WO2004093170A1 - 現像処理方法及び現像処理装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a developing method and a developing method for supplying a developing solution to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for FPD (flat panel display) or a photomask substrate (reticle) and developing the substrate surface. It concerns the device. Background art
- a resist solution is applied to the surface of a semiconductor wafer or a glass substrate for FPD (hereinafter referred to as a wafer, for example), and the circuit pattern is reduced using an exposure apparatus such as a stepper.
- a photolithography technique is used in which a resist film is exposed to light and a developing solution is applied (supplied) to the exposed wafer surface using a rotary coating apparatus to perform a developing process.
- a spray method for spraying a developing solution onto a resist on a surface of a wafer or the like and a paddle method for applying a developing solution on the surface of a wafer or the like are generally known.
- a pair of wafers or the like to be developed are opposed to each other with a predetermined gap therebetween, and the gap is filled with a developing solution by using a capillary phenomenon.
- a method is known in which a liquid film is formed and washed after development processing (see, for example, JP-A-6-244977).
- the consumption of the developing solution can be reduced as compared with the spraying method and the paddle method.
- the movement (flow) of the liquid at the time can be suppressed, and the uniformity of the pattern dimensions such as the line width can be improved. Further, cleaning of the wafer after the development processing can be performed by the same wafer support mechanism.
- cleaning and drying of wafers and the like are required after the development process.
- Washing and drying the wafers and the like separately causes not only an increase in consumption of the cleaning liquid and the drying fluid, but also the cleaning liquid accompanying the cleaning and drying. Increases the space for collecting scattered materials such as dust and mist There was a problem.
- the wafer is rotated during cleaning and drying, there is a problem that, due to the rotational force, the cleaning and drying are uneven between the central portion and the outer peripheral portion of the wafer.
- the spray method consumes a large amount of the developing solution, and it is difficult to spray (supply) the developing solution uniformly onto the surface of a wafer or the like, so that pattern dimensions such as a line width become non-uniform.
- spray method consumes a large amount of the developing solution, and it is difficult to spray (supply) the developing solution uniformly onto the surface of a wafer or the like, so that pattern dimensions such as a line width become non-uniform.
- the paddle method does not cause problems such as spray development, but since the liquid film surface of the developer is an open free surface, the liquid surface ripples and the resist contact surface of the developing solution is accordingly generated. (Reaction surface) also moved, resulting in a problem that pattern dimensions such as line width became non-uniform. In addition, even in the paddle method, there is a problem that it is difficult to uniformly fill the surface of a wafer or the like with a developer.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, and reduces the amount of a cleaning liquid and a drying fluid to be used without rotating a substrate to be processed, and saves the amount of a scattered substance such as a cleaning liquid and a mist. It is an object of the present invention to provide a developing method and a developing apparatus capable of uniformly cleaning and drying a substrate to be processed after the developing process while achieving a reduction in development.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a developing method and a developing apparatus capable of achieving uniform pattern dimensions such as line width and reducing the consumption of a developing solution.
- the purpose is.
- a development processing method includes: a developing step of supplying a developer to the surface of the substrate to be processed to form a liquid film of the developer on the surface of the substrate to be processed; The processing substrate on which the liquid film is formed and the flat plate are opposed to each other in parallel to form a gap, and the cleaning liquid is moved into the gap while moving the cleaning nozzle from one end to the other end of the gap. And a cleaning step of supplying a drying fluid from one end of the gap to the other end of the gap while injecting a drying fluid into the gap to adhere to the substrate to be processed. A drying step of removing the liquid and the cleaning liquid.
- the developing method includes a developing step of supplying a developing solution to the surface of the substrate to be processed and forming a liquid film of the developing solution on the surface of the substrate to be processed; A cleaning step of supplying the cleaning liquid into the gap by moving the cleaning nozzle from one end of the gap to the other end of the gap by causing the plate and the flat plate to face each other in parallel with each other; A suction step of moving the suction nozzle from one side end to the other side and sucking the developing solution and the cleaning solution supplied to the processing, and moving the drying nozzle from one side end of the gap to the other side end A drying step of injecting a drying fluid into the gap while removing the developing solution and the cleaning solution that have been subjected to the process of adhering to the substrate to be processed.
- the developing method includes a developing step of supplying a developing solution to the surface of the substrate to be processed and forming a liquid film of the developing solution on the surface of the substrate to be processed; A gap is formed by opposing the plate and the plate in parallel with each other to form a gap, and a cleaning step of supplying a cleaning liquid into the gap while moving the cleaning nozzle from one end of the gap to the other end; While moving the suction / drying nozzle from one side end to the other side end, the developing solution and the washing solution used for processing are sucked, and the surrounding air is sucked to develop the developer adhered to the substrate to be processed. And a suction / drying step of removing the liquid and the cleaning liquid.
- the development processing method is to form a gap by facing a substrate to be processed and a flat plate in parallel with each other, and to supply a developer while moving a developing nozzle from one end of the gap to the other end.
- a gap is formed by facing a substrate to be processed and a flat plate in parallel with each other, and the developing nozzle is supplied while moving the developing nozzle from one end of the gap to the other end.
- a gap is formed by opposing a substrate to be processed and a flat plate in parallel with each other, and a developing solution is supplied while moving a developing nozzle and a gap from one end of the gap to the other end.
- the gap is filled with the developing solution to form a liquid film of the developing solution on the surface of the substrate to be processed, and the gap is moved while moving the cleaning nozzle from one end of the gap to the other end.
- a suction / drying step of removing the developing solution and the cleaning solution attached to the substrate by suction.
- the development processing method is to form a gap by facing a substrate to be processed and a flat plate in parallel with each other, and to supply a developer while moving a developing nozzle from one end of the gap to the other end.
- the development processing method is to form a gap by facing a substrate to be processed and a flat plate in parallel with each other, and to supply a developer while moving a developing nozzle from one end of the gap to the other end.
- the cleaning nozzle may reciprocate in the cleaning step.
- the drying nozzle may reciprocate.
- the gap is closed from the outside by a cup, and that the developing solution and the washing liquid used for processing in the processing space that is shut off from the outside are discharged to the outside.
- the drying step it is preferable that the gap is closed from the outside by a cup, and the gas-liquid fluid in the processing space, which is cut off from the outside, is discharged to the outside. Also, in the suction and drying step, it is preferable that the gap be blocked from the outside by the cup, and the gas-liquid fluid in the processing space blocked from the outside be discharged to the outside.
- the cleaning nozzle and the drying nozzle are formed by a common nozzle body, and a cleaning liquid supply source and a drying fluid supply source are connected to the nozzle body via switching means. It is also possible to supply a cleaning liquid from the cleaning liquid supply source to the nozzle body for cleaning, and in the drying step, supply a drying fluid from the drying fluid supply source to the nozzle body by the switching means to dry the nozzle body.
- the development processing apparatus embodies a development processing method, in which a liquid film is interposed between a stage on which a substrate to be processed is mounted and a substrate to be processed mounted on the stage in parallel to the stage and opposed to the stage.
- a developing solution By supplying a developing solution while moving from one end of the gap to the other end, a flat plate forming a gap for forming the gap, the gap is filled with the developing solution, and the surface of the substrate to be processed is filled.
- the development processing apparatus embodies a development processing method, in which a liquid film is formed between a stage on which a substrate to be processed is placed and a substrate to be processed placed on the stage in parallel with and facing the stage.
- a flat plate forming a gap for use, and from one end of the gap to the other end.
- a developing nozzle that fills the gap with the developing solution to form a liquid film of the developing solution on the surface of the substrate to be processed by supplying the developing solution while moving the gap from one end of the gap to the other end.
- a cleaning nozzle which supplies a cleaning liquid while moving toward the substrate; a suction nozzle which suctions a developing solution and a cleaning liquid attached to the substrate to be processed while moving from one side end to the other side end of the gap; A drying nozzle for ejecting a drying fluid while moving from one side end to the other side end to remove the developing solution and the cleaning solution attached to the substrate to be processed.
- the development processing apparatus embodies a development processing method, and forms a liquid film between a stage on which a substrate to be processed is mounted and a substrate to be processed mounted on the stage in parallel with the stage and facing the stage.
- the developer is supplied while moving from one end of the gap to the other end, and the gap is filled with the developer to develop on the surface of the substrate to be processed.
- a suction device for sucking the developing solution and the cleaning solution attached to the substrate to be processed, and removing the developing solution and the cleaning solution attached to the substrate by sucking the surrounding air.
- the development processing apparatus embodies the development processing method, and forms a liquid film between a stage on which a substrate to be processed is mounted and a substrate to be processed mounted on a stage facing the stage in parallel with the above stage.
- the developer is supplied while moving from one end of the gap to the other end, and the gap is filled with the developer to develop on the surface of the substrate to be processed.
- a developing nozzle for forming a liquid film of the liquid a first suction nozzle for sucking the developing solution used for processing while moving from one side end to the other side end of the gap; and one side end of the gap Cleaning nozzle that supplies a cleaning liquid while moving toward the other end from the second side, and a second suction that suctions the cleaning liquid adhering to the substrate to be processed while moving from one side end to the other side end of the gap.
- the nozzle moves from one end of the gap to the other end While by ejecting dry fluid to anda Drying Diagnostics' Honoré removing the cleaning liquid adhering to the substrate to be processed.
- the development processing apparatus embodies a development processing method, and includes a stage on which a substrate to be processed is mounted, and a substrate to be processed mounted on a stage facing the stage in parallel with the stage.
- a developing nozzle for forming a liquid film of the developing solution on the surface of the substrate; a first suction nozzle for sucking the developing solution used for processing while moving from one side end to the other side end of the gap; A cleaning nozzle that supplies the cleaning liquid while moving from one side end of the gap to the other side end, and suctions the cleaning liquid that adheres to the substrate to be processed while moving from one side end of the gap to the other side end And a suction / drying nozzle for sucking ambient air to remove the developing solution and the cleaning solution attached to the substrate to be processed.
- the developing apparatus further includes a cup that surrounds the outside and the lower portion of the stage and that can be moved up and down to come into contact with and separate from the flat plate.
- the developing nozzle can be formed of a tubular nozzle having at least a plurality of supply holes extending along the axial direction.
- the cleaning nozzle can be formed of a tubular nozzle body having a plurality of supply holes extending along the axial direction, which are open at least on the substrate side and the flat plate side.
- the suction nozzle can be formed by a tubular nozzle body having a suction hole extending along the axial direction and opening on the movement direction side of the nozzle.
- the suction / drying nozzle is provided with a liquid suction hole along the axial direction that opens in the direction of movement of the nozzle, and air suction along the axial direction that opens on the side opposite to the direction of movement of the nozzle (the rear side in the direction of movement).
- a nozzle body having a hole.
- the drying nozzle can be formed of a tubular nozzle having at least a substrate to be processed and an injection hole extending along an axial direction and opening on the flat plate side, similarly to the cleaning nozzle.
- the cleaning nozzle and the drying nozzle are formed by a common tubular nozzle body, and a cleaning liquid supply source and a drying fluid supply are connected to the tubular nozzle body via switching means, and the switching operation of the switching means is performed. It is preferable that the cleaning liquid supply source is formed so that the supply of the cleaning liquid to the tubular nozzle body or the drying fluid supply source can selectively supply the drying fluid to the tubular nozzle.
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, and the drying nozzle are slidably mounted on guide rails disposed in parallel to the outside of the stage and the flat plate, and are formed so as to be vertically movable up and down.
- Either the washing nozzle or the drying nozzle It can be moved by moving means or moved up and down by elevating means, or the developing nozzle, washing nozzle, suction nozzle and drying nozzle can be slid on guide rails arranged parallel to the outside of the stage and the flat plate. It is preferable that the developing nozzle, the washing nozzle, the suction nozzle, and the drying nozzle be moved by moving means or be moved up and down by moving means.
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, and the suction 'drying nozzle' are slid on the guide rails arranged parallel to the outer sides of the stage and the flat plate. It is preferable that the developing nozzle, the cleaning nozzle, or the suction / drying nozzle be moved by a moving unit or moved up and down by a lifting unit.
- the developing solution is supplied to the surface of the substrate to be processed, and a liquid film of the developing solution is formed on the surface of the substrate to be processed.
- the cleaning nozzle is moved (scanned) to supply the cleaning liquid into the gap for cleaning, and then the drying nozzle is moved (scanned).
- the substrate to be processed can be dried by spraying a drying fluid into the gap while removing the developer, and the developing solution and the cleaning solution that have been subjected to the process attached to the substrate to be processed can be removed. Therefore, the cleaning nozzle can be moved (scanned) into the gap for forming the liquid film of the developer without rotating the substrate to be processed, and the drying nozzle can be moved (scanned). Then, drying can be performed.
- the developing solution is supplied to the surface of the substrate to be processed, and a liquid film of the developing solution is formed on the surface of the substrate to be processed.
- the cleaning liquid is supplied into the gap while moving the cleaning nozzle for cleaning, and then the suction nozzle is moved (scanned) for processing.
- the drying nozzle is moved (scanned), and then the drying fluid is sprayed into the gap to dry the substrate to be processed, that is, to adhere to the substrate to be processed.
- the supplied developing solution and washing solution can be removed.
- the cleaning nozzle is moved (scanned) into the gap for forming the liquid film of the developing solution to perform the cleaning, and then the suction nozzle is moved (scanned) to perform the development. Aspirate the liquid and cleaning solution, and then move (scan) the drying nozzle to dry. Drying can be performed.
- the developing solution is supplied to the surface of the substrate to be processed, and a liquid film of the developing solution is formed on the surface of the substrate to be processed. From one side end of the formed gap to the other side end, first, the cleaning nozzle is moved to supply the cleaning liquid into the gap for cleaning, and then the suction nozzle is moved (scanned) while moving the drying nozzle. The developing solution and the washing solution supplied to the substrate can be sucked and the surrounding air can be sucked to remove the developing solution and the cleaning solution attached to the substrate to be treated.
- the cleaning nozzle is moved (scanned) to the gap ⁇ ⁇ where the liquid film of the developer is formed to perform the cleaning, and then the suction / drying nozzle is moved (scanned) to perform the cleaning. And drying at the same time as suctioning the cleaning liquid.
- the developer is supplied while moving (scanning) the developing nozzle from one side end to the other side end of the gap formed between the substrate to be processed and the flat plate.
- a drying fluid By spraying a drying fluid into the gap while moving (scanning) the nozzle, the substrate to be processed is dried, that is, the processed developing solution and cleaning solution attached to the substrate to be processed can be removed.
- the liquid film of the developing solution is formed while moving (scanning) the developing nozzle in the gap for forming the liquid film of the developing solution without rotating the substrate to be processed, and then the cleaning nozzle is moved (scanned). After cleaning, the drying nose can be moved (scanned) to perform drying.
- the developer is supplied while moving (scanning) the developing nozzle from one side end to the other side end of the gap formed between the substrate to be processed and the flat plate.
- To form a liquid film of the developing solution on the surface of the substrate to be processed then supply the cleaning liquid into the gap while moving (scanning) the cleaning nozzle, and perform cleaning.
- While moving (scanning) the developer and cleaning liquid are sucked, and then, while moving (scanning) the drying nozzle, the drying fluid is sprayed into the gap to dry the substrate to be processed, that is, to adhere to the substrate to be processed.
- the supplied developer and cleaning solution can be removed. Therefore, the liquid film of the developer can be formed without rotating the substrate to be processed.
- the developer nozzle is moved (scanned) to form a liquid film of the developer in the gap, then the cleaning nozzle is moved (scanned) to perform cleaning, and then the suction nozzle is moved (scanned) Then, the developing solution and the washing solution are sucked, and thereafter, the drying nose is moved (scanned) to perform drying.
- the developer is supplied while moving (scanning) the developing nozzle from one side end to the other side end of the gap formed between the substrate to be processed and the flat plate.
- While moving (scanning) the drying nozzle the developing solution and the cleaning solution used for processing are sucked, and the surrounding air is suctioned to remove the developing solution and the cleaning solution used for processing that adhere to the substrate to be processed. can do. Therefore, without rotating the substrate to be processed, the developing liquid film is formed while moving the developing nozzle in the liquid film forming gap of the developing liquid, and then the cleaning nozzle is moved. (Scanning) to perform washing, and then, suction (moving the drying nozzle) (scanning) to suck the developing solution and the washing solution, and simultaneously perform drying.
- the developer is supplied while moving (scanning) the developing nozzle from one side end to the other side end of the gap formed between the substrate to be processed and the flat plate.
- the (first) suction nozzle is moved (scanned) to suck the developing solution, and then the cleaning nozzle is washed.
- the cleaning liquid is supplied into the gap while moving (scanning) the cleaning liquid, and then the cleaning liquid is moved (scanning) the (second) suction nozzle ⁇ specifically, a mixed liquid of the developing liquid and the cleaning liquid ⁇ .
- a drying fluid is sprayed into the gap to dry the substrate to be processed, that is, to remove the cleaning liquid used for the process of adhering to the substrate to be processed. . Therefore, without rotating the substrate to be processed, the developing nozzle is moved (scanned) within the liquid film forming gap of the developing solution to form a liquid film of the developing solution, and then the (first) suction nozzle is formed. Is moved (scanned) to suction the developer, then the cleaning nozzle is moved (scanned) to perform cleaning, and then the (second) suction nozzle is moved (scanned) to aspirate the cleaning liquid. Thereafter, the drying can be performed by moving (scanning) the drying nozzle.
- the developer is supplied while moving (scanning) the developing nozzle from one side end to the other side end of the gap formed between the substrate to be processed and the flat plate.
- the (first) suction nozzle is moved (scanned) to suck the developing solution, and then the cleaning nozzle is washed.
- the cleaning liquid is supplied into the gaps while cleaning (scanning), and suction.
- the moving developer (cleaning liquid) is sucked while moving (scanning) the dried nozzles, and the surrounding air is suctioned.
- the developing nozzle is moved (scanned) into the gap for forming the developing liquid film while forming the liquid film of the developing solution, and then the (first) suction nozzle is moved. (Scan) to aspirate the developer, then move the cleaning nozzle (scan) to perform cleaning, and then move (scan) the suction / drying nozzle to perform the developer ⁇ specifically, the developer At the same time as sucking the mixed solution of the washing solution and the washing solution.
- the cleaning liquid is supplied while reciprocating the cleaning nozzle, whereby the cleaning efficiency can be further improved.
- the drying fluid in the drying step, is ejected while reciprocating the drying nozzle, whereby the drying efficiency can be further improved.
- the gap for forming the liquid film is blocked from the outside by the cup, and the developer used for processing in the processing space blocked from the outside is provided.
- the cleaning liquid By discharging the cleaning liquid to the outside, it is possible to prevent flying substances such as the cleaning liquid and mist scattered during the cleaning or drying processing from adhering to the substrate to be processed.
- the cleaning nozzle and the drying nozzle are formed by a common nozzle body, and the cleaning liquid supply source and the drying fluid supply source are connected to the nozzle body via the cutting means.
- the developing nozzle has at least a plurality of supply holes extending along the axial direction.
- the developing solution can be uniformly supplied to the surface of the substrate to be processed because it is formed of a tubular nozzle body.
- the cleaning nozzle is formed of a tubular nozzle body having a plurality of supply holes extending along the axial direction and opening at least on the substrate side and the flat plate side, the cleaning liquid is formed on the surface of the substrate to be processed. Can be supplied uniformly.
- the suction nozzle is formed of the tubular nozzle body having the suction hole along the axial direction that opens on the movement direction side of the nozzle, the developer and / or The mixed liquid of the liquid and the cleaning liquid can be efficiently sucked.
- the suction and drying nozzle has a liquid suction hole that opens in the direction of movement of the nozzle along the axial direction, and air that opens in the direction opposite to the direction of movement of the nozzle (the rear side of movement). Since it has a suction hole, it is possible to efficiently suck the developing solution and / or the mixed solution of the developing solution and the washing solution supplied to the processing, and at the same time, suck the surrounding air to dry.
- the drying nozzle is formed of a tubular nozzle body having at least a substrate to be processed and an injection hole extending along the axial direction and opening on the flat plate side, a dry explosion Fluid can be jetted (supplied) uniformly.
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, and the drying nozzle are slidably mounted on the stage and the guide rail disposed in parallel to the outside of the flat plate, the developing nozzle, the cleaning nozzle, and the drying nozzle are formed so as to be vertically movable.
- the moving means By moving any one of the developing nozzle, the cleaning nozzle and the drying nozzle by the moving means or by raising and lowering by the elevating means, the developing nozzle, the cleaning nozzle and the drying nozzle can be moved (scanned) smoothly and reliably. .
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, the suction nozzle, and the drying nozzle are slidably mounted on the guide rails disposed parallel to the outside of the stage and the flat plate, and can be moved up and down in the vertical direction.
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, the suction nozzle, or the drying nozzle is moved by the moving means or moved up and down by the elevating means to move the developing nozzle, the cleaning nozzle, the suction nozzle, and the drying nozzle. Scan) can be performed smoothly and reliably.
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, and the suction It is slidably mounted on a guide rail arranged parallel to the outside of the plate and the flat plate, and is formed so that it can be raised and lowered in the vertical direction.
- the developing nozzle, the washing nozzle, or the suction-drying nozzle The moving (scanning) of the developing nozzle, the cleaning nozzle, and the suction / drying nozzle, which is moved by the moving means or moved up and down by the elevating means, can be performed smoothly and reliably.
- a development processing method includes a step of facing a substrate to be processed and a flat plate for forming a liquid film in parallel with each other with a predetermined gap, and at least a plurality of small plates along an axial direction.
- the gap is filled with the developer by supplying the developer into the gap from the small hole while moving the tubular developer supply nozzle having a hole from one end of the gap toward the other end. Forming a liquid film of a developing solution on the surface of the substrate to be processed.
- the developer supply nozzle may have any form as long as it has a tubular shape having at least a plurality of small holes along the axial direction, for example, in the axial direction of the tubular member.
- a plurality of small holes may be formed in a row or a plurality of rows along the row at appropriate intervals.
- the supply of the developer to the developer supply nozzle may be at one end of the tubular member. However, it is preferable to supply the developer from both ends.
- the opening area of the small holes should be gradually increased from the end to the center. Is more preferred. When the opening areas of the small holes are the same, it is better to gradually reduce the distance from the end to the center.
- the developer supply nozzle can be formed of a porous tubular member having a large number of small holes all around.
- the developing solution may be supplied from the small holes of each of the developing solution supply nozzles while a plurality of the developer supply nozzles are moved into the gap at intervals. .
- turbulence of the supplied developing solution may be suppressed by a blade piece protruding rearward in the moving direction of the developing solution supply nozzle.
- the shape of the wing piece may be arbitrary, but it is preferable to form the shape into a narrow taper toward the tip. It is also possible to use two developer supply nozzles with wing pieces protruding. In this case, two developer supply nozzles projecting from the wings are arranged side by side in the direction intersecting the direction of movement. Then, it is better to supply the developer from the small holes of each developer supply nozzle while moving in the gap.
- the developer supply nozzle may be rotated in the circumferential direction of the nozzle while moving.
- the nozzle may be rotated in any direction, but it is preferable to rotate the nozzle toward the substrate to be processed.
- a substrate to be processed may be used as the liquid film forming flat plate.
- the developing apparatus of the present invention embodies a developing method, a developing table for mounting a substrate to be processed and a mounting table disposed above and facing the mounting table, and mounted on the mounting table.
- a liquid film forming flat plate that forms a predetermined gap with the processed substrate, a tubular developer supply nozzle having at least a plurality of small holes along the axial direction, and the developer supply nozzle.
- a nozzle moving unit that moves from one side end of the gap to the other side end.
- the developer supply nozzle may be in any form as long as it has a tubular shape having at least a plurality of small holes along the axial direction.
- a plurality of small holes may be formed in one or more rows along the axial direction at appropriate intervals.
- the developer may be supplied to the developer supply nozzle at one end of the tubular member, but is preferably supplied from both ends.
- the opening area of the small holes is gradually increased from the end to the center. Is more preferable.
- the opening areas of the small holes are the same, it is better to gradually reduce the distance from the end to the center.
- the developer supply nozzle may be formed of a porous tubular member having a large number of small holes all around. Further, in the development processing apparatus of the present invention, the developer supply nozzle may be formed of a plurality of nozzles that move in the gap ⁇ ⁇ ⁇ with a space between each other.
- the developer supply nozzle may be provided with a wing piece projecting rearward in the moving direction of the nozzle.
- the shape of the wing piece may be arbitrary, but it is preferable that the wing piece has a tapered shape narrowing toward the tip.
- two developer supply nozzles with protruding wings. In this case, two developer supply nozzles projecting the wing pieces are arranged side by side at intervals in a direction intersecting the moving direction, and are moved in the gap. It is better to supply the developer from the small holes of each developer supply nozzle.
- the developer supply nozzle may be formed so as to be movable and rotatable in the same direction.
- the nozzle may be rotated in any direction, but it is preferable to rotate the nozzle toward the substrate to be processed.
- a substrate to be processed may be used instead of the liquid film forming flat plate.
- a region for forming a liquid film of the developing solution supplied to the surface of the substrate to be processed is secured by opposing the substrate to be processed and the flat plate for forming a liquid film in parallel with a predetermined gap therebetween. can do.
- a tubular developing solution supply nozzle having at least a plurality of small holes along the axial direction is moved from one end of the gap (liquid film forming area) to the other end, and developed into the gap from the small hole.
- the pattern dimensions such as the line width can be made uniform by making the plane uniform. Further, since the liquid film of the developer can be formed uniformly without being affected by the hydrophobicity of the resist, the uniformity of the pattern dimensions such as the line width can be improved. Further, the amount of the developing solution is sufficient for the thin gap (liquid film forming region) set at a predetermined interval, so that the amount of the developing solution can be reduced.
- the developer is supplied from the small holes of each of the developer supply nozzles while moving the plurality of developer supply nozzles into the gap at intervals. Since multiple nozzles can be moved while supplying (discharging) the developer slowly, the movement of the developer during development can be kept more static to improve the uniformity of patterns such as line width. Can be. Further, since a plurality of nozzles are simultaneously moved, the development processing speed can be increased. .
- the wing piece protruding rearward in the moving direction of the developer supply nozzle suppresses turbulence of the supplied developer, so that the movement of the developer during development is reduced. Can be kept more static, so that the uniformity of the pattern such as the line width can be further improved.
- two developer supply nozzles projecting from the wing pieces are arranged side by side in the direction intersecting the moving direction at intervals, and the small developer supply nozzles are moved while moving in the gaps.
- Supplying the developer through the holes allows air to escape from the space provided between the two nozzles to evenly balance the movement of the developer on both the substrate side and the liquid film forming flat plate side. Therefore, the uniformity of the pattern such as the line width can be further improved.
- the influence of the passage of the developer supply nozzle that is, the influence of the cavity of the developer immediately after the passage of the nozzle is achieved by rotating the developer supply nozzle in the circumferential direction of the nozzle while moving. Since this can be suppressed, the uniformity of the pattern such as the line width can be further improved.
- a substrate to be processed as a flat plate for forming a liquid film
- development processing of two substrates to be processed can be performed simultaneously in one step, so that processing efficiency can be further improved.
- FIG. 1 is a schematic plan view showing a first embodiment of the developing apparatus according to the present invention.
- FIG. 2 is a schematic side view of the developing device of the first embodiment.
- FIG. 3 is a schematic plan view showing an example of the stage according to the present invention.
- FIG. 3 is a schematic side view showing an example of the stage according to the present invention.
- FIG. 4 is an enlarged sectional view showing the developing step in the present invention.
- FIG. 5 is a schematic sectional view showing an example of the developing nozzle according to the present invention.
- FIG. 6 is an enlarged sectional view showing the cleaning step in the present invention.
- FIG. 7 is a schematic sectional view showing an example of the cleaning nozzle according to the present invention.
- FIG. 8 is an enlarged sectional view showing a drying step in the present invention.
- FIG. 9 is a schematic side view showing an example of the drying nozzle according to the present invention.
- FIG. 10 is a flowchart showing the developing process of the first embodiment.
- FIG. 11 is a schematic plan view showing a second embodiment of the developing apparatus according to the present invention.
- FIG. 12 is a schematic side view of the developing apparatus according to the second embodiment.
- FIG. 13 is an enlarged sectional view showing the suction step in the present invention.
- FIG. 14 is a schematic side view showing an example of the suction nozzle according to the present invention.
- FIG. 15 is a flowchart showing the developing process of the second embodiment.
- FIG. 16 is a schematic plan view showing a third embodiment of the developing apparatus according to the present invention.
- FIG. 17 is a schematic side view of a developing apparatus according to the third embodiment.
- FIG. 18 is a flowchart illustrating a developing process according to the third embodiment.
- FIG. 19 is a schematic plan view showing a fourth embodiment of the developing apparatus according to the present invention.
- FIG. 20 is a schematic sectional view of a developing apparatus according to the fourth embodiment.
- FIG. 21 is a schematic side view showing a washing / drying nozzle according to the present invention.
- FIG. 22A and FIG. 22B are schematic cross-sectional views showing a wafer loading step in the fourth embodiment.
- FIG. 23A and FIG. 23B are schematic cross-sectional views showing a developing step in the fourth embodiment.
- FIG. 24 is a schematic sectional view showing a cleaning step in the fourth embodiment.
- FIG. 25 is a schematic sectional view showing a drying step in the fourth embodiment.
- FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing an exhaust stop state in the fourth embodiment.
- FIG. 27 is a schematic sectional view showing a state in which the nozzle returns to the home position in the fourth embodiment.
- FIG. 28A and FIG. 28B are schematic cross-sectional views showing a wafer unloading step in the fourth embodiment.
- FIG. 29 is a flowchart showing the developing process of the fourth embodiment.
- FIG. 30 is an enlarged sectional view showing suction-drying by the suction-drying nozzle according to the present invention.
- FIG. 31A is a schematic perspective view of the suction / drying nozzle.
- FIG. 31B is a schematic plan view showing an example of a developing apparatus provided with the suction / dry nozzle.
- FIGS. 32A to 32C are flowcharts showing a developing method according to another embodiment.
- FIG. 33 is a schematic plan view showing an example of the developing apparatus according to the present invention.
- FIG. 34 is a schematic side view of the developing device.
- FIG. 35A is a schematic plan view showing another embodiment of the mounting table according to the present invention.
- FIG. 35B is a schematic side view showing another embodiment of the mounting table according to the present invention.
- FIG. 36 is an enlarged sectional view of a main part showing a developing process according to a fifth embodiment of the developing method of the present invention.
- FIG. 37 is a schematic sectional view showing the developing nozzle of the fifth embodiment.
- FIG. 38A and FIG. 38B are schematic perspective views showing the development processing of the fifth embodiment.
- FIG. 39 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a developing process of another mode of the developing nozzle of the fifth embodiment.
- FIG. 40A is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a developing process of another mode of the developing nozzle of the fifth embodiment.
- FIG. 40B is a perspective view of a development nozzle that performs another type of development processing of the development nozzle of the fifth embodiment.
- FIG. 41 is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a developing process according to a sixth embodiment of the developing method of the present invention.
- FIG. 4.2A is an enlarged sectional view of a main part showing a developing process of a seventh embodiment of the developing method of the present invention.
- FIG. 42B is a perspective view of a developing nozzle that performs a developing process according to the seventh embodiment of the developing method of the present invention.
- FIG. 43 is an enlarged sectional view of a main part showing a developing process according to the eighth embodiment of the developing method of the present invention.
- FIG. 44 is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a developing process according to a ninth embodiment of the developing method of the present invention.
- FIG. 45 is an enlarged sectional view of a main part showing a developing process according to the tenth embodiment of the developing method of the present invention.
- FIG. 46A to FIG. 46D are explanatory views showing an example of the eleventh embodiment of the developing treatment method of the present invention, and washing and drying treatments. .
- FIG. 47A is a schematic plan view showing another embodiment of the mounting table and the liquid film forming flat plate according to the present invention.
- FIG. 47B is a schematic side view showing another embodiment of the mounting table and the liquid film forming flat plate according to the present invention.
- FIG. 1 is a schematic plan view showing a first embodiment of the developing apparatus according to the present invention
- FIG. 2 is a schematic side view of the developing apparatus of the first embodiment.
- the development processing apparatus includes a stage as a mounting table on which a wafer W to be processed is mounted and the wafer W is suction-held by a vacuum apparatus V shown in FIG. 3B. 10 and a flat plate 20 for forming a liquid film, which is disposed above the stage 10.
- the stage 10 is formed in a fixed manner without a rotating mechanism.
- the stage 10 is provided with a suction hole 10a and a through hole 1Ob through which a support pin 11 described later is inserted.
- the wafer W placed on the stage 10 and the flat plate 20 are disposed in parallel with each other with a predetermined gap 30 therebetween, and the gap 30 is used to form a liquid film of the developer. An area is formed.
- the size of the gap 30 (liquid film forming region) varies depending on the type of the developing solution, the thickness of the liquid film to be formed, and the like, but is set to, for example, about 2 to 5 mm.
- the stage 10 is provided with three support pins 11 for transferring a wafer W to and from a wafer transfer arm (not shown) so as to be able to move up and down.
- These support pins 11 slidably penetrate through holes (10 b) provided in the stage 10, and lower ends protruding below the stage 10 stand on the support member 12.
- the support pins 11 are formed so as to be able to protrude and retract from the mounting surface of the stay 10 by means of elevating means, for example, an elevating cylinder 13 connected to the support member 12.
- the flat plate 20 for forming a liquid film is connected to an elevating mechanism 21 composed of, for example, a pole screw, and is formed so as to be movable forward and backward with respect to the stage 10 by driving the elevating mechanism 21. Being The gap 30 is adjusted.
- the development processing device includes a tubular developing nozzle 40 for supplying a developer having at least a plurality of small holes 41 extending along the axial direction.
- the developing nozzle 40 is movably mounted on a pair of guide rails 50 disposed on both sides of the stage 10 and connected to a moving / elevating mechanism 60 (moving / elevating means).
- the gap 30 (liquid film formation area) is formed so as to be movable vertically in the vertical direction and to be movable in the horizontal direction so as to move (scan) from one end to the other end of the gap 30 (liquid film formation area).
- the developer nozzle 4 0, as shown in FIGS. 4 and 5, for example, an outer diameter of about. 1 to 4 mm s inside diameter of about 0.
- the nozzle body 42 is provided with a plurality of small holes 41 drilled at equal intervals along the axial direction of the nozzle body 42, and the supply pipes are provided at both ends of the hollow portion 42a of the nozzle body 42.
- a developer storage tank 44 as a developer supply source is connected via 43.
- a part of the supply pipe 43 is formed of a tube having a length that allows the moving range of the developing nozzle 40.
- an opening / closing means such as an air operation valve 45 and a pumping means such as a pump 46 which can adjust the flow rate of the developer are provided in the supply pipe 43.
- the opening area of the small hole 41 is gradually increased from the end portion side of the throat body 42 toward the center side.
- the nozzle body 42 is supplied into the hollow part 42 a of the nose body 42 from both ends.
- the developer can be discharged (supplied) evenly from each small hole 41.
- the opening diameter and interval of the small holes 41 are appropriately set depending on the size of the wafer W, the type of the developer, and the like.
- the opening area of the small holes 41 is gradually increased from the end side of the nose body 42 toward the center side.
- the opening area of the hole 41 may be the same, and the interval may be gradually reduced from the end of the nozzle body 42 toward the center.
- the small holes 41 may be similarly provided in a plurality of rows of the nozzle body 42, for example, two rows on the lower end side and the upper end side of the nozzle body 42, or may be provided in an arbitrary plurality of rows similarly. Is also good.
- the developing nozzle 40 may be formed of a porous tubular member having a large number of small holes all around.
- the guide rail 50 has a developing nozzle.
- a cleaning nozzle 70 (hereinafter, referred to as a rinsing nozzle 70) and a drying nozzle 80, which are formed in a tubular shape similarly to the nozzle 40, are mounted so as to be able to move up and down and slide.
- the rinse nozzle 70 includes a nozzle body 71 formed of a tubular member having the same length, inner diameter, and outer diameter as the developing nozzle 40.
- a plurality of supply holes 72 are provided in the nozzle body 71 at least on the wafer W side and the flat plate 20 side along the axial direction.
- a supply source 74 of a rinsing liquid as a cleaning liquid, for example, pure water, is connected to both ends of the hollow portion 71 a of the nozzle body 71 via a supply pipe 73.
- a part of the supply pipe 73 is formed of a tube having a length that allows a movement range of the rinsing nozzle 70.
- An on-off valve 75 is interposed in the supply line 73.
- the opening area of the supply hole 72 is gradually increased from the end of the nozzle body 71 toward the center similarly to the development nozzle 40. In this way, by gradually increasing the opening area of the supply hole 72 from the end side of the nozzle body 71 toward the center side, it is supplied into the hollow portion 71 a of the nozzle body 71 from both ends. Pure water can be uniformly discharged (supplied) from each supply hole 72.
- a nozzle body 81 formed of a tubular member having the same length, inner diameter and outer diameter as the rinse nozzle 70, and at least the wafer W side of the nozzle body 81 as in the rinse nozzle 70
- a plurality of supply holes 82 are provided along the axial direction and open to the flat plate 20 side.
- a supply source 84 for a drying fluid, for example, air is connected to both ends of the hollow portion 81 a of the nozzle body 81 via supply pipes 83.
- a part of the supply pipe 83 is formed of a tube having a length that allows the moving range of the drying nozzle 80.
- An on-off valve 85 is interposed in the supply line 83.
- the opening area of the injection hole 82 is gradually increased from the end to the center of the nozzle body 81 similarly to the developing nozzle 40 and the rinsing nozzle 70. .
- the reason is that the air supplied from both ends into the hollow portion 81a of the nozzle body 81 can be uniformly injected (supplied) from the respective injection holes 82.
- the rinsing nozzle 70 and the drying nozzle 80 are connected to the moving / elevating mechanism 60 so as to be vertically movable and move along the gap 30.
- a nozzle cleaning bath 100 is provided at a standby position (home position) of the nozzles 40, 70, 80.
- the support pins 11 rise and receive the wafer W.
- the wafer transfer arm that has delivered the wafer W retreats from the inside of the development processing apparatus.
- the support pin 11 receiving the wafer W is lowered and the wafer W is placed on the stage 10
- the wafer W is sucked and held by the driving of the vacuum device V.
- the flat plate 20 for forming a liquid film is moved (elevated) in the vertical direction by the elevating mechanism 21, and the liquid is formed on the surface of the wafer W placed on the stage 10 (liquid buildup).
- the gap 30 (liquid film formation area) is set by adjusting the distance so as to correspond to the thickness of the liquid film of the liquid.
- the developing nozzle 40 With the wafer W placed and fixed on the stage 10, as shown in FIG. 4, the developing nozzle 40 is moved from one end of the gap 30 (liquid film forming area) to the other end.
- the developer D When the developer D is ejected (supplied) from the small hole 41 into the gap 30 (liquid film forming area) while moving (scanning), the developer D enters the gap 30 (liquid film forming area).
- the moving speed of the developing nozzle 40 is, for example, 50 to 15 Omm / sec, and the discharge amount (supply amount) of the developing solution is, for example, 5 to 5 Om1 / sec.
- the movement of the developer D during the development is kept extremely static from the start to the end of the development, and the surface of the wafer W is filled with the developer D in the gap 30 (liquid film forming area).
- a liquid film of the developer D can be formed. Therefore, the liquid film of the developing solution D can be formed uniformly without being affected by the hydrophobicity of the resist R.
- the consumption of the developer can be reduced.
- the rinse nozzle 70 moves from one end of the gap 30 to the other end (moves upward).
- pure water DIW is discharged (supplied) from the supply holes 72 toward the wafer W side and the flat plate 20 side to stop the dissolution reaction of the developer and the resist.
- the processed developer D attached to the wafer W and the flat plate 20 is replaced with pure water for cleaning (cleaning step). In this cleaning step, pure water may be discharged (supplied) from the supply hole 72 while reciprocating the rinse nozzle 70.
- the cleaning process by performing the cleaning process while reciprocating the rinse nozzle 70, the amount of pure water DIW used can be reduced, and the cleaning efficiency can be further improved.
- a cup (not shown) surrounding the outer side and lower side of the stage 10 is raised in the cleaning process so that the cup 10 is brought into contact with the top plate 20 to form a gap. It is preferable to perform the cleaning by moving (rinsing) the rinse nozzle 70 while exhausting air from the lower outlet of the cup in a state where 30 is shut off from the outside. The distance of the gap 30 may be changed according to the replacement of the developer.
- the drying nozzle 80 moves from one end of the gap 30 to the other end (scanning).
- the drying air A is sprayed (supplied) from the injection holes 82 toward the wafer W side and the flat plate 20 side, and the processed developer D and pure water adhering to the wafer W and the flat plate 20 are discharged. Blow off the DIW and dry (drying process). Since the air A flows into the gap 30 where the space is regulated as described above, efficient drying can be performed.
- the air Ar may be injected (supplied) from the injection holes 82 while reciprocating the drying nozzle 80.
- the drying efficiency can be further improved.
- a cup (not shown) surrounding the outside and the lower side of the stage 10 is raised and brought into contact with the top plate 20 so that the gap 30 is blocked from the outside. It is preferable to move (scan) the drying nozzle 80 while exhausting air from the outlet at the lower part of the cup to perform drying, in order to prevent scattering of mist. Further, the distance of the gap 30 may be changed according to the replacement of the developer.
- the imaging nozzle 40, the rinsing nozzle 70, and the drying nozzle 80 return to the home position and continue until the next processing. stand by. After that, the suction state of the stage 10 is released, the support pins 11 are raised, and the wafer W is delivered to the wafer transfer arm (not shown) which enters the gap 30 mm, and the wafer W is unloaded. .
- the same operation as above is repeated Performs development, cleaning (rinsing) and drying of the wafer w.
- the small holes 41 are moved while the developing nozzles 40 are moved (scanned) from one end of the gap 30 to the other end without rotating the wafer W.
- the developing solution is discharged (supplied) from the developing solution to form a liquid film of the developing solution D.
- pure water is discharged from the supply hole 72 while the rinsing nozzle 70 is similarly moved (scanned) into the gap 30.
- stop development, and wash then dry the nozzle 80 from the injection hole 82 toward the wafer W and the flat plate 20 while moving (scanning) the drying nozzle 80 in the gap 30 in the same manner. Drying can be performed by injecting (supplying) air, which is a fluid.
- the liquid film of the developing solution can be formed uniformly, the uniformity of the pattern dimensions such as the line width can be improved, and the cleaning efficiency and the drying efficiency can be improved.
- FIG. 11 is a schematic plan view showing a second embodiment of the developing apparatus according to the present invention
- FIG. 12 is a schematic side view of the developing apparatus of the second embodiment.
- the image processing apparatus includes a suction nozzle 90 in addition to the development nozzle 40, the rinsing nozzle 70, and the drying nozzle 80.
- the suction nozzle 90 is a tubular member having the same length, inner diameter and outer diameter as the developing nozzle 40, the rinsing nozzle 70, and the drying nozzle 80.
- the nozzle body 91 has a slit-shaped suction hole 92 extending along the axial direction that opens in the direction of movement (scanning) of the nozzle body 91.
- a suction means for example, a vacuum pump device 94 is connected to both ends of the hollow portion 91 a of the nose piece body 91 via a suction pipe line 93.
- a part of the suction conduit 93 is formed of a tube having a length that allows the moving range of the suction nozzle 90.
- An on-off valve 95 is provided in the suction line 93.
- the suction nozzle 90 is also connected to the moving mechanism 60 so that it can move vertically. Formed and moved from one end of the gap 30 to the other end
- the wafer W is placed on the stage 10 and a gap 30 (liquid film forming region) is set between the wafer W and the liquid film forming flat plate 20.
- the developing nozzle 40 moves (scans) from one end of the gap 30 to the other end, and develops from the small hole 41 into the gap 30.
- the liquid D is discharged to form a liquid film of the developer D on the surface of the wafer W (development step).
- the DIW is discharged (supplied) from the supply hole 72 to dissolve the developer and resist. Is stopped, and the processed developer D adhered to the wafer W and the flat plate 20 is replaced with pure water for cleaning (cleaning step).
- the suction nozzle 90 was moved from one end of the gap 30 to the other end. While moving (scanning) toward the side end, the inside of the hollow part 91 a of the nozzle body 91 of the suction nozzle 90 is driven by, for example, a negative pressure of 700 to 400 Torr by driving the vacuum pump device 94. In this state, the developer D and the pure water DIW supplied to the processing are sucked from the suction holes 92 (suction step).
- the cup (not shown) surrounding the outside and the lower side of the stage 10 is raised and brought into contact with the top plate 20 so that the gap 30 is cut off from the outside. It is preferable that the suction nozzle 90. is moved (scanned) while the air is exhausted from the outlet at the lower part of the pump to suck the developer D and the DIW DIW. After the suction nozzle 90 moves (scans) to suction the developer D and pure water DIW, the drying nozzle 80 moves from one end of the gap 30 to the other end as shown in FIG.
- the drying air A While moving (scanning) toward the wafer W, the drying air A is sprayed (supplied) from the injection holes 82 toward the wafer W side and the flat plate 20 side, and the processed air is adhered to the wafer W and the flat plate 20. Blow off developer D and DIW DIW to dry (drying process).
- This drying In the process the air A may be injected (supplied) from the injection holes 82 while reciprocating in the drying nozzle 80.
- a cup surrounding the outer side and lower side of the stage 10 is raised to abut the top plate 20 to block the gap 30 from the outside. In this state, it is preferable to move (scan) the drying nozzle 80 while exhausting air from the discharge port at the bottom of the cup to perform drying, in order to prevent mist from scattering.
- the developing nozzle 40, the rinsing nozzle 70, the suction nozzle 90 and the drying nozzle 80 return to the home position. Wait for the next process. After that, the suction state of the stage 10 is released, the support pins 11 are raised, and the wafer W is delivered to the wafer transfer arm (not shown) that enters the gap 30 and the wafer W is unloaded. . Thereafter, the same operation as above is repeated to perform development, cleaning (rinsing), suction and drying of the wafer W.
- the developing nozzle 40 is moved (scanned) from one end to the other end in the gap 30 without rotating the wafer W, and the small holes 41 are not rotated.
- the developer is discharged (supplied) from it to form a liquid film of the developer D.
- the rinse nozzle 70 is similarly moved (scanned) into the gap 30 and supplied. (Supply) to stop development and wash. Then, while moving (scanning) the suction nozzles 90 in the gap 30 as well, suction the processed developer and pure water from the suction holes 92.
- drying nozzle 80 After that, while moving (scanning) the drying nozzle 80 in the gap 30 in the same manner, air (drying fluid) is jetted (supplied) from the jetting hole 82 toward the wafer W and the flat plate 20 side to be dried. It can be performed. Therefore, the drying efficiency can be further improved as compared with the processing method of the first embodiment.
- FIG. 16 is a schematic plan view showing a third embodiment of the developing apparatus according to the present invention
- FIG. 17 is a schematic side view of the developing apparatus of the third embodiment.
- the development process of the first embodiment is further added with a developer suction step (first suction step) and a cleaning liquid suction step (second suction step) to further improve drying efficiency.
- first suction step a developer suction step
- second suction step a cleaning liquid suction step
- the first and second suction nozzles 96, 97 have the same structure as the suction nozzle 90. That is, as shown in FIGS. 13 and 14, a nozzle body formed of a tubular member having the same length, inner diameter, and outer diameter as the developing nozzle 40, the rinse nozzle 70, and the drying nozzle 80.
- the nozzle body 91 has a slit-shaped suction hole 92 extending in the axial direction that opens in the moving (scanning) direction of the nozzle body 91.
- a suction means for example, a vacuum pump device 94 is connected to both ends of the hollow portion 91 a of the nozzle body 91 via a suction pipe line 93.
- a part of the suction conduit 93 is formed of a tube having a length that allows the moving range of the first and second suction nozzles 96 and 97.
- An on-off valve 95 is provided in the suction line 93.
- the first and second suction nozzles 96, 97 are also connected to the moving / elevating mechanism 60 in the same manner as the developing nozzle 40, the rinsing nozzle 70, the drying nozzle 80, and the suction nozzle 90.
- the gap 30 is formed so as to be able to move up and down in the vertical direction and to be movable in the horizontal direction so as to move (scan) from one end of the gap 30 to the other end.
- the wafer W is placed on the stage 10 and a gap 30 (liquid film forming region) is set between the wafer W and the liquid film forming flat plate 20.
- the developing nozzle 40 moves (scans) from one end of the gap 30 to the other end, and develops from the small hole 41 into the gap 30.
- the liquid D is discharged to form a liquid film of the developer D on the surface of the wafer W (development step).
- the inside of the hollow portion 91 a of the nozzle body 91 of the first suction nozzle 96 is in a negative pressure state, and the developer D is sucked through the suction holes 92 (first suction step).
- the rinse nozzle 70 moves from one end of the gap 30 to the other end as shown in FIG.
- Pure water DIW is discharged (supplied) from the supply holes 72 toward the wafer W side and the flat plate 20 side while moving (scanning) toward the wafer W, and the processed development adheres to the wafer W and the flat plate 20. Wash by replacing solution D with pure water (washing step).
- pure water may be discharged (supplied) from the supply hole 72 while reciprocating the rinse nozzle 7 ° in order to reduce the amount of pure water DIW and improve the cleaning efficiency.
- a cup surrounding the outer side and the lower side of the stage 10 is raised and brought into contact with the top plate 20 to form a gap 3. It is preferable that the cleaning is performed by moving (scanning) the rinse nozzle 70 while exhausting air from the lower outlet of the cup in a state where 0 is blocked from the outside.
- the second suction nozzle 97 moves (scans) from one end of the gap 30 to the other end and vacuums.
- the inside of the hollow portion 91a of the nozzle body 91 of the suction nozzle 90 is brought into a negative pressure state, and the pure water DIW supplied to the processing from the suction hole 92 (specifically, the image A mixture of liquid D and DIW DIW is sucked (second suction step).
- a cup (not shown) surrounding the outer side and lower side of the stage 10 is raised and brought into contact with the top plate 20 to block the gap 30 from the outside. It is preferable to move (scan) the suction nozzle 90 while exhausting air from the outlet at the bottom of the cup to suck the developer D and the DIW DIW.
- the drying nozzle 80 moves from one end of the gap 30 to the other end as shown in FIG.
- the drying air A is sprayed (supplied) from the injection holes 82 toward the wafer W side and the flat plate 20 side while moving (scanning), and the processed current adhering to the wafer W and the flat plate 20 is moved. ⁇ Blow off and dry the liquid D and DIW (drying process).
- air may be injected (supplied) from the injection holes 82 while reciprocating the drying nozzle 80.
- the cup (not shown) surrounding the outside and the lower side of the stage 10 is raised to raise the top plate.
- the drying nozzle 80 is moved (scanned) while drying through the exhaust port at the bottom of the cup to dry. It is preferable in that the scattering of the particles can be prevented.
- the suction of the developing solution, the cleaning (rinsing), the suction of the cleaning solution, and the drying, the developing nozzle 40, the rinsing nozzle 70., the first and second suction nozzles are performed as described above.
- ⁇ / 96, 97 and the drying nozzle 80 return to the home position and wait for the next process.
- the suction state of the stage 10 is released, the support pins 11 are raised, and the wafer W is delivered to the wafer transfer arm (not shown) which enters the gap 30 and is unloaded. .
- the same operation as above is repeated to develop, wash (rinse), suction and dry the wafer W.
- the developing nozzle 40 is moved (scanned) from one end to the other end in the gap 30 without rotating the wafer W, and the small holes 41 are not moved.
- the developing solution is discharged (supplied) from the developing solution to form a liquid film of the developing solution D.
- the developing solution is sucked while moving (scanning) the first suction nozzle 96 into the gap 30.
- the rinse nozzle 70 is moved (scanned) while discharging (supplying) pure water from the supply hole 72 to perform cleaning, and then the second suction nozzle 97 is moved into the gap 30.
- the drying nozzle 80 After aspirating the cleaning liquid while scanning, the drying nozzle 80 is moved into the gap 30 at the same time (scanning), and is the drying fluid from the injection hole 82 toward the wafer W and the flat plate 20 side. Drying can be performed by injecting (supplying) air. Therefore, the drying efficiency can be further improved and the drying efficiency can be improved as compared with the processing methods of the first and second embodiments.
- FIG. 19 is a schematic plan view showing a fourth embodiment of the developing apparatus according to the present invention
- FIG. 20 is a schematic side view of the developing apparatus of the fourth embodiment.
- the development processing apparatus of the fourth embodiment has a stage 10 for mounting the wafer W thereon and sucking and holding the wafer W by a vacuum apparatus V (FIG. 3B), as in the first to third embodiments.
- a flat plate 20 having a larger area than the stage 10 which is disposed above the stage 10 and forms a gap 30 (liquid film formation region) between the stage 10 and the wafer W; Up and down, which surrounds the outside and bottom of the A cup 200 as a shutter portion is provided.
- the cup 200 is lifted and lowered in the vertical direction by the cup lifting / lowering means 300, and is configured like a shirt that contacts the lower surface of the flat plate 20 in the raised state to block the gap 30 from the outside. Have been.
- the developing apparatus of the fourth embodiment includes a tubular developing nozzle 40 having at least a plurality of small holes 41 extending in the axial direction for supplying a developing solution, and a cleaning and drying nozzle 4 for performing both cleaning and drying. 0 0 is provided. Note that a suction nozzle 90 may be further provided.
- the developing nozzle 40 has the same structure as that described in the first embodiment, the description is omitted here.
- the developing nozzle 40 is movably mounted on a pair of guide rails 50a disposed on both sides of the stage 10 and the cup 200, and is connected to the moving mechanism OA.
- the gap 30 (liquid film formation area) is formed so as to be movable in the horizontal direction from one side end to the other side end (scan). I have.
- the washing / drying nozzle 4Q0 includes a nozzle body 401 formed of a tubular member having the same length, inner diameter, and outer diameter as the developing nozzle 40, as shown in FIG.
- a plurality of small holes 402 are provided in the nozzle body 401 at least on the wafer W side and the flat plate 20 side along the axial direction. Note that, similarly to the developing nozzle 40, the opening area of the small hole 402 gradually increases from the end to the center of the nozzle body 401. In this way, by gradually increasing the opening area of the small hole 402 from the end side of the nose body 401 toward the center side, the inside of the hollow section 401 a of the nozzle body 401 from both end sides is increased. Pure water or air supplied to the small holes 402 can be uniformly discharged (supplied) from the small holes 402. '
- a main supply line 403 is connected to both ends of the hollow part 401 a of the nozzle body 401, and the main supply line 403 is a three-port three-position switching valve 5 serving as a switching means. It is connected to the first port 500a on the secondary side (downstream side) of the valve 00 (hereinafter referred to as the switching valve 500). Also, a supply source 74 of a rinsing liquid, for example, pure water, which is a cleaning liquid, is connected to a second port 500b on the primary side (upstream side) of the switching valve 500 via a cleaning liquid supply pipe line 404.
- a rinsing liquid for example, pure water, which is a cleaning liquid
- the supply port 84 of the air as the drying fluid is connected to the third port 500c on the primary side (upstream side) of the switching valve 500 via the drying fluid supply line 405.
- the drying fluid supply line 405. Have been.
- pure water for cleaning (rinsing) or air for drying is selectively supplied to the nozzle body 401 of the washing / drying nozzle 400 by switching the switching valve 500. can do.
- a part of the main supply pipeline 403 is formed of a tube having a length that allows a moving range of the washing nozzle 400 and the drying nozzle 400.
- the washing / drying nozzle 400 is located in the cup 20'0, and is movably mounted on a pair of guide rails 50b disposed on both sides of the stage 10 with moving means.
- the lifting / lowering mechanism 60B which is connected to the lifting / lowering mechanism so as to be vertically movable and move from one side end of the gap 30 (liquid film forming area) to the other side end. It is formed so as to be movable in the horizontal direction so as to move (scan).
- the suction nozzle 90 is movably mounted on a pair of guide rails 50c disposed on both sides of the stage 10 and the force plate 200, and has a moving mechanism 60C. And is formed so as to be able to move up and down in the vertical direction, and to move horizontally from one end of the gap 30 (liquid film formation area) to the other end. It is formed in.
- the other parts are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference characters and description thereof will be omitted.
- the support pins 11 rise and receive the wafer W (see FIG. 22A).
- the wafer transfer arm that has delivered the wafer W retreats from the inside of the development processing apparatus.
- the support pins 11 receiving the wafer W are lowered and the wafer W is mounted on the stage 10, the wafer W is sucked and held by driving the vacuum device V (FIG. 3B).
- the liquid film forming flat plate 20 is moved vertically (elevated) by an elevating mechanism (not shown), and the developing (liquid) is formed on the surface of the wafer W placed on the stage 10.
- the gap 30 (liquid film formation area) is set by adjusting the distance so as to correspond to the film thickness of the liquid film (see FIG. 22B) (wafer loading step).
- the developing nozzle 0 With the wafer W placed on the stage 10 and fixed, as shown in FIGS. 23A and 23B, the developing nozzle 0 is raised, and then the gap 30 (liquid film forming area)
- the developer D When the developer D is discharged (supplied) from the small hole 41 into the gap 30 (liquid film forming area) while moving (scanning) from the — side end toward the other side end, the developer D
- the liquid film of the developer D is formed on the surface of the wafer W by being filled in the (liquid film forming region) ⁇ development process ⁇ .
- the movement of the developer D during the development is kept extremely static from the start to the end of the development, and the developer D is filled in the gap 30 (the liquid film forming area). Since the liquid film of the developer D can be formed, the liquid film of the developer D can be formed uniformly without being affected by the hydrophobicity of the resist R. Further, since the developer is sufficient for the thin gap 30 (liquid film forming region), the consumption of the developer can be reduced.
- the developing nozzle 40 moves (scans) in the gap 30 to fill the gap 30 with the developer D to form a liquid film, and then the cup 200 is driven by the cup elevating means 300 so that the cup 200 becomes flat.
- the processing space 600 is formed by contacting the lower surface of the block 20 to block the gap 3 ° from the outside.
- the switching operation of the switching valve 500 is switched to the pure water supply source 74 side, and as shown in FIG. While moving (scanning) toward the other end, pure water DIW is discharged (supplied) from the small hole 402 toward the wafer W side and the flat plate 20 side, and the development is stopped. Washing is performed by replacing the processed developer D adhered to the flat plate 20 with pure water ⁇ washing step ⁇ .
- the processing space 60 ° is evacuated by driving an exhaust device (not shown).
- pure water may be discharged (supplied) from the small holes 402 while reciprocating the cleaning / drying nozzle 400.
- the amount of pure water DIW used can be reduced, and the cleaning efficiency can be further improved.
- the washing / drying nozzle 400 moves (scans) in the gap 30 to perform washing, and then switches to the air supply source 84 side by switching the switching valve 500 to obtain the cleaning solution.
- the cleaning / drying nozzle 400 moves (scans) from one end of the gap 30 to the other end while moving from the small hole 402 to the wafer W side and the flat plate 20 side.
- Once developed (sprayed) by injecting (supplying) air ⁇ ⁇ the processed development adhered to wafer W and plate 20 Blow off the liquid and pure water to dry ⁇ drying step ⁇ .
- the inside of the processing space 600 is exhausted by driving an exhaust device (not shown).
- air may be blown (supplied) from the small holes 402 while reciprocating between the washing and drying nozzles 400.
- the drying efficiency can be further improved.
- the drive of the exhaust device (not shown) is stopped, and the exhaust is stopped (see Fig. 26).
- the cup lifting / lowering means 300 is driven, and the cup 200 is lowered.
- the developing nozzle 40 and the washing / drying nozzle 400 return to the home position, and wait for the next process (see FIG. 27).
- the suction state of the stage 10 is released, the support pins 11 are raised, and the wafer transfer arm (not shown) that enters the gap 30 is formed.
- the wafer W is delivered to and unloaded from the wafer ⁇ wafer unloading process ⁇ .
- the developing nozzle 40 is moved (scanned) from one end to the other end in the gap 30 while the small hole 41 is not moved.
- the cup 200 is raised, the gap 30 is shut off from the outside, and the gap is exhausted from the discharge port 201.
- the developer, pure water, and air need only be supplied for the minimum necessary narrow gap 30 of the developer, pure water, and air. Consumption can be reduced.
- the liquid film of the developer can be formed uniformly, the uniformity of the pattern dimensions such as the line width can be improved, and the cleaning and drying of the substrate to be processed after the development processing can be performed uniformly. It can be carried out. Also, it prevents the scattered substances such as cleaning liquid and mist scattered during the cleaning or drying processing from adhering to the substrate to be processed. be able to. Further, since cleaning and drying can be performed by a common cleaning and drying nozzle 400, the number of components can be reduced, and the size of the apparatus can be further reduced.
- the suction nozzle 90 is similarly moved into the gap 30 using the suction nozzle 90 (The developer and pure water used in the processing may be sucked from the suction hole while performing scanning, and then the drying step may be performed.
- the suction nozzle 90 is similarly moved into the gap 30 (scan), and the developing solution supplied to the processing is suctioned from the suction hole, and then, After performing the cleaning step, the cleaning liquid may be suctioned from the suction holes while moving (scanning) the suction nozzle 90 into the gap 30 in the same manner, and then the drying step may be performed.
- the cleaning efficiency and the drying efficiency can be further improved.
- the developing solution is discharged (supplied) while moving (scanning) the developing nozzle 40 into the gap 30 for forming a liquid film formed by the stage 10 and the flat plate 20.
- the liquid film of the developing solution is formed on the surface of the wafer W by another method, and then the above-described cleaning step, drying step or cleaning step, suction step, and drying step are performed. You may. Specifically, the following steps can be adopted.
- FIGS. 32A to 32C are flow charts showing a developing method according to another embodiment.
- the development processing method comprises supplying developer D to the surface of wafer W as a substrate to be processed, and forming a liquid film of developer D on the surface of wafer W.
- Step S 201 the wafer W on which the liquid film of the developing solution D is formed, and the flat plate 20 face each other in parallel to form a gap 30, and one end of the gap 30 is formed.
- a cleaning step of supplying pure water DIW as a cleaning liquid into the gap 30 while moving the cleaning nozzle 70 from the side toward the ⁇ side end (step S 2 002); While moving the drying nozzle 80 toward the other end, air ⁇ ⁇ as a drying fluid is jetted into the gap 30 to remove the developer D and the pure water DIW that have been subjected to the processing that adheres to the wafer W. Drying step (step S203). Referring to FIG.
- the developing method includes a developing step of supplying a developing solution D to the surface of wafer W to form a liquid film of the developing solution on the surface of wafer W (step S2011);
- the wafer W on which the film of D is formed and the flat plate 20 are opposed to each other in parallel to form a gap 30, and the cleaning nozzle 70 is moved from one end of the gap 30 to the other end.
- a cleaning step of supplying pure water D IW into the gap 30 step S2012
- a developer D and a processing liquid D which are provided for processing while moving the suction nozzle 90 from one end of the gap 30 to the other end.
- a suction step for sucking pure water D IW, and while moving the drying nozzle 80 from one end of the gap 30 to the other end, air A is injected into the gap 30 to adhere to the wafer W.
- Drying step (Step S 2014) for removing the developer D and the pure water DIW used in the processing.
- the developing method includes supplying a developing solution D to the surface of the wafer W and forming a liquid film of the developing solution D on the surface of the wafer W (step S 2021).
- a gap (30) is formed by making the wafer W on which the liquid film of the developer D is formed parallel to the flat plate 20 to form a gap (30), and the cleaning nozzle 70 extends from one end of the gap 30 to the other end.
- Cleaning step (Step S 2022) of supplying pure water DIW into the gap 30 while moving the suction pipe 30, and suctioning from one end of the gap 30 to the other end.
- a suction / drying step (step S 2023) for sucking the developer D and pure water DIW and removing the developer D and pure water DIW attached to the wafer W by sucking the surrounding air. Good.
- the drying fluid is not necessarily air, but a drying gas other than air, for example, nitrogen (N2) gas or a volatile liquid, for example, IPA (isopropyl alcohol) may be used.
- a drying gas other than air for example, nitrogen (N2) gas or a volatile liquid, for example, IPA (isopropyl alcohol) may be used.
- the developer D and the pure water D which are subjected to the processing while moving the suction nozzle 700 from one end of the gap 30 to the other end while moving the drying nozzle 700 are used. Drying can be performed by suctioning Iw and suctioning ambient air.
- the suction and drying nozzle 700 is formed of a rod-shaped member having a substantially elliptical cross section, and the first and second nozzles extend in the axial direction parallel to each other. It has a second hollow part 71, 73. Further, a slit-shaped liquid suction hole 720 extending along the axial direction is communicated with the first hollow portion 701, and a slit-shaped air suction hole extending along the axial direction is formed in the second hollow portion 73. 704 is communicated.
- the liquid suction hole 700 is provided at the center of the movement (scan) direction of the suction / drying nozzle 700. Further, the air suction hole 704 is provided on the opposite side to the moving direction of the suction / drying nozzle 700, that is, on the rear side of the movement, and is formed to open to the lower wafer W side.
- a suction pipe 93 A provided with an open / close valve 95 A is provided at both ends of the first hollow portion 700 of the suction / drying nozzle 700.
- a vacuum pump device 94 A as suction means is connected.
- a vacuum pump device 94 ⁇ ⁇ serving as suction means is connected to both ends of the second hollow portion 703 via a suction pipe 93 ⁇ provided with an on-off valve 95 B.
- a part of the suction pipes 93 ⁇ and 93 ⁇ is formed of a tube having a length that allows the moving range of the suction / drying nozzle 700.
- the suction / drying nozzle 700 formed as described above is formed to have the same length as the developing nozzle 40 and the rinsing nozzle 70. Then, in a state where the liquid suction hole 70 2 is located on the movement direction side, as shown in FIG. 31A, similarly to the development nozzle 40 and the rinsing nozzle 70, the liquid suction hole 70 2 is connected to the above-mentioned movement / elevation mechanism 60.
- the gap 30 is formed so as to be able to move up and down in the vertical direction and to be movable in the horizontal direction so as to move (scan) from one end of the gap 30 to the other end.
- FIG. 30 An example of a developing method using the suction and drying nozzle 700 will be described with reference to FIGS. 30 and 31.
- FIG. 30 An example of a developing method using the suction and drying nozzle 700 will be described with reference to FIGS. 30 and 31.
- the suction / drying nozzle 700 is moved from one end of the gap 30 to the other end.
- the developer D and pure water DIW used for processing are suctioned while moving toward (scanning), and the surrounding air is sucked to remove the developer D and pure water DIW adhering to the ueno and W and dried. Dry ⁇ suction 'drying process ⁇ .
- the moving speed of the suction / drying nozzle 700 is set to, for example, When moving (scanning) with the suction pressure (negative pressure) set to, for example, 500 Torr, the speed of movement is slow. Therefore, the developer D and pure water are passed through the liquid suction holes 702. Even after the DIW is sucked, the air around the DIW can be sucked through the air suction holes 704, and the wafer surface can be dried.
- the suction nozzle 700 By moving (scanning) the suction nozzle 700 in this way, the developing solution and the cleaning solution used for processing are suctioned, and the surrounding air is suctioned to remove the developing solution and the cleaning solution adhering to the wafer W.
- suction and drying can be performed at the same time, so that the processing efficiency can be improved and the apparatus can be downsized.
- the suction nozzle 90 was used instead of the drying nozzle 80 in the first embodiment and the suction nozzle 90 and the drying nozzle 80 in the second embodiment was described.
- a suction / drying nozzle 700 may be used instead of the second suction nozzle 97 and the drying nozzle 80 in the embodiment.
- the processing can be performed in the order of the development step—the first suction step ⁇ the washing step ⁇ the suction—drying step.
- cleaning can be performed by moving (scanning) a cleaning nozzle into a gap for forming a liquid film of a developing solution without rotating a substrate to be processed, and moving a drying nozzle ( Scanning) for drying, reducing the amount of washing liquid and drying fluid used while minimizing the space required, while reducing the amount of flying liquid such as washing liquid and mist.
- the substrate to be processed after the development processing can be uniformly washed and dried.
- the cleaning nozzle is moved (scanned) into the gap for forming the liquid film of the developing solution without rotating the substrate to be processed, and then the suction nozzle is moved. (Scan) to aspirate the developing solution and cleaning solution, and then move (scan ') the drying nozzle to perform drying.
- the drying efficiency can be further improved. Improvement can be achieved. '
- the cleaning nozzle is moved (scanned) within the gap for forming the liquid film of the developing solution without rotating the substrate to be processed, and then the suction nozzle and the drying nozzle are moved. (Scanning) to suck the developer and cleaning solution and, at the same time, to suck and dry the surrounding air, so that the processing efficiency can be further improved in addition to the above 1).
- a liquid film of the developing solution is formed while moving (scanning) the developing nozzle within the gap for forming the developing solution without rotating the substrate to be processed.
- the nozzle can be moved (scanned) to perform cleaning, and then the drying nozzle can be moved (scanned) to perform drying. Therefore, in addition to the above 1), the consumption of the developer can be further reduced.
- the liquid film of the developer can be formed uniformly, and the uniformity of the pattern dimensions such as the line width can be improved.
- the liquid film of the developing solution is formed while moving (scanning) the developing nozzle in the gap for forming the liquid film of the developing solution without rotating the substrate to be processed.
- the suction nozzle is moved (scanned) to suck the developer and the cleaning solution, and then the drying nozzle is moved (scanned) for drying. Therefore, in addition to the above 2), it is possible to further reduce the consumption of the developing solution, to form a uniform liquid film of the developing solution, and to improve the uniformity of the pattern dimensions such as the line width. Can be achieved.
- a liquid film of the developing solution is formed while moving (scanning) the developing nozzle in the liquid film forming gap of the developing solution without rotating the substrate to be processed.
- the suction and drying nozzles are moved (scanned) to suction the developer and cleaning solution, and at the same time, suction the surrounding air to dry.
- the processing efficiency can be further improved, and the apparatus can be downsized.
- the liquid film of the developing solution is formed while moving (scanning) the developing nozzle in the liquid film forming gap of the developing solution without rotating the substrate to be processed.
- the suction nozzle is moved (scanned) to suck the developer, and then the washing nozzle is moved (scanned) to perform cleaning, and then the (second) suction nozzle is moved (scanning).
- a cleaning solution ⁇ Specifically, a mixture of a developing solution and a cleaning solution ⁇
- the drying nozzle can be moved (scanned) to perform drying.
- the cleaning efficiency and drying efficiency can be further improved. Improvement can be achieved.
- the liquid film of the developing solution is formed while moving (scanning) the developing nozzle in the liquid film forming gap of the developing solution without rotating the substrate to be processed.
- the suction nozzle is moved (scanned) to suck the developer, and then the cleaning nozzle is moved (scanned) to perform cleaning. Then, the suction nozzle is moved (scanned) to move the cleaning nozzle (scan). More specifically, since the drying can be performed by suctioning the surrounding air at the same time as sucking the mixed solution of the developing solution and the cleaning solution, the processing efficiency can be further improved in addition to the above 6).
- the size of the device can be reduced.
- the cleaning liquid is supplied while reciprocating the cleaning nozzle, so that the cleaning efficiency can be further improved in addition to the above 1) to 8).
- the drying efficiency can be further improved in addition to the above 1) to 9).
- the gap for forming the liquid film is blocked from the outside by the cup, and the developer used for the processing in the processing space blocked from the outside is provided. And the cleaning liquid can be discharged to the outside.
- the cleaning liquid and mist etc. scattered during the cleaning or drying processing from adhering to the substrate to be processed. can do.
- the cleaning nozzle and the drying nozzle are formed by a common nozzle body, and the cleaning liquid supply source and the drying body supply source are connected to the nozzle body via switching means.
- Means for supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source to the nozzle body for cleaning, and in the drying step, the switching means can supply the drying fluid from the drying fluid supply source to the nozzle body for drying.
- the washing nozzle and the drying nozzle can be shared, and the number of components can be reduced and the size of the apparatus can be reduced.
- the developing nozzle is formed of a tubular nozzle body having at least a plurality of supply holes extending along the axial direction, in addition to the above 1) to 12),
- the developer can be supplied uniformly to the surface of the substrate, and the uniformity of pattern dimensions such as in-plane line width can be improved.
- the cleaning nozzle is formed of a tubular nozzle body having a plurality of supply holes extending along the axial direction that open at least on the substrate side and the flat plate side, In addition to 3), the cleaning liquid can be further uniformly supplied to the surface of the substrate to be processed, and the cleaning efficiency can be improved.
- the suction nozzle is formed by the tubular nozzle body having the suction hole along the axial direction that opens on the movement direction side of the nozzle, the developer that has been further processed.
- a mixed solution of a developer and a cleaning solution can be efficiently sucked, and the efficiency of cleaning and drying can be improved.
- the suction / drying nozzle has a liquid suction hole that opens in the direction of movement of the nozzle along the axial direction, and an air suction hole that opens in the direction opposite to the direction of movement of the nozzle. Therefore, the developing solution and / or the mixed solution of the developing solution and the washing solution used for the treatment can be efficiently sucked and the surrounding air can be sucked and dried.
- the drying nozzle is formed of a tubular nozzle body having at least a substrate to be processed and an injection hole opened in the axial direction and opened on the flat plate side, the drying nozzle is further formed.
- the drying fluid can be uniformly jetted (supplied) to the surface, and the drying efficiency can be improved.
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, and the drying nozzle are slidably mounted on the guide rails disposed parallel to the outside of the stage and the flat plate, and are vertically moved up and down. It can be formed so that any of the developing nozzle, the cleaning nozzle and the drying nozzle can be moved by the moving means or moved up and down by the elevating means. It can be performed smoothly and reliably, and the processing efficiency can be improved.
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, the suction nozzle, and the drying nozzle can be slid on the guide rails disposed parallel to the outside of the stage and the flat plate. At the same time as mounting, it is formed so as to be able to move up and down in the vertical direction, and any of the developing nozzle, washing nozzle, suction nozzle, or drying nozzle can be moved by moving means or moved up and down by moving means.
- the movement (scan) of the developing nozzle, the cleaning nozzle, the suction nozzle, and the drying nozzle can be performed smoothly and reliably, and the processing efficiency can be improved.
- the developing nozzle, the cleaning nozzle, and the suction / drying nozzle are mounted on a guide rail arranged parallel to the outside of the stage and the flat plate so as to be able to slide, and vertically moved up and down.
- Any of the developing nozzle, cleaning nozzle, and suction / drying nozzle can be moved by moving means or raised / lowered by elevating means. The movement (scan) can be performed smoothly and reliably, and the processing efficiency can be improved.
- a wafer semiconductor wafer
- FIG. 33 is a schematic plan view showing an example of the developing apparatus according to the present invention
- FIG. 34 is a schematic side view of the developing apparatus
- FIGS. 35A and 35B are mounting tables according to the present invention.
- FIG. 36 is a main part enlarged cross-sectional view showing a developing process of a fifth embodiment of the developing method of the present invention
- FIG. 37 is a fifth embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing an example of a developer supply nozzle in FIG.
- the above-mentioned development processing apparatus comprises: a mounting table 110 on which a wafer W as a substrate to be processed is mounted and a wafer W is suction-held by a vacuum apparatus V shown in FIGS. 35A and 35B; A liquid film forming flat plate disposed above the liquid crystal layer.
- the mounting table 100 may have any size as long as it is horizontal.
- the size may be substantially the same as the wafer W, and may be smaller than the wafer W in order to reduce the contact area.
- the shape may be such that the mounting portions 11010b extend in three radial directions.
- the symbol L 010a is a suction hole.
- the wafer W mounted on the mounting table 100 and the liquid film forming flat plate 120 are parallel to each other with a predetermined gap. They are arranged facing each other with a gap of 130, and a liquid film formation region of the developer is formed by the gap 130.
- the dimension of the gap: L 0 30 (liquid film forming region) varies depending on the type of the developing solution, the thickness of the liquid film to be formed, and the like, but is set to about 2 to 5 mm. This interval may be a dimension that allows a developing nozzle 1040 described later to pass through.
- three support pins 1011 which transfer a wafer W to and from a wafer transfer arm (not shown), are provided on the mounting table 11010 so as to be able to move up and down. As shown in FIGS. 33 and 34, these support pins 101 are slidably inserted through through holes (not shown) provided in the mounting table 110, or As shown in FIGS. 35A and 35B, it is provided beside the mounting table 110.
- the support pin 100 1 1 has a lower end protruding downward from the mounting table 110 1, and the lower end thereof is erected on the support member 110 2, and an elevating means such as an elevating cylinder connected to the support member 101.
- the support pins 1 0 1 1 are formed so as to be able to protrude and retract from the mounting surface of the mounting table 1 0 1 0 by the use of 1 13. Further, the liquid film forming flat plate 102 is connected to an elevating mechanism 102 constituted by, for example, a ball screw, and is driven by the elevating mechanism 102 so as to be attached to the mounting table 110. It is formed so as to be able to move forward and backward, and the interval of the gap 130 is adjusted. In this case, the lifting mechanism 102 and the liquid film forming flat plate 102 may be rotatably connected.
- the development processing device includes a tubular developer supply nozzle 104 (hereinafter referred to as a development nozzle 104) having at least a plurality of small holes 104 along the axial direction.
- the developing nozzle 1004 is disposed on both sides of the mounting table 11010.
- the developing nozzle is mounted on a pair of guide rails 1005 so as to be movable. It is connected to the mechanism 1060 (moving and raising / lowering means), and is formed so as to be able to move up and down in the vertical direction, and from one side end of the gap 1003 (liquid film forming area) to the other side end. It is formed so as to be movable in the horizontal direction so as to move.
- the developing nozzle 1040 has a tubular member 1 made of, for example, stainless steel or epoxy resin having an outer diameter of about 1 to 4 mm and an inner diameter of about 0.5 to 3.5 mm. It has a plurality of small holes 1 0 4 1 pierced at equal intervals along the axial direction of 0 4 2, and supply pipes are provided at both ends of the hollow portion 1 0 4 2 a of the tubular member 10 4 2.
- a developer storage tank 104 which is a developer supply source, is connected via a passage 104. This supply pipe A part of the path 104 is formed of a tube having a length that allows the moving range of the developing nozzle 104.
- an opening / closing means for adjusting the flow rate of the developing solution for example, an air operation valve 104, and a pressure feeding means, for example, a pump 11046 are provided in the supply pipe 104.
- the opening area of the small hole 1041 is gradually increased from the end of the tubular member 1042 toward the center.
- the hollow portion 1104 of the tubular member 104 from both ends is formed.
- the developer supplied to the inside of the 42a can be uniformly discharged (supplied) from each small hole 1041.
- the opening diameter and interval of the small holes 1041 are appropriately set according to the size of the wafer W divided by the type of the developing solution.
- the small holes 1041 may be similarly provided in a plurality of rows of the tubular member 1042, for example, as shown in FIG. 39, in two rows of the lower end side and the upper end side of the tubular member 1042. Alternatively, it may be similarly provided in arbitrary plural rows. Further, as shown in FIG. 39
- the developing nozzle 104 OA may be formed by a porous tubular member 104 A having a large number of small holes 104 all around. In this way, by forming the developing nozzle 104 OA with the porous tubular member 104 A having a large number of small holes 104 around the entire circumference, the entire circumference of the developing nozzle 104 is improved. Thus, the developer can be uniformly discharged (supplied). In these cases, the pressure of the developer may be adjusted by the pump 106.
- the guide rail .1 050 also has a first rinsing nozzle 11071, which is formed in a tubular shape in the same manner as the developing nozzle 1400.
- the developer suction nozzle 1073, the second rinse nozzle 1072, and the drying nozzle 1074 are mounted so as to be able to move up and down and slide.
- the first and second rinse nozzles 1071, 1072 are provided with a plurality of nozzle holes (not shown) along the axial direction of the tubular member, similarly to the developing nozzle 104. Have been.
- the developer suction nozzle 107 and the drying nozzle 107 4 are respectively provided with slits along the axial direction of the tubular member.
- a suction hole (not shown) of a dry gas, for example, an air (not shown) is provided.
- These first rinse nozzle 1071, developer suction nozzle 107, second rinse nozzle 1072, and drying nozzle 1074 are also connected to the above-mentioned moving / elevating mechanism 1060.
- the gap 130 is formed so as to be able to move up and down in the vertical direction and to be movable in the horizontal direction so as to move from one end of the gap 130 to the other end.
- a nozzle cleaning bath 107 is provided at the standby position (home position) of the above nozzles 1 40 and 107 1-: L 0 74.
- the diameters of the above-mentioned rinsing nozzles 1071, 1072, developer suction nozzles 1 ⁇ 73, and drying nozzles 1 ⁇ 74 may be different from each other.
- the gap 1 0 3 0 may also be different.
- the wafer W is sucked and held by the driving of the vacuum device V. Then, the flat plate for liquid film formation is moved vertically (elevated and lowered) by the elevating mechanism and formed on the surface of the wafer W mounted on the mounting table (liquid level). The gap is adjusted so as to have an interval corresponding to the thickness of the developing solution to be formed, and the gap (liquid film forming region) is set. In this state, as shown in FIG. 36, FIG. 38A, and FIG. 38B, the developing nozzle 1004 is moved from one side end of the gap 1030 (liquid film forming region) to the other side end.
- the moving speed of the developing nozzle 104 is set to, for example, 50 to 15 Omm / sec, and the discharge amount (supply amount) of the developing solution is set to, for example, 5 to 5 Om1Z sec.
- the movement of the developer D during the development is kept extremely static from the start to the end of the development, and the surface of the wafer W is filled with the developer D in the gap 130 (liquid film forming area) ⁇ .
- a liquid film of the developer D can be formed.
- the liquid film of the developing solution D can be formed uniformly without being affected by the water-phobicity of the resist R.
- the developing nozzle 1040 is moved from one end to the other end of the gap 1030 (liquid film forming region).
- the rinsing liquid for example, pure water is discharged (supplied) from a rinsing liquid supply source (not shown) while moving the first rinsing nozzle 1071 in a similar manner after a predetermined time, and the developing liquid is supplied.
- the dissolution reaction of the resist is stopped, and then, while moving the developing solution suction nozzle 1073 in the same manner, the dissolved product generated by reacting with the developing solution by the suction action of a suction means (not shown) is sucked.
- the rinsing process is performed by discharging (supplying) a rinsing liquid, for example, pure water from a rinsing liquid supply source (not shown) while moving the second rinsing nozzle 1072 in the same manner.
- a dry gas for example, a dry gas is blown from a supply source of purified air to blow off a rinse liquid attached to the wafer W to dry.
- the rinsing process and the drying process may be performed by reciprocating the second rinsing nozzle 1072 and the drying nozzle 1074, respectively.
- the developing nozzle 104, the first rinsing nozzle 1071, the developing solution suction nozzle 107, and the second rinsing nozzle 1 0 7 2 and the drying nozzle 1 0 7 4 return to the home position. After that, the suction state of the mounting table 101 is released, the support pins 101 are raised, and the wafer W is delivered to the wafer transfer arm (not shown) which enters the developing device, and the wafer W is unloaded. I do.
- the same operation as above is repeated to perform the development processing of the wafer W. ⁇ Sixth embodiment
- FIG. 41 is an enlarged sectional view of a main part showing a state of development processing of a sixth embodiment of the development processing method of the present invention.
- a plurality of, for example, two of the developing nozzles 100 are moved into a gap 103 (liquid film forming region) with an interval L in the moving direction of the developing nozzle 104.
- the developer D is supplied from the small holes 1041 of the developing nozzles 104.
- a plurality of, for example, two developing nozzles 1 ⁇ 40 are separated by an interval L in the moving direction.
- the developing solution D is supplied from the small holes 104 of the developing nozzles 1004 while moving into the gaps 110 (liquid film forming region), thereby making it possible to supply one piece as in the fifth embodiment.
- Development Discharges the developer as slowly as possible from the small holes 104 of each developing nozzle 1004 compared to the case where the developer is discharged (supplied) from the small holes 104 of the developing nozzles 104. Supply) while moving the two developing nozzles 104. Therefore, the movement of the developer D during the development can be kept more static, and the uniformity of the pattern such as the line width can be improved.
- the plurality of developing nozzles 104 are simultaneously moved, the developing processing speed can be increased. '
- the developing nozzle 104 may be replaced with a porous developing nozzle 104OA. Further, in the sixth embodiment, other parts are the same as those of the fifth embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
- FIG. 42A and FIG. 42B are an enlarged sectional view of a main part showing a developing process of a seventh embodiment of the developing method of the present invention, and a developing nozzle 104B in the seventh embodiment. It is a perspective view.
- a wing piece 1800 is projected from a rear side of the developing nozzle 104B in the moving direction, and discharged from a small hole 1041 of the developing nozzle 104B. This is the case where the turbulence of the developed developer D is suppressed to keep the movement of the developer during development more static.
- the wing piece 1080 is formed integrally with the tubular member 104B of the developing nozzle 104B, and has a narrow taper toward the tip (rear side in the moving direction). A surface 1081 is formed.
- the developing nozzle and the nozzle 104 formed as described above are moved from one end of the gap 103 (liquid film forming region) to the other end.
- the turbulent flow of the developer D can be suppressed by rectification by the wing piece 1800 having the tapered surface 1081 narrowing toward the front end (rear side in the moving direction). Since the movement of the developer D during the development can be kept more static, the uniformity of the pattern such as the line width can be further improved.
- FIG. 43 is an enlarged sectional view of a main part showing a developing process according to the eighth embodiment of the developing method of the present invention.
- two developing nozzles 104 each having a wing piece 108 A projecting therefrom are arranged side by side at an interval L 1 in a direction intersecting with the moving direction, and a gap 10 3
- the developing solution is discharged (supplied) from the small holes 104 of the developing nozzles 104 while moving from one end side to the other end side of the liquid film forming region (liquid film forming region).
- the liquid film is formed on the surface of the wafer W by filling the (liquid film forming region) with the developing solution.
- the wing piece 108A of each developing nozzle 104C is formed integrally with the tubular member 104C, and the lower end or the upper end of the tubular member 104C.
- a sloped surface 1083 that connects the upper or lower end of the tubular member 104C to the leading end of the horizontal surface 1082. It has a substantially triangular cross section.
- two developing nozzles 104 C projecting the wing pieces 108 OA are arranged side by side at an interval L 1 in a direction intersecting with the moving direction, and a gap 110 3
- the developing solution is ejected (supplied) from the small holes 1041 of the developing nozzles 1004 while moving from one end side to the other end side of the film forming region).
- the air A escapes from the interval L1 provided between the C and C, and the movement of the developer D on both sides of the wafer W and the liquid film forming flat plate 120 can be balanced evenly. Therefore, the uniformity of the pattern such as the line width can be further improved.
- FIG. 44 is an enlarged cross-sectional view of main parts showing a developing process according to a ninth embodiment of the developing method of the present invention.
- the ninth embodiment is a case where the developing nozzle 104D is rotated in the circumferential direction while moving the developing nozzle 104D.
- the rotation direction of the developing nozzle 140 D is directed toward the wafer W side. The reason for this is that, with the rotation of the developing nozzle 104D, it is discharged from the small hole 1041 This is because the supplied developer can be positively supplied to the wafer W.
- the developing nozzle 104 by rotating the developing nozzle 104 in the circumferential direction (rotating toward the wafer W side) while moving the developing nozzle 104, the small hole 104 of the developing nozzle 104 D is formed. A liquid film is formed such that the developer discharged (supplied) from 1 is placed on the surface of the wafer W.
- the pattern such as the line width can be further reduced. Can be improved. .
- a porous developing nozzle A may be used instead of the developing nozzle 140D.
- the other parts are the same as those in the fifth embodiment.
- FIG. 45 is an enlarged sectional view of a main part showing a tenth embodiment of the developing treatment method of the present invention.
- the tenth embodiment is a case where two wafers W can be developed simultaneously in one process. That is, a gap 100 (liquid film formation region) is formed by using the wafer W instead of the liquid film forming flat plate 120 and facing the two wafers W in parallel with each other. A developing nozzle is moved from one end of the liquid film forming region to the other end of the liquid film forming region, for example, the developing solution is moved from a small hole. This is a case where the developer D is filled in the gap 1030 (liquid film forming region) by discharging (supplying) to form a liquid film on the surfaces of both wafers W.
- two developing nozzles 104 C projecting the wing piece 108 OA are arranged side by side at an interval L 1 in a direction intersecting the moving direction, and a gap 110 3 0 (liquid film
- the developing solution is ejected (supplied) from the small holes 104 of each developing nozzle 1004 while being moved from one end side to the other end side of the forming region) so that both developing nozzles 1040
- the air A escapes from the space L 1 provided between C, and the movement of the developer D on both sides of the wafer W and the liquid film forming flat plate 120 can be balanced evenly.
- the uniformity of the pattern such as the line width can be improved.
- the case where two developing nozzles 1040C having the wing pieces 1080A projecting therefrom are arranged side by side at an interval L1 in a direction intersecting the moving direction but other developing nozzles 1040, 1040A and 1040B may be used.
- other parts are the same as those of the fifth embodiment, and the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
- the mounting table 1010 is fixed and does not rotate has been described, but the mounting table 1010 is connected to the rotation shaft of the motor M as shown by a two-dot chain line in FIGS. 35A and 35B. Then, the mounting table 1010 is formed so as to be rotatable in the horizontal direction, and the mounting table 1010 and the wafer W are rotated in the horizontal direction at the same time when the developing nozzles 1040, 1040 A, 1040 B, 1040 C, and 1040D are moved. Good.
- the rotating nozzles 1040 and 1040A to 1040D are moved from one end of the gap 1030 toward the other end to discharge (supply) the developer. It is preferable to rotate the mounting table 1010 and the wafer W during the subsequent cleaning and drying processes without rotating the mounting table 1010 and the wafer W.
- the liquid film forming flat plate 1020 is moved so that the cleaning nozzle (rinsing nozzle) 1072A enters. (Fig. 46 A).
- the rinsing nozzle 1072A is moved from one side end of the gap 1030 to the center, and the rinsing liquid such as pure water is moved.
- the mounting 1010 and the wafer W are rotated (see FIGS. 46B and 46C).
- the discharge (supply) of pure water from the rinse nozzle 1072A is stopped, and after or at the same time as the rinse nozzle 1072A returns to the home position, the mounting table 1010 and the wafer W are rotated at high speed. Then, the pure water adhering to the wafer W is shaken off and dried (FIG. 46D).
- the development processing can be similarly performed on, for example, an FPD glass substrate or a mask substrate (reticle) other than the force wafer described in the case where the substrate to be processed is the wafer W.
- glass substrates for FPD and mass When developing a square plate to be processed such as a mask substrate, for example, a mask substrate (reticle) RE, as shown in FIGS. 47A and 47B, a circular liquid film forming flat plate 102 It is necessary to perform processing using a rectangular (square) liquid film forming flat plate 102 OA instead of 0 and a rectangular (square) mounting table 101 OA. Further, by using the flat plate 102 OA for forming a liquid film and the mounting table 101 OA, development processing can be performed regardless of the shape of the substrate to be processed.
- the developing solution supply nozzle having a plurality of small holes along the axial direction and supplying the developing solution into the gap from the small holes, the movement of the developing solution during the development is extremely static from the start to the end of the development.
- the developing solution can be formed by forming a liquid film of the developing solution on the surface of the substrate to be processed while the gap is filled with the developing solution.
- the uniformity in the plane can be improved without being affected by the hydrophobicity of the resist, and the uniformity of the pattern dimensions such as the line width can be improved. Further, the amount of the developer used is only the amount of the thin gap (liquid film formation area) set at a predetermined interval, so that the amount of the developer can be reduced.
- the developer is supplied from the small holes of each of the developer supply nozzles while a plurality of the developer supply nozzles are moved into the gap at an interval, thereby reducing the size of each nozzle. Since a plurality of nozzles can be moved while supplying (discharging) the developer as slowly as possible from the holes, the movement of the developer during development can be further statically maintained in addition to the above-mentioned 101). The uniformity of the pattern such as the line width can be improved. Further, since a plurality of nozzles are moved at the same time, the development processing speed can be increased.
- the turbulence of the supplied developer is suppressed by the wing pieces protruding rearward in the movement direction of the developer supply nozzle, whereby the movement of the developer during development is suppressed.
- the developer supply nozzle projecting the wing piece intersects the moving direction.
- the developer supply nozzle projecting the wing piece intersects the moving direction.
- the influence of the passage of the developer supply nozzle that is, the developer supply immediately after the passage of the nozzle is obtained. Since the influence of the cavity can be suppressed, it is possible to further improve the uniformity of the pattern such as the line width in addition to the above-mentioned 101).
- a substrate to be processed as a flat plate for forming a liquid film
- development processing of two substrates to be processed can be performed simultaneously in the ⁇ process, so that the processing efficiency is further improved.
- the present invention is used in the field of developing a surface of a substrate by supplying a developing solution to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a flat panel display (FPD) or a photomask substrate (reticle).
- a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a flat panel display (FPD) or a photomask substrate (reticle).
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Abstract
被処理基板を回転させずに省スペースの下で、洗浄液及び乾燥用流体等の使用量を低減すると共に、洗浄液やミスト等の飛散物の低減を達成しながら、現像処理後の被処理基板の洗浄及び乾燥を均一に行えるようにする。ウエハ(W)の表面に現像液を供給して、ウエハ表面に現像液の液膜を形成した後、現像液の液膜が形成されたウエハ(W)と平板(20)とで形成された隙間(30)の一側端から他側端に向かって、リンスノズル(70)を移動(スキャン)しつつ隙間(30)内に純水を供給して洗浄し、その後、乾燥ノズル(80)を移動(スキャン)しつつ隙間(30)内に空気を噴射してウエハ(W)に付着する処理に供された現像液及び純水を除去する。
Description
現像処理方法及び現像処理装置 技術分野
この発明は、 例えば半導体ウェハや F P D (フラットパネルディスプレイ) 用 ガラス基板やフォトマスク基板 (レチクル) 等の基板に現像液を供.給して基板表 面を現像処理する現像処理方法及ぴ現像処理装置に関するものである。 背景技術
一般に、 半導体デバイスの製造工程においては、 半導体ウェハや F P D用ガラ ス基板等 (以下にウェハ等という) の表面に例えばレジスト液を塗布し、 ステツ パー等の露光装置を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜を露光し、 露光後 のウェハ表面に、 回転式塗布処理装置を用いて現像液を塗布 (供給) して現像処 理を行うフすトリソグラフィー技術が用いられている。
上記現像処理工程においては、 一般にウェハ等の表面のレジストに現像液を噴 霧するスプレー方式やウェハ等の表面に現像液を盛るパドル方式等が知られてい る。 また、 別の方式として、 現像すべき一対のウェハ等を所定の隙間をあけて互 いに対向させ、 毛管現象を利用して隙間内を現像液で満たして、 ウェハ等の表面 に現像液の液膜を形成し、 現像処理後に洗浄する方法が知られている (例えば、 特開平 6— 2 4 4 0 9 7号公報参照)。
上記特開平 6— 2 4 4 0 9 7号公報記載の現像処理方式によれば、 スプレー方 式やパドル方式に比べて、 現像液の消費量を少なくすることができる上、 現像液 の液盛り時の液の移動 (流動) を抑制して線幅等のパターン寸法の均一性を向上 させることができる。 また、 現像処理後のウェハの洗浄を同一のウ^ハ支持機構 で行うことができる。
ところで、現像処理後にウェハ等の洗浄、乾燥が必要になるが、ウェハ等を別々 に洗浄、乾燥すると、洗浄液や乾燥用流体等の消費量の増加を招くばかりでなく、 洗浄 ·乾燥に伴う洗浄液やミスト等の飛散物の捕集スペースの増加が生じるとい
う問題があった。 また、 ウェハ等の洗浄及び乾燥の際、 回転を行うと、 回転力の 影響で、 ウェハ等の中心部と外周部とで、 洗浄'乾燥の不均一が生じるという問 題もあった。
また、 スプレー方式では、 現像液の消費量が多い上、 現像液をウェハ等の表面 に均一に噴霧 (供給) することが難しいため、 線幅等のパターン寸法が不均一に なるという問題があった。
パドル方式では、 スプレー現像のような問題は生じないが、 現像液の液膜表面 が開放された自由表面となっているため、 液面に波立ちが生じ、 それに伴って現 像液のレジスト接触面 (反応面) も移動してしまい、 線幅等のパターン寸法が不 均一になるという問題があった。 また、 パドル方式においても、 現像液をウェハ 等の表面に満遍なく均一に液盛りするのが難しいという問題もある。
これに対して、 特開平 6— 2 4 4 0 9 7号公報に記載の現像方式においては、 スプレー方式ゃパドル方式に比べて、 現像液の消費量を少なくすることができる 力 この現像方式においても、 ウェハ等の表面に供給される現像液が流動するた め、 線幅等のパターン寸法が不均一になるという問題があった。 発明の開示
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、 被処理基板を回転させずに省ス ペースの下で、 洗浄液及び乾燥用流体等の使用量を低減すると共に、 洗浄液ゃミ スト等の飛散物の低減を達成しながら、 現像処理後の被処理基板の洗浄及び乾燥 を均一に行えるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供することを目的 とするものである。
また、 この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、 線幅等のパターン寸法の 均一を図ると共に、 現像液の消費量の低減を図れるようにした現像処理方法及び 現像処理装置を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、 現像処理方法は、 '被処理基板の表面に現像液を供 給して、 被処理基板表面に現像液の液膜を形成する現像工程と、 上記 ¾像液の液 膜が形成された上記被処理基板と平板とを互いに平行に対向させて隙間を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズルを移動しつつ隙間内に洗浄液
を供給する洗浄工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって乾燥ノズルを移 動しつつ隙間内に乾燥用流体を噴射して上記被処理基板に付着する処理に供され た現像液及び洗浄液を除去する乾燥工程と、 を有する。
現像処理方法は、 被処理基板の表面に現像液を供給して、 被処理基板表面に現 像液の液膜を形成する現像工程と、 上記現像液の液膜が形成された上記被処理基 板と平板とを互いに平行に対向させて隙間を形成し、 この隙間の一側端から他側 端に向かって洗浄ノズルを移動しつつ隙間内に洗浄液を供給する 浄工程と、 上 記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズルを移動しつつ処理に供された現 像液及び洗浄液を吸引する吸引工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって 乾燥ノズルを移動しつつ隙間内に乾燥用流体を噴射して上記被処理基板に付着す る処理に供された現像液及び洗浄液を除去する乾燥工程と、 を有する。
現像処理方法は、 被処理基板の表面に現像液を供給して、 被処理基板表面に現 像液の液膜を形成する現像工程と、 上記現像液の液膜が形成された上記被処理基 板と平板とを互いに平行に対向させて隙間を形成し、 この隙間の一側端から他側 端に向かって洗浄ノズルを移動しつつ隙間内に洗浄液を供給する洗浄工程と、 上 記隙間の一側端から他側端に向かって吸引■乾燥ノズルを移動しつつ処理に供さ れた現像液及び洗诤液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引して上記被処理基板 に付着した現像液及び洗浄液を除去する吸引■乾燥工程と、 を有する。
現像処理方法は、被処理基板と平板とを互いに平行に対向させて隙間を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズルを移動しつつ現像液を供給す ることにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を 形成する現像工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズ^/を移動 しつつ隙間内に洗浄液を供給する冼浄工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向 かって乾燥ノズノレを移動しつつ隙間内に乾燥用流体を噴射して上記被処理基板に 付着する処理に供された現像液及び洗浄液を除去する乾燥工程と、 を有する。 現像処理方法は、被処理基板と平板とを互いに平行に対向させて隙間を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズルを移動しつつ現像 ί夜を供給す ることにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を 形成する現像工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズルを移動
しつつ隙間内に洗浄液を供給する洗浄工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向 かって吸引ノズルを移動しつつ処理に供された現像液及び洗浄液を吸引する吸引 工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって乾燥ノズノレを移動しつつ隙間内 に乾燥用流体を噴射して上記被処理基板に付着する処理に供された現像液及び洗 浄液を除去する乾燥工程と、 を有する。
現像処理方法は、被処理基板と平板とを互いに平行に対向させて隙間を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノス、ノレを移動しつつ現像液を供給す ることにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を 形成する現像工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズルを移動 しつつ隙間内に洗浄液を供給する洗浄工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向 かって吸引■乾燥ノズルを移動しつつ処理に供された現像液及び洗浄液を吸引す ると共に、 周囲の空気を吸引して上記被処理基板に付着した現像液及び洗浄液を 除去する吸引 ·乾燥工程と、 を有する。
現像処理方法は、被処理基板と平板とを互いに平行に対向させて隙間を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズルを移動しつつ現像液を供給す ることにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を 形成する現像工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズルを移動 しつつ処理に供された現像液を吸引する第一の吸引工程と、 上記隙間の一側端か ら他側端に向かって洗浄ノズルを移動しつつ隙間内に洗浄液を供給する洗浄工程 と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズルを移動しつつ処理に供さ れた洗浄液を吸引する第二の吸引工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かつ て乾燥ノズルを移動しつつ隙間内に乾燥用流体を噴射して上記被処理基板に付着 する処理に供された洗浄液を除去する乾燥工程と、 を有する。
現像処理方法は、被処理基板と平板とを互いに平行に対向させて隙間を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズルを移動しつつ現像液を供給す ることにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を 形成する現像工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズルを移動 しつつ処理に供された現像液を吸引する第一の吸引工程と、 上記隙間の一側端か ら他側端に向かって洗浄ノズルを移動しつつ隙間内に洗浄液を供給する洗浄工程
と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引 '乾燥ノズルを移動しつつ処理 に供された洗浄液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引して上記被処理基板に付 着した現像液及び洗浄液を除去する吸引 '乾燥工程と、 を有する。
この発明の現像処理方法において、 上記洗浄工程において、 上記洗浄ノズルを 往復移動するようにしてもよい。 また、 上記乾燥工程において、 上記乾燥ノズル を往復移動するようにしてもよい。
また、 上記洗浄工程において、 カップにより上記隙間を外部から遮断すると共 に、 外部と遮断された処理空間内の処理に供された現像液及び洗浄液を外部に排 出する方が好ましい。 また、 上記乾燥工程において、 カップにより上記隙間を外 部から遮断すると共に、 外部と遮断された処理空間内の気液流体を外部に排出す る方が好ましい。 また、 上記吸引 '乾燥工程においても、 カップにより上記隙間 を外部から遮断すると共に、 外部と遮断された処理空間内の気液流体を外部に排 出する方が好ましい。
また、 上記洗浄ノズルと乾燥ノズルを共通のノズノレ体にて形成し、 上記ノズル 体に切換手段を介して洗浄液供給源と乾燥流体供給源とを接続し、 洗浄工程にお いて、 上記切換手段により上記洗浄液供給源から洗浄液を上記ノズル体に供給し て洗浄し、 乾燥工程において、 上記切換手段により上記乾燥流体供給源から乾燥 流体を上記ノズル体に供給して乾燥することも可能である。
また現像処理装置は、 現像処理方法を具現化するもので、 被処理基板を載置す るステージと、 上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板 との間に液膜形成用の隙間を形成する平板と、 上記隙間の一側端から他側端に向 力つて移動しつつ現像液を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被 処理基板の表面に! ¾像液の液膜を形成する現像ノズルと、 上記隙間の一側端から 他側端に向かって移動しつつ洗浄液を供給する洗浄ノズルと、 上記隙間の一側端 から他側端に向かって移動しつつ乾燥流体を噴射して上記被処理基板に付着した 現像液及び洗浄液を除去する乾燥ノズルと、 を具備する。
現像処理装置は、 現像処理方法を具現化するもので、 被処理基板を寧置するス テージと、 上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との 間に液膜形成用の隙間を形成する平板と、 上記隙間の一側端から他側端に向かつ
て移動しつつ現像液を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理 基板の表面に現像液の液膜を形成する現像ノズルと、 上記隙間の一側端から他側 端に向かって移動しつつ洗浄液を供給する洗浄ノズノレと、 上記隙間の一側端から 他側端に向かって移動しつつ上記被処理基板に付着した現像液及び洗浄液を吸引 する吸引ノズルと、 上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ乾燥流体 を噴射して上記被処理基板に付着した現像液及び洗浄液を除去する乾燥ノズルと、 を具備する。
現像処理装置は、 現像処理方法を具現化するもので、 被処理基板を载置するス テージと、 上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との 間に液膜形成用の隙間を形成する平板と、 上記隙間の一側端から他側端に向かつ て移動しつつ現像液を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理 基板の表面に現像液の液膜を形成する現像ノズルと、 上記隙間の一側端から他側 端に向かって移動しつつ洗浄液を供給する洗浄ノズルと、 上記隙間の一側端から 他側端に向かって移動しつつ上記被処理基板に付着した現像液及び洗浄液を吸引 すると共に、 周囲の空気を吸引して被処理基板に付着した現像液及び洗浄液を除 去する吸引 '乾燥ノズノレと、 を具備する。
現像処理装置は、 現像処理方法を具現化するもので、 被処理基板を載置するス テージど、 上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との 間に液膜形成用の隙間を形成する平板と、 上記隙間の一側端から他側端に向かつ て移動しつつ現像液を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理 基板の表面に現像液の液膜を形成する現像ノズルと、 上記隙間の一側端から他側 端に向かって移動しつつ処理に供された現像液を吸引する第一の吸引ノズルと、 上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ洗浄液を供給する洗浄ノズノレ と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ上記被処理基板に付着し た洗浄液を吸引する第二の吸引ノズルと、 上記隙間の一側端から他側端に向かつ て移動しつつ乾燥流体を噴射して上記被処理基板に付着した洗浄液を除去する乾 燥ノス 'ノレと、 を具備する。
現像処理装置は、 現像処理方法を具現化するもので、 被処理基板を載置するス テージと、 上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との
間に液膜形成用の隙間を形成する平板と、 上記隙間の一側端から他側端に向かつ て移動しつつ現像液を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理 基板の表面に現像液の液膜を形成する現像ノズルと、 上記隙間の一側端から他側 端に向かって移動しつつ処理に供された現像液を吸引する第一の吸引ノズルと、 上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ洗浄液を供給する洗浄ノズル と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ上記被処理基板に付着し た洗浄液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引'して被処理基板に付着した現像液 及び洗浄液を除去する吸引■乾燥ノズノレと、 を具備する。
この発明の現像処理装置において、 上記ステージの外側及び下部を包囲すると 共に、 上記平板に接離する昇降可能なカップを更に具備し、 上記カップの下部に 排出口を設ける方が好ましい。
また、 上記現像ノズルを、 少なくとも軸方向に沿う複数の供給孔を有する管状 のノズル体にて形成することができる。 また、 上記洗浄ノズルを、 少なくとも被 処理基板側及び平板側に開口する軸方向に沿う複数の供給孔を有する管状のノズ ル体にて形成することができる。 また、 上記吸引ノズルを、 このノズルの移動方 向側に開口する軸方向に沿う吸引孔を有する管状のノズル体にて形成する とが できる。 また、 上記吸引 ·乾燥ノズルを、 このノズルの移動方向側に開口する軸 方向に沿う液吸引孔と、 ノズルの移動方向と反対側 (移動方向の後方側) に開口 する軸方向に沿う空気吸引孔とを具備するノズル体にて形成することができる。 また、 上記乾燥ノズルを、 上記洗浄ノズノレと同様に、 少なくとも被処理基板及び 平板側に開口する軸方向に沿う噴射孔を有する管状のノズル体にて形成すること ができる。 この場合、 上記洗浄ノズルと乾燥ノズルを共通の管状ノズル体にて形 成し、 上記管状ノズル体に切換手段を介して洗浄液供給源と乾燥流体供給 とを 接続し、 上記切換手段の切換操作によって、 上記洗浄液供給源から上記管状ノズ ノレ体への洗浄液の供給、 又は、 上記乾燥流体供給源から上記管状ノズルへの乾燥 流体の供給を選択的に行えるように形成する方が好ましい。
また、 上記現像ノズル、 洗浄ノズル及び乾燥ノズノレを、 ステージ及び平板の外 側方に平行に配設されるガイドレールに摺動可能に装着すると共に、 鉛直方向に 昇降可能に形成し、 上記現像ノズル、 洗浄ノズル又は乾燥ノズルのいずれかを、
移動手段によって移動又は昇降手段によって昇降するか、 あるいは、 上記現像ノ. ズル、 洗浄ノズル、 吸引ノズル及び乾燥ノズルを、 ステージ及び平板の外側方に 平行に配設されるガイドレールに摺動可能に装着すると共に、 鉛直方向に昇降可 能に形成し、 上記現像ノズル、 洗浄ノズル、 吸引ノズル又は乾燥ノズルのいずれ かを、移動手段によって移動又は昇降手段によって昇降する方が好ましい。また、 現像ノズル、 洗浄ノズル及び吸引 '乾燥ノズルを用いる場合において、 現像ノズ ル、 洗浄ノズル及び吸引 '乾燥ノズ^ ^を、 ステージ及び平板の外側方に平行に配 設されるガイドレールに摺動可能に装着すると共に、 鉛直方向に昇降可能に形成 し、 上記現像ノズル、 洗浄ノズ 又は吸引 ·乾燥ノズルのいずれかを、 移動手段 によって移動又は昇降手段によって昇降する方が好ましい。
この発明によれば、 被処理基板の表面に現像液を供給して、 被処理基板表面に 現像液の液膜を形成した後、 現像液の液膜が形成された被処理基板と平板とで形 成された隙間の一側端から他側端に向かって、 まず、 洗浄ノズルを移動 (スキヤ ン) しつつ隙間内に洗浄液を供給して洗浄し、 その後、 乾燥ノズルを移動 (スキ ヤン) しつつ隙間内に乾燥用流体を噴射して被処理基板を乾燥、 すなわち被処理 基板に付着する処理に供された現像液及び洗浄液を除去することができる。 した がって、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜を形成する隙間内に洗浄ノズ ルを移動 (スキャン) させて洗浄を行うことができると共に、 乾燥ノズルを移動 (スキャン) させて乾燥を行うことができる。
この発明によれば、 被処理基板の表面に現像液を供給して、 被処理基板表面に 現像液の液膜を形成した後、 現像液の液膜が形成された被処理基板と平板とで形 成された隙間の一側端から他側端に向かって、 まず、 洗浄ノズルを移動しつつ隙 間内に洗浄液を供給して洗浄し、 次いで、 吸引ノズルを移動 (スキャン) しつつ 処理に供された現像液及び洗浄液を吸引し、 の後、 乾燥ノズルを移動 (スキヤ ン) しつつ隙間内に乾燥用流体を噴射して被処理基板を乾燥、 すなわち被処理基 板に付着する処理に供された現像液及び洗浄液を除去することができる。 'したが つて、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜を形成する隙間内に洗浄ノズル を移動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 吸引ノズルを移動 (スキャン) させ て現像液及ぴ洗浄液を吸引し、 その後、 乾燥ノズルを移動 (スキャン) させて乾
燥を行うことができる。
この発明によれば、 被処理基板の表面に現像液を供給して、 被処理基板表面に 現像液の液膜を形成した後、 現像液の液膜が形成された被処理基板と平板とで形 成された隙間の一側端から他側端に向かって、 まず、 洗浄ノズルを移動しつつ隙 間内に洗浄液を供給して洗浄し、 次いで、 吸引 .乾燥ノズルを移動 (スキャン) しつつ処理に供された現像液及ぴ洗净液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引し て被処理基板に付着する処理に供された現像液及び洗浄液を除去す.ることができ る。 したがって、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜を形成する隙間內に 洗浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 吸引 ·乾燥ノズノレを移動 (スキャン) させて現像液及び洗浄液を吸引すると同時に、 乾燥を行うことがで 含る。
この発明によれば、 被処理基板と平板とで形成された隙間の一側端から他側端 に向かって、 まず、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液を供給すること により、隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成し、 次に、 洗浄ノズルを移動 (スキャン) しつつ隙間内に洗浄 を供給して洗浄し、 その後、 乾燥ノズ、ノレを移動 (スキャン) しつつ隙間内.に乾燥用流体を噴射して被'. 処理基板を乾燥、 すなわち被処理基板に付着する処理こ供された現像液及び洗浄 液を除去することができる。 したがって、 被処理基板を回転させずに、 現像液の 液膜形成用隙間内に、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液の液膜を形成 し、 次いで、 洗浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 乾燥ノズノレ を移動 (スキャン) させて乾燥を行うことができる。
この発明によれば、 被処理基板と平板とで形成された隙間の一側端から他側端 に向かって、 まず、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液を供給すること により、隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成し、 次いで、洗浄ノズルを移動(スキャン) しつつ隙間内に洗浄液を供給して洗浄し、 次に、吸引ノズルを移動(スキャン) しつつ現像液及び洗浄液を吸引し、その後、 乾燥ノズルを移動 (スキャン) しつつ隙間内に乾燥用流体を噴射して被処理基板 を乾燥、 すなわち被処理基板に付着する処理に供された現像液及び洗浄液を除去 することができる。 したがって、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜形成
用隙間内に、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液の液膜を形成し、 次い で、 洗浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行い、 次に、 吸引ノズルを移動 (スキャン) させて現像液及び洗浄液を吸引し、 その後、 乾燥ノズノレを移動 (ス キャン) させて乾燥を行うことができる。
この発明によれば、 被処理基板と平板とで形成された隙間の一側端から他側端 に向かって、 まず、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液を供給すること により、隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の.液膜を形成し、 次いで、洗浄ノズルを移動(スキャン) しつつ隙間内に洗浄液を供給して洗浄し、 次に、 吸引 '乾燥ノズルを移動 (スキャン) しつつ処理に供された現像液及び洗 浄液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引して被処理基板に付着する処理に供さ れた現像液及び洗浄液を除去することができる。 したがって.、 被処理基板を回転 させずに、 現像液の液膜形成用隙間内に、 現像ノズルを移動 (ス^ャン) しつつ 現像液の液膜を形成し、 次いで、 洗浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行 い、 その後、 吸引 '乾燥ノズルを移動 (スキャン) .させて現像液及び洗浄液を吸 引すると同時に、 乾燥を行うことができる。
この発明によれば、 被処理基板と平板とで形成された隙間の一側端から他側端 に向かって、 まず、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液を供給すること により、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成し た後、 (第一の) 吸引ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液を吸引し、 次に、 洗 浄ノズルを移動 (スキャン) しつつ隙間内に洗浄液を供給して洗浄し、 次いで、 (第二の) 吸引ノズルを移動 (スキャン) しつつ洗浄液 {具体的には現像液と洗 浄液の混合液 } を吸引し、 その後、 乾燥ノズルを移動 (スキャン) しつつ隙間内 に乾燥用流体を噴射して被処理基板を乾燥、 すなわち被処理基板に付着する処理 に供された洗浄液を除去することができる。 したがって、 被処理基板を回転させ ずに、 現像液の.液膜形成用隙間内に、 現像ノズルを移動 (スキャン)' しつつ現像 液の液膜を形成した後、 (第一の) 吸引ノズルを移動 (スキャン) させて現像液を 吸引し、次いで、洗浄ノズルを移動(スキャン) させて洗浄を行った後、.(第二の) 吸引ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄液を吸引し、 その後、 乾燥ノズルを移 動 (スキャン) させて乾燥を行うことができる。
この発明によれば、 被処理基板と平板とで形成された隙間の一側端から他側端 に向かって、 まず、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液を供給すること により、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成し た後、 (第一の) 吸引ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液を吸引し、 次に、 洗 浄ノズルを移動 (スキャン) しつつ隙間内に洗浄液を供給して洗浄し、 吸引 .乾 燥ノズノレを移動 (スキヤン) しつつ処理に供された現像液及び洗浄液を吸引する と共に、 周囲の空気を吸引して被処理基板に付着する処理に供された現像液及び 洗浄液を除去することができる。 したがって、 被処理基板を回転させずに、 現像 液の液膜形成用隙間内に、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液の液膜を 形成した後、 (第一の) 吸引ノズルを移動 (スキャン) させて現像液を吸引し、 次 いで、 洗浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 吸引 ·乾燥ノズル を移動 (スキャン) させて現像液 {具体的には、 現像液と洗浄液の混合液 } を吸 引すると同時に、 乾燥を行うことができる。
この発明によれば、 洗浄工程において、 洗浄ノズルを往復移動しつつ洗浄液を 供給することにより、 更に洗浄効率の向上を図ることができる。
この発明によれば、 乾燥工程において、 乾燥ノズルを往復移動しつつ乾燥用流 体を噴射することにより、 更に乾燥効率の向上を図る.ことができる。
この発明によれば、 洗浄工程、 乾燥工程又は吸引 '乾燥工程において、 カップ により液膜形成用の隙間を外部から遮断すると共に、 外部と遮断された処理空間 内の処理に供された現像液及び洗浄液を外部に排出することにより、 洗浄処理又 は乾燥処理中に飛散された洗浄液やミスト等の飛散物が被処理基板に付着するの を防止することができる。
この発明によれば、 洗浄ノズルと乾燥ノズルを共通のノズル体にて形成し、 こ のノズル体に切痪手段を介して洗浄液供給源と乾燥流体供給源とを接続し、 洗浄 工程において、 切換手段により洗浄液供給源から洗浄液をノズル体に供給して洗 浄し、 乾燥工程において、 切換手段により乾燥流体供給源から乾燥流体をノズル 体に供給して乾燥することにより、 洗浄ノズルと乾燥ノズルを共通化して、 更に 構成部材の削減及び装置の小型化を図ることができる。
この発明によれば、 現像ノズルが、 少なくとも軸方向に沿う複数の供給孔を有
する管状のノズル体にて形成されているので、 被処理基板の表面に現像液を均一 に供給することができる。
この発明によれば、 洗浄ノズルが、 少なくとも被処理基板側及び平板側に開口 する軸方向に沿う複数の供給孔を有する管状のノズル体にて形成されているので、 被処理基板の表面に洗浄液を均一に供給することができる。
この発明によれば、 吸引ノズルが、 このノズルの移動方向側に開口する軸方向 に沿う吸引孔を有する管状のノズル体にて形成されているので、 処瑪に供された 現像液及び又は現像液と洗浄液の混合液を効率良く吸引することができる。
この発明によれば、 吸引 '乾燥ノズルが、 このノズルの移動方向側に開口する 軸方向に沿う液吸引孔と、 ノズルの移動方向と反対側 (移動後方側) に開口する 軸方向に沿う空気吸引孔とを具備するので、 処理に供された現像液及び又は現像 液と洗浄液の混合液を効率良く吸引すると同時に、 周囲の空気を吸引して乾燥す ることができる。
この発明によれば、 乾燥ノズルが、 少なくとも被処理基板及び平板側に開口す る軸方向に沿う噴射孔を有する管状のノズル体にて形成されているので、 被処理 基板の表面に乾爆用流体を均一に噴射 (供給) することができる。
この発明によれば、 現像ノズル、 洗浄ノズル及び乾燥ノズルを、 ステージ及び 平板の外側方に平行に配設されるガイドレールに摺動可能に装着すると共こ、 鉛 直方向に昇降可能に形成し、 現像ノズル、 洗浄ノズル又は乾燥ノズルのいずれか を、 移動手段によって移動又は昇降手段によって昇降することにより、 現像ノズ ル、 洗浄ノズル及び乾燥ノズルの移動 (スキャン) を円滑かつ確実に行うことが できる。
この発明によれば、 現像ノズル、 洗浄ノズル、 吸引ノズル及び乾燥ノズルを、 ステージ及び平板の外側方に平行に配設されるガイドレールに摺動可能に装着す ると共に、 鉛直方向に昇降可能に形成し、 現像ノズル、 洗浄ノズル、 吸引ノズル 又は乾燥ノズルのいずれかを、 移動手段によつて移動又は昇降手段によつて昇降 することにより、現像ノズル、洗浄ノズル、吸引ノズル及び乾燥ノズルの移動(ス キャン) を円滑かつ確実に行うことができる。
この発明によれば、 現像ノズル、 洗浄ノズル及ぴ吸引 '乾燥ノズルを、 ステー
ジ及ぴ平板の外側方に平行に配設されるガイドレールに摺動可能に装着すると共 に、 鉛直方向に昇降可能に形成し、 上記現像ノズル、 洗浄ノズル又は吸引■乾燥 ノズルのいずれかを、 移動手段によつて移動又は昇降手段によつて昇降する現像 ノズル、 洗浄ノズル及ぴ吸引 '乾燥ノズルの移動 (スキャン) を円滑かつ確実に 行うことができる。
上記目的を達成するために、 この発明の現像処理方法は、 被処理基板と液膜形 成用平板とを互いに平行に所定の隙間をあけて対向させる工程と、 少なくとも軸 方向に沿う複数の小孔を有する管状の現像液供給ノズルを、 上記隙間の一側端か ら他側端に向かって移動しつつ小孔から隙間内に現像液を供給することにより、 上記隙間内に現像液を充満させて上記被処理基板の表面に現像液の液膜を形成す る工程とを備える。
この発明の現像処理方法において、 上記現像液供給ノズルは、 少なくとも軸方 向に沿う複数の小孔を有する管状のものであれば、 その形態は任意でよく、 例え ば、 管状部材の軸方向に沿う一列又は複数列に複数の小孔を適宜間隔をおいて穿 設したものでもよい。 この場合、 現像液供給ノ 、ルへの現像液の供給を管状部材 .の一端側であっても差し支えないが、 両端側から供給する方が好ましい。 このよ うに管状部材の両端側から現像液を供給する場合は、 小孔が等間隔に穿設される ときは端部側から中心側に向かって小孔の開口面積を漸次増大させるようにする 方が好ましい。 また、 小孔の開口面積を同一にした場合は端部側から中心側に向 かって間隔を漸次小さくする方がよい。 また、 現像液供給ノズルを全周に多数の 小孔を有する多孔質の管状部材にて形成することも可能である。
また、 この発明の現像処理方法において、 上記現像液供給ノズルの複数個を間 隔をおいて隙間内に移動させつつ各現像液供給ノズルの小孔から現像液を供給す るようにしてもよい。
また、 上記現像液供給ノズルにおける移動方向の後方側に突設された翼片によ り、 供給された現像液の乱流を抑制するようにしてもよい。 翼片の形状は任意で よいが、 先端に向かって狭小テーパ状の形状にする方が好ましい。 なお、 翼片を 突設した現像液供給ノズルを 2個用いることも可能である。 この場合、 上記翼片 を突設する現像液供給ノズルを移動方向と交差する方向に間隔をおいて 2個並設
して、 隙間内を移動させつつ各現像液供給ノズルの小孔から現像液を供給する方 がよい。
また、 上記現像液供給ノズルを移動しつつノズルの周方向に回転させるように してもよい。 この場合、 ノズルの回転方向は任意であっても差し支えないが、 好 ましくは被処理基板側に向かって回転させる方がよい。
また、 上記液膜形成用平板に被処理基板を用いてもよい。
また、 この発明の現像処理装置は、 現像処理方法を具現化するも.ので、 被処理 基板を載置する載置台と、 上記載置台の上方に対向して配設され、 載置台に載置 された被処理基板との間に所定の隙間を形成する液膜形成用平板と、 少なくとも 軸方向に沿う複数の小孔を有する管状の現像液供給ノズルと、 上記現像液供給ノ ズルを、 上記隙間の一側端から他側端に向かって移動するノズル移動手段と、 を 具備する。
この発明の現像処理装置において、上記現像液供給ノズノレは、上述したように、 少なくとも軸方向に沿う複数の小孔を有する管状のものであれば、 その形態は任 意でよく、 例えば、 管状部材の軸方向に沿う一列又は複数列に複数の小孔を適宜 間隔をおいて穿設したものでもよい。 この場合、 現像液供給ノズルへの現像液の 供給を管状部材の一端側であっても差し支えないが、 両端側から供給する方が好 ましい。 このように管状部材の両端側から現像液を供給する場合は、 小孔が等間 隔に穿設されるときは端部側から中心側に向かって小孔の開口面積を漸次増大さ せるようにする方が好ましい。 また、 小孔の開口面積を同一にした場合は端部側 カ ら中心側に向かって間隔を漸次小さくする方がよい。 また、 現像液供給ノズル を全周に多数の小孔を有する多孔質の管状部材にて形成することも可能である。 また、 この発明の現像処理装置において、 上記現像液供給ノズルを、 互いに間 隔をおいて隙間內を移動する複数個のノズノレにて形成してもよい。
また、 現像液供給ノズルに、 該ノズノレの移動方向の後方側に突出する翼片を設 けてもよい。 この場合、 翼片の形状は任意でよいが、 好ましくは先端に向かって 狭小テーパ状の形状とする方がよい。 なお、 翼片を突設した現像液供合ノズルを 2個用いることも可能である。 この場合、 上記翼片を突設する現像液供給ノズル を移動方向と交差する方向に間隔をおいて 2個並設して、 隙間内を移動させつつ
各現像液供給ノズルの小孔から現像液を供給する方がよい。
また、上記現像液供給ノズルを、移動及び同方向に回転可能に形成してもよい。 この場合、 ノズルの回転方向は任意であっても差し支えないが、 好ましくは被処 理基板側に向かって回転させる方がよい。
また、 上記液膜形成用平板に代えて被処理基板を用いてもよい。
この発明によれば、 被処理基板と液膜形成用平板とを互いに平行に所定の隙間 をあけて対向させることにより、 被処理基板の表面に供給される現像液の液膜の 形成領域を確保することができる。 そして、 少なくとも軸方向に沿う複数の小孔 を有する管状の現像液供給ノズルを、 隙間 (液膜形成領域).の一側端から他側端 に向かって移動しつつ小孔から隙間内に現像液を供給することにより、 現像中の 現像液の動きを現像開始から終了まで、 極めて静的に保って隙間内に現像液を充 満させた状態で被処理基板の表面に現像液の液膜を形成して現像処理することが できる。 したがって、 面内を均一にして線幅等のパターン寸法を均一にすること ができる。 また、 レジストの疎水度に影響を受けずに均一に現像液の液膜を形成 することができるので、 これからも線幅等のパターン寸法の均一性の向上が図れ る。 更に、 現像液は所定の間隔に設定された薄い隙間 (液膜形成領域) の分の液. 量で済むため、 現像液の少量化を図ることができる。
この発明によれば、 現像液供給ノズルの複数個を間隔をおいて隙間内に移動さ せつつ各現像液供給ノズルの小孔から現像液を供給することにより、 各ノズルの 小孔からできる限りゆっくり現像液を供給 (吐出) しながら複数のノズルを移動 することができるので、 現像中の現像液の動きを更に静的に保って線幅等のパタ ーンの均一性の向上を図ることができる。 また、 複数のノズルを同時に移動させ るので、 現像処理速度の迅速化を図ることができる。.
この発明によれば、 現像液供給ノ ルにお.ける移動方向の後方側に突設された 翼片により、 供給された現像液の乱流を抑制することにより、 現像中の現像液の 動きを更に静的に保つことができるので、 更に線幅等のパターンの均一性の向上 を図ることができる。
この発明によれば、 翼片を突設する現像液供給ノズルを移動方向と交差する方 向に間隔をおいて 2個並設して、 隙間内を移動させつつ各現像液供給ノズルの小
孔から現像液を供給することにより、 両ノズル間に設けられた間隔から空気を逃 がして、 被処理基板側及び液膜形成用平板側の両側における現像液の動きを均等 にバランスすることができるので、 更に線幅等のパターンの均一性の向上を図る ことができる。
この発明によれば、 現像液供給ノズルを移動しつつノズルの周方向に回転させ ることにより、 現像液供給ノズルが通過する影響、 すなわちノズルが通過した直 後の現像液の空洞部による影響を抑制することができるので、 更に線幅等のバタ ーンの均一性の向上を図ることができる。
この発明によれば、 液膜形成用平板に被処理基板を用いることにより、 一工程 で 2枚の被処理基板の現像処理を同時に行うことができるので、 更に処理効率の 向上を図ることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、この発明に係る現像処理装置の第一実施形態を示す概略平面図である。 図 2は、 第一実施形態の現像処理装置の概略側面図である。
図 ·3 Αは、 この発明におけるステージの一例を示す概略平面図である。
図 3 Βは、 この発明におけるステージの一例を示す概略側面図である。
図 4は、 この発明における現像工程を示す拡大断面図である。
図 5は、 この発明における現像ノズルの一例を示す概略断面図である。
図 6は、 この発明における洗浄工程を示す拡大断面図である。
図 7は、 この発明における洗浄ノズルの一例を示す概略断面図である。
図 8は、 この発明における乾燥工程を示す拡大断面図である。
図 9は、 この発明における乾燥ノズルの一例を示す概略側面図である。
図 1 0は、 第一実施形態の現像処理工程を示すフローチヤ一トである。
図 1 1は、 この発明に係る現像処理装置の第二実施形態を示す概略平面図であ る。
図 1 2は、 第二実施形態の現像処理装置の概略側面図である。
図 1 3は、 この発明における吸引工程を示す拡大断面図である。
図 1 4は、 この発明における吸引ノズルの一例を示す概略側面図である。
図 1 5は、 第二実施形態の現像処理工程を示すフローチャートである。
図 1 6は、 この発明に係る現像処理装置の第三実施形態を示す概略平面図であ る。 . 図 1 7は、 第三実施形態の現像処理装置の概略側面図である。
図 1 8は、 第三実施形態の現像処理工程を示すフローチャートである。
図 1 9は、 この発明に係る現像処理装置の第四実施形態を示す概略平面図であ る。
図 2 0は、 第四実施形態の現像処理装置の概略断面図である。
図 2 1は、 この発明における洗浄■乾燥ノズルを示す概略側面図である。
図 2 2 Aおよび図 2 2 Bは、 第四実施形態におけるウェハの搬入工程を示す概 略断面図である。
図 2 3 Aおよび図 2 3 Bは、 第四実施形態における現像工程を示す概略断面図 である。
図 2 4は、 第四実施形態における洗浄工程を示す概略断面図である。
図 2 5は、 第四実施形態における乾燥工程を示す概略断面図である。
図 2 6は、.第四実施形態における排気停止状態を示す概略断面図である。
図 2 7は、 第四実施形態におけるノズルのホームポジションへの戻り状態を示 す概略断面図である。
図 2 8 Aおよび図 2 8 Bは、 第四実施形態におけるウェハの搬出工程を示す概 略断面図である。
図 2 9は、 第四実施形態の現像処理工程を示すフローチャートである。
図 3 0は、 この発明における吸引■乾燥ノズルによる吸引■乾燥ェ禾呈を示す拡 大断面図である。
図 3 1 Aは、 上記吸引 .乾燥ノズルの概略斜視図である。
図 3 1 Bは、 上記吸引■乾燥ノズルを備えた現像処理装置の一例を示す概略平 面図である。
図 3 2 Aから図 3 2 Cは、 その他の実施形態に従った現像処理方法を示すフロ 一チャートである。
図 3 3は、 この発明に係る現像処理装置の一例を示す概略平面図である。
図 3 4は、 上記現像処理装置の概略側面図である。
図 3 5 Aは、 この発明における載置台の別の形態を示す概略平面図である。 図 3 5 Bは、 この発明における載置台の別の形態を示す概略側面図である。 図 3 6は、 この発明の現像処理方法の第五実施形態の現像処理を示す要部拡大 断面図である。
図 3 7は、 第五実施形態の現像ノズルを示す概略断面図である。
図 3 8 Aおよぴ図 3 8 Bは、第五実施形態の現像処理を示す概略斜視図である。 図 3 9は、 第五実施形態の現像ノズルの別の形態の現像処理を示す要部拡大断 面図である。
図 4 0 Aは、 第五実施形態の現像ノズルの別の形態の現像処理を示す要部拡大 断面図である。
図 4 0 Bは、 第五実施形態の現像ノズルの別の形態の現像処理を行う現像ノズ ルの斜視図である。
図 4 1は、 この発明の現像処理方法の第六実施形態の現像処理を示す要部拡大 断面図である。
図 4.2 Aは、 この発明の現像処理方法の第七実施形態の現像処理を示す要部拡 大断面図である。
図 4 2 Bは、 この発明の現像処理方法の第七実施形態の現像処理を行う現像ノ ズルの斜視図である。
図 4 3は、 この発明の現像処理方法の第八実施形態の現像処理を示す要部拡大 断面図である。
図 4 4は、 この発明の現像処理方法の第九実施形態の現像処理を示す要部拡大 断面図である。
図 4 5は、 この発明の現像処理方法の第十実施形態の現像処理を示す要部拡大 断面図である。
図 4 6 Aから図 4 6 Dは、この発明の現像処理方法の第十一実施形態の一例と、 洗浄及び乾燥処理を示す説明図である。 .
図 4 7 Aは、 この発明における載置台及び液膜形成用平板の別の形態を示す概 略平面図である。
図 4 7 Bは、 この発明における載置台及び液膜形成用平板の別の形態を示す概 略側面図である。 発明を実施するための最良の形態
発明の実施の形態 ,
以下に、 この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。 この実施形 態では、 この発明に係る現像処理装置を半導体ウェハ (以下にウェハという) の 現像処理に適用した場合について説明する。
◎第一実施形態
図 1は、 この発明に係る現像処理装置の第一実施形態を示す概略平面図、 図 2 は、 第一実施形態の現像処理装置の概略側面図である。 図 1から図 3 Bを参照し て、 上記現像処理装置は、 被処理基板であるウェハ Wを載置し、 図 3 Bに示すバ キューム装置 Vによってウェハ Wを吸着保持する載置台であるステージ 1 0と、 このステージ 1 0の上方に配設される液膜形成用の平板 2 0とを具備している。 この場合、 ステージ 1 0は回転機構を持たない固定式に形成されている。 なお、 ステージ 1 0には、 吸引孔 1 0 aと、 後述する支持ピン 1 1を貫挿す.る貫通孔 1 O bが設けられている。 また、 ステージ 1 0に載置されたウェハ Wと、 平板 2 0 とは互いに平行に所定の隙間 3 0をあけて対向して配設されており、 この隙間 3 0によって現像液の液膜形成領域が形成される。 なお、隙間 3 0 (液膜形成領域) の寸法は現像液の種類や形成される液膜の膜厚等によって異なるが、 例えば約 2 〜 5 mm程度に設定される。
また、 ステージ 1 0には、 図示しないウェハ搬送アームとの間でウェハ Wの受 け渡しを行う 3本の支持ピン 1 1が昇降可能に設けられている。 これら支持ピン 1 1は、ステージ 1 0に設けられた貫通孔(1 0 b )を摺動可能に貫揷しており、 ステージ 1 0の下方に突出する下端部同士が支持部材 1 2に立設され、 支持部材 1 2に連結する昇降手段例えば昇降シリンダ 1 3によって各支持ピン 1 1がステ ー 1 0の載置面に出没し得るように形成されている。 また、 液膜形成用の平板 2 0は、 例えばポールねじにて構成される昇降機構 2 1.に連結されており、 この 昇降機構 2 1の駆動によってステージ 1 0に対して進退移動可能に形成されて、
隙間 3 0の間隔が調整される。
また、 現像処理装置は、 少なくとも軸方向に沿う複数の小孔 4 1を有する管状 の現像液供給用の現像ノズル 4 0を具備している。 この現像ノズル 4 0は、 ステ ージ 1 0を挟んで両側に配設された一対のガイドレール 5 0に移動自在に架設さ れると共に、 移動■昇降機構 6 0 (移動■昇降手段) に連結されて、 鉛直方向に 昇降移動可能に形成されると共に、 上記隙間 3 0 (液膜形成領域) の一側端から 他側端に向かって移動(スキャン)すべく水平方向に移動可能に形成されている。 この場合、 現像ノズル 4 0は、 図 4及び図 5に示すように、 例えば外径約 1〜 4 mms 内径約 0 . 5〜3 . 5 mmの例えばステンレスやエポキシ榭脂製の管状 部材にて形成されるノズル体 4 2の軸方向に沿って等間隔に穿設される複数の小 孔 4 1を具備しており、 ノズル体 4 2の中空部 4 2 aの両端部に供給管路 4 3を 介して現像液供給源である現像液貯留タンク 4 4が接続されている。 この供給管 路 4 3の一部は、 現像ノズル 4 0の移動範囲を許容できる長さのチューブにて形 '成されている。 また、 供給管路 4 3には現像液の流量調整可能な開閉手段例えば エアオペレーションバルブ 4 5と圧送手段例えばポンプ 4 6が介設されている。 なお、 小孔 4 1は、 ノズノレ体 4 2の端部側から中心側に向かって小孔 4 1の開口 面積が漸次増大されている。 このように小孔 4 1の開口面積を、 ノズル体 4 2の 端部側から中心側に向かって漸次増大させることにより、 両端側からノズノレ体 4 2の中空部 4 2 a内に供給される現像液を各小孔 4 1から均等に吐出 (供給) す ることができる。 なお、 小孔 4 1の開口径や間隔は、 ウェハ Wのサイズや現像液 の種類等によって適宜設定される。
ここでは、 複数の小孔 4 1を等間隔に設けて、 小孔 4 1の開口面積を、 ノズノレ 体 4 2の端部側から中心側に向かって漸次増大させる場合について説明したが、 各小孔 4 1の開口面積を同一にして、 ノズル体 4 2の端部側から中心側に向かつ て間隔を漸次小さくするようにしてもよい。 また、 小孔 4 1をノズル体 4 2の複 数列、 例えばノズル体 4 2の下端側と上端側の 2列に同様に設けてもよく、 ある いは、 任意の複数列に同様に設けてもよい。 また、 全周に多数の小孔を有する多 孔質の管状部材にて現像ノズル 4 0を形成してもよい。
また、 上記ガイドレール 5 0には、 現像ノズル 4 0の他に、 それぞれ現像ノズ
ル 4 0と同様に管状に形成される、 洗浄ノズル 7 0 (以下にリンスノズル 7 0と いう) と、 乾燥ノズル 8 0が、 昇降及ぴ摺動可能に装着されている。
この場合、 リンスノズル 7 0は、 図 6及び図 7に示すように、 現像ノズル 4 0 と同様の長さ、 内径及び外径を有する管状部材にて形成されるノズル体 7 1を具 備し、 ノズル体 7 1における少なくともウェハ W側及び平板 2 0側に開口する軸 方向に沿う複数の供給孔 7 2が設けられている。 ノズル体 7 1の中空部 7 1 aの 両端部に供給管路 7 3を介して洗浄液であるリンス液例えば純水の供給源 7 4が 接続されている。 この供給管路 7 3の一部は、 リンスノズル 7 0の移動範囲を許 容できる長さのチューブにて形成されている。 また、 供給管路 7 3には開閉弁 7 5が介設されている。 なお、 供給孔 7 2は、 現像ノズル 4 0と同様に、 ノズル体 7 1の端部側から中心側に向かって供給孔 7 2の開口面積が漸次増大されている。 このように供給孔 7 2の開口面積を、 ノズル体 7 1の端部側から中心側に向かつ て漸次増大させることにより、 両端側からノズル体 7 1の中空部 7 1 a内に供給 される純水を各供給孔 7 2から均等に吐出 (供給) することができる。
一方、 乾燥ノズル 8 0は、 図 8及び図 9に示すように、 現像ノズル 4 0及びリ
• ンスノズル 7 0と同様の長さ、 内径及び外径を有する管状部材にて形成されるノ ズル体 8 1を具備し、 リンスノズル 7 0と同様に、 ノズル体 8 1における少なく ともウェハ W側及び平板 2 0側に開口する軸方向に沿う複数の供給孔 8 2が設け られている。 ノズル体 8 1の中空部 8 1 aの両端部に供給管路 8 3を介して乾燥 用流体例えば空気の供給源 8 4が接続されている。 この供給管路 8 3の一部は、 乾燥ノズル 8 0の移動範囲を許容できる長さのチューブにて形成されている。 ま た、 供給管路 8 3には開閉弁 8 5が介設されている。 なお、 噴射孔 8 2は、 現像 ノズル 4 0及びリンスノズル 7 0と同様に、 ノズル体 8 1の端部側から中心側に 向かって噴射孔 8 2の開口面積が漸次増大される方が望ましい。 その理由は、 両 端側からノズル体 8 1の中空部 8 1 a内に供給される空気を各噴射孔 8 2から均 等に噴射 (供給) することができるからである。
上記リンスノズル 7 0及び乾燥ノズル 8◦も、 現像ノズル 4 0と同様に、 上記 移動 ·昇降機構 6 0に連結されて、鉛直方向に昇降移動可能に形成されると共に、 上記隙間 3 0の一側端から他側端に向かって移動 (スキャン) すべく水平方向に
移動可能に形成されている。 なお、 上記ノズノレ 4 0, 7 0, 8 0の待機位置 (ホ ームポジション) には、 ノズル洗浄バス 1 0 0が配設されている。
次に、 第一実施形態の現像処理方法について、 図 1, 図 2, 図 6及び図 8と図 1 0のフローチャートを参照して説明する。
まず、 図示しないウェハ搬送アームがウェハ Wを保持して現像処理装置内に進 入すると、 支持ピン 1 1が上昇してウェハ Wを受け取る。 ウェハ Wを受け渡した ウェハ搬送アームは現像処理装置内から後退する。 ウェハ Wを受け取った支持ピ ン 1 1が下降してウ^ハ Wがステージ 1 0に载置されると、 バキューム装置 Vの 駆動によってウェハ Wが吸着保持される。 その後、 昇降機構 2 1によって液膜形 成用の平板 2 0を鉛直方向に移動 (昇降) して、 ステージ 1 0に载置されるゥェ ハ Wの表面に形成 (液盛り) される現像液の液膜の膜厚に対応した間隔となるよ うに調節して隙間 3 0 (液膜形成領域) を設定する。
ウェハ Wがステージ 1 0上に載置されて固定された状態で、図 4に示すように、 現像ノズル 4 0を、 隙間 3 0 (液膜形成領域) の一側端から他側端に向かって移 動 (スキャン) しつつ小孔 4 1から隙間 3 0 (液膜形成領域) 内に現像液 Dを吐 出 (供給) すると、 現像液 Dが隙間 3 0 (液膜形成領域) 内に充満されてウェハ : Wの表面に現像液 Dの液膜が形成される (現像工程)。 .この際、現像ノズル 4 0の 移動速度を、 例えば 5 0〜1 5 O mm/ s e cとし、 現像液の吐出量 (供給量) を、 例えば 5〜 5 O m 1 / s e cとする。
これにより、 現像中の現像液 Dの動きを現像開始から終了まで、 極めて静的に 保って隙間 3 0 (液膜形成領域) 内に現像液 Dを充満させた状態でウェハ Wの表 面に現像液 Dの液膜を形成することができる。 したがって、 レジスト Rの疎水度 に影響を受けずに現像液 Dの液膜を均一に形成することができる。 また、 狭い隙 間 3 0 (液膜形成領域) の分の現像液で済むため、 現像液の消費量を低減するこ とができる。
図 6に示すように、 現像ノズル 4 0が隙間 3 0内を移動 (スキャン) してから 所定時間をおいて、 リンスノズノレ 7 0が隙間 3 0の一側端から他側端 (こ向かって 移動 (スキャン) しつつ供給孔 7 2からウェハ W側及び平板 2 0側に向かって純 水 D I Wを吐出 (供給) して、 現像液とレジストの溶解反応を停止すると共に、
ウェハ W及び平板 2 0に付着する処理済みの現像液 Dを純水に置換して洗浄する (洗浄工程)。 この洗浄工程において、 リンスノズル 7 0を往復移動しつつ供給孔 7 2から純水を吐出 (供給) してもよい。 このように、 リンスノズル 7 0を往復 移動しつつ洗浄処理を行うことにより、 純水 D I Wの使用量を少なくでき、 更に 洗浄効率の向上が図れる。 また、 ここでは、 図示しないが、 後述するように、 洗 浄工程において、 ステージ 1 0の外側及び下部側を包囲するカップ (図示せず) を上昇させて天板 2 0に当接させて隙間 3 0を'外部と遮断した状態、で、 カップの 下部の排出口から排気しながらリンスノズル 7 0を移動 (スキャン). させて、 洗 浄を行うようにする方が好ましい。 また、 現像液の置換に応じて隙間 3 0の距離 を変えてもよい。
次に、 リンスノズル 7 0が隙間 3 0内を移動 (スキャン) した後、 図 8に示す ように、 乾燥ノズル 8 0が隙間 3 0の一側端から他側端に向かって移動 (スキヤ ン) しつつ噴射孔 8 2からウェハ W側及び平板 2 0側に向かって乾燥用の空気 A を噴射 (供給) して、 ウェハ W及び平板 2 0に付着する処理済みの現像液 D及び 純水 D I Wを吹き飛ばして乾燥する (乾燥工程)。 このように空間が規制された隙 間 3 0に空気 Aを流すので、 効率的な乾燥ができる。 この乾燥工程において、 乾 燥ノズル 8 0を往復移動しつつ噴射孔 8 2から空気 A r噴射 (供給)してもよい。 このように、 乾燥ノズル 8 0を往復移動しつつ乾燥処理を行うことにより、.更に 乾燥効率の向上が図れる。 また、 後述するように、 乾燥工程において、 ステージ 1 0の外側及び下部側を包囲するカップ (図示せず) を上昇させて天板 2 0に当 接させて隙間 3 0を外部と遮断した状態で、 カップの下部の排出口から排気しな がら乾燥ノズル 8 0を移動 (スキャン) させて、 乾燥を行うようにする方が、 ミ ストの飛散防止が図れる点で好ましい。 また、 現像液の置換に応じて隙間 3 0の 距離を変えてもよい。
以上のようにして、 ウェハ Wの現像、 洗浄 (リンス) 及ぴ乾燥を行った後、 現 像ノズル 4 0、 リンスノズル 7 0及び乾燥ノズル 8 0はホームポジションに戻つ て、 次の処理まで待機する。 その後、 ステージ 1 0の吸着状態を解除レ、 支持ピ ン 1 1を上昇させて、 隙間 3 0內に進入するウェハ搬送アーム (図示せず) にゥ ェハ Wを受け渡してウェハ Wを搬出する。 以下、 上記と同様の操作を繰り返して
ウェハ wの現像、 洗浄 (リンス) 及び乾燥を行う。
第一実施形態の処理方法によれば、 ウェハ Wを回転させずに、 隙間 3 0内の一 側端から他側端に向かって現像ノズノレ 4 0を移動 (スキャン) しつつ小孔 4 1か ら現像液を吐出 (供給) して現像液 Dの液膜を形成し、 次いで、 隙間 3 0内に同 様にリンスノズル 7 0を移動 (スキャン) しつつ供給孔 7 2から純水を吐出 (供 給) して現像の停止及び洗浄を行った後、 隙間 3 0内に同様に乾燥ノズノレ 8 0を 移動 (スキャン) しつつ噴射孔 8 2からウェハ W及び平板 2 0側に向かって乾燥 流体である空気を噴射 (供給) して乾燥を行うことができる。 したがって、 必要 最小限の薄い隙間 3 0の分の現像液、 純水及び空気の供給で済むため、 現像液の 消費量の低減が図れると共に、 純水及び空気の消費量の低減が図れ、 かつ、 現像 液の液膜を均一に形成することができると共に、 線幅等のパターン寸法の均一性 の向上を図ることができ、 洗浄効率及ぴ乾燥効率の向上を図ることができる。
◎第二実施形態
図 1 1は、 この発明に係る現像処理装置の第二実施形態を示す概略平面図、 図 1 2は、 第二実施形態の現像処理装置の概略側面図である。
第二実施形態は、 第一実施形態の現像処理に現像液及び ¾浄液の吸引工程を更 . に付加して、 更に乾燥効率の向上を図れるようにした捧合である。 すなわち、 現 像処理装置は、 第一実施形態と同様に、 現像ノズル 4 0、 リンスノズル 7 0及び 乾燥ノズル 8 0を具備する他に、 吸引ノス 'ノレ 9 0を具備している。
吸引ノズル 9 0は、 図 1 3及び図 1 4に示すように、 現像ノズル 4 0、 リンス ノズル 7 0及ぴ乾燥ノズル 8 0.と同様の長さ、 内径及ぴ外径を有する管状部材に て形成されるノズル体 9 1を具備し、 ノズル体 9 1における移動 (スキャン) 方 向側に開口する軸方向に沿うスリ ッ ト状の吸引孔 9 2が設けられている。 ノズノレ 体 9 1の中空部 9 1 aの両端部に吸引管路 9 3を介して吸引手段例えば真空ボン プ装置 9 4が接続されている。 この吸引管路 9 3の一部は、 吸引ノズノレ 9 0の移 動範囲を許容できる長さのチューブにて形成されている。 また、 吸引管路 9 3に は開閉弁 9 5が介設されている。
上記吸引ノズル 9 0も、 現像ノズル 4 0、 リンスノズル 7 0及ぴ乾燥ノズル 8 0と同様に、 上記移動 '昇降機構 6 0に連結されて、 鉛直方向に昇降移動可能に
形成されると共に、上記隙間 3 0の一側端から他側端に向かって移動
すべく水平方向に移動可能に形成されている。
なお、第二実施形態において、その他の部分は第一実施形態と同じであるので、 同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、 第二実施形態の現像処理方法について、 図 4, 図 6, 図 8及び図 1 3と 図 1 5のフローチャートを参照して説明する。
第一実施形態と同様に、 ウェハ Wをステージ 1 0に載置し、 ウェハ Wと液膜形 成用平板 2 0とで隙間 3 0 (液膜形成領域) を設定する。 この状態で、 図 4に示 すように、 現像ノズル 4 0を、 隙間 3 0の一側端から他側端に向かって移動 (ス キャン) しつつ小孔 4 1から隙間 3 0内に現像液 Dを吐出してウェハ Wの表面に 現像液 Dの液膜を形成する (現像工程)。 次いで、 リンスノズル 7 0を隙間 3 0の 一側端から他側端に向かって移動 (スキャン) しつつ供給孔 7 2から純水 D I W を吐出 (供給) して、 現像液とレジストの溶解反応を停止すると共に、 ウェハ W 友び平板 2 0に付着する処理済みの現像液 Dを純水に置換して洗浄する (洗浄ェ 程)。
次に、 リンスノズル 7 0が隙間 3 0 ^1を移動 (スキャン) してから所定時間が 経過した後、 図 1 3に示すように、 吸引ノズル 9 0が隙間 3 0の一側端から他側 端に向かって移動 (スキャン) しつつ真空ポンプ装置 9 4の駆動により吸引ノズ ル 9 0のノズル体 9 1の中空部 9 1 a内が例えば 7 0 0 ~ 4 0 0 T o r rの負圧 状態となり、 吸引孔 9 2から処理に供された現像液 D及び純水 D I Wが吸引され る (吸引工程)。 この吸引工程においても、 ステージ 1 0の外側及び下部側を包囲 するカップ (図示せず) を上昇させて天板 2 0に当接させて隙間 3 0を外部と遮 断した状態で、力ップの下部の排出口から排気しながら吸引ノズル 9 0.を移動(ス キャン)させて、現像液 D及び純水 D I Wの吸引を行うようにする方が好ましい。 吸引ノズル 9 0が移動 (スキャン) して現像液 D及び純水 D I Wの吸引が行わ れた後、 図 8に示すように、 乾燥ノズル 8 0が隙間 3 0の一側端から他側端に向 かって移動 (スキャン) しつつ噴射孔 8 2からウェハ W側及び平板 2 0側に向か つて乾燥用の空気 Aを噴射 (供給) して、 ウェハ W及び平板 2 0に付着する処理 済みの現像液 D及び純水 D I Wを吹き飛ばして乾燥する (乾燥工程)。 この乾燥ェ
程において、 乾燥ノズノレ 8 0を往復移動しつつ噴射孔 8 2から空気 Aを噴射 (供 給) してもよい。 このように、 乾燥ノズル 8 0を往復移動しつつ乾燥処理を行う ことにより、 更に乾燥効率の向上が図れる。 また、 乾燥工程においても、 後述す るように、 ステージ 1 0の外側及び下部側を包囲するカップ (図示せず) を上昇 させて天板 2 0に当接させて隙間 3 0を外部と遮断した状態で、 カップの下部の 排出口から排気しながら乾燥ノズル 8 0を移動 (スキャン) させて、 乾燥を行う ようにする方が、 ミストの飛散防止が図れる点で好ましい。
以上のようにして、ウェハ Wの現像、洗诤(リンス)、吸引及び乾燥を行った後、 現像ノズル 4 0、 リンスノズル 7 0、 吸引ノズル 9 0及び乾燥ノズル 8 0はホー ムポジションに戻って、 次の処理まで待機する。 その後、 ステージ 1 0の吸着状 態を解除し、 支持ピン 1 1を上昇させて、 隙間 3 0内に進入するウェハ搬送ァー ム (図示せず) にウェハ Wを受け渡してウェハ Wを搬出する。 以下、 上記と同様 の操作を繰り返してウェハ Wの現像、 洗浄 (リンス)、 吸引及び乾燥を行う。 第二実施形態の処理方法によれば、 ウェハ Wを回転させずに、 隙間 3 0内の一 側端から他側端に向かって現像ノズル 4 0を移動 (スキャン) しつつ小孔 4 1か ら現像液を吐出 (供給) して現像液 Dの液膜を形成し、 次いで、 隙間 3 0内に同 様にリンスノズル 7 0を移動 (スキャン) しつつ供給 ¾ 7 2から純水を吐出 (供 給) して現像の停止及び洗浄を行い、 次いで、 隙間 3 0内に同様に吸引ノズノレ 9 0を移動 (スキャン) しつつ吸引孔 9 2から処理済みの現像液及ぴ純水を吸引し た後、 隙間 3 0内に同様に乾燥ノズル 8 0を移動 (スキャン) しつつ噴射孔 8 2 からウェハ W及び平板 2 0側に向かって乾燥流体である空気を噴射 (供給) して 乾燥を行うことができる。 したがって、 第一実施形態の処理方法に比べて更に乾 燥効率の向上を図ることができる。
◎第三実施形態
図 1 6は、 この発明に係る現像処理装置の第三実施形態を示す概略平面図、 図 1 7は、 第三実施形態の現像処理装置の概略側面図である。
第三実施形態は、 第一実施形態の現像処理 現像液の吸引工程 (第一の吸引ェ 程) と洗浄液の吸引工程 (第二の吸引工程) を更に付加して、 更に乾燥効率の向 上を図れるようにした場合である。 すなわち、 現像処理装置は、 第一実施形態と
同様に、現像ノズル 4 0、リンスノズル 7 0及び乾燥ノズル 8 0を具備する他に、 第一の吸引ノズル 9 6と第二の吸引ノズル 9 7を具備している。
第一及び第二の吸引ノズル 9 6, 9 7は、 吸引ノズル 9 0と同様の構造を有し ている。 すなわち、 図 1 3及び図 1 4に示すように、 現像ノズル 4 0、 リンスノ ズル 7 0及び乾燥ノズル 8 0と同様の長さ、 内径及ぴ外径を有する管状部材にて 形成されるノズル体 9 1を具備し、 ノズル体 9 1における移動 (スキャン) 方向 側に開口する軸方向に沿うスリット状の吸引孔 9 2が設けられている。 ノズル体 9 1の中空部 9 1 aの両端部に吸引管路 9 3を介して吸引手段例えば真空ポンプ 装置 9 4が接続されている。 この吸引管路 9 3の一部は、 第一及び第二の吸引ノ ズル 9 6 , 9 7の移動範囲を許容できる長さのチューブにて形成されている。 ま た、 吸引管路 9 3には開閉弁 9 5が介設されている。
上記第一及び第二の吸引ノズノレ 9 6, 9 7も、 現像ノズル 4 0、 リンスノズル 7 0、 乾燥ノズル 8 0及び吸引ノズル 9 0と同様に、 上記移動■昇降機構 6 0に 連結されて、 鉛直方向に昇降移動可能に形成されると共に、 上記隙間 3 0の一側 端から他側端に向かって移動 (スキャン) すべく水平方向に移動可能に形成され ている。
なお、 第三実施形態において、 その他の部分は第一、 第二実施形態と同じであ るので、 同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、 第三実施形態の現像処理方法について、 図 4 , 図 6, 図 8及び図 1 3と 図 1 8のフローチャートを参照して説明する。
第一実施形態と同様に、 ウェハ Wをステージ 1 0に載置し、 ウェハ Wと液膜形 成用平板 2 0とで隙間 3 0 (液膜形成領域) を設定する。 この状態で、 図 4に示 すように、 現像ノズル 4 0を、 隙間 3 0の一側端から他側端に向かって移動 (ス キャン) しつつ小孔 4 1から隙間 3 0内に現像液 Dを吐出してウェハ Wの表面に 現像液 Dの液膜を形成する (現像工程)。 '
現像ノズル 4 0が隙間 3 0内を移動 (スキャン) してから所定時間をおいて、 第一の吸引ノズル 9 6が隙間 3 0内を移動 (スキャン) しつつ真空ポンプ装置 9 4の駆動により第一の吸引ノズル 9 6のノズル体 9 1の中空部 9 1 a内が負圧状 態となり、 吸引孔 9 2から現像液 Dを吸引する (第一の吸引工程)。
第一の吸引ノズル 9 6が隙間 3 0内を移動 (スキャン) してから所定時間をお いて、 図 6に示すように、 リンスノズル 7 0が隙間 3 0の一側端から他側端に向 かって移動 (スキャン) しつつ供給孔 7 2からウェハ W側及び平板 2 0側に向か つて純水 D I Wを吐出 (供給) して、 ウェハ W及ぴ平板 2 0に付着する処理済み の現像液 Dを純水に置換して洗浄する (洗浄工程)。 この洗浄工程において、純水 D I Wの ¾用量の低減と洗浄効率の向上を図るためにリンスノズル 7◦を往復移 動しつつ供給孔 7 2から純水を吐出 (供給) してもよい。 また、 ここでは、 図示 しないが、 後述するように、 洗浄工程において、 ステージ 1 0の外側及び下部側 を包囲するカップ (図示せず) を上昇させて天板 2 0に当接させて隙間 3 0を外 部と遮断した状態で、 カップの下部の排出口から排気しながらリンスノズノレ 7 0 を移動 (スキャン) させて、 洗浄を行うようにする方が好ましい。
次に、 リンスノズル 7 0が隙間 3 0内を移動 (スキャン) した後、 第二の吸引 ノズル 9 7が隙間 3 0の一側端から他側端に向かって移動 (スキャン) しつつ真 空ポンプ装置 9 4の駆動により吸引ノズル 9 0のノズル体 9 1の中空部 9 1 a内 が負圧状態となり、 吸引孔 9 2から処理に供された純水 D I W {具体的には、 現 像液 Dと純水 D I Wの混合液 が吸引される (第二の吸引工程)。 この第二の吸引 工程においても、 ステージ 1 0の外側及び下部側を包囲するカップ (図示せず) を上昇させて天板 2 0に当接させて隙間 3 0を外部と遮断した状態で、 カップの 下部の排出口から排気しながら吸引ノズル 9 0を移動 (スキャン) させて、 現像 液 D及び純水 D I Wの吸引を行うようにする方が好ましい。
第二の吸引ノズル 9 7が移動(スキャン)して純水 D I Wの吸引が行われた後、 図 8に示すように、 乾燥ノズル 8 0が隙間 3 0の一側端から他側端に向かって移 動 (スキャン) しつつ噴射孔 8 2からウェハ W側及び平板 2 0側に向かって乾燥 用の空気 Aを噴射 (供給) して、 ウェハ W及び平板 2 0に付着する処理済みの現 ί象液 D及び純水 D I Wを吹き飛ばして乾燥する (乾燥工程)。 この乾燥工程におい て、 乾燥ノズル 8 0を往復移動しつつ噴射孔 8 2から空気 Αを噴射 (供給) して もよい。 このように、 乾燥ノズル 8 0を往復移動しつつ乾燥処理を行うことによ り、更に乾燥効率の向上が図れる。また、乾燥工程においても、後述するように、 ステージ 1 0の外側及び下部側を包囲するカップ (図示せず) を上昇させて天板
2 0に当接させて隙間 3 0を外部と遮断した状態で、 カップの下部の排出口から 排気しながら乾燥ノズル 8 0を移動 (スキャン) させて、 乾燥を行うようにする 方が、 ミストの飛散防止が図れる点で好ましい。
以上のようにして、 ウェハ Wの現像、 現像液の吸引、 洗浄(リンス)、 洗浄液の 吸引及び乾燥を行った後、 現像ノズル 4 0、 リンスノズル 7 0.、 第一及び第二の 吸引ノズ^ / 9 6, 9 7及ぴ乾燥ノズル 8 0はホームポジションに戻って、 次の処 理まで待機する。 その後、 ステージ 1 0の吸着状態を解除し、 支持ピン 1 1を上 昇させて、 隙間 3 0内に進入するウェハ搬送アーム (図示せず) にウェハ Wを受 け渡してウェハ Wを搬出する。 以下、 上記と同様の操作を操り返してウェハ Wの 現像、 洗浄 (リンス)、 吸引及び乾燥を行う。
第三実施形態の処理方法によれば、 ウェハ Wを回転させずに、 隙間 3 0内の一 側端から他側端に向かって現像ノズル 4 0を移動 (スキャン) しつつ小孔 4 1か ら現像液を吐出 (供給) して現像液 Dの液膜を形成し、 次いで、 隙間 3 0内に第 一の吸引ノズル 9 6を移動 (スキャン) しつつ現像液を吸引した後、 隙間 3 0内 に同様にリンスノズル 7 0を移動 (スキャン) しつつ供給孔 7 2から純水を吐出 (供給) して洗浄を行い、次いで、隙間 3 0内に第二の吸引ノズル 9 7を移動 (ス キャン) しつつ洗浄液を吸引した後、 隙間 3 0内に同镌に乾燥ノズル 8 0を移動 (スキャン) しつつ噴射孔 8 2からウェハ W及び平板 2 0側に向かって乾燥流体 である空気を噴射 (供給) して乾燥を行うことができる。 したがって、 第一、 第 二実施形態の処理方法に比べて更に乾燥効率の向上を図ることができると共に、 乾燥効率の向上を図ることができる。
◎第四実施形態
図 1 9は、 この発明に係る現像処理装置の第四実施形態を示す概略平面図、 図 2 0は、 第四実施形態の現像処理装置の概略側面図である。
.第四実施形態の現像処理装置は、 第一ないし第三実施形態と同様に、 ウェハ W を載置し、 バキューム装置 V (図 3 B ) によってウェハ Wを吸着保持するステー ジ 1 0と、このステージ 1 0の上方に配設されて、ウェハ Wとの間に隙間 3 0 (液 膜形成領域) を形成するステージ 1 0より大面積の平板 2 0とを具備し、 更にス テージ 1 0の外側及び下部を包囲すると共に、 平板 2 0に接離する昇降可能なシ
ャッタ部であるカップ 2 0 0を具備している。 この場合、 カップ 2 0 0は、 カツ プ昇降手段 3 0 0によって鉛直方向に昇降され、 上昇状態において平板 2 0の下 面に当接して、 隙間 3 0を外部から遮断するシャツタのように構成されている。 また、 カップ 2 0 0の下部にか排出口 2 0 1が設けられており、 この排出口 2 0 1に、図示しない気液分離装置を介して排気装置(図示せず)が接続されている。 また、 第四実施形態の現像処理装置は、 少なくとも軸方向に沿う複数の小孔 4 1を有する管状の現像液供給用の現像ノズル 4 0と、 洗浄と乾燥を兼用する洗 浄 '乾燥ノズル 4 0 0とを具備している。 なお、 吸引ノズル 9 0を更に具備して あよい。
現像ノズル 4 0は、 第一実施形態で説明した構造と同じであるので、 ここでは 説明は省略する。 現像ノズル 4 0は、 ステージ 1 0及びカップ 2 0 0を挟んで両 側に配設された一対のガイドレール 5 0 aに移動自在に架設されると共に、 移 動■昇降機構 6 O Aに連結されて、鉛直方向に昇降移動可能に形成されると共に、 上記隙間 3 0 (液膜形成領域) の一側端から他側端に向かって移動 (スキャン) すべく水平方向に移動可能に形成されている。
洗浄■乾燥ノズル 4 Q 0は、 図 2 1に示すように、 現像ノズル 4 0と同様の長 'さ、 内径及び外径を有する管状部材にて形成されるノズル体 4 0 1を具備し、 ノ ズル体 4 0 1における少なくともウェハ W側及び平板 2 0側に開口する軸方向に 沿う複数の小孔 4 0 2が設けられている。 なお、 小孔 4 0 2は、 現像ノズル 4 0 と同様に、 ノズル体 4 0 1の端部側から中心側に向かって小孔 4 0 2の開口面積 が漸次増大されている。 このように小孔 4 0 2の開口面積を、 ノズノレ体 4 0 1の 端部側から中心側に向かって漸次増大させることにより、 両端側からノズル体 4 0 1の中空部 4 0 1 a内に供給される純水又は空気を各小孔 4 0 2から均等に吐 出 (供給) することができる。 '
ノズル体 4 0 1の中空部 4 0 1 aの両端部には主供給管路 4 0 3が接続されて おり、 主供給管路 4 0 3は、 切換手段である 3ポート 3位置切換弁 5 0 0 (以下 に切換弁 5 0 0という) の二次側 (下流側) の第 1ポート 5 0 0 aに揆続されて いる。 また、 切換弁 5 0 0の一次側 (上流側) の第 2ポート 5 0 0 bには洗浄液 供給管路 4 0 4を介して洗浄液であるリンス液例えば純水の供給源 7 4が接続さ
れており、 切換弁 5 0 0の一次側 (上流側) の第 3ポート 5 0 0 cには乾燥流体 供給管路 4 0 5を介して乾燥用流体である空気の供給源 8 4が接続されている。 このように構成することにより、 切換弁 5 0 0の切換操作によって洗浄 ·乾燥ノ ズル 4 0 0のノズル体 4 0 1に洗浄 (リンス) 用の純水又は乾燥用の空気が選択 的に供給することができる。 なお、 主供給管路 4 0 3の一部は、 洗浄■乾燥ノズ ル 4 0 0の移動範囲を許容できる長さのチューブにて形成されている。
上記洗浄 '乾燥ノズル 4 0 0は、 カップ 2 0'0内に位置し、 ステージ 1 0を挟 んで両側に配設された一対のガイドレール 5 0 bに移動自在に架設されると共に、 移動手段と昇降手段を兼用する移動 ·昇降機構 6 0 Bに連結されて、 鉛直方向に 昇降移動可能に形成されると共に、 上記隙間 3 0 (液膜形成領域) の一側端から 他側端に向かって移動(スキャン)すべく水平方向に移動可能に形成されている。 なお、 吸引ノズル 9 0は、 ステージ 1 0及び力ップ 2 0 0を挟んで両側に配設 された一対のガイドレール 5 0 cに移動自在に架設されると共に、 移動■昇降機 構 6 0 Cに連結されて、 鉛直方向に昇降移動可能に形成されると共に、 上記隙間 3 0 (液膜形成領域) の一側端から他側端に向かって移動 (スキャン) すべく水 平方向に移動可能.に形成されている。
なお、第四実施形態において、その他の部分は第一実 ^形態と同じであるので、 同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、 第四実施形態の現像処理方法の一例 ついて、 図 1 9〜図 2 8 Bと図 2 9のフローチャートを参照して説明する。
まず、 図示しないウェハ搬送アームがウェハ Wを保持して現像処理装置内に進 入すると、支持ピン 1 1が上昇してウェハ Wを受け取る (図 2 2 A参照)。 ウェハ Wを受け渡したウェハ搬送アームは現像処理装置内から後退する。 ウェハ Wを受 け取った支持ピン 1 1が下降してウェハ Wがステージ 1 0に載置されると、 バキ ユーム装置 V (図 3 B ) の駆動によってウェハ Wが吸着保持される。 その後、 昇 降機構(図示せず)によって液膜形成用平板 2 0を鉛直方向に移動(昇降) して、 ステージ 1 0に载置されるウェハ Wの表面に形成 (液盛り) される現像液の液膜 の膜厚に対応した間隔となるように調節して隙間 3 0 (液膜形成領域) を設定す る (図 2 2 B参照) (ウェハ搬入工程)。
ウェハ Wがステージ 1 0上に載置されて固定された状態で、 図 2 3 A、 図 2 3 Bに示すように、 現像ノズ 0を上昇させた後、 隙間 3 0 (液膜形成領域) の —側端から他側端に向かって移動 (スキャン) しつつ小孔 4 1から隙間 3 0 (液 膜形成領域) 内に現像液 Dを吐出 (供給) すると、 現像液 Dが隙間 3 0 (液膜形 成領域) 内に充満されてウェハ Wの表面に現像液 Dの液膜が形成される {現像ェ 程 }。 これにより、現像中の現像液 Dの動きを現像開始から終了まで、極めて静的 に保って隙間 3 0 (液膜形成領域) 内に現像液 Dを充満させた状態でウェハ Wの' 表面に現像液 Dの液膜を形成することができるので、 レジスト Rの疎水度に影響 を受けずに現像液 Dの液膜を均一に形成することができる。 また、 薄い隙間 3 0 (液膜形成領域) の分の現像液で済むため、 現像液の消費量を低減することがで さる。
現像ノズル 4 0が隙間 3 0内を移動 (スキャン) して隙間 3 0内に現像液 Dを 充満させて液膜を形成した後、 カップ昇降手段 3 0 0の駆動によりカップ 2 0 0 が平板 2 0の下面に当接されて隙間 3◦を外部と遮断して、 処理空間 6 0 0を形 成する。 この状態で、切換弁 5 0 0の切換操作によって純水供給源 7 4側に切り 換えて、 図 2 4に示すように、 洗浄' .乾燥ノズル 4 0 0が隙間 3 0の一側端から 他側端に向かって移動 (スキャン) しつつ小孔 4 0 2からウェハ W側及ぴ平板 2 0側に向かって純水 D I Wを吐出 (供給) して、 現像を停止すると共に、 ウェハ W及び平板 2 0に付着する処理済みの現像液 Dを純水に置換して洗浄する {洗浄 工程 }。 この際、排気装置 (図示せず) の駆動によって処理空間 6 0◦内を排気す る。 この洗浄工程において、 洗浄 '乾燥ノズル 4 0 0を往復移動しつつ小孔 4 0 2から純水を吐出 (供給) してもよい。 このように、 洗浄'乾燥ノズル 4 0 0を 往復移動しつつ洗浄処理を行うことにより、 純水 D I Wの使用量の低減が図れ、 更に洗浄効率の向上が図れる。 ■
次に、 洗浄'乾燥ノズル 4 0 0が隙間 3 0内を移動 (スキャン) して洗浄を行 つた後、 切換弁 5 0 0の切換操作によって空気供給源 8 4側に切り換えて、 図 2 5に示すように、 洗浄 ·乾燥ノズル 4 0 0が隙間 3 0の一側端から他側端に向か つて移動 (スキャン) しつつ小孔 4 0 2からウェハ W側及び平板 2 0側に向かつ て空気 Αを噴射 (供給) して、 ウェハ W及び平板 2 0に付着する処理済みの現像
液及び純水を吹き飛ばして乾燥する {乾燥工程 }。 この乾燥工程においても、排気 装置 (図示せず) の駆動によって処理空間 6 0 0内が排気される。 また、 乾燥ェ 程において、 洗浄■乾燥ノズル 4 0 0を往復移動しつつ小孔 4 0 2から空気を噴 射 (供給) してもよい。 このように、 洗浄'乾燥ノズル 4 0 0を往復移動しつつ 乾燥処理を行うことにより、 更に乾燥効率の向上が図れる。
乾燥処理を行った後、 排気装置 (図示せず) の駆動が停止し、 排気が停止され る (図 2 6参照)。 これと同時に、 カップ昇降手段 3 0 0が駆動し カップ 2 0 0 が下降する。
次に、現像ノズル 4 0及び洗浄'乾燥ノズル 4 0 0がホームポジションに戻り、 次の処理まで待機する (図 2 7参照)。
その後、図 2 8 A、図 2 8 Bに示すように、ステージ 1 0の吸着状態を解除し、 支持ピン 1 1を上昇させて、隙間 3 0内に進入するウェハ搬送アーム(図示せず) にウェハ Wを受け渡してウェハ Wを搬出する {ウェハ搬出工程 }。
以下、 上記と同様の操作を繰り返してウェハ Wの現像、 洗浄 (リンス) 及び乾 燥を行う。
第四実施形態の処理方法によれば、 ウェハ Wを回転させずに、 隙間 3 0内の一 側端から他側端に向かって現像ノズル 4 0を移動 (スキャン) しつつ小孔 4 1か ら現像液を吐出 (供給) して現像液 Dの液膜を形成した後、 カップ 2 0 0を上昇 させて隙間 3 0を外部から遮断し、 排出口 2 0 1から排気した状態で、 隙間 3 0 内に同様に洗浄 '乾燥ノズル 4 0 0を移動 (スキャン) しつつ小孔 4 0 2から純 水を吐出 (供給) して洗浄を行い、 次いで、 隙間 3 0内に同様に洗浄,乾燥ノズ ル 4 0 0を移動 (スキャン) しつつ小孔 4 0 2からウェハ W及ぴ平板 2 0側に向 かって乾燥流体である空気を噴射 (供給) して乾燥を行うことができる。 したが つて、 第一〜第三実施形態の処理方法と同様に、 必要最小限の狭い隙間 3 0の分 の現像液、 純水及び空気の供給で済むため、 現像液、 純水及ぴ空気の'消費量を低 減することができる。また、現像液の液膜を均一に形成することができると共に、 線幅等のパターン寸法の均一性の向上を図ることができる上、 現像処理後の被処 理基板の洗浄及び乾燥を均一に行うことができる。 また、 洗浄処理又は乾燥処理 中に飛散された洗浄液やミスト等の飛散物が被処理基板に付着するのを防止する
ことができる。 更には、 洗浄と乾燥を共通の洗浄'乾燥ノズル 4 0 0によって行 うことができるので、 構成部材の削減が図れると共に、 更に装置の小型化が図れ る。
なお、 上記説明では、 現像工程の後に洗浄工程と乾燥工程を行う場合について 説明したが、 吸引ノズル 9 0を用いて、 洗浄工程の後、 隙間 3 0内に同様に吸引 ノズノレ 9 0を移動 (スキャン) しつつ吸引孔から処理に供された現像液及び純水 を吸引し、 その後に乾燥工程を行うようにして よい。 また、 別の.処理方法とし て、 現像工程の後、 隙間 3 0内に同様に吸引ノズル 9 0を移動 (スキャン) しつ つ吸引孔から処理に供された現像液を吸引し、 その後、 洗浄工程を行った後、 再 ぴ隙間 3 0内に同様に吸引ノズル 9 0を移動 (スキャン) しつつ吸引孔から洗浄 液を吸引し、 その後に乾燥工程を行うようにしてもよい。 このように、 吸引工程 を加えることによって更に洗浄効率及び乾燥効率の向上を図ることができる。 ◎その他の実施形態
( 1 ) 上記実施形態では、 ステージ 1 0と平板 2 0とで形成された液膜形成用 の隙間 3 0内に、現像ノズル 4 0を移動 (スキャン) しつつ現像液を吐出 (供給) して液膜を形成する場合について説明したが、 別の方法でウェハ W表面に現像液 の液膜を形成した後、上述した洗浄工程、乾燥工程あるいは洗浄工程、吸引工程、 乾燥工程を行うようにしてもよい。 具体的には以下の工程を採用することができ る。
図 3 2 Aから図 3 2 Cはその他の実施形態に従った現像処理方法を示すフロー チャートである。 図 ·3 2 Aを参照して、 現像処理方法は、 被処理基板としてのゥ ェハ Wの表面に現像液 Dを供給して、 ウェハ W表面に現像液 Dの液膜を形成する 現像工程 (ステップ S 2 0 0 1 ) と、 現像液 Dの液膜が形成されたウェハ Wと平 板 2 0とを互いに平行に対向させて隙間 3 0を形成し、 この隙間 3 0の一側端か ら ί 側端に向かって洗浄ノズル 7 0を移動しつつ隙間 3 0内に洗浄液としての純 水 D I Wを供給する洗浄工程 (ステップ S 2 0 0 2 ) と、 隙間 3 0の一側端から 他側端に向かって乾燥ノズル 8 0を移動しつつ隙間 3 0内に乾燥用流体とし の 空気 Αを噴射してウェハ Wに付着する処理に供された現像液 Dおよび純水 D I W を除去する乾燥工程 (ステップ S 2 0 0 3 ) とを有していてもよい。
図 32 Bを参照して、現像処理方法は、ウェハ Wの表面に現像液 Dを供給して、 ウェハ W表面に現像液の液膜を形成する現像工程 (ステップ S 2011) と、 現 像液 Dの?夜膜が形成されたウェハ Wと平板 20とを互いに平行に対向させて隙間 30を形成し、 この隙間 30の一側端から他側端に向かって洗浄ノズル 70を移 動しつつ隙間 30内に純水 D IWを供給する洗浄工程(ステップ S 2012)と、 隙間 30の一側端から他側端に向かって吸引ノズル 90を移動しつつ処理に供さ れた現像液 Dおよび純水 D IWを吸引する吸引工程 (ステップ S 2013) と、 隙間 30の一側端から他側端に向かって乾燥ノズル 80を移動しつつ隙間 30内 に空気 Aを噴射してウェハ Wに付着する処理に供された現像液 Dおよび純水 D I Wを除去する乾燥工程 (ステップ S 2014) とを有していてもよい。
また、 図 32 Cを参照して、 現像処理方法は、 ウェハ Wの表面に現像液 Dを供 給して、 ウェハ W表面に現像液 Dの液膜を形成する現像工程 (ステップ S 202 1) と、 現像液 Dの液膜が形成されたウェハ Wと平板 20とを互いに平行に対向 させて隙間 (30) を形成し、 この隙間 30の一側端から他側端に向かって洗浄 ノズル 70を移動しつつ隙間 30内に純水 D I Wを供給する洗浄工程 (ステップ S 2022) と、 隙間 30の一側端から他側端 向かって吸引 '乾燥ノズル 70 0を移動しつつ処理に供された現像液 Dおよび純水 D I Wを吸引するとともに、 周囲の空気を吸引してウェハ Wに付着した現像液 Dおよび純水 D I Wを除去する 吸引 '乾燥工程 (ステップ S 2023) とを有していてもよい。
(2) 上記実施形態では、 乾燥用流体に空気を使用する場合について説明した
1 乾燥用流体は必ずしも空気である必要はなく、 空気以外の乾燥気体例えば窒 素 (N2) ガスあるいは揮発性液体例えば I PA (イソプロピルアルコール) 等 , を用いてもよい。
(3) 上記実施形態では、 乾燥工程において、 乾燥ノズル 80 (洗浄'乾燥ノ ズル 400) 力 ら乾燥用流体を噴射して乾燥を行う場合について説明したが、 後 述するように、 吸引ノズルに乾燥機能を持たせた吸引■乾燥ノズル 700を用い て吸引工程と乾燥工程とを同時に行うことも可能である。
すなわち、 現像工程と洗浄工程を行った後、 隙間 30の一側端から他側端に向 かって吸引■乾燥ノズル 700を移動しつつ処理に供された現像液 D及び純水 D
I wを吸引すると共に、 周囲の空気を吸引して乾燥を行うことができる。
この場合、 吸引 '乾燥ノズル 7 0 0は、 図 3 0及び図 3 1 Aに示すように、 断 面略楕円形状の棒状部材にて形成されると共に、 互いに平行な軸方向に延びる第 1及び第 2の中空部 7 0 1, 7 0 3を具備している。 また、 第 1の中空部 7 0 1 に、 軸方向に沿うスリット状の液吸引孔 7 0 2が連通され、 第 2の中空部 7 0 3 には、軸方向に沿うスリツト状の空気吸引孔 7 0 4が連通されている。この場合、 液吸引孔 7 0 2は、 吸引■乾燥ノズル 7 0 0の移動 (スキャン) 方向側の中心部 に設けられている。 また、 空気吸引孔 7 0 4は、 吸引 '乾燥ノズル 7 0 0の移動 方向と反対側すなわち移動後方側に設けられると共に、 下方のウェハ W側に開口 するように形成されている。
また、 図 3 1 Aに示すように、 吸引■乾燥ノズノレ 7 0 0の第 1の中空部 7 0 1 の両端部に、 開閉弁 9 5 Aを介設した吸引管路 9 3 Aを介して吸引手段である真 空ポンプ装置 9 4 Aが接続されている。また、第 2の中空部 7 0 3の両端部には、 開閉弁 9 5 Bを介設した吸引管路 ·9 3 Βを介して吸引手段である真空ポンプ装置 9 4 Βが接続されている。 この場合、 吸引管路 9 3 Α, 9 3 Βの一部は、 吸引 · 乾燥ノズル 7 0 0の移動範囲を許容できる長さのチューブにて形成されている。 上記のように形成される吸引■乾燥ノズル 7 0 0は 現像ノズル 4 0及びリン スノズル 7 0と同様の長さに形成されている。 そして、 液吸引孔 7 0 2が移動方 向側に位置する状態で、 図 3 1 Βに示すように、 現像ノズル 4 0及びリンスノズ ル 7 0と同様に、 上記移動■昇降機構 6 0に連結されて、 鉛直方向に昇降移動可 能に形成されると共に、 上記隙間 3 0の一側端から他側端に向かって移動 (スキ ヤン) すべく水平方向に移動可能に形成されている。
次に、 吸引 '乾燥ノズル 7 0 0を用いた現像処理方法の一例について図 3 0及 ぴ図 3 1 Βを参照して説明する。
上記第一実施形態と同様の手順で、 現像工程と洗浄工程を行った後、 図 3 0.に 示すように、 吸引■乾燥ノズル 7 0 0を隙間 3 0の一側端から他側端に向かって 移動(スキャン) して、処理に供した現像液 D及び純水 D I Wを吸引すると共に、 周囲の空気を吸引してウエノ、 Wに付着した現像液 D及び純水 D I Wを除去して乾 燥する {吸引 '乾燥工程 }。 この際、 吸引■乾燥ノズル 7 0 0の移動速度を例えば
5 mm/ s e cとし、 吸引圧 (負圧) を例えば 5 0 0 T o r rに設¾して、 移動 (スキャン) すると、 移動速度が遅いので、 液吸引孔 7 0 2で現像液 D及び純水 D I Wを吸引した後も、 その周囲の空気を空気吸引孔 7 0 4によって吸引するこ とができ、 ウェハ表面の乾燥が実現できる。
このように吸引 '乾燥ノズル 7 0 0を移動 (スキャン) させて処理に供した現 像液及び洗浄液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引してウェハ Wに付着する現 像液及び洗浄液を除去する吸引 ·乾燥工程を用いることにより、 吸引と乾燥が同 時にできるので、 処理効率の向上が図れると共に、 装置の小型化が図れる。 上記説明では、 第一実施形態における乾燥ノズル 8 0、 第二実施形態における 吸引ノズル 9 0と乾燥ノズル 8 0に代えて吸引■乾燥ノズル 7 0 0を用いた場合 について説明したが、 第三実施形態における第二の吸引ノズル 9 7と乾燥ノズル 8 0に代えて吸引■乾燥ノズル 7 0 0を用いてもよレ、。 第三実施形態に吸引■乾 燥ノズル 7 0 0を用いて行う場合は、 現像工程—第一の吸引工程→洗浄工程→吸 引 -乾燥工程の順で処理を行うことができる。
( 4 ) 上記実施形態では、 被処理基板がウェハ Wである場合について説明した が:、 ウェハ以外の例 ば F P D用ガラス ¾板やマスク基板 (レチクル) 等におい ても同様に、 非回転プロセスで現像処理できることは 論である。
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、 以下のような効果が得られる。
1 ) この発明によれば、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜を形成する 隙間内に洗浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行うことができると共に、 乾燥ノズルを移動 (スキャン) させて乾燥を行うことができるので、 必要最小限 の省スペースの下で、 洗净液及び乾燥用流体の使用量を低減すると共に、 洗浄液 やミスト等の飛散物の低減を達成しながら、 現像処理後の被処理基板の洗浄及び 乾燥を均一に行うことができる。
2 ) この発明によれば、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜を形成する 隙間内に洗浄ノス'ノレを移動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 吸引ノズルを移 動(スキャン) させて現像液及び洗浄液を吸引し、その後、乾燥ノズルを移動(ス キャン') させて乾燥を行うことができるので、 上記 1 ) に加えて更に乾燥効率の
向上を図ることができる。 '
3 ) この発明によれば、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜を形成する 隙間内に洗浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 吸引 .乾燥ノズ ルを移動 (スキャン) させて現像液及ぴ洗浄液を吸引すると同時に、 周囲の空気 を吸引して乾燥を行うことができるので、 上記 1 ) に加えて更に処理効率の向上 を図ることができる。
4 ) この発明によれば、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液跨形成用隙間 内に、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液の液膜を形成し、 次いで、 洗 浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行い、 その後、 乾燥ノズルを 動 (ス キャン) させて乾燥を行うことができるので、 上記 1 ) に加えて、 更に現像液の 消費量を低減することができ、 また、 現像液の液膜を^一に形成することができ ると共に、 線幅等のパターン寸法の均一性の向上を図ることができる。
5 ) この発明によれば、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜形成用隙間 内に、 現像ノズルを移動 (スキャン) しつつ現像液の液膜を形成し、 次いで、 洗 浄ノズルを移動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 吸引ノズルを移動 (スキヤ ン) させて現像液及び洗浄液を吸引し、. その後、 乾燥ノズルを移動 (スキャン) させて乾燥を行うことができるので、 上記 2 ) に加えて、 更に現像液の消費量を 低減することができ、また、現像液の液膜を均一に形成することができると共に、 線幅等のパターン寸法の均一性の向上を図ることができる。
6 ) この発明によれば、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜形成用隙間 内に、 現像ノズノレを移動 (スキャン) しつつ現像液の液膜を形成し、 次いで、 洗 浄ノズルを移動(スキャン) させて洗浄を行った後、吸引■乾燥ノズルを移動(ス キャン) させて現像液及び洗浄液を吸引すると同時に、 周囲の空気を吸引して乾 燥を行うことができるので、 上記 2 ) に加えて更に処理効率の向上を図ることが できると共に、 装置の小型化が図れる。
7 ) この発明によれば、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜形成用隙間 内に、現像ノズルを移動(スキャン) しつつ現像液の液膜を形成した後、 (第一の) 吸引ノズルを移動 (スキャン) させて現像液を吸引し、 次いで、 洗浄ノズルを移 動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 (第二の) 吸引ノズルを移動 (スキャン)
させて洗浄液 {具体的には、 現像液と洗浄液の混合液 }
を吸引し、 その後、 乾燥ノズルを移動 (スキャン) させて乾燥を行うことができ るので、 上記 1),. 2), 4), 5) に加えて、 更に洗浄効率の向上及び乾燥効率の 向上を図ることができる。
8) この発明によれば、 被処理基板を回転させずに、 現像液の液膜形成用隙間 内に、現像ノズルを移動(スキャン) しつつ現像液の液膜を形成した後、 (第一の) 吸引ノズノレを移動 (スキャン) させて現像液を吸引し、 次いで、 洗浄ノズルを移 動 (スキャン) させて洗浄を行った後、 吸引 '乾燥ノズルを移動 (スキャン) さ せて洗浄液 {具体的には、 現像液と洗浄液の混合液) を吸引すると同時に、 周囲 の空気を吸引して乾燥を行うことができるので、 上記 6) に加えて更に処理効率 の向上を図ることができると共に、 装置の小型化が図れる。
9) この発明によれば、 洗浄工程において、 洗浄ノズルを往復移動しつつ洗浄 液を供給するので、 上記 1) 〜8) に加えて、 更に洗浄効率の向上を図ることが できる。
10) この発明によれば、 乾燥工程において、 乾燥ノズルを往復移動しつつ乾 燥用流体を噴射するので、 上記 1) 〜9) に加えて、 更に乾燥効率の向上を図る ととができる。
1 1) この発明によれば、 洗浄工程又は乾燥工程において、 カップによ.り液膜 形成用の隙間を外部から遮断すると共に、 外部と遮断された処理空間内の処理に 供された現像液及び洗浄液を外部に排出することができるので、上記 1)〜10) に加えて、 更に洗浄処理又は乾燥処理中に飛散された洗浄液やミスト等の飛散物 が被処理基板に付着するのを防止す.ることができる。
12) この発明によれば、 洗浄ノズルと乾燥ノズルを共通のノズル体にて形成 し、このノズル体に切換手段を介して洗浄液供給源と乾燥 体供給源とを接続し、 洗浄工程において、 切換手段により洗浄液供給源から洗浄液をノズル体に供給し て洗浄し、 乾燥工程において、 切換手段により乾燥流体供給源から乾燥流体をノ ズノレ体に供給して乾燥することができるので、 上記 1) 〜1 1) に加えて、 更に 洗浄ノズルと乾燥ノズルを共通化して、 更に構成部材の削減及び装置の小型化を 図ることができる。
1 3 ) この発明によれば、 現像ノズルが、 少なくとも軸方向に沿う複数の供給 孔を有する管状のノズル体にて形成されているので、上記 1 )〜1 2 )に加えて、 更に被処理基板の表面に現像液を均一に供給することができ、 面内の線幅等のパ ターン寸法の均一性の向上を図ることができる。
1 4 ) この発明によれば、 洗浄ノズルが、 少なくとも被処理基板側及び平板側 に開口する軸方向に沿う複数の供給孔を有する管状のノズル体にて形成されてい るので、 上記 1 ~ 1 3 ) に加えて、 更に被処理基板の表面に洗浄液を均一に供給 することができ、 洗浄効率の向上を図ることができる。
1 5 ) この発明によれば、 吸引ノズルが、 このノズルの移動方向側に開口する 軸方向に沿う吸引孔を有する管状のノズル体にて形成されているので、 更に処理 に供された現像液及び又は現像液と洗浄液の混合液を効率良く吸引することがで き、 洗浄及び乾燥効率の向上を図ることができる。
1 6 ) この発明によれば、 吸引 ·乾燥ノズルが、 ノズルの移動方向側に開口す る軸方向に沿う液吸引孔と、 ノズルの移動方向と反対側に開口する軸方向に沿う 空気吸引孔とを具備するので、 処理に供された現像液及び又は現像液と洗浄液の 混合液を効率よ.く吸引すると同時に、 周囲の空気を吸引して乾燥することができ る。
1 7 ) この発明によれば、 乾燥ノズルが、 少なくとも被処理'基板及ぴ平板側に 開口する軸方向に沿う噴射孔を有する管状のノズル体にて形成されているので、 更に被処理基板の表面に乾燥用流体を均一に噴射 (供給) することができ、 乾燥 効率の向上を図ることができる。
1 8 ) この発明によれば、 現像ノズル、 洗浄ノズル及ぴ乾燥ノズルを、 ステー ジ及び平板の外側方に平行に配設されるガイドレールに摺動可能に装着すると共 に、 鉛直方向に昇降可能に形成し、 現像ノズル、 洗浄ノズル又は乾燥ノズルのい ずれかを、 移動手段によって移動又は昇降手段によって昇降することができるの で、 更に現像ノズル、 洗浄ノズル及び乾燥ノズルの移動 (スキャン) を円滑かつ 確実に行うことができ、 処理効率の向上を図ることができる。
1 9 ) この発明によれば、 現像ノズル、 洗浄ノズル、 吸引ノズル及び乾燥ノズ ルを、 ステージ及び平板の外側方に平行に配設されるガイドレールに摺動可能に
装着すると共に、 鉛直方向に昇降可能に形成し、 現像ノズル、 洗浄ノズル、 吸引 ノズノレ又は乾燥ノズルのいずれかを、 移動手段によつて移動又は昇降手段によつ て昇降することができるので、 更に現像ノズル、 洗浄ノズル、 吸引ノズル及び乾 燥ノズルの移動 (スキャン) を円滑かつ確実に行うことができ、 処理効率の向上 を図ることができる。
2 0 ) この発明によれば、 現像ノズル、 洗浄ノズル及び吸引■乾燥ノズルを、 ステージ及び平板の外側方に平行に配設されるガイドレールに摺勒可能に装着す ると共に、 鉛直方向に昇降可能に形成し、 現像ノズル、 洗浄ノズル又は吸引 .乾 燥ノズルのいずれかを、 移動手段によって移動又は昇降手段によって昇降するこ とができるので、 更に現像ノズル、 洗浄ノズル及ぴ吸引 ·乾燥ノズルの移動 (ス キャン)を円滑かつ確実に行うことができ、処理効率の向上を図ることができる。 以下に、 この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。 この実施形 態では、 この発明に係る現像処理装置を半導体ウェハ (以下にウェハという) の 現像処理に適用した場合について説明する。
◎第五実施形態
図 3 3は、 この発明に係る現像処理装置の一例を示す概略平面図、 図 3 4は、 現像処理装置の概略側面図、 図 3 5 Aおよび図 3 5 Bは、 この発明における載置 台の別の形態を示す概略平面図及び概略側面図、 図 3 6は、 この発明の現像処理 方法の第五実施形態の現像処理を示す要部拡大断面図、 図 3 7は、 第五実施形態 における現像液供給ノズルの一例を示す要部断面図である。
上記現像処理装置は、 被処理基板であるウェハ Wを載置し、 図 3 5 Aおよび図 3 5 Bに示すバキューム装置 Vによってウェハ Wを吸着保持する載置台 1 0 1 0 と、 この載置台 1 0 1 0の上方に配設される液膜形成用平板 1 0 2 0とを具備し ている。 載置台 1 0 1 0は、 水平がとれれば任意の大きさでよい。 例えば、 ゥェ ハ Wと略同じ大きさであってもよく、 接触面積を小さくするためにウェハ Wより も小さくしてもよい。 あるいは、 図 3 5 A、 図 3 5 Bに示すように、 放射状の三 方向に載置部 1 0 1 0 bが延在する形状であってもよい。 なお、 図 3 5 Aおよび 図 3 5 Bにおいて、 符号; L 0 1 0 aは吸引穴である。 この場合、 載置台 1 0 1 0 に載置されたウェハ Wと、 液膜形成用平板 1 0 2 0とは互いに平行に所定の隙間
1 0 3 0をあけて対向して配設されており、 この隙間 1 0 3 0によって現像液の 液膜形成領域が形成される。 なお、 隙間: L 0 3 0 (液膜形成領域) の寸法は現像 液の種類や形成される液膜の膜厚等によって異なるが、 約 2〜 5 mm程度に設定 される。 この間隔は、 後述する現像ノズル 1 0 4 0が通過できる寸法であればよ い。
また、 載置台 1 0 1 0には、 図示しないウェハ搬送アームとの間でウェハ Wの 受け渡しを行う 3本の支持ピン 1 0 1 1が昇降可能に設けられている。 これら支 持ピン 1 0 1 1は、 図 3 3及び図 3 4に示すように、 載置台 1 0 1 0に設けられ た貫通孔 (図示せず) を摺動可能に貫挿するか、 又は、 図 3 5 Aおよび図 3 5 B に示すように、 載置台 1 0 1 0の横に設けられている。 また、 支持ピン 1 0 1 1 は、載置台 1 0 1 0の下方に突出する下端部同士が支持部材 1 0 1 2に立設され、 支持部材 1 0 1 2に連結する昇降手段例えば昇降シリンダ 1 0 1 3によって各支 持ピン 1 0 1 1が載置台 1 0 1 0の载置面に出没し得るように形成されている。 また、 液膜形成用平板 1 0 2 0は、 例えばボールねじにて構成される昇降機構 1 0 2 1に連結されており、 この昇降機構 1 0 2 1の駆動によって载置台 1 0 1 0 に対して進退移動可能に形成されて、 .隙間 1 0 3 0の間隔が調整される。 この場 合、昇降機構 1 0 2 1と液膜形成用平板 1 0 2 0とを回転可能に連結してもよい。 また、 現像処理装置は、 少なくとも軸方向に沿う複数の小孔 1 0 4 1を有する 管状の現像液供給ノズル 1 0 4 0 (以下に現像ノズル 1 0 4 0という) を具備し ている。 この現像ノズノレ 1 0 4 0は、 載置台 1 0 1 0を挟んで両側に配設された —対のガイドレール 1 0 5 0に移動自在に架設されると共に、 ノズル移動手段で ある移動■昇降機構 1 0 6 0 (移動 '昇降手段) に連結されて、 鉛直方向に昇降 移動可能に形成されると共に、 上記隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) の一側端から 他側端に向かって移動すべく水平方向に移動可能に形成されている。
この場合、 現像ノズル 1 0 4 0は、 図 3 6に示すように、 例えば外径約 1 ~ 4 mm、 内径約 0 . 5 ~ 3 . 5 mmの例えばステンレスやエポキシ樹脂製の管状部 材 1 0 4 2の軸方向に沿って等間隔に穿設される複数の小孔 1 0 4 1を具備して おり、 管状部材 1 0 4 2の中空部 1 0 4 2 aの両端部に供給管路 1 0 4 3を介し て現像液供給源である現像液貯留タンク 1 0 4 4が接続されている。 この供給管
路 1 0 4 3の一部は、 現像ノズル 1 0 4 0の移動範囲を許容できる長さのチュー ブにて形成されている。 また、 供給管路 1 0 4 3には現像液の流量調整可能な開 閉手段例えばエアオペレーションバルブ 1 0 4 5と圧送手段例えばポンプ 1 0 4 6が介設されている。 なお、 小孔 1 0 4 1は、 管状部材 1 0 4 2の端部側から中 心側に向かって小孔 1 0 4 1の開口面積が漸次増大されている。 このように小孔 1 0 4 1の開口面積を、 管状部材 1 0 4 2の端部側から中心側に向かって漸次增 大させることにより、 両端側から管状部材 1 0 4 2の中空部 1 0 4 2 a内に供給 される現像液を各小孔 1 0 4 1から均等に吐出(供給)することができる。なお、 小孔 1 0 4 1の開口径や間隔は、 ウェハ Wのサイズゃ現像液の種類等によって適 宜設定される。
ここでは、複数の小孔 1 0 4 1を等間隔に設けて、小孔 1 0 4 1の開口面積を、 管状部材 1 0 4 2の端部側から中心側に向かって漸次増大させる場合について説 明したが、 各小孔 1 0 4 1の開口面積を同一にして、 管状部材 1 0 4 2の端部側 から中心側に向かって間隔を漸次小さくするようにしてもよい。 また、 小孔 1 0 4 1を管状部材 1 0 4 2の複数列、 例えば図 3 9に示すように、 管状部材 1 0 4 2の下端側と上端側の 2列に同様に設けてもよく、 あるいは、.任意の複数列に同' 様に設けてもよい。 また、 図 4 0 Bに示すように、 全周に多数の小孔 1 0 4 1を 有する多孔質の管状部材 1 0 4 2 Aにて現像ノズル 1 0 4 O Aを形成してもよい。 このように、 現像ノズル 1 0 4 O Aを全周に多数の小孔 1 0 4 1を有する多孔質 の管状部材 1 0 4 2 Aにて形成することにより、 現像ノズル 1 0 4 0の全周から 現像液を均一に吐出 (供給) することができる。 なお、 これらの場合、 ポンプ 1 0 4 6によって現像液の圧力を調整するようにしてもよい。
なお、 上記ガイドレール.1 0 5 0には、 現像ノズノレ 1 0 4 0の他に、 それぞれ 現像ノズル 1 0 4 0と同様に管状に形成される、第 1のリンスノズル 1 0 7 1と、 現像液吸引ノズル 1 0 7 3と、 第 2のリンスノズル 1 0 7 2及び乾燥ノズル 1 0 7 4力 昇降及び摺動可能に装着されている。 この場合、 第 1及び第 2のリンス ノズノレ 1 0 7 1 , 1 0 7 2は、 現像ノズル 1 0 4 0と同様に、 管状部材の軸方向 に沿う複数のノズノレ孔 (図示せず) が設けられている。 また、 現像液吸引ノズノレ 1 0 7 3及び乾燥ノズノレ 1 0 7 4は、 それぞれ管状部材の軸方向に沿うスリット
状の吸引孔ゃ乾燥気体例えば空気の噴射孔 (図示せず) が設けられている。 これ ら第 1のリンスノズル 1 0 7 1、 現像液吸引ノズル 1 0 7 3、 第 2のリンスノズ ル 1 0 7 2及び乾燥ノズル 1 0 7 4も、 上記移動 ·昇降機構 1 0 6 0に連結され て、 鉛直方向に昇降移動可能に形成されると共に、 上記隙間 1 0 3 0の一側端か ら他側端に向かって移動すべく水平方向に移動可能に形成されている。 なお、 上 記ノズル 1ひ 4 0, 1 0 7 1〜: L 0 7 4の待機位置 (ホームポジション) には、 ノズル洗浄バス 1 0 7 5が配設されている。 なお、 上記リンスノズ■ /レ 1 0 7 1 , 1 0 7 2、 現像液吸引ノズノレ 1◦ 7 3、 乾燥ノズル 1◦ 7 4は、 それぞれ径は異 なってもよく、 また、 それぞれの使用時の隙間 1 0 3 0も異なっていてもよい。 次に、 この発明の現像処理方法について、 図 3 6、 図 3 8 A及び図 3 8 Bを参 照して説明する。 まず、 図示しないウェハ搬送アームがウェハ Wを保持して現像 装置内に進入すると、 支持ピン 1 0 1 1が上昇してウェハ Wを受け取る。 ウェハ Wを受け渡したウェハ搬送アームは現像装置内から後退する。 ウェハ Wを受け取 つた支持ピン 1 0 1 1が下降してウェハ Wが載置台 1 0 1 0に載置されると、 ノ キューム装置 Vの駆動によってウェハ Wが吸着保持される。 その後、 昇降機構 1 0 2 1によって液膜形成用平板 1 0 2 0を鉛直方向に移動 (昇降) して、 載置台 1 0 1 0に載置されるウェハ Wの表面に形成 (液盛り) される現像液の膜厚に対 応した間隔ととなるように調節して隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) を設定する。 この状態で、 図 3 6及び図 3 8 A、 図 3 8 Bに示すように、 現像ノズノレ 1 0 4 0 を、 隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) の一側端から他側端に向かって移動しつつ小 孔 1 0 4 1から隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) 内に現像液 Dを吐出 (供給) する と、 現像液 Dが隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) 内に充満されてウェハ Wの表面に 現像液 Dの液膜が形成される。 この際、 現像ノズル 1 0 4 0の移動速度を、 例え ば 5 0〜1 5 O mm/ s e cとし、 現像液の吐出量 (供給量) を、 例えば 5〜 5 O m 1 Z s e cとする。
これにより、 現像中の現像液 Dの動きを現像開始から終了まで、 極めて静的に 保って隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) 內に現像液 Dを充満させた状態でウェハ W の表面に現像液 Dの液膜を形成することができる。 これにより、 レジスト Rの疎 水度に影響を受けずに現像液 Dの液膜を均一に形成することができる。 また、 薄
い隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) の分の現像液で済むため、 現像液の消費量を低 減することができる。
なお、 上記説明では、 現像ノズル 1 0 4 0の移動による現像処理の部分につい て説明したが、 上記現像ノズル 1 0 4 0を隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) の一端 側から他端側に向かって移動した後、 所定の時間をおいて第 1のリンスノズル 1 0 7 1を同様に移動しつつ図示しないリンス液供給源からリンス液例えば純水を 吐出 (供給) して現像液とレジストの溶解反応を停止させ、 次いで、 現像液吸引 ノズル 1 0 7 3を同様に移動させつつ図示しない吸引手段の吸引作用によって現 像液と反応して生成された溶解生成物を吸引する。 その後、 第 2のリンスノズル 1 0 7 2を同様に移動しつつ図示しないリンス液供給源からリンス液例えば純水 を吐出 (供給) してリンス処理を行う。 そして、 最後に、 乾燥ノズル 1 0 7 4を 同様に移動しつつ図示しない乾燥気体例えば清浄化された空気の供給源から乾燥 気体を吹き付けてウェハ Wに付着するリンス液を吹き飛ばして乾燥する。 なお、 第 2のリンスノズル 1 0 7 2及ぴ乾燥ノズル 1 0 7 4をそれぞれ往復移動して、 リンス処理及び乾燥処理を行うようにしてもよい。
以上のようにして現像処理、 リンス処理及び乾燥処理を行った後、 現像ノズル 1 0 4 0、 第 1のリンスノズル 1 0 7 1、 現像液吸引ノズル 1 0 7 3、 第 2のリ ンスノズル 1 0 7 2及ぴ乾燥ノズル 1 0 7 4はホームポジションに戻る。その後、 載置台 1 0 1 0の吸着状態を解除し、 支持ピン 1 0 1 1を上昇させて、 現像装置 内に進入するウェハ搬送アーム (図示せず) にウェハ Wを受け渡してウェハ Wを 搬出する。 以下、 上記と同様の操作を繰り返してウェハ Wの現像処理を行う。 ◎第六実施形態
図 4 1は、 この発明の現像処理方法の第六実施形態の現像処理状態を示す要部 拡大断面図である。
第六実施形態は、 上記現像ノズル 1 0 4 0を複数例えば 2個を、 現像ノズノレ 1 0 4 0の移動方向に間隔 Lをおいて隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) 内に移動させ つつ各現像ノズノレ 1 0 4 0の小孔1 0 4 1から現像液 Dを供給させるようにした 場合である。
このように、 複数例えば 2個の現像ノズノレ 1◦ 4 0を移動方向に間隔 Lをおい
て隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) 内に移動させつつ各現像ノズル 1 0 4 0の小孔 1 0 4 1から現像液 Dを供給させることにより、 第五実施形態のように 1個現像 ノズノレ 1 0 4 0の小孔 1 0 4 1から現像液を吐出 (供給) する場合に比べて各現 像ノズル 1 0 4 0の小孔 1 0 4 1からできる限りゆっくり現像液を吐出 (供給) しながら 2個の現像ノズル 1 0 4 0を移動することができる。 したがって、 現像 中の現像液 Dの動きを更に静的に保って線幅等のパターンの均一性の向上を図る ことができる。 また、 複数の現像ノズル 1 0 4 0を同時に移動させるので、 現像 処理速度の迅速化を図ることができる。 '
なお、 第六実施形態において、 現像ノズル 1 0 4 0を多孔質の現像ノズル 1 0 4 O Aに代えてもよい。 また、 第六実施形態において、 その他の部分は第五実施 形態と同じであるので、 同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
©第七実施形態
図 4 2 Aおよぴ図 4 2 Bは、 この発明の現像処理方法の第七実施形態の現像処 理を示す要部拡大断面図及び第七実施形態における現像ノズル 1 0 4 0 Bを示す 斜視図である。
第七実施形態は、 現像ノズル 1 0 4 0 Bにおける移動方向の後方側に翼片 1 0 8 0を突設して、 現像ノズル 1 0 4 0 Bの小孔 1 0 4 1から吐出 (供給) された 現像液 Dの乱流を抑制することにより、 現像中の現像液の動きを更に静的に保つ ようにした場合である。 この場合、 翼片 1 0 8 0は、 現像ノズル 1 0 4 0 Bの管 状部材 1 0 4 2 Bと一体に形成されており、 先端 (移動方向の後方側) に向かつ て狭小のテーパ面 1 0 8 1が形成されている。
上記のように形成される現像ノ 、ノレ 1 0 4 0 Bを、 第五実施形態と同様に、 隙 間 1 0 3 0 (液膜形成領域) の一端側から他端側に向かって移動して現像処理を 行うと、 先端 (移動方向の後方側) に向かって狭小のテーパ面 1 0 8 1を有する 翼片 1 0 8 0によって、 現像液 Dの乱流を整流化して抑制することができ、 現像 中の現像液 Dの動きを更に静的に保つことができるので、 更に線幅等のパターン の均一性の向上を図ることができる。
なお、第七実施形態において、その他の部分は第五実施形態と同じであるので、 同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
◎第八実施形態
図 4 3は、 この発明の現像処理方法の第八実施形態の現像処理を示す要部拡大 断面図である。
第八実施形態は、 それぞれ翼片 1 0 8ひ Aを突設する現像ノズル 1 0 4 0 Cを 移動方向と交差する方向に間隔 L 1をおいて 2個並設して、 隙間 1 0 3 0 (液膜 形成領域) の一端側から他端側に向かって移動させつつ各現像ノズル 1 0 4 0 C の小孔 1 0 4 1から現像液を吐出 (供給) して隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) 内 に現像液を充満させてウェハ W表面に液膜を形成する場合である。 第八実施形態 おいて、 各現像ノズル 1 0 4 0 Cの翼片 1 0 8 0 Aは、 管状部材 1 0 4 2 Cと一 体に形成され、 管状部材 1 0 4 2 Cの下端又は上端から移動方向後方側に延在す る水平面 1 0 8 2と、 管状部材 1 0 4 2 Cの上端又は下端と水平面 1 0 8 2の先 端とを連結する傾斜面 1 0 8 3とを有する断面略三角形状に形成されている。 このように、 翼片 1 0 8 O Aを突設する現像ノズノレ 1 0 4 0 Cを移動方向と交 差する方向に間隔 L 1をおいて 2個並設して、 隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) の 一端側から他端側に向かって移動させつつ各現像ノズル 1 0 4 0 Cの小孔 1 0 4 1から現像液を吐出 (供給') することにより、.両現像ノズル 1 0 4 0 C間に設け られた間隔 L 1から空気 Aを逃がして、 ウェハ W側及び液膜形成用平板 1 0 2 0 側の両側における現像液 Dの動きを均等にバランスすることができる。 したがつ て、 更に線幅等のパターンの均一性の向上を図ることができる。
なお、第八実施形態において、その他の部分は第五実施形態と同じであるので、 同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
©第九実施形態
図 4 4は、 この発明の現像処理方法の第九実施形態の現像処理を示す要部拡大 断面図である。
第九実施形態は、 現像ノズル 1 0 4 0 Dを移動しつつ現像ノズル 1 Ό 4 0 Dの 周方向に回転させるようにした場合である。この場合、與像ノズル 1 0 4 0 Dは、 軸方向に沿う複数列例えば 3列以上に複数の小孔 1 0 4 1を設ける方が好ましい。 また、 現像ノズノレ 1 0 4 0 Dの回転方向をウェハ W側に向かって行う方が好まし い。その理由は、現像ノズル 1 0 4 0 Dの回転に伴って小孔 1 0 4 1から吐出(供
給) される現像液をウェハ Wに積極的に供給することができるからである。 この ように、 現像ノズル 1 0 4 0を移動しつつ現像ノズル 1 0 4 0 Dの周方向に回転 (ウェハ W側に回転) させることにより、 現像ノズル 1 0 4 0 Dの小孔 1 0 4 1 から吐出 (供給) される現像液がウェハ W表面に置かれるようにして液膜が形成 される。 また、 現像ノズノレ 1 0 4 0 Dが通過する影響、 すなわち現像ノズノレ 1 0 4 0 Dが通過した直後の現像液 Dの空洞部による影響を抑制することができるの で、 更に線幅等のパターンの均一性の向上を図ることができる。 .
なお、 第九実施形態において、 現像ノズル 1 0 4 0 Dに代えて多孔質の現像ノ ズル Aを用いてもよい。 また、 第九実施形態において、 その他の部分は第五実施 形態と同じであるので、 同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
◎第十実施形態
図 4 5は、 この発明の現像処理方法の第十実施形態を示す要部拡大断面図であ る。
第十実施形態は、 一工程で 2枚のウェハ Wを同時に現像処理できるようにした 場合である。すなわち、上記液膜形成用平板 1 0 2 0に代えてウェハ Wを用いて、 2枚のウェハ W 互いに平行に対向させて隙間 1 0 3 0 (液膜 成領域) を形成 し、 この隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) の一端側から他端側に向かって現像ノズ ル例えば第八実施形態の現像ノズル 1 0 4 0 Cを移動しつつ現像液を小孔.1 0 4 1から吐出 (供給) して、 隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) 内に現像液 Dを充満さ せて、 両ウェハ Wの表面に液膜を形成するようにした場合である。
したがって、 第十実施形態によれば、 一工程で 2枚のウェハ Wの現像処理を同 時に行うことができるので、更に処理効率の向上を図ることができる。この場合、 翼片 1 0 8 O Aを突設する現像ノズノレ 1 0 4 0 Cを移動方向と交差する方向に間 隔 L 1をおいて 2個並設して、 隙間 1 0 3 0 (液膜形成領域) の一端側かち他端 側に向かって移動させつつ各現像ノズル 1 0 4 0 Cの小孔 1 0 4 1から現像液を 吐出 (供給) することにより、 両現像ノズル 1 0 4 0 C間に設けられた間隔 L 1 から空気 Aを逃がして、 ウェハ W側及ぴ液膜形成用平板 1 0 2 0側の両側におけ る現像液 Dの動きを均等にバランスすることができるので、 更に線幅等のパター ンの均一性の向上を図ることができる。
なお、 上記説明では、 翼片 1080 Aを突設する現像ノズノレ 1040 Cを移動 方向と交差する方向に間隔 L 1をおいて 2個並設される場合について説明したが、 その他の現像ノズル 1040, 1040A, 1040 Bを用いてもよい。 また、 第十実施形態において、 その他の部分は第五実施形態と同じであるので、 同一部 分には同一符号を付して説明は省略する。
◎その他の実施形態
(1) 上記実施形態では、 載置台 1010が固定式で回転しない場合について 説明したが、 図 35 Aおよび図 35 Bに二点鎖線で示すように、 載置台 1010 をモータ Mの回転軸に連結して、載置台 1010を水平方向に回転可能に形成し、 現像ノズノレ 1040, 1040 A, 1040 B, 1040 C, 1040Dの移動 と同時に載置台 1010及びウェハ Wを水平方向に回転させるようにしてもよい。 このように回転を利用する場合には、 好ましくは、 現像ノズレ 1040, 104 0A〜1040Dを隙間 1030の一側端から他側端に向かって移動して現像液 を吐出 (供給) するときは、 載置台 1010及びウェハ Wを回転させずに、 それ 以降の処理である洗浄処理、 乾燥処理時には载置台 1010及びウェハ Wを回転 させる方が好ましい。 例えば図 46 Aに示すように、 載置台 1010及びウェハ Wを回転させずに現像塗布工程を行った後に、 液膜形成用平板 1020を移動さ せて、 洗浄ノズル (リンスノズル) 1072Aが入る高さまで上昇させる .(図 4 6 A)。次に、液膜形成用平板 1020を下降してリンスノズノレ 1072 Aが移動 する隙間 1030を確保した後、 リンスノズル 1072 Aを隙間 1030の一側 端から中心まで移動しつつリンス液例えは純水を吐出 (供給) すると同時に、 載 置 1010及びウェハ Wを回転する (図 46 B、 図 46 C参照)。 その後、 リン スノズル 1072 Aからの純水の吐出 (供給) を停止し、 リンスノズル 1072 Aがホームポジションに戻った後、 又は、 戻ると同時に、 載置台 1010及びゥ ェハ Wを高速回転して、 ウェハ Wに付着する純水を振り切り、 乾燥する (図 46 D)。
(2) 上記実施形態では、 被処理基板がウェハ Wである場合について説明した 力 ウェハ以外の例えば FPD用ガラス基板やマスク基板 (レチクル) 等におい ても同様に現像処理できることは勿論である。 なお、 FPD用ガラス基板やマス
ク基板等のような角形の被処理板例えばマスク基板 (レチクル) R Eの現像処理 を行う場合は、 図 4 7 A、 図 4 7 Bに示すように、 円形の液膜形成用平板 1 0 2 0に代えて矩形状 (方形状) の液膜形成用平板 1 0 2 O Aを用い、 また、 矩形状 (方形状) の載置台 1 0 1 O Aを用いて処理を行う必要がある。 また、 液膜形成 用平板 1 0 2 O A, 載置台 1 0 1 O Aを用いることにより、 被処理基板の形状に 関係なく現像処理を行うことができる。
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、 以下のような効果が得られる。
1 0 1 ) この発明によれば、 互いに平行に対向配置される被処理基板と液膜形 成用平板とで形成された隙間 (液膜形成領域) の一側端から俾側端に向かって、 軸方向に沿う複数の小孔を有する現像液供給ノズルを移動しつつ小孔から隙間内 に現像液を供給することにより、現像中の現像液の動きを現像開始から終了まで、 極めて静的に保って隙間内に現像液を充満させた状態で被処理基板の表面に現像 液の液膜を形成して現像処理することができる。 したがって、 レジストの疎水度' に影響を受けずに、 面内を均一にして線幅等のパターン寸法の均一性の向上が図 れる。 また、 現像液の使用量は、 所定の間隔に設定された薄い隙間.(液膜 成領 域) の分の液量で済むため、 現像液の少量化を図ることができる。
1 0 2 ) この発明によれば、 現像液供給ノスレの複数個を間隔をおいて獰間内 に移動させつつ各現像液供給ノズルの小孔から現像液を供給することにより、 各 ノズルの小孔からできる限りゆっくり現像液を供給 (吐出) しながら複数のノズ ルを移動することができるので、 上記 1 0 1 ) に加えて更に現像中の現像液の動 きを更に静的に保って線幅等のパターンの均一性の向上を図ることができる。 ま た、 複数のノズルを同時に移動させるので、 現像処理速度の迅速化を図ることが できる。
1 0 3 ) この発明によれば、 現像液供給ノズルにおける移動方向の後方側に突 設された翼片により、 供給された現像液の乱流を抑制することにより、 現像中の 現像液の動きを更に静的に保つことができるので、 上記 1 0 1 ) に加えて更に線 幅等のパターンの均一性の向上を図ることができる。
1 0 4 ) この発明によれば、 翼片を突設する現像液供給ノズルを移動方向と交
差する方向に間隔をおいて 2個並設して、 隙間内を移動させつつ各現像液供給ノ ズルの小孔から現像液を供給することにより、 両ノズル間に設けられた間隔から 空気を逃がして、 被処理基板側及び液膜形成用平板側の両側における現像液の動 きを均等にバランスすることができるので、上記 1 0 1 )、 1 0 3 ) に加えて更に 線幅等のパターンの均一性の向上を図ることができる。
1 0 5 ) この発明によれば、 現像液供給ノズルを移動しつつノズルの周方向に 回転させることにより、 現像液供給ノズルが通過する影響、 すな ちノズルが通 過した直後の現像液の空洞部による影響を抑制することができるので、 上記 1 0 1 ) に加えて更に線幅等のパターンの均一性の向上を図ることができる。
1 0 6 )この発明によれば、液膜形成用平板に被処理基板を用いることにより、 —工程で 2枚の被処理基板の現像処理を同時に行うことができるので、 更に処理 効率の向上を図ることができる。 産業上の利用可能性
この発明は、 例えば半導体ウェハや F P D (フラットパネルデイスプレイ) 用 ガラス基板やフォトマスク基板 (レチクル) 等の基板に現像液を供給して基板表 面を現像処理する分野で利用される。
Claims
1 . 被処理基板 (W) の表面に現像液 (D) を供給して、 被処理基板表面に現像 液の液膜を形成する現像工程と、
上記現像液の液膜が形成された上記被処理基板と平板 (2 0 ) とを互いに平行 に対向ざせて隙間 (3 0 ) を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって洗 浄ノズル(7 0 ) を移動しつつ隙間内に洗浄液 (D I W) を供給する.洗浄工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって乾燥ノズル (8 0 ) を移動しつつ隙間 内に乾燥用流体 (A) を噴射して上記被処理基板に付着する処理に供された現像 液及び洗浄液を除去する乾燥工程と、
を有する現像処理方法。
2 . 請求項 1に記載の現像処理方法において、
上記洗浄工程において、 上記洗浄ノズルを往復移動する、 現像処理方法。
3 . 請求項 1に記載の現像処理方法において、
上記乾燥工程において、 上記乾燥ノズルを往復移動する、 現像処理方法。
4. 請求項 1に記載の現像処理方法において、
上記洗浄工程において、 カップ (2 0 0 ) により上記隙間を外部から遮断する と共に、 外部と遮断された処理空間内の処理に供された現像液及び洗浄液を外部 に排出する、 現像処理方法。
5 . 請求項 1に記載の現像処理方法において、
上記乾燥工程において、 カップにより上記隙間を外部から遮断すると共に、 外 部と遮断された処理空間内の気液流体を外部に排出する、 現像処理方法。
6 . 請求項 1に記載の現像処理方法において、
上記洗浄ノズルと乾燥ノズルを共通のノズル体 (4 0 1 ) にて形成し、 上記ノ ズル体に切換手段( 5 0 0 ) を介して洗浄液供給源( 7 4 ) と乾燥流体供給源 ( 8 4 ) とを接続し、 洗浄工程において、 上記切換手段により上記洗浄液供給源から 洗浄液を上記ノズル体に供給して洗浄し、 乾燥工程において、 上記切換手段によ り上記乾燥流体供給源から乾燥流体を上記ノズル体に供給して乾燥する、 現像処 理方法。
7. 被処理基板 (W) の表面に現像液 (D) を供給して、 被処理基板表面に現像 液の液膜を形成する現像工程と、
上記現像液の 膜が形成された上記被処理基板と平板 ( 2 0 ) とを互いに平行 に対向させて隙間 (3 0 ) を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって洗 浄ノズル(7 0 )を移動しつつ隙間内に洗浄液 (D I W)を供給する洗浄工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズル (9 0 ) を移動しつつ処理 に供された現像液及び洗浄液を吸引する吸引工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって乾燥ノズル (8 0 ) を移動しつつ隙間 内に乾燥用流体 (A) を噴射して上記被処理基板に付着する処理に供された現像. 液及び洗浄液を除去する乾燥工程と、
を有する現像処理方法。
8 . 被処理基板 (W) の表面に現像液 (D) を供給して、 被処理基板表面に現像 液の液膜を形成する現像工程と、
上記現像液の液膜が形成された上記被処理基板と平板 ( 2 0 ) とを互いに平行 に対向させて隙間 (3 0 ) を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって洗 浄ノズル(7 0 )を移動し όつ隙間内に洗浄液 (D I W) を供給する ¾浄工程と、 上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引 ·乾燥ノズル ( 7 0 0 ) を移動し つつ処理に供された現像液及び洗浄液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引して 上記被処理基板に付着した現像液及び洗浄液を除去する吸引■乾燥工程と、 を有する現像処理方法。
9 . 請求項 8に記載の現像処理方法において、
上記吸引■乾燥工程において、 力ップにより上記隙間を外部から遮断すると共 に、 外部と遮断された処理空間内の気液流体を外部に排出する、 現像処理方法。
1 0 . 被処理基板 (W) と平板 (2 0 ) とを互いに平行に対向させて隙間 (3 0 ) を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズル (4 0 )' を移動し つつ現像液 (D) を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基 板の表面に現像液の液膜を形成する現像工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズル ( 7 0 ) を移動しつつ隙間 内に洗浄液 (D I W) を供給する洗浄工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって乾燥ノズル (8 0 ) を移動しつつ隙間 内に乾燥用流体 (A) を噴射して上記被処理基板に付着する処理に供された現像 液及び洗浄液を除去する乾燥工程と、
を有する現像処理方法。
1 1 . 被処理基板 (W) と平板 (2 0 ) とを互いに平行に対向させて隙間 (3 0 ) を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズル (4 0 ) を移動し つつ現像液 (D) を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基 板の表面に現像液の液膜を形成する現像工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズル (7 0 ) を移動しつつ隙間 内に洗浄液 (D I W) を供給する洗浄工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズル (9 0 ) を移動しつつ処理 に供された現像液及び洗浄液を吸引する吸引工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって乾燥ノズル (8 0 ) を移動しつつ隙間 内に乾燥用流体 (A) を噴射して上記被処理基板に付着する処理に供された現像 液及び洗浄液を除去する乾燥工程と、
を有する現像処理方法。
1 2 . 被処理基板 (W) と平板 (2 0 ) とを互いに平行に対向させて隙間 (3 0 ) を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズル (4 0 ) を移動し つつ現像液 (D) を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基 板の表面に現像液の液膜を形成する現像工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズル (7 0 ) を移動しつつ隙間 内に洗浄液 (D I W) を供給する洗浄工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引 ·乾燥ノズル ( 7 0 0 ) を移動し つつ処理に供された現像液及び洗浄液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引して 上記被処理基板に付着した現像液及び洗浄液を除去する吸引■乾燥工程と、 を有する現像処理方法。
1 3 . 被処理基板 (W) と平板 (2 0 ) とを互いに平行に対向させて隙間 (3 0 ) を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズル (4 0 ) を移動し つつ現像液 (D) を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基
板の表面に現像液の液膜を形成する現像工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズノレ (90) を移動しつつ処理 に供された現像液を吸引する第一の吸引工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズノレ (70) を移動しつつ隙間 内に洗浄液 (D I W) を供給する洗浄工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズノレ (90) を移動.しつつ処理 に供された洗浄液を吸引する第二の吸引工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって乾燥ノズル (80) を移動しつつ隙間 内に乾燥用流体 (A) を噴射して上記被処理基板に付着する処理に供された洗浄 液を除去する乾燥工程と、
を有する現像処理方法。
14. 被処理基板 (W) と平板 (20) とを互いに平行に対向させて隙間 (30) を形成し、 この隙間の一側端から他側端に向かって現像ノズノレ (40) を移動し つつ現像液 (D) を供給することにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基 板の表面に現像液の液膜を形成する現像工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引ノズル (90) を移動しつつ処理 に供された現像液を吸引する第一の吸引工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって洗浄ノズル (70) を移動しつつ隙間 内に洗浄液 (D IW) を供給する洗浄工程と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって吸引■乾燥ノズル (700) を移動し つつ処理に供された洗浄液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引して上記被処理 基板に付着した現像液及び洗浄液を除去する吸引 ·乾燥工程と、
を有する現像処理方法。
15. 被処理基板 (W) を載置するステージと、 '
上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との間に液膜 形成用の隙間 (30) を形成する平板 (20) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ現像液 (D) を供給するこ とにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成 する現像ノズル (40) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ洗浄液 (D I W) を供給す る洗浄ノズル (70) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ乾燥流体 (A) を噴射して 上記被処理基板に付着した現像液及び洗浄液を除去する乾燥ノズル (80) と、 を具備する現像処理装置。
16. 請求項 15に記載の現像処理装置において、
上記ステージの外側及び下部を包囲すると共に、 上記平板に接離する昇降可能 なカップ (200) を更に具備し、
上記カップの下部に排出口を設けてなる、
17. 請求項 15に記載の現像処理装置において、
上記現像ノズルは、 少なくとも軸方向に沿う複数の供給孔を有する管状のノズ ル体 (42) を具備する、 現像処理装置。
18. 請求項 15に記載の現像処理装置において、
上記洗浄ノズルは、 少なくとも被処理基板側及び平板側に開口する軸方向に沿 う複数の供給孔を有する管状のノズル体 (71) を具備する、 現像処理装置。
19. 請求項 15に記載の現像処理装置において、
上記乾燥ノズルは、 少なくとも被処理基板及び平板側に開口する軸方向に沿う 噴射孔を有する管状のノズル体 (81) を具備する、 現像処理装置。
20. 請求項 15に記載の現像処理装置において、
上記現像ノズル、 洗浄ノズル及び乾燥ノズルを、 ステージ及び平板の外側方に 平行に配設されるガイドレール(50 a, 50 b)に摺動可能に装着すると共に、 鉛直方向に昇降可能に形成し、 上記現像ノズル、 洗浄ノズル又は乾燥ノズノレのい ずれかを、 移動手段 (60B) によって移動又は昇降手段 (6 OB) によって昇 降する、 現像処理装置。
21. 請求項 15に記載の現像処理装置において、
上記洗浄ノズルと乾燥ノズルを共通の管状ノズル体 (401) にて形成し、 上 記管状ノズル体に切換手段 (500) を介して洗浄液供給源 (74) と乾燥流体 供給源 (84) とを接続し、 上記切換手段の切換操作によって、 上記洗浄液供給
源から上記管状ノズル体への洗浄液の供給、 又は、 上記乾燥流体供給源から上記 管状ノズルへの乾燥流体の供給を選択的に行えるように形成してなる、 現像処理
22. 被処理基板 (W) を載置するステージと、
上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との間に液膜 形成用の隙間 (30) を形成する平板 (20) .と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ現像液 (D) .を供給するこ とにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成 する現像ノズル (40) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ洗浄液 (D IW) を供給す る洗浄ノズル (70) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ上記被処理基板に付着した 現像液及び洗浄液を吸引する吸引ノズル (90) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ乾燥流体を噴射して上記被 処理基板に付着した現像液及び洗浄液を除去する乾燥ノズル (80) と、 を具備する現像処理装置。 .
23. 請求項 22に記載の現像処理装置において、
上記吸引ノズルは、 このノズルの移動方向側に開口する軸方向に沿う吸引孔を 有する管状のノズル体 (91) を具備する、 現像処理装置。
24. 請求項 22に記載の現像処理装置において、
上記現像ノズル、 洗浄ノズル、 吸引ノズル及び乾燥ノズルを、 ステージ及び平 板の外側方に平行に配設されるガイドレール (50 a, 50 b) に摺動可能に装 着すると共に、 鉛直方向に畀降可能に形成し、 上記現像ノズル、 洗浄ノズル、 吸 引ノズル又は乾燥ノズルのいずれかを、 移動手段 (60B) によって移動又は昇 降手段 (60B) によって昇降する、 現像処理装置。
25. 被処理基板 (W) を載置するステージと、
上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との間に液膜 形成用の隙間 (30) を形成する平板 (20) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ現像液 (D) を供給するこ
とにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成 する現像ノズノレ (4 0 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ洗浄液 (D I W) を供給す る洗净ノズル (7 0 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ上記被処理基板に付着した 現像液及び洗浄液を吸引すると共に、 周囲の空気を吸引じて被処理基板に付着し た現像液及ぴ洗浄液を除去する吸引■乾燥ノズル ( 7 0 0 ) と、
を具備する現像処理装置。
2 6 . 請求項 2 5に記載の現像処理装置において、
上記吸引■乾燥ノズルは、 このノズノレの移動方向側に開口する軸方向に沿う液 吸引孔 (7 0 2 ) と、 ノズルの移動方向と反対側に開口する軸方向に沿う空気吸 引孔 (7 0 4 ) とを具備する、 現像処理装置。
2 7 . 請求項 2 5に記載の現像処理装置において、
上記現像ノズル、 洗浄ノズル及び吸引 '乾燥ノズルを、 ステージ及ぴ平板の外 側方に平行に配設されるガイドレール (5 0 a, 5 0 b ) に摺動可能に装着する と共に、 鈴直方向に昇降可能に形成し、 上記現像ノズル、 洗浄ノズル又は吸引 - 乾燥ノズ のいずれかを、 移動手段 (6 0 Β ) によって移動又は昇降手段 (6 0
Β ) によって昇降する、 現像処理装置。
2 8 . 被処理基板 (W) を載置するステージと、
上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との間に液膜 形成用の隙間 (3 0 ) を形成する平板 (2 0 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ現像液 (D) を供給するこ とにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成 する現像ノズル ( 4 0 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ処理に供された 像液を吸 引する第一の吸引ノズル (9 6 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ洗浄液 (D I W) を供給す る洗浄ノズル (7 0 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ上記被処理基板に付着した 洗浄液を吸引する第二の吸引ノズル (9 7 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ乾燥流体を噴射して上記被 処理基板に付着した現像液及び洗浄液を除去する乾燥ノズル (8 0 ) と、 を具備する現像処理装置。
2 9 . 被処理基板 (W) を載置するステージと、
上記ステージと平行に対向してステージに載置される被処理基板との間に,液膜 形成用の隙間 (3 0 ) を形成する平板 (2 0 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動,しつつ現像液 (D) を供給するこ とにより、 隙間内に現像液を充満させて被処理基板の表面に現像液の液膜を形成 する現像ノズル (4 0 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ処理に供された現像液を吸 引する第一の吸引ノズル.(9 6 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ洗浄液 (D I W) を供給す る洗浄ノス'ノレ (7 0 ) と、
上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ上記被処理基板に付着した 洗浄液を吸引すると共に、.周囲の空気を吸引して被処理基板に付着した現像液及 び洗浄液を除去する吸引■乾燥ノズル (7 0 0 ) と、
を具備する現像処理装置。
3 0 . 被処理基板 (W) と液膜形成用平板 ( 1 0 2 0 ) 'とを互いに平行に所定の 隙間 (1 0 3 0 ) をあけて対向させる工程と、
少なくとも軸方向に沿う複数の小孔 (1 0 4 1 ) を有する管状の現像液供給ノ ズル (1 0 4 0 ) を、 上記隙間の一側端から他側端に向かって移動しつつ小孔か ら隙間内に現像液 (D) を供給することにより、 上記隙間内に現像液を充満させ て上記被処理基板の表面に現像液の液膜を形成する工程とを備えた、 現像処理方 法。.
3 1 . 請求項 3 0記載の現像処理方法において、
上記現像液供給ノズルの複数個を間隔をおいて隙間内に移動させつつ各現像液 供給ノズルの小孔から現像液を供給する、 現像処理方法。
3 2 . 請求項 3 0記載の現像処理方法において、
上記現像液供給ノズルにおける移動方向の後方側に突設された翼片(1 0 8 0 ) により、 供給された現像液の乱流を抑制する、 現像処理方法。
33. 請求項 32記載の現像処理方法において、
上記翼片を突設する現像液供給ノズルを移動方向と交差する方向に間隔をおい て 2個並設して、 隙間内を移動させつつ各現像液供給ノズノレの小孔から現像液を 供給する、 現 ί象処理方法。
34. 請求項 30記載の現像処理方法において、
上記現像液供給ノズルを移動しつつノズルの周方向に回転させる、 現像処 a方 法。
35. 請求項 30に記載の現像処理方法において、
上記液膜形成用平板が被処理基板である、 現像処理方法。
36. 被処理基板 (W) を载置する载置台 (1010) と、
上記載置台の上方に対向して配設され、 載置台に载置された被処理基板との間 に所定の隙間 (1030) を形成する液膜形成用平板 (1020) と、
少なくとも軸方向に沿う複数の小孔を有する管状の現像液供給ノズル (104 0) と、
上記現像液供給ノズルを、 上記隙間の一側端から他側端に向かつて移動するノ ズル移動手段 (1060) と、 を具備する現像処 a装置。'
37. 請求項 36記載の現像処理装置において、
上記現像液供給ノズルは、 互いに間隔をおいて隙間 を移動する複数個のノズ ルである、 現像処理装置。
38. 請求項 36記載の現像処理装置【こおいて、
上記現像液供給ノズルは、 該ノズルの移動方向の後方側に翼片 (1080) を 突設してなる、 現像処理装置。
39. 請求項 38記載の現像処理装置において、
上記翼片を突設する現像液供給ノズルを、 該ノズルの移動方向と交差する方向 に間隔をおいて 2個並設してなる、 現像処理装置。
40. 請求項 36記載の現像処理装置において、
上記現像液供給ノズルを、 移動及び同方向に回転可能に形成してなる、 現像処
41. 請求項 36に記載の現像処理装置において、
上記液膜形成用平板が被処理基板である、 現像処理装置。
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