WO2004073052A1 - 露光装置及び露光装置用光学部材 - Google Patents

露光装置及び露光装置用光学部材 Download PDF

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WO2004073052A1
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quartz glass
pulse
synthetic quartz
light
exposure apparatus
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Masafumi Mizuguchi
Norio Komine
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Nikon Corporation
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Definitions

  • Exposure equipment and optical members for exposure equipment are exposed equipment and optical members for exposure equipment
  • the present invention relates to an optical member such as a lens and a mirror used in a specific wavelength band of 300 nm or less in an excimer laser lithography technique, and an exposure apparatus using the same.
  • the projection optical system used in this device is required to have a large exposure area and a high resolution over the entire exposure area with the increase in integration of integrated circuits.
  • NA numerical aperture
  • a KrF (248 nm) excimer laser is mainly used as the light source of the exposure apparatus, and the wavelength of the ArF excimer laser, which is a deep ultraviolet ray, is being shortened with the aim of achieving higher resolution. ing.
  • the first is a decrease in internal transmittance due to the generation of internal defects (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-259925), and the second is a change in refractive index due to a change in volume such as compaction and etaspansion.
  • the third is a change in the surface state such as rupture or contamination of the optical thin film (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-142022). Kaihei 1 1—5 2 102 2).
  • This micro-channel phenomenon occurs due to continuous irradiation for a very long time even under a low energy density in the practical range under the normal use conditions of the exposure apparatus, so measures must be taken to prevent mechanical damage due to this phenomenon.
  • an object of the present invention is to provide an optical member and an exposure apparatus that can suppress the generation of microchannels.
  • an object of the present invention is to provide an optical member and an exposure apparatus that can suppress the generation of microchannels.
  • the present inventors irradiate pulsed KrF and ArF excimer laser light to various optical members made of synthetic quartz glass, quartz single crystal, calcium fluoride single crystal, etc., to actually generate microchannels. Therefore, the conditions of occurrence were examined.
  • the cause of the microchannel was self-condensation due to the change in the refractive index, which is a characteristic phenomenon of synthetic quartz. That is, when the synthetic quartz glass is irradiated with the laser light, a change in the refractive index accompanied by compaction occurs. As this irradiation is repeated, a small amount of change in the refractive index is accumulated, and remains in the optical member as a large refractive index distribution. As a result, the light is bent to a higher refractive index, and the irradiated light is gradually self-collected near the back surface of the optical member. Finally, near the back surface, the energy density of the irradiated light becomes strong enough to exceed the breakdown threshold of the optical member.
  • Fig. 1 is a graph showing the relationship between the energy density I per pulse and the number N of microchannel pulses generated when a synthetic quartz glass sample is irradiated with excimer laser light.
  • Samples used for the irradiation experiment 1100P a 0H group P m, 2 X 10 18 cells ZCM 3 synthetic quartz glass containing hydrogen molecules, cut to the size of the diameter 30Mtn, thickness LOram, surface diameter 30 ⁇ Was prepared by optical polishing on both sides.
  • a 5 mm diameter KrF excimer laser beam or ArF excimer laser beam regulated by an aperture was directly irradiated onto the sample from a light source without passing through optical components such as a lens and a homogenizer.
  • the energy density per pulse of the laser beam was adjusted by changing the discharge voltage, and the value was measured by arranging a gauge at the sample position.
  • the sample was placed inside an aluminum box and the atmosphere in the box was replaced with dry nitrogen gas.
  • the laser beam was irradiated with a predetermined pulse of laser light while fixing the energy density of the laser beam.
  • the pulse width ⁇ of the laser beam is 20 ns for both KrF and ArF excimer lasers.
  • the presence or absence of the microchannel was confirmed visually by illuminating the sample with light from a condensing lamp.
  • FIG. 1 a straight line. Is a KrF excimer laser beam, straight line A. Shows the correlation for ArF excimer laser light. These lines are the microchannel generation threshold Represents a straight line K 1 C) ,. Microchannels did not occur in the region on the left.
  • the microchannel is related to the refractive index change ⁇ n of the synthetic quartz glass.
  • is 20 ppm for KrF excimer laser light and 2 ppm for ArF excimer laser light, the microchannel becomes Occurred.
  • the microchannel generation threshold was considered to be correlated with the sample thickness, so the following experiment was performed to investigate the dependence.
  • Synthetic quartz glass containing 1100 ppm of 0H groups and 2 x 10 18 hydrogen molecules (Zcm 3 ) was changed to 15 x 15 square and thickness within the range of 30 mm to 100 mm, and multiple rectangular parallelepipeds were cut out and 15 x 15 m
  • the m-side surface was optically polished on both sides to obtain a sample.
  • the sample was irradiated with ArF excimer laser light at an energy density of 20 mJ ⁇ cm- 2 pulse- 1 to determine the microchannel generation threshold. The result is shown in figure 2.
  • microchannels are more likely to be generated as the optical members are thicker, and that the number of pulses N generated by the microchannels is inversely proportional to the thickness L of the 1.7th power. .
  • ⁇ due to compaction is inversely proportional to the pulse width (see Applied Optics, 1999, Vol. 38, ⁇ ⁇ 5785-5788). (cm), energy density per pulse of the irradiated pulse light I (mj ⁇ cm " 2 ⁇ pulse” 1 ), pulse width of the pulse light (ns), and number of generated pulses in the microphone opening channel N (pulse) Succeeded in deriving an expression that expresses the correlation with. You That is, about KrF laser light,
  • N 4 X 10 8 X and I -2 L -L 7
  • optical members used for pulsed light with a wavelength of 300 nm or less including KrF laser light for optical members used for pulsed light with a wavelength of 300 nm or less including KrF laser light,
  • optical members used for pulsed light having a wavelength of 200 nm or less including ArF laser light having a wavelength of 200 nm or less including ArF laser light
  • the present invention provides the following exposure apparatus as means for suppressing the generation of micro channels.
  • An exposure apparatus having a light source that emits pulsed light having a wavelength of 300 nm or less, and exposing an object to be exposed by transmitting the pulsed light through a plurality of optical members to irradiate the object. At least one of them is a synthetic quartz glass member, and the thickness of the synthetic quartz glass member and the pulsed light intensity applied to the synthetic quartz glass member.
  • An exposure apparatus characterized in that the energy density per pulse and the pulse width of the pulse light satisfy the following expression (1).
  • L is the thickness (unit: cm) of the synthetic quartz glass member
  • I is the energy density per pulse of the pulse light applied to the synthetic quartz glass member (unit: tnjjcm— 2.
  • pulse— and ⁇ indicate the pulse width (unit: ns) of the pulse light.
  • the wavelength of the pulse light is 200 nm or less, the thickness of the synthetic quartz glass member, and the laser beam irradiated on the synthetic quartz glass member.
  • L is the thickness (unit: cm) of the synthetic quartz glass member
  • I is the energy density per pulse of the pulse light applied to the synthetic quartz glass member (unit: mj • cm— 2 ⁇ pul se— and ⁇ indicate the pulse width (unit: ns) of the pulsed light.
  • the present inventors have continued to study the correlation between the composition and various physical properties of the optical member and the microchannel phenomenon, and have made the following invention as a means for suppressing the generation of microchannels.
  • An exposure apparatus comprising: a light source that emits pulsed light having a wavelength of 300 mn or less, and exposing an object to be exposed by transmitting the pulsed light through a plurality of optical members and irradiating the plurality of optical members.
  • the energy density per pulse is lmj ⁇ cm ” 2 -pu lse—The member irradiated with one or more pulsed lights is at least selected from the group consisting of quartz single crystal, aluminum oxide single crystal, calcium fluoride single crystal, magnesium fluoride single crystal, and anhydrous fluorine doped quartz glass.
  • An exposure apparatus comprising one type.
  • the energy density per pulse is 30mJ ⁇ cm- 2 ⁇ pulse- 1 of the ArF excimer laser beam 1 X 1 0 7 pulse irradiation refractive index variation to be measured at a wavelength of 633nm when the exposure apparatus, characterized in that at most 3 P pm.
  • An exposure apparatus that has a light source that emits ultraviolet light having a wavelength of 300 nm or less, and that exposes an object to be exposed by irradiating the ultraviolet light through a plurality of optical members. At least one is a synthetic quartz glass member, and the striae of the optical member arranged on the light source side of the synthetic glass member is determined by the evaluation based on the Japan Optical Glass Industry Association Standard (J0GIS) 11-1975.
  • An exposure apparatus characterized by being a class 3 or class 3.
  • the light source emits ultraviolet pulsed light having a wavelength of 300 nm or less
  • at least one of the plurality of optical members is a synthetic quartz glass member, and is disposed closer to the light source than the synthetic quartz glass member.
  • the exposure apparatus according to ⁇ 1>, wherein the striae of the optical member is a first to third grade in an evaluation based on the Japan Optical Glass Industry Standard (J0GIS) 11-1975.
  • An exposure apparatus having a light source that emits ultraviolet light having a wavelength of 300 M1 or less, and exposing an object to be exposed by transmitting the ultraviolet light through a plurality of optical members to irradiate the object. At least one of which is a synthetic quartz glass member, and has a size force S1 ⁇ m or less of foreign matter and bubbles contained in an optical member disposed closer to the light source than the synthetic quartz glass member; .
  • the light source emits ultraviolet pulsed light having a wavelength of 300 nm or less, and at least one of the plurality of optical members is a synthetic quartz glass member.
  • the present inventors also studied the relationship between the pulse light beam quality and the microchannel, and obtained the following findings.
  • Figure 3 shows a schematic diagram of a differential interference microscope image of the microchannel on the back surface of the sample.
  • the symbol * in the figure indicates a microchannel, and the symbol m indicates three linearly extending grooves. Each groove m was formed substantially parallel, and the interval between them was about 0.1 lrnm.
  • the microchannel was generated near the boundary between the irradiated part and the non-irradiated part, and was generated along the groove m with an interval of about 0.1 mm.
  • the energy density of the layered structure of about 0.1 mm was uneven, and there was a locally high energy density part.
  • the unevenness of the energy density was measured, the difference between the top and the bottom of the unevenness was about 5% of the average energy density.
  • the grooves m at intervals of 0.1 mm on the back surface of the sample are based on the uneven energy density of the excimer laser light, and microchannels are generated along the grooves m. This can be presumed to be due to the fact that, as shown in Fig. 3, there is a very fine and sharp energy density uneven structure, which may have enhanced the generation of microchannels.
  • the location where the microchannel is generated is a location where the energy density is high.
  • the laser beam with a non-uniform energy density was generated even inside the member.
  • An exposure apparatus comprising: a light source that emits ultraviolet light having a wavelength of 300 nm or less, and exposing an object to be exposed by irradiating the ultraviolet light through a plurality of optical members. At least one is a synthetic quartz glass member, and the ultraviolet light applied to the synthetic quartz glass member has a width between adjacent peaks of uneven energy density in a plane perpendicular to the optical axis larger than 0.Iran, and An exposure apparatus, wherein a difference between a top and a bottom of the energy density is 5% or less of an average energy density.
  • the light source emits ultraviolet pulsed light having a wavelength of 300 nm or less
  • at least one of the plurality of optical members is a synthetic quartz glass member
  • the ultraviolet light applied to the synthetic quartz glass member is Is that the width between adjacent tops of the energy density unevenness in a plane perpendicular to the optical axis is wider than 0.1 nm, and the difference between the energy density top and bottom is 5% or less of the average energy density.
  • a light source that emits ultraviolet light having a wavelength of 300 nm or less, and a homogenizer that reduces uneven energy density in a plane perpendicular to the optical axis of the ultraviolet light, and irradiates the ultraviolet light by transmitting the light through a plurality of optical members.
  • An exposure apparatus for exposing an object to be exposed wherein at least one of the plurality of optical members is a synthetic quartz glass member, and the synthetic quartz glass member and all of the members are arranged closest to a light source.
  • An exposure apparatus wherein the exposure apparatus is disposed closer to an object to be exposed than a homogenizer.
  • the light source emits ultraviolet pulsed light having a wavelength of 300 nm or less, and further includes a homogenizer that reduces uneven energy density in a plane perpendicular to the optical axis of the ultraviolet light.
  • At least one of the optical members is a synthetic quartz glass member, and all of the synthetic quartz glass members are arranged closer to the object to be exposed than the homogenizer arranged closest to the light source.
  • Optical system of an exposure system that exposes an object to be exposed with pulsed light with a wavelength of 300 nm or less.
  • the thickness of the synthetic quartz glass member, the energy density per pulse of the pulse light applied to the synthetic quartz glass member, and the pulse width of the pulse light are:
  • a synthetic quartz glass member for an exposure apparatus characterized by satisfying the following expression (3).
  • L is the thickness of the synthetic quartz glass member (unit: cm)
  • I is the energy density per pulse of the pulse light applied to the synthetic quartz glass member (unit: mj • cm ”) 2 ⁇ pulse -1 )
  • indicates the pulse width (unit: ns) of the pulse light.
  • the wavelength of the pulse light is 200 nm or less, the thickness of the synthetic quartz glass member, and the pulse of the pulse light applied to the synthetic quartz glass member.
  • L is the thickness (unit: cm) of the synthetic quartz glass member
  • I is the energy density per pulse of the pulse light applied to the synthetic quartz glass member (unit: rajjcm— 2.
  • pulse -1 ⁇ indicates the pulse width (unit: ns) of the pulse light.
  • ⁇ 13> An exposure method for projecting and exposing an image of a pattern provided on an original onto a substrate having a photosensitive material, wherein ⁇ 1> to ⁇ 10>, ⁇ 7-1>, and ⁇ 8-1. >, ⁇ 9_1>, and ⁇ 10-1>.
  • the thickness of the synthetic quartz glass member, the pulse width of the pulse light applied to the synthetic quartz glass member, and the energy density per pulse Is defined as a specific function, it is possible to suppress the occurrence of microchannels on the surface of the synthetic quartz glass member on the side of the object to be exposed at the time of ultraviolet irradiation. Therefore, when exposing the object to be exposed, mechanical damage to the synthetic quartz glass member Can be prevented and the life of the exposure apparatus can be improved.
  • the synthetic quartz glass member described in ⁇ 1> or ⁇ 2> is more than half of all synthetic quartz glass members, The life of the exposure apparatus can be improved.
  • a plurality of optical members irradiated with ultraviolet light having an energy density of a predetermined amount or more can be converted into a single crystal or anhydrous fluorine-doped quartz glass capable of suppressing generation of microchannels.
  • the formation of microchannels can suppress the generation of microchannels and extend the life of the exposure apparatus.
  • a plurality of optical members irradiated with ultraviolet rays having an energy density equal to or more than a predetermined amount are irradiated with an energy density per pulse of 30 mJ ⁇ cm- 2 and pulse- 1 .
  • the refractive index variation to be measured at a wavelength of 633 nm when the ArF excimer laser beam was IX 10 7 pulse irradiation is formed in the anhydrous fluorine-doped quartz glass is 3ppm or less, it is possible to suppress the generation of micro-channels, an exposure device The life of the battery can be improved.
  • the stria of the optical member disposed closer to the light source than the synthetic quartz glass member can be inspected according to the Japan Optical Glass Industry Association standard (J0GIS).
  • J0GIS Japan Optical Glass Industry Association standard
  • the range of 1st to 3rd grade was set, so when pulsed light passes through the synthetic quartz glass member, the striae of the member causes the energy of light that causes the generation of microchannels. It does not generate uneven density. Therefore, the optical member on the side of the object to be exposed from the synthetic quartz glass member is not irradiated with pulsed light containing uneven energy density, the generation of microchannels is suppressed, and the life of the exposure apparatus is further improved. be able to.
  • the size of foreign matter or bubbles contained in the optical member disposed closer to the light source than the synthetic quartz glass member is 1 ⁇ m. Since it is ⁇ or less, when the panoramic light passes through, it does not generate unevenness in the energy density of the light, which causes the generation of microchannels. And the life of the exposure apparatus can be further improved.
  • the exposure apparatus of the present invention described in ⁇ 9> and ⁇ 9-1> since the energy density unevenness of the pulsed light is reduced to a predetermined range, a minute and large change which is likely to cause a microchannel is generated. There is no uneven energy density, and the generation of a microphone opening channel can be suppressed to extend the life of the exposure apparatus.
  • all of the synthetic quartz glass members are arranged closer to the object to be exposed than the homogenizer arranged closest to the light source. Therefore, it is possible to irradiate the synthetic quartz member with ultraviolet rays having reduced energy density unevenness, which causes the generation of a microphone channel, thereby suppressing the generation of microchannels and extending the life of the exposure apparatus. it can.
  • FIG. 1 is a graph showing the correlation between the irradiation energy density and the number of generated microchannel pulses.
  • FIG. 2 is a graph showing the correlation between the thickness of the optical member and the number of microchannel generated pulses.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a differential interference microscope image of the microchannel.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to another preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 shows an exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • ultraviolet light having a wavelength of 300 nm or less emitted from a light source 1 is converted into a parallel light beam by a light beam shaping optical system 3 in which a plurality of lenses 2 are arranged, and is provided with a diffraction grating 4a, a lens 4b, and the like.
  • the homogenizer 5 corrects the deviation of the luminous flux and reduces the unevenness of the energy density, and irradiates the mask 11 via the integrator 7 such as a fly-eye lens and the condenser lens 9, and then includes a number of lenses 12.
  • the exposure shape such as the circuit pattern of the mask 11 is transferred to the object 15 such as a wafer through the projection optical system 13.
  • the light source 1 emits pulsed light having a wavelength of 300 nm or less, such as KrF excimer laser light, or pulsed light having a wavelength of 200 nm or less, such as ArF excimer laser light.
  • the integrator 7 such as a fly-eye lens acts alone as a homogenizer.
  • synthetic quartz glass members made of synthetic quartz glass are used for some or all of a large number of optical members such as lenses 2, 4b, 7, 9, 12 and diffraction grating 4a. ing. In this embodiment, the generation of the microphone opening channel of such a synthetic quartz glass member is suppressed.
  • the thickness of the synthetic quartz glass member, the energy density per pulse of the pulse light applied to the synthetic quartz glass member, and the pulse width of the pulse light are formed so as to satisfy the following expression (1).
  • the exposure apparatus be formed so as to satisfy the following expression (2).
  • L is the thickness of the synthetic quartz glass member (unit: C m)
  • the energy density per pulse of the pulsed light I is irradiated to the synthetic quartz glass member (Unit: mj ⁇ cm— 2 'pulse)
  • indicates the pulse width (unit: ns) of the pulsed light.
  • the thickness of the synthetic quartz glass member is a thickness measured along the optical axis of the synthetic quartz glass member, the center thickness when the thickness of the convex lens is uneven, and the thickness when the lens is concave. It is between the outer edges. In the case of a meniscus lens, the value is measured along the optical axis between the center of the convex surface and the outer edge of the concave surface.
  • the present invention does not require that all the synthetic quartz glass members constituting the exposure apparatus satisfy the above relational expressions.
  • a member such as a lens 2 immediately after the light source, on which a beam of extremely high energy density is incident
  • the thickness L of the member becomes extremely small even if the above formula is applied to prevent microchannels. It is difficult in practice. Therefore, when such a member is composed of a synthetic quartz glass member, it is expected that microchannels will be generated relatively early and that measures such as replacement of components will be required.
  • the ratio of the member to the entire optical system is very small. Therefore, if the other members satisfy the above relational expression, the effect of suppressing the microchannel on the entire exposure apparatus is not significantly impaired.
  • the number of the synthetic quartz glass members satisfying the relationship of the above-mentioned formula (1) is at least one half or more of the total number of the synthetic quartz glass members constituting the exposure apparatus, and in particular, the wavelength of 20 Omn or less.
  • the number of synthetic quartz glass members satisfying the relationship of the above-mentioned formula (2) is one half or more. Further, as described below, such a problem does not occur if the member on which the light beam having a high energy density is incident is made of anhydrous fluorine-doped quartz glass or a crystalline material.
  • Microchannels are thought to be generated by the accumulation of compaction, but when synthetic quartz glass is used as the material for optical components, compaction cannot be avoided. Therefore, the energy density of ultraviolet light is high in regions where the energy density per pulse of the pulsed light applied to the optical member is lmj ⁇ cm— 2 ⁇ pulse In one or more regions, it is also preferable to use a material that does not easily cause compaction as the optical member. This is because the generation of the microphone opening channel can be suppressed by selecting the material of the optical member.
  • Examples of the material of the optical member disposed in the region irradiated with the pulsed light having such energy density include anhydrous fluorine-doped quartz glass and a crystal material made of a single crystal.
  • anhydrous fluorine-doped quartz glass As the anhydrous fluorine-doped quartz glass, an ArF excimer laser energy density 30 mj ⁇ cm "2 ⁇ pulse -1 per pulse was irradiated IX 10 7 Panoresu, refractive index variation to be measured at a wavelength of 633nm at the front and back It is preferable to use one having a concentration of 3 ppm or less, and such an anhydrous fluorine-doped quartz glass can easily suppress the microchannel phenomenon.
  • the crystal material is selected from the group consisting of quartz single crystal, aluminum oxide single crystal, calcium fluoride single crystal, magnesium fluoride single crystal and the like, used alone or in combination of two or more. can do.
  • the use of such a crystalline material can more reliably suppress the microchannel phenomenon.
  • very high area energy density per pulse for example, in a region where 10 ⁇ 100mJ ⁇ c m- 2 ⁇ pulse- 1 order of pulse light is irradiated using a crystalline material, l ⁇ 10mj - cm one 2 -It is possible to use a glass material such as anhydrous fluorine-doped quartz glass with a small amount of compaction in the region of aboutinstall e- 1 .
  • the irradiated light has a minute energy density distribution, and when there is uneven energy density, a microchannel is likely to be generated. Therefore, in an exposure apparatus in which a plurality of optical members are arranged, it is preferable to reduce uneven energy density in a direction orthogonal to the optical axis of light applied to the optical members.
  • the width between the tops of the energy density unevenness is wider than 0.1 lmm in the ultraviolet light applied to the optical member to prevent the generation of the microchannel,
  • the homogenizer 5 it is preferable to arrange the homogenizer 5 to reduce the uneven energy density. It is preferable not to dispose a synthetic quartz glass member between the light source 1 and the homogenizer 5 disposed closest to the light source 1, for example, in the light flux rectifying optical system 3.
  • the ultraviolet light emitted from the light source 1 or the ultraviolet light emitted through the homogenizer 5 or the like has a small energy density
  • striae exist when passing through each optical member.
  • light having transmitted through the optical member has uneven energy density.
  • an optical member having a first to third-grade stria in Japanese Optical Glass Industry Standard (J0GIS) 11-1975. It is also preferable that the size of foreign matter and bubbles contained in the powder be 1 ⁇ or less.
  • J0GIS Optical Glass Industrial Standard
  • layered Inhomogeneity is a pinhole light projection image that is slightly visible.
  • the present invention exposes the reticle pattern by synchronously moving the reticle and the wafer.
  • Step of illuminating Scanning projection exposure apparatus of 'and' scan method (US Pat. No. 5,473,410), not only so-called scanning stepper, but also exposing the reticle pattern while the reticle and wafer are stationary
  • the present invention can also be applied to a step-and-repeat type exposure apparatus (stepper) that sequentially moves a wafer.
  • the present invention is also applicable to a twin-stage type exposure apparatus.
  • the structure and exposure operation of a twin-stage type exposure apparatus are described, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 10-163099 and 10-214783 (corresponding to US Pat. Nos. 6,341,007, 6,400,441, 6,549). , No. 269 and 6,590,634), Table 2000-505958 (corresponding US Patent 5,969,441) or US Patent 6,20
  • the present invention provides a liquid immersion exposure apparatus that locally fills a liquid between a projection optical system and an object to be exposed, and a liquid immersion exposure apparatus that moves a stage holding a substrate to be exposed in a liquid tank.
  • the present invention can be applied to a liquid immersion exposure apparatus in which a liquid tank having a predetermined depth is formed on a stage and a substrate is held therein.
  • the structure and exposure operation of an immersion exposure apparatus for moving a stage holding a substrate to be exposed in a liquid tank are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-124873.
  • An immersion exposure apparatus for forming and holding a substrate therein is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-303114 and US Pat. No. 5,825,043.
  • the exposure apparatus of the present invention has the following features: 1> to ⁇ 10>, ⁇ 7-1>
  • the fluorine-de-loop quartz glass anhydride has a refractive index variation to be measured at a wavelength of 633mn when the ArF excimer laser beam energy density 3030mJ ⁇ cm- 2 ⁇ pulse- 1 1 X 10 7 and pulse irradiation is 3ppm or less It was.
  • the sample was directly irradiated with a KrF excimer laser beam or ArF excimer laser beam having a diameter of 5 regulated by an aperture from a light source without passing through an optical component such as a lens or a homogenizer.
  • the energy density per pulse of laser light was adjusted by changing the discharge voltage, and the value was measured by placing a Joule meter at the sample position.
  • the sample was placed inside an aluminum box, and the atmosphere inside the box was replaced with dry nitrogen gas. We fixed the energy density of the laser beam and continued to irradiate the laser beam until a microchannel was generated.
  • the pulse width ⁇ of the excimer laser is 2 Ons for both KrF and ArF excimer lasers. The presence or absence of the microphone opening channel was checked visually by illuminating the sample with light from a condensing lamp.
  • Example 1 A sample with a thickness of 10 mm was cut out, and a surface with a diameter of 30 mm was optically polished on both sides to prepare a sample.
  • This sample was irradiated with a KrF or ArF excimer laser beam having passed through a homogenizer while controlling the diameter to 5 mm with an aperture. Microchannel generation was observed in the same procedure as in Example 1 below.
  • a synthetic quartz glass containing 1100 ppm of 0H groups and 2 ⁇ 10 12 hydrogen molecules Zcm 2 was cut into a size of 30 mm in diameter and 10 mm in thickness, and a surface with a diameter of 30 mm was optically polished on both sides to prepare a sample.
  • a quartz glass member of class 1 to class 4 according to J0GIS-11-1975 was placed between this sample and the light source, and irradiation was performed in the same manner as in Example 1 to compare the number of pulses generated by the microchannel. .
  • Example 4 A sample prepared in the same manner as in Example 3 was used, and synthetic quartz glass free of bubbles and foreign matter was placed between the sample and the aperture, and a mixture of foreign matter or bubbles of about 1 ⁇ was mixed. The case where quartz glass was arranged was compared. Irradiation conditions were the same as in Example 1.
  • the number of microchannel-generated pulses is reduced to 1/20 when synthetic quartz glass containing foreign substances or bubbles is placed, compared to when synthetic quartz glass containing no bubbles and foreign substances is placed. did.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram of the exposure apparatus 101 manufactured in this example.
  • the exposure apparatus main body 102 is housed in the chamber 106, and is controlled so that the temperature is kept constant.
  • the laser beam that has passed through the light transmission window 105 is shaped into a laser beam having a predetermined cross-sectional shape by the beam shaping optical system 107, and a plurality of laser beams having different transmittances (light reduction rates) provided on the turret plate TP are provided.
  • the ND filters ND 1 in FIG. 5
  • the light is reflected by a reflecting mirror 108 and guided to a fly-eye lens 109 as a homogenizer (integrator).
  • the fly-eye lens 109 is formed by bundling a large number of lens elements, and a plurality of light source images (secondary light sources) corresponding to the number of lens elements constituting the lens element are provided on the emission surface side of the lens element. ) Is formed.
  • a turret plate 112 having a plurality of aperture stops having different shapes and sizes from each other is provided.
  • the turret plate 1 1 2 is driven to rotate by a motor 1 13, and one of the aperture stops is selected according to the pattern of the reticle R to be transferred onto the wafer W, and the illumination optical system is selected.
  • the turret plate 112 and the motor 113 constitute a variable aperture stop for an illumination system.
  • the light beam from the secondary light source formed by the fly-eye lens 109 passes through the variable aperture stop of the turret plate 112 and is split by the beam splitter 114 into two optical paths.
  • the light transmitted through the beam splitter 1 14 passes through a relay lens 17, a variable field stop 1 10 that defines a rectangular aperture, and a relay lens 18, and is reflected by a reflection mirror 19, and then reflected by a plurality of light sources.
  • the light is condensed by a condenser optical system 20 composed of a refractive optical element such as a lens. Thereby, the illumination area on the reticle R defined by the aperture of the variable field stop 110 is superimposed and substantially uniformly illuminated.
  • an image of the circuit pattern on the reticle R is formed on the wafer W, which is the object to be exposed, by the projection optical system 111, and the resist applied on the wafer W is exposed to light, and the circuit pattern is formed on the wafer W.
  • the pattern image is transferred.
  • a plurality of optical members are arranged in the illumination optical system and the projection optical system, and at least one of them is made of synthetic quartz glass.
  • the relay lens 18 is made of synthetic quartz glass, the center thickness L of which is 5 cm, and the incident energy density I is 6 mj ⁇ cm ⁇ 2.
  • the incident energy density I to the relay lens 18 is a value when an ND filter having the highest transmittance among the ND filters on the target plate TP is selected. If you select an ND filter with a lower transmittance than this, a relay lens Since the incident energy density I on 18 also decreases, the above condition is still satisfied regardless of which ND filter is selected.
  • the beam shaping optical system 107 and the turret plate TP which are arranged between the KrF excimer laser light source 103 and the fly-eye lens 109,
  • Each of the ND filter and the reflection mirror 108 is made of a member (such as a single crystal of calcium fluoride) other than synthetic quartz glass. Therefore, in the exposure apparatus 101 of the present embodiment, all of the synthetic quartz glass members have a larger wafer W (W) than the fly-eye lens 109 which is the homogenizer closest to the KrF excimer laser beam ⁇ 1103. The light irradiated to the synthetic quartz glass member had been homogenized sufficiently by a homogenizer.
  • all of the optical members constituting the exposure apparatus 101 of the present embodiment are made of a material having a first-class striae in the evaluation based on J0GISU-1475 and containing no foreign matter and bubbles exceeding 1 m. Thus, the occurrence of uneven energy density in light passing through the optical member was sufficiently suppressed.
  • the light incident on the synthetic quartz glass member has a width between adjacent peaks of uneven energy density in a plane perpendicular to the optical axis wider than 0.1 mm. And the difference between the top and bottom of the energy density was limited to less than 5% of the average energy density. Therefore, in the synthetic quartz glass member constituting the exposure apparatus 101 of the present embodiment, generation of microchannels due to uneven energy density was sufficiently suppressed, and the exposure apparatus 101 of the present embodiment was stable for a long time. It was confirmed that the exposure performance was maintained.
  • a glass plate for a liquid crystal display device instead of the wafer W in this embodiment, a glass plate for a liquid crystal display device, a ceramic wafer for a thin-film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus (synthetic quartz, silicon wafer), etc. It is also possible to apply.
  • the application of the exposure apparatus 101 is limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacturing. For example, it is widely used in exposure equipment for liquid crystal, which exposes a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, and in exposure equipment for manufacturing thin-film magnetic heads, imaging devices (CCD), reticle R, etc. Applicable.
  • the generation of microchannels in the optical member during the irradiation of ultraviolet light (pulse light) is sufficiently suppressed, and the mechanical operation of the optical member when exposing the object to be exposed is performed.
  • the life of the exposure apparatus can be improved by preventing damage to the target.
  • the generation of microchannels at the time of irradiation with ultraviolet rays (pulse light) is sufficiently suppressed, and the life of an exposure apparatus using the member can be improved.
  • the exposure method of the present invention it is possible to sufficiently suppress the generation of microchannels in the optical member and maintain stable exposure characteristics for a long time.

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Abstract

 複数の光学部材2、4a、4b、6、7、9、12を透過させて300nm以下の波長のパルス光を照射することにより被露光物15を露光する露光装置であって、複数の光学部材2、4a、4b、6、7、9、12のうちの少なくとも一つが合成石英ガラス部材からなり、該合成石英ガラス部材の厚さと、パルス光のパルス当たりのエネルギー密度と、パルス幅とが、τI-2L-1.7≧0.02(ns・mJ-2 ・cm2.3・pulse2)(Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ(単位:cm)、Iはパルス当たりのエネルギー密度(単位:mJ・cm-2・pulse-1)、τはパルス幅(単位:ns))の式を満足するように構成した。

Description

明糸田書
露光装置及び露光装置用光学部材 技術分野
この発明は、 エキシマレーザリソグラフィ技術において、 300nm以下の特定波 長帯域で使用されるレンズやミラー等の光学部材とそれを用いた露光装置に関 する。
背景技術
IC、 LSI等の集積回路のパターン転写には、 主に縮小投影露光装置または光リ ソグラフィ装置が用いられている。 この装置に用いられる投影光学系には、 集積 回路の高集積化に伴い、 広い露光領域と、 その露光領域全体にわたっての高い解 像度が要求される。 投影光学系の解像度をより向上するには、 露光波長をより短 くしたり、 投影光学系の開口数 (NA)を大きくすることが考えられる。 露光装置の 光源には、 現在では、 主に KrF (248nm)エキシマレーザが用いられており、 更なる 高解像度化を目指して、 深紫外光線である ArFエキシマレーザへの短波長化が進 められている。
従来のエキシマレーザリソグラフィ技術における知見では、 光学部材の損傷は 主に 3つに大別されていた。 1つ目は内部欠陥の生成による内部透過率の低下 ( 特開平 8— 2 5 9 2 5 5号公報参照)、 2つ目はコンパクションゃエタスパンジ ョン等の体積変化に伴う屈折率変化 (特表 2 0 0 0— 5 1 7 2 8 4号公報参照) 、 3つ目は光学薄膜の破壌や汚染といった表面状態の変化 (特開 2 0 0 2— 1 4 2 0 2号公報、 特開平 1 1— 5 2 1 0 2号公報参照) である。
ところが、 最近これらのいずれにも属さない損傷が報告され、 関心を集めた ( E. M. Wright et al. Spatial pattern microchannel formation in fused si lica irradiated by nanosecond ultraviolet pu丄 ses〃, Applied Optics, 1999
, Vol. 38, p. 5785-5788参照)。 これは光学部品の表面から内部に直径数 tnの穴 が形成されるマイクロチャンネル現象であり、 この現象が発生すると、 散乱によ る光学部材の透過率の減少や光学薄膜の破壊が生じ、 光学部材の透過率特性が著 しく減少することが予測されている。
ところが、 マイクロチャンネル現象に関する報告は少なく、 未だに十分な知見 が得られていない。 このマイクロチャンネル現象は次のような性質を有している ことが知られている。
( 1 ) 数 mj■ cm— 2 · pulse— 1のエネルギー密度の ArFエキシマレーザを合成石英ガラ スに パルス程度照射し続けると発生する。
( 2 ) レーザが入射する面ではなく、 裏面で発生する。
( 3 ) レーザの照射部と非照射部の境界付近で発生する。
このマイクロチャンネル現象は露光装置の通常の使用条件下で、 実用域の弱い エネルギー密度においても極めて長時間照射し続けることによつて発生するた め、 この現象による機械的損傷の防止策を施さなければならない。
発明の開示
このマイクロチャンネル現象が発生すると光学部材の透過率特性が著しく減 少するとともに、 不要な散乱光も発生するので、 露光装置の結像性能、 安定性や 寿命が劣化することが予測されるにも拘わらず、 マイクロチャンネル発生の原因 が明確でなく、 その防止手段は知られていない。 そこで、 この発明はマイクロチ ャンネルの発生を抑制できる光学部材及び露光装置を提供することを目的とす る。
このマイクロチャンネル現象が発生すると光学部材の透過率特性が著しく減 少するとともに、 不要な散乱光も発生するので、 露光装置の結像性能、 安定性や 寿命が劣化することが予測されるにも拘わらず、 マイクロチャンネル発生の原因 が明確でなく、 その防止手段は知られていない。 そこで、 この発明はマイクロチ ャンネルの発生を抑制できる光学部材及び露光装置を提供することを目的とす る。 本発明者らは、 パルス光である KrF及び ArFエキシマレーザ光を、 合成石英ガラ ス、 水晶単結晶、 フッ化カルシウム単結晶等からなる各種光学部材に照射し、 実 際にマイクロチヤンネルを発生させることで、 発生の条件を検討した。
その結果、 マイクロチャンネルの発生原因は合成石英の特徴的な現象である屈 折率変化による自己集光であると考えるに至った。 即ち、 合成石英ガラスに前記 レーザ光が照射されると、 コンパクションを伴う屈折率変化が生じる。 この照射 を繰り返すうちに、 小さな屈折率変化量が蓄積され、 大きな屈折率分布として光 学部材に残る。 これにより、 光は屈折率の高い方に曲げられ、 照射光が光学部材 の裏面近くで徐々に自己集光される。 そして、 最後には裏面近くで照射光のエネ ルギー密度が光学部材の破壊閾値を越える強いものになるのである。
図 1はエキシマレーザ光を合成石英ガラス試料に照射した際の、 1パルス当た りのエネルギー密度 Iとマイクロチャンネルの発生パルス数 Nとの関係を表す グラフである。
照射実験に使用した試料は、 0H基を 1100pPm、 水素分子を 2 X 1018個 Zcm3含有し た合成石英ガラスを、 直径 30mtn、 厚さ lOramの大きさに切り出し、 直径 30謹の面を 両面光学研磨して作製した。 ァパーチヤーによつて規制された直径 5mmの KrFェキ シマレ一ザ光または ArFェキシマレーザ光を、 レンズ及びホモジナイザ等の光学 部品を透過させずに、 光源から試料に直接照射した。 レーザ光のパルス当たりの エネルギー密度は放電電圧を変化させることで調節し、 その値は試料の位置にジ ユールメータを配置して測定した。 試料は、 アルミニウム製の箱の内部に配置し 、 乾燥窒素ガスで箱内の雰囲気を置換した。 レーザ光のエネルギー密度を固定し 、 所定パルスのレーザ光を照射した。 レーザ光のパルス幅 τは KrF又は ArFエキシ マレーザともに 20nsである。 マイクロチャンネルの有無は集光灯の光で試料を照 らし、 目視にて確認した。
図 1において、直線 。は KrFエキシマレーザ光、直線 A 。は ArFエキシマレー ザ光に関する相関を示している。 これらの直線はマイクロチャンネルの発生閾値 を表し、直線 K 1 C)、 。より左側の領域ではマイクロチャンネルが発生しなかつ た。
以上の実験結果より、 マイクロチャンネルは照射されるパルス光のパルス当た りのエネルギー密度 Iが高いほど発生し易いことが明らかになった。 そして、 マ イク口チャンネルが発生するパルス数 Nはパルス当たりのエネルギー密度 Iと 相関を有し、 Iの 2乗に反比例して少なくなることが分かった。
なお、 マイクロチヤンネルは合成石英ガラスの屈折率変化 Δ nと関係しており 、 この実験では、 KrFエキシマレーザ光では Δ ηが 20ppm、 ArFエキシマレーザ光で は Δ ηが 2ppmのとき、 マイクロチャンネルが発生した。
次に厚さ 100瞧の試料を用い、 同様に KrFエキシマレーザ光を照射してマイクロ チャンネルの発生閾値を求めた。 その結果を図 1に直線 κ 1 0。として示した。
。と 。。との比較から、 マイクロチャンネルの発生閾値は試料の厚さと相 関があると考えられたので、 その依存性を調べるため次の実験を行った。
0H基を 1100ppm、 水素分子を 2 X 1018個 Zcm3含有した合成石英ガラスを、 15 X 15 瞧角、 厚さを 30mm~100mmの範囲で変更して、 複数の直方体を切り出し、 15 X 15m m角の面を両面光学研磨して試料とした。 この試料に 20mJ■ cm— 2■ pulse-1のェネル ギー密度で ArFエキシマレーザ光を照射し、 マイクロチャンネルの発生閾値を求 めた。 結果を図 2に示す。
実験結果より、 マイクロチャンネルは光学部材が厚いほど発生し易いことが明 らかとなり、 マイクロチャンネルが発生するパルス数 Nは厚さ Lの 1. 7乗に反比 例して少なくなることが分かった。
本発明者らは以上の実験結果に加え、 コンパクションによる Δ ηがパルス幅て に反比例するという報告 (Applied Optics, 1999, Vol. 38, ρ· 5785- 5788参照) から、 光学部材の厚さ L (cm)、 照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー 密度 I (mj■ cm"2■ pulse"1)、 パルス光のパルス幅て (ns)と、 マイク口チャンネル の発生パルス数 N (pulse)との相互関係を表す式を導出することに成功した。 す なわち KrFレーザ光については、
Ν = 5 Χ 10η Χ τ I—2 L一1 ·7
の関係が成立し、 一方 ArFレーザ光については、
N = 4 X 108 X て I -2 L-L 7
の関係が成立することを明らかにしたのである。
合成石英ガラス部材を搭載した現実の露光装置について検討すると、 極めて高 エネルギー密度の光線が入射する一部の部材については定期交換で対応すると 仮定しても、 半導体工場等における一般的な稼動状況および耐用年数を考慮すれ ば、 少なくとも 101()パルス以上、 より好ましくは 1011パルス以上の照射に対して、 マイクロチャンネルを生じないことが望ましい。 そこで上記の関係式の Nに 10w パルスを代入すれば、 露光装置の光学部材として好適な厚さの範囲を特定する関 係式を導くことができる。
すなわち KrFレーザ光を含む波長 300nm以下のパルス光に用いる光学部材に対 しては
て I -2 L— 7 0. 02 (ns · mj"2 ■ cm2' 3■ pulse2)
であり、 また ArFレーザ光を含む波長 200nm以下のパルス光に用いる光学部材に対 しては、
τ I _2 L一1' 7 25 (ns■ mj"2 ■ cm2.3 · pulse2)
であればマイクロチヤンネルを発生することなく、 101。パルスのパルス光を照射 することができる。
以上の実験おょぴ考察に基づき、 本発明はマイクロチャンネルの発生を抑制す る手段として以下の露光装置を提供する。
< 1 > 波長 300nm以下のパルス光を発する光源を有し、 該パルス光を複数の 光学部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であつ て、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該 合成石英ガラス部材の厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射されるパルス光のパ ルス当たりのエネルギー密度と、 該パルス光のパルス幅とが、 下記式 (1 ) を満 たすように構成されたことを特徴とする露光装置。
X I "2 L-L 7≥0. 02 (ns · mj"2 · cm2- 3■ pulse2) ■ · ( 1 )
(式 (1 ) 中、 Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ (単位: cm)、 Iは該合成石 英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位: tnj ■ cm— 2 . pulse— 、 τは該パルス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
< 2 > < 1 >に記載の構成に加え、 前記パルス光の波長が 200nm以下であつ て、 前記合成石英ガラス部材の厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射される前記 ノ、。ルス光のパルス当たりのエネルギー密度と、 該パルス光のパルス幅とが、 下記 式 (2 ) を満足するように構成されたことを特徴とする露光装置。
て 厂21'7 25 (ns■ mj"2■ cm2' 3 . pulse2) ■ · ( 2 )
(式 (2 ) 中、 Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ (単位: cm)、 Iは該合成石 英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位: mj • cm— 2■ pul se— 、 τは該パルス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
< 3 > < 1 >に記載の露光装置であって、 前記複数の光学部材中の合成石英 ガラス部材の全数に対して、 前記式 (1 ) を満たす合成石英ガラス部材の数が 2 分の 1以上であることを特徴とする露光装置。
< 4 > < 2 >に記載の露光装置であって、 前記複数の光学部材中の合成石英 ガラス部材の全数に対して、 前記式 (2 ) を満たす合成石英ガラス部材の数が 2 分の 1以上であることを特徴とする露光装置。
本発明者らは引き続き光学部材の組成および各種物性とマイクロチヤンネル 現象との相関についても研究し、 マイクロチャンネルの発生を抑制する手段とし て以下の発明をなすに至った。
< 5 > 波長 300mn以下のパルス光を発する光源を有し、 該パルス光を複数の 光学部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であつ て、 前記複数の光学部材のうち、 パルス当たりのエネルギー密度が lmj · cm"2 - pu lse—1以上のパルス光が照射される部材が、 水晶単結晶、 酸化アルミニウム単結晶 、 フッ化カルシウム単結晶、 フッ化マグネシウム単結晶、 および無水フッ素ドー プ石英ガラスからなる群から選ばれた少なくとも 1種からなることを特徴とす る露光装置。
< 6 > < 5 >に記載の構成に加え、 前記無水フッ素ドープ石英ガラスの、 パ ルス当たりのエネルギー密度が 30mJ■ cm— 2 · pulse—1の ArFエキシマレーザ光を 1 X 1 07パルス照射したときに波長 633nmで測定される屈折率変化量が、 3Ppm以下である ことを特徴とする露光装置。
< 7 > 波長 300nm以下の紫外線を発する光源を有し、 該紫外線を複数の光学 部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であって、 前 記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合成石 英ガラス部材ょり光源側に配置される光学部材の脈理が、 日本光学硝子工業会規 格 (J0GIS) 11 - 1975に基づく評価において、 1級ないし 3級であることを特徴と する露光装置。
く 7— 1 〉 前記光源が波長 300nm以下の紫外線のパルス光を発するものであ り、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該 合成石英ガラス部材より光源側に配置される光学部材の脈理が、 日本光学硝子ェ 業会規格 (J0GIS) 11-1975に基づく評価において、 1級ないし 3級である、 < 1 〉に記載の露光装置。
< 8 > 波長 300M1以下の紫外線を発する光源を有し、 該紫外線を複数の光学 部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であって、 前 記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合成石 英ガラス部材より光源側に配置される光学部材に含有される異物および泡の大 きさ力 S1 μ m以下であることを特徴とする露光装置。
< 8— 1 > 前記光源が波長 300nm以下の紫外線のパルス光を発するものであ り、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該 合成石英ガラス部材より光源側に配置される光学部材に含有される異物および 泡の大きさ力 Ai m以下である、 < 1〉に記載の露光装置。
次に本発明者らはパルス光のビーム品質とマイクロチヤンネルとの関係につ いても研究を行い、 次の知見を得た。
図 3は試料の裏面におけるマイクロチヤンネルの微分干渉顕微鏡像の模式図 を示す。 図中の記号 *はマイクロチャンネルを示し、 符号 mは直線状に延びる 3 本の溝を示す。 各溝 mは略平行に形成され、 その間隔は 0. lrnm程度となっていた 。 ここでは、 マイクロチャンネルは照射部と非照射部の境界付近に発生し、 また 、 0. 1 mm程度の間隔の溝 mに沿って発生していることが分かった。
一方、 エキシマレーザ光のビームプロファイルを調べたところ、 0. 1mm程度の 層状の構造のエネルギー密度のむらがあり、 局所的にエネルギー密度の高い部分 が存在することが分かった。 このエネルギー密度のむらを測定したところ、 むら の頂部と底部との差は平均エネルギー密度の 5%程度であつた。
従って、 試料の裏面の 0. 1瞧の間隔の溝 mはエキシマレーザ光が有していたェ ネルギー密度のむらに基づく構造と推測でき、 この溝 mに沿ってマイクロチャン ネルが発生しているということは、 図 3に示すように、 極めて細かくて鋭いエネ ルギー密度のむらの構造があるため、 マイクロチャンネルの発生が促進された可 能性が示されたと推測することができる。
なお、 マイクロチャンネルが発生する場所は、 エネルギー密度の高い場所であ り、 特にエネルギー密度が均質でないレーザ光では部材の内部でも発生すること 力 Sあった。
また、 エネルギー密度のむらを複数観察したところ、 エネルギー密度のむらの 頂部と底部との差が平均エネルギー密度の 5%以下の光では、 エネルギー密度の隣 接する頂部間の幅が 0. 1瞧以上であればマイクロチャンネルの発生を抑制し易い ことが確認できた。
以上の研究結果より、 本発明者らは以下の発明をなすに至った。 < 9 > 波長 300nm以下の紫外線を発する光源を有し、 該紫外線を複数の光学 部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であって、 前 記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合成石 英ガラス部材に照射される紫外線は、 光軸に垂直な面内におけるエネルギー密度 のむらの隣接する頂部間の幅が 0. Iranより広く、 且つ、 前記エネルギー密度の頂 部と底部との差が平均エネルギー密度の 5%以下となるように構成されたことを 特徴とする露光装置。
< 9 - 1 > 前記光源が波長 300nm以下の紫外線のパルス光を発するものであ り、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該 合成石英ガラス部材に照射される紫外線は、 光軸に垂直な面内におけるエネルギ 一密度のむらの隣接する頂部間の幅が 0. ltnmより広く、 且つ、 前記エネルギー密 度の頂部と底部との差が平均エネルギー密度の 5%以下となるように構成されて いる、 < 1 >に記載の露光装置。
< 1 0 > 波長 300nm以下の紫外線を発する光源と、 該紫外線の光軸に垂直な 面内におけるエネルギー密度のむらを減少させるホモジナイザとを有し、 該紫外 線を複数の光学部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光 装置であって、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材 であり、 該合成石英ガラフ、部材の全てが、 最も光源側に配置された前記ホモジナ ィザよりも被露光物側に配置されたことを特徴とする露光装置。
< 1 0 - 1 > 前記光源が波長 300nm以下の紫外線のパルス光を発するもので あり、 該紫外線の光軸に垂直な面内におけるエネルギー密度のむらを減少させる ホモジナイザを更に有しており、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合 成石英ガラス部材であり、 該合成石英ガラス部材の全てが、 最も光源側に配置さ れた前記ホモジナイザよりも被露光物側に配置されている、 < 1 >に記載の露光 装置。
< 1 1 > 被露光物を波長 300nm以下のパルス光で露光する露光装置の光学系 に使用される合成石英ガラス部材であって、 該合成石英ガラス部材の厚さと、 該 合成石英ガラス部材に照射される前記パルス光のパルス当たりのエネルギー密 度と、 該パルス光のパルス幅とが、 下記式 (3) を満たすように構成されたこと を特徴とする露光装置用合成石英ガラス部材。
τ I一2 L一1 ·7≥0.02 (ns - raj"2 - cm2'3 - pulse2) ■ ■ (3)
(式 (3) 中、 Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ (単位: cm)、 Iは該合成石 英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位: mj • cm"2 · pulse-1)、 τは該パルス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
< 1 2 > < 1 1〉に記載の構成に加え、 前記パルス光の波長が 200nm以下で あって、 前記合成石英ガラス部材の厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射される 前記パルス光のパルス当たりのエネルギー密度と、 該パルス光のパルス幅とが、 下記式 (4) を満たすように構成されたことを特徴とする露光装置用合成石英ガ ラス部材。
τ I一2 L一1 ·7≥25 (ns ■ mj"2 · cm2'3 · pulse2) ■ ■ (4)
(式 (4) 中、 Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ (単位: cm)、 Iは該合成石 英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位: raj ■ cm— 2 . pulse-1) τは該パルス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
< 1 3 > 原版上に設けられたパターンの像を感光性物質を有する基板上に 投影露光する露光方法であって、 < 1〉〜< 1 0 >、 < 7— 1 >、 < 8— 1 >、 < 9 _ 1〉、 < 1 0— 1 >のいずれかに記載の露光装置を用いることを特徴とす る。
< 1 >及び < 2 >に記載の本発明の露光装置によれば、 合成石英ガラス部材の 厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射される前記パルス光のパルス幅とパルス当 たりのエネルギー密度とを特定の関数として規定したので、 紫外線照射時に合成 石英ガラス部材の被露光物側の面にマイクロチヤンネルが発生することを抑制 できる。 そのため、 被露光物を露光する際に、 合成石英ガラス部材の機械的損傷 を防止して露光装置の寿命を向上させることができる。
< 3 >及び < 4〉に記載の本発明の露光装置によれば、 く 1 >又はく 2 >に記 載の合成石英ガラス部材を、 全合成石英ガラス部材のうち半数以上としたので、 さらに露光装置の寿命を向上させることができる。
< 5 >に記載の本発明の露光装置によれば、 所定量以上のエネルギー密度の紫 外線が照射される複数の光学部材を、 マイクロチャンネルの発生を抑制できる単 結晶体または無水フッ素ドープ石英ガラスで形成したので、 マイクロチャンネル の発生を抑制でき、 露光装置の寿命を向上させることができる。
特にく 6 >に記載の本発明の露光装置によれば、 所定量以上のエネルギー密度 の紫外線が照射される複数の光学部材を、 パルス当たりのエネルギー密度が 30mJ ■ cm— 2 , pulse— 1の ArFエキシマレーザ光を I X 107パルス照射したときに波長633 nm で測定される屈折率変化量が 3ppm以下である前記無水フッ素ドープ石英ガラス で形成したので、 マイクロチャンネルの発生を抑制でき、 露光装置の寿命を向上 させることができる。
さらに < 7 >及び< 7— 1 >に記載の本発明の露光装置によれば、 合成石英ガ ラス部材より光源側に配置される光学部材の脈理を、 日本光学硝子工業会規格 ( J0GIS) 11-1975に基づく評価において、 1級ないし 3級の範囲にしたので、 パル ス光が合成石英ガラス部材を透過する際、 該部材の脈理により、 マイクロチャン ネルの発生原因となる光のエネルギー密度のむらを生成することがない。 そのた め、 該合成石英ガラス部材より被露光物側の光学部材にエネルギー密度のむらを 含有するパルス光を照射することがなく、 マイクロチャンネルの発生を抑制して 、 露光装置の寿命をより向上させることができる。
また、 < 8〉及び < 8 _ 1 >に記載の本発明の露光装置によれば、 合成石英ガ ラス部材より光源側に配置される光学部材に含有される異物又は泡の大きさが 1 μ πι以下であるので、 パノレス光が透過する際に、 マイクロチャンネルの発生原 因となる光のエネルギー密度のむらを生成することがなく、 マイク口チャンネル の発生を抑制して、 露光装置の寿命をより向上することができる。
さらに、 < 9 >及びく 9一 1 >に記載の本発明の露光装置によれば、 パルス光 のエネルギー密度のむらを所定の範囲に小さくしたので、 マイクロチャンネルの 発生原因となりやすい微細で変化の大きいエネルギー密度のむらがなく、 マイク 口チャンネルの発生を抑制して露光装置の寿命を向上させることができる。 また、 < 1 0 >及び < 1 0— 1〉に記載の本発明の露光装置は、 合成石英ガラ ス部材の全てが、 光源に最も近い位置に配置されたホモジナイザよりも被露光物 側に配置されているので、 マイク口チャンネルの発生原因となるエネルギ密度の むらを低減した紫外線を合成石英部材に照射することができ、 マイクロチャンネ ルの発生を抑制できて露光装置の寿命を向上させることができる。
そして、 く 1 1〉及びく 1 2〉に記載した本発明の光学部材によれば、 合成石 英ガラス部材の厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス幅 とパルス当たりのエネルギー密度とが特定の関係となるように構成されている ので、 マイクロチャンネルの発生を抑制することができ、 耐久性の優れた露光装 置用の光学部材を提供することができる。
また、 く 1 3〉に記載した本発明の露光方法によれば、 マイクロチャンネルの 発生が抑制された前記本発明の露光装置を用いるので、 安定した露光特性を長期 間維持することができる。
図面の簡単な説明
図 1は、 照射エネルギー密度とマイクロチャンネル発生パルス数との相関を示 すグラフである。
図 2は、 光学部材の厚さとマイクロチャンネル発生パルス数との相関を示すグ ラフである。
図 3は、 マイクロチヤンネルの微分干渉顕微鏡像の模式図である。
図 4は、 本発明の好適な実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図で ある。 図 5は、 本発明の好適な他の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す 図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、 この発明の実施の形態について説明する。
図 4は、 本発明の好適な実施形態にかかる露光装置である。 この露光装置は、 光源 1から照射された波長 300nm以下の紫外線が、 複数のレンズ 2が配置された 光束整形光学系 3において平行光束に変換され、 回折格子 4 aやレンズ 4 b等を 備えたホモジナイザー 5において光束のずれ等が補正されてエネルギー密度の むらが低減され、 フライアイレンズ等のィンテグレータ 7及びコンデンサレンズ 9を経由してマスク 1 1に照射され、 その後、 多数のレンズ 1 2を備えた投影光 学系 1 3を通して、 マスク 1 1の回路パターン等の露光形状がウェハ等の被露光 物 1 5に転写されるように構成されている。 この露光時には、 光源 1からは、 例 えば KrFエキシマレーザ光等の波長 300nm以下のパルス光や、 ArFエキシマレーザ 光等の波長 200nm以下のパルス光が照射されるようになっている。 なお、 フライ アイレンズ等のインテグレータ 7は、 単独でもホモジナイザーとして作用する。 この露光装置では、 レンズ 2, 4 b , 7 , 9, 1 2や回折格子 4 aなどの多数 の光学部材の一部又は全部に、 合成石英ガラスから形成された合成石英ガラス部 材が用いられている。 この実施の形態では、 このような合成石英ガラス部材のマ イク口チャンネルの発生を抑制する。
まず、 合成石英ガラス部材の厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射されるパル ス光のパルス当たりのエネルギー密度と、 該パルス光のパルス幅とが、 下記 (1 ) 式を満足するように形成するのが好ましく、 特に波長 200nm以下のパルス光を 照射する露光装置では、 下記 (2 ) 式の関係を満足するように形成するのが特に 好ましい。
τ I -2 L _1- 7≥0. 2 (ns ■ mJT2 ■ cm2' 3 · pulse2) ■ · ( 1 )
x I— 2 L一1 · 7≥250 (ns ■ mj—2 · cm2' 3 · pul se2) ■ · ( 2 ) (式 (1 ) 及び (2 ) 中、 Lは合成石英ガラス部材の厚さ (単位: Cm)、 Iは合 成石英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位 : mj■ cm— 2 ' pulse)、 τはパルス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
ここで合成石英ガラス部材の厚さとは、 合成石英ガラス部材の光軸に沿って測 定される厚さであり、 この厚さが不均一な凸レンズの場合には中心厚、 凹レンズ の場合には外縁部間となる。 また、 メニスカス形状のレンズの場合は凸面の中心 と凹面の外縁部間を光軸に沿って測定した値である。
なお本発明は、 露光装置を構成する全ての合成石英ガラス部材が上記関係式を 満たすことを要求するものではない。 光源直後のレンズ 2等のように極めて高い エネルギー密度の光線が入射する部材は、 上記の関係式を適用してマイクロチヤ ンネルを防止しようとしても、 部材の厚さ Lが極めて小さなものとなってしまい 事実上実現は困難である。 したがってこのような部材を合成石英ガラス部材で構 成する場合、 比較的早期にマイクロチャンネルが発生し部品交換等による対応が 必要になると予想される。 しかしながら当該部材が光学系全体に占める割合はご く僅かであるので、 他の部材を上記関係式を満たすものとしておけば、 露光装置 全体に対するマイクロチャンネルの抑制効果を大幅に損なうものではない。 露光 装置を構成する合成石英ガラス部材の全数に対して、 前記 (1 ) 式の関係を満足 する合成石英ガラス部材の数が 2分の 1以上であることが好ましく、 特に波長 20 Omn以下のパルス光を照射する露光装置では、 前記 (2 ) 式の関係を満足する合 成石英ガラス部材の数が 2分の 1以上であることが好ましい。 また以下に説明す るように、 エネルギー密度の高い光線が入射する部材を無水フッ素ドープ石英ガ ラスや結晶材料で構成すれば、 このような問題は生じない。
マイクロチャンネルはコンパクションの蓄積により生じると考えられるが、 光 学部材の材料として合成石英ガラスを用いる場合は、 コンパクションが生じるこ とが避けられない。 そのため紫外線のエネルギー密度が高い領域、 例えば、 光学 部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度が lmj · cm— 2 · pulse一 1以上の領域には、光学部材としてコンパクションを生じ難い材料を用いることも 好ましい。 光学部材の材料を選択することによつてマイク口チャンネルの発生を 抑制することができるからである。
このようなエネルギー密度のパルス光が照射される領域に配置される光学部■ 材の材料としては、 無水フッ素ドープ石英ガラスや単結晶からなる結晶材料を挙 げることができる。
この無水フッ素ドープ石英ガラスとしては、 パルス当たりのエネルギー密度 30 mj · cm"2 · pulse-1の ArFエキシマレーザを I X 107パノレス照射し、 その前後において 波長 633nmで測定される屈折率変化量が 3ppm以下となるものを使用するのが好ま しく、 このような無水フッ素ドープ石英ガラスであれば、 マイクロチャンネル現 象を抑制し易くすることができる。
また、 結晶材料としては、 水晶単結晶、 酸化アルミニウム単結晶、 フッ化カル シゥム単結晶及びフッ化マグネシゥム単結晶などからなる群から、 1種単独で、 或いは 2種以上を組み合わせて選択して使用することができる。 このような結晶 材料を用いれば、 より確実にマイクロチャンネル現象を抑制することができる。 なお、 パルス当たりのエネルギー密度が非常に高い領域、 例えば 10〜100mJ · c m-2■ pulse— 1程度のパルス光が照射される領域には結晶材料を使用し、 l〜10mj - c m一2 - puis e—1程度の領域にはコンパクション量の小さい無水フッ素ドープ石英ガラ ス等の硝材を用いるように構成することも可能である。
次に、 このような光学部材、 特に合成石英ガラス部材では、 照射される光に微 細なエネルギー密度の分布があって、 エネルギー密度にむらが存在している場合 はマイクロチャンネルが発生し易い。 そのため、 複数の光学部材を配置した露光 装置では、 光学部材に照射される光の光軸と直交する方向のエネルギー密度のむ らを小さくすることが好ましい。
これは、 光にエネルギー密度のむらが存在すると、 微細な部分のコンパクショ ンの差による微細な屈折率のむらが生じ、 その微細な屈折率のむらにより微細な 多数の位置で光が集光し易くなり、 その結果、 均質なエネルギー密度の光に比べ てマイクロチャンネルが発生し易くなるためと推測される。
そこで、 この露光装置では、 まず、 マイクロチャンネルの発生を防止すべき光 学部材に照射される紫外線において、 エネルギー密度のむらの頂部間の幅を 0. lm mより広くし、 且つ、 頂部と底部との差を平均エネルギー密度の 5°/。以下とするの が好ましく、 エネルギー密度のむらの頂部間の幅を 1瞧以上とするのが特に好適 である。
また、 光源 1から放射される紫外線に前記の範囲を超えるエネルギー密度のむ らが存在する場合、 ホモジナイザ 5を配置し、 エネルギー密度のむらを減少させ るのが好ましいが、 その場合、 特に、 光源 1とこの光源 1に最も近い位置に配置 されたホモジナイザー 5との間、 例えば光束整流光学系 3には、 合成石英ガラス 部材を配置しないようにするのが好ましい。
さらに、 光源 1から照射される紫外線やホモジナイザ 5等を経由して照射され る紫外線がエネルギー密度のむらの少ないものであっても、 各光学部材を透過す る際、 脈理が存在したり、 1 /i tn以上の大きさの異物や泡が存在する場合には、 その光学部材を透過後の光にエネルギー密度のむらが生成される。 そのため、 各 光学部材、 特に各合成石英ガラス部材より光源側に配置される光学部材において もエネルギー密度のむらを生成しにくいものを採用するのが好ましい。
このエネルギー密度のむらを生成しにくい光学部材としては、 日本光学硝子ェ 業会規格 (J0GIS) 11 - 1975において脈理が 1級ないし 3級である光学部材を用い るのが好ましく、 また、 光学部材に含有される異物および泡の大きさを 1 μ ηι以 下とすることも好ましい。 ここで日本光学硝子工業会規格 (J0GIS) 11- 1975にお ける脈理 3級とは、 50mm X 50瞧 X 20瞧の光学部材の 50瞧 Χ 20瞧の平行な両面間に 、 層状の不均質性がピンホール光の投影像でわずかに目視で認められるものをい う。 ' なお、 本発明は、 レチクルとウェハとを同期移動してレチクルのパターンを露 光するステップ ' アンド ' スキャン方式の走査型投影露光装置 (米国特許 5, 4 73, 410号)、 いわゆるスキャニング■ ステッパーのみならず、 レチクノレと ウェハとを静止した状態でレチクルのパターンを露光し、 ウェハを順次ステップ 移動させるステップ■ アンド ' リピート方式の露光装置 (ステッパー) にも適用 することができる。
また、 本発明はツインステージ型の露光装置にも適用できる。 ツインステージ 型の露光装置の構造及び露光動作は、 例えば特開平 10— 1 63099号及び特 開平 1 0— 214783号 (対応米国特許 6, 341, 007号、 6, 400, 441号、 6, 549, 269号及び 6, 590, 634号)、 特表 2000— 5 05958号 (対応米国特許 5, 969, 441号) あるいは米国特許 6, 20
8, 407号に開示されている。
さらに、 本発明は、 投影光学系と被露光物との間に局所的に液体を満たす液浸 露光装置や、 露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露 光装置や、 ステージ上に所定深さの液体槽を形成しその中に基板を保持する液浸 露光装置にも適用可能である。 露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で 移動させる液浸露光装置の構造及び露光動作については、 例えば特開平 6— 1 2 48 73号に、 ステージ上に所定深さの液体槽を形成してその中に基板を保持す る液浸露光装置については、 例えば特開平 10— 303 1 14号や米国特許 5, 825, 043号にそれぞれ開示されている。
以上説明したように、 本発明の露光装置は、 前記く 1 >〜< 10 >、 < 7— 1
>、 く 8— 1 >、 く 9_ 1 >、 < 10— 1 >のうちのいずれかに記載の構成を備 えていればよく、 それ以外の構成は特に制限されない。 本発明の露光装置に適用 可能な構成が記載されている上記の米国特許 5, 473, 410号、 米国特許 6 , 34 1, 007号、 米国特許 6, 400, 441号、 米国特許 6, 549, 2 69号、 米国特許 6, 590, 634号、 米国特許 5, 969, 441号、 米国 特許 6 , 208, 407号及び米国特許 5, 825, 043号、 並びに、 特開平 10— 163099号、 特開平 10— 214783号、 特開平 6— 1 24873 号、 特開平 10— 303 1 14号及び特表 2000— 505958号は、 参考文 献としてこの明細書中に組み込まれる。
[実施例]
以下、 実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、 本発明は以下の実 施例に限定されるものではない。
実施例 1
フッ素を lOOOOppm含有した無水フッ素ドープ石英ガラス、 JIS- C6704で A aグ レード (Q :が 380X 104以上) の水晶、 多重反射含みで 193nraの透過率が 92.1%以上 のフッ化カルシウム単結晶を用意し、 それぞれ直径 30議、 厚さ 10mmの大きさに切 り出し、 直径 30瞧の面を両面光学研磨して試料を作製した。 なお、 無水フッ素ド ープ石英ガラスは、 エネルギー密度 3030mJ · cm— 2■ pulse—1の ArFエキシマレーザ光 を 1 X 107パルス照射したときに波長 633mnで測定される屈折率変化量が 3ppm以下 のものであった。
アパーチャ一によつて規制された直径 5匪の KrFエキシマレーザ光または ArFェ キシマレーザ光を、 レンズまたはホモジナイザ等の光学部品を透過させずに、 光 源から試料に直接照射した。 レーザ光のパルス当たりのエネルギー密度は放電電 圧を変化させることで調節し、 その値は試料の位置にジュールメータを配置して 測定した。 試料は、 アルミニウム製の箱の内部に配置し、 乾燥窒素ガスで箱内の 雰囲気を置換した。 レーザビームのエネルギー密度を固定し、 マイクロチャンネ ルが発生するまでレーザビームを照射し続けた。 エキシマレーザのパルスの時間 幅 τは KrF又は ArFエキシマレーザともに2 Onsである。 マイク口チャンネルの有無 は集光灯の光で試料を照らし、 目視にて確認した。
その結果、 無水フッ素ドープ石英ガラス (OH OOppm) ではコンパクション量 は小さく、 ArFエキシマレーザ光に対する耐性が合成石英ガラスに比べて 10倍程 度高いことが確認できた。 また、 水晶単結晶及びフッ化カルシウム単結晶では、 合成石英ガラスの 100倍 以上のパルスの ArFエキシマレーザ光を照射してもマイクロチヤンネルは発生し なかった。
実施例 2
0H基を 1100ppm、 水素分子を 2 X 1012個 Zcm2含有した合成石英ガラスを、 直径 30
■、 厚さ 10mmの大きさに切り出し、 直径 30瞧の面を両面光学研磨して試料を作製 した。 この試料に、 ホモジナイザを通した KrFまたは ArFエキシマレーザ光をァパ 一チヤ一で直径 5mmに規制して照射し、 以下、 実施例 1と同様の手順でマイクロ チヤンネルの発生を観察した。
光源からのレーザ光をホモジナイザーを通して観察したところ、 いずれのレー ザ光についてもエネルギー密度のむらは見られなかった。 そして、 ホモジナイザ 一を通したビームを照射した合成石英ガラスでは、 ホモジナイザ一を通さずに照 射したときの約 100倍以上のパルス数を照射してもマイクロチヤンネルは発生し なかった。
実施例 3
0H基を 1100ppm、 水素分子を 2 X 1012個 Zcm2含有した合成石英ガラスを、 直径 30 mm、 厚さ 10mmの大きさに切り出し、 直径 30瞧の面を両面光学研磨して試料を作製 した。 この試料と光源との間に J0GIS- 11-1975による脈理 1級ないし 4級の合成 石英ガラス部材を配置し、 実施例 1と同様の照射を行ってマイクロチャンネルが 発生するパルス数を比較した。
その結果、 脈理 1級または 2級の合成石英ガラスを配置した場合、 マイクロチ ヤンネルの発生したパルス数はほぼ同じであった。 一方、 3級の脈理を有する合 成石英ガラスを配置した場合には、 マイクロチヤンネルの発生したパルス数は前 2者に比べて 1/10にまで低下したものの、 脈理 4級のものより十分にパルス数を 多くすることができた。
実施例 4 実施例 3と同様に作製した試料を用い、 試料とアパーチャ一の間に、 泡および 異物を含まない合成石英ガラスを配置した場合と、 およそ 1 μ πιの大きさの異物 または泡が混入した合成石英ガラスを配置した場合とを比較した。 照射条件は実 施例 1と同様とした。
その結果、 泡および異物を含まない合成石英ガラスを配置した場合に比べ、 異 物または泡が混入した合成石英ガラスを配置した場合には、 マイクロチヤンネル の発生したパルス数は 1/20にまで低下した。
実施例 5
図 5に示す本発明の露光装置を作製して、 以下に説明する照射試験を行った。 図 5は、 本実施例で作製した露光装置 1 0 1の概略構成図である。
2 4 8 11 mの出力波長を持ちパルス幅 2 0 n sのパルス光を発振する K r F エキシマレーザ光源 1 0 3から、 ほぼ平行光束としてのレーザ光 (露光光) が出 射され、 露光装置本体 1 0 2側の光透過窓 1 0 5へ導かれる。
ここで、 露光装置本体 1 0 2は、 チャンバ一 1 0 6内に収容されており、 温度 が一定に保たれるように制御されている。 光透過窓 1 0 5を通過したレーザ光は 、 ビーム整形光学系 1 0 7で所定断面形状のレーザ光に整形され、 ターレッ ト板 T Pに設けられた互いに透過率 (減光率) が異なる複数の N Dフィルタの一つ ( 図 5では、 N D 1 ) を通過して反射ミラー 1 0 8で反射して、 ホモジナイザ (ィ ンテグレータ) としてのフライアイレンズ 1 0 9に導かれる。 フライアイレンズ 1 0 9は、 多数のレンズ素子が束ねられて構成されており、 このレンズ素子の射 出面側には、 それを構成するレンズ素子の数に対応した多数の光源像 (二次光源 ) が形成される。
フライアイレンズ 1 0 9により形成される多数の二次光源の位置には、 互いに 形状と大きさの異なる複数の開口絞りを有するターレツト板 1 1 2が配設され ている。 ターレツト板 1 1 2はモータ 1 1 3で回転駆動され、 ウェハ W上に転写 すべきレチクル Rのパターンに応じて、 開口絞りの一つが選択されて照明光学系 の光路中に挿入されるようになっている。 ターレツト板 1 1 2とモータ 1 1 3と は、 照明系用可変開口絞りを構成している。
フライアイレンズ 1 0 9によつて形成された二次光源からの光束は、 ターレツ ト板 1 1 2の可変開口絞りを通過してビームスプリッタ 1 1 4で二つの光路に 分岐される。 ビームスプリッタ 1 1 4を透過した光は、 リ レーレンズ 1 7、 長方 形の開口を規定する可変視野絞り 1 1 0、 リ レーレンズ 1 8を通って反射ミラー 1 9で反射された後、 複数のレンズ等の屈折性光学素子で構成されるコンデンサ 光学系 2 0にて集光される。 これにより、 可変視野絞り 1 1 0の開口によって規 定されるレチクル R上の照明領域が重畳的にほぼ均一照明される。 そして、 投影 光学系 1 1 1によって被露光物であるウェハ W上にレチクル R上の回路パター ンの像が形成され、 ウェハ W上に塗布されたレジス トが感光して、 ウェハ W上に 回路パターン像が転写される。
本実施例の露光装置 1 0 1では、 照明光学系および投影光学系に複数の光学部 材が配置され、 その少なくとも一つが合成石英ガラスで構成されている。
本実施例の露光装置 1 0 1を構成する光学部材のうち、 リレーレンズ 1 8は合 成石英ガラスで構成され、 その中心厚 Lは 5cmであり、 入射エネルギー密度 Iは 6 mj · cm— 2■ pulse— 1に設計されている。 したがって、 リ レーレンズ 1 8については 以下の式:
I— 2 L— 7 =0. 036≥0. 02
が成り立つこととなり、 前記式 (1 ) が満たされるように構成されている。 本実 施例の露光装置 1 0 1においては、 K r Fレーザ光を 101Qパルス以上照射しても リレーレンズ 1 8にマイクロチャンネルは発生せず、 安定した露光性能を維持す ることができた。
なお、 本実施例においてリレーレンズ 1 8への入射エネルギー密度 Iとは、 タ —レッ ト板 T P上の N Dフィルタのうち、 最も透過率の高いものを選択した場合 の値である。 これよりも透過率の低い N Dフィルタを選択すれば、 リレーレンズ 1 8への入射エネルギー密度 Iも下がることから、 いずれの N Dフィルタを選択 しても上記の条件が満たされることに変わりはない。
また、 本実施例の露光装置 1 0 1において、 K r Fエキシマレーザ光源 1 0 3 とフライアイレンズ 1 0 9の間に配置される、 ビーム整形光学系 1 0 7及びター レット板 T P上の N Dフィルタ及び反射ミラー 1 0 8は、 いずれも合成石英ガラ ス以外の部材 (フッ化カルシウム単結晶等) で構成されている。 したがって、 本 実施例の露光装置 1 0 1においては、 全ての合成石英ガラス部材が、 K r Fェキ シマレーザ光 ¾1 1 0 3に最も近いホモジナイザであるフライアイレンズ 1 0 9 よりもウェハ W (被露光物) 側に位置するように構成されており、 合成石英ガラ ス部材に照射される光はホモジナイザでエネルギー密度が十分に均質化されて いた。
さらに、 本実施例の露光装置 1 0 1を構成する光学部材の全ては、 脈理が J0GI S U-1475に基づく評価において 1級であり、 かつ 1 mを超える異物および泡 を含まない材料で構成されており、 光学部材を透過する光におけるエネルギー密 度のむらの発生は十分に抑制されていた。
以上の構成により、 本実施例の露光装置 1 0 1において合成石英ガラス部材に 入射する光は、 光軸に垂直な面内におけるエネルギー密度のむらの隣接する頂部 間の幅が 0. 1瞧より広く、 かつエネルギー密度の頂部と底部との差が平均エネル ギー密度の 5%以下に制限されていた。 したがって、 本実施例の露光装置 1 0 1を 構成する合成石英ガラス部材においては、 エネルギー密度のむらによるマイクロ チャンネルの発生が十分に抑制され、 本実施例の露光装置 1 0 1は長期間安定し た露光性能が維持されることが確認された。
なお、 本実施例のウェハ Wに代えて、 液晶ディスプレイデバイス用のガラスプ レートや薄膜磁気へッド用のセラミックウェハ、 あるいは露光装置で用いられる マスクまたはレチクルの原版 (合成石英、 シリコンウェハ) 等に適用することも 可能である。 露光装置 1 0 1の用途としては、 半導体製造用の露光装置に限定さ れることなく、 例えば、 角形のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光す る液晶用の露光装置や、 薄膜磁気ヘッド、 撮像素子 (C C D) あるいはレチクル R等を製造するための露光装置等にも広く適用できる。
産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明の露光装置によれば、 紫外線 (パルス光) 照射時 に光学部材にマイクロチャンネルが発生することが十分に抑制され、 被露光物を 露光する際における光学部材の機械的損傷を防止して露光装置の寿命を向上さ せることが可能となる。
また、 本発明の合成石英ガラス部材によれば、 紫外線 (パルス光) 照射時にお けるマイクロチャンネルの発生が十分に抑制され、 その部材を用いた露光装置の 寿命を向上させることが可能となる。
さらに、 本発明の露光方法によれば、 光学部材におけるマイクロチャンネルの 発生を十分に抑制して安定した露光特性を長期間維持することが可能となる。

Claims

言青求の範囲
1 . 波長 300nm以下のパルス光を発する光源を有し、 該パルス光を複数の光 学部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であって、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合 成石英ガラス部材の厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射されるパルス光のパル ス当たりのエネルギー密度と、 該パルス光のパルス幅とが、 下記式 (1 ) を満た すように構成されている露光装置。
て I一2 L— L 7≥0. 02 (ns■ mj— 2 · cm2' 3 · pulse2) · · ( 1 )
(式 (1 ) 中、 Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ (単位: cm)、 Iは該合成石 英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位: mj ■ cm-2 · pulse— 、 τは該パルス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
2 . 前記パルス光の波長が 200nm以下であって、 前記合成石英ガラス部材の 厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射される前記パルス光のパルス当たりのエネ ルギー密度と、 該パルス光のパルス幅とが、 下記式 (2 ) を満足するように構成 されている、 請求項 1に記載の露光装置。
τ I一2 L一1 · 7 25 (ns■ mj"2■ cm2- 3■ pulse2) · ■ ( 2 )
(式 (2 ) 中、 Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ (単位: cm)、 Iは該合成石 英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位: mj · cm— 2 · pul se— 、 τは該パルス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
3 . 前記複数の光学部材中の合成石英ガラス部材の全数に対して、 前記式 ( 1 ) を満たす合成石英ガラス部材の数が 2分の 1以上である、 請求項 1に記載の 露光装置。
4 . 前記複数の光学部材中の合成石英ガラス部材の全数に対して、 前記式 ( 2 ) を満たす合成石英ガラス部材の数が 2分の 1以上である、 請求項 2に記載の 露光装置。
5 . 前記光源が波長3 OOnm以下の紫外線のパルス光を発するものであり、 前 記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合成石 英ガラス部材より光源側に配置される光学部材の脈理が、 日本光学硝子工業会規 格 (J0GIS) 11- 1975に基づく評価において、 1級ないし 3級である、 請求項 1に 記載の露光装置。
6 . 前記光源が波長 300nm以下の紫外線のパルス光を発するものであり、 前 記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合成石 英ガラス部材より光源側に配置される光学部材に含有される異物および泡の大 きさ力 l / ra以下である、 請求項 1に記載の露光装置。
7 . 前記光源が波長 300nm以下の紫外線のパルス光を発するものであり、 前 記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合成石 英ガラス部材に照射される紫外線は、 光軸に垂直な面内におけるエネルギー密度 のむらの隣接する頂部間の幅が 0. lmmより広く、 且つ、 前記エネルギー密度の頂 部と底部との差が平均エネルギー密度の 5%以下となるように構成されている、 請 求項 1に記載の露光装置。
8 . 前記光源が波長 300nm以下の紫外線のパルス光を発するものであり、 該 紫外線の光軸に垂直な面内におけるエネルギー密度のむらを減少させるホモジ ナイザを更に有しており、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英 ガラス部材であり、 該合成石英ガラス部材の全てが、 最も光源側に配置された前 記ホモジナイザよりも被露光物側に配置されている、 請求項 1に記載の露光装置
9 . 波長 300nm以下のパルス光を発する光源を有し、 該パルス光を複数の光 学部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であって、 前記複数の光学部材のうち、 パルス当たりのエネルギー密度力 S lmJ · cm2 · puis e—1以上のパルス光が照射される部材が、 水晶単結晶、 酸化アルミニウム単結晶、 フッ化カルシウム単結晶、 フッ化マグネシウム単結晶、 および無水フッ素ドープ 石英ガラスからなる群から選ばれた少なくとも 1種からなる露光装置。
1 0 . 前記無水フッ素ドープ石英ガラスの、 パルス当たりのエネルギー密度 が 30mJ · cm— 2■ pulse-1の ArFエキシマレーザ光を 1 X 107パルス照射したときに波長 633nmで測定される屈折率変化量が、 3ppra以下である、 請求項 9に記載の露光装 置。
1 1 . 波長 300nra以下の紫外線を発する光源を有し、 該紫外線を複数の光学 部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であって、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合 成石英ガラス部材より光源側に配置される光学部材の脈理が、 日本光学硝子工業 会規格 (J0GIS) 11- 1975に基づく評価において、 1級ないし 3級である露光装置
1 2 . 波長 300nra以下の紫外線を発する光源を有し、 該紫外線を複数の光学 部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であって、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合 成石英ガラス部材より光源側に配置される光学部材に含有される異物および泡 の大きさが 1 μ m以下である露光装置。
1 3 . 波長 300nm以下の紫外線を発する光源を有し、 該紫外線を複数の光学 部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装置であって、 前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合 成石英ガラス部材に照射される紫外線は、 光軸に垂直な面内におけるエネルギー 密度のむらの隣接する頂部間の幅が 0. 1瞧より広く、 且つ、 前記エネルギー密度 の頂部と底部との差が平均エネルギー密度の 5%以下となるように構成されてい る露光装置。
1 4 . 波長 300nm以下の紫外線を発する光源と、 該紫外線の光軸に垂直な面 内におけるエネルギー密度のむらを減少させるホモジナイザとを有し、 該紫外線 を複数の光学部材を透過させて照射することにより被露光物を露光する露光装 置であって、
前記複数の光学部材のうち少なくとも一つが合成石英ガラス部材であり、 該合 成石英ガラス部材の全てが、 最も光源側に配置された前記ホモジナイザよりも被 露光物側に配置されている露光装置。
1 5 . 被露光物を波長 300nm以下のパルス光で露光する露光装置の光学系に 使用される合成石英ガラス部材であって、 該合成石英ガラス部材の厚さと、 該合 成石英ガラス部材に照射される前記パルス光のパルス当たりのエネルギー密度 と、 該パルス光のパルス幅と力 下記式 (3 ) を満たすように構成されている露 光装置用合成石英ガラス部材。
て I— 2 L一1' 7≥0. 02 (ns ' mj—2 · era2' 3 · pulse2) · ■ ( 3 )
(式 (3 ) 中、 Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ (単位: cm)、 Iは該合成石 英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位: mj • cnf2■ pulse— 、 τは該パルス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
1 6 . 前記パルス光の波長が 200nm以下であって、 前記合成石英ガラス部材 の厚さと、 該合成石英ガラス部材に照射される前記パルス光のパルス当たりのェ ネルギー密度と、 該パルス光のパルス幅とが、 下記式 (4 ) を満たすように構成 されている、 請求項 1 5に記載の露光装置用合成石英ガラス部材。
て I一2 L一1 · 7≥25 (ns■ raj"2■ cm2- 3 · pulse2) ■ ■ ( 4 )
(式 (4 ) 中、 Lは前記合成石英ガラス部材の厚さ (単位: cm)、 Iは該合成石 英ガラス部材に照射されるパルス光のパルス当たりのエネルギー密度 (単位: mj - cm"2 - pulse"1) , τは該パノレス光のパルス幅 (単位: ns) を示す。)
1 7 . 請求項 1ないし請求項 1 4のいずれか一項に記載の露光装置を用い、 原版上に設けられたパターンの像を感光性物質を有する基板上に投影露光する 露光方法。
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