔をおいて被覆する板部材と、 前記板部材と前記壁 面と の間に、 前記気化室と前記ガス出口 と を接続するガス通 路部が形成される こ と と、
前記ガス通路部内に配設された流体バッフルと して機能す る複数の柱と、
前記ガス通路部を流れる前記気体原料を加熱する ヒ ータ と 、 を具備する。
1 8 . 請求の範囲 1 7 に記載の気化器において、
前記ヒ ータは前記板部材内に埋設される。
1 9 . 請求の範囲 1 8 に記載の気化器において、
前記気化室に面する前記板部材の表面は、 前記液体原料を 気化させる気化面を提供する。
2 0 . 請求の範囲 1 7 に記載の気化器において、
前記ヒ ータの熱を前記板部材に伝達する伝熱部材を更に具 備し、 前記伝熱部材は前記板部材の外縁部以外の部位に熱接 触する。
2 1 . 請求の範囲 2 0 に記載の気化器において、
前記複数の柱は前記伝熱部材と しても機能する。
2 2 . 請求の範囲 1 7 に記載の気化器において、
前記板部材の温度に基づいて前記加熱部の温度制御を行う 温度制御部を更に具備する。
2 3 . 請求の範囲 1 7 に記載の気化器において、
前記ガス出口 と前記板部材と の間で、 前記気体原料を通過 させる よ う に前記ガス出口 を覆う フィ ルタ部材を更に具備す る。
2 4 . 気化器であって、
液体原料を気化させて気体原料を形成する気化室と、 前記気化室に前記液体原料を噴霧する嘖霧部と 、 前記気化室からガス出口へ前記気体原料を送出する送出部 と 、
前記気化器を加熱する加熱部と、
を具備し、 前記送出部は、
前記気体原料を通過させる よ う に前記ガス出口 を覆 う フィ ルタ部材と、
前記加熱部の熱を前記フ ィ ルタ部材に伝達する伝熱部材と、 前記ガス出口 と反対側で前記フィルタ部材を被覆する遮蔽 板と,、
を具備する。
2 5 . 被処理基板に対して半導体処理を施す装置であって、 前記被処理基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するためのガス供給系 と、 を具備し、 前記ガス供給系は、 請求の範囲 1 に記載の気化器 を具備する。
2 6 . 被処理基板に対して半導体処理を施す装置であって、 前記被処理基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するためのガス供給系 と、 を具備し、 前記ガス供給系は、 請求の範囲 6 に記載の気化器 を具備する。
2 7 . 被処理基板に対して半導体処理を施す装置であって、 前記被処理基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するためのガス供給系 と、 を具備し、 前記ガス供給系は、 請求の範囲 1 7 に記載の気化 器を具備する。
2 8 . 被処理基板に対して半導体処理を施す装置であって、 前記被処理基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するためのガス供給系 と、 を具備し、 前記ガス供給系は、 請求の範囲 2 4 に記載の気化 器を具備する。
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