WO2004063142A1

WO2004063142A1 - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: WO2004063142A1
Application number: PCT/JP2004/000119
Authority: WO
Inventors: Hisayuki Kawamura
Original assignee: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date: 2003-01-16
Filing date: 2004-01-09
Publication date: 2004-07-29
Also published as: EP1584614A4; KR101026627B1; CN1759094A; JP2004262761A; CN100526288C; US20060134458A1; TW200500440A; KR20050095848A; EP1584614A1

Abstract

非対称な構造を有する新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上する芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

Description

芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

技術分野

本発明は、新規な芳香族ァミン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、さらに詳しくは、分子が結晶化しにくく、有機 EL素子明

を製造する際の歩留りが向上する新規な芳香族ァミン誘導体及びそれを利用した有機エレクト口ルミネッセンス素子に関するものである。

書背景技術

有機エレクトロルミネッセンス素子 (以下ェレクトロルミネッセンスを ELと略記することがある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン 'コダック社の C. W. Tangらによる積層型素子による低電圧駆動有機 EL素子の報告（ W. Tang, S.A. Vansly ke，アプライドフィジックスレターズ (Applied Physics Letters), 5 1卷、 9 1 3頁、 1 9 8 7年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機 EL素子に関する研究が盛んに行われている。 Tangらは、トリス（8—ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフヱニルジァミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機 EL素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の 2層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の 3層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。通常高温環境下で有機 E L素子を駆動させたり、保管すると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには正孔輸送材料のガラス転移温度（T g ) を高くする必要があつた。そのために正孔輸送材料の分子内に多くの芳香族基を有する必要があり（例えば、米国特許 4 , 7 2 0 , 4 3 2号明細書の芳香族ジァミン誘導体、米国特許 5 , 0 6 1 , 5 6 9号明細書の芳香族縮合環ジァミン誘導体、特開平 7— 1 2 6 6 1 5号公報のテトラフヱ二ルペンジジン化合物）、通常 8 ~ 1 2個のベンゼン環を有する構造が好ましく用いられている。 '

しかしながら、分子内に多くの芳香族基を有すると、これらの正孔輸送材料を用いて薄膜を形成し、有機 E L素子を作製する際に結晶化が起こりやすく、蒸着に用いるるつぼの出口を塞いだり、結晶化に起因する薄膜の欠陥が発生し、有機 E L素子の歩留り低下を招くなどの問題が生じていた。発明の開示

本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、分子が結晶化しにくく、有機 E L素子を製造する際の歩留りが向上する新規な芳香族ァミン誘導体及びそれを用いた有機 E L素子を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（ 1 ) で表される非対称な構造を有する新規な芳香族ァミン誘導体を有機 E L 素子用材料として用い、特に正孔輸送材料として用いると、前記の課題を角军決することを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、下記一般式（ 1 ) で表される芳香族ァミン誘導体を提供するものである。 .

A - L - B ( 1 )

(式中、 Aは、 Aく

N—

Ar²

で表されるジァリールアミノ基、 Bは、

Ar°

一 N

で表されるジァリ一ルァミノ基であって、 Ar ¹ 〜Ar⁴ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 50のァリール基である。ただし、 Αと Βは同一ではない。

Lは、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリーレン基からなる連結基、又は、複数の置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリ一レン基を単結合，酸素原子，硫黄原子，窒素原子又は飽和もしくは不飽和の核炭素数 1〜 2 0の 2価の脂肪族炭化水素基で結合した連結基である。），

また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 EL素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、前記芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機 E L素子を提供するものである。発明を実施するための最良の形態

本発明の芳香族ァミン誘導体は、下記一般式（ 1 ) で表される化合物からなるものである。

A-L-B ( 1 )

一般式（ 1 ) において、 Aと Bは同二ではない。すなわち、本発明の芳香族ァミン化合物は、非対称な構造を有している。

一般式（ 1 ) において、 Aは、

Ar¹ _N

N—

Ar² で表されるジァリールアミノ基、 Bは、

Ar³

— N

Ar⁴

で表されるジァリールァミノ基であって、 A r ¹ 〜A r ⁴ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリール基である。

A r ' 〜A r ⁴ のァリール基としては、例えば、フヱニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アントリル基、 9一アントリル基、

1 一フエナントリル基、 2—フエナントリル基、 3—フエナントリル基、 4—フヱナントリル基、 9—フエナントリル基、 I—ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9一ナフタセニル基、 1—ピレニル基、 2—ピレニル基、 · 4—ピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4—ビフヱ二ルイル基、 ρ— 夕一フヱニルー 4ーィル基、 ρ—夕一フヱニルー 3—ィル基、 ρ—夕一フエニル — 2—ィル基、 m—ターフェ二ルー 4—ィル基、 m—夕一フヱニルー 3—ィル基、 m—夕一フヱニルー 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t—ブチルフエニル基、 p— ( 2—フエニルプロピル）フヱニル基、 3 - メチル一 2—ナフチル基、 4—メチル一 1 一ナフチル基、 4ーメチルー 1 一アントリル基、 4，ーメチルビフエ二ルイル基、 4 " — t一プチルー p—夕一フエ二ル一 4ーィル基、フルオランテニル基、フルォレニル基、 1 一ピロリル基、 2— ピロリル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3 —ピリジニル基、 4一ピリジニル基、 1 一インドリル基、 2—インドリル基、 3—インドリル基、 4一インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソインドリル基、 2—イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4一イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—ィソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2—ベンゾフラニル基、 3—べンゾフラニル基、 4 _ベンゾフラニル基、 5—ベンゾフラニル基、 6 _ベンゾフラニル基、 7—ベンゾフラニル基、 1 —イソベンゾフラニル基、 3—イソベンゾフラニル基、 4—イソべンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6—イソベンゾフラニル基、 7 f ソベンゾフラニル基、キノリル基、 3 _キノリル基、 4一キノリル基、 5—キノリル基、 6 _キノリル基、 7—キノリル基、 8 _キノリル基、 1 一イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4—イソキノリル基、 5— イソキノリル基、 6 _イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1 -力ルノゾリル基、 2—カルゾリル基、 3—カルノゾリル基、 4—カルノゾリル基、 9一力ルバゾリル基、 1 —フヱナンスリジニル基、 2—フエナンスリジ二ル基、 3—フエナンスリジニル基、 4一フエナンスリジニル基、 6—フヱナンスリジニル基、 7—フエナンスリジニル基、 8—フエナンスリジニル基、 9—フエナンスリジニル基、 1 0—フヱナンスリジニル基、 1—ァクリジニル基、 2—ァクリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—アタリジニル基、 9一ァクリジニル基、 1， 7—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 5 —ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン —8—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 8 一フエナンスロリン一 7—ィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 4— ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン— 5—^ f ル基、 1， 9—フエナンスロリン一

6—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 7—ィル基、 1， 9—フエナンスロリンー 8—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 1 0—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 1 0 一フエナンスロリン一 4—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9 —フエナンスロリン一 1 —ィル基、 2， 9ーフヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 5 _ ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一

7—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 1 —ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン _ 4ーィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 8— フエナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 2 ,

8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 1 一ィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 6 ーィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1—フエナジニル基、 2—フエナジニル基、 1ーフエノチアジニル基、 2—フエノチアジニル基、 3 ーフエノチアジニル基、 4—フエノチアジニル基、 1 0—フエノチアジニル基、 1 一フエノキサジニル基、 2—フエノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4—フヱノキサジニル基、 1 0—フヱノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4 一才キサゾリル基、 5—才キサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2 _チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルピロ一ルー 1—ィル基、 2—メチルピロ一ル— 3—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 4ーィル基、 2—メチルピロ一ル一 5—ィル基、 3—メチルビロール一 1一ィル基、 3—メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3—メチルビロール一 4—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2— t _ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3—

(2—フヱニルプロピル）ピロ一ルー 1ーィル基、 2 _メチル _ 1一インドリル基、 4一メチル一 1—インドリル基、 2 _メチル一 3 Tノドリル基、 4—メチルー 3—ィンドリル基、一 t一ブチル 1一インドリル基、 4一 t—ブチル 1一ィンドリル基、 2 - t一ブチル 3—インドリル基、 4一 t—プチル 3—インドリル基等が挙げられる。

これらの中で、好ましくはフエニル基、ナフチル基、ビフヱニル基、アントラニル基、フエナンスリル基、ピレニル基、クリセ二ル基、フルオランテュル基、フルォレニル基である。

一般式（ 1 ) において、 Lは、（ I ) 置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0 のァリ一レン基からなる連結基、又は、（II) 複数の置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリーレン基を（II- 1) 単結合，（II- 2) 酸素原子（一 0_) ，

(II- 3) 硫黄原子（一 S—），（II- 4) 窒素原子（一 NH—， — NR— [Rは置換基] ) 又は（ 11-5) 飽和もしくは不飽和の核炭素数 1〜 20の 2価の脂肪族炭化水素基で結合した連結基である。

前記（ I ) 及び（II) における核原子数 5〜50のァリーレン基としては、例えば、 1， 4—フヱニレン基、 1 , 2—フエ二レン基、 1 , 3—フエ二レン基、

1 , 4—ナフチレン基、 2， 6—ナフチレン基、 1 , 5—ナフチレン基、 9， 1 0—アントラニレン基、 9， 1 0—フヱナントレニレン基、 3, 6—フヱナントレニレン基、 1， 6—ピレニレン基、 2, 7—ピレニレン基、 6, 1 2—クリセ二レン基、 4， 4，一ビフエ二レン基、 3, 3 ' ービフエ二レン基、 2, 2，一ビフエ二レン基、 2 , 7—フルォレニレン基、 2， 5—チォフエ二レン基、 2 , 5—シローリレン基、 2， 5—ォキサジァゾーリレン基等が挙げられる。これらの中で、好ましくは、 1 , 4—フエ二レン基、 1 , 2—フエ二レン基、 1 , 3— フヱニレン基、 1 , 4一ナフチレン基、 9 , 1 0—アントラニレン基、 6 , 1 2 ークリセ二レン基、 4 , 4，一ビフエ二レン基、 3， 3 ' ービフエ二レン基、 , 2 ' —ビフエ二レン基、 2， 7—フルォレニレン基である。

前記（I I- 5) における飽和もしくは不飽和の核炭素数 1〜2 0の 2価の脂肪族炭化水素基としては、直鎖，分岐，環状のいずれであってもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ェチリデン基、シクロへキシリデン基、ァダマンチレン基等が挙げられる。

A r ¹ 〜A r ⁴ 及び Lの置換基としては、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 1 〜 5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリ一ルォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリ一ルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜5 0のァリール基で置換されたァミノ基、ハロゲン原子、シァノ基、二トロ基、ヒドロキシル基等である。

置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリ一ル基の例としては、フニニル基、 1 一ナフチル基、 2 _ナフチル基、 1 一アントリル基、 2—アントリル基、 9 _アントリル基、 1—フヱナントリル基、 2—フエナントリル基、 3—フエナントリル基、 4—フヱナントリル基、 9—フヱナントリル基、 1—ナフタセニル基、 2 —ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1—ピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2—ビフヱ二ルイル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4—ビフェニルイル基、 p—ターフェニル一 4ーィル基、 p—夕一フヱニルー 3—ィル基、 p—ターフヱニル一 2—ィル基、 m—ターフヱニル一 4ーィル基、 m—夕一フェニル— 3—ィル基、 m—夕一フヱニルー 1ーィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— tーブチルフヱニル基、 p— ( 2—フヱニルプロピル ) フエニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4ーメチルー 1 一ナフチル基、 4 ーメチルー 1 ,二アントリル基、 4 ' —メチルビフエ二ルイル基、 4 " — t一プチル一p—ターフェ二ルー 4ーィル基、フルオランテニル基、フルォレニル基、 1 一ピロリル基、 2—ピロリル基、 3—ピロリル基、ピラジュル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4—ピリジニル基、 1—インドリル基、 2 _インドリル基、 3—ィンドリル基、 4 ーィンドリル基、 5—ィンドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリル基、 2—イソインドリル基、 3— イソインドリル基、 4 _イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソィンドリル基、 7— ^ f ソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2—ベンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基、 4—ベンゾフラニル基、 5—ベンゾフラ二ル基、 6—ベンゾフラニル基、 7—べンゾフラニル基、 1 一イソべンゾフラエル基、 3—イソべンゾフラニル基、 4一イソべンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6 _イソべンゾフラニル基、 7—イソべンゾフラニル基、キノリル基、 3—キノリル基、 4一キノリル基、 5—キノリスレ基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1 _イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4ーィソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1 —カル/ ゾリル基、 2—カルノゾリル基、 3—力ルノくゾリル基、 4—カルバゾリル基、 9一力ルバゾリル基、 1 —フヱナンスリジニル基、 2 —フヱナンスリジニル基、 3—フヱナンスリジニル基、 4—フエナンスリジニル基、 6—フヱナンスリジニル基、 7—フヱナンスリジニル基、 8—フヱナンスリジニル基、 9—フエナンスリジニル基、 1 0—フエナンスリジニル基、 1—ァクリジニル基、 2—アタリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—アタリジニル基、 9—ァクリジニル基、 1， 7—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 1， 7—フェナンスロリン一 5—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7 一フエナンスロリン一 8—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 4— ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン一 9—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン _ 1 0—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン _ 3—ィル基、 1 , 9—フヱナンスロリン _ 4—ィル基、 1 , 9一フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 9— フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 9—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン _ 8—ィル基、 1 , 9 _フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン _ 2—ィル基、 1， 1 0—フヱナンスロリン一 3 ーィル基、 1， 1 0—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 1 —ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 9— フエナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 1 —ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン _ 4ーィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 6 —ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン —9—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2 , 7—フヱナンス口リン一 1ーィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 3 f ル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7—フェナンスロリン一 6—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7 一フエナンスロリン一 9—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1—フヱナジュル基、 2—フエナジニル基、 1—フヱノチアジニル基、 2—フエノチアジニル基、 3 _フヱノチアジニル基、 4—フエノチアジニル基、 1 0—フエノチアジニル基、 1ーフヱノキサジニル基、 2—フヱノキサジニル基、 3—フエノキサジニル基、 4一フエノキサジニル基、 1 0—フヱノキサジニル基、 2— ォキサゾリル基、 4—ォキサゾリル基、 5—才キサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルピロ一ル— 1ーィル基、 2—メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2—メチルピロール _ 4—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3—メチルビロール一 2—ィル基、 3 _メチルピロ —ルー 4—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2— t—ブチルビロール一 4—ィル基、 3— （ 2—フエニルプロピル）ピロール一 1—ィル基、 2—メチルー 1—インドリル基、 4 _メチル _ 1 一インドリル基、 2—メチルー 3—インドリル基、 4ーメチルー 3—インドリル基、 2— t—ブチル 1 —インドリル基、 4 - t—ブチル 1 —インドリル基、 2 - t—ブチル 3—インドリル基、 4— t _ ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルキル基の例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t—ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—ヘプチル基、 n —ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1 , 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシ一 t—ブチル基、し 2， 3 —トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 一クロ口ェチル基、 2 一クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1， 2—ジクロロェチル基、 1 , 3—ジクロ口イソプロピル基、 2 , 3—ジクロロ一 t—ブチル基、 1， 2 , 3 - トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1—ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2 _ブロモイソブチル基、 1， 2—ジブロモェチル基、 1， 3—ジブロモイソプロピル基、 2， 3—ジブ口モー t—ブチル基、 1， 2， 3—トリブロモプ口ピル基、ョードメチル基、 1—ョ一ドエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1 , 2—ジョ一ドエチル基、 1， .3—ジョードイソプロピル基、 2， 3—ジョード一 t _ブチル基、 1， 2 , 3—トリョ一ドプロピル基、ァミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2—ァミノイソプチル基、 1 , 2—ジアミノエチル基、 1 , 3—ジァミノイソプロピル基、 2 , 3— ジァミノー t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1 , 一ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロピル基、 2， 3—ジシァノ一 t —プチル基、 1， 2， 3 _トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1 _ニトロェチル基、 2—二トロェチル基、 2 _ニトロイソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1 , 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロ _ t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク口ペンチル基、シクロへキシル基、 4—メチルシクロへキシル基、 1ーァダマンチル基、 2—ァダマンチル基、 1—ノルボルニル基、 2—ノルボルニル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルコキシ基は一 O Yで表される基であり、 Yの例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n —ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、 n—ペンチル基、 n —へキシル基、 n—ヘプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1 , 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3— ジヒドロキシ一 t—ブチル基、 1 , 2 , 3—トリヒドロキシプロピル基、クロ口メチル基、 1—クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1， 2—ジクロロェチル基、 1， 3—ジクロロイソプロピル基、 2， 3—ジクロロ一 t—ブチル基、 1， 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1， 2—ジブロモェチル基、 1 , 3—ジブロモイソプロピル基、 2， 3—ジブロモ一 t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1—ョードエチル基、 2—ョ一ドエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1 , 2—ジョードエチル基、 1 , 3—ジョードイソプロピル基、 1 , 3—ジョードー t一ブチル基、 1， 2 , 3—トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 2—ァミノェチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1 , 2—ジアミノエチル基、 1， 3— ジアミノィソプロピル基、 2 , 3—ジァミノ一 t一ブチル基、 1， 2 , 3 _トリァミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1， 2—ジシァノエチル基、 1 , 3—ジシァノイソプロピル基、 2 , 3—ジシァノー t—プチル基、 1， 2 , 3—トリシァノプロピル基、ニトロメチル基、 1—ニトロェチル基、 2—ニトロェチル基、 2—ニトロイソブチル基、 1 , 2—ジニトロェチル基、 1， 3—ジニトロイソプロピル基、 2 , 3—ジニトロ一 t _ブチル基、 1， 2， 3—トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のァラルキル基の例としては、ベンジル基、 1ーフヱニルェチル基、 2—フヱニルェチル基、 1—フヱニルイソプロピル基、 2—フエニルイソプロピル基、フヱニルー t一ブチル基、 α—ナフチルメチル基、 1 — α—ナフチルェチル基、 2—α—ナフチルェチル基、 1— α—ナフチルイソプロピル基、 2— 0!—ナフチルイソプロピル基、一ナフチルメチル基、 1 — ナフチルェチル基、 2— —ナフチルェチル基、 1— S—ナフチルイソプロピル基、 2— 一ナフチルイソプロピル基、 1 一ピロリルメチル基、 2— ( 1 一ピロリル）ェチル基、 p—メチルベンジル基、 m—メチルベンジル基、 0— メチルベンジル基、 p—クロ口べンジル基、 m—クロ口べンジル基、 0—クロ口ベンジル基、 p—ブロモベンジル基、 m—ブロモベンジル基、 0—ブ口モべンジル基、 p _ョードベンジル基、 m_ョ一ドベンジル基、 0—ョードベンジル基、 p—ヒドロキシベンジル基、 m—ヒドロキシベンジル基、 0—ヒドロキシベンジル基、 p—ァミノべンジル基、 m—ァミノべンジル基、 0—ァミノべンジル基、 p—ニトロべンジル基、 m—二トロべンジル基、 0—二トロべンジル基、 p—シァノベンジル基、 m—シァノベンジル基、 0—シァノベンジル基、 1ーヒドロキシー 1 一フエ二ルイソブロピル基、 1—クロロー 2—フエ二ルイソプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数 5〜 5 0のァリールォキシ基は一 0 Y，と表され、 Y ' の例としてはフヱニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アントリル基、 9—アントリル基、 1 一フエナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4ーフヱナントリル基、 9ーフヱナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9一ナフタセニル基、 1 —ピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3 _ ビフエ二ルイル基、 4—ビフヱ二ルイル基、 ρ—夕一フヱニルー 4—ィル基、 —ターフェニル _ 3—ィル基、 ρ—夕ーフヱニル一 2—ィル基、 m—ターフェ二ルー 4ーィル基、 m—ターフヱニル一 3—ィル基、 m—ターフヱニルー 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t—ブチルフヱニル基、 P— （ 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3 _メチル一 2—ナフチル基、 4— メチル一 1 一ナフチル基、 4 —メチル一 1 —アントリル基、 4 ' —メチルビフエ二ルイル基、 4 " 一 t—ブチルー p—ターフェ二ルー 4—ィル基、 2—ピロリル基、 3―ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4 —ピリジニル基、 2—インドリル基、 3—インドリル基、 4—インドリル基、 5 一インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1 —イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4—イソインドリル基、 5 Tソインドリル基、 6一イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2— ベンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基、 4一ベンゾフラニル基、 5—ベンゾフラニル基、 6—ベンゾフラニル基、 7—べンゾフラニル基、 1 —イソべンゾフラニル基、 3—イソべンゾフラニル基、 4一^ f ソベンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6—イソべンゾフラニル基、 7—ィソベンゾフラニル基、 2— キノリル基、 3—キノリル基、 4—キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1—イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4一イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1—カルバゾリル基、 2 _カルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 1—フヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3—フヱナンスリジニル基、 4—フヱナンスリジニル基、 6—フェナンスリジニル基、 7—フヱナンスリジニル基、 8—フヱナンスリジニル基、 9ーフヱナンスリジニル基、 1 0—フヱナンスリジニル基、 1 _ァクリジニル基、 2—ァクリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—アタリジニル基、 9—アタリジニル基、 1， 7—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン _ 4—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 9ーィノレ基、 1， 7 _フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン _ 2—ィル基、 1， 8 —フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1 ， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 9一フエナンス口リン一 6—ィル基、 1 , 9—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 1 0 ーフヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 1 0—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 1 0—フヱナンスロリン一 5— ィル基、 2， 9ーフヱナンスロリン一 1ーィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 9 —フヱナンスロリン一 4ーィル基、 2， 9—フヱナンスロリンー 5—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 9—フヱナンス口リン一 7—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 8 _フエナンスロリン一 1 —ィル基、 2 , 8— フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 8—フエンスロリン _ 5—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 9 —ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 1 ーィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン —4—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 9ーィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1—フエナジニル基、 2—フヱナジニル基、 1ーフエノチアジニル基、 2—フエノチアジ二ル基、 3—フエノチアジニル基、 4ーフエノチアジニル基、 1—フエノキサジニル基、 2—フヱノキサジニル基、 3—フエノキサジニル基、 4一フエノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4—ォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2—才キサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3 —チェニル基、 2—メチルビロール一 1ーィル基、 2—メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 4—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3 —メチルピロ一ルー 1 —ィル基、 3—メチルピロ一ル— 2—ィル基、 3 _ メチルピロ一ルー 4—ィル基、 3—メチルビロール一 5—ィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3— （ 2—フエニルプロピル）ピロール— 1—ィル基、 2—メチルー 1 一インドリル基、 4—メチル一 1 一インドリル基、 2—メチル一 3—インドリル基、 4—メチルー 3—ィンドリル基、 2 _ t—ブチル 1ーィンドリル基、 4一 t—プチル 1ーィンドリル基、 1― t—プチル 3—ィンドリル基、 4一 t—ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数 5〜 5 0のァリ一ルチオ基は一 S Y" と表され、 Y" の例としてはフエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アントリル基、 9一アントリル基、 1ーフヱナントリル基、 2—フエナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4—フヱナントリル基、 9ーフヱナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフ夕セニル基、 9一ナフ夕セニル基、 1 一ピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、. 2 _ビフヱ二ルイル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4ービフエ二ルイル基、 p—ターフェ二ルー 4ーィル基、 p - 夕一フエニル _ 3—ィル基、 p—夕一フヱニルー 2—ィル基、 m—夕一フヱニル一 4ーィル基、 m—夕一フヱニルー 3—ィル基、 m—ターフヱニル一 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p _ t—ブチルフヱニル基、 p 一（ 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4ーメチル一 1—ナフチル基、 4—メチルー 1 一アントリル基、 4 ' —メチルビフエ二ルイル基、 4，，一 t _ブチル一p—夕一フヱニルー 4—ィル基、 2—ピロリル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4 _ ピリジニル基、 2—インドリル基、 3—インドリル基、 4—インドリル基、 5— インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4 一イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—ィソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2—べンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基、 4一べンゾフラニル基、 5—ベンゾフラニル基、 6—べンゾフラニル基、 7—ベンゾフラニル基、 1 Tソベンゾフラニル基、 3 _イソべンゾフラニル基、 4 一イソべンゾフラニル基、 5—イソベンゾフラニル基、 6—イソべンゾフラニル基、 7—イソべンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4—キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1 一イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4一イソキノリル基、 5 _イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8 _イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1一力ルバゾリル基、 2—力ルバゾリル基、 3—カルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 1 —フヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3—フエナンスリジニル基、 4ーフヱナンスリジニル基、 6—フエナンスリジニル基、 7—フヱナンスリジニル基、 8—フヱナンスリジニル基、 9 —フエナンスリジニル基、 1 0—フエナンスリジニル基、 1 一アタリジニル基、

2—ァクリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—アタリジニル基、 9—ァクリジニル基、 1， 7—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一

3—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1， 7—フエナンスロリンー 5—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7—フエナンス口リン一 8—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 8— フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン _ 4ーィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 6 —ィル基、 1， 8 —フヱナンスロリン一 7—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 2 —ィル基、 1 , 9ーフヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン —4—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0— フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1

, 1 0 —フエナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 9ーフヱナンスロリン一 1 —ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 3 ーィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 7—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 1ーィル基、 2 , 8—フェナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 2， 8 一フエナンスロリン _ 5—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 9 —ィル基、 2 , 8 _フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 1 一ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 3.—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2 , 7—フエナンス口リン一 9—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1—フエナジニル基、 2—フヱナジニル基、 1 一フヱノチアジニル基、 2—フエノチアジニル基、 3—フエノチアジニル基、 4—フヱノチアジニル基、 1—フエノキサジニル基、 2—フエノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4ーフヱノキサジニル基、 2—才キサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチルビロール一 3 Tル基、 2—メチルピロ一ルー 4—ィル基、 2—メチルビロール— 5—ィル基、 3 —メチルピロ一ルー 1—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 4—ィル基、 3—メチルピロ一ル— 5—ィル基、 2— t—ブチルピロール— 4ーィル基、 3— （ 2—フヱニルプロピル）ピロ一ルー 1ーィル基、 2 _メチル一 1 —インドリル基、 4—メチルー 1 一インドリル基、 2—メチル一 3ーィンドリル基、 4ーメチル一 3—ィンドリル基、 2 - t—プチル 1—ィンドリル基、 4— t—プチル 1ーィンドリル基、 2— t—プチル 3—ィンドリル基、 4— t —ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルコキシ力ルポ二ル基は一 C〇 0 Z と表され、 Zの例としてはメチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1— ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1 , 2—ジヒドロキシェチル基、 1 , 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3 ージヒドロキシー t一ブチル基、 1， 2， 3—トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 一クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1 , 2—ジクロ口ェチル基、 1， 3—ジクロロイソプロピル基、 2， 3—ジクロ口— t _ブチル基、 1， 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2 —ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1 , 一ジブロモェチル基、 1， 3—ジブ口モイソプロピル基、， 3—ジブロモ一 t - ブチル基、 1 , 2， 3—トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1ーョ一ドエチル基、 2—ョ一ドエチル基、 2—ョ一ドイソブチル基、 1， 2—ジョードエチル基、 1， 3—ジョードイソプロピル基、 2 , 3—ジョ一ドー t一ブチル基、 1 ， 2 , 3—トリョードプロピル基、ァミノメチル基、 1—アミノエチル基、 2— アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1 , 2—ジアミノエチル基、 1， 3 ージァミノイソプロピル基、 2， 3—ジァミノ一 t—ブチル基、 1 , 2 , 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1 , 2—ジシァノエチル基、 1 , 3—ジシァノィソプロピル基、 2 , 3—ジシァノ一 t一ブチル基、 1， 2 , 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1—ニトロェチル基、 2—ニトロェチル基、 2—ニト口イソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1 , 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロ一 t一ブチル基、 1， 1 , 3—トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリール基で置換されたァミノ基は — N F Qと表わされ、 P、 Qの例としては、フヱニル基、 1 —ナフチル基、 2— ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アントリル基、 9—アントリル基、 1ーフェナントリル基、 2—フエナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4—フエナントリル基、 9—フヱナントリル基、 1—ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1—ピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2— ビフエ二ルイル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4—ビフヱ二ルイル基、 p—夕一フェニルー 4ーィル基、 p—夕一フヱニル一 3—ィル基、 p—夕一フヱニルー 2— ィル基、 m—夕一フヱニルー 4—ィル基、 m—タ一フヱニル一 3—ィル基、 m— ターフヱニル一 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p - tーブチルフヱニル基、 p— ( 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3 _メチル一 2—ナフチル基、 4—メチル一 1 —ナフチル基、 4—メチル一 1 一アントリル基、 4，一メチルビフヱニルイル基、 4 " 一 tーブチルー p _ターフェニル一 4 —ィル基、 2—ピロリル基、 3—ピロリル基、ピラジュル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4一ピリジニル基、 2—インドリル基、 3—インドリル基、 4 _インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1 _イソインドリル基、 3 _イソインドリル基、 4—イソインドリル基、 5— イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2 _フリル基、 3 —フリル基、 2—ベンゾフラニル基、 3—べンゾフラニル基、 4—ベンゾフラニル基、 5—ベンゾフラニル基、 6—ベンゾフラニル基、 7 _ベンゾフラ二ル基、 1 —イソベンゾフラニル基、 3—イソベンゾフラニル基、 4一イソベンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6—イソべンゾフラニル基、 7—^ Γソベンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4一キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8 _キノリル基、 1—イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4—イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—ィソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1—カルバゾリル基、 2— 力ルゾゾリル基、 3—カル/ ゾリル基、 4—カルゾリル基、 1 —フヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3—フエナンスリジニル基、 4—フエナンスリジニル基、 6—フエナンスリジニル基、 7—フエナンスリジニル基、 8— フエナンスリジニル基、 9ーラヱナンスリジニル基、 1 0—フヱナンスリジニル基、 1 一ァクリジニル基、 2—アタリジニル基、 3—ァクリジニル基、 4ーァクリジニル基、 9 一アタリジニル基、 1， 7—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 9 —ィル基、 1 , 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 8 _フエナンス口リン一 4—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1， 8—フェナンスロリン一 9ーィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 2—ィル基、. 1， 9一フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9 —フエナンスロリン一 4—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン _ 5—^ f ル基、 1 , 9 _フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 7— ィル基、 1， 9ーフヱナンスロリン _ 8—ィル基、 1 , 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 1 0—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 1， 1 0— フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 1 —ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 9ーフヱナンスロリン一 4ーィル基、 2 , 9 —フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 9ーフヱナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 8— ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン — 1ーィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 2 , . 8—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7 一フエナンスロリン一 1ーィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2 ， 7—フエナンスロリン一 4ーィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 7 _フエナンスロリン一 8—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 9ーィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1—フヱナジニル基、 2—フエナジニル基、 1—フヱノチアジニル基、 2—フヱノチアジニル基、 3—フエノチアジニル基、 4ーフエノチアジニル基、 1ーフヱノキサジニル基、 2—フエノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4ーフヱノキサジニル基、 2—才キサゾリル基、 4一才キサゾリル基、 5— ォキサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5—ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルビロール— 1—ィル基、 2—メチルピロール一 3—ィル基、 2 —メチルピロ一ルー 4ーィル基、 2—メチルピロール一 5—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 1—ィル基、 3—メチルピロール一 2—ィル基、 3—メチルビロール一 4ーィル基、 3—メチルピロール _ 5 —ィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4—ィル基、 3— （ 2—フヱニルプロピル ) ピロール一 1ーィル基、 2—メチル一 1 —インドリル基、 4—メチル一 1ーィンドリル基、 2—メチルー 3—インドリル基、 4—メチルー 3—インドリル基、 2 - t—プチル 1—ィンドリル基、 4— t一ブチル 1ーィンドリル基、 2— t— プチル 3—インドリル基、 4— t—ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。 P 、 Qはそれぞれ同一であっても異なっていても良い。

前記置換基は、置換基同士で環を形成していてもよく、環を形成する 2価基の例としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、へキサメチレン基、ジフエニルメタン一 2 , 2 ' —ジィル基、ジフエニルェタン一 3 , 3，一ジィル基、ジフヱニルプロパン一 4， 4，一ジィル基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。本発明の一般式（ 1 ) で表される芳香族ァミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、 Meはメチル基、 i Pr はィソプロピル基を示す。

2

ll000/t700idf/X3d ひ1£90/1?00 OAV 9. I

Π000請 Zdf/ェ:) d ひ I£90請 OAV

次に、本発明の有機 E L素子について説明する。

本発明の有機 E L素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層力、らなる有機薄膜層が挟持されている有機 E L素子において、該有機薄膜層の少なくとも I層が、前記芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。

本発明の有機 E L素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域が、本発明の芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有すると好ましく、また、前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、本発明の芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有するとさらに好ましい。さらに、前記正孔輸送層が、主成分として本発明の芳香族ァミン誘導体を含有すると好ましい。

以下、本発明の有機 E L素子の素子構成について説明する。

( 1 ) 有機 E L素子の構成本発明の有機 E L素子の代表的な素子構成としては、

(1) 陽極/発光層/陰極

(2) 陽極ノ正孔注入層/発光層/陰極

(3) 陽極/発光層/電子注入層/陰極

(4) 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極

(5) 陽極/有機半導体層/発光層/陰極

(6) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極

(7) 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極

(8) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極

(9) 陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極

(10)陽極 Z無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極

(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極

(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極

(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極などの構造を挙げることができる。

これらの中で通常 (8) の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の芳香族ァミン誘導体は、有機 E L素子のどの有機薄膜層に用いてもよいが、発光帯域又は正孔輸送帯域に用いることができ、好ましくは正孔輸送帯域、特に好ましくは正孔輸送層に用いることにより、分子が結晶化しにくく、有機 E L素子を製造する際の歩留りが向上する。

本発明の芳香族ァミン誘導体を、有機薄膜層に含有させる量としては、 3 0〜 1 0 0モル％が好ましい。

( 2 ) 透光性基板

本発明の有機 E L素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機 E L素子を支持する基板であり、 4 0 0〜7 0 O n mの可視領域の光の透過率が 5 0 %以上で平滑な基板が好ましい。

具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、ノリウム 'ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノゲイ酸ガラス、ホウケィ酸ガラス、ノリウムホウゲイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマ一板としては、ポリ力一ボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフアイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。

( 3 ) 陽極

本発明の有機 E L素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有するものであり、 4 . 5 e V以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化ィンジゥム錫合金（ I T O ) 、酸化錫（N E S A) 、金、銀、白金、銅等が挙げられる。

陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。

このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が 1 0 %より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百 /口以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常 1 O n m〜l m、好ましくは 1 0〜 2 0 0 n mの範囲で選択される。

( 4 ) 発光層

有機 E L素子の発光層は以下①〜③の機能を併せ持つものである。

①注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能

②輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能

③発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあつてもよく

、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。

この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、 L B法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、 L B法により形成された薄膜（分子累積膜 ) とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。

また、特開昭 5 7 - 5 1 7 8 1号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによつても、発光層を形成することができる。

本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に本発明の芳香族ァミン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明の芳香族ァミン誘導体からなる発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。

( 5 ) 正孔注入 ·輸送層（正孔輸送帯域）

正孔注入 ·輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であつて、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常 5 . 5 e V以下と小さい。このような正孔注入 ·輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば 1 0 ⁴ 〜 1 0 ⁶ V / c m の電界印加時に、少なくとも 1 0— ⁴ c m² / V ·秒であれば好ましい。

本発明の芳香族ァミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の芳香族ァミン誘導体単独で正孔注入、 $翁送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。

本発明の芳香族ァミン誘導体と混合して正孔注入、輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機 EL素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。

具体例としては、卜リアゾール誘導体（米国特許 3, 1 1 2, 1 97号明細書等参照）、ォキサジァゾール誘導体（米国特許 3, 1 89， 447号明細書等参照）、ィミダゾール誘導体（特公昭 37— 1 6096号公報等参照）、ポリァリ一ルアルカン誘導体（米国特許 3, 61 5, 402号明細書、同第 3, 820, 989号明細書、同第 3 , .542, 544号明細書、特公昭 45 - 555号公報、同 5 1— 1 0983号公報、特開昭 5 1— 93224号公報、同 55— 1 71

05号公報、同 56— 4 148号公報、同 55— 1 08667号公報、同 55—

1 56953号公報、同 56— 3665· 6号公報等参照）、ビラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第 3, 180, 729号明細書、同第 4, 27 8, 746号明細書、特開昭 55— 88064号公報、同 55— 88065号公報、同 49— 1 05537号公報、同 55— 51 086号公報、同 56— 800 5 1号公報、同 56— 88 14 1号公報、同 57— 45545号公報、同 54 _ 1 1 2637号公報、同 55— 74546号公報等参照）、フヱニレンジァミン誘導体（米国特許第 3， 6 1 5, 404号明細書、特公昭 5 1- 101 05号公報、同 46— 371 2号公報、同 47— 25336号公報、特開昭 54 - 534 35号公報、同 54— 1 1 0536号公報、同 54— 1 1 9925号公報等参照 ) 、ァリ一ルァミン誘導体（米国特許第 3， 567, 450号明細書、同第 3， 1 80， 703号明細書、同第 3, 240, 597号明細書、同第 3 , 658, 520号明細書、同第 4， 232, 1 03号明細書、同第 4， 1 75, 96 1号明細書、同第 4 , 0 1 2, 376号明細書、特公昭 49 - 35702号公報、同 39 - 27577号公報、特開昭 55 - 144250号公報、同 56— 1 1 9 1 32号公報、同 56— 22437号公報、西独特許第 1 , 1 10, 5 1 8号明細書等参照）、ァミノ置換カルコン誘導体（米国特許第 3， 526, 50 1号明細書等参照）、ォキサゾール誘導体（米国特許第 3， 2 5 7 , 2 0 3号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭 5 6 - 4 6 2 3 4号公報等参照）、フルォレノン誘導体（特開昭 5 4— 1 1 0 8 3 7号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第 3， 7 1 7 , 4 6 2号明細書、特開昭 5 4— 5 9 1 4 3号公報、同 5 5— 5 :2 0 6 3号公報、同 5 5 _ 5 2 0 6 4号公報、同 5 5— 4

6 7 6 0号公報、同 5 5— 8 5 4 9 5号公報、同 5 7— 1 1 3 5 0号公報、同 5

7 - 1 4 8 7 4 9号公報、特開平 2— 3 1 1 5 9 1号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭 6 1— 2 1 0 3 6 3号公報、同第 6 1— 2 2 8 4 5 1号公報、同

6 1 - 1 4 6 4 2号公報、同 6 1— 7 2 2 5 5号公報、同 6 2— 4 7 6 4 6号公報、同 6 2— 3 6 6 7 4号公報、同 6 2— 1 0 6 5 2号公報、同 6 2— 3 0 2 5 5号公報、同 6 0— 9 3 4 5 5号公報、同 6 0— 9 4 4 6 2号公報、同.6 0— 1

7 4 7 4 9号公報、同 6 0 _ 1 7 5 0 5 2号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第 4 , 9 5 0 , 9 5 0号明細書）、ポリシラン系（特開平 2— 2 0 4 9 9 6号公報）、ァニリン系共重合体（特開平 2— 2 8 2 2 6 3号公報）、特開平 1 - 2 1 1 3 9 9号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフヱンオリゴマー）等を挙げることができる。

正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭 6 3 - 2 9 5 6 9 6 5号公報等に開示のもの）、芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第 4， 1 2 7 , 4 1 2号明細書、特開昭 5 3— 2 7 0 3 3号公報、同 5 4— 5 8 4 4 5号公報、同 5 4— 1 4 9 6 3 4号公報、同 5 4— 6 4 2 9 9号公報、同 5 5— 7 9 4 5 0号公報、同 5 5 - 1 4 4 2 5 0号公報、同 5 6— 1 1 9 1 3 2号公報、同 6 1— 2 9 5 5 5 8 号公報、同 6 1— 9 8 3 5 3号公報、同 6 3— 2 9 5 6 9 5号公報等参照）、特に芳香族第三級ァミン化合物を用いることが好ましい。

また、米国特許第 5， 0 6 1 , 5 6 9号に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、 4 , 4 ' 一ビス（N— ( 1—ナフチル）一N—フエニルァミノ）ビフエ二ル（以下 N P Dと略記する）、また特開平 4一 3 0 8 6 8 8号公報に記載されているトリフヱニルアミンュニッ卜が 3つスターバースト型に連結された 4， 4 ' ， 4 " ートリス（N— ( 3—メチルフヱニル）一 N—フエニルァミノ）トリフニニルァミン（以下 M T D A TAと略記する）等を挙げることができる。

さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、 p型 S i、 p型 S i C等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。

正孔注入 ·輸送層は本発明の芳香族ァミン誘導体を、例えば、真空蒸着法、スビンコ一ト法、キャスト法、 L B法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入 ·輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は 5 n m〜 5 である。この正孔注入 ·輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族ァミン誘導体を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、前記正孔注入 ·輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入 ·輸送層を積層したものであってもよい。

また、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、 1 0—' ° S / c m以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフヱンオリゴマーゃ特開平 8— 1 9 3 1 9 1号公報に開示してある含ァリールァミンオリゴマ一等の導電性ォリゴマ一、含ァリールァミンデンドリマ一等の導電性デンドリマ一等を用いることができる

( 6 ) 電子注入層

電子注入層 ·輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また、付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着性がよい材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、 8—ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。この 8—ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、ォキシン（一般に 8—キノリノール又は 8—ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートォキシノィド化合物が挙げられ、例えばトリス（8—キノリノ一ル）アルミニウム（A l q) を電子注入材料として用いることができる。

また、ォキサジァゾ一ル誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物か'挙げられる。

(式中 Ar ¹' , Ar ²'， Α Γ ³' , A r ⁵'， A r ⁶' , A r ³'はそれぞれ置換もしくは無置換のァリ一ル基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また、 A r ⁴' , Ar ⁷' , A r ⁸'は置換もしくは無置換のァリ一レン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）

ここでァリール基としては、フヱニル基、ビフヱニル基、アントラニル基、ぺリレニル基、ピレニル基が挙げられ、ァリ一レン基としては、フヱニレン基、ナフチレン基、ビフヱ二レン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数 1〜 1 0のアルキル基、炭素数 1〜1 0のアルコキシ基又はシァノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。

この電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。

また、本発明の有機 E L素子は、電子を輸送する領域又は陰極と有機薄膜層の界面領域に、還元性ドーパントを含有していてもよい。ここで、還元性ドーパン卜とは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アル力リ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。

好ましい還元性ドーパントの^体例としては、 N a (仕事関数： 2 . 3 6 e V ) 、 K (仕事関数： 2 . 2 8 e V ) 、 R b (仕事関数： 2 . 1 6 e V ) 及び C s

(仕事関数： 1 . 9 5 e V ) からなる群から選択される少なくとも一つのアル力リ金属や、 C a (仕事関数： 2 . 9 e V ) 、 S r (仕事関数： 2 . 0〜 2 . 5 e V)、及び Ba (仕事関数： 2. 52 eV) からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が 2. 9 eV以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、 K、 Rb及び Cs からなる群から選択される少なくとも一つのアル力リ金属であり、さらに好ましくは、 Rb又は C sであり、最も好ましのは C sである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機 EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が 2. 9 e V 以下の還元性ド一パントとして、これら 2種以上のアル力リ金属の組合わせも好ましく、特に、 C sを含んだ組み合わせ、例えば、 Csと Na、 Csと K：、 Cs と Rb又は C sと N aと Kとの組み合わせであることが好ましい。 C sを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機 EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。本発明の有機 E L素子は、陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。これにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアル力リ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアル力リ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができるため好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、 L i ₂ 0、 L i O、 Na₂ S、 Na₂ S e及び NaOが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、 Ca〇、 Ba〇、 S r 〇、 B e〇、 B a S及び C a S eが挙げられる。また、好ましいアル力リ金属のハロゲン化物としては、例えば、 L i F、 NaF、 KF、 L i C 1、 K C 1及び NaC 1等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、 CaF₂ 、 BaF₂ 、 S r F₂ 、 MgF₂ 及び B e F₂ といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。

また、電子輸送層を構成する半導体としては、 Ba、 Ca、 S r、 Yb、 A 1 、 Ga、 I n、 L i、 Na. Cd、 Mg、 S i、 Ta、 Sb及び Znの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アル力リ金属のハロゲン化物及びァルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。 ( 7 ) 陰極

陰極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（4 eV以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム ·力リウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシゥム ·銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム ' リチウム合金、インジウム、希土^ I金属などが挙げられる。

この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッ夕リング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。

ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は 1 0%より大きくすることが好ましい。

また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω/ロ以下が好ましく、膜厚は通常 1 0 nm〜l m、好ましくは 50〜20 Onmである。

( 8 ) 絶縁層

有機 E L素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を揷入することが好ましい。

絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシゥム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシゥム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニゥム、酸化バナジウム等が挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。

( 9 ) 有機 E L素子の製造方法

以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入 - 輸送層、及び必要に応じて電子注入 ·輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機 E L素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機 E L素子を作製することもできる。

以下、透光性基板上に陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有機 E L素子の作製例を記載する。

まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を 1 以下、好ましくは 1 0〜2 0 0 n mの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 L B法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注; iを形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度 5 0 - 4 5 0 °C、真空度 1 0— ⁷〜 1 0— ³ 1 0 r r、蒸着速度 0 . 0 1 - 5 O n m/秒、基板温度— 5 0〜3 0 0 ° (：、膜厚 5 n m〜5〃mの範囲で適宜選択することが好ましい。

次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。

次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。'蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。

本発明の芳香族ァミン誘導体は、発光帯域ゃ正孔輸送帯域のいずれの層に含有させるかによつて異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。

最後に陰極を積層して有機 E L素子を得ることができる。

陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。

この有機 E L素子の作製は一回の真空弓 Iきで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。

本発明の有機 E L素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコ一ティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機 E L素子に用いる、前記一般式 ( 1 ) で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（M B E法）あるいは溶媒に解かした溶液のデイツビング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バ一コート法、口 —ルコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

本発明の有機 E L素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数 n mから 1 i mの範囲が好ましい。

なお、有機 E L素子に直流電圧を印加する場合、陽極を +、陰極を一の極性にして、 5〜4 0 Vの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が十、陰極が一の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。

実施例 1 ( N , N—ジフエ二ル一 1 —ァミノ一 N， N—ジ一ビフエ二リル一 4 _ ァミノベンゼン（H 1 ) の合成）

( 1 ) ジ一 4ービフユ二リルァミンの合成

100 ミリリットルの三つ口フラスコに 4—プロモビフヱニル lO. Og (東京化成社品）、 t—ブトキシナトリウム 4. 32 g (和光純薬社製）、酢酸パラジウム 42mg (和光純薬社製）を入れた。さらに攪拌子を入れ、フラスコの両側にラバーキヤップをセッ卜し、中央の口に還流用蛇管、その上に三方コックとアルゴンガスを封入した風船をセッ卜し、系内を真空ポンプを用いて 3回、風船内のアルゴンガスで置換した。

次に、脱水トルエン 60ミリリットル（和光純薬社製）、ベンジルァミン 2. 04ミリリットル（東京化成社製）、トリスー t—プチルホスフィン 169wリットル（ァルドリッチ社製、 1. 22mol/リットルトルェン溶液）をシリンジでラバ一セプ夕ムを通して加え、 5分間室温で攪拌した。

次にフラスコをオイルバスにセットし、溶液を攪拌しながら徐々に 120°Cまで昇温した。 7時間後、オイルバスからフラスコを外し反応を終了させ、アルゴン雰囲気下、 12時間放置した。

反応溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタン 300ミリリットルを加えて沈殿物を溶解させ、飽和食塩水 60ミリリットルで洗浄後、有機層を無水炭酸力リウムで乾燥した。炭酸カリウムを濾別して得られた有機層の溶媒を留去し、得られた残渣にトルエン 200ミリリットル、エタノール 40ミリリットルを加え、乾燥管を付けて 80°Cに加熱し、残渣を完全に溶解した。その後 12時間放置し、室温まで除冷することにより再結晶化させた。

析出した結晶を濾別し、 60°Cで真空乾燥することにより 6. 73g の N， N—ジー ( 4—ビフヱ二リル）一ベンジルァミンを得た。

300ミリリットルの一口フラスコに、 1. 35gの N , N—ジー（4—ビフヱユリル）一ベンジルァミン、パラジウム一活性炭素 135mg (和光純薬社製、パラジゥム含有量 10重量％) を入れ、クロ口ホルム 100ミリリットル、エタノール 20ミリリットルを加えて溶解した。

次に、フラスコに攪拌子を入れた後、水素ガス 1リットルが充填された風船を装着した三方コックをフラスコに取り付け、真空ポンプを用いてフラスコ系内を水素ガスで 10回置換した。減った水素ガスを新たに充填し、水素ガスの容積を再び 2リットルにした後、室温で激しく溶液を攪拌した。 30時間攪拌後、ジクロロメタン 100ミリリットルを加え、触媒を濾別した。

次に、得られた溶液を分液ロートに移し、炭酸水素ナトリゥム飽和水溶液 50ミリリットルで洗浄後、有機層を分別し、無水炭酸力リゥムで乾燥した。濾過後、溶媒を留去し、得られた残渣にトルエン 50ミリリットルを加え、再結晶化させた。析出した結晶を濾別し、 50°Cで真空乾燥することにより 0. 99g のジー 4—ビフェニリルアミンを得た。

( 2 ) 4—ブロモ一 N , N—ジービフヱニリルァニリンの合成

アルゴン気流下、上記（ 1 ) で得られたジ一 4一ビフヱ二リルアミン 10g、 1 , 4一ジブロモベンゼン 7. 3g (東京化成社製）、 t—ブトキシナトリウム 3g (広島和光社製）、ビス（トリフヱニルホスフィン）塩化パラジウム（Π ) 0. 5g (東京化成社製）及びキシレン 500ミリリットルを入れ、 130°Cにて 24時間反応した冷却後、水 1000ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 8. lgの 4—ブロモ一 N， N—ジ一ビフエ二リルァニリンが得られた。 (3) 化合物（H 1) の合成

アルゴン気流下、上言己（2)で得られた 4—プロモー N， N—ジ一ビフエユリルァニリン 2g、 N, N—ジフヱニルァミン lg (東京化成社製）、 tーブトキシナトリウム 0.5g (広島和光社製）、ビス（トリフヱニルホスフィン）塩化パラジゥム（II) 0. lg (東京化成社製）及びキシレン 300ミリリットルを入れ、 130 °Cにて 24時間反応した。

冷却後、水 500ミリリットルを加え、混合物をセライ卜濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 1.6gの淡黄色粉末が得られた。

得られた粉末について、 FD— MS (フィールドディソープシヨンマススぺクトル）分析により、 C"H₃₂N₂ =564 に対し、 m/z=564の主ピークが得られたので、 N, N—ジフエニル一 1 _アミノー N， N—ジ一ビフエ二リル一 4一ァミノベンゼン（H I) と同定した。

実施例 2 (N, N—ジフエ二ルー 4—ァミノ一 N，， N，一ジ一ビフエ二リル一 4' —アミノー 1 , 1，ービフヱニル（H2) の合成）

(1) 4，一プロモ一 N， N—ジ一ビフエ二リル一 4—アミノー 1 , Γ —ビフヱニルの合成

アルゴン気流下、実施例 1の（ 1 ) で得られたジ— 4一ビフヱ二リルアミン 10 g (東京化成）、 4， 4' 一ジブ口モビフヱニル 9.7g (東京化成社製）、 t—ブトキシナトリウム 3g (広島和光社製）、ビス（トリフヱニルホスフィン）塩化パラジウム（10 0.5g (東京化成社製）及びキシレン 500ミリリットルを入れ、 130°Cにて 24時間反応した。

冷却後、水 1000ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 9. lgの 4，一ブロモー N, N—ジービフエ二リルー4一アミノー 1，

1，一ビフヱニルが得られた。

( 2) 化合物（H 2) の合成

アルゴン気流下、上記（ 1 ) で得られた 4，一プロモ— N， N—ジービフエ二リル一 4—アミノー 1， Γ ービフエニル 2.3g、 N， N—ジフエニルァミン lg

(東京化成社製）、 tーブトキシナトリゥム 0.5g (広島和光社製）、ビス（トリフエニルホスフィン）塩化パラジウム（II) 0. lg (東京化成社製）及びキシレン

300ミリリットルを入れ、 130°Cにて 24時間反応した。

冷却後、水 500ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 1.6gの淡黄色粉末が得られた。

得られた粉末について、 FD— MS分析により、 C₄₈H₃₆N₂ =640 に対し、 m/z=640 の主ピークが得られたので、 N， N—ジフヱニル一 4一アミノー N ，， N，ージ一ビフエ二リルー4，一アミノー 1 , Γ ービフエニル（H 2) と同定した。

実施例 3 (N, N—ジフエニル一 4ーァミノ一 N" ， N" 一ジ一ビフエ二リル一 4" 一アミノー p—ターフヱニル（H 3) の合成）

( 1 ) 4" 一ブロモ一N, N—ジービフエ二リル一 4ーァミノ一 p—夕一フエ二ルの合成

アルゴン気流下、ジ一 4一ビフヱ二リルアミン 10g (東京化成）、 4， 4" - ジブロモ一 p—ターフェニル 12. lg (ランカス夕一社製）、 t—ブトキシナトリゥム 3g (広島和光社製）、ビス（トリフエニルホスフィン）塩化パラジウム（II ) 0.5g (東京化成社製）及びキシレン 500ミリリットルを入れ、 130°Cにて 24時間反応した。

冷却後、水 1000ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 9.4gの 4" —プロモ一 N， N—ジービフエ二リル一 4—ァミノ一 p— ターフヱニルが得られた。

( 2) 化合物 (H 3)

アルゴン気流下、上記（ 1 ) で得られた 4" —プロモ— N， N—ジ―ビフエ二リル _ 4—アミノー p—夕一フヱニル 2.6g、 N， N—ジフヱニルァミン lg (東京化成社製）、 t一ブトキシナトリウム 0.5g (広島和光社製）、ビス（トリフユニルホスフィン）塩化パラジウム（II) 0. lg (東京化成社製）及びキシレン 300 ミリリットルを入れ、 130°Cにて 24時間反応した。

冷却後、水 500ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 1.7gの淡黄色粉末が得られた。

得られた粉末について、 FD— MS分析により、 C₅₄H₄。N₂ =716 に対し、 m/z-716 の主ピークが得られたので、 N， N—ジフエ二ルー 4一アミノー N " ， N" —ジ一ビフエ二リル一 4" ーァミノ一 p—夕一フエニル（H 3 ) と同定した。

実施例 4 (N, N, N' 一卜リフエニル一 4—ァミノ一N，一（ 1—ナフチル）ァミノ一 1， 1，ービフヱニル（H 4) の合成）

アルゴン気流下、実施例 2の（ 1 ) で得られた 4， —プロモー N, N—ジービフエ二リル一 4—アミノー 1 , Γ —ビフヱニル 2.3g、 Ν—フエニル 1一ナフチルァミン lg (東京化成社製）、 t一ブトキシナトリウム 0.5g (広島和光社製）、ビス（トリフヱニルホスフィン）塩化パラジウム（11) 0. lg (東京化成社製）及びキシレン 300ミリリットルを入れ、 130°Cにて 24時間反応した。

冷却後、水 500ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 2.0gの淡黄色粉末が得られた。

得られた粉末について、 FD— MS分析により、 C₅₂H₃₈N₂ =690 に対し、 m/z=690 の主ピークが得られたので、 N， N, N，一トリフヱニル一 4ーァミノ一 N， - ( 1一ナフチル）ァミノ一 1 , 1，一ビフエニル（H 4 ) と同定した。

実施例 5 (N, N， N，一トリフエニル一4 _アミノー N， - ( 2—ナフチル）ァミノ一 1， 1，一ビフユニル（H 5) の合成）

アルゴン気流下、実施例 2の（ 1 ) で得られた 4，一ブロモ— N， N_ジービフエ二リル一 4—ァミノ一 1， Γ —ビフエニル 2.3g、 N—フヱニル 2—ナフチルァミン lg (東京化成社製）、 t—ブトキシナトリウム 0.5g (広島和光社製）、ビス（トリフヱニルホスフィン）塩化パラジウム（11) 0. lg (東京化成社製）及びキシレン 300ミリリットルを入れ、 130°Cにて 24時間反応した。

冷却後、水 500ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 1.9gの淡黄色粉末が得られた。

得られた粉末について、 FD— MS分析により、 C₅₂H₃₈N₂ =690 に対し、 m/z =690 の主ピークが得られたので、 N， N, N，一トリフヱニルー 4ーァミノ一 N' ― ( 2—ナフチル）アミノー 1， Γ —ビフエニル（H 5 ) と同定した。

実施例 6 (N， N—ジフヱニル一 4一アミノー N'， N， —ジ一 ( 4，ーメチル一 4一ビフヱ二リル）一 4 ' ーァミノ一 1 , 1，ービフヱニル（H 6 ) の合成）

( 1 ) 4一ョ一ド一 4，一メチルビフヱニルの合成 .

4ーメチルビフヱニル 75g (東京化成社製）とオルト過ヨウ素酸 19. 2g (和光純薬社製）とヨウ素 64. 3g (和光純薬社製）と酢酸 230ミリリットルと濃硫酸 7 . 6ミリリットルを入れ、 70°Cで 2時間反応した。

反応後、室温まで冷却し、メタノール 850ミリリットルに攪拌下注入し、析出結晶を濾取し、得られた結晶をァセトニトリル 2. 1リットルにて再結晶し、 73g の 4—ョ一ド一 4，ーメチルビフエニルを得た。

( 2 ) ジ一（4，一メチル一 4—ビフヱ二リル）ァミンの合成

100ミリリッ卜ルの三つ口フラスコに、上記（ 1 ) で得られた 4ーョードー 4 ，ーメチルビフヱニル 10. Og 、 t一ブトキシナトリウム 4. 32g (和光純薬社製）、酢酸パラジウム 42mg (和光純薬社製）を入れた。さらに攪拌子を入れ、フラスコの両側にラバーキャップをセッ卜し、中央の口に還流用蛇管、その上に三方コックとアルゴンガスを封入した風船をセットし、系内を真空ポンプを用いて 3回、風船内のアルゴンガスで置換した。

次に、脱水トルエン 60ミリリツトル（和光純薬社製）、ベンジルアミン 2. 04ミリリットル（東京化成社製）、トリス _ t—プチルホスフィン 169 /リットル（アルドリツチ社製、 2. 22mol/リットルトルエン溶液）をシリンジでラバ一セプタムを通して加え、 5分間室温で攪拌した。

反応溶液を分液口一トに移し、ジクロロメタン 300ミリリッ卜ルを加えて沈殿物を溶解させ、飽和食塩水 60ミリリットルで洗浄後、有機層を無水炭酸力リゥムで乾燥した。炭酸カリウムを濾別して得られた有機層の溶媒を留去し、得られた残渣にトルエン 200ミリリットル、エタノール 40ミリリットルを加え、乾燥管を付けて 80°Cに加熱し、残渣を完全に溶解した。その後 12時間放置し、室温まで除冷することにより再結晶化させた。

析出した結晶を濾別し、 60°Cで真空乾燥することにより 6. 12g の N， N—ジー ( 4，一メチル _ 4一ビフヱ二リル）一ベンジルァミンを得た。

300 ミリリットルの一口フラスコに、 l, 35g の N， N—ジー（4 ' —メチル一 4ービフユ二リル）一ベンジルァミン、パラジウム一活性炭素 135mg (和光純薬社製、パラジウム含有量 10重量％) を入れ、クロ口ホルム 100ミリリツトル、ェ夕ノール 20ミリリットルを加えて溶解した。

次に、フラスコに攪拌子を入れた後、水素ガス 1リットルが充填された風船を装着した三方コックをフラスコに取り付け、真空ポンプを用いてフラスコ系内を水素ガスで 10回置換した。減つた水素ガスを新たに充填し、水素ガスの容積を再び 2リットルにした後、室温で激しく溶液を攪袢した。 30時間攪拌後、ジクロロメタン 100ミリリットルを加え、触媒を濾別した。

次に、得られた溶液を分液ロートに移し、炭酸水素ナトリゥム飽和水溶液 50ミリリットルで洗浄後、有機層を分別し、無水炭酸力リウムで乾燥した。濾過後、溶媒を留去し、得られた残渣にトルエン 50ミリリットルを加え、再結晶化させた。析出した結晶を濾別し、 50tで真空乾燥することにより 0. 83g のジー（4 ' ― メチルー 4—ビフヱ二リル）アミンを得た。

( 3 ) 化合物（H 6 ) の合成

アルゴン気流下、実施例 2の（ 1 ) で得られた 4，一ブロモ一 N， N—ジ一ビフエユリル一 4一アミノー 1， 1 ' ービフヱニル 2. 3g、上記（ 2 ) で得られたジ — ( 4，一メチル一 4—ビフエ二リル）ァミン 1. 8g、 t一ブトキシナトリウム 5g (広島和光社製）、ビス（トリフユニルホスフィン）塩化パラジウム（Π ) 0. lg (東京化成社製）及びキシレン 300ミリリットルを入れ、 130°Cにて 24時間反応した。

冷却後、水 500ミリリ、ジトルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルェンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、 .3gの淡黄色粉末が得られた。

得られた粉末について、 FD— MS分析により、 C H₄₈N₂ =820 に対し、 m/z -821 の主ピークが得られたので、 N， N—ジフヱ二ルー 4ーァミノ一 N ，，Ν' —ジ一（4，ーメチルー 4ービフエ二リル） _4，一ァミノ一 1， Γ ― ビフエニル（Η 6 ) と同定した。

実施例 7

25ramX75mmXL 1mm厚の I T 0透明電極付きガラス基板 (ジ才マティック社製 ) をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 30分間行なった。

洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚 60nmの N， N，一ビス（N， N，ージフエ二ルー 4—ァミノフエ二ル）一 N， N—ジフエニル一 4, 4' —ジアミノー 1, Γ —ビフエニル膜（TPD 232膜）を成膜した。この TP D 232膜は、正孔注入層として機能する。この TP D 232膜上に正孔輸送材料として膜厚 20nmの上記化合物（H 1 )層を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。さらに、膜厚 40nmの下記化合物 E Mlを蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物 D 1を、 EM1 ： D 1の重量比が 40 : 2になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚 lOnmの下記 A 1 q膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ド一パントである L i (L i源：サエスゲッタ一社製）と Al qを二元蒸着させ、電子注入層（又は陰極）として A 1 q： L i膜（膜厚 lOrai) を形成した。この A 1 q： L i膜上に金属 A 1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 E L素子を形成した。

• 得られた素子について電流密度 1 mA/cm²における発光効率を測定し、その結果を表 1 に示す。

なお、化合物（H 1 ) はアモルファス性が高く、蒸着時に蒸着源の開口部を結晶が塞ぐことはなかった。 .

D 1

Alq 実施例 8

実施例 7において、化合物（H 1 ) の代わりに化合物（H 2 ) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

得られた素子について電流密度 1 mA/cm²における発光効率を測定し、その結果を表 1 に示す。

なお、化合物（H 2 ) はアモルファス性が高く、蒸着時に蒸着源の開口部を結晶が塞ぐことはなかった。

実施例 9

実施例 7において、化合物（H I ) の代わりに化合物（H 3 ) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

得られた素子について電流密度 1 mA/cm²における発光効率を測定し、その結果を表 1に示す。

なお、化合物（H 3) はアモルファス性が高く、兹着時に蒸着源の開口部を結晶が塞ぐことはなかった。

実施例 1 0

実施例 7において、化合物（H I ) の代わりに化合物（H4) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

得られた素子について電流密度 lmA/cm²における発光効率を測定し、その結果を表 1に示す。

なお、化合物（H 4) はアモルファス性が高く、蒸着時に蒸着源の開口部を結晶が塞ぐことはなかった。

実施例 1 1

実施例 7において、化合物（H I ) の代わりに化合物（H 5) を用いた以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

なお、化合物（H 5) はアモルファス性が高く、蒸着時に蒸着源の開口部を結晶が塞ぐことはなかった。

実施例 1 1

実施例 7において、化合物（H I ) の代わりに化合物（H6) を用い以外は同様にして有機 E L素子を作製した。

なお、ィヒ合物（H 6) はアモルファス性が高く、蒸着時に蒸着源の開口部を結晶が塞ぐことはなかった。

比較例 1

実施例 7において、化合物（H I ) の代わりに下記 N， N, Ν',Ν' —テトラ (4—ビフヱニル）ージアミノビフエ二レン（TBDB) を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。

得られた素子について電流密度 1 mA/cm²における発光効率を測定し、その結果を表 1に示す。 +

なお、 TBDBは結晶性が高く、蒸着時に蒸着源の開口部で結晶化し、連続的に成膜することができなかった。表

1

TBDB

以上の結果から判るように、本発明の芳香族ァミン誘導体を有機 EL素子の正孔輸送材^に用いた場合、従来用いられている材料と同等の発光効率で発光させることが可能な上、アモルファス性が高いことから、成膜時に蒸着源の開口部を塞ぐことがなく、連続的に素子を成膜することができるため、有機 EL素子の製造歩留り向上に極めて有効であった。産業上の利用可能性

以上、詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体及びそれを用いた

5 ] 有機 EL素子は、高い発光効率を維持しつつ、分子が結晶化しにくく、有機 EL 素子を製造する際の歩留りを向上させることができる。

Claims

請求の範囲

1 . 下記一般式（ 1 ) で表される芳香族ァミン誘導体。

A - L - B ( 1 )

(式中、 Aは、

Ar²

で表されるジァリールアミノ基、 Bは、

Ar³

—

Ar⁴

で表されるジァリールァミノ基であって、 A r ' 〜A r ⁴ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリール基である。ただし、 Αと Βは同一ではない。

Lは、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリ一レン基からなる連結基、又は、複数の置換もしくは無置換の核原子数 5〜5 0のァリーレン基を単結合，酸素原子，硫黄原子，窒素原子又は飽和もしくは不飽和の核炭素数 1〜 2 0の 2価の脂肪族炭化水素基で結合した連結基である。）

2 . 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。

3 . 前記有機薄膜層が正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域が、前記芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する請求項 2に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

4 . 前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、前記芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する請求項 2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

5 . 前記正孔輸送層が、主成分として前記芳香族ァミン誘導体を含有する請求項 2に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

6 . 前記有機薄膜層が、前記芳香族ァミン誘導体を 3 0〜 1 0 0モル⁰ /₀含有する請求項 Iに記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。