WO2004040376B1 - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物

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Claims

補正書の請求の範囲 [2004年 4月 28日 （28.04.04) 国際事務局受理：出願当初の請求の範囲 1は補正された 他の請求の範囲は変更なし。 ]
1. (補正後） 〔A〕 下記一般式 (1-1) で表される繰り返し単位 （1一 1) を含有し、 アルカリ難溶性あるいは不溶性であり、 酸の作用によりアルカリ 易溶性となる樹脂と、 〔B〕 感放射線性酸発生剤とを含有することを特徴とする 感放射線性樹脂組成物。
Figure imgf000003_0001
(式中、 Rlaは水素原子、 メチル基、 炭素数 1〜4のヒドロキシアルキル基、 又は炭素数 1〜4のパーフルォロアルキル基を示し、 は水素原子、 フッ素原 子、 炭素数 1〜4のアルキル基、 又は炭素数 1〜4のフッ素化アルキル基を示し、 X 2はフッ素原子又は炭素数 1〜 4のフッ素化アルキル基を示し、 iは 0〜 5の 整数、 nは 0〜2の整数を示す。 ）
2. 上記樹脂が、 更に、 下記一般式 (1-2) で表される繰り返し単位 （1一 2 ) を含有する請求項 1に記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure imgf000003_0002
捕正された用紙 （条約第 19条〉 (式中、 Rlbは水素原子又はメチル基を示す。 また、 式中、 各々の Rlcは互い に独立に炭素数 4〜20の 1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体、 又は炭 素数 1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、 且つ、 以下の （1) 又 は （2) の条件を満たす。
( 1 ) R cのうちの少なくとも 1つは炭素数 4〜 20の 1価の脂環式炭化水素 基である。
(2) いずれか 2つの Rlcが互いに結合して、 それぞれが結合している炭素原 子も含めて炭素数 4〜 20の 2価の脂環式炭ィ匕水素基もしくはその誘導体を形成 し、 他の Rlcが炭素数 4〜20の 1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体、 又は炭素数 1〜 4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基である。
3. 上記一般式 (1 -2) 中の C (Rlc) 3が 1—アルキル— 1—シクロアル キル基、 2—アルキル— 2—ァダマンチル基、 （1一アルキル— 1ーァダマンチ ル） アルキル基、 又は （1—アルキル— 1一ノルポルニル） アルキル基である請 求項 2に記載の感放射線性樹脂組成物。
4. 上記觀旨がラクトン環を有さない請求項 1に記載の感放射線性樹脂組成物。
5. 上記樹脂を構成する全繰り返し単位の合計を 100モル％とした場合に、 上記繰り返し単位 (1-1) の含有割合が 40〜 90モル％である請求項 4に記 載の感放射線性樹脂組成物。
6. 上記樹脂が、 更に、 下記一般式 (1-3) で表される繰り返し単位 （1一 3 ) を含有する請求項 1に記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure imgf000004_0001
(式中、 Rlhは水素原子又はメチル基を示す。 ）
捕正された用紙 （条約第 条)
7. 上記樹脂を構成する全繰り返し単位の合計を 100モル％とした場合に、 上記繰り返し単位 (1-1) の含有割合が 5〜25モル％である請求項 6に記載 の感放射線性樹脂組成物。
8. 上記樹脂が、 更に、 下記一般式 (1 -4) で表される繰り返し単位 （1— 4 ) を含有する請求項 1に記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure imgf000005_0001
(式中、 Rlbは水素原子又はメチル基を示し、 Aは炭素数 1〜4の直鎖状もし くは分岐状のアルキル基あるいはアルキレン基、 又は炭素数 4〜20の 1価ある いは 2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示し、 nは 0〜 2の整数を示
9. 更に、 〔C〕 酸拡散制御剤を含有する請求項 1に記載の感放射線性樹脂組 成物。
3
捕正された用紙 （条約第 19条)

条約第 1 9条 （1 ) に基づく説明書 条約 1 9条に基づく説明書 請求の範囲第 1項は、 式 （I 一 1 ) 中の X 2がフッ素原子又は炭素数 1〜4の フッ素化アルキル基であることを明確にした。

本発明は、 かかる構成を有することにより、 解像度が高く、 感度、 パターン形 状、 エッチング耐性に優れている。 また、 本発明は、 エッチング後のパターンの ガタツキが少なく、 特に現像液に対する溶解性が良好であり、 現像欠陥が発生し にくい特徴を有し、 基板に対する接着性及び裾形状も良好である。

一方、 国際調査報告に列挙されている各文献には、 上記構成を備える感放射線 性樹脂組成物は、 具体的に開示されていない。

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4796792B2 (ja) * 2005-06-28 2011-10-19 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4861767B2 (ja) 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP2007079552A (ja) * 2005-08-17 2007-03-29 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP4979915B2 (ja) 2005-09-09 2012-07-18 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
TWI477909B (zh) * 2006-01-24 2015-03-21 Fujifilm Corp 正型感光性組成物及使用它之圖案形成方法
US7998654B2 (en) * 2007-03-28 2011-08-16 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern-forming method
TWI488004B (zh) * 2009-07-02 2015-06-11 Jsr Corp Sensitive radiation linear resin composition
JP5077594B2 (ja) * 2010-01-26 2012-11-21 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US9250531B2 (en) * 2011-03-08 2016-02-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of forming resist pattern and negative tone-development resist composition
JP5618958B2 (ja) 2011-09-22 2014-11-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
KR20150143411A (ko) * 2013-04-17 2015-12-23 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 소자의 제조 방법 및 이온 주입 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
JP2648805B2 (ja) 1990-04-24 1997-09-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液体適用型の水性処理可能なホトレジスト組成物
JP3568599B2 (ja) 1993-12-28 2004-09-22 富士通株式会社 放射線感光材料及びパターン形成方法
US6403280B1 (en) 1999-04-28 2002-06-11 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition
JP4277420B2 (ja) * 1999-10-18 2009-06-10 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4838437B2 (ja) 2000-06-16 2011-12-14 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP2002182393A (ja) * 2000-10-04 2002-06-26 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP4441104B2 (ja) * 2000-11-27 2010-03-31 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4199914B2 (ja) 2000-11-29 2008-12-24 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4210439B2 (ja) * 2001-04-05 2009-01-21 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP4083399B2 (ja) * 2001-07-24 2008-04-30 セントラル硝子株式会社 含フッ素重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物
JP2003140349A (ja) * 2001-11-05 2003-05-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US7335454B2 (en) 2001-12-13 2008-02-26 Fujifilm Corporation Positive resist composition
JP2003241386A (ja) 2001-12-13 2003-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US7108951B2 (en) * 2002-02-26 2006-09-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive resin composition
JP4345326B2 (ja) * 2002-03-15 2009-10-14 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP2003345022A (ja) * 2002-05-27 2003-12-03 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US6806026B2 (en) 2002-05-31 2004-10-19 International Business Machines Corporation Photoresist composition
US6939662B2 (en) * 2002-05-31 2005-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working resist composition

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